JPH10279687A - 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 - Google Patents

電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低い比誘電率を有する絶縁膜を形成し得る絶
縁膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】 （Ａ）無機もしくは有機樹脂と（Ｂ）
（ａ）（Ａ）成分を溶解可能な溶剤と（ｂ）（ａ）成分
と沸点もしくは蒸気圧曲線または（Ａ）成分の樹脂への
親和性の異る２種以上の溶剤からなることを特徴とする
電気絶縁薄膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は電気絶縁性薄膜形成
用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法に関する。詳
しくは、低い比誘電率を有する電気絶縁性薄膜形成用組
成物および電気絶縁性薄膜の形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスの保護層および電気絶縁層
としてはシリカ等の絶縁薄膜を使用することは知られて
いる。中でも、樹脂と溶剤からなる組成物を湿式塗工す
る技術は一般によく用いられている。例えば、特公平６
−４２４７７号公報には、水素シルセスキオキサン樹脂
の溶剤溶液を基材上に塗布し、溶剤を蒸発させた後、１
５０〜１,０００℃の温度条件下に加熱することにより
セラミック状シリカ化し、電子デバイスをシリカ薄膜で
被覆する方法が開示されている。一方、デバイスの微細
化、高集積化に伴い、絶縁層は低誘電率が求められてき
ている。例えば、第４３回応用物理学関係連合講演会講
演予稿、６５４ページ（集講演番号２６ａーＮー６）には
水素シルセスキオキサン樹脂を硬化させた薄膜の比誘電
率が２.７である旨が報告されている。しかし、次世代
の設計ルール０.１８μｍより狭い高集積回路では比誘
電率２.７以下の値が電気絶縁性薄膜に対して求められ
ている。高集積回路用に好適な電気絶縁性薄膜、例えば
シリカ膜ではこうした低比誘電率を安定的に再現よく発
現させる方法は未だ見出されていない。一方、絶縁薄膜
の誘電率を下げるには絶縁薄膜そのものを多孔質構造に
すればよいことが知られている。例えば、米国特許第5,
548,159号公報には水素シルセスキオキサン樹脂の焼結
体を高集積回路の絶縁層として用いており多孔質構造の
絶縁薄膜が形成される旨が記されている。しかし該公報
には多孔質構造を形成するための具体的方法は開示され
ていない。以上のように現在まで、低誘電率、例えば、
実質的に比誘電率が２.７以下の電気絶縁性薄膜を形成
し得る組成物および電気絶縁性薄膜形成技術は知られて
いない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記問題
点を解決するために鋭意検討した結果、本発明に達し
た。即ち、本発明の目的は、低比誘電率、即ち、比誘電
率が２.７未満の電気絶縁性薄膜を形成し得る電気絶縁
性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法を
提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の電気絶縁性薄膜
形成用組成物は（Ａ）電気絶縁性・硬化性の有機樹脂
と、（Ｂ）（ａ）（Ａ）成分を溶解可能な溶剤および
（ｂ）（ａ）成分と沸点もしくは蒸気圧曲線または
（Ａ）成分の樹脂への親和性の異る溶剤からなることを
特徴とする電気絶縁薄膜形成用組成物に関する。
【０００５】これについて説明すると、本発明に使用さ
れる(Ａ)成分の樹脂は、無機、有機に限らず塗工後、熱
により硬化、絶縁化されるものであり、溶剤に可溶であ
ればよく特に限定されない。かかる樹脂としては、例え
ば、アルコキシシランの部分加水分解物、水素シルセス
キオキサン樹脂等のシリカ前駆体樹脂である無機系樹
脂、ポリイミド系樹脂、フルオロカーボン系樹脂、ベン
ゾシクロブテン系樹脂、フッ化ポリアリルエーテル系樹
脂などの有機系樹脂が挙げられる。また、かかる樹脂は
１種類でも２種類以上の混合物でもよい。より優れた電
気絶縁特性を与えるには硬化後シリカとなりうるシリカ
前駆体樹脂が好ましい。また、シリカ前駆体樹脂の中で
も、ノンエッチバック工程で使用し得る水素シルセスキ
オキサン樹脂が特に好ましい。本発明に使用される水素
シルセスキオキサン樹脂は、式：ＨＳｉＯ3/2で示され
る３官能性シロキサン単位を主骨格とするポリシロキサ
ンであり、一般式：（ＨＳｉＯ3/2）n（式中、ｎは整数
である。）で表されるポリマーである。かかる、水素シ
ルセスキオキサン樹脂はその分子構造によりラダー型と
呼ばれるポリシロキサンとケージ型と呼ばれるポリシロ
キサンがあり、ラダー型ポリシロキサンにおいてはその
末端は、例えば、水酸基，トリメチルシロキシ基等のト
リオルガノシロキシ基、ジメチルハイドロジェンシロキ
シ等のトリオルガノハイドロジェンシロキシ基により封
鎖されている。
【０００６】かかる水素シルセスキオキサン樹脂は知ら
れており、一般には、トリクロロシランを加水分解し、
重縮合することにより製造される（特公昭４７−３１８
３８号公報，特開昭５９−１８９１２６号公報および特
開昭６０−４２４２６号公報参照）。
【０００７】本発明に使用される（Ｂ）成分の溶剤は、
（ａ）成分と（ｂ）成分からなる。かかる（Ｂ）成分を
構成する（ａ）成分は、上記（Ａ）成分を溶解し、化学
変化を起こさないものであれば特に限定されない。かか
る溶剤としては、トルエン，キシレン等の芳香族系溶
剤、ヘキサン，ヘプタン，オクタン等の脂肪族系溶剤、
メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトン等のケト
ン系溶剤、酢酸ブチル，酢酸イソアミル等の脂肪族エス
テル系溶剤、ヘキサメチルジシロキサン，１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン等の鎖状メチルシロキサ
ン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルテ
トラシクロシロキサン，１，３，５，７−テトラメチル
テトラシクロシロキサン等の環状シロキサン、テトラメ
チルシラン，ジメチルジエチルシラン等のシラン化合物
のシリコーン系溶剤が挙げらる。これらの中でもメチル
イソブチルケトンまたはシリコーン系溶剤が好ましい。
【０００８】（ｂ）成分は（ａ）成分と沸点もしくは蒸
気圧曲線または(Ａ)成分の樹脂への親和性の異なる溶剤
であり、一般には、（ａ）成分の沸点より高い沸点を有
する溶剤が好ましい。かかる（ｂ）成分としては次のよ
うなものが例示される。尚、化合物中かっこ内の数値は
沸点である。アミルベンゼン（２０２）、イソプロピル
ベンゼン（１５２）、１，２−ジエチルベンゼン（１８
３）、１，３−ジエチルベンゼン（１８１）、１，４−
ジエチルベンゼン（１８４）、シクロヘキシルベンゼン
（２３９）、ジペンテン（１７７）、２，６−ジメチル
ナフタレン（２６２）、ｐ−シメン（１７７）、ショウ
脳油（１６０〜１８５）、ソルベントナフサ（１１０〜
２００）、ｃｉｓ−デカリン（１９６）、ｔｒａｎｓ−
デカリン（１８７）、デカン（１７４）、テトラリン
（２０７）、テレピン油（１５３〜１７５）、灯油（２
００〜２４５）、ドデカン（２１６）、ドデシルベンゼ
ン（分岐型）、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系
溶剤；アセトフェノン（２０１．７）、イソホロン（２
１５．３）、ホロン（１９８〜１９９）、メチルシクロ
ヘキサノン（１６９．０〜１７０．５）、メチル−ｎ−
ヘプチルケトン（１９５．３）等のケトン・アルデヒド
系溶剤；フタル酸ジエチル（２９６．１）、酢酸ベンジ
ル（２１５．５）、γ−ブチロラクトン（２０４）、シ
ュウ酸ジブチル（２４０）、酢酸２−エチルヘキシル
（１９８．６）、安息香酸エチル（２１３．２）、ギ酸
ベンジル（２０３）等のエステル系溶剤；ジエチル硫酸
（２０８）、スルホラン（２８５）、ハロゲン化炭化水
素溶剤；アルコール系溶剤；エーテル化炭化水素溶剤；
アルコール系溶剤；エーテル・アセタール系溶剤、多価
アルコール系溶剤、カルボン酸無水物系溶剤、フェール
系溶剤、シリコーン系溶剤である。(Ｂ)成分の配合量は
特に限定されないが、一般には(Ａ)成分１００重量部に
対して５０重量％以下が好ましい。
【０００９】本発明において（Ｂ）成分は、（Ａ）成分
樹脂の溶剤として使用されるだけではなく、後述するよ
うに、（Ａ）成分の樹脂が硬化する過程または硬化後に
ガス化を起し系外に飛散することにより、電気絶縁性薄
膜中に空洞または自由空間を残し、その結果、電気絶縁
性薄膜が低誘電率になる。主溶剤は大半が、基材へ塗工
した直後に蒸発する。一部は膜中に残存しており、その
残存成分が上記役割を担う。しかし上記目的を効率よく
かなえるには、（Ｂ）成分としては主溶剤単独ではな
く、主溶剤の沸点よりも高い溶剤、もしくは蒸気圧曲線
が異なる、即ち、より揮発しにくい溶剤、ないしは
（Ａ）成分の樹脂との親和性が異なる溶剤の１種または
２種以上の混合物である。そうした添加溶剤は、組成物
を基材へ塗工した直後には膜中により多く残存してお
り、樹脂の硬化過程あるいは硬化後に揮発し系外に飛散
する役割を担う。添加溶剤の種類は特に限定されない
が、樹脂の硬化温度との相関で好適なものが選ばれるの
である。
【００１０】（Ｃ）成分は(Ａ)成分の樹脂の硬化を促進
するために使用され必要の応じて使用される成分であ
る。かかる(Ｃ)成分は（Ｂ）成分からのガス発生温度と
の兼ね合いから、（Ａ）成分をより低温で部分架橋させ
ておく必要性がある場合に使用される。かかる(Ｃ)成分
としては（Ａ）成分として水素シルセスキオキサン樹脂
を用いる場合は塩化白金酸等の白金系触媒もしくはロジ
ウム系の触媒が好ましい。かかる(Ｃ)成分は(Ａ)成分１
００万重量部に対して１〜５００重量部の範囲内で使用
される。また、場合により、（Ｂ）成分の分散を助ける
ために界面活性剤等の安定剤等の助剤が含まれてもよ
い。
【００１１】以上のような本発明の組成物は(Ａ)成分と
して水素シルセスキオキサン樹脂を使用する場合にこれ
を加熱することにより電気絶縁性薄膜、例えばシリカ膜
を形成する。尚、本発明に言うシリカとは二酸化ケイ素
（ＳｉＯ2）を意味し、これには無定形のシリカおよび
シラノール基および／または水素原子を完全には欠失し
ていないアモルファスシリカも含まれる。また、上述し
たセラミック前駆体等を添加配合した場合には、これら
の化合物を含有するものも含まれる。
【００１２】本発明の方法において使用される基材とし
ては、セラミック基材，各種金属基材，電子デバイスが
例示される。これらの中でも本発明の組成物を適用する
に好適とされる基材は電子デバイスである。
【００１３】次に、本発明の電気絶縁性薄膜の形成方法
について説明する。本発明の電気絶縁性薄膜の形成方法
は「（Ａ）電気絶縁性・硬化性の無機質もしくは有機樹
脂と、（Ｂ）（ａ）（Ａ）成分を溶解可能な溶剤および
（ｂ）（ａ）成分と沸点もしくは蒸気圧曲線の異なる溶
剤または（ａ）成分とは（Ａ）成分への親和性の異なる
溶剤からなる電気絶縁性薄膜形成用組成物を基材表面に
塗布し、次いで、前記（Ｂ）成分の溶剤の少なくとも一
部を蒸発させ、しかる後に前記基材を加熱し、前記
（Ａ）成分の樹脂が硬化する過程または硬化後に（Ｂ）
成分の残りをガス化させることを特徴とする電気絶縁性
薄膜の形成方法。」である。
【００１４】本発明において上記のような(Ａ)成分と
(Ｂ)成分からなる電気絶縁性薄膜形成用組成物を基材表
面に塗布し、次いで、この(Ｂ)成分の溶剤の一部を蒸発
させるのであるが、塗布方法としてはスピンコーティン
グ法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
フローコーティング法が例示される。また、(Ｂ)成分の
一部を蒸発させる方法としては、特に限定されず、常温
あるいは加熱下に放置して風乾させる方法、減圧下にお
く方法、風を吹き付ける方法が例示される。本発明の製
造方法においては、この(Ｂ)成分の一部を蒸発させる工
程において、ガスが発生しその一部が系外に飛散するこ
とにより電気絶縁性膜中に空洞多孔性構造もしくは自由
空間を作り出すことができる。
【００１５】次いで、前記基材を加熱し、前記(Ａ)成分
の樹脂が硬化する過程または硬化後に(Ｂ)成分の残りを
ガス化させるのであるが、ここで、加熱温度は(Ｂ)成分
をガス化させ得る温度であればよく、特に限定されな
い。ただし、目的により電気絶縁性薄膜に基材の溶融平
坦化を求める場合には、前記(Ａ)成分の融点により高い
温度条件下で加熱することが必要である。また、この加
熱に際して用いられる手段としては特に限定されず、加
熱炉、ホットプレート等一般に使用されている加熱装置
が使用可能である。
【００１６】以上のような本発明の電気絶縁性薄膜形成
用組成物は低い比誘電率を有する電気絶縁性薄膜を形成
し得るので、かかる特性が要求される用途、例えば、電
子デバイス等の基材への低誘電率電気絶縁性薄膜の工業
的製造法として有用である。
【００１７】
【実施例】以下、実施例および比較例にて本発明をより
詳細に説明する。尚、実施例中、シリカへの転化性に関
してはフーリエ変換赤外線吸収分光分析により、膜中の
残存ＳｉＨ％を測定して、判断した。尚、この、膜中の
残存ＳｉＨ％はスピンコート後のＳｉＨ％を１００％と
した値である。比誘電率は比抵抗値１０-2Ω・cmのシリ
コンウエハ上に形成した試料を温度２５℃、１メガヘル
ツの条件下で測定した。測定はアルミ電極を形成してサ
ンドイッチ方式でインピーダンスアナライザを用いて行
った。
【００１８】
【実施例１】特公昭４７−３１８３８号公報第３頁実施
例１に記載の方法に従って水素シルセスキオキサン樹脂
を合成した。得られた水素シルセスキオキサン樹脂をＧ
ＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を使
用して分析したところ、このものは数平均分子量が１,
５４０であり、重量平均分子量が７,７０５であった。
この水素シルセスキオキサン樹脂を特開平６−１５７７
６０号公報第５頁実施例１に記載の方法に従って、分子
量分別した。得られたフラクションの水素シルセスキオ
キサン樹脂をＧＰＣを使用して分析したところ、このも
のは数平均分子量５,８３０、重量平均分子量１１,２０
０であった。ＧＰＣの測定条件は以下の通りであった。 装置；東ソー製、８０２Ａ カラム；Ｇ３０００／Ｇ４０００／Ｇ５０００／Ｇ６０
００ キャリア溶媒；トルエン カラム温度；３０℃ 分子量標準；ポリスチレン 検知方式；示差屈折率 サンプル；固形分２重量％（トルエン溶媒） このフラクションをメチルイソブチルケトンに溶解し、
固形分２２重量％の溶液とした。これに、先の溶液に対
し１重量％のドデシルベンゼンおよび、フラクションに
対し１００重量ｐｐｍの塩化白金酸・六水和物を添加し
た。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒｐ
ｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒にて
スピンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,０６
０Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で空気気
流下で２５０℃／１時間焼成し、一旦取りだし、室温で
１０分放置した。この状態では膜のメチルイソブチルケ
トンへの溶解性はスピンコート後よりも低下していた。
次いでこのウエハを石英炉中で、酸素が１０ｐｐｍ含ま
れる窒素気流下で４００℃／１時間アニールした後、取
りだし、室温下で１０分放置した。絶縁膜中の残存Ｓｉ
Ｈ％は７４％であり、シリカへ転化したことが分かっ
た。また、クラックその他膜の異常は認められなかっ
た。膜の比誘電率は２.４であった。スピンコート後、
２５０℃／１時間焼成後および最終処理後の赤外線吸収
スペクトルを図１、２、３にそれぞれ示した。
【００１９】
【実施例２】実施例１で得られたフラクションをメチル
イソブチルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液と
した。これに、先の溶液に対し１０重量％のドデシルベ
ンゼンおよび、フラクションに対し１００重量ｐｐｍの
塩化白金酸・六水和物を添加した。この溶液をシリコン
ウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転
３,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに
室温で１０分放置し、６,５００Åの膜厚を形成した。
このウエハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間
焼成し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状
態では膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピン
コート後よりも低下していた。次いでこのウエハを石英
炉中で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００
℃／１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放
置した。膜中の残存ＳｉＨ％は７９％であり、シリカへ
転化したことがわかった。また、クラックその他膜の異
常は認められなかった。膜の比誘電率は２.４であっ
た。
【００２０】
【実施例３】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分３５重量％の溶液とした。こ
れに、先の溶液に対し１０重量％のドデシルベンゼンお
よび、フラクションに対し１００重量ｐｐｍの塩化白金
酸・六水和物を添加した。この溶液をシリコンウエハ上
に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転２,００
０ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに室温で１
０分放置し、１３,７００Åの膜厚を形成した。このウ
エハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間焼成
し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状態で
は膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピンコー
ト後よりも低下していた。次いでこのウエハを石英炉中
で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／
１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放置し
た。絶縁膜中の残存ＳｉＨ％は７９％であり、シリカへ
転化したことがわかった。また、クラックその他膜の異
常は認められなかった。膜の比誘電率は２.４であっ
た。
【００２１】
【実施例４】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液とした。こ
れに、先の溶液に対し１０重量％のフタル酸ジエチルお
よび、フラクションに対し１００重量ｐｐｍの塩化白金
酸・六水和物を添加した。この溶液をシリコンウエハ上
に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,００
０ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに室温で１
０分放置し、６,３００Åの膜厚を形成した。このウエ
ハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間焼成し、
一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状態では膜
のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピンコート後
よりも低下していた。次いでこのウエハを石英炉中で、
酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時
間アニールした後、取りだし、室温で１０分放置した。
絶縁膜中の残存ＳｉＨ％は７８％であり、シリカへ転化
したことがわかった。また、クラックの発生等膜の異常
は認められなかった。絶縁膜の比誘電率は２.４であっ
た。
【００２２】
【実施例５】特公昭４７−３１８３８号公報第３頁実施
例１に記載の方法に従って水素シルセスキオキサン樹脂
を合成した。得られた水素シルセスキオキサン樹脂をＧ
ＰＣを使用して分析したところ、このものは数平均分子
量が１,５４０であり、重量平均分子量が７,７０５であ
り、分子量が１,５００以下の成分は４１重量％であっ
た。この水素シルセスキオキサン樹脂を特開平６−１５
７７６０号公報第５頁実施例１に記載の方法に従って、
分子量分別した。得られたフラクションの水素シルセス
キオキサン樹脂をＧＰＣを使用して分析したところ、こ
のものは数平均分子量が７４３であり、重量平均分子量
が１,６１３であり、分子量が１,５００以下の成分は７
２重量％であった。ＧＰＣの測定条件は実施例１と同じ
である。このフラクションをヘキサメチルジシロキサン
／オクタメチルトリシロキサン（30/70）混合溶剤に溶
解し、固形分３０％の溶液とした。これに、先の溶液に
対し１０重量％のドデシルベンゼンおよび、フラクショ
ンに対し１００重量ｐｐｍの塩化白金酸・六水和物を添
加した。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００
ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒
にてスピンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,
３２０Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で空
気気流下で２００℃／１時間焼成し、一旦取りだし、室
温で１０分放置した。この状態では膜のメチルイソブチ
ルケトンへの溶解性はスピンコート後よりも低下してい
た。次いでこのウエハを石英炉中で、酸素が１０ｐｐｍ
含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニールした
後、取りだし、室温で１０分放置した。絶縁膜中の残存
ＳｉＨ％は７０％であり、シリカへ転化したことがわか
った。また、クラックの発生等膜の異常は認められなか
った。絶縁膜の比誘電率は２.２であった。
【００２３】
【実施例６】東京応化工業株式会社製有機スピンオング
ラス（商品名；ＯＣＤーＴｙｐｅ７）に、１０重量％の
ドデシルベンゼンを添加した。この溶液をシリコンウエ
ハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,
０００ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに室温
で１０分放置し、６,３００Åの膜厚を形成した。この
ウエハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間焼成
し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状態で
は膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピンコー
ト後よりも低下していた。次いでこのウエハを石英炉中
で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／
１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放置し
た。これらの結果としてクラックの発生等膜の異常は認
められなかった。膜の比誘電率は２.７であった。
【００２４】
【実施例７】特公昭４７−３１８３８号公報第３頁実施
例１に記載の方法に従って合成した水素シルセスキオキ
サン樹脂（数平均分子量１,５４０、重量平均分子量７,
７０５）をメチルイソブチルケトンに溶解し、固形分２
６重量％の溶液とした。この溶液に対し１０重量％のド
デシルベンゼンおよび、樹脂に対し１００重量ｐｐｍの
塩化白金酸・六水和物を添加した。この溶液をシリコン
ウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転
３,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに
室温で１０分放置し、６,２００Åの膜厚を形成した。
このウエハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間
焼成し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状
態では膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピン
コート後よりも低下していた。次いでこのウエハを石英
炉中で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００
℃／１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放
置した。これらの結果として膜中の残存ＳｉＨ％は７５
％であり、シリカへ転化したことがわかった。また、ク
ラックその他膜の異常は認められなかった。膜の比誘電
率は２.４であった。
【００２５】
【実施例８】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液とした。こ
の溶液に対し１０重量％のドデシルベンゼンおよび１重
量％のポリオキシエチレンラウリルエーテルを添加し
た。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒｐ
ｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒にて
スピンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,４５
０Åの膜厚を形成した。
【００２６】
【実施例９】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液とした。こ
の溶液に対し１０重量％のシクロヘキシルベンゼンを添
加した。この溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００
ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒
にてスピンコートし、さらに室温で１０分放置し、６,
３００Åの膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で、
酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時
間焼成した後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中
の残存ＳｉＨ％は７７％であり、シリカへ転化したこと
がわかった。また、クラックその他膜の異常は認められ
なかった。膜の比誘電率は２.４であった。
【００２７】
【実施例１０】実施例１で得られたフラクションをメチ
ルイソブチルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液
とした。この溶液に対し１０重量％のペンチルベンゼン
および、フラクションに対し１００重量ｐｐｍの塩化白
金酸・六水和物を添加した。この溶液をシリコンウエハ
上に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転３,０
００ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに室温で
１０分放置し、６,５００Åの膜厚を形成した。このウ
エハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間焼成し
た後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中の残存Ｓ
ｉＨ％は９１％であり、シリカへ転化したことがわかっ
た。また、クラックその他膜の異常は認められなかっ
た。膜の比誘電率は２.７であった。
【００２８】
【実施例１１】実施例１で得れられたフラクションをメ
チルイソブチルケトンに溶解し、固形分１８重量％の溶
液とした。この溶液に対し１０重量％のドデシルベンゼ
ンおよび、フラクションに対し１００重量ｐｐｍの塩化
白金酸・六水和物を添加した。この溶液を、段差高が０.
５μｍ、段差幅および段差間隔が０.１８μｍのポリシ
リコンパターンウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３
秒、次いで本回転５,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピン
コートし、さらに溶剤を十分に蒸発させ、最深部で８,
２３５Åの膜厚を形成した（図４）。このウエハをホッ
トプレート上、窒素気流下、１５０℃／１分、２００℃
／１分、２００℃／１分の順番で加熱したところ、流動
化が起こり、十分な段差間の埋め込みおよび樹脂表面平
坦化が起きた（図５）。次いでこのウエハを石英炉中で
空気気流下で２５０℃／１時間焼成し、一旦取りだし、
室温で１０分放置した。この状態では膜のメチルイソブ
チルケトンへの溶解性はスピンコート後よりも低下して
いた。次いでこのウエハを石英炉中で、酸素が１０ｐｐ
ｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニールした
後、取りだし、室温で１０分放置した。膜にはクラック
その他膜の異常は認められなかった。
【００２９】
【実施例１２】PROCEEDINGS TWELFTH INTERNATIONAL VL
SI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE，１９９
５，頁１１６に記載の方法に従ってフッ素化ポリアリル
エーテル樹脂を合成した。得られた樹脂をＧＰＣを使用
して分析したところ、このものは数平均分子量が２,５
４０であり、重量平均分子量が９,３９０であった。こ
の樹脂をメチルイソブチルケトンに溶解し、固形分２６
重量％の溶液とした。これに、先の溶液に対し１０重量
％のドデシルベンゼンを添加した。この溶液をシリコン
ウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３秒、次いで本回転
３,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピンコートし、さらに
室温で１０分放置し、６,０８０Åの膜厚を形成した。
このウエハを石英炉中で空気気流下で２５０℃／１時間
焼成し、一旦取りだし、室温で１０分放置した。この状
態では膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はスピン
コート後よりも低下していた。次いでこのウエハを石英
炉中で、酸素が１０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００
℃／１時間アニールした後、取りだし、室温で１０分放
置した。膜のメチルイソブチルケトンへの溶解性はさら
に低下していた。膜の比誘電率は２.４であった。
【００３０】
【比較例１】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分２２重量％の溶液とした。こ
の溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３
秒、次いで本回転３,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピン
コートし、さらに室温で１０分放置し、６,０７８Åの
膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で、酸素が１０
ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニール
した後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中の残存
ＳｉＨ％は７５％であり、シリカへ転化したことがわか
った。また、膜にクラックの発生が認められた。膜の比
誘電率は２.８であった。
【００３１】
【比較例２】実施例１のフラクションをメチルイソブチ
ルケトンに溶解し、固形分３５％重量の溶液とした。こ
の溶液をシリコンウエハ上に、前回転５００ｒｐｍ／３
秒、次いで本回転２,０００ｒｐｍ／１０秒にてスピン
コートし、さらに室温で１０分放置し、１３,２００Å
の膜厚を形成した。このウエハを石英炉中で、酸素が１
０ｐｐｍ含まれる窒素気流下で４００℃／１時間アニー
ルした後、取りだし、室温で１０分放置した。膜中の残
存ＳｉＨ％は７５％であり、シリカへ転化したことがわ
かった。また、膜にクラックが発生した。またこの薄膜
の比誘電率は２.８であった。
【００３２】
【発明の効果】本発明の絶縁薄膜形成用組成物は（Ａ）
電気絶縁性・硬化性のは有機樹脂と（Ｂ）（ａ）（Ａ）
成分を溶解可能な溶剤と（ｂ）（ａ）成分と沸点もしく
は蒸気圧曲線の異なる溶剤または（ａ）成分とは（Ａ）
成分の親和性の異る溶剤からなるので、硬化後、電気絶
縁特性に優れ、特に誘電率が低い硬化皮膜となり得ると
いう特徴を有する。また、本発明の電気絶縁性薄膜の成
形方法はかかる低誘電率の電気絶縁性薄膜を形成させる
ことができるという特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１で得られたスピンコート後の水素シ
ルセスキオキサン樹脂膜の赤外吸収スペクトルである。
【図２】 実施例１で得られた水素シルセスキオキサン
樹脂膜を２５０℃／１時間焼成した後の膜の赤外吸収ス
ペクトルである。
【図３】実施例で得られたシリカ薄膜の赤外吸収スペク
トルである。
【図４】実施例１１における電気絶縁性薄膜の形成状態
を示した断面図である。
【図５】実施例１１における電気絶縁性薄膜の形成状態
を示した断面図である。
【符号の説明】
１ 水素シルセスキオキサン樹脂膜 ２ 空隙 ３ シリコーンウエハ ４ 水素シルセスキオキサン樹脂膜
フロントページの続き (72)発明者 佐々木 基 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 小林 昭彦 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）電気絶縁性・硬化性の有機樹脂
    と、（Ｂ）（ａ）（Ａ）成分を溶解可能な溶剤および
    （ｂ）（ａ）成分と沸点もしくは蒸気圧曲線の異なる溶
    剤または（ａ）成分とは（Ａ）成分への親和性の異る溶
    剤とからなることを特徴とする電気絶縁薄膜形成用組成
    物。
  2. 【請求項２】 （Ａ）成分が、水素シルセスキオキサン
    樹脂である請求項１に記載の電気絶縁性薄膜形成用組成
    物。
  3. 【請求項３】 さらに（Ｃ）（Ａ）成分の硬化促進触媒
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気絶縁性薄
    膜形成用組成物。
  4. 【請求項４】 （Ｃ）成分が白金化合物または遷移金属
    化合物である請求項３に記載の電気絶縁性薄膜形成用組
    成物。
  5. 【請求項５】（Ａ）成分の比誘電気率が２.７以上であ
    り、電気絶縁性薄膜の比誘電率が２.７未満である請求
    項１または２に記載の電気絶縁薄膜形成用組成物。
  6. 【請求項６】 （Ａ）電気絶縁性・硬化性の有機樹脂
    と、（Ｂ）（ａ）（Ａ）成分を溶解可能な溶剤および
    （ｂ）（ａ）成分と沸点もしくは蒸気圧曲線の異なる溶
    剤または（ａ）成分とは（Ａ）成分への親和性の異なる
    溶剤からなる電気絶縁性薄膜形成用組成物を基材表面に
    塗布し、次いで、前記（Ｂ）成分の溶剤の少なくとも一
    部を蒸発させ、しかる後に前記基材を加熱し、前記
    （Ａ）成分の樹脂が硬化する過程または硬化後に（Ｂ）
    成分の残りをガス化させることを特徴とする電気絶縁性
    薄膜の形成方法。
  7. 【請求項７】 電気絶縁性薄膜の比誘電率が２.７未満
    である請求項６記載の形成方法。
  8. 【請求項８】 基材が電子デバイスである、請求項６に
    記載の電気絶縁薄膜の形成方法。
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DE69803950T DE69803950T2 (de) 1997-03-31 1998-03-30 Zusammensetzung und Verfahren zum Bilden von elektrisch isolierenden Dünnschichten
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6451381B2 (en) 2000-03-03 2002-09-17 Dow Corning Toray Silcone Co., Ltd. Electrically insulating crosslinked thin-film-forming organic resin composition and method for forming thin film therefrom
SG94746A1 (en) * 2000-04-06 2003-03-18 Dow Corning Toray Silicone Electrically insulating thin-film-forming resin composition and method for forming thin film therefrom
US6764718B2 (en) 2000-01-31 2004-07-20 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Method for forming thin film from electrically insulating resin composition
KR100847917B1 (ko) 2006-03-27 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 장치, 및 반도체 장치의 제조방법
JP2010528453A (ja) * 2007-05-04 2010-08-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 半導体素子のギャップ充填用化合物及び前記化合物を用いたコーティング組成物

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6231989B1 (en) 1998-11-20 2001-05-15 Dow Corning Corporation Method of forming coatings
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
EP1094506A3 (en) 1999-10-18 2004-03-03 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
WO2001048806A1 (fr) * 1999-12-28 2001-07-05 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Procede de production d'un film a faible constante dielectrique et substrat semi-conducteur pourvu de ce film a faible constante dielectrique
US6576568B2 (en) 2000-04-04 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations
US7265062B2 (en) 2000-04-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ionic additives for extreme low dielectric constant chemical formulations
AU2001296737A1 (en) 2000-10-12 2002-04-22 North Carolina State University Co2-processes photoresists, polymers, and photoactive compounds for microlithography
KR20070013132A (ko) 2005-07-25 2007-01-30 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5380553A (en) * 1990-12-24 1995-01-10 Dow Corning Corporation Reverse direction pyrolysis processing
US5618878A (en) * 1995-04-07 1997-04-08 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin coating composition

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6764718B2 (en) 2000-01-31 2004-07-20 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Method for forming thin film from electrically insulating resin composition
US6451381B2 (en) 2000-03-03 2002-09-17 Dow Corning Toray Silcone Co., Ltd. Electrically insulating crosslinked thin-film-forming organic resin composition and method for forming thin film therefrom
SG94746A1 (en) * 2000-04-06 2003-03-18 Dow Corning Toray Silicone Electrically insulating thin-film-forming resin composition and method for forming thin film therefrom
KR100847917B1 (ko) 2006-03-27 2008-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 장치, 및 반도체 장치의 제조방법
JP2010528453A (ja) * 2007-05-04 2010-08-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 半導体素子のギャップ充填用化合物及び前記化合物を用いたコーティング組成物

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