JPH10274518A - 蛍光ｘ線によって薄い層の厚さを測定するための方法および装置 - Google Patents
蛍光ｘ線によって薄い層の厚さを測定するための方法および装置Info
- Publication number
- JPH10274518A JPH10274518A JP10059572A JP5957298A JPH10274518A JP H10274518 A JPH10274518 A JP H10274518A JP 10059572 A JP10059572 A JP 10059572A JP 5957298 A JP5957298 A JP 5957298A JP H10274518 A JPH10274518 A JP H10274518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- focusing
- ray
- measurement
- focusing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 蛍光Ｘ線によって薄い層の厚さを測定するた
めの方法および装置を提供する。 【解決手段】 調べられるべき層を有する試料が視野内
に置かれ、その後、Ｘ線放射線がその層に当てられる。
発せられた蛍光放射線が放射線検出器によって検出さ
れ、層の厚さが判定される。試料を位置づける際、集束
部材を光軸に沿って調節することによって焦点合せが行
なわれ、集束部材の位置は焦点の合った層で決定され
る。この発明による装置は、Ｘ線管と、検出器と、集束
部材を有する観察装置とを含む。集束部材はその光軸に
沿って移動可能に装着され、位置測定装置を備える。こ
れにより、ワーク表面が所定の測定距離に固定されるよ
うにワークピースを担持する台を移動させる必要がなく
なる。
めの方法および装置を提供する。 【解決手段】 調べられるべき層を有する試料が視野内
に置かれ、その後、Ｘ線放射線がその層に当てられる。
発せられた蛍光放射線が放射線検出器によって検出さ
れ、層の厚さが判定される。試料を位置づける際、集束
部材を光軸に沿って調節することによって焦点合せが行
なわれ、集束部材の位置は焦点の合った層で決定され
る。この発明による装置は、Ｘ線管と、検出器と、集束
部材を有する観察装置とを含む。集束部材はその光軸に
沿って移動可能に装着され、位置測定装置を備える。こ
れにより、ワーク表面が所定の測定距離に固定されるよ
うにワークピースを担持する台を移動させる必要がなく
なる。
Description
【０００１】
【発明の分野】この発明は、蛍光Ｘ線によって薄い層の
厚さを測定するための方法に関する。この方法におい
て、調べられるべき層を有する試料が視野内に位置づけ
られ、その後、Ｘ線放射線が調べられる層上に向けら
れ、発せられた蛍光放射線が検出器によって検出され
て、その層の厚さが判定される。この発明はまた、Ｘ線
管と、検出器と、集束部材を有する観察装置とを使用し
て蛍光Ｘ線によって層の厚さを測定するための装置に関
する。
厚さを測定するための方法に関する。この方法におい
て、調べられるべき層を有する試料が視野内に位置づけ
られ、その後、Ｘ線放射線が調べられる層上に向けら
れ、発せられた蛍光放射線が検出器によって検出され
て、その層の厚さが判定される。この発明はまた、Ｘ線
管と、検出器と、集束部材を有する観察装置とを使用し
て蛍光Ｘ線によって層の厚さを測定するための装置に関
する。
【０００２】
【発明の背景】このような方法および装置は、蛍光Ｘ線
を生成する層、特にガルバニ層の厚さおよび組成を、マ
イクロメータの範囲で測定するのに使用され、合金層の
組成もまた判定することができる。
を生成する層、特にガルバニ層の厚さおよび組成を、マ
イクロメータの範囲で測定するのに使用され、合金層の
組成もまた判定することができる。
【０００３】公知の装置および方法の場合、ワークピー
スの表面は、検出器およびＸ線源から固定された距離を
有さねばならない（双方とも互いに固定される）。もし
異なる高さまたは厚さを有するワークピースを調べる必
要がある場合には、試料台と検出器または放射線源との
間の距離を修正して、その放射線源および検出器に面す
るワーク表面が常に放射線源から一定の距離を有するよ
うにしなければならない。これは、ワークピースを担持
する試料台または、検出器および放射線源を含む測定ヘ
ッドが、Ｚ方向で、すなわち、Ｘ線放射線に向かって測
定されることにより達成され得る。公称距離は、光学手
段でチェックされる。これはたとえば、測定ヘッドまた
は試料台を、ワーク表面がカメラの焦点に合うまで、す
なわち、それが光学器械によって焦点が合って見えるま
で、移動させることによって行なわれる。
スの表面は、検出器およびＸ線源から固定された距離を
有さねばならない（双方とも互いに固定される）。もし
異なる高さまたは厚さを有するワークピースを調べる必
要がある場合には、試料台と検出器または放射線源との
間の距離を修正して、その放射線源および検出器に面す
るワーク表面が常に放射線源から一定の距離を有するよ
うにしなければならない。これは、ワークピースを担持
する試料台または、検出器および放射線源を含む測定ヘ
ッドが、Ｚ方向で、すなわち、Ｘ線放射線に向かって測
定されることにより達成され得る。公称距離は、光学手
段でチェックされる。これはたとえば、測定ヘッドまた
は試料台を、ワーク表面がカメラの焦点に合うまで、す
なわち、それが光学器械によって焦点が合って見えるま
で、移動させることによって行なわれる。
【０００４】いくつかの固定された測定距離で動作する
ことが可能な、蛍光Ｘ線によって厚さを測定するための
装置もまた公知である。特定の応用においては、短めの
測定距離が望ましい。なぜなら、薄い層のための測定感
度がその場合にはより良くなり、また、固定されたコリ
メータの場合には、主たるＸ線束の発散によってより小
さい測定点が得られるためである。より長い測定距離で
は、厚めの層のための測定感度がより良くなり、加え
て、ワーク表面またはコーティング内の窪みを測定する
ことが可能となる。
ことが可能な、蛍光Ｘ線によって厚さを測定するための
装置もまた公知である。特定の応用においては、短めの
測定距離が望ましい。なぜなら、薄い層のための測定感
度がその場合にはより良くなり、また、固定されたコリ
メータの場合には、主たるＸ線束の発散によってより小
さい測定点が得られるためである。より長い測定距離で
は、厚めの層のための測定感度がより良くなり、加え
て、ワーク表面またはコーティング内の窪みを測定する
ことが可能となる。
【０００５】測定ヘッドおよび試料台のトレーシングま
たはトラッキングは、機械的コストおよび作動力が高く
つく。なぜなら、数ｋｇの重量を正確に移動させかつ位
置づけなければならないためである。したがって、ゆっ
くりとしか移動することができず、そのため、測定時間
に匹敵するかまたはそれよりも長い、相当の時間が移動
に必要となる。
たはトラッキングは、機械的コストおよび作動力が高く
つく。なぜなら、数ｋｇの重量を正確に移動させかつ位
置づけなければならないためである。したがって、ゆっ
くりとしか移動することができず、そのため、測定時間
に匹敵するかまたはそれよりも長い、相当の時間が移動
に必要となる。
【０００６】したがって、この発明の課題は、試料台ま
たは測定用ヘッドを正確に移動させるのに費やされる建
設の費用を軽減し、かつ、ワークキャリアまたは測定用
ヘッドを位置づけるのに時間をかける必要のない、方法
および装置を提供することである。
たは測定用ヘッドを正確に移動させるのに費やされる建
設の費用を軽減し、かつ、ワークキャリアまたは測定用
ヘッドを位置づけるのに時間をかける必要のない、方法
および装置を提供することである。
【０００７】
【発明の概要】この発明に従えば、上に述べた種類の方
法の場合に示された問題が解決される。これは、試料を
位置づける際に、集束部材をその光軸に沿って調節する
ことで焦点合せを行ない、集束部材の位置を焦点が合わ
せられた層で判定することによって達成される。上述の
問題を解決するための装置は集束部材を備え、その部材
は、自身の光軸に沿って移動可能に装着され、かつ、位
置測定装置を有する。
法の場合に示された問題が解決される。これは、試料を
位置づける際に、集束部材をその光軸に沿って調節する
ことで焦点合せを行ない、集束部材の位置を焦点が合わ
せられた層で判定することによって達成される。上述の
問題を解決するための装置は集束部材を備え、その部材
は、自身の光軸に沿って移動可能に装着され、かつ、位
置測定装置を有する。
【０００８】この発明の結果として、ワークピースまた
はその表面のコーティングを、測定用ヘッドから任意の
距離で分析することが可能となる。なぜなら、焦点合せ
は単に、集束部材、特に、限られた重量しか有さないの
ではるかに高速で移動させることが可能な、レンズ等を
移動することによって行なわれるためである。さらに、
集束部材の位置は、焦点合せがなされたときに判定さ
れ、それにより、検出器またはＸ線装置からワーク表面
までの距離を設定することが可能となり、かつしたがっ
て、任意の距離または間隔で測定を行なうことが可能と
なる。
はその表面のコーティングを、測定用ヘッドから任意の
距離で分析することが可能となる。なぜなら、焦点合せ
は単に、集束部材、特に、限られた重量しか有さないの
ではるかに高速で移動させることが可能な、レンズ等を
移動することによって行なわれるためである。さらに、
集束部材の位置は、焦点合せがなされたときに判定さ
れ、それにより、検出器またはＸ線装置からワーク表面
までの距離を設定することが可能となり、かつしたがっ
て、任意の距離または間隔で測定を行なうことが可能と
なる。
【０００９】この発明の好ましい展開に従えば、集束部
材の位置は電気的に決定される。この目的のために、ポ
テンショメータ、好ましくは回転式ポテンショメータを
備えることが可能である。これは、回転ヘッドに接続さ
れ、その回転ヘッドで集束部材の直線位置をその光軸の
方向で、たとえば歯付きベルトドライブまたはスピンド
ルによって、調節することができる。この方法の別の好
ましい展開に従えば、焦点合せは自動的に行なわれる。
この発明に従った装置は、観察装置のために自動焦点装
置を使用する。焦点合せは、種々の方法で行なうことが
可能である。好ましい展開に従えば、集束部材は、ワー
クピースの表面が集束部材によって生成される画像内で
最大のコントラストを生み出す位置に移動される。
材の位置は電気的に決定される。この目的のために、ポ
テンショメータ、好ましくは回転式ポテンショメータを
備えることが可能である。これは、回転ヘッドに接続さ
れ、その回転ヘッドで集束部材の直線位置をその光軸の
方向で、たとえば歯付きベルトドライブまたはスピンド
ルによって、調節することができる。この方法の別の好
ましい展開に従えば、焦点合せは自動的に行なわれる。
この発明に従った装置は、観察装置のために自動焦点装
置を使用する。焦点合せは、種々の方法で行なうことが
可能である。好ましい展開に従えば、集束部材は、ワー
クピースの表面が集束部材によって生成される画像内で
最大のコントラストを生み出す位置に移動される。
【００１０】この発明のさらなる展開に従えば、位置測
定装置によって判定された集束部材の位置を使用して、
実際の層の厚さの測定値の補正が行なわれる。具体的に
は、これは、層の厚さの測定値の補正を、以下に述べる
変換によって実行することで行なわれ得る。すなわち、
検出器から層までの実際の測定距離ｚで得られた蛍光放
射線スペクトルｓｐ（ｚ）の、所望の測定距離ｚ０のた
めのスペクトルｓｐ（ｚ０）への変換Ｔ（ｚ，ｚ０）で
ある。これは、下の式に対応する： ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ）。
定装置によって判定された集束部材の位置を使用して、
実際の層の厚さの測定値の補正が行なわれる。具体的に
は、これは、層の厚さの測定値の補正を、以下に述べる
変換によって実行することで行なわれ得る。すなわち、
検出器から層までの実際の測定距離ｚで得られた蛍光放
射線スペクトルｓｐ（ｚ）の、所望の測定距離ｚ０のた
めのスペクトルｓｐ（ｚ０）への変換Ｔ（ｚ，ｚ０）で
ある。これは、下の式に対応する： ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ）。
【００１１】装置の観点から、この発明は、集束装置に
よって測定された集束装置の位置によって層の厚さの測
定値を補正するための装置を提供する。この補正装置
は、検出器から層までの実際の測定距離で得られたスペ
クトルｓｐ（ｚ）を、所望の測定距離ｚ０のための測定
結果ｓｐ（ｚ０）に変換Ｔ（ｚ，ｚ０）するための装置
を有する。ここで、下の式が成り立つ： ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ）。
よって測定された集束装置の位置によって層の厚さの測
定値を補正するための装置を提供する。この補正装置
は、検出器から層までの実際の測定距離で得られたスペ
クトルｓｐ（ｚ）を、所望の測定距離ｚ０のための測定
結果ｓｐ（ｚ０）に変換Ｔ（ｚ，ｚ０）するための装置
を有する。ここで、下の式が成り立つ： ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ）。
【００１２】所望のまたは所定の測定距離ｚ０は、そこ
で装置が較正された距離であり得る。ｓｐ（ｚ）は、実
際の距離ｚで測定された蛍光スペクトルを示し、これは
たとえば、２５６コンポーネントを有するベクトルであ
る。これは、パルス高さ分布に、かつしたがって、比例
計数管検出器のエネルギ分布に対応する。ｓｐ（ｚ０）
は、装置が較正された距離に関するスペクトルである。
Ｔ（ｚ，ｚ０）は、変換演算子であって、これは、距離
ｚで測定されたスペクトルｓｐ（ｚ）を、それがあたか
も所望の距離ｚ０で測定されたかのように変換する。
で装置が較正された距離であり得る。ｓｐ（ｚ）は、実
際の距離ｚで測定された蛍光スペクトルを示し、これは
たとえば、２５６コンポーネントを有するベクトルであ
る。これは、パルス高さ分布に、かつしたがって、比例
計数管検出器のエネルギ分布に対応する。ｓｐ（ｚ０）
は、装置が較正された距離に関するスペクトルである。
Ｔ（ｚ，ｚ０）は、変換演算子であって、これは、距離
ｚで測定されたスペクトルｓｐ（ｚ）を、それがあたか
も所望の距離ｚ０で測定されたかのように変換する。
【００１３】この発明は、より特定的には、ワークピー
スの基本材料の蛍光強度が測定可能でなくとも、蛍光Ｘ
線を発光できる層を任意の距離で測定することを可能に
する。なぜなら、上部層が蛍光を過剰に吸収したり、ま
たは、基本材料が測定可能な蛍光放射線を全く発しない
場合もあるためである。
スの基本材料の蛍光強度が測定可能でなくとも、蛍光Ｘ
線を発光できる層を任意の距離で測定することを可能に
する。なぜなら、上部層が蛍光を過剰に吸収したり、ま
たは、基本材料が測定可能な蛍光放射線を全く発しない
場合もあるためである。
【００１４】この発明のさらなる利点および特徴は、前
掲の請求項、および、添付の図面を参照したこの発明の
実施例の以下の説明から、明らかとなるであろう。
掲の請求項、および、添付の図面を参照したこの発明の
実施例の以下の説明から、明らかとなるであろう。
【００１５】
【詳細な説明】蛍光Ｘ線によって薄い層を測定するため
のこの発明に従った装置１は、カソード３およびアノー
ド４を有するＸ線管２を有する。Ｘ線６は、Ｘ線管２か
ら、調べられる物体７へと向けられる。物体７は、示さ
れる実施例においては、基本材料８の上に、異なる材料
から作られた２つの上部層９および１１を有する。
のこの発明に従った装置１は、カソード３およびアノー
ド４を有するＸ線管２を有する。Ｘ線６は、Ｘ線管２か
ら、調べられる物体７へと向けられる。物体７は、示さ
れる実施例においては、基本材料８の上に、異なる材料
から作られた２つの上部層９および１１を有する。
【００１６】Ｘ線管２とワークピース７との間には、コ
リメータが設けられる。コリメータによって、狭い範囲
をＸ線６から遮ることができ、それにより、２つの層
９、１１を含むワークピース７上におよびその中に、精
密に規定されたＸ線点１３が生成される。
リメータが設けられる。コリメータによって、狭い範囲
をＸ線６から遮ることができ、それにより、２つの層
９、１１を含むワークピース７上におよびその中に、精
密に規定されたＸ線点１３が生成される。
【００１７】Ｘ線管２とコリメータ１２との間には、反
射鏡１４がやはり設けられる。これは、Ｘ線６が通過す
るオリフィス１６を有する。Ｘ線６のインパクト点１３
は、反射鏡１４によって観察することができる。
射鏡１４がやはり設けられる。これは、Ｘ線６が通過す
るオリフィス１６を有する。Ｘ線６のインパクト点１３
は、反射鏡１４によって観察することができる。
【００１８】この装置はまた検出器１７を有し、これ
は、電位計数管として構築される。検出器１７は、Ｘ線
６によって層９、１１内に、かつ薄い層の場合には基本
材料８内にも生成された、蛍光放射線１８を受けて、そ
の放射線のエネルギに対応して、パルス形の信号１９を
発する。その信号の高さは、蛍光量子のエネルギに比例
する。信号１９は、評価ユニット２１内で処理されて、
スクリーン２２上に、たとえばパルス高さ分布２３とし
て表示することができる。スクリーン２２の部分窓２４
にはさらに、層９、１１の測定された厚さが示され、こ
れは、接続されたプリンタ（図示せず）によって出力す
ることが可能である。
は、電位計数管として構築される。検出器１７は、Ｘ線
６によって層９、１１内に、かつ薄い層の場合には基本
材料８内にも生成された、蛍光放射線１８を受けて、そ
の放射線のエネルギに対応して、パルス形の信号１９を
発する。その信号の高さは、蛍光量子のエネルギに比例
する。信号１９は、評価ユニット２１内で処理されて、
スクリーン２２上に、たとえばパルス高さ分布２３とし
て表示することができる。スクリーン２２の部分窓２４
にはさらに、層９、１１の測定された厚さが示され、こ
れは、接続されたプリンタ（図示せず）によって出力す
ることが可能である。
【００１９】ワークピース７の調べられるべき領域が確
実にＸ線６内に正しく位置づけられるように、光学観察
装置２６が備えられる。これは、上述の反射鏡１４に加
えて、レンズの形の集束部材２７と、カメラ２８と、再
生スクリーン２９とを有する。再生スクリーン２９は、
スクリーン２２と同一のものであり得る。この実施例に
おいてスクリーン２９上に表示されるワーク表面の光学
的イメージ３１、およびパルス高さ分布は、単一のスク
リーンの対応する窓内に再生することが可能である。
実にＸ線６内に正しく位置づけられるように、光学観察
装置２６が備えられる。これは、上述の反射鏡１４に加
えて、レンズの形の集束部材２７と、カメラ２８と、再
生スクリーン２９とを有する。再生スクリーン２９は、
スクリーン２２と同一のものであり得る。この実施例に
おいてスクリーン２９上に表示されるワーク表面の光学
的イメージ３１、およびパルス高さ分布は、単一のスク
リーンの対応する窓内に再生することが可能である。
【００２０】カメラ２８およびスクリーン２９の代わり
に、インパクト点１３を直接観察するための接眼レンズ
を組込むことが可能な公知の観察装置によって、ワーク
ピースを、その調べられるべき領域がＸ線６内に正確に
位置づけられるように配向することが可能である。
に、インパクト点１３を直接観察するための接眼レンズ
を組込むことが可能な公知の観察装置によって、ワーク
ピースを、その調べられるべき領域がＸ線６内に正確に
位置づけられるように配向することが可能である。
【００２１】この発明のここに示した装置においては、
集束部材２７はその光軸３２の方向に変位可能に配され
る。これを矢印Ａで示す。これは、たとえばガイドに沿
って手動で移動させることができる。さらに、集束部材
２７には位置測定装置３３が接続される。これは、集束
部材２７の光軸３２に沿った位置を設定するためのもの
であり、好ましい実施例においては、ポテンショメータ
として構築される。これは通常、対応する調節用装置上
の回転式ポテンショメータである。好ましい実施例にお
いては、集束部材２７の位置は、モータによって、特に
自動焦点装置３４によって自動的に駆動することが可能
である。この目的のために、集束装置２７は、モータ３
８によって駆動されるスピンドル３７上にねじ付きブロ
ック３６によって装着される。モータ３８のドライブ
は、評価ユニット２１内に位置づけることが可能な、自
動焦点ユニット３９によって制御される。これは、集束
部材２７の異なる位置でカメラ２８によって記録される
イメージのコントラストを判定し、かつ、集束部材を、
最大のコントラストが得られるように上述の装置によっ
て調節することで行なわれる。このような自動焦点装置
はそれ自体が公知であるため、ここでさらなる詳細な説
明は不要である。
集束部材２７はその光軸３２の方向に変位可能に配され
る。これを矢印Ａで示す。これは、たとえばガイドに沿
って手動で移動させることができる。さらに、集束部材
２７には位置測定装置３３が接続される。これは、集束
部材２７の光軸３２に沿った位置を設定するためのもの
であり、好ましい実施例においては、ポテンショメータ
として構築される。これは通常、対応する調節用装置上
の回転式ポテンショメータである。好ましい実施例にお
いては、集束部材２７の位置は、モータによって、特に
自動焦点装置３４によって自動的に駆動することが可能
である。この目的のために、集束装置２７は、モータ３
８によって駆動されるスピンドル３７上にねじ付きブロ
ック３６によって装着される。モータ３８のドライブ
は、評価ユニット２１内に位置づけることが可能な、自
動焦点ユニット３９によって制御される。これは、集束
部材２７の異なる位置でカメラ２８によって記録される
イメージのコントラストを判定し、かつ、集束部材を、
最大のコントラストが得られるように上述の装置によっ
て調節することで行なわれる。このような自動焦点装置
はそれ自体が公知であるため、ここでさらなる詳細な説
明は不要である。
【００２２】次に、図２に従って、この発明の方法のシ
ーケンスを説明する。第１に、ステージＳ１において、
焦点合せ、すなわち、ビデオイメージの焦点合せが行な
われる。これは、次の式 １／ｆ＝１／ｓ１＋１／（ｓ２１＋ｓ２２） に対応する。式中、ｓ１は画像の距離、ｓ２１はレンズ
と鏡との間の距離、ｓ２２は鏡とワーク表面との間の距
離であって、したがって、ｓ２１＋ｓ２２は、ワーク表
面からレンズまでの距離である。
ーケンスを説明する。第１に、ステージＳ１において、
焦点合せ、すなわち、ビデオイメージの焦点合せが行な
われる。これは、次の式 １／ｆ＝１／ｓ１＋１／（ｓ２１＋ｓ２２） に対応する。式中、ｓ１は画像の距離、ｓ２１はレンズ
と鏡との間の距離、ｓ２２は鏡とワーク表面との間の距
離であって、したがって、ｓ２１＋ｓ２２は、ワーク表
面からレンズまでの距離である。
【００２３】示されるように、焦点合せは、集束ハンド
ルまたはレバーによって、自動でまたは手動で行なうこ
とができる。
ルまたはレバーによって、自動でまたは手動で行なうこ
とができる。
【００２４】焦点合せを行なう際に、ステージＳ２にお
いて、電圧値がポテンショメータ、選択的には回転ポテ
ンショメータ上で設定される。電圧値は、アナログデジ
タル変換器によって、デジタル値として、かつその後数
値Ｕdig として表わされる。
いて、電圧値がポテンショメータ、選択的には回転ポテ
ンショメータ上で設定される。電圧値は、アナログデジ
タル変換器によって、デジタル値として、かつその後数
値Ｕdig として表わされる。
【００２５】さらなる評価のために、ワーク表面と検出
器１７との間の距離を、選択的にはワーク表面と検出器
の中央との間の投影として、得ることが必要となる。こ
れは、ステージＳ３に従って、経験的に判定されるかま
たは較正された関係 ｚ＝ｆ（Ｕdig ） によって計算することができる。
器１７との間の距離を、選択的にはワーク表面と検出器
の中央との間の投影として、得ることが必要となる。こ
れは、ステージＳ３に従って、経験的に判定されるかま
たは較正された関係 ｚ＝ｆ（Ｕdig ） によって計算することができる。
【００２６】その後、蛍光スペクトルの測定がなされる
（ステージＳ４）。さらなるステージＳ５においては、
距離ｚで測定されたスペクトルの、固定距離ｚ０への変
換が行なわれる。この固定距離で、システムは較正され
たわけである。この変換は、 ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ） に従って行なわれる。
（ステージＳ４）。さらなるステージＳ５においては、
距離ｚで測定されたスペクトルの、固定距離ｚ０への変
換が行なわれる。この固定距離で、システムは較正され
たわけである。この変換は、 ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ） に従って行なわれる。
【００２７】したがって、距離ｚにおいて測定された、
測定されたスペクトルｓｐ（ｚ）から、較正が行なわれ
た距離ｚ０における測定値に対応するスペクトルｓｐ
（ｚ０）が決定されるのである。
測定されたスペクトルｓｐ（ｚ）から、較正が行なわれ
た距離ｚ０における測定値に対応するスペクトルｓｐ
（ｚ０）が決定されるのである。
【００２８】特定のエネルギＥは、概して、各電流パル
ス分布値に関連づけることが可能である。演算子Ｔのた
めの基礎として使用される変換法則は、比例計数管の応
答確率Ｗから、放射エネルギＥおよび距離ｚの関数とし
て構築することが可能である。
ス分布値に関連づけることが可能である。演算子Ｔのた
めの基礎として使用される変換法則は、比例計数管の応
答確率Ｗから、放射エネルギＥおよび距離ｚの関数とし
て構築することが可能である。
【００２９】応答確率Ｗ（Ｅ，ｚ）は、以下の数値によ
って得られる： − 立体角Ω、この角度で検出器１７の入射窓がワーク
ピース７から見られる、 − 試料と検出器の窓との間の空気距離内の吸収に関す
る、確率ｗ空気、 − 検出器の窓内の吸収に関する、確率ｗ窓、および − 計数管の活性量内の吸収に関する、確率ｗガス、で
ある。 これらの数値はすべて、エネルギＥに依存する、吸収係
数μ（作表されている）から容易に計算することが可能
である。したがって、求められる応答確率は次の式で得
られる： Ｗ（Ｅ，ｚ）＝（Ω／４π）（１−ｗ空気）＊（１−ｗ
窓）＊ｗガス 小さいエネルギ間隔（Ｅ．．Ｅ＋ｄ＿Ｅ）については、
補正係数は下の通りである。この範囲（Ｅ．．Ｅ＋ｄ＿
Ｅ）内のスペクトルｓｐ（ｚ）の関連する部分強度は、
この補正係数で乗じられねばならない： Ｗ（Ｅ，ｚ０）／Ｗ（Ｅ，ｚ）。
って得られる： − 立体角Ω、この角度で検出器１７の入射窓がワーク
ピース７から見られる、 − 試料と検出器の窓との間の空気距離内の吸収に関す
る、確率ｗ空気、 − 検出器の窓内の吸収に関する、確率ｗ窓、および − 計数管の活性量内の吸収に関する、確率ｗガス、で
ある。 これらの数値はすべて、エネルギＥに依存する、吸収係
数μ（作表されている）から容易に計算することが可能
である。したがって、求められる応答確率は次の式で得
られる： Ｗ（Ｅ，ｚ）＝（Ω／４π）（１−ｗ空気）＊（１−ｗ
窓）＊ｗガス 小さいエネルギ間隔（Ｅ．．Ｅ＋ｄ＿Ｅ）については、
補正係数は下の通りである。この範囲（Ｅ．．Ｅ＋ｄ＿
Ｅ）内のスペクトルｓｐ（ｚ）の関連する部分強度は、
この補正係数で乗じられねばならない： Ｗ（Ｅ，ｚ０）／Ｗ（Ｅ，ｚ）。
【００３０】スペクトルの各々の部分間隔が上述のエネ
ルギに対して関連する補正係数によって乗算された後
に、上述のスペクトルはそれがあたかも固定距離ｚ０で
測定されたかのように取扱うことが可能となる。その
後、層の厚さを判定するための従来技術による公知の方
法で、そのスペクトルを評価することが可能である（ス
テージＳ６）。
ルギに対して関連する補正係数によって乗算された後
に、上述のスペクトルはそれがあたかも固定距離ｚ０で
測定されたかのように取扱うことが可能となる。その
後、層の厚さを判定するための従来技術による公知の方
法で、そのスペクトルを評価することが可能である（ス
テージＳ６）。
【００３１】一実施例においては、１７μｍ厚さの銅の
層が、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン共重合体）の支持材料上で観察された。較正は、距離
ｚ０＝８９．３ｍｍで行なわれた。この距離ｚ０に加え
て、距離ｚ＝７９．３ｍｍおよびｚ＝１２９．３ｍｍに
おいて測定が行なわれた。（測定時間１０秒での）この
発明の装置を使用した測定の結果は、以下の表から得ら
れる。
層が、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレ
ン共重合体）の支持材料上で観察された。較正は、距離
ｚ０＝８９．３ｍｍで行なわれた。この距離ｚ０に加え
て、距離ｚ＝７９．３ｍｍおよびｚ＝１２９．３ｍｍに
おいて測定が行なわれた。（測定時間１０秒での）この
発明の装置を使用した測定の結果は、以下の表から得ら
れる。
【００３２】
【表１】
【図１】この発明の装置の概略的な構成図である。
【図２】この発明の方法のフロー図である。
１ 装置 ２ Ｘ線管 ３ カソード ４ アノード ６ Ｘ線 ７ 物体 １２ コリメータ １４ 反射鏡 １６ オリフィス １７ 検出器 ２１ 評価ユニット ２２ スクリーン ２６ 光学観察装置 ２７ 集束部材 ２８ カメラ ２９ 再生スクリーン ３２ 光軸 ３３ 位置測定装置 ３９ 自動焦点ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フォルカー・レーシィガー ドイツ連邦共和国、デー−71069 ズィン デルフィンゲン、ズィンデルフィンガー・ シュトラーセ、63 (72)発明者 カール−ハインツ・カイザー ドイツ連邦共和国、デー−71034 ブェー プリンゲン、ブューラー・シュトラーセ、 11
Claims (13)
- 【請求項１】 調べられるべき層を有する試料が視野内
に位置づけられ、その後、Ｘ線放射線が調べられる層上
に向けられ、発せられた蛍光放射線が検出器によって検
出されて、層の厚さが判定される、蛍光Ｘ線によって薄
い層の厚さを測定するための方法であって、試料を位置
づける際に、焦点合せが集束部材をその光軸に沿って調
節することによって行なわれ、かつ、集束部材の位置が
焦点を合わせられた層で決定されることを特徴とする、
方法。 - 【請求項２】 集束部材の位置は電気的に決定される、
請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 焦点合せは自動的に行なわれる、請求項
１または２に記載の方法。 - 【請求項４】 集束部材は、ワークピースの表面が集束
部材によって生成されるイメージ内で最大のコントラス
トを生み出す位置に移動される、請求項３に記載の方
法。 - 【請求項５】 試料はカメラおよびスクリーンによって
視野内に位置づけられる、請求項１または２に記載の方
法。 - 【請求項６】 層の厚さの測定は、位置測定値によって
補正される、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項７】 層の厚さの測定値の補正は、検出器から
層までの実際の測定距離ｚで得られた測定値ｓｐ（ｚ）
を、所望の測定距離ｚ０のための測定結果ｓｐ（ｚ０）
へと変換Ｔ（ｚ，ｚ０）することによって行なわれ、こ
れは式 ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ） に対応する、請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】 Ｘ線管と、検出器と、集束部材を有する
観察装置とを含む、蛍光Ｘ線によって層の厚さを測定す
るための装置であって、集束部材（２７）はその光軸
（３２）に沿って移動可能に装着され、かつ、位置測定
装置（３３）を備えることを特徴とする、装置。 - 【請求項９】 位置測定装置（３３）はポテンショメー
タを有する、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 観察装置（２６）はカメラ（２８）お
よびスクリーン（２９）を有する、請求項８または９に
記載の装置。 - 【請求項１１】 観察装置は自動焦点装置（３９）を有
する、請求項８または９のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１２】 位置測定装置（３９）によって測定さ
れた集束装置（２７）の位置によって層の厚さの測定値
を補正するための装置（２１）を特徴とする、請求項８
または９のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１３】 式 ｓｐ（ｚ０）＝Ｔ（ｚ，ｚ０） ｓｐ（ｚ） に対応して、検出器（１７）から層（９，１１）までの
実際の測定距離ｚで得られた測定値ｓｐ（ｚ）を所望の
測定距離ｚ０のための測定結果ｓｐ（ｚ０）に変換Ｔ
（ｚ，ｚ０）するための装置を特徴とする、請求項１２
に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19710420A DE19710420C2 (de) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Dicken dünner Schichten mittels Röntgenfluoreszenz |
| DE19710420:7 | 1997-03-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274518A true JPH10274518A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=7823266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10059572A Pending JPH10274518A (ja) | 1997-03-13 | 1998-03-11 | 蛍光ｘ線によって薄い層の厚さを測定するための方法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6038280A (ja) |
| JP (1) | JPH10274518A (ja) |
| DE (1) | DE19710420C2 (ja) |
| FR (1) | FR2760833B1 (ja) |
| GB (1) | GB2323164B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001304844A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-10-31 | Helmut Fischer Gmbh & Co Inst Fuer Elektronik & Messtechnik | Ｘ線蛍光による層厚測定において測定対象の位置を設定する方法 |
| JP2002107134A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Seiko Instruments Inc | 蛍光ｘ線膜厚計 |
| DE102011105630A1 (de) | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Sii Nano Technology Inc. | Röntgen-Fluoreszenz-Analysator und Röntgen-Fluoreszenzanalyse-Verfahren |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6321208B1 (en) * | 1995-04-19 | 2001-11-20 | Brightstreet.Com, Inc. | Method and system for electronic distribution of product redemption coupons |
| DE19739321C2 (de) * | 1997-09-09 | 2001-09-27 | Helmut Fischer Gmbh & Co | Verfahren und Einrichtung zum Bestimmen der Meßunsicherheit bei Röntgenfluoreszenz-Schichtdickenmessungen |
| JP3062685B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2000-07-12 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 蛍光ｘ線分析計 |
| GB9819732D0 (en) * | 1998-09-11 | 1998-11-04 | Renishaw Plc | Tool conditioning monitoring |
| US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| EP1076222A1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-02-14 | Corus Aluminium Walzprodukte GmbH | X-ray fluorescence measurement of aluminium sheet thickness |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| EP1303793B1 (en) * | 2000-07-17 | 2015-01-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
| AU2001286573A1 (en) * | 2000-08-21 | 2002-03-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
| JP2004523906A (ja) | 2000-10-12 | 2004-08-05 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート |
| US20050274219A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing |
| US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| JP2003050115A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Seiko Instruments Inc | Ｘ線膜厚計 |
| US6788760B1 (en) * | 2002-03-28 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for characterizing thin films |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7071088B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US20040065252A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Sreenivasan Sidlgata V. | Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards |
| US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7452574B2 (en) * | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US20040168613A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Molecular Imprints, Inc. | Composition and method to form a release layer |
| US7122079B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20050160934A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
| US7157036B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7023954B2 (en) * | 2003-09-29 | 2006-04-04 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Optical alignment of X-ray microanalyzers |
| US20050106321A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Molecular Imprints, Inc. | Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput |
| US8076386B2 (en) * | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20050275311A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant device for nano-scale manufacturing |
| US20050276919A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for dispensing a fluid on a substrate |
| US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| DE102004037555B4 (de) * | 2004-08-03 | 2012-09-06 | Erlus Aktiengesellschaft | Verfahren zur berührungslosen und/oder zerstörungsfreien Prüfung einer photokatalytischen Oberflächenbeschichtung |
| US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US20060145398A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks |
| DE102005020567A1 (de) * | 2005-04-30 | 2006-11-09 | Katz, Elisabeth | Verfahren und Vorrichtung zur Online-Bestimmung des Aschegehalts einer auf einem Födermittel geförderten Substanz und Vorrichtung zur Durchführung einer Online-Analyse |
| GB0515031D0 (en) * | 2005-07-22 | 2005-08-31 | Univ Newcastle | Apparatus for determining the position of a moveable apparatus on a surface |
| JP4262734B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2009-05-13 | 株式会社リガク | 蛍光ｘ線分析装置および方法 |
| JP5307504B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-10-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Ｘ線分析装置及びｘ線分析方法 |
| JP5269521B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-08-21 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Ｘ線分析装置及びｘ線分析方法 |
| JP6096418B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2017-03-15 | 株式会社堀場製作所 | Ｘ線検出装置 |
| JP6096419B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2017-03-15 | 株式会社堀場製作所 | Ｘ線検出装置 |
| DE102013102270A1 (de) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Optischer Spiegel, Röntgenfluoreszenzanalysegerät und Verfahren zur Röntgenfluoreszenzanalyse |
| WO2017191634A1 (en) * | 2016-05-04 | 2017-11-09 | Xwinsys Ltd | A method and system for determining voids in a bump or similar object |
| CN112461876B (zh) * | 2019-09-06 | 2022-10-28 | 余姚舜宇智能光学技术有限公司 | 基于能量色散荧光x光谱仪的待测样品参数检测方法及其检测系统 |
| DE102022105838B3 (de) | 2022-03-14 | 2023-08-17 | Helmut Fischer GmbH Institut für Elektronik und Messtechnik | Justiereinheit für eine Röntgenoptik in einem Röntgenfluoreszenzgerät sowie Röntgenfluoreszenzgerät |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758300U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-06 | ||
| JPS5968608A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 被覆電線の被覆厚測定装置 |
| DE3239379A1 (de) * | 1982-10-23 | 1984-04-26 | Helmut Fischer GmbH & Co Institut für Elektronik und Meßtechnik, 7032 Sindelfingen | Vorrichtung zum messen der dicke duenner schichten |
| DE3536700C3 (de) * | 1985-10-15 | 1994-07-07 | Focus Mestechnik Gmbh & Co Kg | Gerät zum Ermitteln des lokalen Abstandes einer Prüffläche von einer Referenzfläche, deren geometrische Lage in bezug auf das Gerät bekannt ist |
| DE3824319A1 (de) * | 1988-01-09 | 1990-01-25 | Breitmeier Ulrich | Abstandsmessanordnung |
| DE68907924T2 (de) * | 1988-01-20 | 1993-11-11 | Horiba Ltd | Röntgenstrahlvorrichtung, ausgestattet mit einem Strahlungsbereich-Monitor. |
| JPH0581700U (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | セイコー電子工業株式会社 | 蛍光ｘ線膜厚測定装置 |
| FI97647C (fi) * | 1994-11-14 | 1997-01-27 | Ima Engineering Ltd Oy | Menetelmä ja laitteisto alkuaineen pitoisuuden määrittämiseksi |
-
1997
- 1997-03-13 DE DE19710420A patent/DE19710420C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-10 FR FR9803095A patent/FR2760833B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-10 GB GB9804940A patent/GB2323164B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-11 JP JP10059572A patent/JPH10274518A/ja active Pending
- 1998-03-12 US US09/038,820 patent/US6038280A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001304844A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-10-31 | Helmut Fischer Gmbh & Co Inst Fuer Elektronik & Messtechnik | Ｘ線蛍光による層厚測定において測定対象の位置を設定する方法 |
| JP2002107134A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Seiko Instruments Inc | 蛍光ｘ線膜厚計 |
| DE102011105630A1 (de) | 2010-08-31 | 2012-03-01 | Sii Nano Technology Inc. | Röntgen-Fluoreszenz-Analysator und Röntgen-Fluoreszenzanalyse-Verfahren |
| US8611493B2 (en) | 2010-08-31 | 2013-12-17 | Sii Nanotechnology Inc. | X-ray fluorescence analyzer and X-ray fluorescence analysis method |
| DE102011105630B4 (de) | 2010-08-31 | 2019-08-22 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Röntgen-Fluoreszenz-Analysator und Röntgen-Fluoreszenzanalyse-Verfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6038280A (en) | 2000-03-14 |
| DE19710420C2 (de) | 2001-07-12 |
| GB9804940D0 (en) | 1998-04-29 |
| FR2760833B1 (fr) | 2000-06-30 |
| GB2323164A (en) | 1998-09-16 |
| FR2760833A1 (fr) | 1998-09-18 |
| GB2323164B (en) | 2001-01-03 |
| DE19710420A1 (de) | 1998-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10274518A (ja) | 蛍光ｘ線によって薄い層の厚さを測定するための方法および装置 | |
| US8000439B2 (en) | X-ray analyzer and X-ray analysis method | |
| JPH07209778A (ja) | Ｘ線撮像における散乱照射線補正のために部分的に透過性である物体で遮蔽する方法 | |
| JPH07325052A (ja) | 走査及び高分解能電子分光及び撮像装置 | |
| KR960012331B1 (ko) | 시료표면 분석에 있어서 백그라운드 보정을 위한 방법 및 장치 | |
| JPH06235628A (ja) | 蛍光ｘ線膜厚計 | |
| JPH05322804A (ja) | Ｘ線反射プロファイル測定方法及び装置 | |
| US6370221B2 (en) | Method of setting a position of an object of measurement in layer thickness measurement by X-ray fluorescence | |
| JPH01120749A (ja) | 電子顕微鏡の自動焦点合せ装置 | |
| JPH02259515A (ja) | ケイ光ｘ線膜厚測定装置 | |
| JP2674010B2 (ja) | 電子線照射装置 | |
| JP2001099795A (ja) | 元素マッピング装置 | |
| JP2964591B2 (ja) | 電子線マイクロアナライザ用自動焦点検出装置 | |
| CN109490336B (zh) | 一种同步辐射硬x射线微聚焦实验方法 | |
| JP2602523B2 (ja) | カソードルミネッセンス測定装置 | |
| JPH0675042B2 (ja) | Ｘ線断層像撮影装置 | |
| JP2002228609A (ja) | モノクロームｘ線光電子分光装置 | |
| JP3051907B2 (ja) | 蛍光ｘ線微小部膜厚計 | |
| JPS63238543A (ja) | 複合材料の分散構造の解析表示方法および装置 | |
| JP2003207467A (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| JP3394356B2 (ja) | 自動焦点合わせ機構付き電子プローブマイクロアナライザ | |
| JPH06265489A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JPH061681B2 (ja) | 光軸調整方法及び光軸調整用試料 | |
| JPH0765989A (ja) | Ｘ線発生装置のｘ線焦点寸法の調節方法及び装置 | |
| JPH06221917A (ja) | レーザー光束のビームパターンの測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080502 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080509 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080603 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080606 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090430 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090508 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090602 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |