JPH1027947A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH1027947A JPH1027947A JP18300296A JP18300296A JPH1027947A JP H1027947 A JPH1027947 A JP H1027947A JP 18300296 A JP18300296 A JP 18300296A JP 18300296 A JP18300296 A JP 18300296A JP H1027947 A JPH1027947 A JP H1027947A
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- Japan
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作電圧が低く単一モードで発振する半導体
レーザを実現する。 【解決手段】 ＳｉＣ基板１０２上にｎ型ＡｌＮバッフ
ァ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４、ＩｎＧ
ａＮ活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０６が
あり、ストライプ状の開口部の両側にはＩｎＧａＮ界面
層１０５、ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻止層１０８があり、ス
トライプ状開口部の中及び電流阻止層の上にはｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１
０がある。ストライプ状開口部内において、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０６は同じくｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層１０９と接しており、この領域を通して活性層に電流
が注入される。電流阻止層１０８とｐ型クラッド層１０
６の間にはＩｎＧａＮ界面層１０７がある。界面層はＡ
ｌを含んでいないため、エッチング後表面を大気に曝し
ても酸化は少なくすることが出来、２回目のＭＯＣＶＤ
成長時にＩｎＧａＮ層をリアクター内で蒸発させること
によって、良好な再結晶成長界面を得、動作電圧を低減
することができる。
レーザを実現する。 【解決手段】 ＳｉＣ基板１０２上にｎ型ＡｌＮバッフ
ァ層１０３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４、ＩｎＧ
ａＮ活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０６が
あり、ストライプ状の開口部の両側にはＩｎＧａＮ界面
層１０５、ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻止層１０８があり、ス
トライプ状開口部の中及び電流阻止層の上にはｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０９、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１
０がある。ストライプ状開口部内において、ｐ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０６は同じくｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層１０９と接しており、この領域を通して活性層に電流
が注入される。電流阻止層１０８とｐ型クラッド層１０
６の間にはＩｎＧａＮ界面層１０７がある。界面層はＡ
ｌを含んでいないため、エッチング後表面を大気に曝し
ても酸化は少なくすることが出来、２回目のＭＯＣＶＤ
成長時にＩｎＧａＮ層をリアクター内で蒸発させること
によって、良好な再結晶成長界面を得、動作電圧を低減
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の光
情報処理装置に用いられる、半導体レーザに関するもの
である。
情報処理装置に用いられる、半導体レーザに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクの密度を上げるためにはレー
ザ光源の波長を短くすることが必要であり、そのために
半導体レーザの短波長化が進められてきた。現在波長７
８０ｎｍのＧａＡｌＡｓ赤外半導体レーザがＣＤに用い
られており、更に高密度のＤＶＤには波長６５０ｎｍの
ＩｎＧａＡｌＰ赤色半導体レーザが用いられる。ＤＶＤ
の密度を更に上げ高品質の画像を記録するＨＤ−ＤＶＤ
には紫色の半導体レーザが必要であり、これを実現出来
る半導体材料としてＧａＮ系の化合物半導体が有望であ
る。
ザ光源の波長を短くすることが必要であり、そのために
半導体レーザの短波長化が進められてきた。現在波長７
８０ｎｍのＧａＡｌＡｓ赤外半導体レーザがＣＤに用い
られており、更に高密度のＤＶＤには波長６５０ｎｍの
ＩｎＧａＡｌＰ赤色半導体レーザが用いられる。ＤＶＤ
の密度を更に上げ高品質の画像を記録するＨＤ−ＤＶＤ
には紫色の半導体レーザが必要であり、これを実現出来
る半導体材料としてＧａＮ系の化合物半導体が有望であ
る。
【０００３】図６に従来のＧａＮ系の半導体レーザの構
造図を示す（特開平８−９７５０７号公報）。図６に示
すようにサファイア基板６０１上にＭＯＶＰＥ法により
ｎ型ＧａＮバッファー層６０２、ｎ型ＡｌＧａＮ下部ク
ラッド層６０３、ＩｎＧａＮ活性層６０４、ｐ型ＡｌＧ
ａＮ上部第１クラッド層６０５、ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻
止層６０６を堆積する。堆積後、ホトリソグラフィーと
ドライエッチングによりストライプ溝を形成し、再び、
ＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＡｌＧａＮ上部第２クラッド層
６０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８を堆積する。次
に、ｐ型ＧａＮコンタクト層からｎ型ＡｌＧａＮ下部ク
ラッド層の一部をドライエッチングし、ｎ型ＧａＮ層６
０２、及びｐ型ＧａＮ層６０８上にそれぞれｎ型電極６
１０、ｐ型電極６０９を形成する。
造図を示す（特開平８−９７５０７号公報）。図６に示
すようにサファイア基板６０１上にＭＯＶＰＥ法により
ｎ型ＧａＮバッファー層６０２、ｎ型ＡｌＧａＮ下部ク
ラッド層６０３、ＩｎＧａＮ活性層６０４、ｐ型ＡｌＧ
ａＮ上部第１クラッド層６０５、ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻
止層６０６を堆積する。堆積後、ホトリソグラフィーと
ドライエッチングによりストライプ溝を形成し、再び、
ＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＡｌＧａＮ上部第２クラッド層
６０７、ｐ型ＧａＮコンタクト層６０８を堆積する。次
に、ｐ型ＧａＮコンタクト層からｎ型ＡｌＧａＮ下部ク
ラッド層の一部をドライエッチングし、ｎ型ＧａＮ層６
０２、及びｐ型ＧａＮ層６０８上にそれぞれｎ型電極６
１０、ｐ型電極６０９を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す従来のＧａ
Ｎ系半導体レーザを作製するには、ｎ型ＡｌＧａＮ電流
阻止層をＭＯＶＰＥ法で堆積した後に、ドライエッチン
グでストライプ溝を形成して、ｐ型上部第１クラッド層
の表面を露出させ、再びＭＯＶＰＥ法でｐ型第２クラッ
ド層を堆積することになる。この場合２つ問題点があ
る。
Ｎ系半導体レーザを作製するには、ｎ型ＡｌＧａＮ電流
阻止層をＭＯＶＰＥ法で堆積した後に、ドライエッチン
グでストライプ溝を形成して、ｐ型上部第１クラッド層
の表面を露出させ、再びＭＯＶＰＥ法でｐ型第２クラッ
ド層を堆積することになる。この場合２つ問題点があ
る。
【０００５】第１点は、ドライエッチングによりエッチ
ング面がダメージを受けたり、エッチング面にエッチン
グガス原子が取り込まれて、エッチング表面に変質層が
形成されることである。このような層が形成されると、
第２クラッド層を堆積した時に、第１クラッド層と第２
クラッド層の界面に結晶欠陥が発生し、素子の寿命を短
くしてしまう。また、界面に不純物を含んだ層が形成さ
れるので、電流が流れにくくなったり屈折率が乱されて
レーザ光の分布形状に悪影響を及ぼすことになる。
ング面がダメージを受けたり、エッチング面にエッチン
グガス原子が取り込まれて、エッチング表面に変質層が
形成されることである。このような層が形成されると、
第２クラッド層を堆積した時に、第１クラッド層と第２
クラッド層の界面に結晶欠陥が発生し、素子の寿命を短
くしてしまう。また、界面に不純物を含んだ層が形成さ
れるので、電流が流れにくくなったり屈折率が乱されて
レーザ光の分布形状に悪影響を及ぼすことになる。
【０００６】２点目は、第１クラッド層がＡｌを含んで
いるため、ドライエッチング後空気に曝されると表面が
著しく酸化され、ＭＯＶＰＥ再成長により第２クラッド
層を堆積した時に同様に結晶欠陥の発生や界面高抵抗層
が形成されてしまい、レーザ特性が著しく劣化する。
いるため、ドライエッチング後空気に曝されると表面が
著しく酸化され、ＭＯＶＰＥ再成長により第２クラッド
層を堆積した時に同様に結晶欠陥の発生や界面高抵抗層
が形成されてしまい、レーザ特性が著しく劣化する。
【０００７】そこで本発明は、ストライプ溝形成後にＭ
ＯＶＰＥ再成長を行っても、結晶欠陥の発生や高抵抗層
が界面に形成されない素子構造を有し、良好な特性と信
頼性を有するＧａＮ系半導体レーザを提供することを目
的とする。
ＯＶＰＥ再成長を行っても、結晶欠陥の発生や高抵抗層
が界面に形成されない素子構造を有し、良好な特性と信
頼性を有するＧａＮ系半導体レーザを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】課題を解決するために本
発明のＧａＮ系半導体レーザでは以下の２つの方法を用
いる。
発明のＧａＮ系半導体レーザでは以下の２つの方法を用
いる。
【０００９】１つは上部第１クラッド層を堆積した後
に、電流阻止層を堆積する前にＩｎＧａＮ層を堆積する
方法である。ドライエッチングによりストライプ溝を形
成する時には、エッチングをこのＩｎＧａＮ層で終了さ
せる。ＩｎＧａＮ層はごく薄い層（１０ｎｍ程度）とす
るが、ＡｌＧａＮ電流阻止層と組成が異なるので、エッ
チング速度がＩｎＧａＮの方がＡｌＧａＮよりも小さく
なるようなエッチングガスを用いるとか、エッチング時
に真空チャンバー内のガスをモニターしてＩｎが検出さ
れ始めたらエッチングを終了させるなどの方法により、
精度良くストライプ溝内の露出層の表面をＩｎＧａＮ層
にすることが出来る。
に、電流阻止層を堆積する前にＩｎＧａＮ層を堆積する
方法である。ドライエッチングによりストライプ溝を形
成する時には、エッチングをこのＩｎＧａＮ層で終了さ
せる。ＩｎＧａＮ層はごく薄い層（１０ｎｍ程度）とす
るが、ＡｌＧａＮ電流阻止層と組成が異なるので、エッ
チング速度がＩｎＧａＮの方がＡｌＧａＮよりも小さく
なるようなエッチングガスを用いるとか、エッチング時
に真空チャンバー内のガスをモニターしてＩｎが検出さ
れ始めたらエッチングを終了させるなどの方法により、
精度良くストライプ溝内の露出層の表面をＩｎＧａＮ層
にすることが出来る。
【００１０】次に、ＭＯＶＰＥによる再成長時に、リア
クター内で高温（１０００℃程度）の雰囲気にすると、
ＩｎＧａＮ層を熱分解して蒸発させることが出来る。Ｉ
ｎＧａＮ層はドライエッチング時にダメージを受けてい
るが、この層を蒸発させることにより、清浄なＡｌＧａ
Ｎ第１クラッド層をリアクター内において露出させるこ
とが出来る。このようにして、引き続いてＡｌＧａＮ第
２クラッド層を堆積させると、良好な界面を形成するこ
とが出来る。
クター内で高温（１０００℃程度）の雰囲気にすると、
ＩｎＧａＮ層を熱分解して蒸発させることが出来る。Ｉ
ｎＧａＮ層はドライエッチング時にダメージを受けてい
るが、この層を蒸発させることにより、清浄なＡｌＧａ
Ｎ第１クラッド層をリアクター内において露出させるこ
とが出来る。このようにして、引き続いてＡｌＧａＮ第
２クラッド層を堆積させると、良好な界面を形成するこ
とが出来る。
【００１１】もう１つの方法は、第１クラッド層の表面
にＩｎＧａＮ層の代わりにＡｌ組成が第１クラッド層よ
り低いＡｌＧａＮ層またはＧａＮ層を堆積する方法であ
る。この場合も、ストライプ溝形成のドライエッチング
はこのＡｌＧａＮまたはＧａＮ層で終了させる。このよ
うにすると、Ａｌが少ないのでエッチング後の表面の酸
化が起こりにくく、ＭＯＶＰＥによる再成長時に結晶欠
陥の発生や界面高抵抗層の形成を抑えることが出来る。
にＩｎＧａＮ層の代わりにＡｌ組成が第１クラッド層よ
り低いＡｌＧａＮ層またはＧａＮ層を堆積する方法であ
る。この場合も、ストライプ溝形成のドライエッチング
はこのＡｌＧａＮまたはＧａＮ層で終了させる。このよ
うにすると、Ａｌが少ないのでエッチング後の表面の酸
化が起こりにくく、ＭＯＶＰＥによる再成長時に結晶欠
陥の発生や界面高抵抗層の形成を抑えることが出来る。
【００１２】
（実施の形態１）本発明の第１の実施の形態を図１を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】ｎ型ＳｉＣ基板１０２上にｎ型ＡｌＮバッ
ファー層１０３（厚さ２０ｎｍ）、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ
０．８Ｎクラッド層１０４（厚さ１μｍ）、Ｉｎ０．１
Ｇａ０．９Ｎ活性層１０５（厚さ１０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ
０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層１０６（厚さ０．２μ
ｍ）があり、ストライプ状の開口部の両側にはＩｎ０．
０５Ｇａ０．９５Ｎ界面層１０５（厚さ１０ｎｍ）、ｎ
型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ電流阻止層（厚さ０．５μ
ｍ）１０８があり、ストライプ状開口部の中及び電流阻
止層の上にはｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層１
０９（厚さは電流阻止層上で０．５μｍ）、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層１１０（厚さ０．５μｍ）がある。ストラ
イプ状開口部の幅は３μｍである。ｎ型ＳｉＣ基板側に
はＮｉ／Ａｕ電極１０１、コンタクト層側にもＮｉ／Ａ
ｕ電極１１１（どちらも厚さ４００ｎｍ）がある。
ファー層１０３（厚さ２０ｎｍ）、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ
０．８Ｎクラッド層１０４（厚さ１μｍ）、Ｉｎ０．１
Ｇａ０．９Ｎ活性層１０５（厚さ１０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ
０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層１０６（厚さ０．２μ
ｍ）があり、ストライプ状の開口部の両側にはＩｎ０．
０５Ｇａ０．９５Ｎ界面層１０５（厚さ１０ｎｍ）、ｎ
型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ電流阻止層（厚さ０．５μ
ｍ）１０８があり、ストライプ状開口部の中及び電流阻
止層の上にはｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッド層１
０９（厚さは電流阻止層上で０．５μｍ）、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層１１０（厚さ０．５μｍ）がある。ストラ
イプ状開口部の幅は３μｍである。ｎ型ＳｉＣ基板側に
はＮｉ／Ａｕ電極１０１、コンタクト層側にもＮｉ／Ａ
ｕ電極１１１（どちらも厚さ４００ｎｍ）がある。
【００１４】ストライプ状開口部内において、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１０６は同じくｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０９と接しており、この領域を通して活性層に電
流が注入される。電流阻止層１０８とｐ型クラッド層１
０６の間にはＩｎＧａＮ界面層１０７がある。界面層の
Ｉｎ組成比は０．０５で活性層の０．１より小さくして
エネルギーギャップを大きくし、活性層で発生するレー
ザ光が吸収されないようにしている。また、電流阻止層
のＡｌ組成比をクラッド層よりも大きくすることによっ
て、電流阻止層の屈折率がクラッド層よりも小さくな
る。そのため活性層の水平方向にストライプ状開口部の
直下の屈折率が大きくなるような屈折率分布が付き、基
本横モードのレーザ光をストライプ部に閉じ込めること
が出来る。
ＧａＮクラッド層１０６は同じくｐ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０９と接しており、この領域を通して活性層に電
流が注入される。電流阻止層１０８とｐ型クラッド層１
０６の間にはＩｎＧａＮ界面層１０７がある。界面層の
Ｉｎ組成比は０．０５で活性層の０．１より小さくして
エネルギーギャップを大きくし、活性層で発生するレー
ザ光が吸収されないようにしている。また、電流阻止層
のＡｌ組成比をクラッド層よりも大きくすることによっ
て、電流阻止層の屈折率がクラッド層よりも小さくな
る。そのため活性層の水平方向にストライプ状開口部の
直下の屈折率が大きくなるような屈折率分布が付き、基
本横モードのレーザ光をストライプ部に閉じ込めること
が出来る。
【００１５】本実施例では、電流阻止層１０８にｎ型層
を用いているが、抵抗率が高く電流を狭窄する効果があ
ればｎ型でなくてもよい。
を用いているが、抵抗率が高く電流を狭窄する効果があ
ればｎ型でなくてもよい。
【００１６】本発明の別の実施例では、電流阻止層にＩ
ｎＧａＮ層を用い、Ｉｎの組成比を活性層のＩｎ組成比
よりも大きくして、活性層からもれ出たレーザ光が吸収
されるようにエネルギーギャップを活性層より小さくす
る。このような構造によっても、活性層の水平方向にス
トライプ状開口部の直下の屈折率を実効的に大きくする
ことが出来、基本横モードのレーザ光をストライプ部に
閉じ込めることが出来る。この場合の電流阻止層の導電
型はｎ型かまたは高抵抗層を用いる。
ｎＧａＮ層を用い、Ｉｎの組成比を活性層のＩｎ組成比
よりも大きくして、活性層からもれ出たレーザ光が吸収
されるようにエネルギーギャップを活性層より小さくす
る。このような構造によっても、活性層の水平方向にス
トライプ状開口部の直下の屈折率を実効的に大きくする
ことが出来、基本横モードのレーザ光をストライプ部に
閉じ込めることが出来る。この場合の電流阻止層の導電
型はｎ型かまたは高抵抗層を用いる。
【００１７】活性層としては、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ
膜を用いたが、ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層（厚さ３ｎｍ）／
Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／
ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）から構成される単
一量子井戸（ＳＱＷ）構造であってもよい。また、上記
ＳＱＷ構造でＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層が複
数あって、ウエル層の間にＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ
バリア層がある多重量子井戸（ＭＱＷ）構造でもよい。
膜を用いたが、ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層（厚さ３ｎｍ）／
Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／
ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）から構成される単
一量子井戸（ＳＱＷ）構造であってもよい。また、上記
ＳＱＷ構造でＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層が複
数あって、ウエル層の間にＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ
バリア層がある多重量子井戸（ＭＱＷ）構造でもよい。
【００１８】図２に本発明の第１の実施の形態の半導体
レーザの製造工程図を示す。結晶成長はＭＯＶＰＥ法を
用い、まず図２（ａ）に示すようにｎ型ＳｉＣ基板１０
２上に、ｐ型ＡｌＮバッファー層１０３からｎ型ＡｌＧ
ａＮ電流阻止層１０８までの各層を結晶成長する。次に
図２（ｂ）に示すようにホトリソグラフィとエッチング
によりストライプ状の開口部を形成する。ＧａＮ系半導
体は化学エッチングによるエッチングが非常に困難であ
るため、Ｃｌ２ガスを用いたドライエッチングを用い、
電流阻止層１０８のみを除去して界面層１０７の表面を
露出させる。界面層はＡｌを含んでいないため、エッチ
ング後表面を大気に曝しても酸化は少なくすることが出
来る。
レーザの製造工程図を示す。結晶成長はＭＯＶＰＥ法を
用い、まず図２（ａ）に示すようにｎ型ＳｉＣ基板１０
２上に、ｐ型ＡｌＮバッファー層１０３からｎ型ＡｌＧ
ａＮ電流阻止層１０８までの各層を結晶成長する。次に
図２（ｂ）に示すようにホトリソグラフィとエッチング
によりストライプ状の開口部を形成する。ＧａＮ系半導
体は化学エッチングによるエッチングが非常に困難であ
るため、Ｃｌ２ガスを用いたドライエッチングを用い、
電流阻止層１０８のみを除去して界面層１０７の表面を
露出させる。界面層はＡｌを含んでいないため、エッチ
ング後表面を大気に曝しても酸化は少なくすることが出
来る。
【００１９】この状態で再びＭＯＶＰＥ炉のリアクター
内に入れ、１０００℃の高温に上げることにより、図２
（ｃ）に示すようにストライプ内の界面層を熱分解して
除去する。界面層除去後、引き続いてクラッド層１０９
とコンタクト層１１０を結晶成長し、ｐ側電極１１１と
ｎ型基板側電極１０１を蒸着して半導体レーザが完成す
る。
内に入れ、１０００℃の高温に上げることにより、図２
（ｃ）に示すようにストライプ内の界面層を熱分解して
除去する。界面層除去後、引き続いてクラッド層１０９
とコンタクト層１１０を結晶成長し、ｐ側電極１１１と
ｎ型基板側電極１０１を蒸着して半導体レーザが完成す
る。
【００２０】このように活性層上のＡｌＧａＮクラッド
層上に界面層を形成し、この層を高温で熱分解させてか
らさらにクラッド層を成長させているので、結晶性の劣
化がなく、しきい値電流の小さいレーザを容易に実現す
ることができる。
層上に界面層を形成し、この層を高温で熱分解させてか
らさらにクラッド層を成長させているので、結晶性の劣
化がなく、しきい値電流の小さいレーザを容易に実現す
ることができる。
【００２１】（実施の形態２）次に本発明の第２の実施
の形態を図３を用いて説明する。
の形態を図３を用いて説明する。
【００２２】ｎ型ＳｉＣ基板３０２上のｎ型ＡｌＮバッ
ファー層３０３からｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッ
ド層３０６までは、第１の実施の形態と同じであるが、
この上に更にｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ界面層３
０７（厚さ１０ｎｍ）がある。ストライプ状の開口部の
両側にはｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ電流阻止層３０８
（厚さ０．５μｍ）のみがあり、ストライプ状開口部の
かなか、及び電流阻止層の上にはｐ型Ａｌ０．２Ｇａ
０．８Ｎクラッド層３０９（厚さは電流阻止層上で０．
５μｍ）、ｐ型ＧａＮコンタクト層３１０（厚さ０．５
μｍ）がある。ストライプ状開口部の幅は３μｍであ
る。ｎ型ＳｉＣ基板側にはＮｉ／Ａｕ電極３０１、コン
タクト層側にもＮｉ／Ａｕ電極３１１（どちらも厚さ４
００ｎｍ）がある。
ファー層３０３からｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎクラッ
ド層３０６までは、第１の実施の形態と同じであるが、
この上に更にｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ界面層３
０７（厚さ１０ｎｍ）がある。ストライプ状の開口部の
両側にはｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ電流阻止層３０８
（厚さ０．５μｍ）のみがあり、ストライプ状開口部の
かなか、及び電流阻止層の上にはｐ型Ａｌ０．２Ｇａ
０．８Ｎクラッド層３０９（厚さは電流阻止層上で０．
５μｍ）、ｐ型ＧａＮコンタクト層３１０（厚さ０．５
μｍ）がある。ストライプ状開口部の幅は３μｍであ
る。ｎ型ＳｉＣ基板側にはＮｉ／Ａｕ電極３０１、コン
タクト層側にもＮｉ／Ａｕ電極３１１（どちらも厚さ４
００ｎｍ）がある。
【００２３】ストライプ状開口部内において、ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層３０６はｐ型ＡｌＧａＮ界面層３０７
を介してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０９と接してお
り、この領域を通して活性層に電流が注入される。電流
阻止層３０８とｐ型クラッド層３０６の間にはｐ型Ａｌ
ＧａＮ界面層３０７がある。界面層のＡｌ組成比は０．
０５でクラッド層の０．２より小さくし、またＩｎＧａ
Ｎ活性層のエネルギーギャップより大きくして活性層で
発生するレーザ光が吸収されないようにしている。ま
た、電流阻止層のＡｌ組成比をクラッド層よりも大きく
することによって、電流阻止層の屈折率がクラッド層よ
りも小さくなる。そのため活性層の水平方向にストライ
プ状開口部の直下の屈折率が大きくなるような屈折率分
布が付き、基本横モードのレーザ光をストライプ部に閉
じ込めることが出来る。
ＧａＮクラッド層３０６はｐ型ＡｌＧａＮ界面層３０７
を介してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０９と接してお
り、この領域を通して活性層に電流が注入される。電流
阻止層３０８とｐ型クラッド層３０６の間にはｐ型Ａｌ
ＧａＮ界面層３０７がある。界面層のＡｌ組成比は０．
０５でクラッド層の０．２より小さくし、またＩｎＧａ
Ｎ活性層のエネルギーギャップより大きくして活性層で
発生するレーザ光が吸収されないようにしている。ま
た、電流阻止層のＡｌ組成比をクラッド層よりも大きく
することによって、電流阻止層の屈折率がクラッド層よ
りも小さくなる。そのため活性層の水平方向にストライ
プ状開口部の直下の屈折率が大きくなるような屈折率分
布が付き、基本横モードのレーザ光をストライプ部に閉
じ込めることが出来る。
【００２４】本実施例では、電流阻止層３０８にｎ型層
を用いているが、抵抗率が高く電流を狭窄する効果があ
ればｎ型でなくてもよい。
を用いているが、抵抗率が高く電流を狭窄する効果があ
ればｎ型でなくてもよい。
【００２５】本発明の別の実施例では、電流阻止層にＩ
ｎＧａＮ層を用い、Ｉｎの組成比を活性層のＩｎ組成比
よりも大きくして、活性層からもれ出たレーザ光が吸収
されるようにエネルギーギャップを活性層より小さくす
る。このような構造によっても、活性層の水平方向にス
トライプ状開口部の直下の屈折率を実効的に大きくする
ことが出来、基本横モードのレーザ光をストライプ部に
閉じ込めることが出来る。この場合の電流阻止層の導電
型はｎ型かまたは高抵抗層を用いる。
ｎＧａＮ層を用い、Ｉｎの組成比を活性層のＩｎ組成比
よりも大きくして、活性層からもれ出たレーザ光が吸収
されるようにエネルギーギャップを活性層より小さくす
る。このような構造によっても、活性層の水平方向にス
トライプ状開口部の直下の屈折率を実効的に大きくする
ことが出来、基本横モードのレーザ光をストライプ部に
閉じ込めることが出来る。この場合の電流阻止層の導電
型はｎ型かまたは高抵抗層を用いる。
【００２６】活性層としては、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ
膜を用いたが、ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層（厚さ３ｎｍ）／
Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／
ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）から構成される単
一量子井戸（ＳＱＷ）構造であってもよい。また、上記
ＳＱＷ構造でＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層が複
数あって、ウエル層の間にＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ
バリア層がある多重量子井戸（ＭＱＷ）構造でもよい。
膜を用いたが、ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／Ｉ
ｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層（厚さ３ｎｍ）／
Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎバリア層（厚さ５ｎｍ）／
ＧａＮガイド層（厚さ１００ｎｍ）から構成される単
一量子井戸（ＳＱＷ）構造であってもよい。また、上記
ＳＱＷ構造でＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎウエル層が複
数あって、ウエル層の間にＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ
バリア層がある多重量子井戸（ＭＱＷ）構造でもよい。
【００２７】図４に本発明の第２の実施の形態の半導体
レーザの製造工程図を示す。結晶成長はＭＯＶＰＥ法を
用い、まず図４（ａ）に示すようにｎ型ＳｉＣ基板３０
２上に、ｐ型ＡｌＮバッファー層３０３からｎ型ＡｌＧ
ａＮ電流阻止層３０８までの各層を結晶成長する。次に
図２（ｂ）に示すようにホトリソグラフィとエッチング
によりストライプ状の開口部を形成する。ＧａＮ系半導
体は化学エッチングによるエッチングが非常に困難であ
るため、Ｃｌ２ガスを用いたドライエッチングを用い、
電流阻止層３０８のみを除去して界面層３０７の表面を
露出させる。界面層のＡｌ組成はクラッド層３０６より
も少なくしているため、エッチング後表面を大気に曝し
ても酸化は少なくすることが出来る。界面層として、Ａ
ｌを含まないＧａＮ層を用いることも出来る。Ａｌの組
成は０から０．１程度までは酸化の度合いは大きくなら
ない。この場合もエネルギーギャップはＩｎＧａＮ活性
層のよりも界面層の方が大きくなり、レーザ光が界面層
で吸収されることがない。
レーザの製造工程図を示す。結晶成長はＭＯＶＰＥ法を
用い、まず図４（ａ）に示すようにｎ型ＳｉＣ基板３０
２上に、ｐ型ＡｌＮバッファー層３０３からｎ型ＡｌＧ
ａＮ電流阻止層３０８までの各層を結晶成長する。次に
図２（ｂ）に示すようにホトリソグラフィとエッチング
によりストライプ状の開口部を形成する。ＧａＮ系半導
体は化学エッチングによるエッチングが非常に困難であ
るため、Ｃｌ２ガスを用いたドライエッチングを用い、
電流阻止層３０８のみを除去して界面層３０７の表面を
露出させる。界面層のＡｌ組成はクラッド層３０６より
も少なくしているため、エッチング後表面を大気に曝し
ても酸化は少なくすることが出来る。界面層として、Ａ
ｌを含まないＧａＮ層を用いることも出来る。Ａｌの組
成は０から０．１程度までは酸化の度合いは大きくなら
ない。この場合もエネルギーギャップはＩｎＧａＮ活性
層のよりも界面層の方が大きくなり、レーザ光が界面層
で吸収されることがない。
【００２８】この状態で再びＭＯＶＰＥ炉のリアクター
内に入れ、クラッド層３０９とコンタクト層３１０を結
晶成長する。ストライプ内のクラッド層３０９は界面層
３０７と接するが、界面層の表面の酸化が少ないので、
界面高抵抗層が形成されず、良好な再結晶成長が行え
る。最後にｐ側電極３１１とｎ型基板側電極３０１を蒸
着して半導体レーザが完成する。
内に入れ、クラッド層３０９とコンタクト層３１０を結
晶成長する。ストライプ内のクラッド層３０９は界面層
３０７と接するが、界面層の表面の酸化が少ないので、
界面高抵抗層が形成されず、良好な再結晶成長が行え
る。最後にｐ側電極３１１とｎ型基板側電極３０１を蒸
着して半導体レーザが完成する。
【００２９】図５に本発明の実施の形態１の半導体レー
ザの特性を示す。図５は本発明の半導体レーザの電流−
電圧及び電流−光出力特性であり、比較のために、図１
においてＩｎＧａＮ界面層１０７を入れずに作製した半
導体レーザの特性を示してある。図５より、本発明の実
施例の半導体レーザの動作電圧は、比較例の半導体レー
ザの５０Ｖから１５Ｖまで大幅に低減していることがわ
かる。比較例の構造では、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１
０６とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９の界面に高抵抗
層が形成され、これが原因で動作電圧が大きくなってし
まうからである。本発明のレーザのしきい電流も下がっ
ているのは、界面での抵抗による発熱も少なくなってい
るためである。また、光出力の熱飽和も起こりにくく、
高出力まで直線性の良い光出力が得られている。
ザの特性を示す。図５は本発明の半導体レーザの電流−
電圧及び電流−光出力特性であり、比較のために、図１
においてＩｎＧａＮ界面層１０７を入れずに作製した半
導体レーザの特性を示してある。図５より、本発明の実
施例の半導体レーザの動作電圧は、比較例の半導体レー
ザの５０Ｖから１５Ｖまで大幅に低減していることがわ
かる。比較例の構造では、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１
０６とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９の界面に高抵抗
層が形成され、これが原因で動作電圧が大きくなってし
まうからである。本発明のレーザのしきい電流も下がっ
ているのは、界面での抵抗による発熱も少なくなってい
るためである。また、光出力の熱飽和も起こりにくく、
高出力まで直線性の良い光出力が得られている。
【００３０】活性層にＳＱＷやＭＱＷ構造を用いると活
性層内の発光効率が更に良くなり、しきい電流を低減す
ることが出来る。また、しきい電流の温度依存性を小さ
くすることが出来、高温での動作温度範囲を拡大するこ
とが出来る。
性層内の発光効率が更に良くなり、しきい電流を低減す
ることが出来る。また、しきい電流の温度依存性を小さ
くすることが出来、高温での動作温度範囲を拡大するこ
とが出来る。
【００３１】以上述べた実施例では基板にｎ型ＳｉＣを
用いたが、ｎ型ＺｎＯやｐ型のＳｉＣやＺｎＯを用いる
ことも出来る。また更に、Ａｌ２Ｏ３やＭｇＡｌ２Ｏ４
のような絶縁性の基板の上に作製するレーザにも適用す
ることが出来る。
用いたが、ｎ型ＺｎＯやｐ型のＳｉＣやＺｎＯを用いる
ことも出来る。また更に、Ａｌ２Ｏ３やＭｇＡｌ２Ｏ４
のような絶縁性の基板の上に作製するレーザにも適用す
ることが出来る。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザは、
２回のＭＯＶＰＥで電流阻止層を結晶内部に導入するＧ
ａＮ系半導体レーザにおいて、Ａｌ組成の多い層をエッ
チングで露出させた後、再び結晶成長する場合、界面へ
の高抵抗層の形成を防止することが出来、低い動作電圧
特性を実現することが出来る。また界面への結晶欠陥の
導入を少なくすることが出来、高信頼性の高密度光ディ
スク用光源を実現することが出来る。
２回のＭＯＶＰＥで電流阻止層を結晶内部に導入するＧ
ａＮ系半導体レーザにおいて、Ａｌ組成の多い層をエッ
チングで露出させた後、再び結晶成長する場合、界面へ
の高抵抗層の形成を防止することが出来、低い動作電圧
特性を実現することが出来る。また界面への結晶欠陥の
導入を少なくすることが出来、高信頼性の高密度光ディ
スク用光源を実現することが出来る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体レーザの構
造を示す図
造を示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体レーザの製
造工程を示す図
造工程を示す図
【図３】本発明の第２の実施の形態の半導体レーザの構
造を示す図
造を示す図
【図４】本発明の第２の実施の形態の半導体レーザの製
造工程を示す図
造工程を示す図
【図５】本発明の第１の実施の形態の半導体レーザの特
性を示す図
性を示す図
【図６】従来の半導体レーザの構造を示す図
１０１ ｎ側電極 １０２ ｎ型ＳｉＣ基板 １０３ ｎ型ＡｌＮバッファー層 １０４ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 １０５ ＩｎＧａＮ活性層 １０６ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 １０７ ＩｎＧａＮ界面層 １０８ ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻止層 １０９ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 １１０ ｐ型ＧａＮコンタクト層 １１１ ｐ側電極 ３０１ ｎ側電極 ３０２ ｎ型ＳｉＣ基板 ３０３ ｎ型ＡｌＮバッファー層 ３０４ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 ３０５ ＩｎＧａＮ活性層 ３０６ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ３０７ ｐ型ＡｌＧａＮ界面層 ３０８ ｎ型ＡｌＧａＮ電流阻止層 ３０９ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 ３１０ ｐ型ＧａＮコンタクト層 ３１１ ｐ側電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 明彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上村 信行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 長谷川 義晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 ＩｎＧａＮ活性層と、該活性層に対して
基板と反対側に形成したＡｌＧａＮクラッド層と、前記
クラッド層を介してストライプ溝を持つ電流阻止層とを
備え、 該電流阻止層の前記クラッド層と接する界面にＩｎＧａ
Ｎ層があり、前記ストライプ溝の中はＡｌＧａＮ半導体
層があり、該ＡｌＧａＮ層と前記クラッド層の界面には
ＩｎＧａＮ層がないことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 電流阻止層のエネルギーギャップが、活
性層と該電流阻止層の間にあるクラッド層のエネルギー
ギャップより大きく、前記電流阻止層の導電型が前記ク
ラッド層の導電型と反対であるか、もしくは、前記電流
阻止層が高抵抗であることを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザ。 - 【請求項３】 電流阻止層のエネルギーギャップが、活
性層のエネルギーギャップより小さく、前記電流阻止層
の導電型が、前記クラッド層の導電型と反対であるかま
たは、前記電流阻止層が高抵抗であることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 電流阻止層がＡｌＧａＮで、Ａｌの混晶
比が、活性層と該電流阻止層の間にあるクラッド層のＡ
ｌの混晶比より大きく、前記電流阻止層の導電型が、前
記クラッド層の導電型と反対であることを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 ＩｎＧａＮ活性層と、該活性層に対して
基板と反対側に形成されたＡｌＧａＮクラッド層と、前
記クラッド層を介してストライプ溝を持つ電流阻止層と
を備え、 前記クラッド層の前記電流阻止層と接する界面に、前記
クラッド層のＡｌ混晶比よりも小さいＡｌ混晶比を持つ
ＡｌＧａＮ層か、またはＧａＮ層があり、前記ストライ
プ溝の中はＡｌＧａＮ半導体層があり、該ＡｌＧａＮ層
のＡｌ混晶比は前記クラッド層の前記電流阻止層と接す
る界面のＡｌＧａＮ層のＡｌ混晶比より大きいことを特
徴とする半導体レーザ。 - 【請求項６】 電流阻止層のエネルギーギャップが、活
性層と該電流阻止層の間にあるクラッド層のエネルギー
ギャップより大きく、前記電流阻止層の導電型が、前記
クラッド層の導電型と反対であるかまたは、前記電流阻
止層が高抵抗であることを特徴とする請求項５記載の半
導体レーザ。 - 【請求項７】 電流阻止層のエネルギーギャップが、活
性層のエネルギーギャップより小さく、前記電流阻止層
の導電型が、前記クラッド層の導電型と反対であるかま
たは、前記電流阻止層が高抵抗であることを特徴とする
請求項５記載の半導体レーザ。 - 【請求項８】 電流阻止層がＡｌＧａＮで、Ａｌの混晶
比が活性層と該電流阻止層の間にあるクラッド層のＡｌ
の混晶比より大きく、前記電流阻止層の導電型が、前記
クラッド層の導電型と反対であることを特徴とする請求
項５記載の半導体レーザ。 - 【請求項９】 半導体基板がｎ型ＳｉＣまたは、ｎ型Ｚ
ｎＯで、電流阻止層の導電型がｎ型であることを特徴と
する請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項１０】 半導体基板がｐ型ＳｉＣまたは、ｐ型
ＺｎＯで、電流阻止層が高抵抗であることを特徴とする
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項１１】 半導体基板がＡｌ２Ｏ３または、Ｍｇ
Ａｌ２Ｏ４で、電流阻止層の導電型がｎ型であることを
特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項１２】 半導体基板がＡｌ２Ｏ３または、Ｍｇ
Ａｌ２Ｏ４で、電流阻止層が高抵抗であることを特徴と
する請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項１３】 活性層と、該活性層に対して基板と反
対側に形成したＡｌＧａＮクラッド層と、前記クラッド
層を介してストライプ溝を持つ電流阻止層とを備え、 該電流阻止層の前記クラッド層と接する界面に前記クラ
ッドの酸化防止層があり、前記ストライプ溝の中はＡｌ
ＧａＮ半導体層があり、該ＡｌＧａＮ層と前記クラッド
層の界面には前記酸化防止層がないことを特徴とする半
導体レーザ。 - 【請求項１４】 活性層と、該活性層に対して基板と反
対側に形成されたＡｌＧａＮクラッド層と、前記クラッ
ド層を介してストライプ溝を持つ電流阻止層とを備え、 前記クラッド層の前記電流阻止層と接する界面に、前記
クラッド層のＡｌ混晶比よりも小さいＡｌ混晶比を持つ
ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（ｘ≧０）があり、前記ストライ
プ溝の中はＡｌＧａＮ半導体層があり、該ＡｌＧａＮ層
のＡｌ混晶比は前記クラッド層の前記電流阻止層と接す
る界面のＡｌＧａＮ層のＡｌ混晶比より大きいことを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18300296A JPH1027947A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18300296A JPH1027947A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027947A true JPH1027947A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16128042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18300296A Pending JPH1027947A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027947A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597717B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-07-22 | Xerox Corporation | Structure and method for index-guided, inner stripe laser diode structure |
| US6683327B2 (en) | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
| EP1492209A2 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device having current blocking layer and method of manufacturing the same |
| JP2005019835A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2008147547A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置の製造方法及び窒化物半導体レーザ装置 |
| US7508001B2 (en) | 2004-06-21 | 2009-03-24 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP18300296A patent/JPH1027947A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN100379105C (zh) * | 2003-06-27 | 2008-04-02 | 日亚化学工业株式会社 | 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法 |
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