JPH10256705A - プリント配線基板の製造方法、配線形成方法ならびに配線修正方法、および、配線修正支援装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高密度、高アスペクト比の垂直配線を有するプ
リント配線基板を、容易かつ歩留まりよく得る。 【解決手段】第２のレジスト層１６を覆うように第１の
レジスト層２１を形成した後（ｂ，ｃ）、導体の充填が
不十分な第２の貫通孔１９の上の第１のレジスト層２１
をレーザ照射（ｄ）により分解除去して第２の貫通孔１
９に達する第１の貫通孔１９ｂを形成し（ｅ）、この第
１の貫通孔１９ｂを介して開口した第２の貫通孔１９に
導体を充填して垂直配線２３を形成する（ｆ）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法および修正方法に係り、特に、民生実装機器または通
信用ＡＴＭ（Asynchronous Transfer Mode）交換機等の
製造に用いられる低コスト、高密度なＭＣＭ−Ｌ（Mult
i-Chip Module - L）基板に適する、垂直微細配線の形
成方法、該方法を用いるプリント配線基板の製造方法、
該基板における垂直微細配線の修正方法、および、該修
正方法に用いられる配線修正支援装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高機能化、高性能、小
型化等の動きに伴い、配線が高密度化され、微細配線構
造を持つ基板の製造方法の開発が進められてきた。

【０００３】例えば、高密度で低コストなＭＣＭ−Ｌ基
板の製造方法として、特開平４-１４８５９０号公報に
は、絶縁膜に感光性樹脂を用いフォトリソグラフィによ
りビアホールを形成するフォトビア法ＳＬＣ（Surface
Laminar Circuits）が記載されている（第一の従来技
術）。ＳＬＣ法は、露光、現像によって配線を形成する
ため、低コストで高密度な基板の製造方法である。

【０００４】ＬＳＩ（Large Scale Integration）の高
集積化に伴い、多端子のＬＳＩを小面積で基板に高密度
実装するために、基板の側に従来よりさらに高密度な微
細配線を形成する必要が生じてきた。このためには、層
間接続のためのビアを小径化し、その配線間距離を狭く
しなければならない。配線間距離を狭めるためには、耐
マイグレーション性を確保するため絶縁膜を厚くし、ア
スペクト比の高いビアを形成しなければならない。

【０００５】しかし、上述の第一の従来技術は、微細な
ビアホールを一括して形成できるためコスト面で非常に
有利である反面、光の透過する絶縁膜厚に限界があるた
め、高アスペクト比のビアを形成することができない。
また、感光性樹脂は、一般的な熱硬化性樹脂に比べて耐
熱性、信頼性、耐めっき性等の絶縁膜特性が低い。

【０００６】そこで、特開平６-３３４３４３号公報お
よび特開平６-８５４６４号公報に記載されているよう
に、水平配線と層間接続を目的とするスタッドビアとか
らなる配線構造をもつ基板上に、絶縁膜をコンプレッシ
ョンモールド法によって形成する方法が提案されてい
る。このコンプレッションモールド法による基板製造技
術は、上述のＳＬＣ法に比べて、さらに高密度化が実現
できる（第二の従来技術）。

【０００７】この第二の従来技術は、銅張り積層板上に
エッチングによって水平配線を形成した後、図５に示す
ように、水平配線上部に層間接続のための垂直配線を銅
めっきによって配線形成する、セミアディティブ法によ
るものである。

【０００８】この方法では、層間接続を目的とした垂直
配線３５は、基板表面に水平配線１および下地導電膜２
を形成した後、さらに図５（ａ）に示すように感光性レ
ジスト３２を塗布し、図５（ｂ）に示すようにフォトマ
スク３４を介して露光、現像して所定の位置のレジスト
２７を除去し（図５（ｃ））、次いで、下地導電膜２の
レジスト２７に覆われていない表面に電気めっきするこ
とにより形成される（図５（ｄ））。この後、レジスト
２７を剥離し（図５（ｅ））、露出した下地導電膜２を
エッチング除去すれば、図５（ｆ）に示すような、水平
配線１と垂直配線３５とを有する配線基板が得られる。

【０００９】この方法によれば、ＳＬＣ法に比べてより
微細な、高アスペクト比の垂直配線３５を形成すること
ができ、絶縁膜に感光性樹脂を用いる必要もない。しか
し、垂直配線３５は、めっきによって形成するため、配
線を微細化する程、配線未形成箇所が増加するという問
題がある。この配線未形成箇所は、通常、レーザ加工技
術により修復しなければならない。

【００１０】レーザ加工技術により配線を形成する方法
としては、特開昭６３-１６４２４０号公報、特開平１-
２５７３５１号公報、特開平５-３６８４０号公報に記
載されているＬＳＩ配線の形成方法のように、シリコン
ウエハ上の絶縁膜に真空中でイオンビームによって複数
の穴をあけ、配線の一部を露出させた後、そこにレーザ
ＣＶＤ（化学蒸着）により配線を形成するという方法が
ある（第三の従来技術）。

【００１１】この第三の従来技術では、膜厚が約１〜５
μｍの範囲の絶縁膜に高アスペクト比の接続穴をあける
ことができる。しかし、穴開けされる絶縁膜は無機膜
（ＳｉＯ₂）であり、有機膜ではない。この方法では、
穴のアスペクト比が高い程、大きい体積（穴径×膜厚）
の絶縁膜を削らなければならず、レーザのエネルギー密
度を必然的に高くする必要があるため、発生する熱エネ
ルギーによる絶縁膜周辺部のダメージが大きくなる。さ
らに、この方法によれば、穴開けによって飛散した分解
物が微細配線形成の障害となるが、これを除去すること
が困難である。

【００１２】また、レーザ以外による配線修正方法とし
ては、特開平５-２１９３３号公報にカッターを用いた
配線欠陥の修正方法が記載されている（第四の従来技
術）。この第四の従来技術は、手作業を自動化したもの
で、レーザによる修正方法に比べてコストは低いもの
の、通常、修正できる配線の幅は３００μｍ程度であ
り、微細配線の修正には限界がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
技術では、プリント配線基板の製造において、高アスペ
クト比の垂直配線を形成することは非常に困難である。
特に、レジスト層に露光、現像によって垂直配線形成用
貫通孔を形成する場合、アスペクト比１以上の貫通孔の
形成は非常に困難であり、従来の技術では、このような
サイズの垂直配線を形成することはできなかった。ま
た、欠陥箇所の修復も非常に困難である。

【００１４】そこで、本発明は、高アスペクト比の垂直
配線を有するプリント配線基板を歩留まりよく製造する
ことのできる製造方法を提供することを第１の目的と
し、該製造方法に用いられる垂直配線の形成方法を提供
することを第２の目的とする。さらに、本発明は、高ア
スペクト比の垂直配線の欠損部分を修正するための修正
方法を提供することを第３の目的とし、この修正方法を
用いた配線の修正を容易かつ簡便に行なうための配線修
正支援装置を提供することを第４の目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】

Ａ．第１の目的の達成手段 ｉ．第１の製造方法 上記第１の目的を達成するための第１の製造方法とし
て、本発明では、平面配線を備えるベース基板の、該平
面配線の表面に垂直配線を形成する垂直配線形成工程を
備えるプリント配線基板の製造方法であって、垂直配線
形成工程がつぎの（１）〜（３）の工程をこの順で備え
る方法が提供される。 （１）平面配線を覆うように、レーザの照射により除去
することのできる有機物からなるレジスト層を形成する
レジスト形成工程 （２）レジスト層の所定箇所にレーザを照射して、当該
箇所のレジスト層を除去して第１の貫通孔を形成する第
１の貫通孔形成工程 （３）第１の貫通孔に導体を充填して垂直配線とする第
１の充填工程 この製造方法において、レジスト層を構成する有機物と
して感光性樹脂を用いる場合には、垂直配線形成工程の
（１）レジスト形成工程と（３）第１の充填工程との間
に、（４）レジスト層の所定箇所に紫外光を照射して光
硬化させた後、現像して、第２の貫通孔を形成する第２
の貫通孔形成工程をさらに設けることができる。この場
合、（３）第１の充填工程を、第１の貫通孔に加えて第
２の貫通孔にも導体を充填する工程とすることが望まし
く、アスペクト比１以上の垂直配線を工程（２）で形成
された第１の貫通孔に導体を充填することで形成し、ア
スペクト比１未満の垂直配線を工程（４）で形成された
第２の貫通孔に導体を充填することで形成することが望
ましい。すなわち、第１の貫通孔のアスペクト比は１以
上、上記第２の貫通孔のアスペクト比は１未満とするこ
とが望ましい。なお、工程（３）と工程（４）との実行
順は、いずれが先でも構わない。この実行順は、配線の
形状および密度などに応じて適宜決定することができ
る。

【００１６】ii．第２の製造方法 さらに、本発明では、上記第１の目的を達成するための
第２の製造方法として、ベース基板表面に平面配線を形
成する平面配線形成工程と、該平面配線の表面に第２の
垂直配線を形成する垂直配線形成工程とを、この順で備
えるプリント配線基板の製造方法であって、垂直配線形
成工程の後に、第２の垂直配線の未形成箇所に第１の垂
直配線を形成する垂直配線修正工程をさらに備える方法
が提供される。この第２の製造方法における垂直配線形
成工程はつぎの（１）〜（３）をこの順で備え、 （１）平面配線を覆うように、感光性樹脂からなる第２
のレジスト層を形成する第２のレジスト形成工程 （２）レジスト層の所定箇所に紫外光を照射して光硬化
させた後、現像して、第 ２の貫通孔を形成する第２の貫通孔形成工程、 （３）第２の貫通孔に導体を充填して第２の垂直配線を
形成する第２の充填工程垂直配線修正工程は、つぎの
（４）〜（６）をこの順で備える。 （４）第２の垂直配線および第２のレジスト層を覆うよ
うに、レーザの照射により除去することのできる有機物
からなる第１のレジスト層を形成する第１のレジスト形
成工程 （５）第２の充填工程における充填の不十分な第２の貫
通孔の開口部を覆う第１のレジスト層にレーザを照射し
て、当該箇所の第１のレジスト層を除去し、第１の貫通
孔を形成して第２の貫通孔を開口させる第１の貫通孔形
成工程 （６）第１の貫通孔を介して開口した第２の貫通孔に導
体を充填して第１の垂直配線を形成する充填工程 この第２の製造方法では、垂直配線修正工程が、（４）
第１のレジスト形成工程の前に、（７）第２の貫通孔の
うち、導体が充填されていないものの位置を検出する検
査工程をさらに備えることが望ましい。この場合、
（５）第１の貫通孔形成工程は、第１のレジスト層の、
（７）検査工程により検出された位置にレーザを照射す
る工程とすることが望ましい。第１のレジスト層形成前
であれば、容易に補修位置が決定できるからである。し
かし、光を透過する材料により第１のレジスト層を形成
するなどして、第１のレジスト層を形成した後でもその
下層の垂直配線の形成状態を検出できるようにすれば、
工程（４）の前にこのような検査工程を設けなくてもよ
い。

【００１７】Ｂ．第２の目的の達成手段 また、本発明では、上記第２の目的の達成のために、平
面配線と下地導電膜とを備えるベース基板の、平面配線
表面に垂直配線を形成する、プリント配線基板の配線形
成方法であって、（１）平面配線および上記下地導電膜
を覆うように、レーザの照射により除去することのでき
る有機物からなるレジスト層を形成するレジスト形成工
程、（２）レジスト層の所定箇所にレーザを照射して、
当該箇所のレジスト層を除去して第１の貫通孔を形成す
る第１の貫通孔形成工程、および、（３）第１の貫通孔
にめっきにより導体を充填する充填工程を、この順で有
する方法が提供される。

【００１８】Ｃ．第３の目的の達成手段 さらに、本発明では、上記第３の目的の達成のために、
ベース基板と、ベース基板表面に形成された平面配線
と、この平面配線を覆うようにベース基板表面に形成さ
れた、第２の貫通孔を有する第２のレジスト層とを備え
るプリント配線基板に、垂直配線を追加する配線修正方
法が提供される。本発明の配線修正方法は、（１）第２
のレジスト層を覆うように、レーザの照射により除去す
ることのできる有機物からなる第１のレジスト層を形成
する第１のレジスト形成工程、（２）導体が充填されて
いない（導体が不十分なものと、内部に導体が存在しな
いものとを含む）第２の貫通孔の開口部を覆う第１のレ
ジスト層にレーザを照射して、当該箇所の第１のレジス
ト層を除去し、第２の貫通孔に達する第１の貫通孔を形
成する第１の貫通孔形成工程、および、（３）第１の貫
通孔を介して開口した第２の貫通孔に導体を充填して第
１の垂直配線を形成する充填工程を、この順で備える。
この配線修正方法は、上述の第２の製造方法と同様、第
１のレジスト形成工程の前に検査工程をさらに備えるこ
とが望ましい。

【００１９】Ｄ．第４の目的の達成手段 また、本発明では、上記第４の目的達成のため、 （１）処理対象のプリント配線基板を保持するための基
板保持部、 （２）基板保持部に保持されたプリント配線基板を水平
方向に移動させるための移動機構 （３）基板保持部に保持されたプリント配線基板の表面
の段差を測定し、測定結果から欠陥箇所の位置を求め
て、該位置情報を出力する検査機構 （４）基板保持部に保持されたプリント配線基板の表面
にレーザを照射するレーザ照射機構、および、 （５）移動機構、検査機構、および、レーザ照射機構の
動作を制御する制御機構を備える配線修正支援装置が提
供される。この装置の制御機構は、欠陥箇所の位置情報
を保持するための欠陥箇所記憶部と、検査機構を制御し
て処理対象基板の欠陥箇所を求めさせ、該検査機構から
出力された位置情報を欠陥箇所記憶部に格納する検査部
と、レーザ照射機構を制御しての欠陥箇所記憶部に保持
された位置情報の示すプリント配線基板表面の位置にレ
ーザを照射させる修正部とを備える。

【００２０】

【発明の実施の形態】まず、本発明による垂直配線の形
成方法例と、それを用いたプリント配線基板の製造方法
例とを、図１を用いて説明する。ここでは、低アスペク
ト比垂直配線をセミアディティブ法により形成し、さら
に高アスペクト比の垂直配線を本発明のレーザを用いた
方法による形成するが、本発明はこれに限られず、例え
ばすべての配線をレーザを用いて形成してもよい。ま
た、先に高アスペクト比の垂直配線を本発明の形成方法
により形成した後、セミアディティブ法により低アスペ
クト比の垂直配線を形成してもよい。

【００２１】（Ａ１）低アスペクト比の垂直配線の形成 まず、図１（ａ）に示す、表面に下地導電膜２および水
平配線１を備えるベース基板３上に、図１（ｂ）に示す
ように感光性レジスト４を成膜し、図１（ｃ）に示すよ
うに樹脂（例えばポリエステル）製のフォトマスク６を
介して紫外線５を照射し、露光、現像してレジスト層４
をパターンニングする。これにより、レジスト層４の所
定の位置（低アスペクト比の垂直配線の形成位置）に、
図１（ｄ）に示すようにアスペクト比が１未満の貫通孔
７が形成される。なお、ここでは図４に示した従来技術
と同様にして下地導電膜２および水平配線１を形成した
ベース基板３（図１（ａ））を用いているが、本発明は
これに限られず、例えば平面配線１を下地導電膜２表面
に形成する方法など、他の方法を用いて形成したベース
基板３にも本発明の垂直配線形成方法を適用することが
できる。

【００２２】（Ａ２）開口部の形成 次いで、図１（ｅ）に示すように、金属製のフォトマス
ク８を介してレーザ光９を照射してレジスト層４の露出
部分を除去し、図１（ｆ）に示すように、レジスト層４
の所定位置（高アスペクト比の垂直配線の形成位置）に
アスペクト比１以上の貫通孔１０を形成するとともに、
露出した水平配線１表面の異物および酸化膜を除去す
る。

【００２３】（Ａ３）高アスペクト比の垂直配線の形成 以上の工程により、レジスト層４のすべての垂直配線形
成位置に貫通孔７，１０が形成され、該位置の水平配線
１が露出したことになるので、この水平配線１の露出部
分に電気めっきにより銅の垂直配線１１を形成する（図
１（ｇ））。最後に、レジスト４を剥離して、露出した
下地導電膜２の不要部分をエッチング除去すれば、図１
（ｈ）に示す、基板３表面に水平配線１と層間接続用の
垂直配線１１とを有する配線基板が得られる。

【００２４】この方法では、レジスト層４に形成される
高アスペクト比の垂直配線用貫通孔１０を、レーザ光照
射により形成する。従って、貫通孔１０の底部にレジス
ト残りが無く、また、貫通孔形成と同時に、露出した導
体表面の異物あるいは酸化膜が除去できるため、無欠陥
な配線を形成できる。また、微細な垂直配線を確実に形
成できるため、従来技術においては必要であった配線修
正作業がほぼ不必要となり、結果的に処理時間が短縮さ
れ、コストが削減される。

【００２５】つぎに、垂直配線の本発明による修正方法
例を、図２および図３を用いて説明する。ここでは、図
２に示すように、セミアディティブ法により垂直配線を
形成した後、図３に示すように、本発明を用いて垂直配
線未形成箇所の補修を行なう場合について説明する。

【００２６】まず、図２（ａ）に示す表面に下地導電膜
２および水平配線１を備えるベース基板３上に、図２
（ｂ）に示すように感光性レジスト（ドライフィルムレ
ジスト）１６を成膜し、図２（ｃ）に示すようにフォト
マスク６を介して紫外線５を照射し、露光、現像してレ
ジスト層１６をパターンニングする。これにより、レジ
スト層４の所定の位置（すべての垂直配線の形成位置）
に、図２（ｄ）に示すように貫通孔１９ａが形成され
る。この貫通孔１９ａをめっきにより導体で充填して垂
直配線２０を形成する。

【００２７】つぎに、上述のようにして調製した基板に
対する本発明の配線修正方法について説明する。なお、
本発明の配線修正方法は、上述の方法に限らずアディテ
ィブ法などによって形成した垂直配線の補修にも同様に
適用できる。

【００２８】（Ｂ１）検査工程 まず、配線欠陥箇所を検査、記録する。ここで欠陥箇所
（すなわち未充填箇所）１９が検出されなければ、レジ
スト層１６を剥離することにより、水平配線１および垂
直配線２０を備える配線基板が得られる。一方、図２
（ｅ）に示す基板のように欠陥箇所１９が存在すること
が検出された場合、図３に示すようにしてこの欠陥箇所
１９を修復する。なお、配線欠陥は、レーザ段差測定計
または触針段差測定計を用いて、配線形成箇所と未形成
箇所との段差を利用することにより検出できる。触針段
差測定は、針径、測定感度の問題から微細配線では測定
限界があるため、レーザ光の反射光による検査方法がよ
り好ましい。

【００２９】（Ｂ２）第１のレジスト層の形成 まず、欠陥箇所１９のある基板（図３（ａ））のレジス
ト層１６上に、さらに感光性レジストを成膜し（図３
（ｂ））、光を照射して硬化させて第１のレジスト層２
１とする（図３（ｃ））。ここで、感光性レジストの代
わりに硬化処理の不要な材料を用れば、図３（ｃ）の硬
化工程は省略できる。

【００３０】（Ｂ３）開口部の形成 つぎに、記録されている検査結果から、欠陥箇所１９を
決定し、レジスト層２１の当該箇所に選択的にレーザを
照射して、当該箇所の第１のレジスト２１（およびもし
残存していれば第２のレジスト１６）を局所的に光分解
もしくは熱分解し、下層の配線導体１を露出させると同
時に、露出した導体１表面の異物あるいは酸化膜を除去
する（図３（ｄ））。

【００３１】（Ｂ４）垂直配線の形成 これにより、配線未形成貫通孔１９が開口するので、こ
れに、電気めっきにより導体を充填して、垂直配線２３
とする（図３（ｆ））。最後に、第２のレジスト層１６
および第１のレジスト層２１を剥離し（図３（ｇ））、
下地導電膜２を除去すれば、図３（ｈ）に示すように、
欠陥箇所１９が補修され、所定の箇所すべてに層間接続
用垂直配線１１が形成された基板が得られる。

【００３２】本発明は、第１のレジスト層２１の配線未
形成箇所上部に、配線径に応じて縮小させ所定量のエネ
ルギー密度となるようにしたレーザを照射することによ
り開口部を設け、第１のレジスト層２１をめっきレジス
トとして、この開口部を介して開口した配線未形成のス
ルーホールに、めっきにより導体を充填することによ
り、垂直配線を形成するものである。なお、レジスト層
２１に開口部を設ける箇所は、検査工程（１）において
検出・記録された欠陥箇所の上部とする。通常、アスペ
クト比１以上の垂直配線の形成は困難であり、欠陥が生
じやすいが、本発明の配線修正方法によれば、このよう
な配線も容易に補修することができる。

【００３３】つぎに、工程（Ａ１）または工程（Ｂ２）
において形成され、工程（Ａ２）または（Ｂ３）におい
てレーザ光により開口部が形成されるレジスト層４，２
１について説明する。

【００３４】レジスト層２１としては、耐めっき性およ
び下層（製造方法においては下地導電膜２、修正方法に
おいては第２のレジスト層１６）との密着性が良く、レ
ーザ光によって分解可能な、下層を傷付けずに剥離また
は除去できる有機膜であれば、どのようなものでも良
く、上述の例では感光性レジストを用いているが、例え
ば、電着レジスト、ポリエステルフィルム、またはポリ
イミドフィルムなどを用いてもよい。なお、配線修正処
理における第１のレジスト層２１としては、工程の短縮
のため、第２のレジスト層１６と同時に剥離ができるド
ライフィルムレジスト（第２のレジスト層１６と組成が
異なっても良い）を用いることが好ましい。

【００３５】また、十分な絶縁性および膜特性を有して
いれば、レジスト層４，２１を除去することなく残し
て、絶縁層としてもよい。

【００３６】このレジスト層４，２１の成膜方法は、例
えば、電着レジストの場合は電着法によって成膜し、そ
の他の有機膜は圧着法によって行うことができる。電着
レジストは、より薄い膜を形成することが可能であり、
さらに温度によって膜厚を調整できる。感光性のドライ
フィルムレジストおよび電着レジストを用いる場合、こ
れらは成膜時には未硬化であるため、適切な露光量によ
って露光して硬化させる必要がある。

【００３７】なお、配線修正方法における第１のレジス
ト層２１として電着レジストを用いる場合には、配線未
形成箇所の貫通孔１９ａの内壁および底部にもレジスト
膜２１が形成される。また、その他の自己支持性有機フ
ィルムを用いた場合には、配線未形成貫通孔１９ａの開
口部をレジスト層２１が覆うことになる。これらのいず
れの場合でも本発明に問題なく適用できる。

【００３８】レジスト層４，２１として樹脂組成物を用
いる場合、充填剤はなるべく含まない方が望ましい。し
かし、樹脂組成物が要求される機械強度を満たさない場
合には、これを満たすために充填剤を含んでいてもよ
い。この場合、充填剤としては、シリカ、酸化アルミニ
ウム等の吸水率の少ない無機物が適切であり、その含有
率は３０体積％以下とすることが望ましい。含有率３０
体積％以上であるとレーザによる乱反射が起り易く、ま
た、レーザによる分解除去が難しくなる。

【００３９】また、レジスト層４，２１の膜厚は、レー
ザ照射後の分解物の処理を考慮するとできるだけ薄い方
が望ましく、また、レーザのエネルギー密度との関係か
ら、通常、５〜５０μｍの範囲以内とすることが望まし
い。通常、５〜３０μｍの範囲が最も適している。

【００４０】開口部形成工程（Ａ２）または（Ｂ３）に
おいてレジスト層４，２１の除去に使用するレーザとし
ては、エキシマーレーザ、ＹＡＧレーザ、ＣＯ₂レーザ
のいずれを用いてもよい。エキシマーレーザは微細加工
に適しており、精度良く局所部の有機膜を除去すること
ができる。また、最近、急速に性能が向上したＣＯ₂レ
ーザは、エキシマーレーザ同様、高速に局所的な有機膜
除去を行うことが可能であり、コストを低く抑えること
ができるため好ましい。ＣＯ₂レーザの精度は、エキシ
マーレーザに比べて若干劣るものの、レーザ照射によっ
てレジスト層４，２１開口部側面に多少のダメージを与
えたとしても、このレジスト層４，２１はめっき処理後
に除去されるため、耐めっき性を保持できる限り問題な
い。

【００４１】なお、本発明では、開口部形成工程（Ａ
２）または（Ｂ３）におけるレジスト４，２１の分解除
去のためのレーザ照射によって、貫通孔底部に露出する
導体（平面配線）表面の酸化物膜や汚染物質などの異物
を除去することになるため、次工程（Ａ３）または（Ｂ
４）における導体の充填が容易になり、また、水平配線
と垂直配線との確実な導通を確保することができる。

【００４２】工程（Ａ３）または（Ｂ４）におけるレジ
スト層４，２１開口部への垂直配線形成には、電気めっ
き、無電解めっきのいずれを用いてもよい。無電解めっ
きは微細配線に適しているが、垂直配線は一般にアスペ
クト比が高いため、配線形成時間が長くなってしまう。
これに対して、電気めっきは、短時間での配線形成が可
能である。従って、めっき方法は、形成時間と配線の微
細さとを加味して選択することが望ましい。なお、本発
明においては、レーザ照射によりレジスト層４，２１の
開口部が形成されているため、露出した穴低部の導体の
表面状態が活性化されている。従って、通常行われてい
るめっき前処理を施せば、この開口部に導体を問題無く
充填することができる。

【００４３】なお、工程（Ａ３）または（Ｂ４）におけ
るレジスト層４，１６，２１および下地導電膜２の除去
は、上述の方法に限らず、通常用いられる方法を適宜適
用できる。

【００４４】本発明によれば、選択的な特定箇所の高ア
スペクト比垂直配線の形成または修正が可能となり、Ｍ
ＣＭ−Ｌ基板に適応した高密度な微細配線を形成するこ
とができる。特に、従来より形成困難とされていた高ア
スペクト比垂直配線の形成または修正に本発明を適用す
れば、信頼性の高い基板を容易に得ることができる。

【００４５】また、コンプレッションモールド法による
基板製造方法に本発明の配線形成方法または垂直配線修
正方法を適用し、すべての垂直配線用スルーホールをレ
ーザ光により形成すれば、感光性材料を使用する必要性
がなくなるため、一般に耐熱性、信頼性等の絶縁膜特性
に優れる熱硬化性樹脂等を絶縁材料に用いることができ
る。

【００４６】

【実施例】以下、本発明のプリント配線基板の製造方法
および配線修正方法の実施例を説明する。なお、実施例
２〜８はいずれも配線の修正方法の実施例であるが、同
様の手法を基板製造方法における垂直配線の形成に適用
することにより、基板の製造を行なうことも可能であ
る。

【００４７】各実施例の説明の前に、あらかじめ、以下
の各実施例にいて形成または修正される配線構造につい
て図６および図７を用いて説明しておく。

【００４８】各実施例におけるプリント配線構造は、図
６（ａ）〜（ｃ）に示すように、水平配線３６と垂直配
線３９とからなる。なお、図６（ａ）は基板表面に形成
された配線を積層方向に沿って上から見た平面図であ
り、図６（ｂ）はその斜視図である。これらの図では、
ベース基板３表面およびその下部構造の図示は省略し
た。また、図６（ｃ）は配線およびベース基板３の、図
６（ａ）に示したＡ−Ａ’間の断面図である。

【００４９】図６（ｃ）に示すように、基板の積層方向
（本明細書ではこれを垂直方向と呼んでいる）の導通
は、ベース基板３に穿孔された貫通スルーホール３７の
内壁に形成された導体層（ビアホール）３７ａと、平面
配線３７上に形成された垂直配線３９とによって実現さ
れる。ビアホール３７ａは、ベース基板３表裏の水平配
線３６（３６ａおよび３６ｂ）の間を接続する。また、
ベース基板３表面の水平配線３６と、さらに上層に形成
される配線との接続は、垂直配線３６によって行なわれ
る。従って、水平配線３６は、ビアホール３７ａと垂直
配線３６とを連結するパターンであるととらえることが
できる。

【００５０】以下の各実施例では、スルーホール３７の
直径を３００μｍとし、垂直配線パターンの直径４１を
５０〜１００μｍとした。さらに、以下の各実施例で
は、このスルーホール３７を囲む水平配線パターンの直
径３８（図６（ａ）および（ｂ）に図示）は、サイドエ
ッチング量とフィルムマスク位置合わせ精度から５１０
μｍとし、垂直配線３９を囲む水平配線パターンの直径
４０（図６（ａ）および（ｂ）に図示）は、サイドエッ
チング量と垂直配線パターン径４１に応じて２５０〜２
８０μｍとして配線パターンを設計した。

【００５１】また、レジスト層の形成には、膜厚７５μ
ｍのドライフィルムレジストを用いた。垂直配線の配線
高さ４２は、レジストの膜厚より大きい１００μｍを目
標とし、これを形成するためのめっきは、レジスト層上
部からオーバーフローさせた。

【００５２】以下の各実施例における平面配線パターン
は、２種類の格子状パターンとした。すなわち、図７に
模式的に示すように、縦横１０ｃｍの基板の表裏両面
に、それぞれ、縦３．５ｃｍ、横８ｃｍの２つの領域４
５，４６を縦に１ｃｍの間隔で並べて設け、第１の領域
４５には格子間隔０．６３５ｍｍピッチの格子状パター
ンの平面配線を、第２の領域４６には格子間隔１．２７
ｍｍピッチの格子状パターンの平面配線を設けた。各領
域４５，４６と基板外縁との間隔は、それぞれ１ｃｍと
した。この格子状パターンの平面配線の上に形成される
垂直配線は、横の列ごとに同径とし、縦の行ごとに直径
５０，６０，７０，８０，９０，１００μｍとする繰り
返しパターンとした。尚、プリント配線基板製造方法
は、両面同時形成することとした。

【００５３】＜実施例１＞本実施例では、本発明の垂直
配線形成方法を用いてプリント基板を作製した。 工程１−１：まず、図４（ａ）に示す、直径３００μｍ
の貫通孔２６を有する、一辺１００ｍｍの正方形のガラ
スエポキシ両面銅張り積層板（利昌工業（株）製「Ｔｇ
２００」）３を用意し、その表裏両面に、ドライフィル
ムレジスト（日立化成工業（株）製「Ｈ−Ｓ９３０」
（膜厚３０μｍ））２７を、ラミネータ（大成ラミネー
タ（株）製「ＭＡＩＩ−７００」）を用い、１１０℃、
０．３ＭＰａの条件で密着させた後（図４（ｂ））、ア
ドテックエンジニアリング社製「ＳＡＣＰ６００セミオ
ート露光装置」を用い露光量を３１ｍＪ／ｃｍ²とし、
所定のパターンのマスク２９を介して露光させ（図４
（ｃ））、次いでスプレーエッチング装置（キムラエッ
チング研究所（株）製：２槽式）を用いて現像（現像
液：ＮａＣＯ₃１重量％水溶液、現像条件：３０℃／３
０秒）することによって、水平配線のネガパターンを形
成した（図４（ｄ））。

【００５４】工程１−２：次いで、エッチング液（メル
テックス社製「Ａプロセスアルカリエッチング液」）を
用いてスプレー現像エッチング装置（キムラエッチング
研究所（株）製：３槽式）を使用し、４０℃／４分、ス
プレー圧０．１３ＭＰａの条件で表面銅箔２５をエッチ
ングした後（図４（ｅ））、ＮａＯＨ３重量％水溶液に
よってドライフィルムレジスト２７を剥離して水平配線
１を得た（図４（ｆ））。なお、エッチング後、スルー
ホール内部の残存エッチング液除去のためアンモニア水
（０．５重量％）による高圧（０．２ＭＰａ）洗浄を行
った。続いて、ガラスエポキシ基板露出部に下地導電膜
２を設けた（図４（ｇ））。

【００５５】工程１−３：このようにして形成した水平
配線１および下地導電膜２を覆うように、基板３表面
に、膜厚７５μｍのドライフィルムレジスト（日立化成
工業（株）製）をラミネータによって１１０℃、０．３
ＭＰａの条件で密着させた後、水銀灯片面露光機
（（株）プリント電子総業社製「ＭＰＬ−ＳＦ」）を用
い、所定のパターンのマスク６を介して露光（露光量３
８０ｍＪ／ｃｍ²）させ、工程１−１と同じスプレー現
像エッチング装置用いて現像（現像液：ＮａＣＯ₃１重
量％水溶液、現像条件：３０℃／２００秒）を行って、
アスペクト比１未満の垂直配線を形成するためのネガパ
ターン（貫通孔７）を形成した。

【００５６】工程１−４：つぎに、アスペクト比１以上
の垂直配線を形成する箇所に、所定径に縮小させたエキ
シマーレーザ（エネルギー密度０．２５Ｊ／ｃｍ²）を
それぞれ１００ショット照射し、当該垂直配線形成箇所
の電着レジストを完全に除去して、貫通孔１０を形成し
た。この際、レジスト４の貫通孔１０を形成しない表面
は、金属製のマスク８により覆った。

【００５７】工程１−５：続いて、電流密度２Ａ／ｄｍ
²、２５℃、１．６Ｖの条件で電気めっき（めっき時
間：１１０分）を施し、貫通孔７および１０を銅によっ
て充填して垂直配線１１を形成した。なお、めっき時間
の設定は、後行程での絶縁膜厚の設定から配線膜厚１０
０μｍを目標とし、析出した銅がレジスト膜から若干オ
ーバーフローする程度とした。次いでレーザ段差測定機
によって測定したところ、配線未形成箇所は存在しなか
った。最後に、基板全体を５０℃の水酸化ナトリウム３
％水溶液に５分間浸漬させることによってレジストを除
去し、次いで下地導電膜をエッチング除去した。以上に
より、水平配線１および垂直配線１１を備える第一配線
層を、欠陥なく形成することができた。

【００５８】＜実施例２＞本実施例では、本発明の垂直
修正形成方法を用いて、配線未形成箇所の補修を行なっ
た。 工程２−１：工程１−１および工程１−２と同様にし
て、基板表面に水平配線１および下地導電膜２を有する
ガラスエポキシ積層板３（図２（ａ））を形成した後、
水平配線１および下地導電膜２を覆うように、基板３表
面に、ドライフィルムレジスト（日立化成工業（株）製
「フォテックＨ−Ｗ４７５」（レジスト膜厚７５μｍ）
を、１１０℃、０．３ＭＰａの条件でラミネートした
（図２（ｂ））。

【００５９】次いで、所定のマスク６を介して露光（露
光量５０ｍＪ／ｃｍ²）させて硬化させ、第２のレジス
ト層１６とした後（図２（ｃ））、工程１−１で用いた
ものと同様のスプレー現像エッチング装置を用いて現像
（現像液：ＮａＣＯ₃１重量％水溶液、現像条件：３０
℃／２００秒）を行い、垂直配線１１のネガパターン
（貫通孔１９ａ）を形成した（図２（ｄ））。続いて、
工程１−５と同様の条件で電気めっきを施して、貫通孔
１９ａを銅で充填し、垂直配線２０とした（図２
（ｅ），図３（ａ））。

【００６０】工程２−２：つぎに、レーザ段差測定機
（Ｈｅ／Ｎｅレーザ：６３３ｎｍ）によって垂直配線パ
ターン検査を行い、結果を記録した。ここで、配線膜厚
は９８μｍ±５であった。また、配線形成率（すなわ
ち、完全に充填された貫通孔１９ａ数の、全貫通孔１９
ａに占める比率）は、直径１００μｍ：１００％、直径
９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００％、直径７
０μｍ：８５％、直径６０μｍ：８２％、直径５０μ
ｍ：７６％であった。

【００６１】そこで、つぎの工程２−３〜工程２−５に
より、垂直配線の欠陥箇所１９を修正した。 工程２−３：垂直配線の完成した箇所２０および銅の充
填が不十分な箇所１９を覆うように、第２のレジスト層
１６表面に、３５℃、電着電圧９０Ｖの条件で電着レジ
スト（シプレーファーイースト（株）社製「イーグル２
１００ＥＤフォトレジスト」（ネガ型、膜厚８μｍ）を
形成し（図３（ｂ））、水銀灯片面露光機（（株）プリ
ント電子総業製「ＭＰＬ−ＳＦ」）を用いて全面を露光
（露光量３８０ｍＪ／ｃｍ²）させて光硬化させ、第１
のレジスト層２１とした（図３（ｃ））。

【００６２】工程２−４：次いで、工程２−２により得
られた配線パターン検査記録に登録されている垂直配線
の欠陥箇所１９の位置から、開口部を設ける箇所を決定
し、当該箇所に対して、工程１−４と同様にしてエキシ
マーレーザ２２をそれぞれ１００ショット照射した（図
３（ｄ））。これにより、当該箇所のレジスト層２１が
完全に除去されて開口部１９ｂが形成され、銅の充填が
不十分な貫通孔１９が開口した（図３（ｅ））。

【００６３】工程２−５：つぎに、工程１−５と同様の
条件で電気めっきを施して、貫通孔１９ａを銅で充填
し、垂直配線２３を形成した（図３（ｆ））。次いで、
レーザ段差測定機によって測定したところ、配線未形成
箇所は存在しなかった。最後に、基板全体を５０℃の水
酸化ナトリウム３％水溶液に５分間浸漬させることによ
ってレジストを除去し、さらに下地導電膜２をエッチン
グ除去した。以上により、水平配線１および垂直配線１
１を備える第一配線層の欠陥を完全に補修することがで
きた。

【００６４】＜実施例３＞実施例２の工程２−１と同様
にして水平配線１および垂直配線２０を有する基板３を
再度調製し、工程２−２と同様にして垂直配線２０の検
査を行い記録したところ、配線膜厚は９５μｍ±５であ
った。また、配線形成率は、直径１００μｍ：１００
％、直径９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００
％、直径７０μｍ：９６％、直径６０μｍ：８７％、直
径５０μｍ：８５％であった。

【００６５】そこで、実施例２の工程２−３〜工程２−
５と同様にして垂直配線の欠陥箇所１９を修正したとこ
ろ、実施例２と同様に欠陥が完全に補修された基板を得
ることができた。ただし、第１のレジスト層２１の開口
部の形成には、エキシマレーザではなくＹＡＧレーザ
（３倍波：２５１．５ｎｍ）を用い、開口部形成箇所ご
とにそれぞれ１８０ショット照射した。ＹＡＧレーザを
用いても、実施例２と同様、開口部およびその下の貫通
孔１９の内部（側面および底部）のレジスト１６，２１
が完全に除去され、次工程２−５を問題なく行なうこと
ができた。

【００６６】＜実施例４＞実施例２の工程２−１と同様
にして水平配線１および垂直配線２０を有する基板３を
再度調製し、工程２−２と同様にして垂直配線２０の検
査を行い記録したところ、配線膜厚は１０２μｍ±５で
あった。また、配線形成率は、直径１００μｍ：１００
％、直径９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００
％、直径７０μｍ：９２％、直径６０μｍ：８９％、直
径５０μｍ：８１％であった。

【００６７】そこで、実施例２の工程２−３〜工程２−
５と同様にして垂直配線の欠陥箇所１９を修正したとこ
ろ、実施例２と同様に欠陥が完全に補修された基板を得
ることができた。ただし、本実施例では、第１のレジス
ト層２１を、基板の表裏両面に、ドライフィルム（日立
化成工業（株）製「フォテックＨ−Ｓ９３０」（レジス
ト膜厚３０μｍ））を工程２−１と同様にしてラミネー
トし、前述の水銀灯片面露光機により表裏両面を全面露
光（露光量４０ｍＪ／ｃｍ²）させて光硬化させること
により形成した。また、第１のレジスト層２１の開口部
の形成には、エキシマレーザではなく炭酸ガスレーザを
用い、開口部形成箇所ごとにそれぞれ２０ショット照射
した。炭酸ガスレーザを用いても、実施例２と同様、開
口部およびその下の貫通孔１９の内部（側面および底
部）のレジスト１６，２１が完全に除去され、次工程２
−５を問題なく行なうことができた。

【００６８】＜実施例５＞実施例２の工程２−１と同様
にして水平配線１および垂直配線２０を有する基板３を
再度調製し、工程２−２と同様にして垂直配線２０の検
査を行い記録したところ、配線膜厚は９４μｍ±７であ
った。また、配線形成率は、直径１００μｍ：１００
％、直径９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００
％、直径７０μｍ：９５％、直径６０μｍ：８３％、直
径５０μｍ：８０％であった。

【００６９】そこで、実施例３と同様にして垂直配線の
欠陥箇所１９を修正したところ、実施例３と同様に欠陥
が完全に補修された基板を得ることができた。ただし、
本実施例では、第１のレジスト層２１を、基板の表裏両
面に、電着レジスト（関西ペイント（株）社製「ポジ型
ゾンネＥＤＵＶ Ｐ−１００」）を電着条件３０℃電着
電圧９０Ｖで電着させ、表裏両面を全面露光（露光量６
００ｍＪ／ｃｍ²）させて光硬化させることにより形成
した。

【００７０】＜実施例６＞ 工程６−１：実施例２の工程２−１と同様にして水平配
線１および垂直配線２０を有する基板３を再度調製し
た。ただし、実施例２では、工程１−５と同様の条件の
電気めっきにより垂直配線２０を形成したが、本実施例
では、硫酸銅、錯化剤、還元剤、安定化剤を含む無電解
めっき液（ｐＨ１２．５〜１２．７）を用い、７０℃／
１８時間の条件で高速無電解めっきを施すことにより垂
直配線２０を形成した。

【００７１】工程６−２：得られた基板に対して工程２
−２と同様の検査を行い記録したところ、配線膜厚は１
００μｍ±２であった。また、配線形成率は、直径１０
０μｍ：１００％、直径９０μｍ：直径１００％、８０
μｍ：１００％、直径７０μｍ：９５％、直径６０μ
ｍ：９５％、直径５０μｍ：９０％であった。この結果
から、電気めっきと比較し高速無電解めっきは、均一な
膜厚が確保され、めっき付き回り性が向上することがわ
かる。しかし、本実施例においても、アスペクト比の大
きい配線については無欠陥ではなかった。

【００７２】工程６−３：そこで、実施例４と同様にし
て垂直配線の欠陥箇所１９を修正したところ、実施例４
と同様に欠陥が完全に補修された基板を得ることができ
た。ただし、本実施例では、工程２−５における垂直配
線２３の形成を、電気めっきではなく、工程６−１と同
様の条件の高速無電解めっきにより行なった。

【００７３】＜実施例７＞実施例６の工程６−１と同様
にして水平配線１および垂直配線２０を有する基板３を
再度調製した。得られた基板に対して工程６−２と同様
の検査を行い記録したところ、配線膜厚は９８μｍ±２
であった。また、配線形成率は、直径１００μｍ：１０
０％、直径９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００
％、直径７０μｍ：９７％、直径６０μｍ：９５％、直
径５０μｍ：９２％であった。

【００７４】そこで、実施例３と同様にして垂直配線の
欠陥箇所１９を修正したところ、実施例３と同様に欠陥
が完全に補修された基板を得ることができた。ただし、
本実施例では、工程２−５における垂直配線２３の形成
を、電気めっきではなく、工程６−１と同様の条件の高
速無電解めっきにより行なった。

【００７５】＜実施例８＞実施例２の工程２−１と同様
にして水平配線１および垂直配線２０を有する基板３を
再度調製し、工程２−２と同様にして垂直配線２０の検
査を行い記録したところ、配線膜厚は１００μｍ±４で
あった。また、配線形成率は、直径１００μｍ：１００
％、直径９０μｍ：直径１００％、８０μｍ：１００
％、直径７０μｍ：９０％、直径６０μｍ：８７％、直
径５０μｍ：８１％であった。

【００７６】そこで、実施例３と同様にして垂直配線の
欠陥箇所１９を修正したところ、実施例３と同様に欠陥
が完全に補修された基板を得ることができた。その後、
下地導電膜２を除去した。

【００７７】続いて、得られた水平配線１および垂直配
線１１を覆うように、基板３の表裏両面に、固形エポキ
シ組成物（エポキシ樹脂／フェノール樹脂／硬化触媒／
シリカ４０体積％）を溶融させてディスペンサにより塗
布し、基板３を金型に挟み込み、昇温するとともに脱泡
し、８０℃で５分間保持した後、同温度で接着圧０．６
５ＭＰａ、空気圧０．５ＭＰａを印加し、そのまま８０
℃で５分間保持し、そのまま１６０℃に昇温させて１６
０℃／３０分、１８０℃／６０分で硬化させて、第２層
目の絶縁膜としてエポキシ絶縁膜を形成した。次いで、
絶縁膜表面を機械研磨して垂直配線上部を露出させた
後、第２層目の絶縁膜表面を化学的手法により粗化した
後、その表面に、再度、下地導電膜２を形成し、その表
面にフォトリソグラフィ技術により所定のパターンのめ
っきレジストを形成したのち、電気めっきにより第２層
目の水平配線を形成し、めっきレジストを剥離した。

【００７８】本実施例では、第１層の平面配線の形成工
程と第２層の平面配線の形成工程との間に、垂直配線１
１の欠陥が完全に修復され、垂直配線１１の高さが均一
になっているため、その上部に形成される第２層の平面
配線を欠陥なく形成することができる。従って、本実施
例によれば、２層の平面配線と、それらを導通させる垂
直配線１１とを備える、信頼性の高いプリント配線基板
が容易に作製できた。

【００７９】＜実施例９＞本実施例では、実施例１と同
様、本発明の垂直配線形成方法を用いてプリント基板を
作製した。ただし、実施例１では、小アスペクト比の垂
直配線および高アスペクト比の垂直配線を、この順で形
成したが、本実施例では、これを逆にして形成した。

【００８０】工程９−１：まず、実施例１の工程１−１
および工程１−２と同様にして、基板表面に水平配線１
および下地導電膜２を有するガラスエポキシ積層板３
（図１（ａ））を形成した後、水平配線１および下地導
電膜２を覆うように、基板３表面に、ドライフィルムレ
ジスト（日立化成工業（株）製「フォテックＨ−Ｗ４７
５」（レジスト膜厚７５μｍ）を、１１０℃、０．３Ｍ
Ｐａの条件でラミネーターによって成膜した（図１
（ｂ））。

【００８１】工程９−２：得られたレジスト層４表面
に、アスペクト比１以上の垂直配線形成箇所に応じて直
径５０〜７０μｍのレーザ照射孔を有する金属製マスク
８を密着させ、ＣＯ₂レーザを所定径に応じて縮小させ
て６０〜１００ショット照射し）、アスペクト比１以上
の貫通孔１０を形成した。

【００８２】工程９−３：つぎに、金属マスク８を取り
除いた後、アスペクト比１以下の垂直配線形成箇所に応
じて直径８０〜１００μｍの貫通孔を有するポリエステ
ルフルム６をレジスト層４表面に密着させ、露光、現像
してパターニングした。

【００８３】工程９−４：最後に、工程１−５と同様に
して電気めっき、レジスト膜４の剥離した後、下地導電
膜を除去し、垂直配線を形成した。次いで触針段差計に
よって検査を行なったところ、水平配線１および垂直配
線１１を備える第一配線層を、欠陥なく備えるプリント
配線基板が得られた。配線膜厚は９８μｍ±５であり、
配線形成率はすべての直径の垂直配線について１００％
であった。

【００８４】＜実施例１０＞本実施例では、配線修正装
置を用いて垂直配線の修正を行なった。本実施例の配線
修正装置８０は、図８に示すように、処理対象基板８７
を保持するための基板保持部８１と、基板保持部８１に
保持された基板８７を水平方向に移動させるためのＸＹ
ステージ８２と、該ＸＹステージ８２を駆動する駆動部
８３と、基板保持部８１に保持された基板８７の表面の
段差を測定し、測定結果から欠陥箇所の座標を求めて、
その結果を出力するレーザ段差測定装置８４と、基板保
持部８１に保持された基板８７の表面にレーザを照射す
るレーザ照射装置８５と、駆動部８３、レーザ段差測定
装置８４およびレーザ照射装置８５の動作を制御する制
御装置８６とを備える。

【００８５】本実施例では、ＸＹステージ８２および駆
動部８３が移動機構にあたり、レーザ段差測定装置８４
が検査機構にあたり、制御装置８６が制御機構にあた
る。また、本実施例では、レーザ段差測定装置８４が段
差の測定結果から位置情報（本実施例では座標）を求め
る座標算出手段（図示せず）を備えているが、本発明は
これに限られず、制御装置８６にこの座標算出手段が設
けられていてもよい。この場合には、制御装置８６の座
標算出手段とレーザ段差測定装置８４とを合わせて検査
機構として考える。

【００８６】制御装置８６は、レーザ段差測定装置８４
を起動させ、該装置８４の出力した結果を受け付けて、
該結果に応じて駆動部８３およびレーザ照射装置８５の
動作を制御する装置であり、図９に示すように、中央演
算処理装置（ＣＰＵ）９１と入出力装置９２と、主記憶
装置９３と、外部記憶装置９４とを備える。

【００８７】この制御装置８６の機能構成を図１０に示
す。制御装置８６は、検査部１０１、修正部１０２およ
び欠陥箇所記憶部１０３とを備える。検査部１０１およ
び修正部１０２は、主記憶装置９３に保持されたプログ
ラムをＣＰＵ９１が実行することにより実現される。ま
た、欠陥箇所記憶部１０３は、主記憶装置９３に確保さ
れた記憶領域である。なお、本実施例では、上述のよう
に制御装置８６の各部はあらかじめ外部記憶装置９４に
保持され、主記憶装置９３に読み込まれて保持されてい
るソフトウエアの実行により実現されるが、本発明はこ
れに限られず、専用回路などのハードウエアにより各部
１０１〜１０３が実現されてもよい。

【００８８】検査部１０１は、段差測定装置８４を制御
して欠陥箇所の座標を検出・記憶するための手段であ
る。入出力装置９２を介して検査指示が入力されると、
図１１に示すように、検査部１０１が、段差測定装置８
４を起動して測定を指示し（ステップ１１１）、検査結
果の入力を受け付けて（ステップ１１２）、その結果
（欠陥箇所の座標）を欠陥箇所記憶部１０３に格納する
（ステップ１１３）。

【００８９】修正部１０２は、欠陥箇所記憶部１０３に
保持された座標をもとに、欠陥の修復を行なう手段であ
る。入出力装置９２を介して修正指示が入力されると、
図１２に示すように、修正部１０２は、まず、レーザ照
射の条件の入力を入出力装置９２を介して受け付けた後
（ステップ１２１）、欠陥箇所記憶部１０３を参照し
て、未修正の欠陥箇所が登録されているか否か検査する
（ステップ１２２）。ここで、未修正の欠陥箇所が欠陥
箇所記憶部１０３に登録されていなければ、修正部１０
２は処理を終了する（ステップ１２２）。

【００９０】一方、未修正の欠陥箇所が登録されていれ
ば（ステップ１２２）、修正部１０２は、当該箇所の座
標を欠陥箇所記憶部１０３から取得し（ステップ１２
３）、レーザ照射装置８５の照射軸位置に基板の当該座
標が配置されるように動作信号を作成して、駆動部８３
に対して通知する（ステップ１２４）。これを受けた駆
動部８３は、この動作信号に応じて、ＸＹステージ８２
を動作させ、基板を所定の位置に移動させた後、移動の
終了を制御装置８６に通知する。

【００９１】この通知を受けた修正部１０２は（ステッ
プ１２５）、ステップ１２１で入力された照射条件をレ
ーザ照射装置８５に通知して、レーザ照射を指示する
（ステップ１２６）。これを受けたレーザ照射装置８５
は、通知された条件でレーザを照射した後、処理の終了
を制御装置８６に通知する。この通知を受けた修正部１
０２は（ステップ１２７）、欠陥箇所記憶部１０３から
処理した座標を削除し（ステップ１２８）、処理を上述
のステップ１２２に戻す。

【００９２】本実施例では、この配線修正装置８０を用
い、実施例２と同様にして配線の欠陥を修復した。すな
わち、まず、工程２−１と同様にして基板３に水平配線
１および垂直配線２０を形成した後、基板３を基板保持
部８１にセットし、入力装置９２を介して配線修正装置
８０に検査の指示を入力した。これにより、検査処理
（図１１）が実行され、配線の欠陥箇所が検出された。
検査処理が終了したところで、基板３を基板保持部８１
から取り外し、工程２−３と同様にして第１のレジスト
層２１を形成した後、再度基板３を基板保持部８１にセ
ットして、入力装置９２を介して配線修正装置８０に修
正の指示を入力した。これにより、修正処理（図１２）
が実行され、配線欠陥箇所に開口部が設けられた。再び
基板３を基板保持部８１から取り外し、工程２−５と同
様にして電気めっき、レジスト４の剥離、および下地導
電膜２の除去を行なったところ、欠陥が完全に修復され
たプリント配線基板を得ることができた。本実施例によ
れば、微細配線の欠陥箇所が自動的に検出、修復される
ため、信頼性の高い微細配線基板を、容易に作成するこ
とができる。

【００９３】

【発明の実施の効果】以上に説明したように、本発明に
よれば、高密度、高いアスペクト比の垂直配線を有する
プリント配線基板を、容易かつ歩留まりよく得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の垂直配線形成工程例を示す説明図で
ある。

【図２】 本発明の配線修正方法を用いて修正する多層
プリント配線基板の製造工程例を示す説明図である。

【図３】 本発明の配線修正工程例を示す説明図であ
る。

【図４】 水平配線の形成工程を示す説明図である。

【図５】 従来の垂直配線形成工程を示す説明図であ
る。

【図６】 各実施例における配線構造を示す模式図であ
る。

【図７】 各実施例における配線パターンを示す基板平
面図である。

【図８】 実施例１０における配線修正装置の構成図で
ある。

【図９】 実施例１０における制御装置のハードウエア
構成図である。

【図１０】 実施例１０における制御装置の機能構成図
である。

【図１１】 実施例１０における検査部の処理を示す流
れ図である。

【図１２】 実施例１０における修正部の処理を示す流
れ図である。

【符号の説明】

１…水平配線、２…導電膜、３…ベース基板、４…感光
性レジスト、５…紫外線、６…紫外光照射用ポリエステ
ル製マスク、７…アスペクト比１未満の貫通孔、８…レ
ーザ照射用金属製マスク、９…レーザ光、１０…アスペ
クト比１以上の貫通孔、１１…垂直配線、１６…第２の
感光性レジスト、１９…配線未形成箇所、１９ａ…配線
形成用貫通孔、１９ｂ…配線未形成部開口用貫通孔、２
０…配線既形成箇所、２１…第１の感光性レジスト、２
２…レーザ光、２３…垂直配線修復箇所、２５…めっき
銅膜、２６…貫通めっきスルーホール、２７…感光性レ
ジスト、２８…紫外線、２９…水平配線用フィルムマス
ク、３２…感光性レジスト、３３…紫外線、３４…垂直
配線用フィルムマスク、３５…垂直配線、３７…貫通孔
（スルーホール）、３８…スルーホールを囲む水平配線
の直径、３９…垂直配線、４０…垂直配線を囲む水平配
線の直径、４１…垂直配線の直径、４２…垂直配線高
さ、４５…第２の配線領域、４６…第２の配線領域、８
０…配線修正装置、８１…基板保持部、８２…ＸＹステ
ージ、８３…駆動部、８４…段差測定装置、８５…レー
ザ照射装置、８６…制御装置、８７…処理対象基板、９
１…中央演算処理装置（ＣＰＵ）、９２…入出力装置９
２、９３…主記憶装置、９４…外部記憶装置、１０１…
検査部、１０２…修正部、１０３欠陥箇所記憶部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角屋 明由 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 渡部 真貴雄 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 天明 浩之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】平面配線を備えるベース基板の、該平面配
   線の表面に垂直配線を形成する垂直配線形成工程を備え
   るプリント配線基板の製造方法において、 上記垂直配線形成工程は、 上記平面配線を覆うように、レーザの照射により除去す
   ることのできる有機物からなるレジスト層を形成するレ
   ジスト形成工程と、 上記レジスト層の所定箇所にレーザを照射して、当該箇
   所の該レジスト層を除去して第１の貫通孔を形成する第
   １の貫通孔形成工程と、 上記第１の貫通孔に導体を充填して上記垂直配線を形成
   する第１の充填工程とを、この順で備えることを特徴と
   するプリント配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１において、 上記レジスト層を構成する上記有機物は、感光性樹脂で
   あり、 上記垂直配線形成工程は、 上記レジスト形成工程と上記第１の充填工程との間に、 上記レジスト層の所定箇所に紫外光を照射して光硬化さ
   せた後、現像して、第２の貫通孔を形成する第２の貫通
   孔形成工程をさらに有し、 上記第１の充填工程は、上記第１の貫通孔に加えて上記
   第２の貫通孔にも導体を充填する工程であり、 上記第１の貫通孔のアスペクト比は１以上、上記第２の
   貫通孔のアスペクト比は１未満であることを特徴とする
   プリント配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】ベース基板表面に平面配線を形成する平面
   配線形成工程と、該平面配線の表面に第２の垂直配線を
   形成する垂直配線形成工程とを、この順で備えるプリン
   ト配線基板の製造方法において、 上記垂直配線形成工程の後に、上記第２の垂直配線の未
   形成箇所に第１の垂直配線を形成する垂直配線修正工程
   を、さらに備え、 上記垂直配線形成工程は、 上記平面配線を覆うように、感光性樹脂からなる第２の
   レジスト層を形成する第２のレジスト形成工程と、 上記レジスト層の所定箇所に紫外光を照射して光硬化さ
   せた後、現像して、第２の貫通孔を形成する第２の貫通
   孔形成工程と、 上記第２の貫通孔に導体を充填して上記第２の垂直配線
   を形成する第２の充填工程とを、この順で備え、 上記垂直配線修正工程は、 上記第２の垂直配線および上記第２のレジスト層を覆う
   ように、レーザの照射により除去することのできる有機
   物からなる第１のレジスト層を形成する第１のレジスト
   形成工程と、 上記第２の充填工程における充填されていない上記第２
   の貫通孔の開口部を覆う上記第１のレジスト層にレーザ
   を照射して、当該箇所の該第１のレジスト層を除去し、
   第１の貫通孔を形成して上記第２の貫通孔を開口させる
   第１の貫通孔形成工程と、 上記第１の貫通孔を介して開口した上記第２の貫通孔に
   導体を充填して上記第１の垂直配線を形成する充填工程
   とを、この順で備えることを特徴とするプリント配線基
   板の製造方法。
4. 【請求項４】請求項３において、 上記垂直配線修正工程は、 上記第１のレジスト形成工程の前に、 上記第２の貫通孔のうち、導体が充填されていないもの
   の位置を検出する検査工程を、さらに備え、 上記第１の貫通孔形成工程は、 上記第１のレジスト層の、上記検査工程により検出され
   た位置に、上記レーザを照射する工程であることを特徴
   とするプリント配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項１または３において、 上記レジスト層は、 無機物からなる充填剤をさらに含み、 上記充填剤の含有量は３０体積％以下であることを特徴
   とするプリント配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】請求項１または３において、 上記レーザは、エキシマレーザ、ＹＡＧ（イットリウム
   ・アルミニウム・ガーネット）レーザまたはＣＯ₂レー
   ザであることを特徴とするプリント配線基板の製造方
   法。
7. 【請求項７】請求項１または３において、 上記第１のレジスト層は、膜厚が５〜５０μｍのである
   ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】平面配線と下地導電膜とを備えるベース基
   板の、該平面配線の表面に垂直配線を形成する、プリン
   ト配線基板における配線形成方法において、 上記平面配線および上記下地導電膜を覆うように、レー
   ザの照射により除去することのできる有機物からなるレ
   ジスト層を形成するレジスト形成工程と、 上記レジスト層の所定箇所にレーザを照射して、当該箇
   所の該レジスト層を除去して第１の貫通孔を形成する第
   １の貫通孔形成工程と、 上記第１の貫通孔にめっきにより導体を充填する充填工
   程とを、この順で備えることを特徴とする配線形成方
   法。
9. 【請求項９】ベース基板と、該ベース基板表面に形成さ
   れた平面配線と、該平面配線を覆うように上記ベース基
   板表面に形成された、第２の貫通孔を有する第２のレジ
   スト層とを備えるプリント配線基板に、垂直配線を形成
   する配線修正方法において、 上記第２のレジスト層を覆うように、レーザの照射によ
   り除去することのできる有機物からなる第１のレジスト
   層を形成する第１のレジスト形成工程と、 導体が充填されていない上記第２の貫通孔の開口部を覆
   う上記第１のレジスト層にレーザを照射して、当該箇所
   の該第１のレジスト層を除去し、上記第２の貫通孔に達
   する第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、 上記第１の貫通孔を介して開口した上記第２の貫通孔に
   導体を充填して上記第１の垂直配線を形成する充填工程
   とを、この順で備えることを特徴とするプリント配線基
   板の配線修正方法。
10. 【請求項１０】請求項９において、 上記第１のレジスト形成工程の前に、 上記第２の貫通孔のうち、導体が充填されていないもの
    の位置を検出する検査工程を、さらに備え、 上記第１の貫通孔形成工程は、 上記第１のレジスト層の、上記検査工程により検出され
    た位置に、上記レーザを照射する工程であることを特徴
    とするプリント配線基板の配線修正方法。
11. 【請求項１１】処理対象のプリント配線基板を保持する
    ための基板保持部と、 上記基板保持部に保持されたプリント配線基板を水平方
    向に移動させるための移動機構と、 上記基板保持部に保持されたプリント配線基板の表面の
    段差を測定し、測定結果から欠陥箇所の位置を求めて、
    該位置の情報を出力する検査機構と、 上記基板保持部に保持されたプリント配線基板の表面に
    レーザを照射するレーザ照射機構と、 上記移動機構、上記検査機構、および、上記レーザ照射
    機構の動作を制御する制御機構とを備え、 上記制御機構は、 上記欠陥箇所の位置情報を保持するための欠陥箇所記憶
    部と、 上記検査機構を制御して上記欠陥箇所を求めさせ、該検
    査機構から出力された上記位置情報を上記欠陥箇所記憶
    部に格納する検査部と、 上記レーザ照射機構を制御して、上記プリント配線基板
    の表面の、上記欠陥箇所記憶部に保持された位置情報の
    示す箇所にレーザを照射させる修正部とを備えることを
    特徴とする配線修正支援装置。