JPH10242336A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH10242336A JPH10242336A JP9039622A JP3962297A JPH10242336A JP H10242336 A JPH10242336 A JP H10242336A JP 9039622 A JP9039622 A JP 9039622A JP 3962297 A JP3962297 A JP 3962297A JP H10242336 A JPH10242336 A JP H10242336A
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- desiccant
- semiconductor device
- package body
- package
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気密封止タイプの半導体装置でプラスチップ
パッケージを採用したものでは、従来からの防湿対策で
もパッケージ内への水分の浸入を完全に防止するには至
っていなかった。 【解決手段】 素子収納用の凹部２を有するパッケージ
本体１と、このパッケージ本体１の凹部２内に実装され
た半導体素子４と、その凹部２を閉塞する状態でパッケ
ージ本体１に接合された蓋体８とを備えた半導体装置に
おいて、半導体素子４を実装するためのダイボンド剤３
に乾燥剤を混合することで、蓋体８により閉塞されたパ
ッケージ本体１の凹部２空間に乾燥剤を封入した。
パッケージを採用したものでは、従来からの防湿対策で
もパッケージ内への水分の浸入を完全に防止するには至
っていなかった。 【解決手段】 素子収納用の凹部２を有するパッケージ
本体１と、このパッケージ本体１の凹部２内に実装され
た半導体素子４と、その凹部２を閉塞する状態でパッケ
ージ本体１に接合された蓋体８とを備えた半導体装置に
おいて、半導体素子４を実装するためのダイボンド剤３
に乾燥剤を混合することで、蓋体８により閉塞されたパ
ッケージ本体１の凹部２空間に乾燥剤を封入した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、気密封
止タイプの半導体装置に関わり、特に半導体素子を収納
するパッケージ本体が樹脂ベースの半導体装置に適用し
て好適なものである。
止タイプの半導体装置に関わり、特に半導体素子を収納
するパッケージ本体が樹脂ベースの半導体装置に適用し
て好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の封止方式は、気密
封止タイプと樹脂封止タイプとに大別され、特に、気密
封止タイプでは、これまでセラミック封止（セラミック
パッケージ）が多用されてきた。ところが最近では、高
価なセラミックスの代わりに、樹脂をベースにした気密
封止タイプのプラスチックパッケージが開発され、実用
化の域に達している。
封止タイプと樹脂封止タイプとに大別され、特に、気密
封止タイプでは、これまでセラミック封止（セラミック
パッケージ）が多用されてきた。ところが最近では、高
価なセラミックスの代わりに、樹脂をベースにした気密
封止タイプのプラスチックパッケージが開発され、実用
化の域に達している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラス
チックパッケージの多くは、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を主体としているため、セラミックパッケージに比
較して耐湿性に劣るという問題があった。特に、湿気を
嫌う固体撮像装置では、結露による画像劣化やアルミ電
極の腐食、さらにはカラーフィルターの特性劣化など、
パッケージ吸湿に起因した種々の問題が発生している。
チックパッケージの多くは、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を主体としているため、セラミックパッケージに比
較して耐湿性に劣るという問題があった。特に、湿気を
嫌う固体撮像装置では、結露による画像劣化やアルミ電
極の腐食、さらにはカラーフィルターの特性劣化など、
パッケージ吸湿に起因した種々の問題が発生している。
【０００４】パッケージ内への水分の浸入経路として
は、第１にパッケージ本体と蓋体とのシーリング部分、
第２にリードフレームとパッケージ本体（樹脂）との界
面、第３にパッケージ本体（樹脂）のバルクからの水分
透過が考えられ、それぞれに改善策がとられてきた。例
えば、第２の浸入経路に対しては、リードフレームとパ
ッケージ本体の密着性を高めるべくフレーム表面を粗面
化したり、第３の浸入経路に対しては、パッケージ本体
の材料にシリカやフィラーを多めに入れたり、パッケー
ジ本体の内部に金属製の防湿板を埋め込むなどの対策が
とられている。
は、第１にパッケージ本体と蓋体とのシーリング部分、
第２にリードフレームとパッケージ本体（樹脂）との界
面、第３にパッケージ本体（樹脂）のバルクからの水分
透過が考えられ、それぞれに改善策がとられてきた。例
えば、第２の浸入経路に対しては、リードフレームとパ
ッケージ本体の密着性を高めるべくフレーム表面を粗面
化したり、第３の浸入経路に対しては、パッケージ本体
の材料にシリカやフィラーを多めに入れたり、パッケー
ジ本体の内部に金属製の防湿板を埋め込むなどの対策が
とられている。
【０００５】しかしながら、いずれの対策を講じてもパ
ッケージ内への水分の浸入を完全に防止するには至って
おらず、依然としてパッケージの耐湿性向上が強く望ま
れている。
ッケージ内への水分の浸入を完全に防止するには至って
おらず、依然としてパッケージの耐湿性向上が強く望ま
れている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、素子収納用の凹部を有す
るパッケージ本体と、このパッケージ本体の凹部内に実
装された半導体素子と、その凹部を閉塞する状態でパッ
ケージ本体に接合された蓋体とを備えた半導体装置にお
いて、上記蓋体により閉塞されたパッケージ本体の凹部
空間に乾燥剤を封入した構成を採用している。
決するためになされたもので、素子収納用の凹部を有す
るパッケージ本体と、このパッケージ本体の凹部内に実
装された半導体素子と、その凹部を閉塞する状態でパッ
ケージ本体に接合された蓋体とを備えた半導体装置にお
いて、上記蓋体により閉塞されたパッケージ本体の凹部
空間に乾燥剤を封入した構成を採用している。
【０００７】上記構成からなる半導体装置においては、
半導体素子が実装されている凹部空間に水分（湿気）が
浸入すると、その凹部空間に封入された乾燥剤の吸湿作
用によって水分が取り除かれる。これにより、従来の対
策ではどうしても防止しきれずにパッケージ内に浸入し
た水分を、パッケージ内で強制的に除湿することができ
るため、さらなる耐湿性の向上が図られる。
半導体素子が実装されている凹部空間に水分（湿気）が
浸入すると、その凹部空間に封入された乾燥剤の吸湿作
用によって水分が取り除かれる。これにより、従来の対
策ではどうしても防止しきれずにパッケージ内に浸入し
た水分を、パッケージ内で強制的に除湿することができ
るため、さらなる耐湿性の向上が図られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、例えば樹脂をベースにした
気密封止タイプの半導体装置に適用した場合の本発明の
実施の形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。
なお、本発明に係る半導体装置は、樹脂以外の材料、例
えばセラックス、ガラス、金属等をベースにした気密封
止タイプの半導体装置にも同様に適用し得るものであ
る。
気密封止タイプの半導体装置に適用した場合の本発明の
実施の形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。
なお、本発明に係る半導体装置は、樹脂以外の材料、例
えばセラックス、ガラス、金属等をベースにした気密封
止タイプの半導体装置にも同様に適用し得るものであ
る。
【０００９】図１は本発明に係る半導体装置の一実施形
態を説明する図である。図１においては、エポキシ樹脂
等を主体としたパッケージ本体１に、素子収納用の凹部
２が一体形成されている。また、パッケージ本体１の凹
部２底面には、ダイボンド剤３を用いてチップ状の半導
体素子４が実装されている。さらにパッケージ本体１に
は、銅合金系やニッケル合金系からなる金属製のリード
フレーム５が一体に組み込まれている。
態を説明する図である。図１においては、エポキシ樹脂
等を主体としたパッケージ本体１に、素子収納用の凹部
２が一体形成されている。また、パッケージ本体１の凹
部２底面には、ダイボンド剤３を用いてチップ状の半導
体素子４が実装されている。さらにパッケージ本体１に
は、銅合金系やニッケル合金系からなる金属製のリード
フレーム５が一体に組み込まれている。
【００１０】リードフレーム５は、パッケージ本体１の
内方に延出したインナーリード部５ａと、パッケージ本
体１の外方に延出したアウターリード部５ｂとを有して
いる。このうち、インナーリード部５ａは半導体素子４
の周囲に近接して配置され、アウターリード部５ｂはパ
ッケージ下方に向けて略直角に曲げ加工されている。そ
して、リードフレーム５のインナーリード部５ａとこれ
に対応する半導体素子４上の電極部（不図示）とが金線
等のボンディングワイヤ６によって結線されている。さ
らに、パッケージ本体１の上端部にはシーリング剤７に
よって板状の蓋体８が接合され、この蓋体８により、パ
ッケージ本体１の凹部２が閉塞され且つ半導体素子４が
気密封止されている。
内方に延出したインナーリード部５ａと、パッケージ本
体１の外方に延出したアウターリード部５ｂとを有して
いる。このうち、インナーリード部５ａは半導体素子４
の周囲に近接して配置され、アウターリード部５ｂはパ
ッケージ下方に向けて略直角に曲げ加工されている。そ
して、リードフレーム５のインナーリード部５ａとこれ
に対応する半導体素子４上の電極部（不図示）とが金線
等のボンディングワイヤ６によって結線されている。さ
らに、パッケージ本体１の上端部にはシーリング剤７に
よって板状の蓋体８が接合され、この蓋体８により、パ
ッケージ本体１の凹部２が閉塞され且つ半導体素子４が
気密封止されている。
【００１１】ここで本発明の特徴とするところは、上述
のごとく蓋体８によって閉塞されたパッケージ本体１の
凹部２空間に乾燥剤を封入した点にあり、その具体例と
して本実施形態においては、半導体素子４を実装するた
めのダイボンド剤３に乾燥剤を混合した構成を採用して
いる。
のごとく蓋体８によって閉塞されたパッケージ本体１の
凹部２空間に乾燥剤を封入した点にあり、その具体例と
して本実施形態においては、半導体素子４を実装するた
めのダイボンド剤３に乾燥剤を混合した構成を採用して
いる。
【００１２】一般に、ダイボンド剤３としては、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂を主剤としたものが多用されて
いる。また、導電性を必要とする場合は、Ａｇ（銀）な
どの金属粉末を概ね６０〜９５重量％の割合で混ぜ込む
ことで所望の電気伝導性を確保し、これを導電ペースト
として使用している。一方、導電性を必要としない場合
は、粘性、応力緩和等を考慮してシリカ、アルミナ等の
フィラーを混合し、これを絶縁ペーストとして使用して
いる。
シ樹脂等の熱硬化性樹脂を主剤としたものが多用されて
いる。また、導電性を必要とする場合は、Ａｇ（銀）な
どの金属粉末を概ね６０〜９５重量％の割合で混ぜ込む
ことで所望の電気伝導性を確保し、これを導電ペースト
として使用している。一方、導電性を必要としない場合
は、粘性、応力緩和等を考慮してシリカ、アルミナ等の
フィラーを混合し、これを絶縁ペーストとして使用して
いる。
【００１３】この種のダイボンド剤３に対しては、Ａｇ
との併用で乾燥剤を混合してもよいし、フィラー（シリ
カ等）の代わり又はフィラーとの併用で乾燥剤を混合し
てもよい。また、ダイボンド剤３における乾燥剤の配合
量としては、凹部２空間の容積や乾燥剤自体の吸湿性能
にもよるが、概ね１０〜９０重量％の範囲で混ぜ混むこ
とができる。但し、多量の乾燥剤を混合する場合は、ダ
イボンド剤３自体の粘性が失われることも懸念されるこ
とから、低粘度の樹脂（エポキシ樹脂等）を選択するこ
とが肝要である。また、半導体装置を製造する段階で
は、ダイボンド剤３に混合した乾燥剤が大気に触れて吸
湿することも考えられるが、これによって吸湿した水分
については、ダイボンド剤３やシーリング剤７をキュア
する際の加熱条件を適宜設定することで脱水させること
ができるため、特に問題となることはない。
との併用で乾燥剤を混合してもよいし、フィラー（シリ
カ等）の代わり又はフィラーとの併用で乾燥剤を混合し
てもよい。また、ダイボンド剤３における乾燥剤の配合
量としては、凹部２空間の容積や乾燥剤自体の吸湿性能
にもよるが、概ね１０〜９０重量％の範囲で混ぜ混むこ
とができる。但し、多量の乾燥剤を混合する場合は、ダ
イボンド剤３自体の粘性が失われることも懸念されるこ
とから、低粘度の樹脂（エポキシ樹脂等）を選択するこ
とが肝要である。また、半導体装置を製造する段階で
は、ダイボンド剤３に混合した乾燥剤が大気に触れて吸
湿することも考えられるが、これによって吸湿した水分
については、ダイボンド剤３やシーリング剤７をキュア
する際の加熱条件を適宜設定することで脱水させること
ができるため、特に問題となることはない。
【００１４】ここで、乾燥剤としては、シリカゲル、ゼ
オライト、塩化カルシウム、水酸化ナトリウム、五酸化
リン、炭酸カリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウ
ム、塩化マグネシウム、酸化バリウム、金属ナトリウム
などの他、層状構造をもつ粘土鉱物、例えばモンモリロ
ナイトを採用することができ、実際の使用にあたっては
粒状又は粉末状のものを用いる。一方、バインダーとし
ては、上述したエポキシ樹脂の他、不飽和ポリエステル
樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹
脂等の熱硬化性樹脂を採用することができる。
オライト、塩化カルシウム、水酸化ナトリウム、五酸化
リン、炭酸カリウム、水酸化カリウム、酸化カルシウ
ム、塩化マグネシウム、酸化バリウム、金属ナトリウム
などの他、層状構造をもつ粘土鉱物、例えばモンモリロ
ナイトを採用することができ、実際の使用にあたっては
粒状又は粉末状のものを用いる。一方、バインダーとし
ては、上述したエポキシ樹脂の他、不飽和ポリエステル
樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹
脂等の熱硬化性樹脂を採用することができる。
【００１５】このようにダイボンド剤３に乾燥剤を混合
し、これによってパッケージ本体１の凹部２空間に乾燥
剤を封入した構成を採用することにより、半導体素子４
が実装されている凹部２空間に水分が浸入したとして
も、その凹部２空間に封入された乾燥剤の吸湿作用によ
って水分（湿気）を取り除くことができる。これによ
り、従来の対策ではどうしても防止しきれずにパッケー
ジ内に浸入した水分を、パッケージ内で強制的に除湿す
ることが可能となるため、半導体装置の気密封止構造と
して安価なプラスチップパッケージを採用した場合でも
十分な耐湿性を確保することができる。
し、これによってパッケージ本体１の凹部２空間に乾燥
剤を封入した構成を採用することにより、半導体素子４
が実装されている凹部２空間に水分が浸入したとして
も、その凹部２空間に封入された乾燥剤の吸湿作用によ
って水分（湿気）を取り除くことができる。これによ
り、従来の対策ではどうしても防止しきれずにパッケー
ジ内に浸入した水分を、パッケージ内で強制的に除湿す
ることが可能となるため、半導体装置の気密封止構造と
して安価なプラスチップパッケージを採用した場合でも
十分な耐湿性を確保することができる。
【００１６】特に、半導体素子４がＣＣＤ(Charge Coup
led Device) 等の固体撮像素子で且つ蓋体８がシールガ
ラス等の透明板から成る固体撮像装置に適用した場合
は、半導体素子４が実装されている凹部２空間を乾燥し
た状態に維持できるようになるため、蓋体８への結露に
よる画像劣化や、吸湿水分によるアルミ電極の腐食、さ
らにはカラーフィルタの特性劣化等を有効に防止するこ
とができる。
led Device) 等の固体撮像素子で且つ蓋体８がシールガ
ラス等の透明板から成る固体撮像装置に適用した場合
は、半導体素子４が実装されている凹部２空間を乾燥し
た状態に維持できるようになるため、蓋体８への結露に
よる画像劣化や、吸湿水分によるアルミ電極の腐食、さ
らにはカラーフィルタの特性劣化等を有効に防止するこ
とができる。
【００１７】ここで、本実施形態による耐湿性の改善効
果をプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）で調べてみた
ところ、次のような結果が得られた。先ず、プレッシャ
ークッカー試験の条件として、温度１２１℃、相対湿度
１００％の高温高湿環境下に試験サンプル（半導体装
置）を５時間放置したのち、０℃の氷水に試験サンプル
を浸し、これを１サイクルとして計４サイクル行うこと
とした。そして、１サイクル毎に蓋体８の内側に結露が
発生しているか否かを確認した。また、試験サンプルと
しては、ダイボンド剤３がＡｇペーストのみのもの、Ａ
ｇペーストにシリカゲルを混合したもの、Ａｇペースト
に合成ゼオライトを混合したもの、Ａｇペーストに天然
乾燥剤（モンモリロナイト）を混合したものをそれぞれ
用意した。
果をプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）で調べてみた
ところ、次のような結果が得られた。先ず、プレッシャ
ークッカー試験の条件として、温度１２１℃、相対湿度
１００％の高温高湿環境下に試験サンプル（半導体装
置）を５時間放置したのち、０℃の氷水に試験サンプル
を浸し、これを１サイクルとして計４サイクル行うこと
とした。そして、１サイクル毎に蓋体８の内側に結露が
発生しているか否かを確認した。また、試験サンプルと
しては、ダイボンド剤３がＡｇペーストのみのもの、Ａ
ｇペーストにシリカゲルを混合したもの、Ａｇペースト
に合成ゼオライトを混合したもの、Ａｇペーストに天然
乾燥剤（モンモリロナイト）を混合したものをそれぞれ
用意した。
【００１８】そうしたところ、図２に示すように、ダイ
ボンド剤３がＡｇペーストのみの場合は、１サイクルで
は結露が発生しなかったものの、２サイクル以後は結露
の発生が認められた。これに対して、ダイボンド剤３が
Ａｇペースト＋シリカゲルの場合は、２サイクルでも結
露が発生せず、３サイクルで初めて結露の発生が認めら
れた。さらに、ダイボンド剤３がＡｇペースト＋合成ゼ
オライト、Ａｇペースト＋天然乾燥剤の場合は、いずれ
も４サイクルまでに結露の発生が認められず、きわめて
良好な結果が得られた。このことから、ダイボンド剤３
に乾燥剤を混合することで、パッケージの耐湿性が改善
されることは明らかとなり、特に乾燥剤として合成ゼオ
ライト、天然乾燥剤（モンモリロナイト）を採用した場
合はパッケージの耐湿性が著しく改善されることが明ら
かとなった。
ボンド剤３がＡｇペーストのみの場合は、１サイクルで
は結露が発生しなかったものの、２サイクル以後は結露
の発生が認められた。これに対して、ダイボンド剤３が
Ａｇペースト＋シリカゲルの場合は、２サイクルでも結
露が発生せず、３サイクルで初めて結露の発生が認めら
れた。さらに、ダイボンド剤３がＡｇペースト＋合成ゼ
オライト、Ａｇペースト＋天然乾燥剤の場合は、いずれ
も４サイクルまでに結露の発生が認められず、きわめて
良好な結果が得られた。このことから、ダイボンド剤３
に乾燥剤を混合することで、パッケージの耐湿性が改善
されることは明らかとなり、特に乾燥剤として合成ゼオ
ライト、天然乾燥剤（モンモリロナイト）を採用した場
合はパッケージの耐湿性が著しく改善されることが明ら
かとなった。
【００１９】なかでも、層状構造をもつ粘土鉱物のモン
モリロナイトを原材料とした乾燥剤は、以下のような特
性を有することから、半導体パッケージ用の乾燥剤とし
て特に好適である。すなわち、モンモリロナイトを原料
とした天然乾燥剤は、常温（２５℃）環境下において、
相対湿度２０％での吸湿率が約１２％、相対湿度５０％
での吸湿率が約２０％、相対湿度９０％での吸湿率が約
３１％といった具合に高い吸湿性能を有し、特にパッケ
ージの耐湿改善に重要な低湿度域での吸湿性能に優れ、
米国のＭＩＬ規格（軍用規格）にも合格している。ま
た、化学的にきわめて安定したアルミノシリケートの層
間に水分を物理的に吸着するものであるため、吸湿によ
る液化（潮解）や形状の変化がないうえ、水との接触に
よる発熱や、金属に接触した場合の腐食性が問題になる
こともない。
モリロナイトを原材料とした乾燥剤は、以下のような特
性を有することから、半導体パッケージ用の乾燥剤とし
て特に好適である。すなわち、モンモリロナイトを原料
とした天然乾燥剤は、常温（２５℃）環境下において、
相対湿度２０％での吸湿率が約１２％、相対湿度５０％
での吸湿率が約２０％、相対湿度９０％での吸湿率が約
３１％といった具合に高い吸湿性能を有し、特にパッケ
ージの耐湿改善に重要な低湿度域での吸湿性能に優れ、
米国のＭＩＬ規格（軍用規格）にも合格している。ま
た、化学的にきわめて安定したアルミノシリケートの層
間に水分を物理的に吸着するものであるため、吸湿によ
る液化（潮解）や形状の変化がないうえ、水との接触に
よる発熱や、金属に接触した場合の腐食性が問題になる
こともない。
【００２０】さらに、モンモリロナイトの化学組成は、
通常、ＳｉＯ2 …６７重量％、Ａｌ 2 Ｏ3 …２０重量
％、ＭｇＯ…７重量％、その他…６重量％となってお
り、これはＦＤＡ（米国食品医薬局）のＧＲＡＳ(Gener
al Recognized As Safe)に適合した乾燥剤として選定さ
れている。したがって、人体に悪影響を与える危険性も
なく、地球環境の保全にも寄与するところが大きい。加
えて、この種の天然乾燥剤は自然界に大量に存在するた
め、半導体装置のコストダウンにも貢献する。ちなみ
に、天然乾燥剤としては、米国のアリゾナ州で産出され
る高品位のモンモリロナイトが特に好適である。
通常、ＳｉＯ2 …６７重量％、Ａｌ 2 Ｏ3 …２０重量
％、ＭｇＯ…７重量％、その他…６重量％となってお
り、これはＦＤＡ（米国食品医薬局）のＧＲＡＳ(Gener
al Recognized As Safe)に適合した乾燥剤として選定さ
れている。したがって、人体に悪影響を与える危険性も
なく、地球環境の保全にも寄与するところが大きい。加
えて、この種の天然乾燥剤は自然界に大量に存在するた
め、半導体装置のコストダウンにも貢献する。ちなみ
に、天然乾燥剤としては、米国のアリゾナ州で産出され
る高品位のモンモリロナイトが特に好適である。
【００２１】なお、上記実施形態においては、半導体素
子４を実装するためのダイボンド剤３に乾燥剤を混合し
た場合について説明したが、これ以外にも、例えば図３
に示すように、パッケージ本体１の凹部２の隅に、乾燥
剤を混合した樹脂９を固着したり、或いは図４に示すよ
うに、パッケージ本体２の凹部２の凹面に、乾燥剤を混
合した樹脂１０をコーティングすることで、パッケージ
本体１の凹部２空間に乾燥剤を封入するようにしても同
様の効果が得られる。また、乾燥剤を混合したダイボン
ド剤３と、同じく乾燥剤を混合した樹脂９，１０とを一
緒に凹部２空間に封入することも可能である。その際、
バインダーとしての樹脂には、上述した熱硬化性樹脂に
限らず、熱可塑性樹脂を採用することもできる。ここ
で、乾燥剤を樹脂（バインダー）に混合して封入する理
由は、凹部２空間に封入した乾燥剤が振動等で飛び散る
ことを防止するためである。
子４を実装するためのダイボンド剤３に乾燥剤を混合し
た場合について説明したが、これ以外にも、例えば図３
に示すように、パッケージ本体１の凹部２の隅に、乾燥
剤を混合した樹脂９を固着したり、或いは図４に示すよ
うに、パッケージ本体２の凹部２の凹面に、乾燥剤を混
合した樹脂１０をコーティングすることで、パッケージ
本体１の凹部２空間に乾燥剤を封入するようにしても同
様の効果が得られる。また、乾燥剤を混合したダイボン
ド剤３と、同じく乾燥剤を混合した樹脂９，１０とを一
緒に凹部２空間に封入することも可能である。その際、
バインダーとしての樹脂には、上述した熱硬化性樹脂に
限らず、熱可塑性樹脂を採用することもできる。ここ
で、乾燥剤を樹脂（バインダー）に混合して封入する理
由は、凹部２空間に封入した乾燥剤が振動等で飛び散る
ことを防止するためである。
【００２２】また、乾燥剤の中でも、特に天然乾燥剤
（モンモリロナイト等）は先述のとおり吸湿性能に優れ
るだけでなく、種々の利点を有することから、この天然
乾燥剤を、半導体素子を気密封止又は樹脂封止するため
のパッケージ本体の材料に混合したり、パッケージ本体
１に蓋体８を接合するためのシーリング剤７に混合する
ことでも耐湿性の改善が図られ、同時に乾燥剤自体の特
性に付随する効果も得られる。
（モンモリロナイト等）は先述のとおり吸湿性能に優れ
るだけでなく、種々の利点を有することから、この天然
乾燥剤を、半導体素子を気密封止又は樹脂封止するため
のパッケージ本体の材料に混合したり、パッケージ本体
１に蓋体８を接合するためのシーリング剤７に混合する
ことでも耐湿性の改善が図られ、同時に乾燥剤自体の特
性に付随する効果も得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、蓋
体により閉塞されたパッケージ本体の凹部空間（素子実
装空間）に乾燥剤を封入した構成を採用しているため、
たとえ凹部空間に水分が浸入しても、そこに封入された
乾燥剤の吸湿作用によって水分を取り除くことができ
る。これにより、特に樹脂ベースで且つ気密封止タイプ
の半導体装置においては、従来からの対策でどうしても
防止しきれずにパッケージ内に浸入した水分を、パッケ
ージ内で強制的に除湿できるようになるため、半導体装
置の耐湿性をより一層向上させることが可能となる。
体により閉塞されたパッケージ本体の凹部空間（素子実
装空間）に乾燥剤を封入した構成を採用しているため、
たとえ凹部空間に水分が浸入しても、そこに封入された
乾燥剤の吸湿作用によって水分を取り除くことができ
る。これにより、特に樹脂ベースで且つ気密封止タイプ
の半導体装置においては、従来からの対策でどうしても
防止しきれずにパッケージ内に浸入した水分を、パッケ
ージ内で強制的に除湿できるようになるため、半導体装
置の耐湿性をより一層向上させることが可能となる。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施形態を説明す
る図である。
る図である。
【図２】実施形態における耐湿試験の評価結果を示す図
である。
である。
【図３】本発明に係る半導体装置の他の実施形態を説明
する図（その１）である。
する図（その１）である。
【図４】本発明に係る半導体装置の他の実施形態を説明
する図（その２）である。
する図（その２）である。
１ パッケージ本体 ２ 凹部 ３ ダイボンド剤
４ 半導体素子 ７ シーリング剤 ８ 蓋体 ９，１０ 樹脂
４ 半導体素子 ７ シーリング剤 ８ 蓋体 ９，１０ 樹脂
Claims (10)
- 【請求項１】 素子収納用の凹部を有するパッケージ本
体と、このパッケージ本体の凹部内に実装された半導体
素子と、前記凹部を閉塞する状態で前記パッケージ本体
に接合された蓋体とを備えた半導体装置において、 前記蓋体により閉塞された前記パッケージ本体の凹部空
間に乾燥剤を封入してなることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記半導体素子を実装するためのダイボ
ンド剤に前記乾燥剤を混合してなることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記パッケージ本体の凹部の隅に、前記
乾燥剤を混合した樹脂を固着してなることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記パッケージ本体の凹部の凹面に、前
記乾燥剤を混合した樹脂をコーティングしてなることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記乾燥剤は、層状構造をもつ粘土鉱物
を主原料としたものであることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記粘土鉱物がモンモリロナイトである
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。 - 【請求項７】 半導体素子を樹脂封止又は気密封止する
ためのパッケージ本体を備えた半導体装置において、 前記パッケージ本体の材料に、層状構造をもつ粘土鉱物
を主原料とした乾燥剤を混合してなることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項８】 前記粘土鉱物がモンモリロナイトである
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 素子収納用の凹部を有するパッケージ本
体と、このパッケージ本体の凹部内に実装された半導体
素子と、前記凹部を閉塞する状態で前記パッケージ本体
に接合された蓋体とを備えた半導体装置において、 前記パッケージ本体と前記蓋体とを接合するためのシー
リング剤に、層状構造をもつ粘土鉱物を主原料とした乾
燥剤を混合してなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】 前記粘土鉱物がモンモリロナイトであ
ることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039622A JPH10242336A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039622A JPH10242336A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242336A true JPH10242336A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12558219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9039622A Pending JPH10242336A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005327A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008084987A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空封止デバイスおよびその製造方法 |
| WO2014091594A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 株式会社日立製作所 | 層状粘土鉱物、それを含むワニス及び有機－無機複合材料、当該有機－無機複合材料を用いた電気的装置、半導体装置及び回転機コイル |
| CN112254442A (zh) * | 2020-09-09 | 2021-01-22 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种光电吊舱的干燥结构 |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP9039622A patent/JPH10242336A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005327A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008084987A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空封止デバイスおよびその製造方法 |
| WO2014091594A1 (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | 株式会社日立製作所 | 層状粘土鉱物、それを含むワニス及び有機－無機複合材料、当該有機－無機複合材料を用いた電気的装置、半導体装置及び回転機コイル |
| JP5945335B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2016-07-05 | 株式会社日立製作所 | 層状粘土鉱物、それを含むワニス及び有機−無機複合材料、当該有機−無機複合材料を用いた電気的装置、半導体装置及び回転機コイル |
| CN112254442A (zh) * | 2020-09-09 | 2021-01-22 | 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 | 一种光电吊舱的干燥结构 |
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