JPH10244755A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH10244755A JPH10244755A JP9051984A JP5198497A JPH10244755A JP H10244755 A JPH10244755 A JP H10244755A JP 9051984 A JP9051984 A JP 9051984A JP 5198497 A JP5198497 A JP 5198497A JP H10244755 A JPH10244755 A JP H10244755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- residue
- recording medium
- represented
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B2007/24612—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes two or more dyes in one layer
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速記録特性を改善した光学記録媒体を提供
する。 【解決手段】 記録層が下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕及び
〔III 〕の組成物である光学記録媒体。 【化１】 （式中、Ａは複素環、Ｂは芳香環又は複素環、Ｐ、Ｐ′
は芳香環、Ｑはペンタメチン、Ｒ1 〜Ｒ6 はアルキル基
等、ＭはＦｅ又はＮｉ、Ｒはホウ酸基又はベンゾイル基
を表わす。）
する。 【解決手段】 記録層が下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕及び
〔III 〕の組成物である光学記録媒体。 【化１】 （式中、Ａは複素環、Ｂは芳香環又は複素環、Ｐ、Ｐ′
は芳香環、Ｑはペンタメチン、Ｒ1 〜Ｒ6 はアルキル基
等、ＭはＦｅ又はＮｉ、Ｒはホウ酸基又はベンゾイル基
を表わす。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アゾ系化合物と金
属との錯体化合物、インドレニン系シアニン色素および
メタロセン系化合物との組成物を用いた光学記録媒体に
関するものである。
属との錯体化合物、インドレニン系シアニン色素および
メタロセン系化合物との組成物を用いた光学記録媒体に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
ライトワンス ディスク）がある。ＣＤライトワンス
ディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に
色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次
積層することにより構成される。情報の記録は、照射さ
れたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の
記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形が生成することにより行われる。また、記録され
た情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部
分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることによ
り行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザ
ー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レー
ザー吸収色素が用いられる。
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ
程度に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録
を行うものである。その光ディスクの中でも最近注目を
集めているものに書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ
ライトワンス ディスク）がある。ＣＤライトワンス
ディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基板上に
色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜を順次
積層することにより構成される。情報の記録は、照射さ
れたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇所の
記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱
的変形が生成することにより行われる。また、記録され
た情報の再生は、レーザー光により変形が起きている部
分と起きていない部分の反射率の差を読み取ることによ
り行われる。したがって、光学記録媒体としてはレーザ
ー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、レー
ザー吸収色素が用いられる。
【０００３】このようなＣＤライトワンス ディスクの
記録層に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７
９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１
号、同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用
いたものが開示されている。しかし、シアニン系色素は
溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であると
いう利点を有する反面、耐光性に劣るという問題点を有
している。この点に関して記録層用の色素としてＷＯ９
１１８０５７、特開平５−２７９５８０号、同６−６５
５１４号、特公平７−５１６７３号各公報にアゾ系化合
物と金属との金属キレート化合物を用いたものが提案さ
れている。アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物
は一般に耐光性に優れて、有機溶媒に対する溶解性が高
く、好ましいが、４倍速記録などの高速記録において記
録感度が不足しているという問題点を有していた。
記録層に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７
９０号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１
号、同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用
いたものが開示されている。しかし、シアニン系色素は
溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能であると
いう利点を有する反面、耐光性に劣るという問題点を有
している。この点に関して記録層用の色素としてＷＯ９
１１８０５７、特開平５−２７９５８０号、同６−６５
５１４号、特公平７−５１６７３号各公報にアゾ系化合
物と金属との金属キレート化合物を用いたものが提案さ
れている。アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物
は一般に耐光性に優れて、有機溶媒に対する溶解性が高
く、好ましいが、４倍速記録などの高速記録において記
録感度が不足しているという問題点を有していた。
【０００４】また、特開平３−２１５４６６号公報には
フタロシアニン系色素を用いたＣＤライトワンス媒体が
提案されているが、やはり高速記録において記録感度が
不足している。これらの課題を解決する手段として、特
開平７−９８８８７号公報には記録層に金属系化合物を
ピット・エッジ制御剤として添加することにより記録特
性の改善を図る方法が提案されている。この方法によ
り、記録層の色素としてフタロシアニン系色素を用いた
場合には特性改善を図ることができるが、耐光性の優れ
たアゾ系化合物と金属との金属錯体化合物を記録層の色
素として用いた場合には単に金属系化合物を添加しただ
けでは記録特性を改善することができないことが本発明
者らによって見出された。
フタロシアニン系色素を用いたＣＤライトワンス媒体が
提案されているが、やはり高速記録において記録感度が
不足している。これらの課題を解決する手段として、特
開平７−９８８８７号公報には記録層に金属系化合物を
ピット・エッジ制御剤として添加することにより記録特
性の改善を図る方法が提案されている。この方法によ
り、記録層の色素としてフタロシアニン系色素を用いた
場合には特性改善を図ることができるが、耐光性の優れ
たアゾ系化合物と金属との金属錯体化合物を記録層の色
素として用いた場合には単に金属系化合物を添加しただ
けでは記録特性を改善することができないことが本発明
者らによって見出された。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は耐光性の優れ
たアゾ系化合物と金属との金属錯体化合物を主として含
有する色素組成物を記録層に用いて、さらに高速記録特
性を改善することを目的とする。
たアゾ系化合物と金属との金属錯体化合物を主として含
有する色素組成物を記録層に用いて、さらに高速記録特
性を改善することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこの目的を
達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕で示
されるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物、下
記一般式〔II〕で示されるインドレニン系シアニン色素
からなる色素混合物に下記一般式〔III 〕で示されるメ
タロセン系化合物を混合すると記録感度が向上し、高速
記録特性に優れ、かつ記録保存安定性が良好であること
を見い出した。すなわち本発明は基板と記録層からな
り、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕
達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕で示
されるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物、下
記一般式〔II〕で示されるインドレニン系シアニン色素
からなる色素混合物に下記一般式〔III 〕で示されるメ
タロセン系化合物を混合すると記録感度が向上し、高速
記録特性に優れ、かつ記録保存安定性が良好であること
を見い出した。すなわち本発明は基板と記録層からな
り、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕
【０００７】
【化６】
【０００８】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
および窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を
表わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒
になって芳香環または複素環を形成する残基を表わし、
Ｘは活性水素を有する基を表わす。）で示されるアゾ系
化合物と金属との錯体化合物、下記一般式〔II〕
および窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を
表わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒
になって芳香環または複素環を形成する残基を表わし、
Ｘは活性水素を有する基を表わす。）で示されるアゾ系
化合物と金属との錯体化合物、下記一般式〔II〕
【０００９】
【化７】
【００１０】（式中、Ｐ及びＰ′はそれぞれ独立してそ
れが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香族
環を形成する残基を表わし、Ｑは置換されていてもよい
ペンタメチン基を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 及びＲ6 はそれぞれ独立して置換されていてもよいア
ルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換され
ていてもよいアルケニル基または置換されていてもよい
シクロアルキル基を表わし、Ｚ- は陰イオン残基を表わ
す。）で示されるインドレニン系シアニン色素、および
下記一般式〔III 〕
れが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香族
環を形成する残基を表わし、Ｑは置換されていてもよい
ペンタメチン基を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 及びＲ6 はそれぞれ独立して置換されていてもよいア
ルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換され
ていてもよいアルケニル基または置換されていてもよい
シクロアルキル基を表わし、Ｚ- は陰イオン残基を表わ
す。）で示されるインドレニン系シアニン色素、および
下記一般式〔III 〕
【００１１】
【化８】
【００１２】（式中、Ｒはホウ酸基またはベンゾイル基
を表わし、ＭはＦｅまたはＮｉを表わす。）で示される
メタロセン系化合物との組成物であることを特徴とする
光学記録媒体をその要旨とする。
を表わし、ＭはＦｅまたはＮｉを表わす。）で示される
メタロセン系化合物との組成物であることを特徴とする
光学記録媒体をその要旨とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。本発明におけるアゾ系化合物としては、前記一般式
〔Ｉ〕において、Ａはそれが結合している炭素原子およ
び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基であれ
ばよく、特に制限されない。例えば、一般式〔Ｉ〕にお
いて
る。本発明におけるアゾ系化合物としては、前記一般式
〔Ｉ〕において、Ａはそれが結合している炭素原子およ
び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基であれ
ばよく、特に制限されない。例えば、一般式〔Ｉ〕にお
いて
【００１４】
【化９】
【００１５】としては下記のものが挙げられる。
【００１６】
【化１０】
【００１７】
【化１１】
【００１８】
【化１２】
【００１９】（式中、Ｒ9 〜Ｒ16はそれぞれ独立して水
素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素
数１〜６のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数
３〜６の環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−
ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ブ
チリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル
基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等
の炭素数２〜７のアルキルカルボニル基；ビニル基、プ
ロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基
等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル基；シ
クロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜
６の環状のアルケニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カ
ルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル
基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；シアノ
基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−
プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、
ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキル
アミノ基；メトキシカルボニルメチル基、メトキシカル
ボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルエチ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロ
ポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニル
エチル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアル
キル基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒ
ｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチ
ルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアル
キルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニ
ル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスル
ホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチル
スルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１
〜６のアルキルスルホニル基；置換基を有していてもよ
い炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有していても
よい炭素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ17
＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ 18（Ｒ17は水素原子、または前記Ｒ9 〜
Ｒ16において定義したものと同義の炭素数１〜６のアル
キル基を表わし、Ｒ18はシアノ基または前記Ｒ9 〜Ｒ16
において定義したものと同義の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニル基を表わす。）；
素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素
数１〜６のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数
３〜６の環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−
ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１
〜６のアルコキシ基；アセチル基、プロピオニル基、ブ
チリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル
基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等
の炭素数２〜７のアルキルカルボニル基；ビニル基、プ
ロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基
等の炭素数２〜６の直鎖または分岐のアルケニル基；シ
クロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜
６の環状のアルケニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カ
ルボキシル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル
基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブト
キシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、
ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素
数２〜７のアルコキシカルボニル基；ニトロ基；シアノ
基；アミノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−
プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、
ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキル
アミノ基；メトキシカルボニルメチル基、メトキシカル
ボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキ
シカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルエチ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロ
ポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニル
エチル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアル
キル基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチ
オ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒ
ｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチ
ルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアル
キルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル
基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニ
ル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスル
ホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチル
スルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１
〜６のアルキルスルホニル基；置換基を有していてもよ
い炭素数６〜１６のアリール基；置換基を有していても
よい炭素数７〜１７のアリールカルボニル基；−ＣＲ17
＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ 18（Ｒ17は水素原子、または前記Ｒ9 〜
Ｒ16において定義したものと同義の炭素数１〜６のアル
キル基を表わし、Ｒ18はシアノ基または前記Ｒ9 〜Ｒ16
において定義したものと同義の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニル基を表わす。）；
【００２０】
【化１３】
【００２１】（Ｒ19〜Ｒ21はそれぞれ独立して水素原子
またはニトロ基を表わし、ＺはＳＣＨ 2 、ＳＯ2 、ＳＯ
2 ＣＨ3 を表わす。）；トリフルオロメチル基、ペンタ
フルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、
ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブ
チル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフル
オロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の
フルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタ
フルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ
基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−
ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル
オキシ基等炭素数１〜６のフルオロアルコキシ基；トリ
フルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、
ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ
イソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ
基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフル
オロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素
数１〜６のフルオロアルキルチオ基等を表わす。）前記
一般式〔Ｉ〕において、Ｂとしてはそれが結合している
二つの炭素原子と一緒になって芳香族を形成する残基で
あればよく、特に制限されないが、例えばベンゼン環、
ナフタレン環、
またはニトロ基を表わし、ＺはＳＣＨ 2 、ＳＯ2 、ＳＯ
2 ＣＨ3 を表わす。）；トリフルオロメチル基、ペンタ
フルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、
ヘプタフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブ
チル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフル
オロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の
フルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタ
フルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロポキシ
基、ヘプタフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−
ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロ
−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル
オキシ基等炭素数１〜６のフルオロアルコキシ基；トリ
フルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、
ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ
イソプロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ
基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パーフル
オロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペン
チルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基等炭素
数１〜６のフルオロアルキルチオ基等を表わす。）前記
一般式〔Ｉ〕において、Ｂとしてはそれが結合している
二つの炭素原子と一緒になって芳香族を形成する残基で
あればよく、特に制限されないが、例えばベンゼン環、
ナフタレン環、
【００２２】
【化１４】
【００２３】（Ｒ22〜Ｒ30はそれぞれ独立して水素原子
または前記Ｒ9 〜Ｒ16において定義したものと同義の炭
素数１〜６のアルキル基を表わす。）等の芳香環を形成
する残基等の異種原子を含有する芳香環を形成する残基
が挙げられる。また、Ｂは−ＮＲ31Ｒ32（ここで、Ｒ31
およびＲ32はそれぞれ独立して水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素
数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６
のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；ビニル基、
プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基等の炭素数２〜１０のアルケニル基；シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基等の炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わす。
かかる炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜１２の
アリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数３
〜１０の環状のアルキル基は、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメト
キシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシ
エトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキ
シ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭
素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメト
キシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、
エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキ
シ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシ
エトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシ
アルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリ
ール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキ
シ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリール
オキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラ
ヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルス
ルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、
イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニ
ルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓ
ｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホ
ニルアミノ基、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭
素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原
子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカル
ボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅ
ｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボ
ニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２
〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキ
シ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボ
ニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−
ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−
ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニル
オキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ
基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプ
ロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基等で置換されていても
よい。さらにＲ31およびＲ32で表わされる前述の炭素数
６〜１２のアリール基および前述の炭素数３〜１０の環
状のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜６のアルキル基またはビニル基で置換
されていてもよい。）；メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の
炭素数１〜６のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；メチル
スルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスル
ホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスル
ホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブ
チルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘ
キシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホ
ニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカル
ボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ
−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカ
ルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；およびチオシアネート基から選ばれる１以上の置換
基を有していてもよい。
または前記Ｒ9 〜Ｒ16において定義したものと同義の炭
素数１〜６のアルキル基を表わす。）等の芳香環を形成
する残基等の異種原子を含有する芳香環を形成する残基
が挙げられる。また、Ｂは−ＮＲ31Ｒ32（ここで、Ｒ31
およびＲ32はそれぞれ独立して水素原子；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチ
ル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシ
ル基等の炭素数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素
数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６
のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；ビニル基、
プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基等の炭素数２〜１０のアルケニル基；シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基等の炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わす。
かかる炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜１２の
アリール基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数３
〜１０の環状のアルキル基は、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプ
チルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメト
キシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシ
エトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキ
シ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭
素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメト
キシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、
エトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキ
シ基、エトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシ
エトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシ
アルコキシ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリ
ール基；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキ
シ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリール
オキシ基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラ
ヒドロフリル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルス
ルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、
イソプロピルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニ
ルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓ
ｅｃ−ブチルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホ
ニルアミノ基、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭
素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原
子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン基；メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカル
ボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシ
カルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅ
ｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボ
ニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２
〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキ
シ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボ
ニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−
ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−
ペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニル
オキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ
基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプ
ロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基等で置換されていても
よい。さらにＲ31およびＲ32で表わされる前述の炭素数
６〜１２のアリール基および前述の炭素数３〜１０の環
状のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜６のアルキル基またはビニル基で置換
されていてもよい。）；メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エ
トキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−
ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の
炭素数１〜６のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、
臭素原子等のハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；メチル
スルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスル
ホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスル
ホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブ
チルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘ
キシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホ
ニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカル
ボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ
−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカ
ルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；およびチオシアネート基から選ばれる１以上の置換
基を有していてもよい。
【００２４】一般式〔Ｉ〕で示されるアゾ系化合物にお
いて、Ｘとしては活性水素を有する基であれば特に制限
されないが、好ましいものとしては、−ＯＨ、−ＣＯＯ
Ｈ、−ＳＯ3 Ｈ−、−Ｂ（ＯＨ）2 −、−ＨＮＳＯ2 Ｒ
33（Ｒ33は水素原子、置換基を有していてもよい炭素数
１〜２５のアルキル基又は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を表わす。）−ＣＯＮＨ2 、−ＳＯ2 ＮＨ2 、
−ＮＨ2 等が挙げられ、特に好ましいものとしては−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＮＨＳＯ2 Ｒ 33（Ｒ33
は前記定義に同じ。）が挙げられる。なお、Ｘが−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ等のように陰イオンに解離し
うる基である場合には、アゾ金属キレート化合物の形成
に際してはこのままの形で用いてもよいが、陽イオンと
の塩の形で用いてもよい。かかる陽イオンとしては、Ｎ
ａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等の無機系の陽イオン又は〔Ｐ（Ｃ
6 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ4
Ｈ 9 （ｎ））4 〕+ 、〔Ｃ6 Ｈ5 Ｎ（ＣＨ3 ）3 〕+ 等
の有機系の陽イオンが挙げられる。本発明において、特
に好ましい金属錯体化合物としては、下記一般式〔IV〕
いて、Ｘとしては活性水素を有する基であれば特に制限
されないが、好ましいものとしては、−ＯＨ、−ＣＯＯ
Ｈ、−ＳＯ3 Ｈ−、−Ｂ（ＯＨ）2 −、−ＨＮＳＯ2 Ｒ
33（Ｒ33は水素原子、置換基を有していてもよい炭素数
１〜２５のアルキル基又は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を表わす。）−ＣＯＮＨ2 、−ＳＯ2 ＮＨ2 、
−ＮＨ2 等が挙げられ、特に好ましいものとしては−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＮＨＳＯ2 Ｒ 33（Ｒ33
は前記定義に同じ。）が挙げられる。なお、Ｘが−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ等のように陰イオンに解離し
うる基である場合には、アゾ金属キレート化合物の形成
に際してはこのままの形で用いてもよいが、陽イオンと
の塩の形で用いてもよい。かかる陽イオンとしては、Ｎ
ａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等の無機系の陽イオン又は〔Ｐ（Ｃ
6 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ4
Ｈ 9 （ｎ））4 〕+ 、〔Ｃ6 Ｈ5 Ｎ（ＣＨ3 ）3 〕+ 等
の有機系の陽イオンが挙げられる。本発明において、特
に好ましい金属錯体化合物としては、下記一般式〔IV〕
【００２５】
【化１５】
【００２６】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
および窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を
表わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒
になって芳香族を形成する残基を表わす。）で示される
アゾ系化合物と金属との錯体化合物が挙げられる。前記
一般式〔IV〕において、−ＳＯ3 Ｈ基の水素原子はＮａ
+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+等の無機系の陽イオンもしくは、〔Ｐ
（Ｃ6 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4〕+ 、〔Ｎ
（Ｃ4 Ｈ9 （ｎ））4 〕+ 、〔Ｃ6 Ｈ5 Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 〕+ 等の有機系の陽イオン等のカチオンで置換
されていてもよい。
および窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を
表わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒
になって芳香族を形成する残基を表わす。）で示される
アゾ系化合物と金属との錯体化合物が挙げられる。前記
一般式〔IV〕において、−ＳＯ3 Ｈ基の水素原子はＮａ
+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+等の無機系の陽イオンもしくは、〔Ｐ
（Ｃ6 Ｈ5 ）4 〕+ 、〔Ｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）4〕+ 、〔Ｎ
（Ｃ4 Ｈ9 （ｎ））4 〕+ 、〔Ｃ6 Ｈ5 Ｎ（Ｃ
Ｈ3 ）3 〕+ 等の有機系の陽イオン等のカチオンで置換
されていてもよい。
【００２７】本発明において、アゾ系化合物と錯体を形
成する金属としては、一般に該アゾ系化合物とキレート
化合物を形成する能力のある金属なら特に制限はない
が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｏｓなどの遷移金属が好ましく、耐光性、耐
久性の点から特にＮｉ、Ｃｏが好ましい。本発明におけ
るインドレニン系、シアニン色素としては、下記一般式
〔II〕
成する金属としては、一般に該アゾ系化合物とキレート
化合物を形成する能力のある金属なら特に制限はない
が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｏｓなどの遷移金属が好ましく、耐光性、耐
久性の点から特にＮｉ、Ｃｏが好ましい。本発明におけ
るインドレニン系、シアニン色素としては、下記一般式
〔II〕
【００２８】
【化１６】
【００２９】（式中、ＰおよびＰ′はそれぞれ独立して
それが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香
族環を形成する残基を表わし、Ｑは置換されていてもよ
いペンタメチン基を表わし、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、
Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立して置換されていてもよ
いアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換
されていてもよいアルケニル基または置換されていても
よいシクロアルキル基を表わし、Ｚ- は陰イオン残基を
表わす。）で示されるインドレニン系シアニン色素が挙
げられる。
それが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香
族環を形成する残基を表わし、Ｑは置換されていてもよ
いペンタメチン基を表わし、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、
Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立して置換されていてもよ
いアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換
されていてもよいアルケニル基または置換されていても
よいシクロアルキル基を表わし、Ｚ- は陰イオン残基を
表わす。）で示されるインドレニン系シアニン色素が挙
げられる。
【００３０】また、本発明におけるメタロセン系化合物
は、前記一般式〔III 〕において、ＭがＦｅまたはＮｉ
で表わされるフェロセンまたはニッケロセン誘導体であ
り、感度向上し、高速記録性に優れ、かつ記録の保存安
定性の良好なものとするには、シクロペンタジエニル基
の片方がホウ酸基またはベンゾイル基で置換した化合物
である。本発明に用いられる錯体化合物、インドレニン
系シアニン色素およびメタロセン系化合物との組成物は
重量比で錯体化合物：インドレニン系シアニン色素が
３：７〜７：３の範囲が好ましい。このうち光学記録媒
体として感度を重視する場合には３：７〜６：４、耐光
性を重視する場合には４：６〜７：３の範囲が特に好ま
しい。
は、前記一般式〔III 〕において、ＭがＦｅまたはＮｉ
で表わされるフェロセンまたはニッケロセン誘導体であ
り、感度向上し、高速記録性に優れ、かつ記録の保存安
定性の良好なものとするには、シクロペンタジエニル基
の片方がホウ酸基またはベンゾイル基で置換した化合物
である。本発明に用いられる錯体化合物、インドレニン
系シアニン色素およびメタロセン系化合物との組成物は
重量比で錯体化合物：インドレニン系シアニン色素が
３：７〜７：３の範囲が好ましい。このうち光学記録媒
体として感度を重視する場合には３：７〜６：４、耐光
性を重視する場合には４：６〜７：３の範囲が特に好ま
しい。
【００３１】又、メタロセン化合物は、錯体化合物とイ
ンドレニン系シアニン色素とメタロセン化合物の合計重
量に対し５〜２０ｗｔ％、より好ましくは１０〜２０ｗ
ｔ％用いるとよい。メタロセン系化合物の混合比が増加
すると記録特性、耐久性の面で好ましくないことが生じ
るおそれがあるためである。これらの錯体化合物、イン
ドレニン系シアニン色素およびメタロセン系化合物はそ
れぞれ１種類ずつ用いてもよいし、２種以上混合して使
用しても構わない。
ンドレニン系シアニン色素とメタロセン化合物の合計重
量に対し５〜２０ｗｔ％、より好ましくは１０〜２０ｗ
ｔ％用いるとよい。メタロセン系化合物の混合比が増加
すると記録特性、耐久性の面で好ましくないことが生じ
るおそれがあるためである。これらの錯体化合物、イン
ドレニン系シアニン色素およびメタロセン系化合物はそ
れぞれ１種類ずつ用いてもよいし、２種以上混合して使
用しても構わない。
【００３２】本発明の光学記録媒体は、基本的に基板と
前記錯体化合物、インドレニン系シアニン色素およびメ
タロセン系化合物との組成物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を設けることができる。また、好ましい層構成の一例
としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属
反射層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記
型のＣＤメディアとすることが挙げられる。
前記錯体化合物、インドレニン系シアニン色素およびメ
タロセン系化合物との組成物を含む記録層とから構成さ
れるものであるが、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を設けることができる。また、好ましい層構成の一例
としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの様な金属
反射層および保護層を設けて高反射率の媒体とし、追記
型のＣＤメディアとすることが挙げられる。
【００３３】前記基板としては、使用するレーザー光に
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。
【００３４】本発明の光学記録媒体におけるアゾ系化合
物と金属との金属キレート化合物およびメタロセン系化
合物との組成物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５
μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記録膜の成
膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一
般に行われている薄膜形成法で成膜することができる
が、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
物と金属との金属キレート化合物およびメタロセン系化
合物との組成物を含有する記録層の膜厚は１００Å〜５
μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記録膜の成
膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドク
ターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等一
般に行われている薄膜形成法で成膜することができる
が、量産性、コスト面からスピナー法が好ましい。
【００３５】また、必要に応じてバインダーを使用する
こともできる。バインダーとしてはポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート等既知のものが用いられる。この場合、本発
明のモノアゾ化合物と金属との錯体化合物と、メタロセ
ン系化合物との組成物は、樹脂中に１０重量％以上含有
されていることが好ましい。
こともできる。バインダーとしてはポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート等既知のものが用いられる。この場合、本発
明のモノアゾ化合物と金属との錯体化合物と、メタロセ
ン系化合物との組成物は、樹脂中に１０重量％以上含有
されていることが好ましい。
【００３６】スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行ってもよい。また、記録層の安定や耐光性向上の
ために、一重項酸素クエンチャーとして他の遷移金属キ
レート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していても
よい。さらに、必要に応じて他の色素を併用することも
できる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物で
もよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ系色素、シ
アニン系色素、アクワリリウム系色素、含金属インドア
ニリン系色素、フタロシアニン系色素等の他系統の色素
でもよい。他の色素を併用する場合でも、主たる色素は
前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアゾ系化合物と金属との
錯体化合物及び前記一般式〔II〕で表わされるインドレ
ニン系シアニン色素であることが必要である。
００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行ってもよい。また、記録層の安定や耐光性向上の
ために、一重項酸素クエンチャーとして他の遷移金属キ
レート化合物（たとえば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ビスジチオ−α−ジケトン等）を含有していても
よい。さらに、必要に応じて他の色素を併用することも
できる。他の色素としては別の種類の同系統の化合物で
もよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ系色素、シ
アニン系色素、アクワリリウム系色素、含金属インドア
ニリン系色素、フタロシアニン系色素等の他系統の色素
でもよい。他の色素を併用する場合でも、主たる色素は
前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアゾ系化合物と金属との
錯体化合物及び前記一般式〔II〕で表わされるインドレ
ニン系シアニン色素であることが必要である。
【００３７】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。
【００３８】本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。上記のよう
にして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面ま
たは片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザ
ー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてることに
より行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー
光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録
層の熱的変形が起こる。
面に設けてもよいし、片面に設けてもよい。上記のよう
にして得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面ま
たは片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザ
ー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてることに
より行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー
光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録
層の熱的変形が起こる。
【００３９】記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反
射率の差を読み取ることにより行う。本発明の光学記録
媒体について使用されるレーザー光はＮ2 、Ｈｅ−Ｃ
ｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー
等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コン
パクト性等の点から半導体レーザーが好適である。
り、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反
射率の差を読み取ることにより行う。本発明の光学記録
媒体について使用されるレーザー光はＮ2 、Ｈｅ−Ｃ
ｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー
等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コン
パクト性等の点から半導体レーザーが好適である。
【００４０】
【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。 実施例１ （ａ）記録媒体例 下記構造式〔Ａ−１〕で示されるアゾ系化合物とニッケ
ルとの金属キレート化合物、下記構造式〔Ｂ−１〕で示
されるインドレニン系シアニン色素および下記構造式
〔Ｃ−１〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ３
３：５０：１７）のオクタフルオロペンタノール１．６
ｗｔ％溶液を調整し、濾過して、溶解液を得た。
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。 実施例１ （ａ）記録媒体例 下記構造式〔Ａ−１〕で示されるアゾ系化合物とニッケ
ルとの金属キレート化合物、下記構造式〔Ｂ−１〕で示
されるインドレニン系シアニン色素および下記構造式
〔Ｃ−１〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ３
３：５０：１７）のオクタフルオロペンタノール１．６
ｗｔ％溶液を調整し、濾過して、溶解液を得た。
【００４１】
【化１７】
【００４２】この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１００℃で３０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚６００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１００℃で３０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚６００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
【００４３】（ｂ）光記録法 上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するための最適記録パワーは９．８ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が達成
された。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良
好な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保
存安定性は良好であった。
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するための最適記録パワーは９．８ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が達成
された。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良
好な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保
存安定性は良好であった。
【００４４】実施例２ （ａ）記録媒体例 下記構造式〔Ａ−２〕で示されるアゾ系化合物とニッケ
ルとの金属錯体化合物、下記構造式〔Ｂ−２〕で示され
るインドレニン系シアニン色素および下記構造式〔Ｃ−
２〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ４２：４
２：１６）のオクタフルオロペンタノール１．７ｗｔ％
溶液を調製し、濾過して、塗布用溶解液を得た。
ルとの金属錯体化合物、下記構造式〔Ｂ−２〕で示され
るインドレニン系シアニン色素および下記構造式〔Ｃ−
２〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ４２：４
２：１６）のオクタフルオロペンタノール１．７ｗｔ％
溶液を調製し、濾過して、塗布用溶解液を得た。
【００４５】
【化１８】
【００４６】この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１０５℃で２０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚７００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１０５℃で２０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚７００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
【００４７】（ｂ）光記録法 上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するために最適記録パワーは９．９ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が見ら
れた。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保存
安定性を評価したところ、良好であった。
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するために最適記録パワーは９．９ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が見ら
れた。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保存
安定性を評価したところ、良好であった。
【００４８】実施例３ （ａ）記録媒体例 下記構造式〔Ａ−３〕で示されるアゾ系化合物とニッケ
ルとの金属錯体化合物、下記構造式〔Ｂ−１〕で示され
るインドレニン系シアニン色素および下記構造式〔Ｃ−
１〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ３６：５
５：９）のテトラフルオロプロパノール１．６ｗｔ％溶
液を調製し、濾過して、塗布用溶解液を得た。
ルとの金属錯体化合物、下記構造式〔Ｂ−１〕で示され
るインドレニン系シアニン色素および下記構造式〔Ｃ−
１〕で示されるフェロセン誘導体（重量比 ３６：５
５：９）のテトラフルオロプロパノール１．６ｗｔ％溶
液を調製し、濾過して、塗布用溶解液を得た。
【００４９】
【化１９】
【００５０】この溶液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１０５℃で２０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚７００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
ｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により塗布した。塗布後、１０５℃で２０分間
乾燥した。次に、この塗布膜の上にスパッタリング法に
より、膜厚７００Åの銀膜を成膜し、反射層を形成し
た。さらにこの反射層の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み５μ
ｍの保護層を形成した。
【００５１】（ｂ）光記録法 上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するための最適記録パワーは９．８ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が見ら
れた。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保存
安定性を評価したところ、良好であった。
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で４倍速記録した所、
ＥＦＭ信号を記録するための最適記録パワーは９．８ｍ
Ｗであり、メタロセン化合物添加により感度向上が見ら
れた。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、記録部の高温高湿下での保存
安定性を評価したところ、良好であった。
【００５２】実施例４〜１０ 実施例１で用いた金属錯体化合物、インドレニン系シア
ニン色素およびメタロセン化合物の代りに、表−１に示
す化合物を用いた以外は、同様にして記録媒体を作成し
た。次いで、実施例１と同様に、５．６ｍ／ｓで回転さ
せながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記
録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために必要な最適
記録パワーは表−１に示す通りであった。比較例１
ニン色素およびメタロセン化合物の代りに、表−１に示
す化合物を用いた以外は、同様にして記録媒体を作成し
た。次いで、実施例１と同様に、５．６ｍ／ｓで回転さ
せながら、中心波長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記
録したところ、ＥＦＭ信号を記録するために必要な最適
記録パワーは表−１に示す通りであった。比較例１
【００５３】（ａ）記録媒体例 前記実施例１とメタロセン化合物を添加しない以外は同
様にして記録媒体を作成した。 （ｂ）光記録法 上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、Ｅ
ＦＭ信号を記録するために最適記録パワー１２．０ｍＷ
が必要であり、実施例１に示した本発明の光記録媒体と
比べ記録感度が劣るものであった。
様にして記録媒体を作成した。 （ｂ）光記録法 上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、Ｅ
ＦＭ信号を記録するために最適記録パワー１２．０ｍＷ
が必要であり、実施例１に示した本発明の光記録媒体と
比べ記録感度が劣るものであった。
【００５４】
【表１】
【００５５】
【発明の効果】本発明のアゾ系化合物と金属との金属錯
体化合物、インドレニン系シアニン色素およびメタロセ
ン系化合物との組成物を用いた光学記録媒体は、耐光
性、耐熱性に優れ、高速記録時の感度が良好、かつ記録
の保存安定性に優れ、工業的に極めて有用なものであ
る。
体化合物、インドレニン系シアニン色素およびメタロセ
ン系化合物との組成物を用いた光学記録媒体は、耐光
性、耐熱性に優れ、高速記録時の感度が良好、かつ記録
の保存安定性に優れ、工業的に極めて有用なものであ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
および／または読み取りが可能な記録層が設けられた光
学記録媒体において、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕 【化１】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子および窒素原
子と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂは
それが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香
環または複素環を形成する残基を表わし、Ｘは活性水素
を有する基を表わす。）で示されるアゾ系化合物と金属
との錯体化合物、下記一般式〔II〕 【化２】 （式中、ＰおよびＰ′はそれぞれ独立してそれが結合し
ている二つの炭素原子と一緒になって芳香族環を形成す
る残基を表わし、Ｑは置換されていてもよいペンタメチ
ン基を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 およびＲ
6 はそれぞれ独立して置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアリール基、置換されていて
もよいアルケニル基または置換されていてもよいシクロ
アルキル基を表わし、Ｚ- は陰イオン残基を表わす。）
で示されるインドレニン系シアニン色素、および下記一
般式〔III 〕 【化３】 （式中、Ｒはホウ酸基またはベンゾイル基を表わし、Ｍ
はＦｅまたはＮｉを表わす。）で示されるメタロセン系
化合物との組成物であることを特徴とする光学記録媒
体。 - 【請求項２】 該アゾ系化合物が下記一般式〔IV〕 【化４】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子および窒素原
子と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂは
それが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香
族を形成する残基を表わす。）で示されるアゾ系化合物
である請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項３】 該アゾ系化合物が下記一般式〔Ｖ〕 【化５】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子と窒素原子と
一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｒ7 及び
Ｒ8 はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール
基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基
を有していてもよいシクロアルキル基を表わし、環Ｄは
置換基を有していてもよい。）で示されるアゾ系化合物
である請求項１に記載の光学記録媒体。 - 【請求項４】 記録層上に金属反射層及び保護層を設け
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載
の光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05198497A JP3409626B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05198497A JP3409626B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10244755A true JPH10244755A (ja) | 1998-09-14 |
| JP3409626B2 JP3409626B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=12902134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05198497A Expired - Fee Related JP3409626B2 (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3409626B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003035407A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Composes imide et support d'enregistrement optique fabrique a l'aide de ces composes |
| EP1349159A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-01 | TDK Corporation | Optical recording medium |
| JP2006104387A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Asahi Denka Kogyo Kk | シアニン化合物及び光学記録材料 |
| US7078149B2 (en) * | 2002-06-12 | 2006-07-18 | Ritek Corporation | Optical recording medium and method for making the same |
| JP2007007954A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 光情報記録媒体および情報記録方法 |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP05198497A patent/JP3409626B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003035407A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Composes imide et support d'enregistrement optique fabrique a l'aide de ces composes |
| US7259260B2 (en) | 2001-10-22 | 2007-08-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Imide compound and optical recording media made by using the same |
| US7405030B2 (en) | 2001-10-22 | 2008-07-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | Imide compound and optical recording media made by using the same |
| EP1349159A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-01 | TDK Corporation | Optical recording medium |
| US7022393B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-04-04 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7078149B2 (en) * | 2002-06-12 | 2006-07-18 | Ritek Corporation | Optical recording medium and method for making the same |
| JP2006104387A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Asahi Denka Kogyo Kk | シアニン化合物及び光学記録材料 |
| JP4640769B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-03-02 | 株式会社Ａｄｅｋａ | シアニン化合物及び光学記録材料 |
| JP2007007954A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 光情報記録媒体および情報記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3409626B2 (ja) | 2003-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3438587B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP2000043423A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP3641874B2 (ja) | 光学記録媒体及び記録方法 | |
| US6794114B2 (en) | Optical recording medium | |
| JP3409626B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP4078773B2 (ja) | 金属キレート色素及び該色素を使用した光学記録媒体 | |
| JPH08295811A (ja) | 金属キレート化合物およびそれを用いた光学的記録媒体 | |
| JP3525778B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH1036693A (ja) | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を用いた光学記録媒体 | |
| EP0477373B1 (en) | Metal chelate compound and optical recording medium comprising the same | |
| JP3480204B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP3219037B2 (ja) | 金属キレート化合物および該金属キレート化合物を使用する光学記録媒体 | |
| JP3885514B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP4523366B2 (ja) | アゾ金属キレート色素及び光学記録媒体 | |
| JP3933864B2 (ja) | アゾ金属キレート色素及びこれを用いた光学記録媒体 | |
| JP3972544B2 (ja) | 金属キレート色素及び該金属キレート色素を使用する光学記録媒体 | |
| JP4540803B2 (ja) | 含金属アゾ化合物および該化合物を使用する光記録媒体 | |
| JP2001035004A (ja) | アゾ金属キレート色素およびこれを用いた光学記録媒体 | |
| JP4481000B2 (ja) | アゾ金属キレート色素及び光学記録媒体 | |
| JP3879166B2 (ja) | 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体 | |
| JP2001199169A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH11181313A (ja) | 光学記録媒体及びそれに使用する金属キレート化合物 | |
| JP2882053B2 (ja) | 金属キレート化合物及びそれを用いた光学的記録媒体 | |
| JPH08295812A (ja) | 金属キレート化合物およびそれを用いた光学記録媒体 | |
| JPH1170732A (ja) | 光学記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090320 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100320 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110320 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |