JPH10229161A - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品及び電子部品の製造方法

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JPH10229161A
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wiring
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利文 中村
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Katsuhiro Yoneyama
勝▲ひろ▼ 米山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に
おいて、容易に小型化し得るようにする。 【解決手段】本発明は、回路面の複数の電極上にそれぞ
れ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ
回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各回路面
を覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるように絶
縁材により一体に封止し、次いで当該絶縁材上に絶縁層
と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続された
配線層とをその厚み方向に所望の層数となるように交互
に積層形成するようにしたことにより、各チツプ部品間
の間隔を格段的に狭くすることができると共に、絶縁層
及び配線層を大幅に薄く形成することができ、かくして
容易に小型化し得る電子部品及び当該電子部品を容易に
小型化して製造することができる電子部品の製造方法を
実現することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術(図26) 発明が解決しようとする課題(図26) 課題を解決するための手段(図1〜図25) 発明の実施の形態 (1)第1の実施の形態 (1−1)第1の実施の形態によるマルチチツプモジユ
ールの構成(図1) (1−2)第1の実施の形態によるマルチチツプモジユ
ールの製造手順(図2(A)〜図5) (1−3)第1の実施の形態による動作及び効果 (2)第2の実施の形態 (2−1)第2の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの構成(図6〜図10(B)) (2−2)第2の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの製造手順(図11(A)〜図13(B)) (2−3)第2の実施の形態による動作及び効果 (3)第3の実施の形態 (3−1)第3の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの構成(図14〜図17) (3−2)第3の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの製造手順(図18(A)〜図21(B)) (3−3)第3の実施の形態による動作及び効果 (4)他の実施の形態(図22〜図25(B)) 発明の効果
【0002】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品及び電子部
品の製造方法に関し、例えばマルチチツプモジユール及
びその製造方法に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、この種の電子部品としては、多層
配線基板上に複数のチツプ部品が高密度実装されて全体
が小型化されることにより、各チツプ部品間の配線長を
比較的短くし、かくして各チツプ部品の高速特性及び高
周波特性等を向上させるようにした、いわゆるマルチチ
ツプモジユールがある。
【0004】ここで図9に示すように、通常、マルチチ
ツプモジユール1は、セラミツク基板又は有機基板等か
らなる絶縁層と、所定の導体パターンからなる配線層と
がその厚み方向に順次積層形成されてなる多層配線基板
2の一面2Aに、複数のチツプ部品3がそれぞれ回路面
3Aに形成された複数のパツド(図示せず)と、それぞ
れ多層配線基板2の対応するランド(図示せず)とがは
んだでなる突起電極(以下、これをはんだバンプと呼
ぶ)4を介して電気的及び物理的に接続されることによ
り実装されている。
【0005】ところでマルチチツプモジユール1では、
多層配線基板2の熱膨張係数が、チツプ部品3の熱膨張
係数の2倍以上の値を有することより、当該チツプ部品
3の動作等により発熱した場合、多層配線基板2と各チ
ツプ部品3との間の各はんだバンプ4に熱応力が集中し
て当該はんだバンプ4を破損させることがある。
【0006】このためこのマルチチツプモジユール1で
は、多層配線基板2の一面2Aと、各チツプ部品3の回
路面3Aとの間の隙間にそれぞれエポキシ樹脂等でなる
絶縁材(すなわちアンダーフイル材)5が各はんだバン
プ4を埋め込むように充填される。これによりこのマル
チチツプモジユール1では、絶縁材5により各はんだバ
ンプ4に生じる熱応力の集中を緩和させ、かくしてはん
だバンプ4の破損を防止し得るようになされている。ま
た絶縁材5は、各はんだバンプ4の破損の防止に加えて
各チツプ部品3のそれぞれ回路面3Aを覆うことによ
り、当該回路面3Aを外気に含まれる不純物や水分によ
る故障から保護し得るようになされている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
マルチチツプモジユール1においては、近年、多層配線
基板2の一面2Aに各チツプ部品3をさらに高密度に実
装するようにして、当該マルチチツプモジユール1をさ
らに小型化する要望がある。ところがこのようなマルチ
チツプモジユール1では、各チツプ部品3間の間隔があ
る程度以上狭くなると、多層配線基板2の一面2Aと、
各チツプ部品3の回路面3Aとの間の隙間に絶縁材5を
充填し難くなり、当該絶縁材5によつて各はんだバンプ
4の破損を防止し難くなると共に、各チツプ部品3の回
路面3Aを保護し難くなる問題が生じる。従つて各チツ
プ部品3をさらに高密度に実装してマルチチツプモジユ
ール1をさらに小型化した場合には、当該マルチチツプ
モジユール1の品質及び信頼性が著しく低下する問題が
あつた。
【0008】またこのマルチチツプモジユール1では、
多層配線基板2の一面2Aに実装されるチツプ部品3の
数が増加した場合、各チツプ部品3の動作による発熱量
も増加して多層配線基板2と、チツプ部品3との熱膨張
係数の違いに起因して各はんだバンプ4に集中する熱応
力を絶縁材5だけでは緩和させ難くなる。従つてこのよ
うな場合には、絶縁材5に加えて各はんだバンプ4の大
きさを比較的大きくすることにより、各はんだバンプ4
に集中する熱応力を緩和する方法が考えられる。ところ
がこのような場合には、はんだバンプ4の大きさに応じ
て多層配線基板2のランドを大きくする必要があり、多
層配線基板2が大きくなる問題があつた。すなわち多層
配線基板2が大きくなることにより、マルチチツプモジ
ユール1全体も大型化する問題があつた。
【0009】さらにこのマルチチツプモジユール1で
は、多層配線基板2の一面2Aに実装される各チツプ部
品3のパツド数が比較的多い場合、これに応じて多層配
線基板2のランドに電気的に接続される配線の本数も比
較的多くなり、当該多層配線基板2の層数を増加させる
必要がある。ところが多層配線基板2は、配線層と共に
増加する絶縁層が一層当たり 0.1〔mm〕程度の厚みを
有することにより、当該多層配線基板2がその厚み方向
に比較的厚くなる問題があつた。
【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、容易に小型化し得る電子部品及び電子部品の製造方
法を提案しようとするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、電子部品において、回路面に
形成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられ
た複数のチツプ部品と、それぞれ回路面を同一方向に向
けて所定状態に配置された各チツプ部品を、各回路面を
覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるように一体
に封止する絶縁材と、当該絶縁材上に順次交互に積層形
成された所定の絶縁材からなる絶縁層及び所定の導体パ
ターンからなる配線層と、各突起電極とそれぞれ対応す
る配線層及びそれぞれ対応する配線層間を導通接続する
導通接続手段とを設けるようにした。
【0012】また第2の発明においては、回路面に形成
された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複
数のチツプ部品と、それぞれ回路面を同一方向に向けて
所定状態に配置された各チツプ部品を、各回路面を覆
い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるように一体に
封止する絶縁材と、絶縁材上に順次交互に積層形成され
た所定の絶縁材からなる絶縁層及び所定の導体パターン
からなる配線層と、各突起電極とそれぞれ対応する配線
層及びそれぞれ対応する配線層間を導通接続する導通接
続手段と、各チツプ部品と、絶縁材と、絶縁層及び配線
層と、導通接続手段とからなる電子部品を積層配置させ
て接続する接続手段とを設けるようにした。
【0013】さらに第3の発明においては、電子部品の
製造方法において、回路面に形成された複数の電極上に
それぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、そ
れぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各
回路面を覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるよ
うに絶縁材により一体に封止する第1の工程と、当該絶
縁材上に所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応
する各突起電極に電気的に接続された所定の導体パター
ンからなる配線層とをその厚み方向に所望の層数となる
ように交互に積層形成する第2の工程とを設けるように
した。
【0014】さらに第4の発明においては、回路面に形
成された複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた
複数のチツプ部品を、それぞれ回路面を同一方向に向け
て所定状態に配置して各回路面を覆い、かつ各突起電極
をそれぞれ露出させるように絶縁材により一体に封止
し、各チツプ部品を封止した複数の当該絶縁材にそれぞ
れ所定の絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各
突起電極に電気的に接続された所定の導体パターンから
なる配線層とをその厚み方向に所望の層数となるように
順次交互に積層形成する第1の工程と、絶縁層と、配線
層とが積層形成された各絶縁材をその厚み方向に順次積
層し、当該各絶縁材にそれぞれ封止された各チツプ部品
のうち、対応するチツプ部品同士を電気的に接続する第
2の工程とを設けるようにした。
【0015】従つて第1の発明では、回路面の各電極上
にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品と、
それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置され
た各チツプ部品を、各回路面を覆い、かつ各突起電極を
それぞれ露出させるように一体に封止する絶縁材と、当
該絶縁材上に順次交互に積層形成された絶縁材からなる
絶縁層及び所定の導体パターンからなる配線層と、各突
起電極とそれぞれ対応する配線層及びそれぞれ対応する
配線層間を導通接続する導通接続手段とを設けるように
したことにより、各チツプ部品のそれぞれ回路面及び各
突起電極を絶縁材によりほぼ確実に覆うことができる。
【0016】従つて第2の発明では、回路面の各電極上
にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品と、
それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置され
た各チツプ部品を、各回路面を覆い、かつ各突起電極を
それぞれ露出させるように一体に封止する絶縁材と、当
該絶縁材上に順次交互に積層形成された絶縁材からなる
絶縁層及び所定の導体パターンからなる配線層と、各突
起電極とそれぞれ対応する配線層及びそれぞれ対応する
配線層間を導通接続する導通接続手段と、各チツプ部品
と、絶縁材と、絶縁層及び配線層と、導通接続手段とか
らなる電子部品を積層配置させて接続する接続手段とを
設けるようにしたことにより、積層されてなる複数の電
子部品の大きさを各電子部品を単に積層した大きさとほ
ぼ同じ大きさにすることができる。
【0017】従つて第3の発明では、回路面の各電極上
にそれぞれ突起電極が設けられた各チツプ部品を、それ
ぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各回
路面を覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるよう
に絶縁材により一体に封止し、次いで当該絶縁材上に絶
縁層と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続さ
れた配線層とをその厚み方向に所望の層数となるように
交互に積層形成するようにしたことにより、各チツプ部
品間の間隔を格段的に狭くすることができると共に、絶
縁層及び配線層を大幅に薄く形成することができる。
【0018】従つて第4の発明では、回路面に形成され
た複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数の
チツプ部品を、それぞれ回路面を同一方向に向けて所定
状態に配置して各回路面を覆い、かつ各突起電極をそれ
ぞれ露出させるように絶縁材により一体に封止し、各チ
ツプ部品を封止した複数の当該絶縁材にそれぞれ所定の
絶縁材からなる絶縁層と、それぞれ対応する各突起電極
に電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線
層とをその厚み方向に所望の層数となるように順次交互
に積層形成し、次いで絶縁層と、配線層とが積層形成さ
れた各絶縁材をその厚み方向に順次積層し、当該各絶縁
材にそれぞれ封止された各チツプ部品のうち、対応する
チツプ部品同士を電気的に接続するようにしたことによ
り、比較的大規模な電子部品の各チツプ部品間の間隔を
格段的に狭くし、かつ絶縁層及び配線層を大幅に薄く形
成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。
【0020】(1)第1の実施の形態 (1−1)第1の実施の形態によるマルチチツプモジユ
ールの構成 図1において、10は全体として本発明を適用した第1
の実施の形態によるマルチチツプモジユールを示し、回
路面11Aに形成された複数のパツド(図示せず)上に
それぞれはんだバンプ12が設けられた複数のチツプ部
品11が、その回路面11Aを同一方向に向けて所定状
態に配置されると共に、各回路面11Aを覆い、かつ各
はんだバンプ12の上端部をそれぞれ露出させるように
エポキシ樹脂等でなるモールド材13により一体に封止
され、さらに当該モールド材13上に、ポリイミド樹脂
でなる絶縁層14と、所定の導体パターンからなる配線
層15とが順次交互に、かつ最上層が絶縁層14となる
ように積層形成されてなる配線部16が設けられて構成
されている。
【0021】この場合配線部16では、各はんだバンプ
12にそれぞれ対応する配線層15、及び各配線層15
間がビア17を介して導通接続されている。またこの配
線部16では、各配線層15のうち、最上層に位置する
配線層15Aの一端側に、当該一端に沿つて導体パター
ンの端部でなる複数の外部端子15Bが位置しており、
各外部端子15Bを露出させるように当該最上層に位置
する配線層15A上に絶縁層14が積層形成されてい
る。
【0022】これによりマルチチツプモジユール10で
は、各外部端子15Bがそれぞれマザーボード(図示せ
ず)の対応する電極に電気的に接続されることにより、
各チツプ部品11がそれぞれ対応するはんだバンプ12
と、配線層15と、ビア17と、外部端子15Bとを順
次介してマザーボードから信号を入力し、又は信号を出
力し得るようになされている。またこれに加えてこのマ
ルチチツプモジユール10では、各外部端子15Bに検
査装置(図示せず)のプローブ(図示せず)を当てるこ
とにより、各外部端子15Bにそれぞれ対応する配線層
15及びビア17の断線の有無や、はんだバンプ12の
破損の有無、さらにはチツプ部品11の故障の有無等を
検査し得るようになされている。
【0023】(1−2)マルチチツプモジユールの製造
手順 ここで実際上このマルチチツプモジユール10は、図2
(A)〜図5に示す以下の手順により製造することがで
きる。すなわちまず図2(A)に示すように、各チツプ
部品11のそれぞれ回路面11Aに形成された複数のパ
ツド上に、それぞれはんだバンプ12を形成する。この
後各チツプ部品11をそれぞれ回路面11Aが上方を向
くようにモールド金型20の底部20Aに所定状態に配
置して位置決めする。この場合モールド金型20の底部
20Aには、突出してなる複数の位置決め部20Bが設
けられており、各チツプ部品11の周側面の一端側をそ
れぞれ位置決め部20Bに当接させることにより、各チ
ツプ部品11を所定間隔で、かつ所定状態に配置して位
置決めし得るようになされている。
【0024】次いで図2(B)に示すように、所定のモ
ールド装置(図示せず)を用いてモールド金型20内
に、各チツプ部品11と、各はんだバンプ12とを埋め
込むようにエポキシ樹脂等でなるモールド材13を充填
する。なおこの場合モールド材13を各チツプ部品11
のそれぞれ回路面11A側からモールド金型20内に充
填することにより、各チツプ部品11間の間隔に係わら
ずに当該チツプ部品11の回路面11Aをモールド材1
3により確実に覆うことができるようになされている。
従つて各チツプ部品11の間隔を、従来のマルチチツプ
モジユール1(図9)の各チツプ部品3(図9)間の間
隔よりも格段的に狭くし得るようになされている。
【0025】この後モールド材13が充填されたモール
ド金型20を、内部が所定温度に保持された所定の加熱
炉(図示せず)内に入れて所定時間加熱することによ
り、当該モールド金型20内のモールド材13を硬化さ
せる。続いて図2(C)に示すように、モールド金型2
0内のモールド材13が硬化した後、当該モールド金型
20から硬化したモールド材(以下、これをモールドシ
ートと呼ぶ)21を取り出す。
【0026】次いで図2(D)及び図3に示すように、
各はんだバンプ12の高さがそれぞれ一様に所定高さと
なるように、モールドシート21の上面を所定の研磨機
(図示せず)によつて研磨して、各はんだバンプ12の
上部を露出させる。かくして各チツプ部品11を、回路
面11Aを覆い、かつ各はんだバンプ12の上部が露出
されるようにモールド材13によつて一体に封止したモ
ールドシート21を成形することができる。
【0027】続いて図4(A)に示すように、モールド
シート21の研磨面21A上に、ポリイミド樹脂を滴下
又は塗布する。この後スピンコートによつてモールドシ
ート21の研磨面21Aを、ほぼ均一な30〜50〔μm〕
程度の厚みを有するポリイミド樹脂で覆う。次いでこの
モールドシート21を、内部が所定温度に保持された所
定の加熱炉(図示せず)内に入れて所定時間加熱するこ
とにより、ポリイミド樹脂を硬化させ、この後当該硬化
したポリイミド樹脂の各はんだバンプ12とそれぞれ対
応する所定位置に、所定のフオトプロセスにより所定径
を有するスルーホール17Aを形成することにより、モ
ールドシート21の研磨面21A上にポリイミド樹脂か
らなる絶縁層14を形成する。因みに絶縁層14として
用いるポリイミド樹脂は、従来のマルチチツプモジユー
ル1(図9)の多層配線基板2(図9)に用いられる絶
縁層(絶縁基板又は有機基板等からなる)に比べて比較
的低い熱膨張係数を有する。
【0028】続いて図4(B)に示すように、所定のス
パツタ装置(図示せず)を用いて絶縁層14上、及び各
スルーホール17Aの内周面上にそれぞれ銅をスパツタ
リングして、かくして絶縁層14上に所定の厚みを有す
る銅箔を積層形成すると共に複数のビア17を形成す
る。この後銅箔をフオトプロセスによりパターニングし
て、絶縁層14上にそれぞれ対応するビア17と導通接
続された導体パターンからなる配線層15を形成する。
これにより図5に示すように、各チツプ部品11の各パ
ツド22が、それぞれ対応するはんだバンプ11と、ビ
ア17とを順次介して対応する配線層14に導通接続さ
れる。
【0029】次いで必要に応じて上述した図4(A)及
び(B)を繰り返して、配線層15上に絶縁層14と、
配線層15とを順次交互に、かつ最上層が導体パターン
の端部でなる複数の外部端子15Bを有する配線層15
Aとなるように積層形成する。続いて最上層の配線層1
5A上に、ポリイミド樹脂を滴下又は塗布し、この後ス
ピンコートによつて当該配線層15Aをポリイミド樹脂
で覆う。
【0030】次いでモールドシート21を所定の加熱炉
(図示せず)内に入れて所定時間加熱することにより、
ポリイミド樹脂を硬化させ、かくして最上層の配線層1
5A上に絶縁層14を積層形成する。この後最上層の配
線層15A上に積層形成した絶縁層14の所定の一端側
を、所定のフオトプロセスにより所定幅を有するように
剥離する。これにより複数の配線層15のうち、最上層
の配線層15Aの各外部端子15Bを露出させ、かくし
て絶縁層14と、配線層15とが順次交互に積層形成さ
れてなる配線部16をモールドシート21上に形成して
マルチチツプモジユール10を製造することができる。
【0031】(1−3)第1の実施の形態による動作及
び効果 以上の構成において、このマルチチツプモジユール10
では、各パツド上にそれぞれはんだバンプ12を形成し
た各チツプ部品11をそれぞれ回路面11Aが上方を向
くようにモールド金型20の底部20Aに所定間隔で、
かつ所定状態に配置して位置決めし(図2(A))、こ
の後モールド金型20内にモールド材13を充填して、
当該モールド材13により各チツプ部品11と、各はん
だバンプ12とを埋め込むようにして一体に封止する
(図2(B))。
【0032】次いでモールド金型20内からモールドシ
ート21を取り出し(図2(C))、当該取り出したモ
ールドシート21の上面を研磨して、各はんだバンプ1
2の上部を露出させ(図2(C)及び図3)、この後モ
ールドシート21の研磨面21A上に、所定位置にビア
ホール17Aが形成された絶縁層14を積層形成する
(図4(A))。続いて絶縁層14上、それぞれ対応す
るはんだバンプ12とビア17を介して導通接続された
導体パターンからなる配線層15を積層形成すると共
に、この後必要に応じて絶縁層14と、配線層15とを
順次交互に、かつ最上層が絶縁層14となるように積層
形成し、かくしてモールドシート21上に配線部16が
積層形成されたマルチチツプモジユール10を製造する
ことができる。
【0033】従つてこのマルチチツプモジユール10の
製造手順では、モールド金型20の底部20Aに各チツ
プ部品11を所定間隔で、かつ所定状態に配置して位置
決めし、当該モールド金型20内に、各チツプ部品11
の回路面11A側から、各チツプ部品11と、各はんだ
バンプ12とを埋め込むようにモールド材13を充填す
るようにしたことにより、各チツプ部品11間の間隔に
係わらずに、モールド材13により各チツプ部品11の
回路面11A及び各はんだバンプ12をほぼ確実に覆う
ことができ、かくして各チツプ部品11を、従来のマル
チチツプモジユール1(図9)の各チツプ部品3(図
9)間の間隔よりも格段的に狭い間隔で配置することが
できる。これに加えて各チツプ部品11の回路面11A
を外気に含まれる不純物及び水分からモールド材13に
よりほぼ確実に保護することができ、マルチチツプモジ
ユール10の品質及び信頼性を向上させることができ
る。
【0034】またこのマルチチツプモジユール10の製
造手順では、銅箔から所定のフオトプロセスにより所定
の導体パターンからなる配線層15を形成するようにし
たことにより、各配線層15の導体パターンを線幅及び
線間が20〜30〔μm〕程度となるように、従来のマルチ
チツプモジユール1の多層配線基板2(図9)の配線層
よりも比較的高密度に形成することができ、かくして配
線部16を小型化することができる。
【0035】さらに絶縁層14の一層当たりの厚みを30
〜50〔μm〕程度となるように形成するようにしたこと
により、当該絶縁層14の厚みを、従来のマルチチツプ
モジユール1(図9)の絶縁層の一層当たりの厚みに比
べて大幅に薄くすることができる。従つて従来のマルチ
チツプモジユール1の多層配線基板2と同じ層数でなる
配線部16とを比較すると、当該配線部16の厚みを大
幅に薄くすることができる。
【0036】従つてこのような製造手順によつて製造さ
れたマルチチツプモジユール10は、従来のマルチチツ
プモジユール1に比べて、各チツプ部品11間の間隔が
格段的に狭く、かつ配線部16が大幅に薄く、かつ小型
化されて形成されていることにより、当該マルチチツプ
モジユール10を小型化して、軽量化することができ
る。従つてこのマルチチツプモジユール10では、設け
られる各チツプ部品3のパツド数が比較的多い場合で
も、同様のチツプ部品2が同数設けられた従来のマルチ
チツプモジユール1に比べて小型化することができる。
【0037】またこのマルチチツプモジユール10で
は、従来のマルチチツプモジユール1の多層配線基板2
に用いられる絶縁基板又は有機基板等でなる絶縁層に比
べて、比較的熱膨張係数の低いポリイミド樹脂からなる
配線層14を設けるようにしたことにより、従来のマル
チチツプモジユール1に設けられるチツプ部品3(図
9)の数に比べて、格段的に多い数のチツプ部品11が
設けられた場合でも、各はんだバンプ12の大きさを大
きくせずに各はんだバンプ12に集中する熱応力をモー
ルド材13だけで緩和させて、各ばんだバンプ12の破
損を防止することができ、かくしてマルチチツプモジユ
ール10の品質及び信頼性を向上させることができる。
【0038】さらにこのマルチチツプモジユール10で
は、配線部16の上面の一端側に各外部端子15Bを設
けるようにしたことにより、各外部端子を介して配線層
15及びビア17の断線の有無や、はんだバンプ12の
破損の有無、さらにはチツプ部品11の故障の有無等を
容易に検査することができる。
【0039】以上の構成によれば、回路面11Aの各パ
ツド上にそれぞれはんだバンプ12が設けられた複数の
チツプ部品11と、それぞれ回路面11Aを同一方向に
向けて所定状態に配置された各チツプ部品11を各回路
面11Aを覆い、かつ各はんだバンプ12の上端部をそ
れぞれ露出させるように一体に封止するモールド材13
と、当該モールド材13上に順次交互に絶縁層14及び
配線層15が積層形成されてなる配線部16と、各はん
だバンプ12とそれぞれ対応する配線層15及びそれぞ
れ対応する配線層15間を導通接続するビア17とを設
けるようにしたことにより、各チツプ部品11のそれぞ
れ回路面11A及び各はんだバンプ12をモールド材1
3によりほぼ確実に覆うことができ、かくして容易に小
型化し得る電子部品を実現することができる。
【0040】また回路面11Aの各パツド上にそれぞれ
はんだバンプ12が設けられた各チツプ部品11を、そ
れぞれ回路面11Aを同一方向に向けて所定状態に配置
して各回路面11Aを覆い、かつ各はんだバンプ12の
上端部をそれぞれ露出させるようにモールド材13によ
り一体に封止し、次いで当該モールド材13上に絶縁層
14と、それぞれ対応する各はんだバンプ12とビア1
7を介して導通接続された配線層15とをその厚み方向
に所望の層数となるように交互に積層形成するようにし
たことにより、各チツプ部品11間の間隔を格段的に狭
くすることができると共に、配線部16を大幅に薄く形
成することができ、かくして電子部品を容易に小型化し
て製造することができる電子部品の製造方法を実現する
ことができる。
【0041】(2)第2の実施の形態 (2−1)第2の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの構成 図6は、第2の実施の形態による多層マルチチツプモジ
ユール30を示し、複数のマルチチツプモジユール31
〜33がその厚み方向に接着剤34を介して順次積層形
成され、周側面30Aに各マルチチツプモジユール31
〜33間を電気的に接続するように所定パターンの配線
ライン(図示せず)と、当該配線ラインを保護する保護
膜35とが形成されていると共に、最上層に位置するマ
ルチチツプモジユール31(以下、これを第1のマルチ
チツプモジユールと呼ぶ)の上面31Aにおいて当該周
側面30Aと対向する側の一端に複数の外部端子36が
設けられて構成されている。
【0042】実際上図1との対応部分に同一符号を付し
た図7に示すように、第1のマルチチツプモジユール3
1においては、複数のチツプ部品11がそれぞれ回路面
11Aと対向する裏面11Bを接着剤37を介して所定
の金属でなるベース基板38の一面38Aに接続された
状態でモールド材13によつて一体に封止されている。
また外部端子36が設けられた一端と対向する側の周側
面31Aに配線部16の所定の導体パターンの端部が露
出されている。
【0043】図1との対応部分に同一符号を付した図8
に示すように、第1のマルチチツプモジユール31の下
側に位置するマルチチツプモジユール(以下、これを第
2のマルチチツプモジユールと呼ぶ)32及び33にお
いては、配線部39の最上層に位置する絶縁層40がそ
のすぐ下に位置する配線層15を全面に亘つて覆うよう
に形成されていると共に、1つの周側面32及び33A
に当該配線部39の所定の導体パターンの端部が露出さ
れている。これに加えて第2のマルチチツプモジユール
32及び33においては、上述した第1のマルチチツプ
モジユール31の場合と同様に各チツプ部品11がそれ
ぞれ裏面11Bを接着剤37を介してベース基板38の
一面38Aに接続された状態でモールド材13によつて
一体に封止されている。
【0044】さらに図9に示すように、多層マルチチツ
プモジユール30においては、第1及び第2のマルチチ
ツプモジユール31〜33が導体パターン15Dの端部
が露出された周側面31A〜33A(周側面30A)を
同一方向に向けて積層配置されてなる。これにより図1
0(A)及び(B)に示すように、周側面30A上に
は、対応する導体パターンの端部同士をそれぞれ導通接
続するように所定パターンに配線ライン41が形成され
ている(図10(A))と共に、当該配線ライン41を
保護する保護膜35が形成されている(図10
(B))。
【0045】かくして多層マルチチツプモジユール30
においては、各外部端子36が例えばマザーボード(図
示せず)のそれぞれ対応する電極に電気的に接続されて
搭載されたときに、当該マザーボードの各電極と、周側
面30A上の配線ライン41とが比較的離れて位置し、
かくしてマザーボードの各電極と、配線ライン41とが
シヨートすることを防止し得るようになされている。
【0046】(2−2)第2の実施の形態による多層マ
ルチチツプモジユールの製造手順 ここで実際上この多層マルチチツプモジユール30は、
図2及び図4との対応部分に同一符号を付した図11
(A)〜図13(B)に示す以下の手順により製造する
ことができる。
【0047】すなわちまず図11(A)に示すように、
複数のチツプ部品11を裏面11Bを接着剤37を介し
てベース基板38の一面38Aに接合するようにして所
定状態に配置する。次いで図11(B)に示すように、
各チツプ部品11の回路面11Aが上方を向くようにベ
ース基板38をモールド金型43の底部43Aに配置し
て位置決めする。
【0048】続いて図11(C)に示すように、所定の
モールド装置(図示せず)を用いてモールド金型43内
にモールド材13を充填し、この後加熱炉(図示せず)
等を用いて当該充填したモールド材13を加熱して硬化
させる。
【0049】次いで図11(D)に示すように、モール
ド金型43からモールドシート44を取り出し、この後
図12(A)に示すように、モールドシート44の上面
を所定の研磨機(図示せず)を用いて研磨して各はんだ
バンプ12の上部を露出させる。
【0050】続いて図12(B)に示すように、スピン
コート法等の手法によつてモールドシート44の研磨面
44A上にポリイミド樹脂を被膜形成し、これをフオト
プロセス等の手法によつてパターニングすることにより
絶縁層14を形成する。次いで所定のスパツタ装置(図
示せず)を用いて絶縁層14上に銅をスパツタリング
し、得られた銅箔をフオトプロセス等の手法によつてパ
ターニングすることにより当該絶縁層14上に配線層1
5を形成し、この後同様にして当該配線層15上に絶縁
層14と配線層15とを絶縁層40が最上層となるよう
に順次交互に積層形成し、かくして所定の周側面32A
及び33Aに導体パターンの端部を露出させた第2のマ
ルチチツプモジユール32及び33を製造することがで
きる。
【0051】また図12(C)に示すように、フオトプ
ロセス等の手法によつて配線部39の最上層に位置する
絶縁層40において周側面31Aと対向する側の一端を
剥離することにより当該配線部39に各外部端子36を
露出させ、かくして第1のマルチチツプモジユール31
を製造することができる。
【0052】次いで図13(A)に示すように、第1の
マルチチツプモジユール31を最上層に位置させ、かつ
周側面31A〜33Aを同一方向を向くようにして第1
及び第2のマルチチツプモジユール31〜33をその厚
み方向に接着剤34を介して順次積層形成し、この後周
側面31A〜33Aに所定のスパツタ装置(図示せず)
を用いて銅をスパツタリングし、得られた銅箔をフオト
プロセス等の手法によつてパターニングすることにより
配線ライン41を形成し、かくして導体パターンの対応
する端部同士を配線ライン41を介して導通接続する。
【0053】続いて図13(B)に示すように、配線ラ
イン41が形成された周側面31A〜33A上にスクリ
ーン印刷法等の手法によつて保護膜35を形成し、かく
して第1及び第2のマルチチツプモジユール31〜33
が積層形成されてなる多層マルチチツプモジユール30
を製造することができる。
【0054】(2−3)第2の実施の形態による動作及
び効果 以上の構成において、各チツプ部品11をベース基板3
8の一面38Aに所定状態に配置した状態でモールド金
型43の底部43Aに配置し、モールド材13によつて
一体に封止する(図11(A)〜(C))。この後この
ようにして得られたモールドシート44の上面を研磨し
て各はんだバンプ12を露出させ、当該モールドシート
44の研磨面44A上に配線部16又は39を形成し、
かくして第1及び第2のマルチチツプモジユール32及
び33を製造する(図12(A)〜(C))。
【0055】次いで第1及び第2のマルチチツプモジユ
ール31を周側面31A〜33Aを同一方向に向け、か
つ第1のマルチチツプモジユール31を最上層に位置さ
せるように接着剤34を介して順次積層形成し、この後
周側面31A〜33Aに配線ライン41及び保護膜35
を順次形成し、かくして第1及び第2のマルチチツプモ
ジユール31〜33間を電気的に接続して多層マルチチ
ツプモジユール30を製造する(図13(A)及び
(B))。
【0056】従つてこの製造手順では、上述した第1の
実施の形態によるマルチチツプモジユール10(図1)
とほぼ同じ大きさでなる第1及び第2のマルチチツプモ
ジユール31〜33を製造し、当該製造した第1及び第
2のマルチチツプモジユール31〜33から多層マルチ
チツプモジユール30を製造することができる。なおこ
の製造手順では、多層マルチチツプモジユール30の周
側面30A上に形成した配線ライン41を介して第1及
び第2のマルチチツプモジユール31〜33間を電気的
に接続するようにしたことにより、当該多層マルチチツ
プモジユール30の大きさを第1及び第2のマルチチツ
プモジユール31〜33を単に積層形成してなる大きさ
とほぼ同じ大きさに製造することができる。
【0057】すなわち、第1及び第2のマルチチツプモ
ジユール31〜33間を比較的短い配線ライン41で電
気的に接続することができることにより、製造された多
層マルチチツプモジユール30の動作時に高速特性及び
高周波特性の劣化を防止することができる。
【0058】またこのような製造手順によつて製造され
た多層マルチチツプモジユール30においては、第1及
び第2のマルチチツプモジユール31〜33のそれぞれ
裏面にベース基板38を設けることにより、当該ベース
基板38によつて動作時に第1及び第2のマルチチツプ
モジユール31〜33間でクロストークノイズが発生す
ることを防止することができる。また最下層に位置する
第2のマルチチツプモジユール33がベース基板38を
介して内部で発生した熱を放熱することができる。従つ
てこの多層マルチチツプモジユール30においては、動
作時においても比較的高い品質を維持し、比較的高い信
頼性を得ることができる。
【0059】さらにこの多層マルチチツプモジユール3
0においては、外部端子36と、第1及び第2のマルチ
チツプモジユール31〜33間を電気的に接続する配線
ライン41とを比較的離して位置させることにより、外
部端子36を介して例えばマザーボードに接続されたと
きに当該外部端子36と配線ライン41とが短絡するこ
とを防止することができる。
【0060】以上の構成によれば、各パツド上にそれぞ
れはんだバンプ12が設けられた各チツプ部品11を、
それぞれ回路面11Aを同一方向に向けて所定状態に配
置して各はんだバンプ12の上端部を露出させるように
モールド材13によつて一体に封止し、当該モールドシ
ート材13上に絶縁層14及び40と、各はんだバンプ
12に導通接続された配線層15とを順次交互に積層形
成して第1及び第2のマルチチツプモジユール31〜3
3を製造し、この後第1及び第2のマルチチツプモジユ
ール31〜33をその厚み方向に順次積層形成し、周側
面30A上に配線ライン41を形成するようにしたこと
により、第1及び第2のマルチチツプモジユール31〜
33を単に積層形成してなる大きさとほぼ同じ大きさの
多層マルチチツプモジユール30を製造することがで
き、かくして容易に小型化し得る電子部品及び電子部品
の製造方法を実現することができる。
【0061】(3)第3の実施の形態 (3−1)第3の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの構成 図14は、第3の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユール50を示し、箱状でなるキヤビテイ51内に、
複数のマルチチツプモジユール52〜54がその厚み方
向に積層配置され、かつ当該キヤビテイ51上にねじ5
5で取り付けられた平板でなる蓋部56によつて所定圧
力で加圧されて収納されていると共に、当該キヤビテイ
51の周側面51Aの下端部に突出するように設けられ
た平板部51Bの一面51Cに複数の外部端子57が設
けられて構成されている。
【0062】この場合図1との対応部分に同一符号を付
した図15に示すように、マルチチツプモジユール52
〜54においては、複数のチツプ部品11がその裏面1
1Bをベース基板60の一面60Aに接着材61を介し
て所定状態に接続されて配置され、かつ一面63A及び
裏面63Bにはんだバンプ64が設けられてなるチツプ
部品型電極63が各チツプ部品11の周囲に所定状態に
配置された状態で、各チツプ部品11及びチツプ部品型
電極63がベース基板60の裏面60B及びチツプ部品
型電極63の裏面63Bのはんだバンプ64の先端部を
露出させるようにモールド材13によつて一端に封止さ
れている。
【0063】またマルチチツプモジユール52〜54に
おいては、配線部65の最上層に位置する絶縁層66に
おいて、各チツプ部品型電極63の配置位置と対向する
部分が剥離され、当該剥離された部分から配線層15の
所定の導体パターンの端部が端子68として露出されて
おり、この露出された端子68と、対応するチツプ部品
型電極63の一面63Aのはんだバンプ64とが配線層
15の導体パターンと、ビア17とを順次介して導通接
続されている。
【0064】なお図16に示すように、チツプ部品型電
極63は、絶縁基板等でなる基材63C内に形成された
ビア67を介して一面63Aのはんだバンプ64と、裏
面63Bの対応するはんだバンプ64とが導通接続され
ている。
【0065】従つて図17に示すように、この多層マル
チチツプモジユール50においては、キヤビテイ51内
の底面51Dにマルチチツプモジユール54の裏面54
Bに露出されたはんだバンプ64と対向させて外部端子
57と導通接続された信号入出力用の端子(図示せず)
が設けられており、当該底面51Dと、マルチチツプモ
ジユール54の裏面54Bの一端側及び他端側とそれぞ
れ対向する位置に例えばゴムシートに複数の導電性金属
細線が高密度に埋設されてなる異方性導電シート70を
挟み込むと共に、各マルチチツプモジユール52〜54
の一端側及び他端側同士の間に異方性導電シート70を
挟み込み、このような状態のもとに各マルチチツプモジ
ユール52〜54を加圧することにより、当該異方性導
電シート70を介して対応する端子68とはんだバンプ
64とを導通接続し得るようになされている。因みに各
マルチチツプモジユール52〜54に付加する圧力は、
キヤビテイ51上に蓋部56を取り付けるねじ55の締
め込み量によつて調整し得るようになされている。
【0066】(3−2)第3の実施の形態による多層マ
ルチチツプモジユールの製造手順 ここで実際上この多層マルチチツプモジユール50は、
図2及び図4との対応部分に同一符号を付した図18
(A)〜図21(B)に示す以下の手順により製造する
ことができる。
【0067】すなわちまず図18(A)に示すように、
各チツプ部品11をその裏面11Bを接着剤61を介し
てベース基板60の一面60Aに接合して所定状態に配
置する。なお図19に示すように、このとき絶縁材でな
る基材63Cの一面63Aにフオトプロセス等の手法に
よつてパターニングして所定間隔に貫通孔を穿設すると
共に、当該穿設した貫通孔を導電性金属で埋めるように
してビアを形成する。この後基材63Cの一面63A及
び裏面63Bにおいて露出されたビアの端部にはんだバ
ンプ64を形成し、かくしてチツプ部品型電極63を形
成する。
【0068】次いで図18(B)に示すように、チツプ
部品11の回路面11Aが上方を向くようにベース基板
60をモールド金型72の底部72Aに配置して位置決
めすると共に、チツプ部品型電子部品63を一面63A
を上方に向けてベース基板60の周囲に配置して位置決
めする。
【0069】続いて図18(C)に示すように、所定の
モールド装置(図示せず)を用いてモールド金型72内
にモールド材13を充填し、この後加熱炉(図示せず)
等で当該充填したモールド材13を加熱して硬化させ
る。
【0070】次いで図19(A)に示すように、モール
ド金型72からモールドシート73を取り出し、この後
図19(B)に示すように、モールドシート73の上面
を所定の研磨機(図示せず)によつて研磨して各はんだ
バンプ12及び64の上部を露出させる。
【0071】続いて図19(C)に示すように、スピン
コート法等によつてモールドシート73の研磨面73A
上にポリイミド樹脂を被膜形成すると共に、フオトプロ
セス等の手法によつて絶縁層14を形成する。次いで所
定のスパツタ装置(図示せず)を用いて絶縁層14上に
銅をスパツタリングし、得られた銅箔をフオトプロセス
等の手法によつてパターニングすることにより当該絶縁
層14上に配線層15を形成する。この後上述と同様に
して配線層15上に絶縁層14と配線層15とを絶縁層
14が最上層となるように順次交互に積層形成し、当該
最上層に形成した絶縁層14をフオトプロセスの手法に
よつてパターニングすることにより複数の端子68を露
出させ、かくしてマルチチツプモジユール52〜54を
製造することができる。
【0072】ここで図21(A)に示すように、グリー
ンシート法等によつてキヤビテイ51を製作する。次い
で図21(B)に示すように、当該製作したキヤビテイ
51内に各マルチチツプモジユール52〜54をその厚
み方向に異方性導電シート70を介して順次積層配置す
るようにして収納し、この後各マルチチツプモジユール
52〜54を所定圧力で加圧するようにキヤビテイ51
上にねじ55で蓋部56を取り付け、かくして多層マル
チチツプモジユール50を製造することができる。
【0073】(3−3)第3の実施の形態による動作及
び効果 以上の構成において、この多層マルチチツプモジユール
50では、各パツド上にそれぞれはんだバンプ12が形
成された各チツプ部品11をその裏面111Bをベース
基板60の一面60Aに接続するようにして所定状態に
配置し(図18(A))、この後各チツプ部品11が配
置されたベース基板60とチツプ部品型電極63とをモ
ールド金型72の底部72Aに配置して位置決めしてモ
ールド材13によつて一体に封止する。(図18(A)
〜(C))。
【0074】次いでこのようにして形成されたモールド
シート73の上面を研磨して各はんだバンプ12及び6
4を露出させ、この後研磨によつて得られた研磨面73
A上に配線部65を形成し、かくして各マルチチツプモ
ジユール52〜54を製造する(図19(A)〜
(B))。続いてキヤビテイ51内に各マルチチツプモ
ジユール52〜54をその厚み方向に異方性導電シート
70を介して順次積層配置するようにして収納し、当該
キヤビテイ51上に蓋部56を取りつけることにより多
層マルチチツプモジユール50を製造する(図21
(A)及び(B))。
【0075】従つてこの製造手順においては、各マルチ
チツプモジユール52〜54を配線部65上に端子を露
出させ、かつ内部にチツプ部品型電極63を設け、キヤ
ビテイ51内に順次異方性導電シート70を介して積層
配置するように収納したことにより、各マルチチツプモ
ジユール52〜54間を電気的に容易に接続することが
できる。また多層マルチチツプモジユール50を、各マ
ルチチツプモジユール52〜55を単に積層配置させた
大きさと比較的近い大きさにして製造することができ
る。
【0076】またこのような製造手順によつて製造され
て得られた多層マルチチツプモジユール50において
は、各マルチチツプモジユール52〜54をキヤビテイ
51によつて外部から機械的に保護することができる。
【0077】以上の構成によれば、各パツド上にそれぞ
れはんだバンプ12が形成されたチツプ部品11とチツ
プ部品型電極63とを、回路面11Aと一面63Aとを
同一方向に向けて所定状態に配置して各はんだバンプ1
2及び64の上端部を露出させるようにモールド材13
によつて一体に封止し、当該各チツプ部品11を封止し
た複数のモールド材13上にそれぞれ絶縁層66と、配
線層15とをその厚み方向に所定の層数となるように順
次交互に積層形成してマルチチツプモジユール52〜5
4を製造し、各マルチチツプモジユール52〜54をキ
ヤビテイ51内に異方性導電シート70を介して順次積
層配置するように収納するようにしたことにより、各マ
ルチチツプモジユール52〜54間を積層配置するだけ
で容易に導通接続して当該各マルチチツプモジユール5
2〜54を単に積層配置した大きさと比較的近い大きさ
の多層マルチチツプモジユール50を製造することがで
き、かくして容易に小型化し得る電子部品及び電子部品
の製造方法を実現することができる。
【0078】(4)他の実施の形態 なお上述の第1〜第3の実施の形態においては、各チツ
プ部品11の回路面11Aに形成された各パツド上にそ
れぞれはんだバンプ12を形成するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、はんだバンプ1
2に代えて、例えば図5との対応部分に同一符号を付し
た図22に示すように、各パツド22上にそれぞれ金で
なる突起電極80を設けるようにしても良い。
【0079】また上述の第1の実施の形態においては、
本発明を一層でなるマルチチツプモジユール10に適用
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、複数のマルチチツプモジユール10からなる多
層マルチチツプモジユールに適用するようにしても良
い。
【0080】この場合例えば図1との対応部分に同一符
号を付した図23に示すように、多層マルチチツプモジ
ユール81においては、僅かに異なる大きさに製造され
た各マルチチツプモジユール10A〜10Cを外部端子
15Bが設けられた一端側が階段状となり、それぞれ外
部端子15Bを露出させるようにエポキシ系等の接着剤
を介して順次積層配置する。これに加えて図24に示す
ように、各マルチチツプモジユール10A〜10Cの各
外部端子15Bは、それぞれ対応するもの同士を、例え
ばワイヤーボンデイングにより導通接続するようにして
も良い。このようにすれば複数のマルチチツプモジユー
ル10A〜10Cを容易に積層配置することができる。
【0081】さらに上述の第2の実施の形態において
は、多層マルチチツプモジユール30の周側面30A上
にスパツタリング及びフオトプロセスの手法によつて配
線ライン41を形成するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、例えば周側面30A上に導
電性金属をスパツタリングし、この後レーザカツテイン
グ法等によつて配線ライン41を形成するようにしても
良い。
【0082】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、各チツプ部品11をモールド金型20、43及
び72の底部20A、43A及び72Aに配置してモー
ルド材13を充填するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、トランスフアモールドの手
法によつて各チツプ部品11を一体に封止するようにし
ても良い。
【0083】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、モールドシート21、44及び73の研磨面2
1A、44A及び73A上及び配線層15上にスピンコ
ートによつて絶縁層14を形成するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、モールドシート
21、44及び73の研磨面21A、44A及び73A
上及び配線層15上に印刷法の手法により絶縁層14を
形成するようにしても良い。
【0084】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、配線層15の導体パターンを銅箔から形成する
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、導体パターンをアルミニウム箔等のようにこの他種
々の導電性金属箔から形成するようにしても良い。
【0085】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に
配置された各チツプ部品11を、各回路面11Aを覆
い、かつ各突起電極12をそれぞれ露出させるように一
体に封止する絶縁材として、エポキシ樹脂でなるモール
ド材13を適用するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、それぞれ回路面を同一方向に向
けて所定状態に配置された各チツプ部品11を、各回路
面11Aを覆い、かつ各突起電極12をそれぞれ露出さ
せるように一体に封止することができれば、その他の樹
脂材等のようにこの他種々の絶縁材を適用するようにし
ても良い。
【0086】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、各突起電極とそれぞれ対応する配線層及びそれ
ぞれ対応する配線層間を導通接続する導通接続手段とし
て、スルーホール17Aの内周面上に銅箔が形成されて
なるビア17を適用するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、スルーホール17Aの内周
面上にアルミニウム箔が形成されてなるビアや、当該ス
ルーホール17Aを埋め込むようにした銀等の導電材等
のようにこの種々の導通接続手段を適用するようにして
も良い。
【0087】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、各チツプ部品と、絶縁材と、絶縁層及び配線層
と、導通接続手段とからなる電子部品を積層配置させて
接続す接続手段として、機械的に接続する接着剤34及
びねじ55で蓋部56が取り付けられたキヤビテイ51
を適用し、電気的に接続する配線ライン41、保護膜3
5、異方性導電シート70を適用するようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、例えば例えば
図25(A)及び(B)に示すように、多層マルチチツ
プモジユール85にレーザ等でスルーホールを穿設し、
当該穿設したスルーホール内に導電性接着剤を埋め込
み、又は当該スルーホールの内周面に導電性金属を鍍金
するようにして形成されたビア又はビアホール86を適
用するようにしても良い。なおこのようにして各マルチ
チツプモジユール85A〜85C間を電気的に接続した
場合、ビア又はスルーホール86を外部端子87が設け
られた一端側と対向する他端側に形成することにより、
多層マルチチツプモジユール85を例えばマザーボード
(図示せず)に搭載するときに当該ビア又はスルーホー
ル86と外部端子87及び又は当該マザーボードの複数
の電極とが短絡することを防止し得る。
【0088】さらに上述の第1〜第3の実施の形態にお
いては、本発明の電子部品をマルチチツプモジユール1
0に適用するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、複数の種々のチツプ部品が設けたこの
他の種々の電子部品に適用するようにしても良い。
【0089】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、回路面の
複数の電極上にそれぞれ突起電極が設けられた複数のチ
ツプ部品と、それぞれ回路面を同一方向に向けて所定状
態に配置された各チツプ部品を、各回路面を覆い、かつ
各突起電極をそれぞれ露出させるように一体に封止する
絶縁材と、当該絶縁材上に順次交互に積層形成された絶
縁材からなる絶縁層及び所定の導体パターンからなる配
線層と、各突起電極とそれぞれ対応する配線層及びそれ
ぞれ対応する配線層間を導通接続する導通接続手段とを
設けるようにしたことにより、各チツプ部品のそれぞれ
回路面及び各突起電極を絶縁材によりほぼ確実に覆うこ
とができ、かくして容易に小型化し得る電子部品を実現
することができる。
【0090】また回路面の各電極上にそれぞれ突起電極
が設けられた複数のチツプ部品と、それぞれ回路面を同
一方向に向けて所定状態に配置された各チツプ部品を、
各回路面を覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させる
ように一体に封止する絶縁材と、当該絶縁材上に順次交
互に積層形成された絶縁材からなる絶縁層及び所定の導
体パターンからなる配線層と、各突起電極とそれぞれ対
応する配線層及びそれぞれ対応する配線層間を導通接続
する導通接続手段と、各チツプ部品と、絶縁材と、絶縁
層及び配線層と、導通接続手段とからなる電子部品を積
層配置させて接続する接続手段とを設けるようにしたこ
とにより、積層されてなる複数の電子部品の大きさを各
電子部品を単に積層した大きさとほぼ同じ大きさにする
ことができ、かくして容易に小型化し得る電子部品を実
現することができる。
【0091】さらに回路面の各電極上にそれぞれ突起電
極が設けられた各チツプ部品を、それぞれ回路面を同一
方向に向けて所定状態に配置して各回路面を覆い、かつ
各突起電極をそれぞれ露出させるように絶縁材により一
体に封止し、次いで当該絶縁材上に絶縁層と、それぞれ
対応する各突起電極に電気的に接続された配線層とをそ
の厚み方向に所望の層数となるように交互に積層形成す
るようにしたことにより、各チツプ部品間の間隔を格段
的に狭くすることができると共に、絶縁層及び配線層を
大幅に薄く形成することができ、かくして電子部品を容
易に小型化して製造することができる電子部品の製造方
法を実現することができる。
【0092】さらに回路面に形成された複数の電極上に
それぞれ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、そ
れぞれ回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各
回路面を覆い、かつ各突起電極をそれぞれ露出させるよ
うに絶縁材により一体に封止し、各チツプ部品を封止し
た複数の当該絶縁材にそれぞれ所定の絶縁材からなる絶
縁層と、それぞれ対応する各突起電極に電気的に接続さ
れた所定の導体パターンからなる配線層とをその厚み方
向に所望の層数となるように順次交互に積層形成し、次
いで絶縁層と、配線層とが積層形成された各絶縁材をそ
の厚み方向に順次積層し、当該各絶縁材にそれぞれ封止
された各チツプ部品のうち、対応するチツプ部品同士を
電気的に接続するようにしたことにより、比較的大規模
な電子部品の各チツプ部品間の間隔を格段的に狭くし、
かつ絶縁層及び配線層を大幅に薄く形成することがで
き、かくして電子部品を容易に小型化して製造すること
ができる電子部品の製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマルチチツプモジユールの構成の第1
の実施の形態を示す略線的断面図である。
【図2】第1の実施の形態によるマルチチツプモジユー
ルのモールドシートの製造手順を示す略線的断面図であ
る。
【図3】上面が研磨されたモールドシートの説明に供す
る略線的斜視図である。
【図4】第1の実施の形態によるマルチチツプモジユー
ルの配線部の製造手順を示す略線的断面図である。
【図5】マルチチツプモジユールに設けられたチツプ部
品の説明に供する略線的断面図である。
【図6】第2の実施の形態による多層マルチチツプモジ
ユールの構成を示す略線的断面図である。
【図7】第2の実施の形態による第1のマルチチツプモ
ジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図8】第2の実施の形態による第2のマルチチツプモ
ジユールの構成を示す略線的断面図である。
【図9】多層マルチチツプモジユールの周側面の説明に
供する略線図である。
【図10】第1及び第2のマルチチツプモジユール間が
電気的に接続された周側面の説明に供する略線図であ
る。
【図11】第1及び第2のマルチチツプモジユールの製
造手順を示す略線的断面図である。
【図12】第1及び第2のマルチチツプモジユールの製
造手順を示す略線的断面図である。
【図13】多層マルチチツプモジユールの製造手順を示
す略線的断面図である。
【図14】第3の実施の形態による多層マルチチツプモ
ジユールの構成を示す略線的斜視図である。
【図15】第3の実施の形態によるマルチチツプモジユ
ールの構成を示す略線的断面図である。
【図16】チツプ部品型電極の構成を示す略線的断面図
である。
【図17】多層マルチチツプモジユールの内部の構成を
示す略線的断面図てある。
【図18】チツプ部品型電極の説明に供する略線的斜視
図である。
【図19】マルチチツプモジユールの製造手順を示す略
線的断面図である。
【図20】マルチチツプモジユールの製造手順を示す略
線的断面図である。
【図21】キヤビテイ及び多層マルチチツプモジユール
の製造の説明に供する略線的断面図である。
【図22】他の実施の形態によるチツプ部品の各パツド
上にそれぞれ形成された突起電極を示す略線的断面図で
ある。
【図23】他の実施の形態によるマルチチツプモジユー
ルの構成を示す略線的断面図である。
【図24】他の実施の形態による多層マルチチツプモジ
ユールの外部端子の説明に供する略線的斜視図である。
【図25】他の実施の形態による多層マルチチツプモジ
ユールの構成を示す略線図てある。
【図26】従来のマルチチツプモジユールの構成を示す
略線的断面図である。
【符号の説明】 10、10A、10B、10C、52、53、54……
マルチチツプモジユール、11……チツプ部品、11A
……回路面、12……はんだバンプ、13……モールド
材、14、40、66……絶縁層、15……配線層、1
5B、36、57……外部端子、17……ビア、30、
50、81、85……多層マルチチツプモジユール、3
1……第1のマルチチツプモジユール、32、33……
第2のマルチチツプモジユール、41……配線ライン、
51……キヤビテイ、63……チツプ部品型電極。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】回路面に形成された複数の電極上にそれぞ
    れ突起電極が設けられた複数のチツプ部品と、 それぞれ上記回路面を同一方向に向けて所定状態に配置
    された各上記チツプ部品を、各上記回路面を覆い、かつ
    各上記突起電極をそれぞれ露出させるように一体に封止
    する絶縁材と、 上記絶縁材上に順次交互に積層形成された所定の絶縁材
    からなる絶縁層及び所定の導体パターンからなる配線層
    と、 各上記突起電極とそれぞれ対応する上記配線層及びそれ
    ぞれ対応する上記配線層間を導通接続する導通接続手段
    とを具えることを特徴とする電子部品。
  2. 【請求項2】上記導通接続手段は、 積層形成される上記配線層のうち、最上層に位置する上
    記配線層の一端側に、上記導体パターンの端部でなる単
    数又は複数の外部端子を有することを特徴とする請求項
    1に記載の電子部品。
  3. 【請求項3】回路面に形成された複数の電極上にそれぞ
    れ突起電極が設けられた複数のチツプ部品と、 それぞれ上記回路面を同一方向に向けて所定状態に配置
    された各上記チツプ部品を、各上記回路面を覆い、かつ
    各上記突起電極をそれぞれ露出させるように一体に封止
    する絶縁材と、 上記絶縁材上に順次交互に積層形成された所定の絶縁材
    からなる絶縁層及び所定の導体パターンからなる配線層
    と、 各上記突起電極とそれぞれ対応する上記配線層及びそれ
    ぞれ対応する上記配線層間を導通接続する導通接続手段
    と、 各上記チツプ部品と、上記絶縁材と、上記絶縁層及び上
    記配線層と、上記導通接続手段とからなる電子部品を積
    層配置させて接続する接続手段とを具えることを特徴と
    する電子部品。
  4. 【請求項4】上記接続手段は、 上記積層される電子部品からなる所定の周側面に各上記
    導体パターンのうち、対応する当該導体パターン同士を
    導通接続することを特徴とする請求項3に記載の電子部
    品。
  5. 【請求項5】回路面に形成された複数の電極上にそれぞ
    れ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ
    上記回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各上
    記回路面を覆い、かつ各上記突起電極をそれぞれ露出さ
    せるように絶縁材により一体に封止する第1の工程と、 上記絶縁材上に、所定の絶縁材からなる絶縁層と、それ
    ぞれ対応する各上記突起電極に電気的に接続された所定
    の導体パターンからなる配線層とをその厚み方向に所望
    の層数となるように順次交互に積層形成する第2の工程
    と、 を具えることを特徴とする電子部品の製造方法。
  6. 【請求項6】上記第3の工程では、 積層形成される上記配線層のうち、上記導体パターンの
    端部でなる単数又は複数の外部端子を有する上記配線層
    を最上層に位置させることを特徴とする請求項5に記載
    の電子部品の製造方法。
  7. 【請求項7】回路面に形成された複数の電極上にそれぞ
    れ突起電極が設けられた複数のチツプ部品を、それぞれ
    上記回路面を同一方向に向けて所定状態に配置して各上
    記回路面を覆い、かつ各上記突起電極をそれぞれ露出さ
    せるように絶縁材により一体に封止し、各上記チツプ部
    品を封止した複数の当該絶縁材にそれぞれ所定の絶縁材
    からなる絶縁層と、それぞれ対応する各上記突起電極に
    電気的に接続された所定の導体パターンからなる配線層
    とをその厚み方向に所望の層数となるように順次交互に
    積層形成する第1の工程と、 上記絶縁層と、上記配線層とが積層形成された各上記絶
    縁材をその厚み方向に順次積層し、当該各絶縁材にそれ
    ぞれ封止された各上記チツプ部品のうち、対応する上記
    チツプ部品同士を電気的に接続する第2の工程とを具え
    ることを特徴とする電子部品の製造方法。
  8. 【請求項8】上記第1の工程では、 各上記絶縁材のうち、所定の上記絶縁材に上記導体パタ
    ーンの端部でなる単数又は複数の外部端子を一端側に有
    する上記配線層を最上層に位置させるように積層形成
    し、 上記第2の工程では、 積層される上記絶縁材のうち、上記外部端子を有する上
    記配線層が最上層に位置するように積層形成された上記
    絶縁材を最上層に位置させ、各上記外部端子が位置する
    一端側と対向する側の各上記絶縁材からなる周側面に各
    上記導体パターンのうち、対応する当該導体パターン同
    士を導通接続する所定パターンの配線ラインを形成する
    ことを特徴とする請求項7に記載の電子部品の製造方
    法。
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