JPH11297917A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor device and its manufacture

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JPH11297917A
JPH11297917A JP10116598A JP10116598A JPH11297917A JP H11297917 A JPH11297917 A JP H11297917A JP 10116598 A JP10116598 A JP 10116598A JP 10116598 A JP10116598 A JP 10116598A JP H11297917 A JPH11297917 A JP H11297917A
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JP
Japan
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resin
lead
semiconductor device
inner lead
semiconductor package
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JP10116598A
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Japanese (ja)
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Hironori Sakamoto
広則 坂元
Motofumi Katahira
元文 片平
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the manufacturing cost of a semiconductor device to the same level as that of the conventional SOP/QFP type resin-sealed semiconductor package and, at the same time, to increase the packaging density of the device to the same density as that of lead-less semiconductor device. SOLUTION: A resin sealed semiconductor package 18 has no outer lead. In the package 18 in which a semiconductor chip 15 is sealed with a resin in a package, in other words, the bottom and side faces of inner leads 12 are exposed from a molded resin section 17 and connected to the wiring pattern of a printed wiring board 19 through solder layers 20. Namely, the bottom and side faces of the inner leads 12 exposed from the molded resin section 17 function as the external connecting terminals of the resin sealed semiconductor package 18.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係り、特に半導体チップが樹脂封止されてい
る半導体装置及びその製造方法に関するものである。
The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a resin and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、樹脂封止半導体パッケージとして
は、表面実装用のパッケージの両側から複数のガルウィ
ング形状(カモメが翼を広げた形状)のリードが突き出
ているSOP(Small Outline Package )や、表面実装
用のパッケージの4辺から複数のガルウィング形状のリ
ードが突き出ているQFP(Quad Flat Package )が広
く一般に使用されている。
2. Description of the Related Art Currently, resin-encapsulated semiconductor packages include SOPs (Small Outline Packages) in which a plurality of gull-wing-shaped (gull-spread wings) leads protrude from both sides of a surface mounting package. A QFP (Quad Flat Package) in which a plurality of gull wing-shaped leads protrude from four sides of a surface mounting package is widely and generally used.

【0003】以下、従来のSOP系の樹脂封止半導体パ
ッケージについて、図10及び図11を用いて説明す
る。ここで、図10は従来のSOP系の樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図であり、図11は図10に示す従来のSOP系
の樹脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフ
レームのダイパッド31上には、所定のLSI(大規模
集積回路)を形成した半導体チップ35が搭載され、例
えば所定の接着剤を用いて固定されている。そして、こ
の半導体チップ35の電極(図示せず)とリードフレー
ムのリード34のインナーリード部32の一端とは、A
u(金)線36を用いて接続されている。
Hereinafter, a conventional SOP resin-sealed semiconductor package will be described with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. Here, FIG. 10 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a conventional SOP-based resin-sealed semiconductor package is mounted on a mounting board, and FIG. 11 is a conventional SOP-based resin-sealed semiconductor package shown in FIG. It is a perspective view of. On the die pad 31 of the lead frame, a semiconductor chip 35 on which a predetermined LSI (Large Scale Integrated Circuit) is formed is mounted and fixed using, for example, a predetermined adhesive. An electrode (not shown) of the semiconductor chip 35 and one end of the inner lead portion 32 of the lead 34 of the lead frame are
The connection is made using a u (gold) wire 36.

【0004】また、これらダイパッド31、半導体チッ
プ35、リード34のインナーリード部32、及びAu
線36は、モールド樹脂部37によって覆われ、封止さ
れている。そして、このモールド樹脂部37の両側面か
らは、リード34のガルウィング形状のアウターリード
部33が複数本突き出ている。これ以降、このように半
導体チップ35が樹脂封止パッケージングされ、そのモ
ールド樹脂部37の両側面から複数個のガルウィング形
状のアウターリード部33が突き出ている半導体装置
を、SOP系の樹脂封止半導体パッケージ38と呼ぶこ
とにする。
The die pad 31, the semiconductor chip 35, the inner lead portion 32 of the lead 34, and Au
The line 36 is covered and sealed by the mold resin part 37. A plurality of gull wing-shaped outer lead portions 33 of the leads 34 protrude from both side surfaces of the mold resin portion 37. Thereafter, the semiconductor device in which the semiconductor chip 35 is packaged in a resin-encapsulated manner and a plurality of gull-wing-shaped outer lead portions 33 protrude from both side surfaces of the mold resin portion 37 is sealed with an SOP resin encapsulation. It will be referred to as a semiconductor package 38.

【0005】また、このSOP系の樹脂封止半導体パッ
ケージ38はプリント配線基板39に実装されている。
即ち、樹脂封止半導体パッケージ38はプリント配線基
板39上に搭載され、そのモールド樹脂部37の両側面
から突き出ている複数個のガルウィング形状のアウター
リード部33の先端部が、例えば導電性接着剤としての
ハンダ層40を介して、プリント配線基板39の配線パ
ターン(図示せず)に接続されている。
The SOP resin-sealed semiconductor package 38 is mounted on a printed wiring board 39.
That is, the resin-encapsulated semiconductor package 38 is mounted on a printed wiring board 39, and a plurality of gull-wing-shaped outer lead portions 33 projecting from both side surfaces of the molded resin portion 37 are connected to, for example, a conductive adhesive. Through a solder layer 40 as a wiring pattern (not shown) of the printed wiring board 39.

【0006】次に、図10に示したSOP系の樹脂封止
半導体パッケージ38がプリント配線基板39に実装さ
れた半導体装置の製造方法を説明する。先ず、ダイパッ
ド31とインナーリード部32及びアウターリード部3
3からなるリード34とを有するリードフレームを用意
する。次いで、ダイボンディング工程を行う。即ち、所
定のLSIを形成した半導体チップ35をダイパッド3
1上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定する。続い
て、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、ダイパッド
31上にダイボンディングした半導体チップ35の電極
(図示せず)とリード34のインナーリード部32の一
端とをAu線36を用いて接続する。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device in which the SOP resin-sealed semiconductor package 38 shown in FIG. 10 is mounted on a printed wiring board 39 will be described. First, the die pad 31, the inner lead portion 32, and the outer lead portion 3
A lead frame having a lead 34 made of a 3 is prepared. Next, a die bonding step is performed. That is, the semiconductor chip 35 on which a predetermined LSI is formed is attached to the die pad 3.
1 and fixed using a predetermined adhesive. Subsequently, a wire bonding step is performed. That is, an electrode (not shown) of the semiconductor chip 35 die-bonded on the die pad 31 and one end of the inner lead portion 32 of the lead 34 are connected using the Au wire 36.

【0007】続いて、モールド工程を行う。即ち、ダイ
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド31、半導体チップ3
5、リード34のインナーリード部32、及び半導体チ
ップ35の電極とインナーリード部32の一端とを接続
するAu線36を覆って封止するモールド樹脂部37を
形成する。
Subsequently, a molding step is performed. That is, the lead frame on which the die bonding and the wire bonding have been performed is set in a predetermined mold, a predetermined resin is injected, and then the resin is applied with pressure, cured, and molded into a predetermined shape. Thus, the die pad 31, the semiconductor chip 3
5. A mold resin portion 37 is formed to cover and seal the inner lead portion 32 of the lead 34 and the Au wire 36 connecting the electrode of the semiconductor chip 35 and one end of the inner lead portion 32.

【0008】次いで、リード加工工程を行う。即ち、モ
ールド樹脂部37から露出しているリード34の不要な
部分を切断除去し、そのアウターリード部33を折り曲
げてガルウィング形状に加工する。このようにして、両
側から複数個のガルウィング形状のアウターリード部3
3が突き出ているSOP系の樹脂封止半導体パッケージ
38を作製する。
Next, a lead processing step is performed. That is, an unnecessary portion of the lead 34 exposed from the mold resin portion 37 is cut and removed, and the outer lead portion 33 is bent to be processed into a gull wing shape. In this manner, a plurality of gull wing-shaped outer lead portions 3 are formed from both sides.
An SOP-based resin-encapsulated semiconductor package 38 from which 3 protrudes is manufactured.

【0009】次いで、実装工程を行う。即ち、SOP系
の樹脂封止半導体パッケージ38をプリント配線基板3
9上に搭載して、樹脂封止半導体パッケージ38のモー
ルド樹脂部37から両側に突き出ているガルウィング形
状のアウターリード部33の先端部を、導電性接着剤と
してハンダ層40を用いてプリント配線基板39の配線
パターン(図示せず)に接続する。このようにして、図
10に示される従来のSOP系の樹脂封止半導体パッケ
ージ38がプリント配線基板39に実装された半導体装
置を作製する。
Next, a mounting step is performed. That is, the SOP resin-sealed semiconductor package 38 is connected to the printed wiring board 3.
9 and mounted on a printed wiring board using a solder layer 40 as a conductive adhesive, with a tip end of a gull-wing-shaped outer lead portion 33 protruding to both sides from a mold resin portion 37 of a resin-sealed semiconductor package 38. 39 are connected to a wiring pattern (not shown). In this way, a semiconductor device in which the conventional SOP resin-sealed semiconductor package 38 shown in FIG. 10 is mounted on the printed wiring board 39 is manufactured.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記従来のSOP系の
樹脂封止半導体パッケージ38がプリント配線基板39
に実装された半導体装置においては、モールド樹脂部3
7の両側から複数個のガルウィング形状のアウターリー
ド部33が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケー
ジ38の実装面幅は、上記図10に示されるように、モ
ールド樹脂部37の幅Aに両側から突き出ているガルウ
ィング形状のアウターリード部の長さ2Bが加わって
(A+2B)となる。従って、樹脂封止半導体パッケー
ジ38のプリント配線基板39上における実装面積はか
なり大きなものとなり、高密度実装化することが困難で
あるという問題があった。
The above-mentioned conventional SOP-based resin-encapsulated semiconductor package 38 is a printed circuit board 39.
In the semiconductor device mounted on the
7, a plurality of gull-wing-shaped outer lead portions 33 protrude from both sides, so that the mounting surface width of the resin-encapsulated semiconductor package 38 is, as shown in FIG. The length 2B of the gull wing-shaped outer lead portion projecting from the outer side is added to make (A + 2B). Therefore, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package 38 on the printed wiring board 39 is considerably large, and it is difficult to achieve high-density mounting.

【0011】ここでは、従来のSOP系の樹脂封止半導
体パッケージ38について説明したが、従来のQFP系
の樹脂封止半導体パッケージの場合は、モールド樹脂部
の4辺から複数個のガルウィング形状のアウターリード
部が突き出ているため、樹脂封止半導体パッケージのプ
リント配線基板上における実装面積が大きくなり、高密
度実装化することが困難であるという問題は更に深刻な
ものとなる。
Here, the conventional SOP-based resin-sealed semiconductor package 38 has been described. In the case of the conventional QFP-based resin-sealed semiconductor package, a plurality of gull-wing outer packages are formed from four sides of the mold resin portion. Since the lead portions protrude, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package on the printed wiring board becomes large, and the problem that it is difficult to achieve high-density mounting becomes even more serious.

【0012】他方、高密度実装化を実現するため、CS
P(Chip Size Package )の一タイプとして、リードレ
スのBGA(Ball Grid Array )が採用されている。し
かし、このBGAの場合、実装面積を小さくして高密度
実装化を実現することは可能であるが、基材にポリイミ
ド等の基板を使用する必要があるし、また外部接続端子
としてハンダボール等の金属ボールを多数接着する必要
があるため、パッケージ・コストが高く、特殊な用途に
限定されているのが実情である。
On the other hand, to realize high-density mounting, CS
As one type of P (Chip Size Package), a leadless BGA (Ball Grid Array) is employed. However, in the case of this BGA, although it is possible to realize a high-density mounting by reducing the mounting area, it is necessary to use a substrate such as polyimide as a base material, and to use a solder ball or the like as an external connection terminal. Since a large number of metal balls need to be bonded, the package cost is high and the use is limited to special applications.

【0013】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、従来のSOP/QFP系の樹脂封止半導
体パッケージと同程度に低コストで製造することが可能
で、リードレスの場合と同様に高密度実装化することが
可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be manufactured at a cost as low as that of a conventional SOP / QFP resin-sealed semiconductor package. It is another object of the present invention to provide a semiconductor device capable of high-density mounting and a method for manufacturing the same.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る半導体装置及びその製造方法によって達成され
る。即ち、請求項1に係る半導体装置は、ダイパッド及
びインナーリードを有するリードフレームと、ダイパッ
ド上に搭載された半導体チップと、この半導体チップの
電極とインナーリードの一端を接続する金属細線と、ダ
イパッド、インナーリード、半導体チップ、及び金属細
線を覆って封止しているモールド樹脂部とを具備し、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることを特徴とする。このように請求項1
に係る半導体装置においては、インナーリードの他端の
側面及び下面がモールド樹脂部から露出していることに
より、これら露出している下面又は下面及び側面を樹脂
封止半導体パッケージの外部接続端子として機能させる
ことが可能になるため、いわばアウターリードレスの樹
脂封止半導体パッケージが実現され、アウターリード部
がない分だけ、パッケージ・サイズが小さくなる。
The above objects can be attained by the following semiconductor device and a method of manufacturing the same according to the present invention. That is, the semiconductor device according to claim 1 includes a lead frame having a die pad and an inner lead, a semiconductor chip mounted on the die pad, a thin metal wire connecting an electrode of the semiconductor chip to one end of the inner lead, a die pad, A mold resin portion that covers and seals the inner lead, the semiconductor chip, and the thin metal wire, wherein a side surface and a lower surface of the other end of the inner lead are exposed from the mold resin portion. Thus, claim 1
In the semiconductor device according to the above, since the side surface and the lower surface of the other end of the inner lead are exposed from the mold resin portion, the exposed lower surface or the lower surface and the side surface function as external connection terminals of the resin-encapsulated semiconductor package. Therefore, an outer leadless resin-encapsulated semiconductor package can be realized, and the package size can be reduced by the absence of the outer lead portion.

【0015】また、請求項2に係る半導体装置は、上記
の請求項1に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側
面が導電性接着剤を介して実装基板の配線パターンに接
続されている構成とすることにより、アウターリード部
がない分だけパッケージ・サイズが小さくなった樹脂封
止半導体パッケージが実装基板に実装されているため、
樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さくなり、高
密度実装化が実現される。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first aspect, the lower surface or the lower surface and the side surface exposed from the mold resin portion of the inner lead are mounted via a conductive adhesive. By adopting a configuration that is connected to the wiring pattern of the board, a resin-encapsulated semiconductor package whose package size has been reduced by the absence of the outer lead portion is mounted on the mounting board.
The mounting area of the resin-sealed semiconductor package is reduced, and high-density mounting is realized.

【0016】また、請求項3に係る半導体装置は、上記
の請求項1に係る半導体装置において、インナーリード
のモールド樹脂部から露出している下面がモールド樹脂
部の底面から下方に突き出している構成とすることによ
り、樹脂封止半導体パッケージの実装工程において、イ
ンナーリードの下面又は下面及び側面を実装基板の配線
パターンに接続する際に、例えばハンダ付け等の導電性
接着剤の付着が極めて容易になるため、実装作業の効率
及び信頼性が向上する。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first aspect, the lower surface of the inner lead exposed from the mold resin portion projects downward from the bottom surface of the mold resin portion. By this, in the mounting process of the resin-encapsulated semiconductor package, when connecting the lower surface or the lower surface and the side surface of the inner lead to the wiring pattern of the mounting board, it is extremely easy to attach a conductive adhesive such as soldering. Therefore, the efficiency and reliability of the mounting operation are improved.

【0017】また、請求項4に係る半導体装置の製造方
法は、ダイパッドとインナーリード部及びアウターリー
ド部からなるリードとを有するリードフレームのダイパ
ッド上に、半導体チップを搭載して固定するダイボンデ
ィング工程と、半導体チップの電極とリードのインナー
リード部の一端とを金属細線を用いて接続するワイヤボ
ンディング工程と、ダイパッド、リードのインナーリー
ド部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂により覆って
封止すると共に、その際に形成されるモールド樹脂部か
らインナーリード部の下面を露出させるモールド工程
と、モールド樹脂部から露出しているリードを切断して
アウターリード部を切り離し、インナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させるリード切断工程
とを具備することを特徴とする。このように請求項4に
係る半導体装置の製造方法によれば、モールド工程にお
いてモールド樹脂部からインナーリード部の下面を露出
させ、リード切断工程においてインナーリード部の他端
の側面をモールド樹脂部から露出させることにより、こ
れら露出している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導
体パッケージの外部接続端子として機能させることが可
能になるため、アウターリード部がない分だけパッケー
ジ・サイズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止
半導体パッケージが作製される。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a die bonding step of mounting and fixing a semiconductor chip on a die pad of a lead frame having a die pad and a lead including an inner lead portion and an outer lead portion. And a wire bonding step of connecting the electrode of the semiconductor chip and one end of the inner lead portion of the lead using a thin metal wire, and sealing the die pad, the inner lead portion of the lead, the semiconductor chip, and the thin metal wire by covering with a resin. At the same time, a molding step of exposing the lower surface of the inner lead portion from the molded resin portion formed at that time, and cutting the lead exposed from the mold resin portion to separate the outer lead portion, the other end of the inner lead portion And a lead cutting step of exposing the side surface from the mold resin portion. And butterflies. Thus, according to the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, the lower surface of the inner lead portion is exposed from the mold resin portion in the molding step, and the other side surface of the inner lead portion is separated from the mold resin portion in the lead cutting step. By exposing, the exposed lower surface or lower surface and side surface can be made to function as external connection terminals of the resin-encapsulated semiconductor package, so that the outer lead portion is reduced in package size by the absence of the outer lead portion. A resin-less semiconductor package is manufactured.

【0018】また、このアウターリードレスの樹脂封止
半導体パッケージを作製する際に、ダイボンディング、
ワイヤボンディング、及びモールドの各工程が、モール
ド工程において特有の金型を使用したことを除けば従来
の樹脂封止半導体パッケージを作製する場合と略同様で
あるため、従来の樹脂封止半導体パッケージを作製する
場合と比較して新たな設備や工程の増加を必要とせず、
コストの上昇を招くことはない。また、リード切断工程
においては、リードのアウターリード部を切り離してし
まうことから、従来の場合のようにアウターリード部を
ガルウィング形状にするための折り曲げ加工を行う必要
がなくなるため、却って工程が簡略化される。従って、
アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小
さくなる樹脂封止半導体パッケージが、従来の場合と同
様に安定的かつ低コストで製造される。
Further, when manufacturing the resin packaged semiconductor package of the outer leadless, die bonding,
Since each process of wire bonding and molding is almost the same as the case of manufacturing the conventional resin-encapsulated semiconductor package except that a specific mold is used in the molding process, the conventional resin-encapsulated semiconductor package is used. It does not require new equipment or additional processes compared to manufacturing.
There is no increase in cost. Also, in the lead cutting process, the outer lead portion of the lead is cut off, so there is no need to perform bending work to make the outer lead portion into a gull wing shape as in the conventional case, so the process is simplified. Is done. Therefore,
A resin-encapsulated semiconductor package whose package size is reduced by the absence of the outer lead portion is manufactured stably and at low cost as in the conventional case.

【0019】また、請求項5に係る半導体装置の製造方
法は、上記の請求項4に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記リード切断工程の後に、インナーリードのモ
ールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面と
実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接続
する実装工程を有している構成とすることにより、アウ
ターリード部がない分だけパッケージ・サイズが小さく
なった樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装され
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積が小さく
なり、高密度実装化された半導体装置が作製される。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth aspect, the lower surface exposed from the mold resin portion of the inner lead after the lead cutting step. Alternatively, by adopting a configuration having a mounting step of connecting the lower surface and side surfaces to the wiring pattern of the mounting board using a conductive adhesive, the package size is reduced by the amount of the outer lead portions. Since the semiconductor package is mounted on the mounting substrate, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package is reduced, and a high-density semiconductor device is manufactured.

【0020】また、請求項6に係る半導体装置の製造方
法は、上記の請求項4に係る半導体装置の製造方法にお
いて、前記モールド工程が、同時に、インナーリード部
の下面がモールド樹脂部の底面から突き出るように段差
を形成する工程である構成とすることにより、インナー
リード部の下面が下方に突き出た形状となるため、樹脂
封止半導体パッケージを実装基板に実装する際に、イン
ナーリード部の下面及び側面が単に露出するだけの場合
に比べて、例えばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が
容易になり、実装作業の効率及び信頼性が向上する。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device, the lower surface of the inner lead portion and the lower surface of the mold resin portion are simultaneously formed. With the configuration in which the step is formed so as to protrude, the lower surface of the inner lead portion has a shape protruding downward. Therefore, when mounting the resin-encapsulated semiconductor package on the mounting board, the lower surface of the inner lead portion is formed. In addition, as compared with the case where the side surface is simply exposed, for example, the conductive adhesive such as soldering is easily attached, and the efficiency and reliability of the mounting operation are improved.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 (第1の実施形態)図1は本発明の第1の実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装された半
導体装置を示す概略断面図であり、図2は図1に示す樹
脂封止半導体パッケージの斜視図である。リードフレー
ムのダイパッド11上には、半導体チップ15が搭載さ
れ、例えば所定の接着剤を用いて固定されている。そし
て、この半導体チップ15の電極(図示せず)とリード
フレームのインナーリード12の一端とが、Au線16
を用いて接続されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described. (First Embodiment) FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a resin-sealed semiconductor package according to a first embodiment of the present invention is mounted on a mounting board, and FIG. It is a perspective view of a sealing semiconductor package. A semiconductor chip 15 is mounted on the die pad 11 of the lead frame, and is fixed using, for example, a predetermined adhesive. An electrode (not shown) of the semiconductor chip 15 and one end of the inner lead 12 of the lead frame are connected to the Au wire 16.
Are connected using

【0022】また、これらダイパッド11、半導体チッ
プ15、インナーリード12、及びAu線16は、モー
ルド樹脂部17によって覆われ、封止されている。これ
以降、このように半導体チップ15が樹脂封止パッケー
ジングされている半導体装置を、樹脂封止半導体パッケ
ージ18と呼ぶことにする。
The die pad 11, the semiconductor chip 15, the inner lead 12, and the Au wire 16 are covered and sealed by a mold resin portion 17. Hereinafter, the semiconductor device in which the semiconductor chip 15 is packaged with the resin is referred to as a resin-sealed semiconductor package 18.

【0023】なお、ここで、ダイパッド11とインナー
リード12は略同じ高さに位置し、ダイパッド11の下
面並びにインナーリード12の下面及び側面が共にモー
ルド樹脂部17から露出している点に本実施形態の特徴
がある。また、この樹脂封止半導体パッケージ18はプ
リント配線基板19に実装されている。即ち、樹脂封止
半導体パッケージ18はプリント配線基板19上に搭載
され、そのモールド樹脂部17から露出しているインナ
ーリード12の下面及び側面が例えば導電性接着剤とし
てのハンダ層20を介してプリント配線基板19の配線
パターン(図示せず)に接続されている。即ち、モール
ド樹脂部17から露出しているインナーリード12の下
面及び側面が、樹脂封止半導体パッケージ18の外部接
続端子として機能している。
Here, the die pad 11 and the inner lead 12 are located at substantially the same height, and the lower surface of the die pad 11 and the lower surface and the side surface of the inner lead 12 are both exposed from the mold resin portion 17 in this embodiment. There are features of the form. This resin-sealed semiconductor package 18 is mounted on a printed wiring board 19. That is, the resin-encapsulated semiconductor package 18 is mounted on a printed wiring board 19, and the lower surface and side surfaces of the inner leads 12 exposed from the molding resin portion 17 are printed via, for example, a solder layer 20 as a conductive adhesive. It is connected to a wiring pattern (not shown) of the wiring board 19. That is, the lower surface and side surfaces of the inner leads 12 exposed from the mold resin portion 17 function as external connection terminals of the resin-sealed semiconductor package 18.

【0024】次に、図1に示した半導体装置の製造方法
を、図3〜図5を用いて説明する。ここで、図3はダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を説明するための工程断面図であり、図4はリード
切断工程を説明するための工程断面図であり、図5は実
装工程を説明するための工程断面図である。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 3 is a process cross-sectional view for explaining each process of die bonding, wire bonding, and molding, FIG. 4 is a process cross-sectional view for explaining a lead cutting process, and FIG. 5 is a mounting process. FIG. 4 is a process cross-sectional view for explaining FIG.

【0025】先ず、ダイパッド11とインナーリード部
12及びアウターリード部13からなるリード14とを
有するリードフレームを用意する。このとき、このリー
ドフレームのダイパッド11とリード14とは略同じ高
さのものとする。次いで、ダイボンディング工程を行
う。即ち、所定のLSIを形成した半導体チップ15を
ダイパッド11上に搭載し、所定の接着剤を用いて固定
する。続いて、ワイヤボンディング工程を行う。即ち、
ダイパッド11上にダイボンディングした半導体チップ
15の電極(図示せず)とリード14のインナーリード
部12の一端とをAu線16を用いて接続する。
First, a lead frame having a die pad 11 and leads 14 including an inner lead portion 12 and an outer lead portion 13 is prepared. At this time, the die pad 11 and the lead 14 of the lead frame have substantially the same height. Next, a die bonding step is performed. That is, the semiconductor chip 15 on which a predetermined LSI is formed is mounted on the die pad 11 and fixed using a predetermined adhesive. Subsequently, a wire bonding step is performed. That is,
An electrode (not shown) of the semiconductor chip 15 die-bonded on the die pad 11 and one end of the inner lead portion 12 of the lead 14 are connected using an Au wire 16.

【0026】続いて、モールド工程を行う。即ち、ダイ
ボンディング及びワイヤボンディングを行ったリードフ
レームを所定の金型にセットし、所定の樹脂を注入した
後、この樹脂に圧力を加え、硬化させて、所定の形状に
成形する。こうして、ダイパッド11、半導体チップ1
5、リード14のインナーリード部12、及び半導体チ
ップ15の電極とインナーリード部12の一端とを接続
するAu線16を覆って封止するモールド樹脂部17を
形成する。なお、このときに使用する金型は、ダイパッ
ド11の下面及びリード14のインナーリード部12の
下面が共にモールド樹脂部17から露出するようになる
ものを使用する。
Subsequently, a molding step is performed. That is, the lead frame on which the die bonding and the wire bonding have been performed is set in a predetermined mold, a predetermined resin is injected, and then the resin is applied with pressure, cured, and molded into a predetermined shape. Thus, the die pad 11, the semiconductor chip 1
5. A mold resin portion 17 is formed to cover and seal the inner lead portion 12 of the lead 14 and the Au wire 16 connecting the electrode of the semiconductor chip 15 to one end of the inner lead portion 12. The mold used at this time is such that the lower surface of the die pad 11 and the lower surface of the inner lead portion 12 of the lead 14 are both exposed from the mold resin portion 17.

【0027】このようにして、半導体チップ15のダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各
工程を行う。なお、これまでの工程は、モールド工程に
おいて本実施形態に係る特有の金型を使用したことを除
けば、従来のSOP系の樹脂封止半導体パッケージを作
製する場合と同様である(図3参照)。
Thus, the steps of die bonding, wire bonding, and molding of the semiconductor chip 15 are performed. The steps up to this point are the same as those in the case of manufacturing a conventional SOP-based resin-sealed semiconductor package, except that the specific mold according to the present embodiment is used in the molding step (see FIG. 3). ).

【0028】次いで、リード切断工程を行う。即ち、モ
ールド樹脂部17から露出しているリード14を切断し
て、そのアウターリード部13を切り離し、リード14
としてはインナーリード部12のみを残存させる。ま
た、リード14の切断面は、インナーリード部12の他
端の側面としてモールド樹脂部17から露出した状態と
なっている。なお、これ以降、リード14の残存するイ
ンナーリード部12を単にインナーリード12と呼ぶ。
このようにして、半導体チップ15が樹脂封止パッケー
ジングされた樹脂封止半導体パッケージ18を作製す
る。このとき、インナーリード12の他端の側面及び下
面はモールド樹脂部17から露出した状態となっている
(図4参照)。
Next, a lead cutting step is performed. That is, the lead 14 exposed from the mold resin portion 17 is cut, and the outer lead portion 13 is cut off.
Only the inner lead portion 12 remains. Further, the cut surface of the lead 14 is in a state of being exposed from the mold resin portion 17 as a side surface of the other end of the inner lead portion 12. Hereinafter, the remaining inner lead portion 12 of the lead 14 is simply referred to as the inner lead 12.
Thus, a resin-sealed semiconductor package 18 in which the semiconductor chip 15 is resin-sealed and packaged is manufactured. At this time, the side surface and the lower surface of the other end of the inner lead 12 are exposed from the mold resin portion 17 (see FIG. 4).

【0029】次いで、実装工程を行う。即ち、樹脂封止
半導体パッケージ18をプリント配線基板19上に搭載
して、樹脂封止半導体パッケージ18のモールド樹脂部
17から露出しているインナーリード12の下面及び側
面を、導電性接着剤としてハンダ層20を用いてプリン
ト配線基板19の配線パターン(図示せず)に接続す
る。このようにして、図1に示す樹脂封止半導体パッケ
ージ18がプリント配線基板19に実装された半導体装
置を作製する(図5参照)。
Next, a mounting step is performed. That is, the resin-encapsulated semiconductor package 18 is mounted on the printed wiring board 19, and the lower surface and the side surfaces of the inner leads 12 exposed from the mold resin portion 17 of the resin-encapsulated semiconductor package 18 are soldered as a conductive adhesive. The layer 20 is connected to a wiring pattern (not shown) of the printed wiring board 19. Thus, a semiconductor device in which the resin-sealed semiconductor package 18 shown in FIG. 1 is mounted on the printed wiring board 19 is manufactured (see FIG. 5).

【0030】以上のように本実施形態によれば、リード
14のアウターリード部13が切り離されて、残存する
インナーリード12のモールド樹脂部17から露出して
いる下面及び側面が樹脂封止半導体パッケージ18の外
部接続端子として機能している。即ち、本実施形態に係
る樹脂封止半導体パッケージ18は、広義のSOP系で
はあるが、いわばアウターリードレスの樹脂封止半導体
パッケージとなっている。
As described above, according to the present embodiment, the outer lead portion 13 of the lead 14 is cut off, and the lower surface and the side surface exposed from the mold resin portion 17 of the remaining inner lead 12 are resin-sealed semiconductor packages. 18 function as external connection terminals. That is, the resin-encapsulated semiconductor package 18 according to the present embodiment is an outer leadless resin-encapsulated semiconductor package, although it is an SOP system in a broad sense.

【0031】このため、このアウターリードレスの樹脂
封止半導体パッケージ18がプリント配線基板19に実
装されている際の実装面幅は、図1に示されるように、
モールド樹脂部17の幅Aと同一になる。上記図10に
示されるように、従来の樹脂封止半導体パッケージ38
の実装面幅が、モールド樹脂部37の幅Aに、モールド
樹脂部37の両側面から突き出ているガルウィング形状
のアウターリード部の長さ2Bが加わって(A+2B)
となっていることと比較すると、アウターリード部の長
さ2Bだけ短縮されている。即ち、樹脂封止半導体パッ
ケージ18のプリント配線基板19上における実装面積
を従来の場合よりも大幅に小さくして、高密度実装化を
実現することが可能になる。
For this reason, as shown in FIG. 1, the mounting surface width when the resin package semiconductor package 18 of the outer leadless is mounted on the printed wiring board 19 is as follows.
It is the same as the width A of the mold resin portion 17. As shown in FIG. 10, the conventional resin-encapsulated semiconductor package 38
Is added to the width A of the mold resin portion 37 and the length 2B of the gull-wing-shaped outer lead portions protruding from both side surfaces of the mold resin portion 37 (A + 2B).
, The length of the outer lead portion is reduced by 2B. That is, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package 18 on the printed wiring board 19 is significantly reduced as compared with the conventional case, and high-density mounting can be realized.

【0032】また、本実施形態に係る樹脂封止半導体パ
ッケージ18を作製する際、半導体チップ15のダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程は、モールド工程において本実施形態に係る特有の金
型を使用したことを除けば従来の場合と同様であり、リ
ード切断工程においては、アウターリード部13を切り
離してしまうことから従来の場合のようにアウターリー
ド部13の折り曲げ加工を行う必要がなくなるため、安
定的かつ低コストで製造することができる。
Further, when manufacturing the resin-encapsulated semiconductor package 18 according to the present embodiment, each of the steps of die bonding, wire bonding, and molding of the semiconductor chip 15 is performed in a molding process using a specific mold according to the present embodiment. In the lead cutting step, the outer lead portion 13 is cut off, so that it is not necessary to perform the bending process of the outer lead portion 13 as in the conventional case. , Can be manufactured stably and at low cost.

【0033】(第2の実施形態)図6は本発明の第2の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第1の実施形態の図1に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第1の実施形態においては、上記図1に示され
るように、ダイパッド11とインナーリード12は略同
じ高さに位置し、ダイパッド11の下面並びにインナー
リード12の下面及び側面は共にモールド樹脂部17か
ら露出しているのに対して、本実施形態に係る樹脂封止
半導体パッケージ18aにおいては、ダイパッド11a
の位置がインナーリード12aの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド11aの下面がモールド樹脂
部17aによって覆われている点に特徴がある。なお、
その他の構造は、上記第1の実施形態の場合と同様であ
るため、その説明は省略する。
(Second Embodiment) FIG. 6 is a schematic sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. Note that the same components as those of the semiconductor device of the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the die pad 11 and the inner lead 12 are located at substantially the same height, and the lower surface of the die pad 11 and the lower surface and the side surface of the inner lead 12 are both molded resin portions. 17 is exposed from the die pad 11a in the resin-sealed semiconductor package 18a according to the present embodiment.
Is higher than the position of the inner lead 12a, and the lower surface of the die pad 11a is covered by the mold resin portion 17a. In addition,
Other structures are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0034】また、本実施形態に係る半導体装置の製造
方法も、上記図3〜図5を用いて説明した上記第1の実
施形態の場合と略同様であるため、その図示は省略す
る。但し、本実施形態においては、ダイパッド11aの
位置がインナーリード12aの位置より高くなってるリ
ードフレームを用意すること、モールド工程において、
リードのインナーリード部12aの下面がモールド樹脂
部17から露出する一方、ダイパッド11の下面がモー
ルド樹脂部17によって覆われるようになる金型を使用
することが、上記第1の実施形態の場合と異なってい
る。
The method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment is also substantially the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS. However, in the present embodiment, it is necessary to prepare a lead frame in which the position of the die pad 11a is higher than the position of the inner lead 12a.
Using a mold in which the lower surface of the inner lead portion 12a of the lead is exposed from the mold resin portion 17 while the lower surface of the die pad 11 is covered by the mold resin portion 17 is different from the case of the first embodiment. Is different.

【0035】以上のように本実施形態によれば、樹脂封
止半導体パッケージ18aが広義のSOP系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造は上記第1の実施形態の場合と共通するた
め、上記第1の実施形態の場合と同様に、樹脂封止半導
体パッケージ18aの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができる。また、こうした
効果に加え、ダイパッド11aの位置がインナーリード
12aの位置より高くなっていることから、ダイパッド
11a上の半導体チップ15もプリント配線基板19か
ら相対的に高い位置にあり、また、ダイパッド11aの
下面がモールド樹脂部17aによって覆われているた
め、上記第1の実施形態の場合よりも耐湿性に優れてい
るという利点を有している。
As described above, according to the present embodiment, the basic structure that the resin-sealed semiconductor package 18a is an SOP-based outer leadless resin-sealed semiconductor package in a broad sense is the same as that of the first embodiment. As in the first embodiment, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package 18a is greatly reduced, and high-density mounting can be realized. And it can be manufactured at low cost. In addition to these effects, since the position of the die pad 11a is higher than the position of the inner lead 12a, the semiconductor chip 15 on the die pad 11a is also relatively high from the printed wiring board 19, and the die pad 11a Is covered with the mold resin portion 17a, and therefore has an advantage that it is more excellent in moisture resistance than in the case of the first embodiment.

【0036】(第3の実施形態)図7は本発明の第3の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図であり、図
8は図7のC部の部分拡大図である。なお、上記第2の
実施形態の図6に示す半導体装置の構成要素と同一の要
素には同一の符号を付して説明を省略する。上記第2の
実施形態の場合と同様に、本実施形態に係る樹脂封止半
導体パッケージ18bにおいても、ダイパッド11bの
位置がインナーリード12bの位置より高くなってお
り、そのためにダイパッド11bの下面がモールド樹脂
部17bによって覆われている。
(Third Embodiment) FIG. 7 is a schematic sectional view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a partially enlarged view of a portion C in FIG. The same components as those of the semiconductor device of the second embodiment shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Similarly to the case of the second embodiment, in the resin-sealed semiconductor package 18b according to the present embodiment, the position of the die pad 11b is higher than the position of the inner lead 12b, so that the lower surface of the die pad 11b is molded. It is covered by the resin portion 17b.

【0037】但し、上記第2の実施形態においては、上
記図6に示されるように、インナーリード12bの下面
とモールド樹脂部17の底面とは略同じ高さに位置して
いるのに対して、本実施形態に係る樹脂封止半導体パッ
ケージ18bにおいては、インナーリード12aの下面
の位置がモールド樹脂部17の底面の位置よりもDだけ
低くなっており、そのためにインナーリード12aの下
面がモールド樹脂部17の底面から下方にDだけ突き出
した形状となっている点に特徴がある。
However, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, the lower surface of the inner lead 12b and the bottom surface of the mold resin portion 17 are located at substantially the same height. In the resin-sealed semiconductor package 18b according to the present embodiment, the position of the lower surface of the inner lead 12a is lower than the position of the lower surface of the mold resin portion 17 by D, so that the lower surface of the inner lead 12a is It is characterized in that it has a shape protruding downward by D from the bottom surface of the portion 17.

【0038】なお、その他の構造は、上記第2の実施形
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
2の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド11
bの位置がインナーリード12bの位置より高くなって
るリードフレームを用意することは上記第2の実施形態
の場合と同様であるが、モールド工程において、リード
のインナーリード部12bの下面がモールド樹脂部17
bから露出し、ダイパッド11bの下面がモールド樹脂
部17bによって覆われると共に、モールド樹脂部17
bの底面がインナーリード12aの下面よりもDだけ高
くなる段差が形成されるような金型を使用することが、
上記第2の実施形態の場合と異なっている。
The other structure is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted. Also, the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment is substantially the same as that of the above-described second embodiment, so that the illustration thereof is omitted. However, in the present embodiment, the die pad 11
The preparation of a lead frame in which the position b is higher than the position of the inner leads 12b is the same as in the case of the second embodiment, but in the molding step, the lower surface of the inner leads 12b of the leads is 17
b, the lower surface of the die pad 11b is covered with the mold resin portion 17b,
It is possible to use a mold in which a step in which the bottom surface of b is higher by D than the lower surface of the inner lead 12a is formed.
This is different from the case of the second embodiment.

【0039】以上のように本実施形態によれば、樹脂封
止半導体パッケージ18bが広義のSOP系のアウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージであるという基
本的な構造と、ダイパッド11b上の半導体チップ15
がプリント配線基板19から相対的に高い位置にあり、
また、ダイパッド11bの下面がモールド樹脂部17b
によって覆われている点は、上記第2の実施形態の場合
と共通するため、樹脂封止半導体パッケージ18bの実
装面積を大幅に小さくして、高密度実装化を実現するこ
とが可能になると共に、安定的かつ低コストで製造する
ことができ、更に耐湿性を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, the basic structure that the resin-encapsulated semiconductor package 18b is an SOP-based outer leadless resin-encapsulated semiconductor package in a broad sense, and the semiconductor chip on the die pad 11b Fifteen
Is relatively high from the printed wiring board 19,
Also, the lower surface of the die pad 11b is
Since the point covered by the second embodiment is the same as that of the second embodiment, the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package 18b can be significantly reduced, and high-density mounting can be realized. It can be manufactured stably and at low cost, and can further improve moisture resistance.

【0040】また、こうした効果に加え、インナーリー
ド12bの下面がモールド樹脂部17bの底面から下方
に突き出した形状となっていることから、樹脂封止半導
体パッケージ18bをプリント配線基板19に実装する
工程において、インナーリード12の下面及び側面を導
電性接着剤としてハンダ層20を用いてプリント配線基
板19の配線パターンに接続する際に、ハンダ付けが極
めて容易になるため、上記第2の実施形態の場合よりも
更に実装作業の効率及び信頼性が高くなるという利点を
有している。
In addition to these effects, since the lower surface of the inner lead 12b has a shape protruding downward from the bottom surface of the mold resin portion 17b, the step of mounting the resin-encapsulated semiconductor package 18b on the printed wiring board 19 is performed. In this case, when the lower surface and the side surface of the inner lead 12 are connected to the wiring pattern of the printed wiring board 19 using the solder layer 20 as a conductive adhesive, the soldering becomes extremely easy. There is an advantage that the efficiency and reliability of the mounting operation are higher than in the case.

【0041】(第4の実施形態)図9は本発明の第4の
実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。な
お、上記第2の実施形態の図6に示す半導体装置の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。上記第2の実施形態の場合と同様に、本実施形態に
係る樹脂封止半導体パッケージ18cにおいても、ダイ
パッド11cの下面がモールド樹脂部17cによって覆
われている。但し、本実施形態に係る樹脂封止半導体パ
ッケージ18cにおいては、そのダイパッド11cの厚
さが、上記図6に示される上記第2の実施形態のダイパ
ッド11bの厚さより薄くなっており、そのためにダイ
パッド11c上の半導体チップ15の位置が相対的に低
くなり、延いてはモールド樹脂部17cの表面のプリン
ト配線基板19から高さが相対的に低くなっている点に
特徴がある。
(Fourth Embodiment) FIG. 9 is a schematic sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention. The same components as those of the semiconductor device of the second embodiment shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Similarly to the case of the second embodiment, in the resin-sealed semiconductor package 18c according to the present embodiment, the lower surface of the die pad 11c is covered with the mold resin portion 17c. However, in the resin-sealed semiconductor package 18c according to the present embodiment, the thickness of the die pad 11c is smaller than the thickness of the die pad 11b of the second embodiment shown in FIG. It is characterized in that the position of the semiconductor chip 15 on the surface 11c is relatively low, and the height is relatively low from the printed wiring board 19 on the surface of the mold resin portion 17c.

【0042】なお、その他の構造は、上記第2の実施形
態の場合と同様であるため、その説明は省略する。ま
た、本実施形態に係る半導体装置の製造方法も、上記第
2の実施形態の場合と略同様であるため、その図示は省
略する。但し、本実施形態においては、ダイパッド11
cの厚さが薄いリードフレームを用意すること、モール
ド工程において、モールド樹脂部17cの厚さが相対的
に薄くなるような金型を使用することが、上記第2の実
施形態の場合と異なっている。なお、ダイパッド11c
の厚さが薄いリードフレームを用意する代わりに、上記
第1の実施形態において用意したリードフレームを用
い、そのダイパッド11を裏面からエッチングして、薄
膜化してもよい。
The other structure is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted. Also, the method of manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment is substantially the same as that of the above-described second embodiment, so that the illustration thereof is omitted. However, in the present embodiment, the die pad 11
The difference from the second embodiment is that a lead frame having a small thickness of “c” is prepared, and a mold in which a thickness of the molding resin portion 17c is relatively thin in the molding process is used. ing. The die pad 11c
Instead of preparing a thin lead frame, the lead frame prepared in the first embodiment may be used, and the die pad 11 may be etched from the back surface to make it thinner.

【0043】以上のように本実施形態によれば、本実施
形態に係る樹脂封止半導体パッケージ18が広義のSO
P系のアウターリードレスの樹脂封止半導体パッケージ
であるという基本的な構造と、ダイパッド11cの下面
がモールド樹脂部17cによって覆われている点は、上
記第2の実施形態の場合と共通するため、樹脂封止半導
体パッケージ18cの実装面積を大幅に小さくして、高
密度実装化を実現することが可能になると共に、安定的
かつ低コストで製造することができ、更に上記第1の実
施形態の場合よりも耐湿性を向上させることができる。
また、こうした効果に加え、モールド樹脂部17cの表
面のプリント配線基板19からの高さが相対的に低くな
っていることから、プリント配線基板19に実装された
樹脂封止半導体パッケージ18cの高さが相対的に低く
なり、半導体装置の小型化に寄与することができる。
As described above, according to the present embodiment, the resin-encapsulated semiconductor package 18 according to the present embodiment is
The basic structure of a P-type outer leadless resin-sealed semiconductor package and the point that the lower surface of the die pad 11c is covered with the mold resin portion 17c are common to the case of the second embodiment. In addition, the mounting area of the resin-sealed semiconductor package 18c can be significantly reduced, high-density mounting can be realized, and the semiconductor package can be manufactured stably and at low cost. The moisture resistance can be improved more than the case of.
In addition to these effects, since the height of the surface of the mold resin portion 17c from the printed wiring board 19 is relatively low, the height of the resin-encapsulated semiconductor package 18c mounted on the printed wiring board 19 is reduced. Is relatively low, which can contribute to miniaturization of the semiconductor device.

【0044】なお、上記第1〜第4の実施形態において
は、SOP系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、
そのアウターリードレス化したものについて述べてきた
が、SOP系に限定されるものではなく、例えばQFP
系の樹脂封止半導体パッケージに対応して、そのアウタ
ーリードレス化することも可能である。この場合、樹脂
封止半導体パッケージの実装面積を大幅に小さくして、
高密度実装化を実現するという効果は更に大きくなる。
In the first to fourth embodiments, the SOP resin-sealed semiconductor package is
Although the outer leadless one has been described, the present invention is not limited to the SOP type.
It is also possible to make the outer leadless corresponding to a resin-sealed semiconductor package. In this case, the mounting area of the resin-sealed semiconductor package is significantly reduced,
The effect of realizing high-density mounting is further enhanced.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体装置によれば、次のような効果を奏することが
できる。即ち、請求項1に係る半導体装置によれば、イ
ンナーリードの他端の側面及び下面がモールド樹脂部か
ら露出していることにより、これら露出している下面又
は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケージの外部接続
端子として機能させることが可能になるため、アウター
リードレスの樹脂封止半導体パッケージを実現して、ア
ウターリード部がない分だけパッケージ・サイズを小さ
くすることができる。
As described above, according to the semiconductor device of the present invention, the following effects can be obtained. That is, according to the semiconductor device of the first aspect, since the side surface and the lower surface of the other end of the inner lead are exposed from the mold resin portion, the exposed lower surface or the lower surface and the side surface are sealed with the resin. Can be made to function as an external connection terminal, so that an outer leadless resin-sealed semiconductor package can be realized, and the package size can be reduced by the amount of no outer lead portion.

【0046】また、請求項2に係る半導体装置によれ
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面又は下面及び側面が導電性接着剤を介して実装基板
の配線パターンに接続されていることにより、アウター
リード部がない分だけパッケージ・サイズが小さくなっ
た樹脂封止半導体パッケージが実装基板に実装されてい
るため、樹脂封止半導体パッケージの実装面積を小さく
して、高密度実装化を実現することができる。
According to the semiconductor device of the present invention, the lower surface or the lower surface and the side surface exposed from the mold resin portion of the inner lead are connected to the wiring pattern of the mounting board via the conductive adhesive. As a result, the resin-encapsulated semiconductor package whose package size has been reduced by the absence of the outer lead portion is mounted on the mounting board, so that the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package is reduced and high-density mounting is achieved. Can be realized.

【0047】また、請求項3に係る半導体装置によれ
ば、インナーリードのモールド樹脂部から露出している
下面がモールド樹脂部の底面から下方に突き出している
ことにより、インナーリードの下面又は下面及び側面を
実装基板の配線パターンに接続する際に、例えばハンダ
付け等の導電性接着剤の付着が極めて容易になるため、
実装作業の効率及び信頼性を向上することができる。
According to the semiconductor device of the third aspect, the lower surface of the inner lead exposed from the mold resin portion protrudes downward from the bottom surface of the mold resin portion. When connecting the side surface to the wiring pattern of the mounting board, for example, it becomes extremely easy to attach a conductive adhesive such as soldering,
The efficiency and reliability of the mounting operation can be improved.

【0048】また、請求項4に係る半導体装置の製造方
法によれば、モールド工程及びリード切断工程におい
て、インナーリード部の下面及び他端の側面をそれぞれ
モールド樹脂部から露出させることにより、これら露出
している下面又は下面及び側面を樹脂封止半導体パッケ
ージの外部接続端子として機能させることが可能になる
ため、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイ
ズが小さくなるアウターリードレスの樹脂封止半導体パ
ッケージを作製することができる。また、その際に、ダ
イボンディング、ワイヤボンディング、モールド、及び
リード切断の各工程が、従来の樹脂封止半導体パッケー
ジを作製する場合と略同様であり、新たな設備や工程の
増加を必要とせず、コストの上昇を招くこともないた
め、アウターリード部がない分だけパッケージ・サイズ
が小さくなる樹脂封止半導体パッケージを従来の場合と
同様に安定的かつ低コストで製造することができる。
According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, in the molding step and the lead cutting step, the lower surface and the side surface at the other end of the inner lead portion are exposed from the molding resin portion. Outer leadless resin-encapsulated semiconductor package in which the lower surface or the lower surface and the side surface can function as external connection terminals of the resin-encapsulated semiconductor package. Can be produced. At this time, the steps of die bonding, wire bonding, molding, and lead cutting are substantially the same as those in the case of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor package, and do not require an increase in new facilities or processes. Since the cost does not increase, a resin-encapsulated semiconductor package whose package size is reduced by the absence of the outer lead portion can be manufactured stably and at low cost as in the conventional case.

【0049】また、請求項5に係る半導体装置の製造方
法によれば、リード切断工程の後に、インナーリードの
モールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面
と実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接
続することにより、アウターリード部がない分だけパッ
ケージ・サイズが小さくなった樹脂封止半導体パッケー
ジが実装基板に実装されるため、樹脂封止半導体パッケ
ージの実装面積を小さくして、高密度実装化された半導
体装置を作製することができる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the fifth aspect, after the lead cutting step, the lower surface or the lower surface and the side surface exposed from the mold resin portion of the inner lead and the wiring pattern of the mounting substrate are electrically connected. By using a conductive adhesive, the resin-encapsulated semiconductor package, whose package size has been reduced by the amount of no outer leads, is mounted on the mounting board, and the mounting area of the resin-encapsulated semiconductor package is reduced. Thus, a semiconductor device which is mounted at high density can be manufactured.

【0050】また、請求項6に係る半導体装置の製造方
法は、モールド工程において、ダイパッド、リードのイ
ンナーリード部、半導体チップ、及び金属細線を樹脂に
より覆って封止する際に形成されるモールド樹脂部から
インナーリード部の下面を露出させると共に、インナー
リードの下面がモールド樹脂部の底面から突き出るよう
に段差を形成することにより、インナーリード部の下面
が下方に突き出た形状となるため、樹脂封止半導体パッ
ケージを実装基板に実装する際に、インナーリード部の
下面及び側面が単に露出するだけの場合に比べて、例え
ばハンダ付け等の導電性接着剤の付着が容易になり、実
装作業の効率及び信頼性を向上させることができる。
In a method of manufacturing a semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention, in a molding step, a mold resin formed when a die pad, an inner lead portion of a lead, a semiconductor chip, and a thin metal wire are covered with a resin and sealed. By exposing the lower surface of the inner lead portion from the portion and forming a step so that the lower surface of the inner lead protrudes from the bottom surface of the mold resin portion, the lower surface of the inner lead portion has a shape protruding downward. When mounting the semiconductor package on the mounting board, it is easier to attach a conductive adhesive such as soldering, for example, compared to a case where the lower surface and side surfaces of the inner lead portion are simply exposed, and the efficiency of the mounting operation is improved. And reliability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a resin-sealed semiconductor package according to a first embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.

【図2】図1に示す樹脂封止半導体パッケージの斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view of the resin-sealed semiconductor package shown in FIG.

【図3】図1に示す半導体装置の製造プロセスのダイボ
ンディング、ワイヤボンディング、及びモールドの各工
程を説明するための工程断面図である。
FIG. 3 is a process cross-sectional view for explaining each process of die bonding, wire bonding, and molding in the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1;

【図4】図1に示す半導体装置の製造プロセスのリード
切断工程を説明するための工程断面図である。
FIG. 4 is a process cross-sectional view for explaining a lead cutting process of the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1;

【図5】図1に示す半導体装置の製造プロセスの実装工
程を説明するための工程断面図である。
FIG. 5 is a process cross-sectional view for explaining a mounting process of the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1;

【図6】本発明の第2の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a resin-sealed semiconductor package according to a second embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.

【図7】本発明の第3の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a resin-sealed semiconductor package according to a third embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.

【図8】図7のA部の部分拡大図である。8 is a partially enlarged view of a portion A in FIG. 7;

【図9】本発明の第4の実施形態に係る樹脂封止半導体
パッケージが実装基板に実装された半導体装置を示す概
略断面図である。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a semiconductor device in which a resin-sealed semiconductor package according to a fourth embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.

【図10】従来のSOP系の樹脂封止半導体パッケージ
が実装基板に実装された半導体装置を示す概略断面図で
ある。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device in which a conventional SOP resin-sealed semiconductor package is mounted on a mounting substrate.

【図11】図10に示す従来のSOP系の樹脂封止半導
体パッケージの斜視図である。
11 is a perspective view of the conventional SOP resin-sealed semiconductor package shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、11a、11b、11c…ダイパッド、12、1
2a、12b、12c…インナーリード(部)、13…
アウターリード部、14…リード、 15…半導体チッ
プ、16…Au線、17、17a、17b、17c…モ
ールド樹脂部、18、18a、18b、18c…樹脂封
止半導体パッケージ、19…プリント配線基板、20…
ハンダ層、31…ダイパッド、32…インナーリード
部、33…アウターリード部、34…リード、 35…
半導体チップ、36…Au線、37…モールド樹脂部、
38…SOP系の樹脂封止半導体パッケージ、39…プ
リント配線基板、40…ハンダ層。
11, 11a, 11b, 11c ... die pad, 12, 1
2a, 12b, 12c ... inner lead (part), 13 ...
Outer lead portion, 14 lead, 15 semiconductor chip, 16 Au wire, 17, 17a, 17b, 17c mold resin portion, 18, 18a, 18b, 18c resin-sealed semiconductor package, 19 printed wiring board, 20 ...
Solder layer, 31: die pad, 32: inner lead part, 33: outer lead part, 34: lead, 35 ...
Semiconductor chip, 36 ... Au wire, 37 ... mold resin part,
38: SOP resin-sealed semiconductor package; 39: printed wiring board; 40: solder layer.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ダイパッド及びインナーリードを有する
リードフレームと、 前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、 前記半導体チップの電極と前記インナーリードの一端を
接続する金属細線と、 前記ダイパッド、前記インナーリード、前記半導体チッ
プ、及び前記金属細線を覆って封止しているモールド樹
脂部と、を具備し、 前記インナーリードの他端の側面及び下面が、前記モー
ルド樹脂部から露出していることを特徴とする半導体装
置。
A lead frame having a die pad and an inner lead; a semiconductor chip mounted on the die pad; a thin metal wire connecting an electrode of the semiconductor chip to one end of the inner lead; a die pad and the inner lead; And a mold resin portion that covers and seals the semiconductor chip and the fine metal wire, wherein a side surface and a lower surface of the other end of the inner lead are exposed from the mold resin portion. Semiconductor device.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、 前記インナーリードの前記モールド樹脂部から露出して
いる下面又は下面及び側面が、導電性接着剤を介して実
装基板の配線パターンに接続されていることを特徴とす
る半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a lower surface or a lower surface and side surfaces of the inner leads exposed from the mold resin portion are connected to a wiring pattern of a mounting board via a conductive adhesive. A semiconductor device.
【請求項3】 請求項1記載の半導体装置において、 前記インナーリードの前記モールド樹脂部から露出して
いる下面が、前記モールド樹脂部の底面から下方に突き
出していることを特徴とする半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a lower surface of said inner lead exposed from said mold resin portion projects downward from a bottom surface of said mold resin portion.
【請求項4】 ダイパッドとインナーリード部及びアウ
ターリード部からなるリードとを有するリードフレーム
の前記ダイパッド上に、半導体チップを搭載して固定す
るダイボンディング工程と、 前記半導体チップの電極と前記リードの前記インナーリ
ード部の一端とを金属細線を用いて接続するワイヤボン
ディング工程と、 前記ダイパッド、前記リードの前記インナーリード部、
前記半導体チップ、及び前記金属細線を樹脂により覆っ
て封止すると共に、その際に形成されるモールド樹脂部
から前記インナーリード部の下面を露出させるモールド
工程と、 前記モールド樹脂部から露出している前記リードを切断
して前記アウターリード部を切り離し、前記インナーリ
ード部の他端の側面を前記モールド樹脂部から露出させ
るリード切断工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. A die bonding step of mounting and fixing a semiconductor chip on the die pad of a lead frame having a die pad and a lead composed of an inner lead part and an outer lead part; A wire bonding step of connecting one end of the inner lead portion with a thin metal wire, the die pad, the inner lead portion of the lead,
A molding step of covering and sealing the semiconductor chip and the fine metal wire with a resin, and exposing a lower surface of the inner lead portion from a molding resin portion formed at that time; and exposing from the molding resin portion. A lead cutting step of cutting the lead to separate the outer lead part and exposing a side surface of the other end of the inner lead part from the mold resin part.
【請求項5】 請求項4記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記リード切断工程の後に、前記インナーリードの前記
モールド樹脂部から露出している下面又は下面及び側面
と実装基板の配線パターンとを導電性接着剤を用いて接
続する実装工程を有していることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein after the lead cutting step, the lower surface or the lower surface and the side surface of the inner lead exposed from the mold resin portion and the wiring pattern of the mounting board are formed. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a mounting step of connecting using a conductive adhesive.
【請求項6】 請求項4記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記モールド工程が、同時に、前記インナーリードの下
面が前記モールド樹脂部の底面から突き出るように段差
を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein said molding step is a step of simultaneously forming a step so that a lower surface of said inner lead projects from a bottom surface of said molding resin portion. Manufacturing method of a semiconductor device.
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