JPH10251859A - プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法Info
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- JPH10251859A JPH10251859A JP8334897A JP8334897A JPH10251859A JP H10251859 A JPH10251859 A JP H10251859A JP 8334897 A JP8334897 A JP 8334897A JP 8334897 A JP8334897 A JP 8334897A JP H10251859 A JPH10251859 A JP H10251859A
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- gas cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング
に於いて、既存の装置を改良することなく、クリーニン
グ時間の短縮を図る。 【解決手段】真空容器１内にプラズマ処理空間１４が画
成する内槽を有し、前記プラズマ処理空間にエッチング
ガスを導入し高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、プラズマエッチングによりガスクリーニングを行う
プラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に於
いて、前記プラズマ処理空間が開閉可能であり、ガスク
リーニング時に前記プラズマ処理空間を開放し、プラズ
マ処理空間のガスの排気を促進し、反応生成物の再付着
を防止し、又発生したプラズマを拡大してコーナー部の
エッチングの促進を図る。
に於いて、既存の装置を改良することなく、クリーニン
グ時間の短縮を図る。 【解決手段】真空容器１内にプラズマ処理空間１４が画
成する内槽を有し、前記プラズマ処理空間にエッチング
ガスを導入し高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、プラズマエッチングによりガスクリーニングを行う
プラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に於
いて、前記プラズマ処理空間が開閉可能であり、ガスク
リーニング時に前記プラズマ処理空間を開放し、プラズ
マ処理空間のガスの排気を促進し、反応生成物の再付着
を防止し、又発生したプラズマを拡大してコーナー部の
エッチングの促進を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ、ガラス基
板等の基板表面に薄膜を生成する半導体製造装置、特に
プラズマＣＶＤ装置のＣＶＤ成膜槽の内面に付着した反
応生成物を除去するプラズマＣＶＤ装置のガスクリーニ
ング方法に関するものである。
板等の基板表面に薄膜を生成する半導体製造装置、特に
プラズマＣＶＤ装置のＣＶＤ成膜槽の内面に付着した反
応生成物を除去するプラズマＣＶＤ装置のガスクリーニ
ング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つに基板上に所定の
成膜を行うプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程がある。該成膜
工程は対峙する一対の電極が設けられた気密な処理室に
基板を装填し、該処理室内に反応ガスを供給しつつ前記
電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、気相
のガス分子をプラズマにより分離させ、基板表面に薄膜
を生成するものである。
成膜を行うプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜工程がある。該成膜
工程は対峙する一対の電極が設けられた気密な処理室に
基板を装填し、該処理室内に反応ガスを供給しつつ前記
電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、気相
のガス分子をプラズマにより分離させ、基板表面に薄膜
を生成するものである。
【０００３】図１に於いて成膜槽を有するプラズマＣＶ
Ｄ装置について説明する。
Ｄ装置について説明する。
【０００４】真空容器１の天井面に電極ホルダ２が設け
られ、該電極ホルダ２の内部に絶縁体３を介して上電極
（カソード）４が設けられる。該上電極４にはカソード
ヒータ１６が埋設され、又上電極４の下面にはシャワー
プレート５が設けられ、前記上電極４とシャワープレー
ト５間には間隙６が形成される。該間隙６には前記真空
容器１とは絶縁された反応ガス導入管１３が連通されて
いる。前記シャワープレート５には多数のガス分散孔７
が穿設され、前記反応ガス導入管１３より導入された反
応ガスを前記ガス分散孔７より後述するプラズマ処理空
間１４に供給する様になっている。
られ、該電極ホルダ２の内部に絶縁体３を介して上電極
（カソード）４が設けられる。該上電極４にはカソード
ヒータ１６が埋設され、又上電極４の下面にはシャワー
プレート５が設けられ、前記上電極４とシャワープレー
ト５間には間隙６が形成される。該間隙６には前記真空
容器１とは絶縁された反応ガス導入管１３が連通されて
いる。前記シャワープレート５には多数のガス分散孔７
が穿設され、前記反応ガス導入管１３より導入された反
応ガスを前記ガス分散孔７より後述するプラズマ処理空
間１４に供給する様になっている。
【０００５】前記電極ホルダ２の下端に内室外壁８が連
設され、該内室外壁８の内側に内室内壁９が設けられ、
前記内室外壁８、内室内壁９の下端に下電極（アノー
ド）１０が設けられ、該下電極１０にはアノードヒータ
１７が埋設されている。前記シャワープレート５、内室
内壁９、下電極１０により囲繞される空間でプラズマ処
理空間１４が形成され、前記下電極１０には基板載置台
１１を介して基板１２が装填可能である。前記プラズマ
処理空間１４には排気管１５が連通されている。尚、図
中、１８，１９は基板搬入搬出用の開口部を示し、該開
口部１８，１９はゲート弁２１，２２によりそれぞれ開
閉される。
設され、該内室外壁８の内側に内室内壁９が設けられ、
前記内室外壁８、内室内壁９の下端に下電極（アノー
ド）１０が設けられ、該下電極１０にはアノードヒータ
１７が埋設されている。前記シャワープレート５、内室
内壁９、下電極１０により囲繞される空間でプラズマ処
理空間１４が形成され、前記下電極１０には基板載置台
１１を介して基板１２が装填可能である。前記プラズマ
処理空間１４には排気管１５が連通されている。尚、図
中、１８，１９は基板搬入搬出用の開口部を示し、該開
口部１８，１９はゲート弁２１，２２によりそれぞれ開
閉される。
【０００６】前記真空容器１の下面に開閉シリンダ２４
をシリンダロッド２５が下方に向かって突出する様取付
け、該シリンダロッド２５に昇降基板２６を水平に固着
し、又該昇降基板２６にプラズマ処理空間１４の中心軸
心と合致する中空の支軸２７を立設し、該支軸２７は前
記真空容器１の底部を遊貫し、遊貫箇所はベローズ２８
により気密に密封され、前記支軸２７の先端は前記下電
極１０の下面に固着されている。
をシリンダロッド２５が下方に向かって突出する様取付
け、該シリンダロッド２５に昇降基板２６を水平に固着
し、又該昇降基板２６にプラズマ処理空間１４の中心軸
心と合致する中空の支軸２７を立設し、該支軸２７は前
記真空容器１の底部を遊貫し、遊貫箇所はベローズ２８
により気密に密封され、前記支軸２７の先端は前記下電
極１０の下面に固着されている。
【０００７】前記昇降基板２６の下側に支柱２９を介し
て棚板３０を取付ける。該棚板３０の下面に基板リフト
シリンダ３１を取付け、該基板リフトシリンダ３１のシ
リンダロッドに前記支軸２７と同心のリフトロッド３２
を連結し、該リフトロッド３２は前記昇降基板２６を気
密に貫通する。前記リフトロッド３２上端は真空容器１
の内部迄延出し、該リフトロッド３２の上端に基板支持
板３３を固着する。
て棚板３０を取付ける。該棚板３０の下面に基板リフト
シリンダ３１を取付け、該基板リフトシリンダ３１のシ
リンダロッドに前記支軸２７と同心のリフトロッド３２
を連結し、該リフトロッド３２は前記昇降基板２６を気
密に貫通する。前記リフトロッド３２上端は真空容器１
の内部迄延出し、該リフトロッド３２の上端に基板支持
板３３を固着する。
【０００８】該基板支持板３３は支軸２７と干渉しない
様に側方に延出しており、延出端には前記下電極１０、
基板載置台１１を遊貫する基板支持ピン３４が植設され
ている。
様に側方に延出しており、延出端には前記下電極１０、
基板載置台１１を遊貫する基板支持ピン３４が植設され
ている。
【０００９】基板１２に所要の薄膜を生成する場合は、
前記開閉シリンダ２４を伸長させ、前記昇降基板２６、
支軸２７を介して前記下電極１０を降下させ、プラズマ
処理空間１４を開放する。前記リフトロッド３２より前
記リフトロッド３２、基板支持板３３を介して前記基板
支持ピン３４を上昇させた状態とし、前記ゲート弁２１
を移動させて開口部１８を開放する。
前記開閉シリンダ２４を伸長させ、前記昇降基板２６、
支軸２７を介して前記下電極１０を降下させ、プラズマ
処理空間１４を開放する。前記リフトロッド３２より前
記リフトロッド３２、基板支持板３３を介して前記基板
支持ピン３４を上昇させた状態とし、前記ゲート弁２１
を移動させて開口部１８を開放する。
【００１０】図示しない基板搬送装置より基板１２を前
記開口部１８より搬入し、基板１２を前記基板支持ピン
３４の上端に載置した後、基板搬送装置を後退させ、前
記ゲート弁２１により開口部１８を閉塞する。
記開口部１８より搬入し、基板１２を前記基板支持ピン
３４の上端に載置した後、基板搬送装置を後退させ、前
記ゲート弁２１により開口部１８を閉塞する。
【００１１】前記基板リフトシリンダ３１により前記基
板支持ピン３４を降下させ、基板１２を基板載置台１１
に載置し、前記開閉シリンダ２４により前記昇降基板２
６、支軸２７を介して前記下電極１０を上昇させ、プラ
ズマ処理空間１４を閉塞する。
板支持ピン３４を降下させ、基板１２を基板載置台１１
に載置し、前記開閉シリンダ２４により前記昇降基板２
６、支軸２７を介して前記下電極１０を上昇させ、プラ
ズマ処理空間１４を閉塞する。
【００１２】前記排気管１５よりプラズマ処理空間１４
を排気した後、前記反応ガス導入管１３より反応ガスと
してＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＮＨ3 、
ＰＨ3 等を導入し、前記上電極４、下電極１０間に高周
波電源２０により高周波電力を印加することでシャワー
プレート５下方にプラズマが発生し、基板１２に対しＣ
ＶＤによる薄膜の生成が行われる。
を排気した後、前記反応ガス導入管１３より反応ガスと
してＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＮＨ3 、
ＰＨ3 等を導入し、前記上電極４、下電極１０間に高周
波電源２０により高周波電力を印加することでシャワー
プレート５下方にプラズマが発生し、基板１２に対しＣ
ＶＤによる薄膜の生成が行われる。
【００１３】ところが、このＣＶＤ成膜処理では基板上
だけでなく、電極表面や処理室内壁にも成膜される。こ
の為、成膜工程を繰返し行うと、電極表面や処理室内壁
に付着・堆積した膜はやがて剥離し、パーティクルとな
って処理中の基板上に付着して基板を汚染してしまう。
斯かる汚染は、膜機能を著しく低下させ、歩留りの低下
の原因となり生産性の低下を招く為、是非とも排除され
なければならない。従って、所定時間経過するとガスク
リーニングが実施される。
だけでなく、電極表面や処理室内壁にも成膜される。こ
の為、成膜工程を繰返し行うと、電極表面や処理室内壁
に付着・堆積した膜はやがて剥離し、パーティクルとな
って処理中の基板上に付着して基板を汚染してしまう。
斯かる汚染は、膜機能を著しく低下させ、歩留りの低下
の原因となり生産性の低下を招く為、是非とも排除され
なければならない。従って、所定時間経過するとガスク
リーニングが実施される。
【００１４】ガスクリーニングする場合は反応ガスとし
てＮＦ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 等を前記反応ガス導入管１３
より導入し、前記間隙６、ガス分散孔７を経てクリーニ
ング圧に調整された前記プラズマ処理空間１４に流入供
給し、前記上電極４と前記下電極１０間に高周波電力を
印加し、プラズマを発生させ前記プラズマ処理空間１４
に臨接する天上面、壁面等に付着した膜をエッチングし
て除去している。
てＮＦ3 、ＣＦ4 、ＳＦ6 等を前記反応ガス導入管１３
より導入し、前記間隙６、ガス分散孔７を経てクリーニ
ング圧に調整された前記プラズマ処理空間１４に流入供
給し、前記上電極４と前記下電極１０間に高周波電力を
印加し、プラズマを発生させ前記プラズマ処理空間１４
に臨接する天上面、壁面等に付着した膜をエッチングし
て除去している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記したガスクリーニ
ング方法に於いて、クリーニング速度を考えた場合、ク
リーニング圧力は高すぎても、低すぎても効率が悪く、
最適なガスクリーニング圧力が存在する。最適なガスク
リーニング圧力等最適なクリーニング条件でクリーニン
グを行った場合、エッチングはシャワープレートの中央
が早く、内槽のコーナー部に付着した膜は最後まで残っ
てしまう。この為、コーナー部に付着した膜を取る為だ
けにクリーニングの時間を延長しなければならないとい
う欠点があった。更に、シャワープレートの中央がオー
バエッチングされてシャワープレートの寿命を短くする
という欠点があった。
ング方法に於いて、クリーニング速度を考えた場合、ク
リーニング圧力は高すぎても、低すぎても効率が悪く、
最適なガスクリーニング圧力が存在する。最適なガスク
リーニング圧力等最適なクリーニング条件でクリーニン
グを行った場合、エッチングはシャワープレートの中央
が早く、内槽のコーナー部に付着した膜は最後まで残っ
てしまう。この為、コーナー部に付着した膜を取る為だ
けにクリーニングの時間を延長しなければならないとい
う欠点があった。更に、シャワープレートの中央がオー
バエッチングされてシャワープレートの寿命を短くする
という欠点があった。
【００１６】本発明は斯かる実情に鑑み、内槽の部分的
なエッチング残しをなくし、クリーニングに要する時間
を短縮するプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニン
グ方法を提供するものである。
なエッチング残しをなくし、クリーニングに要する時間
を短縮するプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニン
グ方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内に
プラズマ処理空間が画成する内槽を有し、前記プラズマ
処理空間にエッチングガスを導入し高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、プラズマエッチングによりガス
クリーニングを行い、ガスクリーニング時に前記プラズ
マ処理空間を開放するプラズマＣＶＤ装置に於けるガス
クリーニング方法に係り、又前記プラズマ処理空間の開
閉をプラズマ処理空間の中心部のプラズマエッチングが
完了した状態から３０秒〜１分の間隔で３〜４秒開放す
るプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に
係り、又ガスクリーニング時の圧力を低下させるプラズ
マＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に係り、又
圧力低下時の値が０．１Torr〜０．４Torrであるプラズ
マＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に係るもの
である。
プラズマ処理空間が画成する内槽を有し、前記プラズマ
処理空間にエッチングガスを導入し高周波電力を印加し
てプラズマを発生させ、プラズマエッチングによりガス
クリーニングを行い、ガスクリーニング時に前記プラズ
マ処理空間を開放するプラズマＣＶＤ装置に於けるガス
クリーニング方法に係り、又前記プラズマ処理空間の開
閉をプラズマ処理空間の中心部のプラズマエッチングが
完了した状態から３０秒〜１分の間隔で３〜４秒開放す
るプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に
係り、又ガスクリーニング時の圧力を低下させるプラズ
マＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に係り、又
圧力低下時の値が０．１Torr〜０．４Torrであるプラズ
マＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に係るもの
である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１９】尚、本発明の実施の対象となる半導体製造
装置のプラズマＣＶＤ装置は図１で示したものと同一で
あるので、図１を参照して説明する。
装置のプラズマＣＶＤ装置は図１で示したものと同一で
あるので、図１を参照して説明する。
【００２０】前記下電極１０を上昇させプラズマ処理空
間１４を閉塞した状態で、前記反応ガス導入管１３より
エッチングガスを導入し、調圧を行いつつ前記上電極４
と下電極１０間に高周波電力を印加させ、プラズマ処理
空間１４内にプラズマを発生させ、シャワープレート５
及びプラズマ処理空間１４の内壁面のクリーニングを行
う。
間１４を閉塞した状態で、前記反応ガス導入管１３より
エッチングガスを導入し、調圧を行いつつ前記上電極４
と下電極１０間に高周波電力を印加させ、プラズマ処理
空間１４内にプラズマを発生させ、シャワープレート５
及びプラズマ処理空間１４の内壁面のクリーニングを行
う。
【００２１】本発明での成膜例を示すと、ａ−Ｓi(i)を
成膜する場合では下記表１の条件で行われるが、更にク
リーニングは下記表２の条件で実施される。
成膜する場合では下記表１の条件で行われるが、更にク
リーニングは下記表２の条件で実施される。
【００２２】前記シャワープレート５のエッチングが完
了した時点で、或は完了した前後でプラズマ処理空間１
４内の圧力を変化させる。シャワー板のエッチング状態
はプラズマのＶpp，Ｖdcを監視することで判断でき、Ｖ
pp，Ｖdcと基準値とを比較することでシャワー板がエッ
チングされたかどうかを知ることができる。
了した時点で、或は完了した前後でプラズマ処理空間１
４内の圧力を変化させる。シャワー板のエッチング状態
はプラズマのＶpp，Ｖdcを監視することで判断でき、Ｖ
pp，Ｖdcと基準値とを比較することでシャワー板がエッ
チングされたかどうかを知ることができる。
【００２３】前記プラズマ処理空間１４内の圧力は０．
２Torr〜０．８Torrの範囲で行われるが、特に０．１To
rr〜０．４Torrの高真空でプラズマが中央に集中する現
象が緩和され、コーナーをエッチングしやすくなる。従
って、シャワープレート５のエッチングが完了した時点
で、或は完了した前後でプラズマ処理空間１４内の圧力
を０．１Torr〜０．４Torrの高真空に変化させる。
２Torr〜０．８Torrの範囲で行われるが、特に０．１To
rr〜０．４Torrの高真空でプラズマが中央に集中する現
象が緩和され、コーナーをエッチングしやすくなる。従
って、シャワープレート５のエッチングが完了した時点
で、或は完了した前後でプラズマ処理空間１４内の圧力
を０．１Torr〜０．４Torrの高真空に変化させる。
【００２４】又、プラズマ処理空間１４内面に付着した
Ｓi 膜は、エッチングガスと反応して揮発性のＳi Ｆ4
となり、前記排気管１５より排出されるが、この時排気
管１５のコンダクタンスが小さく、Ｓi Ｆ4 が迅速に排
気されずプラズマにより再度励起される状態となると、
前記Ｓi Ｆ4 が分解され、再び成膜現象が起こる。
Ｓi 膜は、エッチングガスと反応して揮発性のＳi Ｆ4
となり、前記排気管１５より排出されるが、この時排気
管１５のコンダクタンスが小さく、Ｓi Ｆ4 が迅速に排
気されずプラズマにより再度励起される状態となると、
前記Ｓi Ｆ4 が分解され、再び成膜現象が起こる。
【００２５】この現象を少なくする為にエッチング中に
何回か下電極１０を降下させ、内室内壁９下端周辺に間
隙を形成し、内室内壁９の下端全周からもＳi Ｆ4 を積
極的に排気を行う。尚、下電極１０を下げた状態ではエ
ッチング効率が下がるので間欠的にプラズマ処理空間１
４の開閉を行うとよい。又、開閉の周期としては３０秒
〜１分の間隔で３〜４秒開放するのが好ましい。
何回か下電極１０を降下させ、内室内壁９下端周辺に間
隙を形成し、内室内壁９の下端全周からもＳi Ｆ4 を積
極的に排気を行う。尚、下電極１０を下げた状態ではエ
ッチング効率が下がるので間欠的にプラズマ処理空間１
４の開閉を行うとよい。又、開閉の周期としては３０秒
〜１分の間隔で３〜４秒開放するのが好ましい。
【００２６】又、下電極１０を下げるとプラズマ処理空
間１４の下部が開放され、プラズマ処理空間が上下方
向、水平方向に広がり、発生するプラズマも水平方向に
広がる。従って、コーナー部のエッチングが効果的に行
える。
間１４の下部が開放され、プラズマ処理空間が上下方
向、水平方向に広がり、発生するプラズマも水平方向に
広がる。従って、コーナー部のエッチングが効果的に行
える。
【００２７】而して、エッチング圧力は低下する方に変
化し、又下電極１０を下げプラズマ処理空間１４の下部
を開放することでコーナー部のエッチングが促進され、
部分的なエッチングの残しがなくなり、クリーニング時
間が短縮する。
化し、又下電極１０を下げプラズマ処理空間１４の下部
を開放することでコーナー部のエッチングが促進され、
部分的なエッチングの残しがなくなり、クリーニング時
間が短縮する。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、既存の
装置を改良することなく実施可能であり、コーナー部の
エッチングが効果的に行えるのでクリーニング時間の短
縮が図れ、ひいては装置の稼働率が向上するという優れ
た効果を発揮する。
装置を改良することなく実施可能であり、コーナー部の
エッチングが効果的に行えるのでクリーニング時間の短
縮が図れ、ひいては装置の稼働率が向上するという優れ
た効果を発揮する。
【図１】本発明が実施されるプラズマＣＶＤ装置の概略
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 １ 真空容器 ５ シャワープレート １０ 下電極 １１ 基板載置台 １３ 反応ガス導入管 １４ プラズマ処理空間 １５ 排気管 ２０ 高周波電源 ２４ 開閉シリンダ
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器内にプラズマ処理空間が画成す
る内槽を有し、前記プラズマ処理空間にエッチングガス
を導入し高周波電力を印加してプラズマを発生させ、プ
ラズマエッチングによりガスクリーニングを行うプラズ
マＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法に於いて、
前記プラズマ処理空間が開閉可能であり、ガスクリーニ
ング時に前記プラズマ処理空間を開放することを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方
法。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理空間の開閉をプラズマ
処理空間の中心部のプラズマエッチングが完了した状態
から３０秒〜１分の間隔で３〜４秒開放する請求項１の
プラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニング方法。 - 【請求項３】 ガスクリーニング時の圧力を低下させる
請求項１のプラズマＣＶＤ装置に於けるガスクリーニン
グ方法。 - 【請求項４】 圧力低下時の値が０．１Torr〜０．４To
rrである請求項３のプラズマＣＶＤ装置に於けるガスク
リーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334897A JPH10251859A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8334897A JPH10251859A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251859A true JPH10251859A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=13799944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8334897A Pending JPH10251859A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10251859A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332658A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan Kk | プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 |
| KR20160002985U (ko) * | 2012-10-18 | 2016-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 섀도우 프레임 지지부 |
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1997
- 1997-03-17 JP JP8334897A patent/JPH10251859A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332658A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan Kk | プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 |
| KR20160002985U (ko) * | 2012-10-18 | 2016-08-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 섀도우 프레임 지지부 |
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