JPH10268298A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH10268298A JPH10268298A JP9076237A JP7623797A JPH10268298A JP H10268298 A JPH10268298 A JP H10268298A JP 9076237 A JP9076237 A JP 9076237A JP 7623797 A JP7623797 A JP 7623797A JP H10268298 A JPH10268298 A JP H10268298A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反射型液晶表示装置、特にプロジェクターに用
いる半導体装置で、反射電極間あるいは反射電極の下層
に遮光膜（金属）を有する場合に、不要な反射光が多方
向へ散乱し表示に関与しにくくなり表示品質の低下のな
い半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】隣りあう反射電極間あるいは反射電極と半
導体層の間に設けた遮光膜を平坦でない形状とした。 【効果】遮光膜からの不要な反射光が表示に寄与する割
合が小さく、表示装置とした時の品質を向上させる。
いる半導体装置で、反射電極間あるいは反射電極の下層
に遮光膜（金属）を有する場合に、不要な反射光が多方
向へ散乱し表示に関与しにくくなり表示品質の低下のな
い半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】隣りあう反射電極間あるいは反射電極と半
導体層の間に設けた遮光膜を平坦でない形状とした。 【効果】遮光膜からの不要な反射光が表示に寄与する割
合が小さく、表示装置とした時の品質を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明の半導体装置は、表示
デバイスに用いられる半導体装置、特に反射型液晶表示
装置の一対の基板の片側として用いられる反射板と液晶
駆動を兼ねる電極を有する半導体装置に関する。
デバイスに用いられる半導体装置、特に反射型液晶表示
装置の一対の基板の片側として用いられる反射板と液晶
駆動を兼ねる電極を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示デバイスとして用いられる半導体装
置、特に反射型液晶表示装置に用いられる反射板と液晶
駆動を兼ねる電極（以下単に反射電極と呼ぶ）を有する
半導体装置は、光照射にさらされるため、反射電極の隙
間から半導体層に達した光による誤動作を起こす場合が
あり、遮光手段を半導体装置内に持つ必要がある。
置、特に反射型液晶表示装置に用いられる反射板と液晶
駆動を兼ねる電極（以下単に反射電極と呼ぶ）を有する
半導体装置は、光照射にさらされるため、反射電極の隙
間から半導体層に達した光による誤動作を起こす場合が
あり、遮光手段を半導体装置内に持つ必要がある。
【０００３】そのため従来は例えば特開昭５７−０３１
１５９にあるように反射電極と半導体層の間に遮光膜を
設けることで遮光していた。また、特開昭５７−０３１
１５８にあるように反射電極間に遮光膜を設ける方法も
ある。特開昭５７−０３１１５９をもとにした従来の半
導体装置を図１の工程断面図を用いて製造工程の順に従
って説明する。
１５９にあるように反射電極と半導体層の間に遮光膜を
設けることで遮光していた。また、特開昭５７−０３１
１５８にあるように反射電極間に遮光膜を設ける方法も
ある。特開昭５７−０３１１５９をもとにした従来の半
導体装置を図１の工程断面図を用いて製造工程の順に従
って説明する。
【０００４】シリコン基板１０１上には素子分離酸化膜
１０２、ＭＯＳ型トランジスタ１０３、第１の層間絶縁
膜１０４、第１の金属層１０５を形成してある（図１
ａ）。ＭＯＳ型トランジスタ１０３の構造あるいは製造
方法は、例えばソースおよびドレインの高濃度不純物拡
散層の周りを低濃度不純物拡散層が覆う、いわゆるＤＤ
Ｄ構造であっても、またいわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌ
ｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造であってもよく、Ｍ
ＯＳ型トランジスタ１０３の構造自体は問題ではない。
次に第２の層間絶縁膜１０６を堆積し、第２の金属層１
０７を堆積、成形する（図１ｂ）。この第２の金属層１
０７が遮光膜である。次いで第３の層間絶縁膜１０８を
堆積し、接続孔１０９を開け（図１ｃ）、埋め込み金属
１１０を設け、第３の金属層１１１を形成し、保護膜１
１２を堆積して半導体装置を完成する（図１ｄ）。第３
の金属層１１１は上に述べた反射電極である。
１０２、ＭＯＳ型トランジスタ１０３、第１の層間絶縁
膜１０４、第１の金属層１０５を形成してある（図１
ａ）。ＭＯＳ型トランジスタ１０３の構造あるいは製造
方法は、例えばソースおよびドレインの高濃度不純物拡
散層の周りを低濃度不純物拡散層が覆う、いわゆるＤＤ
Ｄ構造であっても、またいわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌ
ｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造であってもよく、Ｍ
ＯＳ型トランジスタ１０３の構造自体は問題ではない。
次に第２の層間絶縁膜１０６を堆積し、第２の金属層１
０７を堆積、成形する（図１ｂ）。この第２の金属層１
０７が遮光膜である。次いで第３の層間絶縁膜１０８を
堆積し、接続孔１０９を開け（図１ｃ）、埋め込み金属
１１０を設け、第３の金属層１１１を形成し、保護膜１
１２を堆積して半導体装置を完成する（図１ｄ）。第３
の金属層１１１は上に述べた反射電極である。
【０００５】第２の金属層１０７は遮光の目的で設けた
ので、光を透過しなければ材質としては金属に限らない
のであるが、通常の半導体装置の製造では金属以外の光
を透過しない材質の使用は困難だという実状があり、金
属を用いるのが普通である。この金属の遮光膜が光を反
射する。
ので、光を透過しなければ材質としては金属に限らない
のであるが、通常の半導体装置の製造では金属以外の光
を透過しない材質の使用は困難だという実状があり、金
属を用いるのが普通である。この金属の遮光膜が光を反
射する。
【０００６】上述の工程で製造した従来の半導体装置で
は、通常第2の金属層１０７の表面は平坦か、平坦に近
い形状となる。また、先の特開昭５７−０３１１５８の
方法を流用しても第４の金属層１１１の表面は平坦に近
くなる。
は、通常第2の金属層１０７の表面は平坦か、平坦に近
い形状となる。また、先の特開昭５７−０３１１５８の
方法を流用しても第４の金属層１１１の表面は平坦に近
くなる。
【０００７】反射型液晶表示装置で上述の従来の半導体
装置を用いる場合、半導体装置自体が液晶表示装置の対
向する基板の片方をなし、もう一方の基板の側から入射
した光を反射電極で反射すると同時に、反射電極の電位
を変えて液晶の配向状態を変化させ光の透過状態を変え
て画像の表示を行う。
装置を用いる場合、半導体装置自体が液晶表示装置の対
向する基板の片方をなし、もう一方の基板の側から入射
した光を反射電極で反射すると同時に、反射電極の電位
を変えて液晶の配向状態を変化させ光の透過状態を変え
て画像の表示を行う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の半
導体装置では、隣り合う第３の金属層１１１の隙間から
侵入した光は第２の金属層１０７で遮られ、半導体層に
は到達しにくいのではあるが、例えば投写型表示装置
（いわゆるプロジェクター）などに用いる反射型液晶表
示装置（反射型の液晶光弁装置、いわゆる反射型のライ
トバルブ）に従来の半導体装置を用いると、反射電極
（即ち第３の金属層１１１）以外に第２の金属層１０７
でも光が反射され表示に関与する。第２の金属層１０７
で反射する光は本来は不要な光であり、従来の半導体装
置ではこの不要な光が強く表示コントラストの低下など
表示装置とした場合の表示品質を悪くするという問題が
あった。
導体装置では、隣り合う第３の金属層１１１の隙間から
侵入した光は第２の金属層１０７で遮られ、半導体層に
は到達しにくいのではあるが、例えば投写型表示装置
（いわゆるプロジェクター）などに用いる反射型液晶表
示装置（反射型の液晶光弁装置、いわゆる反射型のライ
トバルブ）に従来の半導体装置を用いると、反射電極
（即ち第３の金属層１１１）以外に第２の金属層１０７
でも光が反射され表示に関与する。第２の金属層１０７
で反射する光は本来は不要な光であり、従来の半導体装
置ではこの不要な光が強く表示コントラストの低下など
表示装置とした場合の表示品質を悪くするという問題が
あった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
隣り合う反射電極間あるいは反射電極と半導体層の間に
設けた遮光膜が平坦でないことが特徴であり、遮光膜が
平坦でないため、不要な反射光が多方向へ散乱し表示に
関与しにくくなり表示品質の低下のない半導体装置を提
供することを目的とする。
隣り合う反射電極間あるいは反射電極と半導体層の間に
設けた遮光膜が平坦でないことが特徴であり、遮光膜が
平坦でないため、不要な反射光が多方向へ散乱し表示に
関与しにくくなり表示品質の低下のない半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の実施の形態
の第１の例を、図２の工程断面図を用いて製造工程の順
に説明する。
の第１の例を、図２の工程断面図を用いて製造工程の順
に説明する。
【００１１】シリコン基板２０１上には素子分離酸化膜
２０２、ＭＯＳ型トランジスタ２０３、第１の層間絶縁
膜２０４、第１の金属層２０５を形成してある（図２
ａ）。第１の層間絶縁膜２０４は酸化シリコン（ＳｉＯ
↓２）で、第１の金属層２０５はここではチタン、窒化
チタン、アルミニウムと銅の合金、窒化チタンの積層で
ある。第１の金属層２０５には上記の他、タングステン
や多結晶シリコン（ポリシリコン）を用いることも可能
である。次に酸化シリコンからなる第２の層間絶縁膜２
０６を堆積し、後に形成する反射電極の隙間の下に当た
る部分の第２の層間絶縁膜２０６に溝２０７を形成し、
次いで第２の金属層２０８を堆積、成形する（図１
ｂ）。この第２の金属層２０８が遮光膜であり、ここで
は第１の金属層２０５と同様な材質の積層とした。
２０２、ＭＯＳ型トランジスタ２０３、第１の層間絶縁
膜２０４、第１の金属層２０５を形成してある（図２
ａ）。第１の層間絶縁膜２０４は酸化シリコン（ＳｉＯ
↓２）で、第１の金属層２０５はここではチタン、窒化
チタン、アルミニウムと銅の合金、窒化チタンの積層で
ある。第１の金属層２０５には上記の他、タングステン
や多結晶シリコン（ポリシリコン）を用いることも可能
である。次に酸化シリコンからなる第２の層間絶縁膜２
０６を堆積し、後に形成する反射電極の隙間の下に当た
る部分の第２の層間絶縁膜２０６に溝２０７を形成し、
次いで第２の金属層２０８を堆積、成形する（図１
ｂ）。この第２の金属層２０８が遮光膜であり、ここで
は第１の金属層２０５と同様な材質の積層とした。
【００１２】次いで第３の層間絶縁膜２０９（酸化シリ
コン）を堆積し、接続孔２１０を開け（図１ｃ）、埋め
込み金属２１１を設け、第３の金属層２１２を形成し、
保護膜２１３を堆積して半導体装置を完成する（図１
ｄ）。第３の金属層２１２が上に述べた反射電極であ
る。本例では埋め込み金属２１１はＣＶＤ法で堆積し、
エッチバック法で不要部分を除去したタングステンであ
る。また、第３の金属層２１１は下層からチタン、窒化
チタン、アルミニウムと銅の合金の積層である。また保
護膜２１３は酸化シリコンとしたが、窒化チタンや高分
子材料を用いることもある。
コン）を堆積し、接続孔２１０を開け（図１ｃ）、埋め
込み金属２１１を設け、第３の金属層２１２を形成し、
保護膜２１３を堆積して半導体装置を完成する（図１
ｄ）。第３の金属層２１２が上に述べた反射電極であ
る。本例では埋め込み金属２１１はＣＶＤ法で堆積し、
エッチバック法で不要部分を除去したタングステンであ
る。また、第３の金属層２１１は下層からチタン、窒化
チタン、アルミニウムと銅の合金の積層である。また保
護膜２１３は酸化シリコンとしたが、窒化チタンや高分
子材料を用いることもある。
【００１３】以上の様に製造した本発明の半導体装置は
第３の金属層２１２の隙間の下の第２の層間絶縁膜２０
６に溝２０７があるため、溝２０７の部分の第２の金属
層２０８が平坦でないことが特徴である。このため、本
発明の半導体装置を反射型液晶表示装置に用いた場合に
第３の金属層２１２の隙間から入射した光が第２の金属
層２０８で反射して再び第３の金属層２１２の隙間を通
って出ていく割合が少なく、その分不要な反射光が低減
されて表示体としての表示品質が向上した。
第３の金属層２１２の隙間の下の第２の層間絶縁膜２０
６に溝２０７があるため、溝２０７の部分の第２の金属
層２０８が平坦でないことが特徴である。このため、本
発明の半導体装置を反射型液晶表示装置に用いた場合に
第３の金属層２１２の隙間から入射した光が第２の金属
層２０８で反射して再び第３の金属層２１２の隙間を通
って出ていく割合が少なく、その分不要な反射光が低減
されて表示体としての表示品質が向上した。
【００１４】なお、ＭＯＳ型トランジスタ２０３の構造
あるいは製造方法は、例えばソースおよびドレインの高
濃度不純物拡散層の周りを低濃度不純物拡散層が覆う、
いわゆるＤＤＤ構造であっても、またいわゆるＬＤＤ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ ＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造であっ
てもよく、ＭＯＳ型トランジスタ１０３の構造自体は問
題ではない。さらにはシリコン基板を用いたＭＯＳ型ト
ランジスタでなくとも光により誤動作する可能性のある
能動素子であれば本発明は有効である。
あるいは製造方法は、例えばソースおよびドレインの高
濃度不純物拡散層の周りを低濃度不純物拡散層が覆う、
いわゆるＤＤＤ構造であっても、またいわゆるＬＤＤ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ ＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造であっ
てもよく、ＭＯＳ型トランジスタ１０３の構造自体は問
題ではない。さらにはシリコン基板を用いたＭＯＳ型ト
ランジスタでなくとも光により誤動作する可能性のある
能動素子であれば本発明は有効である。
【００１５】また、上に説明した製造工程は、本発明の
半導体装置の製造方法の一例であり、第２の金属層２０
８（遮光膜）が平坦でなくなるような加工工程を有する
製造方法ならば他の製造方法を用いることは可能であ
る。
半導体装置の製造方法の一例であり、第２の金属層２０
８（遮光膜）が平坦でなくなるような加工工程を有する
製造方法ならば他の製造方法を用いることは可能であ
る。
【００１６】また図１には溝２０７を１つだけ設けた
が、隣接して複数設けることも有効である。
が、隣接して複数設けることも有効である。
【００１７】以下に本発明の半導体装置の実施の形態の
第２の例について図３の工程断面図を用いて製造工程順
に説明する。
第２の例について図３の工程断面図を用いて製造工程順
に説明する。
【００１８】シリコン基板３０１上には素子分離酸化膜
３０２、ＭＯＳ型トランジスタ３０３、第１の層間絶縁
膜３０４、第１の金属層３０５を形成してある（図３
ａ）。この上に第２の層間絶縁膜３０６を堆積し、接続
孔３０７を開口し、埋め込み金属３０８に続いて第２の
金属層３０９を形成し、さらに保護膜３１０を形成する
（図３ｂ）。本例では第２の金属層３０９が反射電極で
ある。次に第３の金属層３１１としてタングステンをＣ
ＶＤ法で堆積し（図３ｃ）、エッチバックして遮光膜３
１２を形成して本発明の半導体装置を完成する（図３
ｄ）。
３０２、ＭＯＳ型トランジスタ３０３、第１の層間絶縁
膜３０４、第１の金属層３０５を形成してある（図３
ａ）。この上に第２の層間絶縁膜３０６を堆積し、接続
孔３０７を開口し、埋め込み金属３０８に続いて第２の
金属層３０９を形成し、さらに保護膜３１０を形成する
（図３ｂ）。本例では第２の金属層３０９が反射電極で
ある。次に第３の金属層３１１としてタングステンをＣ
ＶＤ法で堆積し（図３ｃ）、エッチバックして遮光膜３
１２を形成して本発明の半導体装置を完成する（図３
ｄ）。
【００１９】各層間絶縁膜はここでは酸化シリコンであ
り、第１の金属層３０５は下からチタン、窒化チタン、
アルミニウムと銅の合金、窒化チタンからなる積層膜で
あり、第２の金属膜３０９は下からチタン、窒化チタ
ン、アルミニウムと銅の合金からなる積層膜である。第
１の金属層３０５はタングステン等の金属を用いる場合
や、アルミニウムと銅とシリコンの合金などを用いるも
ある。
り、第１の金属層３０５は下からチタン、窒化チタン、
アルミニウムと銅の合金、窒化チタンからなる積層膜で
あり、第２の金属膜３０９は下からチタン、窒化チタ
ン、アルミニウムと銅の合金からなる積層膜である。第
１の金属層３０５はタングステン等の金属を用いる場合
や、アルミニウムと銅とシリコンの合金などを用いるも
ある。
【００２０】以上のようにして製造した本発明の半導体
装置では、反射電極の隙間がわずかな保護膜の厚み分を
のぞき遮光膜で埋まっているため、シリコン層あるいは
ＭＯＳトランジスタに到達する迷光が非常に弱く、迷光
による誤動作がなかったうえ、遮光膜３１２からの反射
光は多方向に分散するため、本発明の半導体装置を反射
型液晶表示装置に適用することで従来の半導体装置の場
合に比べ表示品質が向上した。
装置では、反射電極の隙間がわずかな保護膜の厚み分を
のぞき遮光膜で埋まっているため、シリコン層あるいは
ＭＯＳトランジスタに到達する迷光が非常に弱く、迷光
による誤動作がなかったうえ、遮光膜３１２からの反射
光は多方向に分散するため、本発明の半導体装置を反射
型液晶表示装置に適用することで従来の半導体装置の場
合に比べ表示品質が向上した。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた本発明の半導体装置は、反射
型液晶表示装置、特に投写型表示装置（プロジェクタ
ー）に用いる反射型液晶表示装置、に適用した場合に、
光学系の反射電極に垂直に入出射する光のみ表示に寄与
するという特性から、遮光膜からの不要な反射光が表示
に寄与する割合が小さく、表示装置としたときの表示品
質が向上した。
型液晶表示装置、特に投写型表示装置（プロジェクタ
ー）に用いる反射型液晶表示装置、に適用した場合に、
光学系の反射電極に垂直に入出射する光のみ表示に寄与
するという特性から、遮光膜からの不要な反射光が表示
に寄与する割合が小さく、表示装置としたときの表示品
質が向上した。
【図１】従来の半導体装置の構成および工程を説明する
断面図。
断面図。
【図２】本発明の半導体装置の実施の形態の第１の例を
説明する工程断面図。
説明する工程断面図。
【図３】本発明の半導体装置の実施の形態の第２の例を
説明する工程断面図。
説明する工程断面図。
１０１、２０１、３０１・・・シリコン基板 １０２、２０２、３０２・・・素子分離膜 １０３、２０３、３０３・・・ＭＯＳ型トランジスタ １０４、２０４、３０４・・・第１の層間絶縁膜 １０５、２０５、３０５・・・第１の金属層 １０６、２０６、３０６・・・第２の層間絶縁膜 １０７、２０８、３０９・・・第２の金属層 １０８、２０９・・・第３の層間絶縁膜 １０９、２１０、３０７・・・接続孔 １１０、２１１、３０８・・・埋め込み金属 １１１、２１２、３１１・・・第３の金属層 １１２、２１３・・・保護膜 ３１２・・・遮光膜
Claims (2)
- 【請求項１】反射板と液晶駆動を兼ねる電極を有し、前
記電極と半導体層の間に金属遮光膜を有し、前記金属遮
光膜が平坦でないことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】反射板と液晶駆動を兼ねる電極を有し、隣
り合う前記電極の間に絶縁膜を介して遮光膜を有し、前
記遮光膜が平坦でないことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076237A JPH10268298A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9076237A JPH10268298A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268298A true JPH10268298A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13599577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9076237A Withdrawn JPH10268298A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10268298A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024029255A1 (ja) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子機器 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP9076237A patent/JPH10268298A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024029255A1 (ja) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 電子機器 |
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