JPH10256656A - 長波長放出垂直空洞面放出レーザおよびその製造方法 - Google Patents

長波長放出垂直空洞面放出レーザおよびその製造方法

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JPH10256656A JP10046205A JP4620598A JPH10256656A JP H10256656 A JPH10256656 A JP H10256656A JP 10046205 A JP10046205 A JP 10046205A JP 4620598 A JP4620598 A JP 4620598A JP H10256656 A JPH10256656 A JP H10256656A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光遠隔通信に用いるための長波長垂直空洞面
放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）（４０），ならびに支持基板
（２２）上における活性ＶＣＳＥＬ構造（２０）の作成
およびシリコン基板（１２）上における高反射率ＤＢＲ
ミラー構造（１０）の作成を含む製造方法を提供する。 【解決手段】 ＤＢＲミラー構造は、エピタキシャル成
長技法および／またはＳＯＩウエハ融着技術を用いるウ
エハ・ボンディングを利用して製造した、酸化シリコン
物質およびシリコン物質の交互層（１４，１６）を含
む。ＶＣＳＥＬ素子の製造の間、Ｓｉ／ＳｉＯ2 ＤＢＲ
ミラー構造を活性ＶＣＳＥＬ構造にウエハ・ボンドす
る。支持基板（２２，２４，２６）上の活性ＶＣＳＥＬ
構造を選択的に除去し、第２ＤＢＲミラー・スタック
（４２）の位置付けを可能にする。最終的なＶＣＳＥＬ
素子は、赤外線光を放出することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザに関
し、更に特定すれば、垂直空洞面放出レーザに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】今日、従来の縁放出半導体レーザは、そ
の高い動作効率および変調能力のため、光通信において
重要な役割を果たしているが、しかしながら、縁放出半
導体レーザにはいくらかの欠点あるいは問題点があるた
めに、用途によってはその使用が困難な場合もある。
【０００３】近年、垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥ
Ｌ：vertical cavity surface emitting laser）に対す
る関心が高まりつつある。従来のＶＣＳＥＬには、ダイ
表面に垂直に光を放出すること、二次元アレイの製造が
可能であること等、いくつかの利点がある。しかしなが
ら、従来のＶＣＳＥＬにはいくつかの利点がある反面、
これらにも１μｍより長い赤外線スペクトルにおける放
出に関していくつかの欠点がある。これは、主に、ＶＣ
ＳＥＬ構造の一部として含まれる分布ブラッグ反射器(d
istributed Bragg reflector) の反射率が低いことによ
るものである。このために、１μｍより長い赤外線スペ
クトル用ＶＣＳＥＬの生産性は非常に限られている。
【０００４】長波長（１．３２マイクロメートルないし
１．５５マイクロメートル）垂直空洞面放出レーザ（Ｖ
ＣＳＥＬ）は、最少ファイバ分散(minimum fiber dispe
rsion)が１．３２マイクロメートルであり、最少ファイ
バ損失(minimum fiber loss)が１．５５マイクロメート
ルであるために、光遠隔通信業界において強い関心がよ
せられている。分散シフト・ファイバ(dispersion shif
ted fiber)は、最少分散および最少損失共に１．５５マ
イクロメートルである。長波長ＶＣＳＥＬは、ＩｎＰク
ラッディング層に一致させたＩｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ
1-y 活性層格子に基づくものである。しかしながら、こ
の物質系では、適切なモノリシックＤＢＲを基本とする
ミラー構造を達成するのは、実際には不可能である。何
故なら、この物質系では屈折率の差がさほどないからで
ある。その結果、相応の反射率を得るためには、多くの
層、即ち、ミラー対が必要となる。
【０００５】この問題に対処するために、ウエハ・ボン
ディング技法を利用する素子の製造を含む、多くの試み
がなされてきているが、未だ限られた成功が示されてい
るに過ぎない。一例として、現在利用されている素子で
は、ＤＢＲミラー構造をＧａＡｓ基板上に成長させるも
のがある。次に、ＩｎＰ構造上に活性層を成長させる。
次に、２つの素子を一緒にフリップ装着(flip mount)
し、ウエハ融着技法(wafer fusion technique)を用いて
融着する。最終的に得られるのは、製造に費用がかか
り、低効率，低出力電力および低歩留まりを呈する素子
である。加えて、ウエハ融着過程における界面欠陥密度
(interface defect density)のために、ＶＣＳＥＬ最終
製品には、潜在的に信頼性に関する問題がある。
【０００６】したがって、光遠隔通信技術に用いるため
の、信頼性および価格効率性が高い赤外線垂直空洞面放
出レーザ（ＶＣＳＥＬ）を開発することが必要とされて
いる。
【０００７】即ち、シリコン（Ｓｉ）物質および酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）物質の交互層から成り、ウエハ融着
技法を用いてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ活性領域に融着さ
せたＤＢＲミラー構造をその一部として含み、これによ
って高い反射率を可能にする、光遠隔通信技術において
用いるための赤外線垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥ
Ｌ）を提供することが非常に望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シリ
コン基板，およびＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ物質系活性領
域を利用することにより高い反射率を達成する、新規で
改良された垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）を提供
することである。
【０００９】本発明の他の目的は、垂直空洞面放出レー
ザにおいて、シリコン基板，およびその上に形成された
シリコン（Ｓｉ）および二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）の
交互層を、当該ＶＣＳＥＬ素子に含まれる高反射率ＤＢ
Ｒミラー構造の一部として含むＶＣＳＥＬを提供するこ
とである。
【００１０】本発明の更に他の目的は、ＤＢＲミラーお
よびＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ活性領域の融着界面におけ
る欠陥密度低下を図る、新規で改良された垂直空洞面放
出レーザ（ＶＣＳＥＬ）を提供することである。
【００１１】本発明の更に別の目的は、赤外線スペクト
ルにおける放出を可能とする、新規で改良された垂直空
洞面放出レーザを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述のおよびその他の問
題の解決、ならびに上述のおよびその他の目的の実現
は、表面を有するシリコン支持基板を含み、更に交互層
の対を含む垂直空洞面放出レーザにおいて達成される。
第１分布ブラッグ反射器上に第１接触層を配置する。第
１接触層は、ボンディング層としても特徴付けられる。
第１接触層に、第１クラッディング領域をウエハ融着す
る。第１クラッディング領域上に活性領域を配置する。
活性領域上に第２クラッディング領域を配置し、第２ク
ラッディング領域上に第２接触層を配置する。第２接触
層上に誘電体ミラー・スタックを配置する。
【００１３】加えて、最上面上にボンディング層を位置
付けた第１ＤＢＲミラー構造を用意する段階を含む、垂
直空洞面放出レーザの製造方法も開示する。次に、支持
基板，エッチ・ストップ層，バッファ層，第１クラッデ
ィング領域，活性領域および第２クラッディング領域を
含む活性レーザ構造を作成する。一旦完成したなら、支
持基板，エッチ・ストップ層，およびバッファ層を、活
性レーザ構造から選択的に除去する。ＶＣＳＥＬ素子構
造を完成するために、ウエハ・ボンディング技法を用い
て、第１ＤＢＲミラー構造を活性レーザ構造上に装着す
る。第１ＤＢＲミラー構造のボンディング層は、活性レ
ーザ構造の第２クラッディング領域にウエハ・ボンドさ
れる。
【００１４】本発明の特徴であると確信する新規の構造
は、特許請求の範囲に明示してある。しかしながら、本
発明自体ならびにその他の特徴および利点は、以下の詳
細な説明を参照し、添付図面と関連付けながら読むこと
によって最良に理解されよう。
【００１５】
【発明の実施の形態】この説明の間、同様の参照番号を
用いて、本発明を図示する異なる図面に係る同様の素子
を識別することとする。これより図１を参照すると、本
発明による分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）ミラー・スタ
ック１０の簡略拡大図が示されている。ＤＢＲミラー・
スタック１０は、上面１１を有する支持基板１２上に形
成されている。支持基板１２はシリコン物質で形成され
ている。基板１２の表面１１上には、分布ブラッグ反射
器ミラー・スタック１０を構成する交互層１３の複数の
対が作成される。即ち、交互層１３は、各対の中に、二
酸化シリコン（ＳｉＯ2）物質の層１４およびシリコン
（Ｓｉ）物質の層１６を含む。交互層１３の製造には、
化学蒸着（ＶＣＤ），プラズマ・エンハンス化学蒸着
（ＰＥＣＶＤ），スパッタリング，電子ビーム堆積（Ｅ
−ビーム），および／またはボンドおよびエッチ・バッ
ク絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）ウエハ融着技術を含む標
準的なエピタキシャル成長技法を利用することを開示す
る。
【００１６】好適実施例では、交互層１３の複数の対
は、ＳＯＩ技術を利用して形成することにより、酸化シ
リコン物質の第１層１４をシリコン基板１２にウエハ融
着する。その後、エッチ・バックＳＯＩ技術を用いて、
各シリコン物質の層１６を、直前の酸化シリコンの層１
４にウエハ・ボンドする。より具体的には、所望の深さ
にインプラントを利用し、エッチ・バックして次の層の
形成を可能にすることによりミラー対、即ち、反射器対
（Ｓｉ／ＳｉＯ2 ）を作成する。追加のミラー対が必要
な場合、更にいくつかの層、即ち、追加ミラー対を既存
の層１４，１６上に堆積する。単結晶シリコン物質の最
終層１６を、交互層１３の最上層として作成する。別の
製造技法では、エピタキシャル成長技法をＳＯＩ技術と
組み合わせて利用して交互層１３を作成することによ
り、シリコン物質の層１６を基板１２上に堆積する。次
に、層１６の一部を酸化させて、酸化シリコン物質の層
１４を形成する。あるいは、シリコン基板１２上に酸化
シリコン物質の層１４を堆積し、この酸化シリコン層上
に、シリコン物質の層１６を堆積する。このプロセス
は、前述のＤＢＲミラー構造１０の交互層１３の複数の
対を形成するまで繰り返される。ＳＯＩ技術を用いた酸
化シリコン物質の直前の層１４に対するシリコン・ウエ
ハ・ボンディングを利用して、シリコン物質の最終層１
６を用意する。これによって、高い結晶品質のシリコン
層を、交互層１３の最上層として形成することが可能と
なり、シリコン物質の最終層の最上面上に、バッファ層
１８の成長が可能となる。
【００１７】前述のように、交互層１３は対で作成す
る。通常、交互層１３は、４対ないし７対のミラーを有
することができ、好適な対数は５ないし６対である。加
えて、出願人は、シリコンおよび酸化シリコンの５ミラ
ー対が、赤外線スペクトルにおいて動作する完全なＶＣ
ＳＥＬ素子に、適切な反射率特性を与えると確信する。
しかしながら、交互層１３の数は、特定用途に応じて調
節可能であることは理解されよう。また、前述のよう
に、最上位交互層は、高結晶シリコン物質で作られ、交
互層１３の最上層を形成する。高い反射率を達成するた
めには、分布ブラッグ反射器１０内の各反復層は、正確
に同一、即ち、各層１４，１６に対して１／４波長と
し、これら層間に適切な構造的干渉を維持しなければな
らない。シリコンの屈折率が約３．５に対し、酸化シリ
コンの屈折率が約１．５であり、これら２つの物質間に
は、大きな屈折率の差が存在する。したがって、ＤＢＲ
ミラー構造１０内において適切な反射率を達成するため
に必要な交互層１３の対数は、少なくて済む。
【００１８】単結晶構造として作成された、シリコン物
質の最上層１６上には、ｎ−ドープ燐化ガリウムの層か
ら成るバッファ層１８を位置付ける。層１８は、活性Ｖ
ＣＳＥＬ構造（以下で論ずる）とのボンディング層とし
て、および完成された素子構造におけるｎ−接点として
機能する。
【００１９】次に図２を参照すると、表面２３を有する
支持基板２２上に形成された垂直空洞面放出レーザ（Ｖ
ＣＳＥＬ）２０の活性構造の簡略拡大断面図が示されて
いる。尚、図２は単一のＶＣＳＥＬ２０の一部を示すの
みであるが、ＶＣＳＥＬ２０は、基板２２上に配置され
アレイを形成する多くのＶＣＳＥＬを代表する場合もあ
ることは理解されよう。通常、活性ＶＣＳＥＬ構造２０
は、エッチ・ストップ層２４，バッファ層２６，第２接
触層２８，第１クラッディング領域３０，活性領域３４
および第２クラッディング領域３６のような、いくつか
の規定区域即ち領域で構成される。
【００２０】本例では、基板２２は燐化インディウム
（ＩｎＰ）物質で作られ、完全な長波長ＶＣＳＥＬ素子
の製造の間に選択的に除去する。この特定例では、支持
基板２２を用いてＶＣＳＥＬの活性領域を成長させる。
加えて、エッチ・ストップ層２４を設け、基板２２およ
び燐化インディウム・バッファ層２６に隣接して位置付
ける。これらの層は完全な素子の製造の間に選択的に除
去する。
【００２１】典型的に、エッチ・ストップ層２４，バッ
ファ層２６，第２接触層２８，第２クラッディング領域
３６，活性層３４および第１クラッディング領域３０の
ような、必要とされる多数の層状構造を堆積するには、
分子ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ），金属有機化学蒸着
（ＭＯＣＶＤ）等のような適切なエピタキシャル堆積方
法が用いられる。また、これらの層の多くは、ｎ−ドー
プ燐化インディウム，ｐ−ドープ砒化燐化インディウム
・ガリウム，および砒化インディウム・ガリウムのよう
な、化合物材料で作られることも理解されよう。また、
エピタキシャル堆積を広く用いて、ＶＣＳＥＬ２０の活
性領域を構成する多数の層を生成することも理解されよ
う。
【００２２】通常、第２接触層２８，第１クラッディン
グ領域３６，第２クラッディング領域３０，および活性
領域３４の厚さは、完成されたＶＣＳＥＬ素子によって
放出される光の波長の一部として表される。各層の厚さ
およびドーピング・レベルは正確に制御しなければなら
ないことは理解されよう。設計されたパラメータに対す
る僅かなずれでさえも、ＶＣＳＥＬの性能に影響を与え
る可能性があり、その結果最終的な製造歩留まりにも影
響を及ぼすことになる。
【００２３】ＶＣＳＥＬ２０のドーピングを行うには、
ドーパント物質、例えば、ｎ−型ドーパントおよびｐ−
型ドーパントを、エピタキシャル堆積に用いるエピタキ
シャル物質に添加し、エピタキシャル的に堆積された物
質にドーピングを行う。多くの異なるドーパント濃度，
特定のドーパント物質，およびドーパント物質の配置を
使用することができる。
【００２４】一旦エッチ・ストップ層２４上にバッファ
層２６を堆積したなら、第２接触層２８、より具体的に
は、高濃度ｐ−ドープ砒化燐化インディウム・ガリウム
物質を含む層を、バッファ層２６上にエピタキシャル成
長させる。接触層２８は、完成されたＶＣＳＥＬ素子に
Ｐ−金属接点を与え、活性領域３４の転位(dislocatio
n) 等のマイグレーションを防止することによって、Ｖ
ＣＳＥＬ素子の信頼性を高める。
【００２５】次に、クラッディング領域３０は、その前
の層（例えば、接触層２８）の上にエピタキシャル的に
配置または堆積された１つ以上の層から成るものとして
示されている。クラッディング領域３０は、低濃度にｐ
−ドープされた砒化燐化インディウム・ガリウムの電流
拡散層(current spread layer)３１のようないずれかの
適切なドープ物質層または非ドープ物質層，および接触
層２８上にエピタキシャル的に堆積された燐化インディ
ウム・クラッディング層で構成されている。活性領域３
４は、クラッディング領域３０上にエピタキシャル的に
堆積または配置された単一層によって表されている。し
かしながら、活性領域３４は１つ以上のバリア層および
量子井戸等、更に具体的には、第１バリア層および第２
バリア層，ならびにこれら第１バリア層および第２バリ
ア層の間に位置する量子井戸層を含み得ることは理解さ
れよう。活性領域３４は、更に、砒化燐化インディウム
・ガリウム物質も含む。次に、活性領域３４上に、クラ
ッディング領域３６をエピタキシャル的に成長または配
置する。クラッディング領域３６は、低濃度ｎ−ドープ
燐化インディウム電流拡散層３７およびｎ−ドープ燐化
インディウム・クラッディング層３８を含む。
【００２６】次に図３を参照すると、開示した方法にし
たがって製造された完全なＶＣＳＥＬ素子構造４０が、
簡略断面図で示されている。他の方法を利用することも
可能であり、これから記載する過程は単に例示および説
明の目的のためであることは、勿論理解されよう。図１
および図２に関連して既に示し説明した素子と同様の図
３における構造の素子には、同様の番号を付してある。
【００２７】素子構造４０の製造の間、６００ないし６
５０℃の範囲の温度を利用し、約３０分間Ｈ2 雰囲気の
中で、図１に示したようなＤＢＲミラー構造１０を、図
２に示したような活性構造２０にフリップ装着(flip mo
unt)し、融着する。より具体的には、第１接触層として
特徴付けられる、ＤＢＲミラー構造１０のｎ−ドープ燐
化ガリウム層、即ち、ｎ−接触層１８を、活性ＶＣＳＥ
Ｌ素子構造２０のクラッディング領域３６の最上面にウ
エハ融着(wafer fuse)する。次に、支持基板２２，エッ
チ・ストップ層２４およびオプションのバッファ層２６
を、活性ＶＣＳＥＬ構造２０から選択的に除去する。
【００２８】次に、第２接触層２８，クラッディング領
域３０，および活性領域３４にエッチングを行い、ＶＣ
ＳＥＬ４０を規定するが、直径は、レーザ放出開口５２
および動作キャビティ領域よりも未だかなり大きいまま
にしておくことにより、活性領域３４がこのエッチング
工程による損傷を受けないようにする。あるいは、設計
上のレーザ放出開口５２よりも多少大きな注入マスクを
用いて、陽子注入(proton implantation) を電流分離の
ために利用することも可能である。
【００２９】酸化インディウム錫，金，金亜鉛，プラチ
ナ金，チタン・タングステン，金ベリリウム，またはこ
れらの組み合わせのような、いずれかの適切な導電性物
質を層２８上に配置することによって、接触層２８上に
Ｐ−金属電気接点４８を形成する。更に、酸化インディ
ウム錫，金，金ゲルマニウム，ニッケル・ゲルマニウム
金，またはこれらの組み合わせのような、いずれかの適
切な導電性物質を層１８に関して配置することによっ
て、Ｎ−金属電気接点５０を接触層１８に接触するよう
に形成する。電気接点４８，５０にどのような物質の選
択を行うかに応じて、第１および第２接触層１８，２８
ならびに電気接点を形成するための具体的な配置方法お
よび当該特定の物質のパターニングが変わることは理解
されよう。一旦上述のエッチングおよび注入工程が完了
したなら、レーザ放出開口５２を開放状に残すように、
Ｐ−金属接点４８を接触層２８上に堆積する。次に、ク
ラッディング領域３６の表面上のように、第１接触層１
８に関してＮ−金属接点５０を堆積する。
【００３０】最後に、接触層２８上に、第２分布ブラッ
グ反射器４２、即ち、誘電体ミラー構造を堆積する。こ
の特定実施例では、ＶＣＳＥＬ４０は上側の放出レーザ
であるので、赤外線レーザ放出光５４が放出される放出
窓即ち開口５２を規定するように、この第２分布ブラッ
グ反射器４２を形成する。尚、多くの他のタイプの電気
接点も利用可能であり、本構造は説明の目的のために示
すに過ぎないことは理解されよう。
【００３１】第２分布ブラッグ反射器４２は、複数の交
互層で構成される。より具体的には、第２ＤＢＲ４２
は、１つ以上の酸化チタン物質の層４４，および１つ以
上の酸化シリコン物質の層４６を含む複数の交互層から
成る誘電体ミラー・スタックとして作成する。一例とし
て、接触層２８上に酸化チタン（ＴｉＯ2 ）の層をエピ
タキシャル的に堆積し、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）の層
を酸化チタンの層上にほぼエピタキシャル的に堆積する
ことにより、別のミラー対即ち別の反射器対（ＴｉＯ2
／ＳｉＯ2 ）を作成する。追加のミラー対が必要な場
合、さらにいくつかの層、即ち、追加のミラー対を、既
存の酸化チタン層および酸化シリコン層の上に堆積す
る。あるいは、第２分布ブラッグ反射器４２は、Ｓｉ／
Ａｌ2 Ｏ3 物質系またはＳｉ／ＳｉＯ2 物質系で形成す
る。第２分布ブラッグ反射器４２は誘電体ミラー構造と
して機能することは理解されよう。
【００３２】通常、第２分布ブラッグ反射器４２の複数
の交互層は、１対ないし１０対のミラー対であり、好適
なミラー対数は４ないし５対の範囲である。しかしなが
ら、ミラー対の数は、特定用途毎に調整可能であること
は理解されよう。
【００３３】以上のように、赤外線放出垂直空洞面放出
レーザ素子および製造方法について開示した。本発明の
装置は、２つの別個のウエハ構造として作成され、その
後ＳＯＩウエハ・ボンディング技術を利用して一方を他
方にウエハ・ボンドし、本発明の長波長ＶＣＳＥＬ素子
を形成する。燐化インディウム支持基板上に活性ＶＣＳ
ＥＬ構造を作成し、シリコン支持基板上に作成されるＳ
ｉ／ＳｉＯ2 ＤＢＲミラー構造とのウエハ融着に先だっ
て、選択的な除去を可能にする。Ｓｉ／ＳｉＯ2 ＤＢＲ
ミラー構造は、高い反射率を可能にする。開示した素子
は、赤外線範囲のレーザ光を放出するように設計され、
２つのウエハ構造の界面における欠陥密度の減少，歩留
まりの向上および製造費用の削減を可能にする。
【００３４】開示した方法の種々の工程は、説明の目的
のために特定の順序で行ったが、開示した方法の種々の
工程は、相互交換可能であり、更に、特定の用途では他
の工程との組み合わも可能であることは理解されよう。
また、開示された方法におけるこのような変更は全て、
特許請求の範囲に該当することを十分に意図するもので
ある。
【００３５】以上、本発明の特定実施例について示しか
つ説明したが、更に他の変更や改良も当業者には想起さ
れよう。したがって、本発明はここに示した特定形態に
限定されないと理解されることを望むと共に、特許請求
の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない全て
の変更を包含することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にしたがって支持基板上に作成されたＳ
ｉ／ＳｉＯ2 ミラー構造の拡大簡略断面図。
【図２】本発明によるＶＣＳＥＬ素子の活性構造の拡大
簡略断面図。
【図３】本発明による完成された長波長ＶＣＳＥＬ素子
の拡大簡略断面図。
【符号の説明】
１０ 分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）ミラー・スタッ
ク １２ 支持基板 １３ 交互層 １４ 二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）物質層 １６ シリコン（Ｓｉ）物質層 １８ バッファ層 ２２ 支持基板 ２４ エッチ・ストップ層 ２６ バッファ層 ２８ 第２接触層 ３０ 第１クラッディング領域 ３４ 活性領域 ３６ 第２クラッディング領域 ３７ 電流拡散層 ３８ クラッディング層 ４０ ＶＣＳＥＬ素子構造 ４２ 第２分布ブラッグ反射器 ４４ 酸化チタン物質層 ４６ 酸化シリコン物質層 ４８，５０ 電気接点 ５２ 開口 ５４ 赤外線レーザ放出光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウェンビン・ジアン アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イースト・ゴールド・ポピー・ウエイ4407

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】垂直空洞面放出レーザであって：表面（１
    １）を有するシリコン支持基板（１２）；前記シリコン
    支持基板（１２）上に配置された第１分布ブラッグ反射
    器（１３）であって、交互層（１４，１６）の対を含む
    第１分布ブラッグ反射器（１３）；前記第１分布ブラッ
    グ反射器（１３）上に配置された第１接触層（１８）で
    あって、ボンディング層として特徴付けられる第１接触
    層（１８），前記第１接触層（１８）に融着された第１
    クラッディング領域（３７，３８），該第１クラッディ
    ング領域（３７，３８）上に配置された活性領域（３
    ４），該活性領域（３４）上に配置された第２クラッデ
    ィング領域（３１，３２），および該第２クラッディン
    グ領域（３１，３２）上に配置された第２接触層（２
    ８）；および前記第２接触層（２８）上に配置された第
    ２分布ブラッグ反射器（４２）であって、交互層（４
    ４，４６）の対を含む第２分布ブラッグ反射器（４
    ２）；から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レー
    ザ。
  2. 【請求項２】垂直空洞面放出レーザであって：表面を有
    するシリコン支持基板；前記支持基板の前記表面上に配
    置された第１分布ブラッグ反射器であって、酸化シリコ
    ン（ＳｉＯ2 ）物質を含む各対内の第１層，およびシリ
    コン（Ｓｉ）物質を含む各対内の第２層から成る、交互
    層の対を有する第１分布ブラッグ反射器；前記第１分布
    ブラッグ反射器上に配置された第１接触層であって、ｎ
    −ドープ燐化ガリウム物質を含む第１接触層；クラッデ
    ィング層および電流拡散層を含み、前記第１接触層にウ
    エハ融着された第１クラッディング領域であって、前記
    クラッディング層がｎ−ドープ燐化インディウム（Ｉｎ
    Ｐ）物質を含み、前記電流拡散層が低濃度ｎ−ドープ燐
    化インディウム（ＩｎＰ）物質を含む第１クラッディン
    グ領域；前記第１クラッディング領域上に配置された活
    性領域であって、砒化燐化インディウム・ガリウムを含
    む活性領域；クラッディング層および電流拡散層を含
    み、前記活性領域上に配置された第２クラッディング領
    域であって、前記クラッディング層がｐ−ドープ燐化イ
    ンディウム（ＩｎＰ）物質を含み、前記電流拡散層が低
    濃度ｐ−ドープ砒化燐化インディウム・ガリウム（Ｉｎ
    ＧａＡｓＰ）物質を含む第２クラッディング領域；前記
    第２クラッディング領域上に配置され、ｐ−ドープ砒化
    燐化インディウム・ガリウム（ＩｎＧａＡｓＰ）物質を
    含む第２接触層；および前記第２接触層上に配置された
    第２分布ブラッグ反射器であって、誘電体ミラー・スタ
    ックによって特徴付けられ、交互層の対を含む第２分布
    ブラッグ反射器；から成ることを特徴とする垂直空洞面
    放出レーザ。
  3. 【請求項３】垂直空洞面放出レーザの製造方法であっ
    て：最上面上にボンディング層（１８）が配置された第
    １ＤＢＲミラー構造（１０）を用意する段階；支持基板
    （２２），エッチ・ストップ層（２４），バッファ層
    （２６），ｐ−ドープ接触層（２８），ｐ−ドープ・ク
    ラッディング領域（３１，３２），活性領域（３４）お
    よびｎ−ドープ・クラッディング領域（３７，３８）を
    含む活性レーザ構造（２０）を用意する段階；ウエハ・
    ボンディング技法を用いて、前記第１ＤＢＲミラー構造
    （１０）を前記活性レーザ構造（２０）に装着する段階
    であって、前記第１ＤＢＲミラー構造（１０）の前記ボ
    ンディング層（１８）を、前記活性レーザ構造（２０）
    の前記ｎ−ドープ・クラッディング領域（３７，３８）
    にウエハ・ボンドする段階；前記活性レーザ構造（２
    ０）から、前記支持基板（２２），前記エッチ・ストッ
    プ層（２４），および前記バッファ層（２６）を選択的
    に除去する段階；および前記ｐ−ドープ接触層（２８）
    上に第２ＤＢＲミラー構造（４２）を設ける段階；から
    成ることを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】垂直空洞面放出レーザの製造方法であっ
    て：シリコン支持基板上に配置された交互層の複数の対
    を含む第１ＤＢＲミラー構造を用意する段階であって、
    前記第１ＤＢＲミラー構造において、最上位交互層上に
    燐化ガリウム・ボンディング層を位置付け、前記複数の
    交互層は、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）物質を含む各対内
    の第１層およびシリコン（Ｓｉ）物質を含む各対内の第
    ２層を含むものとし、前記ボンディング層をｎ−ドープ
    接触層として特徴付ける段階；燐化インディウム支持基
    板を含む活性レーザ構造を設け、前記支持基板上に砒化
    インディウム・ガリウムのエッチ・ストップ層を配置
    し、該エッチ・ストップ層上に燐化インディウムのバッ
    ファ層を配置し、該バッファ層上にｐ−ドープ砒化燐化
    インディウム・ガリウムの接触層を配置し、該接触層上
    に砒化燐化インディウム・ガリウムの電流拡散層および
    燐化インディウムのクラッディング層を含むクラッディ
    ング領域を配置し、該クラッディング領域上に砒化燐化
    インディウム・ガリウムの活性領域を配置し、該活性領
    域上に燐化インディウムの電流拡散層および燐化インデ
    ィウムのクラッディング層を含む追加のクラッディング
    領域を配置する段階；ウエハ・ボンディング技法を用い
    て、前記第１ＤＢＲミラー構造を前記活性レーザ構造に
    装着する段階であって、前記第１ＤＢＲミラー構造の前
    記燐化インディウム・ボンディング層を、前記活性レー
    ザ構造の前記追加のクラッディング領域にウエハ・ボン
    ドする段階；前記活性レーザ構造から、前記支持基板，
    前記エッチ・ストップ層，および前記バッファ層を選択
    的に除去する段階；および現時点で露出されているｐ−
    ドープ砒化燐化インディウム・ガリウムの接触層上に、
    誘電体ミラー構造として特徴付けられる、第２ＤＢＲミ
    ラー構造を設ける段階；から成ることを特徴とする方
    法。
  5. 【請求項５】垂直空洞面放出レーザの製造方法であっ
    て：表面を有するシリコン支持基板を用意する段階；酸
    化シリコン物質およびシリコン物質の交互層の対を含む
    第１分布ブラッグ反射器を配置し、前記交互層の対を、
    前記シリコン支持基板の前記表面に隣接して位置付ける
    段階；前記第１分布ブラッグ反射器上に、ｎ−ドープ燐
    化ガリウムの接触層を配置する段階；表面を有する燐化
    インディウムの支持基板を用意する段階；前記燐化イン
    ディウムの支持基板上に砒化インディウム・ガリウムの
    エッチ・ストップ層、該エッチ・ストップ層上に燐化イ
    ンディウムのバッファ層、該燐化インディウムのバッフ
    ァ層上にｐ−ドープ砒化燐化インディウム・ガリウムの
    接触層，該ｐ−ドープ接触層上にｐ−ドープ・クラッデ
    ィング領域、該ｐ−ドープ・クラッディング領域上に砒
    化燐化インディウム・ガリウムの活性領域、および該活
    性領域上にｎ−ドープ・クラッディング領域を配置する
    段階；ウエハ融着技術を用いて、前記下地の第１分布ブ
    ラッグ反射器を含む前記ｎ−ドープ燐化ガリウム接触層
    を、前記ｎ−ドープ・クラッディング領域に装着する段
    階；前記燐化インディウムの支持基板，前記砒化インデ
    ィウム・ガリウムのエッチ・ストップ層および前記燐化
    インディウムのバッファ層を選択的に除去する段階；お
    よび前記ｐ−ドープ砒化燐化インディウム・ガリウムの
    接触層上に、第２分布ブラッグ反射器を配置し、酸化チ
    タン物質および酸化シリコン物質を含む交互層の対を含
    むように前記第２分布ブラッグ反射器を形成し、該交互
    層の対を、前記ｐ−ドープ砒化燐化インディウム・ガリ
    ウムの接触層に隣接して位置付ける段階；から成ること
    を特徴とする方法。
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