JP2014169876A - 赤外線検出器および波長スペクトル測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の赤外線検出画素100A、100Bは、量子ドット層42上に形成されたキャップ層43A、43Bの厚さおよび材料組成の少なくとも一方としてのキャップ層の厚さが、X軸およびY軸の少なくとも一方としてのX軸方向に沿って漸次異なっていることにより、検出波長がX軸方向に沿って漸次異なっている。キャップ層43A、43Bの厚さおよび材料組成の少なくとも一方を漸次異ならせるために、エッチング工程や、熱アニール工程を経ることがない。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施例1による赤外線検出器200の構造を説明する断面図である。
次に、図3を利用して赤外線検出器200の動作を説明する。
次に、本発明の実施例1による赤外線検出器200の製造方法を説明する。
図5は、本発明の実施例1による赤外線検出器の製造方法を説明する図であり、分子線エピタキシャル(MBE)装置の概略を示すものである。図5では、本発明に特徴的な製造方法を説明するために必要な部分のみを記している。
続いて、紫外線リソグラフィー、ドライエッチングまたはウエットエッチング技術を利用して上部コンタクト層5、光吸収層4および下部コンタクト層3の一部をエッチングする。これにより、下部コンタクト層3の表面の一部が露出する。
2 緩衝層
3 下部コンタクト層
4 光吸収層
41 中間層
42、42A、42D 量子ドット層
43、43A、43B、43C、43D キャップ層
5 上部コンタクト層
6 保護膜
7 下部電極
8 上部電極
100、100A、100B、100C、100D 赤外線検出画素
200、201、202 赤外線検出器
300 真空チャンバ
301 基板ホルダ
302 第1の原料供給源
303 第2の原料供給源
304 第3の原料供給源
305 第4の原料供給源
400 分光装置
410 回折格子
411 法線
412 入射赤外線
413 回折赤外線
500 2次元領域
501 1次元領域
Claims (10)
- 半導体基板と、前記半導体基板上にX軸およびY軸に沿ってアレイ状に形成され、前記半導体基板側から入射される赤外線をそれぞれ検出する複数の赤外線検出画素とを有し、
前記複数の赤外線検出画素はそれぞれ、
半導体から成る中間層と、アレイ状に配された複数の量子ドットを含み、前記中間層中に形成された少なくとも一層の量子ドット層と、半導体から成り、前記中間層中の前記量子ドット層上に形成されたキャップ層とから成る光吸収層を有すると共に、
前記量子ドット層と前記キャップ層との量子閉じ込めによって形成される基底準位である第1の電子準位と励起準位である第2の電子準位のエネルギー差に相当する検出波長の赤外線を検出する赤外線検出器であって、
前記複数の赤外線検出画素は、前記キャップ層の厚さおよび材料組成の少なくとも一方が、前記X軸および前記Y軸の少なくとも一方の軸方向に沿って漸次異なっていることにより、前記第1の電子準位と前記第2の電子準位のエネルギー差に相当する検出波長が前記軸方向に沿って漸次異なっていることを特徴とする赤外線検出器。 - 前記複数の赤外線検出画素は、検出波長が前記軸方向に沿って線形に漸次異なるように、前記キャップ層の厚さおよび材料組成の少なくとも一方が前記軸方向に沿って漸次異なっている請求項1に記載の赤外線検出器。
- 前記複数の赤外線検出画素は、前記第1の電子準位のエネルギーと前記第2の電子準位のエネルギーとが、前記軸方向に沿って異符号で漸次異なっていることにより、当該赤外線検出画素が検出する前記第1の電子準位と前記第2の電子準位とのエネルギー差が、前記軸方向に沿って漸次異なっている請求項1または2に記載の赤外線検出器。
- 前記複数の赤外線検出画素は、前記キャップ層の厚さおよび材料組成の少なくとも一方が前記軸方向に沿って漸次異なっていることに加え、前記量子ドット層に含まれる量子ドットの大きさが、前記軸方向に沿って漸次異なっていることにより、前記第1の電子準位のエネルギーと前記第2の電子準位のエネルギーとが、前記軸方向に沿って異符号で漸次異なっている請求項3に記載の赤外線検出器。
- 前記中間層は、GaAsまたはAlGaAsから成り、前記量子ドット層は、InAsから成り、前記キャップ層は、InGaAsから成る請求項1乃至4のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記複数の赤外線検出画素は、前記キャップ層の厚さが5nmから10nmの間で、前記軸方向に沿って漸次異なっている請求項1乃至5のいずれか一項に記載の赤外線検出器。
- 前記複数の赤外線検出画素は、InGaAsから成る前記キャップ層がIn組成が15%から20%の間で前記軸方向に沿って漸次異なっている請求項5に記載の赤外線検出器。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の赤外線検出器と、入射する赤外線の波長に応じて分波する分光装置とを備え、
前記複数の赤外線検出画素それぞれの検出波長と、前記分光装置によって分波されて各前記赤外線検出画素に入射される波長とが等しいことを特徴とする波長スペクトル測定装置。 - 前記複数の赤外線検出画素は、前記分光装置の逆線分散に応じて、検出波長が前記軸方向に沿って漸次異なっている請求項8に記載の波長スペクトル測定装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の赤外線検出器の製造方法であって、
前記キャップ層の形成工程にて、前記量子ドット層の表面に対する前記キャップ層の原料の供給方向の相対角度を設定し、前記量子ドット層の表面に対する前記キャップ層の原料の供給レートを前記軸方向に沿って漸次異ならせることにより、各前記赤外線検出画素の前記キャップ層の厚さおよび材料組成の少なくとも一方を前記軸方向に沿って漸次異ならせることを特徴とする赤外線検出器の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427924A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 三星电子株式会社 | 红外检测器和包括红外检测器的红外传感器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252446A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10256588A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 赤外線センサ |
JP2006216734A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
JP2007227744A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 量子ドット型光半導体装置及びその製造方法 |
JP2007250648A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光検知器 |
JP2009210474A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Toyota Motor Corp | 分光器 |
US20110226934A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Hui Tian | Image sensors employing sensitized semiconductor diodes |
JP2012109420A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Nec Corp | 受光素子及び検出器並びに受光素子の製造方法 |
-
2013
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252446A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10256588A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Fujitsu Ltd | 赤外線センサ |
JP2006216734A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器 |
JP2007227744A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 量子ドット型光半導体装置及びその製造方法 |
JP2007250648A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 光検知器 |
JP2009210474A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Toyota Motor Corp | 分光器 |
US20110226934A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Hui Tian | Image sensors employing sensitized semiconductor diodes |
JP2012109420A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Nec Corp | 受光素子及び検出器並びに受光素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427924A (zh) * | 2017-08-28 | 2019-03-05 | 三星电子株式会社 | 红外检测器和包括红外检测器的红外传感器 |
KR20190023318A (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-08 | 삼성전자주식회사 | 적외선 검출기 및 이를 포함하는 적외선 센서 |
KR102547801B1 (ko) * | 2017-08-28 | 2023-06-26 | 삼성전자주식회사 | 적외선 검출기 및 이를 포함하는 적외선 센서 |
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