JPH10221698A - ペーストパターン形成装置および液晶パネル製造装置 - Google Patents

ペーストパターン形成装置および液晶パネル製造装置

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JPH10221698A
JPH10221698A JP2184597A JP2184597A JPH10221698A JP H10221698 A JPH10221698 A JP H10221698A JP 2184597 A JP2184597 A JP 2184597A JP 2184597 A JP2184597 A JP 2184597A JP H10221698 A JPH10221698 A JP H10221698A
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JP
Japan
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substrate
paste
amount
nozzle
application
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JP2184597A
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Inventor
Tadayoshi Ikehara
忠好 池原
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上へのペースト塗布量を塗布開始点から
塗布終了点まで任意の塗布量に制御し、塗布量の精度及
び安定性を向上させる。 【解決手段】 ペースト容器に設けられたノズルの吐出
口と、ノズルに対向して保持された基板とのギャップを
制御しながら、ペーストをノズルから吐出し、ノズルと
基板とを水平方向に相対移動させて、基板上にペースト
パターンを形成するペーストパターン形成装置で、所定
の相対速度Vに対して任意のポイントP4からP5 の間
で相対速度をV1 に変更することにより、ポイントP4
からP5 までの基板上への塗布量を、ポイントP1 から
3 間、P6 からP8 間に対して減少させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上にノズルか
らペーストを吐出させながら基板とノズルとを相対的に
移動させることにより、基板上に所定のペーストパター
ンを形成するペーストパターン形成装置に関し、特に、
液晶パネルの組立工程において基板上にシールパターン
を形成する液晶パネルの製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ペーストを基板上に塗布する装置におい
て、基板上の塗布量を安定させる方法として、特開平2
−52742号公報に記載されるように、ノズルと基板
とのギャップの値を一定に制御する方法が取られてい
る。この方法を、図8を用いて説明する。図8におい
て、ノズル1内にはペーストが充填されており、エア圧
制御ユニット6で所定のエア圧を加えることにより、ペ
ーストがノズル1から吐出され、ノズル1と基板2との
相対移動により基板2上にペーストパターン3を形成す
る。同時にノズル1に固定された距離センサ5により基
板2との距離を計測し、このデータを基に図示しない機
構によりノズル1を上下方向に移動させて、ノズル1と
基板2とのギャップ4の値をあらかじめ設定した値に保
持する方法が取られている。ノズル1を上下方向に移動
させずに固定した場合に、ノズル1と基板2とのギャッ
プ4が変動する要因としては、基板2を保持するテーブ
ルの平面度及び傾き、基板2の平面度及び平行度等が考
えられる。
【0003】また、特開平7−84268号公報には、
液晶パネルを構成するシール剤の形成方法に関して、塗
布開始点及び塗布終了点での塗布量を制御する方法、塗
布中のコーナー部分での塗布量を制御する方法が記載さ
れている。図9を用いて塗布開始点及び塗布終了点での
塗布量制御方法を説明し、図10を用いてコーナー部分
での塗布量を制御する方法を説明する。
【0004】図9(a)はノズルに印加するエア圧、
(b)は基板上に塗布されたペーストの形状である。エ
ア圧0の基準Oに対し、塗布開始点P1 では、塗布中の
定常エア圧レベルAより高いレベルHの圧力を時間T1
だけ印加し、塗布終了点P2 では、定常エア圧レベルA
を印加後にAより低い真空のエア圧レベルLの真空圧を
時間T2 だけ印加する方法である。
【0005】図10において、横軸はノズルと基板との
ギャップ値、縦軸は基板上へのペースト塗布量である。
同図から、ギャップ値の変化により塗布量が変化する領
域と変化しない領域、つまり、塗布量変動領域と塗布量
安定領域があることがわかる。これから、コーナー部分
を塗布する場合に、ギャップ値を塗布量変動領域内の値
に設定することにより、塗布量を減らす、つまり、制御
しようとするものであった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術による、印加圧力を変えることによって塗布量を
制御する手段では、特に高粘度材料の塗布において、印
加圧力の変化に対する塗布量の変化が時間的に遅れ、さ
らには塗布量の変化にばらつきがあるために、形状的に
安定せず、また、設定圧力及び印加時間等の条件設定項
目が多く条件だしが困難であるという課題を有してい
た。
【0007】また、図11に示すように、上記従来技術
における、塗布量変動領域を使用して塗布量を制御する
方法では、塗布量のばらつきが塗布量安定領域を使用し
た場合に比べて大きくなる。これは、塗布量変動領域
が、ギャップ値の僅かな変動により塗布量が変化する領
域であるためである。このため、安定した塗布量を得る
ことができない。
【0008】そこで、本発明は、基板上へのペーストの
塗布において、複雑な制御を必要とすることなく、塗布
開始点から塗布終了点までの塗布量の精度・安定性を向
上させたペーストパターン形成装置を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
ペースト容器に設けられたノズルの吐出口とノズルに対
向して保持された基板とのギャップ値を制御しながら、
ペースト容器に充填されたペーストを吐出し、ノズルと
基板とを水平方向に相対移動させて、基板上にペースト
によるパターンを形成するペーストパターン形成装置に
おいて、前記ノズルと前記基板との水平方向の相対移動
速度を相対移動中に変更することを特徴とする。
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のペ
ーストパターン形成装置において、前記相対移動速度の
値に連動させて前記ギャップ値を変化させることを特徴
とする。
【0011】請求項3記載の発明は、請求項1記載のペ
ーストパターン形成装置において、前記ノズルからの前
記ペーストの吐出量の変化に対して前記相対速度を設定
することを特徴とする。
【0012】請求項4記載の発明は、液晶パネルの製造
装置において、請求項1ないし3のいずれか記載のペー
ストパターン形成装置を組み込んだことを特徴とする。
【0013】
【作用】請求項1記載の発明では、ノズルと基板との相
対移動速度を相対移動中に変更することにより、基板上
の任意の位置における塗布量を制御することが可能とな
る。
【0014】請求項2記載の発明では、基板上の塗布量
の変化に合わせてノズルと基板とのギャップ値を変化さ
せることにより、塗布量のばらつきを解消し、安定性を
向上させることができる。
【0015】請求項3記載の発明では、塗布開始点及び
塗布終了点でのペーストの吐出量の変化に対して、ノズ
ルと基板との相対速度を設定することにより、塗布開始
点及び塗布終了点での塗布量を制御することができる。
【0016】請求項4記載の発明では、液晶パネルの構
成要素であるシール剤を塗布開始点から塗布終了点まで
任意の塗布量で形成でき、塗布量の安定性を向上させる
ことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に基づいて詳細
に説明する。
【0018】(実施例1)図1は本発明によるペースト
パターン形成方法の第1の実施例の説明図であり、
(a)はノズルと基板が相対移動したときにノズルが基
板に対して移動する軌跡形状を示し、(b)はノズルと
基板との水平方向の相対速度の変化を示し、(c)は基
板上に塗布されたペーストパターンの形状を示す。
【0019】図1(a)において、P1 、P2 〜P8
軌跡上のポイントを示しており、P1 は軌跡の始点、つ
まり塗布開始点、P8 は軌跡の終点、つまり塗布終了点
であり、また、P1 〜P4 は直線、P4 〜P5 はコーナ
ー、P5 〜P8 は直線を示している。また、P2 、P3
及びP6 、P7 は一連の直線部分の中間点を示してい
る。
【0020】図1(b)において、横軸はノズルと基板
の相対移動の距離を示し、P1 〜P8 の各ポイントは、
図1(a)のP1 〜P8 の各ポイントに対応している。
縦軸は各ポイント間の相対速度の値である。ここに示す
ように、塗布開始点P1 で相対移動が開始され、P2
相対速度Vの等速状態となり、コーナー直前のP3 から
相対速度を大きくしてコーナー始点のP4 でV1 の等速
状態となり、コーナー終点のP5 で速度が小さくなり、
6 で再び速度Vとなり、塗布終了点の直前P7 で減速
を始め、塗布終了点P8 で相対移動終了となる。この結
果、図1(c)に示すようにポイントP4 からP5 の間
の塗布量をポイントP1 からP3 間、P6 からP8 間に
対して減少させることができる。
【0021】図4は、ノズルと基板との相対速度の違い
による基板へのペースト塗布量の変化を示す図であり、
横軸はノズルと基板との相対速度を示し、縦軸は基板上
のペースト塗布量を示している。図4から、ノズルと基
板との相対速度が小さくなれば塗布量は大きくなること
がわかる。このとき、速度が半分になれば塗布量は倍に
なるという関係がある。つまり、速度と塗布量は反比例
する。
【0022】以上から、ノズルと基板との相対速度を変
えることにより、基板上の塗布量を制御することが可能
であり、しかも、相対速度と塗布量は反比例の関係にあ
るため、ある1条件で評価を行うだけで全体を把握する
ことができる。
【0023】従って、本実施例により、基板上の任意の
一部分に対する塗布量を非常に簡便に精度よく制御する
ことが可能となる。
【0024】(実施例2)図2は本発明によるペースト
パターン形成方法の第2の実施例の説明図である。図2
(a)は塗布開始点から塗布終了点に至るまでのノズル
と基板との相対速度の変化を示し、P1 は塗布開始点、
6 は塗布終了点である。相対速度V1 は定常速度であ
り、P2 からP3 間でV2 に上昇し、P4 からP5 間で
3 に下降している。図2(b)は図2(a)の速度変
化で塗布を行ったときの基板上のペーストの塗布量変化
を示している。P2 からP3 間では塗布量A1 に対して
2に減少し、P4 からP5 間でA3 に増加する。これ
は、図4の説明に基づくものである。図2(c)は一連
の動作中におけるノズルと基板とのギャップ値の変化で
ある。図2(a)、(b)、(c)のポイントP1 〜P
6 は、それぞれ対応している。
【0025】ここで、図2(c)のようにギャップ値を
制御する必要性について、図5を用いて説明する。図5
はノズルと基板とのギャップ値の変化に対する基板への
ペースト塗布量を示す図であり、横軸がギャップ値、縦
軸が塗布量である。図5内の条件1の太線と条件2の細
線は、ペーストへの印加圧力、ノズルと基板との相対速
度等の違いにより塗布量安定領域での塗布量が異なる場
合を示している。図示したように、塗布量安定領域での
塗布量が異なっても、ギャップ値が安定領域以下では、
ギャップ値の変化により塗布量が変動し、そのため、僅
かなギャップの変化でも塗布量が変動してしまうことに
なり、塗布量を安定させる目的では使用困難な領域とな
る。ギャップ値が安定領域では、ギャップ値の変化に対
して塗布量の変化は小さく安定している。
【0026】また、同じペーストであれば、図5内条件
1と条件2のように安定領域での塗布量が変化すること
によりギャップ値変化に対する塗布量安定領域は変化
し、塗布量が小さいほど安定領域は狭くなる。従って、
ギャップ値の設定を安定領域の中間とする場合、条件1
ではギャップ値をG1 に、条件2ではG2 に設定するこ
とにより基板上への塗布量を安定させることができる。
【0027】以上から、図2において、図2(a)に示
すように、ノズルと基板との相対速度を変えることによ
り、図2(b)のように基板上への塗布量を制御するこ
とが可能となるが、さらに、図2(c)に示すようにノ
ズルと基板とのギャップ値を、塗布量が増える場合には
大きくし、塗布量が減る場合には小さくすることにより
塗布量を安定させることが可能となる。ギャップ値の変
更は塗布量に合わせる必要があるが、塗布量は相対速度
により決まるので、図4に示した相対速度と塗布量の関
係から設定値を決定することができる。
【0028】なお、印加圧力、相対速度等の変化による
絶対塗布量は、ペーストの粘度等の特性により異なって
くるが、各条件に対する塗布量変化の傾向に違いはな
い。
【0029】(実施例3)図3は本発明によるペースト
パターン形成方法の第3の実施例の説明図である。図3
(a)は、塗布終了点直前で、ペーストに印加した圧力
を大気圧に開放した後のノズルからの吐出量の変化と、
その時のノズルと基板との相対速度の変化を示してお
り、図3(b)は、図3(a)の状態での基板上のペー
ストの塗布形状を示している。図3のように、本実施例
では、ペーストへの印加圧力を開放した後のペーストの
吐出量の変化と、その時のノズルと基板との相対速度の
変化とを合わせることにより、塗布終了点までの塗布量
を均一にしている。以下、これらについて図6を用いて
説明する。
【0030】まず、図6に一般的なペーストパターン形
成における塗布終了点の塗布形状について示す。図6中
の実線は塗布終了前後のノズルからのペースト吐出量の
変化を示しており、ペーストの粘度等の特性により異な
るが、吐出量が減少をはじめてから止るまでには一定の
時間がかかる。一例を上げると、粘度が500(Pa.
S)程度のエポキシ系接着剤の場合で、0.15(秒)
程度の時間がかかる。図6中の点線はノズルと基板との
相対速度の変化を示しており、減速をはじめてから停止
するまでにはやはり時間がかかるが、一般的には吐出量
の変化と同じになることはない。ここでは、吐出量の変
化に比べて、相対速度の減速から停止までの時間が短い
場合について説明する。
【0031】図6(a)は、ノズルと基板の相対移動の
停止時間とノズルからの吐出の停止する時間が一致する
場合である。図6(a)のように吐出量の減少が始って
も相対速度が減少しない時間があり、この結果、基板上
に塗布されたペーストの量は徐々に減少する。しかも、
ノズルと基板との間にギャップがあるため塗布終了点の
手前で塗布が終了する状態となる。
【0032】図6(b)は、相対速度が減速をはじめる
時間とペーストの吐出量が減少をはじめる時間が一致す
る場合である。図6(b)のようにテーブルの停止後に
もペーストの吐出が続いている状態ができる。この結
果、塗布終了点ではペーストの塗布量が多くなる。ま
た、この状態でノズルが上昇するとノズル先端にペース
トが付着し、このペーストが次の塗布開始点の塗布量を
多くする原因となる。
【0033】図6(a)及び(b)の状態の他にも、吐
出量と相対速度の変化を時間的にずらすことにより、塗
布終了点の形状を変化させることが可能であるが、塗布
終了点まで均一な塗布量を得るのは困難である。
【0034】次に、ノズルからの吐出量、ノズルと基板
との相対速度、基板上への塗布量の関係について図4を
用いて説明する。
【0035】図4で示した、ノズルと基板との相対速度
と塗布量の説明図において、条件1と条件2はペースト
への印加圧力の違いによるものであり、条件1の方が条
件2よりも印加圧力が大きくノズルからの吐出量として
は約2倍となる場合について示している。この条件にお
いて、相対速度Vが同じV1 であれば、塗布量は変化す
ることがわかる。また、吐出量が条件1の状態で相対速
度をV1 に、吐出量が条件2の状態で相対速度をV2
することにより、基板上の塗布量としては同量のA1
得られることがわかる。ここで、条件1の吐出量が条件
2の吐出量の2倍であることから、相対速度V1 はV2
の2倍となる。つまり、塗布量を一定とする場合、ノズ
ルからのペーストの吐出量と、ノズルと基板との相対速
度は比例する。なお、印加圧力によるノズルからの吐出
量は、ペーストの粘度等の特性により異なってくるが、
各条件の変化に対する塗布量変化の傾向に違いはない。
【0036】以上から、基板上への塗布量が同じ場合に
は、ノズルからの吐出量と、ノズルと基板の相対速度と
の間には比例の関係があるため、何らかの要因によって
吐出量が変化した場合に塗布量を一定にするためには、
相対速度を吐出量変化に比例させて変化させれば良いこ
とになる。
【0037】従って、図3で示した、ペーストに印加し
ていた圧力を大気圧に開放した後のペーストの吐出量変
化に対して、その変化に合わせて相対速度を変化させて
やれば、基板上には常に一定の塗布量を得ることができ
ることになる。つまり、吐出量の減少が始まったところ
で相対速度を減速させ、吐出がとまったところで相対速
度をゼロにする。これにより、塗布終了点まで均一な塗
布を行うことができる。また、この結果、塗布終了点で
ノズルが上昇した後のノズル先端にペーストが付着する
こともなく、次の塗布開始点で塗布量が多くなることが
解消できる。
【0038】しかしながら、塗布開始側においても、ノ
ズルからの吐出量の増加傾向と、ノズルと基板との相対
速度の上昇傾向と一致しないため、塗布開始側において
も塗布終了点側と同様、吐出量の変化にあわせて相対速
度を変化させることにより均一な塗布を行うことができ
る。
【0039】なお、本発明によれば、塗布開始点及び塗
布終了点において均一な塗布量が得られるばかりでな
く、ペーストの吐出量変化に対して相対速度の変化傾向
を変えることにより、あらゆる形状を実現可能である。
【0040】(実施例4)図7は本発明による液晶パネ
ルの製造装置の第4の実施例の説明図である。図7
(a)は液晶パネルの主要構成要素を説明する図であ
り、表面にTFT素子あるいはカラーフィルター等の薄
膜形成処理を施したガラス基板8、ガラス基板7と、ガ
ラス基板8とガラス基板7を貼り合わせるための接着剤
の役割をするシール剤9とで構成されている。シール剤
9の形状としては様々あるが、いずれの場合にも、塗布
開始点11から塗布終了点12までの塗布量を制御する
ことが要求される。例えば、円弧部分のみ塗布量を小さ
くしたり、あるいは大きくしたり、また塗布開始点1
1、塗布終了点12の塗布量を小さくしたり、というこ
とが考えられる。このように塗布量を制御するために
は、実施例1ないし3が有効になる。
【0041】図7(b)には、貼り合わせ後の液晶パネ
ルの断面図を示す。ガラス基板7、ガラス基板8、シー
ル剤9により構成されるエリアに液晶10を入れること
により液晶パネルの組み立てが行われる。シール剤9に
は、一般的に熱硬化型、あるいは紫外線硬化型の接着剤
が使用されている。
【0042】また、図7では簡略化のために、ガラス基
板1枚に対してシール剤を1パターンとしたが、実際に
はガラス基板1枚に多数のシール剤パターンを形成する
ことになる。
【0043】
【発明の効果】請求項1記載の発明では、ノズルと基板
との相対移動速度を相対移動中に変更することにより、
基板上の任意の位置における塗布量を制御することが可
能となる。
【0044】請求項2記載の発明では、基板上の塗布量
の変化に合わせてノズルと基板とのギャップ値を変化さ
せることにより、塗布量のばらつきを解消し、安定性を
向上させることができる。
【0045】請求項3記載の発明では、塗布開始点及び
塗布終了点でのペーストの吐出量の変化に対して、ノズ
ルと基板との相対速度を設定することにより、塗布開始
点及び塗布終了点での塗布量を制御することができる。
【0046】請求項4記載の発明では、液晶パネルの構
成要素であるシール剤を塗布開始点から塗布終了点まで
任意の塗布量で形成でき、塗布量の安定性を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板上への塗布量制御方法を示す
図。
【図2】本発明による塗布量安定方法を示す図。
【図3】本発明による塗布終了点の塗布量制御方法を示
す図。
【図4】相対速度による塗布量を示す図。
【図5】ギャップ値変化による塗布量安定領域を示す
図。
【図6】相対速度と吐出量による塗布形状を示す図。
【図7】液晶パネルの構成を示す図。
【図8】従来のペーストパターン形成装置の要部を示す
図。
【図9】従来の塗布開始点及び塗布終了点の形状の説明
図。
【図10】従来の塗布量変動を示す図。
【図11】従来のペースト塗布量及びばらつきを示す
図。
【符号の説明】
1 ノズル 2 基板 3 ペーストパターン 4 ギャップ 5 距離センサ 6 エア圧制御ユニット 7 ガラス基板 8 ガラス基板 9 シール剤 10 液晶 11 塗布開始点 12 塗布終了点

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ペースト容器に設けられたノズルの吐出
    口と該ノズルに対向して保持された基板とのギャップ値
    を制御しながら、該ペースト容器に充填されたペースト
    を吐出し、該ノズルと該基板とを水平方向に相対移動さ
    せて、該基板上に該ペーストによるパターンを形成する
    ペーストパターン形成装置において、前記ノズルと前記
    基板との水平方向の相対移動速度をパターン形成中に変
    更することを特徴とするペーストパターン形成装置。
  2. 【請求項2】 前記相対移動速度の値に連動させて前記
    ギャップ値を変化させることを特徴とする請求項1記載
    のペーストパターン形成装置。
  3. 【請求項3】 前記ノズルからのペーストの吐出量の変
    化に対して前記相対速度を設定することを特徴とする請
    求項1記載のペーストパターン形成装置。
  4. 【請求項4】 前記請求項1ないし3のいずれか記載の
    ペーストパターン形成装置を組み込んだことを特徴とす
    る液晶パネル製造装置。
JP2184597A 1997-02-04 1997-02-04 ペーストパターン形成装置および液晶パネル製造装置 Withdrawn JPH10221698A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605315B1 (en) 1999-11-05 2003-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding paste applicator and method of using it
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