JPH10301283A - 感光性組成物およびこれを用いたパタン形成方法 - Google Patents

感光性組成物およびこれを用いたパタン形成方法

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JPH10301283A
JPH10301283A JP9110706A JP11070697A JPH10301283A JP H10301283 A JPH10301283 A JP H10301283A JP 9110706 A JP9110706 A JP 9110706A JP 11070697 A JP11070697 A JP 11070697A JP H10301283 A JPH10301283 A JP H10301283A
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真 中瀬
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長光源に対して透明性が優れ、かつ充分
なドライエッチング耐性を有し、溶解性、アルカリ現像
性の高い感光性組成物を提供する。 【解決手段】 ベース樹脂、光酸発生剤及び下記一般式
（１）で表される化合物を含有することを特徴とする感
光性組成物である。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒ1 は１価の有機基であり、Ｘ
1 は、＞Ｃ＝Ｏ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ3 −、
−ＳＯ2 −、−Ｓ（＝Ｏ）2 ＮＲ3 −及び−Ｏ−からな
る群から選択される基である（Ｒ3 は、水素原子、ハロ
ゲン原子、又は炭化水素基である）。Ｒ2 は、脂環式骨
格を含む基であり、このＲ2 において、Ｘ1 に直接結合
している原子は３級炭素原子である。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子などの製
造工程に於ける微細加工に用いられるレジスト組成物と
して好適な感光性組成物に係り、特に、紫外線、ｄｅｅ
ｐＵＶ光、２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光、１９
３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素レーザー光、
電子線およびＸ線などの短波長光が露光エネルギー源と
して用いられる際に特に好適な感光性組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子などを始めとする電子部品の
製造工程では、フォトリソグラフィー技術を用いて微細
パタンが形成されている。かかる技術は、次のような工
程に沿って行なわれる。すなわち、まず、レジスト組成
物を基板等の上に塗布してフォトレジスト膜となる薄膜
を形成する。次いで、このフォトレジスト膜に対して露
光を行なった後、現像、リンス等の処理を施してレジス
トパタンを形成する。続いて、レジストパタンを耐エッ
チングマスクとして用いて、露出している基板などの表
面をエッチングすることにより微細な幅の線や窓を開孔
し、所望のパタンを形成する。最後に基板上に残留した
レジストパタンを溶解除去してパターニングされた基板
が得られる。
【０００３】近年、半導体素子の高密度集積化に伴なっ
て、フォトリソグラフィー技術に於いては、より微細な
パタンを形成可能な加工技術が求められている。かかる
要望に対して、露光光源の短波長化が試みられている。
例えば、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）やＹ
ＡＧレーザの５倍高調波（波長２１３ｎｍ）を光源とし
て採用した、微細なレジストパタンを形成するプロセス
が開発されている。これによって最小線幅がサブミクロ
ンオーダの配線パタンを形成することが可能となった
が、配線パタンはさらに微細化の傾向にある。
【０００４】なお、基板等に微細加工を施す際には、プ
ラズマを用いたドライエッチングプロセスが確立されて
いるので、この微細加工をより効果的に行なう目的でド
ライエッチング耐性に優れたレジストを用いてレジスト
パタンを形成することが求められている。
【０００５】かかる点に関して、レジスト材料として芳
香族化合物を含有する感光性材料を使用することが知ら
れている。このようなレジスト材料としては、フェノー
ル樹脂をベース材料として含むものが数多く開発されて
きたが、これらの材料は前述のような短波長光を露光光
源として使用した場合には、その吸収が大きいので露光
時にレジスト膜の表面から離れた部分にまで露光光を充
分に到達させることができない。その結果、従来のレジ
スト材料によって微細パタンを得ることが困難であると
いう問題があった。
【０００６】一方、光吸収の少ない樹脂として、芳香環
を有しないポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）など
を用いることが検討されているが、これらの材料は充分
なドライエッチング耐性を有していないという問題点が
あった。
【０００７】また、単なる脂肪族環式化合物をベース樹
脂として用いることが検討されているが、これらの材料
では溶解性、アルカリ現像性が低く、更に高いドライエ
ッチング耐性も必要とされるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、サブ
クォーターミクロンの微細パタンを実現するための感光
性材料としては、光の吸収が少ないことが要求され、得
られたレジストパタンは充分なドライエッチング耐性を
有していることが必要である。
【０００９】そこで、本発明は、短波長光源、特にＫｒ
Ｆエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素
レーザー光に対して透明性が優れるとともに、充分なド
ライエッチング耐性を備えたレジストパタンを形成し得
る感光性組成物、およびこれを用いたパタン形成方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ベース樹脂、光酸発生剤、および下記一
般式（１）で表わされる化合物を含有することを特徴と
する感光性組成物を提供する。
【００１１】
【化３】
【００１２】（上記一般式（１）中、Ｒ1 は１価の有機
基であり、Ｘ1 は、＞Ｃ＝Ｏ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ
ＯＮＲ3 −、−ＳＯ2 −、−Ｓ（＝Ｏ）2 ＮＲ3 −、お
よび−Ｏ−からなる群から選択される基である（Ｒ
3 は、水素原子、ハロゲン原子、または炭化水素基であ
る）。Ｒ2 は、脂環式骨格を含む基であり、このＲ2 に
おいて、Ｘ1 に直接結合している原子は３級炭素であ
る。） また本発明は、前述の感光性組成物を含む膜を基板上に
形成する工程と、前記感光性組成物膜の所定の領域にパ
ターン露光を施す工程と、前記露光後の感光性組成物膜
を熱処理する工程と、前記熱処理後の感光性組成物膜を
アルカリ水溶液で現像処理して、露光部を選択的に溶解
除去する工程とを具備するパターン形成方法を提供す
る。
【００１３】すなわち、本発明の感光性組成物は、露光
後、光化学反応を熱反応によって増幅する化学増幅型レ
ジストの成分として、脂環式骨格を有する基が導入され
た化合物を添加剤として含有するものである。
【００１４】まずここで、化学増幅型レジストについて
説明する。
【００１５】化学増幅型レジストは、その含有成分によ
ってポジ型あるいはネガ型の任意のレジストとして使用
することができる。ポジ型の化学増幅型レジストとは、
例えば、樹脂成分であるアルカリ可溶性樹脂；酸により
分解する化合物である溶解抑止剤；および化学放射線、
エネルギー放射線、物質放射線などの照射により、酸を
発生する化合物である光酸発生剤の３成分を含有する感
光性組成物である。なお、アルカリ可溶性樹脂における
共重合成分として溶解抑止基を含有せしめれば、同時に
溶解抑止剤として作用させることもできる。このポジ型
の化学増幅型レジストを基板等の上に塗布してなるレジ
スト膜においては、溶解抑止剤が存在していることに起
因して未露光（化学放射線未照射）状態ではアルカリ水
溶液に不溶性である。このようなレジスト膜に露光およ
びベーキング処理を施すことによって、レジスト膜の露
光部においては光酸発生剤から酸が発生し、この酸が溶
解抑止剤を分解してアルカリ溶液に対して可溶性を呈す
る。すなわち、このようなレジストは、レジスト膜の露
光部が選択的に溶解除去されるポジ型であるが、未露光
部が溶解除去されるネガ型とすることもできる。この場
合には、上述した酸により分解する化合物に代えて、酸
によって樹脂成分を架橋し得る化合物、または酸によっ
て溶解度が変化する化合物を配合すればよい。
【００１６】ポジ型として使用する場合には、本発明の
感光性組成物におけるベース樹脂としては、例えば、下
記一般式（３）で表される構造を側鎖に有するビニル
系、あるいは一般式（２）で表されるアクリル系化合物
と、酸により分解する基を有するモノマとの共重合体が
好ましい。
【００１７】
【化４】
【００１８】（上記一般式（３）中、Ｒ9 は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン
原子、炭化水素基、水酸基、アルコキシル基、アミノ
基、イミド基、アミド基、カルボキシル基、アルコキシ
カルボニル基、カルボニル基、スルホンアミド基、スル
ホニル基であり、Ｒ9 同士は、互いに結合して環を形成
していてもよい。） なお、Ｒ9 として導入され得る１価の炭化水素基は、脂
肪族基または芳香族基のいずれでもよく、さらに窒素原
子、酸素原子、イオウ原子、リンなどのヘテロ原子で置
換されていてもよく、何等限定されない。前記脂肪族基
は、飽和していても不飽和結合を含んでいてもよく、直
鎖または枝分れしていてもよい。さらに、前記脂肪族基
は環状化合物を含むこともできる。また、前記芳香族基
は、無置換であっても、前記脂肪族基で置換されていて
もよい。
【００１９】また、前記Ｒ9 がアミノ基の場合には、そ
の水素原子は、前記脂肪族基または芳香族基で置換され
ていてもよい。
【００２０】
【化５】
【００２１】（上記一般式（２）中、Ｒ6 は環状骨格を
含有する基であり、Ｒ7 、Ｒ8 およびＲ10は、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、シリル基、炭
化水素基、水酸基、アルコキシル基、アミノ基、イミド
基、アミド基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボ
ニル基、またはスルホンアミド基を示し、同一でも異な
っていてもよい。） 環状骨格を含有する基Ｒ6 としては、例えば、テトラシ
クロアルキル基、トリシクロアルキル基、ビシクロアル
キル基、オキサシクロアルキル基、ヘテロシクロアルキ
ル基、およびオキソシクロアルキル基（アルキル炭素数
は５以上２０以下）等が挙げられる。また、Ｒ7 、Ｒ8
およびＲ10として導入され得る１価の有機基としては、
例えば、シアノ基、クロロ基、ブロモ基、ヨージル基、
ニトロ基、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、およびシ
リル基等が挙げられる。
【００２２】前述した共重合体は、骨格中にテルペノイ
ド骨格を有する基を含むものであり、これについて以下
に詳細に説明する。
【００２３】テルペノイド骨格の量は、感光性組成物の
固形分中、５重量％以上９５重量％以下であることが好
ましい。この理由は、テルペノイド骨格の量が５重量％
未満の場合には、得られるパタンのドライエッチング耐
性が低下し、逆に９５重量％を超えると、解像度や感度
が低下する恐れがあるためにである。上記テルペノイド
骨格のより好ましい量は、２０〜７５重量％である。
【００２４】なお、テルペノイド骨格を有する化合物と
は、ほぼイソプレン則に適合し、Ｃ5 Ｈ8 を基本組成と
する炭化水素、および、その炭化水素から導かれる含酸
素化合物、並びに不飽和度を異にする化合物、あるいは
前記化合物の誘導体であって、本発明の感光性組成物の
成分として使用できる化合物である。
【００２５】前記炭化水素、およびそれから導かれる含
酸素化合物、並びに不飽和度を異にする化合物として
は、具体的には、ミルセン、カレン、オシメン、ピネ
ン、リモネン、カンフェン、テルピノレン、トリシクレ
ン、テルピネン、フェンチェン、フェランドレン、シル
ベストレン、サビネン、シトロネロール、ピノカンフェ
オール、ゲラニオール、フェンチルアルコール、ネロー
ル、ボルネオール、リナロール、メントール、テルピネ
オール、カルベオール、ツイルアルコール、シトロネラ
ール、ヨノン、イロン、シネロール、シトラール、メン
トン、ピノール、シクロシトラール、カルボメントン、
アスカリドール、サフラナール、カルボタナセトン、フ
ェランドラール、ピメリテノン、シトロネロル酸、ペリ
ルアルデヒド、ツヨン、カロン、ダゲトン、ショウノ
ウ、ビサボレン、サンタレン、ジンギベレン、カリオフ
ィレン、クルクメン、セドレン、カジネン、ロンギホレ
ン、セスキベニヘン、ファルネソール、パチュリアルコ
ール、ネロリドール、カロトール、カジノール、ランセ
オール、オイデスモール、セドロール、グアヨール、ケ
ッソグリコール、シペロン、ヒノキ酸、エレモフィロ
ン、サンタル酸、ゼルンボン、カンホレン、ポドカルプ
レン、ミレン、フィロクラデン、トタレン、フィトー
ル、スクラレオール、マノール、ヒノキオール、フェル
ギノール、トタロール、スギオール、ケトマノイルオキ
シド、マノイルオキシド、アビエチン酸、ピマル酸、ネ
オアビエチン酸、レボピマル酸、イソ−ｄ−ピマル酸、
アガテンジカルボン酸、ルベニン酸、トリテルペン、お
よびカルチノイドなどの骨格を構造内に有する化合物が
挙げられる。
【００２６】これらの化合物のうち、テルペノイド骨格
が単環式である化合物、またはヘミテルペン、モノテル
ペン、ジテルペンおよびセスキテルペンが、特にアルカ
リ溶解性の点で有利である。
【００２７】テルペノイド骨格を有する化合物を感光性
組成物における樹脂成分として用いる場合、カレン、ピ
ネン、リモネン、カンフェン、テルピノレン、テルピネ
ン、ボルネオール、メントール、テルピネロール、ソブ
レロール、およびパチュリアルコールが好ましい。特
に、メンチル基またはメンチル誘導体基を有するポリマ
ーが好ましい。メンチル基またはメンチル誘導体基を有
するポリマーの原料となるメントール（Ｃ10Ｈ20Ｏ）
は、容易に入手可能であり、安全で安価、かつ化学的に
非常に安定である。
【００２８】以下、メンチル基またはメンチル誘導体基
を例に挙げて、本発明の感光性組成物に配合され得るテ
ルペノイド骨格を有する化合物を詳細に説明する。
【００２９】なお、メンチル基またはメンチル誘導体基
は、前記一般式（３）で表わされる。このようなメンチ
ル基またはメンチル誘導体基としては、例えば、ｐ−メ
ンタ−１，８−ジエニル基、ｐ−メンタ−２，８−ジエ
ニル基、ｐ−メンタ−３，８−ジエニル基、α−テルピ
ニル基、β−テルピニル基、γ−テルピニル基、５−ヒ
ドロキシ−α，α−トリメチル−３−シクロヘキセン−
１−メンチル基、１−ヒドロキシ−α，α−トリメチル
−３−シクロヘキセン−５−メンチル基、８−ブチルメ
ンチル基、８−β−ナフチルメンチル基、および８−α
−ナフチルメンチル基等が挙げられる。メンチル基およ
びその誘導体は、ポリマのどの部分に存在していてもよ
く、特に限定されない。この基を有するポリマを得るに
は、より一般的には、重合性二重結合を有する化合物の
側鎖として前述の基を導入し、メンチル基またはメンチ
ル誘導体基を有する化合物を得て、さらに単重合または
共重合化によって目的とするポリマを得ることができ
る。
【００３０】感光性組成物の固形分中におけるメンチル
基またはメンチル誘導体基の量は、少なくとも５重量％
以上９５重量％以下であることが好ましい。この理由
は、当該化合物の量が５重量％未満であると得られるパ
タンのドライエッチング耐性が低下し、逆に９５重量％
を超えると、解像度や感度が低下する恐れがあるためで
ある。上記メンチル基またはメンチル誘導体基のより好
ましい量は、２０〜７５重量％である。
【００３１】さらに、メンチル基またはメンチル誘導体
基を骨格に有する化合物は、ビニル系化合物と共重合さ
せて感光性組成物の樹脂成分として用いることがより好
ましい。この場合には、感光性組成物の高解像度化を達
成することができる。
【００３２】ビニル系化合物としては、例えば、メチル
アクリレート、メチルメタクリレート、α−クロロアク
リレート、シアノアクリレート、トリフルオロメチルア
クリレート、α−メチルスチレン、トリメチルシリルメ
タクリレート、トリメチルシリルα−クロロアクリレー
ト、トリメチルシリルメチルα−クロロアクリレート、
無水マレイン酸、テトラヒドロピラニルメタクリレー
ト、テトラヒドロピラニルα−クロロアクリレート、ｔ
−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルα−クロロアクリ
レート、ブタジエン、グリシジルメタクリレート、イソ
ボルニルメタクリレート、メンチルメタクリレート、ノ
ルボルニルメタクリレート、アダマンチルメタクリレー
ト、およびアリルメタクリレート等が挙げられる。
【００３３】特に、共重合組成が、メチルメタクリレー
ト、α−クロロメタクリレート、トリフルオロエチルα
−クロロアクリレート、トリフルオロメチルアクリレー
ト、オレフィンスルホン酸などのアクリル系化合物の場
合には、ポジ型レジストとして好ましく用いることがで
きる。また、エステルのアルコール部分にビニル基、あ
るいは、アリル基、エポキシ基を有するアクリル系化合
物、およびエステルのアルコール部分の炭素数が４以上
のアクリル系化合物が共重合組成の場合には、ネガ型レ
ジストとして好ましく使用することができる。アクリル
系化合物は、下記一般式（４）で表わされる。
【００３４】
【化６】
【００３５】（上記一般式（４）中、Ｒ17は、水素原
子、または１価の有機基、Ｒ18、Ｒ19およびＲ20は、水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基を示す。Ｒ18、Ｒ19
およびＲ20は、同一であっても異なっていてもよい。） また、ポリマを得る際に使用する、メンチル基またはメ
ンチル誘導体基を含む化合物が、前述の一般式（４）で
表わされるアクリル系化合物である場合には、容易に高
分子化、または共重合化できるので好ましいものとな
る。前記アクリル系化合物は、下記一般式（５）で表わ
される。この化合物を単重合または共重合させることに
よって、目的のポリマが得られる。
【００３６】
【化７】
【００３７】（上記一般式（５）中、Ｒ23は前記一般式
（３）で表わされるメンチル基またはメンチル誘導体基
を含む有機基であり、Ｒ24はアルキル基、カルボキシル
基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子または水素
原子である。） また、上述のメンチル基またはメンチル誘導体基を、下
記一般式（６）で表わされるように、重合性構造を有す
る多価カルボン酸に導入してもよい。これによって、高
解像度化が達成されるので好ましいものとなる。
【００３８】
【化８】
【００３９】（上記一般式（６）中、Ｒ25およびＲ
26は、１価の有機基または水素原子であり、その少なく
とも一方は、前記一般式（３）で表わされるメンチル基
またはメンチル誘導体基を含む。） なお、上記一般式（６）において、Ｒ25およびＲ26の一
方には、酸により分解または架橋する基を適宜導入する
ことができる。この一般式（６）で表わされる化合物
は、Ｚ体またはＥ体の構造に限定されるものではなく、
また、この単量体を単重合または共重合させることによ
って得られたポリマを使用する。
【００４０】特に、上記一般式（２）で表される単量体
と、酸で分解または架橋する官能基を含む化合物との共
重合体である場合には、光酸発生剤を含有させることに
より、化学増幅型レジストとして好適に使用することが
できる。
【００４１】酸により分解する基（以下、溶解抑止基と
称する）としては、例えば、イソプロピルエステル、エ
チルエステル、メチルエステル、メトキシメチルエステ
ル、エトキシエチルエステル、メチルチオメチルエステ
ル、テトラヒドロピラニルエステル、テトラヒドロフラ
ニルエステル、メトキシエトキシメチルエステル、２−
トリメチルシリルエトキシメチルエステル、２，２，２
−トリクロロエチルエステル、２−クロロエチルエステ
ル、２−ブロモエチルエステル、２−ヨードエチルエス
テル、２−フルオロエチルエステル、ω−クロロアルキ
ルエステル、２−トリメチルシリルエチルエステル、２
−メチルチオエチルエステル、１，３−ジチアニル−２
−メチルエステル、ｔ−ブチルエステル、シクロペンチ
ルエステル、シクロヘキシルエステル、３−オキソシク
ロヘキシルエステル、アリルエステル、３−ブテン−１
−イルエステル、イソボルニルエステル、４−トリメチ
ルシリル−２−ブテン−１−イルエステル、９−アンス
リルメチルエステル、２−９’，１０’−ジオキソ−ア
ンスリルメチルエステル、１−ピレニルメチルエステ
ル、２−トリフルオロメチル−６−クロミルメチルエス
テル、ピペロニルエステル、４−ピコリルエステル、ト
リメチルシリルエステル、トリエチルシリルエステル、
イソプロピルジメチルシリルエステル、ジ−ｔ−ブチル
メチルシリルエステル、チオールエステル、オキサゾー
ル、２−アルキル−１，３−オキサゾリン、４−アルキ
ル−５−オキソ−１，３−オキサゾリン、５−アルキル
−４−オキソ−１，３−ジオキソラン、オルトエステ
ル、ペンタアミンコバルトコンプレックス、トリエチル
スタニルエステル、トリ−ｎ−ブチルスタニルエステ
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミド、ピロリジンアミド、ピペ
リジンアミド、５，６−ジヒドロフェナンスリジンアミ
ド、Ｎ−７−ニトロインドリルエステル、Ｎ−８−ニト
ロ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリルアミド、ヒ
ドラジド、Ｎ−フェニルヒドラジド、および、Ｎ，Ｎ’
−ジイソプロピルヒドラジドなどのエステル類；ｔ−ブ
トキシカルボニルエーテル、メチルエーテル、メトキシ
メチルエーテル、メチルチオメチルエーテル、ｔ−ブチ
ルチオメチルエーテル、ｔ−ブトキシメチルエーテル、
４−ペンテニロキシメチルエーテル、ｔ−ブチルジメチ
ルシロキシメチルエーテル、セキシルジメチルシロキシ
メチルエーテル、２−メトキシエトキシメチルエーテ
ル、２，２，２−トリクロロエトキシメチルエーテル、
ビス−２’−クロロエトキシ−メチルエーテル、２’−
トリメチルシリルエトキシメチルエーテル、２’−トリ
エチルシリルエトキシメチルエーテル、２’−トリイソ
プロピルシリルエトキシメチルエーテル、２’−ｔ−ブ
チルジメチルシリルエトキシメチルエーテル、テトラヒ
ドロピラニルエーテル、テトラヒドロチオピラニルエー
テル、３−ブロモテトラヒドロピラニルエーテル、１−
メトキシシクロヘキシルエーテル、４−メトキシテトラ
ヒドロピラニルエーテル、４−メトキシテトラヒドロチ
オピラニルエーテル、４−メトキシテトラヒドロチオピ
ラニルエーテル−Ｓ，Ｓ−ジオキシド、１，４−ジオキ
サン−２−イルエーテル、テトラヒドロフラニルエーテ
ル、テトラヒドロチオフラニルエーテル、２，３，３
ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロ−７，８，８
−トリメチル−４，７−メタノベンゾフラン−２−イル
エーテル、１−エトキシエチルエーテル、１−２’−ク
ロロエトキシ−エチルエーテル、１−メチル−１−メト
キシエチルエーテル、２，２，２−トリクロロエチルエ
ーテル、２−トリメチルシリルエチルエーテル、ｔ−ブ
チルエーテル、アリルエーテル、４，４’，４”−トリ
ス−４’，５’−ジクロロフタルイミドフェニル−メチ
ルエーテル、４，４’，４”−トリス−４’，５’−ジ
ブロモフタルイミドフェニル−メチルエーテル、４，
４’，４”−トリス−４’，５’−ヨードフタルイミド
フェニル−メチルエーテル、９−アンスリルエーテル、
９−９’−フェニル−１０’−オキソ−アンスリルエー
テル（トリチロンエーテル）、１，３−ベンゾジチオラ
ン−２−イルエーテル、ベンズイソチアゾリル−Ｓ，Ｓ
−ジオキシドエーテル、トリメチルシリルエーテル、ト
リエチルシリルエーテル、トリイソプロピルシリルエー
テル、ジメチルイソプロピルシリルエーテル、ジエチル
イソプロピルシリルエーテル、ジメチルセキシルシリル
エーテル、および、ｔ−ブチルジメチルシリルエーテル
などのエーテル類；メチレンアセタール、エチリデンア
セタール、２，２，２−トリクロロエチリデンアセター
ル、２，２，２−トリブロモエチリデンアセタール、お
よび、２，２，２−トリヨードエチリデンアセタールな
どのアセタール類；１−ｔ−ブチルエチリデンケター
ル、イソプロピリデンケタール（アセトニド）、シクロ
ペンチリデンケタール、シクロヘキシリデンケタール、
および、シクロヘプチリデンケタールなどのケタール
類；メトキシメチレンアセタール、エトキシメチレンア
セタール、ジメトキシメチレンオルソエステル、１−メ
トキシエチリデンオルソエステル、１−エトキシエチリ
デンオルソエステル、１，２−ジメトキシエチリデンオ
ルソエステル、１−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチリデン
オルソエステル、および、２−オキサシクロペンチリデ
ンオルソエステル、などのサイクリックオルソエステル
類；トリメチルシリルケテンアセタール、トリエチルシ
リルケテンアセタール、トリイソプロピルシリルケテン
アセタール、および、ｔ−ブチルジメチルシリルケテン
アセタールなどのシリルケテンアセタール類；ジ−ｔ−
ブチルシリルエーテル、１，３−１’，１’，３’，
３’−テトライソプロピルジシロキサニリデンエーテ
ル、および、テトラ−ｔ−ブトキシジシロキサン−１，
３−ジイリデンエーテルなどのシリルエーテル類；ジメ
チルアセタール、ジメチルケタール、ビス−２，２，２
−トリクロロエチルアセタール、ビス−２，２，２−ト
リブロモエチルアセタール、ビス−２，２，２−トリヨ
ードエチルアセタール、ビス−２，２，２−トリクロロ
エチルケタール、ビス−２，２，２−トリブロモエチル
ケタール、ビス−２，２，２−トリヨードエチルケター
ル、ジアセチルアセタール、および、ジアセチルケター
ルなどの非環状アセタール類またはケタール類；１，３
−ジオキサン、５−メチレン−１，３−ジオキサン、
５，５−ジブロモ−１，３−ジオキサン、１，３−ジオ
キソラン、４−ブロモメチル−１，３−ジオキソラン、
４−３’−ブテニル−１，３−ジオキソラン、および、
４，５−ジメトキシメチル−１，３−ジオキソランなど
のサイクリックアセタール類またはケタール類；Ｓ，
Ｓ’−ジメチルアセタール、Ｓ，Ｓ’−ジメチルケター
ル、Ｓ，Ｓ’−ジエチルアセタール、Ｓ，Ｓ’−ジエチ
ルケタール、Ｓ，Ｓ’−ジプロピルアセタール、Ｓ，
Ｓ’−ジプロピルケタール、Ｓ，Ｓ’−ジブチルアセタ
ール、Ｓ，Ｓ’−ジブチルケタール、Ｓ，Ｓ’−ジペン
チルアセタール、Ｓ，Ｓ’−ジペンチルケタール、Ｓ，
Ｓ’−ジアセチルアセタール、および、Ｓ，Ｓ’−ジア
セチルケタールなどの非環状ジチオアセタール類または
ケタール類；１，３−ジチアンアセタール、１，３−ジ
チアンケタール、１，３−ジチオランアセタール、およ
び、１，３−ジチオランケタールなどのサイクリックジ
チオアセタール類またはケタール類；Ｏ−トリメチルシ
リル−Ｓ−アルキルアセタール類；Ｏ−トリメチルシリ
ル−Ｓ−アルキルケタール類；Ｏ−メチル−Ｓ−２−メ
チルチオエチルアセタールなどの非環状モノチオアセタ
ール類；Ｏ−メチル−Ｓ−２−メチルチオエチルケター
ルなどの非環状モノチオケタール類；１，３−オキサチ
オランアセタール、ジセレノアセタール、および、ジセ
レノケタールなどのサイクリックモノチオアセタール類
またはケタール類；Ｏ−トリメチルシリルシアノヒドリ
ン、Ｏ−１−エトキシエチルシアノヒドリン、Ｏ−テト
ラヒドロピラニルシアノヒドリンなどのシアノヒドリン
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンなどのヒドラゾン類；
オキシム誘導体、Ｏ−メチルオキシムなどのオキシム
類；オキサゾリジン、１−メチル−２−１’−ヒドロキ
シアルキル−イミダゾール、および、Ｎ，Ｎ−ジメチル
イミダゾリジンなどのサイクリック誘導体などを挙げる
ことができる。
【００４２】より好ましくは、ｔ−ブチルメタクリレー
ト、エトキシエチルメタクリレート、３−オキソシクロ
ヘキシルメタクリレート、ｔ−ブチル−３−ナフチル−
２−プロペノエート、イソボルニルメタクリレート、ト
リメチルシリルメタクリレート、テトラヒドロピラニル
メタクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、エトキシエ
チルアクリレート、３−オキソシクロヘキシルアクリレ
ート、イソボルニルアクリレート、トリメチルシリルア
クリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、２−
メチル−２−トリシクロ［３．３．１．１ 3,7］デカニ
ルアクリレート、２−メチル−２−トリシクロ［３．
３．１．１ 3,7］デカニルメタクリレート、２−エチル
−２−トリシクロ［３．３．１．１ 3,7］デカニルアク
リレート、２−エチル−２−トリシクロ［３．３．１．
１ 3,7］デカニルメタクリレート、２−プロピル−２−
トリシクロ［３．３．１．１ 3,7］デカニルアクリレー
ト、２−プロピル−２−トリシクロ［３．３．１．１
3,7］デカニルメタクリレート、２−ブチル−２−トリ
シクロ［３．３．１．１ 3,7］デカニルアクリレート、
および２−ブチル−２−トリシクロ［３．３．１．１
3,7］デカニルメタクリレートのようなｔ−ブチルエス
テル；トリメチルシリルエステル；テトラヒドロピラニ
ルエステルが挙げられる。これらの基を用いた場合に
は、より酸に分解しやすいため高感度となるからであ
る。
【００４３】溶解抑止基を有する単量体の共重合体中に
おける含有量は、全体の単量体の総モル数に対して１０
モル％〜９５モル％の範囲が好ましい。１０モル％未満
では、十分な溶解抑止作用を付与することができず、一
方、９５モル％を超えると解像度が低下してしまう。な
お、溶解抑止基を有する単量体の含有量は、より好まし
くは１５モル％〜７０モル％である。
【００４４】また、本発明の感光性組成物のベース樹脂
成分として、アルカリ可溶性基を含有させてもよい。ア
ルカリ溶解性基を含む単量体としては、それ自体がアル
カリまたは塩基に溶解するものを使用することができ
る。例えば、カルボン酸、スルホン酸、酸無水物、フェ
ノール性水酸基を含む単量体を挙げることができる。こ
れらの単量体には、同時にエステル、アルコール、アミ
ン、イミド、スルホンアミド、アミドなどの他の官能基
が存在していてもよい。
【００４５】本発明の感光性組成物のベース樹脂成分と
して、さらにアクリル酸系エステル単量体、イミド単量
体、スルホンアミド単量体、アミド単量体およびアクリ
ル系のアルキルアミノスルホニルアルキルエステルをさ
らに含有させてもよい。例えば、メタクリル酸エステル
単量体、アクリル酸エステル単量体、クロトン酸エステ
ル単量体、チグリル酸エステル単量体等を挙げることが
できる。
【００４６】アルカリ可溶性基を共重合組成に含む場合
には、そのアルカリ可溶性基を有する単量体の含有量
は、全体の単量体総モル数に対して、１モル％〜９５モ
ル％の範囲が好ましい。１モル％未満では、露光後のア
ルカリ溶解性が不十分となるおそれがあり、一方、９５
モル％を越えると感度が低下するおそれがある。なお、
アルカリ可溶性基の含有量は、より好ましくは１〜７０
モル％である。
【００４７】また、アクリル酸系エステル単量体を含む
場合には、この単量体は、全体の単量体の総モル数に対
して１〜８０モル％加えることが好ましい。この範囲を
逸脱すると解像度が低下してしまう。なお、さらに含む
メタクリル酸単量体の含有量は、より好ましくは１〜７
０モル％である。
【００４８】本発明の感光性組成物におけるベース樹脂
には、脂肪族単環式骨格、または脂肪族縮環式骨格を有
する基、またはテルペノイド骨格を有する基を有する単
量体が共重合成分として含有されていてもよい。この場
合には、これらの単量体の含有量は、共重合体中の単量
体の総モルに対して、１０％〜９５％の範囲が好まし
い。１０％未満では得られるパタンの耐ドライエッチン
グ性が低下し、９５％を越えると解像度や感度が低下し
てしまうので好ましくない。なお、前記単量体の含有量
は、より好ましくは１５〜８０％である。
【００４９】本発明の感光性組成物においてベース樹脂
として用いられる共重合体は、軟化点が２０℃以上であ
って、かつ、平均分子量が５００〜９００，０００であ
ることが好ましい。ベース樹脂成分の軟化点が２０℃未
満と低すぎる場合には、化学放射線の照射によって酸発
生剤から発生した酸がベーキング処理によって必要以上
にレジスト層内に拡散してしまう。従って、パタニング
後のレジストの解像性が低下する恐れがある。
【００５０】また、余りに高分子のポリマの場合には、
これを含むレジスト組成物に電子放射線を照射した際
に、その照射および照射後のベーキングによって架橋反
応が促進されてしまう。従って、ポジ型レジストの場合
にレジストの像質または感度が劣化する恐れがある。
【００５１】なお、本発明の感光性組成物中におけるベ
ース樹脂成分の配合量は、ドライエッチング耐性、感
度、解像度、コントラスト等に応じて適宜決定すること
ができるが、通常、樹脂組成物全体に対して５〜８０モ
ル％程度である。
【００５２】本発明の感光性組成物における光酸発生剤
は、化学放射線の照射により酸を発生する化合物であ
り、例えば、アリールオニウム塩、ナフトキノンジアジ
ド化合物、ジアゾニウム塩、スルフォネート化合物、ス
ルフォニウム化合物、およびスルフォニルジアゾメタン
化合物などが挙げられる。
【００５３】これらの化合物の例として、具体的には、
トリフェニルスルフォニウムトリフレート、ジフェニル
ヨードニウムトリフレート、２，３，４，４−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン−４−ナフトキノンジアジドス
ルフォネート、４−Ｎ−フェニルアミノ−２−メトキシ
フェニルジアゾニウムスルフェート、４−Ｎ−フェニル
アミノ−２−メトキシフェニルジアゾニウムｐ−エチル
フェニルスルフェート、４−Ｎ−フェニルアミノ−２−
メトキシフェニルジアゾニウム２−ナフチルスルフェー
ト、４−Ｎ−フェニルアミノ−２−メトキシフェニルジ
アゾニウムフェニルスルフェート、２，５−ジエトキシ
−４−Ｎ−４’−メトキシフェニルカルボニルフェニル
ジアゾニウム３−カルボキシ−４−ヒドロキシフェニル
スルフェート、２−メトキシ−４−Ｎ−フェニルフェニ
ルジアゾニウム３−カルボキシ−４−ヒドロキシフェニ
ルスルフェート、ジフェニルスルフォニルメタン、ジフ
ェニルスルフォニルジアゾメタン、ジフェニルジスルホ
ン、α−メチルベンゾイントシレート、ピロガロールト
リメシレート、およびベンゾイントシレート等が挙げら
れる。
【００５４】特に、ナフタレン骨格を有する光酸発生剤
を用いると、共役系が増えるために１９３ｎｍ付近の光
透過性が増大するので好ましい。
【００５５】ナフタレン骨格を有する光酸発生剤として
は、例えば、ナフタレン、ペンタレン、インデン、アズ
レン、ヘプタレン、ビフェニレン、ａｓ−インダセン、
ｓ−インダセン、アセナフチレン、フルオレン、フェナ
レン、フェナントレン、アントラセン、フルオランテ
ン、アセフェナントリレン、アセアントリレン、トリフ
ェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセン、プレイアデ
ン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テ
トラフェニレン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセ
ン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ヘプタ
セン、ピラントレン、オバレン、ジベンゾフェナントレ
ン、ベンズ［ａ］アントラセン、ジベンゾ［ａ，ｊ］ア
ントラセン、インデノ［１，２−ａ］インデン、アント
ラ［２，１−ａ］ナフタセン、１Ｈ−ベンゾ［ａ］シク
ロペント［ｊ］アントラセン環を有するスルフォニルま
たはスルフォネート化合物；ナフタレン、ペンタレン、
インデン、アズレン、ヘプタレン、ビフェニレン、ａｓ
−インダセン、ｓ−インダセン、アセナフチレン、フル
オレン、フェナレン、フェナントレン、アントラセン、
フルオランテン、アセフェナントリレン、アセアントリ
レン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ナフタセ
ン、プレイアデン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、
ペンタセン、テトラフェニレン、ヘキサフェン、ヘキサ
セン、ルビセン、コロネン、トリナフチレン、ヘプタフ
ェン、ヘプタセン、ピラントレン、オバレン、ジベンゾ
フェナントレン、ベンズ［ａ］アントラセン、ジベンゾ
［ａ，ｊ］アントラセン、インデノ［１，２−ａ］イン
デン、アントラ［２，１−ａ］ナフタセン、１Ｈ−ベン
ゾ［ａ］シクロペント［ｊ］アントラセン環にヒドロキ
シ化合物を有する４−キノンジアジド化合物；ナフタレ
ン、ペンタレン、インデン、アズレン、ヘプタレン、ビ
フェニレン、ａｓ−インダセン、ｓ−インダセン、アセ
ナフチレン、フルオレン、フェナレン、フェナントレ
ン、アントラセン、フルオランテン、アセフェナントリ
レン、アセアントリレン、トリフェニレン、ピレン、ク
リセン、ナフタセン、プレイアデン、ピセン、ペリレ
ン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェニレン、ヘ
キサフェン、ヘキサセン、ルビセン、コロネン、トリナ
フチレン、ヘプタフェン、ヘプタセン、ピラントレン、
オバレン、ジベンゾフェナントレン、ベンズ［ａ］アン
トラセン、ジベンゾ［ａ，ｊ］アントラセン、インデノ
［１，２−ａ］インデン、アントラ［２，１−ａ］ナフ
タセン、１Ｈ−ベンゾ［ａ］シクロペント［ｊ］アント
ラセン側鎖を有するスルフォニウムまたはヨードニウム
のトリフレートなどとの塩などが挙げられる。特に、ナ
フタレン環またはアントラセン環を有するスルフォニル
またはスルフォネート化合物：ナフタレンまたはアント
ラセンにヒドロキシ化合物を有する４−キノンジアジド
化合物：ナフタレンまたはアントラセン側鎖を有するス
ルフォニウムまたはヨードニウムのトリフレートなどと
の塩が好ましい。これらの化合物の中でトリナフチルス
ルフォニウムトリフレート、ジナフチルヨードニウムト
リフレート、ジナフチルスルフォニルメタン、みどり化
学製ＮＡＴ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３７８６７−
６１−９］）、みどり化学製ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ．
Ｎｏ．［８５３４２−６２−７］）、および、みどり化
学製ＴＡＺ−１０６（ＣＡＳ．Ｎｏ．［６９４３２−４
０−２］）、みどり化学製ＮＤＳ−１０５、みどり化学
製ＣＭＳ−１０５、みどり化学製ＤＡＭ−３０１（ＣＡ
Ｓ．Ｎｏ．［１３８５２９−８１−４］）、みどり化学
製ＳＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［３４６９４−４０−
７］）、みどり化学製ＮＤＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．
［１３３７１０−６２−０］）、みどり化学製ＥＰＩ−
１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［１３５１３３−１２−
９］）、みどり化学製ＰＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．
［４１５８０−５８−９］）が好ましい。
【００５６】これらの化合物の中でさらに好ましいもの
として、トリナフチルスルフォニウムトリフレート、ジ
ナフチルヨードニウムトリフレート、ジナフチルスルフ
ォニルメタン、みどり化学製ＮＡＴ−１０５（ＣＡＳ．
Ｎｏ．［１３７８６７−６１−９］）、および、みどり
化学製ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ．Ｎｏ．［８５３４２−
６２−７］）が挙げられる。
【００５７】本発明の感光性組成物において、上述した
ような光酸発生剤の配合量は、ベース樹脂全体に対して
０．００１モル％〜５０モル％の範囲が好ましい。０．
００１モル％未満では、十分な量の酸が発生せずパタン
形成が困難となるおそれがあり、一方５０モル％を超え
ると、解像度、感度が低下してしまうので好ましくな
い。なお、前記光酸発生剤の含有量は、より好ましくは
ベース樹脂全体に対して０．０１モル％〜４０モル％で
ある。
【００５８】本発明の感光性組成物に配合される添加剤
は、前記一般式（１）で表わされる化合物である。
【００５９】前記一般式（１）において、１価の有機基
Ｒ1 としては、例えば、炭化水素基、ペンタシクロアル
キル基、テトラシクロアルキル基、トリシクロアルキル
基、ビシクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、お
よびテルペノイド骨格を有する等が挙げられる。より具
体的には、例えば、フェニル、ナフチル、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デカニル、ウンデカニル、ドデ
カニル、シクロヘキシル、トリシクロ［３．３．１．１
3,7］デカニル、シクロペンチル、シクロヘプチル、シ
クロオクチル、シクロノニル、シクロデカニル、トリシ
クロデカニル、２−メチル−トリシクロ［３．３．１．
１ 3,7］デカニル、アンドロスト−４−エン− 3,11,17
−トリオン−イル、21−アセトキシプレグナン−11，20
−ジオン−３−イル、プレグナン−11，20−ジオン−３
−イル、コレスト−４−エン−３−イル、17,21-ジヒド
ロキシ-5α−プレグナン-11,20-ジオン -3-イル、3,17-
ジヒドロキシ-5α−プレグナン-11,20- ジオン-21- イ
ル、ビシクロ[4,4,0]デカニル、エチオアロコラニル、3
-ヒドロキシ−アンドロスタン-17-イル、ヒドロキシア
ンドロスタニル、１−１’−オキソエチル−３−メトキ
シ−４−フェニル、ベンゾフラニル、ベンゾチアゾリ
ル、３−ヒドロキシエストロ−４−エン-17-イル、ヒド
ロキシエストロ−４−エニル、1,4-アンドロスタジエン
−３−オン-17-イル、1,7,7-トリメチルビシクロ[2,2,
1] ヘプタン−２−イル、1,7,7-トリメチルビシクロ[2,
2,1] ヘプタン−２−オン−３−イル、24Ｒエルゴスト
−５−エン−３−イル、4,7,7-トリメチル−３−オキソ
ビシクロ[2,2,1] ヘプタン−２−イル、セバジニル、セ
ビニル、クリドニニル、3,7-ジヒドロキシフラニル、3-
ヒドロキシコラニル、7-ヒドロキシコラニル、コラニ
ル、コレスタニル、3-コレスタニル、コレストラリル、
3,7,12−トリヒドロキシ−５β−コラン-24-イル、ステ
ィグマスタ-7,22-ジエン−３−イル、クロステボリル、
コルチコステロニル、コルチソニル、コルトリル、コル
トロニル、シクロヘキシルカルビニル、7-デヒドロコレ
ステリル、3,7,12−トリオキソフラン-24-イル、プレグ
ン−４−エン-3,11,20- トリオン-21-イル、1,3-シクロ
ヘキサンジオン−５−イル、エスゴスタニル、エルゴス
ト−７−エン−３−イル、ペンタデカニル、ヘキサデカ
ニル、ヘプタデカニル、オクタデカニル、ノナデカニ
ル、オキサシクロヘキサデカン−２−オン−３−イル、
ヒドロキシコレステロール−３−イル、４−ヒドロキシ
−エストロ−４−エン−３−オン-17-イル、エキソ-1,
7,7- トリメチルビシクロ[2,2,1] ヘプタン−２−イ
ル、ケトプロゲステロニル、ルピニニル、ノボブノロリ
ル、６−メチルプレグン−４−エン-3,20-ジオン-11-イ
ル、（１α，２β，５α）−５−メチル−２−（１−メ
チルエチル）−シクロヘキシル、（１α，２β，５α）
−５−メチル−２−（１−ヒドロキシ−１−メチルエチ
ル）−シクロヘキシル、ノルコラニル、ジヒドロ−４Ｈ
−ジメチル−２（３Ｈ）−フラノン−３−イル、ピネン
−イル、プレゴン−６−イル、シクロデカノン−２−イ
ル、１，２−シクロデカンジオン−３−イル、（３β，
５α）−スティグマスタン−３−イル、α−ヒドロキシ
−α，α，４−トリメチル−３−シクロヘキセン−５−
イル、ソラニド−５−エン−３−イル、（３β，22Ｅ）
−スティグマスタ−５，22−ジエン−３−イル、タラキ
サステリル、およびタラキセリルが挙げられる。
【００６０】上述したうちでも、特に好ましいＲ1 とし
ては、トリシクロ［３．３．１．１3,7］デカニル、ナ
フチル、トリシクロデカニル、コラニル、およびコレス
タニル等が挙げられる。
【００６１】前記一般式（１）におけるＸ1 は、＞Ｃ＝
Ｏ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ3 −、−ＳＯ2 −、
−Ｓ（＝Ｏ）2 ＮＲ3 −および−Ｏ−から選択される基
であり、酸による分解のしやすさを考慮すると、特に−
Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−が好ましい。なおＲ3 は、水素原子、ハ
ロゲン原子または炭化水素基であり、具体的には、シク
ロヘキシル、ベンジル、ナフチル、フェニル、メチル、
エチル、プロピル、ブチル、シクロヘキシルメチル、イ
ソプロピル、アリル、およびプロパルギル等が挙げられ
る。
【００６２】一般式（１）におけるＲ2 は脂環式骨格を
含む基であり、脂環式骨格としては、単環式骨格、多環
式骨格およびヘテロ環式骨格のいずれでもよく、例え
ば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチ
ル、シクロオクチル、シクロノニル、およびシクロデカ
ニル等が挙げられる。さらに、ヘテロ環や縮環骨格でも
よく、具体的には、トリシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニ
ル、ビシクロ[2.2.1］ヘプチル、ビシクロ[3.1.1］ヘプ
チル、オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イル、オ
キサシクロペンタン−２−オン−３−イル、オキサシク
ロヘプタン−２−オン−３−イル、オキサシクロオクタ
ン−２−オン−３−イル、オキサシクロノナン−２−オ
ン−３−イル、オキサシクロデカン−２−オン−３−イ
ル；オキソシクロペンチル、オキソシクロヘキシル、オ
キソシクロヘプチル、オキソシクロオクチル、オキソシ
クロノニル、オキソシクロデカニル；シクロペンテニ
ル、シクロヘキセニル、シクロヘプテニル、シクロオク
テニル、シクロノネニル、シクロデケニル；プレグニ
ル、エストリル、イソキサゾリル、ピペリジル、ピペラ
ジル、アンドロスタニル、スティグマスチル、オクタヒ
ドロナフチル、およびコレステリル基等が挙げられる。
【００６３】特に好ましい脂環式骨格としては、例え
ば、炭素原子と、酸素原子、窒素原子およびイオウ原子
から選択された少なくとも１種の原子とを含み、その総
原子数は３〜１００であり、０〜５０の不飽和結合を有
する単環性もしくは２〜１０環性のものが挙げられる。
【００６４】上述したような脂環式骨格を含むＲ2 とし
ては、具体的には、２’−ヒドロキシ−４’−メチル−
１，１−ジメチルシクロヘキシル；（β−メチル−δ−
バレロラクトン−３−イル）３―メチル−オキサシクロ
ヘキサン−２−オン−３−イル、３−オキソシクロヘキ
シル、１−メチル−３−オキソシクロヘキシル、３−オ
キソシクロペンチル、３−オキソシクロヘプチル、３−
オキソシクロオクチル、３−オキソシクロノニル、３−
オキソシクロデカニル；メチルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニル、エチルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デ
カニル、プロピルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニル、
ブチルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニル、ペンチルト
リシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニル、ヘキシルトリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、ヘプチルトリシクロ[3.3.1.1
3,7］デカニル、オクチルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デ
カニル、ノニルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニル、デ
カニルトリシクロ[3.3.1.1 3,7］デカニル；ヒドロキシ
メチルジメチルシクロヘキシル；２’−メトキシ−４’
−メチル−１，１−ジメチルシクロヘキシル；１−２’
−アセトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メ
チルエチル、１−２’−ｔ−ブトキシ−４’−メチル−
シクロヘキシル−１−メチルエチル、１−２’−ｔ−ブ
チルジメチルシロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル
−１−メチルエチル、１−２’−セキシルジメチルシロ
キシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、１−２’−２''−メトキシエトキシ−４’−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチル、１−２’−２''
−エトキシエトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−
１−メチルエチル、１−２’−２''，２''，２''−トリ
クロロエトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−
メチルエチル、１−２’−トリメチルシロキシ−４’−
メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、１−２’
−トリエチルシロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル
−１−メチルエチル、１−２’−トリイソプロピルシロ
キシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、１−２’−テトラヒドロピラニロキシ−４’−メチ
ル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、１−２’−テ
トラヒドロチオピラニロキシ−４’−メチル−シクロヘ
キシル−１−メチルエチル、１−２’−テトラヒドロフ
ラニロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチ
ルエチル、１−２’−テトラヒドロチオフラニロキシ−
４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、１
−２’−ジメチルイソプロピルシロキシ−４’−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチル、１−２’−ｔ−
ブトキシカルボニルメトキシ−４’−メチル−シクロヘ
キシル−１−メチルエチル、１−２’−ｔ−ブトキシカ
ルボニロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メ
チルエチル；１−メチル−３−オキソシクロペンチル、
１−メチル−３−オキソシクロヘプチル、１−メチル−
３−オキソシクロオクチル、１−メチル−３−オキソシ
クロノニル、１−メチル−３−オキソシクロデカニル；
１−エチル−３−オキソシクロペンチル、１−エチル−
３−オキソシクロヘキシル、１−エチル−３−オキソシ
クロヘプチル、１−エチル−３−オキソシクロオクチ
ル、１−エチル−３−オキソシクロノニル、１−エチル
−３−オキソシクロデカニル；１−プロピル−３−オキ
ソシクロペンチル、１−プロピル−３−オキソシクロヘ
キシル、１−プロピル−３−オキソシクロヘプチル、１
−プロピル−３−オキソシクロオクチル、１−プロピル
−３−オキソシクロノニル、１−プロピル−３−オキソ
シクロデカニル；１−ブチル−３−オキソシクロペンチ
ル、１−ブチル−３−オキソシクロヘキシル、１−ブチ
ル−３−オキソシクロヘプチル、１−ブチル−３−オキ
ソシクロオクチル、１−ブチル−３−オキソシクロノニ
ル、１−ブチル−３−オキソシクロデカニル；１−ペン
チル−３−オキソシクロペンチル、１−ペンチル−３−
オキソシクロヘキシル、１−ペンチル−３−オキソシク
ロヘプチル、１−ペンチル−３−オキソシクロオクチ
ル、１−ペンチル−３−オキソシクロノニル、１−ペン
チル−３−オキソシクロデカニル；β−メチル−γ−ブ
チロラクトン−３−イル、β−メチル−ε−カプロラク
トン−３−イル、β−エチル−γ−ブチロラクトン−３
−イル、β−エチル−δ−バレロラクトン−３−イル、
β−エチル−ε−カプロラクトン−３−イル、β−プロ
ピル−γ−ブチロラクトン−３−イル、β−プロピル−
δ−バレロラクトン−３−イル、β−プロピル−ε−カ
プロラクトン−３−イル、β−ブチル−γ−ブチロラク
トン−３−イル、β−ブチル−δ−バレロラクトン−３
−イル、β−ブチル−ε−カプロラクトン−３−イル、
β−ペンチル−γ−ブチロラクトン−３−イル、β−ペ
ンチル−δ−バレロラクトン−３−イル、β−ペンチル
−ε−カプロラクトン−３−イル、β−ヘキシル−γ−
ブチロラクトン−３−イル、β−ヘキシル−δ−バレロ
ラクトン−３−イル、β−ヘキシル−ε−カプロラクト
ン−３−イル、３−メチル−オキサシクロペンタン−２
−オン−３−イル、３−メチル−オキサシクロヘプタン
−２−オン−３−イル、３−エチル−オキサシクロペン
タン−２−オン−３−イル、３−エチル−オキサシクロ
ヘキサン−２−オン−３−イル、３−エチル−オキサシ
クロヘプタン−２−オン−３−イル、３−プロピル−オ
キサシクロペンタン−２−オン−３−イル、３−プロピ
ル−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イル、３−
プロピル−オキサシクロヘプタン−２−オン−３−イ
ル、３−ブチル−オキサシクロペンタン−２−オン−３
−イル、３−ブチル−オキサシクロヘキサン−２−オン
−３−イル、３−ブチル−オキサシクロヘプタン−２−
オン−３−イル、３−ペンチル−オキサシクロペンタン
−２−オン−３−イル、３−ペンチル−オキサシクロヘ
キサン−２−オン−３−イル、３−ペンチル−オキサシ
クロヘプタン−２−オン−３−イル、３−ヘキシル−オ
キサシクロペンタン−２−オン−３−イル、３−ヘキシ
ル−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イル、３−
ヘキシル−オキサシクロヘプタン−２−オン−３−イ
ル、４’−メチル−１，１−ジメチル−３−シクロヘキ
セニル；３，21−ジヒドロキシ−５α−プレグナン−1
1，20−ジオン−17−イル、17−（２−プロペニル）エ
ストロ−４−エン−17−イル、17−（２−プロペニル）
エストラ-4,9,11-トリエン-17-イル、6-メチルプレグン
−４−エン-20-オン-17-イル、17−メチランドロスタノ
［3,2-C]イソキサゾール-17-イル、α，α−ジフェニル
−４−ピペリジンメチル、α，α−ジナフチル−４−ピ
ペリジンメチル、７，17−ジメチルアンドロスト−４−
エン−３−オン-17-イル、1,7,7-トリメチルビシクロ
[2.2.1］ヘプタン−２−イル、1,7,7-トリメチルビシク
ロ[2.2.1］ヘプタン−２−オン−３−イル、7,17−ジメ
チルアンドロスト−４−エン−３−オン-17-イル、1,3-
シクロヘキサンジオン−５−イル、9-フルオロ-11-ヒド
ロキシ-17-メチルアンドロスト−４−エン−３−オン-1
7-イル、スティグマスタ-5,24-ジエン−３−イル、オク
タヒドロ-4,8a-ジメチル-4a(2H)-ナフタレニル、ヒドロ
キシコレステロール-24-イル、エキソ-1,7,7−トリメチ
ルビシクロ[2.2.1］ヘプタン−２−イル、６α−６−メ
チルプレグン−４−エン-3,20-ジオン-17-イル、1-2'−
オキソ-4'-メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、エストロ−４−エン−３−オン-17-イル、3-エチル
-18,19−ジノルプレグン−４−エン−３−オン-17-イ
ル、19−ノルプレグン−４−エン−３−オン-17-イル、
19−ノルプレグン−４−エン-20-イン−３−オン-17-イ
ル、19−ノルプレグン-5(10)−エン-20-イン−３−オン
-17-イル、17−メチル−２−オキサアンドロスタン−３
−オン-17-イル、4-ヒドロキシ-17-メチルアンドロスト
−４−エン−３−オン-17-イル、ジヒドロ-4H-ジメチル
-2(3H)−フラノン−３−イル、５−ヒドロキシ−α，
α，４−トリメチル−３−シクロヘキセン−１−メチ
ル、α，α，４−トリメチル−３−シクロヘキセン−１
−メチル、パチュリル、α，α，４−トリメチルシクロ
ヘキサンメタン−４−イル、１−４’−ヒドロキシ−
４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、お
よびテトラヒドロフルフリルなどが挙げられる。
【００６５】その他の５員環の脂環式骨格を含むものと
しては、ジメチルイソプロピルシリルシクロペンチル、
ジエチルイソプロピルシリルシクロペンチル、ジメチル
セキシルシリルシクロペンチル、t-ブチルジメチルシリ
ルシクロペンチル、イソプロピルシクロペンチル、エチ
ルシクロペンチル、n-プロピルシクロペンチル、n-ブチ
ルシクロペンチル、イソブチルシクロペンチル、S-ブチ
ルシクロペンチル、ペンチルシクロペンチル、ヘキシル
シクロペンチル、ヘプチルシクロペンチル、オクチルシ
クロペンチル、ノニルシクロペンチル、デカニルシクロ
ペンチル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシクロペ
ンチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロペンチル、2-ク
ロロエチルシクロペンチル、2-ブロモエチルシクロペン
チル、2-ヨードエチルシクロペンチル、2-フルオロエチ
ルシクロペンチル、ω−クロロアルキルシクロペンチ
ル、2-メチルチオエチルシクロペンチル、1,3-ジチアニ
ル−２−メチルシクロペンチル、シクロペンチルシクロ
ペンチル、シクロヘキシルシクロペンチル、3-ブテン−
１−イルシクロペンチル、4-トリメチルシリル−２−ブ
テン−１−イルシクロペンチル、9-アンスリルメチルシ
クロペンチル、２−９’，１０’−ジオキソ−アンスリ
ルメチルシクロペンチル、1-ピレニルメチルシクロペン
チル、2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシク
ロペンチル、ピペロニルシクロペンチル、4-ピコリルシ
クロペンチル、トリメチルシリルシクロペンチル、トリ
エチルシリルシクロペンチル、イソプロピルジメチルシ
リルシクロペンチル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシク
ロペンチル、チオールシクロペンチル、トリ−ｎ−ブチ
ルスタニルシクロペンチル、メチルシクロペンチル、メ
トキシメチルシクロペンチル、メチルチオメチルシクロ
ペンチル、t-ブチルチオメチルシクロペンチル、t-ブト
キシメチルシクロペンチル、4-ペンテニロキシメチルシ
クロペンチル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロ
ペンチル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロペン
チル、2-メトキシエトキシメチルシクロペンチル、2,2,
2-トリクロロエトキシメチルシクロペンチル、ビス−2'
−クロロエトキシメチルシクロペンチル、2'−トリメチ
ルシリルエトキシメチルシクロペンチル、2'−トリエチ
ルシリルエトキシメチルシクロペンチル、2'−トリイソ
プロピルシリルエトキシメチルシクロペンチル、2'-t−
ブチルジメチルシリルエトキシメチルシクロペンチル、
テトラヒドロピラニルシクロペンチル、テトラヒドロチ
オピラニルシクロペンチル、3-ブロモテトラヒドロピラ
ニルシクロペンチル、1-メトキシシクロヘキシルシクロ
ペンチル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロペン
チル、4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロペン
チル、1,4-ジオキサン−２−イルシクロペンチル、テト
ラヒドロフラニルシクロペンチル、テトラヒドロチオフ
ラニルシクロペンチル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒド
ロ-7,8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−
イルシクロペンチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロペ
ンチル、2-トリメチルシリルエチルシクロペンチル、t-
ブチルシクロペンチル、アリルシクロペンチル、4,4',
4''−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニル
メチルシクロペンチル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジ
ブロモフタルイミドフェニルメチルシクロペンチル、4,
4',4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニ
ルメチルシクロペンチル、9-アンスリルシクロペンチ
ル、9-9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロペ
ンチル、トリチロンシクロペンチル、1,3-ベンゾジチオ
ラン−２−イルシクロペンチル、ベンズイソチアゾリル
−S,S-ジオキシドシクロペンチル、トリメチルシリルシ
クロペンチル、トリエチルシリルシクロペンチル、トリ
イソプロピルシリルシクロペンチル、およびトリエチル
スタニルシクロペンチルなどが挙げられる。
【００６６】その他の６員環の脂環式骨格を含むものと
しては、ジメチルイソプロピルシリルシクロヘキシル、
ジエチルイソプロピルシリルシクロヘキシル、ジメチル
セキシルシリルシクロヘキシル、t-ブチルジメチルシリ
ルシクロヘキシル、イソプロピルシクロヘキシル、エチ
ルシクロヘキシル、n-プロピルシクロヘキシル、n-ブチ
ルシクロヘキシル、イソブチルシクロヘキシル、S-ブチ
ルシクロヘキシル、ペンチルシクロヘキシル、ヘキシル
シクロヘキシル、ヘプチルシクロヘキシル、オクチルシ
クロヘキシル、ノニルシクロヘキシル、デカニルシクロ
ヘキシル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシクロヘ
キシル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘキシル、2-ク
ロロエチルシクロヘキシル、2-ブロモエチルシクロヘキ
シル、2-ヨードエチルシクロヘキシル、2-フルオロエチ
ルシクロヘキシル、ω−クロロアルキルシクロヘキシ
ル、2-メチルチオエチルシクロヘキシル、1,3-ジチアニ
ル−２−メチルシクロヘキシル、シクロペンチルシクロ
ヘキシル、シクロヘキシルシクロヘキシル、3-ブテン−
１−イルシクロヘキシル、4-トリメチルシリル−２−ブ
テン−１−イルシクロヘキシル、9-アンスリルメチルシ
クロヘキシル、2-9'，10’−ジオキソ−アンスリルメチ
ルシクロヘキシル、1-ピレニルメチルシクロヘキシル、
2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシクロヘキ
シル、ピペロニルシクロヘキシル、4-ピコリルシクロヘ
キシル、トリメチルシリルシクロヘキシル、トリエチル
シリルシクロヘキシル、イソプロピルジメチルシリルシ
クロヘキシル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロヘキ
シル、チオールシクロヘキシル、トリ−ｎ−ブチルスタ
ニルシクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、メトキシ
メチルシクロヘキシル、メチルチオメチルシクロヘキシ
ル、t-ブチルチオメチルシクロヘキシル、t-ブトキシメ
チルシクロヘキシル、4-ペンテニロキシメチルシクロヘ
キシル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロヘキシ
ル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロヘキシル、
2-メトキシエトキシメチルシクロヘキシル、2,2,2-トリ
クロロエトキシメチルシクロヘキシル、ビス−2'−クロ
ロエトキシメチルシクロヘキシル、2'−トリメチルシリ
ルエトキシメチルシクロヘキシル、2'−トリエチルシリ
ルエトキシメチルシクロヘキシル、2'−トリイソプロピ
ルシリルエトキシメチルシクロヘキシル、2'−ｔ−ブチ
ルジメチルシリルエトキシメチルシクロヘキシル、テト
ラヒドロピラニルシクロヘキシル、テトラヒドロチオピ
ラニルシクロヘキシル、3-ブロモテトラヒドロピラニル
シクロヘキシル、1-メトキシシクロヘキシルシクロヘキ
シル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロヘキシ
ル、4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロヘキシ
ル、1,4-ジオキサン−２−イルシクロヘキシル、テトラ
ヒドロフラニルシクロヘキシル、テトラヒドロチオフラ
ニルシクロヘキシル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ
-7,8,8−トリメチル−4,7-メタノベンゾフラン−２−イ
ルシクロヘキシル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘキ
シル、2-トリメチルシリルエチルシクロヘキシル、t-ブ
チルシクロヘキシル、アリルシクロヘキシル、4,4',4''
−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチ
ルシクロヘキシル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジブロ
モフタルイミドフェニルメチルシクロヘキシル、4,4',
4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニル
メチルシクロヘキシル、9-アンスリルシクロヘキシル、
9-9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロヘキシ
ル、トリチロンシクロヘキシル、1,3-ベンゾジチオラン
−２−イルシクロヘキシル、ベンズイソチアゾリル−S,
S-ジオキシドシクロヘキシル、トリメチルシリルシクロ
ヘキシル、トリエチルシリルシクロヘキシル、トリイソ
プロピルシリルシクロヘキシル、およびトリエチルスタ
ニルシクロヘキシルなどが挙げられる。
【００６７】その他の７員環の脂環式骨格を含むものと
しては、ジメチルイソプロピルシリルシクロヘプチル、
ジエチルイソプロピルシリルシクロヘプチル、ジメチル
セキシルシリルシクロヘプチル、t-ブチルジメチルシリ
ルシクロヘプチル、イソプロピルシクロヘプチル、エチ
ルシクロヘプチル、n-プロピルシクロヘプチル、n-ブチ
ルシクロヘプチル、イソブチルシクロヘプチル、S-ブチ
ルシクロヘプチル、ペンチルシクロヘプチル、ヘキシル
シクロヘプチル、ヘプチルシクロヘプチル、オクチルシ
クロヘプチル、ノニルシクロヘプチル、デカニルシクロ
ヘプチル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシクロヘ
プチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘプチル、2-ク
ロロエチルシクロヘプチル、2-ブロモエチルシクロヘプ
チル、2-ヨードエチルシクロヘプチル、2-フルオロエチ
ルシクロヘプチル、ω−クロロアルキルシクロヘプチ
ル、2-メチルチオエチルシクロヘプチル、1,3-ジチアニ
ル−２−メチルシクロヘプチル、シクロペンチルシクロ
ヘプチル、シクロヘキシルシクロヘプチル、3-ブテン−
１−イルシクロヘプチル、4-トリメチルシリル−２−ブ
テン−１−イルシクロヘプチル、9-アンスリルメチルシ
クロヘプチル、2-9',10'−ジオキソ−アンスリルメチル
シクロヘプチル、1-ピレニルメチルシクロヘプチル、2-
トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシクロヘプチ
ル、ピペロニルシクロヘプチル、4-ピコリルシクロヘプ
チル、トリメチルシリルシクロヘプチル、トリエチルシ
リルシクロヘプチル、イソプロピルジメチルシリルシク
ロヘプチル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロヘプチ
ル、チオールシクロヘプチル、トリ−ｎ−ブチルスタニ
ルシクロヘプチル、メチルシクロヘプチル、メトキシメ
チルシクロヘプチル、メチルチオメチルシクロヘプチ
ル、t-ブチルチオメチルシクロヘプチル、t-ブトキシメ
チルシクロヘプチル、4-ペンテニロキシメチルシクロヘ
プチル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロヘプチ
ル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロヘプチル、
2-メトキシエトキシメチルシクロヘプチル、2,2,2-トリ
クロロエトキシメチルシクロヘプチル、ビス−2'−クロ
ロエトキシメチルシクロヘプチル、2'−トリメチルシリ
ルエトキシメチルシクロヘプチル、2'−トリエチルシリ
ルエトキシメチルシクロヘプチル、2'−トリイソプロピ
ルシリルエトキシメチルシクロヘプチル、2'-t−ブチル
ジメチルシリルエトキシメチルシクロヘプチル、テトラ
ヒドロピラニルシクロヘプチル、テトラヒドロチオピラ
ニルシクロヘプチル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシ
クロヘプチル、1-メトキシシクロヘキシルシクロヘプチ
ル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロヘプチル、
4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロヘプチル、
1,4-ジオキサン−２−イルシクロヘプチル、テトラヒド
ロフラニルシクロヘプチル、テトラヒドロチオフラニル
シクロヘプチル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,
8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イル
シクロヘプチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘプチ
ル、2-トリメチルシリルエチルシクロヘプチル、t-ブチ
ルシクロヘプチル、アリルシクロヘプチル、4,4',4''−
トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチル
シクロヘプチル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジブロモ
フタルイミドフェニルメチルシクロヘプチル、4,4',4''
−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニルメチ
ルシクロヘプチル、9-アンスリルシクロヘプチル、9-9'
−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロヘプチル、
トリチロンシクロヘプチル、1,3-ベンゾジチオラン−２
−イルシクロヘプチル、ベンズイソチアゾリル-S,S−ジ
オキシドシクロヘプチル、トリメチルシリルシクロヘプ
チル、トリエチルシリルシクロヘプチル、トリイソプロ
ピルシリルシクロヘプチル、およびトリエチルスタニル
シクロヘプチルなどが挙げられる。
【００６８】その他の８員環の脂肪環式骨格を含むもの
としては、ジメチルイソプロピルシリルシクロオクチ
ル、ジエチルイソプロピルシリルシクロオクチル、ジメ
チルセキシルシリルシクロオクチル、t-ブチルジメチル
シリルシクロオクチル、イソプロピルシクロオクチル、
エチルシクロオクチル、n-プロピルシクロオクチル、n-
ブチルシクロオクチル、イソブチルシクロオクチル、S-
ブチルシクロオクチル、ペンチルシクロオクチル、ヘキ
シルシクロオクチル、ヘプチルシクロオクチル、オクチ
ルシクロオクチル、ノニルシクロオクチル、デカニルシ
クロオクチル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシク
ロオクチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロオクチル、
2-クロロエチルシクロオクチル、2-ブロモエチルシクロ
オクチル、2-ヨードエチルシクロオクチル、2-フルオロ
エチルシクロオクチル、ω−クロロアルキルシクロオク
チル、2-メチルチオエチルシクロオクチル、1,3-ジチア
ニル−２−メチルシクロオクチル、シクロペンチルシク
ロオクチル、シクロヘキシルシクロオクチル、3-ブテン
−１−イルシクロオクチル、4-トリメチルシリル−２−
ブテン−１−イルシクロオクチル、9-アンスリルメチル
シクロオクチル、2-9',10'−ジオキソ−アンスリルメチ
ルシクロオクチル、1-ピレニルメチルシクロオクチル、
2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシクロオク
チル、ピペロニルシクロオクチル、4-ピコリルシクロオ
クチル、トリメチルシリルシクロオクチル、トリエチル
シリルシクロオクチル、イソプロピルジメチルシリルシ
クロオクチル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロオク
チル、チオールシクロオクチル、トリ−ｎ−ブチルスタ
ニルシクロオクチル、メチルシクロオクチル、メトキシ
メチルシクロオクチル、メチルチオメチルシクロオクチ
ル、t-ブチルチオメチルシクロオクチル、t-ブトキシメ
チルシクロオクチル、4-ペンテニロキシメチルシクロオ
クチル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロオクチ
ル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロオクチル、
2-メトキシエトキシメチルシクロオクチル、2,2,2-トリ
クロロエトキシメチルシクロオクチル、ビス−2'−クロ
ロエトキシメチルシクロオクチル、2'−トリメチルシリ
ルエトキシメチルシクロオクチル、2'−トリエチルシリ
ルエトキシメチルシクロオクチル、2'−トリイソプロピ
ルシリルエトキシメチルシクロオクチル、2'-t−ブチル
ジメチルシリルエトキシメチルシクロオクチル、テトラ
ヒドロピラニルシクロオクチル、テトラヒドロチオピラ
ニルシクロオクチル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシ
クロオクチル、1-メトキシシクロヘキシルシクロオクチ
ル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロオクチル、
4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロオクチル、
1,4-ジオキサン−２−イルシクロオクチル、テトラヒド
ロフラニルシクロオクチル、テトラヒドロチオフラニル
シクロオクチル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,
8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イル
シクロオクチル、2,2,2-トリクロロエチルシクロオクチ
ル、2-トリメチルシリルエチルシクロオクチル、t-ブチ
ルシクロオクチル、アリルシクロオクチル、4,4',4''−
トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチル
シクロオクチル、4,4',4''−トリス−4'，５’−ジブロ
モフタルイミドフェニルメチルシクロオクチル、4,4',
4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニル
メチルシクロオクチル、9-アンスリルシクロオクチル、
9-9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロオクチ
ル、トリチロンシクロオクチル、1,3-ベンゾジチオラン
−２−イルシクロオクチル、ベンズイソチアゾリル−S,
S-ジオキシドシクロオクチル、トリメチルシリルシクロ
オクチル、トリエチルシリルシクロオクチル、トリイソ
プロピルシリルシクロオクチル、およびトリエチルスタ
ニルシクロオクチルなどが挙げられる。
【００６９】その他の９員環の脂環式骨格を含むものと
しては、ジメチルイソプロピルシリルシクロノニル、ジ
エチルイソプロピルシリルシクロノニル、ジメチルセキ
シルシリルシクロノニル、t-ブチルジメチルシリルシク
ロノニル、イソプロピルシクロノニル、エチルシクロノ
ニル、n-プロピルシクロノニル、n-ブチルシクロノニ
ル、イソブチルシクロノニル、S-ブチルシクロノニル、
ペンチルシクロノニル、ヘキシルシクロノニル、ヘプチ
ルシクロノニル、オクチルシクロノニル、ノニルシクロ
ノニル、デカニルシクロノニル、2-トリメチルシリルエ
トキシメチルシクロノニル、2,2,2-トリクロロエチルシ
クロノニル、2-クロロエチルシクロノニル、2-ブロモエ
チルシクロノニル、2-ヨードエチルシクロノニル、2-フ
ルオロエチルシクロノニル、ω−クロロアルキルシクロ
ノニル、2-メチルチオエチルシクロノニル、1,3-ジチア
ニル−２−メチルシクロノニル、シクロペンチルシクロ
ノニル、シクロヘキシルシクロノニル、3-ブテン−１−
イルシクロノニル、4-トリメチルシリル−２−ブテン−
１−イルシクロノニル、9-アンスリルメチルシクロノニ
ル、2-9',10'−ジオキソ−アンスリルメチルシクロノニ
ル、1-ピレニルメチルシクロノニル、2-トリフルオロメ
チル−６−クロミルメチルシクロノニル、ピペロニルシ
クロノニル、4-ピコリルシクロノニル、トリメチルシリ
ルシクロノニル、トリエチルシリルシクロノニル、イソ
プロピルジメチルシリルシクロノニル、ジ−ｔ−ブチル
メチルシリルシクロノニル、チオールシクロノニル、ト
リ−ｎ−ブチルスタニルシクロノニル、メチルシクロノ
ニル、メトキシメチルシクロノニル、メチルチオメチル
シクロノニル、t-ブチルチオメチルシクロノニル、t-ブ
トキシメチルシクロノニル、4-ペンテニロキシメチルシ
クロノニル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロノ
ニル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロノニル、
2-メトキシエトキシメチルシクロノニル、2,2,2-トリク
ロロエトキシメチルシクロノニル、ビス−2'−クロロエ
トキシメチルシクロノニル、2'−トリメチルシリルエト
キシメチルシクロノニル、2'−トリエトキシシリルエト
キシメチルシクロノニル、2'−トリイソプロピルシリル
エトキシメチルシクロノニル、2'-t−ブチルジメチルシ
リルエトキシメチルシクロノニル、テトラヒドロピラニ
ルシクロノニル、テトラヒドロチオピラニルシクロノニ
ル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシクロノニル、1-メ
トキシシクロヘキシルシクロノニル、4-メトキシテトラ
ヒドロピラニルシクロノニル、4-メトキシテトラヒドロ
チオピラニルシクロノニル、1,4-ジオキサン−２−イル
シクロノニル、テトラヒドロフラニルシクロノニル、テ
トラヒドロチオフラニルシクロノニル、2,3,3a,4,5,6,
7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリメチル-4,7−メタノベ
ンゾフラン−２−イルシクロノニル、2,2,2-トリクロロ
エチルシクロノニル、2-トリメチルシリルエチルシクロ
ノニル、t-ブチルシクロノニル、アリルシクロノニル、
4,4',4''−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェ
ニルメチルシクロノニル、4,4',4''−トリス−4'，5'−
ジブロモフタルイミドフェニルメチルシクロノニル、4,
4',4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニ
ルメチルシクロノニル、9-アンスリルシクロノニル、9-
9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロノニル、
トリチロンシクロノニル、1,3-ベンゾジチオラン−２−
イルシクロノニル、ベンズイソチアゾリル−S,S-ジオキ
シドシクロノニル、トリメチルシリルシクロノニル、ト
リエチルシリルシクロノニル、トリイソプロピルシリル
シクロノニル、およびトリエチルスタニルシクロノニル
などが挙げられる。
【００７０】その他の１０員環の脂環式骨格を含むもの
としては、ジメチルイソプロピルシリルシクロデカニ
ル、ジエチルイソプロピルシリルシクロデカニル、ジメ
チルセキシルシリルシクロデカニル、t-ブチルジメチル
シリルシクロデカニル、イソプロピルシクロデカニル、
エチルシクロデカニル、n-プロピルシクロデカニル、n-
ブチルシクロデカニル、イソブチルシクロデカニル、S-
ブチルシクロデカニル、ペンチルシクロデカニル、ヘキ
シルシクロデカニル、ヘプチルシクロデカニル、オクチ
ルシクロデカニル、ノニルシクロデカニル、デカニルシ
クロデカニル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシク
ロデカニル、2,2,2-トリクロロエチルシクロデカニル、
2-クロロエチルシクロデカニル、2-ブロモエチルシクロ
デカニル、2-ヨードエチルシクロデカニル、2-フルオロ
エチルシクロデカニル、ω−クロロアルキルシクロデカ
ニル、2-メチルチオエチルシクロデカニル、1,3-ジチア
ニル−２−メチルシクロデカニル、シクロペンチルシク
ロデカニル、シクロヘキシルシクロデカニル、3-ブテン
−１−イルシクロデカニル、4-トリメチルシリル−２−
ブテン−１−イルシクロデカニル、9-アンスリルメチル
シクロデカニル、2-9',10'−ジオキソ−アンスリルメチ
ルシクロデカニル、1-ピレニルメチルシクロデカニル、
2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシクロデカ
ニル、ピペロニルシクロデカニル、4-ピコリルシクロデ
カニル、トリメチルシリルシクロデカニル、トリエチル
シリルシクロデカニル、イソプロピルジメチルシリルシ
クロデカニル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロデカ
ニル、チオールシクロデカニル、トリ−ｎ−ブチルスタ
ニルシクロデカニル、メチルシクロデカニル、メトキシ
メチルシクロデカニル、メチルチオメチルシクロデカニ
ル、t-ブチルチオメチルシクロデカニル、t-ブトキシメ
チルシクロデカニル、4-ペンテニロキシメチルシクロデ
カニル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロデカニ
ル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロデカニル、
2-メトキシエトキシメチルシクロデカニル、2,2,2-トリ
クロロエトキシメチルシクロデカニル、ビス−2'−クロ
ロエトキシメチルシクロデカニル、2'−トリメチルシリ
ルエトキシメチルシクロデカニル、2'−トリエチルシリ
ルエトキシメチルシクロデカニル、2'−トリイソプロピ
ルシリルエトキシメチルシクロデカニル、2'-t−ブチル
ジメチルシリルエトキシメチルシクロデカニル、テトラ
ヒドロピラニルシクロデカニル、テトラヒドロチオピラ
ニルシクロデカニル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシ
クロデカニル、1-メトキシシクロヘキシルシクロデカニ
ル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロデカニル、
4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロデカニル、
1,4-ジオキサン−２−イルシクロデカニル、テトラヒド
ロフラニルシクロデカニル、テトラヒドロチオフラニル
シクロデカニル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,
8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イル
シクロデカニル、2,2,2-トリクロロエチルシクロデカニ
ル、2-トリメチルシリルエチルシクロデカニル、t-ブチ
ルシクロデカニル、アリルシクロデカニル、4,4',4''−
トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチル
シクロデカニル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジブロモ
フタルイミドフェニルメチルシクロデカニル、4,4',4''
−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニルメチ
ルシクロデカニル、9-アンスリルシクロデカニル、9-9'
−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロデカニル、
トリチロンシクロデカニル、1,3-ベンゾジチオラン−２
−イルシクロデカニル、ベンズイソチアゾリル−S,S-ジ
オキシドシクロデカニル、トリメチルシリルシクロデカ
ニル、トリエチルシリルシクロデカニル、トリイソプロ
ピルシリルシクロデカニル、およびトリエチルスタニル
シクロデカニルなどが挙げられる。
【００７１】なお、本発明においては、前記一般式
（１）中の置換基Ｒ2 のうち、Ｘ1 に直接結合している
原子を３級炭素原子に限定している。１級炭素原子また
は２級炭素原子の場合には、酸によってＲ2 が容易には
ずれにくくなり、パターン形成がが困難となるからであ
る。
【００７２】特に好ましいＲ2 としては、以下に示すも
のが挙げられる。例えば、2-メチル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-エチル−２−トリシクロ
[3.3.1.13,7］デカニル、2-プロピル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-ブチル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-ペンチル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-ヘキシル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-ヘプチル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-オクチル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-ノニル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル、2-デカニル−２−トリシクロ
[3.3.1.1 3,7］デカニル；2-メチル−２−シクロヘキシ
ル、2-メチル−２−シクロペンチル、2-メチル−２−シ
クロオクチル、2-メチル−２−シクロノニル、2-メチル
−２−シクロデカニル；1-2'−ヒドロキシ−4'−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチル、1-2'−アセトキ
シ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、
1-2'−テトラヒドロピラニロキシ−4'−メチル−シクロ
ヘキシル−１−メチルエチル、1-2'−テトラヒドロフラ
ニロキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエ
チル、1-2'-t−ブチルジメチルシロキシ−4'−メチル−
シクロヘキシル−１−メチルエチル、1-2'-2''−メトキ
シエトキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチル
エチル、1-2'-2''−エトキシエトキシ−4'−メチル−シ
クロヘキシル−１−メチルエチル、1-2'-t−ブトキシカ
ルボニルメトキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−
メチルエチル、1-2'-t−ブトキシカルボニロキシ−4'−
メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル；1-4'−ヒ
ドロキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエ
チル、1-4'−アセトキシ−4'−メチル−シクロヘキシル
−１−メチルエチル、1-4'−テトラヒドロピラニロキシ
−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル、1-
4'−テトラヒドロフラニロキシ−4'−メチル−シクロヘ
キシル−１−メチルエチル、1-4'-t−ブチルジメチルシ
ロキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、1-4'-2''−メトキシエトキシ−4'−メチル−シクロ
ヘキシル−１−メチルエチル、1-4'-2''−エトキシエト
キシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチ
ル、1-4'-t−ブトキシカルボニルメトキシ−4'−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチル、1-4'-t−ブトキ
シカルボニロキシ−4'−メチル−シクロヘキシル−１−
メチルエチル；3-メチル−δ−バレロラクトン−３−イ
ル、3-メチル−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−
イル、3-エチル−δ−バレロラクトン−３−イル、3-エ
チル−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イル、3-
プロピル−δ−バレロラクトン−３−イル、3-プロピル
−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イル、3-ブチ
ル−δ−バレロラクトン−３−イル、3-ブチル−オキサ
シクロヘキサン−２−オン−３−イル；1-メチル−３−
オキソシクロペンチル、1-メチル−３−オキソシクロヘ
キシル、1-メチル−３−オキソシクロヘプチル、1-メチ
ル−３−オキソシクロオクチル、1-メチル−３−オキソ
シクロノニル、1-メチル−３−オキソシクロデカニル；
1-エチル−３−オキソシクロペンチル、1-エチル−３−
オキソシクロヘキシル、1-エチル−３−オキソシクロヘ
プチル、1-エチル−３−オキソシクロオクチル、1-エチ
ル−３−オキソシクロノニル、1-エチル−３−オキソシ
クロデカニル；1-プロピル−３−オキソシクロペンチ
ル、1-プロピル−３−オキソシクロヘキシル、1-プロピ
ル−３−オキソシクロヘプチル、1-プロピル−３−オキ
ソシクロオクチル、1-プロピル−３−オキソシクロノニ
ル、1-プロピル−３−オキソシクロデカニル；1-ブチル
−３−オキソシクロペンチル、1-ブチル−３−オキソシ
クロヘキシル、1-ブチル−３−オキソシクロヘプチル、
1-ブチル−３−オキソシクロオクチル、1-ブチル−３−
オキソシクロノニル、1-ブチル−３−オキソシクロデカ
ニル、およびパチュリルなどである。
【００７３】上述したようなＲ1 、Ｘ1 、およびＲ2 を
有する前記一般式（１）で表わされる化合物としては、
具体的には、例えば、フェノール性化合物をメチルシク
ロヘキシルカルボニルエーテル、メチルシクロヘキシル
エーテル、メトキシメチルシクロヘキシルエーテル、メ
チルチオメチルシクロヘキシルエーテル、t-ブチルチオ
メチルシクロヘキシルエーテル、t-ブトキシメチルシク
ロヘキシルエーテル、4-ペンテニロキシメチルシクロヘ
キシルエーテル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシク
ロヘキシルエーテル、セキシルジメチルシロキシメチル
シクロヘキシルエーテル、2-メトキシエトキシメチルシ
クロヘキシルエーテル、2,2,2-トリクロロエトキシメチ
ルシクロヘキシルエーテル、ビス−2'−クロロエトキシ
−メチルシクロヘキシルエーテル、2'−トリメチルシリ
ルエトキシメチルシクロヘキシルエーテル、2'−トリエ
チルシリルエトキシメチルシクロヘキシルエーテル、2'
−トリイソプロピルシリルエトキシメチルシクロヘキシ
ルエーテル、2'-t−ブチルジメチルシリルエトキシメチ
ルシクロヘキシルエーテル、テトラヒドロピラニルシク
ロヘキシルエーテル、テトラヒドロチオピラニルシクロ
ヘキシルエーテル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシク
ロヘキシルエーテル、1-メトキシシクロヘキシルシクロ
ヘキシルエーテル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシ
クロヘキシルエーテル、4-メトキシテトラヒドロチオピ
ラニルシクロヘキシルエーテル、4-メトキシテトラヒド
ロチオピラニルシクロヘキシルエーテル-S,S−ジオキシ
ド、1,4-ジオキサン−２−イルシクロヘキシルエーテ
ル、テトラヒドロフラニルシクロヘキシルエーテル、テ
トラヒドロチオフラニルシクロヘキシルエーテル、2,3,
3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリメチル-4,7−
メタノベンゾフラン−２−イルシクロヘキシルエーテ
ル、1-エトキシエチルシクロヘキシルエーテル、1-2'−
クロロエトキシ−エチルシクロヘキシルエーテル、1-メ
チル−１−メトキシエチルシクロヘキシルエーテル、2,
2,2-トリクロロエチルシクロヘキシルエーテル、2-トリ
メチルシリルエチルシクロヘキシルエーテル、t-ブチル
シクロヘキシルエーテル、アリルシクロヘキシルエーテ
ル、4,4',4”−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミド
フェニル−メチルシクロヘキシルエーテル、4,4',4”−
トリス−4'，5'−ジブロモフタルイミドフェニル−メチ
ルシクロヘキシルエーテル、4,4',4”−トリス−4'，5'
−ヨードフタルイミドフェニル−メチルシクロヘキシル
エーテル、9-アンスリルシクロヘキシルエーテル、9-9'
−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロヘキシルエ
ーテル（トリチロンシクロヘキシルエーテル）、1,3-ベ
ンゾジチオラン−２−イルシクロヘキシルエーテル、ベ
ンズイソチアゾリル-S,S−ジオキシドシクロヘキシルエ
ーテル、トリメチルシリルシクロヘキシルエーテル、ト
リエチルシリルシクロヘキシルエーテル、トリイソプロ
ピルシリルシクロヘキシルエーテル、ジメチルイソプロ
ピルシリルシクロヘキシルエーテル、ジエチルイソプロ
ピルシリルシクロヘキシルエーテル、ジメチルセキシル
シリルシクロヘキシルエーテル、テトラヒドロピラニル
エーテル、および、t-ブチルジメチルシリルシクロヘキ
シルエーテルに変換した化合物が挙げられる。特に、フ
ェノール性化合物をシクロヘキシルカルボニル基、メチ
ルシクロヘキシルカルボニルメチル基、またはテトラヒ
ドロピラニル基で保護した化合物が好ましい。あるい
は、カルボン酸のイソプロピルシクロヘキシルエステ
ル、２’−ヒドロキシ−４’−メチル−１，１−ジメチ
ルシクロヘキシルエステル；（β−メチル−δ−バレロ
ラクトン−３−イル）３―メチル−オキサシクロヘキサ
ン−２−オン−３−イルエステル、３−オキソシクロヘ
キシルエステル、１−メチル−３−オキソシクロヘキシ
ルエステル、３−オキソシクロペンチルエステル、３−
オキソシクロヘプチルエステル、３−オキソシクロオク
チルエステル、３−オキソシクロノニルエステル、３−
オキソシクロデカニルエステル、メチルトリシクロ[3.
3.1.1 3,7］デカニルエステル、エチルトリシクロ[3.3.
1.1 3,7］デカニルエステル、プロピルトリシクロ[3.3.
1.1 3,7］デカニルエステル、ブチルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニルエステル、ペンチルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニルエステル、ヘキシルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニルエステル、ヘプチルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニルエステル、オクチルトリシクロ[3.3.1.
1 3,7］デカニルエステル、ノニルトリシクロ[3.3.1.1
3,7］デカニルエステル、デカニルトリシクロ[3.3.1.1
3,7］デカニルエステル、ヒドロキシメチルジメチルシ
クロヘキシルエステル、２’−メトキシ−４’−メチル
−１，１−ジメチルシクロヘキシルエステル、１−２’
−アセトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メ
チルエチルエステル、１−２’−ｔ−ブトキシ−４’−
メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステル、
１−２’−ｔ−ブチルジメチルシロキシ−４’−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステル、１−
２’−セキシルジメチルシロキシ−４’−メチル−シク
ロヘキシル−１−メチルエチルエステル、１−２’−
２''−メトキシエトキシ−４’−メチル−シクロヘキシ
ル−１−メチルエチルエステル、１−２’−２''−エト
キシエトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メ
チルエチルエステル、１−２’−２''，２''，２''−ト
リクロロエトキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１
−メチルエチルエステル、１−２’−トリメチルシロキ
シ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル
エステル、１−２’−トリエチルシロキシ−４’−メチ
ル−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステル、１−
２’−トリイソプロピルシロキシ−４’−メチル−シク
ロヘキシル−１−メチルエチルエステル、１−２’−テ
トラヒドロピラニロキシ−４’−メチル−シクロヘキシ
ル−１−メチルエチルエステル、１−２’−テトラヒド
ロチオピラニロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−
１−メチルエチルエステル、１−２’−テトラヒドロフ
ラニロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチ
ルエチルエステル、１−２’−テトラヒドロチオフラニ
ロキシ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエ
チルエステル、１−２’−ジメチルイソプロピルシロキ
シ−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチル
エステル、１−２’−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ
−４’−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチルエ
ステル、１−２’−ｔ−ブトキシカルボニロキシ−４’
−メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステ
ル、１−メチル−３−オキソシクロペンチルエステル、
１−メチル−３−オキソシクロヘプチルエステル、１−
メチル−３−オキソシクロオクチルエステル、１−メチ
ル−３−オキソシクロノニルエステル、１−メチル−３
−オキソシクロデカニルエステル、１−エチル−３−オ
キソシクロペンチルエステル、１−エチル−３−オキソ
シクロヘキシルエステル、１−エチル−３−オキソシク
ロヘプチルエステル、１−エチル−３−オキソシクロオ
クチルエステル、１−エチル−３−オキソシクロノニル
エステル、１−エチル−３−オキソシクロデカニルエス
テル、１−プロピル−３−オキソシクロペンチルエステ
ル、１−プロピル−３−オキソシクロヘキシルエステ
ル、１−プロピル−３−オキソシクロヘプチルエステ
ル、１−プロピル−３−オキソシクロオクチルエステ
ル、１−プロピル−３−オキソシクロノニルエステル、
１−プロピル−３−オキソシクロデカニルエステル、１
−ブチル−３−オキソシクロペンチルエステル、１−ブ
チル−３−オキソシクロヘキシルエステル、１−ブチル
−３−オキソシクロヘプチルエステル、１−ブチル−３
−オキソシクロオクチルエステル、１−ブチル−３−オ
キソシクロノニルエステル、１−ブチル−３−オキソシ
クロデカニルエステル、１−ペンチル−３−オキソシク
ロペンチルエステル、１−ペンチル−３−オキソシクロ
ヘキシルエステル、１−ペンチル−３−オキソシクロヘ
プチルエステル、１−ペンチル−３−オキソシクロオク
チルエステル、１−ペンチル−３−オキソシクロノニル
エステル、１−ペンチル−３−オキソシクロデカニルエ
ステル、β−メチル−γ−ブチロラクトン−３−イルエ
ステル、β−メチル−ε−カプロラクトン−３−イルエ
ステル、β−エチル−γ−ブチロラクトン−３−イルエ
ステル、β−エチル−δ−バレロラクトン−３−イルエ
ステル、β−エチル−ε−カプロラクトン−３−イルエ
ステル、β−プロピル−γ−ブチロラクトン−３−イル
エステル、β−プロピル−δ−バレロラクトン−３−イ
ルエステル、β−プロピル−ε−カプロラクトン−３−
イルエステル、β−ブチル−γ−ブチロラクトン−３−
イルエステル、β−ブチル−δ−バレロラクトン−３−
イルエステル、β−ブチル−ε−カプロラクトン−３−
イルエステル、β−ペンチル−γ−ブチロラクトン−３
−イルエステル、β−ペンチル−δ−バレロラクトン−
３−イルエステル、β−ペンチル−ε−カプロラクトン
−３−イルエステル、β−ヘキシル−γ−ブチロラクト
ン−３−イルエステル、β−ヘキシル−δ−バレロラク
トン−３−イルエステル、β−ヘキシル−ε−カプロラ
クトン−３−イルエステル、３−メチル−オキサシクロ
ペンタン−２−オン−３−イルエステル、３−メチル−
オキサシクロヘプタン−２−オン−３−イルエステル、
３−エチル−オキサシクロペンタン−２−オン−３−イ
ルエステル、３−エチル−オキサシクロヘキサン−２−
オン−３−イルエステル、３−エチル−オキサシクロヘ
プタン−２−オン−３−イルエステル、３−プロピル−
オキサシクロペンタン−２−オン−３−イルエステル、
３−プロピル−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−
イルエステル、３−プロピル−オキサシクロヘプタン−
２−オン−３−イルエステル、３−ブチル−オキサシク
ロペンタン−２−オン−３−イルエステル、３−ブチル
−オキサシクロヘキサン−２−オン−３−イルエステ
ル、３−ブチル−オキサシクロヘプタン−２−オン−３
−イルエステル、３−ペンチル−オキサシクロペンタン
−２−オン−３−イルエステル、３−ペンチル−オキサ
シクロヘキサン−２−オン−３−イルエステル、３−ペ
ンチル−オキサシクロヘプタン−２−オン−３−イルエ
ステル、３−ヘキシル−オキサシクロペンタン−２−オ
ン−３−イルエステル、３−ヘキシル−オキサシクロヘ
キサン−２−オン−３−イルエステル、３−ヘキシル−
オキサシクロヘプタン−２−オン−３−イルエステル、
４’−メチル−１，１−ジメチル−３−シクロヘキセニ
ルエステル、３，21−ジヒドロキシ−５α−プレグナン
−11，20−ジオン−17−イルエステル、17−（２−プロ
ペニル）エストロ−４−エン−17−イルエステル、17−
（２−プロペニル）エストラ-4,9,11-トリエン-17-イル
エステル、6-メチルプレグン−４−エン-20-オン-17-イ
ルエステル、17−メチランドロスタノ［3,2-C]イソキサ
ゾール-17-イルエステル、α，α−ジフェニル−４−ピ
ペリジンメチルエステル、α，α−ジナフチル−４−ピ
ペリジンメチルエステル、７，17−ジメチルアンドロス
ト−４−エン−３−オン-17-イルエステル、1,7,7-トリ
メチルビシクロ[2.2.1］ヘプタン−２−イルエステル、
1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1］ヘプタン−２−オン
−３−イルエステル、7,17−ジメチルアンドロスト−４
−エン−３−オン-17-イルエステル、1,3-シクロヘキサ
ンジオン−５−イルエステル、9-フルオロ-11-ヒドロキ
シ-17-メチルアンドロスト−４−エン−３−オン-17-イ
ルエステル、スティグマスタ-5,24-ジエン−３−イルエ
ステル、オクタヒドロ-4,8a-ジメチル-4a(2H)-ナフタレ
ニルエステル、ヒドロキシコレステロール-24-イルエス
テル、エキソ-1,7,7−トリメチルビシクロ[2.2.1］ヘプ
タン−２−イルエステル、６α−６−メチルプレグン−
４−エン-3,20-ジオン-17-イルエステル、1-2'−オキソ
-4'-メチル−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステ
ル、エストロ−４−エン−３−オン-17-イルエステル、
3-エチル-18,19−ジノルプレグン−４−エン−３−オン
-17-イルエステル、19−ノルプレグン−４−エン−３−
オン-17-イルエステル、19−ノルプレグン−４−エン-2
0-イン−３−オン-17-イルエステル、19−ノルプレグン
-5(10)−エン-20-イン−３−オン-17-イルエステル、17
−メチル−２−オキサアンドロスタン−３−オン-17-イ
ルエステル、4-ヒドロキシ-17-メチルアンドロスト−４
−エン−３−オン-17-イルエステル、ジヒドロ-4H-ジメ
チル-2(3H)−フラノン−３−イルエステル、５−ヒドロ
キシ−α，α，４−トリメチル−３−シクロヘキセン−
１−メチルエステル、α，α，４−トリメチル−３−シ
クロヘキセン−１−メチルエステル、パチュリルエステ
ル、α，α，４−トリメチルシクロヘキサンメタン−４
−イルエステル、１−４’−ヒドロキシ−４’−メチル
−シクロヘキシル−１−メチルエチルエステル、テトラ
ヒドロフルフリルエステル、ジメチルイソプロピルシリ
ルシクロペンチルエステル、ジエチルイソプロピルシリ
ルシクロペンチルエステル、ジメチルセキシルシリルシ
クロペンチルエステル、t-ブチルジメチルシリルシクロ
ペンチルエステル、イソプロピルシクロペンチルエステ
ル、エチルシクロペンチルエステル、n-プロピルシクロ
ペンチルエステル、n-ブチルシクロペンチルエステル、
イソブチルシクロペンチルエステル、S-ブチルシクロペ
ンチルエステル、ペンチルシクロペンチルエステル、ヘ
キシルシクロペンチルエステル、ヘプチルシクロペンチ
ルエステル、オクチルシクロペンチルエステル、ノニル
シクロペンチルエステル、デカニルシクロペンチルエス
テル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシクロペンチ
ルエステル、2,2,2-トリクロロエチルシクロペンチルエ
ステル、2-クロロエチルシクロペンチルエステル、2-ブ
ロモエチルシクロペンチルエステル、2-ヨードエチルシ
クロペンチルエステル、2-フルオロエチルシクロペンチ
ルエステル、ω−クロロアルキルシクロペンチルエステ
ル、2-メチルチオエチルシクロペンチルエステル、1,3-
ジチアニル−２−メチルシクロペンチルエステル、シク
ロペンチルシクロペンチルエステル、シクロヘキシルシ
クロペンチルエステル、3-ブテン−１−イルシクロペン
チルエステル、4-トリメチルシリル−２−ブテン−１−
イルシクロペンチルエステル、9-アンスリルメチルシク
ロペンチルエステル、２−９’，１０’−ジオキソ−ア
ンスリルメチルシクロペンチルエステル、1-ピレニルメ
チルシクロペンチルエステル、2-トリフルオロメチル−
６−クロミルメチルシクロペンチルエステル、ピペロニ
ルシクロペンチルエステル、4-ピコリルシクロペンチル
エステル、トリメチルシリルシクロペンチルエステル、
トリエチルシリルシクロペンチルエステル、イソプロピ
ルジメチルシリルシクロペンチルエステル、ジ−ｔ−ブ
チルメチルシリルシクロペンチルエステル、チオールシ
クロペンチルエステル、トリ−ｎ−ブチルスタニルシク
ロペンチルエステル、メチルシクロペンチルエステル、
メトキシメチルシクロペンチルエステル、メチルチオメ
チルシクロペンチルエステル、t-ブチルチオメチルシク
ロペンチルエステル、t-ブトキシメチルシクロペンチル
エステル、4-ペンテニロキシメチルシクロペンチルエス
テル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロペンチル
エステル、セキシルジメチルシロキシメチルシクロペン
チルエステル、2-メトキシエトキシメチルシクロペンチ
ルエステル、2,2,2-トリクロロエトキシメチルシクロペ
ンチルエステル、ビス−2'−クロロエトキシメチルシク
ロペンチルエステル、2'−トリメチルシリルエトキシメ
チルシクロペンチルエステル、2'−トリエチルシリルエ
トキシメチルシクロペンチルエステル、2'−トリイソプ
ロピルシリルエトキシメチルシクロペンチルエステル、
2'-t−ブチルジメチルシリルエトキシメチルシクロペン
チルエステル、テトラヒドロピラニルシクロペンチルエ
ステル、テトラヒドロチオピラニルシクロペンチルエス
テル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシクロペンチルエ
ステル、1-メトキシシクロヘキシルシクロペンチルエス
テル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロペンチル
エステル、4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシクロ
ペンチルエステル、1,4-ジオキサン−２−イルシクロペ
ンチルエステル、テトラヒドロフラニルシクロペンチル
エステル、テトラヒドロチオフラニルシクロペンチルエ
ステル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリ
メチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イルシクロペン
チルエステル、2,2,2-トリクロロエチルシクロペンチル
エステル、2-トリメチルシリルエチルシクロペンチルエ
ステル、t-ブチルシクロペンチルエステル、アリルシク
ロペンチルエステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジク
ロロフタルイミドフェニルメチルシクロペンチルエステ
ル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジブロモフタルイミド
フェニルメチルシクロペンチルエステル、4,4',4''−ト
リス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニルメチルシ
クロペンチルエステル、9-アンスリルシクロペンチルエ
ステル、9-9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシク
ロペンチルエステル、トリチロンシクロペンチルエステ
ル、1,3-ベンゾジチオラン−２−イルシクロペンチルエ
ステル、ベンズイソチアゾリル−S,S-ジオキシドシクロ
ペンチルエステル、トリメチルシリルシクロペンチルエ
ステル、トリエチルシリルシクロペンチルエステル、ト
リイソプロピルシリルシクロペンチルエステル、トリエ
チルスタニルシクロペンチルエステル、ジメチルイソプ
ロピルシリルシクロヘキシルエステル、ジエチルイソプ
ロピルシリルシクロヘキシルエステル、ジメチルセキシ
ルシリルシクロヘキシルエステル、t-ブチルジメチルシ
リルシクロヘキシルエステル、イソプロピルシクロヘキ
シルエステル、エチルシクロヘキシルエステル、n-プロ
ピルシクロヘキシルエステル、n-ブチルシクロヘキシル
エステル、イソブチルシクロヘキシルエステル、S-ブチ
ルシクロヘキシルエステル、ペンチルシクロヘキシルエ
ステル、ヘキシルシクロヘキシルエステル、ヘプチルシ
クロヘキシルエステル、オクチルシクロヘキシルエステ
ル、ノニルシクロヘキシルエステル、デカニルシクロヘ
キシルエステル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシ
クロヘキシルエステル、2,2,2-トリクロロエチルシクロ
ヘキシルエステル、2-クロロエチルシクロヘキシルエス
テル、2-ブロモエチルシクロヘキシルエステル、2-ヨー
ドエチルシクロヘキシルエステル、2-フルオロエチルシ
クロヘキシルエステル、ω−クロロアルキルシクロヘキ
シルエステル、2-メチルチオエチルシクロヘキシルエス
テル、1,3-ジチアニル−２−メチルシクロヘキシルエス
テル、シクロペンチルシクロヘキシルエステル、シクロ
ヘキシルシクロヘキシルエステル、3-ブテン−１−イル
シクロヘキシルエステル、4-トリメチルシリル−２−ブ
テン−１−イルシクロヘキシルエステル、9-アンスリル
メチルシクロヘキシルエステル、２−９’，１０’−ジ
オキソ−アンスリルメチルシクロヘキシルエステル、1-
ピレニルメチルシクロヘキシルエステル、2-トリフルオ
ロメチル−６−クロミルメチルシクロヘキシルエステ
ル、ピペロニルシクロヘキシルエステル、4-ピコリルシ
クロヘキシルエステル、トリメチルシリルシクロヘキシ
ルエステル、トリエチルシリルシクロヘキシルエステ
ル、イソプロピルジメチルシリルシクロヘキシルエステ
ル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロヘキシルエステ
ル、チオールシクロヘキシルエステル、トリ−ｎ−ブチ
ルスタニルシクロヘキシルエステル、メチルシクロヘキ
シルエステル、メトキシメチルシクロヘキシルエステ
ル、メチルチオメチルシクロヘキシルエステル、t-ブチ
ルチオメチルシクロヘキシルエステル、t-ブトキシメチ
ルシクロヘキシルエステル、4-ペンテニロキシメチルシ
クロヘキシルエステル、t-ブチルジメチルシロキシメチ
ルシクロヘキシルエステル、セキシルジメチルシロキシ
メチルシクロヘキシルエステル、2-メトキシエトキシメ
チルシクロヘキシルエステル、2,2,2-トリクロロエトキ
シメチルシクロヘキシルエステル、ビス−2'−クロロエ
トキシメチルシクロヘキシルエステル、2'−トリメチル
シリルエトキシメチルシクロヘキシルエステル、2'−ト
リエチルシリルエトキシメチルシクロヘキシルエステ
ル、2'−トリイソプロピルシリルエトキシメチルシクロ
ヘキシルエステル、2'-t−ブチルジメチルシリルエトキ
シメチルシクロヘキシルエステル、テトラヒドロピラニ
ルシクロヘキシルエステル、テトラヒドロチオピラニル
シクロヘキシルエステル、3-ブロモテトラヒドロピラニ
ルシクロヘキシルエステル、1-メトキシシクロヘキシル
シクロヘキシルエステル、4-メトキシテトラヒドロピラ
ニルシクロヘキシルエステル、4-メトキシテトラヒドロ
チオピラニルシクロヘキシルエステル、1,4-ジオキサン
−２−イルシクロヘキシルエステル、テトラヒドロフラ
ニルシクロヘキシルエステル、テトラヒドロチオフラニ
ルシクロヘキシルエステル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタ
ヒドロ-7,8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−
２−イルシクロヘキシルエステル、2,2,2-トリクロロエ
チルシクロヘキシルエステル、2-トリメチルシリルエチ
ルシクロヘキシルエステル、t-ブチルシクロヘキシルエ
ステル、アリルシクロヘキシルエステル、4,4',4''−ト
リス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチルシ
クロヘキシルエステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジ
ブロモフタルイミドフェニルメチルシクロヘキシルエス
テル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミ
ドフェニルメチルシクロヘキシルエステル、9-アンスリ
ルシクロヘキシルエステル、9-9'−フェニル-10'−オキ
ソ−アンスリルシクロヘキシルエステル、トリチロンシ
クロヘキシルエステル、1,3-ベンゾジチオラン−２−イ
ルシクロヘキシルエステル、ベンズイソチアゾリル−S,
S-ジオキシドシクロヘキシルエステル、トリメチルシリ
ルシクロヘキシルエステル、トリエチルシリルシクロヘ
キシルエステル、トリイソプロピルシリルシクロヘキシ
ルエステル、トリエチルスタニルシクロヘキシルエステ
ル、ジメチルイソプロピルシリルシクロヘプチルエステ
ル、ジエチルイソプロピルシリルシクロヘプチルエステ
ル、ジメチルセキシルシリルシクロヘプチルエステル、
t-ブチルジメチルシリルシクロヘプチルエステル、イソ
プロピルシクロヘプチルエステル、エチルシクロヘプチ
ルエステル、n-プロピルシクロヘプチルエステル、n-ブ
チルシクロヘプチルエステル、イソブチルシクロヘプチ
ルエステル、S-ブチルシクロヘプチルエステル、ペンチ
ルシクロヘプチルエステル、ヘキシルシクロヘプチルエ
ステル、ヘプチルシクロヘプチルエステル、オクチルシ
クロヘプチルエステル、ノニルシクロヘプチルエステ
ル、デカニルシクロヘプチルエステル、2-トリメチルシ
リルエトキシメチルシクロヘプチルエステル、2,2,2-ト
リクロロエチルシクロヘプチルエステル、2-クロロエチ
ルシクロヘプチルエステル、2-ブロモエチルシクロヘプ
チルエステル、2-ヨードエチルシクロヘプチルエステ
ル、2-フルオロエチルシクロヘプチルエステル、ω−ク
ロロアルキルシクロヘプチルエステル、2-メチルチオエ
チルシクロヘプチルエステル、1,3-ジチアニル−２−メ
チルシクロヘプチルエステル、シクロペンチルシクロヘ
プチルエステル、シクロヘキシルシクロヘプチルエステ
ル、3-ブテン−１−イルシクロヘプチルエステル、4-ト
リメチルシリル−２−ブテン−１−イルシクロヘプチル
エステル、9-アンスリルメチルシクロヘプチルエステ
ル、２−９’，１０’−ジオキソ−アンスリルメチルシ
クロヘプチルエステル、1-ピレニルメチルシクロヘプチ
ルエステル、2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチ
ルシクロヘプチルエステル、ピペロニルシクロヘプチル
エステル、4-ピコリルシクロヘプチルエステル、トリメ
チルシリルシクロヘプチルエステル、トリエチルシリル
シクロヘプチルエステル、イソプロピルジメチルシリル
シクロヘプチルエステル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリル
シクロヘプチルエステル、チオールシクロヘプチルエス
テル、トリ−ｎ−ブチルスタニルシクロヘプチルエステ
ル、メチルシクロヘプチルエステル、メトキシメチルシ
クロヘプチルエステル、メチルチオメチルシクロヘプチ
ルエステル、t-ブチルチオメチルシクロヘプチルエステ
ル、t-ブトキシメチルシクロヘプチルエステル、4-ペン
テニロキシメチルシクロヘプチルエステル、t-ブチルジ
メチルシロキシメチルシクロヘプチルエステル、セキシ
ルジメチルシロキシメチルシクロヘプチルエステル、2-
メトキシエトキシメチルシクロヘプチルエステル、2,2,
2-トリクロロエトキシメチルシクロヘプチルエステル、
ビス−2'−クロロエトキシメチルシクロヘプチルエステ
ル、2'−トリメチルシリルエトキシメチルシクロヘプチ
ルエステル、2'−トリエチルシリルエトキシメチルシク
ロヘプチルエステル、2'−トリイソプロピルシリルエト
キシメチルシクロヘプチルエステル、2'-t−ブチルジメ
チルシリルエトキシメチルシクロヘプチルエステル、テ
トラヒドロピラニルシクロヘプチルエステル、テトラヒ
ドロチオピラニルシクロヘプチルエステル、3-ブロモテ
トラヒドロピラニルシクロヘプチルエステル、1-メトキ
シシクロヘキシルシクロヘプチルエステル、4-メトキシ
テトラヒドロピラニルシクロヘプチルエステル、4-メト
キシテトラヒドロチオピラニルシクロヘプチルエステ
ル、1,4-ジオキサン−２−イルシクロヘプチルエステ
ル、テトラヒドロフラニルシクロヘプチルエステル、テ
トラヒドロチオフラニルシクロヘプチルエステル、2,3,
3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリメチル-4,7−
メタノベンゾフラン−２−イルシクロヘプチルエステ
ル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘプチルエステル、
2-トリメチルシリルエチルシクロヘプチルエステル、t-
ブチルシクロヘプチルエステル、アリルシクロヘプチル
エステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジクロロフタル
イミドフェニルメチルシクロヘプチルエステル、4,4',
4''−トリス−4'，5'−ジブロモフタルイミドフェニル
メチルシクロヘプチルエステル、4,4',4''−トリス−
4'，5'−ジヨードフタルイミドフェニルメチルシクロヘ
プチルエステル、9-アンスリルシクロヘプチルエステ
ル、9-9'−フェニル-10'−オキソ−アンスリルシクロヘ
プチルエステル、トリチロンシクロヘプチルエステル、
1,3-ベンゾジチオラン−２−イルシクロヘプチルエステ
ル、ベンズイソチアゾリル−S,S-ジオキシドシクロヘプ
チルエステル、トリメチルシリルシクロヘプチルエステ
ル、トリエチルシリルシクロヘプチルエステル、トリイ
ソプロピルシリルシクロヘプチルエステル、トリエチル
スタニルシクロヘプチルエステル、ジメチルイソプロピ
ルシリルシクロオクチルエステル、ジエチルイソプロピ
ルシリルシクロオクチルエステル、ジメチルセキシルシ
リルシクロオクチルエステル、t-ブチルジメチルシリル
シクロオクチルエステル、イソプロピルシクロオクチル
エステル、エチルシクロオクチルエステル、n-プロピル
シクロオクチルエステル、n-ブチルシクロオクチルエス
テル、イソブチルシクロオクチルエステル、S-ブチルシ
クロオクチルエステル、ペンチルシクロオクチルエステ
ル、ヘキシルシクロオクチルエステル、ヘプチルシクロ
オクチルエステル、オクチルシクロオクチルエステル、
ノニルシクロオクチルエステル、デカニルシクロオクチ
ルエステル、2-トリメチルシリルエトキシメチルシクロ
オクチルエステル、2,2,2-トリクロロエチルシクロオク
チルエステル、2-クロロエチルシクロオクチルエステ
ル、2-ブロモエチルシクロオクチルエステル、2-ヨード
エチルシクロオクチルエステル、2-フルオロエチルシク
ロオクチルエステル、ω−クロロアルキルシクロオクチ
ルエステル、2-メチルチオエチルシクロオクチルエステ
ル、1,3-ジチアニル−２−メチルシクロオクチルエステ
ル、シクロペンチルシクロオクチルエステル、シクロヘ
キシルシクロオクチルエステル、3-ブテン−１−イルシ
クロオクチルエステル、4-トリメチルシリル−２−ブテ
ン−１−イルシクロオクチルエステル、9-アンスリルメ
チルシクロオクチルエステル、２−９’，１０’−ジオ
キソ−アンスリルメチルシクロオクチルエステル、1-ピ
レニルメチルシクロオクチルエステル、2-トリフルオロ
メチル−６−クロミルメチルシクロオクチルエステル、
ピペロニルシクロオクチルエステル、4-ピコリルシクロ
オクチルエステル、トリメチルシリルシクロオクチルエ
ステル、トリエチルシリルシクロオクチルエステル、イ
ソプロピルジメチルシリルシクロオクチルエステル、ジ
−ｔ−ブチルメチルシリルシクロオクチルエステル、チ
オールシクロオクチルエステル、トリ−ｎ−ブチルスタ
ニルシクロオクチルエステル、メチルシクロオクチルエ
ステル、メトキシメチルシクロオクチルエステル、メチ
ルチオメチルシクロオクチルエステル、t-ブチルチオメ
チルシクロオクチルエステル、t-ブトキシメチルシクロ
オクチルエステル、4-ペンテニロキシメチルシクロオク
チルエステル、t-ブチルジメチルシロキシメチルシクロ
オクチルエステル、セキシルジメチルシロキシメチルシ
クロオクチルエステル、2-メトキシエトキシメチルシク
ロオクチルエステル、2,2,2-トリクロロエトキシメチル
シクロオクチルエステル、ビス−2'−クロロエトキシメ
チルシクロオクチルエステル、2'−トリメチルシリルエ
トキシメチルシクロオクチルエステル、2'−トリエチル
シリルエトキシメチルシクロオクチルエステル、2'−ト
リイソプロピルシリルエトキシメチルシクロオクチルエ
ステル、2'-t−ブチルジメチルシリルエトキシメチルシ
クロオクチルエステル、テトラヒドロピラニルシクロオ
クチルエステル、テトラヒドロチオピラニルシクロオク
チルエステル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシクロオ
クチルエステル、1-メトキシシクロヘキシルシクロオク
チルエステル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロ
オクチルエステル、4-メトキシテトラヒドロチオピラニ
ルシクロオクチルエステル、1,4-ジオキサン−２−イル
シクロオクチルエステル、テトラヒドロフラニルシクロ
オクチルエステル、テトラヒドロチオフラニルシクロオ
クチルエステル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,
8,8−トリメチル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イル
シクロオクチルエステル、2,2,2-トリクロロエチルシク
ロオクチルエステル、2-トリメチルシリルエチルシクロ
オクチルエステル、t-ブチルシクロオクチルエステル、
アリルシクロオクチルエステル、4,4',4''−トリス−
4'，5'−ジクロロフタルイミドフェニルメチルシクロオ
クチルエステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジブロモ
フタルイミドフェニルメチルシクロオクチルエステル、
4,4',4''−トリス−4'，5'−ジヨードフタルイミドフェ
ニルメチルシクロオクチルエステル、9-アンスリルシク
ロオクチルエステル、9-9'−フェニル-10'−オキソ−ア
ンスリルシクロオクチルエステル、トリチロンシクロオ
クチルエステル、1,3-ベンゾジチオラン−２−イルシク
ロオクチルエステル、ベンズイソチアゾリル−S,S-ジオ
キシドシクロオクチルエステル、トリメチルシリルシク
ロオクチルエステル、トリエチルシリルシクロオクチル
エステル、トリイソプロピルシリルシクロオクチルエス
テル、トリエチルスタニルシクロオクチルエステル、ジ
メチルイソプロピルシリルシクロノニルエステル、ジエ
チルイソプロピルシリルシクロノニルエステル、ジメチ
ルセキシルシリルシクロノニルエステル、t-ブチルジメ
チルシリルシクロノニルエステル、イソプロピルシクロ
ノニルエステル、エチルシクロノニルエステル、n-プロ
ピルシクロノニルエステル、n-ブチルシクロノニルエス
テル、イソブチルシクロノニルエステル、S-ブチルシク
ロノニルエステル、ペンチルシクロノニルエステル、ヘ
キシルシクロノニルエステル、ヘプチルシクロノニルエ
ステル、オクチルシクロノニルエステル、ノニルシクロ
ノニルエステル、デカニルシクロノニルエステル、2-ト
リメチルシリルエトキシメチルシクロノニルエステル、
2,2,2-トリクロロエチルシクロノニルエステル、2-クロ
ロエチルシクロノニルエステル、2-ブロモエチルシクロ
ノニルエステル、2-ヨードエチルシクロノニルエステ
ル、2-フルオロエチルシクロノニルエステル、ω−クロ
ロアルキルシクロノニルエステル、2-メチルチオエチル
シクロノニルエステル、1,3-ジチアニル−２−メチルシ
クロノニルエステル、シクロペンチルシクロノニルエス
テル、シクロヘキシルシクロノニルエステル、3-ブテン
−１−イルシクロノニルエステル、4-トリメチルシリル
−２−ブテン−１−イルシクロノニルエステル、9-アン
スリルメチルシクロノニルエステル、２−９’，１０’
−ジオキソ−アンスリルメチルシクロノニルエステル、
1-ピレニルメチルシクロノニルエステル、2-トリフルオ
ロメチル−６−クロミルメチルシクロノニルエステル、
ピペロニルシクロノニルエステル、4-ピコリルシクロノ
ニルエステル、トリメチルシリルシクロノニルエステ
ル、トリエチルシリルシクロノニルエステル、イソプロ
ピルジメチルシリルシクロノニルエステル、ジ−ｔ−ブ
チルメチルシリルシクロノニルエステル、チオールシク
ロノニルエステル、トリ−ｎ−ブチルスタニルシクロノ
ニルエステル、メチルシクロノニルエステル、メトキシ
メチルシクロノニルエステル、メチルチオメチルシクロ
ノニルエステル、t-ブチルチオメチルシクロノニルエス
テル、t-ブトキシメチルシクロノニルエステル、4-ペン
テニロキシメチルシクロノニルエステル、t-ブチルジメ
チルシロキシメチルシクロノニルエステル、セキシルジ
メチルシロキシメチルシクロノニルエステル、2-メトキ
シエトキシメチルシクロノニルエステル、2,2,2-トリク
ロロエトキシメチルシクロノニルエステル、ビス−2'−
クロロエトキシメチルシクロノニルエステル、2'−トリ
メチルシリルエトキシメチルシクロノニルエステル、2'
−トリエチルシリルエトキシメチルシクロノニルエステ
ル、2'−トリイソプロピルシリルエトキシメチルシクロ
ノニルエステル、2'-t−ブチルジメチルシリルエトキシ
メチルシクロノニルエステル、テトラヒドロピラニルシ
クロノニルエステル、テトラヒドロチオピラニルシクロ
ノニルエステル、3-ブロモテトラヒドロピラニルシクロ
ノニルエステル、1-メトキシシクロヘキシルシクロノニ
ルエステル、4-メトキシテトラヒドロピラニルシクロノ
ニルエステル、4-メトキシテトラヒドロチオピラニルシ
クロノニルエステル、1,4-ジオキサン−２−イルシクロ
ノニルエステル、テトラヒドロフラニルシクロノニルエ
ステル、テトラヒドロチオフラニルシクロノニルエステ
ル、2,3,3a,4,5,6,7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリメチ
ル-4,7−メタノベンゾフラン−２−イルシクロノニルエ
ステル、2,2,2-トリクロロエチルシクロノニルエステ
ル、2-トリメチルシリルエチルシクロノニルエステル、
t-ブチルシクロノニルエステル、アリルシクロノニルエ
ステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイ
ミドフェニルメチルシクロノニルエステル、4,4',4''−
トリス−4'，5'−ジブロモフタルイミドフェニルメチル
シクロノニルエステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジ
ヨードフタルイミドフェニルメチルシクロノニルエステ
ル、9-アンスリルシクロノニルエステル、9-9'−フェニ
ル-10'−オキソ−アンスリルシクロノニルエステル、ト
リチロンシクロノニルエステル、1,3-ベンゾジチオラン
−２−イルシクロノニルエステル、ベンズイソチアゾリ
ル−S,S-ジオキシドシクロノニルエステル、トリメチル
シリルシクロノニルエステル、トリエチルシリルシクロ
ノニルエステル、トリイソプロピルシリルシクロノニル
エステル、トリエチルスタニルシクロノニルエステル、
ジメチルイソプロピルシリルシクロデカニルエステル、
ジエチルイソプロピルシリルシクロデカニルエステル、
ジメチルセキシルシリルシクロデカニルエステル、t-ブ
チルジメチルシリルシクロデカニルエステル、イソプロ
ピルシクロデカニルエステル、エチルシクロデカニルエ
ステル、n-プロピルシクロデカニルエステル、n-ブチル
シクロデカニルエステル、イソブチルシクロデカニルエ
ステル、S-ブチルシクロデカニルエステル、ペンチルシ
クロデカニルエステル、ヘキシルシクロデカニルエステ
ル、ヘプチルシクロデカニルエステル、オクチルシクロ
デカニルエステル、ノニルシクロデカニルエステル、デ
カニルシクロデカニルエステル、2-トリメチルシリルエ
トキシメチルシクロデカニルエステル、2,2,2-トリクロ
ロエチルシクロデカニルエステル、2-クロロエチルシク
ロデカニルエステル、2-ブロモエチルシクロデカニルエ
ステル、2-ヨードエチルシクロデカニルエステル、2-フ
ルオロエチルシクロデカニルエステル、ω−クロロアル
キルシクロデカニルエステル、2-メチルチオエチルシク
ロデカニルエステル、1,3-ジチアニル−２−メチルシク
ロデカニルエステル、シクロペンチルシクロデカニルエ
ステル、シクロヘキシルシクロデカニルエステル、3-ブ
テン−１−イルシクロデカニルエステル、4-トリメチル
シリル−２−ブテン−１−イルシクロデカニルエステ
ル、9-アンスリルメチルシクロデカニルエステル、２−
９’，１０’−ジオキソ−アンスリルメチルシクロデカ
ニルエステル、1-ピレニルメチルシクロデカニルエステ
ル、2-トリフルオロメチル−６−クロミルメチルシクロ
デカニルエステル、ピペロニルシクロデカニルエステ
ル、4-ピコリルシクロデカニルエステル、トリメチルシ
リルシクロデカニルエステル、トリエチルシリルシクロ
デカニルエステル、イソプロピルジメチルシリルシクロ
デカニルエステル、ジ−ｔ−ブチルメチルシリルシクロ
デカニルエステル、チオールシクロデカニルエステル、
トリ−ｎ−ブチルスタニルシクロデカニルエステル、メ
チルシクロデカニルエステル、メトキシメチルシクロデ
カニルエステル、メチルチオメチルシクロデカニルエス
テル、t-ブチルチオメチルシクロデカニルエステル、t-
ブトキシメチルシクロデカニルエステル、4-ペンテニロ
キシメチルシクロデカニルエステル、t-ブチルジメチル
シロキシメチルシクロデカニルエステル、セキシルジメ
チルシロキシメチルシクロデカニルエステル、2-メトキ
シエトキシメチルシクロデカニルエステル、2,2,2-トリ
クロロエトキシメチルシクロデカニルエステル、ビス−
2'−クロロエトキシメチルシクロデカニルエステル、2'
−トリメチルシリルエトキシメチルシクロデカニルエス
テル、2'−トリエチルシリルエトキシメチルシクロデカ
ニルエステル、2'−トリイソプロピルシリルエトキシメ
チルシクロデカニルエステル、2'-t−ブチルジメチルシ
リルエトキシメチルシクロデカニルエステル、テトラヒ
ドロピラニルシクロデカニルエステル、テトラヒドロチ
オピラニルシクロデカニルエステル、3-ブロモテトラヒ
ドロピラニルシクロデカニルエステル、1-メトキシシク
ロヘキシルシクロデカニルエステル、4-メトキシテトラ
ヒドロピラニルシクロデカニルエステル、4-メトキシテ
トラヒドロチオピラニルシクロデカニルエステル、1,4-
ジオキサン−２−イルシクロデカニルエステル、テトラ
ヒドロフラニルシクロデカニルエステル、テトラヒドロ
チオフラニルシクロデカニルエステル、2,3,3a,4,5,6,
7,7a-オクタヒドロ-7,8,8−トリメチル-4,7−メタノベ
ンゾフラン−２−イルシクロデカニルエステル、2,2,2-
トリクロロエチルシクロデカニルエステル、2-トリメチ
ルシリルエチルシクロデカニルエステル、t-ブチルシク
ロデカニルエステル、アリルシクロデカニルエステル、
4,4',4''−トリス−4'，5'−ジクロロフタルイミドフェ
ニルメチルシクロデカニルエステル、4,4',4''−トリス
−4'，5'−ジブロモフタルイミドフェニルメチルシクロ
デカニルエステル、4,4',4''−トリス−4'，5'−ジヨー
ドフタルイミドフェニルメチルシクロデカニルエステ
ル、9-アンスリルシクロデカニルエステル、9-9'−フェ
ニル-10'−オキソ−アンスリルシクロデカニルエステ
ル、トリチロンシクロデカニルエステル、1,3-ベンゾジ
チオラン−２−イルシクロデカニルエステル、ベンズイ
ソチアゾリル−S,S-ジオキシドシクロデカニルエステ
ル、トリメチルシリルシクロデカニルエステル、トリエ
チルシリルシクロデカニルエステル、トリイソプロピル
シリルシクロデカニルエステル、トリエチルスタニルシ
クロデカニルエステル、エチルシクロヘキシルエステ
ル、メチルシクロヘキシルエステル、エトキシメチルシ
クロヘキシルエステル、メチルチオメチルシクロヘキシ
ルエステル、テトラヒドロピラニルシクロヘキシルエス
テル、テトラヒドロフラニルシクロヘキシルエステル、
メトキシエトキシメチルシクロヘキシルエステル、2-ト
リメチルシリルエトキシメチルシクロヘキシルエステ
ル、2,2,2-トリクロロエチルシクロヘキシルエステル、
2-クロロエチルシクロヘキシルエステル、2-ブロモエチ
ルシクロヘキシルエステル、2-ヨードエチルシクロヘキ
シルエステル、2-フルオロエチルシクロヘキシルエステ
ル、ω−クロロアルキルシクロヘキシルエステル、2-ト
リメチルシリルエチルシクロヘキシルエステル、2-メチ
ルチオエチルシクロヘキシルエステル、1,3-ジチアニル
−２−メチルシクロヘキシルエステル、t-ブチルシクロ
ヘキシルエステル、シクロペンチルシクロヘキシルエス
テル、シクロヘキシルシクロヘキシルエステル、アリル
シクロヘキシルエステル、3-ブテン−１−イルシクロヘ
キシルエステル、4-トリメチルシリル−２−ブテン−１
−イルシクロヘキシルエステル、9-アンスリルメチルシ
クロヘキシルエステル、2-9',10'−ジオキソ−アンスリ
ルメチルシクロヘキシルエステル、1-ピレニルメチルシ
クロヘキシルエステル、2-トリフルオロメチル−６−ク
ロミルメチルシクロヘキシルエステル、ピペロニルシク
ロヘキシルエステル、4-ピコリルシクロヘキシルエステ
ル、トリメチルシリルシクロヘキシルエステル、トリエ
チルシリルシクロヘキシルエステル、t-ブチルジメチル
シリルシクロヘキシルエステル、イソプロピルジメチル
シリルシクロヘキシルエステル、ジ−ｔ−ブチルメチル
シリルシクロヘキシルエステル、チオールシクロヘキシ
ルエステル、オキサゾール、2-アルキル−１，３−オキ
サゾリン、4-アルキル−５−オキソ−１，３−オキサゾ
リン、5-アルキル−４−オキソ−１，３−ジオキソラ
ン、オルトシクロヘキシルエステル、ペンタアミンコバ
ルトコンプレックス、トリエチルスタニルシクロヘキシ
ルエステル、トリ−ｎ−ブチルスタニルシクロヘキシル
エステル、N-7-ニトロインドリルシクロヘキシルエステ
ル、N-8-ニトロ-1,2,3,4−テトラヒドロキノリルアミ
ド、ヒドラジド、N-フェニルヒドラジド、およびN,N'−
ジイソプロピルヒドラジドなどを使用してもよい。特
に、ナフタレン骨格を構造に有するポリヒドロキシナフ
トールなどをt-ブトキシカルボニル基で保護した化合物
は、１９３ｎｍの透過性が高まるので望ましいものとな
る。
【００７４】すなわち、本発明の感光性組成物において
添加剤として好ましく配合され得る化合物としては、例
えば、メチルアダマンチルアダマンタンジカルボネー
ト、メチルアダマンチルアダマンタンカルボネート、メ
チルシクロヘキシルアダマンタンジカルボネート、テト
ラヒドロピラニルアダマンタンカルボネート、テトラヒ
ドロピラニルアダマンタンジカルボネート、メチルシク
ロヘキシルシクロヘキシルアダマンタンジカルボネー
ト、テトラヒドロピラニルシクロヘキサンジカルボネー
ト、テトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネート、
テトラヒドロフラニルアダマンタンジカルボネート、お
よびエトキシエチルアダマンタンカルボネート等が挙げ
られる。
【００７５】本発明の感光性組成物において、上述した
ような脂環式骨格を含む化合物の配合量は、樹脂に対し
て１ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下、さらには、５ｗｔ％以
上７０ｗｔ％以下であることが好ましい。１ｗｔ％未満
の場合には、この化合物を配合した効果が得られず、一
方９０ｗｔ％を超えると、塗布性に問題を生じるおそれ
がある。
【００７６】本発明の感光性組成物においては、上述し
た成分に加えて、さらに下記一般式（７）で表わされる
化合物を同時に使用してもよい。かかる化合物を併用す
ることによって、コントラストをいっそう向上させるこ
とができる。
【００７７】
【化９】
【００７８】（上記一般式（７）中、Ｒ11およびＲ
12は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
シリル基、または１価の有機基を示し、同一でも異なっ
ても良い。また、Ｒ11とＲ12とは、互いに結合して環を
形成していても良い。Ｘ2 は＞Ｃ＝Ｏまたは−ＳＯ2 −
を示す。Ｙは２価の有機基を示す。なお、Ｒ11，Ｒ12ま
たはＹのいずれか１つ以上は酸により分解する置換基、
官能基を有する。） 前記一般式（７）で表される化合物に於いて、Ｒ11また
はＲ12として導入される１価の有機基としては、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチ
ル、イソブチル、s-ブチル、t-ブチルなどのアルキル
基、シクロエキシル、ピペリジル、ピラニンなどの置換
または非置換の脂環式基もしくはヘテロ環式基を挙げる
ことができる。
【００７９】また、２価の置換基Ｙとしては、例えば、
エチレン、プロピレン、および、ブチレン等の不飽和脂
肪族基；シクロヘキサン、ピラジン、ピラン、およびモ
ルホランなどの置換または非置換の脂環式基もしくはヘ
テロ環式基を挙げることができる。
【００８０】なお、本発明の感光性組成物に配合される
樹脂成分として、ビニル系またはアクリル系化合物と、
メタクリル酸またはアクリル酸等のアルカリ可溶性のア
クリル系またはビニル系化合物との共重合体を用い、こ
れに光酸発生剤および光架橋剤を配合すれば、ネガ型の
化学増幅型レジストとすることができる。
【００８１】この場合、光酸発生剤としては、ポジ型の
場合に列挙したものの他に、ハロゲン化アルキル置換さ
れたトリアジン、ナフチリジン化合物などを使用するこ
とができ、光架橋剤としては、例えば、エポキシ基を側
鎖に有するビニル、アクリル系重合体；メチロール置換
されたトリアジン、ナフチリジン化合物のようなメラミ
ン系化合物などを使用することができる。
【００８２】次に、ポジ型の化学増幅型レジストを例に
挙げて、本発明の感光性組成物の調製例、およびこれを
用いたパタン形成方法を説明する。
【００８３】本発明の感光性組成物は、ベース樹脂と、
光酸発生剤と、前記一般式（１）で表わされる化合物と
を有機溶媒に溶解し、濾過することによって調製するこ
とができる。この際、上述したように必要に応じて、ア
ルカリ可溶性の樹脂を配合してもよい。
【００８４】かかる有機溶媒としては、例えば、シクロ
ヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、またはメ
チルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒；メチルセロ
ソルブ、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシ
エチルアセテート、２−プロピロキシエチルアセテー
ト、または、２−ブトキシエチルアセテートなどのセロ
ソルブ系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートなどのグリコール系溶媒；酢酸エチル、酢
酸ブチル、または、酢酸イソアミルなどのエステル系溶
媒；γ−ブチロラクトンなどのラクトン系溶媒；ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミ
ド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど
の含窒素系溶媒を挙げることができる。これらの溶媒
は、単独で使用しても、混合溶媒として使用してもよ
い。ただし、これらにキシレン、トルエンなどの芳香族
溶媒、または、イソプロピルアルコール、エチルアルコ
ール、メチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓ−
ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、およびイソ
ブチルアルコールなどの脂肪族アルコールを適量含んで
いてもよい。
【００８５】なお、上述した成分に加えて、本発明の感
光性組成物には必要に応じて塗膜改質剤としての界面活
性剤；エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、プロ
ピレンオキシド−エチレンオキシド共重合体、ポリスチ
レンなどの他のポリマー；または反射防止剤としての染
料を配合してもよい。
【００８６】上述のようにして調製された感光性組成物
の溶液は、回転塗布法やディッピング法により基板上に
塗布した後、約１５０℃以下、好ましくは７０〜１２０
℃で乾燥して、上記組成物を主成分として含む感光性の
樹脂層（レジスト膜）を形成する。ここで用いる基板と
しては、例えばシリコンウェハ、表面に各種の絶縁膜や
電極、配線が形成された段差を有するシリコンウェハ、
ブランクマスク、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓなどのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体ウェハなどを挙げることができる。
【００８７】次いで、前記レジスト膜にパタン露光、す
なわち、所定のマスクパタンを介して化学放射線の照射
を行う。このパタン露光に用いられる化学放射線として
は、短波長の紫外線、電子ビーム、Ｘ線、低圧水銀ラン
プ光、ＫｒＦやＡｒＦのエキシマレーザ光、フッ素レー
ザ、シンクロトロンオービタルラディエーション光、γ
線、イオンビームなどを用いることができるが、ＡｒＦ
エキシマレーザを光源として用いたパタン露光に対し
て、本発明の感光性組成物は特に効果を発揮する。
【００８８】続いて、露光後のレジスト膜を熱板、オー
ブン等を用いて、または赤外線照射等によって６０〜２
００℃の温度において、１〜３０分間加熱処理すること
によりベーキング処理を施す。
【００８９】次いで、ベーキング後のレジスト膜をアル
カリ水溶液を用いて、浸漬法、スプレ法などにより現像
処理することにより、所望のパタンが形成される。ここ
で現像液として用いるアルカリ水溶液としては、例え
ば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等の
有機アルカリ水溶液、または、水酸化カリウム、水酸化
ナトリウムなどの無機アルカリ水溶液などを１５％以下
の濃度で使用することができる。また、現像液としてイ
ソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、１−
ブタノール、２−ブタノール、１−メチル−１−プロパ
ノール、および、１−メチル−２−プロパノールなどの
有機溶媒を用いることもできる。これらは、単独で用い
ても、混合溶媒として用いてもよい。
【００９０】現像処理後の基板およびレジスト膜に対し
ては、水等を用いてリンス処理を施してもよい。
【００９１】本発明の感光性組成物は、短波長光の吸収
が少なく透明性に優れているので、所望の線幅の超微細
なレジストパタンを精度良く形成することができる。し
かも、得られたレジストパタンは高いドライエッチング
耐性を有しているので、これをエッチングマスクとして
用いてドライプロセスにより基板等に精度よくパタンを
転写することが可能である。
【００９２】本発明の感光性組成物に配合される脂環式
骨格を有する化合物は、芳香環を有しないにも拘わらず
優れたドライエッチング耐性を示すことが本発明者らの
研究により判明している。かかる化合物は、ドライエッ
チング耐性が高いうえに、芳香環を有しないのでＫｒＦ
エキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素レ
ーザー光などの短波長領域における吸収が少なく透明性
に優れている。
【００９３】このような脂環式骨格を有する添加剤を含
有しているので、紫外線、ｄｅｅｐＵＶ光、２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザ光、１９３ｎｍのＡｒＦエキシ
マレーザ光、フッ素レーザ光、電子線、および、Ｘ線な
どの短波長光に対して高い透明性を有するとともに、充
分なドライエッチング耐性を有するレジストパタンを形
成可能な感光性組成物が得られた。かかる特徴を有する
本発明の感光性組成物を用いることにより、精度良くサ
ブクォータミクロン以下の超微細なパタンを形成するこ
とができる。
【００９４】特に、本発明においては、脂環式骨格を有
する化合物を添加剤として配合しているので溶解コント
ラストの調節が容易であり、アルカリ現像性も良好であ
る。したがって、アルカリ水溶液で現像後には、断面形
状が矩形のレジストプロファイルを有するパタンを形成
することができる。
【００９５】なお、かかる添加剤を配合した本発明の感
光性組成物は、脂環式骨格、すなわち環構造を有してい
ることに起因してドライエッチング耐性が優れている。
これは、一方の炭素−炭素結合が切れても、他方の結合
が残るためであると考えられる。
【００９６】なお、本発明の特徴である前記一般式
（１）で表わされる化合物は、化学増幅型レジストのみ
ならず、従来レジストの成分として配合してもよい。具
体的には、露光によって主鎖が切断される樹脂や、露光
によって溶解度が向上する化合物を含有する樹脂組成物
（ポジ型レジスト）や、露光によって架橋し得る樹脂
や、露光によって溶解性が低下する化合物を含有する樹
脂組成物（ネガ型レジスト）に対して、添加剤として前
記一般式（１）で表わされる化合物を配合してもよく、
このような従来レジストは、樹脂と光架橋剤または光主
鎖切断剤とを上述したような溶媒に溶解し、濾過するこ
とによって調製することができる。
【００９７】従来レジストとした場合も、脂環式骨格を
有する化合物を添加剤として配合したことに起因して、
短波長光に対する透明性に優れるとともに、かつ高いド
ライエッチング耐性を有するレジストパタンを形成する
ことが可能である。
【００９８】
【発明の実施の形態】以下、実施例によりこの発明をよ
り詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れるものではない。
【００９９】（実施例１、比較例）まず、ベース樹脂と
してメンチルメタクリレートとｔ−ブチルメタクリレー
トとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。
このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェ
ニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのメチ
ルアダマンチルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して４０ｗｔ％とした。
【０１００】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１０１】さらに、カーボンテトラフルオライド（Ｃ
Ｆ4 ）ガスによるエッチング速度を測定した。なお、ド
ライエッチングの評価は、次のような条件で行なった。
すなわち、ＣＦ4 の流量は１２．６ｓｃｃｍ、真空度は
１０ｍｔｏｒｒ、マイクロ波の出力は１５０Ｗとした。
【０１０２】また、添加剤を配合しない以外は上述と同
様にして、比較例の感光性組成物の溶液を調製した。す
なわち、ベース樹脂としてのメンチルメタクリレートと
ｔ−ブチルメタクリレートとメタクリル酸の１：１：１
共重合体に対し、光酸発生剤として、トリフェニルスル
ホニウムトリフレート１ｍｏｌ％を添加してエチルセロ
ソルブアセテート溶液とした。この感光性組成物の溶液
を用いて、上述と同様の手法でレジストパタンを形成し
て解像性を調べ、さらに前述と同様の条件でカーボンテ
トラフルオライドガスによるエッチング速度を調べた。
得られた結果を下記表１にまとめる。
【０１０３】
【表１】
【０１０４】なお、表１中のエッチング耐性は、比較例
の感光性組成物の値を１とした相対値である。表１に示
すように、脂環式骨格を有する化合物を含有する本発明
の感光性組成物は、パタンの解像性およびドライエッチ
ング耐性のいずれの点でも、比較例の感光性組成物より
優れていることがわかる。
【０１０５】（実施例２）まず、ベース樹脂としてメン
チルメタクリレートとｔ−ブチルメタクリレートとメタ
クリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベー
ス樹脂に対して、光酸発生剤として、トリフェニルスル
ホニウムトリフレートと、添加剤としてメチルアダマン
チルアダマンタンジカルボネートとを配合してエチルセ
ロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤の配
合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤の配
合量は樹脂に対して４０ｗｔ％とした。
【０１０６】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１０７】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１０８】（実施例３）まず、ベース樹脂としてメン
チルアクリレートとテトラヒドロピラニルメタクリレー
トとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。
このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェ
ニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのメチ
ルアダマンチルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１０９】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１１０】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３と優れていた。
【０１１１】（実施例４）まず、ベース樹脂としてメン
チルメタクリレートとテトラヒドロピラニルアクリレー
トとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。こ
のベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニ
ルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのメチル
アダマンチルアダマンタンカルボネートとを配合してエ
チルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生
剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加
剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１１２】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１１３】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３と優れていた。
【０１１４】（実施例５）まず、メンチルメタクリレー
トとｔ−ブチルアクリレートとメタクリル酸との１：
１：１共重合体を用意した。このベース樹脂に対して、
光酸発生剤としてのトリフェニルスルホニウムトリフレ
ートと、添加剤としてのメチルシクロヘキシルアダマン
タンジカルボネートとを配合してエチルセロソルブアセ
テート溶液とした。なお、光酸発生剤の配合量はベース
樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤の配合量は樹脂に
対して４０ｗｔ％とした。
【０１１５】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１１６】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３と優れていた。
【０１１７】（実施例６）まず、ベース樹脂としてメン
チルアクリレートとテトラヒドロピラニルメタクリレー
トとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。
このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェ
ニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてメチル
シクロヘキシルアダマンタンジカルボネートとを配合し
てエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸
発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、
添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１１８】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１１９】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３と優れていた。
【０１２０】（実施例７）まず、ベース樹脂としてメン
チルメタクリレートとテトラヒドロピラニルメタクリレ
ートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてテ
トラヒドロピラニルアダマンタンカルボネートとを配合
してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光
酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１２１】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１２２】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１２３】（実施例８）まず、ベース樹脂としてメン
チルアクリレートとテトラヒドロピラニルアクリレート
とメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。こ
のベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニ
ルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラ
ヒドロピラニルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１２４】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１２５】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３と優れていた。
【０１２６】（実施例９）まず、ベース樹脂としてメン
チルアクリレートとメチルアダマンチルメタクリレート
とメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。こ
のベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニ
ルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラ
ヒドロピラニルアダマンタンジカルボネートとを配合し
てエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸
発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、
添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１２７】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１２８】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１２９】（実施例１０）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロピラニルメタクリレ
ートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。
このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェ
ニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてテトラ
ヒドロピラニルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１３０】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１３１】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１３２】（実施例１１）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとメチルアダマンチルメタクリレー
トとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。こ
のベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニ
ルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラ
ヒドロピラニルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１３３】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１３４】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１３５】（実施例１２）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロピラニルメタクリレ
ートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としてメ
チルシクロヘキシルシクロヘキサンジカルボネートとを
配合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。な
お、光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ
％とし、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とし
た。
【０１３６】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを形
成することができた。
【０１３７】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．３５と優れてい
た。
【０１３８】（実施例１３）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとｔ−ブチルメタクリレートとメタ
クリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベー
ス樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒドロ
ピラニルシクロヘキサンジカルボネートとを配合してエ
チルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生
剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加
剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１３９】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１４０】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１４１】（実施例１４）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロフラニルメタクリレ
ートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
テトラヒドロピラニルアダマンタンカルボネートとを配
合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、
光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１４２】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃｍ-
2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その結
果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解像
することができた。
【０１４３】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１４４】（実施例１５）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとｔ−ブチルメタクリレートとメタ
クリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベー
ス樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルスル
ホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒドロ
フラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチル
セロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤の
配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤の
配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１４５】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１４６】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１４７】（実施例１６）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロフラニルメタクリレ
ートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
テトラヒドロフラニルアダマンタンジカルボネートとを
配合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。な
お、光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ
％とし、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とし
た。
【０１４８】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１４９】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１５０】（実施例１７）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルメタクリレートとテトラヒドロフラニルメタクリ
レートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
テトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネートとを配
合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、
光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１５１】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１５２】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１５３】（実施例１８）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとエトキシエチルメタクリレートと
アクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベ
ース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルス
ルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒド
ロフラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチ
ルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤
の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤
の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１５４】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０ｍのラインアンドスペースパタンを解像
することができた。
【０１５５】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１５６】（実施例１９）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとエトキシエチルメタクリレートと
アクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベ
ース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルス
ルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒド
ロフラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチ
ルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤
の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤
の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１５７】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１５８】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１５９】（実施例２０）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとエトキシエチルメタクリレートと
アクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベ
ース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルス
ルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒド
ロピラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチ
ルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤
の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤
の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１６０】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１６１】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１６２】（実施例２１）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとエトキシエチルメタクリレートと
アクリル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベ
ース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリフェニルス
ルホニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒド
ロフラニルアダマンタンジカルボネートとを配合してエ
チルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生
剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加
剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１６３】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１６４】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１６５】（実施例２２）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロピラニロキシエチル
メタクリレートとアクリル酸との１：１：１共重合体を
用意した。このベース樹脂に対して、光酸発生剤として
のトリフェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤と
してのテトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネート
とを配合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。
なお、光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏ
ｌ％とし、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％と
した。
【０１６６】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１６７】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１６８】（実施例２３）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロピラニロキシメタク
リレートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
メチルアダマンチルアダマンタンカルボネートとを配合
してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光
酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１６９】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１７０】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１７１】（実施例２４）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロフラニロキシメタク
リレートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
テトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネートとを配
合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、
光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１７２】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１７３】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１７４】（実施例２５）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとテトラヒドロフラニロキシメタク
リレートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
エトキシエチルアダマンタンカルボネートとを配合して
エチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発
生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添
加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１７５】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１７６】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１７７】（実施例２６）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとアダマンチロキシエチルメタクリ
レートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
テトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネートとを配
合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、
光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１７８】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１７９】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１８０】（実施例２７）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとアダマンチロキシエチルメタクリ
レートとアクリル酸との１：１：１共重合体を用意し
た。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリ
フェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤としての
メチルシクロヘキシルアダマンタンカルボネートとを配
合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。なお、
光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％と
し、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１８１】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１８２】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１８３】（実施例２８）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとｔ−ブチルメタクリレートとアク
リル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベース
樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリナフチルヨード
ニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒドロフ
ラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチルセ
ロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤の配
合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤の配
合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１８４】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１８５】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１８６】（実施例２９）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルメタクリレートとアダマンチロキシエチルメタク
リレートとメタクリル酸との１：１：１共重合体を用意
した。このベース樹脂に対して、光酸発生剤としてのト
リフェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤として
のテトラヒドロフラニルアダマンタンカルボネートとを
配合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。な
お、光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ
％とし、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とし
た。
【０１８７】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１８８】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１８９】（実施例３０）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルメタクリレートとテトラヒドロピラニロキシエチ
ルメタクリレートとアクリル酸との１：１：１共重合体
を用意した。このベース樹脂に対して、光酸発生剤とし
てのトリフェニルスルホニウムトリフレートと、添加剤
としてのメチルアダマンチルアダマンタンカルボネート
とを配合してエチルセロソルブアセテート溶液とした。
なお、光酸発生剤の配合量はベース樹脂に対して１ｍｏ
ｌ％とし、添加剤の配合量は樹脂に対して３０ｗｔ％と
した。
【０１９０】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１９１】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１９２】（実施例３１）まず、ベース樹脂としてメ
ンチルアクリレートとｔ−ブチルメタクリレートとアク
リル酸との１：１：１共重合体を用意した。このベース
樹脂に対して、光酸発生剤としてのトリナフチルスルホ
ニウムトリフレートと、添加剤としてのテトラヒドロフ
ラニルアダマンタンカルボネートとを配合してエチルセ
ロソルブアセテート溶液とした。なお、光酸発生剤の配
合量はベース樹脂に対して１ｍｏｌ％とし、添加剤の配
合量は樹脂に対して３０ｗｔ％とした。
【０１９３】得られた感光性組成物の溶液をシリコンウ
ェハ上に０．３μｍの厚さに塗布した後、１００℃でプ
リベークしてレジスト膜を形成した。このレジスト膜の
所定の領域にＡｒＦエキシマレーザ露光（５ｍＪｃ
ｍ-2）を行なった後、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドで現像してパタニング特性を調べた。その
結果、０．１０μｍのラインアンドスペースパタンを解
像することができた。
【０１９４】さらに、実施例１と同様にカーボンテトラ
フルオライド（ＣＦ4 ）ガスによるエッチングレートを
比較例と比較した結果、比較例のレジストのエッチング
耐性を１とすると、本実施例では１．４と優れていた。
【０１９５】ここで、図面を参照して、本発明の感光性
組成物を用いた電子部品の製造方法について説明する。
【０１９６】図１は、本発明の感光性組成物を用いた半
導体チップの製造工程の一例を示す断面図である。
【０１９７】まず図１（ａ）に示すように、シリコン半
導体基板１上に、被エッチング膜として厚さ約０．８μ
ｍの酸化ケイ素膜２をＣＶＤ法により形成し、この上に
実施例１と同様の感光性組成物を含むレジスト膜３を約
０．３μｍの膜厚で形成した。なお、半導体基板１中に
は、例えばＭＯＳＦＥＴ、ダイオード等の素子（図示せ
ず）が形成されている。
【０１９８】このレジスト膜を実施例１と同様の方法で
パターニングすることによって、直径約０．３μｍの開
孔パターンを形成し、得られたレジストパターン３Ａを
Ｎ2雰囲気中で１３０℃、３０分間加熱した。このレジ
ストパターン３Ａをエッチングマスクとして、ＣＦ4 ガ
スを用いたＲＩＥ法により被エッチング膜である酸化ケ
イ素膜２を選択的にエッチングして、図１（ｂ）に示す
ようにパターンを転写した。
【０１９９】最後にＯ2 プラズマ中でレジストパターン
３Ａを炭化して除去することにより、図１（ｃ）に示す
ような微細な開孔６を有する酸化ケイ素膜２が得られ
た。なお、酸化ケイ素膜２に形成された開孔６の直径は
約０．３２μｍであり、膜厚のばらつきは２％以下に抑
制された。
【０２００】本発明の感光性組成物は、電子部品におけ
る配線のパターニングにも好ましく用いることができ
る。
【０２０１】図２は、本発明を２層配線の形成に適用し
た例を示す工程断面図である。
【０２０２】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板１の上に厚さ約０．８μｍの酸化ケイ素膜２をＣＶＤ
法により成膜した。なお、半導体基板１中には、例え
ば、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオード等の素子（図示せず）が
形成されている。次いで、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕからなる厚
さ約０．７μｍの下層配線１０と、ＳｉＯ2 からなる厚
さ０．７μｍの層間絶縁膜７とを形成し、これらの上に
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕからなる厚さ約０．７μｍの上層配線
層１１を形成した。このとき、上層配線層には、約０．
７μｍの段差が生じた。さらに、実施例１と同様の感光
性組成物を含むレジスト膜３を約０．３μｍの膜厚で上
層配線層１１の上に成膜した。
【０２０３】このレジスト膜３を実施例１と同様の方法
でパターニングして、図２（ｂ）に示すようなレジスト
パターン３Ａを形成し、これをエッチングマスクとし
て、ＣＣｌ4 等の塩素系ガスを用いＲＩＥ法により上層
配線層１１をエッチング除去することにより、上層配線
１１Ａを形成した。
【０２０４】最後に、Ｏ2 プラズマ中でレジストパター
ン３Ａを炭化し除去することにより、図２（ｃ）に示す
ような２層配線が得られた。
【０２０５】上述したような２層配線の形成に本発明を
適用した場合も、収縮率や強度を改善することができ
る。形成された上層配線１１Ａは、下層配線膜等によっ
て生じる段差（約０．７μｍ）の影響をほとんど受け
ず、設計寸法０．６μｍに対して、寸法誤差は±０．０
５μｍであった。従来の寸法誤差は±０．１μｍであっ
たのと比較すると、本発明を適用することによって、極
めて高い精度で配線を形成できることがわかる。
【０２０６】また、配線間隔０．４μｍ、配線幅０．６
μｍの上層配線を形成した場合、断線や短絡等の不良は
全く発生しなかった。
【０２０７】図３は、本発明をＡｕ配線の形成に適用し
た例を示す工程断面図である。
【０２０８】まず、図３（ａ）に示すように、半導体基
板１上にＣＶＤ法により厚さ約０．８μｍの酸化ケイ素
膜２を形成した。なお、半導体基板１中には、例えばＭ
ＯＳＦＥＴ、ダイオード等の素子（図示せず）が形成さ
れている。次いで、この酸化ケイ素膜２上に、厚さ約
０．２μｍのチタン含有タングステン（Ｔｉ−Ｗ）膜１
２と、厚さ約０．１μｍの金（Ａｕ）膜１３とをスパッ
タ法により順次形成した。さらに、実施例１と同様の感
光性組成物を含むレジスト膜３を約０．３μｍの膜厚で
Ａｕ膜１３の上に形成した。
【０２０９】このレジスト膜３を実施例１と同様の方法
でパターニングして、図３（ｂ）に示すようなレジスト
パターン３Ａを形成することによって、溝１５を設け
た。得られた溝１５の底部に露出したＴｉ−Ｗ膜１２お
よびＡｕ膜１３を電極として用い、電解メッキ法により
溝中に厚さ約１μｍのＡｕメッキ膜１４を形成した。
【０２１０】続いて、Ｏ2 プラズマ中でレジストパター
ン３Ａを炭化して除去することにより、図３（ｃ）に示
すようにＡｕメッキ膜１４をＡｕ膜１３の上に突出させ
た。
【０２１１】最後に、イオンミリング法によって露出し
ているＡｕ膜１３を除去した後、フッ素系ガスを用いて
露出したＴｉ−Ｗ膜１３を除去することによって、図３
（ｄ）に示すようなＡｕ配線２０を形成した。
【０２１２】本発明を適用すると、レジスト膜３を１５
０℃以下で形成できる。したがって、Ａｕ膜１３とレジ
スト膜３との剥離がなくなるため、幅０．７μｍのＡｕ
配線を形成した場合、断線や短絡等の不良は全く発生し
なかった。
【０２１３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、短波長の光源に対して吸収が極めて少なく、優れた
溶解性、アルカリ現像性、耐ドライエッチング性を有す
る感光性組成物が提供される。本発明の感光性組成物
は、これらの特徴に加えて、さらに、耐熱性、および基
板との密着性に極めて優れるという特徴を有する。従っ
て、本発明の感光性組成物を用いることにより、サブク
ォータミクロン未満のオーダの超微細なパタンを、矩形
の良好な断面形状で形成することができる。
【０２１４】なお、本発明の感光性組成物は、ＫｒＦエ
キシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素レー
ザー光を利用したパタン形成の際に、特にその効果を発
揮するが、ｉ線光、ｄｅｅｐＵＶ光、電子線、Ｘ線等を
利用したパタン形成に於いても充分使用が可能である。
かかる感光性組成物は、半導体デバイスの製造プロセス
のフォトリソグラフィー技術において顕著な効果を有す
るものであり、その工業的価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の感光性組成物を用いた電子部品の製造
工程の一例を示す断面図。
【図２】本発明の感光性組成物を用いた電子部品の製造
工程の他の例を示す断面図。
【図３】本発明の感光性組成物を用いた電子部品の製造
工程の他の例を示す断面図。
【符号の説明】
１…半導体基板 ２…酸化ケイ素膜 ３…レジスト膜 ３Ａ…レジストパターン ６…開孔 ７…層間絶縁膜 １０…下層配線 １１…上層配線層 １１Ａ…上層配線 １２…Ｔｉ−Ｗ膜 １３…Ａｕ膜 １４…Ａｕメッキ膜 １５…溝 ２０…Ａｕ配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 43/02 Ｃ０８Ｌ 43/02 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (72)発明者 浅川 鋼児 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 沖野 剛史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ベース樹脂、光酸発生剤、および下記一
    般式（１）で表わされる化合物を含有することを特徴と
    する感光性組成物。 【化１】 （上記一般式（１）中、Ｒ1 は１価の有機基であり、Ｘ
    1 は、＞Ｃ＝Ｏ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＯＮＲ3 −、
    −ＳＯ2 −、−Ｓ（＝Ｏ）2 ＮＲ3 −、および−Ｏ−か
    らなる群から選択される基である（Ｒ3 は、水素原子、
    ハロゲン原子、または炭化水素基である）。Ｒ2 は、脂
    環式骨格を含む基であり、このＲ2 において、Ｘ1 に直
    接結合している原子は３級炭素原子である。）
  2. 【請求項２】 前記一般式（１）におけるＲ2 中に含ま
    れる脂環式骨格が、炭素原子と、酸素原子、窒素原子お
    よびイオウ原子から選択された少なくとも１種の原子と
    を含み、その総原子数は３〜１００であり、０〜５０の
    不飽和結合を有する単環性もしくは２〜１０環性の脂環
    式骨格である請求項１に記載の感光性組成物。
  3. 【請求項３】 前記ベース樹脂が下記一般式（２）で表
    わされる単量体を単重合または、共重合させることによ
    り得られた重合体である請求項１または２に記載の感光
    性組成物。 【化２】 （上記一般式（２）中、Ｒ6 は脂環式骨格を含有する基
    であり、Ｒ7 ，Ｒ8 およびＲ10は、同一でも異なってい
    てもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
    基、シリル基、炭化水素基、水酸基、アルコキシル基、
    アミノ基、イミド基、アミド基、スルホニル基、カルボ
    キシル基、カルボニル基、またはスルホニルアミド基で
    ある。）
  4. 【請求項４】 前記光酸発生剤がナフタレン骨格を含有
    する化合物である請求項１ないし３のいずれか１項に記
    載の感光性組成物。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項に記載
    の感光性組成物を含む膜を基板上に形成する工程と、 前記感光性組成物膜の所定の領域にパターン露光を施す
    工程と、 前記露光後の感光性組成物膜を熱処理する工程と、 前記熱処理後の感光性組成物膜をアルカリ水溶液で現像
    処理して、露光部を選択的に溶解除去する工程とを具備
    するパターン形成方法。
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