JPH10282813A

JPH10282813A - 電圧印加ロールおよび画像形成装置

Info

Publication number: JPH10282813A
Application number: JP8298897A
Authority: JP
Inventors: Yukio Hara; 幸雄原
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1997-04-01
Filing date: 1997-04-01
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】導電性の芯材およびニップ間における弾性層
の電気抵抗値の変動を小さくし、且つ前記ニップを流れ
る電流を環境、電圧の変動にかかわらず経時変化なく安
定して流し、安定的に高画質を得ることが可能な画像形
成装置の提供。【解決手段】導電性の芯材２１aと、芯材２１aの円筒
状外側面に付着されて、表面を所定の押圧力で押圧した
際にニップＮの円周方向の幅が所定範囲の値となるよう
に変形可能で、厚みがｔ1＝２〜１０(ｍｍ)、体積抵抗率
Ｒ1(Ωｃｍ)がＲ1＝１０^8.0〜１０^9.7に設定されたイオ
ン導電材料により構成された半導電性下地層２１b、お
よび前記半導電性下地層２１bの外側面を被覆する弾性
を有する厚みｔ2＝０．００５〜０．０５(ｍｍ)、体積
抵抗率Ｒ2(Ωｃｍ)が前記Ｒ1の値に対してＲ2≦Ｒ1×１
０^-2に設定された半導電性表面薄層２１cを有する弾性
層２１b＋２１cとから構成される電圧印加ロールを有す
る画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、像担持体に形成し
たトナー像を転写媒体に対して静電的に転写させるタイ
プの複写機やプリンタ等の電子写算方式を用いた画像形
成装置に用いられる電圧印加ロールおよび画像形成装置
に関するものである。

【従来の技術】従来、前記電子写真万式を用いた画像形
成装置においては、環境性、低騒音、低コストの要求が
更に高まってきており、これらの要求に応える技術とし
て、感光体ドラム等からなる像担持体の帯電や当該像担
持体上に形成されたトナー像の転写などを行うコロナ放
電器に代え、当該像担持体に接触した状態で帯電や転写
を行う電圧印加ロールを用いたバイアスロール方式のも
のが提案されている。この接触型の電圧印加ロールは、
オゾン等のコロナ生成物がほとんど発生せず、しかも、
高圧電源の電圧として低い電圧のものを使用でき、大型
の高圧電源を必要としないため、その分、消費電力を定
着装置等に回して定着効率の向上を図ることが可能であ
り、画像形成装置の軽量化及び高速化を達成することが
できる。

【０００２】前記電圧印加ロールを用いた画像形成装置
としては、従来、例えば次の技術（Ｊ01）が知られてい
る。（Ｊ01）像担持体上に静電潜像を形成し、前記静電潜像
をトナー像に現像し、前記像担持体上のトナー像を中間
転写体を介して記録シートに転写する技術、または中間
転写体を介さずに記録シートに転写し、記録シート上の
トナー像を加熱定着する画像形成装置。

【０００３】この種の画像形成装置で使用される転写ロ
ールや帯電ロール、除電ロール等の電圧印加ロールにお
いては、ＮＢＲ（ニトリルブタジエンゴム）、ＥＰＤＭ
（エチレンプロピレンジエンゴム）、ウレタンゴム、
シリコンゴムにカーボンブラックや有機及び無機電解質
などの導電性物質を分散させて導電性を付与し、ガス発
泡や化学発泡によつて発泡させたスポンジロールを用い
ている。このような電圧印加ロールでは、導電性物質に
よって、その電気的特性が大きく異なり、半導電性物質
として、有機及び無機電解質を添加したイオン導電性タ
イプと導電性物質としてカーボンブラックを用いた電子
電導タイプに分類される。イオン導電性タイプの電圧印
加ロールは、ロール内の体積抵抗率の分布のバラツキが
極めて小さく、望ましい、反面、温度や湿度の環境変化
に対する体積抵抗値率の変動が大きく、例えば、２８
℃、８５％ＲＨの高温高湿環境（Ｈ／Ｈ環境）と１０
℃、１５％ＲＨの低温低湿環境（Ｌ／Ｌ環境）との体積
抵抗値率の差が、１.５〜２桁（１.５〜２×loｇΩ）あ
るという問題を有している。

【０００４】また、一般に、イオン導電性タイプの電圧
印加ロールは、イオン導電剤として、４級アンモニウム
過塩素酸塩などが用いられているが、Ｌ／Ｌ環境での体
積抵抗率を１０^9.5Ωcm（＝９.５loｇΩcm）よりも低く
することが困難であり、イオン導電剤の量を多くすると
イオン導電剤が、電圧印加ロールの表面から滲み出て、
像担持体の表面に移行（ブリードアウト）して、画像劣
化、汚染や感材侵食などを起こし易いという問題点が新
たに生じる。

【０００５】また、カーボンブラックを用いた電子電導
タイプの場合には、温度や湿度の環境変化に対する体積
抵抗値率の変動は少ない。しかし、カーボンブラックの
分散性の不安定さのために、カーボンブラックの配合量
の多い、１０^3-5Ωcm（＝３〜５loｇΩｃｍ）の抵抗領
域では、ロール内の体積抵抗率の分布のバラツキは、少
ないが、画像形成装置の転写ロールや帯電ロールとして
用いられる１０^6-10.5Ωｃｍ（＝６〜１０.５loｇΩｃ
ｍ）の抵抗領域においては、例えば、ロール内の面内バ
ラツキが１桁（loｇΩｃｍ）と大きい。また、体積抵抗
率の電圧依存性は、例えば、印加電圧１００Ｖと印加電
圧１ＫＶとでの体積抵抗値率が１桁（loｇΩｃｍ）以上
と大きいために、電圧変動によって、転写部での転写電
流が大きく変わるなど問題がある。

【０００６】前記対策として、従来下記の技術（Ｊ02）
〜（Ｊ04）が知られている。（Ｊ02）特開平３−２０２８８５号公報記載の技術この公報には、抵抗水準の異なる２層構成のゴムロール
にして、Ｈ／Ｈ環境とＬ／Ｌ環境での抵抗変動を少なく
する技術が開示されている。（Ｊ03）特開平７−９８５４９号公報記載の技術この公報には、イオン導電剤とカーボンブラックなどの
電子電導の導電剤とを組合せた配合によって、環境、電
圧の変化に対する抵抗変動を少なくする技術が開示され
ている。（Ｊ04）特開平５−３３２３５２号公報記載の技術この公報には、２種類のカーボンブラックを組み合わせ
て配合して、ロール内の抵抗バラツキを低減する技術が
開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】

（前記（Ｊ02）〜（Ｊ04）の問題点）バイアスロールと
して用いられる電圧印加ロールは、像担持体に形成され
たトナー像をバイアスロールにて記録シート（転写紙）
に転写する画像形成装置において、次の条件（ａ）〜
（ｃ）が要求される。（ａ）ロール内の抵抗値のばらつきが少ないこと。（ｂ）Ｈ／Ｈ環境とＬ／Ｌ環境での体積抵抗値率の変動
が少ないこと。（ｃ）体積抵抗率の電圧依存性が少ないこと。しかしながら前記（Ｊ02）〜（Ｊ04）の技術は前記条件
（ａ）〜（ｃ）を満足することができないので、転写部
で必要な一定の転写電流を環境、電圧の変動にかかわら
ず経時変化なく安定して流すことができない。

【０００８】本発明は前述の事情（及び検討結果）に鑑
み、円筒状外側面を有する導電性の芯材と、前記芯材の
円筒状外側面に付着された弾性を有する円筒状の弾性層
とを有し、前記弾性層が、前記弾性層表面およびこの弾
性層表面に対向配置される対向部材を所定の押圧力で押
圧した際に前記円筒状の弾性層表面および前記対向部材
の圧接領域であるニップの円周方向の幅（すなわち、ニ
ップ幅）が所定範囲の値となるように変形可能な電圧印
加ロールにおいて、下記（Ｏ01）〜（Ｏ03）の記載内容
を課題とする。（Ｏ01）前記導電性の芯材および前記ニップ間における
前記弾性層の電気抵抗値の変動を小さくすること。（Ｏ02）前記ニップを流れる電流を環境、電圧の変動に
かかわらず経時変化なく安定して流すこと。（Ｏ03）安定的に高画質を得ることのできる画像形成装
置を提供すること。

【０００９】

【課題を解決するための手段】次に、前記課題を解決し
た本発明を説明するが、本発明の説明において本発明の
構成要素の後に付記したカッコ内の符号は、本発明の構
成要素に対応する後述の実施例の構成要素の符号であ
る。なお、本発明を後述の実施例の構成要素の符号と対
応させて説明する理由は、本発明の理解を容易にするた
めであり、本発明の範囲を実施例に限定するためではな
い。

【００１０】（第１発明）前記課題を解決するために、
本出願の第１発明の電圧印加ロールは、下記の要件を備
えたことを特徴とする、（Ａ01）円筒状外側面を有する
導電性の芯材（２１a，２９a，３０a）、（Ａ02）前記
芯材（２１a，２９a，３０a）の円筒状外側面に付着さ
れた弾性を有する円筒状の弾性層（２１b＋２１c，２９
b＋２９c，３０b＋３０c）、（Ａ03）前記弾性層（２１
b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）表面およびこ
の弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０
c）表面に対向配置される対向部材（Ｂ）を所定の押圧
力で押圧した際に前記円筒状の弾性層（２１b＋２１c，
２９b＋２９c，３０b＋３０c）表面および前記対向部材
（Ｂ）の圧接領域であるニップ（Ｎ）の円周方向の幅が
所定範囲の値となるように変形可能な前記弾性層（２１
b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）、（Ａ04）前
記芯材（２１a，２９a，３０a）表面に付着して前記ニ
ップ（Ｎ）幅が所定範囲の値となるように変形可能な厚
みを有しイオン導電材料により構成された円筒状の半導
電性下地層（２１b，２９b，３０b）、および前記半導
電性下地層（２１b，２９b，３０b）の外側面を被覆す
る弾性を有する電子導電材料により構成された円筒状の
半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）を有する前
記弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０
c）、（Ａ05）前記半導電性表面薄層（２１c，２９c，
３０c）を形成しない状態の前記半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）表面を前記対向部材に押圧したとき
の前記芯材およびニップ間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗
値である下地層抵抗値Ｒ′に比較して、前記半導電性下
地層（２１b，２９b，３０b）表面に形成した前記半導
電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）を前記対向部材
に押圧したときの前記芯材およびニップ間の軸方向１ｃ
ｍ当たりの抵抗値である弾性層抵抗値Ｒが、Ｒ≦１０
^-0.3Ｒ′となるように形成された前記半導電性表面薄層
（２１c，２９c，３０c）。

【００１１】（第１発明の作用）前記構成を備えた第１
発明の電圧印加ロールは、円筒状外側面を有する導電性
の芯材（２１a，２９a，３０a）と、前記芯材（２１a，
２９a，３０a）の円筒状外側面に付着された弾性を有す
る円筒状の弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０
b＋３０c）を有している。前記弾性層（２１b＋２１c，
２９b＋２９c，３０b＋３０c）は、前記芯材（２１a，
２９a，３０a）表面に付着した半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）およびその表面を被覆する半導電性
表面薄層（２１c，２９c，３０c）を有している。前記
半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）は、前記弾性
層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）表面
およびこの弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０
b＋３０c）表面に対向配置される対向部材（Ｂ）を所定
の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層（２１b＋
２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）表面および前記
対向部材（Ｂ）の圧接領域であるニップ（Ｎ）の円周方
向の幅が所定範囲の値となるように変形する。したがっ
て、前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の弾
性変形により所定範囲のニップ（Ｎ）幅が形成される。
前記弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３
０c）は、前記芯材（２１a，２９a，３０a）表面に付着
して前記ニップ（Ｎ）幅が所定範囲の値となるように変
形可能な厚みを有しイオン導電材料により構成された円
筒状の半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）、およ
び前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の外側
面を被覆する弾性を有する電子導電材料により構成され
た円筒状の半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）
を有する。

【００１２】前記半導電性表面薄層Ｒ2（２１c，２９
c，３０c）を形成しない場合には、前記芯材（２１a，
２９a，３０a）から半導電性下地層（２１b，２９b，３
０b）の小さい面積部分（ニップ（Ｎ）の周囲の小面積
部分）のみに電流が流れることになる。前記半導電性下
地層（２１b，２９b，３０b）内部の体積抵抗率の分布
が不均一であると、電圧印加ロールの回転に伴い、ニッ
プ（Ｎ）の周囲に移動した部分の半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）の体積抵抗率Ｒ1が変動する。この場
合には、電圧印加ロールの回転に伴い、ニップ（Ｎ）の
周囲に移動した部分の半導電性下地層（２１b，２９b，
３０b）の体積抵抗率Ｒ1の変動によって、前記芯材（２
１a，２９a，３０a）からニップ（Ｎ）までの弾性層
（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）の抵抗
値が大きく変動する。

【００１３】これに対し、本発明では、前記半導電性表
面薄層（２１c，２９c，３０c）を形成しない状態の前
記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）表面を前記
対向部材に押圧したときの前記芯材およびニップ間の軸
方向１ｃｍ当たりの抵抗値（下地層抵抗値）Ｒ′に比較
して、前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）表
面に形成した前記半導電性表面薄層（２１c，２９c，３
０c）を前記対向部材に押圧したときの前記芯材および
ニップ間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗値（弾性層抵抗
値）Ｒが、Ｒ≦１０^-0.3Ｒ′となるように構成されてい
る。この場合、芯材（２１a，２９a，３０a）から半導
電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）の広い面積部分
に電流が流れ、且つ前記半導電性表面薄層（２１c，２
９c，３０c）に沿ってニップ（Ｎ）に電流が流れること
になる。すなわち、この場合、前記電流は半導電性下地
層（２１b，２９b，３０b）の多くの部分通って前記半
導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）の広い面積部
分に電流が流れることになる。

【００１４】この場合には、前記半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）内部の体積抵抗率の分布が不均一で
あっても（すなわち、電圧印加ロールの回転に伴い、ニ
ップ（Ｎ）の周囲に移動した部分の半導電性下地層（２
１b，２９b，３０b）の体積抵抗率Ｒ1が変動しても）、
前記電流が半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の
多くの部分を流れるので、前記芯材（２１a，２９a，３
０a）からニップ（Ｎ）までの前記弾性層（２１b＋２１
c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）の抵抗値Ｒの変動は
小さい。

【００１５】したがって、本発明のように半導電性下地
層（２１b，２９b，３０b）の多くの部分および半導電
性表面薄層（２１c，２９c，３０c）の広い部分を通っ
て電流が流れるように構成することにより、ロール回転
時の抵抗値Ｒの変動を小さくすることができる。また、
前述のように、半導電性下地層（２１b，２９b，３０
b）の多くの部分および半導電性表面薄層（２１c，２９
c，３０c）の広い部分を通って電流が流れるように構成
することは、前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０
b）の体積抵抗率Ｒ1よりも前述半導電性表面薄層（２１
c，２９c，３０c）の体積抵抗率Ｒ2を低く設定すること
になる。

【００１６】すなわち、本発明では、半導電性表面薄層
（２１c，２９c，３０c）の体積抵抗率Ｒ2よりも半導電
性下地層（２１b，２９b，３０b）の体積抵抗率Ｒ1を大
きく設定し、半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）
の多くの部分を通って電流が流れるように構成すること
になるので、芯材（２１a，２９a，３０a）からニップ
（Ｎ）までの電圧印加ロールの抵抗値Ｒは、半導電性下
地層（２１b，２９b，３０b）を構成するイオン導電材
料に支配されており、ロール抵抗値（芯材およびニップ
間抵抗値）Ｒの電圧依存性は、少ない。また、半導電性
下地層（２１b，２９b，３０b）のイオン導電材料は、
体積抵抗率Ｒ1のばらつきが比較的小さいので、前述の
ように、芯材（２１a，２９a，３０a）からニップ
（Ｎ）までの電圧印加ロールの抵抗値が半導電性下地層
（２１b，２９b，３０b）を構成するイオン導電材料に
支配されている状態では、電圧印加ロール回転時の前記
芯材（２１a，２９a，３０a）およびニップ（Ｎ）間の
抵抗値Ｒのばらつきは小さい。

【００１７】また、前記半導電性下地層（２１b，２９
b，３０b）および半導電性表面薄層（２１c，２９c，３
０c）が共に弾性を有するので、次のような問題点（a）
〜（c）が生じない。（a）帯電ロールおよび転写ロール等の電圧印加ロール
が、弾性を有しない場合には対向部材（Ｂ）と安定して
ニップ（Ｎ）を形成することができなくなる。（b）安定してニップ（Ｎ）を形成することができない
場合、前記電圧印加ロールが帯電ロールの場合には、帯
電が不均一になり易く、帯電むらが発生する。また、前
記電圧印加ロールが転写ロールの場合には、転写むらが
発生する。（c）半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）に弾性
を有しない、例えば、カーボンブラック分散のアクリル
樹脂を低硬度のゴムロール表面材料として用いた場合に
は、半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）に弾性
がないため像担持体等の対向部材（Ｂ）との圧接に伴う
変形によって表面層にクラックが発生する問題がある。

【００１８】第１発明で使用する弾性を有する半導電性
表面薄層（２１c，２９c，３０c）としては、電子導電
剤を分散させた電子導電材料により構成されており、例
えば、カーボンブラック分散のウレタン塗料、ゴム変性
フッ素系導電塗料を使用することができる。第１発明の
導電性ロールの芯材（２１a，２９a，３０a）およびニ
ップ（Ｎ）間の抵抗値Ｒは、前記半導電性下地層（２１
b）により必要な大きさの抵抗値が得られるので、半導
電性表面薄層（２１c）としては体積抵抗率Ｒ2の小さな
材料を使用することができる。例えば、前記電子導電材
料としてカーボンブラックを使用した場合、体積抵抗率
Ｒ2＝１０³ないし１０⁵Ωｃｍの材料を使用することが
できる。この場合、前記電子導電剤の分散性の不安定さ
による影響の少ない領域、すなわち、体積抵抗率のバラ
ツキの少ない領域で、カーボンブラック（電子導電剤）
を使用することができるので、導電性ロールが回転する
際の前記芯材（２１a，２９a，３０a）および前記ニッ
プ（Ｎ）間の抵抗値のバラツキは少なくなる。したがっ
て、前記ニップ（Ｎ）を流れる電流のバラツキの少ない
導電性ロールを得ることができる。

【００１９】前記第１発明の電圧印加ロールは、電子写
真複写機のような画像形成装置の転写ロール、帯電ロー
ル、除電ロール等に適用できる。また、通常のモノカラ
ー画像形成装置や、感光体ドラム等の一つの像担持体上
に多重トナ一像を担持するカラー画像形成装置、中間転
写体方式のカラー画像形成装置、各色毎の現像器を備え
た複数の像担侍体を直列に配置したタンデム型カラー画
像形成装置等の種々の画像形成装置の電圧印加ロールに
適用可能である。

【００２０】（第２発明）また、本出願の第２発明の画
像形成装置は、下記の要件を備えたことを特徴とする、
（Ｂ01）回転移動する像担持体（１６）表面を一様に帯
電させる帯電器（１７）、（Ｂ02）一様に帯電した像担
持体（１６）表面に静電潜像を形成する潜像形成装置
（ＲＯＳ）、（Ｂ03）前記潜像をトナー像に現像する現
像装置（Ｄ）、（Ｂ04）前記像担持体（１６）表面に形
成されたトナー像を中間転写体（Ｂ）に転写する１次転
写領域（Ｑ3）に配置された１次転写器（２１）、（Ｂ0
5）前記中間転写体（Ｂ）に転写されたトナー像を記録
シート（Ｓ）に転写する２次転写領域（Ｑ4）に配置さ
れた２次転写器（Ｔ）、（Ｂ06）前記２次転写領域（Ｑ
4）に記録シート（Ｓ）を供給するシート供給手段（３
５〜３８）、（Ｂ07）前記２次転写領域（Ｑ4）におい
て記録シート（Ｓ）に転写したトナー像を加熱定着する
定着装置（４１）、（Ｂ08）円筒状外側面を有する導電
性の芯材（２１a）と、前記芯材（２１a）の円筒状外側
面に付着された弾性を有する円筒状の弾性層（２１b＋
２１c）とを有する転写ロール（２１）により構成され
た前記１次転写器（２１）、（Ｂ09）前記弾性層（２１
b＋２１c）表面およびこの弾性層（２１b＋２１c）表面
に対向配置される対向部材である中間転写体（Ｂ）を所
定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層（２１b
＋２１c）表面および前記中間転写体（Ｂ）の圧接領域
であるニップ（Ｎ）の円周方向の幅が所定範囲の値とな
るように変形可能な前記弾性層（２１b＋２１c）、（Ｂ
010）前記芯材（２１a）表面に付着して前記ニップ
（Ｎ）幅が所定範囲の値となるように変形可能な厚みを
有しイオン導電材料により構成された円筒状の半導電性
下地層（２１b）、および前記半導電性下地層（２１b）
の外側面を被覆する弾性を有する電子導電材料により構
成された円筒状の半導電性表面薄層を有する前記弾性層
（２１b＋２１c）、（Ｂ011）前記半導電性表面薄層を
形成しない状態の半導電性下地層（２１b）表面を前記
対向部材に押圧したときの前記芯材およびニップ（Ｎ）
間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗値である下地層抵抗値
Ｒ′に比較して、前記半導電性下地層（２１b）表面に
形成した前記半導電性表面薄層の表面を前記対向部材に
押圧したときの前記芯材およびニップ（Ｎ）間の軸方向
１ｃｍ当たりの抵抗値である弾性層抵抗値Ｒが、Ｒ≦１
０^-0.3Ｒ′となるように形成された前記半導電性表面薄
層。

【００２１】（第２発明の作用）前記構成を備えた第２
発明の画像形成装置では、帯電器（１７）は、回転移動
する像担持体（１６）表面を一様に帯電させる。潜像形
成装置（ＲＯＳ）は、前記一様に帯電した像担持体（１
６）表面に静電潜像を形成する。現像装置（Ｄ）は、前
記潜像をトナー像に現像する。１次転写領域（Ｑ3）に
配置された１次転写器（２１）は、前記像担持体（１
６）表面に形成されたトナー像を中間転写体（Ｂ）に転
写する。２次転写領域（Ｑ4）に配置された２次転写器
（Ｔ）は、前記中間転写体（Ｂ）に転写されたトナー像
を記録シート（Ｓ）に転写する。シート供給手段（３５
〜３８）は、前記２次転写領域（Ｑ4）に記録シート
（Ｓ）を供給する。定着装置（４１）は、前記２次転写
領域（Ｑ4）において記録シート（Ｓ）に転写したトナ
ー像を加熱定着する。

【００２２】前記１次転写器（２１）は、円筒状外側面
を有する導電性の芯材（２１a）と、前記芯材（２１a）
の円筒状外側面に付着された弾性を有する円筒状の弾性
層（２１b＋２１c）とを有する転写ロール（２１）によ
り構成されている。前記弾性層（２１b＋２１c）は、前
記芯材（２１a）表面に付着して前記ニップ（Ｎ）幅が
所定範囲の値となるように変形可能な厚みを有しイオン
導電材料により構成された円筒状の半導電性下地層（２
１b）、および前記半導電性下地層（２１b）の外側面を
被覆する弾性を有する電子導電材料により構成された円
筒状の半導電性表面薄層（２１c）を有する。したがっ
て、前記弾性層（２１b＋２１c）は、弾性層（２１b＋
２１c）表面およびこの弾性層（２１b＋２１c）表面に
対向配置される対向部材である中間転写体（Ｂ）を所定
の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層（２１b＋
２１c）表面および前記中間転写体（Ｂ）の圧接領域で
あるニップ（Ｎ）の円周方向の幅が所定範囲の値となる
ように変形する。

【００２３】この第２発明の画像形成装置の前記１次転
写ロール（２１）は、前記第１発明の電圧印加ロールを
使用しているので、前記第１発明の電圧印加ロールと同
様の作用が得られる。すなわち、芯材（２１a，２９a，
３０a）から半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）
の広い面積部分に電流が流れ、且つ前記半導電性表面薄
層（２１c，２９c，３０c）に沿ってニップ（Ｎ）に電
流が流れることになる。すなわち、この場合、前記電流
は半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の多くの部
分通って前記半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０
c）の広い面積部分に電流が流れることになる。

【００２４】この場合には、前記半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）内部の体積抵抗率の分布が不均一で
あっても（すなわち、電圧印加ロールの回転に伴い、ニ
ップ（Ｎ）の周囲に移動した部分の半導電性下地層（２
１b，２９b，３０b）の体積抵抗率Ｒ1が変動しても）、
前記電流が半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の
多くの部分を流れるので、前記芯材（２１a，２９a，３
０a）からニップ（Ｎ）までの前記弾性層（２１b＋２１
c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）の抵抗値Ｒの変動は
小さい。したがって、本発明のように半導電性下地層
（２１b，２９b，３０b）の多くの部分および半導電性
表面薄層（２１c，２９c，３０c）の広い部分を通って
電流が流れるように構成することにより、転写ロール
（２１）回転時の抵抗値Ｒの変動を小さくすることがで
きる。

【００２５】また、前記第１発明の作用で説明したよう
に、芯材（２１a，２９a，３０a）からニップ（Ｎ）ま
での転写ロール（電圧印加ロール）（２１）の抵抗値Ｒ
は、半導電性下地層（２１b）を構成するイオン導電材
料に支配されており、ロール抵抗値（芯材およびニップ
（Ｎ）間抵抗値）Ｒの電圧依存性は、少ない。また、転
写ロール（電圧印加ロール）回転時の前記芯材（２１
a）およびニップ（Ｎ）間の抵抗値Ｒのばらつきは小さ
い。また、前記半導電性下地層（２１b）および半導電
性表面薄層（２１c）が共に弾性を有するので、１次転
写ロール（２１）は対向部材（Ｂ）と安定してニップ
（Ｎ）を形成することができるので、転写むらが発生し
難い。また、表面層にクラックが発生し難い。したがっ
て、前記ニップ（Ｎ）を流れる転写電流のバラツキを少
なくすることができる。このため、像担持体（１６）と
中間転写体（Ｂ）との間に一定の１次転写電流を環境、
電圧の変動にかかわらず経時変化なく安定して流すこと
ができるので、安定的に良好な１次転写を行うことがで
きる。このため、１次転写不良に基づく画質低下の発生
を防止することができる。

【００２６】（第３発明）また、本出願の第３発明の画
像形成装置は、下記の要件を備えたことを特徴とする、
（Ｃ01）回転移動する像担持体（１６）表面を一様に帯
電させる帯電器（１７）、（Ｃ02）一様に帯電した像担
持体（１６）表面に静電潜像を形成する潜像形成装置
（ＲＯＳ）、（Ｃ03）前記潜像をトナー像に現像する現
像装置（Ｄ）、（Ｃ04）前記像担持体（１６）表面に形
成されたトナー像を記録シート（Ｓ）に転写する転写位
置に配置された転写器（２１′，２１″）、（Ｃ05）前
記転写位置に記録シート（Ｓ）を供給するシート供給手
段（３５〜３８）、（Ｃ06）前記転写位置において記録
シート（Ｓ）に転写したトナー像を加熱定着する定着装
置（４１）、（Ｃ07）円筒状外側面を有する導電性の芯
材と、前記芯材の円筒状外側面に付着された弾性を有す
る円筒状の弾性層とを有する転写ロール（２１′,２
１″）により構成された前記転写器（２１′，２
１″）、（Ｃ08）前記弾性層表面およびこの弾性層表面
に対向配置される対向部材である像担持体（１６）を所
定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層表面およ
び前記像担持体（１６）の圧接領域であるニップの円周
方向の幅が所定範囲の値となるように変形可能な前記弾
性層、（Ｃ09）前記芯材表面に付着して前記ニップ幅が
所定範囲の値となるように変形可能な厚みを有しイオン
導電材料により構成された円筒状の半導電性下地層、お
よび前記半導電性下地層の外側面を被覆する弾性を有す
る円筒状の半導電性表面薄層を有する前記弾性層、（Ｃ
010）前記芯材表面に付着して前記ニップ幅が所定範囲
の値となるように変形可能な厚みを有しイオン導電材料
により構成された円筒状の半導電性下地層、および前記
半導電性下地層の外側面を被覆する弾性を有する電子導
電材料により構成された円筒状の半導電性表面薄層を有
する前記弾性層。

【００２７】（第３発明の作用）また、本出願の第３発
明の画像形成装置では、前記転写ロール（２１′,２
１″）の半導電性下地層の体積抵抗率を半導電性表面薄
層の体積抵抗率より高く設定しているので、芯材からニ
ップまでの電圧印加ロールの抵抗値は、半導電性下地層
を構成するイオン導電材料に支配されており、ロール抵
抗値の電圧依存性は、少ない。また、半導電性下地層の
イオン導電材料は、体積抵抗率のばらつきが小さいの
で、前述のように、芯材からニップまでの電圧印加ロー
ルの抵抗値が半導電性下地層を構成するイオン導電材料
に支配されている状態では、前記抵抗値のばらつきは小
さい。このため、転写電流を環境、電圧の変動にかかわ
らず経時変化なく安定して流すことができるので、安定
的に良好な転写を行うことができる。このため、転写不
良に基づく画質低下の発生を防止することができる。

【００２８】前記第２発明および第３発明の画像形成装
置は、転写器（２１′，２１″）として転写ロール（２
１′,２１″）を用いる電子写真装置であれば、特に限
定されるものではなく、例えば、通常のモノカラー画像
形成装置や、感光体ドラム等の一つの像担持体（１６）
上に多重トナ一像を担持するカラー画像形成装置、中間
転写体方式のカラー画像形成装置、各色毎の現像器を備
えた複数の像担侍体を直列に配置したタンデム型カラー
画像形成装置等に適用可能である。

【００２９】

【発明の実施の形態】

（第１発明の実施の形態１）第１発明の実施の形態１の
電圧印加ロールは、前記第１発明において下記の要件を
備えたことを特徴とする、（Ａ06）前記半導電性下地層
（２１b，２９b，３０b）の体積抵抗率をＲ1Ωｃｍ、前
記半導電性表面薄層の体積抵抗率をＲ2Ωｃｍとした場
合に１０³≦Ｒ2≦１０⁵に設定された前記半導電性表面
薄層（２１c，２９c，３０c）。

【００３０】（第１発明の実施の形態１の作用）前記構
成を有する第１発明の実施の形態１の電圧印加ロールで
は、前記弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b
＋３０c）の半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）
が、電子導電剤を分散させた電子導電材料により構成さ
れている。前記電子導電材料は、一般的にカーボンブラ
ック、有機および無機電解質等の電子導電剤を分散させ
た構成が採用される。第１発明の導電性ロールは芯材
（２１a，２９a，３０a）およびニップ（Ｎ）間の抵抗
値は前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）によ
り必要な大きさが得られるので、半導電性表面薄層（２
１c，２９c，３０c）としては体積抵抗率Ｒ2の小さな材
料を使用しても、芯材（２１a，２９a，３０a）および
ニップ（Ｎ）間の抵抗値を適切な値に設定することがで
きる。

【００３１】半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０
c））として電子導電剤を分散させた体積抵抗率Ｒ2の小
さな材料を使用する場合、分散させる電子導電材料の量
が少な過ぎることによる半導電性表面薄層（２１c，２
９c，３０c））内部での体積抵抗率の分布にバラツキが
生じるようなことが無くなる。したがって、体積抵抗率
の分布が均一な半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０
c））を形成することができる。例えば、前記電子導電
材料としてカーボンブラックを使用した場合、体積抵抗
率Ｒ2＝１０³ないし１０⁵Ωｃｍの材料を使用すること
ができる。この場合、前記電子導電剤の分散性の不安定
さによる影響の少ない領域、すなわち、体積抵抗率のバ
ラツキの少ない領域で、電子導電剤を使用することがで
きるので、導電性ロールが回転する際の前記芯材（２１
a，２９a，３０a）および前記ニップ（Ｎ）間の抵抗値
のバラツキは少なくなる。したがって、前記ニップ
（Ｎ）を流れる電流のバラツキの少ない導電性ロールを
得ることができる。

【００３２】（第１発明の実施の形態２）第１発明の実
施の形態２の電圧印加ロールは、前記第１発明または第
１発明の実施の形態１において下記の要件を備えたこと
を特徴とする、（Ａ07）前記半導電性下地層（２１b，
２９b，３０b）の厚みをｔ1（ｍｍ）、体積抵抗率をＲ1
（Ωｃｍ）、前記半導電性表面薄層の厚みをｔ2（ｍ
ｍ）、体積抵抗率をＲ2（Ωｃｍ）とした場合に、ｔ1＝
２〜１０（ｍｍ）、ｔ2＝０.００５〜０.０５（ｍ
ｍ）、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定された前記半導電性下地
層（２１b，２９b，３０b）および前記半導電性表面薄
層（２１c，２９c，３０c）。

【００３３】（第１発明の実施の形態２の作用）第１発
明の実施の形態２の電圧印加ロールでは、前記ニップ
（Ｎ）の形成に必要な弾性は厚みｔ1（ｍｍ）＝２〜１
０（ｍｍ）の半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）
により得ることができる。前記半導電性表面薄層（２１
c，２９c，３０c）の体積抵抗率Ｒ2（Ωｃｍ）の値およ
び前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の体積
抵抗率Ｒ1の関係を、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定した場
合、すなわち、Ｒ2をＲ1に比較して小さく設定した場
合、芯材（２１a，２９a，３０a）から半導電性表面薄
層（２１c，２９c，３０c）の広い面積部分に電流が流
れ、前記半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）に
沿ってニップ（Ｎ）に電流が流れることになる。この場
合、前記電流は半導電性下地層（２１b，２９b，３０
b）の多くの部分を流れることになる。この場合には、
電圧印加ロールの回転に伴い、ニップ（Ｎ）の周囲に移
動した部分の半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）
の体積抵抗率の変動によっても、前記芯材（２１a，２
９a，３０a）からニップ（Ｎ）までの前記弾性層（２１
b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）の抵抗値の変
動は小さい。また、前記ｔ1，Ｒ1，ｔ2，Ｒ2の値を前述
のように定めることにより、半導電性下地層（２１b，
２９b，３０b）内側面の芯材（２１a，２９a，３０a）
から表面（半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）
に接する外側面）までの抵抗値（芯材およびニップ間抵
抗値）Ｒ（Ω）を適切な値に容易に設定することができ
る。前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）の体
積抵抗率Ｒ1を半導電性表面薄層（２１c，２９c，３０
c））の体積抵抗率Ｒ2より高く設定し、厚みｔ1をｔ2よ
りも分厚く設定しているので、芯材（２１a，２９a，３
０a）からニップ（Ｎ）までの電圧印加ロールの抵抗値
Ｒは、半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）を構成
するイオン導電材料に支配されており、ロール抵抗値の
電圧依存性は、少ない。また、半導電性下地層（２１
b，２９b，３０b）のイオン導電材料は、体積抵抗率の
ばらつきが小さいので、前述のように、芯材（２１a，
２９a，３０a）からニップ（Ｎ）までの電圧印加ロール
の抵抗値が半導電性下地層（２１b，２９b，３０b）を
構成するイオン導電材料に支配されている状態では、前
記抵抗値Ｒのばらつきは小さい。

【００３４】（第１発明の実施の形態３）第１発明の実
施の形態３の電圧印加ロールは、前記第１発明または第
１発明の実施の形態１もしくは２において下記の要件を
備えたことを特徴とする、（Ａ08）前記導電性の芯材
（２１a，２９a，３０a）および前記ニップ（Ｎ）間に
おける軸方向単位長さ当たりの常温常湿での抵抗値Ｒ
（Ω）がＲ＝１０^8.4〜１０^8.9（Ω）に設定された前記
弾性層（２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０
c）。

【００３５】（第１発明の実施の形態３の作用）第１発
明の実施の形態３の電圧印加ロールでは、前記導電性の
芯材（２１a，２９a，３０a）および前記ニップ（Ｎ）
間における軸方向単位長さ当たりの前記弾性層（２１b
＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c）の常温常湿で
の抵抗値Ｒ（Ω）がＲ＝１０^8.4〜１０^8.9（Ω）に設定
されているので、適切な転写電流および転写電界が得ら
れる。すなわち、Ｒ＝１０^8.4（Ω）の場合には必要な
転写電界を形成する電圧を印加できるが、Ｒの値がＲ＝
１０^8.4（Ω）よりも下のある値以下では、転写不良が
発生する。また、Ｒ＝１０^8.9（Ω）の場合は、適切な
転写電界を形成する電圧を印加できるが、Ｒの値がＲ＝
１０^8.9（Ω）を越えたある値以上では高電圧を印加す
ることになり、ニップ（Ｎ）前後の領域での放電現象が
生じ易くなり、白点抜け等の画質欠陥を発生させる。

【００３６】（第１発明の実施の形態４）第１発明の実
施の形態４の電圧印加ロールは、前記第１発明または第
１発明の実施の形態１ないし３のいずれかにおいて下記
の要件を備えたことを特徴とする、（Ａ09）前記イオン
導電材料がイオン導電剤を分散させたウレタンゴムによ
り構成された前記半導電性下地層（２１b，２９b，３０
b）。

【００３７】（第１発明の実施の形態４の作用）第１発
明の実施の形態４の電圧印加ロールでは、前記半導電性
下地層（２１b，２９b，３０b）を構成する前記イオン
導電材料は、イオン導電剤を分散させたウレタンゴムに
より構成されている。ウレタンゴムは一般的に多用され
ているため、原材料の確保が容易であり、適切な弾性を
容易に得られる。

【００３８】（第１発明の実施の形態５）第１発明の実
施の形態５の電圧印加ロールは、前記第１発明、または
第１発明の実施の形態１ないし４のいずれかにおいて下
記の要件を備えたことを特徴とする、（Ａ010）前記電
子導電材料がカーボンブラックを分散させたウレタン変
性のフッ素樹脂により構成された前記半導電性表面薄層
（２１c，２９c，３０c）。

【００３９】（第１発明の実施の形態５の作用）第１発
明の実施の形態５の電圧印加ロールでは、前記半導電性
表面薄層（２１c，２９c，３０c）を構成する前記電子
導電材料がカーボンブラックを分散させたウレタン変性
のフッ素樹脂により構成されている。電圧印加ロール表
面が低表面エネルギーのフッ素樹脂系材料で被覆される
ことで、トナーが付着し難くなり、トナー汚れが少なく
なる。したがって、トナ−汚れによるロール抵抗の上昇
を抑えることができる。更に、表面に吸水の少ないフッ
素系材料で被覆するので、電流が多くの半導電性下地層
（２１b，２９b，３０b）の多くの部分を通って流れ、
かつ表面層は、Ｈ／Ｈ環境とＬ／Ｌ環境での抵抗変化が
ないので、イオン導電性ウレタンゴム単体の場合より、
Ｈ／Ｈ環境とＬ／Ｌ環境での抵抗値の変動が少なくな
る。

【００４０】（第２発明の実施の形態１）第２発明の実
施の形態１の画像形成装置は、前記第２発明において下
記の要件を備えたことを特徴とする、（Ｂ012）円筒状
外側面を有する導電性の芯材と、前記芯材の円筒状外側
面に付着された弾性を有する円筒状の弾性層とを有する
帯電ロール（１７′）により構成された前記帯電器（１
７′）、（Ｂ013）前記弾性層表面およびこの弾性層表
面に対向配置される対向部材である像担持体（１６）を
所定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層表面お
よび前記像担持体（１６）の圧接領域であるニップの円
周方向の幅が所定範囲の値となるように変形可能な前記
弾性層、（Ｂ014）前記芯材表面に付着して前記ニップ
幅が所定範囲の値となるように変形可能な厚みを有しイ
オン導電材料により構成された円筒状の半導電性下地
層、および前記半導電性下地層の外側面を被覆する弾性
を有する円筒状の半導電性表面薄層を有する前記弾性
層、（Ｂ015）前記半導電性下地層の厚みをｔ1（ｍ
ｍ）、体積抵抗率をＲ1（Ωｃｍ）、前記半導電性表面
薄層の厚みをｔ2（ｍｍ）、体積抵抗率をＲ2（Ωｃｍ）
とした場合に、ｔ1＝２〜１０（ｍｍ）、ｔ2＝０.００
５〜０.０５（ｍｍ）、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定された
前記半導電性下地層および前記半導電性表面薄層。

【００４１】（第２発明の実施の形態１の作用）第２発
明の実施の形態１の画像形成装置では、前記円筒状の弾
性層表面および前記像担持体（１６）の圧接領域である
ニップの形成に必要な弾性は厚みｔ1（ｍｍ）＝２〜１
０（ｍｍ）の半導電性下地層により得ることができる。
前記半導電性表面薄層の体積抵抗率Ｒ2（Ωｃｍ）の値
および前記半導電性下地層の体積抵抗率Ｒ1の関係を、
Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定した場合、すなわち、Ｒ2をＲ1
に比較して小さく設定した場合、芯材から半導電性表面
薄層の広い面積部分に電流が流れ、前記半導電性表面薄
層に沿ってニップに電流が流れることになる。この場
合、前記電流は半導電性下地層の多くの部分を流れるこ
とになる。この場合には、帯電ロール（１７′）の回転
に伴い、ニップの周囲に移動した部分の半導電性下地層
の体積抵抗率の変動によっても、前記芯材からニップま
での前記弾性層の抵抗値の変動は小さい。また、前記ｔ
1，Ｒ1，ｔ2，Ｒ2の値を前述のように定めることによ
り、芯材およびニップ間抵抗値Ｒ（Ω）を適切な値に容
易に設定することができる。前記半導電性下地層の体積
抵抗率Ｒ1を半導電性表面薄層の体積抵抗率Ｒ2より高く
設定し、厚みｔ1をｔ2よりも分厚く設定しているので、
芯材からニップまでの帯電ロール（１７′）の抵抗値Ｒ
は、半導電性下地層を構成するイオン導電材料に支配さ
れており、ロール抵抗値Ｒの電圧依存性は、少ない。ま
た、半導電性下地層のイオン導電材料は、体積抵抗率の
ばらつきが小さいので、前述のように、芯材からニップ
までの帯電ロール（１７′）の抵抗値が半導電性下地層
を構成するイオン導電材料に支配されている状態では、
前記抵抗値Ｒのばらつきは小さい。このため、帯電電流
を環境、電圧の変動にかかわらず経時変化なく安定して
流すことができるので、安定的に良好な帯電を行うこと
ができる。このため、帯電不良に基づく画質低下の発生
を防止することができる。

【００４２】（第２発明の実施の形態２）第２発明の実
施の形態２の画像形成装置は、前記第２発明または第２
発明の実施の形態１において下記の要件を備えたことを
特徴とする、（Ｂ016）円筒状外側面を有する導電性の
芯材（２９a，３０a）と、前記芯材（２９a，３０a）の
円筒状外側面に付着された弾性を有する円筒状の弾性層
（２９b＋２９c，３０b＋３０c）とを有する２次転写ロ
ール（２９，３０）を有する前記２次転写器（Ｔ）、
（Ｂ017）前記弾性層（２９b＋２９c，３０b＋３０c）
表面およびこの弾性層（２９b＋２９c，３０b＋３０c）
表面に対向配置される対向部材である中間転写体（Ｂ）
を所定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層（２
９b＋２９c，３０b＋３０c）表面および前記中間転写体
（Ｂ）の圧接領域であるニップ（Ｎ）の円周方向の幅が
所定範囲の値となるように変形可能な前記弾性層（２９
b＋２９c，３０b＋３０c）、（Ｂ018）前記芯材（２９
a，３０a）表面に付着して前記ニップ（Ｎ）幅が所定範
囲の値となるように変形可能な厚みを有しイオン導電材
料により構成された円筒状の半導電性下地層（２９b，
３０b）、および前記半導電性下地層（２９b，３０b）
の外側面を被覆する弾性を有する円筒状の半導電性表面
薄層（２９c，３０c）を有する前記弾性層（２９b＋２
９c，３０b＋３０c）、（Ｂ019）前記半導電性下地層
（２９b，３０b）の厚みをｔ1（ｍｍ）、体積抵抗率を
Ｒ1（Ωｃｍ）、前記半導電性表面薄層（２９c，３０
c）の厚みをｔ2（ｍｍ）、体積抵抗率をＲ2（Ωｃｍ）
とした場合に、ｔ1＝２〜１０（ｍｍ）、ｔ2＝０.００
５〜０.０５（ｍｍ）、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定された
前記半導電性下地層（２９b，３０b）および前記半導電
性表面薄層（２９c，３０c）。

【００４３】（第２発明の実施の形態２の作用）第２発
明の実施の形態２の画像形成装置では、前記２次転写ロ
ール（２９，３０）の半導電性下地層（２９b，３０b）
の体積抵抗率を半導電性表面薄層（２９c，３０c）の体
積抵抗率より高く設定しているので、芯材（２９a，３
０a）からニップ（Ｎ）までの２次転写ロール（２９，
３０）の抵抗値は、半導電性下地層（２９b，３０b）を
構成するイオン導電材料に支配されており、ロール抵抗
値の電圧依存性は、少ない。また、半導電性下地層（２
９b，３０b）のイオン導電材料は、体積抵抗率のばらつ
きが小さいので、前述のように、芯材（２９a，３０a）
からニップ（Ｎ）までの２次転写ロール（２９，３０）
の抵抗値が半導電性下地層（２９b，３０b）を構成する
イオン導電材料に支配されている状態では、前記抵抗値
のばらつきは小さい。このため、２次転写電流を環境、
電圧の変動にかかわらず経時変化なく安定して流すこと
ができるので、安定的に良好な帯電を行うことができ
る。このため、２次転写不良に基づく画質低下の発生を
防止することができる。

【００４４】（第３発明の実施の形態１）第３発明の実
施の形態１の画像形成装置は、前記第３発明において下
記の要件を備えたことを特徴とする、（Ｃ011）円筒状
外側面を有する導電性の芯材と、前記芯材の円筒状外側
面に付着された弾性を有する円筒状の弾性層とを有する
帯電ロール（１７′)により構成された前記帯電器（１
７′）、（Ｃ012）前記弾性層表面およびこの弾性層表
面に対向配置される対向部材である像担持体（１６）を
所定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層表面お
よび前記像担持体（１６）の圧接領域であるニップの円
周方向の幅が所定範囲の値となるように変形可能な前記
弾性層、（Ｃ013）前記芯材表面に付着して前記ニップ
幅が所定範囲の値となるように変形可能な厚みを有しイ
オン導電材料により構成された円筒状の半導電性下地
層、および前記半導電性下地層の外側面を被覆する弾性
を有する円筒状の半導電性表面薄層を有する前記弾性
層、（Ｃ014）前記半導電性下地層の厚みをｔ1（ｍ
ｍ）、体積抵抗率をＲ1（Ωｃｍ）、前記半導電性表面
薄層の厚みをｔ2（ｍｍ）、体積抵抗率をＲ2（Ωｃｍ）
とした場合に、ｔ1＝２〜１０（ｍｍ）、ｔ2＝０.００
５〜０.０５（ｍｍ）、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2に設定された
前記半導電性下地層および前記半導電性表面薄層。

【００４５】（第３発明の実施の形態１の作用）第３発
明の実施の形態１の画像形成装置では、前記帯電ロール
（１７′）の半導電性下地層の体積抵抗率を半導電性表
面薄層の体積抵抗率より高く設定しているので、芯材か
ら前記円筒状の弾性層表面および前記像担持体（１６）
の圧接領域であるニップまでの帯電ロール（１７′）の
抵抗値は、半導電性下地層を構成するイオン導電材料に
支配されており、ロール抵抗値の電圧依存性は、少な
い。また、半導電性下地層のイオン導電材料は、体積抵
抗率のばらつきが小さいので、前述のように、芯材から
ニップまでの帯電ロール（１７′）の抵抗値が半導電
性下地層を構成するイオン導電材料に支配されている状
態では、前記抵抗値のばらつきは小さい。このため、帯
電電流を環境、電圧の変動にかかわらず経時変化なく安
定して流すことができるので、安定的に良好な帯電を行
うことができる。このため、帯電不良に基づく画質低下
の発生を防止することができる。

【００４６】（第３発明の実施の形態２）第３発明の実
施の形態２の画像形成装置は、前記第３発明または第３
発明の実施の形態１において下記の要件を備えたことを
特徴とする、（Ｃ015）円筒状外側面を有する導電性の
芯材と、前記芯材の円筒状外側面に付着された弾性を有
する円筒状の弾性層とを有し、前記像担持体表面の回転
方向に沿って前記帯電器の上流側に配置された、前記像
担持体表面を除電する除電ロールを有する除電器、（Ｃ
016）前記弾性層表面およびこの弾性層表面に対向配置
される対向部材である像担持体を所定の押圧力で押圧し
た際に前記円筒状の弾性層表面および前記中間転写体の
圧接領域であるニップの円周方向の幅が所定範囲の値と
なるように変形可能な前記弾性層、（Ｃ017）前記芯材
表面に付着して前記ニップ幅が所定範囲の値となるよう
に変形可能な厚みを有しイオン導電材料により構成され
た円筒状の半導電性下地層、および前記半導電性下地層
の外側面を被覆する弾性を有する円筒状の半導電性表面
薄層を有する前記弾性層、（Ｃ018）前記半導電性下地
層の厚みをｔ1（ｍｍ）、体積抵抗率をＲ1（Ωｃｍ）、
前記半導電性表面薄層の厚みをｔ2（ｍｍ）、体積抵抗
率をＲ2（Ωｃｍ）とした場合に、ｔ1＝２〜１０（ｍ
ｍ）、ｔ2＝０.００５〜０.０５（ｍｍ）、Ｒ2≦Ｒ1×
１０^-2に設定された前記半導電性下地層および前記半導
電性表面薄層。

【００４７】（第３発明の実施の形態２の作用）第３発
明の実施の形態２の画像形成装置では、前記除電ロール
の半導電性下地層の体積抵抗率を半導電性表面薄層の体
積抵抗率より高く設定しているので、芯材からニップま
での除電ロールの抵抗値は、半導電性下地層を構成する
イオン導電材料に支配されており、ロール抵抗値の電圧
依存性は、少ない。また、半導電性下地層のイオン導電
材料は、体積抵抗率のばらつきが小さいので、前述のよ
うに、芯材からニップまでの除電ロールの抵抗値が半導
電性下地層を構成するイオン導電材料に支配されている
状態では、前記抵抗値のばらつきは小さい。このため、
除電電流を環境、電圧の変動にかかわらず経時変化なく
安定して流すことができるので、安定的に良好な除電を
行うことができる。このため、除電不良に基づく画質低
下の発生を防止することができる。

【００４８】

【実施例】次に図面を参照しながら、本発明の電圧印加
ロールおよび画像形成装置の実施の形態の具体例（実施
例）を説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではない。（実施例１）図１は、本発明の実施例を備えた画像形成
装置の全体説明図である。図１において、カラー複写が
可能な画像形成装置Ｆは、上部にコピースタートキー、
テンキー、表示部等を有するＵＩ（ユーザインタフェー
ス）と、原稿（図示せず）を載置する透明なプラテンガ
ラス２とを有している。プラテンガラス２の下側には、
前記原稿を照明しながら走査する原稿照明ユニット３が
配置されている。原稿照明ユニット３は、原稿照明用光
源４および第１ミラー５を有している。また、プラテン
ガラス２の下側には、前記原稿照明ユニット３の移動速
度の１／２の速度で移動するミラーユニット６が配置さ
れている。ミラーユニット６は、前記照明用光源４から
出射して原稿で反射し、前記第１ミラー５で反射した原
稿画像光を反射する第２ミラー７および第３ミラー８を
有している。前記第３ミラー８で反射した原稿画像光は
結像レンズ９を通って、ＣＣＤ（カラー画像読取セン
サ）によりＲ，Ｇ，Ｂのアナログ信号として読み取られ
る。

【００４９】ＣＣＤで読み取られたＲ（赤色），Ｇ（緑
色），Ｂ（青色）の画像信号は、ＩＰＳに入力される。
ＩＰＳの作動はコントローラＣにより制御されている。
また、ＩＰＳは、前記ＣＣＤで得られるＲ，Ｇ，Ｂの読
取画像のアナログ電気信号をデジタル信号に変換して出
力する画像読取データ出力手段１１および前記ＲＧＢの
画像データをＫ（黒）、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼン
タ）、およびＣ（シアン）の画像データに変換して濃度
補正、拡大縮小補正等のデータ処理を施し、書込用画像
データ（レーザ駆動データ）として出力する画像データ
出力手段１２を有している。前記画像データ出力手段１
２は前記Ｋ，Ｙ，Ｍ，Ｃの画像データを一時的に記憶す
る画像メモリ１３を有している。

【００５０】前記ＩＰＳの書込画像データ出力手段１２
が出力するＫ，Ｙ，Ｍ，Ｃの４色の画像書込データ（レ
ーザ駆動データ）は、レーザ駆動信号出力装置１４に入
力される。レーザ駆動信号出力装置１４は、入力された
画像データに応じた各色Ｋ，Ｙ，Ｍ，Ｃの成分の画像の
レーザ駆動信号を所定のタイミングで、ＲＯＳ（光走査
装置、すなわち、潜像形成装置）に出力する機能を有し
ている。前記ＲＯＳは、入力された前記レーザ駆動信号
により変調されたレーザビームＬにより、１６０ｍｍ／
ｓｅｃのスピードで回転する像担持体１６の静電潜像書
込位置Ｑ1を走査する。前記回転する像担持体１６に沿
って、像担持体１６の移動方向で前記潜像書込位置Ｑ1
の上流側に、像担持体１６を一様に帯電させる帯電コロ
トロン（帯電器）１７が配置されている。帯電器１７は
本実施例では帯電コロトロンにより構成されているが、
帯電ロールにより構成することが可能である。像担持体
１６は、前記帯電器１７により一様に帯電された後、前
記潜像書込位置Ｑ1において、前記レーザビームＬによ
り静電潜像が書き込まれるように構成されている。

【００５１】前記像担持体１６の移動方向に沿って、前
記潜像書込位置Ｑ1の下流側の現像領域Ｑ2には、前記静
電潜像をトナー像に現像するロータリ式の現像装置（現
像装置）Ｄが配置されている。前記現像装置Ｄは、回転
軸１８周囲に装着したＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋの４色の現像器Ｄ
k，Ｄy，Ｄm，Ｄcを有しており、前記回転軸１８の回転
に伴い、前記各４色の現像器Ｄk，Ｄy，Ｄm，Ｄcが順次
前記現像領域Ｑ2に移動するように構成されている。前
記現像器Ｄk，Ｄy，Ｄm，Ｄcは、像担持体１６上の静電
潜像を、Ｋ（黒）、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンタ）、
Ｃ（シアン）の各色のトナー像に現像する装置である。
前記符号１４〜１７，ＲＯＳ，Ｄ等で示された要素によ
りトナー像形成装置（１４〜１７＋ＲＯＳ＋Ｄ）が構成
されている。前記回転する像担持体１６の表面に沿って
前記現像領域Ｑ2の下流側に設定された１次転写領域Ｑ3
には、中間転写体（中間転写体）Ｂおよび１次転写ロー
ル（１次転写器）２１が配置されている。図２は本実施
例における前記１次転写ロール２１の構成を示す図であ
る。図２において、１次転写ロール２１は、金属シャフ
ト（芯材）２１a、その表面に装着された半導電性下地
層２１bおよびその表面に形成された半導電性表面薄層
２１cを有している。各構成要素の詳細は後で詳述す
る。

【００５２】図１において、前記回転する像担持体１６
に沿って、前記１次転写領域Ｑ3の下流側には、像担持
体クリーナ２２および除電ランプ２３が配置されてい
る。なお、除電ランプ２３の代わりに除電ロールを使用
することが可能である。前記中間転写体（中間転写体）
Ｂは、駆動ロール２５、アイドラロール２６、テンショ
ンロール２７、ウォーク補正ロール２８（中間転写体Ｂ
の幅方向の位置を調節するロール）および内側転写ロー
ル（バックアップロール）２９の５本のロールで張架さ
れており、図示しない駆動装置により前記像担持体１６
とほぼ同速度で前記駆動ロール２５を介して矢印方向Ａ
へ回転する。

【００５３】中間転写体（中間転写体）Ｂ：前記中間中
間転写体Ｂは、アクリル、ポリエステル、ポリカーボネ
イト、ポリイミド等の樹脂、または各種ゴム材料にカー
ボンブラック等の導電材料を適量含有させ、例えば厚さ
０.０５〜０.１５ｍｍに形成されており、その体積抵抗
率を１０⁸〜１０¹⁵Ωｃｍに調整されている。

【００５４】前記中間転写体Ｂの周辺には、２次転写領
域Ｑ4において、前記中間転写体Ｂに対して前記内側２
次転写ロール（電圧印加ロール）２９と対向する側に外
側２次転写ロール３０が配置されている。前記内側２次
転写ロール２９および外側２次転写ロール３０は前記１
次転写ロール２１と同様に構成されている。図３は内側
２次転写ロール２９および外側２次転写ロール３０の説
明図である。図３において、内側２次転写ロール２９
は、金属シャフト２９a、その表面に装着された半導電
性下地層２９bおよびその表面に形成された半導電性表
面薄層２９cを有している。外側２次転写ロール３０も
前記内側２次転写ロール２９と同様に構成されており、
芯材３０a、半導電性下地層３０bおよび半導電性表面薄
層３０cを有している。前記符号２９〜３０で示された
要素により本実施例の２次転写器Ｔが構成されている。

【００５５】前記外側２次転写ロール３０の芯材３０a
はアースされ、内側２次転写ロール２９の芯材２９a
は、２次転写電力印加手段としての転写用電源回路３２
（図１、図２参照）に接続されている。この転写用電源
回路３２により前記内側２次転写ロール２９にトナーと
逆極性のバイアス電圧が印加され中間転写体Ｂ上のトナ
ー像が記録シートＳに転写される。転写用電源回路３２
は、コントローラＣにより制御されている。前記外側２
次転写ロール３０は前記内側２次転写ロール２９および
中間転写体Ｂから離れた位置に移動した状態で、転写ロ
ールクリーナ３３によりクリーニングされ、転写で付着
したトナー粒子や紙粉等の異物が除去される。また、前
記中間転写体Ｂの搬送方向で、前記外側２次転写ロール
３０の下流側に、前記中間転写体Ｂの表面に残留する未
転写トナーを除去する中間転写体クリーナ３４が配置さ
れている。前記外側２次転写ロール３０および前記中間
転写体クリーナ３４は、前記中間転写体Ｂに対し圧接、
離間可能に構成されている。

【００５６】給紙トレイ３５から取り出された記録シー
トＳは、フィードロール３６により搬送され、レジスト
ロール３７で一旦停止してから所定のタイミングでガイ
ド搬送路３８を通って前記２次転写領域Ｑ4に搬送され
る。この記録シートＳには、２次転写領域Ｑ4を通過す
る際に中間転写体Ｂ上の未定着トナー像が２次転写され
る。この未定着トナー像が転写された記録シートＳは、
シートガイド部材３９上面に沿って移動し、さらに搬送
ベルト４０を通って定着位置Ｑ5に搬送される。記録シ
ートＳが前記定着位置Ｑ5を通過するときに記録シート
Ｓ上の未定着トナー像は定着装置４１によって定着さ
れ、排紙トレイ４２に排出されるように構成されてい
る。前記符号３５〜３８で示された要素により本実施例
の記録シート搬送手段（３５〜３８）が構成されてい
る。

【００５７】（１次転写ロール２１、内側２次転写ロー
ル２９および外側２次転写ロール３０等の電圧印加ロー
ルの詳細な説明）前記図２に示す１次転写ロール２１、
図３に示す内側２次転写ロール２９および外側２次転写
ロール３０等の電圧印加ロールは同様に構成されている
ので、以下、１次転写ロール２１について詳細に説明す
る。

【００５８】図２に示す１次転写ロール２１において、
金属シャフト（芯材）２１aの表面には、半導電性下地
層２１bおよびその表面に形成された半導電性表面薄層
２１cを有する弾性層（２１b＋２１c）が形成されてい
る。前記１次転写ロール２１の金属性の芯材（芯金）２
１a表面に付着した半導電性下地層２１bは、四級アンモ
ニウム塩などの導電剤を含有させて抵抗を導電〜半導電
に制御したウレタンゴムにより構成されている。前記半
導電性下地層２１bを被覆する半導電性表面薄層２１c
は、エムラロン３４５Ｅ（日本アチソン（株）製のカー
ボンブラックを分散してなるウレタン変性フッ素樹脂系
塗料）をスプレー法にて、厚み２０μｍに塗布し、１０
０℃で３５分加熱硬化して形成されている。

【００５９】前記図２に示す実施例の１次転写ロール２
１の構成の詳細は次のとおりである。 (1)金属シャフト（芯材）２１a：材質：ステンレス外径：８.０ｍｍ (2)半導電性下地層２１b：材料：イオン導電発泡ウレタン厚みｔ1（ｍｍ）：ｔ1＝５.３５ｍｍ体積抵抗率Ｒ1（Ωｃｍ）：Ｒ1＝１０^8.0-9.7（Ωｃｍ）＝７.０〜９.７（logΩｃｍ）（図７（後述）の図表１
参照）芯材およびニップ間の軸方向単位長さ（１ｃｍ＝１０ｍ
ｍ）当たりの抵抗値Ｒ（Ω）：Ｒ＝１０^8.0〜１０^9.7（Ω）＝８.０〜９.７（logΩｃｍ）（図８（後述）の図表２
参照） (3)半導電性表面薄層２１c：材料：カーボンブラック分散ウレタン変性フッ素樹脂厚みｔ2（ｍｍ）：ｔ2＝０.０２０ｍｍ＝２０μｍ体積抵抗率Ｒ2：Ｒ2＝１０^4.5Ωｃｍ＝４.５（logΩ
ｃｍ）なお、Ｒ2の値は、Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2（Ωｃｍ）の範囲
で定めることができる。

【００６０】前記１次転写ロール２１の前記半導電性下
地層２１bは、厚みｔ1（ｍｍ）および常温常湿での体積
抵抗率Ｒ1（Ωｃｍ）が次式を満たすように設定され
る。ｔ1＝２〜１０（ｍｍ）、Ｒ1＝１０^8.0〜１０^9.7（Ωｃｍ）＝８.９〜９.４（logΩｃｍ）前記常温常湿での体積抵抗率Ｒ1（Ωｃｍ）が上式を満
たす場合には、前記厚みｔ1を上式の範囲で調節するこ
とにより、心材およびニップ間の抵抗値として適切な値
を得ることが可能である。

【００６１】また、前記半導電性表面薄層２１cは、厚
みｔ2（ｍｍ）および常温常湿での体積抵抗率Ｒ2（Ωｃ
ｍ）が次式を満たすように設定される。ｔ2＝０.００５〜０.０５（ｍｍ）Ｒ2≦Ｒ1×１０^-2 このように設定することにより、半導電性下地層内側面
の芯材から表面（半導電性表面薄層に接する外側面）ま
での部分の厚み、弾性変形量および抵抗値（内面および
外面間抵抗値）Ｒ（Ω）を適切な値に設定することがで
きる。また、前記半導電性表面薄層２１cの厚みｔ2の値
を上式の範囲に設定することにより、スプレーコート法
等の作業の簡単な薄膜形成技術により均一な薄層を容易
に形成することができる。また、半導電性表面薄層２１
cの厚みｔ2の値が上式を満たす程度に薄い場合には、半
導電性表面薄層２１cは、その弾性が半導電性下地層２
１b異なっても、半導電性下地層２１bの弾性変形に倣っ
て弾性変形し、ひび割れ等が生じ難い。

【００６２】図４は前記１次転写ロール２１の半導電性
下地層２１bの体積抵抗率Ｒ1の計測方法の説明図であ
る。図４において、１次転写ロール２１の半導電性下地
層２１bを形成した状態（半導電性表面薄層２１cの形成
前の状態）で、前記半導電性下地層２１bの表面にｗ
（ｃｍ）幅（ｗ＝１インチ幅＝２.４５ｃｍ）の銅テー
プを巻き付け、芯材２１aとの間に１ＫＶまたは１００
Ｖの電圧を印加して１分後の電流値Ｉを測定して内面お
よび外面間抵抗値Ｒを測定する。この場合の前記半導電
性下地層２１bの軸方向単位長さ当たりの内面および外
面間抵抗値Ｒ、および体積抵抗率Ｒ1（Ωｃｍ）は、以
下の式により計算して求めることができる。Ｒ＝（Ｖ／Ｉ）／ｗＲ1＝２πｗＶ／Ｉln（ｒ2／ｒ1）ここで、Ｖ：印加電圧（Ｖ）、Ｉ：電流値（Ａ）、ｗ：
銅テープ幅、ｒ1：芯金径（ｍｍ）、ｒ2：ロール径（ｍ
ｍ）なお、前記Ｒ1を求める式は次式より得られる。Ｖ／Ｉ＝Ｒ1×｛（ｄｒ／２πｒｗ）のｒ＝ｒ1からｒ2
までの積分値｝

【００６３】図５は本実施例における前記半導電性表面
薄層２１cの体積抵抗率Ｒ2の測定方法（スライドガラス
法）の説明図である。図５において、スライドガラスＧ
に半導電性表面薄層２１cを塗布して、両端を銅板（電
極）Ｅ1，Ｅ2で挟み、両端の銅板Ｅ1，Ｅ2間に１Ｖまた
は１０Ｖの電圧Ｖを印加してその電流値Ｉを測定する。
その場合の図５に示す符号の意味は次のとおりである。Ｖ：前記両端の銅板Ｅ1，Ｅ2間の印加電圧、Ｉ：前記両端の銅板Ｅ1，Ｅ2間の電流、Ｌ：前記両端の銅板Ｅ1，Ｅ2間の距離、Ｗ：前記半導電性表面薄層２１cの幅、ｔ2：前記半導電性表面薄層２１cの厚み、この場合の半導電性表面薄層２１cの体積抵抗率Ｒ2は次
式で表せる。Ｒ2＝（Ｖ／Ｉ）×（Ｗｔ2／Ｌ）＝ＶＷｔ2／ＩＬ

【００６４】図６は１次転写ロール２１および前記中間
転写体Ｂの接触領域であるニップＮ（すなわち、１次転
写領域Ｑ3）と芯材２１aとの間の軸方向単位長さ当たり
の抵抗値（すなわち、芯材およびニップ間抵抗値）Ｒの
測定方法の説明図である。前記芯材２１aおよびニップ
Ｎ間の抵抗値は、図６に示すように１次転写ロール２１
を直径２８ｍｍの金層ロールに食い込み０.５ｍｍで押
しつけて、１次転写ロール２１の芯材２１aと直径２８
ｍｍの金属ロールとの間に電圧（Ｖ）を印加して１０秒
後の電流値Ｉを読み取り以下の式により計算する。な
お、この場合の実施例１のニップ幅は３.８ｍｍであっ
た。また、次式中、Ｈはロール長さである。Ｒ＝（Ｖ／Ｉ）Ｈまた、芯材およびニップＮ間の抵抗値Ｒの円周方向での
ばらつきは、図６の状態において、直径２８ｍｍの金層
ロ−ルを印加電圧１ＫＶで１０ｒｐｍの速度で回転させ
ながら、ロールを１周させたときの電流値の変動より求
めた。

【００６５】図７に示す図表１は前記実施例１，２の半
導電性下地層２１bおよび比較例１，２の弾性層の環境
および電圧の変化に対する体積抵抗率Ｒ1（図４の方法
で測定した値）の変化を示す図表である。図８に示す図
表２は前記１次転写ロール（図２参照）の実施例１，
２、および比較例１〜４の構成と、環境および電圧の変
化に対する芯材・ニップ間抵抗値Ｒ（図６の方法で測定
した値）の変化を示す図表である。図７の図表１に示す
ように、本実施例１の１次転写ロール２１は、半導電性
下地層２１bおよび半導電性表面薄層２１cにより構成さ
れる２層構造の弾性層（２１b＋２１c）を有しており、
比較例１〜４の弾性層は１層構造に構成されている。特
に、比較例１の弾性層は前記実施例の下地層２１bと同
一の１層構造により構成され、比較例２の弾性層は後述
する実施例２の下地層２１bと同一の１層構造により構
成され、ている。図７の図表１において、実施例１の下
地層２１bおよび比較例１の弾性層は、４級アンモニム
塩１.２％を導電剤とする発泡ウレタンロール（Lavo環
境すなわち、常温常湿環境での体積抵抗率が８.９ｌｏ
ｇΩｃｍ）である。そして、本実施例１の２層構造の１
次転写ロールは、前記下地層２１b表面に日本アチソン
（株）製のカーボンブラックを分散してなるウレタン変
性フッ素樹脂系塗料エムラロン３４５Ｅをスプレー法に
て、厚み２０μｍに塗布し、１００℃で３０分加熱硬化
して、カーボンブラック分散の半導電性表面薄層２１c
を形成した構成である。

【００６６】図８の図表２において、本実施例１の１次
転写ロールの環境変動に対する芯材およびニップ間抵抗
値Ｒの変動幅と、電圧依存性と、１次転写ロールが１回
転する間の芯材およびニップ間抵抗値Ｒのバラツキと
は、次のようであった。印加電圧１０００Ｖを使用した
ときの環境変動に対する芯材およびニップ間抵抗値Ｒの
変動幅：実施例１…１.４（loｇΩ）比較例１…１.７（loｇΩ）印加電圧１００Ｖおよび１０００Ｖを使用したときの電
圧依存性：実施例１…０.１（loｇΩ）比較例１…０.１（loｇΩ）印加電圧１０００Ｖにおける１回転する間の芯材および
ニップ間抵抗値Ｒのバラツキ実施例１…０.１（loｇΩ）比較例１…０.１（loｇΩ）

【００６７】（実施例１の作用）図１において、像担持
体１６は失印Ａ方向に回転し、帯電器１７でその表面が
ー様に帯電される。帯電された像担持体１６にＲＯＳ
（レーザー書き込み装置）などの画像書き込み手段によ
り第１色（例えば、Ｋすなわち、黒）の静電潜像が形成
される。この静電潜像は現像装置Ｄによってトナー現像
されて可視化されたトナー像Ｉmが形成される。トナー
像Ｉmは像担持体１６の回転に伴い１次転写ロール２１
が配置された１次転写領域Ｑ3に搬送される。一次転写
領域Ｑ3において、中間転写体Ｂの裏側から像担持体１
６に押圧される１次転写ロール２１には、トナーと逆極
性の電圧が印加される。前記トナー像Ｉmと逆極性の電
界を作用させることにより前記トナー像Ｉmは静電的に
中間転写体Ｂに吸着され、一次転写される。以下、同様
にして第２色（例えばイエローＹ）のトナー像、第３色
（例えばマゼンタＭ）のトナー像、第４色（例えばシア
ンＣ）のトナー像が順次形成され中間転写体Ｂにおいて
重ね合わされ、多重トナー像が形成される。

【００６８】中間転写体Ｂに転写された多重トナー像は
中間転写体Ｂの回転に伴い、２次転写領域Ｑ4に搬送さ
れる。前記多重トナー像が２次転写領域Ｑ4に搬送され
るのにタイミングを合わせて、前記記録シートＳが２次
転写領域Ｑ4に搬送される。２次転写領域Ｑ4において、
中間転写体Ｂ上の多重トナー像は、中間転写体Ｂのトナ
ー像が担持された表面側に設置された外側２次転写ロー
ル３０と中間転写体Ｂの裏側に配置された内側２次転写
ロール２９との間に印加される２次転写電圧により、前
記記録シートＳ上に２次転写される。多重トナー像が転
写された記録シートＳは、最終トナー像の一次転写終了
まで退避位置にある剥離爪Ｈを作動せることにより中間
転写体Ｂから剥離され、定着装置４１に搬送され、加圧
／加熱処理でトナー像が固定されて永久画像とされる。
なお、多重トナ−像の記録シートＳへの転写の終了した
中間転写体Ｂは２次転領域Ｑ4の下流に設けた中間転写
体クリーナ３４で残留トナーの除去が行われて次の転写
に備える。

【００６９】なお、単色画像の転写の場合は、一次転写
されたトナー像Ｉmを直ちに２次転写して定着装置４１
に搬送するが、複数色の重ね合わせによる多色画像の転
写の場合は各色のトナー像が１次転写領域Ｑ3で正確に
一致するように中間転写体Ｂと像担持体１６との回転を
同期させて各色のトナー像がずれないようにする。前記
２次転領域Ｑ4では、外側２次転写ロール３０と中間転
写体Ｂを介して対向配置した内側２次転写ロール２９に
トナー像の極性と同極性の転写電圧を印加することによ
りトナー像を記録シートＳに静電反発で２次転写する。
トナー像が２次転写された記録シートＳは定着装置４１
により定着され、排紙トレイ４２に排出される。

【００７０】１次転写ロール２１の実施例１と比較例１
の作用：前記図８の図表２において、本発明によるイオ
ン導電タイプの発泡ウレタンロールにカーボンブラック
を分散してなる半導電層が被覆した２層構成ロール（１
次転写ロール）の実施例１と、比較例１として、イオン
導電タイプの発泡ウレタンロール、カーボンブラック分
散タイプの発泡ウレタンロール、カーボンブラッグ分散
ＥＰＤＭロールのＨ／Ｈ環境とＬ／Ｌ環境での印加電圧
１００Ｖと１ＫＶでのロールの内面および外面間抵抗値
及びロールの円周方向における内面および外面間抵抗値
のバラッキの計測結果を示す。

【００７１】図９は１次転写ロール（電圧印加ロール）
２１に流れる電流の説明図で、図９Ａは半導電性下地層
２１bおよび半導電性表面薄層２１cの２層構造の実施例
の１次転写ロール（電圧印加ロール）２１の電流を示
し、図９Ｂは１層構造の電圧印加ロールの電流を示す図
である。図９Ａにおいて、イオン導電タイプの発泡ウレ
タンロール（半導電性下地層２１b）の表面に前記半導
電性下地層２１bよりも体積抵抗率の低いカーボンブラ
ックを分散してなるウレタン変性フッ素樹脂（半導電性
表面薄層２１c）を彼覆した場合には、低抵抗の半導電
性表面薄層２１cに沿って電流が流れる。すなわち、半
導電性表面薄層２１cでの電流の回り込みが生じる。こ
の場合、１次転写ロール２１の芯材２１aからニップＮ
に流れる電流は、半導電性下地層２１bの多くの部分を
流れることになる。これに対して、半導電性下地層２１
bのみの場合には、図９Ｂに示すように、芯材２１aとニ
ップＮ間の電流は、ニップＮに近い部分の半導電性下地
層２１bのみを流れることになる。

【００７２】図９Ｂの芯材２１aとニップＮ間の電流が
ニップＮに近い部分の半導電性下地層２１bのみを流れ
るような場合は、半導電性下地層２１bの内面および外
面間抵抗値Ｒが１次転写ロール２１の円周方向のバラツ
キを有している場合、１次転写ロール２１の回転位置に
おいて前記芯材２１aおよびニップＮ間の抵抗値は変動
する。この場合、１次転写ロール２１の回転時における
芯材およびニップ間における抵抗値のバラツキは大きく
なり易い。これに対して、前記図９Ａのように芯材２１
aからニップＮに流れる電流が半導電性下地層２１bの多
くの部分を流れる場合には、仮に半導電性下地層２１b
の内面および外面間抵抗値Ｒが１次転写ロール２１の円
周方向のバラツキを有していても、１次転写ロール２１
の回転時における芯材およびニップ間における抵抗値の
バラツキは大きくなり難い。

【００７３】なお、前記半導電性表面薄層２１cを設け
た場合には、図８の図表２の実施例および比較例１から
分かるように、前記芯材２１aから１次転写ロール２１
外表面の間（内面および外面間）の抵抗値は、前記半導
電性下地層２１bのみの抵抗値より低くなる。すなわ
ち、ロールの抵抗値は、Ｌ／Ｌ環境での体積抵抗値は
０.７桁（ｌｏｇ値）低くなり、かつＬ／Ｌ環境とＨ／
Ｈ環境下での抵抗変動は、０.３桁（ｌｏｇ値）と小さ
くなっている。また、表面に弾性を有する低表面エネル
ギーのフッ素樹脂系材料で被覆されることで、トナー汚
れが少なくなり、トナー汚れによるロール抵抗の上昇を
抑えることができる。

【００７４】比較例１（イオン量１.２％）および比較
例２（イオン量０.２％）のイオン導電剤分散のウレタ
ンロ−ルは、芯材およびニップ間抵抗値Ｒの電圧依存
性、ロール内の抵抗値の面内バラツキ（円周方向のバラ
ツキ）が小さいが、環境変動幅が１.８桁（ｌｏｇ値）
と大きい。比較例の３のカーボンブラック分散のウレタ
ンロールゴム、比較例４のカーボンブラック分散のＥＰ
ＤＭゴムロールのＲ1（体積抵抗率抵抗値）は、環境で
の変動は少ないが電圧依存性が大きく、ロール内の抵抗
の面内バラツキ（芯材および表面間の抵抗値の円周方向
に沿ったバラツキ）が大きい。

【００７５】図１０は比較例１のイオン導電タイプ発泡
ウレタンロールのイオン導電剤として用いた４級アンモ
ニウム塩の配合量（％）とＬ／Ｌ環境で計測したロール
の体積抵抗率との関係を示す図である。図１０におい
て、「Ｌ／Ｌ環境抵抗値」は、１０℃、１５％ＲＨの条
件下で前記図６の計測方法を用いて測定された芯材およ
びニップ間抵抗値（ロール抵抗値）Ｒを意味する。前記
比較例１の構成を有するロールにおいて、イオン量を変
化させた場合のロール抵抗値Ｒを測定するため、図１０
に示す各イオン量０.６％、０.８％、…等のロールをそ
れぞれ多数製作し、それらのロールを用いてロール抵抗
値Ｒを測定した。図１０には各イオン量に対してそれぞ
れ４個の試作品の測定データを示している。●は１回目
試作品計測データ、■は２回目試作品計測データ、▲は
３回目試作品計測データ、×は４回目試作品計測データ
を示す。イオン量０.２％から１.０％の範囲ではロール
抵抗値は低くなる傾向にあるが、１.０％より増量して
もロール抵抗は変わらない。また、２.０％以上にイオ
ン量を増やすとポリオールとイソシァネートによるウレ
タンの生成反応を阻害するなどの問題が生じた。

【００７６】図１１は半導電性表面薄層２１cの体積抵
抗率Ｒ2とカーボンブラック量との関係を示す図であ
る。図１１から分かるように、半導電性表面薄層２１c
の体積抵抗率Ｒ2は、１０⁵Ωｃｍを越えると、カーボン
ブラック量の僅かな変化によっても大きく変化するが、
１０⁵Ωｃｍ以下の場合にはカーボンブラック量の変化
によってもあまり変化しない。したがって、半導電性表
面薄層２１cの電子導電材料としてカーボンブラックを
使用する場合には、半導電性表面薄層２１cの体積抵抗
率Ｒ2の値として５（loｇΩｃｍ）以下に設定すると、
カーボンブラックが不均一となっても、半導電性表面薄
層２１c内部の体積抵抗率Ｒ2のバラツキは少なくなる。
この場合、体積抵抗率の均一な半導電性表面薄層２１c
を形成できる。

【００７７】（実施例２）図７に示す図表１および図８
に示す図表２に示した前記１次転写ロール（図２参照）
の実施例２、および比較例２の構成は、図７に示す図表
１および図８に示す図表２に示した値が前記実施例１と
相違するだけで、他の点では前記実施例１と同一に構成
されている。したがって、この実施例２の説明において
前記実施例と同一の構成要素には同一の符号を用いる。
図７の図表１に示すように、本実施例２の１次転写ロー
ル２１は、半導電性下地層２１bおよび半導電性表面薄
層２１cにより構成される２層構造の弾性層（２１b＋２
１c）を有しており、比較例２の弾性層は１層構造に構
成されている。図７の図表１において、実施例２の下地
層２１bおよび比較例２の弾性層は、４級アンモニム塩
０.２％を導電剤とする発泡ウレタンロール（Labo環境
すなわち、常温常湿環境での体積抵抗率が９.４ｌｏｇ
Ωｃｍ）である。そして、本実施例２の２層構造の１次
転写ロールは、前記下地層２１b表面に日本アチソン
（株）製のカーボンブラックを分散してなるウレタン変
性フッ素樹脂系塗料エムラロン３４５Ｅをスプレー法に
て、厚み２０μｍに塗布し、１００℃で３０分加熱硬化
して、カーボンブラック分散の半導電性表面薄層（実施
例１と同一の構成）２１cを形成した構成である。

【００７８】図８の図表２において、本実施例２の１次
転写ロールの環境変動に対する芯材およびニップ間抵抗
値Ｒの変動幅と、電圧依存性と、１次転写ロールが１回
転する間の芯材およびニップ間抵抗値Ｒのバラツキと
は、次のようであった。印加電圧１０００Ｖを使用した
ときの環境変動に対する芯材およびニップ間抵抗値Ｒの
変動幅：実施例２…１.４（loｇΩ）比較例２…１.９（loｇΩ）印加電圧１００Ｖおよび１０００Ｖを使用したときの電
圧依存性：実施例２…０.１（loｇΩ）比較例２…０.１（loｇΩ）印加電圧１０００Ｖにおける１回転する間の芯材および
ニップ間抵抗値Ｒのバラツキ実施例２…０.１（loｇΩ）比較例２…０.１（loｇΩ）

【００７９】前記比較例２および実施例２の説明から分
かるように、前記実施例２も、前記実施例１と同様に、
半導電性表面薄層２１cを形成することにより、１次転
写ロール２１の環境変動に対する芯材およびニップ間抵
抗値Ｒの変動幅が小さくなる。

【００８０】なお、前記芯材およびニップ間の抵抗値Ｒ
の値が、Ｒ＝１０^8.4（Ω）の場合には必要な転写電界
を形成する電圧を印加できるが、Ｒの値がＲ＝１０^8.4
（Ω）よりも下のＲ＝１０^7.5（Ω）（１ＫＶ印加時）
以下では、転写不良が発生する。また、Ｒ＝１０
^8.9（Ω）の場合は、適切な転写電界を形成する電圧を
印加できるが、Ｒの値がＲ＝１０^8.9（Ω）を越えたＲ
＝１０^10.5（Ω）（１ＫＶ印加時）以上では高電圧を印
加することになり、ニップ（Ｎ）前後の領域での放電現
象が生じ易くなり、白点抜け等の画質欠陥を発生させ
る。

【００８１】（変更例）以上、本発明の実施例を詳述し
たが、本発明は、前記実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内
で、種々の変更を行うことが可能である。本発明の変更
実施例を下記に例示する。（Ｈ01）本発明は図１２に示す画像形成装置にも適用す
ることが可能である。図１２の画像形成装置は、前記実
施例の１次転写ロール２１と同様の構成を有する帯電ロ
ール（帯電器）１７′により、表面を帯電させた後、静
電潜像が形成された像担持体１６上に各色のトナー像を
順次形成して４色の多重トナー像を形成し、前記像担持
体１６上の多重トナー像を、前記実施例の１次転写ロー
ル２１と同様の構成を有する転写ロール（転写器）２
１′により記録シートＳに転写するように構成されてい
る。

【００８２】（Ｈ02）本発明は図１３に示す画像形成装
置にも適用することが可能である。図１３の画像形成装
置は、記録シートＳが循環搬送されるシート循環路４
３、および記録シートＳを反転させるシート反転路４４
を有し、前記実施例の１次転写ロール２１と同様の構成
を有する帯電ロール１７′により、表面を帯電させた
後、静電潜像が形成された像担持体１６上に各色のトナ
ー像が形成される。前記各色のトナー像は、循環搬送さ
れる記録シート上に、前記実施例の１次転写ロール２１
と同様の構成を有する転写ロール（転写器）２１″によ
り順次転写される。また、前記シート反転路４４で記録
シートＳを反転させることにより両面記録を行えるよう
に構成されている。（Ｈ03）本発明は、モノクロの画像形成装置や、各色の
像担持体および現像装置が記録シートの搬送方向に沿っ
て並んで配置されたタンデム型の画像形成装置等にも適
用することができる。

【００８３】

【発明の効果】前述の本発明の、円筒状外側面を有する
導電性の芯材と、前記芯材の円筒状外側面に付着された
弾性を有する円筒状の弾性層とを有し、前記弾性層が、
前記弾性層表面およびこの弾性層表面に対向配置される
対向部材を所定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾
性層表面および前記対向部材の圧接領域であるニップの
円周方向の幅（すなわち、ニップ幅）が所定範囲の値と
なるように変形可能な電圧印加ロールおよび前記電圧印
加ロールを備えた画像形成装置において、下記の効果を
奏することができる。（Ｅ01）前記導電性の芯材および前記ニップ間における
前記弾性層の電気抵抗値の変動を小さくすることができ
る。（Ｅ02）前記ニップを流れる電流を環境、電圧の変動に
かかわらず経時変化なく安定して流すことができる。（Ｅ03）安定的に高画質を得ることのできる画像形成装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例を備えた画像形成装
置の全体説明図である。

【図２】図２は本実施例における前記１次転写ロール
２１の構成を示す図である。

【図３】図３は内側２次転写ロール２９および外側２
次転写ロール３０の説明図である。

【図４】図４は前記１次転写ロール２１の半導電性下
地層２１bの体積抵抗率Ｒ1の計測方法の説明図である。

【図５】図５は本実施例における前記半導電性表面薄
層２１cの体積抵抗率Ｒ2の測定方法（スライドガラス
法）の説明図である。

【図６】図６は１次転写ロールの芯材およびニップ間
の抵抗値の測定方法の説明図である。

【図７】図７に示す図表１は前記実施例１，２の半導
電性下地層２１bおよび比較例１，２の弾性層の環境お
よび電圧の変化に対する体積抵抗率Ｒ1（図４の方法で
測定した値）の変化を示す図表である。

【図８】図８に示す図表２は前記１次転写ロール（図
２参照）の実施例１，２、および比較例１〜４の構成
と、環境および電圧の変化に対する芯材・ニップ間抵抗
値Ｒ（図６の方法で測定した値）の変化を示す図表であ
る。

【図９】図９は１次転写ロール（電圧印加ロール）２
１に流れる電流の説明図で、図９Ａは半導電性下地層２
１bおよび半導電性表面薄層２１cの２層構造の実施例の
１次転写ロール（電圧印加ロール）２１の電流を示し、
図９Ｂは１層構造の電圧印加ロールの電流を示す図であ
る。

【図１０】図１０はイオン導電タイプ発泡ウレタンロ
ールのイオン導電剤として用いた４級アンモニウム塩の
配合量（％）とＬ／Ｌ環境で計測したロールの体積抵抗
率との関係を示す図である。

【図１１】図１１は半導電性表面薄層２１cの体積抵
抗率Ｒ2とカーボンブラック量との関係を示す図であ
る。

【図１２】図１２は本発明の実施例の変更例を示す図で
ある。

【図１３】図１３は本発明の実施例の他の変更例を示す
図である。

【符号の説明】

Ｂ…対向部材（中間転写体）、Ｄ…現像装置、Ｎ…ニッ
プ、Ｑ3…１次転写領域、Ｑ4…２次転写領域、ＲＯＳ…
潜像形成装置、Ｓ…記録シート、Ｔ…２次転写器、１６
…像担持体、１７…帯電器、１７′…帯電器（帯電ロー
ル）、２１…１次転写器（１次転写ロール）、２１′，
２１″…転写器（転写ロール）、２１a，２９a，３０a
…芯材、２１b＋２１c，２９b＋２９c，３０b＋３０c…
弾性層、２１b，２９b，３０b…半導電性下地層、２１
c，２９c，３０c…半導電性表面薄層、３５〜３８…シ
ート供給手段、４１…定着装置、

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年１１月１２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項２

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】

【発明の実施の形態】（第１発明の実施の形態１）第１発明の実施の形態１の
電圧印加ロールは、前記第１発明において下記の要件を
備えたことを特徴とする、（Ａ06）前記半導電性表面薄層の体積抵抗率をＲ2Ωｃ
ｍとした場合に１０³≦Ｒ2≦１０⁵に設定された前記半
導電性表面薄層（２１c，２９c，３０c）。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５８】図２に示す１次転写ロール２１において、
金属シャフト（芯材）２１aの表面には、半導電性下地
層２１bおよびその表面に形成された半導電性表面薄層
２１cを有する弾性層（２１b＋２１c）が形成されてい
る。前記１次転写ロール２１の金属性の芯材（芯金）２
１a表面に付着した半導電性下地層２１bは、四級アンモ
ニウム塩などの導電剤を含有させて抵抗を導電〜半導電
に制御したウレタンゴムにより構成されている。前記半
導電性下地層２１bを被覆する半導電性表面薄層２１c
は、エムラロン３４５Ｅ（日本アチソン（株）製のカー
ボンブラックを分散してなるウレタン変性フッ素樹脂系
塗料）をスプレー法にて、厚み２０μｍに塗布し、１０
０℃で３０〜３５分加熱硬化して形成されている。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６５】図７に示す図表１は前記実施例１，２の半
導電性下地層２１bおよび比較例１，２の弾性層の環境
および電圧の変化に対する体積抵抗率Ｒ1（図４の方法
で測定した値）の変化を示す図表である。図８に示す図
表２は前記１次転写ロール（図２参照）の実施例１，
２、および比較例１〜４の構成と、環境および電圧の変
化に対する芯材・ニップ間抵抗値Ｒ（図６の方法で測定
した値）の変化を示す図表である。図７の図表１に示す
ように、本実施例１の１次転写ロール２１は、半導電性
下地層２１bおよび半導電性表面薄層２１cにより構成さ
れる２層構造の弾性層（２１b＋２１c）を有しており、
比較例１〜４の弾性層は１層構造に構成されている。特
に、比較例１の弾性層は前記実施例の下地層２１bと同
一の１層構造により構成され、比較例２の弾性層は後述
する実施例２の下地層２１bと同一の１層構造により構
成され、ている。図７の図表１において、実施例１の下
地層２１bおよび比較例１の弾性層は、４級アンモニム
塩１.２％を導電剤とする発泡ウレタンロール（Lavo環
境すなわち、常温常湿環境での体積抵抗率が８.９ｌｏ
ｇΩｃｍ）である。そして、本実施例１の２層構造の１
次転写ロールは、前記下地層２１b表面に日本アチソン
（株）製のカーボンブラックを分散してなるウレタン変
性フッ素樹脂系塗料エムラロン３４５Ｅをスプレー法に
て、厚み２０μｍに塗布し、１００℃で３０〜３５分加
熱硬化して、カーボンブラック分散の半導電性表面薄層
２１cを形成した構成である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７７】（実施例２）図７に示す図表１および図８
に示す図表２に示した前記１次転写ロール（図２参照）
の実施例２、および比較例２の構成は、図７に示す図表
１および図８に示す図表２に示した値が前記実施例１と
相違するだけで、他の点では前記実施例１と同一に構成
されている。したがって、この実施例２の説明において
前記実施例と同一の構成要素には同一の符号を用いる。
図７の図表１に示すように、本実施例２の１次転写ロー
ル２１は、半導電性下地層２１bおよび半導電性表面薄
層２１cにより構成される２層構造の弾性層（２１b＋２
１c）を有しており、比較例２の弾性層は１層構造に構
成されている。図７の図表１において、実施例２の下地
層２１bおよび比較例２の弾性層は、４級アンモニム塩
０.２％を導電剤とする発泡ウレタンロール（Labo環境
すなわち、常温常湿環境での体積抵抗率が９.４ｌｏｇ
Ωｃｍ）である。そして、本実施例２の２層構造の１次
転写ロールは、前記下地層２１b表面に日本アチソン
（株）製のカーボンブラックを分散してなるウレタン変
性フッ素樹脂系塗料エムラロン３４５Ｅをスプレー法に
て、厚み２０μｍに塗布し、１００℃で３０〜３５分加
熱硬化して、カーボンブラック分散の半導電性表面薄層
（実施例１と同一の構成）２１cを形成した構成であ
る。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記の要件を備えたことを特徴とする電
圧印加ロール、（Ａ01）円筒状外側面を有する導電性の
芯材、（Ａ02）前記芯材の円筒状外側面に付着された弾
性を有する円筒状の弾性層、（Ａ03）前記弾性層表面お
よびこの弾性層表面に対向配置される対向部材を所定の
押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層表面および前
記対向部材の圧接領域であるニップの円周方向の幅が所
定範囲の値となるように変形可能な前記弾性層、（Ａ0
4）前記芯材表面に付着して前記ニップ幅が所定範囲の
値となるように変形可能な厚みを有しイオン導電材料に
より構成された円筒状の半導電性下地層、および前記半
導電性下地層の外側面を被覆する弾性を有する電子導電
材料により構成された円筒状の半導電性表面薄層を有す
る前記弾性層、（Ａ05）前記半導電性表面薄層を形成し
ない状態の半導電性下地層表面を前記対向部材に押圧し
たときの前記芯材およびニップ間の軸方向１ｃｍ当たり
の抵抗値である下地層抵抗値Ｒ′に比較して、前記半導
電性下地層表面に形成した前記半導電性表面薄層の表面
を前記対向部材に押圧したときの前記芯材およびニップ
間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗値である弾性層抵抗値Ｒ
が、Ｒ≦１０^-0.3Ｒ′となるように形成された前記半導
電性表面薄層。
【請求項２】下記の要件を備えたことを特徴とする電
圧印加ロール、（Ａ06）前記半導電性下地層の体積抵抗
率をＲ1Ωｃｍ、前記半導電性表面薄層の体積抵抗率を
Ｒ2Ωｃｍとした場合に１０³≦Ｒ2≦１０⁵に設定された
前記半導電性表面薄層。
【請求項３】下記の要件を備えたことを特徴とする画
像形成装置、（Ｂ01）回転移動する像担持体表面を一様
に帯電させる帯電器、（Ｂ02）一様に帯電した像担持体
表面に静電潜像を形成する潜像形成装置、（Ｂ03）前記
潜像をトナー像に現像する現像装置、（Ｂ04）前記像担
持体表面に形成されたトナー像を中間転写体に転写する
１次転写領域に配置された１次転写器、（Ｂ05）前記中
間転写体に転写されたトナー像を記録シートに転写する
２次転写領域に配置された２次転写器、（Ｂ06）前記２
次転写領域に記録シートを供給するシート供給手段、
（Ｂ07）前記２次転写領域において記録シートに転写し
たトナー像を加熱定着する定着装置、（Ｂ08）円筒状外
側面を有する導電性の芯材と、前記芯材の円筒状外側面
に付着された弾性を有する円筒状の弾性層とを有する転
写ロールにより構成された前記１次転写器、（Ｂ09）前
記弾性層表面およびこの弾性層表面に対向配置される対
向部材である中間転写体を所定の押圧力で押圧した際に
前記円筒状の弾性層表面および前記中間転写体の圧接領
域であるニップの円周方向の幅が所定範囲の値となるよ
うに変形可能な前記弾性層、（Ｂ010）前記芯材表面に
付着して前記ニップ幅が所定範囲の値となるように変形
可能な厚みを有しイオン導電材料により構成された円筒
状の半導電性下地層、および前記半導電性下地層の外側
面を被覆する弾性を有する電子導電材料により構成され
た円筒状の半導電性表面薄層を有する前記弾性層、（Ｂ
011）前記半導電性表面薄層を形成しない状態の半導電
性下地層表面を前記対向部材に押圧したときの前記芯材
およびニップ間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗値である下
地層抵抗値Ｒ′に比較して、前記半導電性下地層表面に
形成した前記半導電性表面薄層の表面を前記対向部材に
押圧したときの前記芯材およびニップ間の軸方向１ｃｍ
当たりの抵抗値である弾性層抵抗値Ｒが、Ｒ≦１０^-0.3
Ｒ′となるように形成された前記半導電性表面薄層。
【請求項４】下記の要件を備えたことを特徴とする画
像形成装置、（Ｃ01）回転移動する像担持体表面を一様
に帯電させる帯電器、（Ｃ02）一様に帯電した像担持体
表面に静電潜像を形成する潜像形成装置、（Ｃ03）前記
潜像をトナー像に現像する現像装置、（Ｃ04）前記像担
持体表面に形成されたトナー像を記録シートに転写する
転写位置に配置された転写器、（Ｃ05）前記転写位置に
記録シートを供給するシート供給手段、（Ｃ06）前記転
写位置において記録シートに転写したトナー像を加熱定
着する定着装置、（Ｃ07）円筒状外側面を有する導電性
の芯材と、前記芯材の円筒状外側面に付着された弾性を
有する円筒状の弾性層とを有する転写ロールにより構成
された前記転写器、（Ｃ08）前記弾性層表面およびこの
弾性層表面に対向配置される対向部材である像担持体を
所定の押圧力で押圧した際に前記円筒状の弾性層表面お
よび前記像担持体の圧接領域であるニップの円周方向の
幅が所定範囲の値となるように変形可能な前記弾性層、
（Ｃ09）前記芯材表面に付着して前記ニップ幅が所定範
囲の値となるように変形可能な厚みを有しイオン導電材
料により構成された円筒状の半導電性下地層、および前
記半導電性下地層の外側面を被覆する弾性を有する電子
導電材料により構成された円筒状の半導電性表面薄層を
有する前記弾性層、（Ｃ010）前記半導電性表面薄層を
形成しない状態の半導電性下地層表面を前記対向部材に
押圧したときの前記芯材およびニップ間の軸方向１ｃｍ
当たりの抵抗値である下地層抵抗値Ｒ′に比較して、前
記半導電性下地層表面に形成した前記半導電性表面薄層
の表面を前記対向部材に押圧したときの前記芯材および
ニップ間の軸方向１ｃｍ当たりの抵抗値である弾性層抵
抗値Ｒが、Ｒ≦１０^-0.3Ｒ′となるように形成された前
記半導電性表面薄層。