JP2001308362A - 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の高い光電
変換効率を維持しつつ、その集積化を容易にするととも
に生産歩留まりを改善する。 【解決手段】 透明絶縁基板１０１上で順に積層された
透明電極層１０２、非晶質半導体光電変換ユニット層１
１０、結晶質半導体光電変換ユニット層１２０、および
裏面電極層１３０が複数のハイブリッド光電変換セルを
形成するように複数の分離溝１０５，１０７によって分
離されていて、かつそれらの複数のセルが接続用溝１０
６を介して互いに電気的に直列接続された集積型ハイブ
リッド薄膜太陽電池の製造方法において、結晶質光電変
換ユニット層１２０は１〜１．５μｍの範囲内の厚さに
堆積され、裏面電極層１３０はレーザスクライブによっ
て複数のセルに対応した複数の裏面電極に分離され、レ
ーザスクライブによる残滓を除去するための洗浄が行な
われることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集積型ハイブリッド
薄膜太陽電池に関し、特に、その高い光電変換効率を維
持しつつ集積化を容易にするとともに生産歩留まりを改
善する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なく
とも表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、
１以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極
を含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型
層とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。

【０００３】光電変換ユニットの厚さの大部分を占める
ｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作
用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型
光電変換層は、光吸収の観点のみからすれば厚い方が好
ましい。他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユニッ
ト内に拡散電位を生じさせる役割を果たし、この拡散電
位の大きさによって光電変換装置の重要な特性の１つで
ある開放端電圧の値が左右される。しかし、これらの導
電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であり、
導電型層にドープされた不純物によって吸収される光は
発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型とｎ型
の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせる範囲内であ
れば、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。

【０００４】このようなことから、光電変換ユニット
は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電型層が非晶質か結
晶質かに関わらず、その主要部を占めるｉ型の光電変換
層が非晶質のものは非晶質ユニットと称され、ｉ型層が
結晶質のものは結晶質ユニットと称される。

【０００５】ところで、薄膜太陽電池の変換効率を向上
させる方法として、２以上の光電変換ユニットを積層し
てタンデム型にする方法がある。この方法においては、
薄膜太陽電池の光入射側に大きなエネルギバンドギャッ
プを有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、そ
の後ろに順に小さなバンドギャップを有する（たとえば
ＳｉＧｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを
配置することにより、入射光の広い波長範囲にわたって
光電変換を可能にし、これによって太陽電池全体として
の変換効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄
膜太陽電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質
光電変換ユニットを積層したものはハイブリッド薄膜太
陽電池と称される。

【０００６】たとえば、ｉ型非晶質シリコンが光電変換
し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度まで
であるが、ｉ型結晶質シリコンはそれより長い約１１０
０ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができ
る。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変
換層は光吸収のためには３００ｎｍ未満の厚さでも十分
であるが、光吸収係数の小さな結晶質シリコン光電変換
層は長波長の光をも十分に吸収するためには３μｍ以上
の厚さを有することが好ましい。また、結晶質シリコン
光電変換層は比較的小さな電気抵抗率を有しているの
で、３μｍ以上の厚さにされても問題はないが、非晶質
シリコン光電変換層は比較的大きな抵抗率を有している
ので、光吸収に必要な厚さを超えて厚くすることは好ま
しくない。

【０００７】このような事情から、従来のハイブリッド
薄膜太陽電池では、それに含まれる結晶質光電変換層の
厚さが一般に３μｍ以上にされるとともに、非晶質光電
変換層の厚さが３００ｎｍ以下にされることが多い。す
なわち、従来のハイブリッド薄膜太陽電池では、結晶質
光電変換層の厚さは非晶質光電変換層の厚さの約１０倍
程度にされている。

【０００８】ところで、電力用太陽電池のように高電圧
で高出力を生じ得る大面積の薄膜太陽電池を作製する場
合、大きな基板上に形成された薄膜太陽電池を複数個直
列接続して用いるのではなく、歩留まりを良くするため
に、大きな基板上に形成された薄膜太陽電池を複数のセ
ルに分割し、それらのセルを直列接続して集積化するの
が一般的である。特に、ガラス基板側から光を入射させ
るｐｉｎ型薄膜太陽電池においては、ガラス基板上の透
明導電性酸化物（ＴＣＯ）電極層の抵抗によるロスを低
減するために、レーザスクライブ法でその透明電極層を
所定幅の短冊状に加工し、その短冊状の長手方向に直交
する方向に各セルを直列接続して集積化するのが一般的
である。

【０００９】図１において、集積型ハイブリッド薄膜太
陽電池の典型的な一例の裏面が模式的な平面図で示され
ている。図２は、図１中において楕円２Ａで囲まれた領
域の拡大された断面構造を模式的に示している。そし
て、図３は、図２中において楕円３Ａで囲まれた領域の
より詳細な積層構造をさらに拡大した模式的な断面図で
示している。

【００１０】図１〜３に示されているような集積型ハイ
ブリッド薄膜太陽電池の製造においては、矩形の光電変
換領域を形成するために十分な大きさを有する透明絶縁
基板１０１として、一般にガラス基板が用いられる。ガ
ラス基板１０１上には透明電極層１０２として、たとえ
ば厚さ７００ｎｍのＳｎＯ₂層が熱ＣＶＤ法で形成され
る。透明電極層１０２は、レーザスクライブで幅約１０
０μｍの透明電極分離溝１０５を形成することによっ
て、約１０ｍｍの幅Ｗを有する短冊状透明電極に分離さ
れる。スクライブ後の残滓は水または有機溶剤を用いた
超音波洗浄で除去される。なお、洗浄方法としては、粘
着剤や噴射ガスなどを用いて残滓を除去する方法も可能
である。

【００１１】レーザパターニングされた透明電極層１０
２上には、非晶質光電変換ユニット層１１０と結晶質光
電変換ユニット層１２０が、この順にプラズマＣＶＤ法
で積層される。非晶質光電変換ユニット層１１０に含ま
れるｉ型非晶質光電変換層１１２として、厚さ約３００
ｎｍのノンドープ非晶質シリコン層が堆積される。結晶
質光電変換ユニット層１２０に含まれるｉ型結晶質光電
変換層１２２としては、厚さ約３．０μｍのノンドープ
結晶質シリコン層が堆積される。他方、非晶質光電変換
ユニット層１１０と結晶質光電変換ユニット層１２０に
それぞれ含まれるｐ型層としてはｐ型シリコンカーバイ
ド層１１１とｐ型微結晶シリコン層１２１が形成され、
ｎ型導電層１１３と１２３としてはいずれもｎ型シリコ
ン層が形成される。なお、ｎ型シリコン層１２３上に
は、その表面を大気から保護するために、ＴＣＯ層１３
１に含まれる部分的層として厚さ約５０ｎｍのＺｎＯ層
がスパッタリング法で形成される。

【００１２】こうして積層された非晶質光電変換ユニッ
ト層１１０と結晶質光電変換ユニット層１２０は、透明
電極層１０２の場合と同様にレーザスクライブによって
形成された半導体層分割溝１０６によって、複数の短冊
状の半導体領域に分割される。なお、この半導体層分割
溝１０６は互いに隣接するセル間で透明電極１０２と裏
面電極１３０を電気的に接続するために利用されるもの
なので、部分的にスクライブの残滓が残っていても問題
とならず、超音波洗浄は省略されてもよい。

【００１３】レーザパターニングされた半導体層１１０
と１２０上には、裏面電極層１３０として、前述のＴＣ
Ｏ層１３１に含まれる厚さ約５０ｎｍのＺｎＯ部分層に
加えて厚さ約３０ｎｍのＺｎＯ部分層と厚さ約３００ｎ
ｍのＡｇ層１３２がスパッタリング法で形成される。こ
のとき、半導体層分割溝１０６は接続用溝として働き、
裏面電極１３０はその接続用溝１０６を介して短冊状透
明電極１０２へ電気的に接続される。

【００１４】裏面電極層１３０は半導体層１１０と１２
０の場合と同様のレーザスクライブによってパターニン
グされ、半導体層１１０および１２０とともに裏面電極
層１３０を局所的に吹き飛ばすことによって複数の裏面
電極分離溝１０７が形成された後に超音波洗浄される。
これによって複数の短冊状ハイブリッド光電変換セルが
形成され、それらのセルは接続用溝１０６を介して互い
に電気的に直列接続されていることになる。最後に、薄
膜太陽電池の裏面側は封止樹脂（図示せず）が付与され
て保護される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述のような集積型ハ
イブリッド薄膜太陽電池において、光電変換領域の少な
くとも一辺の長さＬが２０ｃｍ以上に大きくなった場合
に、裏面電極分離溝１０７をレーザスクライブで形成し
た後に超音波洗浄したときに、多数の領域で径が約０．
５ｍｍ以上のアイランド状の膜の剥がれが生じやすくな
ることを本発明者は見出した。このような膜の剥がれに
おいては、薄膜太陽電池の面積が大きくなるに従ってそ
れらのアイランドの密度が増大するとともに、各アイラ
ンドの径も増大する傾向にある。また、洗浄方法として
噴射ガスや粘着剤を利用した場合でも、薄膜太陽電池の
面積が大きくなるに従って膜の剥がれの面積密度が増大
する傾向は同様である。そして、このような膜の剥がれ
は、当然に薄膜太陽電池の性能低下の原因となる。

【００１６】集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方
法において本発明者が見出したこのような課題に鑑み、
本発明は、集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の高い光電
変換効率を維持しつつ、その集積化を容易にするととも
に生産歩留まりを改善し得る技術を提供することを目的
としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、透明絶
縁基板上で順に積層された透明電極層、非晶質半導体光
電変換ユニット層、結晶質半導体光電変換ユニット層、
および裏面電極層が複数のハイブリッド光電変換セルを
形成するように複数の分離溝によって分離されていて、
かつそれらの複数のセルが接続用溝を介して互いに電気
的に直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の
製造方法においては、結晶質光電変換ユニット層が１〜
１．５μｍの範囲内の厚さに堆積され、裏面電極層はレ
ーザスクライブによって複数のセルに対応した複数の裏
面電極に分離され、そのレーザスクライブによる残滓を
除去するための洗浄が行なわれることを特徴としてい
る。

【００１８】その洗浄によって基板上で膜が剥がれる面
積の割合は１０％以下であることが望まれる。

【００１９】洗浄方法としては、水または有機溶剤を用
いた超音波洗浄が好ましく利用され得る。

【００２０】本発明による製造方法は、基板の少なくと
も一辺が２０ｃｍ以上である大面積の集積型ハイブリッ
ド薄膜太陽電池において膜剥がれを防止する効果を顕著
に発揮することができる。

【００２１】集積化されたハイブリッド薄膜太陽電池
は、裏面電極層をレーザスクライブして洗浄した後の３
日以内にその裏面側が樹脂封止されることが好ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明者は、図１〜３を参照して
説明された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法
における問題点の原因を推定するために、以下のような
実験１〜３を行なった。

【００２３】（実験１）図２に示されているように、レ
ーザスクライブで裏面電極分離溝１０７を形成した後
に、超音波洗浄を多数回繰返して、意図的に基板１０１
上で膜剥がれ領域を生じさせた。そして、膜剥がれ領域
において、ガラス基板１０１を通して光を照射し、その
領域の光透過率における光波長依存性を測定した。

【００２４】（実験２）図２に示されているように、ガ
ラス基板１０１上に透明電極層１０２と非晶質光電変換
ユニット層１１０までを堆積した。そして、実験１の場
合と同様にガラス基板１０１を通して光を照射し、透過
率を測定した。

【００２５】（実験３）図２に示されているように、ガ
ラス基板１０１上に透明電極層１０２、非晶質光電変換
ユニット層１１０、および結晶質光電変換ユニット層１
２０までを堆積した。そして、実験１および２と同様に
ガラス基板１０１を通して光を照射し、透過率を測定し
た。

【００２６】図４において、以上のような実験１〜３の
結果が示されている。すなわち、図４のグラフにおいて
横軸は照射光の波長（ｎｍ）を表わし、縦軸は透過率
（％）を表わしている。また、グラフ中で●印を伴った
細い実線の曲線は実験１の結果を示し、破線の曲線は実
験２の結果を示し、そして太い実線の曲線は実験３の結
果を示している。

【００２７】図４のグラフから明らかなように、実験１
における透過率の波長依存性は、実験３よりもむしろ実
験２の結果に非常に近似したものとなっている。このこ
とは、裏面電極分離溝１０７をレーザスクライブした後
の超音波洗浄によって生じた膜剥がれ領域において、裏
面電極１３０と結晶質光電変換ユニット層１２０とが剥
がれ落ちているが、非晶質光電変換ユニット層１１０は
残存していることを意味している。すなわち、基板１０
１上における超音波洗浄による膜剥がれは、非晶質光電
変換ユニット層１１０と結晶質光電変換ユニット層１２
０との間の界面近傍で生じやすいことがわかる。このこ
との原因としては、本発明者の理解では以下のような理
由が考えられる。

【００２８】一般に、基板上にプラズマＣＶＤ法でシリ
コン薄膜を堆積した場合、その薄膜中には残留歪みが存
在する。その場合に、非晶質シリコン層内では元々原子
の配列がランダムなので、残留歪みが緩和しやすい傾向
にある。他方、結晶質シリコン層内では原子が規則的に
配列されているので、残留歪みが緩和しにくい傾向にあ
る。さらに、結晶質光電変換ユニット層１２０は非晶質
光電変換ユニット層１１０に比べてはるかに大きな厚さ
を有しているので、これら両層の界面近傍には大きな残
留応力が存在しやすくなる傾向にある。したがって、こ
のような状況下において、超音波洗浄時の振動のように
外的な機械的力が付加された場合に、その外力と残留応
力とが重畳して結晶質光電変換ユニット層１２０と非晶
質光電変換ユニット層１１０との界面近傍で剥離が生じ
やすいものと考えられる。このような剥離は、超音波洗
浄の外力に限られることなく、噴射ガスや粘着剤を用い
た洗浄時の外力によっても同様に生じやすくなると考え
られる。

【００２９】本発明者は、上述のような新たな知見およ
び分析に基づいて、以下のような種々の比較例および実
施例による集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を作製し
た。

【００３０】（比較例）図１〜３に示された集積型ハイ
ブリッド薄膜太陽電池と同様な製法と条件の下で、比較
例としての太陽電池が作製された。ただし、ガラス基板
１０１としては、９１０ｃｍ×４５．５ｃｍの面積を有
する大きなガラス基板が用いられた。また、非晶質光電
変換ユニット層１１０の厚さは３００ｎｍにされ、結晶
質光電変換ユニット層の厚さは１．６μｍにされた。さ
らに、裏面電極分離溝１０７をレーザスクライブした後
に超音波洗浄したところ、基板上の膜剥がれ領域は面積
比で約５０％にも達していた。なお、集積化された後の
直列接続されたセルの段数は４８段であった。

【００３１】こうして作製された比較例による太陽電池
について、超音波洗浄後にまもなく照射光１０３として
ソーラシミュレータを用いてＡＭ１．５のスペクトル分
布で１００ｍＷ／ｃｍ²のエネルギ密度の擬似太陽光を
照射したところ、その光電変換効率は７．０％にすぎな
かった。

【００３２】（実施例１）実施例１としての太陽電池
が、比較例と同様にして作製された。ただし、非晶質光
電変換ユニット層１１０の厚さは２７０ｎｍにされ、結
晶質光電変換ユニット層１２０の厚さは１．５μｍにさ
れた。この実施例１において裏面電極分離溝１０７をレ
ーザスクライブした後に超音波洗浄したところ、基板上
の膜剥がれ領域の面積比は約９％であった。

【００３３】こうして作製された実施例１の薄膜太陽電
池について比較例の場合と同一の条件で擬似太陽光を照
射したところ、その光電変換効率は１２．０％であり、
比較例に比べて著しく改善されていた。

【００３４】（実施例２）実施例２としての太陽電池
が、比較例と同様にして作製された。ただし、非晶質光
電変換ユニット層１１０の厚さは２４０ｎｍにされ、結
晶質光電変換ユニット層１２０の厚さは１．４μｍにさ
れた。この実施例２において裏面電極分離溝１０７をレ
ーザスクライブした後に超音波洗浄したところ、基板上
の膜剥がれ領域の面積比は約３％であった。

【００３５】こうして作製された実施例２の薄膜太陽電
池について比較例の場合と同一の条件で擬似太陽光を照
射したところ、その光電変換効率は１１．１％であっ
た。

【００３６】（実施例３）実施例３としての薄膜太陽電
池が、比較例と同様にして作製された。ただし、非晶質
光電変換ユニット層１１０の厚さは２１０ｎｍにされ、
結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さは１．３μｍに
された。この実施例３において裏面電極分離溝１０７を
レーザスクライブした後に超音波洗浄したところ、基板
上の膜剥がれ領域は生じなかった。

【００３７】こうして作製された実施例３の薄膜太陽電
池について比較例の場合と同一の条件で擬似太陽光を照
射したところ、その光電変換効率は１０．３％であっ
た。

【００３８】（実施例４）実施例４としての薄膜太陽電
池が、比較例と同様にして作製された。ただし、非晶質
光電変換ユニット層１１０の厚さは１８０ｎｍにされ、
結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さは１．２μｍに
された。この実施例４において裏面電極分離溝１０７を
レーザスクライブした後に超音波洗浄したところ、基板
上の膜剥がれ領域は生じなかった。

【００３９】こうして作製された実施例４の太陽電池に
ついて比較例の場合と同一の条件で擬似太陽光を照射し
たところ、その光電変換効率は９．６％であった。

【００４０】（実施例５）実施例５としての薄膜太陽電
池が、比較例と同様にして作製された。ただし、非晶質
光電変換ユニット層１１０の厚さは１５０ｎｍにされ、
結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さは１．１μｍに
された。この実施例５において裏面電極分離溝１０７を
レーザスクライブした後に超音波洗浄したところ、基板
上に膜剥がれ領域は生じなかった。

【００４１】こうして作製された実施例５の薄膜太陽電
池について比較例の場合と同一の条件で擬似太陽光を照
射したところ、その光電変換効率は９．０％であり、依
然として比較例に比べて明らかに改善されていた。

【００４２】以上の比較例と種々の実施例から理解され
るように、結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さが
１．３μｍ以下の場合に基板上で膜剥がれ領域が生じな
いことがわかる。

【００４３】他方、実施例３〜５の相互比較から理解さ
れるように、基板上で膜剥がれ領域が生じない場合にお
いて、結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さが薄くな
るに従って光電変換効率が少しずつ低下している。これ
は、結晶質光電変換ユニット層１２０の厚さが薄くなる
に従ってその結晶質光電変換ユニット層内における光吸
収量が低減するためであると考えられる。なお、比較例
および種々の実施例において結晶質光電変換ユニット層
１２０の厚さの変化に伴って非晶質光電変換ユニット層
１１０の厚さも変化させられているのは、結晶質光電変
換ユニット層１２０と非晶質光電変換ユニット層１１０
との間の出力電流バランスを最適化するためである。

【００４４】他方、実施例１と２においては、基板上に
おいて部分的に膜剥がれが生じているが、それらの光電
変換効率は実施例３〜５よりも高くなっている。これ
は、基板上において多少の膜剥がれ領域が生じても、そ
れによる変換効率の低下よりも結晶質光電変換ユニット
層１２０の膜厚の増大に伴う光吸収量の増加による変換
効率の増大の効果が優っているからであると考えられ
る。しかし、比較例におけるように、膜剥がれ領域の面
積比が５０％にも達すれば、いかに結晶質光電変換ユニ
ット層１２０の膜厚増大による光吸収量の増大効果があ
るとしても、総合としての変換効率が顕著に低下するこ
とがわかる。

【００４５】なお、部分的に膜剥がれが発生した薄膜太
陽電池の裏面を大気中で露出したまま放置すれば、膜剥
がれ領域の境界部における残留応力の集中によって膜剥
がれ領域が拡大することがわかった。他方、薄膜太陽電
池の裏面を超音波洗浄した後の３日以内にＥＶＡ（エチ
レン酢酸ビニル共重合体）などの封止樹脂によってその
裏面を保護した場合には、その後の光電変換特性の経時
的な低下が見られず、外観が損なわれることもないこと
がわかった。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、集積型
ハイブリッド薄膜太陽電池の高い光電変換効率を維持し
つつ、その集積化を容易にするとともに生産歩留まりを
改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の典型的な
一例の裏面を示す模式的な平面図である。

【図２】 図１内の楕円２Ａで囲まれた領域における積
層構造を拡大して示す模式的な断面図である。

【図３】 図２中の楕円３Ａで囲まれた領域のより詳細
な積層構造をさらに拡大して示す模式的な断面図であ
る。

【図４】 ガラス基板上における膜剥がれと光透過率と
の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

２Ａ 図２に対応する領域、３Ａ 図３に対応する領
域、１０１ 透明絶縁基板、１０２ 透明電極層、１０
３ 入射光、１０５ 透明電極分離溝、１０６半導体層
分割溝、１０７ 裏面電極分離溝、１１０ 非晶質光電
変換ユニット層、１２０ 結晶質光電変換ユニット層、
１３０ 裏面電極層、１１１ ｐ型導電層、１１２ ｉ
型非晶質光電変換層、１１３ ｎ型導電層、１２１ ｐ
型導電層、１２２ ｉ型結晶質光電変換層、１２３ ｎ
型導電層、１３１ 透明導電性酸化物層、１３２ 金属
層。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁基板上に順に積層された透明電
   極層、非晶質半導体光電変換ユニット層、結晶質半導体
   光電変換ユニット層、および裏面電極層が複数のハイブ
   リッド光電変換セルを形成するように複数の分離溝によ
   って分離されていて、かつそれらの複数のセルが接続用
   溝を介して互いに電気的に直列接続された集積型ハイブ
   リッド薄膜太陽電池の製造方法であって、 前記結晶質光電変換ユニット層は１〜１．５μｍの範囲
   内の厚さに堆積され、 前記裏面電極層はレーザスクライブによって前記複数の
   セルに対応した複数の裏面電極に分離され、 前記レーザスクライブによる残滓を除去するための洗浄
   が行なわれることを特徴とする集積型ハイブリッド薄膜
   太陽電池の製造方法。
2. 【請求項２】 前記洗浄によって前記基板上で薄膜が剥
   がれる面積の割合が１０％以下であることを特徴とする
   請求項１に記載の集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製
   造方法。
3. 【請求項３】 前記洗浄として、水または有機溶剤を用
   いた超音波洗浄が利用されることを特徴とする請求項１
   または２に記載の集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記基板は少なくとも一辺が２０ｃｍ以
   上の大きさを有していることを特徴とする請求項１から
   ３のいずれかの項に記載の集積型ハイブリッド薄膜太陽
   電池の製造方法。
5. 【請求項５】 前記薄膜太陽電池の裏面電極側は前記洗
   浄後の３日以内に樹脂封止されることを特徴とする請求
   項１から４のいずれかの項に記載の集積型ハイブリッド
   薄膜太陽電池の製造方法。