JPH10269637A - ガーネット単相記録媒体、およびその作製方法 - Google Patents
ガーネット単相記録媒体、およびその作製方法Info
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- JPH10269637A JPH10269637A JP6856597A JP6856597A JPH10269637A JP H10269637 A JPH10269637 A JP H10269637A JP 6856597 A JP6856597 A JP 6856597A JP 6856597 A JP6856597 A JP 6856597A JP H10269637 A JPH10269637 A JP H10269637A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱膨張率が１００×１０-7／℃以下で、かつ
軟化点が８７０℃以上の基板上に、結晶化度が１００％
で、ガーネット以外の結晶相を含まないガーネット膜を
製膜する。 【解決手段】 板状に形成される基板１上にガーネット
膜２を製膜するとき、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、
Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、酸
素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６
ａｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用いて、基板
１上に非晶質膜を堆積させた後、図２のグラフに示す上
限温度、下限温度の範囲で、熱処理を施して、非晶質膜
を結晶化させてガーネット膜２を製膜する。
軟化点が８７０℃以上の基板上に、結晶化度が１００％
で、ガーネット以外の結晶相を含まないガーネット膜を
製膜する。 【解決手段】 板状に形成される基板１上にガーネット
膜２を製膜するとき、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、
Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、酸
素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６
ａｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用いて、基板
１上に非晶質膜を堆積させた後、図２のグラフに示す上
限温度、下限温度の範囲で、熱処理を施して、非晶質膜
を結晶化させてガーネット膜２を製膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に製膜する
磁性ガーネット膜または非磁性ガーネット膜に係わり、
特に磁性ガーネット膜、非磁性ガーネット膜を製膜する
ための製膜条件、製膜後の熱処理条件を最適化して、磁
性ガーネット膜または非磁性ガーネット膜の結晶化度を
１００％に、かつ異相を含まないようにしたガーネット
単相記録媒体、およびその作製方法に関する。
磁性ガーネット膜または非磁性ガーネット膜に係わり、
特に磁性ガーネット膜、非磁性ガーネット膜を製膜する
ための製膜条件、製膜後の熱処理条件を最適化して、磁
性ガーネット膜または非磁性ガーネット膜の結晶化度を
１００％に、かつ異相を含まないようにしたガーネット
単相記録媒体、およびその作製方法に関する。
【０００２】［発明の概要］本発明は、基板上に作製す
る磁性ガーネット膜、非磁性のガーネット膜に係わるも
ので、熱膨張率が５×１０-7／℃から９８×１０-7／℃
の間の値をとる基板を使用したときに、結晶化度が１０
０％で、ガーネット以外の結晶相（異相）を含まないガ
ーネット膜の作製を可能にする。これによって、光磁気
記録用ガーネット膜の磁気特性および光学特性を均一化
し、かつ高Ｃ／Ｎ化を図ることができる。
る磁性ガーネット膜、非磁性のガーネット膜に係わるも
ので、熱膨張率が５×１０-7／℃から９８×１０-7／℃
の間の値をとる基板を使用したときに、結晶化度が１０
０％で、ガーネット以外の結晶相（異相）を含まないガ
ーネット膜の作製を可能にする。これによって、光磁気
記録用ガーネット膜の磁気特性および光学特性を均一化
し、かつ高Ｃ／Ｎ化を図ることができる。
【０００３】
【従来の技術】基板上に製膜した非晶質の膜に熱処理を
行ってガーネットを結晶化させる方法については、これ
までに、文献「T.Suzuki:J.Appl.Phys.69,4756(199
1).」で、５０℃／秒以上の速度で昇温する急速加熱法
（ＲＴＡ法）が結晶粒微細化のために有効であること
や、文献「五味学、宇津木潔、阿部正紀：日本応用磁気
学会誌、１０、１７３（１９８６）」で、膜中に含まれ
るＢｉ量が多いほど、ガーネットの結晶に必要な温度が
低くなることが報告されている。
行ってガーネットを結晶化させる方法については、これ
までに、文献「T.Suzuki:J.Appl.Phys.69,4756(199
1).」で、５０℃／秒以上の速度で昇温する急速加熱法
（ＲＴＡ法）が結晶粒微細化のために有効であること
や、文献「五味学、宇津木潔、阿部正紀：日本応用磁気
学会誌、１０、１７３（１９８６）」で、膜中に含まれ
るＢｉ量が多いほど、ガーネットの結晶に必要な温度が
低くなることが報告されている。
【０００４】一方、ガーネット膜のための基板として
は、６００℃以上の熱処理温度に耐えられなければなら
ないという条件から、コーニング０３１７、無アルカリ
ガラス、石英といったガラスや、ＧＧＧ、ＮＧＧなどの
単結晶材料が使用可能である。
は、６００℃以上の熱処理温度に耐えられなければなら
ないという条件から、コーニング０３１７、無アルカリ
ガラス、石英といったガラスや、ＧＧＧ、ＮＧＧなどの
単結晶材料が使用可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例においては、種々の基板および任意のＢｉ量に
対応した、結晶化度が１００％で、かつ異相を含まない
ガーネット膜を作製することができないという問題があ
った。
た従来例においては、種々の基板および任意のＢｉ量に
対応した、結晶化度が１００％で、かつ異相を含まない
ガーネット膜を作製することができないという問題があ
った。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑み、結晶化度が１
００％で、かつ異相を含まない、Ｂｉ添加ガーネット膜
を提供することを目的としている。
００％で、かつ異相を含まない、Ｂｉ添加ガーネット膜
を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、請求項１では、板状に形成される基板
と、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、Ｏ（酸素）を除
いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６ａｔ．
％の間の値であるターゲットを用いて前記基板上に製膜
されるガーネット膜とを備えたことを特徴とする。
めに本発明は、請求項１では、板状に形成される基板
と、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、Ｏ（酸素）を除
いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６ａｔ．
％の間の値であるターゲットを用いて前記基板上に製膜
されるガーネット膜とを備えたことを特徴とする。
【０００８】請求項２では、請求項１に記載のガーネッ
ト単相記録媒体において、前記基板は、石英ガラス、無
アルカリガラス、コーニング７０５９、コーニング０３
１７などのガラス、または熱膨張率が１００×１０-7／
℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上のガラス、または
これらのガラスにガーネット膜を積層したもの、あるい
はＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）、Ｎ
ＧＧ（ネオジム・ガリウム・ガーネット）などの単結晶
のいずれかによって構成されることを特徴とする。
ト単相記録媒体において、前記基板は、石英ガラス、無
アルカリガラス、コーニング７０５９、コーニング０３
１７などのガラス、または熱膨張率が１００×１０-7／
℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上のガラス、または
これらのガラスにガーネット膜を積層したもの、あるい
はＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）、Ｎ
ＧＧ（ネオジム・ガリウム・ガーネット）などの単結晶
のいずれかによって構成されることを特徴とする。
【０００９】請求項３では、基板上に、Ｂｉ、Ｄｙ（ジ
スプロシウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたと
きの各元素の組成比がＢｉ＝２５〜３８ａｔ．％、Ｄｙ
＝２１〜８ａｔ．％（但し、Ｂｉ＋Ｄｙ＝４６ａｔ．
％）、Ｇａ＝１３ａｔ．％、Ｆｅ＝４１ａｔ．％である
ような焼結ターゲットを使用し、所定の膜堆積条件およ
び膜堆積後の表面エッチング条件によって非晶質膜を堆
積させた後、この非晶質膜を所定の熱処理条件で結晶化
してガーネット膜を形成することを特徴とする。
スプロシウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたと
きの各元素の組成比がＢｉ＝２５〜３８ａｔ．％、Ｄｙ
＝２１〜８ａｔ．％（但し、Ｂｉ＋Ｄｙ＝４６ａｔ．
％）、Ｇａ＝１３ａｔ．％、Ｆｅ＝４１ａｔ．％である
ような焼結ターゲットを使用し、所定の膜堆積条件およ
び膜堆積後の表面エッチング条件によって非晶質膜を堆
積させた後、この非晶質膜を所定の熱処理条件で結晶化
してガーネット膜を形成することを特徴とする。
【００１０】請求項４では、基板上に、Ｂｉ、Ｙ（イッ
トリウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの
組成比が、Ｂｉ＝３２ａｔ．％、Ｙ＝１４ａｔ．％、Ｇ
ａ＝２２ａｔ．％、Ｆｅ＝３２ａｔ．％の焼結ターゲッ
トを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後の表面エ
ッチング条件によって非晶質膜を製膜した後、所定の熱
処理条件で結晶化させて下地ガーネット膜を形成し、こ
の下地ガーネット膜上に、Ｂｉ、Ｄｙ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏ
を含み、Ｏを除いたときの各元素の組成比がＢｉ＝２
８．７ａｔ．％、Ｄｙ＝１２．５ａｔ．％、Ｇａ＝８．
８ａｔ．％、Ｆｅ＝５０．０ａｔ．％であるような焼結
ターゲットを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後
の表面エッチング条件によって非晶質膜を堆積させた
後、所定の熱処理条件で結晶化させてガーネット膜を形
成することを特徴とする。
トリウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの
組成比が、Ｂｉ＝３２ａｔ．％、Ｙ＝１４ａｔ．％、Ｇ
ａ＝２２ａｔ．％、Ｆｅ＝３２ａｔ．％の焼結ターゲッ
トを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後の表面エ
ッチング条件によって非晶質膜を製膜した後、所定の熱
処理条件で結晶化させて下地ガーネット膜を形成し、こ
の下地ガーネット膜上に、Ｂｉ、Ｄｙ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏ
を含み、Ｏを除いたときの各元素の組成比がＢｉ＝２
８．７ａｔ．％、Ｄｙ＝１２．５ａｔ．％、Ｇａ＝８．
８ａｔ．％、Ｆｅ＝５０．０ａｔ．％であるような焼結
ターゲットを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後
の表面エッチング条件によって非晶質膜を堆積させた
後、所定の熱処理条件で結晶化させてガーネット膜を形
成することを特徴とする。
【００１１】請求項５では、請求項３、または４に記載
のガーネット単相記録媒体の作製方法において、前記基
板上にガーネット膜を製膜する方法として、高周波スパ
ッタ法（ＲＦＳ）の他に、高周波マグネトロンスパッタ
法（ＲＦＭＳ）、ＤＣマグネトロンスパッタ法（ＤＣＭ
Ｓ）、レーザアブレーション法（ＬＡ）、イオンビーム
スパッタ法のうちのいずれかを使用することを特徴とす
る。
のガーネット単相記録媒体の作製方法において、前記基
板上にガーネット膜を製膜する方法として、高周波スパ
ッタ法（ＲＦＳ）の他に、高周波マグネトロンスパッタ
法（ＲＦＭＳ）、ＤＣマグネトロンスパッタ法（ＤＣＭ
Ｓ）、レーザアブレーション法（ＬＡ）、イオンビーム
スパッタ法のうちのいずれかを使用することを特徴とす
る。
【００１２】請求項６では、請求項３、または４に記載
のガーネット単相記録媒体の作製方法において、前記基
板上に製膜した膜をガーネット膜として結晶化させるた
めの熱処理条件は、製膜後に、空気、酸素、真空のうち
のいずれかの雰囲気中で、５０℃／秒の速度で昇温させ
た後に、５００℃から９００℃の間の温度で１０秒乃至
２時間、加熱することを特徴とする。
のガーネット単相記録媒体の作製方法において、前記基
板上に製膜した膜をガーネット膜として結晶化させるた
めの熱処理条件は、製膜後に、空気、酸素、真空のうち
のいずれかの雰囲気中で、５０℃／秒の速度で昇温させ
た後に、５００℃から９００℃の間の温度で１０秒乃至
２時間、加熱することを特徴とする。
【００１３】上記の構成によれば、熱膨張率が１００×
１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上の基板上
に、酸素を除いたときのＢｉ組成比が、１５ａｔ．％か
ら４６ａｔ．％の間であり、Ｂｉ、希土類元素、Ｆｅ、
Ｇａ、Ｏを含む焼結ターゲットを用いて製膜された膜
を、結晶化度が１００％で、ガーネット以外の結晶相を
含まない膜として、結晶化させることができる。
１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上の基板上
に、酸素を除いたときのＢｉ組成比が、１５ａｔ．％か
ら４６ａｔ．％の間であり、Ｂｉ、希土類元素、Ｆｅ、
Ｇａ、Ｏを含む焼結ターゲットを用いて製膜された膜
を、結晶化度が１００％で、ガーネット以外の結晶相を
含まない膜として、結晶化させることができる。
【００１４】
《発明の概要》まず、課題を解決するために、本発明で
用いている方法を概要について簡単に述べる。
用いている方法を概要について簡単に述べる。
【００１５】一般に、基板上に製膜された膜が結晶化す
るか否かは、膜に加えられるエネルギーの量、すなわち
熱処理温度と、時間との積で決まる。
るか否かは、膜に加えられるエネルギーの量、すなわち
熱処理温度と、時間との積で決まる。
【００１６】そこで本発明では、Ｂｉ量の異なる試料に
対し、熱処理時間を１時間に固定したうえで、温度を変
えて熱処理を行い、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とによ
って熱処理後におけるガーネット膜の結晶化度を測定
し、異相の有無を観察した。この結果から、結晶化度が
１００％になり、異相が存在しないガーネット膜を結晶
化させるための温度の上限と下限を決定した。
対し、熱処理時間を１時間に固定したうえで、温度を変
えて熱処理を行い、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とによ
って熱処理後におけるガーネット膜の結晶化度を測定
し、異相の有無を観察した。この結果から、結晶化度が
１００％になり、異相が存在しないガーネット膜を結晶
化させるための温度の上限と下限を決定した。
【００１７】《第１の実施の形態》次に、本発明による
ガーネット単相記録媒体の実施の形態について、図面お
よび表を参照しながら、詳細に説明する。
ガーネット単相記録媒体の実施の形態について、図面お
よび表を参照しながら、詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明によるガーネット単相記録
媒体の第１の実施の形態を示す構成図である。
媒体の第１の実施の形態を示す構成図である。
【００１９】この図に示すガーネット単相記録媒体１１
ａは、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラス
を使用して形成された板状の基板１と、この基板１上に
積層されるガーネット膜２とによって構成されている。
ａは、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラス
を使用して形成された板状の基板１と、この基板１上に
積層されるガーネット膜２とによって構成されている。
【００２０】ガーネット膜２は、Ｂｉ、Ｄｙ（ジスプロ
シウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの各
元素の組成比がＢｉ＝２５〜３８ａｔ．％、Ｄｙ＝２１
〜８ａｔ．％（Ｂｉ＋Ｄｙ＝４６ａｔ．％）、Ｇａ＝１
３ａｔ．％、Ｆｅ＝４１ａｔ．％であるような焼結ター
ゲットを使用し、表１に示す基板１への膜堆積条件およ
び膜堆積後の表面エッチング条件を使用したＲＦＳ法
で、基板１上に非晶質膜を堆積させた後、表２に示す熱
処理条件で非晶質膜を熱処理して形成したものである。
シウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの各
元素の組成比がＢｉ＝２５〜３８ａｔ．％、Ｄｙ＝２１
〜８ａｔ．％（Ｂｉ＋Ｄｙ＝４６ａｔ．％）、Ｇａ＝１
３ａｔ．％、Ｆｅ＝４１ａｔ．％であるような焼結ター
ゲットを使用し、表１に示す基板１への膜堆積条件およ
び膜堆積後の表面エッチング条件を使用したＲＦＳ法
で、基板１上に非晶質膜を堆積させた後、表２に示す熱
処理条件で非晶質膜を熱処理して形成したものである。
【００２１】
【表１】
【表２】
【００２２】そして、このようにして製膜されたガーネ
ット膜２について、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行
い、設定されたＢｉ量に対する、結晶化度が１００％
で、異相を含まないガーネット膜２を結晶化させること
ができる温度範囲（上限と下限）を求めた。
ット膜２について、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行
い、設定されたＢｉ量に対する、結晶化度が１００％
で、異相を含まないガーネット膜２を結晶化させること
ができる温度範囲（上限と下限）を求めた。
【００２３】この結果、基板１として、熱膨張率が４０
×１０-7／℃の無アルカリガラスをに用いたとき、図２
のグラフに示すような結果を得ることができた。
×１０-7／℃の無アルカリガラスをに用いたとき、図２
のグラフに示すような結果を得ることができた。
【００２４】このグラフから理解できるように、下限温
度についは、Ｂｉの組成比が２５ａｔ．％の焼結ターゲ
ットを使用したとき、６７０℃であった下限温度を、Ｂ
ｉ組成比の増大とともに、単調に減少させることがで
き、Ｂｉ組成比を３８ａｔ．％にしたとき、５９０℃に
することができる。
度についは、Ｂｉの組成比が２５ａｔ．％の焼結ターゲ
ットを使用したとき、６７０℃であった下限温度を、Ｂ
ｉ組成比の増大とともに、単調に減少させることがで
き、Ｂｉ組成比を３８ａｔ．％にしたとき、５９０℃に
することができる。
【００２５】また、上限温度については、Ｂｉ組成比が
２５ａｔ．％のときに、７８０℃であるが、３２ａｔ．
％のとき、極大値の８５０℃にすることができ（従って
温度範囲は最も広くなる）、Ｂｉ組成比が３８ａｔ．％
ときに６４０℃にすることができる。
２５ａｔ．％のときに、７８０℃であるが、３２ａｔ．
％のとき、極大値の８５０℃にすることができ（従って
温度範囲は最も広くなる）、Ｂｉ組成比が３８ａｔ．％
ときに６４０℃にすることができる。
【００２６】これらのことから、基板１として、無アル
カリガラスを使用したときには、Ｂｉ（ビスマス）、希
土類元素、Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）
を含み、酸素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．
％から４６ａｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用
い、基板１上に非晶質膜を堆積させ、この非晶質膜に図
２に示すグラフの上限温度、下限温度の範囲で、熱処理
を施すことにより、結晶化度を１００％にし、かつ異相
を含まない、Ｂｉを添加したガーネット膜２を結晶化さ
せることができる。
カリガラスを使用したときには、Ｂｉ（ビスマス）、希
土類元素、Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）
を含み、酸素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．
％から４６ａｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用
い、基板１上に非晶質膜を堆積させ、この非晶質膜に図
２に示すグラフの上限温度、下限温度の範囲で、熱処理
を施すことにより、結晶化度を１００％にし、かつ異相
を含まない、Ｂｉを添加したガーネット膜２を結晶化さ
せることができる。
【００２７】《第２の実施の形態》図３は、本発明によ
るガーネット単相記録媒体の第２の実施の形態を示す構
成図である。
るガーネット単相記録媒体の第２の実施の形態を示す構
成図である。
【００２８】この図に示すガーネット単相記録媒体１１
ｂが図１に示すガーネット単相記録媒体１１ａと異なる
点は、基板１として、コーニング０３１７ガラスを使用
し、表１に示す条件で、ＲＦＳ法により、基板１上に非
晶質膜を積層した後、表２に示す条件で、熱処理を行っ
てガーネット膜２を製膜したことである。
ｂが図１に示すガーネット単相記録媒体１１ａと異なる
点は、基板１として、コーニング０３１７ガラスを使用
し、表１に示す条件で、ＲＦＳ法により、基板１上に非
晶質膜を積層した後、表２に示す条件で、熱処理を行っ
てガーネット膜２を製膜したことである。
【００２９】そして、このようにして製膜されたガーネ
ット膜２について、上述した第１の実施の形態と同様
に、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行い、設定された
Ｂｉ量に対する、結晶化度が１００％で、異相を含まな
いガーネット膜２を結晶化させることができる温度範囲
（上限と下限）を求めた。
ット膜２について、上述した第１の実施の形態と同様
に、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行い、設定された
Ｂｉ量に対する、結晶化度が１００％で、異相を含まな
いガーネット膜２を結晶化させることができる温度範囲
（上限と下限）を求めた。
【００３０】この結果、基板１として、コーニング０３
１７ガラスを用いたとき、図４のグラフに示すような結
果を得ることができた。
１７ガラスを用いたとき、図４のグラフに示すような結
果を得ることができた。
【００３１】このグラフから理解できるように、基板１
として、コーニング０３１７ガラスを使用したとき、下
限温度については、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無ア
ルカリガラスを使用したときと変わらないものの、上限
温度については、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アル
カリガラスを用いたときよりも低くすることができ、焼
結ターゲットのＢｉ組成比が２５ａｔ．％、３２ａｔ．
％、３８ａｔ．％のとき、各々、７００℃、８３０℃、
６２５℃にすることができる。
として、コーニング０３１７ガラスを使用したとき、下
限温度については、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無ア
ルカリガラスを使用したときと変わらないものの、上限
温度については、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アル
カリガラスを用いたときよりも低くすることができ、焼
結ターゲットのＢｉ組成比が２５ａｔ．％、３２ａｔ．
％、３８ａｔ．％のとき、各々、７００℃、８３０℃、
６２５℃にすることができる。
【００３２】これらのことから、基板１として、コーニ
ング０３１７ガラスを使用しても、Ｂｉ（ビスマス）、
希土類元素、Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸
素）を含み、酸素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａ
ｔ．％から４６ａｔ．％の間の値である焼結ターゲット
を用いて、基板１上に非晶質膜を堆積させ、この非晶質
膜に、図４に示すグラフの上限温度、下限温度の範囲
で、熱処理を施すことにより、結晶化度を１００％に
し、かつ異相を含まない、Ｂｉを添加したガーネット膜
２を結晶化させることができる。
ング０３１７ガラスを使用しても、Ｂｉ（ビスマス）、
希土類元素、Ｇａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸
素）を含み、酸素を除いたときのＢｉの組成比が１５ａ
ｔ．％から４６ａｔ．％の間の値である焼結ターゲット
を用いて、基板１上に非晶質膜を堆積させ、この非晶質
膜に、図４に示すグラフの上限温度、下限温度の範囲
で、熱処理を施すことにより、結晶化度を１００％に
し、かつ異相を含まない、Ｂｉを添加したガーネット膜
２を結晶化させることができる。
【００３３】《第３の実施の形態》図５は、本発明によ
るガーネット単相記録媒体の第３の実施の形態を示す構
成図である。
るガーネット単相記録媒体の第３の実施の形態を示す構
成図である。
【００３４】この図に示すガーネット単相記録媒体１１
ｃが図１に示すガーネット単相記録媒体１１ａと異なる
点は、基板１として、石英ガラスを使用し、表１に示す
条件で、ＲＦＳ法により、基板１上に非晶質膜を積層し
た後、表２に示す条件で、熱処理を行ってガーネット膜
２を製膜したことである。
ｃが図１に示すガーネット単相記録媒体１１ａと異なる
点は、基板１として、石英ガラスを使用し、表１に示す
条件で、ＲＦＳ法により、基板１上に非晶質膜を積層し
た後、表２に示す条件で、熱処理を行ってガーネット膜
２を製膜したことである。
【００３５】そして、このようにして製膜されたガーネ
ット膜２について、上述した第１の実施の形態と同様
に、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行い、設定された
Ｂｉ量に対する、結晶化度が１００％で、異相を含まな
いガーネット膜２を結晶化させることができる温度範囲
（上限と下限）を求めた。
ット膜２について、上述した第１の実施の形態と同様
に、Ｘ線回析測定と、顕微鏡観察とを行い、設定された
Ｂｉ量に対する、結晶化度が１００％で、異相を含まな
いガーネット膜２を結晶化させることができる温度範囲
（上限と下限）を求めた。
【００３６】この結果、基板１として、石英ガラスを用
いたとき、図６のグラフに示すような結果を得ることが
できた。
いたとき、図６のグラフに示すような結果を得ることが
できた。
【００３７】このグラフから理解できるように、基板１
として、石英ガラスを使用したとき、下限温度について
は、焼結ターゲットのＢｉ組成比が２５ａｔ．％のとき
に６５０℃であった下限温度を、Ｂｉ組成比の増加とと
もに単調に減少させ、３８ａｔ．％のとき、６００℃に
することができる。
として、石英ガラスを使用したとき、下限温度について
は、焼結ターゲットのＢｉ組成比が２５ａｔ．％のとき
に６５０℃であった下限温度を、Ｂｉ組成比の増加とと
もに単調に減少させ、３８ａｔ．％のとき、６００℃に
することができる。
【００３８】また、上限温度については、焼結ターゲッ
トのＢｉ組成比が２５ａｔ．％のとき、６９５℃である
が、３２ａｔ．％で、極大値の７００℃にすることがで
き、３８ａｔ．％のとき、６２５℃にすることができ
る。
トのＢｉ組成比が２５ａｔ．％のとき、６９５℃である
が、３２ａｔ．％で、極大値の７００℃にすることがで
き、３８ａｔ．％のとき、６２５℃にすることができ
る。
【００３９】これらのことから、基板１として、石英ガ
ラスを使用しても、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、Ｇ
ａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、酸素
を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６ａ
ｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用いて、基板１
上に非晶質膜を堆積し、この非晶質膜に、図６に示すグ
ラフの上限温度、下限温度の範囲で、熱処理を施すこと
により、結晶化度を１００％にし、かつ異相を含まな
い、Ｂｉを添加したガーネット膜２を結晶化させること
ができる。
ラスを使用しても、Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、Ｇ
ａ（ガリウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、酸素
を除いたときのＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６ａ
ｔ．％の間の値である焼結ターゲットを用いて、基板１
上に非晶質膜を堆積し、この非晶質膜に、図６に示すグ
ラフの上限温度、下限温度の範囲で、熱処理を施すこと
により、結晶化度を１００％にし、かつ異相を含まな
い、Ｂｉを添加したガーネット膜２を結晶化させること
ができる。
【００４０】《第４の実施の形態》図７は、本発明によ
るガーネット単相記録媒体の第４の実施の形態を示す構
成図である。
るガーネット単相記録媒体の第４の実施の形態を示す構
成図である。
【００４１】この図に示すガーネット単相記録媒体１１
ｄは、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラス
を使用して形成された板状の基板３と、この基板３上に
積層される下地ガーネット膜４と、この下地ガーネット
膜４上に積層されるガーネット膜５とによって構成され
ている。
ｄは、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラス
を使用して形成された板状の基板３と、この基板３上に
積層される下地ガーネット膜４と、この下地ガーネット
膜４上に積層されるガーネット膜５とによって構成され
ている。
【００４２】下地ガーネット膜４は、Ｂｉ、Ｙ（イット
リウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの組
成比が、Ｂｉ＝３２ａｔ．％、Ｙ＝１４ａｔ．％、Ｇａ
＝２２ａｔ．％、Ｆｅ＝３２ａｔ．％の焼結ターゲット
を使用し、表３に示す基板３上への膜堆積条件および膜
堆積後の表面エッチング条件を使用して、非晶質膜を製
膜した後、７２０℃で、４５分間、空気中で、熱処理を
行なって結晶化させたものである。
リウム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの組
成比が、Ｂｉ＝３２ａｔ．％、Ｙ＝１４ａｔ．％、Ｇａ
＝２２ａｔ．％、Ｆｅ＝３２ａｔ．％の焼結ターゲット
を使用し、表３に示す基板３上への膜堆積条件および膜
堆積後の表面エッチング条件を使用して、非晶質膜を製
膜した後、７２０℃で、４５分間、空気中で、熱処理を
行なって結晶化させたものである。
【００４３】
【表３】
【００４４】また、ガーネット膜５は、Ｂｉ、Ｄｙ、Ｇ
ａ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの各元素の組成比がＢｉ
＝２８．７ａｔ．％、Ｄｙ＝１２．５ａｔ．％、Ｇａ＝
８．８ａｔ．％、Ｆｅ＝５０．０ａｔ．％であるような
焼結ターゲットを使用し、下地ガーネット膜４上に、表
４に示す下地ガーネット膜４への膜堆積条件および膜堆
積後の表面エッチング条件を使用したＲＦＳ法で非晶質
膜を堆積させた後、非晶質膜を熱処理して形成したもの
である。
ａ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの各元素の組成比がＢｉ
＝２８．７ａｔ．％、Ｄｙ＝１２．５ａｔ．％、Ｇａ＝
８．８ａｔ．％、Ｆｅ＝５０．０ａｔ．％であるような
焼結ターゲットを使用し、下地ガーネット膜４上に、表
４に示す下地ガーネット膜４への膜堆積条件および膜堆
積後の表面エッチング条件を使用したＲＦＳ法で非晶質
膜を堆積させた後、非晶質膜を熱処理して形成したもの
である。
【００４５】
【表４】
【００４６】この結果、熱膨張率が４０×１０-7／℃の
無アルカリガラスを使用した基板３上に、下地ガーネッ
ト膜４を製膜したものを基板にしたとき、図８のグラフ
に、◎で示す結果を得ることができた。
無アルカリガラスを使用した基板３上に、下地ガーネッ
ト膜４を製膜したものを基板にしたとき、図８のグラフ
に、◎で示す結果を得ることができた。
【００４７】そして、このようにして製膜されたガーネ
ット膜５について、Ｘ線回析測定と、偏光顕微鏡観察と
を行ったところ、表５に示す条件、すなわち空気雰囲気
中で、６７０℃の温度で熱処理すると、２０分で結晶化
を終了できることが分かった。
ット膜５について、Ｘ線回析測定と、偏光顕微鏡観察と
を行ったところ、表５に示す条件、すなわち空気雰囲気
中で、６７０℃の温度で熱処理すると、２０分で結晶化
を終了できることが分かった。
【００４８】
【表５】
【００４９】《他の実施の形態》また、上述した第１の
実施の形態乃至第４の実施の形態では、製膜方法とし
て、ＲＦＳ法を使用しているが、このような方法以外の
製膜方法、例えばＲＦＭＳ法、ＤＣＭＳ法、ＩＢＳ法、
ＬＡ法などを使用して製膜を行なうようにしても良い。
実施の形態乃至第４の実施の形態では、製膜方法とし
て、ＲＦＳ法を使用しているが、このような方法以外の
製膜方法、例えばＲＦＭＳ法、ＤＣＭＳ法、ＩＢＳ法、
ＬＡ法などを使用して製膜を行なうようにしても良い。
【００５０】また、上述した第１の実施の形態乃至第４
の実施の形態では、希土類元素として、Ｄｙを含むガー
ネット膜２、５を結晶化させるようにしているが、この
元素のみならず、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウ
ム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ
（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユーロ
ピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウ
ム）、Ｄｙ、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウ
ム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌ
ｕ（ルテチウム）のうちのひとつ以上の元素を含むガー
ネット膜を結晶化させるようにしても良い。
の実施の形態では、希土類元素として、Ｄｙを含むガー
ネット膜２、５を結晶化させるようにしているが、この
元素のみならず、Ｌａ（ランタン）、Ｃｅ（セリウ
ム）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ
（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユーロ
ピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウ
ム）、Ｄｙ、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウ
ム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌ
ｕ（ルテチウム）のうちのひとつ以上の元素を含むガー
ネット膜を結晶化させるようにしても良い。
【００５１】また、上述した第１、第４の実施の形態で
は、基板１、３として、熱膨張率が４０×１０-7／℃の
無アルカリガラスを使用し、また第２の実施の形態で
は、基板１として、コーニング０３１７ガラスを使用
し、また第３の実施の形態では、基板１として、石英ガ
ラスを使用するようにしているが、これらの各基板１、
３の材料として、これら以外の材料、例えばコーニング
７０５９ガラスを使用しても、また熱膨張率が１００×
１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上のガラス
を使用しても良い。あるいは、これらの基板１、３とし
て、熱膨張率が６０×１０-7／℃で、融点が１７４０℃
のＧＧＧや熱膨張率が８０×１０-7／℃で、融点が１５
７０℃のＮＧＧなどの単結晶を使用しても良い。
は、基板１、３として、熱膨張率が４０×１０-7／℃の
無アルカリガラスを使用し、また第２の実施の形態で
は、基板１として、コーニング０３１７ガラスを使用
し、また第３の実施の形態では、基板１として、石英ガ
ラスを使用するようにしているが、これらの各基板１、
３の材料として、これら以外の材料、例えばコーニング
７０５９ガラスを使用しても、また熱膨張率が１００×
１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７０℃以上のガラス
を使用しても良い。あるいは、これらの基板１、３とし
て、熱膨張率が６０×１０-7／℃で、融点が１７４０℃
のＧＧＧや熱膨張率が８０×１０-7／℃で、融点が１５
７０℃のＮＧＧなどの単結晶を使用しても良い。
【００５２】《請求項６に記載の熱処理について》次
に、請求項６に記載した熱処理温度および熱処理時間の
根拠について述べる。
に、請求項６に記載した熱処理温度および熱処理時間の
根拠について述べる。
【００５３】まず、上述した第１の実施の形態乃至第４
の実施の形態では、基板１、３として、３種類の材料、
すなわち、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガ
ラス、コーニング０３１７、石英ガラスを使用し、これ
らの各材料を使用して、ガーネット膜２、５を製膜する
とき、上限温度が最も高くなるのは、基板１、３とし
て、無アルカリガラスを使用し、Ｂｉ組成比が３２ａ
ｔ．％の焼結ターゲットからガーネット膜２を製膜した
ときの８５０℃である。
の実施の形態では、基板１、３として、３種類の材料、
すなわち、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガ
ラス、コーニング０３１７、石英ガラスを使用し、これ
らの各材料を使用して、ガーネット膜２、５を製膜する
とき、上限温度が最も高くなるのは、基板１、３とし
て、無アルカリガラスを使用し、Ｂｉ組成比が３２ａ
ｔ．％の焼結ターゲットからガーネット膜２を製膜した
ときの８５０℃である。
【００５４】この際、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無
アルカリガラスは、軟化点が８９０℃であることから、
熱処理時間が短い場合、熱処理温度が８５０℃以上で
も、湾曲などの損傷が少なくないと考えられるので、熱
処理温度の上限を９００℃にしている。
アルカリガラスは、軟化点が８９０℃であることから、
熱処理時間が短い場合、熱処理温度が８５０℃以上で
も、湾曲などの損傷が少なくないと考えられるので、熱
処理温度の上限を９００℃にしている。
【００５５】このように、熱処理時の上限温度を決めて
も、第３の実施の形態で使用した石英ガラスでは、軟化
点が１５８０℃であり、また請求項２に記載したＧＧＧ
やＮＧＧなどの単結晶では、融点が１５００℃以上であ
ることから、これらの基板１、３上に製膜されたガーネ
ット膜２、５を９０0℃に近い温度で熱処理しても、基
板１、３が損傷を受けることはない。
も、第３の実施の形態で使用した石英ガラスでは、軟化
点が１５８０℃であり、また請求項２に記載したＧＧＧ
やＮＧＧなどの単結晶では、融点が１５００℃以上であ
ることから、これらの基板１、３上に製膜されたガーネ
ット膜２、５を９０0℃に近い温度で熱処理しても、基
板１、３が損傷を受けることはない。
【００５６】一方、図２のグラフから理解できるよう
に、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラスを
使用した基板１上に、Ｂｉ組成比が３８ａｔ．％の焼結
ターゲットからガーネット膜２を製膜したとき、下限温
度が５９０℃になり、また第１、第２、第３の実施の形
態の結果を表す図４、６、８のグラフを見ると分かるよ
うに、下限温度がＢｉ量とともに単調に減少する。これ
らのことから、下限温度の傾向を考慮し、本発明では、
熱処理の下限温度を５００℃に決めている。
に、熱膨張率が４０×１０-7／℃の無アルカリガラスを
使用した基板１上に、Ｂｉ組成比が３８ａｔ．％の焼結
ターゲットからガーネット膜２を製膜したとき、下限温
度が５９０℃になり、また第１、第２、第３の実施の形
態の結果を表す図４、６、８のグラフを見ると分かるよ
うに、下限温度がＢｉ量とともに単調に減少する。これ
らのことから、下限温度の傾向を考慮し、本発明では、
熱処理の下限温度を５００℃に決めている。
【００５７】また、第１の実施の形態乃至第４の形態の
形態では、熱処理時間として、図８内に◎印で示すデー
タ以外はすべて１時間にしている。
形態では、熱処理時間として、図８内に◎印で示すデー
タ以外はすべて１時間にしている。
【００５８】この際、熱処理を始めてから結晶化が完了
するまでに要する時間は、文献「R.Pascual,M.Sayer,A.
Lo,S.Herbert,L.C.Rolim,and N.Townley:J.Appl.Phys.7
9、493(1996) 」から明かなように、結晶核発生率Ｎと、
結晶成長速度Ｇによって決まる。
するまでに要する時間は、文献「R.Pascual,M.Sayer,A.
Lo,S.Herbert,L.C.Rolim,and N.Townley:J.Appl.Phys.7
9、493(1996) 」から明かなように、結晶核発生率Ｎと、
結晶成長速度Ｇによって決まる。
【００５９】例えば、熱処理温度、あるいはＢｉ組成比
を変えたときに、結晶核発生率Ｎが一定で、結晶成長速
度Ｇが半分になれば、結晶化に要する時間は、元の時間
の倍になる。
を変えたときに、結晶核発生率Ｎが一定で、結晶成長速
度Ｇが半分になれば、結晶化に要する時間は、元の時間
の倍になる。
【００６０】また、第４の実施の形態では、２０分以下
で結晶化が完了することが確認されている。したがっ
て、熱処理時間は、最短で１０秒、最長で２時間とし
た。
で結晶化が完了することが確認されている。したがっ
て、熱処理時間は、最短で１０秒、最長で２時間とし
た。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、熱
膨張率が１００×１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７
０℃以上の基板上に、酸素を除いたときのＢｉ組成比
が、１５ａｔ．％から４６ａｔ．％の間であり、Ｂｉ、
希土類元素、Ｆｅ、Ｇａ、Ｏを含む焼結ターゲットを用
いて製膜された膜を、結晶化度が１００％で、ガーネッ
ト以外の結晶相を含まない膜として、結晶化させること
ができる。これによって、光磁気記録用ガーネット膜の
磁気特性および光学特性を均一化し、かつ高Ｃ／Ｎ化を
図ることができる。
膨張率が１００×１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８７
０℃以上の基板上に、酸素を除いたときのＢｉ組成比
が、１５ａｔ．％から４６ａｔ．％の間であり、Ｂｉ、
希土類元素、Ｆｅ、Ｇａ、Ｏを含む焼結ターゲットを用
いて製膜された膜を、結晶化度が１００％で、ガーネッ
ト以外の結晶相を含まない膜として、結晶化させること
ができる。これによって、光磁気記録用ガーネット膜の
磁気特性および光学特性を均一化し、かつ高Ｃ／Ｎ化を
図ることができる。
【図１】本発明によるガーネット単相記録媒体の第１の
実施の形態を示す構成図である。
実施の形態を示す構成図である。
【図２】図１に示すガーネット単相記録媒体を作製する
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
【図３】本発明によるガーネット単相記録媒体の第２の
実施の形態を示す構成図である。
実施の形態を示す構成図である。
【図４】図３に示すガーネット単相記録媒体を作製する
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
【図５】本発明によるガーネット単相記録媒体の第３の
実施の形態を示す構成図である。
実施の形態を示す構成図である。
【図６】図５に示すガーネット単相記録媒体を作製する
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明によるガーネット単相記録媒体の第４の
実施の形態を示す構成図である。
実施の形態を示す構成図である。
【図８】図７に示すガーネット単相記録媒体を作製する
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
ときの、ターゲットのＢｉ組成と、熱処理温度と、結晶
化率との関係を示すグラフである。
１ 基板 ２、５ ガーネット膜 ３ 基板 ４ 下地ガーネット膜 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ ガーネット単相記録
媒体
媒体
Claims (6)
- 【請求項１】 板状に形成される基板と、 Ｂｉ（ビスマス）、希土類元素、Ｇａ（ガリウム）、Ｆ
ｅ（鉄）、Ｏ（酸素）を含み、Ｏ（酸素）を除いたとき
のＢｉの組成比が１５ａｔ．％から４６ａｔ．％の間の
値であるターゲットを用いて前記基板上に製膜されるガ
ーネット膜と、を備えたことを特徴とするガーネット単
相記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガーネット単相記録媒
体において、 前記基板は、石英ガラス、無アルカリガラス、コーニン
グ７０５９、コーニング０３１７などのガラス、または
熱膨張率が１００×１０-7／℃以下で、かつ軟化点が８
７０℃以上のガラス、またはこれらのガラスにガーネッ
ト膜を積層したもの、あるいはＧＧＧ（ガドリニウム・
ガリウム・ガーネット）、ＮＧＧ（ネオジム・ガリウム
・ガーネット）などの単結晶のいずれかによって構成さ
れることを特徴とするガーネット単相記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に、Ｂｉ、Ｄｙ（ジスプロシウ
ム）、Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの各元素
の組成比がＢｉ＝２５〜３８ａｔ．％、Ｄｙ＝２１〜８
ａｔ．％（但し、Ｂｉ＋Ｄｙ＝４６ａｔ．％）、Ｇａ＝
１３ａｔ．％、Ｆｅ＝４１ａｔ．％であるような焼結タ
ーゲットを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後の
表面エッチング条件によって非晶質膜を堆積させた後、 この非晶質膜を所定の熱処理条件で結晶化してガーネッ
ト膜を形成することを特徴とするガーネット単相記録媒
体の作製方法。 - 【請求項４】 基板上に、Ｂｉ、Ｙ（イットリウム）、
Ｇａ、Ｆｅ、Ｏを含み、Ｏを除いたときの組成比が、Ｂ
ｉ＝３２ａｔ．％、Ｙ＝１４ａｔ．％、Ｇａ＝２２ａ
ｔ．％、Ｆｅ＝３２ａｔ．％の焼結ターゲットを使用
し、所定の膜堆積条件および膜堆積後の表面エッチング
条件によって非晶質膜を製膜した後、所定の熱処理条件
で結晶化させて下地ガーネット膜を形成し、 この下地ガーネット膜上に、Ｂｉ、Ｄｙ、Ｇａ、Ｆｅ、
Ｏを含み、Ｏを除いたときの各元素の組成比がＢｉ＝２
８．７ａｔ．％、Ｄｙ＝１２．５ａｔ．％、Ｇａ＝８．
８ａｔ．％、Ｆｅ＝５０．０ａｔ．％であるような焼結
ターゲットを使用し、所定の膜堆積条件および膜堆積後
の表面エッチング条件によって非晶質膜を堆積させた
後、所定の熱処理条件で結晶化させてガーネット膜を形
成することを特徴とするガーネット単相記録媒体の作製
方法。 - 【請求項５】 請求項３、または４に記載のガーネット
単相記録媒体の作製方法において、 前記基板上にガーネット膜を製膜する方法として、高周
波スパッタ法（ＲＦＳ）の他に、高周波マグネトロンス
パッタ法（ＲＦＭＳ）、ＤＣマグネトロンスパッタ法
（ＤＣＭＳ）、レーザアブレーション法（ＬＡ）、イオ
ンビームスパッタ法のうちのいずれかを使用することを
特徴とするガーネット単相記録媒体の作製方法。 - 【請求項６】 請求項３、または４に記載のガーネット
単相記録媒体の作製方法において、 前記基板上に製膜した膜をガーネット膜として結晶化さ
せるための熱処理条件は、製膜後に、空気、酸素、真空
のうちのいずれかの雰囲気中で、５０℃／秒の速度で昇
温させた後に、５００℃から９００℃の間の温度で１０
秒乃至２時間、加熱することを特徴とするガーネット単
相記録媒体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6856597A JPH10269637A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | ガーネット単相記録媒体、およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6856597A JPH10269637A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | ガーネット単相記録媒体、およびその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10269637A true JPH10269637A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13377421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6856597A Pending JPH10269637A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | ガーネット単相記録媒体、およびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10269637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169779A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP6856597A patent/JPH10269637A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169779A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに光記録媒体及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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