JPH10256588A - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサInfo
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- JPH10256588A JPH10256588A JP9051221A JP5122197A JPH10256588A JP H10256588 A JPH10256588 A JP H10256588A JP 9051221 A JP9051221 A JP 9051221A JP 5122197 A JP5122197 A JP 5122197A JP H10256588 A JPH10256588 A JP H10256588A
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- quantum dot
- infrared sensor
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- infrared
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体の量子準位からの電子放出を利用して
赤外線を検出する赤外線センサに関し、選択則による赤
外線の照射方向依存性が無く、且つ赤外線を効率よく吸
収することが可能な赤外線センサを提供する。 【解決手段】 障壁層１４と、障壁層１４よりバンドギ
ャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層１
６とが交互に積層されてなる積層体１８を有し、積層体
１８に赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正
孔の励起によって生じる光電流を検出することにより赤
外線を検出する赤外線センサを構成する。
赤外線を検出する赤外線センサに関し、選択則による赤
外線の照射方向依存性が無く、且つ赤外線を効率よく吸
収することが可能な赤外線センサを提供する。 【解決手段】 障壁層１４と、障壁層１４よりバンドギ
ャップが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層１
６とが交互に積層されてなる積層体１８を有し、積層体
１８に赤外線を照射した際に量子ドット内の電子又は正
孔の励起によって生じる光電流を検出することにより赤
外線を検出する赤外線センサを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線センサに係
り、特に、半導体の量子準位からの電子放出を利用して
赤外線を検出する赤外線センサに関する。
り、特に、半導体の量子準位からの電子放出を利用して
赤外線を検出する赤外線センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、赤外線撮像デバイスの画素数を増
加する要求が高まっている。かかる目的達成のため、赤
外線撮像デバイスに用いられる赤外線センサには、高感
度であると同時にシリコン基板上の信号読み出し回路と
の整合性がよく、且つ大面積化が可能なことが要求され
ている。
加する要求が高まっている。かかる目的達成のため、赤
外線撮像デバイスに用いられる赤外線センサには、高感
度であると同時にシリコン基板上の信号読み出し回路と
の整合性がよく、且つ大面積化が可能なことが要求され
ている。
【０００３】従来より、赤外線センサの材料としては主
としてＨｇＣｄＴｅが用いられている。ＨｇＣｄＴｅを
赤外線センサに用いることにより、現在、２５６×２５
６画素の赤外線撮像デバイスを実現するに至っている
が、ＨｇＣｄＴｅの結晶成長技術の制約により、更なる
大面積化が困難となっている。このため、如何にして画
素数を増加して大面積化に対応するかが今後の重要な技
術課題であり、ＨｇＣｄＴｅに代わる新しい材料系の検
討が重要な研究テーマとなっている。
としてＨｇＣｄＴｅが用いられている。ＨｇＣｄＴｅを
赤外線センサに用いることにより、現在、２５６×２５
６画素の赤外線撮像デバイスを実現するに至っている
が、ＨｇＣｄＴｅの結晶成長技術の制約により、更なる
大面積化が困難となっている。このため、如何にして画
素数を増加して大面積化に対応するかが今後の重要な技
術課題であり、ＨｇＣｄＴｅに代わる新しい材料系の検
討が重要な研究テーマとなっている。
【０００４】化合物半導体の量子井戸構造を利用した赤
外線センサ（Quantum-Well Infrared Photodetector：
以下、ＱＷＩＰと呼ぶ）は、ＨｇＣｄＴｅを用いた赤外
線センサに代わるものとして研究が活発に行われている
ものの一つである。ＱＷＩＰとは、量子井戸構造を複数
回繰り返し積層した構造を有しており、赤外線の照射に
よって励起された井戸中の電子の寄与による電気伝導の
変化を利用する光伝導型の赤外線センサである。ＱＷＩ
Ｐの最近の発展を記述した論文としては、B. F. Levin
e, J. Appl. Phys. 74 (8), R1 (1993)がある。
外線センサ（Quantum-Well Infrared Photodetector：
以下、ＱＷＩＰと呼ぶ）は、ＨｇＣｄＴｅを用いた赤外
線センサに代わるものとして研究が活発に行われている
ものの一つである。ＱＷＩＰとは、量子井戸構造を複数
回繰り返し積層した構造を有しており、赤外線の照射に
よって励起された井戸中の電子の寄与による電気伝導の
変化を利用する光伝導型の赤外線センサである。ＱＷＩ
Ｐの最近の発展を記述した論文としては、B. F. Levin
e, J. Appl. Phys. 74 (8), R1 (1993)がある。
【０００５】図４に、従来の典型的なＱＷＩＰの構造を
示す。ＧａＡｓ基板５０上には、膜厚０．５〜１μｍ程
度のｎ−ＧａＡｓ層（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3
程度）よりなるコンタクト層５２が形成されている。コ
ンタクト層５２上には、膜厚約５０ｎｍのアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層よりなるバリア層と、膜厚約５ｎｍ
のｎ−ＧａＡｓ層（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3）
よりなる井戸層とが５０回程度繰り返して積層された多
重量子井戸層５４が形成されている。多重量子井戸層５
４上には、膜厚０．５〜１μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ層
（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3程度）よりなるコン
タクト層５６が形成されている。コンタクト層５６の表
面には、多重量子井戸層５４に対してほぼ垂直に入射し
た赤外光を散乱して斜め方向に照射するグレーティング
層５８が設けられている。
示す。ＧａＡｓ基板５０上には、膜厚０．５〜１μｍ程
度のｎ−ＧａＡｓ層（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3
程度）よりなるコンタクト層５２が形成されている。コ
ンタクト層５２上には、膜厚約５０ｎｍのアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層よりなるバリア層と、膜厚約５ｎｍ
のｎ−ＧａＡｓ層（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3）
よりなる井戸層とが５０回程度繰り返して積層された多
重量子井戸層５４が形成されている。多重量子井戸層５
４上には、膜厚０．５〜１μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ層
（電子濃度：１０17〜１０18ｃｍー3程度）よりなるコン
タクト層５６が形成されている。コンタクト層５６の表
面には、多重量子井戸層５４に対してほぼ垂直に入射し
た赤外光を散乱して斜め方向に照射するグレーティング
層５８が設けられている。
【０００６】ＱＷＩＰでは、ＧａＡｓ基板５０側から赤
外線を入射し、これによって励起された多重量子井戸層
５４中の電子の寄与によるコンタクト層５６、５２間の
電気伝導の変化を検出する。ＱＷＩＰでは、ＱＷＩＰ表
面に垂直入射してくる赤外線は選択則により吸収され
ず、感度がゼロになるという問題がある。そこで、コン
タクト層５６の表面にグレーティング層５８を設け、垂
直に入射した赤外線をＱＷＩＰ表面に対して斜めの方向
に散乱し、多重量子井戸層５４によって検出が可能とな
るようにしている。
外線を入射し、これによって励起された多重量子井戸層
５４中の電子の寄与によるコンタクト層５６、５２間の
電気伝導の変化を検出する。ＱＷＩＰでは、ＱＷＩＰ表
面に垂直入射してくる赤外線は選択則により吸収され
ず、感度がゼロになるという問題がある。そこで、コン
タクト層５６の表面にグレーティング層５８を設け、垂
直に入射した赤外線をＱＷＩＰ表面に対して斜めの方向
に散乱し、多重量子井戸層５４によって検出が可能とな
るようにしている。
【０００７】ＱＷＩＰの代表的な材料は、上記のような
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系であるが、ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系の多重量子井戸構造はＨｇＣｄＴｅ結晶に比べ
て大面積化が容易であり、画素数を増大することができ
る。一方、V. Ryzhii等は、一層の量子井戸からなるフ
ォトトランジスタを検討しており、最近では、量子井戸
の代わりに量子ドットを用いるフォトトランジスタ（Qu
antum-Dot Infrared Phototransistor：以下、ＱＤＩＰ
と呼ぶ）を提案している（Semicond. Sci. Technol. 1
1, p.759 (1996)）。
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系であるが、ＡｌＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系の多重量子井戸構造はＨｇＣｄＴｅ結晶に比べ
て大面積化が容易であり、画素数を増大することができ
る。一方、V. Ryzhii等は、一層の量子井戸からなるフ
ォトトランジスタを検討しており、最近では、量子井戸
の代わりに量子ドットを用いるフォトトランジスタ（Qu
antum-Dot Infrared Phototransistor：以下、ＱＤＩＰ
と呼ぶ）を提案している（Semicond. Sci. Technol. 1
1, p.759 (1996)）。
【０００８】ＱＤＩＰは、図５のエネルギーバンド図に
示すように、量子ドット層６０を障壁層６２により挟
み、障壁層６２を更にコンタクト層６４、６６によって
挟んで構成される。歪みヘテロ結晶の成長初期に出現す
る成長島は良好なフォトルミネッセンス特性を示すた
め、このような成長島を量子ドットとして利用すること
ができる。
示すように、量子ドット層６０を障壁層６２により挟
み、障壁層６２を更にコンタクト層６４、６６によって
挟んで構成される。歪みヘテロ結晶の成長初期に出現す
る成長島は良好なフォトルミネッセンス特性を示すた
め、このような成長島を量子ドットとして利用すること
ができる。
【０００９】電子（図中、●印）が量子ドット層６０の
基底準位にある場合には量子ドット層６０の準位が高く
なり、結果として障壁層６２の高さも高くなる（図中、
実線）。一方、赤外線を吸収して量子ドット６０中の電
子が励起されると、量子ドット層６０の準位が低くな
り、結果として障壁層６２の高さも低くなる（図中、点
線）。この結果、コンタクト層６４、６６間に所定のバ
イアスを印加しておくと、赤外線の照射によって流れる
電流が変化することになる。
基底準位にある場合には量子ドット層６０の準位が高く
なり、結果として障壁層６２の高さも高くなる（図中、
実線）。一方、赤外線を吸収して量子ドット６０中の電
子が励起されると、量子ドット層６０の準位が低くな
り、結果として障壁層６２の高さも低くなる（図中、点
線）。この結果、コンタクト層６４、６６間に所定のバ
イアスを印加しておくと、赤外線の照射によって流れる
電流が変化することになる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＱＷＩＰを用いた赤外線センサでは、上記選択則の
問題を回避すべくグレーティング層を設ける必要があ
り、構造が複雑にならざるを得なかった。また、量子ド
ットを利用したレーザ等の研究が活発になっているた
め、それらを赤外線センサへ適用することも考えられ
る。また、量子ドットを用いることによって垂直入射の
赤外線をも効率よく吸収することができる。
来のＱＷＩＰを用いた赤外線センサでは、上記選択則の
問題を回避すべくグレーティング層を設ける必要があ
り、構造が複雑にならざるを得なかった。また、量子ド
ットを利用したレーザ等の研究が活発になっているた
め、それらを赤外線センサへ適用することも考えられ
る。また、量子ドットを用いることによって垂直入射の
赤外線をも効率よく吸収することができる。
【００１１】しかし、V. Ryzhii等が提案しているフォ
トトランジスタの構造は、量子ドット層６０が一層であ
るため、赤外線の吸収は弱く、赤外線センサとしては十
分な特性を得ることはできなかった。本発明の目的は、
選択則による赤外線の照射方向依存性が無く、且つ赤外
線を効率よく吸収することが可能な大面積の赤外線セン
サを提供することにある。
トトランジスタの構造は、量子ドット層６０が一層であ
るため、赤外線の吸収は弱く、赤外線センサとしては十
分な特性を得ることはできなかった。本発明の目的は、
選択則による赤外線の照射方向依存性が無く、且つ赤外
線を効率よく吸収することが可能な大面積の赤外線セン
サを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、障壁層と、
前記障壁層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドット
を有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体
を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に前記量子ド
ット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検
出することにより赤外線を検出することを特徴とする赤
外線センサによって達成される。障壁層と量子ドット層
とが積層されてなる赤外線センサを構成することによ
り、赤外線センサに対して垂直方向に入射する赤外線を
も吸収することができるので、従来の多重量子井戸構造
を用いた赤外線センサのような赤外線の照射方向依存性
のない赤外線センサを構成することができる。これによ
り、グレーティング層のような複雑な構造を設ける必要
はなく、製造工程をも簡略にすることができる。また、
量子ドット層を障壁層を介して複数積層するので、赤外
線の検出感度を大幅に向上することが可能となる。
前記障壁層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドット
を有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体
を有し、前記積層体に赤外線を照射した際に前記量子ド
ット内の電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検
出することにより赤外線を検出することを特徴とする赤
外線センサによって達成される。障壁層と量子ドット層
とが積層されてなる赤外線センサを構成することによ
り、赤外線センサに対して垂直方向に入射する赤外線を
も吸収することができるので、従来の多重量子井戸構造
を用いた赤外線センサのような赤外線の照射方向依存性
のない赤外線センサを構成することができる。これによ
り、グレーティング層のような複雑な構造を設ける必要
はなく、製造工程をも簡略にすることができる。また、
量子ドット層を障壁層を介して複数積層するので、赤外
線の検出感度を大幅に向上することが可能となる。
【００１３】また、上記の赤外線センサにおいて、前記
量子ドットの基底準位は、赤外線を照射しない状態で電
子又は正孔によって占められていることが望ましい。こ
うすることにより、赤外線照射によって量子ドットの基
底準位から励起した電子又は正孔を光電流として利用す
る赤外線センサを構成することができる。また、上記の
赤外線センサにおいて、基底準位を占める前記電子又は
正孔は、前記障壁層より供給されることが望ましい。障
壁層に所定のドーピングを行えば、障壁層から電子又は
正孔を量子ドットに落ち込ませることができるので、量
子ドットの基底準位を電子又は正孔により占めることが
できる。なお、量子ドット層に直接ドーピングを行うこ
とによっても量子ドットの基底準位を電子又は正孔で占
めることができる。
量子ドットの基底準位は、赤外線を照射しない状態で電
子又は正孔によって占められていることが望ましい。こ
うすることにより、赤外線照射によって量子ドットの基
底準位から励起した電子又は正孔を光電流として利用す
る赤外線センサを構成することができる。また、上記の
赤外線センサにおいて、基底準位を占める前記電子又は
正孔は、前記障壁層より供給されることが望ましい。障
壁層に所定のドーピングを行えば、障壁層から電子又は
正孔を量子ドットに落ち込ませることができるので、量
子ドットの基底準位を電子又は正孔により占めることが
できる。なお、量子ドット層に直接ドーピングを行うこ
とによっても量子ドットの基底準位を電子又は正孔で占
めることができる。
【００１４】また、上記の赤外線センサにおいて、前記
量子ドットの基底準位から前記障壁層に電子又は正孔を
励起するのに必要なエネルギーが、検出しようとする赤
外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光速をｃとして、
ｈｃ／λにほぼ等しいことが望ましい。検出しようとす
る赤外線の波長とエネルギーとが上記の関係を満たせ
ば、量子ドットの基底準位から障壁層に励起した電子又
は正孔を光電流として用いることができる。これによ
り、赤外線センサとして機能することができる。
量子ドットの基底準位から前記障壁層に電子又は正孔を
励起するのに必要なエネルギーが、検出しようとする赤
外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光速をｃとして、
ｈｃ／λにほぼ等しいことが望ましい。検出しようとす
る赤外線の波長とエネルギーとが上記の関係を満たせ
ば、量子ドットの基底準位から障壁層に励起した電子又
は正孔を光電流として用いることができる。これによ
り、赤外線センサとして機能することができる。
【００１５】或いは、上記の赤外線センサにおいて、前
記量子ドットの基底準位から前記量子ドットの励起準位
に電子又は正孔を励起するのに必要なエネルギーが、検
出しようとする赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、
光速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しいことが望まし
い。検出しようとする赤外線の波長とエネルギーとが上
記の関係を満たせば、量子ドットの基底準位から励起準
位に励起した電子又は正孔を光電流として用いることが
できる。これにより、赤外線センサとして機能すること
ができる。励起準位からの熱励起等によって励起した電
子又は正孔が自由キャリアとして寄与しうる場合には必
ずしも障壁層まで励起する必要はなく、量子ドットの励
起準位までの励起によっても赤外線センサを構成するこ
とができる。
記量子ドットの基底準位から前記量子ドットの励起準位
に電子又は正孔を励起するのに必要なエネルギーが、検
出しようとする赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、
光速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しいことが望まし
い。検出しようとする赤外線の波長とエネルギーとが上
記の関係を満たせば、量子ドットの基底準位から励起準
位に励起した電子又は正孔を光電流として用いることが
できる。これにより、赤外線センサとして機能すること
ができる。励起準位からの熱励起等によって励起した電
子又は正孔が自由キャリアとして寄与しうる場合には必
ずしも障壁層まで励起する必要はなく、量子ドットの励
起準位までの励起によっても赤外線センサを構成するこ
とができる。
【００１６】また、上記の赤外線センサにおいて、前記
量子ドット層の前記量子ドットは、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａ
Ａｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、
ＧａＳｂ又はＩｎＧａＳｂで形成され、前記障壁層は、
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓで形成されていることが望ま
しい。或いは、上記の赤外線センサにおいて、前記量子
ドット層の前記量子ドットは、ＳｉＧｅ又はＧｅで形成
され、前記障壁層は、Ｓｉで形成されていることが望ま
しい。
量子ドット層の前記量子ドットは、ＩｎＡｓ、ＩｎＧａ
Ａｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、
ＧａＳｂ又はＩｎＧａＳｂで形成され、前記障壁層は、
ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓで形成されていることが望ま
しい。或いは、上記の赤外線センサにおいて、前記量子
ドット層の前記量子ドットは、ＳｉＧｅ又はＧｅで形成
され、前記障壁層は、Ｓｉで形成されていることが望ま
しい。
【００１７】
【発明の実施の形態】始めに、本発明の原理について図
１を用いて説明する。図１は本発明の原理を説明するエ
ネルギーバンド図である。本発明に係る赤外線センサ
は、障壁層１４と量子ドット層１６とを交互に積層して
構成される（図１）。ここに、本明細書における量子ド
ット層１６とは、障壁層１４間に形成された複数の量子
ドットを有する層をいうものとする。量子ドット層１６
は複数の量子ドットが設けられた層であり、実際には量
子ドットが形成されていない領域が存在する。したがっ
て、障壁層１４と量子ドット層１６とからなる積層体の
一断面におけるエネルギーバンド図を描いた場合、量子
ドットが存在しない場所も存在しうるが、本明細書で
は、便宜上、すべての量子ドット層１６において量子ド
ットを通るエネルギーバンド図を用いることとする。
１を用いて説明する。図１は本発明の原理を説明するエ
ネルギーバンド図である。本発明に係る赤外線センサ
は、障壁層１４と量子ドット層１６とを交互に積層して
構成される（図１）。ここに、本明細書における量子ド
ット層１６とは、障壁層１４間に形成された複数の量子
ドットを有する層をいうものとする。量子ドット層１６
は複数の量子ドットが設けられた層であり、実際には量
子ドットが形成されていない領域が存在する。したがっ
て、障壁層１４と量子ドット層１６とからなる積層体の
一断面におけるエネルギーバンド図を描いた場合、量子
ドットが存在しない場所も存在しうるが、本明細書で
は、便宜上、すべての量子ドット層１６において量子ド
ットを通るエネルギーバンド図を用いることとする。
【００１８】電圧を印加せず、且つ赤外線を照射しない
場合、量子ドット層１６の基底準位は電子（図中、●
印）が占めている。障壁層１４に浅い準位を形成する不
純物をドーピングすることにより、熱励起した電子を量
子ドットに落ち込ませておくことができる（図１
（ａ））。障壁層１４と量子ドット層１６とを積層して
なる積層体の両端に電圧を印加すると、印加電圧に応じ
た電位勾配が生じ、バンドが傾斜する。このとき、この
積層体に赤外線を照射すると、量子ドットにおける赤外
線の吸収によって基底準位を占めていた電子が励起され
る。励起された電子が電位障壁を越えて自由キャリアに
なると、電気伝導に寄与することとなり、いわゆる光電
流となる。このように発生した光電流を検出することに
より、この積層構造を赤外線センサとして用いることが
できる（図１（ｂ））。
場合、量子ドット層１６の基底準位は電子（図中、●
印）が占めている。障壁層１４に浅い準位を形成する不
純物をドーピングすることにより、熱励起した電子を量
子ドットに落ち込ませておくことができる（図１
（ａ））。障壁層１４と量子ドット層１６とを積層して
なる積層体の両端に電圧を印加すると、印加電圧に応じ
た電位勾配が生じ、バンドが傾斜する。このとき、この
積層体に赤外線を照射すると、量子ドットにおける赤外
線の吸収によって基底準位を占めていた電子が励起され
る。励起された電子が電位障壁を越えて自由キャリアに
なると、電気伝導に寄与することとなり、いわゆる光電
流となる。このように発生した光電流を検出することに
より、この積層構造を赤外線センサとして用いることが
できる（図１（ｂ））。
【００１９】量子ドットは、赤外線センサに対して垂直
方向に入射する赤外線をも吸収することが可能であるた
め、従来の多重量子井戸構造を用いた赤外線センサのよ
うな赤外線の照射方向依存性のない赤外線センサを構成
することができる。これにより、グレーティング層のよ
うな複雑な構造を設ける必要はなく、製造工程をも簡略
にすることができる。また、量子ドット層を複数層設け
るので、赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能
となる。
方向に入射する赤外線をも吸収することが可能であるた
め、従来の多重量子井戸構造を用いた赤外線センサのよ
うな赤外線の照射方向依存性のない赤外線センサを構成
することができる。これにより、グレーティング層のよ
うな複雑な構造を設ける必要はなく、製造工程をも簡略
にすることができる。また、量子ドット層を複数層設け
るので、赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能
となる。
【００２０】次に、本発明の一実施形態による赤外線セ
ンサについて図２及び図３を用いて説明する。図２は本
実施形態による赤外線センサの構造を示す概略断面図、
図３は本実施形態による赤外線センサの構造を示すエネ
ルギーバンド図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板１０上に
は、ｎ+−ＧａＡｓ層よりなるオーミックコンタクト層
１２（電子濃度：１×１０18ｃｍ-3）が形成されてい
る。オーミックコンタクト層１２上には、ｎ-−ＧａＡ
ｓ層よりなる障壁層１４と、ＩｎＡｓよりなる量子ドッ
ト層１６とが交互に繰り返し積層されている。例えば、
１５層の量子ドット層１６が障壁層１４の間に形成され
るように、１６層の障壁層１４と１５層の量子ドット層
１６とにより積層体１８を構成することができる。障壁
層１４及び量子ドット層１６よりなる積層体１８上に
は、ｎ+−ＧａＡｓ層よりなるオーミックコンタクト層
２０（電子濃度：１×１０18ｃｍ-3）が形成されてい
る。オーミックコンタクト層１２、２０上には、ＡｕＧ
ｅ／Ａｕよりなるオーミック電極２２、２４がそれぞれ
設けられている（図２）。
ンサについて図２及び図３を用いて説明する。図２は本
実施形態による赤外線センサの構造を示す概略断面図、
図３は本実施形態による赤外線センサの構造を示すエネ
ルギーバンド図である。半絶縁性ＧａＡｓ基板１０上に
は、ｎ+−ＧａＡｓ層よりなるオーミックコンタクト層
１２（電子濃度：１×１０18ｃｍ-3）が形成されてい
る。オーミックコンタクト層１２上には、ｎ-−ＧａＡ
ｓ層よりなる障壁層１４と、ＩｎＡｓよりなる量子ドッ
ト層１６とが交互に繰り返し積層されている。例えば、
１５層の量子ドット層１６が障壁層１４の間に形成され
るように、１６層の障壁層１４と１５層の量子ドット層
１６とにより積層体１８を構成することができる。障壁
層１４及び量子ドット層１６よりなる積層体１８上に
は、ｎ+−ＧａＡｓ層よりなるオーミックコンタクト層
２０（電子濃度：１×１０18ｃｍ-3）が形成されてい
る。オーミックコンタクト層１２、２０上には、ＡｕＧ
ｅ／Ａｕよりなるオーミック電極２２、２４がそれぞれ
設けられている（図２）。
【００２１】なお、図２に示す赤外線センサは、ＧａＡ
ｓ基板１０上に積層体１８を一つ設けた基本構造を示し
ているが、複数の画素を有する赤外線センサを構成する
場合には、オーミックコンタクト層１２上に、画素数に
応じた複数の積層体１８を設ければよい。ここで、量子
ドット層１６におけるＩｎＡｓドットの密度は１×１０
11ｃｍ-2であり、ＩｎＡｓドットの形状は直径約２０ｎ
ｍ、高さ約５ｎｍの円盤型である。このようなＩｎＡｓ
量子ドット層は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分
子線エピタキシー）結晶成長法により形成することがで
きる。例えば、成長温度を５１０℃でｎ-−ＧａＡｓ層
よりなる障壁層１４上にＩｎＡｓを約２原子層成長する
と、結晶の歪みを緩和するために上記のようなＩｎＡｓ
ドットが形成される。歪みヘテロ結晶の成長初期に出現
する成長島は良好なフォトルミネッセンス特性を示すた
め、このような成長島を量子ドットとして利用すること
ができる。
ｓ基板１０上に積層体１８を一つ設けた基本構造を示し
ているが、複数の画素を有する赤外線センサを構成する
場合には、オーミックコンタクト層１２上に、画素数に
応じた複数の積層体１８を設ければよい。ここで、量子
ドット層１６におけるＩｎＡｓドットの密度は１×１０
11ｃｍ-2であり、ＩｎＡｓドットの形状は直径約２０ｎ
ｍ、高さ約５ｎｍの円盤型である。このようなＩｎＡｓ
量子ドット層は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分
子線エピタキシー）結晶成長法により形成することがで
きる。例えば、成長温度を５１０℃でｎ-−ＧａＡｓ層
よりなる障壁層１４上にＩｎＡｓを約２原子層成長する
と、結晶の歪みを緩和するために上記のようなＩｎＡｓ
ドットが形成される。歪みヘテロ結晶の成長初期に出現
する成長島は良好なフォトルミネッセンス特性を示すた
め、このような成長島を量子ドットとして利用すること
ができる。
【００２２】ｎ-−ＧａＡｓ層よりなる障壁層１４に
は、例えば３×１０16ｃｍ-3の密度でＳｉ（ドナー不純
物）をドーピングしておき、赤外線が照射されていない
状態でＩｎＡｓドットの基底準位が電子で占められるよ
うにする。障壁層１４中の電子は、熱励起によって容易
に量子ドットの基底準位に落ち込むことができる（図
３）。
は、例えば３×１０16ｃｍ-3の密度でＳｉ（ドナー不純
物）をドーピングしておき、赤外線が照射されていない
状態でＩｎＡｓドットの基底準位が電子で占められるよ
うにする。障壁層１４中の電子は、熱励起によって容易
に量子ドットの基底準位に落ち込むことができる（図
３）。
【００２３】なお、障壁層１４と量子ドット層１６との
繰り返し回数が多いほどに赤外線の吸収率が増加するた
め、より感度の高い赤外線センサを構成するには繰り返
し回数を多くすることが望ましい。一方、格子不整合の
ある材料を繰り返し積層するので、積層回数を増加する
ほどに結晶性が劣化し、ひいては赤外線センサの特性を
も劣化することがある。したがって、繰り返し回数は、
赤外線センサに要求される特性と、結晶成長技術の進歩
に応じて適宜設定することが好ましい。
繰り返し回数が多いほどに赤外線の吸収率が増加するた
め、より感度の高い赤外線センサを構成するには繰り返
し回数を多くすることが望ましい。一方、格子不整合の
ある材料を繰り返し積層するので、積層回数を増加する
ほどに結晶性が劣化し、ひいては赤外線センサの特性を
も劣化することがある。したがって、繰り返し回数は、
赤外線センサに要求される特性と、結晶成長技術の進歩
に応じて適宜設定することが好ましい。
【００２４】現状の結晶成長技術では、良好な結晶性を
維持するためには、障壁層１４と量子ドット層１６の繰
り返し周期を約３０ｎｍとして、１０〜２０回の繰り返
しが可能である。現状における結晶成長技術において
も、従来のＨｇＣｄＴｅ結晶よりも容易に大面積化する
ことが可能である。このように形成した積層体１８で
は、ＩｎＡｓドットの基底準位からｎ-−ＧａＡｓ障壁
層に電子を励起するのに必要なエネルギーは約１００〜
２００ｍｅＶであり、波長１０μｍ近傍の赤外線に対し
て感度をもつことになる。
維持するためには、障壁層１４と量子ドット層１６の繰
り返し周期を約３０ｎｍとして、１０〜２０回の繰り返
しが可能である。現状における結晶成長技術において
も、従来のＨｇＣｄＴｅ結晶よりも容易に大面積化する
ことが可能である。このように形成した積層体１８で
は、ＩｎＡｓドットの基底準位からｎ-−ＧａＡｓ障壁
層に電子を励起するのに必要なエネルギーは約１００〜
２００ｍｅＶであり、波長１０μｍ近傍の赤外線に対し
て感度をもつことになる。
【００２５】次に、本実施形態による赤外線センサの動
作について説明する。まず、オーミック電極２２、２４
間に所定の電圧を印加する。図２に示す赤外線センサで
は、例えば、オーミック電極２２を接地し、オーミック
電極２４に負の電圧を印加する。これにより、印加電圧
に応じた電位勾配が生じ、バンドが傾斜する。図１
（ｂ）のエネルギーバンド図でいえば、図面左側がオー
ミックコンタクト層２０側に、右側がオーミックコンタ
クト層１２側に相当することになる。
作について説明する。まず、オーミック電極２２、２４
間に所定の電圧を印加する。図２に示す赤外線センサで
は、例えば、オーミック電極２２を接地し、オーミック
電極２４に負の電圧を印加する。これにより、印加電圧
に応じた電位勾配が生じ、バンドが傾斜する。図１
（ｂ）のエネルギーバンド図でいえば、図面左側がオー
ミックコンタクト層２０側に、右側がオーミックコンタ
クト層１２側に相当することになる。
【００２６】次いで、ＧａＡｓ基板１０側より赤外線を
入射する。赤外線は垂直方向に入射してもよいし、所定
の角度をもって入射してもよい。いずれによっても良好
な感度を得ることができる。入射した赤外線はＩｎＡｓ
ドットにより吸収され、基底準位の電子が励起されて伝
導電子として寄与することになる。こうして、このよう
に発生した光電流成分を検出することにより、赤外線の
照射量を算出することができる。
入射する。赤外線は垂直方向に入射してもよいし、所定
の角度をもって入射してもよい。いずれによっても良好
な感度を得ることができる。入射した赤外線はＩｎＡｓ
ドットにより吸収され、基底準位の電子が励起されて伝
導電子として寄与することになる。こうして、このよう
に発生した光電流成分を検出することにより、赤外線の
照射量を算出することができる。
【００２７】このように、本実施形態によれば、障壁層
と量子ドット層とが積層されてなる赤外線センサを構成
することにより、赤外線センサに対して垂直方向に入射
する赤外線をも吸収することができるので、従来の多重
量子井戸構造を用いた赤外線センサのような赤外線の照
射方向依存性のない赤外線センサを構成することができ
る。これにより、グレーティング層のような複雑な構造
を設ける必要はなく、製造工程をも簡略にすることがで
きる。また、量子ドット層を障壁層を介して複数積層す
るので、赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能
となる。
と量子ドット層とが積層されてなる赤外線センサを構成
することにより、赤外線センサに対して垂直方向に入射
する赤外線をも吸収することができるので、従来の多重
量子井戸構造を用いた赤外線センサのような赤外線の照
射方向依存性のない赤外線センサを構成することができ
る。これにより、グレーティング層のような複雑な構造
を設ける必要はなく、製造工程をも簡略にすることがで
きる。また、量子ドット層を障壁層を介して複数積層す
るので、赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能
となる。
【００２８】本発明は、上記実施形態に限らず種々の変
形が可能である。上記実施形態では、量子ドットの基底
準位から障壁層の伝導帯までの励起を利用しているが、
光電流に寄与する電子は、必ずしも障壁層の伝導帯まで
励起する必要はない。例えば、量子ドットの基底準位か
ら量子ドットの励起準位へ遷移した電子を利用すること
もできる。励起準位の電子が、熱励起により、又はトン
ネリングによって障壁層の伝導帯へ速やかに遷移しうる
状態であれば、このような励起準位の電子が光電流に寄
与することができる。
形が可能である。上記実施形態では、量子ドットの基底
準位から障壁層の伝導帯までの励起を利用しているが、
光電流に寄与する電子は、必ずしも障壁層の伝導帯まで
励起する必要はない。例えば、量子ドットの基底準位か
ら量子ドットの励起準位へ遷移した電子を利用すること
もできる。励起準位の電子が、熱励起により、又はトン
ネリングによって障壁層の伝導帯へ速やかに遷移しうる
状態であれば、このような励起準位の電子が光電流に寄
与することができる。
【００２９】すなわち、量子ドットの基底準位から障壁
層の伝導帯に励起するに必要なエネルギー又は量子ドッ
トの基底準位から励起準位に励起するに必要なエネルギ
ーが、赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光速をｃ
として、ｈｃ／λの関係にほぼ等しければ、励起した電
子が光電流としてに寄与しうる。また、上記実施形態で
はｎ型半導体における電子の励起を利用しているが、ｐ
型半導体における正孔の励起を利用することもできる。
層の伝導帯に励起するに必要なエネルギー又は量子ドッ
トの基底準位から励起準位に励起するに必要なエネルギ
ーが、赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光速をｃ
として、ｈｃ／λの関係にほぼ等しければ、励起した電
子が光電流としてに寄与しうる。また、上記実施形態で
はｎ型半導体における電子の励起を利用しているが、ｐ
型半導体における正孔の励起を利用することもできる。
【００３０】また、上記実施形態では、障壁層に一様に
ドーピングした構造を示したが、量子ドットにキャリア
を落ち込ませることができればこのようなドーピング方
法に限られるものではない。例えば、障壁層に変調ドー
ピングした構造や量子ドット層のみにドーピングした構
造を適用することもできる。これらの構造は、結晶成長
条件を変えることにより容易に形成することができる。
ドーピングした構造を示したが、量子ドットにキャリア
を落ち込ませることができればこのようなドーピング方
法に限られるものではない。例えば、障壁層に変調ドー
ピングした構造や量子ドット層のみにドーピングした構
造を適用することもできる。これらの構造は、結晶成長
条件を変えることにより容易に形成することができる。
【００３１】また、上記実施形態では、量子ドット層と
してＩｎＡｓ層を、障壁層としてＧａＡｓ層を用いた
が、他の材料であっても赤外線センサを構成することが
できる。III−Ｖ族系化合物半導体であれば、量子ドッ
トとして例えばＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡ
ｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ又はＩｎ
ＧａＳｂを、障壁層として例えばＧａＡｓ又はＡｌＧａ
Ａｓを用いた任意の組み合わせを適用することができ
る。
してＩｎＡｓ層を、障壁層としてＧａＡｓ層を用いた
が、他の材料であっても赤外線センサを構成することが
できる。III−Ｖ族系化合物半導体であれば、量子ドッ
トとして例えばＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡ
ｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ又はＩｎ
ＧａＳｂを、障壁層として例えばＧａＡｓ又はＡｌＧａ
Ａｓを用いた任意の組み合わせを適用することができ
る。
【００３２】また、IV族系の半導体であれば、量子ドッ
ト層として例えばＧｅ又はＳｉＧｅを、障壁層として例
えばＳｉを用いた任意の組み合わせを適用することがで
きる。IV族系半導体を用いれば、読み出し回路を有する
シリコン基板に赤外線センサを張り合わせることなく形
成できる可能性があり、通常のＱＷＩＰに必要とされる
赤外線センサと読み出し回路を有するシリコン基板とを
張り合わせる工程を省略することができる。これによ
り、製造コストをも低減することができる。
ト層として例えばＧｅ又はＳｉＧｅを、障壁層として例
えばＳｉを用いた任意の組み合わせを適用することがで
きる。IV族系半導体を用いれば、読み出し回路を有する
シリコン基板に赤外線センサを張り合わせることなく形
成できる可能性があり、通常のＱＷＩＰに必要とされる
赤外線センサと読み出し回路を有するシリコン基板とを
張り合わせる工程を省略することができる。これによ
り、製造コストをも低減することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、障壁層
と、障壁層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドット
を有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体
を有し、積層体に赤外線を照射した際に量子ドット内の
電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出するこ
とにより赤外線を検出する赤外線センサを構成するの
で、赤外線センサに対して垂直方向に入射する赤外線を
も吸収することができる。これにより、従来の多重量子
井戸構造を用いた赤外線センサのような赤外線の照射方
向依存性のない赤外線センサを構成することができる。
また、グレーティング層のような複雑な構造を設ける必
要はなく、製造工程をも簡略にすることができる。ま
た、量子ドット層を障壁層を介して複数積層するので、
赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能となる。
と、障壁層よりバンドギャップが狭い複数の量子ドット
を有する量子ドット層とが交互に積層されてなる積層体
を有し、積層体に赤外線を照射した際に量子ドット内の
電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出するこ
とにより赤外線を検出する赤外線センサを構成するの
で、赤外線センサに対して垂直方向に入射する赤外線を
も吸収することができる。これにより、従来の多重量子
井戸構造を用いた赤外線センサのような赤外線の照射方
向依存性のない赤外線センサを構成することができる。
また、グレーティング層のような複雑な構造を設ける必
要はなく、製造工程をも簡略にすることができる。ま
た、量子ドット層を障壁層を介して複数積層するので、
赤外線の検出感度を大幅に向上することが可能となる。
【００３４】また、量子ドットの基底準位が、赤外線を
照射しない状態で電子又は正孔によって占められている
ので、赤外線照射によって励起した電子又は正孔を光電
流として利用する赤外線センサを構成することができ
る。また、上記の赤外線センサにおいて、障壁層に所定
のドーピングを行えば、基底準位を占める電子又は正孔
を障壁層から供給することができる。
照射しない状態で電子又は正孔によって占められている
ので、赤外線照射によって励起した電子又は正孔を光電
流として利用する赤外線センサを構成することができ
る。また、上記の赤外線センサにおいて、障壁層に所定
のドーピングを行えば、基底準位を占める電子又は正孔
を障壁層から供給することができる。
【００３５】また、量子ドットの基底準位から障壁層に
電子又は正孔を励起するのに必要なエネルギーが、検出
しようとする赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光
速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しいくなるように赤外
線センサを構成すれば、量子ドットの基底準位から障壁
層に励起した電子又は正孔を光電流として用いることが
できる。これにより、赤外線センサとして機能すること
ができる。
電子又は正孔を励起するのに必要なエネルギーが、検出
しようとする赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光
速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しいくなるように赤外
線センサを構成すれば、量子ドットの基底準位から障壁
層に励起した電子又は正孔を光電流として用いることが
できる。これにより、赤外線センサとして機能すること
ができる。
【００３６】また、量子ドットの基底準位から量子ドッ
トの励起準位に電子又は正孔を励起するのに必要なエネ
ルギーが、検出しようとする赤外線の波長をλ、プラン
ク定数をｈ、光速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しくな
るように赤外線センサを構成すれば、量子ドットの基底
準位から励起準位に励起した電子又は正孔を光電流とし
て用いることができる。これにより、赤外線センサとし
て機能することができる。
トの励起準位に電子又は正孔を励起するのに必要なエネ
ルギーが、検出しようとする赤外線の波長をλ、プラン
ク定数をｈ、光速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しくな
るように赤外線センサを構成すれば、量子ドットの基底
準位から励起準位に励起した電子又は正孔を光電流とし
て用いることができる。これにより、赤外線センサとし
て機能することができる。
【００３７】また、上記の赤外線センサは、量子ドット
をＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ又はＩｎＧａＳｂで形成
し、障壁層をＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓで形成すること
ができる。また、上記の赤外線センサは、量子ドットを
ＳｉＧｅ又はＧｅ層で形成し、障壁層をＳｉで形成する
ことができる。
をＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ又はＩｎＧａＳｂで形成
し、障壁層をＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓで形成すること
ができる。また、上記の赤外線センサは、量子ドットを
ＳｉＧｅ又はＧｅ層で形成し、障壁層をＳｉで形成する
ことができる。
【図１】本発明の原理を説明するエネルギーバンド図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施形態による赤外線センサの構造
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による赤外線センサの構造
を示すエネルギーバンド図である。
を示すエネルギーバンド図である。
【図４】従来の赤外線センサの構造を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図５】従来の他の赤外線センサの構造を示すエネルギ
ーバンド図である。
ーバンド図である。
１０…ＧａＡｓ基板 １２…オーミックコンタクト層 １４…障壁層 １６…量子ドット層 １８…積層体 ２０…オーミックコンタクト層 ２２…オーミック電極 ２４…オーミック電極 ５０…ＧａＡｓ基板 ５２…コンタクト層 ５４…多重量子井戸層 ５６…コンタクト層 ５８…グレーティング層 ６０…量子ドット層 ６２…障壁層 ６４…コンタクト層 ６６…コンタクト層
Claims (7)
- 【請求項１】 障壁層と、前記障壁層よりバンドギャッ
プが狭い複数の量子ドットを有する量子ドット層とが交
互に積層されてなる積層体を有し、 前記積層体に赤外線を照射した際に前記量子ドット内の
電子又は正孔の励起によって生じる光電流を検出するこ
とにより赤外線を検出することを特徴とする赤外線セン
サ。 - 【請求項２】 請求項１記載の赤外線センサにおいて、 前記量子ドットの基底準位は、赤外線を照射しない状態
で電子又は正孔によって占められていることを特徴とす
る赤外線センサ。 - 【請求項３】 請求項２記載の赤外線センサにおいて、 基底準位を占める前記電子又は正孔は、前記障壁層より
供給されることを特徴とする赤外線センサ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
赤外線センサにおいて、 前記量子ドットの基底準位から前記障壁層に電子又は正
孔を励起するのに必要なエネルギーが、検出しようとす
る赤外線の波長をλ、プランク定数をｈ、光速をｃとし
て、ｈｃ／λにほぼ等しいことを特徴とする赤外線セン
サ。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
赤外線センサにおいて、 前記量子ドットの基底準位から前記量子ドットの励起準
位に電子又は正孔を励起するのに必要なエネルギーが、
検出しようとする赤外線の波長をλ、プランク定数を
ｈ、光速をｃとして、ｈｃ／λにほぼ等しいことを特徴
とする赤外線センサ。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
赤外線センサにおいて、 前記量子ドット層の前記量子ドットは、ＩｎＡｓ、Ｉｎ
ＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳ
ｂ、ＧａＳｂ又はＩｎＧａＳｂで形成され、 前記障壁層は、ＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓで形成されて
いることを特徴とする赤外線センサ。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
赤外線センサにおいて、 前記量子ドット層の前記量子ドットは、ＳｉＧｅ又はＧ
ｅで形成され、 前記障壁層は、Ｓｉで形成されていることを特徴とする
赤外線センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9051221A JPH10256588A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9051221A JPH10256588A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 赤外線センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256588A true JPH10256588A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12880888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9051221A Pending JPH10256588A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256588A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054006A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Lg Innotek Co., Ltd | Led and fabrication method thereof |
| JP2007250648A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光検知器 |
| JP2008187003A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検出器 |
| JP2008187022A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
| JP2009065143A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 光半導体装置 |
| JP2009065142A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 量子ドット型赤外線検知器 |
| JP2009065141A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 赤外線検知器 |
| JP2010114381A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 光半導体装置および光検出システム |
| JP2011029301A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 量子ドット型光検知器 |
| JP2014169891A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Corp | 赤外線検出器および波長スペクトル測定装置 |
| JP2014169876A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Corp | 赤外線検出器および波長スペクトル測定装置 |
| JP2021022662A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 国立大学法人神戸大学 | 量子型赤外線センサ |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP9051221A patent/JPH10256588A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054006A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Lg Innotek Co., Ltd | Led and fabrication method thereof |
| US8017931B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-09-13 | Lg Innotek Co., Ltd | LED and fabrication method thereof |
| JP2007250648A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光検知器 |
| JP2008187022A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
| JP2008187003A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Fujitsu Ltd | 赤外線検出器 |
| US8368045B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-02-05 | Fujitsu Limited | Infrared photodetector |
| JP2009065143A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 光半導体装置 |
| JP2009065142A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 量子ドット型赤外線検知器 |
| JP2009065141A (ja) * | 2008-08-08 | 2009-03-26 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 赤外線検知器 |
| US8373155B2 (en) | 2008-08-08 | 2013-02-12 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defense Of Japan | Infrared photodetector |
| JP2010114381A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 光半導体装置および光検出システム |
| JP2011029301A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 量子ドット型光検知器 |
| JP2014169891A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Corp | 赤外線検出器および波長スペクトル測定装置 |
| JP2014169876A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Corp | 赤外線検出器および波長スペクトル測定装置 |
| JP2021022662A (ja) * | 2019-07-26 | 2021-02-18 | 国立大学法人神戸大学 | 量子型赤外線センサ |
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