JPH10294481A - タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低温プロセスのみを用いることによって安価
な基板が使用可能な低コストの光電変換装置において、
装置の製造歩留り、信頼性および安定性を改善し、かつ
高性能化を図ることのできる技術を提供し、シリコン系
薄膜光電変換装置の実用化に貢献する。 【解決手段】 基板（１０１）上で複数段に積層された
複数の光電変換ユニット（１１２，１１３）を含むタン
デム型シリコン系薄膜光電変換装置は、それらの光電変
換ユニットのいずれもがプラズマＣＶＤ法によって順次
積層された１導電型層（１０３，１０６）と、結晶質を
含むシリコン系薄膜の光電変換層（１０４，１０７）
と、逆導電型半導体層（１０５，１０８）とを含むこと
を特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置に
関し、特に、基板上で複数段に積層された複数の光電変
換ユニットを含むタンデム型シリコン系薄膜光電変換装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、たとえば多結晶シリコンや微結晶
シリコンのような結晶質シリコンを含む薄膜を利用した
光電変換装置の開発が精力的に行なわれている。このよ
うな開発は、安価な基板上に低温プロセスで良質のシリ
コン薄膜を形成することによって光電変換装置の低コス
ト化と高性能化を両立させようという試みであり、太陽
電池や光センサ等の様々な光電変換装置への応用が期待
されている。

【０００３】中でも、安価な低融点ガラスを用いること
ができる４００℃以下の低温プロセスのみによって優れ
た光電変換効率を有する結晶質シリコン系薄膜光電変換
装置を形成し得る方法が近年脚光を浴びており、たとえ
ば、微結晶シリコンのｐｉｎ接合を含む光電変換装置が
Appl. Phys, Lett., vol. 65, 1994, p. 860に記載され
ている。この光電変換装置は、簡便にプラズマＣＶＤ法
で順次積層されたｐ型半導体層、光電変換層たるｉ型半
導体層およびｎ型半導体層を含み、これらの半導体層の
すべてが微結晶シリコンであることを特徴としている。

【０００４】また、同じくプラズマＣＶＤ法で低温形成
される結晶質シリコン系薄膜光電変換装置において、基
板や下地層が実質的に平面であっても微細な凹凸を含む
テクスチャ構造の上面を有するシリコン系薄膜を形成す
ることができ、そのシリコン系薄膜に入射した光がその
テクスチャ構造によって外部に逃げにくくなるというい
わゆる光閉込め効果が得られることが知られている。

【０００５】上述のような低温プロセスで形成された結
晶質シリコン系薄膜においては、高温プロセスで形成さ
れたものに比べて一般に結晶粒径が小さく粒内欠陥も多
いが、低温で形成されているために膜中に多くの水素原
子を含むことができ、これらの水素原子が結晶粒界や粒
内における欠陥を終端または不活性化させるので、結果
として優れた光電変換機能を示す。

【０００６】しかし、低温プロセスによる結晶質シリコ
ン系薄膜においては、粒界の多さや表面凹凸構造または
ピンホール等のために局部的な電気的ショートまたはリ
ークによる過剰電流が発生しやすく、また光電変換層と
して必要な数μｍの膜厚に堆積させたときに膜の内部応
力や歪が大きくなって、最悪の場合には膜が剥離してし
まうという問題がある。このような現象は光電変換層の
製造歩留りや信頼性を著しく低下させ、それを含む光電
変換装置の実用化を目指す上で大きな支障となる。

【０００７】他方、非晶質シリコン膜や非晶質シリコン
合金膜（たとえば非晶質シリコンカーバイドや非晶質シ
リコンゲルマニウムの膜）を光電変換層として含む光電
変換ユニットを複数積層させたタンデム型光電変換装置
や、結晶質シリコン系薄膜光電変換ユニットと非晶質シ
リコン系光電変換ユニットとを２段積層させたタンデム
型光電変換装置において、総合的な光電変換特性が向上
するという報告が数多くなされている。これらの報告の
いずれにおいても、異なる光波長域に感度を有する複数
の光電変換ユニットを組合せることによって、広い波長
領域の光をそれらの異なる複数の光電変換ユニットで分
担して吸収させるというのが特徴である。しかし、非晶
質シリコン系膜を多く用いたタンデム型光電変換装置に
おいては、非晶質シリコン系材料特有のStebler-Wronsk
ey効果と呼ばれるものであって光電変換特性が光照射に
よって大きく劣化するという安定性の問題があり、実質
的な高性能化が実現されていないというのが現状であ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な先行技術の状況に鑑み、低温プロセスのみを用いるこ
とによって安価な基板が使用可能な低コストの光電変換
装置において、特に課題とされている装置の製造歩留
り、信頼性および安定性を改善し、かつ高性能化を図る
ことのできる技術を提供し、シリコン系薄膜光電変換装
置の実用化に貢献することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によるタンデム型
シリコン系薄膜光電変換装置は、基板上で複数段に積層
された複数の光電変換ユニットを含み、それらの光電ユ
ニットのいずれもが、プラズマＣＶＤ法によって順次積
層された１導電型半導体層と、結晶質を含むシリコン系
薄膜の光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むことを
特徴としている。

【００１０】すなわち、本発明者らは上述の先行技術に
おける課題を解決すべく検討を重ね、複数の結晶質シリ
コン系薄膜光電変換ユニットを直接積層させた新規なタ
ンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を創作した。その
結果、従来の単一のユニットを含む結晶質シリコン系薄
膜光電変換装置において頻発していたような結晶粒界や
ピンホールに基づくリーク電流や膜の内部応力に起因す
る膜の剥がれという現象が少なく、製造歩留りや信頼性
に優れ、しかも高い光電変換特性を示しかつ安定性にも
優れる高性能の光電変換装置を得るに至った。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態の一
例による２段タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置を
模式的な断面図で図解している。この装置の基板１０１
にはステンレス等の金属、有機フィルム、または低融点
の安価なガラス等が用いられ得る。

【００１２】基板１０１上の裏面電極１０２は、下記の
薄膜（Ａ）と（Ｂ）のうちの１以上を含み、たとえば蒸
着法やスパッタ法によって形成され得る。 （Ａ） Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＰ
ｔから選択された少なくとも１以上の金属またはこれら
の合金からなる金属薄膜。 （Ｂ） Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂ 、ＺｎＯおよび
ＺｎＳから選択された少なくとも１以上の化合物からな
る透明導電性薄膜。

【００１３】１段目の光電変換ユニット１１２に含まれ
る第１導電型半導体層１０３は、プラズマＣＶＤ法にて
堆積される。この半導体層１０３としては、導電型決定
不純物原子が０．０１原子％以上ドープされた微結晶シ
リコン薄膜もしくは非晶質シリコン薄膜のいずれか、ま
たはこれらの複数を組合せたものが用いられ得る。不純
物原子としては、１導電型半導体層１０３がたとえばｎ
型層の場合にはリン原子が用いられ、ｐ型層の場合はボ
ロン原子が用いられ得る。しかし、これらは必ずしも限
定的なものではなく、たとえば１導電型半導体層１０３
としてシリコンカーバイドやシリコンゲルマニウム等の
合金材料を用いてもよく、ｎ型層の場合における不純物
原子は窒素等でもよい。なお、１導電型層１０３の膜厚
は３〜１００ｎｍの範囲内に設定され、より好ましくは
５〜５０ｎｍの範囲内に設定される。

【００１４】１導電型層１０３上には、光電変換層１０
４として、結晶質を含むシリコン系薄膜がプラズマＣＶ
Ｄ法によって４００℃以下の温度の下で形成される。こ
の光電変換層１０４としては、ノンドープのｉ型多結晶
シリコン薄膜や体積結晶化分率８０％以上のｉ型微結晶
シリコン薄膜、あるいは導電型決定不純物原子をごく微
量含む弱ｐ型または弱ｎ型で光電変換機能を十分に備え
ている結晶質シリコン系薄膜が使用され得る。また、光
電変換層１０４はこれらに限定されず、合金材料である
シリコンカーバイドやシリコンゲルマニウム等を用いて
もよい。

【００１５】光電変換層１０４の膜厚は１〜２０μｍの
範囲内で、より好ましくは１．５〜１０μｍの範囲内に
設定され、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層とし
て必要かつ十分な膜厚を有している。光電変換層１０４
は４００℃以下という低温で形成されるので、結晶粒界
や粒内における欠陥を終端または不活性化させる水素原
子を多く含み、その好ましい水素含有量は２〜３０原子
％の範囲内にあり、より好ましくは４〜２０原子％の範
囲内にある。

【００１６】シリコン系薄膜光電変換層１０４に含まれ
る結晶粒の多くは下地層から上方に柱状に伸びて成長し
ており、それらの多くの結晶粒は膜面に平行な（１１
０）の優先結晶配向面を有している。また図１に示され
ているように、下地層１０３の上表面が実質的に平面で
ある場合でも、光電変換層１０４の上表面にはその膜厚
よりも約１桁ほど小さい間隔の微細な凹凸を含むテクス
チャ構造が形成される。

【００１７】光電変換層１０４上には、下地層１０３と
は逆タイプの導電型半導体層１０５がプラズマＣＶＤ法
によって堆積される。この逆導電型半導体層１０５とし
ては、導電型決定不純物原子が０．０１原子％以上ドー
プされた微結晶シリコン薄膜もしくは非晶質シリコン薄
膜のいずれか、またはこれらの複数を組合せたものが用
いられ得る。不純物原子としては、導電型半導体層１０
５がたとえばｐ型層の場合にはボロン原子が用いられ、
ｎ型層の場合にはリン原子が用いられ得る。しかし、こ
れらは必ずしも限定的なものではなく、たとえば逆導電
型半導体層１０５としてシリコンカーバイドやシリコン
ゲルマニウム等の合金材料を用いてもよく、ｐ型層の場
合における不純物原子はアルミニウム等でもよい。な
お、逆導電型層１０５の膜厚は３〜１００ｎｍの範囲内
に設定され、より好ましくは５〜５０ｎｍの範囲内に設
定される。

【００１８】１段目の光電変換ユニット１１２上には、
２段目の光電変換ユニット１１３が積層される。２段目
の光電変換ユニット１１３に含まれる１導電型半導体層
１０６、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層１０７
および逆導電型半導体層１０８のそれぞれは、１段目の
光電変換ユニット１１２中の対応する半導体層１０３、
１０４および１０５と同様に形成される。但し、２段目
の光電変換層１０７の膜厚は０．２〜１０μｍの範囲内
で、より好ましくは０．５〜５μｍの範囲内であって、
１段目の光電変換層１０４の膜厚や材料を考慮して適切
に調整される。

【００１９】２段目の光電変換ユニット１１３上には、
ＩＴＯ、ＳｎＯ₂ 、ＺｎＯ等から選択された少なくとも
１以上の層からなる透明導電性膜１０９が形成され、さ
らにその上にグリッド電極としてＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ等から選択された少なくとも１以上の金属また
はこれらの合金の層を含む櫛形状の金属電極１１０がス
パッタ法または蒸着法によって形成される。

【００２０】ところで、２段目の光電変換層１０７に含
まれる結晶粒についても、それらの多くが下地層１０６
から上方に柱状に伸びて成長するが、１段目の光電変換
層１０４内とは異なる結晶核が新たに発生して独立に柱
状成長していく。したがって、この２段目の光電変換層
１０７の上表面においては、１段目の光電変換層１０４
の上表面における凹凸形状にさらに新たな小さな凹凸形
状が重畳されて凹凸の密度が増加し、その表面形状はよ
り複雑で微細な凹凸のサイズ範囲が広いテクスチャ構造
になる。すなわち、２段目の光電変換層１０７の上表面
における微細な凹凸の平均間隔は短くなり、１段目の光
電変換層１０４の上表面におけるそれに比べて２／３以
下になる。したがって、２段目の光電変換層１０７の上
表面は広範囲の波長域の光を散乱させるのに一層適した
表面凹凸構造となり、１段目の光電変換層１０４のみの
場合に比べて光閉込め効果がさらに大きくなる。

【００２１】また、１段目と２段目の光電変換層１０４
と１０７においては結晶粒界やピンホール等の面内分布
が互いに異なるので、裏面電極１０２と前面電極１０９
とがショートしてリーク電流が発生する確率が大幅に低
下する。さらに、結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換
層の内部応力はその膜が厚くなるに従って大きくなる傾
向にあるが、図１に示されているようなタンデム型光電
変換装置においては、１段目と２段目の光電変換層１０
４と１０７との間にある導電型層１０５と１０６として
構造的柔軟性の大きい非晶質膜、または光電変換層１０
４，１０７よりは非晶質部分を多く含む微結晶膜を用い
ているので、これらが結晶質シリコン系薄膜光電変換層
１０４，１０７内の応力をある程度吸収して緩和する役
割を果たす。したがって、単一の光電変換層のみを含む
光電変換装置の場合に比べれば、図１のタンデム型光電
変換装置全体としての膜厚がたとえ厚くても、内部応力
に起因して光電変換層が剥がれるという現象も起こりに
くくなる。

【００２２】なお、本発明によるタンデム型光電変換装
置において積層される光電変換ユニットの段数には制限
がなく、段数の増大に伴ってその装置の特性改善効果は
より顕著になる。ただし、むやみに段数を増やすこと
は、装置の製造工程を複雑にするので、あまり好ましい
ことではない。

【００２３】

【実施例】以下において、光電変換装置の代表的な１つ
である薄膜シリコン太陽電池を例に挙げ、比較例として
の従来技術による薄膜結晶質シリコン太陽電池と、本発
明のいくつかの実施例によるタンデム型薄膜結晶質シリ
コン太陽電池について説明する。

【００２４】（比較例）図２に示されているように、単
一の光電変換ユニットのみを含む薄膜結晶質シリコン太
陽電池を比較例として作製した。まず、ガラス基板２０
１上に、裏面電極２０２として、厚さ３００ｎｍのＡｇ
膜とその上の厚さ１００ｎｍのＺｎＯ膜のそれぞれがス
パッタ法によって形成された。裏面電極２０２上には、
厚さ３０ｎｍでリンドープされたｎ型微結晶シリコン層
２０３、厚さ４．７μｍでノンドープの多結晶シリコン
光電変換層２０４および厚さ１５ｎｍでボロンドープさ
れたｐ型微結晶シリコン層２０５が、それぞれプラズマ
ＣＶＤ法によって形成され、ｎｉｐ光電変換ユニット２
０９が形成された。光電変換ユニット２０９上には前面
電極２０６として、厚さ８０ｎｍの透明導電性ＩＴＯ膜
がスパッタ法にて形成され、その上に電流取出のための
櫛形Ａｇ電極２０７が蒸着法によって形成された。

【００２５】多結晶シリコン光電変換層２０４は、成膜
温度３５０℃の下でＲＦプラズマＣＶＤ法によって堆積
された。この光電変換層２０４において、２次イオン質
量分析法から求めた水素原子含有量は５原子％であっ
た。ｐ型層２０５の上表面形状を表面粗さ計によって求
めたところ、凹部の間隔の過半数は０．２〜０．５μｍ
の範囲内に分布し、その平均間隔は０．３８μｍであっ
た。

【００２６】このような比較例の薄膜結晶質シリコン太
陽電池として、１ｃｍ² の受光面積を有する１００個の
太陽電池試料が作製された。これらの太陽電池試料に対
して入射光２０８としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／
ｃｍ² の光量で照射して出力特性を測定したところ、最
も高い光電変換効率を示した試料において、開放端電圧
が０．４５８Ｖ、短絡電流が２７．０ｍＡ／ｃｍ² 、曲
線因子が７２．８％、そして変換効率が９．０％であっ
た。

【００２７】しかし、これら比較例としての１００個の
試料のうち、変換効率が８．５％以上に達しているもの
は６４個しかなく、残りの試料の多くは電流リークのた
めに開放端電圧と曲線因子が極度に悪く、変換効率の低
いものであった。しかも、４個の試料においては、一部
に膜の剥離が起こっているのが肉眼でも観察された。ま
た、上記比較例と同じ方法で受光面積が２５ｃｍ² に拡
大された太陽電池試料を１０個作製したが、それらのす
べてにおいて、リーク電流のために変換効率が著しく低
かった。さらに、光電変換層２０４の厚さが７．５μｍ
に厚くされたことを除けば上記比較例と全く同様に１ｃ
ｍ² の受光面積を有する１００個の太陽電池試料が作製
されたが、これらのほぼ全部において膜の剥離が生じて
光電変換特性の評価ができなかった。逆に、光電変換層
２０４の厚さが３．５μｍに薄くされたことを除けば上
記比較例と全く同様に１ｃｍ² の受光面積を有する１０
０個の太陽電池試料においては、膜の剥離が観察されな
かったものの、リーク電流が生じなくて良好な出力特性
を示した試料は全体の約半分しかなかった。

【００２８】以上のように、先行技術による単一の光電
変換ユニットのみを含む薄膜結晶質シリコン太陽電池に
おいてはリーク電流または膜の剥離という問題が避け難
く、これらの問題が太陽電池の大面積化を初めとする実
用化を目指す上での障害となっている。また、これらの
問題が制約となって、たとえば光電変換層の厚みのよう
な構造パラメータの範囲が限定されてしまうことから、
太陽電池の高効率化にも限界があるように見られてい
る。

【００２９】（実施例１）図１に示されているような２
段積層型のタンデム型太陽電池が、実施例１として作製
された。１段目の光電変換ユニット１１２に含まれるｎ
型微結晶シリコン層１０３、多結晶シリコン光電変換層
１０４およびｐ型微結晶シリコン層１０５が、図２の比
較例中の対応する層２０３、２０４および２０５と同じ
方法で堆積された。さらに、２段目の光電変換ユニット
１１３に含まれるｎ型微結晶シリコン層１０６、多結晶
シリコン光電変換層１０７およびｐ型微結晶シリコン層
１０８も、１段目の光電変換ユニット１１２に含まれた
対応する層１０３，１０４および１０５と同じ方法で堆
積された。

【００３０】ただし、１段目の光電変換層１０４の厚さ
は３．５μｍであって、２段目の光電変換層１０７の厚
さは１．２μｍであった。すなわち、１段目と２段目の
光電変換層１０４と１０７の合計の厚さが、図２の比較
例の光電変換層２０４と同じの４．７μｍに設定され
た。１段目と２段目の光電変換層１０４と１０７とのこ
のような厚さの組合せによれば、ＡＭ１．５の光１１１
を照射したときの１段目と２段目の光電変換ユニット１
１２と１１３の各々に発生する光電流がほぼ等しくな
る。

【００３１】ところで、１段目と２段目の光電変換層１
０４と１０７について測定された水素含有量はいずれも
５原子％で、図２の比較例中の光電変換層２０４の水素
含有量と同じであった。しかし、２段目の光電変換層１
０７の上面における凹凸形状は図２の比較例中の光電変
換層２０４に比べてやや複雑であって、凹部の間隔の過
半数が０．０５〜０．５μｍの広い範囲内に分布し、そ
の平均間隔は０．２１μｍであった。

【００３２】なお、他の要素である基板１０１、裏面電
極１０２、前面透明電極１０９、および櫛形電極１１０
は、図２の比較例中のそれぞれに対応する要素２０１、
２０２、２０６および２０７と同様のものである。

【００３３】このようにして、実施例１の薄膜結晶質シ
リコン太陽電池として、１ｃｍ² の受光面積を有する１
００個の太陽電池試料が作製された。これらの太陽電池
試料に対して入射光１１１としてＡＭ１．５の光を１０
０ｍＷ／ｃｍ² の光量で照射して出力特性を測定したと
ころ、最も高い光電変換効率を示した試料において、開
放端電圧が０．９６６Ｖ、短絡電流密度が１４．４ｍＡ
／ｃｍ² 、曲線因子が７５．７％、そして変換効率が１
０．５％であった。

【００３４】これらの実施例１としての１００個の試料
のうち９２個が１０％以上の変換効率を有し、１０％未
満の変換効率の試料においてもリーク電流は見られなか
った。また、１段目と２段目の光電変換層１０４と１０
７の合計膜厚が図２の比較例における光電変換層２０４
の膜厚と同じであるにもかかわらず、実施例１のタンデ
ム型太陽電池試料においては膜の剥離も全く観察されな
かった。さらに、上記の実施例１と同じ方法で受光面積
２５ｃｍ² の太陽電池試料を１０個作製したところ、や
はりリーク電流も少なくて最高で１０．２％の変換効率
が得られた。以上のように、実施例１によれば、太陽電
池の製造歩留り、信頼性および再現性が著しく改善され
た。

【００３５】ところで、図１の実施例１による太陽電池
と図２の比較例による太陽電池の出力特性を比較すると
き、ごく単純なモデルを仮定すれば、図１のタンデム型
太陽電池は２段直列積層型であるので、図２のように単
一の光電変換ユニットを含む比較例の太陽電池に比べ
て、開放端電圧が２倍となって短絡電流密度が１／２に
なることが予想されるが、実際にはこれらのいずれの予
想値をも上回っている。

【００３６】実施例１の太陽電池の開放端電圧や曲線因
子が大きいのは、非晶質シリコン系のタンデム型太陽電
池の場合と同様であって、光電変換ユニットの厚さが薄
いほど光電変換層における内部電界が高くかつ均一にな
って、直列抵抗やキャリアの再結合確率が減少すること
によると考えられる。他方、実施例１の太陽電池におけ
る短絡電流密度の増大は、既に発明の実施の形態に述べ
た理由によって、光閉込め効果が向上したことによるも
のであると考えられる。

【００３７】図３は、図１の実施例と図２の比較例とに
よる太陽電池における分光感度スペクトルの測定結果を
示している。このグラフにおいて、横軸は光の波長を表
わし、縦軸は収集効率を表わしている。収集効率曲線１
ｃ、１１２ｃ、１１３ｃおよび２ｃは、それぞれ図１の
実施例による太陽電池、光電変換ユニット１１２、１１
３および図２の比較例による太陽電池における収集効率
を表わしている。このグラフからわかるように、光電変
換ユニット１１２と１１３の収集効率１１２ｃと１１３
ｃの合成として得られる実施例１の太陽電池の収集効率
１ｃは、比較例の太陽電池の収集効率２ｃと比べて、ほ
ぼ全波長域にわたって上回っており、広い波長域で実施
例１の太陽電池の感度が向上している。このような効果
は本発明に特有のものであり、同一材料の光電変換ユニ
ットの積層化による特性向上の割合は、従来技術におけ
るたとえば非晶質シリコンの光電変換ユニット同士の積
層化によるものに比べて大きい。

【００３８】なお、実施例１による太陽電池に連続して
５５０時間の長時間にわたってＭ１．５の光を１００ｍ
Ｗ／ｃｍ² の光量で照射しても出力特性の変化は全く見
られず、安定性についても何ら問題はなかった。

【００３９】（実施例２）図４に示されているような３
段積層型のタンデム型太陽電池が実施例２として作製さ
れた。この図４の実施例２による太陽電池における１段
目と２段目の光電変換ユニット４１５と４１６に含まれ
る半導体層４０３〜４０８は、図１の実施例１による太
陽電池における１段目と２段目の光電変換ユニット１１
２と１１３に含まれる半導体層１０３〜１０８のそれぞ
れに対応して同じ方法で堆積された。そして、２段目の
光電変換ユニット４１６上には、さらに非晶質シリコン
からなるｎ層４０９、ｉ層４１０およびｐ層４１１を含
む非晶質光電変換ユニット４１７が堆積された。このと
き、図４の太陽電池にＡＭ１．５の光４１４を照射した
場合に光電変換ユニット４１５、４１６および４１７の
それぞれに発生する光電流がほぼ等しくなるように１段
目と２段目の多結晶シリコン光電変換層４０４と４０７
の厚さはそれぞれ３．５μｍと１．６μｍにされ、３段
目の非晶質シリコン光電変換層４１０の厚さは０．１μ
ｍにされた。

【００４０】なお、その他の要素である基板４０１、裏
面電極４０２、前面透明電極４１２および櫛形電極４１
３は、図１の実施例中のそれぞれ対応する要素１１０、
１０２、１０９、および１１０と同様のものである。

【００４１】このような実施例２による３段積層型のタ
ンデム型太陽電池に対して入射光４１４としてＡＭ１．
５の光を１００ｍＷ／ｃｍ² の光量で照射した場合に得
られた出力特性は、開放端電圧が１．９２Ｖ、短絡電流
密度が９．６ｍＡ／ｃｍ² 、曲線因子が７５．１％、そ
して変換効率が１３．８％であった。すなわち、２段の
結晶質シリコン光電変換ユニットを含む実施例１の太陽
電池に追加して製造プロセスが類似した非晶質シリコン
光電変換ユニットをさらに積層することによって、太陽
電池のより一層の性能向上を図ることができる。

【００４２】また、この実施例２による太陽電池に５５
０時間の長時間にわたって連続してＡＭ１．５の光を１
００ｍＷ／ｃｍ² の光量で照射した後における変換効率
は１３．０％であった。すなわち、３段目の光電変換ユ
ニット４１７における非晶質シリコン光電変換層４１０
の厚さが０．１μｍのように比較的薄いので、長時間光
照射による特性劣化の割合があまり大きくなくてタンデ
ム型太陽電池全体に及ぼす影響も小さいので、長時間光
照射後の安定化後においても高い変換効率を維持するこ
とができたものと考えられる。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、結晶質
シリコン系薄膜光電変換ユニットを積層化することによ
って、光電変換装置の歩留り、信頼性および安定性が著
しく改善され、また光閉込め効果の向上に伴う光電変換
装置の高性能化も図ることが可能であり、シリコン系薄
膜光電変換装置の実用化に大きく貢献することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例による２段積層型の
タンデム型結晶質シリコン系薄膜光電変換装置の構造を
示す模式的な断面図である。

【図２】比較例としての先行技術による結晶質シリコン
系薄膜光電変換装置の構造を示す模式的な断面図であ
る。

【図３】本発明の実施例１における太陽電池の分光感度
スペクトルを先行技術の太陽電池との比較において示す
グラフである。

【図４】本発明の実施例２による３段積層型のタンデム
型薄膜光電変換装置の構造を示す模式的な断面図であ
る。

【符号の説明】

１０１、２０１、４０１：基板 １０２、２０２、４０２：裏面電極 １０３、１０６、２０３、４０３、４０６、４０９：１
導電型半導体層 １０４、１０７、２０４、４０４、４０７：結晶質シリ
コン系薄膜光電変換層 １０５、１０８、２０５、４０５、４０８、４１１：逆
導電型半導体層 ４１０：非晶質シリコン系光電変換層 １０９、２０６、４１２：透明導電膜 １１０、２０７、４１３：櫛形電極 １１１、２０８、４１４：入射光 １１２、１１３、２０９、４１５、４１６：結晶質シリ
コン光電変換ユニット ４１７：非晶質シリコン光電変換ユニット

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上で複数段に積層された複数の光電
   変換ユニットを含むタンデム型シリコン系薄膜光電変換
   装置であって、 前記光電変換ユニットのいずれもが、プラズマＣＶＤ法
   によって順次積層された１導電型半導体層と、結晶質を
   含むシリコン系薄膜の光電変換層と、逆導電型半導体層
   とを含むことを特徴とするタンデム型シリコン系薄膜光
   電変換装置。
2. 【請求項２】 前記複数の光電変換ユニットに含まれる
   前記光電変換層のいずれもが４００℃以下の下地温度の
   下で形成されたものであり、８０％以上の体積結晶化分
   率を有し、かつ２〜３０原子％の範囲内の水素含有量を
   有していることを特徴とする請求項１に記載のタンデム
   型シリコン系薄膜光電変換装置。
3. 【請求項３】 前記複数の光電変換ユニットに含まれる
   いずれの前記光電変換層の上面も微細な凹凸を含むテク
   スチャ構造を有し、前記基板上で２段目以後に積層され
   た光電変換ユニットに含まれる前記光電変換層における
   前記凹凸の平均間隔はその１段前の光電変換ユニットに
   含まれる前記光電変換層における前記凹凸の平均間隔の
   ２／３以下であることを特徴とする請求項１または２に
   記載のタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。
4. 【請求項４】 前記基板上で１段目と２段目の前記光電
   変換ユニットのそれぞれに含まれる１段目と２段目の光
   電変換層はそれぞれ１〜２０μｍの範囲内の厚さと０．
   ２〜１０μｍの範囲内の厚さを有し、かつ前記１段目の
   光電変換層の厚さは前記２段目の光電変換層の厚さより
   大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれかの項
   に記載のタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。