JPH10229095A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージの製造方法

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JPH10229095A JP10027166A JP2716698A JPH10229095A JP H10229095 A JPH10229095 A JP H10229095A JP 10027166 A JP10027166 A JP 10027166A JP 2716698 A JP2716698 A JP 2716698A JP H10229095 A JPH10229095 A JP H10229095A
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semiconductor
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heat conductive
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体ウェーハに熱伝導性物質を付着した
後、熱伝導性物質と一緒に切断することにより、熱伝導
性物質の面積及び半導体パッケージの容積を最小化す
る。 【解決手段】 半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質１
２を付着する工程と、熱伝導性物質１２とともに所定長
さに切断し、複数のボンディングパッド１１ａを有する
半導体チップ１１別に分離する工程と、分離された各半
導体チップ１１の上面に接着部材１３を介して、内部リ
ード１４ａから上方向きに形成された外部リード１４ｂ
とを有するリード１４を接着する工程と、各ボンディン
グパッド１１ａと各内部リード１４ａとを夫々連結する
工程と、熱伝導性物質１２の下面及び各外部リード１４
ｂの上面を露出させて半導体チップ１、内部リード１４
ａ、外部リード１４ｂ及び熱伝導性物質１２を包含した
所定部位をモールディングする工程とを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に係るもので、詳しくは、熱的特性を向上し
得る半導体パッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体パッケージにおいては、図４
に示したように、複数のボンディングパッド１ａを有す
る半導体チップ１と、該半導体チップ１の下面に付着さ
れた熱伝導性物質２と、前記半導体チップ１の上面に第
１接着部材３を介して接着され、各内部リード４ａ及び
該各内部リード４ａから上向きに屈曲された各外部リー
ド４ｂを有するリード４と、前記半導体チップ１の各ボ
ンディングパッド１ａと前記内部リード４ａとに夫々電
気的に連結されたワイヤー５と、前記半導体チップ１、
前記各内部リード４ａ、外部リード４ｂ及び熱伝導性物
質２が包含された所定部位に密封されたモールディング
樹脂６と、から構成され、前記熱伝導性物質２の下面及
び前記各外部リード４ｂの上面は、前記モールディング
樹脂６から露出されていた。
【０００３】以下、このように構成された従来の半導体
パッケージ７の製造方法に対し、図５（Ａ）〜（Ｃ）、
及び図６（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。先ず、図５
（Ａ）に示したように、半導体ウェーハ８の下面に第２
接着部材９を形成する。次いで、図５（Ｂ）に示したよ
うに、前記第２接着部材９の形成された前記半導体ウェ
ーハ８を、ダイヤモンドホイール（Wheel ）を用いて半
導体チップ１別に分離する。
【０００４】前記第２接着部材９は、前記半導体ウェー
ハ８を切断して各半導体チップ１を分離するとき半導体
チップ１の飛散を防止するため、暫定的に使用するもの
である。このとき、前記半導体チップ１の上面には、ボ
ンディングパッド（図示されず）が形成されている。
【０００５】その後、図５（Ｃ）に示したように、分離
された各半導体チップ１の下面に形成された前記第２接
着部材９を夫々除去し、前記半導体１のチップ上面に接
着部材３を介して各内部リード４ａ及びそれら内部リー
ド４ａから上方向きに屈曲形成された外部リード４ｂを
有するリードを接着する。次いで、図６（Ａ）に示した
ように、図５（Ｃ）に示した半導体チップ１の下面に熱
伝導性物質２を付着し、図６（Ｂ）に示したように、前
記半導体チップ１の各ボンディングパッド１ａと前記内
部リード４ａとを夫々ワイヤー５を用いて電気的に連結
する。
【０００６】その後、図６（Ｃ）に示したように、前記
半導体チップ１、熱伝導性物質２、内部リード４ａ、外
部リード４ｂ及びワイヤー５を包含した所定部位をモー
ルディング樹脂６を用いて密封する。このとき、前記熱
伝導性物質２の下面及び外部リード４ｂの上面を前記モ
ールディング樹脂６から露出させて密封し、従来の半導
体パッケージ７の製造工程を終了していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の半導体パッケージ７の製造方法においては、半導体
ウェーハ８から分離された各半導体チップ１に熱伝導性
物質２を一々付着するため、工程が煩雑となってしまう
とともに、半導体チップ１の占有面積よりも熱伝導性物
質２の占有面積が大きいため、パッケージの容積が不意
に増加するという不都合な点があった。
【０００８】そこで、本発明は、このような従来の課題
に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハに熱伝導性物
質を付着した後、該半導体ウェーハを熱伝導性物質と一
緒に切断することにより工程を簡略化し、熱伝導性物質
の面積及び半導体パッケージの容積を最小化し得る半導
体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、請求項１に係る半導体パッケージの製造方法に
おいては、半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質を付着
する工程と、前記半導体ウェーハを前記熱伝導性物質と
ともに所定長さに切断し、複数のボンディングパッドを
有する半導体チップ別に分離する工程と、前記分離され
た各半導体チップの上面に接着部材を介して、内部リー
ドと該内部リードから上方向きに屈曲形成された外部リ
ードとを有するリードを接着する工程と、前記各ボンデ
ィングパッドと前記各内部リードとを通電部材により夫
々連結する工程と、前記熱伝導性物質の下面及び前記各
外部リードの上面を露出させて前記半導体チップ、前記
内部リード、外部リード及び前記熱伝導性物質を包含し
た所定部位をモールディング樹脂を用いてモールディン
グする工程と、を順次行うことを特徴とする。
【００１０】また、請求項２に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記接着部材は、ポリイミド膜
（Polyimide Film）であることを特徴とする。また、請
求項３に係る半導体パッケージの製造方法においては、
前記熱伝導性物質が、導電性物質であることを特徴とす
る。また、請求項４に係る半導体パッケージの製造方法
においては、前記導電性物質は、銅、銅とニッケルとの
合金、及びアルミニウム中、何れか一つを用いることを
特徴とする。
【００１１】また、請求項５に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記通電部材が、ワイヤー又はバ
ンプ（bump）であることを特徴とする。また、請求項６
に係る半導体パッケージの製造方法においては、前記半
導体ウェーハを切断する工程の前に、前記熱伝導性物質
に絶縁層（Insulating Layer）を付着する工程と、該
絶縁層を付着する工程の後であって前記モールディング
する工程の前に、前記熱伝導性物質の絶縁層を除去する
工程と、を更に付加して行うことを特徴とする。
【００１２】また、請求項７に係る半導体パッケージの
製造方法においては、前記絶縁層が、ポリイミド層（Po
lyimide Layer ）であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、添付の図面を用いて説明する。本発明に係る半導体
パッケージおいては、図１に示したように、上面に複数
のボンディングパッド１１ａが形成された半導体チップ
１１と、該半導体チップ１１の下面に付着された熱伝導
性物質１２と、前記半導体チップ１１の上面に接着部材
１３により夫々付着された各内部リード１４ａ及び該各
内部リード１４ａから屈曲形成された外部リード１４ｂ
を有するリード１４と、前記ボンディングパッド１１ａ
と内部リード１４ａとを電気的に連結するように配設さ
れた通電部材としてのワイヤー（又は、バンプ（bum
p））１５と、前記チップ１１、前記内部リード１４
ａ、外部リード１４ｂ及び熱伝導性物質１２を包含した
所定部位に密封されたモールディング樹脂１６と、を備
えて構成され、前記熱伝導性物質１２の下面及び前記各
外部リード１４ｂの上面が、前記モールディング樹脂１
６から露出されている。
【００１４】以下、このように構成された本発明に係る
半導体パッケージ１７の製造方法に関し、図２（Ａ）
（Ｂ）及び図３（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。先
ず、図２（Ａ）に示したように、半導体ウェーハ１８の
下面に熱伝導性物質１２を付着し、該熱伝導性物質１２
の下面に絶縁層１９を付着する。このとき、前記熱伝導
性物質１２は、導電性物質であって、銅Ｃｕ、銅Ｃｕと
ニッケルＮｉとの合金、及びアルミニウムＡｌ中、何れ
か一つを用いるのが好ましい。
【００１５】次いで、図２（Ｂ）に示したように、前記
半導体ウェーハ１８を各半導体チップ１１別に分離する
ため、ダイヤモンドホイールを用いて前記半導体ウェー
ハ１８，熱伝導性物質１２及び絶縁層１９を一緒に切断
する。このとき、該絶縁層１９は、半導体ウェーハ１８
を切断するとき分離された半導体チップ１１の飛散を防
止するため用いられ、ポリイミドなどにより形成される
のが好ましい。尚、前記半導体チップ１１上には、パッ
ド（図示されず）が夫々形成される。
【００１６】その後、図３（Ａ）に示したように、前記
絶縁層１９を除去し、前記半導体チップ１１の上面に接
着部材１３を用いて各内部リード１４ａと、該各内部リ
ード１４ａから屈曲形成された各外部リード１４ｂを有
するリード１４を夫々接着する。尚、前記接着部材１３
は、ポリイミドフィルム（Polyimide Film）が用いられ
るのが好ましい。
【００１７】次いで、図３（Ｂ）に示したように、前記
半導体チップ１１上のボンディングパッド１１ａと前記
各内部リード１４ａとを通電部材としてのワイヤー１５
（又は、バンプ）を用いて電気的に連結する。その後、
図３（Ｃ）に示したように、前記半導体チップ１１、熱
伝導性物質１２、内部リード１４ａ、外部リード１４ｂ
及びワイヤー１５を包含した所定部位をモールディング
樹脂１６を用いて、前記熱伝導性物質１２の下面及び各
外部リード１４ｂの上面を露出させて密封する。
【００１８】以上で、本発明に係る半導体パッケージの
製造工程を終了する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体パッケージの製造方法においては、半導体ウェーハの
下面に熱伝導性物質を付着した後、該半導体ウェーハ及
び熱伝導性物質を一緒に切断するようになっているた
め、半導体パッケージの製造工程を簡略化し、前記熱伝
導性物質の面積を最小化して半導体パッケージの容積を
減らし得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体パッケージの構造を示した
縦断面図である。
【図２】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を示
した縦断面図である。
【図３】本発明に係る半導体パッケージの製造工程を示
した縦断面図である。
【図４】従来の半導体パッケージの構造を示した縦断面
図である。
【図５】従来の半導体パッケージの製造工程を示した縦
断面図である。
【図６】従来の半導体パッケージの製造工程を示した縦
断面図である。
【符号の説明】
１１：半導体チップ １１ａ：ボンディングパッド １２：熱伝導性物質 １３：接着部材 １４：リード １４ａ：内部リード １４ｂ：外部リード １５：ワイヤー １６：モールディング樹脂 １８：半導体ウェーハ １９：絶縁層

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウェーハの下面に熱伝導性物質を付
    着する工程と、 前記半導体ウェーハを前記熱伝導性物質とともに所定長
    さに切断し、複数のボンディングパッドを有する半導体
    チップ別に分離する工程と、 前記分離された各半導体チップの上面に接着部材を介し
    て、内部リードと該内部リードから上方向きに屈曲形成
    された外部リードとを有するリードを接着する工程と、 前記各ボンディングパッドと前記各内部リードとを通電
    部材により夫々連結する工程と、 前記熱伝導性物質の下面及び前記各外部リードの上面を
    露出させて前記半導体チップ、前記内部リード、外部リ
    ード及び前記熱伝導性物質を包含した所定部位をモール
    ディング樹脂を用いてモールディングする工程と、 を順次行うことを特徴とする半導体パッケージの製造方
    法。
  2. 【請求項２】前記接着部材は、ポリイミド膜（Polyimid
    e Film）であることを特徴とする請求項１記載の半導体
    パッケージの製造方法。
  3. 【請求項３】前記熱伝導性物質は、導電性物質であるこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
    ケージの製造方法。
  4. 【請求項４】前記導電性物質は、銅、銅とニッケルとの
    合金、及びアルミニウム中、何れか一つを用いることを
    特徴とする請求項３記載の半導体パッケージの製造方
    法。
  5. 【請求項５】前記通電部材は、ワイヤー又はバンプ（bu
    mp）であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいず
    れか１つに記載の半導体パッケージの製造方法。
  6. 【請求項６】前記半導体ウェーハを切断する工程の前
    に、前記熱伝導性物質に絶縁層（Insulating Layer ）
    を付着する工程と、 該絶縁層を付着する工程の後であって前記モールディン
    グする工程の前に、前記熱伝導性物質の絶縁層を除去す
    る工程と、を更に付加して行うことを特徴とする請求項
    １〜請求項５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ
    の製造方法。
  7. 【請求項７】前記絶縁層は、ポリイミド層（Polyimide
    Layer ）であることを特徴とする請求項６記載の半導体
    パッケージの製造方法。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014516419A (ja) * 2011-03-21 2014-07-10 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド 電力層を有する機能インサートのための方法及び装置
US10345620B2 (en) 2016-02-18 2019-07-09 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form biocompatible energization elements incorporating fuel cells for biomedical devices
US10361405B2 (en) 2014-08-21 2019-07-23 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Biomedical energization elements with polymer electrolytes
US10361404B2 (en) 2014-08-21 2019-07-23 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Anodes for use in biocompatible energization elements
US10367233B2 (en) 2014-08-21 2019-07-30 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Biomedical energization elements with polymer electrolytes and cavity structures
US10374216B2 (en) 2014-08-21 2019-08-06 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Pellet form cathode for use in a biocompatible battery
US10381687B2 (en) 2014-08-21 2019-08-13 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods of forming biocompatible rechargable energization elements for biomedical devices
US10386656B2 (en) 2014-08-21 2019-08-20 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form separators for biocompatible energization elements for biomedical devices
US10451897B2 (en) 2011-03-18 2019-10-22 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Components with multiple energization elements for biomedical devices
US10558062B2 (en) 2014-08-21 2020-02-11 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form biocompatible energization primary elements for biomedical device
US10598958B2 (en) 2014-08-21 2020-03-24 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Device and methods for sealing and encapsulation for biocompatible energization elements
US10627651B2 (en) 2014-08-21 2020-04-21 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form biocompatible energization primary elements for biomedical devices with electroless sealing layers
US10775644B2 (en) 2012-01-26 2020-09-15 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Ophthalmic lens assembly having an integrated antenna structure

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0740600B2 (ja) * 1987-04-30 1995-05-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH02271558A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2665062B2 (ja) * 1991-02-12 1997-10-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
DE4231705C2 (de) * 1992-09-22 1998-04-30 Siemens Ag Halbleitervorrichtung mit einem Systemträger und einem damit verbundenen Halbleiterchip sowie Verfahren zu deren Herstellung
JPH06209054A (ja) * 1993-01-08 1994-07-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6300167B1 (en) * 1994-12-12 2001-10-09 Motorola, Inc. Semiconductor device with flame sprayed heat spreading layer and method

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10451897B2 (en) 2011-03-18 2019-10-22 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Components with multiple energization elements for biomedical devices
JP2014516419A (ja) * 2011-03-21 2014-07-10 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド 電力層を有する機能インサートのための方法及び装置
US10775644B2 (en) 2012-01-26 2020-09-15 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Ophthalmic lens assembly having an integrated antenna structure
US10381687B2 (en) 2014-08-21 2019-08-13 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods of forming biocompatible rechargable energization elements for biomedical devices
US10367233B2 (en) 2014-08-21 2019-07-30 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Biomedical energization elements with polymer electrolytes and cavity structures
US10374216B2 (en) 2014-08-21 2019-08-06 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Pellet form cathode for use in a biocompatible battery
US10361404B2 (en) 2014-08-21 2019-07-23 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Anodes for use in biocompatible energization elements
US10386656B2 (en) 2014-08-21 2019-08-20 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form separators for biocompatible energization elements for biomedical devices
US10361405B2 (en) 2014-08-21 2019-07-23 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Biomedical energization elements with polymer electrolytes
US10558062B2 (en) 2014-08-21 2020-02-11 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form biocompatible energization primary elements for biomedical device
US10598958B2 (en) 2014-08-21 2020-03-24 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Device and methods for sealing and encapsulation for biocompatible energization elements
US10627651B2 (en) 2014-08-21 2020-04-21 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods and apparatus to form biocompatible energization primary elements for biomedical devices with electroless sealing layers
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