JPH10284873A - Semiconductor integrated circuit device and ic card, and lead frame used for manufacturing the device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and ic card, and lead frame used for manufacturing the device

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JPH10284873A
JPH10284873A JP9086697A JP8669797A JPH10284873A JP H10284873 A JPH10284873 A JP H10284873A JP 9086697 A JP9086697 A JP 9086697A JP 8669797 A JP8669797 A JP 8669797A JP H10284873 A JPH10284873 A JP H10284873A
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lead
electromagnetic wave
integrated circuit
circuit device
wave shielding
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Toshiyuki Takahashi
敏幸 高橋
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Akita Electronics Systems Co Ltd
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce electromagnetic noise which enters a package or leaks outside the package. SOLUTION: In a semiconductor device having a sealed body 2, leads 3 which extend from the inside to the outside of the sealed body 2, a semiconductor chip 8 located in the sealed body, and connecting means which electrically connect an electrode of the semiconductor chip 8 and the leads, at least an upper face or both the upper face and a lower face of the sealed body 2 is covered with an electromagnetic shielding section 5 which is connected to a ground lead out of the leads 3 through a lead connected to the ground.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
およびＩＣカードならびにその製造に用いるリードフレ
ームおよびフレキシブル配線基板に関する。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, an IC card, and a lead frame and a flexible wiring board used for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等半導体集積回路装置の封
止（パッケージ）形態として、セラミックや金属、ガラ
ス等で封止する気密封止構造、主に樹脂で封止する非気
密封止構造がある。2. Description of the Related Art As a sealing (package) form of a semiconductor integrated circuit device such as an IC or an LSI, a hermetic sealing structure sealed with ceramic, metal, glass or the like, and a non-hermetic sealing structure mainly sealed with resin are used. is there.

【０００３】また、半導体集積回路装置の実装形態の違
いにより、リード挿入型、表面実装型があり、たとえ
ば、ＳＩＰ（Single Inline Package ），ＺＩＰ（Zigz
ag Inline Package ），ＰＧＡ（Pin Grrid Array ）等
は基板の挿入孔にリードを挿入するリード挿入型パッケ
ージであり、ＳＯＰ（Small Outline L-LeadedPackag
e），ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package），Ｑ
ＦＰ（Quad FlatPackage），ＱＦＪ（Quad Flat J-Lead
ed Package），ＢＧＡ（Ball Grrid Array），ＨＧＡ
（Hall Grrid Array）は表面実装型パッケージである。Further, there are lead insertion type and surface mount type depending on the mounting form of the semiconductor integrated circuit device. For example, SIP (Single Inline Package), ZIP (Zigz
ag Inline Package), PGA (Pin Grrid Array), etc. are lead insertion type packages that insert leads into insertion holes of a substrate, and are SOPs (Small Outline L-Leaded Packages).
e), SOJ (Small Outline J-Leaded Package), Q
FP (Quad Flat Package), QFJ (Quad Flat J-Lead)
ed Package), BGA (Ball Grrid Array), HGA
(Hall Grrid Array) is a surface mount type package.

【０００４】また、ＰＧＡ，ＢＧＡはパッケージの下面
に複数列のピングリッドやボールグリッドを出す構造で
あり、ＨＧＡは基板を貫通するスルーホール状のグリッ
ドを有する構造である。The PGA and BGA have a structure in which a plurality of rows of pin grids and ball grids are provided on the lower surface of the package, and the HGA has a structure having a through-hole grid penetrating the substrate.

【０００５】また、半導体集積回路装置の製造におい
て、リードフレーム，配線基板，テープ配線等を使用す
るものがある。テープ配線を使用するものとして、ＴＣ
Ｐ（Tape Carrier Package）、テープＢＧＡが知られて
いる。In some cases, a semiconductor integrated circuit device uses a lead frame, a wiring board, a tape wiring, or the like in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device. As the use of tape wiring, TC
P (Tape Carrier Package) and tape BGA are known.

【０００６】一般的にキャンタイプの気密パッケージは
気密性や耐電磁波特性等に優れるが製造コストが高い。
樹脂封止型半導体集積回路装置は気密性はないが製造コ
ストが安く多用されている。In general, a can-type hermetic package is excellent in hermeticity and electromagnetic wave resistance, but has a high manufacturing cost.
Although the resin-sealed semiconductor integrated circuit device is not airtight, its manufacturing cost is low and it is widely used.

【０００７】これらのパッケージ技術については、日経
ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」1993
年5 月15日発行、Ｐ76〜Ｐ84に記載されている。また、
ＨＧＡについては同社「日経エレクトロニクス 1995.
4.24 号（No.634）」1995年4月24日発行、Ｐ20に記載さ
れている。[0007] These packaging technologies are described in "VLSI Packaging Technology (1)" 1993, published by Nikkei BP.
It is described on pages 76 to 84, issued on May 15, 2008. Also,
For HGA, see Nikkei Electronics 1995.
4.24 (No. 634) ”issued on April 24, 1995, and described on page 20.

【０００８】一方、特願平6-110652号公報には、樹脂体
（封止体）内にノイズを遮蔽するシールド体を配した構
造が開示されている。前記シールド体はメッシュ状金属
板となる。このメッシュ状金属板は半導体チップを封止
する際同時にモールドされる。On the other hand, Japanese Patent Application No. 6-110652 discloses a structure in which a shielding body for shielding noise is provided in a resin body (sealing body). The shield body is a mesh-like metal plate. This mesh-shaped metal plate is molded at the same time as the semiconductor chip is sealed.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来の樹脂封止型半導
体集積回路装置では、電磁波が封止体である樹脂を通り
抜けるため、電磁波ノイズが封止体内部の半導体チッ
プ，インナーリード，基板配線，ワイヤ（接続ワイヤ）
等に入り込み、偽信号等の電気信号ノイズとなって半導
体集積回路装置（ＩＣ）に誤作動等の悪影響を引き起こ
すことがあった。また、樹脂封止型半導体集積回路装置
において、封止体内に配線基板を組み込む構造では、電
磁波ノイズが前記配線基板の基板配線に入り込み、偽信
号等の電気信号ノイズとなってＩＣに誤作動等の悪影響
を引き起こすことがある。In a conventional resin-encapsulated semiconductor integrated circuit device, electromagnetic waves pass through a resin as a sealing body, so that electromagnetic noise is generated in a semiconductor chip, inner leads, substrate wiring, and the like inside the sealing body. Wire (connection wire)
And the like, and may become an electrical signal noise such as a false signal, causing an adverse effect such as a malfunction on the semiconductor integrated circuit device (IC). Also, in a resin-sealed semiconductor integrated circuit device, in a structure in which a wiring board is incorporated in a sealing body, electromagnetic wave noise enters the wiring of the wiring board and becomes an electrical signal noise such as a false signal, thereby causing a malfunction in the IC. May cause adverse effects.

【００１０】また、ＩＣの動作に伴うパッケージ内部の
半導体チップ，インナーリード，ワイヤ等から発生する
電磁波により外部の装置に誤作動等の悪影響を生じさせ
ることもあった。特に近年の使用者側のニーズと半導体
技術革新により、ＩＣがこれまでより低電圧化されるこ
とで信号電圧が低くなりＳ／Ｎ比が減少して従来では問
題なかった信号ノイズでも誤作動の原因になってくると
共に、ＩＣがこれまでより高速化（動作周波数のＵＰ）
や回路規模の大型化等の高性能化の結果、発生する電磁
波の強度及び量が増大する傾向にあり、これまで以上に
電磁波ノイズによる誤作動等が問題となってきた。Also, electromagnetic waves generated from semiconductor chips, inner leads, wires, and the like inside the package accompanying the operation of the IC may cause adverse effects such as malfunctions on external devices. In particular, due to the needs of the user side and semiconductor technology innovation in recent years, the signal voltage has been reduced due to the lower voltage of the IC, and the S / N ratio has been reduced. As it becomes a cause, the speed of the IC is higher than before (UP of operating frequency)
As a result, the strength and amount of generated electromagnetic waves tend to increase, and malfunctions due to electromagnetic wave noise have become more problematic than before.

【００１１】電磁波ノイズ対策として高性能ＩＣはセラ
ミックや金属キャップを使用した気密封止を行うか、基
板実装時にグランドに接続した金属ケースや冷却用金属
フィンでＩＣパッケージを覆うことで対策してきた。し
かし、これらの方法ではコスト高となるため、高性能マ
イコンチップなどの高性能を要求されるＩＣや装置にし
か使用されなかった。As a countermeasure against electromagnetic wave noise, high-performance ICs have been hermetically sealed by using a ceramic or metal cap, or by covering the IC package with a metal case or a cooling metal fin connected to the ground when mounting the board. However, these methods are costly, and have been used only for ICs and devices that require high performance, such as high performance microcomputer chips.

【００１２】また、封止体内にメッシュ状金属板を入れ
る構造では、メッシュ状金属板を封止体内に精度良く組
み込むことが難しい。In a structure in which a mesh-shaped metal plate is placed in a sealed body, it is difficult to accurately incorporate the mesh-shaped metal plate in the sealed body.

【００１３】本発明の目的は、電磁波を遮蔽することが
できる半導体集積回路装置およびＩＣカードならびにそ
の製造に用いるリードフレームおよびフレキシブル配線
基板を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device and an IC card capable of shielding electromagnetic waves, and a lead frame and a flexible wiring board used for manufacturing the same.

【００１４】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
のとおりである。The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【００１６】（１）封止体と、この封止体の内外に亘っ
て延在するリードと、前記封止体内に配置される半導体
チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気
的に接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置で
あって、前記封止体の上面側または上面側と下面側を前
記リードのうちのグランドリードにグランド連結リード
を介して連なる導電体からなる電磁波遮蔽部で被ってな
る構造になっている。(1) A sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, a semiconductor chip disposed in the sealing body, and an electrode of the semiconductor chip and the lead are electrically connected. A semiconductor integrated circuit device having connection means for connecting, wherein an electromagnetic wave shield made of a conductor connected to a ground lead among the leads via a ground connection lead through an upper surface side or an upper surface side and a lower surface side of the sealing body. It is structured to be covered by the part.

【００１７】（２）前記手段（１）の構成において、前
記半導体チップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される
とともに、前記電磁波遮蔽部の一面には絶縁テープを介
してリードが固定され、前記電磁波遮蔽部の一面側に前
記封止体が設けられている構造になっている。(2) In the configuration of the means (1), the semiconductor chip is fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion, and a lead is fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion via an insulating tape. The structure is such that the sealing body is provided on one surface side of the electromagnetic wave shielding portion.

【００１８】（３）前記手段（１），（２）の構成にお
いて、前記電磁遮蔽部はその周縁部分が折れ曲がって側
面用電磁遮蔽部を形成し、この側面用電磁遮蔽部が前記
封止体の側面を被うようになっている。(3) In the structure of the means (1) and (2), the electromagnetic shielding portion is bent at a peripheral portion thereof to form a side electromagnetic shielding portion, and the side electromagnetic shielding portion is formed of the sealing body. It is designed to cover the sides.

【００１９】（４）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記封止体の同一面の前記電磁遮蔽板は領域を
分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成されている。(4) In the configuration of the means (1) to (3), the electromagnetic shielding plate on the same surface of the sealing body is constituted by a plurality of electromagnetic shielding portions having divided regions.

【００２０】（５）前記（１）乃至（４）の構成におい
て、前記電磁遮蔽部は導電性または絶縁性の接着剤で前
記封止体に固定されている。(5) In the constitutions (1) to (4), the electromagnetic shield is fixed to the sealing body with a conductive or insulating adhesive.

【００２１】（６）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記電磁遮蔽部の一縁に突片が設けられ、この
突片部分を前記封止体の反対面側にまで変形延在させて
前記電磁遮蔽板を前記封止体に固定する構造になってい
る。(6) In the configuration of the means (1) to (3), a protruding piece is provided at one edge of the electromagnetic shielding portion, and this protruding portion is deformed and extended to the opposite surface side of the sealing body. The electromagnetic shielding plate is fixed to the sealing body.

【００２２】（７）前記手段（１）乃至（４）または
（６）の構成において、前記電磁遮蔽部は一部で屈曲し
て放熱部を構成している。(7) In the configuration of the means (1) to (4) or (6), the electromagnetic shielding portion is partially bent to form a heat radiation portion.

【００２３】（８）前記手段（１）乃至（３）の構成に
おいて、前記電磁波遮蔽部は前記グランド連結リードか
ら独立して設けられ、たとえば前記電磁波遮蔽部は塗布
硬化による層となるとともに、前記グランド連結リード
は前記電磁波遮蔽部に接続されている構造になってい
る。(8) In the configuration of the means (1) to (3), the electromagnetic wave shielding portion is provided independently of the ground connection lead. For example, the electromagnetic wave shielding portion is a layer formed by coating and curing, and The ground connection lead is configured to be connected to the electromagnetic wave shielding part.

【００２４】（９）封止体と、この封止体の内外に亘っ
て延在するリードと、前記封止体内に配置される半導体
チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気
的に接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置で
あって、前記封止体の上面側または上面側と下面側に重
ねられる導電体からなる電磁波遮蔽部を有するととも
に、前記電磁波遮蔽部は実装基板のグランド配線に接続
されるグランドリードを有している構造になっている。(9) A sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, a semiconductor chip disposed in the sealing body, and electrically connecting the electrodes of the semiconductor chip and the leads. A semiconductor integrated circuit device having connection means for connecting, the electromagnetic wave shielding portion comprising a conductor superposed on the upper surface side or the upper surface side and the lower surface side of the sealing body, and the electromagnetic wave shielding portion is a mounting substrate The structure has a ground lead connected to the ground wiring.

【００２５】（１０）表面に配線（リード）を有するフ
レキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固
定されるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導
体チップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外
部端子とを有する半導体集積回路装置であって、前記フ
レキシブル配線基板部分には、前記半導体チップ等に折
り返して重ねられる折返部が一つ以上形成され、前記折
返部の一面には配線を形成する導体層によって形成され
かつグランドリードに連結される電磁波遮蔽部が形成さ
れている構造になっている。(10) A flexible wiring board having wirings (leads) on the surface, a semiconductor chip fixed to the flexible wiring board and having electrodes connected to the wirings, and an external chip provided on the flexible wiring board. A semiconductor integrated circuit device having a terminal, wherein the flexible wiring board portion has at least one folded portion that is folded back on the semiconductor chip or the like, and a conductor that forms a wiring on one surface of the folded portion. It has a structure in which an electromagnetic wave shielding portion formed by a layer and connected to a ground lead is formed.

【００２６】（１１）前記手段（１０）の構成におい
て、前記フレキシブル配線基板は前記外部端子を目視で
きるような透明な絶縁性テープで形成されている。(11) In the configuration of the means (10), the flexible wiring board is formed of a transparent insulating tape so that the external terminals can be viewed.

【００２７】（１２）前記手段（１０），（１１）の構
成において、前記外部端子はスルーホールの内側および
縁に設けた配線によって形成され、前記スルーホールは
実装時溶けて吸い上がる半田を目視できる大きさになっ
ている。(12) In the configuration of the means (10) and (11), the external terminal is formed by wiring provided inside and at the edge of the through hole, and the through hole is formed by visually observing the solder which is melted and sucked up at the time of mounting. It is sized.

【００２８】（１３）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とからなり、前記封
止体から突出して並ぶリードが外部端子となるＩＣカー
ドであって、前記封止体の上下面には導体からなる電磁
波遮蔽部が設けられているとともに前記電磁波遮蔽部は
前記封止体内部のグランドリードに接続されている。(13) A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, An IC card comprising connection means for electrically connecting the leads, wherein the leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and an electromagnetic wave shielding portion comprising a conductor is provided on upper and lower surfaces of the sealing body. And the electromagnetic wave shielding portion is connected to a ground lead inside the sealing body.

【００２９】（１４）前記手段（１３）の構成におい
て、前記リード，グランドリード，電磁波遮蔽部等は一
枚の金属板をパターニングして形成されるとともに必要
部分が切断されて形成されている。(14) In the structure of the means (13), the leads, the ground leads, the electromagnetic wave shielding portion and the like are formed by patterning a single metal plate and are formed by cutting necessary portions.

【００３０】（１５）前記手段（１３）の構成におい
て、前記リード，グランドリード，電磁波遮蔽部はフレ
キシブルな絶縁性テープの表面に形成されているととも
に、前記絶縁性テープは所定部分で折り返されている。(15) In the configuration of the means (13), the leads, the ground leads, and the electromagnetic wave shielding portion are formed on the surface of a flexible insulating tape, and the insulating tape is folded at a predetermined portion. I have.

【００３１】（１６）矩形のリードフレーム枠と、前記
リードフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平
行に延在する複数のリードと、前記リードを連結すると
ともにトランスファモールド時の樹脂の流出を防止する
ダムと、枠の中心に配置されかつ半導体チップが固定さ
れるダイパット部と、前記リードフレーム枠に固定され
前記ダイパット部を支持するタブ吊りリードとを有し、
前記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリード
フレームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リー
ドのうちのグランドリードにグランド連結リードを介し
て連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しに
よって前記パッケージに重ねられる電磁波遮蔽部とを有
する構成になっている。(16) A rectangular lead frame frame, a plurality of leads extending in parallel from the inside of the lead frame frame toward the center of the frame, and connecting the leads and flowing out of resin during transfer molding And a die pad portion disposed at the center of the frame and fixing the semiconductor chip, and a tab suspension lead fixed to the lead frame frame and supporting the die pad portion,
A lead frame in which a package is formed in an area inside the dam, the lead frame being formed at a corner of the frame, being connected to a ground lead of the leads via a ground connection lead, and being folded back at the ground connection lead. And an electromagnetic wave shielding portion superposed on the package.

【００３２】（１７）矩形のリードフレーム枠と、前記
リードフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平
行に延在する複数のリードと、前記リードを連結すると
ともにトランスファモールド時の樹脂の流出を防止する
ダムとを有し、前記リードフレーム枠の中心部分には半
導体チップが配置される空間領域が形成されるととも
に、前記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリ
ードフレームであって、前記枠の隅部分に形成され前記
リードのうちのグランドリードにグランド連結リードを
介して連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返
しによって前記リードに絶縁性接合体を介して固定さ
れ、前記空間領域の底体を形成する電磁波遮蔽部と、前
記枠の隅部分に形成され前記リードのうちのグランドリ
ードにグランド連結リードを介して連結されかつ前記グ
ランド連結リードでの折り返しによって前記パッケージ
に重ねられる電磁波遮蔽部とを有する。(17) A rectangular lead frame frame, a plurality of leads extending parallel to each other from the inside of the lead frame frame toward the center of the frame, and connecting the leads and flowing resin during transfer molding. And a space in which a semiconductor chip is arranged is formed in a center portion of the lead frame frame, and a package is formed in a region inside the dam, The lead is formed at a corner portion of the frame, is connected to a ground lead of the leads via a ground connection lead, and is fixed to the lead via an insulative joint by folding back at the ground connection lead. An electromagnetic wave shielding portion that forms a bottom body; and a ground connection portion connected to a ground lead of the leads formed at a corner portion of the frame. By wrapping with concatenated and the ground connection leads via a de having an electromagnetic wave shielding unit to be overlaid on the package.

【００３３】（１８）表面に配線（リード）を有するフ
レキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固
定されるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導
体チップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外
部端子と、前記半導体チップ等に絶縁的に重ねられかつ
電磁シールドする電磁波遮蔽部を有する折返部を有する
半導体集積回路装置の製造に用いるフレキシブル配線基
板であって、前記フレキシブル配線基板部分には、前記
半導体チップ等に折り返して重ねられる折返部が一つ以
上形成され、前記折返部の一面には配線を形成する導体
層によって形成されかつグランドリードに連結される電
磁波遮蔽部が形成されている。(18) A flexible wiring board having wirings (leads) on its surface, a semiconductor chip fixed to the flexible wiring board and having electrodes connected to the wirings, and an external chip provided on the flexible wiring board. A flexible wiring board used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a terminal and a folded portion having an electromagnetic wave shielding portion insulated and electromagnetically shielded on the semiconductor chip or the like, wherein the flexible wiring board portion includes: One or more folded portions are formed so as to be folded back on a semiconductor chip or the like, and an electromagnetic wave shielding portion formed by a conductor layer forming a wiring and connected to a ground lead is formed on one surface of the folded portion.

【００３４】（１９）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止
体から突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止
体の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられて
いるとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラ
ンドリードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いる
リードフレームであって、前記リード，グランドリー
ド，電磁波遮蔽部等は一枚の金属板をパターニングして
形成されている。(19) A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, Connecting means for electrically connecting the leads, the leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and the upper and lower surfaces of the sealing body are provided with an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor, and The electromagnetic wave shielding part is a lead frame used for manufacturing an IC card connected to the ground lead inside the sealing body. The lead, the ground lead, the electromagnetic wave shielding part, etc. are formed by patterning a single metal plate. Have been.

【００３５】（２０）矩形板状の封止体と、この封止体
内に封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘
って延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記
リードを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止
体から突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止
体の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられて
いるとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラ
ンドリードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いる
フレキシブル配線基板であって、前記リード，グランド
リード，電磁波遮蔽部等は一枚のフレキシブルな絶縁性
テープの表面に形成されている。(20) A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, Connecting means for electrically connecting the leads, the leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and the upper and lower surfaces of the sealing body are provided with an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor, and The electromagnetic wave shielding part is a flexible wiring board used for manufacturing an IC card connected to the ground lead inside the sealing body, and the lead, the ground lead, the electromagnetic wave shielding part and the like are formed of one flexible insulating tape. Formed on the surface.

【００３６】前記（１）の手段によれば、封止体の上下
面はグランドリードに連結される電磁波遮蔽部で被われ
ていることから、電磁シールドされ、封止体の外からの
電磁波を遮蔽することができるとともに、封止体内の電
磁波を封止体外に放射させることがなくなり、半導体集
積回路装置の安定した動作が達成できる。According to the means (1), since the upper and lower surfaces of the sealing body are covered with the electromagnetic wave shielding portions connected to the ground leads, the electromagnetic shielding is performed and electromagnetic waves from outside the sealing body are shielded. In addition to shielding, the electromagnetic waves in the sealed body are not radiated outside the sealed body, and a stable operation of the semiconductor integrated circuit device can be achieved.

【００３７】前記（２）の手段によれば、前記半導体チ
ップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される構造になる
ことから封止体の厚さが薄くなり、半導体集積回路装置
の薄型化が達成できる。According to the means (2), since the semiconductor chip has a structure fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion, the thickness of the sealing body is reduced, and the thickness of the semiconductor integrated circuit device is reduced. Can be achieved.

【００３８】前記（３）の手段によれば、封止体側面は
前記側面用電磁遮蔽部で被われていることから、封止体
の側面方向の電磁波の遮蔽も可能となり、電磁波遮蔽効
果は一層効果的に行われることになる。According to the means (3), since the side surface of the sealing member is covered with the electromagnetic shielding portion for the side surface, it is possible to shield the electromagnetic wave in the side surface direction of the sealing member. It will be performed more effectively.

【００３９】前記（４）の手段によれば、同一面の前記
電磁遮蔽板は領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成さ
れていることから、リードフレームの小型化が図れる。According to the means (4), since the electromagnetic shielding plate on the same surface is constituted by a plurality of electromagnetic shielding portions having divided areas, the lead frame can be downsized.

【００４０】前記（５）の手段によれば、組み立てが容
易になる。According to the means (5), assembly becomes easy.

【００４１】前記（６）の手段によれば、電磁波遮蔽部
の一縁の突片の折り曲げによって電磁波遮蔽部を簡単に
封止体に取り付けることができ、組立が容易になる。According to the above-mentioned means (6), the electromagnetic wave shielding portion can be easily attached to the sealing body by bending the protruding piece at one edge of the electromagnetic wave shielding portion, thereby facilitating the assembly.

【００４２】前記（７）の手段によれば、前記放熱部に
よって封止体内の半導体チップで発生した熱をグランド
連結リード，電磁波遮蔽部を介して外部に効率的に放散
することができ、半導体集積回路装置の安定動作が達成
できる。According to the means (7), the heat generated in the semiconductor chip in the sealing body by the heat radiating portion can be efficiently radiated to the outside through the ground connection lead and the electromagnetic wave shielding portion. A stable operation of the integrated circuit device can be achieved.

【００４３】前記（８）の手段によれば、前記電磁波遮
蔽部は塗布硬化による層となることから製造が容易にな
る。According to the means (8), since the electromagnetic wave shielding portion is a layer formed by coating and curing, the production becomes easy.

【００４４】前記（９）の手段によれば、封止体に単品
を取り付けることで容易に電磁シールド構造半導体集積
回路装置を製造することができる。According to the means (9), a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured by attaching a single product to the sealing body.

【００４５】前記（１０）の手段によれば、半導体集積
回路装置はフレキシブル配線基板によって形成され、か
つ半導体チップの表裏面はフレキシブル配線基板によっ
て形成された電磁波遮蔽部が絶縁的に重ねられる構造と
なることから、組立が容易になり、製造コストの低減が
達成できる。According to the means (10), the semiconductor integrated circuit device is formed of a flexible wiring board, and the front and back surfaces of the semiconductor chip have a structure in which the electromagnetic shielding portions formed by the flexible wiring board are insulated and overlapped. Therefore, assembling becomes easy and manufacturing cost can be reduced.

【００４６】前記（１１）の手段によれば、前記フレキ
シブル配線基板は前記外部端子を目視できるような透明
な絶縁性テープで形成されていることから、実装時外部
端子を透明な絶縁性テープを通して目視できるため、実
装の信頼性を高めることができる。According to the means (11), since the flexible wiring board is formed of a transparent insulating tape so that the external terminals can be viewed, the external terminals can be passed through the transparent insulating tape during mounting. Because it is visible, the reliability of mounting can be improved.

【００４７】前記（１２）の手段によれば、前記外部端
子はスルーホールの内側および縁に設けた配線によって
形成され、スルーホールは実装時溶けて吸い上がる半田
を目視できる大きさになっているため、実装の信頼性を
高めることができる。According to the means (12), the external terminal is formed by the wiring provided inside and at the edge of the through hole, and the through hole is sized so that the solder which melts and sucks up at the time of mounting can be visually observed. Therefore, the reliability of mounting can be improved.

【００４８】前記（１３）の手段によれば、前記封止体
の上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられてい
るとともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグラン
ドリードに接続されていることから、ＩＣカードは電磁
シールド構造となり、安定した動作をするようになり、
性能が向上する。According to the means (13), an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor is provided on the upper and lower surfaces of the sealing body, and the electromagnetic wave shielding portion is connected to a ground lead inside the sealing body. As a result, the IC card has an electromagnetic shield structure and operates stably,
Performance is improved.

【００４９】前記（１４）の手段によれば、前記リー
ド，グランドリード，電磁波遮蔽部等は一枚の金属板を
パターニングして形成されるとともに必要部分が切断さ
れて形成されていることから、組立が容易になり、ＩＣ
カードの製造コストの低減が達成できる。According to the means (14), since the leads, ground leads, electromagnetic wave shielding portion, etc. are formed by patterning a single metal plate and formed by cutting necessary portions, Easy assembly, IC
A reduction in card manufacturing costs can be achieved.

【００５０】前記（１５）の手段によれば、前記リー
ド，グランドリード，電磁波遮蔽部はフレキシブルな絶
縁性テープの表面に形成されているとともに、前記絶縁
性テープは所定部分で折り返されていることから、組立
が容易になり、ＩＣカードの製造コストの低減が達成で
きる。According to the means (15), the leads, the ground leads, and the electromagnetic wave shielding portion are formed on the surface of a flexible insulating tape, and the insulating tape is folded at a predetermined portion. Therefore, the assembling becomes easy, and the reduction in the manufacturing cost of the IC card can be achieved.

【００５１】前記（１６）の手段によれば、リードフレ
ームはパッケージに重ねられる電磁波遮蔽部を有してい
ることから、半導体集積回路装置の組立において、封止
後にパッケージに電磁波遮蔽部を折り返して重ねれば簡
単に電磁シールド構造半導体集積回路装置を製造するこ
とができる。According to the means (16), since the lead frame has the electromagnetic wave shielding portion superposed on the package, the electromagnetic wave shielding portion is folded back on the package after sealing in assembling the semiconductor integrated circuit device. If they are stacked, a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured.

【００５２】前記（１７）の手段によれば、前記半導体
チップは前記電磁波遮蔽部の一面に固定される構造にな
ることから封止体の厚さが薄くなり、電磁シールド構造
半導体集積回路装置の薄型化が達成できる。According to the means (17), since the semiconductor chip has a structure fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion, the thickness of the sealing body is reduced, and the semiconductor chip of the semiconductor integrated circuit device having the electromagnetic shielding structure is reduced. Thinning can be achieved.

【００５３】前記（１８）の手段によれば、フレキシブ
ル配線基板はその表面にパッケージに重ねられる電磁波
遮蔽部を有していることから、半導体集積回路装置の組
立において、封止後にパッケージにフレキシブル配線基
板部分を折り返して電磁波遮蔽部をパッケージに重ねれ
ば簡単に電磁シールド構造半導体集積回路装置を製造す
ることができる。According to the means (18), since the flexible wiring board has an electromagnetic wave shielding portion superposed on the package on the surface thereof, in the assembly of the semiconductor integrated circuit device, the flexible wiring board is mounted on the package after sealing. The semiconductor integrated circuit device having the electromagnetic shield structure can be easily manufactured by folding the substrate portion and stacking the electromagnetic wave shielding portion on the package.

【００５４】前記（１９）の手段によれば、リードフレ
ームはパッケージに重ねられる電磁波遮蔽部を有してい
ることから、ＩＣカードの組立において、封止後にパッ
ケージに電磁波遮蔽部を折り返して重ねれば簡単に電磁
シールド構造ＩＣカードを製造することができる。According to the means (19), since the lead frame has the electromagnetic wave shielding portion to be superimposed on the package, in assembling the IC card, the electromagnetic wave shielding portion is folded back on the package after sealing. An IC card having an electromagnetically shielded structure can be easily manufactured if it is used.

【００５５】前記（２０）の手段によれば、フレキシブ
ル配線基板はその表面にパッケージに重ねられる電磁波
遮蔽部を有していることから、ＩＣカードの組立におい
て、封止後にパッケージにフレキシブル配線基板部分を
折り返して電磁波遮蔽部をパッケージに重ねれば簡単に
電磁シールド構造ＩＣカードを製造することができる。According to the means (20), since the flexible wiring board has an electromagnetic wave shielding portion superposed on the package on the surface thereof, in the assembly of the IC card, the flexible wiring board portion is added to the package after sealing. Is folded back and the electromagnetic wave shielding portion is overlaid on the package, so that an IC card having an electromagnetic shielding structure can be easily manufactured.

【００５６】[0056]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments of the present invention, components having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【００５７】（実施形態１）本実施形態１では、表面実
装型であるＱＦＰ構造の半導体集積回路装置１に本発明
を適用した例について説明する。図１乃至図８は本実施
形態の半導体集積回路装置に係わる図である。(Embodiment 1) In Embodiment 1, an example in which the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit device 1 having a QFP structure which is a surface mount type will be described. 1 to 8 are diagrams related to the semiconductor integrated circuit device of the present embodiment.

【００５８】本実施形態１の半導体集積回路装置１は、
図１乃至図３に示すように、外観的には樹脂で形成され
た封止体（パッケージ）２の４辺からリード３を突出さ
せた構造になっている。前記リード３はガルウィング型
となっている。The semiconductor integrated circuit device 1 according to the first embodiment includes:
As shown in FIGS. 1 to 3, the external appearance has a structure in which leads 3 project from four sides of a sealing body (package) 2 formed of resin. The lead 3 is of a gull wing type.

【００５９】また、前記パッケージ２の上下面、すなわ
ち実装面側となるパッケージ２の下面（実装面側）と上
方に露出したパッケージ２の上面（露出面側）に接着剤
４を介して電磁波遮蔽部５が固定されている。前記電磁
波遮蔽部５はパッケージ２の大きさよりも僅かに小さい
寸法になっている。前記電磁波遮蔽部５は、リード３の
うちのグランド連結リード６に連結している（図３参
照）。Further, the upper and lower surfaces of the package 2, that is, the lower surface (mounting surface side) of the package 2 which is the mounting surface side and the upper surface (exposed surface side) of the package 2 which is exposed upward are shielded by an adhesive 4 via an electromagnetic wave 4. The part 5 is fixed. The electromagnetic wave shielding portion 5 has a size slightly smaller than the size of the package 2. The electromagnetic wave shielding part 5 is connected to a ground connection lead 6 of the leads 3 (see FIG. 3).

【００６０】半導体集積回路装置１は、後述するが金属
製のリードフレームを使用して製造される。前記電磁波
遮蔽部５はリードフレームの隅部に形成される。そし
て、トランスファモールドによってパッケージ２を形成
した後、グランド連結リード６の途中部分で一方の電磁
波遮蔽部５を上側に反転させ、他方の電磁波遮蔽部５を
下側に反転させ、かつ接着剤４によってパッケージ２の
上面および下面に固定することによって図１に示す構造
の半導体集積回路装置１を製造することができる。The semiconductor integrated circuit device 1 is manufactured using a metal lead frame, as will be described later. The electromagnetic wave shielding part 5 is formed at a corner of the lead frame. Then, after the package 2 is formed by transfer molding, one electromagnetic wave shielding part 5 is turned upside down at an intermediate portion of the ground connection lead 6, the other electromagnetic wave shielding part 5 is turned down, and the adhesive 4 is used. By fixing the semiconductor integrated circuit device to the upper and lower surfaces of the package 2, the semiconductor integrated circuit device 1 having the structure shown in FIG. 1 can be manufactured.

【００６１】半導体集積回路装置１の内部構造は、図１
に示すようにダイパット部７に半導体チップ８をペース
ト等による接着剤９で固定し、ワイヤ１０で半導体チッ
プ８の電極とリード３の内端部を接続した構造になって
いる。前記ダイパット部７，半導体チップ８，ワイヤ１
０およびリード３の内端部分が絶縁性の樹脂からなるパ
ッケージ２で封止されている。The internal structure of the semiconductor integrated circuit device 1 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, a semiconductor chip 8 is fixed to a die pad portion 7 with an adhesive 9 such as a paste, and the electrodes of the semiconductor chip 8 and the inner ends of the leads 3 are connected by wires 10. The die pad portion 7, the semiconductor chip 8, the wire 1
0 and the inner end portions of the leads 3 are sealed with a package 2 made of an insulating resin.

【００６２】図４は電磁波遮蔽部５をパッケージ２に張
り付ける前の状態を示す。FIG. 4 shows a state before the electromagnetic wave shielding portion 5 is attached to the package 2.

【００６３】このような構造にすることで、図８に示す
ように、半導体集積回路装置１を実装基板１５に実装し
た場合、すなわち半導体集積回路装置１のリード３を実
装基板１５の表面の配線１６に図示しない半田を介して
固定した場合、パッケージ２の上下面方向から来る電磁
波を電磁波遮蔽部５で捕らえ、グランド連結リード６，
グランドリード１７を介して実装基板１５のグランド配
線２０に逃がすことができる。With such a structure, as shown in FIG. 8, when the semiconductor integrated circuit device 1 is mounted on the mounting board 15, that is, the leads 3 of the semiconductor integrated circuit device 1 are connected to the wiring on the surface of the mounting board 15. 16 is fixed via solder (not shown), the electromagnetic waves coming from the upper and lower surfaces of the package 2 are captured by the electromagnetic wave shielding portion 5, and the ground connection leads 6,
It can escape to the ground wiring 20 of the mounting board 15 via the ground lead 17.

【００６４】したがって、電磁波による半導体集積回路
装置１の偽信号等の発生が軽減し、誤作動を軽減させる
ことができる。Therefore, generation of false signals and the like of the semiconductor integrated circuit device 1 due to electromagnetic waves can be reduced, and malfunction can be reduced.

【００６５】つぎに、このような半導体集積回路装置１
の製造について図５乃至図７を用いて説明する。Next, such a semiconductor integrated circuit device 1 will be described.
Will be described with reference to FIGS.

【００６６】図５は本実施形態１の半導体集積回路装置
１の製造に用いるリードフレーム２２を示す平面図であ
る。リードフレーム２２は薄い金属板を精密プレスやエ
ッチングによってパターニングすることによって形成さ
れている。FIG. 5 is a plan view showing a lead frame 22 used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device 1 according to the first embodiment. The lead frame 22 is formed by patterning a thin metal plate by precision press or etching.

【００６７】リードフレームの単位パターンは、矩形の
リードフレーム枠２３の内側から枠中央に向かって相互
に平行に延在する複数のリード３と、このリード３を連
結するとともにトランスファモールド時の樹脂の流出を
防止するダム２４と、枠の中心に配置されかつ半導体チ
ップ８が固定されるダイパット部７と、前記リードフレ
ーム枠２３に固定され前記ダイパット部７を支持するタ
ブ吊りリード２５と、二つの電磁波遮蔽部５とからなっ
ている。The unit pattern of the lead frame is composed of a plurality of leads 3 extending parallel to each other from the inside of the rectangular lead frame frame 23 toward the center of the frame, and connecting the leads 3 and forming resin at the time of transfer molding. A dam 24 for preventing outflow, a die pad portion 7 arranged at the center of the frame and fixing the semiconductor chip 8, a tab suspension lead 25 fixed to the lead frame 23 and supporting the die pad portion 7, And an electromagnetic wave shielding unit 5.

【００６８】前記電磁波遮蔽部５はパッケージ２よりも
僅かに小さい矩形状となり、グランド連結リード６を介
してグランドリード１７に連結されている。また、前記
電磁波遮蔽部５も吊りリード２６で支持されている。The electromagnetic wave shielding portion 5 has a rectangular shape slightly smaller than the package 2 and is connected to a ground lead 17 via a ground connection lead 6. Further, the electromagnetic wave shielding part 5 is also supported by the suspension lead 26.

【００６９】本実施形態１のリードフレーム２２の特徴
は、電磁波遮蔽部５がグランド連結リード６を介してグ
ランドリード（グランドピン）１７につながっているこ
とで、これにより電磁波遮蔽部５に至った電磁波はグラ
ンド連結リード６を通ってグランドリード１７に逃がす
ことが可能になる。The feature of the lead frame 22 of the first embodiment is that the electromagnetic wave shielding part 5 is connected to the ground lead (ground pin) 17 via the ground connection lead 6, thereby reaching the electromagnetic wave shielding part 5. Electromagnetic waves can escape to the ground lead 17 through the ground connection lead 6.

【００７０】つぎに、図５に示すように、リードフレー
ム２２のダイパット部７に半導体チップ８をペーストか
らなる接着剤９で接着する。ペーストはキュアされて硬
化し半導体チップ８はダイパット部７に確実に固定され
る。半導体チップ８は接着剤に代えて接着テープなど他
の接合でもよい。Next, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 8 is bonded to the die pad portion 7 of the lead frame 22 with an adhesive 9 made of a paste. The paste is cured and hardened, and the semiconductor chip 8 is securely fixed to the die pad portion 7. The semiconductor chip 8 may be replaced by another adhesive such as an adhesive tape instead of the adhesive.

【００７１】つぎに、図５に示すように、半導体チップ
８の電極とリード３をワイヤ１０で接続することにより
リード３と半導体チップ８を電気的に接続する。この接
続手段としては、ワイヤ１０を使用せずに半田等のバン
プを使用してリード３と半導体チップ８の電極を接続す
る方法などが考えられる。Next, as shown in FIG. 5, the leads 3 and the semiconductor chip 8 are electrically connected by connecting the electrodes of the semiconductor chip 8 and the leads 3 with the wires 10. As the connecting means, a method of connecting the lead 3 and the electrode of the semiconductor chip 8 by using a bump such as solder without using the wire 10 can be considered.

【００７２】つぎに、図６に示すように、常用のトラン
スファモールドによって前記ダム２４の内側のモールド
領域に絶縁性樹脂によってパッケージ２を形成する。パ
ッケージ２は半導体チップ８，ワイヤ１０，リード３の
内端側を被う。その後、ダム２４を切断除去する。図で
はパッケージ２部分をわかりやすくするためハッチング
で表した。Next, as shown in FIG. 6, the package 2 is formed of an insulating resin in a mold area inside the dam 24 by a conventional transfer molding. The package 2 covers the semiconductor chip 8, the wires 10, and the inner ends of the leads 3. Thereafter, the dam 24 is cut and removed. In the figure, the portion of the package 2 is hatched for easy understanding.

【００７３】つぎに、図示はしないが、リード３の間の
バリの部分を取り除き、リード３の表面に半田等のメッ
キを施す。この時、電磁波遮蔽部５等の金属部分でメッ
キを施したくない場合は前もってレジスト等でマスキン
グ処理をしておく。Next, although not shown, burrs between the leads 3 are removed, and the surface of the leads 3 is plated with solder or the like. At this time, if it is not desired to perform plating on a metal portion such as the electromagnetic wave shielding portion 5, a masking process is performed in advance using a resist or the like.

【００７４】つぎに、図７に示すように、吊りリード２
６を切断した後、２枚の電磁波遮蔽部５をグランド連結
リード６部分で折り返し、一方をパッケージ２の上面に
図示しない接着剤を介して固定するとともに、他方をパ
ッケージ２の下面に図示しない接着剤を介して固定す
る。前記接着は接着剤を使用する以外に接着テープを使
用する方法や固定用の爪等を折り曲げて固定する方法等
が考えられる。尚この時点でインク等でマークを打刻し
てもよい。Next, as shown in FIG.
6, the two electromagnetic wave shielding portions 5 are folded back at the ground connection leads 6 and one is fixed to the upper surface of the package 2 via an adhesive (not shown), and the other is bonded to the lower surface of the package 2 (not shown). Fix through the agent. In addition to using an adhesive, the bonding may be performed by a method using an adhesive tape or a method of bending and fixing a fixing nail or the like. At this point, the mark may be stamped with ink or the like.

【００７５】つぎに、図７に示すように、リード３をリ
ードフレーム枠２３から切断するとともに、ガルウィン
グ型に成形する。Next, as shown in FIG. 7, the lead 3 is cut from the lead frame 23 and formed into a gull-wing type.

【００７６】つぎに、タブ吊りリード２５をパッケージ
２の付け根部分で切断し、図１乃至図３に示すような半
導体集積回路装置１を製造する。Next, the tab suspension leads 25 are cut at the base of the package 2 to manufacture the semiconductor integrated circuit device 1 as shown in FIGS.

【００７７】つぎに、特性検査やマーク打刻等をして製
品として完成する。必要があれば電磁波遮蔽部５の表面
に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装時
に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可能
である。Next, a characteristic inspection, mark embossing, and the like are performed to complete the product. If necessary, it is also possible to prevent short-circuiting with other wiring or electronic components at the time of mounting by applying or sticking an insulator on the surface of the electromagnetic wave shielding portion 5 or the like.

【００７８】本実施形態１の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の上面と下面にグランドリード１７にグラ
ンド連結リード６を介して連なる電磁波遮蔽部５が張り
付けられていることから、半導体集積回路装置１に到達
する電磁波を電磁波遮蔽部５で捕らえ、グランド連結リ
ード６，グランドリード１７を介して実装基板１５のグ
ランド配線２０に逃がすことができる。The semiconductor integrated circuit device 1 of the first embodiment is
Since the electromagnetic wave shield 5 connected to the ground lead 17 via the ground connection lead 6 is attached to the upper and lower surfaces of the package 2, the electromagnetic wave reaching the semiconductor integrated circuit device 1 is caught by the electromagnetic wave shield 5, and the ground connection is performed. The lead can escape to the ground wiring 20 of the mounting board 15 via the lead 6 and the ground lead 17.

【００７９】したがって、電磁波による半導体集積回路
装置１の偽信号等の発生が軽減し、誤作動を軽減させる
ことができる。Therefore, generation of false signals and the like of the semiconductor integrated circuit device 1 due to electromagnetic waves can be reduced, and malfunction can be reduced.

【００８０】図９は本実施形態１の変形例であり、パッ
ケージ２内に複数の半導体チップを搭載したマルチチッ
プ構造である。パッケージ２内の半導体チップ８の上面
には他の半導体チップ１１が搭載されている。前記半導
体チップ８の上面には、図示しないが電極が形成され、
この電極にバンプ電極１２を介して前記半導体チップ１
１が固定されている。FIG. 9 shows a modification of the first embodiment, which has a multi-chip structure in which a plurality of semiconductor chips are mounted in a package 2. Another semiconductor chip 11 is mounted on the upper surface of the semiconductor chip 8 in the package 2. Although not shown, electrodes are formed on the upper surface of the semiconductor chip 8,
The semiconductor chip 1 is connected to this electrode via a bump electrode 12.
1 is fixed.

【００８１】本発明においては、半導体チップは前記ダ
イパット部７上に複数あるいはダイパット部７の表裏面
に複数の半導体チップを搭載する構造であってもよい。In the present invention, a plurality of semiconductor chips may be mounted on the die pad portion 7 or a plurality of semiconductor chips may be mounted on the front and back surfaces of the die pad portion 7.

【００８２】（実施形態２）図１０乃至図１３は本実施
形態２に係わる図であり、図１０は半導体集積回路装置
の平面図、図１１は半導体集積回路装置の断面図、図１
２は半導体集積回路装置の製造に用いるリードフレー
ム、図１３はリードフレームの側面図である。(Embodiment 2) FIGS. 10 to 13 are diagrams related to Embodiment 2, FIG. 10 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device, FIG. 11 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device, and FIG.
2 is a lead frame used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and FIG. 13 is a side view of the lead frame.

【００８３】この例では、リードフレーム２２におい
て、半導体チップを固定するダイパット部は形成されて
おらず、リードフレーム２２の枠中心部分は空間領域２
７となっている。しかし、電磁波遮蔽部５がリードフレ
ーム２２の下面側に折り返されるとともに、枠状の絶縁
テープ２８で前記空間領域２７を塞ぐようにリード３の
先端（内端）部分に固定されている。したがって、前記
枠状の絶縁テープ２８の内側の電磁波遮蔽部５部分に半
導体チップ８が接着剤９を介して固定されるようにな
る。In this example, the die frame for fixing the semiconductor chip is not formed in the lead frame 22, and the center of the frame of the lead frame 22 is located in the space region 2
It is 7. However, the electromagnetic wave shielding portion 5 is folded back to the lower surface side of the lead frame 22 and is fixed to the leading end (inner end) of the lead 3 so as to cover the space region 27 with a frame-shaped insulating tape 28. Therefore, the semiconductor chip 8 is fixed to the portion of the electromagnetic wave shielding portion 5 inside the frame-shaped insulating tape 28 via the adhesive 9.

【００８４】半導体集積回路装置１の製造においては、
前記空間領域２７の底を形成する電磁波遮蔽部５上に接
着剤９で半導体チップ８を固定する。以後の製造工程は
前記実施形態１と同様であるのでその説明は省略する。In manufacturing the semiconductor integrated circuit device 1,
The semiconductor chip 8 is fixed with an adhesive 9 on the electromagnetic wave shielding portion 5 forming the bottom of the space region 27. Subsequent manufacturing steps are the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【００８５】このようなリードフレーム２２を使用する
ことによって、半導体チップ８の裏面側では、電磁波遮
蔽部５を封止体として使用できることから、モールドは
不要になり、樹脂が無くなった分薄型化が可能になると
ともに絶縁テープ２８を介して金属製の電磁波遮蔽部５
に半導体チップ８で発生した熱が伝わる構造となってい
ることから放熱性も増大する。By using such a lead frame 22, the electromagnetic wave shielding portion 5 can be used as a sealing body on the back surface side of the semiconductor chip 8, so that no molding is required and the thickness is reduced by eliminating the resin. It becomes possible and the metallic electromagnetic wave shielding portion 5 is provided via the insulating tape 28.
In this case, the heat generated in the semiconductor chip 8 is transmitted, so that the heat dissipation is also increased.

【００８６】（実施形態３）図１４および図１５は本実
施形態３による半導体集積回路装置１の実装状態を示す
図である。(Embodiment 3) FIGS. 14 and 15 are views showing a mounting state of a semiconductor integrated circuit device 1 according to Embodiment 3 of the present invention.

【００８７】本実施形態３では、図１４および図１５に
示すように半導体集積回路装置１の上面、すなわち、実
装面とは反対になる露出面側にのみに電磁波遮蔽部５を
配置した構造になっている。In the third embodiment, as shown in FIGS. 14 and 15, the structure is such that the electromagnetic wave shielding portion 5 is arranged only on the upper surface of the semiconductor integrated circuit device 1, that is, on the exposed surface side opposite to the mounting surface. Has become.

【００８８】パッケージ２の上方からの電磁波はパッケ
ージ２の上面の電磁波遮蔽部５で遮蔽する。そして、パ
ッケージ２の下面への電磁波は実装基板１５に設けたグ
ランド配線３０によって遮蔽する。Electromagnetic waves from above the package 2 are shielded by an electromagnetic wave shield 5 on the upper surface of the package 2. Then, the electromagnetic wave to the lower surface of the package 2 is shielded by the ground wiring 30 provided on the mounting board 15.

【００８９】すなわち、図１４では実装基板１５の表面
に設けた平面状のグランド配線３０で、図１５では実装
基板１５内のグランド配線３０の層で電磁波を遮ること
で半導体集積回路装置１の下面の電磁波遮蔽部が無くて
も同等の性能を有する。他にも下面からの電磁波を考慮
しなくてもよい場合はこのタイプの使用が可能である。That is, in FIG. 14, the planar ground wiring 30 provided on the surface of the mounting board 15 is used, and in FIG. It has the same performance without the electromagnetic wave shielding part. If it is not necessary to consider other electromagnetic waves from the lower surface, this type of use is possible.

【００９０】（実施形態４）図１６は本実施形態４の半
導体集積回路装置を示す断面図である。(Embodiment 4) FIG. 16 is a sectional view showing a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 4 of the present invention.

【００９１】この実施形態の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の側面方向からの電磁波を遮断すべく、前
記電磁波遮蔽部５はその周縁部分がさらに張り出しかつ
折れ曲がって側面用電磁遮蔽部３１を形成し、この側面
用電磁遮蔽部３１が前記パッケージ２の側面を被うよう
になっている。前記側面用電磁遮蔽部３１は導電性であ
ることから、側面用電磁遮蔽部３１の先端がリード３に
接触しない構造になっている。The semiconductor integrated circuit device 1 of this embodiment is
In order to block electromagnetic waves from the side surface of the package 2, the electromagnetic wave shielding portion 5 further extends and bends at a peripheral portion thereof to form a side electromagnetic shielding portion 31. It is designed to cover the side. Since the side electromagnetic shielding portion 31 is conductive, the end of the side electromagnetic shielding portion 31 does not contact the lead 3.

【００９２】本実施形態４の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の上下面方向の電磁波ばかりでなく、パッ
ケージ２の側面からの電磁波の遮蔽が可能になり、電磁
シールドとしてはさらに高性能品となる。The semiconductor integrated circuit device 1 according to the fourth embodiment includes:
It is possible to shield not only electromagnetic waves in the direction of the upper and lower surfaces of the package 2 but also electromagnetic waves from the side surfaces of the package 2, so that a higher-performance electromagnetic shield is provided.

【００９３】（実施形態５）図１７乃至図１９は本実施
形態５による半導体集積回路装置に係わる図であり、図
１７は半導体集積回路装置の断面図、図１８は電磁波遮
蔽部が開いた状態の半導体集積回路装置の平面図、図１
９は電磁波遮蔽部が開いた状態の半導体集積回路装置の
側面図である。(Embodiment 5) FIGS. 17 to 19 are views relating to a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 5, FIG. 17 is a sectional view of the semiconductor integrated circuit device, and FIG. 18 is a state in which an electromagnetic wave shielding portion is opened. Plan view of the semiconductor integrated circuit device of FIG.
9 is a side view of the semiconductor integrated circuit device in a state where the electromagnetic wave shielding unit is open.

【００９４】本実施形態５の半導体集積回路装置１は、
リードフレームの一部で形成される電磁波遮蔽部５をプ
レス等で椀状に加工して側面用電磁遮蔽部３１を形成し
たものである。The semiconductor integrated circuit device 1 according to the fifth embodiment includes:
The electromagnetic shielding portion 5 formed by a part of the lead frame is processed into a bowl shape by a press or the like to form the electromagnetic shielding portion 31 for the side surface.

【００９５】この場合、側面用電磁遮蔽部３１の先端は
リードに対面するリード対面部３２が形成されている。
この例では導電性のリード対面部３２をリード３に接触
させないようにするため、リード対面部３２は絶縁性の
接着剤４でリード３に接着させる必要がある。In this case, a lead facing portion 32 facing the lead is formed at the end of the side electromagnetic shielding portion 31.
In this example, the lead facing portion 32 needs to be bonded to the lead 3 with an insulating adhesive 4 in order to prevent the conductive lead facing portion 32 from contacting the lead 3.

【００９６】（実施形態６）図２０は本実施形態６によ
る半導体集積回路装置の斜視図であり、図２１は半導体
集積回路装置の正面図である。(Embodiment 6) FIG. 20 is a perspective view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 6, and FIG. 21 is a front view of the semiconductor integrated circuit device.

【００９７】本実施形態６の半導体集積回路装置１は、
前記電磁波遮蔽部５をパッケージ２に接着剤で固定する
ことなく、前記電磁波遮蔽部５の一縁から突出させた突
片３３の変形による引っかけによって固定する構成にな
っている。The semiconductor integrated circuit device 1 of the sixth embodiment is
Instead of fixing the electromagnetic wave shielding portion 5 to the package 2 with an adhesive, the electromagnetic wave shielding portion 5 is fixed by hooking due to deformation of a protruding piece 33 protruding from one edge of the electromagnetic wave shielding portion 5.

【００９８】この半導体集積回路装置１では、電磁波遮
蔽部５の一縁、すなわちグランド連結リード６の延長線
上の電磁波遮蔽部５の先端部分に細長の突片３３が設け
られている。グランド連結リード６を折り返してパッケ
ージ２の上下面に電磁波遮蔽部５を重ねる際、前記突片
３３を折り曲げてパッケージ２の裏側にまで延在させて
引っかけ、これによって電磁波遮蔽部５をパッケージ２
に固定するものである。In the semiconductor integrated circuit device 1, an elongated protruding piece 33 is provided at one edge of the electromagnetic wave shielding portion 5, that is, at the tip of the electromagnetic wave shielding portion 5 on an extension of the ground connection lead 6. When the ground connection lead 6 is turned back and the electromagnetic wave shielding portion 5 is overlapped on the upper and lower surfaces of the package 2, the protruding piece 33 is bent and extended to the back side of the package 2 and hooked.
It is fixed to.

【００９９】この構成は、接着剤を使用しないことか
ら、作業が極めて容易になるとともに、接着剤の硬化処
理時間が不要となり、電磁波遮蔽部５の取り付けコスト
の低減が可能になる。In this configuration, since no adhesive is used, the work becomes extremely easy, and the curing time of the adhesive is not required, and the mounting cost of the electromagnetic wave shielding portion 5 can be reduced.

【０１００】また、この構成において、前記突片３３の
位置や数は前記実施形態に限定されるものではなく自由
に選択できる。Further, in this configuration, the position and the number of the protruding pieces 33 are not limited to those in the above embodiment, but can be freely selected.

【０１０１】（実施形態７）図２２は本実施形態７の半
導体集積回路装置の平面図、図２３は半導体集積回路装
置において電磁波遮蔽部を開いた状態にした平面図であ
る。(Seventh Embodiment) FIG. 22 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device according to a seventh embodiment, and FIG. 23 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device with an electromagnetic wave shielding portion opened.

【０１０２】本実施形態７の半導体集積回路装置１は、
パッケージ２の同一面を被う電磁波遮蔽部５を領域を分
けた複数枚の小領域用電磁波遮蔽部で構成する構成にな
っている。The semiconductor integrated circuit device 1 of the seventh embodiment is
The electromagnetic wave shielding portion 5 covering the same surface of the package 2 is configured by a plurality of small region electromagnetic wave shielding portions divided into regions.

【０１０３】すなわち、本実施形態７では、パッケージ
２の上面および下面を被う電磁波遮蔽部５は、それぞれ
２枚の小領域用電磁波遮蔽部３４で構成されている。前
記小領域用電磁波遮蔽部３４は、三角形状となり、２枚
の突片３３で四角形を形成してパッケージ２の上下面を
それぞれ被う。That is, in the seventh embodiment, the electromagnetic wave shielding portions 5 covering the upper surface and the lower surface of the package 2 are each composed of two small region electromagnetic wave shielding portions 34. The small region electromagnetic wave shielding portion 34 has a triangular shape, and forms a quadrilateral with the two projecting pieces 33 to cover the upper and lower surfaces of the package 2 respectively.

【０１０４】前記各小領域用電磁波遮蔽部３４は、リー
ドフレームの４隅にそれぞれ配置される。また、前記小
領域用電磁波遮蔽部３４でパッケージ２の一面のみを被
う構成にすることもできる。前記小領域用電磁波遮蔽部
３４の形状や数は前記実施形態には限定されず、必要に
応じて選択すればよい。The small area electromagnetic wave shielding portions 34 are respectively arranged at four corners of the lead frame. Further, it is also possible to adopt a configuration in which only one surface of the package 2 is covered with the small-area electromagnetic wave shielding portion 34. The shape and number of the small-area electromagnetic wave shielding portions 34 are not limited to the above-described embodiment, and may be selected as needed.

【０１０５】本実施形態７も複数枚の小領域用電磁波遮
蔽部３４でパッケージ２の上下面に電磁波遮蔽部５が形
成され、半導体集積回路装置１は電磁シールド構造にな
る。Also in the seventh embodiment, the electromagnetic wave shielding portions 5 are formed on the upper and lower surfaces of the package 2 by the plural small region electromagnetic wave shielding portions 34, and the semiconductor integrated circuit device 1 has an electromagnetic shielding structure.

【０１０６】（実施形態８）図２４は本発明の実施形態
８である半導体集積回路装置の断面図である。(Eighth Embodiment) FIG. 24 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to an eighth embodiment of the present invention.

【０１０７】本実施形態８は、前記実施形態１の半導体
集積回路装置１の構成において、前記電磁波遮蔽部５の
一部を屈曲させて放熱部３５を構成してなるものであ
る。すなわち、前記電磁波遮蔽部５を大きく形成すると
ともに、電磁波遮蔽部５の周縁部分を外方に屈曲させて
放熱片とし、この放熱片部分を放熱部３５としたもので
ある。In the eighth embodiment, in the configuration of the semiconductor integrated circuit device 1 of the first embodiment, a heat radiating portion 35 is formed by bending a part of the electromagnetic wave shielding portion 5. That is, the electromagnetic wave shielding portion 5 is formed large, and the peripheral edge portion of the electromagnetic wave shielding portion 5 is bent outward to form a heat radiating piece.

【０１０８】本実施形態８の半導体集積回路装置１は、
前記実施形態１が有する効果に加え、放熱部３５は金属
板で形成されていることから、熱の伝達性が高く、空中
への熱放散が可能になり、半導体集積回路装置の熱特性
が良好になり、安定した動作が維持できる。The semiconductor integrated circuit device 1 of the eighth embodiment is
In addition to the effects of the first embodiment, since the heat radiating portion 35 is formed of a metal plate, heat transfer is high, heat can be radiated to the air, and the thermal characteristics of the semiconductor integrated circuit device are good. And stable operation can be maintained.

【０１０９】（実施形態９）図２５および図２６は本発
明の実施形態９である半導体集積回路装置に係わる図で
あり、図２５は半導体集積回路装置の斜視図、図２６は
半導体集積回路装置の正面図である。(Embodiment 9) FIGS. 25 and 26 relate to a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 9 of the present invention. FIG. 25 is a perspective view of the semiconductor integrated circuit device, and FIG. 26 is a semiconductor integrated circuit device. FIG.

【０１１０】本実施形態９では、半導体集積回路装置１
の製造において、リードフレームに電磁波遮蔽部を設け
ず、単にグランド連結リード６を設けておき、半導体集
積回路装置１を製造した後パッケージ２の上下面に銅ペ
ースト等の導電性樹脂を塗布するとともに硬化させて電
磁波遮蔽部５を形成する。また、電磁波遮蔽部５の形成
の後に、パッケージ２の側面から突出するグランド連結
リード６を折り曲げ、先端を前記導電性樹脂による電磁
波遮蔽部５に導電性樹脂３７で電気的に接続する。In the ninth embodiment, the semiconductor integrated circuit device 1
In the manufacture of the semiconductor device, a ground connection lead 6 is simply provided without providing an electromagnetic wave shielding portion on a lead frame, and a conductive resin such as a copper paste is applied to the upper and lower surfaces of the package 2 after the semiconductor integrated circuit device 1 is manufactured. The electromagnetic wave shielding part 5 is formed by curing. After the formation of the electromagnetic wave shielding portion 5, the ground connection lead 6 protruding from the side surface of the package 2 is bent, and the tip is electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion 5 made of the conductive resin with the conductive resin 37.

【０１１１】また、本実施形態９では、リードフレーム
に電磁波遮蔽部を設けなくてもよくなる。In the ninth embodiment, it is not necessary to provide the lead frame with the electromagnetic wave shielding portion.

【０１１２】また、本実施形態において、パッケージ２
や電磁波遮蔽部５にグランド連結リード６を納める溝を
設けておくことで上下面のフラット化も可能である。In this embodiment, the package 2
By providing a groove for accommodating the ground connection lead 6 in the electromagnetic wave shielding portion 5 or the electromagnetic wave shielding portion 5, the upper and lower surfaces can be flattened.

【０１１３】さらに、必要があれば電磁波遮蔽部５の表
面に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装
時に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可
能である。Further, if necessary, a short circuit with other wirings, electronic parts, or the like can be prevented at the time of mounting by applying or sticking an insulator on the surface of the electromagnetic wave shielding portion 5.

【０１１４】（実施形態１０）図２７は本実施形態１０
による半導体集積回路装置１の斜視図、図２８は同じく
正面図である。(Embodiment 10) FIG. 27 shows Embodiment 10 of the present invention.
And FIG. 28 is a front view of the same.

【０１１５】本実施形態１０の半導体集積回路装置１
は、パッケージ２の上下面に金属等の電磁波遮蔽板４０
を接着剤４で貼り付けて電磁波遮蔽部５を形成した後、
パッケージ２の側面から突出するグランド連結リード６
を折り曲げ、先端を前記導電性樹脂による電磁波遮蔽部
５に半田４１で電気的に接続する。Semiconductor integrated circuit device 1 of Embodiment 10
Is an electromagnetic wave shielding plate 40 made of metal or the like on the upper and lower surfaces of the package 2.
Is bonded with an adhesive 4 to form an electromagnetic wave shielding portion 5,
Ground connection lead 6 protruding from the side of package 2
Is bent, and the tip is electrically connected to the electromagnetic wave shielding portion 5 made of the conductive resin by solder 41.

【０１１６】本実施形態１０における電磁波遮蔽部５
は、パッケージ２に導電性の樹脂（ペースト）等を直接
塗布する以外に、前記のように導電性の板材を接着剤や
板材に設けた突片等を使用して機械的に取り付ける構造
等が考えられる。板材としては、金属板や絶縁性テープ
の表面にペースト塗布，メッキ，蒸着等によって導電膜
を形成する方法が考えられる。Electromagnetic wave shielding unit 5 in Embodiment 10
Is a structure in which a conductive resin (paste) or the like is directly applied to the package 2 or a structure in which a conductive plate is mechanically attached using an adhesive or a protrusion provided on the plate as described above. Conceivable. As the plate material, a method of forming a conductive film on the surface of a metal plate or an insulating tape by applying a paste, plating, vapor deposition, or the like can be considered.

【０１１７】本実施形態１０の半導体集積回路装置１は
前記実施形態１と同様の効果を有する。The semiconductor integrated circuit device 1 of the tenth embodiment has the same effects as the first embodiment.

【０１１８】本実施形態１０の導電性樹脂によって電磁
波遮蔽部５を形成する方法は、塗布作業で電磁波遮蔽部
５を形成できるため多数の半導体集積回路装置に対して
も効率良く電磁波遮蔽部５を形成できる。In the method of forming the electromagnetic wave shielding portion 5 using the conductive resin according to the tenth embodiment, since the electromagnetic wave shielding portion 5 can be formed by a coating operation, the electromagnetic wave shielding portion 5 can be efficiently applied to a large number of semiconductor integrated circuit devices. Can be formed.

【０１１９】従来にも導電性樹脂による電磁波遮蔽部５
を持つものがあったが、従来の方法では導電性樹脂によ
る電磁波遮蔽部５をグランド配線に伸ばして接続したた
め、３次元形状のあるパッケージではマスキングが難し
かった。Conventionally, the electromagnetic wave shielding portion 5 made of conductive resin
However, in the conventional method, since the electromagnetic wave shielding portion 5 made of a conductive resin is extended to the ground wiring and connected, masking is difficult in a package having a three-dimensional shape.

【０１２０】本実施形態１０では、グランド連結リード
６を折り曲げることで電磁波遮蔽部５との接続が可能に
なり、リード成形時に簡単に接続が可能になる。In the tenth embodiment, the ground connection lead 6 is bent so that the connection with the electromagnetic wave shielding portion 5 can be made, and the connection can be easily made at the time of forming the lead.

【０１２１】また、本実施形態１０では、リードフレー
ムに電磁波遮蔽部を設けなくてもよくなり、リードフレ
ームの小型化および多連化が可能になる。Further, in the tenth embodiment, it is not necessary to provide an electromagnetic wave shielding portion on the lead frame, so that the lead frame can be reduced in size and connected.

【０１２２】また、本実施形態において、パッケージ２
や電磁波遮蔽部５にグランド連結リード６を納める溝を
設けておくことで上下面のフラット化も可能である。In this embodiment, the package 2
By providing a groove for accommodating the ground connection lead 6 in the electromagnetic wave shielding portion 5 or the electromagnetic wave shielding portion 5, the upper and lower surfaces can be flattened.

【０１２３】さらに、必要があれば電磁波遮蔽部５の表
面に絶縁物を塗布あるいは貼り付ける等することで実装
時に他の配線や電子部品等とのショートを防ぐことも可
能である。Further, if necessary, by applying or sticking an insulator on the surface of the electromagnetic wave shielding portion 5, it is possible to prevent a short circuit with other wiring or electronic components at the time of mounting.

【０１２４】（実施形態１１）図２９乃至図３４は本発
明の実施形態１１に係わる図であり、図２９は電磁シー
ルド構造半導体集積回路装置の正面図、図３０は電磁シ
ールド構造半導体集積回路装置の平面図、図３１は電磁
シールド構造半導体集積回路装置の断面図、図３２は半
導体集積回路装置の正面図、図３３は電磁波遮蔽部付キ
ャップの正面図、図３４は電磁波遮蔽部付キャップの平
面図である。(Embodiment 11) FIGS. 29 to 34 are views related to Embodiment 11 of the present invention. FIG. 29 is a front view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure, and FIG. 30 is a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure. 31 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure, FIG. 32 is a front view of the semiconductor integrated circuit device, FIG. 33 is a front view of a cap having an electromagnetic wave shielding portion, and FIG. It is a top view.

【０１２５】本実施形態１１は、電磁波遮蔽部付キャッ
プに係わるものであり、実装された通常の半導体集積回
路装置に被せて使用するものである。The eleventh embodiment relates to a cap with an electromagnetic wave shielding portion, and is used to cover a mounted ordinary semiconductor integrated circuit device.

【０１２６】電磁波遮蔽部付キャップ７０は、半導体集
積回路装置１のパッケージ２に被せられる電磁波遮蔽部
５と、この電磁波遮蔽部５の周囲四隅に設けられたグラ
ンドリード７１とからなっている。前記グランドリード
７１の下端は、図示しない実装基板のグランド配線に接
続されかつ半田等で電気的に接続される。The cap with an electromagnetic wave shielding portion 70 is composed of the electromagnetic wave shielding portion 5 put on the package 2 of the semiconductor integrated circuit device 1 and the ground leads 71 provided at four corners around the electromagnetic wave shielding portion 5. The lower end of the ground lead 71 is connected to a ground wiring of a mounting board (not shown) and is electrically connected by solder or the like.

【０１２７】したがって、半導体集積回路装置１を実装
基板に搭載する際、前記パッケージ２上に電磁波遮蔽部
付キャップ７０を被せ、かつグランドリード７１を実装
基板のグランド配線に重ねて半田のリフローを行うこと
によって、半導体集積回路装置１の実装とともに電磁波
遮蔽部付キャップ７０の固定が同時にできることにな
る。Therefore, when the semiconductor integrated circuit device 1 is mounted on the mounting board, the reflow of the solder is performed by covering the package 2 with the cap with the electromagnetic wave shielding portion 70 and overlapping the ground lead 71 on the ground wiring of the mounting board. Thus, the cap 70 with the electromagnetic wave shielding unit can be fixed simultaneously with the mounting of the semiconductor integrated circuit device 1.

【０１２８】これにより通常の半導体集積回路装置（Ｉ
Ｃ）を簡便に電磁波対策できる。なお、電磁シールドを
完全なものにする場合には、前記実施形態３の場合のよ
うに、すなわち図１４や図１５に示すように、実装基板
の表面や実装基板の内部に少なくとも前記電磁波遮蔽部
５に対応するようにグランド配線を設けておけば良い。Thus, the conventional semiconductor integrated circuit device (I
C) can easily take measures against electromagnetic waves. When the electromagnetic shield is completed, as in the case of the third embodiment, that is, as shown in FIGS. 14 and 15, at least the electromagnetic wave shielding portion is provided on the surface of the mounting substrate or inside the mounting substrate. The ground wiring may be provided so as to correspond to No. 5.

【０１２９】なお、実装時に半導体集積回路装置１に電
磁波遮蔽部付キャップ７０を被せて基板に半田する場
合、電磁波遮蔽部付キャップ７０の電磁波遮蔽部５の部
分を接着剤を介して半導体集積回路装置１のパッケージ
２に固定するようにしてもよい。この場合、電磁波遮蔽
部付キャップ７０のグランドリード７１を弾力的に実装
基板のグランド配線に接触させるようにすれば半田によ
る固定を省略することもできる。When the semiconductor integrated circuit device 1 is mounted on the semiconductor integrated circuit device 1 with the cap 70 having an electromagnetic wave shielding portion and soldered to a substrate, the portion of the electromagnetic wave shielding portion 5 of the cap 70 with the electromagnetic wave shielding portion is bonded to the semiconductor integrated circuit device with an adhesive. It may be fixed to the package 2 of the device 1. In this case, if the ground lead 71 of the cap 70 with an electromagnetic wave shielding portion is elastically brought into contact with the ground wiring of the mounting board, the fixing by soldering can be omitted.

【０１３０】前記電磁波遮蔽部付キャップ７０は絶縁性
の板材の表面に導電膜を形成する構造であってもよい。The cap with an electromagnetic wave shielding portion 70 may have a structure in which a conductive film is formed on the surface of an insulating plate.

【０１３１】（実施形態１２）図３５乃至図３９は本発
明の実施形態１２に係わる図であり、図３５は電磁シー
ルド構造半導体集積回路装置の正面図、図３６は電磁シ
ールド構造半導体集積回路装置の平面図、図３７は電磁
シールドを形成する上キャップおよび下キャップを示す
正面図、図３８は上キャップを示す平面図、図３９は下
キャップを示す平面図である。(Twelfth Embodiment) FIGS. 35 to 39 are diagrams related to a twelfth embodiment of the present invention. FIG. 35 is a front view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure, and FIG. 36 is a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure. 37 is a front view showing an upper cap and a lower cap forming an electromagnetic shield, FIG. 38 is a plan view showing the upper cap, and FIG. 39 is a plan view showing the lower cap.

【０１３２】本実施形態１２では、図３５に示されるよ
うに、通常の半導体集積回路装置１のパッケージ２の上
面に上キャップ７２が接着剤７４を介して固定され、前
記パッケージ２の下面に下キャップ７３が接着剤７５を
介して固定される。In the twelfth embodiment, as shown in FIG. 35, an upper cap 72 is fixed to the upper surface of the package 2 of the ordinary semiconductor integrated circuit device 1 with an adhesive 74, and the lower surface of the package 2 is fixed to the lower surface of the package 2. The cap 73 is fixed via the adhesive 75.

【０１３３】前記上キャップ７２は、パッケージ２の上
面よりも僅かに小さい平坦な矩形の電磁波遮蔽部５と、
この電磁波遮蔽部５の一隅から突出しかつ図示しない実
装基板のグランド配線に接続されるグランドリード７６
とからなっている。The upper cap 72 has a flat rectangular electromagnetic wave shielding portion 5 slightly smaller than the upper surface of the package 2,
A ground lead 76 protruding from one corner of the electromagnetic wave shielding portion 5 and connected to a ground wiring of a mounting board (not shown)
It consists of

【０１３４】また、前記下キャップ７３は、パッケージ
２の上面よりも僅かに小さい平坦な矩形の電磁波遮蔽部
５と、この電磁波遮蔽部５の一隅から突出しかつ図示し
ない実装基板のグランド配線に接続されるグランドリー
ド７７とからなっている。The lower cap 73 is connected to a flat rectangular electromagnetic wave shielding portion 5 slightly smaller than the upper surface of the package 2 and a ground wiring of a mounting board (not shown) projecting from one corner of the electromagnetic wave shielding portion 5. Ground lead 77.

【０１３５】前記上キャップ７２および下キャップ７３
は絶縁性の板材の表面に導電膜を形成する構造であって
もよい。The upper cap 72 and the lower cap 73
May have a structure in which a conductive film is formed on the surface of an insulating plate material.

【０１３６】これにより通常の半導体集積回路装置を簡
便に電磁シールド構造にすることができる。As a result, a normal semiconductor integrated circuit device can be easily provided with an electromagnetic shield structure.

【０１３７】（実施形態１３）図４０乃至図４３は本発
明の実施形態１３に係わる図であり、図４０は半導体集
積回路装置の断面図、図４１は半導体集積回路装置の平
面図、図４２は半導体集積回路装置の製造に用いるリー
ドフレームの平面図、図４３はリードフレームの側面図
である。(Thirteenth Embodiment) FIGS. 40 to 43 relate to a thirteenth embodiment of the present invention. FIG. 40 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device, FIG. 41 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device, and FIG. Is a plan view of a lead frame used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and FIG. 43 is a side view of the lead frame.

【０１３８】本実施形態１３は前記実施形態１２の変形
例であり、支持キャップ７８をリードフレーム２２に絶
縁性テープ７９を介して重ねて固定しておき、その後に
半導体集積回路装置１の組立（製造）を行うものであ
る。The thirteenth embodiment is a modification of the twelfth embodiment, in which the support cap 78 is fixed on the lead frame 22 with the insulating tape 79 interposed therebetween, and thereafter the assembly of the semiconductor integrated circuit device 1 is performed. Manufacturing).

【０１３９】リードフレーム２２は、前記実施形態２の
リードフレーム２２の場合と同様にリードフレーム２２
の中心部分にタブを設けず、半導体チップが固定できる
空間領域２７が形成されている。The lead frame 22 is similar to the lead frame 22 of the second embodiment.
A tab 27 is not provided in the center portion of the substrate, and a space region 27 to which a semiconductor chip can be fixed is formed.

【０１４０】前記支持キャップ７８は、リード３の先端
部分に絶縁性テープ７９を介して重ねられる電磁波遮蔽
部５と、この電磁波遮蔽部５の一隅から突出する細いグ
ランドリード１７とからなっている。また、このグラン
ドリード１７が延在するリードフレーム部分は打ち抜か
れスリット８０となっている。The support cap 78 is composed of the electromagnetic wave shielding portion 5 superposed on the tip of the lead 3 via an insulating tape 79, and the thin ground lead 17 protruding from one corner of the electromagnetic wave shielding portion 5. The lead frame portion where the ground lead 17 extends is punched to form a slit 80.

【０１４１】このようなリードフレーム２２を使用して
半導体集積回路装置１を製造する場合、図４０に示すよ
うに、空間領域２７の支持キャップ７８の電磁波遮蔽部
５に接着剤８１を介して半導体チップ８を固定する。When the semiconductor integrated circuit device 1 is manufactured using such a lead frame 22, as shown in FIG. 40, the semiconductor shielding circuit 5 of the support cap 78 in the space area 27 is interposed with the semiconductor 81 via the adhesive 81. The chip 8 is fixed.

【０１４２】つぎに、半導体チップ８の電極とリード３
の内端を導電性のワイヤ１０で接続した後、トランスフ
ァモールドによって所定部分を絶縁性樹脂からなるパッ
ケージ２で被う。この場合支持キャップ７８の電磁波遮
蔽部５は樹脂で被わない。Next, the electrodes of the semiconductor chip 8 and the leads 3
After connecting the inner end of the package with a conductive wire 10, a predetermined portion is covered with a package 2 made of an insulating resin by transfer molding. In this case, the electromagnetic wave shielding portion 5 of the support cap 78 is not covered with the resin.

【０１４３】また、前記パッケージ２から突出する電磁
波遮蔽部５を折り返してパッケージ２の実装面側（下
面）に接着剤４を介して固定する。The electromagnetic wave shielding portion 5 protruding from the package 2 is folded back and fixed to the mounting surface side (lower surface) of the package 2 via an adhesive 4.

【０１４４】つぎに、リード成形がなされ、図４０およ
び図４１に示すような半導体集積回路装置１が製造され
る。Next, lead molding is performed, and the semiconductor integrated circuit device 1 as shown in FIGS. 40 and 41 is manufactured.

【０１４５】前記支持キャップ７８のグランドリード１
７も前記リードの成形時同時に成形され、実装基板のグ
ランド配線にその先端が接続されるようになる。Ground Lead 1 of Support Cap 78
7 is also formed at the same time when the lead is formed, and its tip is connected to the ground wiring of the mounting board.

【０１４６】本実施形態１３も電磁シールド構造とな
る。Embodiment 13 also has an electromagnetic shield structure.

【０１４７】本実施形態１３の半導体集積回路装置１
は、半導体チップ８の裏面の樹脂が無くなり、パッケー
ジの薄型化が図れるとともに、放熱性も増大する効果を
奏する。Semiconductor Integrated Circuit Device 1 of Embodiment 13
In this case, the resin on the back surface of the semiconductor chip 8 is eliminated, so that the package can be made thinner and the heat dissipation can be increased.

【０１４８】（実施形態１４）図４４乃至図５２は本発
明の実施形態１４に係わる図であり、図４４は半導体集
積回路装置の断面図、図４５は電磁波遮蔽部を開いた状
態の半導体集積回路装置の断面図、図４６は電磁波遮蔽
部を折り曲げ途中の半導体集積回路装置の断面図であ
る。(Embodiment 14) FIGS. 44 to 52 are views related to Embodiment 14 of the present invention. FIG. 44 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit device. FIG. FIG. 46 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device in the process of bending the electromagnetic wave shielding portion.

【０１４９】本実施形態１４では折り曲げ可能なフレキ
シブル配線基板を使用したＢＧＡタイプの半導体集積回
路装置に本発明を適用したものであり、前記実施形態１
と同様の効果を得るものである。In the fourteenth embodiment, the present invention is applied to a BGA type semiconductor integrated circuit device using a bendable flexible wiring board.
The same effect as described above is obtained.

【０１５０】本実施形態１４では、前記実施形態１のリ
ードフレームの代わりにポリイミドテープ等で形成され
たフレキシブル配線基板４３を使用する。フレキシブル
配線基板４３は、たとえばポリイミドテープで形成され
た絶縁性テープ４４の一面または両面に配線（リード）
４５を有する。前記配線４５は、たとえば絶縁性テープ
４４に張り付け銅箔をエッチングして所望のパターンに
形成して所望の配線４５を形成する。また、前記絶縁性
テープ４４は、所望部分が切断除去され、半導体チップ
８の固定や、電磁波遮蔽部５の折り返し等が可能になっ
ている。In the fourteenth embodiment, a flexible wiring board 43 made of a polyimide tape or the like is used instead of the lead frame of the first embodiment. The flexible wiring board 43 is provided with wiring (leads) on one or both sides of an insulating tape 44 formed of, for example, a polyimide tape.
45. The wiring 45 is formed, for example, by attaching a copper foil to an insulating tape 44 and etching the copper foil to form a desired pattern to form a desired wiring 45. A desired portion of the insulating tape 44 is cut and removed, so that the semiconductor chip 8 can be fixed and the electromagnetic wave shielding portion 5 can be folded back.

【０１５１】また、本実施形態１４は従来のＴＣＰ技術
をそのまま使用できる。また、外部電極としては、前記
実施形態１が金属製によるリードであるのに対して、半
田ボール４６としてある。また、前記配線（リード）４
５に対しては半導体チップ８に設けた半田等によるバン
プ電極４７を介して接続した構造になっている。In the fourteenth embodiment, the conventional TCP technology can be used as it is. The external electrode is a solder ball 46 instead of the lead of the first embodiment made of metal. The wiring (lead) 4
5 is connected via a bump electrode 47 made of solder or the like provided on the semiconductor chip 8.

【０１５２】半導体集積回路装置１は、図４４に示すよ
うに、略矩形状の基板部４８を有している。この基板部
４８はその中央に半導体チップ８よりも僅かに大きいデ
バイスホール４９を有している。基板部４８の下面には
配線４５が設けられている。この配線４５は絶縁膜５０
で被われるとともに、一部の絶縁膜５０は除去され、こ
の部分に外部端子としての半田ボール４６が設けられて
いる。The semiconductor integrated circuit device 1 has a substantially rectangular substrate portion 48 as shown in FIG. This substrate portion 48 has a device hole 49 slightly larger than the semiconductor chip 8 at the center. The wiring 45 is provided on the lower surface of the substrate part 48. This wiring 45 is an insulating film 50
And a part of the insulating film 50 is removed, and a solder ball 46 as an external terminal is provided in this portion.

【０１５３】基板部４８の配線４５の内端は前記デバイ
スホール４９内に突出するとともに、この突出部分が半
導体チップ８の半田ボール４６に接続されている。The inner end of the wiring 45 of the substrate portion 48 projects into the device hole 49, and this projecting portion is connected to the solder ball 46 of the semiconductor chip 8.

【０１５４】また、前記デバイスホール４９内は絶縁性
樹脂５１で被われ、半導体チップ８の表面や配線４５と
半田ボール４６との接続部分が保護されている。The inside of the device hole 49 is covered with an insulating resin 51 to protect the surface of the semiconductor chip 8 and the connection between the wiring 45 and the solder ball 46.

【０１５５】また、前記基板部４８の一端側には露出面
側被覆部５２が設けられている。この露出面側被覆部５
２は、前記基板部４８全体に対して重なる矩形状となっ
ていて、前記半導体チップ８等を被う。また、前記露出
面側被覆部５２の一面、すなわち前記半導体チップ８に
接触しない面の略全域には電磁波遮蔽部５が形成されて
いる。この電磁波遮蔽部５はグランド連結リード６を介
してグランド配線１７に接続されている（図４７参
照）。An exposed surface side covering portion 52 is provided at one end of the substrate portion 48. This exposed surface side coating portion 5
Reference numeral 2 denotes a rectangular shape which overlaps the entire substrate portion 48 and covers the semiconductor chip 8 and the like. An electromagnetic wave shielding portion 5 is formed on one surface of the exposed surface side covering portion 52, that is, substantially the entire surface that does not contact the semiconductor chip 8. This electromagnetic wave shielding part 5 is connected to a ground wiring 17 via a ground connection lead 6 (see FIG. 47).

【０１５６】また、前記基板部４８の他の端面から前記
デバイスホール４９部分を塞ぐような矩形状の実装面側
被覆部５３が設けられている。前記実装面側被覆部５３
の一面の略全域には電磁波遮蔽部５が形成されている。
この電磁波遮蔽部５はグランド連結リード６を介してグ
ランド配線１７に接続されている（図４７参照）。Further, a rectangular mounting surface side covering portion 53 is provided so as to cover the device hole 49 from the other end surface of the substrate portion 48. The mounting surface side covering portion 53
An electromagnetic wave shielding portion 5 is formed over substantially the entire area of one surface.
This electromagnetic wave shielding part 5 is connected to a ground wiring 17 via a ground connection lead 6 (see FIG. 47).

【０１５７】前記実装面側被覆部５３と基板部４８との
間の絶縁性テープ４４部分は細くなり、実装面側被覆部
５３を基板部４８の中央部分に重ねた際、絶縁性テープ
４４部分が半田ボール４６に重ならないようになってい
る。The portion of the insulating tape 44 between the mounting surface side covering portion 53 and the substrate portion 48 becomes thinner. When the mounting surface side covering portion 53 is overlaid on the center portion of the substrate portion 48, Are not overlapped with the solder balls 46.

【０１５８】また、前記実装面側被覆部５３は絶縁性の
接着剤４を介して配線４５や絶縁性樹脂５１に接続され
ている。The mounting surface side covering portion 53 is connected to the wiring 45 and the insulating resin 51 via the insulating adhesive 4.

【０１５９】図４５は電磁波遮蔽部５、換言するならば
露出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３を開いた
状態、すなわち組み立てを行わない状態での半導体集積
回路装置１の断面図である。また、図４６は露出面側被
覆部５２および実装面側被覆部５３を折り曲げする途中
の半導体集積回路装置１を示す断面図である。FIG. 45 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device 1 in a state where the electromagnetic wave shielding portion 5, that is, the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53 are opened, that is, in a state where assembly is not performed. is there. FIG. 46 is a sectional view showing the semiconductor integrated circuit device 1 in the process of bending the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53.

【０１６０】半導体チップ８および基板部４８の配線４
５は、その上部、すなわち半導体集積回路装置１の露出
側が露出面側被覆部５２の電磁波遮蔽部５によって電磁
シールドされる。また、半導体チップ８の下側、すなわ
ち実装面側は実装面側被覆部５３の電磁波遮蔽部５によ
って電磁シールドされることから、外部からの電磁波を
遮蔽できるため、半導体集積回路装置１はノイズの発振
を起こすことなく安定して動作することになる。The wiring 4 of the semiconductor chip 8 and the substrate part 48
Reference numeral 5 denotes an upper portion, that is, the exposed side of the semiconductor integrated circuit device 1 is electromagnetically shielded by the electromagnetic wave shielding portion 5 of the exposed surface side covering portion 52. In addition, since the lower side of the semiconductor chip 8, that is, the mounting surface side is electromagnetically shielded by the electromagnetic wave shielding portion 5 of the mounting surface side covering portion 53, it is possible to shield electromagnetic waves from the outside. It operates stably without causing oscillation.

【０１６１】つぎに、本実施形態１４の半導体集積回路
装置１の製造について簡単に説明する。Next, the manufacture of the semiconductor integrated circuit device 1 of the fourteenth embodiment will be briefly described.

【０１６２】図４７は半導体チップ８を取り付けたフレ
キシブル配線基板４３を示す図である。フレキシブル配
線基板４３は、たとえばポリイミドテープで形成された
絶縁性テープ４４の一面または両面に配線（リード）４
５を有する。前記配線４５は、たとえば絶縁性テープ４
４に張り付け銅箔をエッチングして所望のパターンに形
成して所望の配線４５を形成する。また、前記絶縁性テ
ープ４４は、所望部分が切断除去され、半導体チップ８
の固定や、電磁波遮蔽部５の折り返し等が可能になって
いる。FIG. 47 is a view showing the flexible wiring board 43 to which the semiconductor chip 8 is attached. The flexible wiring board 43 is provided with wiring (leads) 4 on one or both sides of an insulating tape 44 formed of, for example, a polyimide tape.
5 The wiring 45 is, for example, an insulating tape 4
4 to form a desired pattern by etching the copper foil to form a desired wiring 45. The insulating tape 44 has a desired portion cut and removed, and the semiconductor chip 8 is removed.
, And the electromagnetic wave shielding unit 5 can be folded back.

【０１６３】フレキシブル配線基板４３は、吊り部５４
によって吊られる略矩形状の基板部４８と、前記基板部
４８の一端（右上端）側に連なり吊り部５４で吊られる
露出面側被覆部５２と、前記基板部４８の他の端（右下
端）側に連なり吊り部５４で吊られる実装面側被覆部５
３とを有するパターンとなっている。The flexible wiring board 43 is
A substantially rectangular substrate portion 48 suspended by the above, an exposed surface side covering portion 52 connected to one end (upper right end) of the substrate portion 48 and suspended by a suspending portion 54, and another end (lower right lower end) of the substrate portion 48 ) Side and the mounting surface side covering portion 5 suspended by the suspending portion 54
3 is formed.

【０１６４】前記基板部４８はその中央に半導体チップ
８よりも僅かに大きいデバイスホール４９を有してい
る。The substrate portion 48 has a device hole 49 slightly larger than the semiconductor chip 8 at the center.

【０１６５】また、絶縁性テープ４４の一面側には銅箔
をエッチングして設けられる配線（リード）４５と板状
に設けられる電磁波遮蔽部５が形成されている。On one surface side of the insulating tape 44, a wiring (lead) 45 provided by etching a copper foil and an electromagnetic wave shielding portion 5 provided in a plate shape are formed.

【０１６６】電磁波遮蔽部５は前記露出面側被覆部５２
および実装面側被覆部５３のそれぞれ略全域に設けられ
ている。The electromagnetic wave shielding part 5 is provided on the exposed surface side covering part 52.
And the mounting surface side covering portion 53 is provided in substantially the entire area.

【０１６７】また、前記基板部４８には前記デバイスホ
ール４９内に一端を突出させるリード４５がそれぞれ設
けられている。この配線４５は絶縁樹脂５０で被われる
とともに、一部の絶縁樹脂５０は円形に除去されてい
る。この円形部分には後の工程で半田ボールが形成され
る。The substrate portion 48 is provided with leads 45 each having one end projecting into the device hole 49. The wiring 45 is covered with an insulating resin 50, and a part of the insulating resin 50 is removed in a circular shape. A solder ball is formed on this circular portion in a later step.

【０１６８】また、前記露出面側被覆部５２および実装
面側被覆部５３の電磁波遮蔽部５はグランド連結リード
６を介してグランド配線１７に接続されている。Further, the electromagnetic wave shielding portion 5 of the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53 is connected to the ground wiring 17 via the ground connecting lead 6.

【０１６９】また、前記実装面側被覆部５３と基板部４
８との間の絶縁性テープ４４部分は細くなり、実装面側
被覆部５３を基板部４８の中央部分に重ねた際、絶縁性
テープ４４部分が半田ボールに重ならないようになって
いる。The mounting portion 53 and the substrate 4
8, the insulating tape 44 portion becomes thinner, and when the mounting surface side covering portion 53 is overlapped with the central portion of the substrate portion 48, the insulating tape 44 portion does not overlap with the solder balls.

【０１７０】本実施形態１４では電磁波遮蔽部５と半田
ボール取付け部５５、デバイスホール４９に突出した配
線以外は絶縁樹脂５０で被われている。この絶縁樹脂５
０は封止体の一部を構成する。In the fourteenth embodiment, the portions other than the electromagnetic wave shielding portion 5, the solder ball attaching portion 55, and the wiring projecting into the device hole 49 are covered with the insulating resin 50. This insulating resin 5
0 constitutes a part of the sealing body.

【０１７１】なお、電磁波遮蔽部５も絶縁樹脂で絶縁し
てもよい。フレキシブル配線基板４３は折り曲げる部位
のみ折り曲げ可能なら、他の部位を変形しないように加
工するとか、固い基板とフレキシブルな基板を組み合わ
せて使ってもよい。The electromagnetic wave shielding section 5 may be insulated with an insulating resin. If the flexible wiring board 43 can be bent only at the portion to be bent, it may be processed so as not to deform other portions, or a combination of a hard substrate and a flexible substrate may be used.

【０１７２】つぎに、図４７に示すように、デバイスホ
ール４９に突出する配線４５部分にバンプ電極４７を介
して半導体チップ８が固定される（図４５参照）。Next, as shown in FIG. 47, the semiconductor chip 8 is fixed to the portion of the wiring 45 projecting into the device hole 49 via the bump electrode 47 (see FIG. 45).

【０１７３】つぎに、図４８に示すように、半導体チッ
プ８のバンプ電極４７が設けられた面側を絶縁性樹脂５
１で被う。絶縁性樹脂５１は、たとえばポッティングに
よって形成する。前記絶縁性樹脂５１でデバイスホール
４９を埋め込む。Next, as shown in FIG. 48, the surface of the semiconductor chip 8 where the bump electrodes 47 are provided is
Cover with 1. The insulating resin 51 is formed by, for example, potting. The device hole 49 is filled with the insulating resin 51.

【０１７４】つぎに、図４９に示すように、露出面側被
覆部５２および実装面側被覆部５３の吊り部５４を切断
した後、実装面側被覆部５３を折り返して前記絶縁性樹
脂５１に重ね合わせかつ接着剤４を介して固定（図４４
参照）するとともに、露出面側被覆部５２を半導体チッ
プ８側の基板部４８に折り返して重ねる。Next, as shown in FIG. 49, after the hanging portions 54 of the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53 are cut, the mounting surface side covering portion 53 is folded back to the insulating resin 51. Overlap and fix via adhesive 4 (FIG. 44)
In addition, the exposed surface side covering portion 52 is folded back on the substrate portion 48 on the semiconductor chip 8 side.

【０１７５】なお、前記露出面側被覆部５２を基板部４
８に接着剤等で固定するにようにしてもよい。The exposed surface side covering portion 52 is connected to the substrate portion 4.
8 may be fixed with an adhesive or the like.

【０１７６】つぎに、図５０に示すように、前記半田ボ
ール取付け部５５に半田ボール４６を熱や圧力を加えて
取り付け、ＢＧＡの半導体集積回路装置１を製造する。
この状態では、半導体集積回路装置１はまだ吊り部５４
に吊られてフレキシブル配線基板４３に吊られている。Next, as shown in FIG. 50, the solder ball 46 is mounted on the solder ball mounting portion 55 by applying heat or pressure to manufacture the BGA semiconductor integrated circuit device 1.
In this state, the semiconductor integrated circuit device 1 is still
And is hung on the flexible wiring board 43.

【０１７７】つぎに、前記吊り部５４を切断することに
よって、図５１および図４４に示すような半導体集積回
路装置１を製造する。Next, by cutting the hanging portion 54, the semiconductor integrated circuit device 1 as shown in FIGS. 51 and 44 is manufactured.

【０１７８】なお、必要ならばこの状態または製造中に
マークを施すことで完成する。It is to be noted that, if necessary, a mark is formed in this state or during manufacture to complete the process.

【０１７９】本実施形態１４の半導体集積回路装置１の
製造においては、フレキシブル配線基板４３の一部に設
けた露出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３を、
半導体チップ８の搭載後に折り返して基板部４８の表裏
面に重ね合わせることによって電磁シールド構造とする
ことができ、製造が容易になる。In the manufacture of the semiconductor integrated circuit device 1 of the fourteenth embodiment, the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53 provided on a part of the flexible wiring board 43 are
After the semiconductor chip 8 is mounted, it is folded back and superimposed on the front and back surfaces of the substrate portion 48 to form an electromagnetic shield structure, thereby facilitating manufacture.

【０１８０】図５２は、実装基板１５に本実施形態４の
半導体集積回路装置１を搭載した断面図である。FIG. 52 is a cross-sectional view in which the semiconductor integrated circuit device 1 of the fourth embodiment is mounted on the mounting board 15.

【０１８１】（実施形態１５）図５３および図５４は本
実施形態１５よる半導体集積回路装置１の実装状態を示
す図である。(Embodiment 15) FIGS. 53 and 54 are views showing a mounted state of a semiconductor integrated circuit device 1 according to Embodiment 15 of the present invention.

【０１８２】図５３および図５４に示す半導体集積回路
装置１は、半導体集積回路装置１の露出面側にのみ電磁
波遮蔽部５を設けた例であり、実装面側には電磁波遮蔽
部を設けない構造である。その代わり、図５３に示すよ
うに実装基板１５の表面にグランド配線３０を設けた
り、図５４に示すように、実装基板１５の中層にグラン
ド配線３０を設けて、半導体集積回路装置１の実装面側
の電磁波遮蔽を実装基板１５で行うようにしたものであ
る。The semiconductor integrated circuit device 1 shown in FIGS. 53 and 54 is an example in which the electromagnetic wave shielding portion 5 is provided only on the exposed surface side of the semiconductor integrated circuit device 1, and the electromagnetic wave shielding portion is not provided on the mounting surface side. Structure. Instead, the ground wiring 30 is provided on the surface of the mounting substrate 15 as shown in FIG. 53, or the ground wiring 30 is provided in the middle layer of the mounting substrate 15 as shown in FIG. The electromagnetic wave shielding on the side is performed by the mounting substrate 15.

【０１８３】本実施形態１５の構成にすることによっ
て、半導体集積回路装置１を電磁シールド構造として使
用することができる。With the configuration of the fifteenth embodiment, the semiconductor integrated circuit device 1 can be used as an electromagnetic shield structure.

【０１８４】（実施形態１６）図５５乃至図５７は本発
明の実施形態１６に係わる図であり、図５５は実装状態
の半導体集積回路装置の断面図、図５６は電磁波遮蔽部
を折り返す前の状態の半導体集積回路装置を示す断面
図、図５７は電磁波遮蔽部を折り返す状態の半導体集積
回路装置を示す断面図である。(Embodiment 16) FIGS. 55 to 57 are diagrams related to Embodiment 16 of the present invention. FIG. 55 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit device in a mounted state. FIG. 56 is a diagram before an electromagnetic wave shielding portion is folded. FIG. 57 is a cross-sectional view showing the semiconductor integrated circuit device in the state, and FIG. 57 is a cross-sectional view showing the semiconductor integrated circuit device in a state where the electromagnetic wave shielding portion is folded back.

【０１８５】本実施形態１６の半導体集積回路装置１
は、図４４乃至図４６に示す実施形態４の半導体集積回
路装置において、フレキシブル配線基板４３の絶縁性テ
ープ４４を透明なポリイミド樹脂等で形成した電磁シー
ルド構造である。Semiconductor Integrated Circuit Device 1 of Embodiment 16
In the semiconductor integrated circuit device according to the fourth embodiment shown in FIGS. 44 to 46, an electromagnetic shield structure in which the insulating tape 44 of the flexible wiring board 43 is formed of a transparent polyimide resin or the like.

【０１８６】これにより、図５７に示すように、半導体
集積回路装置１の露出面側被覆部５２を基板部４８に重
ねない状態で実装基板１５の配線１６に半田５６等で実
装することで、絶縁性テープ４４を通して半田実装状態
が目視外観できる。As a result, as shown in FIG. 57, the exposed surface side covering portion 52 of the semiconductor integrated circuit device 1 is mounted on the wiring 16 of the mounting substrate 15 with the solder 56 or the like without being overlapped on the substrate portion 48. The solder mounting state can be visually observed through the insulating tape 44.

【０１８７】なお、実装前に基板部４８の実装面側に接
着剤４を介して実装面側被覆部５３を固定しておく。Before the mounting, the mounting surface side covering portion 53 is fixed to the mounting surface side of the substrate portion 48 via the adhesive 4.

【０１８８】また、実装後に基板部４８の露出面側に露
出面側被覆部５２を重ねる。露出面側被覆部５２は接着
剤で基板部４８に固定してもよい。本実施形態１６で
は、露出面側被覆部５２の電磁波遮蔽部５は露出面側被
覆部５２の両面に設けられている。これらの電磁波遮蔽
部５はグランド配線に連なっている。Further, after the mounting, the exposed surface side covering portion 52 is overlaid on the exposed surface side of the substrate portion 48. The exposed surface side covering portion 52 may be fixed to the substrate portion 48 with an adhesive. In the sixteenth embodiment, the electromagnetic wave shielding portions 5 of the exposed surface side covering portion 52 are provided on both surfaces of the exposed surface side covering portion 52. These electromagnetic wave shielding portions 5 are connected to the ground wiring.

【０１８９】これにより、半導体集積回路装置１の電磁
シールドが可能になる。As a result, the electromagnetic shielding of the semiconductor integrated circuit device 1 becomes possible.

【０１９０】また、フレキシブル配線基板４３の配線４
５は、半田付け部が目視できる程度に細くなった銅等の
金属配線や、酸化錫と酸化アンチモンの化合物からなる
透明な配線、あるいは両方法を使用部位ごとに使いわけ
たもの等が考えられる。The wiring 4 of the flexible wiring board 43
Reference numeral 5 indicates a metal wiring such as copper having a soldered portion thin enough to be visually observed, a transparent wiring made of a compound of tin oxide and antimony oxide, or a method in which both methods are used for each use site. .

【０１９１】（実施形態１７）図５８乃至図６１は本発
明の実施形態１７に係わる図であり、図５８は半導体集
積回路装置の断面図、図５９は半導体集積回路装置の製
造に用いるフレキシブル配線基板４３の平面図、図６０
は電磁波遮蔽部を重ね合わせた基板部と折り返ししない
電極部分を示す断面図、図６１は電磁波遮蔽部を重ね合
わせた基板部に電極部分を折り返す状態を示す断面図で
ある。(Embodiment 17) FIGS. 58 to 61 are diagrams related to Embodiment 17 of the present invention. FIG. 58 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device, and FIG. 59 is a flexible wiring used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device. FIG. 60 is a plan view of the substrate 43, FIG.
FIG. 61 is a cross-sectional view showing a substrate portion on which an electromagnetic wave shielding portion is overlapped and an electrode portion which is not folded, and FIG. 61 is a cross-sectional view showing a state where the electrode portion is folded on a substrate portion on which the electromagnetic wave shielding portion is overlapped.

【０１９２】本実施形態１７はフレキシブル配線基板を
用いかつチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造にした
電磁シールド構造の半導体集積回路装置を示すものであ
る。Embodiment 17 shows a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure using a flexible wiring board and having a chip size package (CSP) structure.

【０１９３】本実施形態１７の半導体集積回路装置１
は、図５８および図５９に示すように、半導体チップ８
が搭載される領域よりも数ｍｍ大きい領域、すなわち矩
形状の基板部４８の各辺部分に略三角形状の折返部５７
が連続して設けられている。そして、この折返部５７に
半田ボール４６が配列されている。Semiconductor Integrated Circuit Device 1 of Embodiment 17
Is a semiconductor chip 8 as shown in FIGS. 58 and 59.
Is substantially several millimeters larger than the area in which is mounted, that is, a substantially triangular folded portion 57 is provided on each side of the rectangular substrate portion 48.
Are provided continuously. The solder balls 46 are arranged in the folded portions 57.

【０１９４】フレキシブル配線基板４３には、前記実施
形態１４と同様に半導体集積回路装置１の露出面側と実
装面側をそれぞれ被覆する露出面側被覆部５２と実装面
側被覆部５３が設けられている。しかし、本実施形態１
７はＣＳＰ化を図るため、図５９に示すように、前記露
出面側被覆部５２および実装面側被覆部５３は、前記半
導体チップ８と略同程度の大きさの基板部４８と同一と
なる小さい形状となっている。The flexible wiring board 43 is provided with an exposed surface side covering portion 52 and a mounting surface side covering portion 53 which respectively cover the exposed surface side and the mounting surface side of the semiconductor integrated circuit device 1 as in the fourteenth embodiment. ing. However, the first embodiment
As shown in FIG. 59, the exposed surface side covering portion 52 and the mounting surface side covering portion 53 are the same as the substrate portion 48 which is substantially the same size as the semiconductor chip 8, as shown in FIG. It has a small shape.

【０１９５】搭載された半導体チップ８のバンプ電極４
７を有する実装面側では実装面側被覆部５３が重ねら
れ、半導体チップ８の背面、すなわち露出面側には露出
面側被覆部５２が重ねられる。これにより半導体集積回
路装置１は電磁シールド構造になる。Bump electrode 4 of mounted semiconductor chip 8
The mounting surface side covering portion 53 is superimposed on the mounting surface side having 7, and the exposed surface side covering portion 52 is superimposed on the back surface of the semiconductor chip 8, that is, on the exposed surface side. Thereby, the semiconductor integrated circuit device 1 has an electromagnetic shield structure.

【０１９６】折り返された実装面側被覆部５３に、４片
の折返部５７が接着テープ５８を介して固定される。前
記折返部５７は三角形状になっていることから、４枚で
基板部４８に対応した四角形を形成することになる。な
お、前記接着テープ５８は接着剤等でもよい。The four folded portions 57 are fixed to the folded mounting surface side covering portion 53 with the adhesive tape 58 interposed therebetween. Since the folded portion 57 has a triangular shape, a quadrilateral corresponding to the substrate portion 48 is formed by four sheets. The adhesive tape 58 may be an adhesive or the like.

【０１９７】本実施形態１７の半導体集積回路装置１
は、電磁シールド作用を有する以外に、半田ボール４６
を有する折返部５７が、四角形の基板部４８の各辺側か
ら折り返されるため、半導体チップ８の電極（バンプ電
極４７）と各半田ボール４６との距離、すなわち配線長
さが短くなり、半導体集積回路装置の高速化に対応でき
るようになる。Semiconductor Integrated Circuit Device 1 of Embodiment 17
Means that the solder ball 46
Is folded back from each side of the rectangular substrate portion 48, so that the distance between the electrode (bump electrode 47) of the semiconductor chip 8 and each solder ball 46, that is, the wiring length is shortened, and the semiconductor integrated It is possible to cope with an increase in the speed of the circuit device.

【０１９８】（実施形態１８）図６２乃至図６５は本発
明の実施形態１８に係わる図であり、図６２は半導体集
積回路装置の断面図、図６３は電磁波遮蔽部を折り返さ
ない状態の半導体集積回路装置の断面図、図６４は電磁
波遮蔽部を折り返さない状態の半導体集積回路装置の平
面図、図６５は電磁波遮蔽部を折り返さない状態の半導
体集積回路装置の底面図である。(Embodiment 18) FIGS. 62 to 65 are diagrams related to Embodiment 18 of the present invention. FIG. 62 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit device. FIG. 63 is a diagram showing a semiconductor integrated circuit without an electromagnetic wave shielding portion folded back. FIG. 64 is a cross-sectional view of the circuit device, FIG. 64 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device without the electromagnetic wave shielding portion folded, and FIG. 65 is a bottom view of the semiconductor integrated circuit device without the electromagnetic wave shielding portion folded.

【０１９９】本実施形態１８の半導体集積回路装置１
は、フレキシブル配線基板４３を両面配線構造にし、こ
のフレキシブル配線基板４３に電磁波遮蔽部５を配置
し、露出面側被覆部５２の折り返しによって電磁シール
ド構造を構成する構造になっている。Semiconductor Integrated Circuit Device 1 of Embodiment 18
Has a structure in which the flexible wiring board 43 has a double-sided wiring structure, the electromagnetic wave shielding section 5 is arranged on the flexible wiring board 43, and the electromagnetic shielding structure is formed by folding back the exposed surface side covering section 52.

【０２００】また、半導体チップ８は前記フレキシブル
配線基板４３に接着剤９を介して半導体チップ８を固定
する構造になり、デバイスホールを有しない構造になっ
ている。前記半導体チップ８，ワイヤ１０等は封止体
（パッケージ）２で被われている。Further, the semiconductor chip 8 has a structure in which the semiconductor chip 8 is fixed to the flexible wiring board 43 via the adhesive 9, and has no device hole. The semiconductor chip 8, the wires 10, and the like are covered with a sealing body (package) 2.

【０２０１】前記基板部４８には、図６４にも示される
ようにスルーホール５９が形成されているとともに、前
記スルーホール５９部分にも配線４５が形成されてい
る。前記スルーホール５９の下側には、図６５にも示さ
れるように半田ボール４６が固定されている。As shown in FIG. 64, a through hole 59 is formed in the substrate portion 48, and a wiring 45 is also formed in the through hole 59. A solder ball 46 is fixed below the through hole 59 as shown in FIG.

【０２０２】前記基板部４８から連なる露出面側被覆部
５２には電磁波遮蔽部５が形成されていることから、前
記露出面側被覆部５２を折り返した場合、前記パッケー
ジ２上に露出面側被覆部５２が載り、その露出面側被覆
部５２の上面には電磁波遮蔽部５が延在する構造になっ
ている。また、基板部４８の下面側、すなわち実装面側
には前記半導体チップ８の固定領域よりも広く電磁波遮
蔽部５が形成されている。これにより、半導体チップ８
やワイヤ１０等は上下を電磁波遮蔽部５で被覆されて電
磁シールド構造になり、特性の安定化が図られている。Since the electromagnetic wave shielding portion 5 is formed on the exposed surface side covering portion 52 continuing from the substrate portion 48, when the exposed surface side covering portion 52 is folded, the exposed surface side covering portion 52 is placed on the package 2. A portion 52 is mounted, and the electromagnetic wave shielding portion 5 extends on the upper surface of the exposed surface side covering portion 52. On the lower surface side of the substrate portion 48, that is, on the mounting surface side, the electromagnetic wave shielding portion 5 is formed wider than the fixing region of the semiconductor chip 8. Thereby, the semiconductor chip 8
The wire 10 and the like are covered on the upper and lower sides with an electromagnetic wave shielding part 5 to form an electromagnetic shield structure, thereby stabilizing characteristics.

【０２０３】（実施形態１９）図６６乃至図７０は本発
明の実施形態１９に係わる図であり、図６６は半導体集
積回路装置の断面図、図６７は半導体集積回路装置の平
面図、図６８は半導体集積回路装置の底面図、図６９は
半導体集積回路装置の実装時の状態を示す断面図、図７
０は実装された半導体集積回路装置を示す断面図であ
る。(Embodiment 19) FIGS. 66 to 70 are views related to Embodiment 19 of the present invention. FIG. 66 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device, FIG. 67 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device, and FIG. FIG. 69 is a bottom view of the semiconductor integrated circuit device, FIG. 69 is a cross-sectional view showing a state when the semiconductor integrated circuit device is mounted, and FIG.
Reference numeral 0 is a cross-sectional view showing the mounted semiconductor integrated circuit device.

【０２０４】本実施形態１９は、フレキシブル配線基板
４３を使用したＨＧＡタイプの電磁シールド構造半導体
集積回路装置である。The nineteenth embodiment is a semiconductor integrated circuit device of an HGA type electromagnetic shield structure using a flexible wiring board 43.

【０２０５】ＨＧＡタイプは、実装時穴部分に吸い上げ
られるソルダー（半田）の状態によって実装（接着）の
良否が目視確認できる構造である。本実施形態１９で
は、図６６に示すように、前記実施形態１８の構造（図
６３参照）の半導体集積回路装置１において、スルーホ
ール５９の下部分に半田ボールを設けない構造になって
いる。露出面側被覆部５２は絶縁性の接着テープ６５で
パッケージ２等に接続されている。The HGA type has a structure in which the quality of the mounting (adhesion) can be visually checked by the state of the solder (solder) sucked into the hole at the time of mounting. In the nineteenth embodiment, as shown in FIG. 66, in the semiconductor integrated circuit device 1 having the structure of the eighteenth embodiment (see FIG. 63), no solder ball is provided below the through hole 59. The exposed surface side covering portion 52 is connected to the package 2 and the like with an insulating adhesive tape 65.

【０２０６】本実施形態１９の半導体集積回路装置１を
実装基板１５に実装する場合、図６９に示すように、実
装基板１５上に半導体集積回路装置１を位置決めして載
置するとともに、実装基板１５の配線１６上に設けられ
た半田５６をリフローさせる。溶けた半田５６はスルー
ホール５９内を表面張力によって吸い上がり、その後の
温度降下による硬化によってスルーホール５９部分の配
線４５と実装基板１５の配線１６が半田５６によって固
定される。When the semiconductor integrated circuit device 1 of the nineteenth embodiment is mounted on the mounting substrate 15, the semiconductor integrated circuit device 1 is positioned and mounted on the mounting substrate 15 as shown in FIG. The solder 56 provided on the fifteen wirings 16 is reflowed. The melted solder 56 is sucked up by the surface tension in the through hole 59, and the wiring 45 of the through hole 59 and the wiring 16 of the mounting board 15 are fixed by the solder 56 by the subsequent hardening due to the temperature drop.

【０２０７】実装の良否は前記スルーホール５９内での
半田５６の吸い上がりの有無によって判断できる。The quality of the mounting can be determined by the presence or absence of the suction of the solder 56 in the through hole 59.

【０２０８】実装後、露出面側被覆部５２を図７０に示
すように折り返し、接着テープ６５で露出面側被覆部５
２をパッケージ２に固定する。これにより実装が完了す
る。After mounting, the exposed surface side covering portion 52 is folded back as shown in FIG.
2 is fixed to the package 2. This completes the implementation.

【０２０９】本実施形態１９も半導体チップ８の表裏面
側に配置された電磁波遮蔽部５によって電磁シールドさ
れることになる。The embodiment 19 is also electromagnetically shielded by the electromagnetic wave shielding portions 5 arranged on the front and back sides of the semiconductor chip 8.

【０２１０】図７１は本実施形態１９の変形例による半
導体集積回路装置を示す。同図は半導体集積回路装置に
おいて電磁波遮蔽部が開いた状態の模式的平面図であ
る。FIG. 71 shows a semiconductor integrated circuit device according to a modification of the nineteenth embodiment. FIG. 2 is a schematic plan view of the semiconductor integrated circuit device in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【０２１１】本実施形態では、フレキシブル配線基板４
３内に複数の半導体チップ８やチップ抵抗やチップコン
デンサ等からなる電子部品８５を搭載するとともに、こ
れら半導体チップ８や電子部品８５をパッケージ２で封
止した構造になり、いわゆるモジュール構造になってい
る。In this embodiment, the flexible wiring board 4
A plurality of semiconductor chips 8, electronic components 85 including chip resistors, chip capacitors, and the like are mounted in the device 3, and the semiconductor chips 8 and electronic components 85 are sealed in the package 2. I have.

【０２１２】本実施形態でも電磁シールド構造の半導体
集積回路装置とすることができる。In this embodiment also, a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure can be provided.

【０２１３】（実施形態２０）図７２乃至図７５は本発
明の実施形態２０に係わる図であり、図７２はＩＣカー
ドの模式的平面図、図７３はＩＣカードの模式的断面
図、図７４はＩＣカードの製造におけるフレキシブル配
線基板を示す平面図、図７５はＩＣカードの製造におい
て樹脂封止されたフレキシブル配線基板を示す平面図で
ある。(Embodiment 20) FIGS. 72 to 75 are diagrams related to Embodiment 20 of the present invention. FIG. 72 is a schematic plan view of an IC card, FIG. 73 is a schematic sectional view of an IC card, and FIG. FIG. 75 is a plan view showing a flexible wiring board in manufacturing an IC card, and FIG. 75 is a plan view showing a flexible wiring board sealed with resin in manufacturing an IC card.

【０２１４】本実施形態２０は本発明をＩＣカードに適
用した例を示すものである。本実施形態２０のＩＣカー
ドの構造について、その組み立て方法を説明することに
よって説明する。The twentieth embodiment shows an example in which the present invention is applied to an IC card. The structure of the IC card according to the twentieth embodiment will be described by describing an assembling method thereof.

【０２１５】本実施形態２０のＩＣカード８６の製造に
おいては、図７４に示すようなリードフレーム８７が使
用される。図７４はリードフレーム８７の枠とその枠と
の接続部分を切断除去した図である。また、各リード３
を接続するダム（タイバー）も切断除去した図である。In manufacturing the IC card 86 of the twentieth embodiment, a lead frame 87 as shown in FIG. 74 is used. FIG. 74 is a view in which a frame of the lead frame 87 and a connecting portion between the frame are cut and removed. In addition, each lead 3
FIG. 2 is a view in which a dam (tie bar) connecting the stake is also cut and removed.

【０２１６】すなわち、リードフレーム８７は、図示し
ない枠の中央にリードパターン８８を有するとともに、
その両側に前記リードパターン８８を被う大きさの矩形
状の電磁波遮蔽部５を有している。That is, the lead frame 87 has a lead pattern 88 at the center of a frame (not shown).
On both sides thereof, there is provided a rectangular electromagnetic wave shielding portion 5 having a size covering the lead pattern 88.

【０２１７】前記リードパターン８８の両側には、前記
電磁波遮蔽部５の長さと略一致するような長いグランド
リード１７がそれぞれ配置されている。そして、このグ
ランドリード１７と電磁波遮蔽部５はグランド連結リー
ド６によって連結されている。On both sides of the lead pattern 88, long ground leads 17 which are approximately equal to the length of the electromagnetic wave shielding portion 5 are arranged. The ground lead 17 and the electromagnetic wave shield 5 are connected by the ground connection lead 6.

【０２１８】また、前記リードパターン８８によるリー
ド群は、図７４に示すように、左側に偏って配置されて
いる。リード３は前記一対のグランドリード１７の間に
グランドリード１７に平行に複数配置されている。これ
らのリード３は、各リード３およびリード３とグランド
リード１７をダム（タイバー）８９で接続されている。The lead group formed by the lead pattern 88 is arranged to be deviated leftward as shown in FIG. A plurality of leads 3 are arranged between the pair of ground leads 17 in parallel with the ground leads 17. These leads 3 are connected to each of the leads 3 and the ground lead 17 by a dam (tie bar) 89.

【０２１９】リード３の右側部分はそのまま直進しある
いは屈曲して、半導体チップ搭載領域である空間領域２
７に先端を臨ませている。また、前記グランドリード１
７からもリード３が延在し、その先端を空間領域２７の
周囲に臨ませている。The right side portion of the lead 3 goes straight or bends as it is to form a space region 2 which is a semiconductor chip mounting region.
The tip is facing 7. In addition, the ground lead 1
The lead 3 also extends from 7, and its tip faces the periphery of the space area 27.

【０２２０】組立においては、枠を有するリードフレー
ムの状態で行うことが作業性が良いが、ここでは枠を除
去した状態で説明する。[0220] In the assembling, it is good to work in the state of a lead frame having a frame, but the following description will be made with the frame removed.

【０２２１】図７４に示すように、リードフレーム８７
のリード３等の裏側に絶縁テープ９０を張り付け、前記
空間領域２７の周囲のリード３部分を一体化する。As shown in FIG. 74, the lead frame 87
An insulating tape 90 is attached to the back side of the lead 3 or the like, and the lead 3 around the space area 27 is integrated.

【０２２２】つぎに、前記空間領域２７の絶縁テープ９
０上に半導体チップ８を固定する。また、半導体チップ
８の図示しない電極と前記半導体チップ８の周囲に臨む
リード３の先端を導電性のワイヤ１０で接続する。この
リード３と電極との接続は他の接続手段でもよい。Next, the insulating tape 9 in the space 27
The semiconductor chip 8 is fixed on the “0”. In addition, an electrode (not shown) of the semiconductor chip 8 is connected to an end of the lead 3 facing the periphery of the semiconductor chip 8 by a conductive wire 10. The connection between the lead 3 and the electrode may be another connection means.

【０２２３】つぎに、図７５に示すように、前記一対の
電磁波遮蔽部５間のリードパターン８８部分をトランス
ファモールドによって封止してパッケージ２を形成す
る。パッケージ２の左端は部分的に封止が行われず、各
リード３がパッケージ２から突出するようになる。これ
らの突出したリード部分は、ＩＣカード９１の外部端子
９２となる。Next, as shown in FIG. 75, the package 2 is formed by sealing the portion of the lead pattern 88 between the pair of electromagnetic wave shielding portions 5 by transfer molding. The left end of the package 2 is not partially sealed, and each lead 3 projects from the package 2. These protruding lead portions serve as external terminals 92 of the IC card 91.

【０２２４】また、パッケージ２の前記外部端子９２が
設けられない３辺には突条９３が形成され、前記突条９
３の内側は一段低くなる。また、前記電磁波遮蔽部５の
一方はパッケージ２の上面側に折り返され、他方はパッ
ケージ２の下面側に折り返されるが、グランド連結リー
ド６が折り返される部分には突条９３が設けられない。Also, on the three sides of the package 2 where the external terminals 92 are not provided, ridges 93 are formed.
The inside of 3 becomes lower by one step. In addition, one of the electromagnetic wave shielding portions 5 is folded back to the upper surface side of the package 2 and the other is folded back to the lower surface side of the package 2, but no protrusion 93 is provided at a portion where the ground connection lead 6 is folded.

【０２２５】つぎに、前記電磁波遮蔽部５の一方はパッ
ケージ２の上面側に折り返され、他方はパッケージ２の
下面側に折り返される。そして、各電磁波遮蔽部５は絶
縁テープ９４を介して前記パッケージ２の一段低い面に
張り付けられる。前記絶縁テープ９４を介在させる結
果、前記電磁波遮蔽部５の表面と突条９３の表面は略同
一面となる。Next, one of the electromagnetic wave shielding portions 5 is folded back to the upper surface side of the package 2 and the other is folded back to the lower surface side of the package 2. Then, each electromagnetic wave shielding portion 5 is attached to a lower surface of the package 2 via an insulating tape 94. As a result of the interposition of the insulating tape 94, the surface of the electromagnetic wave shielding portion 5 and the surface of the ridge 93 are substantially flush.

【０２２６】また、外部端子９２は両面の電磁波遮蔽部
５で被われる。電磁波遮蔽部５はグランドリード１７に
接続されることから、ＩＣカード９１は電磁シールド構
造となる。The external terminals 92 are covered with the electromagnetic wave shielding portions 5 on both sides. Since the electromagnetic wave shielding unit 5 is connected to the ground lead 17, the IC card 91 has an electromagnetic shielding structure.

【０２２７】ＩＣカードは、リードフレーム以外にフレ
キシブル配線基板を用いる構造でもよい。また、外部端
子はリード以外にコネクタや非接触で信号をやりとりす
るアンテナ等の構造でもよい。The IC card may have a structure using a flexible wiring board other than the lead frame. The external terminal may be a structure other than the lead, such as a connector or an antenna for exchanging signals without contact.

【０２２８】図７６は本実施形態２０の変形例によるＩ
Ｃカードの製造におけるフレキシブル配線基板を示す平
面図である。FIG. 76 is a view showing a modification of the twentieth embodiment according to the present invention.
It is a top view which shows the flexible wiring board in manufacture of a C card.

【０２２９】本実施形態では、フレキシブル配線基板４
３を用い、このフレキシブル配線基板４３をパターン化
するとともに、所定表面に導体層を形成してリード３，
グランドリード１７，電磁波遮蔽部５，グランド連結リ
ード６等を形成している。また、外部端子としてはコネ
クタ９５を使用している。In this embodiment, the flexible wiring board 4
3, the flexible wiring board 43 is patterned, and a conductor layer is formed on a predetermined surface to form a lead 3,
The ground lead 17, the electromagnetic wave shielding portion 5, the ground connection lead 6, and the like are formed. Further, a connector 95 is used as an external terminal.

【０２３０】また、フレキシブル配線基板４３の表面に
は、複数の半導体チップ８が搭載されているとともに、
複数の電子部品８５も搭載されている。On the surface of the flexible wiring board 43, a plurality of semiconductor chips 8 are mounted.
A plurality of electronic components 85 are also mounted.

【０２３１】図示はしないが、半導体チップ８や電子部
品８５等を搭載したリード（配線）パターン８８部分を
トランスファモールドによって封止し、この封止体に両
側の電磁波遮蔽部５をそれぞれ逆方向に折り返して接着
することによってＩＣカードを製造することができる。Although not shown, the portion of the lead (wiring) pattern 88 on which the semiconductor chip 8 and the electronic components 85 and the like are mounted is sealed by transfer molding, and the electromagnetic wave shielding portions 5 on both sides are respectively sealed in the sealed body in opposite directions. An IC card can be manufactured by folding and bonding.

【０２３２】このＩＣカードも両面をグランドリードに
接続する電磁波遮蔽部５が被われることから電磁シール
ド構造となり、安定した動作が補償されることになる。This IC card also has an electromagnetic shield structure because the electromagnetic wave shield 5 connecting both sides to the ground lead is covered, and stable operation is compensated.

【０２３３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、本発明はＴＣＰ等他にも同様の機能をもつ様々な形
態のＩＣパッケージやモジュール、ＩＣカードが考えら
れると共に、様々な方法で同様の構造のＩＣパッケージ
やモジュール、ＩＣカードが製造可能である。また、実
施例では電磁波遮蔽部と半導体チップのグランドピンを
共用しているが各々独立したグランドピンでもよい。こ
の場合、実装基板内のグランド配線を分け、ノイズフィ
ルター等の体策をする等により効果が大きくなる。ま
た、複数の方法を併用してもよい。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, for example, the present invention can consider various forms of IC packages and modules and IC cards having similar functions in addition to TCP and the like, and IC packages and modules having similar structures in various ways. An IC card can be manufactured. Further, in the embodiment, the ground pin of the semiconductor chip is shared with the electromagnetic wave shielding portion. However, independent ground pins may be used. In this case, the effect is increased by dividing the ground wiring in the mounting board and taking measures such as a noise filter. Further, a plurality of methods may be used in combination.

【０２３４】[0234]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【０２３５】（１）半導体集積回路装置は半導体チップ
を被う封止体の上面側および下面側を導電体からなる電
磁波遮蔽部で被う構造になっていることから、封止体外
部からの電磁波が封止体内部に入り込むことを防ぎ、そ
れによって内部のＩＣ等の誤作動を低減させることがで
き安定した動作となる。(1) Since the semiconductor integrated circuit device has a structure in which the upper surface and the lower surface of the encapsulant covering the semiconductor chip are covered with an electromagnetic wave shielding portion made of a conductive material, the semiconductor integrated circuit device can be protected from outside the encapsulant. Electromagnetic waves are prevented from entering the inside of the sealing body, whereby malfunctions of internal ICs and the like can be reduced, and stable operation can be achieved.

【０２３６】（２）半導体集積回路装置は半導体チップ
を被う封止体の上面側および下面側を導電体からなる電
磁波遮蔽部で被う構造になっていることから、封止体内
部から発生する電磁波を外部に漏出することを防ぎ、他
の電子機器等の誤作動等を低減させることができる。(2) Since the semiconductor integrated circuit device has a structure in which the upper surface and the lower surface of the encapsulant covering the semiconductor chip are covered with an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor, the semiconductor integrated circuit device is generated from the inside of the encapsulant. Leakage of the electromagnetic wave to the outside can be prevented, and malfunctions of other electronic devices and the like can be reduced.

【０２３７】（３）半導体チップは前記電磁波遮蔽部の
一面に固定する構造では封止体の厚さが薄くなり、半導
体集積回路装置の薄型化が達成できる。(3) In the structure in which the semiconductor chip is fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion, the thickness of the sealing body is reduced, and the thickness of the semiconductor integrated circuit device can be reduced.

【０２３８】（４）封止体側面を前記側面用電磁遮蔽部
で被う構造では、封止体の側面方向の電磁波の遮蔽も可
能となり、電磁波遮蔽効果は一層効果的に行われること
になる。(4) In the structure in which the side surface of the sealing body is covered with the electromagnetic shielding portion for the side surface, the electromagnetic wave can be shielded in the side direction of the sealing body, and the electromagnetic wave shielding effect is more effectively performed. .

【０２３９】（５）封止体の同一面に設けられる前記電
磁遮蔽板を領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成する
構造では、半導体集積回路装置の製造に用いるリードフ
レームの小型化が図れる。(5) In the structure in which the electromagnetic shielding plate provided on the same surface of the sealing body is composed of a plurality of electromagnetic shielding portions having divided regions, the size of a lead frame used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device can be reduced. I can do it.

【０２４０】（６）電磁波遮蔽部の一縁に突片を設けた
構造では、前記突片を折り曲げて封止体に電磁波遮蔽部
を固定できることから、簡単に電磁波遮蔽部を封止体に
取り付けることができ組立が容易になる。(6) In the structure in which the protruding piece is provided at one edge of the electromagnetic wave shielding part, the protruding piece can be bent and the electromagnetic wave shielding part can be fixed to the sealing body, so that the electromagnetic wave shielding part is easily attached to the sealing body. Can be assembled easily.

【０２４１】（７）電磁波遮蔽部の一部を放熱部にする
構造では、封止体内の半導体チップで発生した熱をグラ
ンド連結リード，電磁波遮蔽部を介して外部に効率的に
放散することができ、半導体集積回路装置の安定動作が
達成できる。(7) In the structure in which a part of the electromagnetic wave shielding part is used as a heat radiating part, heat generated in the semiconductor chip in the sealing body can be efficiently radiated to the outside through the ground connection lead and the electromagnetic wave shielding part. As a result, a stable operation of the semiconductor integrated circuit device can be achieved.

【０２４２】（８）封止体に塗布硬化によって電磁波遮
蔽部を形成する構造では、電磁波遮蔽部の製造が容易に
なる。(8) In the structure in which the electromagnetic wave shielding portion is formed by coating and curing the sealing body, the manufacture of the electromagnetic wave shielding portion is facilitated.

【０２４３】（９）実装基板のグランド配線に接続され
るグランドリードを有し封止体に電磁波遮蔽部を重ね合
わせる部品は、封止体に容易に前記部品を取り付けるこ
とができ、簡単に電磁シールド構造半導体集積回路装置
を製造することができる。(9) A component having a ground lead connected to the ground wiring of the mounting board and having the electromagnetic wave shielding portion superimposed on the sealing member can easily attach the component to the sealing member, and can easily perform the electromagnetic operation. A semiconductor integrated circuit device having a shield structure can be manufactured.

【０２４４】（１０）フレキシブル配線基板を用いた電
磁シールド構造の半導体集積回路装置の場合は、組立が
容易になり、製造コストの低減が達成できる。(10) In the case of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure using a flexible wiring board, assembly is facilitated and manufacturing cost can be reduced.

【０２４５】（１１）透光性のフレキシブル配線基板を
使用したＢＧＡ型半導体集積回路装置では、半導体集積
回路装置を電磁シールド構造とすることができるととも
に、これまでの通常ＢＧＡでは不可能だった半田付け状
態を確認できることができ、実装の信頼性を高めること
ができる。(11) In a BGA-type semiconductor integrated circuit device using a light-transmitting flexible wiring board, the semiconductor integrated circuit device can have an electromagnetic shield structure, and a solder that has not been possible with a conventional BGA. The mounting state can be confirmed, and the reliability of mounting can be improved.

【０２４６】（１２）フレキシブル配線基板における外
部端子をスルーホール構造とし、前記スルーホールの内
側および縁に設けた配線を利用して実装基板の配線に設
けた半田を吸い上げる構造では、前記スルーホールを通
して実装時溶けて吸い上がる半田を目視できることから
実装の良否を判断でき、実装の信頼性を高めることがで
きる。(12) In a structure in which the external terminals of the flexible wiring board have a through hole structure, and the wiring provided on the inside and the edge of the through hole is used to suck up the solder provided on the wiring of the mounting board, Since the solder that is melted and sucked up at the time of mounting can be visually observed, the quality of the mounting can be determined, and the reliability of the mounting can be improved.

【０２４７】（１３）ＩＣカードの上下面に電磁波遮蔽
部を設けた構造では、外部からの電磁波を遮蔽すること
ができ、安定した動作をする性能の高いものとなる。ま
た、前記電磁波遮蔽部により、ＩＣカードの外部に不要
輻射を発振しないことから、周囲の電子装置の誤動作を
引き起こすこともない。(13) In the structure in which the electromagnetic wave shielding portions are provided on the upper and lower surfaces of the IC card, external electromagnetic waves can be shielded, and the performance of stable operation is high. In addition, since the electromagnetic wave shielding unit does not oscillate unnecessary radiation to the outside of the IC card, malfunction of surrounding electronic devices does not occur.

【０２４８】（１４）半導体集積回路装置をリードフレ
ームを用いて製造する場合、前記リードフレーム部分に
折り返し構造の電磁波遮蔽部が設けられていることか
ら、封止体後あるいは半導体チップの裏面側に前記電磁
波遮蔽部を重ね合わせることによって簡単に電磁シール
ド構造の半導体集積回路装置を製造することができる。(14) When a semiconductor integrated circuit device is manufactured using a lead frame, an electromagnetic wave shielding portion having a folded structure is provided on the lead frame portion. A semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured by overlapping the electromagnetic wave shielding portions.

【０２４９】（１５）半導体集積回路装置をフレキシブ
ル配線基板を用いて製造する場合、前記フレキシブル配
線基板部分に折り返し構造の電磁波遮蔽部が設けられて
いることから、封止体後あるいは半導体チップの裏面側
に前記電磁波遮蔽部を重ね合わせることによって簡単に
電磁シールド構造の半導体集積回路装置を製造すること
ができる。(15) When a semiconductor integrated circuit device is manufactured using a flexible wiring board, an electromagnetic wave shielding portion having a folded structure is provided in the flexible wiring board portion, so that the back surface of the semiconductor chip or the sealing body is provided. A semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured by overlapping the electromagnetic wave shield on the side.

【０２５０】（１６）ＩＣカードをリードフレームを用
いて製造する場合、前記リードフレーム部分にＩＣカー
ドの表裏面を形成するとともに電磁波遮蔽部となる折り
返し部分が設けられていることから、封止体後あるいは
半導体チップの裏面側に前記電磁波遮蔽部を重ね合わせ
ることによって簡単に電磁シールド構造のＩＣカードを
製造することができる。(16) When manufacturing an IC card using a lead frame, since the front and back surfaces of the IC card are formed on the lead frame portion and a folded portion serving as an electromagnetic wave shielding portion is provided, a sealing body is provided. An IC card having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured by overlapping the electromagnetic wave shielding portion later or on the back surface side of the semiconductor chip.

【０２５１】（１７）ＩＣカードをフレキシブル配線基
板を用いて製造する場合、前記フレキシブル配線基板部
分にＩＣカードの表裏面を形成するとともに電磁波遮蔽
部となる折り返し部分が設けられていることから、封止
体後あるいは半導体チップの裏面側に前記電磁波遮蔽部
を重ね合わせることによって簡単に電磁シールド構造の
ＩＣカードを製造することができる。(17) In the case where an IC card is manufactured using a flexible wiring board, the flexible wiring board is provided with a folded portion serving as an electromagnetic wave shielding portion while forming the front and back surfaces of the IC card. An IC card having an electromagnetic shield structure can be easily manufactured by overlapping the electromagnetic wave shielding portion after the stopper or on the back surface side of the semiconductor chip.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施形態１である半導体集積回路装置
の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本実施形態１の半導体集積回路装置の正面図で
ある。FIG. 2 is a front view of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

【図３】本実施形態１の半導体集積回路装置の斜視図で
ある。FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

【図４】本実施形態１の半導体集積回路装置において電
磁遮蔽部が開いた状態を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a state where an electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment;

【図５】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造に用
いるリードフレーム等を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a lead frame and the like used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment.

【図６】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造にお
いてダム切断が終了したリードフレームを示す平面図で
ある。FIG. 6 is a plan view showing the lead frame after dam cutting has been completed in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment.

【図７】本実施形態１の半導体集積回路装置の製造にお
いて電磁遮蔽部を重ねかつリード成形を終了したリード
フレームを示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a lead frame on which electromagnetic shielding portions have been overlapped and lead molding has been completed in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment.

【図８】本実施形態１の半導体集積回路装置の実装状態
を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a mounted state of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

【図９】本実施形態１の変形例である半導体集積回路装
置の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device according to a modification of the first embodiment.

【図１０】本実施形態２の半導体集積回路装置の平面図
である。FIG. 10 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment.

【図１１】本実施形態２の半導体集積回路装置の断面図
である。FIG. 11 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment.

【図１２】本実施形態２の半導体集積回路装置の製造に
用いるリードフレームの平面図である。FIG. 12 is a plan view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment.

【図１３】本実施形態２の半導体集積回路装置の製造に
用いるリードフレームの側面図である。FIG. 13 is a side view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment.

【図１４】本実施形態３の半導体集積回路装置の実装状
態を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing a mounted state of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment.

【図１５】本実施形態３の半導体集積回路装置の実装状
態を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a mounted state of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment.

【図１６】本実施形態４の半導体集積回路装置の断面図
である。FIG. 16 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to a fourth embodiment.

【図１７】本実施形態５の半導体集積回路装置の断面図
である。FIG. 17 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to a fifth embodiment.

【図１８】本実施形態５の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing a state where an electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 5;

【図１９】本実施形態５の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す側面図である。FIG. 19 is a side view showing a state where an electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 5;

【図２０】本実施形態６の半導体集積回路装置の斜視図
である。FIG. 20 is a perspective view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 6;

【図２１】本実施形態６の半導体集積回路装置の正面図
である。FIG. 21 is a front view of a semiconductor integrated circuit device according to a sixth embodiment.

【図２２】本実施形態７の半導体集積回路装置の平面図
である。FIG. 22 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 7;

【図２３】本実施形態７の半導体集積回路装置において
電磁遮蔽部が開かれた状態を示す平面図である。FIG. 23 is a plan view showing a state where an electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 7;

【図２４】本実施形態８の半導体集積回路装置の断面図
である。FIG. 24 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 8;

【図２５】本発明の実施形態９である半導体集積回路装
置の斜視図である。FIG. 25 is a perspective view of a semiconductor integrated circuit device according to a ninth embodiment of the present invention;

【図２６】本実施形態９の半導体集積回路装置の正面図
である。FIG. 26 is a front view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 9;

【図２７】本実施形態１０の半導体集積回路装置の斜視
図である。FIG. 27 is a perspective view of a semiconductor integrated circuit device according to the tenth embodiment.

【図２８】本実施形態１０の半導体集積回路装置の正面
図である。FIG. 28 is a front view of the semiconductor integrated circuit device according to the tenth embodiment.

【図２９】本実施形態１１の電磁シールド構造半導体集
積回路装置の正面図である。FIG. 29 is a front view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to Embodiment 11;

【図３０】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の平面図である。FIG. 30 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図３１】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の断面図である。FIG. 31 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図３２】本発明の実施形態１１の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の正面図である。FIG. 32 is a front view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図３３】本発明の実施形態１１の電磁波遮蔽部付キャ
ップの正面図である。FIG. 33 is a front view of a cap with an electromagnetic shielding portion according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図３４】本発明の実施形態１１の電磁波遮蔽部付キャ
ップの平面図である。FIG. 34 is a plan view of a cap with an electromagnetic wave shielding portion according to Embodiment 11 of the present invention.

【図３５】本実施形態１２の電磁シールド構造半導体集
積回路装置の正面図である。FIG. 35 is a front view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to Embodiment 12;

【図３６】本発明の実施形態１２の電磁シールド構造半
導体集積回路装置の平面図である。FIG. 36 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic shield structure according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図３７】本発明の実施形態１１の上キャップおよび下
キャップを示す正面図である。FIG. 37 is a front view showing an upper cap and a lower cap according to the eleventh embodiment of the present invention.

【図３８】本発明の実施形態１１の上キャップを示す平
面図である。FIG. 38 is a plan view showing an upper cap of the eleventh embodiment of the present invention.

【図３９】本発明の実施形態１１の下キャップを示す平
面図である。FIG. 39 is a plan view showing a lower cap according to the eleventh embodiment of the present invention.

【図４０】本発明の実施形態１２の半導体集積回路装置
の断面図である。FIG. 40 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 12 of the present invention.

【図４１】本発明の実施形態１３の半導体集積回路装置
の断面図である。FIG. 41 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 13 of the present invention.

【図４２】本実施形態１３の半導体集積回路装置の製造
に用いられるリードフレームの平面図である。FIG. 42 is a plan view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device of the thirteenth embodiment.

【図４３】本実施形態１３の半導体集積回路装置の製造
に用いられるリードフレームの側面図である。FIG. 43 is a side view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 13;

【図４４】本実施形態１４の半導体集積回路装置の断面
図である。FIG. 44 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14;

【図４５】本実施形態１４の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部を開いた状態の断面図である。FIG. 45 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14 in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図４６】本実施形態１４の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部を閉じかけた状態の断面図である。FIG. 46 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14 in a state where an electromagnetic wave shielding unit is closed.

【図４７】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
に用いるフレキシブル配線基板を示す平面図である。FIG. 47 is a plan view showing a flexible wiring board used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 14;

【図４８】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において絶縁性樹脂が形成されたフレキシブル配線基板
を示す平面図である。FIG. 48 is a plan view showing a flexible wiring board on which an insulating resin has been formed in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 14;

【図４９】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において電磁波遮蔽部が折り返えされたフレキシブル配
線基板を示す平面図である。FIG. 49 is a plan view showing a flexible wiring board with an electromagnetic wave shielding portion folded back in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device of the fourteenth embodiment.

【図５０】本実施形態１４の半導体集積回路装置の製造
において半田ボールが形成されたフレキシブル配線基板
を示す平面図である。FIG. 50 is a plan view showing a flexible wiring board on which solder balls are formed in the manufacture of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14;

【図５１】本実施形態１４の半導体集積回路装置の底面
図である。FIG. 51 is a bottom view of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14;

【図５２】本実施形態１４の半導体集積回路装置の実装
状態を示す断面図である。FIG. 52 is a cross-sectional view showing a mounted state of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 14;

【図５３】本実施形態１５の半導体集積回路装置の断面
図である。FIG. 53 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 15;

【図５４】本実施形態１５の半導体集積回路装置の断面
図である。FIG. 54 is a sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 15;

【図５５】本発明の実施形態１６である半導体集積回路
装置の実装状態を示す断面図である。FIG. 55 is a cross-sectional view showing a mounted state of a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 16 of the present invention;

【図５６】本実施形態１６の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が開かれた状態を示す断面図である。FIG. 56 is a cross-sectional view showing a state where the electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 16;

【図５７】本実施形態１６の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が閉じられかけた状態を示す断面図であ
る。FIG. 57 is a cross-sectional view showing a state where the electromagnetic shield is almost closed in the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 16;

【図５８】本発明の実施形態１７である半導体集積回路
装置を示す断面図である。FIG. 58 is a sectional view showing a semiconductor integrated circuit device according to a seventeenth embodiment of the present invention;

【図５９】本実施形態１７の半導体集積回路装置の製造
に用いるフレキシブル配線基板の平面図である。FIG. 59 is a plan view of a flexible wiring board used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 17;

【図６０】本実施形態１７の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が開かれた状態を示す断面図である。FIG. 60 is a cross-sectional view showing a state where the electromagnetic shield is opened in the semiconductor integrated circuit device of Embodiment 17;

【図６１】本実施形態１７の半導体集積回路装置におい
て電磁遮蔽部が閉じられかけた状態を示す側面図であ
る。FIG. 61 is a side view showing a state where the electromagnetic shield is almost closed in the semiconductor integrated circuit device of the seventeenth embodiment.

【図６２】本発明の実施形態１８である半導体集積回路
装置を示す断面図である。FIG. 62 is a sectional view showing a semiconductor integrated circuit device according to an eighteenth embodiment of the present invention;

【図６３】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の断面図である。FIG. 63 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 18 in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６４】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の平面図である。FIG. 64 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device of the eighteenth embodiment in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６５】本実施形態１８の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の底面図である。FIG. 65 is a bottom view of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 18 in a state where the electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６６】本発明の実施形態１９である半導体集積回路
装置において電磁波遮蔽部が開いた状態の断面図であ
る。FIG. 66 is a cross-sectional view of a semiconductor integrated circuit device according to a nineteenth embodiment of the present invention in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６７】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の平面図である。FIG. 67 is a plan view of the semiconductor integrated circuit device of the nineteenth embodiment in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６８】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が開いた状態の底面図である。FIG. 68 is a bottom view of the semiconductor integrated circuit device according to the nineteenth embodiment in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図６９】本実施形態１９の半導体集積回路装置におい
て電磁波遮蔽部が閉じかけた状態の断面図である。FIG. 69 is a cross-sectional view of the semiconductor integrated circuit device of the nineteenth embodiment in a state where the electromagnetic wave shielding unit is closed.

【図７０】本実施形態１９の半導体集積回路装置の実装
状態を示す断面図である。FIG. 70 is a cross-sectional view showing a mounted state of the semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 19;

【図７１】本実施形態１９の変形例による半導体集積回
路装置において電磁波遮蔽部が開いた状態の模式的平面
図である。FIG. 71 is a schematic plan view of a semiconductor integrated circuit device according to a modified example of Embodiment 19 in a state where an electromagnetic wave shielding unit is opened.

【図７２】本実施形態２０のＩＣカードの模式的平面図
である。FIG. 72 is a schematic plan view of an IC card according to Embodiment 20.

【図７３】本実施形態２０のＩＣカードの模式的断面図
である。FIG. 73 is a schematic sectional view of the IC card of Embodiment 20;

【図７４】本実施形態２０のＩＣカードの製造における
フレキシブル配線基板を示す平面図である。FIG. 74 is a plan view showing a flexible wiring board in manufacturing the IC card of Embodiment 20;

【図７５】本実施形態２０のＩＣカードの製造において
樹脂封止されたフレキシブル配線基板を示す平面図であ
る。FIG. 75 is a plan view showing a flexible wiring board sealed with resin in manufacturing the IC card of Embodiment 20;

【図７６】本実施形態２０の変形例によるＩＣカードの
製造におけるフレキシブル配線基板を示す平面図であ
る。FIG. 76 is a plan view showing a flexible wiring board in manufacturing an IC card according to a modification of the twentieth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…半導体集積回路装置、２…封止体（パッケージ）、
３…リード、４…接着剤、５…電磁波遮蔽部、６…グラ
ンド連結リード、７…ダイパット部、８…半導体チッ
プ、９…接着剤、１０…ワイヤ、１５…実装基板、１６
…配線、１７…グランドリード、２０…グランド配線、
２２…リードフレーム、２３…リードフレーム枠、２４
…ダム、２５…タブ吊りリード、２６…吊りリード、２
７…空間領域、２８…絶縁テープ、３０…グランド配
線、３１…側面用電磁遮蔽部、３２…リード対面部、３
３…突片、３４…小領域用電磁波遮蔽部、３５…放熱
部、３６…導電性樹脂、３７…導電性樹脂、４０…電磁
波遮蔽板、４１…半田、４３…フレキシブル配線基板、
４４…絶縁性テープ、４５…配線、４６…半田ボール、
４７…バンプ電極、４８…基板部、４９…デバイスホー
ル、５０…絶縁樹脂、５１…絶縁性樹脂、５２…露出面
側被覆部、５３…実装面側被覆部、５４…吊り部、５５
…半田ボール取付け部、５６…半田、５７…折返部、５
８…接着テープ、５９…スルーホール、６５…接着テー
プ、６６…バンプ電極、７０…電磁波遮蔽部付キャッ
プ、７１…グランドリード、７２…上キャップ、７３…
下キャップ、７４，７５…接着剤、７６，７７…グラン
ドリード、７８…支持キャップ、７９…絶縁性テープ、
８０…スリット、８１…接着剤、８５…電子部品、８６
…ＩＣカード、８７…リードフレーム、８８…リードパ
ターン、８９…ダム、９０…絶縁テープ、９２…外部端
子、９３…突条、９４…絶縁テープ、９５…コネクタ。1. Semiconductor integrated circuit device 2. Sealed body (package),
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Lead, 4 ... Adhesive, 5 ... Electromagnetic shielding part, 6 ... Ground connection lead, 7 ... Die pad part, 8 ... Semiconductor chip, 9 ... Adhesive, 10 ... Wire, 15 ... Mounting board, 16
... wiring, 17 ... ground lead, 20 ... ground wiring,
22 ... lead frame, 23 ... lead frame frame, 24
... dam, 25 ... tab suspension lead, 26 ... suspension lead, 2
7 ... space area, 28 ... insulating tape, 30 ... ground wiring, 31 ... side electromagnetic shielding part, 32 ... lead facing part, 3
3 ... projecting piece, 34 ... small area electromagnetic wave shielding part, 35 ... heat radiation part, 36 ... conductive resin, 37 ... conductive resin, 40 ... electromagnetic wave shielding plate, 41 ... solder, 43 ... flexible wiring board,
44: insulating tape, 45: wiring, 46: solder ball,
47 bump electrode, 48 substrate part, 49 device hole, 50 insulating resin, 51 insulating resin, 52 exposed surface side covering part, 53 mounting surface side covering part, 54 hanging part, 55
... Solder ball mounting part, 56 ... Solder, 57 ... Folding part, 5
Reference numeral 8: adhesive tape, 59: through hole, 65: adhesive tape, 66: bump electrode, 70: cap with electromagnetic wave shielding part, 71: ground lead, 72: upper cap, 73 ...
Lower cap, 74, 75 adhesive, 76, 77 ground lead, 78 support cap, 79 insulating tape,
80: slit, 81: adhesive, 85: electronic component, 86
... IC card, 87 ... lead frame, 88 ... lead pattern, 89 ... dam, 90 ... insulating tape, 92 ... external terminal, 93 ... protrusion, 94 ... insulating tape, 95 ... connector.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 封止体と、この封止体の内外に亘って延
在するリードと、前記封止体内に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的に
接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置であっ
て、前記封止体の上面側または上面側と下面側を前記リ
ードのうちのグランドリードにグランド連結リードを介
して連なる導電体からなる電磁波遮蔽部で被ってなるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。1. A sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, a semiconductor chip disposed in the sealing body, and electrically connecting an electrode of the semiconductor chip and the lead. A semiconductor integrated circuit device having a connecting means for connecting the upper surface side or the upper surface side and the lower surface side of the sealing body to a ground lead among the leads via a ground connection lead. A semiconductor integrated circuit device characterized by being covered by: 【請求項２】 前記半導体チップは前記電磁波遮蔽部の
一面に固定されるとともに、前記電磁波遮蔽部の一面に
は絶縁テープを介してリードが固定され、前記電磁波遮
蔽部の一面側に前記封止体が設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。2. The semiconductor chip is fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion, a lead is fixed to one surface of the electromagnetic wave shielding portion via an insulating tape, and the sealing is provided to one surface side of the electromagnetic wave shielding portion. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a body is provided. 【請求項３】 前記封止体の同一面側の前記電磁遮蔽板
は領域を分けた複数枚の電磁遮蔽部で構成されているこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体
集積回路装置。3. The semiconductor according to claim 1, wherein the electromagnetic shielding plate on the same surface side of the sealing body is constituted by a plurality of electromagnetic shielding portions having divided regions. Integrated circuit device. 【請求項４】 前記電磁遮蔽部の一縁に突片が設けら
れ、この突片部分を前記封止体の反対面側にまで変形延
在させて前記電磁遮蔽板を前記封止体に固定することを
特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載
の半導体集積回路装置。4. A protruding piece is provided at one edge of the electromagnetic shielding portion, and the protruding piece portion is deformed and extended to the opposite surface side of the sealing body to fix the electromagnetic shielding plate to the sealing body. 4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein: 【請求項５】 前記電磁遮蔽部は一部で屈曲して放熱部
を構成していることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。5. The heat radiation part according to claim 1, wherein the electromagnetic shielding part is partially bent to form a heat radiation part.
The semiconductor integrated circuit device according to any one of the above. 【請求項６】 前記電磁波遮蔽部は前記グランド連結リ
ードから独立して設けられ、前記グランド連結リードは
前記電磁波遮蔽部に接続されていることを特徴とする請
求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体集積
回路装置。6. The electromagnetic wave shielding part is provided independently of the ground connection lead, and the ground connection lead is connected to the electromagnetic wave shielding part. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1. 【請求項７】 封止体と、この封止体の内外に亘って延
在するリードと、前記封止体内に配置される半導体チッ
プと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的に
接続する接続手段とを有する半導体集積回路装置であっ
て、前記封止体の上面側または上面側と下面側に重ねら
れる導電体からなる電磁波遮蔽部を有するとともに、前
記電磁波遮蔽部は実装基板のグランド配線に接続される
グランドリードを有していることを特徴とする半導体集
積回路装置。7. A sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, a semiconductor chip disposed in the sealing body, and electrically connecting an electrode of the semiconductor chip and the lead. A semiconductor integrated circuit device having an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor superposed on an upper surface side or an upper surface side and a lower surface side of the sealing body, and the electromagnetic wave shielding portion is connected to a ground of a mounting substrate. A semiconductor integrated circuit device having a ground lead connected to a wiring. 【請求項８】 表面に配線（リード）を有するフレキシ
ブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固定され
るとともに電極が前記配線に接続されてなる半導体チッ
プと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外部端子
とを有する半導体集積回路装置であって、前記フレキシ
ブル配線基板部分には、前記半導体チップ等に折り返し
て重ねられる折返部が一つ以上形成され、前記折返部の
一面には配線を形成する導体層によって形成されかつグ
ランドリードに連結される電磁波遮蔽部が形成されてい
ることを特徴とする半導体集積回路装置。8. A flexible wiring board having wirings (leads) on a surface, a semiconductor chip fixed to the flexible wiring board and having electrodes connected to the wirings, and external terminals provided on the flexible wiring board. A flexible circuit board portion, wherein the flexible wiring board portion is formed with one or more folded portions that are folded back on the semiconductor chip or the like, and a conductor layer that forms wiring on one surface of the folded portion. A semiconductor integrated circuit device, wherein an electromagnetic wave shielding portion formed by the above and connected to the ground lead is formed. 【請求項９】 前記フレキシブル配線基板は前記外部端
子を目視できるような透明な絶縁性テープで形成されて
いることを特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路
装置。9. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8, wherein said flexible wiring board is formed of a transparent insulating tape so that said external terminals can be viewed. 【請求項１０】 前記外部端子はスルーホールの内側お
よび縁に設けた配線によって形成され、前記スルーホー
ルは実装時溶けて吸い上がる半田を目視できる大きさに
なっていることを特徴とする請求項８または請求項９に
記載の半導体集積回路装置。10. The external terminal is formed by a wiring provided inside and at an edge of a through hole, and the through hole is sized so that solder which melts and sucks up at the time of mounting is visible. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8 or 9. 【請求項１１】 矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とからなり、前記封止体
から突出して並ぶリードが外部端子となるＩＣカードで
あって、前記封止体の上下面には導体からなる電磁波遮
蔽部が設けられているとともに前記電磁波遮蔽部は前記
封止体内部のグランドリードに接続されていることを特
徴とするＩＣカード。11. A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, and the lead An IC card comprising a connecting means for electrically connecting the IC card, wherein leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor is provided on upper and lower surfaces of the sealing body. And an electromagnetic wave shielding portion connected to a ground lead inside the sealing body. 【請求項１２】 矩形のリードフレーム枠と、前記リー
ドフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平行に
延在する複数のリードと、前記リードを連結するととも
にトランスファモールド時の樹脂の流出を防止するダム
と、枠の中心に配置されかつ半導体チップが固定される
ダイパット部と、前記リードフレーム枠に固定され前記
ダイパット部を支持するタブ吊りリードとを有し、前記
ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリードフレ
ームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リードの
うちのグランドリードにグランド連結リードを介して連
結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しによっ
て前記パッケージに重ねられる電磁波遮蔽部とを有する
リードフレーム。12. A rectangular lead frame frame, a plurality of leads extending parallel to each other from the inside of the lead frame frame toward the center of the frame, and connecting the leads and preventing resin from flowing out during transfer molding. A dam to prevent, a die pad portion arranged at the center of the frame and fixing the semiconductor chip, and a tab hanging lead fixed to the lead frame frame and supporting the die pad portion, in a region inside the dam. A lead frame on which a package is formed, wherein the electromagnetic wave is formed at a corner portion of the frame, is connected to a ground lead of the leads via a ground connection lead, and is superposed on the package by folding back at the ground connection lead. A lead frame having a shielding part. 【請求項１３】 矩形のリードフレーム枠と、前記リー
ドフレーム枠の内側から枠中央に向かって相互に平行に
延在する複数のリードと、前記リードを連結するととも
にトランスファモールド時の樹脂の流出を防止するダム
とを有し、前記リードフレーム枠の中心部分には半導体
チップが配置される空間領域が形成されるとともに、前
記ダムの内側の領域にパッケージが形成されるリードフ
レームであって、前記枠の隅部分に形成され前記リード
のうちのグランドリードにグランド連結リードを介して
連結されかつ前記グランド連結リードでの折り返しによ
って前記リードに絶縁性接合体を介して固定され、前記
空間領域の底体を形成する電磁波遮蔽部と、前記枠の隅
部分に形成され前記リードのうちのグランドリードにグ
ランド連結リードを介して連結されかつ前記グランド連
結リードでの折り返しによって前記パッケージに重ねら
れる電磁波遮蔽部とを有するリードフレーム。13. A rectangular lead frame frame, a plurality of leads extending parallel to each other from the inside of the lead frame frame toward the center of the frame, and connecting the leads and preventing resin from flowing out during transfer molding. A dam for preventing the lead frame, wherein a space region where a semiconductor chip is arranged is formed in a center portion of the lead frame frame, and a package is formed in a region inside the dam, wherein the package is formed. The lead is formed at a corner of a frame, is connected to a ground lead of the leads via a ground connection lead, and is fixed to the lead via an insulative joint by folding back at the ground connection lead. An electromagnetic wave shielding portion forming a body, and a ground connection lead is connected to a ground lead of the leads formed at a corner portion of the frame. And an electromagnetic wave shielding portion that is connected to the package via the ground connection lead and is folded over the package. 【請求項１４】 表面に配線（リード）を有するフレキ
シブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に固定さ
れるとともに電極が前記配線に接続されてなる半導体チ
ップと、前記フレキシブル配線基板に設けられた外部端
子と、前記半導体チップ等に絶縁的に重ねられかつ電磁
シールドする電磁波遮蔽部を有する折返部を有する半導
体集積回路装置の製造に用いるフレキシブル配線基板で
あって、前記フレキシブル配線基板部分には、前記半導
体チップ等に折り返して重ねられる折返部が一つ以上形
成され、前記折返部の一面には配線を形成する導体層に
よって形成されかつグランドリードに連結される電磁波
遮蔽部が形成されていることを特徴とするフレキシブル
配線基板。14. A flexible wiring board having wirings (leads) on a surface, a semiconductor chip fixed to the flexible wiring board and having electrodes connected to the wirings, and an external terminal provided on the flexible wiring board. And a flexible wiring board used for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a folded portion having an electromagnetic wave shielding portion that is insulated on the semiconductor chip and electromagnetically shielded, wherein the flexible wiring board portion includes the semiconductor. One or more folded portions that are folded back on a chip or the like are formed, and an electromagnetic wave shielding portion formed by a conductor layer forming a wiring and connected to a ground lead is formed on one surface of the folded portion. Flexible wiring board. 【請求項１５】 矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止体か
ら突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止体の
上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられている
とともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグランド
リードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いるリー
ドフレームであって、前記リード，グランドリード，電
磁波遮蔽部等は一枚の金属板をパターニングして形成さ
れていることを特徴とするＩＣカード製造用リードフレ
ーム。15. A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, and the lead. And a connecting means for electrically connecting the electromagnetic wave, wherein leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor is provided on upper and lower surfaces of the sealing body. The shielding portion is a lead frame used for manufacturing an IC card connected to the ground lead inside the sealing body. The lead, the ground lead, the electromagnetic wave shielding portion, and the like are formed by patterning a single metal plate. A lead frame for manufacturing an IC card. 【請求項１６】 矩形板状の封止体と、この封止体内に
封止された半導体チップと、前記封止体の内外に亘って
延在するリードと、前記半導体チップの電極と前記リー
ドを電気的に接続する接続手段とを有し、前記封止体か
ら突出して並ぶリードが外部端子となり、前記封止体の
上下面には導体からなる電磁波遮蔽部が設けられている
とともに前記電磁波遮蔽部は前記封止体内部のグランド
リードに接続されてなるＩＣカードの製造に用いるフレ
キシブル配線基板であって、前記リード，グランドリー
ド，電磁波遮蔽部等は一枚のフレキシブルな絶縁性テー
プの表面に形成されていることを特徴とするＩＣカード
製造用フレキシブル配線基板。16. A rectangular plate-shaped sealing body, a semiconductor chip sealed in the sealing body, a lead extending inside and outside the sealing body, an electrode of the semiconductor chip, and the lead. And a connecting means for electrically connecting the electromagnetic wave, wherein leads protruding from the sealing body are arranged as external terminals, and an electromagnetic wave shielding portion made of a conductor is provided on upper and lower surfaces of the sealing body. The shielding part is a flexible wiring board used for manufacturing an IC card connected to the ground lead inside the sealing body, and the lead, the ground lead, the electromagnetic wave shielding part, etc. are provided on the surface of a single flexible insulating tape. A flexible wiring board for manufacturing an IC card, wherein the flexible wiring board is formed.
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