JPH1022238A - 半導体ウェハのエアーブロー装置 - Google Patents

半導体ウェハのエアーブロー装置

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JPH1022238A
JPH1022238A JP8204066A JP20406696A JPH1022238A JP H1022238 A JPH1022238 A JP H1022238A JP 8204066 A JP8204066 A JP 8204066A JP 20406696 A JP20406696 A JP 20406696A JP H1022238 A JPH1022238 A JP H1022238A
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JP
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air
semiconductor wafer
semiconductor
blow device
air blow
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JP8204066A
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English (en)
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Toshiya Fukunaga
寿也 福永
Katsutoshi Kuroki
勝利 黒木
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Sumco Techxiv Corp
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Komatsu Electronic Metals Co Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤーソーにより切断された半導体ウェハ
の間隙にエアーを吹きつけることにより、ウェハ同士を
剥離させると共に、油脂分と砥粒を除去することができ
る半導体ウェハのエアーブロー装置を提供する。 【解決手段】 ２本の噴射ノズル１ａ、１ｂを半導体ウ
ェハ１０の中心線ｃを挟んでほぼ対称に配置する。エア
ー噴射１１ａ、１１ｂが半導体ウェハ１０の外側上方か
ら噴射されるように設ける。噴射ノズル１ａ、１ｂを半
導体インゴットの長手軸方向で移動するように設ける。
エアー噴射１１ａ、１１ｂを約３０度の円錐形で吹き出
すように設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、ワイヤーソーにより切
断された半導体ウェハの間隙に入り込んだ油脂分と砥粒
を除去する半導体ウェハのエアーブロー装置に関するも
のである。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体インゴッ
トの切断工程におけるスループットがワイヤーソーを使
用して切断することにより大幅な効率アップが図られ
た。このワイヤーソーにより切断された半導体インゴッ
トは、その周縁部がスライス台に貼り付けられたまま連
なって洗浄工程に搬入される。また、ワイヤーソーでは
その切断に砥粒と油脂を使用することから、切断された
半導体ウェハにはスラリー状の砥粒と油脂が多量に付着
しており、特に半導体ウェハ相互間の隙間にも入り込ん
でいるため、その表面張力により半導体ウェハ同士が貼
り付いてしまう。したがって、この間に入り込んだ砥粒
と油脂は、洗浄するだけでは貼り付いついた部分から除
去することは困難であるという問題点があった。本発明
は、上記問題に鑑みてなされたもので、ワイヤーソーに
より切断された半導体ウェハの間隙にエアーを吹きつけ
ることにより、ウェハ同士を剥離させると共に、油脂分
と砥粒を除去することができる半導体ウェハのエアーブ
ロー装置を提供することを目的とするものである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、半
導体インゴットをワイヤーソーにより切断した後に、切
断された半導体ウェハ相互間の間隙にその外周方向から
エアーを吹きつけるエアーブロー装置において、前記エ
アーが一定角度以下の指向性をもって吹き出すように形
成された噴出ノズルを設け、該噴出ノズルが半導体イン
ゴットの長手方向に移動できるようにしたものである。
【０００４】また、半導体インゴットをワイヤーソーに
より切断した後に、切断された半導体ウェハ相互間の間
隙にその外周方向からエアーを吹きつけるエアーブロー
装置において、前記エアーが一定角度以下の指向性をも
って吹き出すように形成された少なくとも１対の噴出ノ
ズルを設け、該噴出ノズルを前記半導体ウェハをはさん
だ両側の対抗した位置に配置し、前記噴出ノズルがこの
対抗した位置を維持しながら前記半導体インゴットの長
手方向に移動できるようにしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明では、スライス台に連接さ
れた状態の半導体ウェハ全てに、しかも均一にエアーを
吹きつけることによりウェハ同士を剥離させると共に、
油脂分と砥粒を除去することを目的として、半導体ウェ
ハをはさんだ両側に指向性のある噴射ノズルを対称に配
置し、これをインゴットの軸方向で移動させるようにし
たものである。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説
明する。 実施例１ 図１は実施例１のエアーブロー装置を示す模式図、図２
は実施例１のエアーブロー装置の側面図、図３は実施例
１の噴射ノズルからのエアーの噴射を示す部分斜視図で
ある。
【０００７】図１に示すように、本実施例１のエアーブ
ロー装置は、２本の噴射ノズル１ａ、１ｂが半導体ウェ
ハ１０の中心線ｃを挟んでほぼ対称に配置され、それぞ
れのエアー噴射１１ａ、１１ｂが半導体ウェハ１０の外
側上方から噴射されるように設けられている。また、こ
の噴射ノズル１ａ、１ｂは、ノズル固定台１２に固定さ
れ、その噴射角度が調整可能に設けられている。
【０００８】図２に示すように、ワイヤーソーにより切
断された半導体ウェハ１０は、連なった状態でその周縁
部がスライス台１０ａに接着されており、半導体ウェハ
１０相互間の間隙２０内に油脂分と砥粒とが混ざったス
ラリー状の付着物９が入り込んでいる。
【０００９】ノズル固定台１２は、スライス台１０ａに
そって切断前の半導体インゴットの長手軸方向（矢印
Ａ）で移動するように設けられ、これにより図１に示す
対称な状態を維持したまま噴射ノズル１ａ、１ｂが水平
方向に移動するため、エアー噴射１１ａ、１１ｂが全て
の間隙２０に噴射され、半導体ウェハ１０相互間の剥離
とその間の付着物９の除去がされる。
【００１０】図３に示すように、噴射ノズル１ａからの
エアー噴射１１ａは円錐形で、この吹き出し角度θは約
３０度になるように設定されて指向性を有することか
ら、半導体ウェハ１０相互間の間隙２０に確実に吹き込
むことができる。尚、噴射ノズル１ｂは噴射ノズル１ａ
と同じタイプのものが使用されている。
【００１１】また、ノズル固定台１２は、半導体ウェハ
１０を保持して搬送する洗浄装置のリフター（図示せ
ず）に取り付けることにより、半導体ウェハ１０の洗浄
工程内で各洗浄の間にエアーブローすることができ、こ
れにより付着物９を効率よく且つ確実に除去できる。
【００１２】実施例２ 図４は実施例２の噴射ノズルからのエアーの噴射を示す
部分斜視図である。図４に示すように、実施例２の噴射
ノズル２からのエアー噴射２１は、半導体ウェハ１０の
切断面にそって扇状に広がり、平たい形状で吹き出すよ
うに形成され、半導体ウェハ１０相互間の間隙全体にエ
アーを吹き込むことができる。
【００１３】実施例３ 図５は実施例３のエアーブロー装置を示す模式図であ
る。図５に示すように、実施例３のエアーブロー装置の
噴射ノズル３ａ、３ｂは上記実施例１と同様に半導体ウ
ェハ１０の中心線ｃを挟んでほぼ対称に配置されている
が、それぞれの噴射角度は変化するように設けられてい
る。これにより半導体ウェハ１０の切断面全体にエアー
噴射３１ａ、３１ｂが噴射され、より効率的に付着物を
落とすことができる。
【００１４】実施例４ 図６は実施例４のエアーブロー装置を示す模式図であ
る。図６に示すように、実施例４のエアーブロー装置に
は、２対の噴射ノズル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが設けら
れ、それぞれ半導体ウェハ１０を挟んで片側に位置する
噴射ノズル４ａと噴射ノズル４ｂ、噴射ノズル４ｃと噴
射ノズル４ｄは互いに異なる噴射方向に設定されてい
る。これにより半導体ウェハ１０の切断面全体にエアー
噴射４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄが噴射され、効率
的に付着物を落とすことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
ワイヤーソーにより切断された半導体ウェハの間隙にエ
アーを吹きつけることにより、半導体ウェハ同士を剥離
させると共に、油脂分と砥粒を除去することができる。
これにより、洗浄工程において半導体ウェハ相互間の間
隙まで確実に洗浄できるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のエアーブロー装置を示す模式図あ
る。
【図２】実施例１のエアーブロー装置の側面図である。
【図３】実施例１の噴射ノズルからのエアーの噴射を示
す部分斜視図である。
【図４】実施例２の噴射ノズルからのエアーの噴射を示
す部分斜視図である。
【図５】実施例３のエアーブロー装置を示す模式図であ
る。
【図６】実施例４のエアーブロー装置を示す模式図であ
る。
【符号の説明】
１ａ‥‥噴射ノズル １ｂ‥‥噴射ノズル １１ａ‥エアー噴射 １１ｂ‥エアー噴射 １２‥‥スライス台 １０‥‥半導体ウェハ ２０‥‥間隙 ９‥‥‥付着物 ２‥‥‥噴射ノズル ２１‥‥エアー噴射 ３ａ‥‥噴射ノズル ３ｂ‥‥噴射ノズル ３１ａ‥エアー噴射 ３１ｂ‥エアー噴射 ４ａ‥‥噴射ノズル ４ｂ‥‥噴射ノズル ４ｃ‥‥噴射ノズル ４ｄ‥‥噴射ノズル ４１ａ‥エアー噴射 ４１ｂ‥エアー噴射 ４１ａ‥エアー噴射 ４１ａ‥エアー噴射

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体インゴットをワイヤーソーにより
    切断した後に、切断された半導体ウェハ相互間の間隙に
    その外周方向からエアーを吹きつけるエアーブロー装置
    において、前記エアーが一定角度以下の指向性をもって
    吹き出すように形成された噴出ノズルを設け、該噴出ノ
    ズルが半導体インゴットの長手方向に移動できるように
    設けたことを特徴とする半導体ウェハのエアーブロー装
    置。
  2. 【請求項２】 半導体インゴットをワイヤーソーにより
    切断した後に、切断された半導体ウェハ相互間の間隙に
    その外周方向からエアーを吹きつけるエアーブロー装置
    において、前記エアーが一定角度以下の指向性をもって
    吹き出すように形成された少なくとも１対の噴出ノズル
    を設け、該噴出ノズルを前記半導体ウェハをはさんだ両
    側の対抗した位置に配置し、前記噴出ノズルがこの対抗
    した位置を維持しながら前記半導体インゴットの長手方
    向に移動できるように設けたことを特徴とする半導体ウ
    ェハのエアーブロー装置。
  3. 【請求項３】 少なくとも１対の噴出ノズルの吹きつけ
    方向が半導体ウェハの中心部をはさんでほぼ対称になる
    ように配置したことを特徴とする請求項２記載の半導体
    ウェハのエアーブロー装置。
  4. 【請求項４】 噴出ノズルからのエアーの吹き出し形状
    が、略円錐形に形成され、その開口角度が３０度以下で
    あることを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウ
    ェハのエアーブロー装置。
  5. 【請求項５】 噴出ノズルからのエアーの吹き出し形状
    が、半導体ウェハの切断面にそって扇状に広がるように
    形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の半
    導体ウェハのエアーブロー装置。
  6. 【請求項６】 噴出ノズルからのエアーの吹き出し方向
    を、半導体ウェハの切断面にそって角度可変に設けたこ
    とを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェハの
    エアーブロー装置。
  7. 【請求項７】 半導体ウェハの少なくとも片側に複数の
    噴出ノズルが設けられ、それぞれの前記噴射ノズルの半
    導体ウェハに対する吹きつけ位置が異なるように配置し
    たことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハのエア
    ーブロー装置。
  8. 【請求項８】 半導体ウェハを保持して搬送するリフタ
    ーに噴出ノズルが設けられたことを特徴とする請求項１
    または２記載の半導体ウェハのエアーブロー装置。
JP8204066A 1996-06-29 1996-06-29 半導体ウェハのエアーブロー装置 Pending JPH1022238A (ja)

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US08/884,852 US6018884A (en) 1996-06-29 1997-06-30 Air blow apparatus for a semiconductor wafer

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6427747B1 (en) * 1997-06-16 2002-08-06 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of separating sample and substrate fabrication method
JP2003503845A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション 化学機械研磨またはプラズマ処理の後にウエハを洗浄するための方法およびシステム
JP2003512196A (ja) * 1999-10-16 2003-04-02 エーシーアール オートメーション イン クリーンルーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 板状基板を分離して引き離すための方法および装置
JP2007320649A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Sanko Kikai Kk 角錐パック用自動包装機の製袋機構
JP2014232741A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 パナソニック株式会社 切り残し部除去装置
KR101986915B1 (ko) * 2017-12-11 2019-06-07 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳의 그라인딩 장치 및 이에 적용된 홀더
WO2020153307A1 (ja) * 2019-01-21 2020-07-30 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10030431A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-10 Karl Suess Kg Praez Sgeraete F Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten
US20080011333A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Rodgers Michael C Cleaning coating dispensers
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
WO2010120491A2 (en) * 2009-04-01 2010-10-21 Cabot Microelectronics Corporation Self-cleaning wiresaw apparatus and method
CN106040671B (zh) * 2016-07-25 2019-03-19 昆明冶金研究院 一种清洁高效的铅电解阳极残极清理装置
SG11202112216YA (en) * 2019-06-06 2021-12-30 Tokuyama Corp Method for cutting polycrystalline silicon rod, method for manufacturing cut rod of polycrystalline silicon rod, method for manufacturing nugget of polycrystalline silicon rod, and polycrystalline sil

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4941490A (en) * 1989-03-10 1990-07-17 Stanley Gross Low temperature apparatus for cleaning jewelry and gems

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6427747B1 (en) * 1997-06-16 2002-08-06 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method of separating sample and substrate fabrication method
JP2003503845A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション 化学機械研磨またはプラズマ処理の後にウエハを洗浄するための方法およびシステム
JP4667687B2 (ja) * 1999-06-25 2011-04-13 ラム リサーチ コーポレーション 化学機械研磨またはプラズマ処理の後にウエハを洗浄するための方法およびシステム
JP2003512196A (ja) * 1999-10-16 2003-04-02 エーシーアール オートメーション イン クリーンルーム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 板状基板を分離して引き離すための方法および装置
JP4731077B2 (ja) * 1999-10-16 2011-07-20 シュミット テクノロジー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 板状基板を分離して引き離すための方法および装置
JP2007320649A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Sanko Kikai Kk 角錐パック用自動包装機の製袋機構
JP2014232741A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 パナソニック株式会社 切り残し部除去装置
KR101986915B1 (ko) * 2017-12-11 2019-06-07 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳의 그라인딩 장치 및 이에 적용된 홀더
WO2020153307A1 (ja) * 2019-01-21 2020-07-30 株式会社東京精密 ウェーハ剥離洗浄装置
CN113302720A (zh) * 2019-01-21 2021-08-24 株式会社东京精密 晶圆剥离清洗装置

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Publication number Publication date
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TW330161B (en) 1998-04-21

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