JP2001264816A - 液晶ライトバルブ - Google Patents

液晶ライトバルブ

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JP2001264816A
JP2001264816A JP2000082420A JP2000082420A JP2001264816A JP 2001264816 A JP2001264816 A JP 2001264816A JP 2000082420 A JP2000082420 A JP 2000082420A JP 2000082420 A JP2000082420 A JP 2000082420A JP 2001264816 A JP2001264816 A JP 2001264816A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】光リーク電流を低減するとともに、画素の開口
率を低減させることなく蓄積容量を増加できる液晶ライ
トバルブを提供すること。 【解決手段】裏面遮光膜と、薄膜トランジスタと、ゲー
ト電極と、データ線と、ブラックマトリックス層と、画
素電極と、を備える液晶ライトバルブにおいて、前記薄
膜トランジスタの周囲における所定の位置に所定の間隔
をおいて蓄積容量を配設することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、TFT(薄膜トラ
ンジスタ)駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の
液晶ライトバルブに関し、特に、TFTのチャネル部及
びLDD部に入射される反射光を低減し、TFTの光リ
ーク電流を抑制する液晶ライトバルブに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、壁掛けTVや投射型TVあるいは
OA機器用ディスプレイとして液晶ライトバルブを用い
た各種液晶表示装置の開発が行われている。液晶ライト
バルブの中でもアクティブ素子である薄膜トランジスタ
を液晶表示装置に組み込んだアクティブマトリックス型
液晶ディスプレイは、走査線数が増加してもコントラス
トや応答速度が低下しない等の利点から高品位のOA機
器用表示装置やハイビジョン用表示装置を実現する上で
有力であり、液晶プロジェクション等の投射型液晶ディ
スプレイにおいては大画面表示が容易に得られる利点を
有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】通常、液晶プロジェク
ション用途に使用される液晶ライトバルブは、小さな素
子に強力な光を入射してTFTにより液晶をスイッチン
グすることにより画素毎のON/OFFを行って、透過
する光を画像情報に応じて制御し透過した光をレンズな
どの光学素子を介してスクリーンに拡大投影している
が、その際、TFTの半導体活性層への入射光による影
響はもちろんのこと、レンズ等の光学系からの反射光に
よってもTFT部のチャネル部や、特にLDD(Lig
htly Doped Drain)領域において光励
起により発生する光リーク電流が問題となっている。
【0004】この問題はプロジェクタの小型化、高輝度
化が進むとともに液晶ライトバルブへの入射輝度が大き
く増加しており加速度的に問題となってきている。
【0005】本発明の目的は、光リーク電流を低減する
液晶ライトバルブを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】かかる光リーク電流の問
題に対して、図11に示すような液晶ライトバルブに係
る画素構造(参考例1)が本願と同一の出願人に係る先
願として考案されている(特願平11−243464
号)。これは、ゲート線104とデータ線103とをそ
れぞれ直交するようにマトリックス状に配し、ゲート線
104とデータ線103で区画される領域に画素電極で
あるITO106等の透明電極を、ゲート線104とデ
ータ線103との交差する部分にTFT(LDD部12
1及びチャネル部122)を、それぞれ形成したもので
ある。
【0007】データ線103には、TFTのソース領域
に信号供給するためのデータ線−TFTコンタクト10
7が形成されており、画素電極であるITO106とド
レイン電極125とは、ITO−TFTコンタクト10
8で接続されている。また、TFTのチャネル部122
とソース・ドレイン電極125との間にはLDD領域1
21が形成されている。ガラス基板等の透明絶縁性基板
上に下地絶縁膜を介して形成される裏面遮光膜112と
TFT上部に設けられたブラックマトリックス105を
有する。TFT上のデータ線103をTFT裏面遮光膜
112と同様の幅にすることによって、TFTのチャネ
ル部122及びLDD部121に入射される光を低減し
ている。
【0008】しかしながら、図11(B)に示すよう
に、このデータ線103と裏面遮光膜112の間に光1
24が入射した場合に反射を繰り返してTFT部分に光
が照射されてしまう。つまり、金属層であるデータ線1
03及び裏面遮光膜112は反射率が高いため、この隙
間に光124が入り込んだ場合には、直接或いは反射を
繰り返してTFT(LDD部121)まで光が到達して
しまうという問題がなおある。
【0009】また、かかる光リーク電流の問題に対し
て、さらに、図12に示すような液晶ライトバルブに係
る画素構造(参考例2)が本願と同一の出願人に係る先
願として考案されている(特願2000−17071
号)。図13にこのポリシリコン層のパターンを示す。
また、図12のF−F’の断面図を図14に示す。図1
3に示すようにTFTのチャネル部122及びLDD部
121の両脇に配置されたポリシリコン層119によっ
て、図14に示すようにブラックマトリックス105と
裏面遮光膜112の間に入射してきた直接光123及び
反射光124を吸収する構造となっている。このポリシ
リコン層119は、図13に示すようなフローティング
構造となっている。
【0010】しかしながら、フローティング構造のポリ
シリコン層119をTFTのチャネル部122及びLD
D部121の両脇に配置しているため、蓄積容量及び開
口率を大きくしようとしても、蓄積容量と開口率とのト
レードオフの関係によって、どちらか一方しか大きくす
ることができないという問題がある。つまり、蓄積容量
を大きくすると、開口率が小さくなるからである。この
ポリシリコン層119は、フローティング構造であるた
め、電気的には画素の特性に寄与していない。
【0011】なお、上述の参考例1、2の出願の全記載
内容は、本書に繰込むものとし、必要に応じ記載されて
いるものとみなされる。
【0012】本発明の第1の視点においては、透明絶縁
性基板上に積層する裏面遮光膜と、前記裏面遮光膜上の
領域内に第1層間膜を介して形成され、LDD領域及び
ソース/ドレイン領域を有するSi半導体層からなる薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上にゲート
絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電
極の上層に第2層間膜を介して積層するとともに、前記
薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域と接続するデ
ータ線と、前記データ線の上層に第3層間絶縁膜を介し
て形成されるブラックマトリックス層と、前記ブラック
マトリックス層の上層に第4層間絶縁膜を介して形成さ
れ、前記薄膜トランジスタの他のソース/ドレイン領域
に接続される画素電極と、を備える液晶ライトバルブに
おいて、前記薄膜トランジスタの周囲における所定の位
置に所定の間隔をおいて蓄積容量を配設することを特徴
とする。この基本構成によって画素の開口率を低減させ
ることなく蓄積容量を増加でき、これによって光リーク
電流を有効に低減できる。
【0013】本発明の第2の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記蓄積容量は、前記薄膜トラ
ンジスタのうち少なくとも前記LDD領域の周囲に所定
の間隔をおいて配設されることが好ましい。
【0014】本発明の第3の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記蓄積容量は、前記薄膜トラ
ンジスタの周囲全体を所定の間隔をおいて配設されるこ
とが好ましい。
【0015】本発明の第4の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記蓄積容量は、少なくとも前
記LDD領域の周囲又は前記薄膜トランジスタの周囲全
体を取り囲むようにして配設されることが好ましい。
【0016】本発明の第5の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記蓄積容量は、前記第1層間
膜と前記ゲート絶縁膜の間に形成された前記薄膜トラン
ジスタの電極部分であるSi半導体層であることが好ま
しい。
【0017】本発明の第6の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記蓄積容量は、前記ゲート絶
縁膜と第2層間膜の間に形成されるとともに、前記ゲー
ト電極と分離してこの周囲を取り囲むシリサイド層であ
ることが好ましい。
【0018】本発明の第7の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記シリサイド層は、WSi層
であることが好ましい。
【0019】本発明の第8の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記シリサイド層は、前記ゲー
ト電極を形成する工程と同一工程で形成されることが好
ましい。
【0020】本発明の第9の視点においては、前記液晶
ライトバルブにおいて、前記透明絶縁性基板と前記裏面
遮光膜の間に下地絶縁膜を形成することが好ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】透明絶縁性基板上に積層する裏面
遮光膜と、前記裏面遮光膜上の領域内に第1層間膜を介
して形成され、LDD領域及びソース/ドレイン領域を
有するSi半導体層からなる薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタの上にゲート絶縁膜を介して形成され
るゲート電極と、前記ゲート電極の上層に第2層間膜を
介して積層するとともに、前記薄膜トランジスタのソー
ス/ドレイン領域と接続するデータ線と、前記データ線
の上層に第3層間絶縁膜を介して形成されるブラックマ
トリックス層と、前記ブラックマトリックス層の上層に
第4層間絶縁膜を介して形成され、前記薄膜トランジス
タの他のソース/ドレイン領域に接続される画素電極
と、を備える液晶ライトバルブにおいて、前記薄膜トラ
ンジスタの周囲における所定の位置に所定の間隔をおい
て蓄積容量を配設することにより、蓄積容量は光源から
の直接入射光とレンズに反射した反射光を吸収し、画素
TFTのチャネル及びLDD部或いはLDD部に照射さ
れるのを防止する役割を果たす。
【0022】
【実施例】本発明の実施例を図面を用いて説明する。図
1は、本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブの構造
を模式的に示した平面図である。図2は、本発明の実施
例1に係る液晶ライトバルブの構造を示した模式図であ
り、(A)は図1におけるA−A’間断面図、(B)は
図1におけるB−B’間断面図である。
【0023】図3及び図4は、本発明の実施例1に係る
液晶ライトバルブの断面A−A’間におけるデータ線形
成までの製造プロセスの工程図である。まず、ガラス基
板10上にガラスからの不純物混入を防止するためSi
2などで下地絶縁膜11を形成する(図3(A)参
照)。次に、下地絶縁膜11上にTFTの裏面遮光膜1
2を形成する(図3(B)参照)。膜厚は160nm程
度で十分に遮光効果がある。材質は遮光できればどのよ
うなものでも良いが、ポリシリコン形成時にアニールす
るため熱に強いWSiなどで形成することが好ましい。
次に、裏面遮光膜12の上にSiO2等で第一層間膜1
3を形成する(図3(C)参照)。次に、第一層間膜1
3上にポリシリコン層19を形成する(図3(D)参
照)。アモルファスシリコン層を成膜した後、レーザー
アニール工程を加え、更に、フォトリソグラフィ工程と
エッチング工程を行い、図5に示すような構造にポリシ
リコン層19を加工する。
【0024】図5は、本発明の実施例1に係る液晶ライ
トバルブにおけるポリシリコン層のパターンである。図
5の丸で囲んだ部分に示すようにTFT1のチャネル部
22及びLDD部21の周辺を蓄積容量のTFT側の電
極部分であるポリシリコン層19で取り囲んでいる。
【0025】図4(E)を参照すると、このポリシリコ
ン19をゲート絶縁膜14で覆って成膜する。さらにゲ
ート電極となるWSi20を成膜する(図4(F)参
照)。WSi20をフォトリソグラフィ工程とエッチン
グ工程で図6の様に加工する。
【0026】ゲート電極18以外のWSiはポリシリコ
ン層と対になり蓄積容量を形成する(図2(A)の蓄積
容量2参照)。従って、図6のようにWSi20をパタ
ーニングすることにより、TFTのチャネル部及びLD
D部の周辺に形成されたポリシリコン層とともに蓄積容
量を形成することになる。
【0027】この後、不純物を注入してソース/ドレイ
ン領域及びLDD領域21を形成する(図5参照)。次
に、WSi20の上に第二層間膜15を形成する(図4
(G)参照)。次に、ゲート電極及びポリシリコン層と
データ線3(図4(H)参照)、ゲート線を接続するコ
ンタクトを形成し、データ線及びゲート線となる金属材
料、例えば、アルミニウム等を成膜し、パターニングす
る。この後、第三層間膜、ブラックマトリクスとなる金
属材料、第四層間膜、透明画素電極ITOを順次形成す
る(図示せず)。
【0028】前記のようなプロセスを行うことにより、
図2(A)、(B)の断面形状となる。図2(A)、
(B)は、それぞれTFT1の電極部分、LDD部ない
しチャネル部の断面図である。図2(A)、(B)にお
いて丸で囲んだ部分はポリシリコン層19とWSi層2
0とを有する蓄積容量2を形成しており、TFT1のチ
ャネル部ないしLDD部の周辺を蓄積容量2で取り囲む
構成となっている。
【0029】液晶プロジェクタでは、光源からの直接光
ばかりでなく裏面から反射光など強い光が液晶ライトバ
ルブに照射される。このため、直接あるいは反射を繰り
返してライトバルブの画素TFTのチャネル部或いはL
DD部に光が照射されてしまう。しかし、本実施例で
は、TFTのチャネル部22及びLDD部21をポリシ
リコン層19及びゲート層であるWSi20で囲んでい
るため、図2に示すように直接光23がTFT1のチャ
ネル部に照射されることはない。また、反射光24も入
射されにくく、入射された場合でもアルミニウム等の金
属に比べポリシリコン19は反射率が低いため、この層
で光が吸収される。従って、TFT1のチャネル部に到
達する光量を低減できる。
【0030】前記実施例で述べたように、TFTチャネ
ル部とLDD部に入射される光を抑制できる。従って、
画素TFTの光リーク電流を低減できるため、光リーク
電流に起因するコントラストの低下、フリッカ等の画質
劣化を防止できる。
【0031】TFTの周辺を覆っていたブラックマトリ
クス、或いは、フローティングのポリシリコン層、WS
iの部分にポリシリコン層とゲート層のWSiからなる
蓄積容量を形成しているため、画素の開口率を低減させ
ることなく、蓄積容量を増加させることができる。従っ
て、参考例1、2(図11−14参照)の構造より、T
FTの光リーク電流に対する影響を小さくすることがで
きる。また、この蓄積容量は、TFTの活性層並びにゲ
ート線をパターニングするときに同時に形成できるた
め、工程数の増加を招くことがない。
【0032】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
【0033】図7は、本発明の実施例2に係る液晶ライ
トバルブの構造を模式的に示した平面図である。図8
は、本発明の実施例2に係る液晶ライトバルブの構造を
示した模式図であり、(A)は図7におけるC−C’間
断面図、(B)は図7におけるD−D’間断面図であ
る。
【0034】図7は、TFT1をデータ線3及びゲート
電極4直下に配置しない場合の液晶ライトバルブのパタ
ーンである。LDD部21ないしチャネル部22の周辺
を蓄積容量2で取り囲んでいる(図8参照)。
【0035】製造工程は実施例1とほぼ同様である(図
3及び図4参照)。まず、ガラス基板10上にガラスか
らの不純物混入を防止するためSiO2などで下地絶縁
膜11を形成する(図3(A)参照)。次に、下地絶縁
膜11上にTFTの裏面遮光膜12を形成する(図3
(B)参照)。膜厚は160nm程度で十分に遮光効果
がある。材質は遮光できればどのようなものでも良い
が、ポリシリコン形成時にアニールするため熱に強いW
Siなどで形成することが好ましい。次に、裏面遮光膜
の上にSiO2等で第一層間膜13を形成する(図3
(C)参照)。次に、ポリシリコン層19を形成する
(図3(D)参照、ただし、形成パターンは異なる)。
アモルファスシリコン層を成膜した後、レーザーアニー
ル工程を加え、更に、フォトリソグラフィ工程とエッチ
ング工程を行い、図9に示すような構造にポリシリコン
層19を加工する。
【0036】図9において丸で囲んだ部分に示すように
TFT1のLDD部21の周辺を蓄積容量のTFT側の
電極部分であるポリシリコン層19で取り囲んでいる。
このポリシリコン層19を覆ってゲート絶縁膜14を成
膜する(図4(E)参照)。さらにゲート電極となるW
Si20を成膜する(図4(E)参照、ただし、形成パ
ターンは異なる)。WSi20をフォトリソグラフィ工
程とエッチング工程で図10のように加工する。図10
のようにWSi20をパターニングすることにより、T
FTのLDD部21の周辺をポリシリコン19とWSi
20とを有する蓄積容量2で取り囲むことになる(図8
(A)参照)。
【0037】この後、不純物を注入してソース/ドレイ
ン領域及びLDD領域21を形成した後(図9参照)、
不純物の活性化アニールを行う。次に、WSi20上に
第二層間膜15を形成する(図4(G)参照)。次に、
ゲート電極及びポリシリコン層とデータ線3(図4
(H)参照)、ゲート線を接続するコンタクトを形成
し、データ線及びゲート線となる金属材料、例えば、ア
ルミニウム等を成膜し、パターニングする。この後、第
三層間膜、ブラックマトリクスとなる金属材料、第四層
間膜、透明画素電極ITOを順次形成する(図示せ
ず)。
【0038】前記のようなプロセスを行うことにより、
図8(A)、(B)の断面形状となる。図8(A)、
(B)は、それぞれTFT1の電極部分、LDD部ない
しチャネル部の断面図である。図8(A)、(B)にお
ける丸で囲んだ部分はポリシリコン層19とWSi層2
0で蓄積容量23を形成している。図8(B)に示すよ
うにチャネル部22は周辺を蓄積容量23で取り囲んで
はいないが、図8(A)ではTFTのLDD部21周辺
を蓄積容量2で取り囲む構成となっている。
【0039】本実施例では、図7のようにTFT1(L
DD部及びチャネル部含む)を蓄積容量(ポリシリコン
層19及びWSi層20、図9及び図10参照)で囲ん
でいるため、図8(A)に示すように直接光23がTF
TのLDD部21に照射されることはない。また、LD
D部21には反射光24も入射されにくく、入射された
場合でもアルミニウム等の金属に比べポリシリコン19
は反射率が低いため、これらの層で光が吸収される。従
って、TFTのLDD部に到達する光量を低減できる。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、TFTのチャネル部と
LDD部に入射される光を抑制できる。従って、画素T
FTの光リーク電流を低減できるため、光リーク電流に
起因するコントラストの低下、フリッカ等の画質劣化を
防止できる。
【0041】画素TFTのLDD部が最も光に対する感
度が高い部分であるが、本発明によって、LDD部に入
射される光を抑制するだけでもTFTの光リークには効
果がある。このため、LDD部に入射される光を抑制す
ることによって、画素TFTの光リーク電流を低減でき
る。従って、TFTの光リークに起因する画質低下を防
止できる。
【0042】また、本発明によれば、開口率を必要以上
に低減することなく蓄積容量を増加できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブの構
造を模式的に示した平面図である。
【図2】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブの構
造を示した模式図であり、(A)は図1におけるA−
A’間断面図、(B)は図1におけるB−B’間断面図
である。
【図3】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブの断
面A−A’間におけるデータ線形成までの製造プロセス
の工程図である(前半)。
【図4】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブの断
面A−A’間におけるデータ線形成までの製造プロセス
の工程図である(後半)。
【図5】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブにお
けるポリシリコン層のパターンである。
【図6】本発明の実施例1に係る液晶ライトバルブにお
けるWSi層のパターンである。
【図7】本発明の実施例2に係る液晶ライトバルブの構
造を模式的に示した平面図である。
【図8】本発明の実施例2に係る液晶ライトバルブの構
造を示した模式図であり、(A)は図7におけるC−
C’間断面図、(B)は図7におけるD−D’間断面図
である。
【図9】本発明の実施例2に係る液晶ライトバルブにお
けるポリシリコン層のパターンである。
【図10】本発明の実施例2に係る液晶ライトバルブに
おけるWSi層のパターンである。
【図11】参考例1に係る液晶ライトバルブの構造を模
式図であり、(A)は平面図、(B)はE−E’間の断
面図である。
【図12】参考例2に係る液晶ライトバルブの構造を模
式的に示した平面図である。
【図13】参考例2に係る液晶ライトバルブにおけるポ
リシリコン層のパターンである。。
【図14】参考例2に係る液晶ライトバルブの構造を模
式的に示したE−E’間の断面図である。
【符号の説明】
1、101 TFT 2 蓄積容量 3、103 データ線 4、104 ゲート線 5、105 ブラックマトリクス 6、106 ITO 7、107 データ線−TFTコンタクト 8、108 ITO−TFTコンタクト 9 ゲート線−ゲート電極コンタクト 10、110 ガラス基板 11、111 下地絶縁膜 12、112 裏面遮光膜 13、113 第一層間膜 14、114 ゲート絶縁膜 15、115 第二層間膜 16、116 第三層間膜 17、117 第四層間膜 18 ゲート電極 19、119 ポリシリコン 20 WSi 21、121 LDD部 22、122 チャネル部 23、123 直接光 24、124 反射光 125 ドレイン電極
フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 EA17 HA04 HA08 HA09 MA01 MA20 2H092 HA06 JA24 JA34 JA41 JB63 KA04 KA05 KB04 KB25 MA13 MA30 NA01 NA07 NA21 PA09 RA05 5C094 AA10 AA25 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EA07 EB02 EB05 ED15 5F110 AA06 AA30 BB01 CC02 DD02 DD13 EE05 GG02 GG13 HJ13 HJ23 HL03 HM15 NN02 NN23 NN45 NN48 NN72 PP03 QQ11

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明絶縁性基板上に積層する裏面遮光膜
    と、 前記裏面遮光膜上の領域内に第1層間膜を介して形成さ
    れ、LDD領域及びソース/ドレイン領域を有するSi
    半導体層からなる薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタの上にゲート絶縁膜を介して形成
    されるゲート電極と、 前記ゲート電極の上層に第2層間膜を介して積層すると
    ともに、前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域
    と接続するデータ線と、 前記データ線の上層に第3層間絶縁膜を介して形成され
    るブラックマトリックス層と、 前記ブラックマトリックス層の上層に第4層間絶縁膜を
    介して形成され、前記薄膜トランジスタの他のソース/
    ドレイン領域に接続される画素電極と、を備える液晶ラ
    イトバルブにおいて、 前記薄膜トランジスタの周囲における所定の位置に所定
    の間隔をおいて蓄積容量を配設することを特徴とする液
    晶ライトバルブ。
  2. 【請求項2】前記蓄積容量は、前記薄膜トランジスタの
    うち少なくとも前記LDD領域の周囲に所定の間隔をお
    いて配設されることを特徴とする請求項1記載の液晶ラ
    イトバルブ。
  3. 【請求項3】前記蓄積容量は、前記薄膜トランジスタの
    周囲全体を所定の間隔をおいて配設されることを特徴と
    する請求項1記載の液晶ライトバルブ。
  4. 【請求項4】前記蓄積容量は、少なくとも前記LDD領
    域の周囲又は前記薄膜トランジスタの周囲全体を取り囲
    むようにして配設されることを請求項1乃至3のいずれ
    か一に記載の液晶ライトバルブ。
  5. 【請求項5】前記蓄積容量は、前記第1層間膜と前記ゲ
    ート絶縁膜の間に形成された前記薄膜トランジスタの電
    極部分であるSi半導体層であることを特徴とする請求
    項1乃至4のいずれか一に記載の液晶ライトバルブ。
  6. 【請求項6】前記蓄積容量は、前記ゲート絶縁膜と第2
    層間膜の間に形成されるとともに、前記ゲート電極と分
    離してこの周囲を取り囲むシリサイド層であることを特
    徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の液晶ライ
    トバルブ。
  7. 【請求項7】前記シリサイド層は、WSi層であること
    を特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載の液晶
    ライトバルブ。
  8. 【請求項8】前記シリサイド層は、前記ゲート電極を形
    成する工程と同一工程で形成されることを特徴とする請
    求項6又は7のいずれか記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】前記透明絶縁性基板と前記裏面遮光膜の間
    に下地絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1乃至
    8のいずれか一に記載の液晶ライトバルブ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101338107B1 (ko) 2006-12-14 2013-12-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR101358220B1 (ko) * 2007-02-20 2014-02-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP2016048706A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 三菱電機株式会社 アレイ基板およびその製造方法
JPWO2018198710A1 (ja) * 2017-04-27 2020-03-05 ソニー株式会社 液晶表示パネルおよび電子機器
JP2020160208A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101338107B1 (ko) 2006-12-14 2013-12-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR101358220B1 (ko) * 2007-02-20 2014-02-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
JP2016048706A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 三菱電機株式会社 アレイ基板およびその製造方法
JPWO2018198710A1 (ja) * 2017-04-27 2020-03-05 ソニー株式会社 液晶表示パネルおよび電子機器
JP7110182B2 (ja) 2017-04-27 2022-08-01 ソニーグループ株式会社 液晶表示パネルおよび電子機器
JP2020160208A (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

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