JPH10256293A - 半導体素子を有する回路モジュールおよびその製造方法ならびに回路モジュールを搭載した電子機器 - Google Patents

半導体素子を有する回路モジュールおよびその製造方法ならびに回路モジュールを搭載した電子機器

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JPH10256293A
JPH10256293A JP9061043A JP6104397A JPH10256293A JP H10256293 A JPH10256293 A JP H10256293A JP 9061043 A JP9061043 A JP 9061043A JP 6104397 A JP6104397 A JP 6104397A JP H10256293 A JPH10256293 A JP H10256293A
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pad
semiconductor element
circuit module
pads
conductive film
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Akihiko Hatsupouya
明彦 八甫谷
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】ワイヤ・ボンディングによる金属細線の接合強
度を充分に確保でき、電気的接続の信頼性が向上する回
路モジュールおよびその製造方法、ならびに回路モジュ
ールを搭載した電子機器の提供をする。 【解決手段】回路モジュール12は、所定のピッチで配列
された多数の第１および第２のパッド18、20 と、これら
パッドにワイヤ・ボンディングされた多数の金属細線22
とを備えている。これらパッドと金属細線とは、電気絶
縁性のバインダー中に多数の導電粒子を含む第１および
第２の異方性導電膜シート23、24 を介して接合されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップと称す
る裸の半導体素子を回路基板に実装してなる回路モジュ
ールおよびその製造方法、ならびに回路モジュールを搭
載したポータブルコンピュータのような電子機器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ブック形あるいはノート形のポー
タブルコンピュータの性能は飛躍的に進歩し、それに伴
い、このコンピュータに搭載されるＩＣチップの高機能
・多機能化が進んでいる。ＩＣチップの高機能・多機能
化が進むにつれ、デバイスの集積度や入・出力ピンの本
数が急激に増加し、チップサイズが大きくなる。
【０００３】チップサイズの増大は、結果的にＩＣチッ
プのコストを上げる原因となるとともに、このＩＣチッ
プを回路基板に実装した際にＩＣチップの占有面積が多
くなるといった問題を招く。このことから、最近のＩＣ
チップは、隣り合うパッド間のピッチを極力微細化し、
チップサイズを小さくする傾向にある。
【０００４】一方、最近のポータブルコンピュータは、
市場からの要求に伴い筐体のコンパクト化が推し進めら
れている。この筐体のコンパクト化により、筐体の内部
に収容される回路基板の大きさが制限される傾向にあ
り、それ故、回路基板に実装されるＩＣチップにして
も、回路基板に高密度に実装することが必要となってく
る。
【０００５】この種のＩＣチップを高密度に実装する方
式として、ベアチップと称する裸のＩＣチップを回路基
板に直接実装する、いわゆるＣＯＢ（Chip on Board ）
が知られている。このＣＯＢの場合、ＩＣチップは、回
路基板に接着剤を介してダイ・ボンディングされてい
る。そして、このＩＣチップに装備された多数のパッド
は、回路基板上の配線パターンに金属細線を介してワイ
ヤ・ボンディングされており、これら金属配線によりＩ
Ｃチップと回路基板の配線パターンとが電気的に導通さ
れている。
【０００６】したがって、このＣＯＢによれば、従来一
般的なＩＣパッケージに用いられているリードフレーム
が不要となり、このＩＣチップの実装面積をチップ自体
の面積よりも僅かに大きい程度に押さえて、より高密度
な実装を実現できるといった利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ポータブルコンピュー
タに用いられる高機能なＩＣチップは、パッドのピッチ
が微細化されているため、パッド自体のサイズが小さく
なっている。このため、金属細線をパッドにワイヤ・ボ
ンディングする際に、この金属細線の先端を加熱して形
成するボールの形状も小さくせざるを得なくなり、これ
ら金属細線とパッドとの接合面積を充分に確保できなく
なる。
【０００８】この結果、金属細線とパッドとの接合状態
が不安定となったり、接合強度が不足する恐れがあり、
微細ピッチ・ボンディングの信頼性を高める上でいま一
歩改善の余地が残されている。
【０００９】本発明は、このような事情にもとづいてな
されたもので、ワイヤ・ボンディングによる金属細線の
接合強度を充分に確保でき、電気的接続の信頼性が向上
する回路モジュールおよびその製造方法、ならびに回路
モジュールを搭載した電子機器の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載された回路モジュールは、所定のピ
ッチで配列された多数の端子と、これら端子にワイヤ・
ボンディングされた多数の金属細線と；を備えており、
これら端子と金属細線とは、電気絶縁性のバインダーの
中に多数の導電粒子を含む異方性導電膜シートを介して
接合されていることを特徴としている。
【００１１】また、請求項２に記載された回路モジュー
ルの製造方法は、所定のピッチで配列された多数の端子
に、金属細線をワイヤ・ボンディングすることにより、
これら端子と金属細線とを熱圧着させるに当たり、これ
ら端子と金属細線との間に、電気絶縁性のバインダーの
中に多数の導電粒子を含む異方性導電膜シートを介在さ
せたことを特徴としている。
【００１２】このような回路モジュールにおいて、異方
性導電膜シートを端子の上に重ね合わせた後、金属細線
の先端を加熱して異方性導電膜シートに押し付けると、
このシートのバインダーが溶融して金属細線の先端と端
子との間から押し出され、金属細線の先端と端子との間
が狭められる。このため、金属細線と端子との間にバイ
ンダー中に分散された導電粒子が挟み込まれ、これら導
電粒子を介して金属細線と端子とが電気的に導通され
る。
【００１３】そして、上記溶融されたバインダーは、隣
り合う端子と金属細線との接合部の間に流れ込むので、
このバインダーにより上記接合部間の絶縁が保たれると
ともに、金属細線と端子とが強固に接合される。
【００１４】したがって、端子ピッチの微細化に伴い端
子自体の形状が小さくなっても、金属細線と端子との接
合強度を充分に確保できるとともに、安定したワイヤ・
ボンディングを行なうことができ、電気的接続の信頼性
が向上する。
【００１５】上記目的を達成するため、請求項３に記載
された回路モジュールは、所定のピッチで配列された多
数の第１のパッドを有する半導体素子と；所定のピッチ
で配列された多数の第２のパッドを有するとともに、上
記半導体素子が実装された回路基板と；上記第１および
第２のパッドに夫々ワイヤ・ボンディングされ、上記半
導体素子と上記回路基板とを電気的に接続する多数の金
属細線と；を備えており、上記金属細線と上記第１のパ
ッドおよび第２のパッドとは、夫々電気絶縁性のバイン
ダーの中に多数の導電粒子を含む異方性導電膜シートを
介して接合されていることを特徴としている。
【００１６】このような構成の回路モジュールにおい
て、異方性導電膜シートを第１のパッドおよび第２のパ
ッドの上に重ね合わせた後、金属細線を加熱して異方性
導電膜シートに押し付けると、このシートのバインダー
が溶融して金属細線と第１のパッドおよび第２のパッド
との間から押し出され、これら金属細線と第１のパッド
および第２のパッドとの間が狭められる。このため、金
属細線と第１のパッドおよび第２のパッドとの間に夫々
バインダー中に分散された導電粒子が挟み込まれ、これ
ら導電粒子を介して金属細線と第１のパッドおよび第２
のパッドとが電気的に導通される。
【００１７】そして、上記溶融されたバインダーは、隣
り合う金属細線と第１のパッドおよび第２のパッドとの
接合部の間に流れ込むので、このバインダーにより接合
部間の絶縁が保たれるとともに、金属細線と第１のパッ
ドおよび第２のパッドとが強固に接合される。
【００１８】したがって、パッドピッチの微細化に伴い
パッド自体の形状が小さくなっていても、金属細線との
接合強度を充分に確保することができるとともに、安定
したワイヤ・ボンディングを行なうことができ、電気的
接続の信頼性が向上する。
【００１９】上記目的を達成するため、請求項５に記載
された電子機器は、箱状の筐体と；この筐体の内部に収
容された回路モジュールと；を備え、この回路モジュー
ルは、所定のピッチで配列された多数の第１のパッドを
有する半導体素子と、所定のピッチで配列された多数の
第２のパッドを有するとともに、上記半導体素子が実装
された回路基板と、上記第１および第２のパッドに夫々
ワイヤ・ボンディングされ、上記半導体素子と上記回路
基板とを電気的に接続する金属細線と、を有し、これら
金属細線と上記第１のパッドおよび第２のパッドとは、
夫々電気絶縁性のバインダー中に多数の導電粒子を含む
異方性導電膜シートを介して接合されていることを特徴
している。
【００２０】このような構成の電子機器に用いられる回
路モジュールは、異方性導電膜シートを第１のパッドお
よび第２のパッドの上に重ね合わせた後、金属細線を加
熱して異方性導電膜シートに押し付けると、このシート
のバインダーが溶融して金属細線と第１のパッドおよび
第２のパッドとの間から押し出され、これら金属細線と
第１のパッドおよび第２のパッドとの間が狭められる。
このため、金属細線と第１のパッドおよび第２のパッド
との間に夫々バインダー中に分散された導電粒子が挟み
込まれ、これら導電粒子を介して金属細線と第１のパッ
ドおよび第２のパッドとが電気的に導通される。
【００２１】そして、溶融されたバインダーは、隣り合
う金属細線と第１のパッドおよび第２のパッドとの接合
部の間に流れ込むので、このバインダーにより接合部間
の絶縁が保たれるとともに、金属細線と第１のパッドお
よび第２のパッドとが強固に接合される。
【００２２】したがって、パッドピッチの微細化に伴い
パッド自体の形状が小さくなっていても、金属細線との
接合強度を充分に確保できるとともに、安定したワイヤ
・ボンディングを行なうことができ、筐体の内部に収容
された回路モジュールの電気的接続の信頼性が向上す
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を、ポー
タブルコンピュータに適用した図面にもとづいて説明す
る。図１は、スーツのポケットに収容し得るような大き
さを有する超小型のポータブルコンピュータ１を示して
いる。このコンピュータ１は、箱形の筐体２と、この筐
体２に支持されたディスプレイユニット３とを備えてい
る。
【００２４】筐体２は、その上面にキーボード装着部４
を有している。このキーボード装着部４には、多数のキ
ー５を有するキーボード６が取り付けられている。ディ
スプレイユニット３は、偏平な箱状をなすディスプレイ
ハウジング８と、このディスプレイハウジング８に収容
された液晶表示装置９とを備えている。ディスプレイハ
ウジング８の前面には、開口部８ａが形成されている。
上記液晶表示装置９の表示画面１０は、上記開口部８ａ
を通じてディスプレイハウジング８の外方に露出されて
いる。
【００２５】ディスプレイユニット３は、上記筐体２の
後端部にヒンジ装置（図示せず）を介して支持されてい
る。このため、ディスプレイユニット３は、上記キーボ
ード６を覆う閉じ位置と、このキーボード６を露出させ
る開き位置とに亘って回動可能となっている。
【００２６】図２に示すように、上記筐体２の内部に
は、回路モジュール１２が収容されている。回路モジュ
ール１２は、半導体素子１３と、この半導体素子１３が
実装された回路基板１４とを備えている。
【００２７】図３および図４に示すように、半導体素子
１３としては、いわゆるベアチップと称する樹脂モール
ドされていない裸のチップが用いられている。この半導
体素子１３は、第１ないし第４の縁部１６ａ〜１６ｄを
有する矩形状をなしており、隣り合う第１ないし第４の
縁部１６ａ〜１６ｄは、互いに直交されている。
【００２８】半導体素子１３は、平坦な素子面１７を有
している。この素子面１７には、電極端子を兼ねる多数
の第１のパッド１８が配置されている。第１のパッド１
８は、半導体素子１３の第１ないし第４の縁部１６ａ〜
１６ｄに沿うように互いに間隔を存して配置されてい
る。そして、隣り合う第１のパッド１８間のピッチＰ1
は、半導体素子１３の高機能化に伴い微細化されてい
る。
【００２９】回路基板１４は、筐体２の底壁に支持され
ている。この回路基板１４は、平坦な実装面１４ａを有
し、この実装面１４ａに上記半導体素子１３が接着剤１
９を介してダイ・ボンディングされている。回路基板１
４の実装面１４ａには、多数の第２のパッド２０が配置
されている。第２のパッド２０は、回路基板１４上の配
線パターン（図示せず）に電気的に接続されており、こ
れら配線パターンの端子を兼ねている。
【００３０】回路基板１４の第２のパッド２０は、上記
半導体素子１３の周辺に配置され、この半導体素子１３
を取り囲んでいる。そのため、第２のパッド２０は、半
導体素子１３の第１ないし第４の縁部１６ａ〜１６ｄの
方向に沿って互いに間隔を存して配置されている。これ
ら第２のパッド２０のピッチＰ2 は、上記第１のパッド
１８のピッチＰ1 に対応するように微細化されている。
【００３１】半導体素子１３の第１のパッド１８と、回
路基板１４の第２のパッド２０とは、多数の金属細線２
２を介してワイヤ・ボンディングされている。金属細線
２２としては、金（Ａｕ）ワイヤが用いられている。
【００３２】図４に示すように、金属細線２２と第１の
パッド１８との接合部には、第１の異方性導電膜シート
２３が介在され、金属細線２２と第２のパッド２０との
接合部には、第２の異方性導電膜シート２４が介在され
ている。第１の異方性導電膜シート２３は、半導体素子
１３の素子面１７と略同じ大きさを有する矩形状をなし
ており、上記第１のパッド１８を含む表示面１７の全面
を覆っている。第２の異方性導電膜シート２４は、上記
半導体素子１３を取り囲むような四角形の枠状をなして
おり、上記回路基板１４の実装面１４ａにおいて、第２
のパッド２０のみを覆っている。
【００３３】図６に示すように、第１および第２の異方
性導電膜シート２３，２４は、電気絶縁性および接着性
を有するバインダー２５と、このバインダー２５の中に
分散配置された多数の導電粒子２６とを有している。こ
れら異方性導電膜シート２３，２４は、加圧前の状態で
は導電粒子２６が互いに独立しているために、全体とし
ては電気絶縁物であり、上記ワイヤ・ボンディング時に
加熱、加圧することで、接着性および導電性が得られる
ようになっている。
【００３４】次に、半導体素子１３を回路基板１４にワ
イヤ・ボンディングする手順について説明する。まず最
初に、回路基板１４の実装面１４ａに半導体素子１３を
ダイ・ボンディングする。そして、図７の（Ａ）に示す
ように、半導体素子１３の素子面１７に第１の異方性導
電膜シート２３を重ね合わせ、このシート２３で第１の
パッド１８を含む素子面１７を全体的に覆うとともに、
回路基板１４の実装面１４ａに第２の異方性導電膜シー
ト２４を重ね合わせ、このシート２４で第２のパッド２
０を覆う。
【００３５】次に、図７の（Ｂ）に示すように、ワイヤ
・スプール３０から繰り出された金属細線２２をキャピ
ラリ３１に通し、この金属細線２２の先端を第１の異方
性導電膜シート２３と対向させる。この状態で金属細線
２２の先端をトーチで加熱し、この金属細線２２の先端
を溶融させることにより、線径の約２倍の大きさのボー
ル２２ａを形成する。
【００３６】次に、キャピラリ３１を降下させ、金属細
線２２のボール２２ａを第１の異方性導電膜シート２３
上に所定の時間をかけて押し付ける。この際、回路基板
１４は、所定の温度に加熱しておき、金属細線２２のボ
ール２２ａを塑性変形させることが望ましい。
【００３７】キャピラリ３１の降下に伴い、第１の異方
性導電膜シート２３がボール２２ａと第１のパッド１８
との間で加圧されると、バインダー２５が溶け出して流
動状態となり、図５に示すように、ボール２２ａと第１
のパッド１８との間から押し出される。この押し出しに
より、ボール２２ａと第１のパッド１８との間の距離が
狭まり、これらボール２２ａと第１のパッド１８との間
で導電粒子２６が挟み込まれる。そのため、導電粒子２
６を介してボール２２ａと第１のパッド１８とが電気的
に導通される。
【００３８】ボール２２ａと第１のパッド１８との間か
ら押し出されたバインダー２５は、隣り合うボール２２
ａと第１のパッド１８との接合部の間に流れ込む。その
ため、隣り合う接合部間では、流れ込んだバインダー２
５により初期の絶縁が保たれるとともに、このバインダ
ー２５を介して金属細線２２と第１のパッド１８とが強
固に接合される。
【００３９】金属細線２２と第１のパッド１８との接合
が完了したならば、図７の（Ｃ）に示すように、キャピ
ラリ３１を回路基板１４上の第２の異方性導電膜シート
２４に向けて移動させ、金属細線２２を半導体素子１３
の側方に引き出す。そして、図８の（Ａ）に示すよう
に、引き出された金属細線２２をキャピラリ３１の先端
面によって第２の異方性導電膜シート２３に押し付け
る。
【００４０】この際、回路基板１４は、所定の温度に加
熱されているので、金属細線２２が第２の異方性導電膜
シート２３に押し付けられると、上記金属細線２２と第
１のパッド１８との接合部と同様にバインダー２５が溶
融し、金属細線２２と第２のパッド２０とが導電粒子２
６を介して電気的に導通される。また、上記溶融したバ
インダー２５により隣り合う金属細線２２と第２のパッ
ド２０との接合部の絶縁が保たれるとともに、このバイ
ンダー２５を介して金属細線２２と第２のパッド２０と
が強固に接合される。
【００４１】次に、図８の（Ｂ）に示すように、キャピ
ラリ３１を上昇させるとともに、図示しないクランパで
金属細線２２を引っ張り、この金属細線２２を第２のパ
ッド２０との接合部で切断する。このことにより、半導
体素子１３と回路基板１４の配線パターンとが電気的に
接続され、一連のワイヤ・ボンディングが完了する。
【００４２】このような回路モジュール１２によれば、
金属細線２２と半導体素子１３の第１のパッド１８およ
び回路基板１４の第２のパッド２０との間に第１および
第２の異方性導電膜シート２３，２４を介在させたの
で、ワイヤ・ボンディング時には、金属細線２２と第１
のパッド１８および第２のパッド２０とが微細な導電粒
子２６を介して直接接合される。そのため、第１および
第２のパッド１８，２０のピッチＰ1 、Ｐ2 の微細化に
伴い、これらパッド１８，２０の形状が小さくなってい
ても、安定した電気的導通が得られ、電気的な接続の信
頼性が向上する。
【００４３】また、金属細線２２を第１および第２の異
方性導電膜シート２３，２４に押し付けると、溶け出し
たバインダー２５が互いに隣り合う第１のパッド１８と
金属細線２２との接合部および第２のパッド２０と金属
細線２２との接合部の間に夫々流れ込み、これら接合部
間の絶縁を維持するので、隣り合う第１および第２のパ
ッド１８，２０間での短絡事故の発生を防止することが
できる。
【００４４】そのため、半導体素子１３を回路基板１４
にワイヤ・ボンディングする場合でも、第１および第２
のパッド１８，２０のピッチＰ1 、Ｐ2 を無理なく微細
化することができ、半導体素子１３の多ピン化やワイヤ
・ボンディングの高密度化を進める上で好都合となる。
【００４５】しかも、金属細線２０と第１のパッド１８
および第２のパッド２０とは、溶け出したバインダー２
５により互いに接合されるので、これら接合部の強度を
充分に確保することができる。したがって、上記のよう
に第１および第２のパッド１８，２０の微細化により、
これらパッド１８，２０の形状が小さくなっていても、
金属細線２２の剥離を防止することができ、安定したワ
イヤ・ボンディングを行なうことができる。
【００４６】さらに、上記構成によると、第１の異方性
導電膜シート２３は、半導体素子１３の表示面１７と略
同じ大きさを有する矩形状をなしているので、この第１
の異方性導電膜シート２３をシート状の素材から切り出
して形成する場合に、歩留まりが良好となるといった利
点がある。
【００４７】なお、上記実施の形態では、金属細線とし
て金ワイヤを用い、この金属細線の先端のボールを異方
性導電膜シートに圧着させるようにしたが、本発明はこ
れに限らず、上記金属細線の圧着接合時にボールに超音
波振動を付加し、回路基板の温度を低く抑えるようにし
ても良い。
【００４８】また、本発明に係る回路モジュールは、ベ
アチップと称する裸の半導体素子を回路基板にワイヤ・
ボンディングする、いわゆるＣＯＢに特定されるもので
はなく、例えば裸の半導体素子をリードフレームのイン
ナリードにワイヤ・ボンディングするとともに、これら
半導体素子およびリードフレームを樹脂モールドしてな
る半導体パッケージであっても同様に実施可能である。
【００４９】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、端子（パ
ッド）のピッチの微細化に伴い端子（パッド）自体の形
状が小さくなっていても、金属細線と端子（パッド）と
の電気的な導通を確実に行なうことができるとともに、
これら金属細線と端子（パッド）との接合強度を充分に
確保することができる。そのため、安定したワイヤ・ボ
ンディングが可能となり、端子（ピッチ）間のピッチを
無理なく微細化することができるとともに、半導体素子
の多ピン化やワイヤ・ボンディングの高密度化を進める
上で好都合となるといった利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るポータブルコ
ンピュータの斜視図。
【図２】筐体の内部に回路モジュールを収容した状態を
一部断面で示すポータブルコンピュータの側面図。
【図３】回路基板の半導体素子をワイヤ・ボンディング
した状態を示す回路モジュールの平面図。
【図４】回路モジュールの断面図。
【図５】金属細線と第１のパッドとの接合部の断面図。
【図６】異方性導電膜シートの断面図。
【図７】（Ａ）は、半導体素子の素子面および回路基板
の実装面に第１および第２の異方性導電膜シートを重ね
合わせる状態を示す断面図。（Ｂ）は、金属細線の先端
を半導体素子の第１のパッドと対向させるとともに、こ
の金属細線の先端にボールを形成した状態を示す断面
図。（Ｃ）は、金属細線の先端を第１の異方性導電膜シ
ートを介して半導体素子の第１のパッドに接合した状態
を示す断面図。
【図８】（Ａ）は、金属細線を半導体素子の側方に引き
出し、回路基板の第２のパッドに接合した状態を示す断
面図。（Ｂ）は、第２のパッドに接合された金属細線を
切断した状態を示す断面図。
【符号の説明】
２…筐体 １２…回路モジュール １３…半導体素子 １４…回路基板 １８…第１のパッド（端子） ２０…第２のパッド（端子） ２２…金属細線 ２３，２４…異方性導電膜シート（第１および第２の異
方性導電膜シート） ２５…バインダー ２６…導電粒子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定のピッチで配列された多数の端子
    に、多数の金属細線をワイヤ・ボンディングしてなる回
    路モジュールにおいて、 上記端子と金属細線とは、電気絶縁性のバインダー中に
    多数の導電粒子を含む異方性導電膜シートを介して接合
    されていることを特徴とする回路モジュール。
  2. 【請求項２】 所定のピッチで配列された多数の端子
    に、金属細線をワイヤ・ボンディングすることにより、
    これら端子と金属細線とを熱圧着させるようにした回路
    モジュールの製造方法において、 上記端子と金属細線との間に、電気絶縁性のバインダー
    中に多数の導電粒子を含む異方性導電膜シートを介在さ
    せたことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  3. 【請求項３】 所定のピッチで配列された多数の第１の
    パッドを有する半導体素子と；所定のピッチで配列され
    た多数の第２のパッドを有するとともに、上記半導体素
    子が実装された回路基板と；上記第１および第２のパッ
    ドに夫々ワイヤ・ボンディングされ、上記半導体素子と
    上記回路基板とを電気的に接続する多数の金属細線と；
    を備えている回路モジュールにおいて、 上記金属細線と上記第１のパッドおよび第２のパッドと
    は、夫々電気絶縁性のバインダー中に多数の導電粒子を
    含む異方性導電膜シートを介して接合されていることを
    特徴とする回路モジュール。
  4. 【請求項４】 請求項３の記載において、上記半導体素
    子は、上記第１のパッドが配列された素子面を有し、上
    記異方性導電膜シートは、上記素子面と略同じ大きさを
    有していることを特徴とする回路モジュール。
  5. 【請求項５】 箱状の筐体と；この筐体の内部に収容さ
    れた回路モジュールと；を備え、 この回路モジュールは、所定のピッチで配列された多数
    の第１のパッドを有する半導体素子と、所定のピッチで
    配列された多数の第２のパッドを有するとともに、上記
    半導体素子が実装された回路基板とを有し、上記半導体
    素子と回路基板との間を、上記第１および第２のパッド
    に夫々ワイヤ・ボンディングされた多数の金属細線を介
    して電気的に接続してなる電子機器において、 上記金属細線と上記第１のパッドおよび第２のパッドと
    は、夫々電気絶縁性のバインダー中に多数の導電粒子を
    含む異方性導電膜シートを介して接合されていることを
    特徴とする電子機器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100426608B1 (ko) * 2001-11-20 2004-04-08 삼성전자주식회사 활성면에 점퍼링 수단이 형성된 센터패드형 집적회로 칩과그 제조 방법 및 그를 이용한 멀티 칩 패키지
JP2007019152A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Denso Corp 半導体センサおよびその製造方法
CN110729207A (zh) * 2019-10-12 2020-01-24 闳康技术检测(上海)有限公司 一种封装打线的键合方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100426608B1 (ko) * 2001-11-20 2004-04-08 삼성전자주식회사 활성면에 점퍼링 수단이 형성된 센터패드형 집적회로 칩과그 제조 방법 및 그를 이용한 멀티 칩 패키지
US7224055B2 (en) 2001-11-20 2007-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Center pad type IC chip with jumpers, method of processing the same and multi chip package
JP2007019152A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Denso Corp 半導体センサおよびその製造方法
US7770452B2 (en) 2005-07-06 2010-08-10 Denso Corporation Semiconductor sensor and manufacturing method therefor
JP4552783B2 (ja) * 2005-07-06 2010-09-29 株式会社デンソー 半導体センサ
CN110729207A (zh) * 2019-10-12 2020-01-24 闳康技术检测(上海)有限公司 一种封装打线的键合方法
CN110729207B (zh) * 2019-10-12 2021-07-13 闳康技术检测(上海)有限公司 一种封装打线的键合方法

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