JPH10261561A - 露光制御方法及びその装置 - Google Patents
露光制御方法及びその装置Info
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- JPH10261561A JPH10261561A JP9064479A JP6447997A JPH10261561A JP H10261561 A JPH10261561 A JP H10261561A JP 9064479 A JP9064479 A JP 9064479A JP 6447997 A JP6447997 A JP 6447997A JP H10261561 A JPH10261561 A JP H10261561A
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- Japan
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- stage
- vibration
- shutter
- exposure
- axis
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、シャッター開放動作中又は露光中に
もステージの振動をモニターして露光の信頼性を向上さ
せる。 【解決手段】X軸ステージ3のステッピング動作後にお
けるシャッター開放期間B及び露光期間CにX軸ステー
ジ3の振動をレーザコントローラ20でモニタし、この
X軸ステージ3の振動のモニタ値が規定値以上になる
と、コンピュータ21によってシャッター16を閉制御
する。
もステージの振動をモニターして露光の信頼性を向上さ
せる。 【解決手段】X軸ステージ3のステッピング動作後にお
けるシャッター開放期間B及び露光期間CにX軸ステー
ジ3の振動をレーザコントローラ20でモニタし、この
X軸ステージ3の振動のモニタ値が規定値以上になる
と、コンピュータ21によってシャッター16を閉制御
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ステッパー露光に
おける半導体ウエハ等の被処理体を載置してステッピン
グ動作するステージの振動をモニタする露光制御方法及
びその装置に関する。
おける半導体ウエハ等の被処理体を載置してステッピン
グ動作するステージの振動をモニタする露光制御方法及
びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5はステッパー露光装置の概略構成図
である。基台1上には、Y軸ステージ2及びX軸ステー
ジ3がそれぞれY軸方向、X軸方向に移動自在に設けら
れている。これらY軸ステージ2及びX軸ステージ3に
は、それぞれ送りねじ5a、5bを介してY軸用、X軸
用の各DCサーボモータ4、5が連結され、これらDC
サーボモータ4、5がステッピング動作制御されるよう
になっている。なお、これらDCサーボモータ4、5の
うちDCサーボモータ5には、タコジェネレータ6a、
6bが接続されている。
である。基台1上には、Y軸ステージ2及びX軸ステー
ジ3がそれぞれY軸方向、X軸方向に移動自在に設けら
れている。これらY軸ステージ2及びX軸ステージ3に
は、それぞれ送りねじ5a、5bを介してY軸用、X軸
用の各DCサーボモータ4、5が連結され、これらDC
サーボモータ4、5がステッピング動作制御されるよう
になっている。なお、これらDCサーボモータ4、5の
うちDCサーボモータ5には、タコジェネレータ6a、
6bが接続されている。
【0003】一方、レーザ測長システムとしてレーザヘ
ッド7が設けられ、このレーザヘッド7から出力される
レーザビームの光路上には、各ミラー8〜10などを介
してY軸干渉計11及びX軸干渉計12が設けられてい
る。
ッド7が設けられ、このレーザヘッド7から出力される
レーザビームの光路上には、各ミラー8〜10などを介
してY軸干渉計11及びX軸干渉計12が設けられてい
る。
【0004】又、X軸ステージ3上には、Y軸干渉計1
1とX軸干渉計12とに対向する位置にそれぞれ平面鏡
13、14が配置されている。これにより、Y軸干渉計
11は、レーザヘッド7からのレーザビームを平面鏡1
3に送るとともに、この平面鏡13からの反射レーサビ
ームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザビー
ムと反射レーサビームとの干渉を得て、この干渉縞の強
度に応じたパルス信号、すなわちY軸ステージ2のy軸
位置に対応するパルス信号を出力する機能を有してい
る。
1とX軸干渉計12とに対向する位置にそれぞれ平面鏡
13、14が配置されている。これにより、Y軸干渉計
11は、レーザヘッド7からのレーザビームを平面鏡1
3に送るとともに、この平面鏡13からの反射レーサビ
ームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザビー
ムと反射レーサビームとの干渉を得て、この干渉縞の強
度に応じたパルス信号、すなわちY軸ステージ2のy軸
位置に対応するパルス信号を出力する機能を有してい
る。
【0005】又、X軸干渉計12は、レーザヘッド7か
らのレーザビームを平面鏡14に送るとともに、この平
面鏡14からの反射レーサビームを入射し、これらレー
ザヘッド7からのレーザビームと反射レーサビームとの
干渉を得て、この干渉縞の強度に応じたパルス信号、す
なわちX軸ステージ3のx軸位置に対応するパルス信号
を出力する機能を有している。
らのレーザビームを平面鏡14に送るとともに、この平
面鏡14からの反射レーサビームを入射し、これらレー
ザヘッド7からのレーザビームと反射レーサビームとの
干渉を得て、この干渉縞の強度に応じたパルス信号、す
なわちX軸ステージ3のx軸位置に対応するパルス信号
を出力する機能を有している。
【0006】これらXY軸ステージ3、2の上方には、
露光用光を出射する記録光学系15が配置され、かつこ
の記録光学系15の光路上には、シャッター16が配置
されている。
露光用光を出射する記録光学系15が配置され、かつこ
の記録光学系15の光路上には、シャッター16が配置
されている。
【0007】なお、記録光学系15の光路上には、縮小
光学系などが配置されているが、ここでは省略してあ
る。このような構成であれば、X軸ステージ3上には、
被処理体として例えばレジストパターンの形成された半
導体ウエハ17が載置される。
光学系などが配置されているが、ここでは省略してあ
る。このような構成であれば、X軸ステージ3上には、
被処理体として例えばレジストパターンの形成された半
導体ウエハ17が載置される。
【0008】X軸ステージ3は、X軸用DCサーボモー
タ5に対するステッピング動作制御により図6に示すよ
うにx軸方向に所定距離ずつステッピング移動する。こ
のようにX軸ステージ3がx軸方向にステッピング移動
する毎に、このステッピング移動後の一定時間中にX軸
ステージ3の振動のp−p値(ピーク−ピーク値)が一
定値以下であるかが判定される。
タ5に対するステッピング動作制御により図6に示すよ
うにx軸方向に所定距離ずつステッピング移動する。こ
のようにX軸ステージ3がx軸方向にステッピング移動
する毎に、このステッピング移動後の一定時間中にX軸
ステージ3の振動のp−p値(ピーク−ピーク値)が一
定値以下であるかが判定される。
【0009】すなわち、図7はX軸ステージ3の1ステ
ッピング移動、例えば図6に示すX軸ステージ3の1ス
テッピング移動SにおけるX軸テーブル3の挙動を示し
ている。
ッピング移動、例えば図6に示すX軸ステージ3の1ス
テッピング移動SにおけるX軸テーブル3の挙動を示し
ている。
【0010】X軸ステージ3は、そのステージ特性とし
て1ステッピング移動後に振動が生じるために、ステー
ジの静止判定期間(例えば10ms)Aを設け、この静
止判定期間AでX軸ステージの振動のp−p値が一定値
以下であるかが判断される。
て1ステッピング移動後に振動が生じるために、ステー
ジの静止判定期間(例えば10ms)Aを設け、この静
止判定期間AでX軸ステージの振動のp−p値が一定値
以下であるかが判断される。
【0011】この静止判定期間Aでは、具体的にX軸干
渉計12は、レーザヘッド7からのレーザビームを平面
鏡14に送るとともに、この平面鏡14からの反射レー
サビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザ
ビームと反射レーザビームとの干渉を得て、X軸ステー
ジ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力する。
渉計12は、レーザヘッド7からのレーザビームを平面
鏡14に送るとともに、この平面鏡14からの反射レー
サビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザ
ビームと反射レーザビームとの干渉を得て、X軸ステー
ジ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力する。
【0012】従って、このX軸干渉計12から出力され
るX軸ステージ12のx軸位置に対応するパルス信号に
基づいてX軸ステージの振動のp−p値が一定値以下で
あるかが判断され、このp−p値が一定値以下であれ
ば、ステッピング動作の終了と判定される。
るX軸ステージ12のx軸位置に対応するパルス信号に
基づいてX軸ステージの振動のp−p値が一定値以下で
あるかが判断され、このp−p値が一定値以下であれ
ば、ステッピング動作の終了と判定される。
【0013】このステッピング動作終了の判定の後、シ
ャッター開放期間B(例えば40ms)においてシャッ
ター16が開放され、この後、露光期間C(例えば20
0ms)において記録光学系15から露光用光が出射さ
れる。この露光用光は、縮小光学系により縮小されて、
レジストパターンの形成された半導体ウエハ17に投影
される。これ以降、X軸ステージ3がステッピング動作
終了毎に以上の動作が繰り返し行われる。
ャッター開放期間B(例えば40ms)においてシャッ
ター16が開放され、この後、露光期間C(例えば20
0ms)において記録光学系15から露光用光が出射さ
れる。この露光用光は、縮小光学系により縮小されて、
レジストパターンの形成された半導体ウエハ17に投影
される。これ以降、X軸ステージ3がステッピング動作
終了毎に以上の動作が繰り返し行われる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
テッパー露光装置では、X軸ステージ3が静止したのを
判定した後に、シャッター16の開放、露光処理を行っ
ているものの、これらシャッター開放期間B、露光期間
CにおいてはX軸ステージ3の振動をモニターしておら
ず、これら期間におけるX軸ステージ3の挙動がわから
ない。
テッパー露光装置では、X軸ステージ3が静止したのを
判定した後に、シャッター16の開放、露光処理を行っ
ているものの、これらシャッター開放期間B、露光期間
CにおいてはX軸ステージ3の振動をモニターしておら
ず、これら期間におけるX軸ステージ3の挙動がわから
ない。
【0015】このため、シャッター開放動作中又は露光
中に、外乱などに起因するX軸ステージ3の振動がある
と、このときのX軸ステージ3の振動によるレジストパ
ターンの乱れを把握できない問題がある。
中に、外乱などに起因するX軸ステージ3の振動がある
と、このときのX軸ステージ3の振動によるレジストパ
ターンの乱れを把握できない問題がある。
【0016】そこで本発明は、シャッター開放動作中又
は露光中にもステージの振動をモニターして露光の信頼
性を向上できる露光制御方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
は露光中にもステージの振動をモニターして露光の信頼
性を向上できる露光制御方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、被処
理体が載置されたステージをステッピング動作し、これ
らステッピング動作毎におけるステージの静止後にシャ
ッターを開放し、被処理体に対して露光を開始するプロ
セスを繰り返す露光制御方法において、ステージのステ
ッピング動作後にステージの振動をモニタし、このステ
ージの振動のモニタ値に応じてシャッターを開閉制御す
る露光制御方法である。
理体が載置されたステージをステッピング動作し、これ
らステッピング動作毎におけるステージの静止後にシャ
ッターを開放し、被処理体に対して露光を開始するプロ
セスを繰り返す露光制御方法において、ステージのステ
ッピング動作後にステージの振動をモニタし、このステ
ージの振動のモニタ値に応じてシャッターを開閉制御す
る露光制御方法である。
【0018】請求項2によれば、請求項1記載の露光制
御方法において、ステージのステッピング動作後におけ
るシャッター開放動作中及び被処理体に対する露光動作
中にステージの振動をモニタし、このステージの振動の
モニタ値に応じてシャッターを開閉制御する。
御方法において、ステージのステッピング動作後におけ
るシャッター開放動作中及び被処理体に対する露光動作
中にステージの振動をモニタし、このステージの振動の
モニタ値に応じてシャッターを開閉制御する。
【0019】請求項3によれば、請求項1又は2記載の
露光制御方法において、ステージの振動をモニタし、こ
のステージの振動が規定値以上になるとシャッターを閉
制御する。
露光制御方法において、ステージの振動をモニタし、こ
のステージの振動が規定値以上になるとシャッターを閉
制御する。
【0020】請求項4によれば、被処理体が載置された
ステージをステッピング動作し、これらステッピング動
作毎におけるステージの静止後にシャッターを開放し、
被処理体に対して露光を開始するプロセスを繰り返す露
光制御装置において、ステージのステッピング動作後に
ステージの振動をモニタする振動モニタ手段と、この振
動モニタ手段によるステージの振動のモニタ値に応じて
シャッターを開閉制御するシャッター制御手段と、を備
えた露光制御装置である。
ステージをステッピング動作し、これらステッピング動
作毎におけるステージの静止後にシャッターを開放し、
被処理体に対して露光を開始するプロセスを繰り返す露
光制御装置において、ステージのステッピング動作後に
ステージの振動をモニタする振動モニタ手段と、この振
動モニタ手段によるステージの振動のモニタ値に応じて
シャッターを開閉制御するシャッター制御手段と、を備
えた露光制御装置である。
【0021】請求項5によれば、請求項4記載の露光制
御装置において、振動モニタ手段は、ステージのステッ
ピング動作後におけるシャッター開放動作中及び被処理
体に対する露光動作中にステージの振動をモニタする機
能を有する。
御装置において、振動モニタ手段は、ステージのステッ
ピング動作後におけるシャッター開放動作中及び被処理
体に対する露光動作中にステージの振動をモニタする機
能を有する。
【0022】請求項6によれば、請求項4記載の露光制
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動が規定値以上にな
ると、このときのステージ位置を記憶する機能を有す
る。
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動が規定値以上にな
ると、このときのステージ位置を記憶する機能を有す
る。
【0023】請求項7によれば、請求項4記載の露光制
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動が規定値以上にな
ると、シャッターを所定期間だけ閉制御する。
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動が規定値以上にな
ると、シャッターを所定期間だけ閉制御する。
【0024】請求項8によれば、請求項4記載の露光制
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動について、ステー
ジの初期振動とステージの振動の減衰係数とに基づいて
ステージの振動の時間プロファイルを推測し、被処理体
の露光に影響を与える場合にシャッターを閉制御する。
御装置において、シャッター制御手段は、振動モニタ手
段によりモニタされたステージの振動について、ステー
ジの初期振動とステージの振動の減衰係数とに基づいて
ステージの振動の時間プロファイルを推測し、被処理体
の露光に影響を与える場合にシャッターを閉制御する。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。本発明の露光制御方法
は、例えば半導体ウエハが載置されたX軸ステージをス
テッピング動作し、これらステッピング動作毎における
X軸ステージの静止後にシャッターを開放し、半導体ウ
エハに対して露光を開始するプロセスを繰り返す場合、
X軸ステージのステッピング動作後にステージの振動を
モニタし、このX軸ステージの振動のモニタ値に応じて
シャッターを開閉制御する、具体的にはX軸ステージの
ステッピング動作後におけるシャッター開放動作中及び
半導体ウエハに対する露光動作中にX軸ステージの振動
をモニタし、このX軸ステージの振動のモニタ値に応じ
てシャッターを開閉制御する、例えばX軸ステージの振
動が規定値以上になるとシャッターを閉制御する。
いて図面を参照して説明する。本発明の露光制御方法
は、例えば半導体ウエハが載置されたX軸ステージをス
テッピング動作し、これらステッピング動作毎における
X軸ステージの静止後にシャッターを開放し、半導体ウ
エハに対して露光を開始するプロセスを繰り返す場合、
X軸ステージのステッピング動作後にステージの振動を
モニタし、このX軸ステージの振動のモニタ値に応じて
シャッターを開閉制御する、具体的にはX軸ステージの
ステッピング動作後におけるシャッター開放動作中及び
半導体ウエハに対する露光動作中にX軸ステージの振動
をモニタし、このX軸ステージの振動のモニタ値に応じ
てシャッターを開閉制御する、例えばX軸ステージの振
動が規定値以上になるとシャッターを閉制御する。
【0026】図1はかかる露光制御方法を適用した露光
装置の構成図である。なお、図5と同一部分には同一符
号を付してその詳しい説明は省略する。XY軸ステージ
3、2の振動をモニタする振動モニタ手段としては、上
記レーザ測長システムと、このレーザ測長システムのY
軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される各パルス信
号を取り込んでXY軸ステージ3、2の各位置を求める
レーザコントローラ20とから構成されている。
装置の構成図である。なお、図5と同一部分には同一符
号を付してその詳しい説明は省略する。XY軸ステージ
3、2の振動をモニタする振動モニタ手段としては、上
記レーザ測長システムと、このレーザ測長システムのY
軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される各パルス信
号を取り込んでXY軸ステージ3、2の各位置を求める
レーザコントローラ20とから構成されている。
【0027】このレーザコントローラ20は、具体的に
Y軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される各パルス
信号を取り込み、これらパルス信号をアップダウンカウ
ントすることによりXY軸ステージ3、2の各位置を求
める機能を有している。
Y軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される各パルス
信号を取り込み、これらパルス信号をアップダウンカウ
ントすることによりXY軸ステージ3、2の各位置を求
める機能を有している。
【0028】又、レーザコントローラ20は、XY軸ス
テージ3、2のステッピング動作後におけるシャッター
16の開放動作中及び半導体ウエハ17に対する露光動
作中に、Y軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される
各パルス信号を取り込んでXY軸ステージ3、2の振動
をモニタする機能を有している。
テージ3、2のステッピング動作後におけるシャッター
16の開放動作中及び半導体ウエハ17に対する露光動
作中に、Y軸干渉計11及びX軸干渉計から出力される
各パルス信号を取り込んでXY軸ステージ3、2の振動
をモニタする機能を有している。
【0029】なお、上記レーザ測長システムは、レーザ
ヘッド7と、このレーザヘッド7から出力されるレーザ
ビームの光路上に配置された各ミラー8〜10と、Y軸
干渉計11及びX軸干渉計12とから構成されている。
ヘッド7と、このレーザヘッド7から出力されるレーザ
ビームの光路上に配置された各ミラー8〜10と、Y軸
干渉計11及びX軸干渉計12とから構成されている。
【0030】コンピュータ21は、レーザコントローラ
20によりモニタされたXY軸ステージ3、2の振動を
取り込み、これらXY軸ステージ3、2の振動、特にス
テッピング動作後のX軸ステージ3の振動のモニタ値に
応じてシャッター16を開閉制御するシャッター制御手
段22の機能を有している。
20によりモニタされたXY軸ステージ3、2の振動を
取り込み、これらXY軸ステージ3、2の振動、特にス
テッピング動作後のX軸ステージ3の振動のモニタ値に
応じてシャッター16を開閉制御するシャッター制御手
段22の機能を有している。
【0031】このコンピュータ21におけるシャッター
制御手段22は、レーザコントローラ20によりモニタ
されたX軸ステージ3の振動が規定値以上になると、こ
のときのX軸ステージ位置をメモリ23に記憶し、かつ
シャッター16を所定期間だけ閉制御するシャッター制
御信号gをシャッター駆動系24に送出する機能を有し
ている。
制御手段22は、レーザコントローラ20によりモニタ
されたX軸ステージ3の振動が規定値以上になると、こ
のときのX軸ステージ位置をメモリ23に記憶し、かつ
シャッター16を所定期間だけ閉制御するシャッター制
御信号gをシャッター駆動系24に送出する機能を有し
ている。
【0032】このときのシャッター制御手段22は、レ
ーザコントローラ20によりモニタされたX軸ステージ
3の振動について、X軸ステージ3の初期振動とX軸ス
テージ3の振動の減衰係数とに基づいてX軸ステージ3
の振動の時間プロファイルを推測し、半導体ウエハ17
の露光に影響を与える場合にシャッター16を閉制御す
るシャッター制御信号gをシャッター駆動系24に送出
する機能となっている。
ーザコントローラ20によりモニタされたX軸ステージ
3の振動について、X軸ステージ3の初期振動とX軸ス
テージ3の振動の減衰係数とに基づいてX軸ステージ3
の振動の時間プロファイルを推測し、半導体ウエハ17
の露光に影響を与える場合にシャッター16を閉制御す
るシャッター制御信号gをシャッター駆動系24に送出
する機能となっている。
【0033】なお、コンピュータ21は、Y軸用、X軸
用の各DCサーボモータ4、5にそれぞれ駆動制御の指
令値を発してXY軸ステージ3、2を移動制御し、かつ
記録光学系15を動作制御する機能を有している。
用の各DCサーボモータ4、5にそれぞれ駆動制御の指
令値を発してXY軸ステージ3、2を移動制御し、かつ
記録光学系15を動作制御する機能を有している。
【0034】図2はかかるXY軸ステージ回りの機能構
成図である。なお、同図では説明の度合い上X軸ステー
ジ3回りのみを示してある。コンピュータ21から発せ
られるDCサーボモータ5の駆動制御の指令値が偏差器
25に入力している。
成図である。なお、同図では説明の度合い上X軸ステー
ジ3回りのみを示してある。コンピュータ21から発せ
られるDCサーボモータ5の駆動制御の指令値が偏差器
25に入力している。
【0035】この偏差器25には、レーザコントローラ
20によりモニタされたX軸ステージ3のステージ位置
(振動値)も入力している。この偏差器25は、コンピ
ュータ21から発せられた指令値とモニタされたX軸ス
テージ3のステージ位置とを比較し、これらの偏差をモ
ータドライバ26に送出する。
20によりモニタされたX軸ステージ3のステージ位置
(振動値)も入力している。この偏差器25は、コンピ
ュータ21から発せられた指令値とモニタされたX軸ス
テージ3のステージ位置とを比較し、これらの偏差をモ
ータドライバ26に送出する。
【0036】このモータドライバ26には、指令値とモ
ニタされたステージ位置との偏差の他に、DCサーボモ
ータ5に取り付けられたタコジェネレータ6からの位置
信号が入力するので、このモータドライバ26は、X軸
ステージ3の現在位置に対する指令値を加えた分だけD
Cサーボモータ5を駆動する、すなわちX軸ステージ3
を1ステッピング動作するものとなる。
ニタされたステージ位置との偏差の他に、DCサーボモ
ータ5に取り付けられたタコジェネレータ6からの位置
信号が入力するので、このモータドライバ26は、X軸
ステージ3の現在位置に対する指令値を加えた分だけD
Cサーボモータ5を駆動する、すなわちX軸ステージ3
を1ステッピング動作するものとなる。
【0037】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。X軸ステージ3上には、レジストパター
ンの形成された半導体ウエハ17が載置される。
いて説明する。X軸ステージ3上には、レジストパター
ンの形成された半導体ウエハ17が載置される。
【0038】Y軸ステージ2のy軸方向に対する位置決
めの後、コンピュータ21は、図6に示すようなX軸ス
テージ3をx軸方向にステッピング移動させる指令値を
発する。
めの後、コンピュータ21は、図6に示すようなX軸ス
テージ3をx軸方向にステッピング移動させる指令値を
発する。
【0039】一方、レーザヘッド7からのレーザビーム
が出力されると、このレーザビームは平面鏡14に到達
し、この平面鏡14で反射してX軸干渉計11に入射す
る。このX軸干渉計11は、レーザヘッド7からのレー
サビームを入射するとともに平面鏡14からの反射レー
ザビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザ
ビームと反射レーサビームとの干渉を得て、X軸ステー
ジ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力し、レー
ザコントローラ20に送る。
が出力されると、このレーザビームは平面鏡14に到達
し、この平面鏡14で反射してX軸干渉計11に入射す
る。このX軸干渉計11は、レーザヘッド7からのレー
サビームを入射するとともに平面鏡14からの反射レー
ザビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレーザ
ビームと反射レーサビームとの干渉を得て、X軸ステー
ジ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力し、レー
ザコントローラ20に送る。
【0040】レーザコントローラ20は、X軸干渉計か
ら出力されるパルス信号を取り込み、このパルス信号を
アップダウンカウントしてX軸ステージ3の位置を求め
る。しかるに、図2のXY軸ステージ回りの機能構成に
示すように、偏差器25は、コンピュータ21から発せ
られた指令値とモニタされたX軸ステージ3のステージ
位置とを比較し、これらの偏差をモータドライバ26に
送出する。
ら出力されるパルス信号を取り込み、このパルス信号を
アップダウンカウントしてX軸ステージ3の位置を求め
る。しかるに、図2のXY軸ステージ回りの機能構成に
示すように、偏差器25は、コンピュータ21から発せ
られた指令値とモニタされたX軸ステージ3のステージ
位置とを比較し、これらの偏差をモータドライバ26に
送出する。
【0041】このモータドライバ26は、X軸ステージ
3の現在位置に対する指令値を加えた分だけDCサーボ
モータ5を駆動し、X軸ステージ3を1ステッピング動
作する。
3の現在位置に対する指令値を加えた分だけDCサーボ
モータ5を駆動し、X軸ステージ3を1ステッピング動
作する。
【0042】このようにしてX軸ステージ3は、x軸方
向に所定間隔つづステッピング移動を繰り返す。このよ
うにX軸ステージ3がx軸方向にステッピング移動する
毎に、図3に示すようにステッピング移動後の静止判定
期間AにX軸ステージ3の振動のp−p値が一定値以
下、例えば静止判定期間幅10msにおいて0.8μm
以下であるかが判定される。
向に所定間隔つづステッピング移動を繰り返す。このよ
うにX軸ステージ3がx軸方向にステッピング移動する
毎に、図3に示すようにステッピング移動後の静止判定
期間AにX軸ステージ3の振動のp−p値が一定値以
下、例えば静止判定期間幅10msにおいて0.8μm
以下であるかが判定される。
【0043】すなわち、静止判定期間Aにおいて、X軸
干渉計12は、レーザヘッド7からのレーザビームを平
面鏡14に送るとともに、この平面鏡14からの反射レ
ーサビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレー
ザビームと反射レーサビームとの干渉を得て、X軸ステ
ージ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力する。
干渉計12は、レーザヘッド7からのレーザビームを平
面鏡14に送るとともに、この平面鏡14からの反射レ
ーサビームを入射し、これらレーザヘッド7からのレー
ザビームと反射レーサビームとの干渉を得て、X軸ステ
ージ12のx軸位置に対応するパルス信号を出力する。
【0044】レーザコントローラ20は、X軸干渉計か
ら出力されるパルス信号を取り込み、このパルス信号を
図4に示すようにアップダウンカウントしてX軸ステー
ジ3の位置すなわちX軸ステージ3の振動を求める。
ら出力されるパルス信号を取り込み、このパルス信号を
図4に示すようにアップダウンカウントしてX軸ステー
ジ3の位置すなわちX軸ステージ3の振動を求める。
【0045】これ以降、すなわち静止判定期間Aの経過
後におけるシャッター開放期間B(例えば40ms)、
露光期間C(例えば200ms)においても、レーザコ
ントローラ20は、X軸干渉計から出力されるパルス信
号を取り込み、このパルス信号をアップダウンカウント
してX軸ステージ3の振動を求める。
後におけるシャッター開放期間B(例えば40ms)、
露光期間C(例えば200ms)においても、レーザコ
ントローラ20は、X軸干渉計から出力されるパルス信
号を取り込み、このパルス信号をアップダウンカウント
してX軸ステージ3の振動を求める。
【0046】コンピュータ21は、レーザコントローラ
20によりモニタされたX軸ステージ3の振動を取り込
み、このX軸ステージの振動のp−p値が一定値以下で
あるかを判断し、このp−p値が一定値以下であれば、
ステッピング動作の終了と判定する。
20によりモニタされたX軸ステージ3の振動を取り込
み、このX軸ステージの振動のp−p値が一定値以下で
あるかを判断し、このp−p値が一定値以下であれば、
ステッピング動作の終了と判定する。
【0047】このステッピング動作終了の判定の後、コ
ンピュータ21は、シャッター開放期間Bにおいてシャ
ッター16を開放するシャッター制御信号gをシャッタ
ー駆動系24に送出する。これにより、シャッター16
は、開放される。
ンピュータ21は、シャッター開放期間Bにおいてシャ
ッター16を開放するシャッター制御信号gをシャッタ
ー駆動系24に送出する。これにより、シャッター16
は、開放される。
【0048】この後、露光期間Cにおいてコンピュータ
21は、記録光学系15を点灯動作させ、この記録光学
系15から露光用光を出射させる。この露光用光は、縮
小光学系により縮小されて、レジストパターンの形成さ
れた半導体ウエハ17に投影される。
21は、記録光学系15を点灯動作させ、この記録光学
系15から露光用光を出射させる。この露光用光は、縮
小光学系により縮小されて、レジストパターンの形成さ
れた半導体ウエハ17に投影される。
【0049】ところで、上記の如くレーザコントローラ
20は、静止判定期間Aの経過後のシャッター開放期間
B及び露光期間Cにおいても、X軸干渉計から出力され
るパルス信号を取り込み、このパルス信号をアップダウ
ンカウントしてX軸ステージ3の振動をモニタしてい
る。
20は、静止判定期間Aの経過後のシャッター開放期間
B及び露光期間Cにおいても、X軸干渉計から出力され
るパルス信号を取り込み、このパルス信号をアップダウ
ンカウントしてX軸ステージ3の振動をモニタしてい
る。
【0050】このシャッター開放期間B及び露光期間C
におけるX軸ステージ3の振動のモニタにより、例えば
図3に示すように露光期間Cに、外乱などに起因してX
軸ステージ3に振動が発生すると、コンピュータ21の
シャッター制御手段22は、レーザコントローラ20に
よりモニタされたX軸ステージ3の振動が規定値(例え
ば振動のp−pで1μm)以上であるか否かを判断し、
この規定値以上になると、このときのX軸ステージ位置
を製品のバックデータとするためにメモリ23に記憶す
る。
におけるX軸ステージ3の振動のモニタにより、例えば
図3に示すように露光期間Cに、外乱などに起因してX
軸ステージ3に振動が発生すると、コンピュータ21の
シャッター制御手段22は、レーザコントローラ20に
よりモニタされたX軸ステージ3の振動が規定値(例え
ば振動のp−pで1μm)以上であるか否かを判断し、
この規定値以上になると、このときのX軸ステージ位置
を製品のバックデータとするためにメモリ23に記憶す
る。
【0051】これと共にコンピュータ21のシャッター
制御手段22は、X軸ステージ3の振動が規定値以上に
なると、シャッター16を所定期間、例えばX軸ステー
ジ3の振動が規定値以下になるまでの期間だけシャッタ
ー16を閉制御するシャッター制御信号gをシャッター
駆動系24に送出する。
制御手段22は、X軸ステージ3の振動が規定値以上に
なると、シャッター16を所定期間、例えばX軸ステー
ジ3の振動が規定値以下になるまでの期間だけシャッタ
ー16を閉制御するシャッター制御信号gをシャッター
駆動系24に送出する。
【0052】このときのシャッター制御手段22は、具
体的に、X軸ステージ3の初期振動とX軸ステージ3の
振動の減衰係数とに基づいてX軸ステージ3の振動の時
間プロファイルを推測し、半導体ウエハ17の露光に影
響を与える場合にシャッター16を閉制御するシャッタ
ー制御信号gをシャッター駆動系24に送出する。
体的に、X軸ステージ3の初期振動とX軸ステージ3の
振動の減衰係数とに基づいてX軸ステージ3の振動の時
間プロファイルを推測し、半導体ウエハ17の露光に影
響を与える場合にシャッター16を閉制御するシャッタ
ー制御信号gをシャッター駆動系24に送出する。
【0053】これにより、シャッター16は閉じて、露
光は中断される。この後、X軸ステージ3の振動が無く
なると、再びコンピュータ21は、2度目の静止判定期
間AにおいてX軸ステージ3の振動のp−p値が一定値
であるかを判断し、続いてシャッター開放期間B、露光
期間Cに移る。
光は中断される。この後、X軸ステージ3の振動が無く
なると、再びコンピュータ21は、2度目の静止判定期
間AにおいてX軸ステージ3の振動のp−p値が一定値
であるかを判断し、続いてシャッター開放期間B、露光
期間Cに移る。
【0054】このように上記一実施の形態においては、
X軸ステージ3のステッピング動作後におけるシャッタ
ー開放期間B及び露光期間CにX軸ステージ3の振動を
モニタし、このX軸ステージ3の振動のモニタ値が規定
値以上になるとシャッター16を閉制御するので、シャ
ッター開放期間B、露光期間CにX軸ステージ3が外乱
などに起因して振動したとしても、これら期間B、Cに
シャッター16が閉じて露光が中断され、半導体ウエハ
17に露光するレジストパターンの乱れを防止できる。
X軸ステージ3のステッピング動作後におけるシャッタ
ー開放期間B及び露光期間CにX軸ステージ3の振動を
モニタし、このX軸ステージ3の振動のモニタ値が規定
値以上になるとシャッター16を閉制御するので、シャ
ッター開放期間B、露光期間CにX軸ステージ3が外乱
などに起因して振動したとしても、これら期間B、Cに
シャッター16が閉じて露光が中断され、半導体ウエハ
17に露光するレジストパターンの乱れを防止できる。
【0055】又、X軸ステージ3の振動が規定値以上に
なったとき、このときのX軸ステージ3の位置が製品の
バックデータとしてメモリ23に記憶でき、製品の品質
管理のデータとして有効に使用できる。なお、本発明
は、上記一実施の形態に限定されるものでなく種々変形
してもよい。
なったとき、このときのX軸ステージ3の位置が製品の
バックデータとしてメモリ23に記憶でき、製品の品質
管理のデータとして有効に使用できる。なお、本発明
は、上記一実施の形態に限定されるものでなく種々変形
してもよい。
【0056】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、シ
ャッター開放動作中又は露光中にもステージの振動をモ
ニターして露光の信頼性を向上できる露光制御方法及び
その装置を提供できる。
ャッター開放動作中又は露光中にもステージの振動をモ
ニターして露光の信頼性を向上できる露光制御方法及び
その装置を提供できる。
【図1】本発明に係わる露光制御方法を適用した露光装
置の一実施の形態を示す構成図。
置の一実施の形態を示す構成図。
【図2】同装置におけるXY軸ステージ回りの機能構成
図。
図。
【図3】シャッター開放期間及び露光期間におけるシャ
ッター開閉制御を示す図。
ッター開閉制御を示す図。
【図4】X軸ステージの位置を示すパルス信号のアップ
ダウンカウントを示す図。
ダウンカウントを示す図。
【図5】従来のステッパー露光装置の構成図。
【図6】同装置におけるX軸ステージのステッピング位
置を示す図。
置を示す図。
【図7】同装置における各ステッピング動作毎の静止判
定、シャッター開放及び露光の動作タイミングを示す
図。
定、シャッター開放及び露光の動作タイミングを示す
図。
2…Y軸ステージ、 3…X軸ステージ、 7…レーザヘッド、 11…Y軸干渉計、 12…X軸干渉計、 15…記録光学系、 16…シャッター、 20…レーザコントローラ、 21…コンピュータ、 22…シャッター制御手段、 24…シャッター駆動系、 26…モータドライバ。
Claims (8)
- 【請求項1】 被処理体が載置されたステージをステッ
ピング動作し、これらステッピング動作毎における前記
ステージの静止後にシャッターを開放し、前記被処理体
に対して露光を開始するプロセスを繰り返す露光制御方
法において、 前記ステージのステッピング動作後に前記ステージの振
動をモニタし、このステージの振動のモニタ値に応じて
前記シャッターを開閉制御することを特徴とする露光制
御方法。 - 【請求項2】 前記ステージのステッピング動作後にお
ける前記シャッター開放動作中及び前記被処理体に対す
る露光動作中に前記ステージの振動をモニタし、このス
テージの振動のモニタ値に応じて前記シャッターを開閉
制御することを特徴とする請求項1記載の露光制御方
法。 - 【請求項3】 前記ステージの振動をモニタし、このス
テージの振動が規定値以上になると前記シャッターを閉
制御することを特徴とする請求項1又は2記載の露光制
御方法。 - 【請求項4】 被処理体が載置されたステージをステッ
ピング動作し、これらステッピング動作毎における前記
ステージの静止後にシャッターを開放し、前記被処理体
に対して露光を開始するプロセスを繰り返す露光制御装
置において、 前記ステージのステッピング動作後に前記ステージの振
動をモニタする振動モニタ手段と、 この振動モニタ手段による前記ステージの振動のモニタ
値に応じて前記シャッターを開閉制御するシャッター制
御手段と、を具備したことを特徴とする露光制御装置。 - 【請求項5】 前記振動モニタ手段は、前記ステージの
ステッピング動作後における前記シャッター開放動作中
及び前記被処理体に対する露光動作中に前記ステージの
振動をモニタする機能を有することを特徴とする請求項
4記載の露光制御装置。 - 【請求項6】 前記シャッター制御手段は、前記振動モ
ニタ手段によりモニタされた前記ステージの振動が規定
値以上になると、このときの前記ステージ位置を記憶す
る機能を有することを特徴とする請求項4記載の露光制
御装置。 - 【請求項7】 前記シャッター制御手段は、前記振動モ
ニタ手段によりモニタされた前記ステージの振動が規定
値以上になると、前記シャッターを所定期間だけ閉制御
することを特徴とする請求項4記載の露光制御装置。 - 【請求項8】 前記シャッター制御手段は、前記振動モ
ニタ手段によりモニタされた前記ステージの振動につい
て、前記ステージの初期振動と前記ステージの振動の減
衰係数とに基づいて前記ステージの振動の時間プロファ
イルを推測し、前記被処理体の露光に影響を与える場合
に前記シャッターを閉制御することを特徴とする請求項
4記載の露光制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9064479A JPH10261561A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 露光制御方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9064479A JPH10261561A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 露光制御方法及びその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10261561A true JPH10261561A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13259408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9064479A Pending JPH10261561A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 露光制御方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10261561A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010078795A (ko) * | 2000-02-09 | 2001-08-21 | 미다라이 후지오 | 액티브제진장치 및 노광장치 |
KR100475051B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 노광 시스템 및 그 구동방법 |
KR101877399B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2018-07-12 | 에이피시스템 주식회사 | 광 조사 방법 및 장치 |
JP2019056875A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | 露光方法および露光装置 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP9064479A patent/JPH10261561A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010078795A (ko) * | 2000-02-09 | 2001-08-21 | 미다라이 후지오 | 액티브제진장치 및 노광장치 |
US6684132B2 (en) | 2000-02-09 | 2004-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Active anti-vibration apparatus and exposure apparatus |
KR100475051B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 노광 시스템 및 그 구동방법 |
KR101877399B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2018-07-12 | 에이피시스템 주식회사 | 광 조사 방법 및 장치 |
JP2019056875A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | 露光方法および露光装置 |
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