JP3525778B2

JP3525778B2 - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP3525778B2
Application number: JP36528498A
Authority: JP
Inventors: 理恵子藤田; 卓美長尾
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1997-12-22
Filing date: 1998-12-22
Publication date: 2004-05-10
Anticipated expiration: 2018-12-22
Also published as: JP2000052656A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アゾ系化合物と金
属との金属キレート化合物を用いた光学記録媒体に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザーを用いる光学記録は、高密度の
情報記録保存及びその再生を可能とするため、近年、特
に開発が取り進められている。光学記録媒体の一例とし
ては光ディスクを挙げることができる。一般に、光ディ
スクは、円形の基体に設けられた薄い記録層に、収束し
たレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行うもので
ある。ディスクは通常、案内溝を有するプラスチック基
板上に色素を主成分とする記録層、金属反射膜、保護膜
を順次積層することにより構成され、場合によってはそ
れが貼り合わされている場合もある。情報の記録は、照
射されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その箇
所の記録層、反射層または基板に、分解、蒸発、溶解等
の熱的変形が生成することにより行われる。また、記録
された情報の再生は、レーザー光により変形が起きてい
る部分と起きていない部分の反射率の差を読み取ること
により行われる。したがって、光学記録媒体としてはレ
ーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要があり、
レーザー吸収色素が用いられる。このような光ディスク
は書込みを１回だけ行うことができるため、ライトワン
スディスクと呼ばれている。

【０００３】このようなライトワンスディスクの記録層
に使用する色素としては、特開昭５８−１１２７９０
号、同５８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、
同６０−８３２３６号各公報にシアニン系色素を用いた
ものが開示されている。しかし、シアニン系色素は溶解
性が高く、塗布によるコーティングが可能であるという
利点を有する反面、耐光性に劣るという問題点を有して
いる。この点に関して記録層用の色素としてＷＯ９１１
８０５７、特開平５−２７９５８０号、同６−６５５１
４号、特公平７−５１６７３号各公報にアゾ系化合物と
金属との金属キレート化合物を用いたものが提案されて
いる。アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物は一
般に耐候性に優れて、有機溶媒に対する溶解性が高く、
好ましいが、４倍速記録などの高速記録において記録感
度が不足しているという問題点を有していた。また、ジ
ュロリジン系アゾ色素の金属キレート化合物についても
特願平３−１３７５６６、特開平９−１７５０３１等で
提案されているが、いずれも吸収形状がわるく反射率が
不足しているという問題点を有していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決する光学記録媒体として、アゾ系化合物と金属
との金属キレート化合物を用いた光学記録媒体を提供す
ることを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らはこの目的を
達成するべく鋭意検討した結果、下記一般式〔Ｉ〕で示
されるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を用
いると記録感度が向上し、高速記録特性に優れることを
見い出した。すなわち本発明は基板と記録層からなり、
該記録層が下記一般式〔Ｉ〕一般式〔Ｉ〕

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
および窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を
表わし、Ｘは水酸基を除く活性水素を有する基を表わ
す。ジュロリジン環は置換されていてもよい。）で示さ
れるアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を含有
することを特徴とする光学記録媒体に存する。

【０００８】以下本発明につき詳細に説明する。本発明
のアゾ系化合物と金属との金属キレート化合物を記録層
とする光学記録媒体は、高感度、パワーマージンが広
く、高速記録特性に優れる。本発明におけるアゾ系化合
物としては、前記一般式〔Ｉ〕において、Ａはそれが結
合している炭素原子および窒素原子と一緒になって複素
環を形成する残基であればよく、特に制限されないが、
例えば、一般式〔Ｉ〕において

【０００９】

【化３】

【００１０】としては下記のものが挙げられる。

【００１１】

【化４】

【００１２】（式中、Ｄ₁ 〜Ｄ₄ はそれぞれ独立して水
素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素
数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基；トリフルオロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基、２−フルオロエチ
ル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリ
フルオロエチル基、２Ｈ−テトラフルオロエチル基、ヘ
プタフルオロ−ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフル
オロプロピル基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピル
基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル基、パ
ーフルオロ−ｎ−ブチル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオ
ロブチル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチル
基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ
−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキ
シル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基等の炭素
数１〜６の直鎖のフッ化アルキル基；１−（トリフルオ
ロメチル）テトラフルオロエチル基、１−（トリフルオ
ロメチル）−２，２，２−トリフルオロエチル基、１−
（トリフルオロメチル）エチル基、１−（ジフルオロメ
チル）−２，２−ジフルオロエチル基、１−（フルオロ
メチル）−２−フルオロエチル基、パーフルオロ−１，
１−ジメチルエチル基、１，１−ジ（トリフルオロメチ
ル）エチル基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチ
ルエチル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロピル
基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブチル基、２，２
−ジ（トリフルオロメチル）プロピル基、２−メチル−
４，４，４−トリフルオロブチル基、パーフルオロ−３
−メチルブチル基、２−（パーフルオロ−１−メチルエ
チル）エチル基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチ
ル）プロピル基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アルキ
ル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロメトキ
シ基、２−フルオロエトキシ基、２，２−ジフルオロエ
トキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２Ｈ
−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プ
ロポキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基、
１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロポキシ基、１Ｈ，１
Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロポキシ基、パーフルオロ
−ｎ−ブトキシ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフルオロブトキ
シ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブトキシ基、
パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、１Ｈ，１Ｈ，５
Ｈ−オクタフルオロペンチルオキシ基、パーフルオロ−
ｎ−ヘキシルオキシ基、２−（パーフルオロブチル）エ
トキシ基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルコキシ
基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエトキ
シ基、１−（トリフルオロメチル）−２，２，２−トリ
フルオロエトキシ基、１−（トリフルオロメチル）エト
キシ基、１−（ジフルオロメチル）−２，２−ジフルオ
ロエトキシ基、１−（フルオロメチル）−２−フルオロ
エトキシ基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエトキシ
基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エトキシ基、１
−（トリフルオロエチル）−１−メチルエトキシ基、１
−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロポキシ基、１−メチ
ル−１Ｈ−パーフルオロブトキシ基、２，２−ジ（トリ
フルオロメチル）プロポキシ基、２−メチル−４，４，
４−トリフルオロブトキシ基、パーフルオロ−３−メチ
ルブトキシ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチ
ル）エトキシ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエチ
ル）プロポキシ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化アル
コキシ基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜６の環状
のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキ
シ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソ
ブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル
基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、ブ
テニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜
６の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロペンテニル
基、シクロヘキセニル等の炭素数３〜６の環状のアルケ
ニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン
基；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ヒ
ドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜
６のヒドロキシアルキル基；メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イ
ソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキ
シカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアル
コキシカルボニル基；ニトロ基；シアノ基；アミノ基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ
基、ｎ−ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチル
アミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メト
キシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル
基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニル
エチル基、ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボ
ニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の
炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプ
ロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチ
オ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ
基、２−フルオロエチルチオ基、２，２−ジフルオロエ
チルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、
２Ｈ−テトラフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−
ｎ−プロピルチオ基、３，３，３−トリフルオロプロピ
ルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ペンタフルオロプロピルチオ
基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ−ヘ
プタフルオロブチルチオ基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサ
フルオロブチルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチ
オ基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオ基、２−（パーフ
ルオロブチル）エチルチオ基等の炭素数１〜６の直鎖の
フッ化アルキルチオ基；１−（トリフルオロメチル）テ
トラフルオロエチルチオ基、１−（トリフルオロメチ
ル）−２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、１−
（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（ジフルオ
ロメチル）−２，２−ジフルオロエチルチオ基、１−
（フルオロメチル）−２−フルオロエチルチオ基、パー
フルオロ−１，１−ジメチルエチルチオ基、１，１−ジ
（トリフルオロメチル）エチルチオ基、１−（トリフル
オロエチル）−１−メチルエチルチオ基、１−メチル−
１Ｈ−パーフルオロプロピルチオ基、１−メチル−１Ｈ
−パーフルオロブチルチオ基、２，２−ジ（トリフルオ
ロメチル）プロピルチオ基、２−メチル−４，４，４−
トリフルオロブチルチオ基、パーフルオロ−３−メチル
ブチルチオ基、２−（パーフルオロ−１−メチルエチ
ル）エチルチオ基、３−（パーフルオロ−１−メチルエ
チル）プロピルチオ基等の炭素数１〜６の分岐のフッ化
アルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニ
ル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホ
ニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルス
ルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチ
ルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数
１〜６のアルキルスルホニル基；トリフルオロメチルス
ルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、２−
フルオロエチルスルホニル基、２，２−ジフルオロエチ
ルスルホニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスル
ホニル基、２Ｈ−テトラフルオロエチルスルホニル基、
ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、３，３，
３−トリフルオロプロピルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ−
ペンタフルオロプロピルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ，３
Ｈ−テトラフルオロプロピルスルホニル基、パーフルオ
ロ−ｎ−ブチルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ−ヘプタフル
オロブチルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフ
ルオロブチルスルホニル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチ
ルスルホニル基、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペ
ンチルスルホニル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルスル
ホニル基、２−（パーフルオロブチル）エチルスルホニ
ル基等の炭素数１〜６の直鎖のフッ化アルキルスルホニ
ル基；１−（トリフルオロメチル）テトラフルオロエチ
ルスルホニル基、１−（トリフルオロメチル）−２，
２，２−トリフルオロエチルスルホニル基、１−（トリ
フルオロメチル）エチルスルホニル基、１−（ジフルオ
ロメチル）−２，２−ジフルオロエチルスルホニル基、
１−（フルオロメチル）−２−フルオロエチルスルホニ
ル基、パーフルオロ−１，１−ジメチルエチルスルホニ
ル基、１，１−ジ（トリフルオロメチル）エチルスルホ
ニル基、１−（トリフルオロエチル）−１−メチルエチ
ルスルホニル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロプロ
ピルスルホニル基、１−メチル−１Ｈ−パーフルオロブ
チルスルホニル基、２，２−ジ（トリフルオロメチル）
プロピルスルホニル基、２−メチル−４，４，４−トリ
フルオロブチルスルホニル基、パーフルオロ−３−メチ
ルブチルスルホニル基、２−（パーフルオロ−１−メチ
ルエチル）エチルスルホニル基、３−（パーフルオロ−
１−メチルエチル）プロピルスルホニル基等の炭素数１
〜６の分岐のフッ化アルキルスルホニル基；置換基を有
していてもよい炭素数６〜１６のアリール基；置換基を
有していてもよい炭素数７〜１７のアリールカルボニル
基；−ＣＤ₅ ＝Ｃ（ＣＮ）Ｄ₆ （Ｄ₅ は水素原子、また
は前記Ｄ₁ 〜Ｄ₄ において定義したものと同義の炭素数
１〜６のアルキル基を表わし、Ｄ₆ はシアノ基または前
記Ｄ₁ 〜Ｄ ₄ において定義したものと同義の炭素数２〜
７のアルコキシカルボニル基を表わす。）のいずれかで
ある。更にＤ₁〜Ｄ₄の内、隣り合う基が結合して、環
Ａに縮合する環を形成してもよい。）

【００１３】化４として挙げた１０種の環のうち、より
好ましいのはチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾー
ル環、イソキサゾール環、ピリジン環、ベンズチアゾー
ル環およびベンズイミダゾール環であり、最も好ましい
のは、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、
イソキサゾール環、ベンズチアゾール環およびベンズイ
ミダゾール環である。また、化合物〔Ｉ〕のジュロリジ
ン基

【００１４】

【化５】

【００１５】において、Ｒ₁ 〜Ｒ₁₃は特に制限されない
が、それぞれ独立して水素原子；メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデシル基等の
炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基、好まし
くは炭素数１〜１０の直鎖または分岐のアルキル基、よ
り好ましくは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１２のアリール基；ビニル基、プロペニル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の炭素
数２〜１０の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル等の炭素数３〜１０の環状のアルキル基を表わ
す。かかる炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル
基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１０の直
鎖または分岐のアルケニル基、炭素数３〜１０の環状の
アルキル基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−
ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブ
トキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のア
ルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、
メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキ
シ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシ
メトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエ
トキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭
素数３〜１５のアルコキシアルコキシ基；アリルオキシ
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ基、トリル
オキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭
素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ基；ニトロ
基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；メチルスル
ホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロ
ピルスルホニルアミノ基、イソプロピルスルホニルアミ
ノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチ
ルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルスルホニルアミ
ノ基、ｎ−ペンチルスルホニル基アミノ、ｎ−ヘキシル
スルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホ
ニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハ
ロゲン基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカル
ボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ
−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカ
ルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル
基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピル
カルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、
ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオ
キシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ
基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニルオキシ基等で置換されていても
よい。さらにＲ₂₂およびＲ₂₃で表わされる前述の炭素数
６〜１２のアリール基および前述の炭素数３〜１０の環
状のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基また
はビニル基で置換されていてもよい。）；メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペン
チル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖または
分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒ
ｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオ
キシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアル
コキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ
ン基；シアノ基；ニトロ基；メチルスルホニル基、エチ
ルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロ
ピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ
−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、
ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基
等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカ
ルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキ
シカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓ
ｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカル
ボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数
２〜７のアルコキシカルボニル基；およびチオシアナー
ト基から選ばれる１以上の置換基を有していてもよい。
また、Ｒ₁ とＲ₂ 、Ｒ₇ とＲ₈ は環を形成していてもよ
い。

【００１６】前記一般式〔Ｉ〕において、Ｘとしては−
ＳＨ、−ＳＯ₂ Ｈ、−ＳＯ₃ Ｈ、−ＮＨ₂ 、−ＮＨ
Ｒ₁₄、−ＣＯＯＨ、−Ｂ（ＯＨ）₂ 、−ＰＯ（ＯＨ）
₂ 、−ＮＨＣＯＲ₁₄、−ＮＨＳＯ₂ Ｒ₁₄等の、水酸基を
除く活性水素を有する基が挙げられる。中でも好ましい
のは、−ＳＯ₃Ｈ、−ＮＨ₂、−ＮＨＲ₁₄、−ＣＯＯ
Ｈ、−ＮＨＣＯＨ、−ＮＨＳＯ₂Ｒ₁₄であり、最も好ま
しくは、−ＳＯ₃Ｈ、−ＮＨ₂、−ＮＨＲ₄、−ＮＨＣ
ＯＨ、−ＮＨＳＯ₂Ｒ₁₄である。ここでＲ₁₄としては、
水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭
素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペン
チルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６
のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等の
ハロゲン基で置換されていても良いフェニル基；または
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置
換されていても良いメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル
基等の炭素数１〜６のアルキル基を表わす。

【００１７】なお、Ｘが−ＳＯ₃ Ｈのように陰イオンが
解離し得る基である場合には、金属キレート化合物形成
に際してはこのままの形で用いても、また陽イオンとの
塩の形で用いても良い。この陽イオンとしては、Ｎａ、
Ｌｉ、Ｋ等の無機系の陽イオンまたは

【００１８】

【化６】

【００１９】等の有機系の陽イオンが挙げられる。本発
明のアゾ系化合物としては、例えば表−１に示すものが
有用である。表−１中、Ｙは水素原子、または陽イオン
を表す。

【００２０】

【表１】

【００２１】

【表２】

【００２２】

【表３】

【００２３】

【表４】

【００２４】

【表５】

【００２５】

【表６】

【００２６】

【表７】

【００２７】

【表８】

【００２８】

【表９】

【００２９】

【表１０】

【００３０】

【表１１】

【００３１】

【表１２】

【００３２】

【表１３】

【００３３】

【表１４】

【００３４】

【表１５】

【００３５】

【表１６】

【００３６】

【表１７】

【００３７】

【表１８】

【００３８】

【表１９】

【００３９】

【表２０】

【００４０】本発明において、アゾ系化合物とキレート
化合物を形成する金属としては、特に制限はないが、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｏｓなどの遷移金属が好ましく、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ
が好ましい。

【００４１】本発明の光学記録媒体は、基本的には基板
と前記アゾ系化合物と金属との金属キレート化合物とか
ら構成されるものであるが、さらに必要に応じて基板上
に下引き層を設けることができる。また、好ましい層構
成の一例としては、記録層上に金、銀、アルミニウムの
様な金属反射層および保護層を設けて高反射率の媒体と
し、追記型の記録メディアとすることが挙げられる。

【００４２】前記基板としては、使用するレーザー光に
対して透明なものが好ましく、ガラスや種々のプラスチ
ックが用いられる。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエス
テル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等が挙
げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性の点から射出
成型ポリカーボネート樹脂基板が特に好ましい。

【００４３】本発明の光学記録媒体におけるアゾ系化合
物と金属との金属キレート化合物の記録層の膜厚は１０
０Å〜５μｍ、好ましくは７００Å〜３μｍである。記
録膜の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸
漬法等一般に行われている薄膜形成法で成膜することが
できるが、量産性、コスト面からスピナー法が好まし
い。

【００４４】また、必要に応じてバインダーを使用する
こともできる。バインダーとしてはポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン、ケトン樹脂、ニトロセルロ
ース、酢酸セルロース、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート等既知のものが用いられる。この場合本発明
のモノアゾ化合物と金属との金属キレート化合物は、樹
脂中に１０重量％以上含有されていることが好ましい。

【００４５】スピナー法による成膜の場合、回転数は５
００〜８０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、
場合によっては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処
理を行ってもよい。これらの有機色素は１種類の色素を
用いてもよいし、数種類の色素を混合して使用しても構
わない。また、記録層の安定や耐光性向上のために、一
重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
（たとえば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェ
ニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジ
チオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために金
属系化合物等の記録感度向上剤を含有していてもよい。
ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イ
オン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言
い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯
体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリ
ン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシ
ム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジル
トリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタ
ロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化
合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されない
が、遷移金属であることが好ましい。

【００４６】他の色素としては別の種類の同系統の化合
物でもよいし、トリアリールメタン系色素、アゾ系色
素、シアニン系色素、アクワリリウム系色素、含金属イ
ンドアニリン系色素、フタロシアニン系色素等他系の色
素でもよい。ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない
溶媒なら特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコ
ール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等の
ケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ｎ−ヘキサン、ｎ−オ
クタン等の炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシ
クロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロ
ヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシク
ロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペ
ンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオ
ロアルキルアルコール系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶媒等が
挙げられる。

【００４７】本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両
面に設けてもよいし、片面に設けてもよいし、記録層を
塗布した基板を貼り合わせても良い。上記のようにして
得られた光学記録媒体への記録は、基板の両面または片
面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー光、
好ましくは、半導体レーザーの光をあてることにより行
う。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネ
ルギーの吸収による、分解、発熱、溶融等の記録層の熱
的変形が起こる。

【００４８】記録された情報の再生は、レーザー光によ
り、熱的変形が起きている部分と起きていない部分の反
射率の差を読み取ることにより行う。本発明の光学記録
媒体について使用されるレーザー光はＮ₂ 、Ｈｅ−Ｃ
ｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半導体、色素レーザー
等が挙げられるが、特に、軽量性、取扱の容易さ、コン
パクト性等の点から半導体レーザーが好適である。

【００４９】

【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。実施例１（ａ）化合物製造例３０％発煙硫酸１５ｍｌ中、氷浴下、下記構造式〔III
〕

【００５０】

【化７】

【００５１】で示される２，３，６，７−テトラヒドロ
−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾキノリジン（ジュロリジン）５．
２ｇ（０．０３ｍｏｌ）の濃硫酸５ｍｌ溶液を滴下し、
１時間室温で撹拌した後５０℃で１時間加熱撹拌した。
５０ｍｌの氷水にあけ、ジュロリジンスルホン酸誘導体
（下記構造式〔IV〕）水溶液を得た。

【００５２】

【化８】

【００５３】次に、リン酸６．９ｇ、濃硫酸０．５ｇ中
に下記構造式〔Ｖ〕で示される

【００５４】

【化９】

【００５５】２−アミノ−６−ペンタフルオロエチルチ
オベンゾチアゾール１．５０ｇ（５ｍｍｏｌ）の酢酸
６．５ｍｌ溶液を加え、プロピオン酸６．５ｍｌ、硝酸
ナトリウム０．４３ｇを加えたあと、０〜５℃で濃硫酸
１．２２ｇを、０〜−５℃で４４％ニトロシル硫酸１．
７８ｇを滴下し、ジアゾ溶液を得た。得られたジアゾ溶
液をメタノール５０ｍｌに上記構造式〔IV〕で示される
ジュロリジンスルホン酸誘導体水溶液を１．５等量、尿
素０．２ｇ、酢酸ナトリウム２．０ｇを溶解させた溶液
に０〜１０℃の温度下でアンモニウム水溶液等のアルカ
リ化合物を用いてｐＨ４〜６を保ちながら滴下した。撹
拌後、析出した結晶を濾別し、トルエンで懸洗した後、
乾燥して下記構造式〔VI〕で示される黒緑色粉末１．２
０ｇを得た。

【００５６】

【化１０】

【００５７】前記のようにして得られた構造式〔VI〕で
示されるアゾ化合物１．０ｇをメタノール１００ｍｌに
溶解し、酢酸ニッケル０．５５ｇのメタノール１０ｍｌ
溶液を加えたあと、室温で７時間撹拌した。析出した結
晶を濾別し、メタノールを振りかけ洗浄し、乾燥させた
ところ、銅光沢緑色粉末のアゾ色素ニッケルキレート化
合物０．４７ｇを得た。この化合物のλｍａｘ（クロロ
ホルム中）は６８３ｎｍ（ε＝１３．０×１０⁴）であ
った。また、融点は２５０℃よりも高かった。

【００５８】（ｂ）記録媒体例上記一般式〔VI〕で示されるアゾ系化合物とニッケルと
の金属キレート化合物のエチルセロソルブ２．４ｗｔ％
溶液を調整し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を直
径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネ
ート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布した。
塗布後、８０℃で５分間乾燥した。次に、この塗布膜の
上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの銀膜を
成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。

【００５９】（ｂ）光記録法上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、４倍速記録時の最
適記録パワー１０．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録
した。パワーマージン（≦ＢＬＥＲ１００）は２４％で
あった。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良
好な再生信号を得た。

【００６０】実施例２（ａ）化合物製造例リン酸８．９ｇ、濃硫酸０．５ｇ中に下記構造式〔VII
〕で示される

【００６１】

【化１１】

【００６２】２−アミノ−６−ｔｅｒｔブチルベンゾチ
アゾール１．０３ｇ（５ｍｍｏｌ）の酢酸６．５ｍｌ溶
液を加え、プロピオン酸６．５ｍｌ、硫酸ナトリウム
０．４３ｇを加えたあと、０〜５℃で濃硫酸１．２２ｇ
を、０〜−５℃で４４％ニトロシル硫酸１．７８ｇを滴
下し、ジアゾ溶液を得た。得られたジアゾ溶液をメタノ
ール５０ｍｌに上記構造式〔IV〕で示されるジュロリジ
ンスルホン酸誘導体水溶液を１．５等量、尿素０．２
ｇ、酢酸ナトリウム２．０ｇを溶解させた溶液に０〜１
０℃の温度下でアンモニウム水溶液等のアルカリ化合物
を用いてｐＨ４〜６を保ちながら滴下した。撹拌後、析
出した結晶を濾別し、トルエンで懸洗した後、乾燥して
下記構造式〔VIII〕で示される黒緑色粉末２．０ｇを得
た。

【００６３】

【化１２】

【００６４】前記のようにして得られた構造式〔VIII〕
で示されるアゾ化合物１．５ｇをメタノール１００ｍｌ
に溶解し、酢酸ニッケル０．９５ｇのメタノール１０ｍ
ｌ溶液を加えたあと、室温で６時間撹拌した。析出した
結晶を濾別し、メタノールを振りかけ洗浄し、乾燥させ
たところ、濃紺粉末のアゾ色素ニッケルキレート化合物
１．１６ｇを得た。この化合物のλｍａｘ（クロロホル
ム中）は６８１ｎｍ（ε＝１２．１×１０⁴）であっ
た。また、融点は２５０℃よりも高かった。

【００６５】（ｂ）記録媒体例上記一般式〔VIII〕で示されるアゾ系化合物とニッケル
との金属キレート化合物のエチルセロソルブ２．４ｗｔ
％溶液を調整し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を
直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボ
ネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し
た。塗布後、８０℃で５分間乾燥した。次に、この塗布
膜の上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの銀
膜を成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上
に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を
照射して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。

【００６６】（ｃ）光記録法上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０の半導体レーザー光で、４倍速記録時の最適記
録パワー１０．５ｍＷで照射し、ＦＥＭ信号を記録し
た。パワーマージン（≦ＢＬＥＲ１００）は２０％であ
った。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。

【００６７】実施例３（ａ）化合物製造例リン酸８．９ｇ、濃硫酸０．５ｇ中に下記構造式〔IX〕
で示される

【００６８】

【化１３】

【００６９】２−アミノ−６−（１，１，２，２−テト
ラフルオロエトキシ）ベンゾチアゾール２．６６ｇ（１
０ｍｍｏｌ）の酢酸１３ｍｌ溶液を加え、プロピオン酸
１３ｍｌ、硫酸ナトリウム０．８６ｇを加えたあと、０
〜５℃で濃硫酸２．４５ｇを、０〜−５℃で４４％ニト
ロシル硫酸３．５６ｇを滴下し、ジアゾ溶液を得た。得
られたジアゾ溶液をメタノール５０ｍｌに上記構造式
〔IV〕で示されるジュロリジンスルホン酸誘導体水溶液
を１．５等量、尿素０．４ｇ、酢酸ナトリウム４．０ｇ
を溶解させた溶液に０〜１０℃の温度下でアンモニウム
水溶液等のアルカリ化合物を用いてｐＨ４〜６を保ちな
がら滴下した。撹拌後、析出した結晶を濾別し、トルエ
ンで懸洗した後、乾燥して下記構造式〔Ｘ〕で示される
濃紺色粉末４．６ｇを得た。

【００７０】

【化１４】

【００７１】前記のようにして得られた構造式〔Ｘ〕で
示されるアゾ化合物４．５ｇをメタノール２００ｍｌに
溶解し、酢酸ニッケル３．２０ｇのメタノール３０ｍｌ
溶液を加えたあと、室温で２時間半撹拌した。析出した
結果を濾別し、メタノールを振りかけ洗浄し、乾燥させ
たところ、銅色粉末のアゾ色素ニッケルキレート化合物
３．３６ｇを得た。この化合物のλｍａｘ（クロロホル
ム中）は６８２ｎｍ（ε＝１１．８×１０⁴）であっ
た。また、融点は２５０℃よりも高かった。

【００７２】（ｂ）記録媒体例上記一般式〔Ｘ〕で示されるアゾ系化合物とニッケルと
の金属キレート化合物のエチルセロソルブ２．４ｗｔ％
溶液を調整し、濾過して、溶解液を得た。この溶液を直
径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネ
ート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布した。
塗布後、８０℃で５分間乾燥した。次に、この塗布膜の
上にスパッタリング法により、膜厚１０００Åの銀膜を
成膜し、反射層を形成した。さらにこの反射層の上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚み５μｍの保護層を形成した。

【００７３】（ｂ）光記録法上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で、４倍速記録時の最
適記録パワー１１．５ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録
した。パワーマージン（≦ＢＬＥＲ１００）は２３％で
あった。次にこの記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良
好な再生信号を得た。

【００７４】実施例４（ａ）化合物例下記構造式〔XII 〕で示されるトリメチルキノリン６．
７ｇとクロロブロモプロパン３．９ｇを窒素気流下１０
時間環流させ、室温に放置後ろかして白色結晶得た。そ
れを水に溶解し、ＮａＣｌで中和し、酢酸エチルで抽出
して、かっ色のトリメチルジュロリジン（下記構造式
〔XIII〕を得た。

【００７５】

【化１５】

【００７６】３０％発煙硫酸１５ｍｌ中、氷溶下、上記
構造式〔XIII〕で示されるトリメチルジュロリジン６．
４ｇ（０．０３ｍｏｌ）の濃硫酸５ｍｌ溶液を滴下し、
１時間室温で攪拌した後５０℃で１時間加熱攪拌した。
５０ｍｌの氷水にあけ、置換ジュロリジンスルホン酸誘
導体（下記構造式〔XIV 〕）水溶液を得た。

【００７７】

【化１６】

【００７８】次に、リン酸１７．８ｇ、濃硫酸１．０ｇ
中に前記構造式〔VII 〕で示される２−アミノ−６−ｔ
ｅｒｔブチルベンゾチアゾール２．０６ｇ（１０ｍｍｏ
ｌ）の酢酸１３ｍｌ溶液を加え、プロピオン酸１３ｍ
ｌ、硫酸ナトリウム０．８６ｇを加えたあと、０〜５℃
で濃硫酸２．４５ｇを、０〜−５℃で４４％ニトロシル
硫酸３．５６ｇを滴下し、ジアゾ溶液を得た。得られた
ジアゾ溶液をメタノール５０ｍｌに前記構造式〔XIV 〕
で示されるジュロリジンスルホン酸誘導体水溶液を１．
５等量、尿素０．４ｇ、酢酸ナトリウム４．０ｇを溶解
させた溶液に０〜１０℃の温度下でアンモニウム水溶液
等のアルカリ化合物を用いてｐＨ４〜６を保ちながら滴
下した。攪拌後、析出した結晶を濾別し、トルエンで懸
洗した後、乾燥して下記構造式〔XV〕で示される青紫色
粉末７．０ｇを得た。

【００７９】

【化１７】

【００８０】前記のようにして得られた構造式〔XV〕で
示されるアゾ化合物５．０ｇをメタノール１００ｍｌに
溶解し、酢酸ニッケル２．９ｇのメタノール２０ｍｌ溶
液を加えたあと、室温で５時間攪拌した。析出した結晶
を濾別し、メタノールを振りかけ洗浄し、乾燥させたと
ころ、濃紺茶粉末のアゾ色素ニッケルキレート化合物
２．６９ｇを得た。この化合物のλｍａｘ（クロロホル
ム中）は６８６ｎｍ（ε＝１１．９×１０⁴）であっ
た。また、融点は２５０℃よりも高かった。この様にし
て得られたアゾ色素ニッケルキレート化合物を用い、実
施例１の（ｂ）記録媒体例に準ずる方法にて、光学記録
媒体を製造することができる。

【００８１】比較例（ａ）記録媒体例下記化合物〔XI〕のニッケルキレート化合物を用い、同
様にして記録媒体を作成した。

【００８２】

【化１８】

【００８３】（ｂ）光記録法上記記録媒体を５．６ｍ／ｓで回転させながら、中心波
長７８０ｎｍの半導体レーザー光で記録したところ、Ｅ
ＦＭ信号を記録するために最適記録パワー１３．５ｍＷ
が必要で、パワーマージン（≦ＢＬＥＲ１００）は１７
％であり、実施例１〜３に示した本発明の光記録媒体と
比べ、記録感度、反射率ともに劣るものであった。

【００８４】

【発明の効果】本発明のアゾ系化合物と金属との金属キ
レート化合物を記録層とする光学記録媒体は、高感度、
パワーマージンが広く、高速記録特性に優れ、高速記録
時の感度が良好で工業的に極めて有用なものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 516

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の書き込み
および／または読み取りが可能な記録層が設けられた光
学記録媒体において、該記録層が下記一般式〔Ｉ〕一般
式〔Ｉ〕【化１】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子および窒素原
子と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｘは
水酸基を除く活性水素を有する基を表わす。ジュロリジ
ン環は置換されていてもよい。）で示されるアゾ系化合
物と金属との金属キレート化合物を含有することを特徴
とする光学記録媒体。
【請求項２】該Ｘが、スルホン基、アミノ基、カルボ
キシル基、アルキルスルホンアミノ基又はホルミルアミ
ド基のいずれかである請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項３】該Ｘが、スルホン基、アミノ基、アルキ
ルスルホンアミノ基又はホルミルアミド基のいずれかで
ある請求項１記載の光学記録媒体。