JPH10275902A - 半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法及びフラッシュメモリ素子の電極形成方法 - Google Patents

半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法及びフラッシュメモリ素子の電極形成方法

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JPH10275902A
JPH10275902A JP9314734A JP31473497A JPH10275902A JP H10275902 A JPH10275902 A JP H10275902A JP 9314734 A JP9314734 A JP 9314734A JP 31473497 A JP31473497 A JP 31473497A JP H10275902 A JPH10275902 A JP H10275902A
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gas
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storage electrode
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Sang H Woo
相 浩 禹
Seishu Rin
性 洙 林
Itsukon Kan
一 根 韓
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Hyundai Electronics Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は半導体素子の電極形成方法を提供す
るものであり、狭いセル面積内において充分な電荷貯蔵
容量を確保することにその目的がある。 【解決手段】 電極表面にシリコンシードを形成した
後、成長させて電極表面に凹凸構造を形成することによ
って電極の表面積を増加させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は狭いセル面積内にお
いて充分な電荷貯蔵容量を確保することができるように
電極の表面に凹凸構造を形成した半導体素子の電極形成
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子の高集積化につれて単位セル
(cell)の大きさが小さくなるのが一般的な傾向で
ある。DRAM,SRAM又はフラッシュメモリ等の半
導体素子が高集積化するにつれてセル動作に必要なキャ
パシタンスを確保すると同時にキャパシタが占める面積
を最小化することが最も所望されるが、この為には高度
の工程技術開発と素子の信頼性確保が優先的に解決され
なければならない問題である。
【0003】素子動作に必要な静電容量は若干づつ増加
するのが一般的な傾向である。DRAMをはじめとする
SRAMまたはフラッシュメモリ等の半導体素子が高集
積化するにつれて急激に減少するセル面積上に一定量以
上のキャパシタンスを確保しなければならない難しさが
ある。
【0004】このためセル動作に必要とするキャパシタ
ンスをそのまま維持しながらそのキャパシタンスが占め
るチップ上の面積を最小化するための一定水準以上の電
荷保全容量確保のため高度の工程技術開発とともに素子
の信頼性確保は現在DRAMを初めとするフラッシュメ
モリ等の半導体素子が解決しなければならない最も大き
な問題点として台頭している。
【0005】キャパシタの静電容量とその他条件との関
係は次の通りである。
【0006】
【数1】
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記「数1式」で得ら
れるキャパシタの静電容量を増加させる方法及びこの問
題点を説明する。
【0008】まず、誘電常数が高い物質を用いるもので
ある。しかし、誘電常数が高い物質にキャパシタの誘電
体膜を形成する場合キャパシタ内の漏洩電流(Leak
age Current)が大きいという点と物質の生
成を調節することが難しいという短所がある。
【0009】次に、誘電体膜の厚さを低下することであ
る。しかし、現在用いられている誘電体膜は略40Å以
下において漏洩電流が非常に大きく、たやすくブレーク
ダウン(Break Down)されるため安定的に静
電容量を維持するには困難が伴う。
【0010】最後にキャパシタの表面積を増加させる方
法がある。キャパシタをなす電極の表面積を増やすため
電荷貯蔵電極の構造を3次元化する方法があるが、これ
は周辺素子との段差を増加させる原因になり、また形成
方法も複雑で素子の収率を低下する。
【0011】更に誘電率が高い物質(High Die
lectric)を用いる方法があるが誘電率が高い物
質を素子に適用するまでには解決しなければならない問
題が多く残っている。上記の問題点を解決するための別
の方法で電荷貯蔵電極をなすポリシリコン層の微細構造
(Microstructure)を制御して凹凸構造
を有する半球形ポリシリコン層を形成する方法が提示さ
れてきた。
【0012】しかし、凹凸構造を有する半球形ポリシリ
コン層を形成するためには半球形多結晶シリコン層を蒸
着させた後POCl3を用いたドーピング工程及びセル
間隔離のためのエッチバック(Etch Back)工
程をしなければならない等の複雑な問題がある。
【0013】したがって、本発明は狭いセル面積内にお
いて充分な電荷貯蔵容量を確保することができる電極上
にシリコンシード(Si Seed)を形成した後、成
長させて電極上に凹凸構造を形成することにより電極表
面積を増加させることができる半導体素子の電荷貯蔵電
極形成方法及びフラッシュメモリ素子の電極形成方法を
提供することにその目的がある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述した目的を実現する
ための第1の発明の半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法
は、シリコン基板上に形成された絶縁膜を蝕刻してコン
タクトホールを形成する段階と、コンタクトホール及び
絶縁膜を包含した全体構造上部に非晶質シリコン層を形
成した後、パターニングして電荷貯蔵電極を形成する段
階と、前記電荷貯蔵電極表面に形成された自然酸化膜を
除去する段階と、前記電荷貯蔵電極表面にシリコンシー
ドを選択的に形成する段階と、熱処理工程を実施して前
記シリコンシードを成長させ、前記電荷貯蔵電極表面に
半球形凹凸構造を形成する段階とによってなる。
【0015】上述した目的を実現するための第2の発明
の半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法は、シリコン基板
上に形成された絶縁膜を蝕刻してコンタクトホールを形
成する段階と、絶縁膜及びコンタクトホールを包含した
全体構造上部に非晶質シリコン層を形成する段階と、前
記非晶質シリコン層表面に形成された自然酸化膜を除去
する段階と、前記非晶質シリコン層表面にシリコンシー
ドを選択的に形成する段階と、熱処理工程を実施して前
記シリコンシードを成長させ、前記非晶質シリコン層面
に半球形凹凸構造を形成する段階と、前記非晶質シリコ
ン層をパターニングして電荷貯蔵電極を形成する段階と
によってなる。
【0016】上述した目的を実現するための本発明によ
るフラッシュメモリ素子の電極形成方法は、シリコン基
板上に酸化膜を形成した後、非晶質シリコン層を形成す
る段階と、前記非晶質シリコン層表面に形成された自然
酸化膜を除去する段階と、前記非晶質電極シリコン層表
面にシリコンシードを選択的に形成する段階と、熱処理
工程を実施して前記シリコンシードを成長させ、前記非
晶質シリコン層表面に半球形凹凸構造を形成する段階
と、前記非晶質シリコン層表面に誘電体膜及びポリシリ
コン層を順次に形成した後、パターニングしてフローテ
ィングゲート及びコントロールゲートからなるゲート電
極を形成する段階とによってなることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の電極形成方法を
添付した図面を参照して詳細に説明すると次のとおりで
ある。
【0018】図1(a)乃至図1(e)は本発明の第1
実施例による半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法を説明
するための素子の断面図である。図1(a)は接合領域
2が形成されたシリコン基板1の上部面に絶縁膜3を形
成した後、接合領域2が露出するように絶縁膜3を蝕刻
してコンタクトホール10を形成した状態を図示した。
【0019】図1(b)は全体構造上部にSi2 6
ス、SiH4 ガス、Si2 6 +PH3 ガス、SiH4
+PH3 ガス、Si2 6 +AsH3 ガス、SiH4
AsH3 ガスのうち少なくとも一つの工程ガスを用いて
ドープド(doped)またはアンドープド(undo
ped)非晶質(amorphous)シリコン層を形
成した状態を示す。その後、シリコン層をパターニング
して電荷貯蔵電極4を形成する。
【0020】図1(c)は電荷貯蔵電極4の表面に形成
された自然酸化膜(図示されていない)を洗浄工程によ
って除去した状態を図示した。上記洗浄工程によっては
自然酸化膜と絶縁膜3が3:1乃至5:1の蝕刻比率で
除去される。
【0021】例えば、自然酸化膜を除去するためにはH
F+H2 OガスまたはHF+CH3OHガスの混合ガス
を用いた乾式蝕刻工程によってガス位相酸化蝕刻(Ga
sPhase Oxide Etching)を実施す
ることができ、更にHFまたはBOE液を用いた湿式蝕
刻工程を実施することもできる。上記洗浄工程を実施す
ると電荷貯蔵電極4の表面に水素(H)が化学結合手
(DanglingBond)形態に結合される。
【0022】図1(d)は電荷貯蔵電極4の表面にシリ
コンシード5が選択的に形成された素子の断面図であ
る。シリコンシード5の形成工程は10E−9乃至10
E−5Torrの圧力及び500乃至750℃温度条件
の下でSi2 6 又はSiH4ガスが10乃至60sc
cmで供給される反応炉内で進行する。
【0023】上記条件の下で工程を進行することにより
シリコンシード5は露出された絶縁膜3の表面には形成
されず電荷貯蔵電極4の表面にのみ半球形に形成され
る。
【0024】図1(e)はシリコン基板1の全体上部面
に熱処理工程を実施して表面に凹凸半球形構造を有する
電極4Aを形成した状態を図示する。前記熱処理工程は1
0E−9乃至10E−6の圧力及び500乃至800℃
の温度条件下で実施される。
【0025】このとき、非晶質シリコン層からなる電荷
貯蔵電極4の母体から供給されるシリコン原子(Si)
によってシリコンシード5が半球形態のシリコン結晶に
成長することによって電荷貯蔵電極4を表面に半球形凹
凸構造を有する電極4Aに変化させる。
【0026】表面に半球形凹凸構造を有する電荷貯蔵電
極4A上部に後続工程によって誘電体膜及び上部電極を順
次に形成する。
【0027】表面に半球形凹凸構造を有する電荷貯蔵電
極4AはDRAM及びSRAMのキャパシタに適用され、
特に,SRAMの場合α−パーチクル(α−parti
cle)によって発生する電荷貯蔵電極に貯蔵された容
量の損失を防止することができる。
【0028】図2(a)乃至図2(f)は本発明の第2
実施例による半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法を説明
するための素子の断面図である。
【0029】図2(a)は接合領域12が形成されたシリ
コン基板11の全体上部面に絶縁膜13を形成した後、接合
領域12が露出するように絶縁膜13を蝕刻してコンタクト
ホール20を形成した状態を図示した。
【0030】図2(b)はシリコン基板11の全体上部面
にシリコン層からなる電荷貯蔵電極14を形成した状態を
図示した。電荷貯蔵電極14はドープド又はアンドープド
非晶質シリコンからなり、Si2 6 ガス、SiH4
ス、Si2 6 +PH3 ガス、SiH4 +PH3 ガス、
Si2 6 +AsH3 ガス、SiH4 +AsH3 ガスの
うち少なくとも一つの工程ガスを用いて形成される。
【0031】図2(c)は電荷貯蔵電極14の表面に形成
された自然酸化膜(図示されていない)を洗浄工程によ
って除去した状態を図示した。洗浄工程は、例えば、H
F+H2 Oガス又はHF+CH3 OHガスを所定の比率
で混合したガスを用いた乾式蝕刻工程でガス位相酸化蝕
刻して実施するかHF又はBOE液を用いた湿式蝕刻に
よって実施する。前記洗浄工程を実施すると電荷貯蔵電
極14の表面に水素(H)が化学結合手によって形成され
る。
【0032】図2(d)は電荷貯蔵電極14の表面にシリ
コンシード15が選択的に形成された素子の断面図であ
る。シリコンシード15形成工程は10E−9乃至10E
−5Torrの圧力及び500乃至750℃の温度条件
の下でSi2 6 ガス又はSiH4 ガスが10乃至10
0sccmで供給される反応炉内で進行する。
【0033】図2(e)はシリコン基板11の全体上部面
に熱処理工程を実施して表面に半球形凹凸構造を有する
電荷貯蔵電極14A を形成した状態を図示した。前記熱処
理工程は10E−9乃至10E−6の圧力及び500乃
至800℃の温度条件下で実施される。
【0034】このとき、非晶質シリコン層からなる電荷
貯蔵電極14の母体から供給されるシリコン原子(Si)
によってシリコンシード15が半球形態のシリコン結晶に
成長されることにより電荷貯蔵電極14はその表面に半球
形凹凸構造を有する電荷貯蔵電極14A に変化する。
【0035】図2(f)は表面に半球形凹凸構造が形成
された電荷貯蔵電極14A をパターニングした状態を図示
した。前記電荷貯蔵電極14A 上部に後続工程によって誘
電体膜及び上部電極を順次に形成することによってキャ
パシタが形成される。
【0036】図3(a)乃至図3(f)は本発明の第3
実施例によるフラッシュメモリ素子の電極形成方法を説
明するための素子の断面図である。図3(a)はシリコ
ン基板21上に酸化膜26を形成した後、シリコン層24A を
形成した状態を図示した。前記シリコン層24A はドープ
ド又はアンドープド非晶質シリコン層からなり、Si 2
6 ガス、SiH4 ガス、Si2 6 +PH3 ガス、S
iH4 +PH3 ガス、Si2 6 +AsH3 ガス、Si
4 +AsH3 ガスのうち少なくとも一つの工程ガスを
用いて形成される。
【0037】図3(b)は非晶質シリコン層24A の表面
に形成された自然酸化膜(図示されていない)を洗浄工
程によって除去した状態を図示した。前記洗浄工程はH
F+H2 Oガス又はHF+CH3 OHガスのような混合
したガスを用いた乾式蝕刻工程でガス位相酸化蝕刻を実
施する。更に、HF又はBOE液を用いた湿式蝕刻工程
を実施することができる。前記洗浄工程を実施するとシ
リコン層24A の表面に水素が化学結合手によって形成さ
れる。
【0038】図3(c)は非晶質シリコン層24A の表面
にシリコンシード25が選択的に形成された状態を図示し
た。シリコンシード25形成工程は10E−9乃至10E
−5Torrの圧力及び500乃至750℃の温度条件
の下Si2 6 ガス又はSiH4 ガスが10乃至100
sccmで供給される反応炉内で進行する。
【0039】図3(d)はシリコン基板21の全体上部面
に熱処理工程を実施して表面に半球形凹凸構造が形成さ
れた非晶質シリコン層24B を形成した状態を図示した。
前記熱処理工程は10E−9乃至10E−6の圧力及び
500乃至800℃の温度条件下で実施される。このと
き非晶質シリコン層24B から供給されるシリコン原子
(Si)によってシリコンシード25が半球形態のシリコ
ン結晶になることにより非晶質シリコン層は表面に半球
形凹凸構造を有するシリコン層24B に変化する。
【0040】図3(e)は表面に半球形凹凸構造が形成
されたシリコン層24B 上に誘電体膜27及びポリシリコン
層28を順次に形成した状態を図示する。
【0041】図3(f)はポリシリコン層28、誘電体膜
27及び表面に半球形凹凸構造が形成されたシリコン層24
B を自己整合蝕刻方法によってパターニングしてフロー
ティングゲート24C 及びコントロールゲート28A からな
るゲート電極を形成した状態を図示した。
【0042】
【発明の効果】上述したように本発明によれば狭い面積
内において充分な電荷貯蔵容量を確保することができる
ように電極表面上にシリコンシードを形成した後、成長
させて電極表面上に凹凸構造を形成することにより電極
の表面積を増加させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)乃至(e)は本発明の第1実施例による
半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法を説明するための素
子の断面図である。
【図2】(a)乃至(f)は本発明の第2実施例による
半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法を説明するための素
子の断面図である。
【図3】(a)乃至(f)は本発明の第3実施例による
フラッシュメモリ素子の電極形成方法を説明するための
素子の断面図である。
【符号の説明】
1,11,21…シリコン基板 2,12…接合領域 3,13…絶縁膜 4,14…電荷貯蔵電極 4A,14A …半球形構造を有する電荷貯蔵電極 5,15,25…シリコンシード 10,20…コンタクトホール 24A …非晶質シリコン層 24B …半球形構造を有する非晶質シリコン層 24C …フローティングゲート 26…酸化膜 27…誘電体膜 28…ポリシリコン層 28A …コントロールゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/8247 29/788 29/792 (72)発明者 韓 一 根 大韓民国 京畿道 利川市 大月面 巳東 里441−1 現代アパート107 棟 103 号

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法にお
    いて、 シリコン基板上に形成された絶縁膜を蝕刻してコンタク
    トホールを形成する段階と、 コンタクトホール及び絶縁膜を包含した全体構造上部に
    非晶質シリコン層を形成した後、パターニングして電荷
    貯蔵電極を形成する段階と、 前記電荷貯蔵電極表面に形成された自然酸化膜を除去す
    る段階と、 前記電荷貯蔵電極表面にシリコンシードを選択的に形成
    する段階と、 熱処理工程を実施して前記シリコンシードを成長させ、
    前記電荷貯蔵電極表面に半球形凹凸構造を形成する段階
    からなることを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形
    成方法。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記非晶質シリコン層はSi2 6 ガス、SiH4
    ス、Si2 6 +PH3ガス、SiH4 +PH3 ガス、
    Si2 6 +AsH3 ガス、SiH4 +AsH3ガスの
    うち少なくとも一つの工程ガスを使用して形成されるこ
    とを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  3. 【請求項3】 請求項1において、 前記酸化膜除去段階は自然酸化膜と絶縁膜が3:1乃至
    5:1の蝕刻比率に蝕刻されるように実施することを特
    徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  4. 【請求項4】 請求項1において前記酸化膜除去段階は
    HF+H2 OガスまたはHF+CH3 OHガスの混合し
    たガスを用いた乾式蝕刻を実施することを特徴とする半
    導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  5. 【請求項5】 請求項1において、 前記酸化膜除去段階はHFまたはBOE液を用いた湿式
    蝕刻を実施することを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵
    電極形成方法。
  6. 【請求項6】 請求項1において、 前記シリコンシード形成工程は10E−9乃至10E−
    5Torrの圧力及び500乃至750℃温度条件の下
    でSiH6 又はSiH4 ガスが10乃至60sccmで
    供給される反応炉内において実施されることを特徴とす
    る半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  7. 【請求項7】 請求項1において、 前記熱処理工程は10E−6の圧力及び500乃至80
    0℃温度条件で実施されることを特徴とする半導体素子
    の電荷貯蔵電極形成方法。
  8. 【請求項8】 半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法にお
    いて、 シリコン基板上に形成された絶縁膜を蝕刻してコンタク
    トホールを形成する段階と、 絶縁膜及びコンタクトホールを包含した全体構造上部に
    非晶質シリコン層を形成する段階と、 前記非晶質シリコン層表面に形成された自然酸化膜を除
    去する段階と、 前記非晶質シリコン層表面にシリコンシードを選択的に
    形成する段階と、 熱処理工程を実施して前記シリコンシードを成長させ、
    前記非晶質シリコン層表面に半球形凹凸構造を形成する
    段階と前記非晶質シリコン層をパターニングして電荷貯
    蔵電極を形成する段階からなることを特徴とする半導体
    素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  9. 【請求項9】 請求項8において、 前記非晶質シリコン層はSi2 6 ガス、SiH4
    ス、Si2 6 +PH3ガス、SiH4 +PH3 ガス、
    Si2 6 +AsH3 ガス、SiH4 +AsH3ガスの
    うち少なくとも一つの工程ガスを用いて形成されること
    特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  10. 【請求項10】 請求項8において、 前記酸化膜除去段階はHF+H2 OガスまたはHF+C
    3 OHガスの混合したガスを用いて乾式蝕刻を実施す
    ることを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項8において、 前記酸化膜除去段階はHFまたはBOE液を用いた湿式
    蝕刻を実施することを特徴とする半導体素子の電荷貯蔵
    電極形成方法。
  12. 【請求項12】 請求項8において、 前記シリコンシード形成工程は10E−9乃至10E−
    5Torrの圧力及び500乃至750℃温度条件の下
    でSiH6 又はSiH4 ガスが10乃至100sccm
    で供給される反応炉内において実施されることを特徴と
    する半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  13. 【請求項13】 請求項8において、 前記熱処理工程は10E−9乃至10E−6の入力及び
    500乃至800℃の温度条件下で実施されることを特
    徴とする半導体素子の電荷貯蔵電極形成方法。
  14. 【請求項14】 フラッシュメモリ素子の電極形成方法
    において、 シリコン基板上に酸化膜を形成した後、上部に非晶質シ
    リコン層を形成する段階と、 前記非晶質シリコン層表面に形成された自然酸化膜を除
    去する段階と、 前記非晶質シリコン層表面にシリコンシードを選択的に
    形成する段階と、 熱処理工程を実施して前記シリコン層表面に半球形凹凸
    構造を形成する段階と、 前記シリコン層表面に誘電体膜及びポリシリコン層を順
    次に形成する段階と、 前記ポリシリコン層、誘電体膜及びシリコン層をパター
    ニングしてフローティングゲート及びコントロールゲー
    トとでなるゲート電極を形成する段階からなることを特
    徴とするフラッシュメモリ素子の電極形成方法。
  15. 【請求項15】 請求項14において、 前記非晶質シリコン層はSi2 6 ガス、SiH4
    ス、Si2 6 +PH3ガス、SiH4 +PH3 ガス、
    Si2 6 +AsH3 ガス、SiH4 +AsH3ガスの
    うち少なくとも一つの工程ガスを用いて形成されること
    を特徴とするフラッシュメモリ素子の電極形成方法。
  16. 【請求項16】 請求項14において、 前記酸化膜除去段階はHF及びH2 OまたはHF及びC
    3 OHの混合したガスを用いて乾式蝕刻を実施するこ
    とを特徴とするフラッシュメモリ素子の電極形成方法。
  17. 【請求項17】 請求項14において、 前記酸化膜除去段階はHFまたはBOE液を用いた湿式
    蝕刻を実施することを特徴とするフラッシュメモリ素子
    の電極形成方法。
  18. 【請求項18】 請求項14において、 前記シリコンシード形成工程は10E−9乃至10E−
    5Torrの圧力及び500乃至750℃温度条件の下
    でSiH6 又はSiH4 ガスが10乃至100sccm
    で供給される反応炉内において実施されることを特徴と
    するフラッシュメモリ素子の電極形成方法。
  19. 【請求項19】 請求項14において、 前記熱処理工程は10E−9乃至10E−6の圧力及び
    500乃至800℃の温度条件下で実施されることを特
    徴とするフラッシュメモリ素子の電極形成方法。
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