JPH10290139A - エネルギー閉じ込め型圧電共振子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共振部周囲に大きな圧電基板部分を必要とせ
ず、かつ共振周波数−反共振周波数及びその近傍におけ
る不要スプリアスを効果的に抑圧することができ、良好
な共振特性の得られる、厚み縦振動モードを用いたエネ
ルギー閉じ込め型圧電共振子を得る。 【解決手段】 厚み縦振動モードの３次モードを利用し
たエネルギー閉じ込め型圧電共振子１であり、厚み方向
に分極処理された矩形板状の圧電基板２の幅Ｗと厚みＴ
の比Ｗ／Ｔが、０．８８±５％、１．０６±４％、１．
３２±５％、１．８０±３％、２．３０±３％、２．６
９±３％、３．１６±２％または３．６４±２％とされ
ており、第１，第２の電極３ａ，３ｂが圧電基板２の長
さ方向中央において表裏対向するように圧電基板の表面
及び裏面の各全幅に至るように形成されている圧電共振
子１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エネルギー閉じ込
め型の厚み縦振動モードを利用した圧電共振子に関し、
例えば、圧電フィルタや圧電発振子として用いられるエ
ネルギー閉じ込め型圧電共振子に関する。

【０００２】

【従来の技術】厚み縦振動モードを利用したエネルギー
閉じ込め型圧電共振子の一例が、特公平７−７０９４１
号に開示されている。この圧電共振子構造を、図１５を
参照して説明する。圧電共振子５１は、厚み方向に分極
された矩形の圧電基板５２を用いて構成されている。圧
電基板５２の上面中央には、共振電極５３ａが形成され
ている。また、圧電基板５２の下面中央には、共振電極
５３ａと表裏対向するように共振電極５３ｂが形成され
ている。

【０００３】共振電極５３ａ，５３ｂは、それぞれ、圧
電基板５１の端縁に沿うように形成された引き出し電極
５４ａ，５４ｂに電気的に接続されている。しかしなが
ら、上記圧電共振子５１では、共振電極５３ａ，５３ｂ
を圧電基板５２の中央に部分的に形成し、共振電極５３
ａ，５３ｂが表裏対向している部分に振動エネルギーを
閉じ込める必要がある。従って、圧電基板５１は、共振
部の周囲にある程度の面積を有するように、比較的大き
な面積の圧電基板を用いて構成する必要があり、圧電共
振子５１の小型化には限界があった。

【０００４】他方、特開平２−２３５４２２号公報に
は、共振部の周囲に余分な圧電基板部分をあまり必要と
しない厚み縦振動モードを利用したエネルギー閉じ込め
型の圧電共振子が開示されている。

【０００５】ここでは、図１６に示すように、細長い圧
電セラミック板６１の上面に共振電極６２ａが形成され
ており、下面に共振電極６２ｂが形成されている。共振
電極６２ａ，６２ｂは、それぞれ、圧電基板６１の一対
の長辺に至るように、すなわち全幅に至るように形成さ
れており、かつ圧電基板６１の長さ方向中央において表
裏対向されて共振部を構成している。また、これらの共
振電極６２ａ，６２ｂは、それぞれ、圧電基板６１の長
さ方向端部６１ａ，６１ｂに至るように延ばされてい
る。

【０００６】圧電共振子６１のように、細長い圧電基板
を用いて厚み縦振動モードを励振させた場合、圧電基板
６１の幅Ｗと厚みＴの寸法関係に起因する不要振動が発
生する。そこで、特開平２−２３５４４２号公報では、
基本波を利用する場合には、共振周波数１６ＭＨｚにお
いてＷ／Ｔ＝５．３３付近とすればよいこと、３倍波を
利用する場合には、共振周波数約１６ＭＨｚにおいてＷ
／Ｔ＝２．８７付近とすれば、共振周波数−反共振周波
数間における不要スプリアスを低減し得るとされてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
圧電共振子６１を試作した場合、Ｗ／Ｔを上記のように
設定したとしても、共振周波数−反共振周波数間に不要
スプリアスが現れ、良好な共振特性の得られ難いことが
わかった。

【０００８】本発明の目的は、共振部の周囲に大きな圧
電基板部分を必要としない厚み縦振動モードを利用した
圧電共振子であって、共振周波数−反共振周波数間にお
ける不要スプリアスを効果的に抑圧することができ、従
って良好な共振特性を得ることができるエネルギー閉じ
込め型圧電共振子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、厚み縦振動モ
ードの３倍波を利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共
振子であって、幅Ｗと厚みＴとの比Ｗ／Ｔが０．８８±
５％、１．０６±４％、１．３２±５％、１．８０±３
％、２．３０±３％、２．６９±３％、３．１６±２％
または３．６４±２％であり、厚み方向に分極処理され
た矩形板状の圧電基板と、前記圧電基板の長さ方向中央
において、圧電基板を介して表裏対向されており、かつ
それぞれ圧電基板の全幅に至るように形成された第１，
第２の電極とを備えることを特徴とする。

【００１０】また、本発明の特定の局面では、前記第１
の電極が圧電基板の長さ方向一端側の端縁に引き出され
ており、第２の電極が圧電基板の長さ方向他端側の端縁
に引き出されている。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例に係る
エネルギー閉じ込め型の圧電共振子を示す斜視図であ
る。エネルギー閉じ込め型圧電共振子１は、細長い矩形
板状の圧電基板２を用いて構成されている。圧電基板２
は、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電
セラミックスにより構成されており、厚み方向Ｐに分極
処理されている。

【００１２】圧電基板２の上面においては、中央に第１
の電極３ａが形成されており、圧電基板２の下面にも、
中央に第２の電極３ｂが形成されている。第１，第２の
電極３ａ，３ｂは、圧電基板２の両長辺に至るように、
すなわち全幅に至るように形成されている。

【００１３】また、第１，第２の電極３ａ，３ｂは、圧
電基板２を介して圧電基板２の長さ方向中央において表
裏対向されており、それによって共振部を構成してい
る。本実施例では、第１の電極３ａは、圧電基板２の上
面において、圧電基板２の長さ方向一端側の端縁２ａに
至るように引き出されており、他方、第２の電極３ｂ
は、圧電基板２の下面において、圧電基板２の長さ方向
他端側の端縁２ｂに至るように引き出されている。

【００１４】もっとも、第１，第２の電極３ａ，３ｂ
は、圧電基板２を介して表裏対向している部分を除いて
は、圧電基板２の全幅に至るように形成されずともよ
く、すなわち共振部から端縁２ａ，２ｂに引き出されて
いる部分については、圧電基板２の幅よりも細い幅に形
成されていてもよい。

【００１５】本実施例のエネルギー閉じ込め型圧電共振
子１は、厚み縦振動モードの３倍波を利用した圧電共振
子であり、圧電基板２の幅Ｗと厚みＴとの比Ｗ／Ｔが、
０．８８±５％、１．０６±４％、１．３２±５％、
１．８０±３％、２．３０±３％、２．６９±３％、
３．１６±２％または３．６４±２％とされていること
を特徴とし、それによって厚み縦振動モードの３倍波を
利用した共振特性において、不要スプリアスが効果的に
抑制される。これを、具体的な実験例に基づき、図３〜
図１３を参照して説明する。

【００１６】圧電基板２として、チタン酸ジルコン酸鉛
系圧電セラミックスからなり、厚みＴ＝４８０μｍ、長
さＬ＝４．０ｍｍであり、幅Ｗが異なる複数種の圧電基
板を用意し、第１，第２の電極３ａ，３ｂの対向長さｌ
＝０．９ｍｍとし、設計共振周波数を１６ＭＨｚとして
複数種の圧電共振子を作製した。

【００１７】上記のようにして作製された圧電共振子の
うち、比Ｗ／Ｔ＝２．６０、２．６８及び２．７６の場
合のインピーダンス−周波数特性及び位相−周波数特性
を、それぞれ、図３〜図５に示す。図３〜図５を比較す
れば明らかなように、Ｗ／Ｔ＝２．６０（図３の場合）
では、共振周波数ｆａよりも低域側に矢印Ａで示す大き
なスプリアスが現れていることがわかる。また、Ｗ／Ｔ
＝２．７６（図５）の場合には、反共振周波数ｆａより
も高域側に大きなスプリアスＢの現れている。

【００１８】これに対して、Ｗ／Ｔ＝２．６８（図４）
の場合には、共振周波数ｆｒよりも低域側に大きなスプ
リアスが現れておらず、かつ反共振周波数ｆａよりも高
域側にも大きなスプリアスが現れていない。また、高次
モードのスプリアスＣが現れているが、このスプリアス
Ｃは、反共振周波数ｆａよりもかなり高周波数側に位置
していることがわかる。従って、図４に示す共振特性で
は、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間の周波数
差が大きく、良好な共振特性の得られることがわかる。

【００１９】そこで、幅Ｗを変更することにより、設計
共振周波数１６ＭＨｚの種々の圧電共振子を作製し、イ
ンピーダンス−周波数特性及び位相−周波数特性を評価
したところ、図６に示す８種類の条件、Ｗ／Ｔ＝０．８
８、１．０６、１．３２、１．８０、２．３０、２．６
９、３．１６及び３．６４とした場合に、図４に示した
特性と同様に、不要スプリアスが共振周波数ｆｒ及び反
共振周波数ｆａ近傍に現れず、良好な共振特性の得られ
ることが確かめられた。

【００２０】次に、上記８種類のＷ／Ｔの各条件を中心
として、Ｗ／Ｔの値を異ならせた場合に、共振周波数ｆ
ｒよりも低域側に現れるスプリアスＡ（図３参照）及び
反共振周波数ｆａよりも高域側に現れるスプリアスＢ
（図５参照）がどのように変化するかを測定した。結果
を図７〜図１４に示す。

【００２１】図７〜図１４は、それぞれ、Ｗ／Ｔを前述
した各条件近傍において変化させた場合のスプリアスの
挙動を示す図である。図７を代表して、このＷ／Ｔ比の
変化に伴うスプリアスの挙動の説明する。図７は、Ｗ／
Ｔ＝０．８８の近傍でＷ／Ｔを変化させた場合の上記ス
プリアスＡ，Ｂの影響を示す図であり、図７において、
◇は共振周波数ｆｒを、□は反共振周波数ｆａを、▲は
スプリアスＡ、●は高域側のスプリアスＢをそれぞれ示
す。

【００２２】例えば、図７において、Ｗ／Ｔ＝０．８８
の場合には、上記スプリアスＡ，Ｂは周波数１５．７Ｍ
Ｈｚ〜１６．５ＭＨｚの範囲には現れていない。従っ
て、これらのスプリアスＡ，Ｂが１５．７〜１６．５Ｍ
Ｈｚの範囲に現れていないため、図４に示したように良
好な共振特性の得られることがわかる。

【００２３】なお、図７〜図１４においては、このよう
に共振周波数１６ＭＨｚ付近の周波数領域において、ス
プリアスＡ及びスプリアスＢが共振周波数ｆｒ及び反共
振周波数ｆａにそれぞれ近接していない場合に、図４に
示した良好な共振特性が得られることを意味する。同様
に、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの周波数差が
小さくなっていない場合には、スプリアスＡ，Ｂが比較
的近接していてもスプリアスの強度が小さいため、良好
な共振特性であることを意味する。

【００２４】図７において、例えば、Ｗ／Ｔの比が０．
８２の場合には、低域側のスプリアスＡが１６．０ＭＨ
ｚ付近に現れていることがわかり、スプリアスＡが共振
周波数に近接しているため、共振周波数ｆｒと反共振周
波数ｆａとの間の周波数差も小さくなっていることがわ
かる。

【００２５】また、Ｗ／Ｔ＝０．９４の場合には、高域
側のスプリアスＢが１６．３ＭＨｚ付近に現れており、
そのため共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの差が小
さくなっていることがわかる。

【００２６】また、図７から明らかなように、上記低域
側のスプリアスＡについては、比Ｗ／Ｔを０．８２から
増加させるに連れてその周波数位置が低域側に移動し、
共振特性に影響を与えないことがわかる。他方、高域側
のスプリアスＢについては、比Ｗ／Ｔを０．９４から減
少させていくに従って高周波数側に移動し、反共振周波
数ｆａから遠ざかり、共振特性に影響を与えないことが
わかる。従って、図７から明らかなように、低域側のス
プリアスＡが共振周波数ｆｒから遠ざかり、かつ高域側
のスプリアスＢが反共振周波数ｆａから遠ざかり、スプ
リアスＡ，Ｂが共振特性に影響を与えない範囲は、Ｗ／
Ｔ＝０．８３〜０．９２すなわちＷ／Ｔ＝０．８８±５
％の範囲とすればよいことがわかる。言い換えれば、比
Ｗ／Ｔ＝０．８８±５％の範囲となるように圧電共振子
１を構成すれば、図４に示したような良好な共振特性の
得られることがわかる。

【００２７】図８は、比Ｗ／Ｔ＝１．０６付近における
Ｗ／Ｔ比とスプリアスＡ，Ｂの影響を示す図であり、図
７を参照して行った上記説明から明らかなように、図８
の場合には、Ｗ／Ｔ＝１．０６±４％の範囲とすれば、
すなわち、Ｗ／Ｔ比が１．０２〜１．１の範囲とするこ
とにより、スプリアスＡ及びスプリアスＢが共振周波数
ｆｒ及び反共振周波数ｆａからそれぞれ遠ざかり、共振
周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの差が大きく、良好な
共振特性の得られることがわかる。

【００２８】また、図９から明らかなように、Ｗ／Ｔ＝
１．３２付近では、Ｗ／Ｔ＝１．２５〜１．３９の範
囲、すなわち、１．３２±５％の範囲とすることによ
り、スプリアスＡが共振周波数ｆｒから遠ざかり、高域
側のスプリアスＢが反共振周波数ｆａから遠ざかり、共
振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの差が大きく、良好
な共振特性の得られることがわかる。

【００２９】図１０は、Ｗ／Ｔ＝１．８０付近における
Ｗ／Ｔ比とスプリアスＡ，Ｂの挙動を示し、ここでは、
Ｗ／Ｔ比を１．７５〜１．８５の範囲、すなわちＷ／Ｔ
＝１．８０±３％の範囲とすれば、良好な共振特性の得
られることがわかる。なお、図１０においては、Ｗ／Ｔ
＝１．８６場合には、高域側のスプリアスＢが、共振周
波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間の周波数位置に移動
してきており、従って、共振特性が大きく損なわれ、通
過帯域内スプリアスが大きくなることを意味している。
また、Ｗ／Ｔ＝１．８４では、スプリアスＢが反共振周
波数ｆａに比較的近接しているが、共振周波数ｆｒと反
共振周波数ｆａとの差が十分大きいので、スプリアスＢ
の強度が小さく、良好な共振特性であることを意味して
いる。

【００３０】また、図１１から明らかなように、Ｗ／Ｔ
＝２．３０付近では、Ｗ／Ｔ＝２．２３〜２．３７の範
囲、すなわち、２．３０±３％の範囲とすることによ
り、低域側のスプリアスＡ及び高域側のスプリアスＢの
影響が小さく、良好な共振特性の得られることがわか
る。

【００３１】また、図１２から明らかなように、Ｗ／Ｔ
＝２．６９付近では、Ｗ／Ｔ＝２．６〜２．７７の範
囲、すなわち、２．６９±３％の範囲とすることによ
り、低域側のスプリアスＡ及び高域側のスプリアスＢの
影響が小さく、良好な共振特性の得られることがわか
る。

【００３２】また、図１３から明らかなように、Ｗ／Ｔ
＝３．１６付近では、Ｗ／Ｔ＝３．１〜３．２２の範
囲、すなわち、３．１６±２％の範囲とすることによ
り、低域側のスプリアスＡ及び高域側のスプリアスＢの
影響が小さく、良好な共振特性の得られることがわか
る。

【００３３】また、図１４から明らかなように、Ｗ／Ｔ
＝３．６４付近では、Ｗ／Ｔ＝３．５７〜３．７１の範
囲、すなわち、３．６４±２％の範囲とすることによ
り、低域側のスプリアスＡ及び高域側のスプリアスＢの
影響が小さく、良好な共振特性の得られることがわか
る。

【００３４】従って、図７〜図１４から明らかなよう
に、比Ｗ／Ｔを、それぞれ、０．８８±５％、１．０６
±４％、１．３２±５％、１．８０±３％、２．３０±
３％、２．６９±３％、３．１６±２％または３．６４
±２％とするように圧電共振子１を構成すれば、厚み縦
振動モードの３倍波を利用して共振特性に優れた圧電共
振子の得られることがわかる。

【００３５】上記エネルギー閉じ込め型圧電共振子１
は、圧電フィルタや圧電発振子などの種々の圧電共振部
品に用いられるものであるが、図２に、一例としてコン
デンサ内蔵型圧電発振子に適用した例を説明する。

【００３６】図２に示すように、圧電発振子１１は、ベ
ース基板１２と下方に開口を有するケース１３とを備え
る。ベース基板１２上には、外部との接続のための端子
電極１４ａ〜１４ｃが、所定の間隔を隔てて、全幅に至
るように形成されている。

【００３７】端子電極１４ａ〜１４ｃに、導電性接着剤
１５ａ〜１５ｃを介して、コンデンサ１６が固定され
る。コンデンサ１６は、誘電体セラミックスなどの誘電
体材料よりなる矩形板状の誘電体基板１６ａを用いて構
成されている。誘電体基板１６ａの上面には、所定の間
隔を隔てて、容量電極１６ｂ，１６ｃが形成されてい
る。容量電極１６ｂ，１６ｃは、誘電体基板１６ａの上
面から端面を経て下面に至るように形成されている。容
量電極１６ｂ，１６ｃの誘電体基板１６ａの下面に至っ
ている部分が、前述した導電性接着剤１５ａ，１５ｃを
会して、それぞれ、端子電極１４ａ，１４ｃに電気的に
接続されている。

【００３８】他方、誘電体基板１６ａの下面中央には共
通電極１６ｄが形成されている。共通電極１６ｄは、誘
電体基板１６ａを介して、誘電体基板１６ａの上面に形
成されている容量電極１６ｂ，１６ｃと表裏対向するよ
うに形成されている。従って、容量電極１６ｂ，１６ｃ
と共通電極１６ｄとの間で３端子型のコンデンサが構成
される。共通電極１６ｄは、導電性接着剤１５ｂを介し
てベース基板１２上に形成された端子電極１４ｂに電気
的に接続される。

【００３９】コンデンサ１６の上方には、導電性接着剤
１７ａ，１７ｂを介して本実施例のエネルギー閉じ込め
型圧電共振子１が接合される。すなわち、圧電共振子１
の下面の第２の電極３ｂが導電性接着剤１７ｂを介して
コンデンサ１６の容量電極１６ｃに電気的に接続されて
いる。また、第１の電極３ａは、圧電基板２の上面から
端面を経て下面に至るように形成されており、該下面に
至っている部分において導電性接着剤１７ａを介してコ
ンデサ１６の容量電極１６ｂに電気的に接続されてい
る。

【００４０】１８ａ，１８ｂは絶縁性接着剤を示し、ケ
ース１３と圧電共振子１とを接着しているが、絶縁性接
着剤１８ａ，１８ｂは省略されてもよい。ケース１３
は、その平面形状はベース基板１２よりも小さくされて
おり、従って、図２の下方に組み立てた状態を示すよう
に、ケース１３をケース１２を接合した状態では、端子
電極１４ａ〜１４ｃが外部に露出している。よって、こ
の圧電発振子は、プリント回路基板などにそのまま表面
実装することが可能とされている。

【００４１】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るエネルギー
閉じ込め型圧電共振子では、厚み方向に分極処理された
矩形板状の圧電基板の長さ方向中央において、圧電基板
の全幅に至るように第１，第２の電極を表裏面に形成し
て対向させることにより共振部が構成されており、圧電
基板の幅Ｗと厚みＴとの比Ｗ／Ｔが上記特定の範囲とさ
れているため、共振周波数ｆｒ及び反共振周波数ｆａ近
傍の不要スプリアスを効果的に抑制することができ、共
振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの周波数差が大き
い、良好な共振特性を有する圧電共振子を提供すること
が可能となる。

【００４２】また、請求項１に記載の発明に係る圧電共
振子では、上記のように矩形板状の圧電基板の中央にお
いて、圧電基板の全幅に至るように第１，第２の電極を
形成すればよいため、第１，第２の電極が表裏対向して
構成されている共振部の周囲に余分な圧電基板部分をあ
まり必要としない。従って、圧電共振子の小型化を促進
することができ、圧電共振子を用いた圧電発振子や圧電
フィルタなどの小型化に寄与し得る。

【００４３】請求項２に記載の発明では、第１の電極が
圧電基板の長さ方向一端側の端縁に引き出されており、
第２の電極が圧電基板の長さ方向他端側の端縁に引き出
されているので、本発明に係る圧電共振子をプリント回
路基板などに容易に実装することができ、かつコンデン
サなどの他のチップ型電子部品との接続も容易に行い得
る。従って、小型であり、共振特性に優れたエネルギー
閉じ込め型圧電共振子を用いた種々の圧電共振部品の小
型化を果たすことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施例に係るエネルギー閉
じ込め型圧電共振子を示す斜視図。

【図２】本発明の一実施例に係る圧電共振子を用いた圧
電共振部品としてのコンデンサ内蔵型圧電発振子を示す
分解斜視図。

【図３】共振周波数１６ＭＨｚとして設計された圧電共
振子においてＷ／Ｔ＝２．６０の場合のインピーダンス
−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図。

【図４】共振周波数１６ＭＨｚとして設計された圧電共
振子においてＷ／Ｔ＝２．６８の場合のインピーダンス
−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図。

【図５】共振周波数１６ＭＨｚとして設計された圧電共
振子において比Ｗ／Ｔ＝２．７６の場合のインピーダン
ス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図。

【図６】良好な共振特性が得られたＷ／Ｔ比を説明する
ための図。

【図７】実施例において、Ｗ／Ｔ＝０．８８近傍におい
て比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプリ
アスの影響を説明するための図。

【図８】実施例において、Ｗ／Ｔ＝１．０６近傍におい
て比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプリ
アスの影響を説明するための図。

【図９】実施例において、Ｗ／Ｔ＝１．３２近傍におい
て比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプリ
アスの影響を説明するための図。

【図１０】実施例において、Ｗ／Ｔ＝１．８０近傍にお
いて比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプ
リアスの影響を説明するための図。

【図１１】実施例において、Ｗ／Ｔ＝２．３０近傍にお
いて比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプ
リアスの影響を説明するための図。

【図１２】実施例において、Ｗ／Ｔ＝２．６９近傍にお
いて比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプ
リアスの影響を説明するための図。

【図１３】実施例において、Ｗ／Ｔ＝３．１６近傍にお
いて比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプ
リアスの影響を説明するための図。

【図１４】実施例において、Ｗ／Ｔ＝３．６４近傍にお
いて比Ｗ／Ｔを変化させた場合の低域側及び高域側スプ
リアスの影響を説明するための図。

【図１５】厚み縦振動モードを利用した従来のエネルギ
ー閉じ込め型圧電共振子の一例を示す斜視図。

【図１６】厚み縦振動モードを利用した従来のエネルギ
ー閉じ込め型圧電共振子の他の例を示す斜視図。

【符号の説明】

１…圧電共振子 ２…圧電基板 ３ａ，３ｂ…第１，第２の電極 Ｗ…幅 Ｔ…厚み ｌ…電極の対向長さ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 厚み縦振動モードの３倍波を利用したエ
   ネルギー閉じ込め型の圧電共振子であって、 幅Ｗと厚みＴとの比Ｗ／Ｔが０．８８±５％、１．０６
   ±４％、１．３２±５％、１．８０±３％、２．３０±
   ３％、２．６９±３％、３．１６±２％または３．６４
   ±２％であり、厚み方向に分極処理された矩形板状の圧
   電基板と、前記圧電基板の長さ方向中央において、圧電
   基板を介して表裏対向されており、かつそれぞれ圧電基
   板の全幅に至るように形成された第１，第２の電極とを
   備えることを特徴とする、エネルギー閉じ込め型圧電共
   振子。
2. 【請求項２】 前記第１の電極が圧電基板の長さ方向一
   端側の端縁に引き出されており、第２の電極が圧電基板
   の長さ方向他端側の端縁に引き出されている、請求項１
   に記載のエネルギー閉じ込め型圧電共振子。