JPH10220966A - Base plate baking device - Google Patents

Base plate baking device

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JPH10220966A
JPH10220966A JP2371597A JP2371597A JPH10220966A JP H10220966 A JPH10220966 A JP H10220966A JP 2371597 A JP2371597 A JP 2371597A JP 2371597 A JP2371597 A JP 2371597A JP H10220966 A JPH10220966 A JP H10220966A
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substrate
temperature
base plate
heating
detection
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Masahiro Nakagawa
正弘 中川
Atsushi Ito
淳 伊藤
Yoshiyuki Inaba
善幸 稲葉
Youji Satou
羊治 佐藤
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KYUSHU NORITAKE KK
Noritake Co Ltd
Original Assignee
KYUSHU NORITAKE KK
Noritake Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an RHK in which a lack of sensing for a position of a base plate is hardly produced. SOLUTION: A baking device is constructed to include a base plate position sensing device 110 arranged to detect the base plate position at a front part or at a front part or a rear part in a transporting direction of a base plate 10 in each of driving sections and positioned to detect a predetermined base plate detecting point P set at a position between the rollers 42 in a non- contacted state from a direction inclined by an angle θ in respect to the upper surface of the base plate 10. Due to this fact, since the detecting direction is not in parallel with the upper surface of the base plate 10, the base plate detecting point P is displaced to cause the base plate 10 to be hardly displaced from a range capable of being detected and a lack of detection of the base plate position even in the case that the base plate 10 is displaced in a vertical direction due to a warp on a swelling of the rollers 42 and the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ローラで順次搬送
する過程で基板に熱処理を施すための焼成装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking apparatus for subjecting a substrate to heat treatment in the process of sequentially transporting the substrate by rollers.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数の被焼成物を支持して一方向に順次
搬送する過程で、それら複数の被焼成物に熱処理を施す
形式のトンネル状の焼成装置の一つとして、互いに平行
に配置されてそれぞれ軸心回りに回転駆動される複数本
のローラによって複数の被焼成物を支持して順次搬送す
る所謂ローラハースキルン(以下、RHKという)が知
られている。このようなRHKにおいては、メッシュベ
ルトで搬送する場合のような炉体内部における摺動がな
くそれに伴う塵埃が発生し得ないため、被焼成物の汚染
が生じ難いという利点がある。特に、ローラがセラミッ
クスから構成される場合には、炉体内において被焼成物
が金属と接触させられないことから、一層汚染が抑制さ
れる。そのため、以下のような高いクリーン度の下で焼
成することが望まれる被焼成物の焼成炉として好適に用
いられている。
2. Description of the Related Art In the process of supporting a plurality of objects to be fired and sequentially transporting the objects in one direction, the plurality of objects to be fired are arranged in parallel with each other as one of tunnel-type firing apparatuses in which heat treatment is performed. A so-called roller hearth kiln (hereinafter referred to as RHK) that supports and sequentially conveys a plurality of objects to be fired by a plurality of rollers that are respectively driven to rotate around the axis is known. Such an RHK has the advantage that the object to be fired is less likely to be contaminated because there is no sliding inside the furnace body as in the case of conveying by a mesh belt, and no dust can be generated therewith. In particular, when the roller is made of ceramic, the object to be fired is not brought into contact with the metal in the furnace, so that the contamination is further suppressed. For this reason, it is suitably used as a firing furnace for an object to be fired which is desired to be fired under the following high cleanliness.

【0003】例えば、ソーダライムガラスに代表される
ガラス製基板やアルミナに代表されるセラミックス基板
の上に、金属或いは無機材料をガラスボンド成分の溶融
や、材料自体の軟化、溶融、或いは焼結により、所定の
機能を生じる膜が固着されたりするような、膜形成素材
を含む基板が知られている。蛍光表示管の陽極基板、プ
ラズマディスプレイパネル用基板、プラズマアドレス液
晶表示装置のプラズマスイッチング基板、フィールドエ
ミッション表示装置用基板などの表示デバイス用基板、
厚膜配線基板、或いはサーマルプリンターヘッドやイメ
ージセンサ等の電子デバイス用基板がそれである。この
ような電子デバイス用基板には、一般に、基板自体のア
ニールのためやガラス素材を結合剤として応用した機能
材料の膜形成のために、500 乃至650(℃) 程度の熱処理
が施され、セラミック基板においてはガラス素材を結合
剤として応用した機能材料の膜形成、或いは金属材料自
体の界面の溶融を応用した機能材料の膜形成のために例
えば500 乃至900(℃) 程度の熱処理が施される。このよ
うな膜形成素材を含む基板において、所望の機能を得る
ためには高い品質の膜が形成されることが望まれること
から製造過程における汚染が大きな問題となるため、焼
成炉にも高いクリーン度が要求されるのである。
For example, a metal or inorganic material is melted on a glass substrate represented by soda lime glass or a ceramic substrate represented by alumina by melting a glass bond component or softening, melting, or sintering the material itself. A substrate including a film forming material to which a film having a predetermined function is fixed is known. Display device substrates such as an anode substrate for a fluorescent display tube, a substrate for a plasma display panel, a plasma switching substrate for a plasma addressed liquid crystal display device, and a substrate for a field emission display device;
This is a thick film wiring substrate or a substrate for an electronic device such as a thermal printer head or an image sensor. Such a substrate for an electronic device is generally subjected to a heat treatment of about 500 to 650 (° C.) to anneal the substrate itself or to form a film of a functional material using a glass material as a binder. On the substrate, a heat treatment of, for example, about 500 to 900 (° C.) is performed to form a film of a functional material using a glass material as a binder or to form a film of a functional material using melting of an interface of the metal material itself. . Since a high-quality film is desired to be formed on a substrate containing such a film-forming material in order to obtain a desired function, contamination in a manufacturing process is a major problem. Degree is required.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のRH
Kでは、ローラの回転が基板との間の摩擦力によって伝
達されることに基づいてその基板が搬送される。そのた
め、ローラと基板との滑りに起因する搬送ムラが生じ
て、順次搬送される基板が相互に干渉して損傷し得ると
いう問題がある。すなわち、ローラは必ずしも軸心が回
転軸心と一致した状態で支持されていないことから、複
数本のローラの各々毎に回転角度位置に応じた周速度の
変動が生じ得る。特に、ローラがセラミックスから構成
される場合には、ステンレス鋼等から成る金属製ローラ
に比較して反りやうねり等が大きいことから、このよう
な周速度の変動は一層生じ易くなる。また、基板の搬送
面として機能するローラの上面は、反りやうねり等の存
在によって必ずしも一平面上に位置させられていないこ
とから、他のローラによって形成される搬送面よりも上
側に位置するローラは搬送抵抗を生じさせ、下側に位置
するローラは基板に回転力を伝達し得ないことから駆動
力の低下をもたらす。したがって、これらの要因によ
り、ローラと基板との滑りが生じ得るのである。
The above-mentioned RH
In K, the substrate is transported based on the fact that the rotation of the roller is transmitted by frictional force with the substrate. Therefore, there is a problem in that uneven transport due to slippage between the roller and the substrate occurs, and the sequentially transported substrates may interfere with each other and be damaged. In other words, since the rollers are not necessarily supported with their axes aligned with the rotation axis, fluctuations in the peripheral speed according to the rotation angle position may occur for each of the plurality of rollers. In particular, when the roller is made of ceramics, such fluctuations in the peripheral speed are more likely to occur because the roller is more warped or undulated than a metal roller made of stainless steel or the like. Further, since the upper surface of the roller functioning as the substrate transfer surface is not necessarily located on one plane due to the presence of warpage or undulation, the roller located above the transfer surface formed by the other rollers Causes transport resistance, and lower rollers cannot transmit a rotational force to the substrate, resulting in a reduction in driving force. Therefore, these factors can cause slippage between the roller and the substrate.

【0005】そこで、一般に、RHKにおいては、搬送
方向における基板位置を一乃至数箇所で非接触で検出す
る基板位置検出装置が備えられ、その検出結果に基づい
てローラの回転速度を搬送方向の複数の区分毎に制御す
ることが行われている。この基板位置検出装置は、例え
ば、RHKの左右の側壁に光電検出装置(光電スイッ
チ)を構成する一対の投受光器が設けられ、基板の搬送
方向前側端部を検出するように構成されている。RHK
は、前述のように高いクリーン度が要求されることから
用いられているため、基板位置検出装置を設けることに
よるクリーン度の低下等が生じないように、非接触で光
学的に基板を検出し得る光電検出装置が好適に用いられ
るのである。なお、基板がそれよりも大きい面積のセッ
タ上に載置された状態で搬送される場合には、基板位置
検出装置によってそのセッタの端部が検出される。
Therefore, in general, the RHK is provided with a substrate position detecting device that detects the substrate position in the transport direction at one or several places in a non-contact manner, and based on the detection result, determines the rotation speed of the roller in a plurality of directions. The control is performed for each section. This substrate position detecting device is provided with, for example, a pair of light emitting and receiving devices constituting a photoelectric detecting device (photoelectric switch) on the left and right side walls of the RHK, and is configured to detect a front end of the substrate in the transport direction. . RHK
Is used because a high degree of cleanliness is required as described above, so that the provision of a substrate position detecting device does not cause a decrease in cleanliness, etc. The obtained photoelectric detection device is suitably used. When the substrate is transported while being placed on a larger area setter, the substrate position detector detects the end of the setter.

【0006】しかしながら、上記従来の基板位置検出装
置は、光電検出装置の投光器の光軸がローラの軸心方向
と平行となるように、すなわち基板表面と平行となるよ
うに設けられて、光電検出装置の投光器から射出された
光が、基板或いはセッタの搬送方向に沿った側部端面に
よって遮られることにより基板位置が検出されるように
構成されていた。そのため、前述のような用途に用いら
れる基板や、その基板が載置されるセッタの厚さは、そ
れらの合計寸法でも数(mm)乃至十数(mm)程度と薄いもの
である一方、前述のようにローラの上面が反りやうねり
等によって必ずしも一平面上に位置させられていないこ
とから、検出位置において基板が光軸から外れた上側或
いは下側に位置させられると、検出漏れが生じ得るとい
う問題があった。
However, the above-mentioned conventional substrate position detecting device is provided so that the optical axis of the projector of the photoelectric detecting device is parallel to the axial direction of the roller, that is, parallel to the substrate surface. The position of the substrate is detected by blocking the light emitted from the projector of the apparatus by the side end surface of the substrate or the setter in the transport direction. Therefore, the thickness of the substrate used for the above-mentioned applications and the setter on which the substrate is placed is as thin as several (mm) to several tens (mm) even in the total size thereof, As described above, since the upper surface of the roller is not necessarily located on one plane due to warpage or undulation, if the substrate is located above or below the optical axis at the detection position, detection leakage may occur There was a problem.

【0007】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、基板位置の検出
漏れが生じ難いRHKを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an RHK in which a detection of a substrate position is hardly omitted.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成するた
め、本発明の要旨とするところは、互いに平行に配置さ
れてそれぞれ軸心回りに回転駆動される複数本のローラ
によって複数の基板を支持して一方向に順次搬送する過
程でそれら複数の基板に熱処理を施す形式のトンネル状
の焼成装置であって、(a) 前記基板の搬送方向の一部に
おいてその基板の位置を検出するために設けられ、前記
ローラ相互の間の位置に設定された所定の基板検出点
を、該基板の上面に対して所定角度傾斜する方向から非
接触で検出するように位置させられた基板位置検出装置
を、含むことにある。
In order to achieve the above object, the gist of the present invention is to form a plurality of substrates by a plurality of rollers arranged in parallel with each other and each driven to rotate around an axis. A tunnel-shaped baking apparatus of a type in which a plurality of substrates are subjected to heat treatment in a process of supporting and sequentially transporting the substrates in one direction, and (a) detecting a position of the substrate in a part of the substrate in a transport direction. And a substrate position detecting device positioned so as to detect a predetermined substrate detection point set at a position between the rollers in a non-contact manner from a direction inclined at a predetermined angle with respect to the upper surface of the substrate. Is included.

【0009】[0009]

【発明の効果】このようにすれば、トンネル状の焼成装
置は、基板の搬送方向の一部においてその基板位置を検
出するために設けられ、ローラ相互の間の位置に設定さ
れた所定の基板検出点を、その基板の上面に対して所定
角度傾斜する方向から非接触で検出するように位置させ
られた基板位置検出装置を含んで構成される。そのた
め、検出方向が基板上面と平行とされていないことか
ら、ローラの反りやうねり等に起因して基板が上下に変
位させられた場合にも、実質的に基板検出点が変位する
ことによって基板が検出可能な範囲から外れ難いため、
基板位置の検出漏れが抑制される。
As described above, the tunnel-shaped baking apparatus is provided for detecting the position of the substrate in a part of the substrate transport direction, and the predetermined substrate set at a position between the rollers. It is configured to include a substrate position detection device positioned so as to detect the detection point in a non-contact manner from a direction inclined at a predetermined angle with respect to the upper surface of the substrate. Therefore, since the detection direction is not parallel to the upper surface of the substrate, even when the substrate is displaced up and down due to the warpage or undulation of the roller, the substrate detection point is substantially displaced by the displacement of the substrate detection point. Is hardly out of the detectable range,
The detection omission of the substrate position is suppressed.

【0010】[0010]

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記基板の焼成
装置は、(b) 前記複数の基板の各々に順次均熱処理を施
すために前記一方向に並んで熱的に分割して設けられて
それぞれ均熱制御される複数の加熱区分と、(c) 前記基
板をそれら加熱区分毎に設けられた複数の停止位置に順
次搬送する搬送装置とを更に含み、前記基板検出点は、
それら複数の停止位置の各々に設けられる。
In another embodiment of the present invention, preferably, the substrate baking apparatus comprises: (b) thermally dividing the substrates in the one direction so as to sequentially perform a soaking treatment on each of the plurality of substrates. A plurality of heating sections that are provided and each of which is controlled so as to further control the temperature, and (c) further including a transfer device that sequentially transfers the substrate to a plurality of stop positions provided for each of the heating sections,
Each of the plurality of stop positions is provided.

【0011】このようにすれば、基板の焼成装置には、
一方向に並んで熱的に分割して設けられてそれぞれ均熱
制御される複数の加熱区分と、基板をそれら複数の加熱
区分毎に設けられた複数の停止位置に順次搬送する搬送
装置とが備えられ、前記基板検出点は、それら複数の停
止位置の各々に設けられる。そのため、基板は、熱処理
の過程において一方向に順次搬送される過程で複数の加
熱区分の各々において順次均熱されるが、複数の加熱区
分の各々においては、各々の停止位置に設けられた基板
検出点において前記基板位置検出装置によって基板が検
出されることにより、それら各々設定された停止位置に
停止させられる。したがって、基板内の温度ばらつきを
可及的に小さくするために複数の加熱区分毎に均熱され
つつ基板が熱処理される場合において、可及的に高い均
熱状態が得られるように設定される停止位置に基板が停
止させられることから、基板内の温度ばらつきが一層抑
制される。
[0011] In this case, the substrate baking apparatus includes:
A plurality of heating sections that are provided so as to be thermally divided and arranged so as to be arranged in one direction, and each of which is controlled in temperature uniformity, and a transfer device that sequentially transfers the substrate to a plurality of stop positions provided for each of the plurality of heating sections. And the substrate detection point is provided at each of the plurality of stop positions. Therefore, while the substrate is sequentially conveyed in one direction in the course of the heat treatment, the substrate is sequentially soaked in each of the plurality of heating sections. In each of the plurality of heating sections, the substrate detection provided at each stop position is performed. At a point, the substrate is detected by the substrate position detecting device, and is stopped at the respectively set stop position. Therefore, when the substrate is heat-treated while being soaked for each of the plurality of heating sections in order to minimize the temperature variation in the substrate, the temperature is set so as to be as high as possible. Since the substrate is stopped at the stop position, temperature variations in the substrate are further suppressed.

【0012】上記により、例えば、膜形成素材を含む基
板を熱処理する場合においても、基板内の温度のばらつ
きが可及的に小さくされるので、基板がガラス製である
場合にあってその歪点以上の温度で熱処理される場合
は、基板内の寸法の局部的変化すなわち形成パターンの
ゆがみが可及的に小さくされるので、次工程以降のパタ
ーンとの位置ずれが防止されて、精細なパターンや大型
基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高められる。ま
た、基板の表面に厚膜誘電体層、隔壁状誘電体層、厚膜
抵抗層、電極層、無機着色顔料層が設けられる場合にあ
っては、それら厚膜内のボンド成分として機能するガラ
スの溶融、軟化の程度が一様となって、また金属−金属
酸化物系の溶融、焼結の程度が一様となって、それぞれ
耐電圧品質、隔壁の高さおよび幅寸法、抵抗値、放電品
質、光学的フィルター特性のばらつきなどが好適に小さ
くされ、大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高
められる。さらに、上記のように抵抗値のばらつきが小
さくされる結果、工程の管理負荷や、トリミングなどの
工程が削減され或いは負荷が軽減される。
As described above, for example, even when a substrate including a film forming material is subjected to a heat treatment, variation in temperature within the substrate is reduced as much as possible. When the heat treatment is performed at the above temperature, local changes in dimensions within the substrate, that is, distortion of the formed pattern are minimized, so that positional deviation from the pattern in the next step and subsequent steps is prevented, and a fine pattern is formed. Even with large substrates, the manufacturing yield can be dramatically improved. When a thick-film dielectric layer, a partition-like dielectric layer, a thick-film resistance layer, an electrode layer, and an inorganic coloring pigment layer are provided on the surface of the substrate, glass that functions as a bond component in those thick films The degree of melting and softening becomes uniform, and the degree of melting and sintering of the metal-metal oxide system becomes uniform, respectively, withstand voltage quality, height and width dimensions of the partition, resistance value, Discharge quality, variations in optical filter characteristics, and the like are suitably reduced, and the production yield is dramatically improved even for large substrates. Further, as described above, as a result of reducing the variation in the resistance value, the management load of the process and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.

【0013】因みに、近年では、上記のような膜形成素
材を含む基板は、その表面にパターニング形成される導
体、抵抗、誘電体などの多層化および細密化が図られる
とともに、特に、前記表示デバイス用基板では表示面積
の大型化に伴って比較的大きな寸法のものを製造するこ
とが必要となっている。そのため、表示デバイス用基板
では大きな寸法に亘って細密にパターン形成することが
要求されるとともに、前記電子デバイス用基板では、機
能を発生させる膜に与えられるパターン空間が細密化す
ることによって品質の確保のために膜の均一性が一層要
求される。しかしながら、基板の焼成によってもたらさ
れる品質への影響は、上記のように大型となる程大きく
なり、それらのばらつきが製品設計上の制約となった
り、製品の歩留まりを低下させる一因となっていた。
Incidentally, in recent years, a substrate including the above-mentioned film forming material has been designed to be multilayered and miniaturized, such as a conductor, a resistor, and a dielectric, formed on the surface thereof. It is necessary to manufacture substrates having relatively large dimensions as the display area becomes larger. Therefore, a display device substrate is required to form a fine pattern over a large dimension, and in the electronic device substrate, quality is secured by reducing a pattern space given to a film for generating a function. Therefore, uniformity of the film is further required. However, the influence on the quality brought by the baking of the substrate becomes larger as the size becomes larger as described above, and the variation thereof has become a constraint on the product design or has been a factor that reduces the product yield. .

【0014】例えば、熱処理に伴って基板素材そのもの
の膨張或いは収縮による寸法変動がある場合は、機能を
有する膜のパターニング後に行われる焼成毎のパターン
間の位置合わせが困難となる。また、抵抗層においては
抵抗値のばらつき、誘電体層においては耐電圧のばらつ
きや残存率の不均一による厚み寸法のばらつき、導体層
においては導通抵抗およびワイヤボンディング性やスパ
ッタリング性などのばらつきが大きくなる。これらパタ
ーン間の位置合わせの一致性および層品質の均一性は、
精細なパターンとなる程或いは基板が大型となる程、維
持することが困難となり、製品歩留まりが加速度的に低
下するという不都合があった。したがって、例えば40イ
ンチ以上の大型表示装置としてのプラズマディスプレイ
用基板を例にとると、次のような歩留まり低下要因があ
る。すなわち、多数のセルを形成する多層構造の各層の
寸法精度が確保できない、障壁の高さおよび幅の寸法の
ばらつきが生じる、抵抗付セルにおいては抵抗値のばら
つきを生じる、誘電体層においては耐電圧にばらつきを
生じる、全体的な寸法ばらつきはフロント板とリヤ板と
を組み合わせて放電セルを形成するときにズレを生じ
る、などである。本発明者等の研究結果によれば、この
ような問題は厚膜に含まれる金属、無機材料の溶融或い
は焼結状態、機能成分を固着させるために低下されるガ
ラスボンド成分、或いは誘電体にあってはガラス成分そ
のものの軟化或いは溶融状態が基板内において局部的に
相違することによって生じることから、熱処理の過程に
おいては、基板内の温度分布が可及的に均一となること
が望まれるのである。
For example, if there is a dimensional change due to expansion or contraction of the substrate material itself due to the heat treatment, it becomes difficult to align the patterns between firings performed after patterning of a film having a function. In addition, the resistance layer has a large variation in resistance value, the dielectric layer has a large variation in thickness due to withstand voltage variation and non-uniform residual ratio, and the conductive layer has large variations in conduction resistance and wire bonding properties and sputtering properties. Become. The alignment consistency and uniformity of layer quality between these patterns
As the pattern becomes finer or the substrate becomes larger, it becomes more difficult to maintain the pattern, and there is an inconvenience that the product yield decreases at an accelerated rate. Therefore, for example, in the case of a plasma display substrate as a large display device having a size of 40 inches or more, there are the following factors that lower the yield. That is, the dimensional accuracy of each layer of the multi-layer structure forming a large number of cells cannot be secured, the height and width of the barrier vary, the resistance of the resistive cell varies, and the dielectric layer has resistance. Variations in voltage and overall dimensional variations include deviations when forming a discharge cell by combining a front plate and a rear plate. According to the research results of the present inventors, such a problem is caused by the metal contained in the thick film, the molten or sintered state of the inorganic material, the glass bond component reduced to fix the functional component, or the dielectric. Since the softening or melting state of the glass component itself is locally different in the substrate, it is desired that the temperature distribution in the substrate be as uniform as possible during the heat treatment. is there.

【0015】また、好適には、前記基板位置検出装置
は、前記基板検出点を含み且つ前記基板の搬送方向に垂
直な面内に設けられているものである。このようにすれ
ば、搬送されている基板は、搬送方向に垂直な基板検出
点を含む面内で検出されることから、ローラの反りやう
ねり等によって基板位置が上下に変位させられた場合に
も、基板検出点は専らその搬送方向に垂直な面内でのみ
変位させられる。したがって、搬送方向において予め設
定された所定位置において確実に基板が検出されて、搬
送間隔や間歇搬送される場合の停止位置の変化が一層抑
制される。なお、ここで、「基板位置検出装置は、・・
・・・面内に設けられている」とは、基板位置検出装置
のうち、実際に基板検出のために機能する部分が上記面
内に設けられていることを意味し、例えば、光電検出装
置等によって光学的に基板位置を検出する場合において
は、投光器の光軸がその面内に位置させられていること
を意味する。
Preferably, the substrate position detecting device is provided in a plane including the substrate detecting point and perpendicular to a transport direction of the substrate. With this configuration, the substrate being transported is detected in a plane including a substrate detection point perpendicular to the transport direction, so that when the substrate position is displaced up and down due to warpage or undulation of the rollers, etc. Also, the substrate detection point is displaced exclusively in a plane perpendicular to the transport direction. Therefore, the substrate is reliably detected at a predetermined position set in advance in the transport direction, and a change in a transport interval or a stop position when intermittent transport is performed is further suppressed. In addition, here, "The board position detecting device is ...
.. ”Provided in the plane” means that, of the substrate position detection device, a portion that actually functions for substrate detection is provided in the surface, and for example, a photoelectric detection device In the case where the substrate position is optically detected by, for example, this means that the optical axis of the light projector is positioned in the plane.

【0016】また、好適には、前記所定角度は、1 乃至
6 度である。なお、上記所定角度は、例えば90度とする
ことも可能である。ただし、この場合は、基板の上面に
垂直な上下方向に基板位置検出装置が備えられるが、通
常、上下位置にはヒータが備えられることから、ヒータ
との干渉を避け得る焼成装置の側面、すなわち90度より
も小さい角度とするほうが、基板位置検出装置を設ける
ことが容易となるため好ましい。
Preferably, the predetermined angle is 1 to
6 degrees. The predetermined angle may be, for example, 90 degrees. However, in this case, although the substrate position detecting device is provided in the vertical direction perpendicular to the upper surface of the substrate, usually, since the heater is provided in the vertical position, the side of the firing device that can avoid interference with the heater, that is, It is preferable to set the angle smaller than 90 degrees because it is easy to provide the substrate position detecting device.

【0017】また、好適には、前述のように複数の加熱
区分が設けられる場合において、前記基板は、各加熱区
分内における均熱中において前記一方向に沿って往復移
動させられ、前記基板検出点は、各加熱区分内において
搬送方向後方側に設けられる往復移動の停止位置にも設
けられる。このようにすれば、基板内の温度ばらつきを
一層抑制するために各加熱区分における均熱中に基板が
往復移動させられる場合にも、予め設定された往復移動
範囲でその基板が確実に往復移動させられる利点があ
る。
Preferably, in the case where a plurality of heating sections are provided as described above, the substrate is reciprocated along the one direction during the soaking in each heating section, and the substrate detection point is provided. Is also provided at a reciprocation stop position provided on the rear side in the transport direction in each heating section. In this way, even when the substrate is reciprocated during the soaking in each heating section in order to further suppress the temperature variation in the substrate, the substrate is surely reciprocated within the preset reciprocation range. There are advantages.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0019】図1、図2、図3は、本発明の基板の焼成
装置の一実施例であって、基板10を一方向へ順次搬送
する過程で焼成を施す形式の連続型焼成装置12の構成
を示しており、図1は正面図、図2は炉体の幅方向中央
を通り長手方向に沿った断面図、図3(a) 〜(e) はそれ
ぞれ図2におけるa−a乃至e−e視断面をそれぞれ示
す図である。図において、それぞれ独立に駆動される第
1搬送装置14、複数の第2搬送装置16a、16b、
〜16f(以下、特に区別しないときは単に第2搬送装
置16という)、第3搬送装置18が直列に配置されて
おり、基板10は、それら第1搬送装置14、第2搬送
装置16、第3搬送装置18によって一方向に搬送され
ることにより、トンネル状の炉体20a、20b(以
下、特に区別しないときは単に炉体20という)内を通
過させられるようになっている。
FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 show an embodiment of a substrate baking apparatus according to the present invention, in which a continuous baking apparatus 12 of a type for performing baking in the process of sequentially transporting a substrate 10 in one direction. FIG. 1 is a front view, FIG. 2 is a cross-sectional view along the longitudinal direction passing through the center of the furnace body in the width direction, and FIGS. 3 (a) to 3 (e) are aa to e in FIG. It is a figure which shows each e-view cross section. In the figure, a first transport device 14 and a plurality of second transport devices 16a, 16b, each of which is independently driven,
To 16f (hereinafter, simply referred to as a second transport device 16 when not particularly distinguished) and a third transport device 18 are arranged in series, and the substrate 10 is placed on the first transport device 14, the second transport device 16, By being conveyed in one direction by the three-conveying device 18, it can be passed through tunnel-shaped furnace bodies 20 a and 20 b (hereinafter, simply referred to as furnace body 20 unless otherwise distinguished).

【0020】上記トンネル状の炉体20は、例えば内壁
がβ−スポジュメン系結晶化ガラス等の耐熱ガラスから
構成されたものである。炉体20a内には、基板10を
最高処理温度まで加熱すると共にその過程で基板10上
に印刷形成された膜に含まれているバインダ(樹脂)を
燃焼除去するための予熱ゾーン(予熱部)22と、基板
10をその最高処理温度で所定時間保持するための加熱
ゾーン(加熱部)24と、基板10を徐々に冷却するた
めの徐冷ゾーン(徐冷部)26とが設けられており、炉
体20b内には、基板10を常温付近まで冷却するため
の冷却ゾーン(冷却部)28が設けられている。
The tunnel-shaped furnace body 20 has an inner wall made of a heat-resistant glass such as a β-spodumene crystallized glass. In the furnace body 20a, a preheating zone (preheating unit) for heating the substrate 10 to a maximum processing temperature and burning and removing a binder (resin) contained in a film formed on the substrate 10 in the process. 22, a heating zone (heating unit) 24 for holding the substrate 10 at its maximum processing temperature for a predetermined time, and a slow cooling zone (slow cooling unit) 26 for gradually cooling the substrate 10 are provided. A cooling zone (cooling unit) 28 for cooling the substrate 10 to around room temperature is provided in the furnace body 20b.

【0021】前記第1搬送装置14は、上記予熱ゾーン
22および加熱ゾーン24に対応する位置に設けられて
いる。この第1搬送装置14は、炉体20aの下方に設
けられて連続的に駆動される減速機付モータ30の回転
を、チェーン32、および一軸線上に設けられた複数本
のラインシャフト34a、34b、〜34e(以下、特
に区別しないときは単にラインシャフト34という)を
介して、炉体20aの長手方向に沿って一定の間隔で設
けられた複数のマイタギア36a、36b、〜36f
(以下、特に区別しないときは単にマイタギア36とい
う)に伝達し、それら複数のマイタギア36によってそ
れぞれ分担される駆動区分38a、38b、38c、3
8d(以下、特に区別しないときは単に駆動区分38と
いう)、駆動区分40a、40b(以下、特に区別しな
いときは単に駆動区分40という)毎に、図2に示され
るように炉体20aを水平方向に貫通して設けられてい
る複数本のローラ42を回転させることにより、そのロ
ーラ42上に乗せられた基板10を例えば300(mm/min)
程度の第1の搬送速度で連続的に搬送するものである。
The first transfer device 14 is provided at a position corresponding to the preheating zone 22 and the heating zone 24. The first transfer device 14 controls the rotation of a motor 30 with a speed reducer, which is provided below the furnace body 20a and is continuously driven, by a chain 32 and a plurality of line shafts 34a, 34b provided on one axis. , To 34e (hereinafter simply referred to as a line shaft 34 when not particularly distinguished), a plurality of miter gears 36a, 36b, to 36f provided at regular intervals along the longitudinal direction of the furnace body 20a.
(Hereinafter, simply referred to as a miter gear 36 unless otherwise specified), and the drive sections 38a, 38b, 38c, 3
8d (hereinafter simply referred to as drive section 38 unless otherwise distinguished) and drive sections 40a and 40b (hereinafter simply referred to as drive section 40 when not particularly distinguished) as shown in FIG. By rotating a plurality of rollers 42 provided so as to penetrate in the direction, the substrate 10 placed on the rollers 42 is moved to, for example, 300 (mm / min).
It is to convey continuously at a first conveyance speed of the order.

【0022】なお、駆動区分40bに対応するマイタギ
ア36fは、ワンウェイカップリングを介してラインシ
ャフト34eに接続されていると共に、そのラインシャ
フト34eと反対側位置において更にワンウェイカップ
リングを介して減速機付モータ44が接続されている。
モータ44は、第2搬送装置16に同期してラインシャ
フト34よりも速い回転速度で間歇的に駆動されるもの
である。そのため、マイタギア36fは、モータ44の
停止中にはラインシャフト34eの回転が伝達されてマ
イタギア36eと同様な速度で駆動されるが、モータ4
4の駆動中はその回転のみが伝達されて、駆動区分40
b内のローラ42上の基板10が前記の第1の搬送速度
(例えば300[mm/min] 程度)よりも速い例えば5000(mm/
min)程度の第2の搬送速度で搬送される。
The miter gear 36f corresponding to the drive section 40b is connected to the line shaft 34e via a one-way coupling, and is further provided with a speed reducer via a one-way coupling at a position opposite to the line shaft 34e. The motor 44 is connected.
The motor 44 is intermittently driven at a higher rotation speed than the line shaft 34 in synchronization with the second transport device 16. Therefore, while the motor 44 is stopped, the rotation of the line shaft 34e is transmitted to drive the miter gear 36f at the same speed as the miter gear 36e.
4, only the rotation is transmitted and the drive section 40 is driven.
For example, 5000 (mm / min), which is higher than the first transport speed (for example, about 300 [mm / min]), on the roller 42 in the roller 42b.
min) at a second conveyance speed of about.

【0023】また、複数の第2搬送装置16は、それぞ
れ独立して間歇的に駆動される減速機付モータ46a、
46b、〜46f(以下、特に区別しないときは単にモ
ータ46という)を備えたものであり、図2に示される
各駆動区分48毎に設けられた複数本のローラ42を軸
心回りに右回りおよび左回りに回転させるように構成さ
れている。そのため、基板10を図の右方向に搬送する
際には、その搬送速度が例えば5000(mm/min)程度の第2
の搬送速度となるように右回りに回転駆動されるが、後
述のように各加熱室R内で基板10を均熱する際には、
1300(mm/min)程度の第3の搬送速度で基板10が往復移
動させられるように、右回りおよび左回りに交互に反転
駆動される。
Further, the plurality of second transporting devices 16 are each independently driven intermittently by a motor 46a with a speed reducer,
46b and 46f (hereinafter, simply referred to as a motor 46 unless otherwise specified), and a plurality of rollers 42 provided for each drive section 48 shown in FIG. And it is configured to rotate counterclockwise. Therefore, when the substrate 10 is transported rightward in the figure, the second transport speed is, for example, about 5000 (mm / min).
Is rotated clockwise so as to have a transfer speed of. When the substrate 10 is uniformly heated in each heating chamber R as described later,
The substrate 10 is alternately rotated clockwise and counterclockwise so that the substrate 10 is reciprocated at a third transfer speed of about 1300 (mm / min).

【0024】また、第3搬送装置18は、図1から明ら
かなように、第1搬送装置14においてマイタギア36
の個数を減じ、炉体20の長手方向の前後が反転された
構成とされている。すなわち、駆動区分40bと同様な
構成の駆動区分50a、駆動区分38b等と同様な構成
の駆動区分50b、および駆動区分38aと同様な構成
の駆動区分50cから構成されている。そのため、炉体
20bの下方に備えられた減速機付モータ52の回転が
チェーン54、ラインシャフト34g、および34fを
介してマイタギア36i、36h、および36gに伝達
されることにより、それぞれの駆動区分50に備えられ
ているローラ42が回転させられる。また、徐冷ゾーン
26に隣接する駆動区分50aでは、駆動区分40bと
同様に、減速機付モータ56の回転がワンウェイカップ
リングを介して伝達されることにより、それに属するロ
ーラ42が間歇的に他のローラ42よりも速い速度すな
わち第2搬送装置16に同期した速度で駆動される。
Further, as apparent from FIG. 1, the third transfer device 18 includes a miter gear 36 in the first transfer device 14.
Are reduced, and the longitudinal direction of the furnace body 20 is reversed. That is, the driving section 50a has the same configuration as the driving section 40b, the driving section 50b having the same configuration as the driving section 38b, and the driving section 50c having the same configuration as the driving section 38a. Therefore, the rotation of the motor with reduction gear 52 provided below the furnace body 20b is transmitted to the miter gears 36i, 36h, and 36g via the chain 54, the line shafts 34g, and 34f, so that the respective drive sections 50 Is rotated. Further, in the drive section 50a adjacent to the slow cooling zone 26, similarly to the drive section 40b, the rotation of the motor 56 with the speed reducer is transmitted via the one-way coupling, so that the roller 42 belonging thereto is intermittently switched to the other. Are driven at a speed higher than the speed of the rollers 42, that is, a speed synchronized with the second transporting device 16.

【0025】図3に戻って、炉体20を水平方向に貫通
して設けられた前記複数本のローラ42は、例えば円筒
状のアルミナ製ローラである。炉体20の側部外側には
一対の軸受け58、58(図3(a) のみに図示)が設け
られており、これにローラ42と同軸的に設けられた回
転軸60がそれぞれ支持されている。ローラ42は、そ
れぞれこれら一対の回転軸60、60に両側から挟まれ
た状態で支持されており、駆動区分38、40、50に
おいては、図において省略されているマイタギア36
等、ラインシャフト34等、および各駆動区分38等毎
にマイタギア36等と複数本の回転軸60との間にそれ
ぞれ巻き掛けられたチェーン61を介して、前記モータ
30の回転がそれら複数本の回転軸60に伝達され回転
させられると、その回転軸60の回転に伴って回転させ
られる。すなわち、マイタギア36等は、直接にはこの
回転軸60を駆動している。また、駆動区分48におい
ては、それぞれ備えられているモータ46の回転がその
モータ46と複数本の回転軸60との間に巻き掛けられ
たチェーン61を介して伝達されることにより、その回
転軸60の回転に伴ってローラ42が回転させられる。
なお、図3(a) は、図2におけるa−a視断面に対応す
る図であるが、a2 −a2 視断面も同様な断面形状であ
る。前記基板10は、炉体20内においてこのローラ4
2に支持されている。そのため、ローラ42が回転させ
られるとその回転に伴って一方向に搬送されることとな
る。このとき、第1搬送装置14および第3搬送装置1
8が設けられている予熱ゾーン22、加熱ゾーン24、
冷却ゾーン28においてはローラ42が連続的に回転さ
せられて基板10が連続的に搬送される一方、第2搬送
装置16が設けられている徐冷ゾーン26においてはロ
ーラ42が間歇的に回転させられて基板10が間歇的に
搬送されることとなる。すなわち、本実施例において
は、第2搬送装置16が間歇搬送装置すなわち請求の範
囲でいう「搬送装置」に相当する。
Referring back to FIG. 3, the plurality of rollers 42 provided to penetrate the furnace body 20 in the horizontal direction are, for example, cylindrical alumina rollers. A pair of bearings 58, 58 (shown only in FIG. 3A) are provided on the outer side of the furnace body 20, and a rotating shaft 60 provided coaxially with the roller 42 is supported by the bearings 58, 58. I have. The roller 42 is supported in a state sandwiched between the pair of rotating shafts 60, 60 from both sides. In the drive sections 38, 40, 50, the miter gear 36, which is omitted in the drawing, is provided.
The rotation of the motor 30 is performed by a chain 61 wound around the miter gear 36 and the plurality of rotating shafts 60 for each of the line shafts 34 and the driving sections 38 and the like. When transmitted to and rotated by the rotating shaft 60, the rotating shaft 60 rotates with the rotation of the rotating shaft 60. That is, the miter gear 36 and the like directly drive the rotating shaft 60. In the drive section 48, the rotation of the motor 46 provided is transmitted via a chain 61 wound around the motor 46 and a plurality of rotation shafts 60, thereby rotating the rotation shaft of the motor 46. The roller 42 is rotated with the rotation of 60.
Incidentally, FIG. 3 (a) is a view corresponding to a-a sectional view in FIG. 2, a 2 -a 2 sectional view is the same cross-sectional shape. The substrate 10 is placed in a furnace body 20 by the rollers 4.
2 supported. Therefore, when the roller 42 is rotated, it is transported in one direction with the rotation. At this time, the first transport device 14 and the third transport device 1
8, a preheating zone 22, a heating zone 24,
In the cooling zone 28, the rollers 42 are continuously rotated and the substrate 10 is continuously transported, while in the slow cooling zone 26 where the second transport device 16 is provided, the rollers 42 are rotated intermittently. As a result, the substrate 10 is intermittently transported. That is, in the present embodiment, the second transport device 16 corresponds to an intermittent transport device, that is, a “transport device” in the claims.

【0026】また、図1、図2、図3から明らかなよう
に、前記の予熱ゾーン22には、予熱ゾーン22内の温
度を検出するための複数の温度検出器TCが、前記の駆
動区分38毎に長手方向中央の幅方向の3位置において
上下に設けられると共に、炉体20の上側および下側に
複数のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立して制御
されるヒータHが、それぞれの駆動区分38毎に炉体2
0の長手方向および幅方向にそれぞれ4ゾーンずつ設け
られている。すなわち、図1乃至図3においては一部が
省略されているが、図4(a) に駆動区分38aについて
模式的に示すように、各駆動区分38毎に基板10の送
り方向Aおよびそれに直交する図示しないローラ42の
長手方向にそれぞれ4分割された合計16組のヒータH
1111、H 1112、H1113、H1114、H1121、H1122、H
1123、H1124、H1131、H1132、H 1133、H1134、H
1141、H1142、H1143、H1144(駆動区分38b、38
c、38dにはそれぞれH1211〜H1244、H1311〜H
1344、H1411〜H1444が備えられる)が炉体20の上下
において各一対として配設され、ヒータH1121とH1131
の間の位置、ヒータH1122、H1123、H1132、およびH
1133の間の位置、ヒータH 1124とH1134の間の位置にそ
れぞれ温度検出器TC111 、TC112 、TC113 (駆動
区分38b、38c、38dにはそれぞれTC121 〜T
123 、TC131 〜TC133 、TC141 〜TC143 )が
配設されている。図2に駆動区分38aの上側に一部に
ついて例示するように、各々の温度検出器TCおよびヒ
ータHは制御装置62に接続されており、温度検出器T
Cで検出された温度信号に従ってヒータHの出力が制御
される。
As is clear from FIGS. 1, 2 and 3,
The preheating zone 22 has a temperature within the preheating zone 22.
A plurality of temperature detectors TC for detecting the temperature.
At three positions in the width direction at the center in the longitudinal direction for each moving section 38
It is provided on the upper and lower sides and on the upper and lower sides of the furnace body 20.
Create multiple zones and control each zone independently
The heater H to be driven is supplied to the furnace body 2 for each drive section 38.
Four zones are provided in each of the longitudinal and width directions of 0
Have been. That is, in FIGS.
Although omitted, FIG. 4 (a) shows the driving section 38a.
As schematically shown, the transfer of the substrate 10 for each drive section 38 is performed.
Direction A and a roller 42 (not shown)
A total of 16 heaters H each divided into four in the longitudinal direction
1111, H 1112, H1113, H1114, H1121, H1122, H
1123, H1124, H1131, H1132, H 1133, H1134, H
1141, H1142, H1143, H1144(Drive sections 38b, 38
c and 38d each have H1211~ H1244, H1311~ H
1344, H1411~ H1444Is provided above and below the furnace body 20.
, And the heater H1121And H1131
Between heaters, heater H1122, H1123, H1132, And H
1133Between heaters, heater H 1124And H1134Between the positions
Each temperature detector TC111, TC112, TC113(Drive
Each of the sections 38b, 38c, 38d has a TC121~ T
Cone two Three, TC131~ TC133, TC141~ TC143)But
It is arranged. FIG. 2 shows a portion above the drive section 38a.
As illustrated in FIG.
H is connected to the control device 62, and the temperature detector T
Output of heater H is controlled according to temperature signal detected at C
Is done.

【0027】また、予熱ゾーン22には、炉体20aの
入口側の駆動区分38aの入口上部に給気管64が設け
られると共に、続く駆動区分38b、38c、38dの
基板10の搬送方向前方側に排気管66が設けられてい
る。これら給気管64および排気管66は、例えばロー
ラ42と同様なアルミナセラミックスから構成されて何
れも炉体20の幅方向に貫通するように設けられてい
る。給気管64は、その両端部において炉体20側面に
備えられている給気用配管68に接続されており、図示
しない空気供給源から導かれた空気を炉体20内に供給
する。また、排気管66は、その両端部において炉体2
0側面に備えられている排気用配管70に接続されてお
り、炉体20内に供給された空気はその内部を流れる過
程で複数の排気管66から吸い込まれ、排出口72から
排出される。これら給気管64および排気管66は、そ
れぞれ図5(a) 、(b) に示されるように丸穴状のノズル
74或いは長穴状のノズル76を複数箇所に備えたもの
である。
In the preheating zone 22, an air supply pipe 64 is provided above the inlet of the drive section 38a on the inlet side of the furnace body 20a, and is provided on the front side of the following drive sections 38b, 38c, 38d in the transport direction of the substrate 10. An exhaust pipe 66 is provided. The air supply pipe 64 and the exhaust pipe 66 are made of, for example, the same alumina ceramic as the roller 42 and are provided so as to penetrate in the width direction of the furnace body 20. The air supply pipe 64 is connected at both ends to an air supply pipe 68 provided on the side surface of the furnace body 20, and supplies air guided from an air supply source (not shown) into the furnace body 20. The exhaust pipe 66 is provided at both ends thereof with the furnace body 2.
The air supplied to the furnace body 20 is connected to the exhaust pipe 70 provided on the 0 side surface, and is sucked from the plurality of exhaust pipes 66 in the process of flowing through the inside of the furnace body 20 and is discharged from the discharge port 72. Each of the air supply pipe 64 and the exhaust pipe 66 has a round hole nozzle 74 or a long hole nozzle 76 at a plurality of positions as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b).

【0028】また、前記加熱ゾーン24には、加熱ゾー
ン24内の温度を検出するための複数の温度検出器TC
が、駆動区分40毎に炉体20の長手方向および幅方向
のそれぞれ3位置において上下に設けられると共に、炉
体20の上側、下側および両側面上部に複数のゾーンを
形成し且つそのゾーン毎に独立して制御されるヒータH
が、それぞれの駆動区分40毎に炉体20の長手方向に
4ゾーン、幅方向に両側面上部の各1ゾーンを含む6ゾ
ーンずつ設けられている。すなわち、図4(b)に示され
るように、各駆動区分40毎に基板10の送り方向Aお
よびそれに直交する図示しないローラ42の長手方向に
それぞれ4分割された合計16組のヒータH2111、H
2112、H2113、H2114、H2121、H2122、H2123、H
2124、H2131、H2132、H2133、H2134、H2141、H
2142、H2143、H2144が炉体20の上下において各一対
として配設されると共に、炉体20の幅方向両側の上部
側面において送り方向Aにそれぞれ4分割された(4組
の)ヒータH2115、H2125、H21 35、H2145、H2116
2126、H2136、H2146(駆動区分40bにはH2211
2246)が両側面で一対として配設されている。また、
ヒータH2111内、H2112とH2113との間、H2114内、H
2121とH2131との間、H2122、H2123、H2132、H 2133
の間、H2124とH2134との間、H2141内、H2142とH
2143との間、H2144内の位置にそれぞれ9組の温度検出
器TC2111、TC2112、TC2113、TC2121、T
2122、TC2123、TC2131、TC2132、TC2133(駆
動区分40bにはTC 2211〜TC2233)が上下に配設さ
れている。
The heating zone 24 includes a heating zone.
Temperature detectors TC for detecting the temperature in the
But the longitudinal direction and the width direction of the furnace body 20 for each drive section 40
The furnace is provided above and below at each of three positions.
Multiple zones on the upper, lower and upper sides of body 20
Heater H formed and independently controlled for each zone
However, in the longitudinal direction of the furnace body 20 for each drive section 40
6 zones including 4 zones, 1 zone each at the top of both sides in the width direction
Are provided. That is, as shown in FIG.
As described above, the feeding direction A and the
And in the longitudinal direction of the roller 42 (not shown)
A total of 16 heaters H divided into 4 parts each2111, H
2112, H2113, H2114, H2121, H2122, H2123, H
2124, H2131, H2132, H2133, H2134, H2141, H
2142, H2143, H2144Is a pair at the top and bottom of the furnace body 20
And upper portions on both sides in the width direction of the furnace body 20
Each side was divided into four in the feed direction A (4 sets
) Heater H2115, H2125, Htwenty one 35, H2145, H2116,
H2126, H2136, H2146(Drive section 40b has H2211~
H 2246) Are arranged on both sides as a pair. Also,
Heater H2111Of which, H2112And H2113Between, H2114Of which, H
2121And H2131Between, H2122, H2123, H2132, H 2133
During, H2124And H2134Between, H2141Of which, H2142And H
2143Between, H2144Nine sets of temperature detection at each position inside
Bowl TC2111, TC2112, TC2113, TC2121, T
C2122, TC2123, TC2131, TC2132, TC2133(Drive
TC in the moving section 40b 2211~ TC2233) Are arranged up and down
Have been.

【0029】また、前記の徐冷ゾーン26には、図2に
駆動区分48aについて示されるように、炉体20の長
手方向に沿って等間隔で複数のシャッタ装置S1 、S
2 、〜S7 (S1 、S2 のみ図示。以下、特に区別しな
いときは単にシャッタ装置Sという)が設けられてお
り、徐冷ゾーン26が駆動区分48a、48b、〜48
fにそれぞれ対応する複数例えば6つの第1加熱室R
1 、第2加熱室R2 、〜第6加熱室R6 (以下、特に区
別しないときは単に加熱室Rという)に分割されてい
る。本実施例においては、第1加熱室R1 乃至第6加熱
室R6 が相互に熱的に区分された複数の加熱区分に相当
する。なお、図に示されるように、シャッタ装置S1
駆動区分40bと48aとの間に、S2 は駆動区分48
aと48bとの間にそれぞれ設けられており、図示しな
い他のシャッタ装置は、S3 乃至S6 が駆動区分48b
乃至48f相互の間に、S7 が駆動区分48fと50a
との間にそれぞれ設けられている。
The slow cooling zone 26 includes a plurality of shutter devices S 1 , S at equal intervals along the longitudinal direction of the furnace body 20, as shown in the drive section 48a in FIG.
2 , to S 7 (only S 1 and S 2 are shown; hereinafter, unless otherwise distinguished, simply referred to as a shutter device S), and the slow cooling zone 26 is provided with drive sections 48 a, 48 b, to 48.
f, for example, six first heating chambers R respectively corresponding to f
1 , a second heating chamber R 2 , to a sixth heating chamber R 6 (hereinafter, simply referred to as a heating chamber R unless otherwise specified). In the present embodiment, the first heating chamber R 1 through sixth heating chamber R 6 correspond to the plurality of heating sections are thermally divided from each other. Incidentally, as shown in FIG, the shutter device S 1 between the drive segment 40b and 48a, S 2 is driven segment 48
are respectively provided between the a and 48b, the other shutter device (not shown), S 3 to S 6 are driven segment 48b
Or during 48f mutually, S 7 is driven classification 48f and 50a
And are provided between them.

【0030】上記のシャッタ装置Sは、図2に断面構造
を、図3(d) にシャッタ装置S2 を通る断面(図2にお
けるd−d視断面)をそれぞれ示すように、例えば炉体
20の長手方向に垂直な面内において上側内壁面から下
方に伸びる上側固定シャッタ78と、下側内壁面から上
方に伸びる下側固定シャッタ80と、平板状を成してそ
れらに平行に設けられ、ローラ42に平行な回動軸82
の軸心回りに回動させられる回動シャッタ84とを備え
たものである。回動軸82の炉外に突き出した部分の近
傍には、その回動軸82を軸心回りに回動させるための
エアシリンダ86が設けられている。このため、シャッ
タ装置Sは、エアシリンダ86の作動に従ってその回動
軸82が回動させられることにより、上下の固定シャッ
タ78、80間に形成された開口部88が回動シャッタ
84によって開放され或いは閉鎖され、加熱室R間を相
互に連通させ或いは遮蔽させる。なお、上側固定シャッ
タ78、下側固定シャッタ80、回動シャッタ84は何
れも内壁と同様な材質の耐熱ガラス製板等から構成され
ている。
The shutter device S described above, the cross-sectional structure in FIG. 2, as shown respectively (d-d sectional view in FIG. 2) cross-section through a shutter system S 2 in FIG. 3 (d), for example, a furnace body 20 An upper fixed shutter 78 extending downward from the upper inner wall surface in a plane perpendicular to the longitudinal direction, a lower fixed shutter 80 extending upward from the lower inner wall surface, and are provided in parallel with them in a flat plate shape. Rotary shaft 82 parallel to roller 42
And a rotation shutter 84 that can be rotated around the axis of the shutter. An air cylinder 86 for rotating the rotating shaft 82 around the axis is provided near the portion of the rotating shaft 82 protruding outside the furnace. Therefore, in the shutter device S, the opening 88 formed between the upper and lower fixed shutters 78 and 80 is opened by the rotating shutter 84 by rotating the rotating shaft 82 according to the operation of the air cylinder 86. Alternatively, the heating chambers R are closed or communicated with each other or shielded. The upper fixed shutter 78, the lower fixed shutter 80, and the rotating shutter 84 are all made of a heat-resistant glass plate or the like made of the same material as the inner wall.

【0031】上側固定シャッタ78および下側固定シャ
ッタ80は、それぞれ互いに平行に設けられた相互に高
さの異なる一対の耐熱ガラス製板から構成されており、
上記回動軸82は、上側固定シャッタ78の下端位置に
おいて一対の耐熱ガラス製板の間の位置に設けられ、回
動シャッタ84はその回動軸82から伸びて設けられて
いる。なお、上側固定シャッタ78は、複数本のローラ
42によって形成される基板10の搬送面(図6参照)
から例えば80(mm)程度の距離だけ離隔して位置させられ
ており、一方、下側固定シャッタ80は、搬送面から数
(mm)乃至十数(mm)程度の距離だけ離隔して位置させられ
ている。例えばPDP用のフロントプレートやリヤプレ
ートにおいては、基板10の厚さは、基板10を載せて
炉内を搬送するために通常用いられているセッタ138
(図9参照)の厚さを含めても10(mm)程度以下であっ
て、上記の上側固定シャッタ78と搬送面との距離に比
較して十分に薄いことから、基板10は、上側固定シャ
ッタ78および回動シャッタ84に干渉することなく加
熱室R間に設けられている開口部88を通過させられ
る。また、ローラ42相互の中心間隔gは、図に示され
るように各加熱室R内およびそれらの境界部において、
150(mm) 程度の一様な寸法に設定されている。
The upper fixed shutter 78 and the lower fixed shutter 80 are each composed of a pair of heat-resistant glass plates provided in parallel with each other and having different heights.
The rotating shaft 82 is provided at a lower end position of the upper fixed shutter 78 between the pair of heat-resistant glass plates, and the rotating shutter 84 is provided to extend from the rotating shaft 82. Note that the upper fixed shutter 78 is used to transfer the substrate 10 formed by the plurality of rollers 42 (see FIG. 6).
For example, the lower fixed shutter 80 is positioned at a distance of about 80 (mm) from the transport surface.
(mm) to several tens (mm). For example, in the case of a front plate or a rear plate for a PDP, the thickness of the substrate 10 is set by a setter 138 which is generally used for carrying the substrate 10 and transporting the inside of a furnace.
The substrate 10 is fixed on the upper side because it is not more than about 10 (mm) even when including the thickness (see FIG. 9) and is sufficiently thin compared to the distance between the upper fixed shutter 78 and the transfer surface. The light can pass through the opening 88 provided between the heating chambers R without interfering with the shutter 78 and the rotating shutter 84. Further, as shown in the figure, the center distance g between the rollers 42 is set in each heating chamber R and at the boundary between them.
It is set to a uniform size of about 150 (mm).

【0032】また、徐冷ゾーン26の各駆動区分48に
は、それぞれ前記制御装置62に制御されて各加熱室R
の温度を検出するための複数の温度検出器TCおよび各
加熱室Rを加熱するための複数のヒータHが、前記図4
(b) に示される前記加熱ゾーン24と同様な配設パター
ン(駆動区分48aにはTC3111〜TC3133およびH
3111〜H3146、駆動区分48bにはTC3211〜TC3233
およびH3211〜H3246、駆動区分48cにはTC3311
TC3333およびH3311〜H3346、駆動区分48dにはT
3411〜TC3433およびH3411〜H3446、駆動区分48
eにはTC3511〜TC3533およびH3511〜H3546、駆動
区分48fにはTC3611〜TC3633およびH3611〜H
3646)で設けられている。また、各加熱室R内には、基
板10の搬送方向後方側(上流側)に上部および下部か
ら冷却用空気を供給するための給気管90、90が備え
られると共に、その冷却用空気を搬送方向前方側(下流
側)の上部から排出するための排気管92とが設けられ
ている。これら給気管90および排気管92は、それぞ
れ予熱ゾーン22に設けられている給気管64、排気管
66と同様なものであり、丸穴状のノズル74或いは長
穴状のノズル76が設けられたアルミナセラミックス製
のチューブから構成されている。また、給気管90およ
び排気管92は、炉体20の外部に設けられた給気用配
管94および排気用配管96にそれぞれ接続されてお
り、給気管90に図示しない空気供給源から個々の加熱
室Rの給気用配管94毎に設けられた送気管98a、9
8b、〜98f(送気管98aのみ図示。以下、特に区
別しないときは単に送気管98という)を介して冷却用
空気が導かれると共に、排気管92から吸い込まれた各
加熱室R内の空気が排出口100から排出される。個々
の送気管98には電磁弁102a、102b、〜102
f(電磁弁102aのみ図示。以下、特に区別しないと
きは単に電磁弁102という)が設けられており、制御
装置62によって加熱室R内への給気が開始および停止
させられると共に給気量が調節される。なお、図におい
ては、加熱室Rの上下にそれぞれ設けられた給気管9
0、90が共通の送気管98に接続されているが、それ
ぞれ電磁弁102を備えた別々の送気管98に接続され
て独立に制御されてもよい。
Each drive section 48 of the slow cooling zone 26
Are controlled by the control device 62, and each heating chamber R
Temperature detectors TC for detecting the temperature of
A plurality of heaters H for heating the heating chamber R are provided in FIG.
An arrangement pattern similar to the heating zone 24 shown in FIG.
(The drive section 48a has a TC3111~ TC3133And H
3111~ H3146, Drive section 48b has TC3211~ TC3233
And H3211~ H3246, Drive section 48c has TC3311~
TC3333And H3311~ H3346, Drive section 48d has T
C3411~ TC3433And H3411~ H3446, Drive section 48
e is TC3511~ TC3533And H3511~ H3546, Drive
Class 48f has TC3611~ TC3633And H3611~ H
3646). In each heating chamber R, a base is provided.
The upper and lower portions are located on the rear side (upstream side) of the plate 10 in the transport direction.
Air supply pipes 90, 90 for supplying cooling air from
And the cooling air is transferred forward (downstream)
Side) and an exhaust pipe 92 for exhausting from the upper part
ing. These air supply pipe 90 and exhaust pipe 92 are respectively
Air supply pipe 64 and exhaust pipe provided in the preheating zone 22
66 is the same as that of the nozzle 74 having a round hole shape or a long nozzle.
Made of alumina ceramics provided with a hole-shaped nozzle 76
It consists of a tube. In addition, the air supply pipe 90 and
And an exhaust pipe 92 are provided for an air supply distribution provided outside the furnace body 20.
Connected to a pipe 94 and an exhaust pipe 96, respectively.
The heating of the individual air from the air supply source (not shown)
Air supply pipes 98a, 9 provided for each air supply pipe 94 in the chamber R
8b, to 98f (only the air supply pipe 98a is shown.
When not separate, simply cool through the air supply pipe 98)
While air is guided, each air sucked from the exhaust pipe 92 is
The air in the heating chamber R is discharged from the discharge port 100. individual
Solenoid valves 102a, 102b, 102
f (only the solenoid valve 102a is shown. Hereinafter, unless otherwise specified.
Is simply referred to as a solenoid valve 102).
Air supply into the heating chamber R is started and stopped by the device 62
And the air supply is adjusted. Please note that
Air supply pipes 9 provided above and below the heating chamber R, respectively.
0, 90 are connected to a common air line 98,
Each is connected to a separate air line 98 having a solenoid valve 102.
And may be controlled independently.

【0033】また、前記の冷却ゾーン28には、冷却ゾ
ーン28内の温度を検出するための温度検出器TC41
TC42、T43が、駆動区分50毎に炉体20長手方向中
央の幅方向中央位置において上側に設けられると共に、
炉体20の上側および下側にその幅寸法に略等しい長さ
を有する複数の冷却ジャケットCが、それぞれの駆動区
分50毎に炉体20の長手方向に3列ずつ設けられてい
る。冷却ジャケットCは、その内部に図1に示される冷
却水配管104から枝管106を介して供給される冷却
水が流通させられるものである。上下に配されたそれぞ
れ3つの冷却ジャケットCは相互に連結されており、そ
れら3つの冷却ジャケットC内を順次流通させられた冷
却水は、図1に示される反対側の側面に設けられた図示
しない排水管から排出される。冷却ジャケットCに供給
される冷却水の流量は駆動区分50毎に枝管106に設
けられている電磁弁108a、108b、108cによ
って調節される。この冷却ゾーン28に設けられている
温度検出器TCおよび電磁弁108も前記の制御装置6
2に接続されており、温度検出器TCによって検出され
た温度信号に基づいて冷却ジャケットCに流通される冷
却水量が制御される。
The cooling zone 28 has a temperature detector TC 41 for detecting the temperature in the cooling zone 28,
TC 42 and T 43 are provided on the upper side at the center position in the width direction of the longitudinal center of the furnace body 20 for each drive section 50,
A plurality of cooling jackets C having a length substantially equal to the width of the furnace body 20 are provided on the upper and lower sides of the furnace body 20 in three rows in the longitudinal direction of the furnace body 20 for each drive section 50. The cooling jacket C allows the cooling water supplied from the cooling water pipe 104 shown in FIG. 1 through the branch pipe 106 to flow therein. The upper and lower three cooling jackets C are connected to each other, and the cooling water sequentially circulated through the three cooling jackets C is provided on the opposite side surface shown in FIG. Not drained from drains. The flow rate of the cooling water supplied to the cooling jacket C is adjusted by solenoid valves 108a, 108b, 108c provided in the branch pipe 106 for each drive section 50. The temperature detector TC and the solenoid valve 108 provided in the cooling zone 28 are also provided by the control device 6.
2, the amount of cooling water flowing through the cooling jacket C is controlled based on the temperature signal detected by the temperature detector TC.

【0034】また、図1乃至3には省略されているが、
駆動区分48a、48bの境界近傍について図1におけ
る背面側を軸受け58を省略した状態で図6に示すよう
に、各駆動区分相互の境界近傍には、前記制御装置62
に接続された基板位置検出装置110が備えられてい
る。この基板位置検出装置110は、図6におけるVII
−VII 視断面に対応する図7に示すように、炉体20a
の幅方向両外側に対向して配置された一対の投光器11
2aおよび受光器112bから成る光電スイッチ(光電
センサ)112(以下、投光器112aおよび受光器1
12bを特に区別しないときは単に光電スイッチ112
という)を有するものである。この光電スイッチ112
は、例えば赤外線を投受光することにより、図に一点鎖
線で示される投光器112aの光軸上における基板10
の有無を検出するものである。図6に示されるように、
光電スイッチ112は駆動区分相互の境界から例えば15
0 (mm)程度の距離dだけ基板搬送方向後方側に隔てた位
置において、複数本のローラ42間の中央に位置させら
れている。したがって、光電スイッチ112とその両側
に位置する2本のローラ42、42との間隔d1 、d2
は同じ大きさとなっているが、ローラ42相互の間隔g
は焼成装置12全体に亘って例えば150 (mm)程度とされ
ていることから、本実施例においては、d1 =d2 =75
(mm)程度である。
Although not shown in FIGS. 1 to 3,
As shown in FIG. 6 with the bearing 58 omitted on the rear side in FIG. 1 near the boundary between the drive sections 48a and 48b, near the boundary between the drive sections, the control device 62 is provided.
Is provided with a substrate position detecting device 110 connected to the terminal. This substrate position detecting device 110 is provided by the VII in FIG.
-VII, as shown in FIG.
A pair of light emitters 11 arranged on both outer sides in the width direction of
A photoelectric switch (photoelectric sensor) 112 (hereinafter, a light emitter 112a and a light receiver 1)
When the photoelectric switch 12b is not particularly distinguished,
). This photoelectric switch 112
By transmitting and receiving infrared rays, for example, the substrate 10 on the optical axis of the light projector 112a indicated by a dashed line
This is to detect the presence or absence of. As shown in FIG.
The photoelectric switch 112 is, for example, 15
At a position separated by a distance d of about 0 (mm) on the rear side in the substrate transport direction, the roller is positioned at the center between the plurality of rollers 42. Therefore, the distances d 1 , d 2 between the photoelectric switch 112 and the two rollers 42, 42 located on both sides thereof
Are the same size, but the distance g between the rollers 42 is
Is set to, for example, about 150 (mm) over the entire sintering apparatus 12, so in the present embodiment, d 1 = d 2 = 75.
(mm).

【0035】上記の光電スイッチ112は、図7に示さ
れるように、断面L字状の金具114によって軸受け5
8に取り付けられているが、投光器112aはローラ4
2よりも上側に位置させられ、受光器112bはローラ
42よりも下側に位置させられている。これら一対の投
光器112a、受光器112bは、投光面および受光面
が互いに平行となるように対向して設けられており、そ
の光軸は水平面に対して例えばθ=4 °程度の傾き角度
とされている。すなわち、光電スイッチ112はθ=4
°程度の角度で基板10の搬送面を光軸が貫くように設
定されている。なお、前記の図6においては、軸受け5
8等は省略されている。炉体20aの側壁には、光電ス
イッチ112の光軸が軸心と一致するように上記の傾き
角度θだけ傾斜した一対の貫通穴116、116が設け
られており、この貫通穴116を介して投光器112a
から射出された光が受光器112bで受光されるように
なっている。これら一対の貫通穴116は、上側に位置
する投光器112aに対応する一方はローラ42よりも
上側に設けられているが、下側に位置する受光器112
bに対応する他方はローラ42よりも下側に設けられて
いる。
As shown in FIG. 7, the above photoelectric switch 112 has a bearing 5 having an L-shaped cross section 114.
8, the projector 112a is mounted on the roller 4
2, and the photodetector 112b is positioned below the roller 42. The pair of light emitters 112a and light receivers 112b are provided to face each other such that the light emitting surface and the light receiving surface are parallel to each other, and the optical axis has an inclination angle of, for example, about θ = 4 ° with respect to a horizontal plane. Have been. That is, the photoelectric switch 112 has θ = 4
The optical axis is set to pass through the transfer surface of the substrate 10 at an angle of about °. Note that, in FIG.
8 and the like are omitted. On the side wall of the furnace body 20a, a pair of through holes 116, 116 which are inclined by the above inclination angle θ so that the optical axis of the photoelectric switch 112 coincides with the axis, are provided. Floodlight 112a
The light emitted from is received by the light receiver 112b. One of the pair of through-holes 116 is provided above the roller 42 corresponding to the light projector 112a located on the upper side, but the light receiver 112 located on the lower side is located on the lower side.
The other corresponding to b is provided below the roller 42.

【0036】上記の貫通穴116にはパイプ118が埋
め込まれており、そのパイプ118の炉外側端部にはソ
ケット120が取り付けられ、更に、そのソケット12
0にサイトホール122が取り付けられている。これら
パイプ118およびソケット120は、例えば何れもス
テンレス鋼から成るものである。また、サイトホール1
22は、例えば、図8に示されるように軸心方向に貫通
する段付き貫通穴124を備えたステンレス鋼等から成
る略円筒状の本体部126と、その段付き貫通穴124
が大径とされた薄肉部128側に嵌め込み固定された耐
熱ガラス円板130とから成るものである。本体部12
6は、薄肉部128の内周面およびその薄肉部128を
除く部分の外周面にそれぞれ雌ねじおよびテーパ雄ねじ
を備えており、上記耐熱ガラス円板130は、環状の一
対のパッキン132、132に挟まれた状態で薄肉部1
28の雌ねじにねじ込まれた環状ねじ134によって固
定されている。このように構成されたサイトホール12
2は、外周面の雄ねじが前記ソケット120の内周面に
設けられた図示しない雌ねじと嵌め合わされることによ
り固定されており、このため、炉体20aに設けられた
貫通穴116は耐熱ガラス円板130によって塞がれて
いる。耐熱ガラス円板130は、炉体20a内の熱から
光電スイッチ112を保護する目的で設けられたもので
あり、光電スイッチ112の投受光はこの耐熱ガラス円
板130を通して行われることとなる。
A pipe 118 is embedded in the through-hole 116, and a socket 120 is attached to an end of the pipe 118 outside the furnace.
0 has a sight hole 122 attached thereto. Both the pipe 118 and the socket 120 are made of, for example, stainless steel. Site Hall 1
For example, as shown in FIG. 8, a substantially cylindrical main body 126 made of stainless steel or the like having a stepped through-hole 124 penetrating in the axial direction as shown in FIG.
Consists of a heat-resistant glass disk 130 fitted and fixed to the large-diameter thin portion 128 side. Main body 12
6 has a female screw and a tapered male screw on the inner peripheral surface of the thin portion 128 and the outer peripheral surface of the portion except the thin portion 128, respectively. The heat-resistant glass disk 130 is sandwiched between a pair of annular packings 132, 132. Thin part 1
It is fixed by an annular screw 134 screwed into the 28 female screw. Site hole 12 configured in this way
2 is fixed by fitting an external thread on the outer peripheral surface with a female screw (not shown) provided on the inner peripheral surface of the socket 120. Therefore, the through-hole 116 provided in the furnace body 20a has a heat-resistant glass circle. It is closed by the plate 130. The heat-resistant glass disk 130 is provided for the purpose of protecting the photoelectric switch 112 from the heat in the furnace body 20a, and light emission and reception of the photoelectric switch 112 are performed through the heat-resistant glass disk 130.

【0037】また、前述のように、光電スイッチ112
はローラ42、42の間の位置に設けられているが、前
記光軸は、図7におけるIX−IX視断面に対応する図9に
示されるように、ローラ42の軸心に平行且つ複数本の
ローラ42によって形成される基板10の搬送面(図6
に一点鎖線で図示)と垂直な平面内に位置させられてい
る。このように構成された基板位置検出装置110によ
れば、基板10が図に示される搬送方向に搬送される過
程で光電スイッチ112の光軸上に差し掛かると、その
基板10の端部136によって受光器112bへの赤外
線の入射が妨げられることから、基板10が駆動区分4
8等毎に予め定められた停止位置SB まで搬送されたこ
とが検出される。このとき、実際に検出されるのは、基
板10の端部136のうち光軸との交点すなわち図7に
示されるP点である。すなわち、本実施例においては、
このP点が基板検出点に相当し、基板検出点Pは基板1
0の上面に対して角度θ(=4 °)だけ傾斜する方向か
ら検出される。そのため、ローラ42の反りやうねり等
に起因して基板10が上下に変位させられていたとして
も、光軸と基板10との交点が図の左右方向のどこかで
生じることから、基板検出点Pが図における左右に変位
するだけであるため、基板10の検出ミス(検出漏れ)
が抑制される。
Also, as described above, the photoelectric switch 112
Is provided at a position between the rollers 42, 42. The optical axis is parallel to the axis of the roller 42 and a plurality of optical axes are provided as shown in FIG. The transfer surface of the substrate 10 formed by the rollers 42 of FIG.
(Shown by a dashed-dotted line in FIG. 2). According to the substrate position detecting device 110 configured as described above, when the substrate 10 approaches the optical axis of the photoelectric switch 112 in the process of being transported in the transport direction shown in the drawing, the end 136 of the substrate 10 Since the incidence of infrared rays on the light receiver 112b is prevented, the substrate 10
8 that has been conveyed to a predetermined stop position S B are detected Hitoshigoto. At this time, what is actually detected is the intersection of the end 136 of the substrate 10 with the optical axis, that is, the point P shown in FIG. That is, in this embodiment,
This point P corresponds to the substrate detection point, and the substrate detection point P is
0 is detected from a direction inclined by an angle θ (= 4 °) with respect to the upper surface of the zero. Therefore, even if the substrate 10 is displaced up and down due to the warpage or undulation of the roller 42, the intersection between the optical axis and the substrate 10 occurs somewhere in the left-right direction in the drawing, and the substrate detection point Since P is only displaced left and right in the figure, detection error of the substrate 10 (detection omission)
Is suppressed.

【0038】しかも、上記構成から明らかなように、基
板位置検出装置110は、炉体20に設けた貫通穴11
6にサイトホール122を取り付けて炉体外から非接触
で光学的に基板位置を検出するため、炉内雰囲気を乱
し、或いは炉外への放熱量を増大させることなく、基板
位置を検出し得ることとなる。なお、図において138
は、基板10に焼成装置12によって熱処理を施すに際
してその基板10を載置して搬送するためのセッタであ
る。したがって、上記基板位置検出装置110によって
検出される端部136は、厳密にはセッタ138の端部
である。焼成装置12においては、基板10はセッタ1
38上に載置された状態で熱処理が施されるが、それぞ
れの厚さが極めて小さいことから、図1乃至図7におい
ては両者を一体的に描き、全体を基板10として図示し
ている。
Further, as is apparent from the above configuration, the substrate position detecting device 110 is provided with the through holes 11 provided in the furnace body 20.
6, the position of the substrate can be detected without disturbing the atmosphere inside the furnace or increasing the amount of heat radiation outside the furnace because the site hole 122 is attached to 6 and the substrate position is optically detected in a non-contact manner from outside the furnace body. It will be. It should be noted that in FIG.
Is a setter for mounting and transporting the substrate 10 when the substrate 10 is subjected to heat treatment by the baking device 12. Therefore, the end 136 detected by the substrate position detecting device 110 is strictly the end of the setter 138. In the baking apparatus 12, the substrate 10
The heat treatment is performed in a state of being placed on the substrate 38, but since the thickness of each is extremely small, both are drawn integrally in FIGS. 1 to 7 and the whole is illustrated as the substrate 10.

【0039】なお、上記の基板位置検出装置110は、
以上説明した駆動区分48aと駆動区分48bとの間だ
けではなく、各駆動区分38、40、48、および50
の各々に前記図2に符号SA 、SB 、SC で示される位
置に設けられている。すなわち、駆動区分38a乃至4
0b、および駆動区分50a乃至50cでは、基板10
の搬送方向前部の基板検出位置SA に対応する位置に基
板位置検出装置110がそれぞれ設けられている。ま
た、駆動区分48a乃至48fでは、搬送方向前部の基
板検出位置SB および搬送方向後部の基板検出位置SC
に対応する位置に基板検出装置110が設けられてい
る。したがって、前記図6等に示される基板検出装置1
10は、基板検出位置SB に対応する位置に設けられた
ものである。前述のように、駆動区分48a乃至48f
すなわち加熱室R1 乃至R6 では、基板10が搬送方向
の前後に往復移動させられるようになっていることか
ら、その往復位置の前後に対応する位置すなわちSB
C に基板位置検出装置110が設けられているのであ
る。
It should be noted that the above-described substrate position detecting device 110
Each of the drive sections 38, 40, 48, and 50 not only between the drive section 48a and the drive section 48b described above.
Are provided at positions indicated by reference symbols S A , S B , and S C in FIG. That is, the driving sections 38a to 38a
0b, and the driving sections 50a to 50c,
A substrate position detecting device 110 is provided at a position corresponding to the substrate detecting position S A at the front part in the transport direction. In the drive sections 48a to 48f, the board detection position S B at the front part in the transport direction and the board detection position S C at the rear part in the transport direction are used.
The substrate detection device 110 is provided at a position corresponding to. Therefore, the substrate detecting device 1 shown in FIG.
10 is provided at a position corresponding to the substrate detection position S B. As described above, the drive sections 48a to 48f
That is, in the heating chambers R 1 to R 6 , since the substrate 10 can be reciprocated back and forth in the transport direction, positions corresponding to the front and rear of the reciprocation position, ie, S B ,
To S C is the substrate position detector 110 is provided.

【0040】なお、図2においては、基板検出位置SA
がSB およびSC よりも隣接する駆動区分との境界から
離隔した位置に設けられているが、基板検出位置S
A は、原則として各駆動区分内における通過点に過ぎ
ず、その位置で基板10が定期的に停止させられるもの
ではないため、任意の位置に設けることが可能であり、
例えば、基板検出位置SB に対応する位置に設けられて
もよい。また、駆動区分48a乃至48fでは相互に隣
接する駆動区分の前部および後部にそれぞれ基板位置検
出装置110が前記距離dの2倍程度の間隔(すなわち
2d=300 [mm]程度の間隔)で設けられることとなるこ
とから、検出ミスを抑制するためには、投光器112a
および受光器112bの図7における左右の配置を隣接
する駆動区分相互に前部および後部で反対とし、或い
は、ローラ42との上下関係を前部および後部で相互に
反対とすることが望ましい。
In FIG. 2, the substrate detection position S A
Although There is provided at a position spaced from the boundary between the drive segment adjacent than S B and S C, the substrate detection position S
A is, in principle, only a passing point in each drive section, and the substrate 10 is not periodically stopped at that position, so it can be provided at any position.
For example, it may be provided at a position corresponding to the substrate detection position S B. In the driving sections 48a to 48f, the board position detecting devices 110 are provided at front and rear portions of the driving sections adjacent to each other at intervals of about twice the distance d (that is, intervals of 2d = 300 [mm]). Therefore, in order to suppress the detection error, the projector 112a
It is desirable that the right and left positions of the light receiver 112b in FIG. 7 be opposite to each other at the front and rear of the adjacent drive sections, or the vertical relationship with the roller 42 should be opposite at the front and rear.

【0041】図10は前記制御装置62の構成を示す図
である。予熱ゾーン22、加熱ゾーン24、徐冷ゾーン
26、および冷却ゾーン28の駆動区分38、40、4
8、50(或いは加熱室R)毎に所定数ずつ設けられた
炉体20内の温度を検出するための温度検出器T
111 、TC112 、〜TC43により検出された温度を示
す各信号、および、各駆動区分毎に1或いは2箇所に設
けられた基板位置検出装置110(一つのみ図示)によ
り基板10が検出されることにより発生させられる基板
検出信号は、マルチプレクサ140によって所定の周期
で時分割され、且つA/D変換器142においてデジタ
ル信号に変換された後、演算制御回路144へ入力され
る。この演算制御回路144は、例えばマイクロコンピ
ュータにより構成されており、RAMの一時記憶機能を
利用しつつ予めROMに記憶されたプログラムに従って
入力信号を処理し、出力インターフェース146を介し
て、モータ駆動回路MD1 へ第1搬送装置14を連続駆
動させるための信号を、モータ駆動回路MD2 へ第1搬
送装置14の駆動区分38bを第2搬送装置16の駆動
速度に同期して駆動させるための信号をそれぞれ供給
し、また、各ヒータ駆動回路D1111、D1112、〜D3646
へ、ヒータH1111、H1112、〜H3646を駆動させるため
の信号を供給し、また、モータ駆動回路MD31、M
32、〜MD36へ第2搬送装置16a、16b、〜16
fを間歇駆動するための信号を供給し、また、シリンダ
駆動回路CDS1、CDS2、〜CDS7へ回動シャッタ84
を駆動するためのエアシリンダ86a、86b、〜86
gを駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動
回路MD41へ第3搬送装置18を連続駆動させるための
信号を、モータ駆動回路MD42へ第3搬送装置18の駆
動区分50aを第2搬送装置16の駆動速度に同期して
駆動させるための信号をそれぞれ供給し、更に、電磁弁
駆動回路SD1 、SD2 、SD3 、SDa1、SDa2、〜
SDa6へ電磁弁108a、108b、108c、102
a、102b、〜102fを駆動させるための信号を供
給する。
FIG. 10 is a diagram showing the configuration of the control device 62. Drive sections 38, 40, 4 of the preheating zone 22, the heating zone 24, the slow cooling zone 26, and the cooling zone 28
A temperature detector T for detecting the temperature in the furnace body 20 provided by a predetermined number every 8, 50 (or the heating chamber R)
The substrate 10 is detected by each signal indicating the temperature detected by C 111 , TC 112 , to TC 43 , and the substrate position detecting device 110 (only one is shown) provided at one or two positions for each driving section. The substrate detection signal generated as a result is time-divided at a predetermined cycle by the multiplexer 140 and is converted into a digital signal by the A / D converter 142, and then input to the arithmetic and control circuit 144. The arithmetic control circuit 144 is constituted by, for example, a microcomputer, processes an input signal in accordance with a program stored in a ROM in advance while utilizing a temporary storage function of a RAM, and outputs a motor drive circuit MD via an output interface 146. a signal for the first conveying device 14 continuously driven to 1, the signal for driving the driving segment 38b of the first transfer device 14 to the motor drive circuit MD 2 in synchronism with the driving speed of the second conveying device 16 And heater driving circuits D 1111 , D 1112 , to D 3646
To the heaters H 1111 , H 1112 , to H 3646 , and the motor drive circuits MD 31 , M
D 32 , to MD 36 to the second transporting devices 16a, 16b, to 16
supplying a signal for intermittently driving the f, also rotates the shutter 84 to the cylinder drive circuit CD S1, CD S2, ~CD S7
Cylinders 86a, 86b,.
supplying a signal for driving the g, also a signal for causing the third transfer device 18 to the motor drive circuit MD 41 continuously driven, the driving segment 50a of the third transfer device 18 first to the motor driving circuit MD 42 A signal for driving in synchronism with the driving speed of the two-carrying device 16 is supplied, and the solenoid valve driving circuits SD 1 , SD 2 , SD 3 , SD a1 , SD a2,.
Solenoid valves 108a, 108b, 108c, 102 to SD a6
a, 102b, and 102f.

【0042】なお、上記の各ヒータH1111、H1112、〜
2246は、予熱ゾーン22および加熱ゾーン24内で炉
体20の温度が幅方向において均等且つ長手方向(基板
10の搬送方向)で所定の温度勾配が形成されるよう
に、また、ヒータH3111、H31 12、〜H3646は、徐冷ゾ
ーン26の各加熱室R内の温度がそれぞれ予め設定され
た温度で均等となるように、それぞれ予め設定された各
部位の目標温度比或いは相互の出力比に従って制御され
るようになっている。例えば、炉体20の幅方向中央に
位置するヒータH1112、H1113、H1122、H1123、〜H
3642に比較して、幅方向端部に位置するヒータH1111
1114、H1121、H1124、〜H3644の出力が高められ
る。また、炉体20の長手方向において低温側(予熱ゾ
ーン22および加熱ゾーン24の駆動区分40aにおい
ては基板10の搬送方向後方側、加熱ゾーン24の駆動
区分40bおよび徐冷ゾーン26においては搬送方向前
方側)に位置するヒータH1111、H1112、H1113、H
1114、H1211、H1212、H1213、H1214、〜H2116、お
よびH2241、H2242、H2243、H2244、H2245
2246、H3141、H3142、H3143、H3144、H3145、H
3146、〜H3646は、各ゾーン22、128、130の高
温側(上記と反対側位置)に位置するヒータH1141、H
11 42、H1143、H1144、H1241、H1242、H1243、H
1244、〜H2146、およびH22 11、H2212、H2213、H
2214、H2215、H2216、H3111、H3112、H3113、H31
14、H3115、H3116、〜H3616に比較して出力が高めら
れる。
The above heaters H 1111 , H 1112,.
H 2246, as the temperature of the furnace body 20 in the preheating zone 22 and the heating zone within 24 is the predetermined temperature gradient is formed (conveying direction of the substrate 10) uniformly and longitudinally in the width direction, a heater H 3111 , H 31 12, to H 3646, the temperature of the heating chamber R of the slow cooling zone 26 is such that even at a preset temperature, respectively, the target temperature ratio or mutual each region set in advance, respectively It is controlled according to the output ratio. For example, heaters H 1112 , H 1113 , H 1122 , H 1123 , to H located at the center in the width direction of the furnace body 20.
Compared to 3642 , the heater H 1111 located at the width direction end,
The output of H 1114 , H 1121 , H 1124 , to H 3644 is increased. Further, in the longitudinal direction of the furnace body 20, the low temperature side (the rear side in the transport direction of the substrate 10 in the drive section 40 a of the preheating zone 22 and the heating zone 24, and the front side in the transport direction in the drive section 40 b and the slow cooling zone 26 of the heating zone 24). Side) heaters H 1111 , H 1112 , H 1113 , H
1114 , H 1211 , H 1212 , H 1213 , H 1214 , ~ H 2116 , and H 2241 , H 2242 , H 2243 , H 2244 , H 2245 ,
H 2246 , H 3141 , H 3142 , H 3143 , H 3144 , H 3145 , H
3146 to H 3646 are heaters H 1141 , H located on the high temperature side (position opposite to the above) of each of the zones 22, 128, 130.
11 42 , H 1143 , H 1144 , H 1241 , H 1242 , H 1243 , H
1244, to H 2146, and H 22 11, H 2212, H 2213, H
2214 , H 2215 , H 2216 , H 3111 , H 3112 , H 3113 , H 31
14 , H 3115 , H 3116 , to H 3616 , the output is increased.

【0043】図11および図12は、連続型焼成装置1
2を用いて膜形成素材を含む基板10を焼成する場合に
おいて、各基板10毎の位置および図11において時刻
0に搬入された基板10の昇降温カーブをそれぞれ示
すタイミングチャートである。なお、図11において一
点鎖線は各駆動区分38等の境界を示し、図に示される
ように徐冷ゾーン26においては各加熱室Rすなわち加
熱区分の境界に等しい。すなわち、縦軸は炉体20内の
長手方向(基板10の搬送方向)の位置を示している。
また、右上がりに描かれた複数本の実曲線はそれぞれ各
基板10の動きに対応し、その傾きの大きさが搬送速度
の速さを表す。以下、これらのタイミングチャートを参
照して基板10の焼成方法を説明する。
FIGS. 11 and 12 show a continuous firing apparatus 1.
11 is a timing chart showing a position of each substrate 10 and a temperature rise / fall curve of the substrate 10 carried in at time t 0 in FIG. 11 when the substrate 10 containing a film forming material is fired by using FIG. In FIG. 11, the dashed line indicates the boundary of each drive section 38 and the like. As shown in the figure, in the slow cooling zone 26, it is equal to each heating chamber R, that is, the boundary of the heating section. That is, the vertical axis indicates the position in the longitudinal direction (the transport direction of the substrate 10) in the furnace body 20.
A plurality of real curves drawn upward to the right each correspond to the movement of each substrate 10, and the magnitude of the inclination indicates the speed of the transport speed. Hereinafter, the firing method of the substrate 10 will be described with reference to these timing charts.

【0044】まず、時刻t0 において、未焼成の基板1
0が図1に示される搬入方向に従って予熱ゾーン22の
駆動区分38側から搬入される。このとき、徐冷ゾーン
26に設けられたシャッタ装置Sは全て閉じられて、各
加熱室Rが相互に分離されており、基板10が搬送過程
において図12に示される温度カーブで昇降温させられ
るように、炉体20の各ゾーン22、24、26に設け
られたヒータHがフィードバック制御で駆動されて炉体
20内が加熱されると共に、冷却ゾーン28に設けられ
た電磁弁108が駆動されて冷却ジャケットCに冷却水
が流されることにより、それぞれのゾーンの各部位が予
め設定された目標温度に保持されている。また、モータ
30およびモータ52が駆動されて第1搬送装置14お
よび第3搬送装置18内のローラ42が図2における右
回り方向に回転させられている。このため、搬入された
基板10は、前記の第1の搬送速度で加熱ゾーン24に
向かって搬送される。
First, at time t 0 , the unfired substrate 1
0 is carried in from the drive section 38 side of the preheating zone 22 according to the carrying-in direction shown in FIG. At this time, the shutter devices S provided in the slow cooling zone 26 are all closed, the respective heating chambers R are separated from each other, and the substrate 10 is heated and lowered by the temperature curve shown in FIG. As described above, the heaters H provided in the respective zones 22, 24, 26 of the furnace body 20 are driven by feedback control to heat the inside of the furnace body 20, and the electromagnetic valves 108 provided in the cooling zone 28 are driven. By flowing the cooling water through the cooling jacket C, each part of each zone is maintained at a preset target temperature. In addition, the motor 30 and the motor 52 are driven, and the rollers 42 in the first transport device 14 and the third transport device 18 are rotated clockwise in FIG. Therefore, the loaded substrate 10 is transported toward the heating zone 24 at the first transport speed.

【0045】次いで、時刻t0 から例えば300 秒程度経
過した時刻t1 においては、次の基板10が予熱ゾーン
22に搬入され、更に300 秒程度経過した時刻t2 にお
いては、更に次の基板10が予熱ゾーン22に搬入され
る。すなわち、予熱ゾーン22には、例えば300 秒程度
毎に基板10が順次搬入され、基板10の前端部136
の間隔は1500(mm)程度となることから、基板10の搬送
方向の長さを1000(mm)とすれば、相互の間隔が500 (mm)
程度で搬入されることとなる。このように順次搬入され
た基板10は、回転駆動されているローラ42に支持さ
れた状態で予熱ゾーン22をその終端まで搬送される過
程で、例えば1100秒程度の時間で例えば500(℃) 程度の
最高焼成温度MTまで昇温させられる。図11、図12
のt3 時点はこの状態を示す。
[0045] Then, at time t 1 has elapsed from the time t 0, for example, about 300 seconds, the next substrate 10 is carried into the preheating zone 22, at time t 2 has elapsed further about 300 seconds, the substrate 10 further in the following Is carried into the preheating zone 22. That is, the substrates 10 are sequentially carried into the preheating zone 22, for example, approximately every 300 seconds, and the front end 136 of the substrate 10 is
Is about 1500 (mm), if the length of the substrate 10 in the transport direction is 1000 (mm), the mutual distance is 500 (mm).
It will be carried in by about. The substrate 10 sequentially loaded in this way is transported to the end of the preheating zone 22 while being supported by the rotating roller 42, for example, about 1100 seconds, for example, about 500 (° C.). Is raised to the maximum firing temperature MT. 11 and 12
This point in time t 3 indicates this state.

【0046】このとき、予熱ゾーン22の駆動区分38
の各々に設けられた基板位置検出装置110により、順
次搬入される基板10が各基板検出位置SA において順
次検出され、検出信号が制御装置62に順次送られる。
前記演算制御回路144は、この検出時間間隔が搬入間
隔に保持されているか否かを判断し、例えば検出時間間
隔が搬入間隔の4/5 程度に短くなっている場合には、搬
入を一時的に停止させて予熱ゾーン22に搬入される基
板10の搬入時間間隔を調節し、或いは、第1搬送装置
14を一時的に停止させることにより、加熱ゾーン24
に続く徐冷ゾーン26への基板10の搬入時間間隔を調
節する。すなわち、実質的に基板10の搬送速度を調節
する。因みに、焼成装置12のように複数本のローラ4
2によって基板10を搬送する所謂RHKにおいては、
ローラ42と基板10との滑りに起因する搬送速度ムラ
が生じ得る。そのため、基板10の搬送時間間隔は必ず
しも搬入時間間隔に保持されないことから、時として前
後に続く基板10が相互に接触して破損し得るという問
題があるため、上記のように搬送時間間隔を炉体20内
において検出して調節することが必要となるのである。
At this time, the driving section 38 of the preheating zone 22
Are sequentially detected at each of the substrate detection positions S A by the substrate position detection device 110 provided in each of them, and the detection signals are sequentially sent to the control device 62.
The arithmetic and control circuit 144 determines whether or not the detection time interval is held at the carry-in interval. For example, when the detection time interval is shortened to about 4/5 of the carry-in interval, the carry-in is temporarily stopped. To adjust the carry-in time interval of the substrate 10 carried into the preheating zone 22 or to temporarily stop the first transfer device 14 so that the heating zone 24
Then, the time interval for carrying the substrate 10 into the slow cooling zone 26 is adjusted. That is, the transport speed of the substrate 10 is substantially adjusted. Incidentally, a plurality of rollers 4 like the firing device 12 are used.
In the so-called RHK in which the substrate 10 is transported by 2,
The transport speed unevenness due to the sliding between the roller 42 and the substrate 10 may occur. For this reason, the transport time interval of the substrate 10 is not always kept at the carry-in time interval, and there is a problem that the substrates 10 that follow one another sometimes come into contact with each other and may be damaged. It needs to be detected and adjusted within the body 20.

【0047】続く加熱ゾーン24においては、基板10
が最高焼成温度MTに保持された状態で第1搬送装置1
4によって予熱ゾーン22から連続して搬送される。但
し、加熱ゾーン24内での搬送速度は、当初は予熱ゾー
ン22と同様に第1の搬送速度とされるが、基板10が
駆動区分40bに完全に入ると、モータ44が駆動され
ることによって第2の搬送速度に高められる。このと
き、加熱ゾーン24と徐冷ゾーン26との間に設けられ
ているシャッタ装置S1 が開けられると共に、加熱室R
1 内のローラ42を駆動する第2搬送装置16aが所定
の第2の搬送速度(すなわち駆動区分40bと同様な搬
送速度)で駆動される。そのため、基板10は加熱ゾー
ン24から徐冷ゾーン26の加熱室R1 すなわち第1の
均熱温度KT1 に保持されている加熱室R1 内に速やか
に搬送され、往復移動範囲の前方側端となる基板検出位
置SB において基板位置検出装置110によってその端
部136が検出されることにより、加熱室R毎に定めら
れた停止位置(すなわち基板検出位置SB )に停止させ
られる。t4 時点はこの状態を示している。本実施例に
おいては、最高焼成温度MTに達してから加熱室R1
に搬入されるまでの加熱時間(所謂キープ時間)は例え
ば400 秒程度である。このようにして徐冷ゾーン26に
搬入された基板10は、各加熱室R内で予め設定されて
いる所定温度(すなわち第1乃至第6の均熱温度)KT
1 、KT2 、〜KT6 で所定時間保持されて均熱され、
続く加熱室Rに速やかに搬送される過程を繰り返しつ
つ、図12に示される階段状の降温カーブに従って徐冷
される。なお、第1の均熱温度KT 1 は最高焼成温度M
Tよりも数 (℃) 乃至十数 (℃) 程度の所定値ΔKTだ
け低い温度であり、第2の均熱温度KT2 、第3の均熱
温度KT3 、〜第6の均熱温度KT6 は、それぞれ更に
所定値ΔKTずつ低くされた温度である。
In the subsequent heating zone 24, the substrate 10
Is maintained at the highest firing temperature MT, and the first transport device 1
4 conveys continuously from the preheating zone 22. However
The transport speed in the heating zone 24 is initially set to the preheating zone.
The first transfer speed is the same as that of the substrate 22, but the substrate 10
When the drive section 40b is completely entered, the motor 44 is driven.
This increases the second transport speed. This and
Between the heating zone 24 and the slow cooling zone 26
Shutter device S1Can be opened and the heating chamber R
1The second transport device 16a that drives the roller 42 in the
At the second transfer speed (ie, the same transfer speed as that of the drive section 40b).
(Speed). Therefore, the substrate 10 is heated
From the heating chamber R in the cooling zone 261Ie the first
Soaking temperature KT1Heating chamber R held in1Promptly within
And the substrate detection position at the front end of the reciprocating range.
Place SBAt the end by the substrate position detecting device 110
When the unit 136 is detected, the temperature is determined for each heating chamber R.
The stopped position (that is, the substrate detection position SB) To stop
Can be tFourThe time point indicates this state. In this embodiment
First, the heating chamber R is heated after reaching the maximum firing temperature MT.1Inside
The heating time (so-called keep time) before being carried into
It takes about 400 seconds. In this way, the cooling zone 26
The loaded substrate 10 is set in advance in each heating chamber R.
The predetermined temperature (ie, the first to sixth soaking temperatures) KT
1, KTTwo, ~ KT6Is held for a predetermined time and soaked,
Repeat the process of promptly transferring to the following heating chamber R.
And gradually cooling according to the stepwise cooling curve shown in FIG.
Is done. The first soaking temperature KT 1Is the maximum firing temperature M
A predetermined value ΔKT of several (° C) to several tens (° C) of T
And the second soaking temperature KTTwo , Third soaking
Temperature KTThree, To the sixth soaking temperature KT6Each further
The temperature is lowered by a predetermined value ΔKT.

【0048】このとき、基板10が加熱室R1 内に搬入
されると、開けられていたシャッタ装置S1 が閉じられ
ると共に、駆動区分48aの第2搬送装置16aのモー
タ46aが反転駆動されて、基板10が搬送方向に沿っ
て加熱室R1 内で図2に破線で示される範囲(SB 〜S
C )で往復移動させられつつ均熱される。この往復移動
時において、往復移動範囲の搬送方向前方側端では、加
熱室R内への基板10搬入時と同様に基板検出位置SB
において基板端部136が検出されることによりモータ
46が逆転駆動に切り換えられるが、搬送方向後方側端
では、図に基板検出位置SC において基板10の上記端
部136とは反対側の後方側端部が検出されることによ
りモータ46が正転駆動に切り換えられる。このように
して、予め定められた例えば180 秒程度の保持時間が経
過すると、基板10の往復移動が停止させられてシャッ
タ装置S2 が開けられ、基板10が続く加熱室R2 内に
搬送される。図11のt5 時点はこの状態を示してい
る。基板10が加熱室R2 内に完全に入るとシャッタ装
置S2 が閉じられ、その加熱室R2 内において加熱室R
1 内と同様に均熱処理が施される一方、空室となった加
熱室R1 内に必要に応じて給気管90から冷却用空気が
供給された後、同様にして続く基板10が搬入されて均
熱処理が施される。なお、基板10の搬入出に要する時
間すなわちシャッタ装置Sが開けられてから再び閉じら
れるまでの時間は例えば30秒程度である。また、各加熱
室R内における熱処理の1サイクル、すなわち順次基板
10を搬入するために搬送方向後方側のシャッタ装置S
が開けられる間隔は、予熱ゾーンへの基板10の搬入間
隔に等しい300 秒程度である。
[0048] At this time, when the substrate 10 is carried into the heating chamber R 1, the shutter device S 1 which has been opened is closed, the motor 46a of the second transfer device 16a of the drive segment 48a is inverted driven , ranges substrate 10 is shown in FIG. 2 by a broken line in the heating chamber R 1 along the transport direction (S B to S
The heat is soaked while being reciprocated in C ). At the time of this reciprocation, at the front end in the transport direction of the reciprocation range, the substrate detection position S B is the same as when the substrate 10 is loaded into the heating chamber R.
While the motor 46 is switched to the drive reversed by the substrate end 136 is detected in, in the transport direction rear end, the rear side opposite to the said end 136 of the substrate 10 in the substrate detection position S C in FIG. When the end is detected, the motor 46 is switched to the normal rotation drive. In this way, the holding time of a predetermined, for example, about 180 seconds have elapsed, the reciprocating movement is stopped can open the shutter device S 2 of the substrate 10 is transported into the heating chamber R in 2 substrate 10 followed You. T 5 the time in FIG. 11 shows this state. When the substrate 10 falls completely within the heating chamber R 2 shutter device S 2 is closed, the heating chamber R in the heating chamber R 2
While the soaking treatment is performed in the same manner as in 1 , the cooling air is supplied from the air supply pipe 90 to the heating chamber R1 which has become an empty space if necessary, and then the subsequent substrate 10 is carried in the same manner. Soaking heat treatment. The time required for loading and unloading the substrate 10, that is, the time from when the shutter device S is opened to when it is closed again is, for example, about 30 seconds. Further, one cycle of the heat treatment in each heating chamber R, that is, the shutter device S on the rear side in the transport direction in order to carry in the substrate 10 sequentially.
The interval at which is opened is about 300 seconds, which is equal to the interval at which the substrate 10 is carried into the preheating zone.

【0049】なお、加熱ゾーン24内においても基板検
出装置110は予熱ゾーン22と同様に基板10の搬送
時間間隔を維持するために機能させられるが、徐冷ゾー
ン26内においては、上記のように各加熱室R内におい
て、基板10が均熱性の可及的に高い往復移動範囲に位
置し、且つその範囲内で往復移動させられることが望ま
れるため、基板位置検出装置110は、専ら前記停止位
置SB 、SC でそれぞれ停止させるために機能させられ
る。更に、徐冷ゾーン26においては、上記のようにシ
ャッタ装置Sによって加熱室Rが相互に遮蔽されること
から、確実に停止位置SB で停止させられないとシャッ
タ装置Sと基板10との干渉が生じることにもなるた
め、基板位置検出の必要性は一層高くなっているのであ
る。因みに、図2の下部に搬送方向における温度分布を
加熱室R1 について例示するように、搬送方向の前後に
おいては隣接する加熱室R等の設定温度の影響を受けて
所望の温度が得られないため、加熱室R内での均熱処理
中において基板10全体を所望の温度に保持するために
は、グラフの水平部分に対応する位置に基板10を位置
させることが必要となる。基板検出位置SB 、SC は、
このような範囲に設定されているのである。
In the heating zone 24, the substrate detecting device 110 functions to maintain the transfer time interval of the substrate 10 similarly to the preheating zone 22, but in the slow cooling zone 26, as described above. In each heating chamber R, it is desired that the substrate 10 be located in a reciprocating range as high as possible and be reciprocated within the range. position S B, is caused to function to stop, respectively S C. Further, in the slow cooling zone 26, interference between the shutter device from the heating chamber R it is shielded from one another by S, the not reliably stopped at the stop position S B shutter device S and the substrate 10 as described above Therefore, the necessity of detecting the position of the substrate is further increased. Incidentally, as illustrated for the heating chamber R 1 and the temperature distribution in the conveying direction in the lower part of FIG. 2, not the desired temperature is obtained under the influence of the set temperature, such as heating chamber R adjacent in the front-rear in the transport direction Therefore, in order to maintain the entire substrate 10 at a desired temperature during the soaking process in the heating chamber R, it is necessary to position the substrate 10 at a position corresponding to the horizontal portion of the graph. The substrate detection positions S B and S C are
It is set in such a range.

【0050】また、因に、図12に示される昇温カーブ
の例えば500(℃) 程度以上の最高焼成温度MTに続く所
定の冷却期間における冷却条件は、膜形成素材を含む基
板10の熱処理の上で重要な要素である。たとえば、V
FD(蛍光表示管)やPDP(プラズマ・ディスプレイ
・パネル)、PALC(プラズマ・アドレスド液晶表示
装置)、FED(フィールド・エミッション・ディスプ
レイ)に用いるとき、基板10がソーダライムガラスに
代表される低歪点のガラス製である場合には、基板10
内の温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違
することに起因してその寸法の局所的変化を発生させる
ことから、多層厚膜印刷の位置合わせを困難としたり、
あるいはフロントプレートとリヤプレートとの厚膜印刷
面を組合わせることにより多数のセルを形成するPDP
やFEDに用いるときに両者のずれによってセルを構成
できない部分を生じるので、たとえば40インチというよ
うな大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させ
る。図13は、搬送方向前端側の冷却速度が搬送方向後
端側の冷却速度よりも高い従来の焼成法における基板1
0の寸法(実線)を焼成前の寸法(一点鎖線)に比較し
て示している。また、基板10上に多数個の厚膜印刷抵
抗体や厚膜ボンディングパッドなどが設けられる場合に
は、基板10内の温度が不均一となって各部の冷却速度
が相互に相違することに起因して、機能を有する厚膜層
に結合材として含まれるガラス成分の溶融、軟化の程度
によって、また、厚膜に含まれる金属、無機材料粒子の
溶融、焼結の程度によって抵抗値やボンディング適性が
左右されることから、印刷抵抗体の抵抗値やボンディン
グ適性のばらつきによって基板10が大型となるほど製
造歩留まりを加速度的に低下させる。更に、厚膜印刷に
よる誘電体層の積層によって基板10に所定高さのリブ
壁を形成する場合でも、基板10内の温度が不均一とな
って各部の冷却速度が相互に相違することに起因して厚
膜に含まれるガラス成分の溶融、軟化の程度によって焼
成収縮率すなわち厚膜の膜厚や幅寸法が左右されること
から、基板10が大型となるほど製造歩留まりを加速度
的に低下させる。
In addition, the cooling conditions in the predetermined cooling period following the maximum firing temperature MT of, for example, about 500 (° C.) or more in the temperature rise curve shown in FIG. Is an important factor above. For example, V
When used for FD (fluorescent display tube), PDP (plasma display panel), PALC (plasma-addressed liquid crystal display device), or FED (field emission display), the substrate 10 is made of a soda-lime glass. If it is made of strain point glass, the substrate 10
Because the temperature inside becomes uneven and the cooling rate of each part is different from each other, a local change in its dimensions occurs, making it difficult to align the multilayer thick film printing,
Alternatively, a PDP in which a large number of cells are formed by combining a thick-film printing surface of a front plate and a rear plate
When used for FEDs and FEDs, there is a portion where a cell cannot be formed due to the difference between the two, so that the larger the size is, for example, 40 inches, the lower the manufacturing yield is. FIG. 13 shows a substrate 1 in the conventional baking method in which the cooling rate on the front end side in the transport direction is higher than the cooling rate on the rear end side in the transport direction.
The dimension of 0 (solid line) is shown in comparison with the dimension before baking (dashed line). Further, when a large number of thick-film printed resistors, thick-film bonding pads, and the like are provided on the substrate 10, the temperature inside the substrate 10 becomes uneven, and the cooling rates of the respective parts are different from each other. The resistance value and bonding suitability depend on the degree of melting and softening of the glass component contained as a binder in the thick film layer having a function, and on the degree of melting and sintering of the metal and inorganic material particles contained in the thick film. The manufacturing yield is accelerated as the substrate 10 becomes larger due to variations in the resistance value of the printed resistor and the suitability for bonding. Further, even when a rib wall having a predetermined height is formed on the substrate 10 by laminating the dielectric layers by the thick film printing, the temperature inside the substrate 10 becomes uneven and the cooling rates of the respective parts are different from each other. Since the firing shrinkage, that is, the thickness and width of the thick film are affected by the degree of melting and softening of the glass component contained in the thick film, the manufacturing yield is accelerated as the substrate 10 becomes larger.

【0051】上記のようにして、加熱室R1 、R2 、〜
6 内で順次保持されることにより徐冷ゾーンでの熱処
理が終了すると、シャッタ装置S7 が開けられると共
に、モータ46fとモータ56とが駆動されることによ
り、駆動区分48fおよび133aが同期して駆動さ
れ、基板10が加熱室R6 から冷却ゾーン28に搬出さ
れる。図11および図12のt14時点はこの状態を示し
ている。その後、第3搬送装置18のモータ56が停止
させられて基板10が冷却ゾーン28内を第1の搬送速
度で搬送されてその右端部から搬出され、その過程で図
12に示されるように昇温速度と略同様な降温速度で急
速に冷却される。図11のt15時点はこの状態を示して
いる。この冷却過程に要する時間は、例えば700 秒程度
であり、基板10が予熱ゾーン22に搬入されてから冷
却が終了するまでの時間(t0 〜t15)は、例えば3500
秒程度(1時間程度)である。なお、前述のように、基
板10は例えば300 秒程度の所定の時間間隔で予熱ゾー
ン22に順次搬入されていることから、図11から明ら
かなように、搬入時と等しい300 秒程度の所定時間間隔
で順次冷却ゾーン28から搬出されていくこととなる。
この冷却ゾーン28においても、前記予熱ゾーン22等
と同様に基板検出位置SA において基板位置が検出さ
れ、基板間隔が所期の値に保持されるように、第3搬送
装置18が制御される。
As described above, the heating chambers R 1 , R 2 ,.
When the heat treatment in the slow cooling zone ends by being sequentially held in the R 6, together with the shutter device S 7 is opened, by the motor 46f and the motor 56 is driven, synchronized drive segment 48f and 133a are the same driven Te, the substrate 10 is unloaded from the heating chamber R 6 in the cooling zone 28. T 14 time points 11 and 12 shows this state. Thereafter, the motor 56 of the third transfer device 18 is stopped, and the substrate 10 is transferred in the cooling zone 28 at the first transfer speed and is unloaded from the right end thereof. In the process, the substrate 10 is lifted as shown in FIG. It is cooled rapidly at a rate of temperature decrease substantially similar to the temperature rate. T 15 the time of FIG. 11 shows this state. The time required for this cooling process is, for example, about 700 seconds, and the time (t 0 to t 15 ) from when the substrate 10 is carried into the preheating zone 22 to when the cooling is completed is, for example, 3500
It is on the order of seconds (about one hour). As described above, since the substrate 10 is sequentially loaded into the preheating zone 22 at predetermined time intervals of, for example, about 300 seconds, as is apparent from FIG. It is carried out from the cooling zone 28 at intervals.
In this cooling zone 28, the substrate position in the preheating zone 22 or the like similarly to the substrate detection position S A is detected, so that the substrate gap is retained to the desired value, the third transport device 18 is controlled .

【0052】上述のように、本実施例によれば、焼成装
置12は、各駆動区分38a、38b、〜50cの基板
10の搬送方向の前部或いは前後において基板位置を検
出するために設けられ、ローラ42相互の間の位置に設
定された所定の基板検出点Pを、その基板10の上面に
対して角度θ傾斜する方向から非接触で検出するように
位置させられた基板位置検出装置110を含んで構成さ
れる。そのため、検出方向が基板10上面と平行とされ
ていないことから、ローラ42の反りやうねり等に起因
して基板10が上下に変位させられた場合にも、基板検
出点Pが変位することによって基板10が検出可能な範
囲から外れ難いため、基板位置の検出漏れが抑制され
る。
As described above, according to the present embodiment, the baking apparatus 12 is provided to detect the position of the substrate at the front or front and rear of the driving section 38a, 38b, to 50c in the transport direction of the substrate 10. , A substrate position detection device 110 positioned to detect a predetermined substrate detection point P set at a position between the rollers 42 in a non-contact manner from a direction inclined at an angle θ with respect to the upper surface of the substrate 10. It is comprised including. Therefore, since the detection direction is not parallel to the upper surface of the substrate 10, even when the substrate 10 is displaced up and down due to the warpage or undulation of the roller 42, the substrate detection point P is displaced. Since it is difficult for the substrate 10 to deviate from the detectable range, detection omission of the substrate position is suppressed.

【0053】また、本実施例によれば、焼成装置12に
は、一方向に並んで熱的に分割して設けられてそれぞれ
均熱制御される複数の加熱室R1 、R2 、〜R6 と、基
板10をそれら複数の加熱室R毎に設けられた複数の停
止位置に順次搬送する第2搬送装置16とが備えられ、
基板検出点Pすなわち基板検出位置SB は、それら複数
の停止位置の各々に設けられる。そのため、基板10
は、熱処理の過程において一方向に順次搬送される過程
で複数の加熱室Rの各々において順次均熱されるが、複
数の加熱室Rの各々においては、各々の基板検出位置S
B すなわち停止位置に設けられた基板検出点Pにおいて
基板位置検出装置110によって基板10が検出される
ことにより、それら各々設定された停止位置に停止させ
られる。したがって、本実施例のように基板10内の温
度ばらつきを可及的に小さくするために複数の加熱室R
毎に均熱されつつ基板10が熱処理(徐冷)される場合
において、可及的に高い均熱状態が得られるように設定
される停止位置に基板10が停止させられることから、
基板10内の温度ばらつきが一層抑制される。
According to the present embodiment, the baking apparatus 12 is provided with a plurality of heating chambers R 1 , R 2 ,. 6 and a second transfer device 16 for sequentially transferring the substrate 10 to a plurality of stop positions provided for each of the plurality of heating chambers R,
Substrate detection point P or substrate detection position S B is provided in each of the plurality of stop positions. Therefore, the substrate 10
Is sequentially soaked in each of the plurality of heating chambers R while being sequentially conveyed in one direction in the course of the heat treatment, but in each of the plurality of heating chambers R, each substrate detection position S
When the substrate 10 is detected by the substrate position detection device 110 at B, that is, at the substrate detection point P provided at the stop position, the substrate 10 is stopped at the set stop positions. Therefore, in order to minimize the temperature variation in the substrate 10 as in this embodiment, a plurality of heating chambers R
When the substrate 10 is heat-treated (slowly cooled) while being soaked every time, the substrate 10 is stopped at a stop position set so as to obtain the highest possible soaking state.
Temperature variations in the substrate 10 are further suppressed.

【0054】また、本実施例においては、基板位置検出
装置110は、基板検出点Pを含み且つ基板10の搬送
方向に垂直な面内に投光器112aの光軸が位置するよ
うに設けられているものである。このようにすれば、搬
送されている基板10は、搬送方向に垂直な基板検出点
Pを含む面内で検出されることから、ローラ42の反り
やうねり等によって基板位置が上下に変位させられた場
合にも、基板検出点Pは予め設定された基板検出位置S
A 、SB 、SC において、基板10の搬送方向に垂直な
面内でのみ変位させられる。したがって、搬送方向にお
いて予め設定された基板検出位置SA 、SB 、SC にお
いて確実に基板10が検出されて、搬送間隔や間歇搬送
される場合の停止位置の不要な変化が一層抑制される。
Further, in this embodiment, the substrate position detecting device 110 is provided such that the optical axis of the light projector 112a is located in a plane including the substrate detecting point P and perpendicular to the transport direction of the substrate 10. Things. With this configuration, the substrate 10 being transported is detected in a plane including the substrate detection point P perpendicular to the transport direction, and thus the substrate position is displaced up and down due to warpage or undulation of the rollers 42. In this case, the substrate detection point P is set to the preset substrate detection position S
In A , S B and S C , the substrate 10 is displaced only in a plane perpendicular to the transport direction of the substrate 10. Therefore, the substrate 10 is reliably detected at the preset substrate detection positions S A , S B , and S C in the transport direction, and unnecessary changes in the transport interval and the stop position in the case of intermittent transport are further suppressed. .

【0055】また、本実施例においては、基板10は、
各加熱室R内における均熱中において搬送方向に沿って
往復移動させられ、基板検出点Pすなわち基板検出位置
Cは、各加熱室R内において搬送方向後方側に設けら
れる往復移動の停止位置にも設けられる。このようにす
れば、基板10内の温度ばらつきを一層抑制するために
各加熱室Rにおける均熱中に基板10が予め設定された
往復移動範囲で確実に往復移動させられる。
In this embodiment, the substrate 10 is
The substrate detection point P, that is, the substrate detection position S C is moved to the stop position of the reciprocation provided on the rear side in the conveyance direction in each heating chamber R during the heat equalization in each heating chamber R. Is also provided. In this way, the substrate 10 can be reliably reciprocated in a preset reciprocating range during the soaking in each heating chamber R in order to further suppress the temperature variation in the substrate 10.

【0056】また、連続型焼成装置12は、冷却領域内
において膜形成素材を含む複数の基板10の搬送方向で
ある一方向に沿って並ぶ複数の加熱室R毎に均熱制御す
る制御装置62と、その長手方向と垂直且つ互いに平行
な軸心回りに回転駆動される複数本のローラ42によっ
て複数の基板10を支持して一方向に搬送する第2搬送
装置16とを含んで構成される。そのため、膜形成素材
を含む基板10は、熱処理の冷却過程において、第2搬
送装置16により一方向に沿って搬送される過程で複数
の加熱室R1 、R2 、 〜R6 に順次位置させられ、そ
れら複数の加熱室Rにおいて一方向に沿って図12に示
されるように段階的に低くなるように区分毎に設定され
た設定温度KT1 、KT2 、〜KT6 で所定時間(t4
〜t5 )均熱される。このように、一方向に搬送される
過程で段階的に低くなるように区分毎に設定された設定
温度KTにそれぞれ維持された複数の加熱室Rにおいて
順次均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過程が行われる
ことから、膜形成素材を含む基板10内の温度のばらつ
きが可及的に小さくされる。
The continuous-type baking apparatus 12 includes a control unit 62 for controlling the temperature uniformity in each of the plurality of heating chambers R arranged in one direction, which is the direction of transport of the plurality of substrates 10 including the film forming material, in the cooling area. And a second transport device 16 that transports the substrate 10 in one direction while supporting the plurality of substrates 10 by a plurality of rollers 42 that are driven to rotate about axes that are perpendicular to the longitudinal direction and parallel to each other. . Therefore, the substrate 10 containing the film forming material is sequentially positioned in the plurality of heating chambers R 1 , R 2 , to R 6 in the process of being transported along the one direction by the second transport device 16 in the cooling process of the heat treatment. In each of the plurality of heating chambers R, a predetermined time (t) is set at a set temperature KT 1 , KT 2 ,... KT 6 set for each section so as to gradually decrease as shown in FIG. Four
~t 5) it is soaked. As described above, the cooling process of the heat treatment is performed while sequentially repeating the soaking in the plurality of heating chambers R each maintained at the set temperature KT set for each section so as to gradually decrease in the process of being transported in one direction. As a result, the temperature variation in the substrate 10 including the film forming material is reduced as much as possible.

【0057】そのため、基板10がガラス製である場合
には、基板10内の寸法の局部的変化やそれに起因する
厚膜印刷等の位置ずれが防止されて、製造歩留まりが飛
躍的に高められる。特に、基板10がソーダライムガラ
スである場合には、その歪点以上の温度まで昇温させら
れることから、その効果が顕著となる。また、上記のよ
うに膜形成素材を含む基板10内の温度のばらつきが可
及的に小さくされることから、基板10の表面に多数の
厚膜抵抗体やリブ状壁が設けられる場合にあっては、そ
れら厚膜印刷層内で結合剤として機能するガラスの溶解
の程度が一様となって、それら厚膜抵抗体の抵抗値のば
らつきやリブ状壁の高さのばらつきが好適に小さくされ
る。
For this reason, when the substrate 10 is made of glass, local changes in dimensions in the substrate 10 and positional deviations caused by thick film printing or the like due to the change are prevented, and the production yield is drastically increased. In particular, when the substrate 10 is made of soda lime glass, the effect is remarkable because the temperature is raised to a temperature higher than the strain point. Further, since the temperature variation in the substrate 10 including the film forming material is reduced as much as possible as described above, there are cases where a large number of thick-film resistors and rib-like walls are provided on the surface of the substrate 10. In other words, the degree of melting of the glass functioning as a binder in those thick-film printing layers becomes uniform, and the variation in the resistance value of these thick-film resistors and the variation in the height of the rib-like walls are preferably small. Is done.

【0058】また、本実施例においては、第2搬送装置
16は、複数の基板10を複数の加熱室R毎に間歇的に
搬送するものである。このようにすれば、熱処理の冷却
過程において、基板10が一方向に間歇的に搬送される
過程で、複数の加熱室R内において順次熱処理が施され
ることから、膜形成素材を含む基板10が連続的に搬送
されることにより連続的なヒートカーブが形成される従
来の焼成装置によって基板10内の温度差を極めて小さ
くしようとする場合に比較して、全長が短縮されて連続
型焼成装置12が小型となる。
Further, in the present embodiment, the second transfer device 16 transfers the plurality of substrates 10 intermittently for each of the plurality of heating chambers R. With this configuration, in the cooling process of the heat treatment, the heat treatment is sequentially performed in the plurality of heating chambers R while the substrate 10 is intermittently transported in one direction. Are continuously conveyed to form a continuous heat curve, compared with a conventional baking apparatus in which the temperature difference in the substrate 10 is extremely reduced, and the continuous baking apparatus is reduced in overall length. 12 becomes smaller.

【0059】また、本実施例によれば、大型の電子デバ
イス用基板を製造するにあたり、基板10として安価な
ソーダライムガラスを用いることが可能となることか
ら、高歪点のガラス板を用いる場合に比較して、大幅に
安価となると同時に、焼成時の厚膜層との熱膨張率差か
らくるガラスの割れが発生し難い利点がある。
According to the present embodiment, when manufacturing a large-sized electronic device substrate, an inexpensive soda-lime glass can be used as the substrate 10. As compared with the above, there is an advantage that the cost is significantly reduced and the glass is hardly cracked due to a difference in thermal expansion coefficient with the thick film layer during firing.

【0060】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。
While the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the present invention can be embodied in still another embodiment.

【0061】例えば、前述の実施例においては、基板位
置検出装置110は、光電スイッチ112によって基板
10を検出するように構成されていたが、光電スイッチ
112に代えて他の光学的検出装置や、超音波発生器等
を用いても同様に非接触での基板位置検出は可能であ
る。
For example, in the above-described embodiment, the substrate position detecting device 110 is configured to detect the substrate 10 by the photoelectric switch 112. However, instead of the photoelectric switch 112, another optical detecting device, Similarly, even if an ultrasonic generator or the like is used, non-contact substrate position detection is possible.

【0062】また、実施例においては、光軸の傾斜角度
がθ=4 °程度とされていたが、この角度は適宜変更さ
れる。但し、ローラ42の反りやうねり等に起因して基
板10が上下に変位した場合の検出ミスを可及的に少な
くするためには、一対の投受光器112の一方が搬送面
よりも5 〜100 (mm)程度上側に位置し、他方が搬送面よ
りも5 〜100 (mm)程度下側に位置する1 〜6 °程度の角
度範囲に設定されることが好ましい。
Further, in the embodiment, the inclination angle of the optical axis is set to about θ = 4 °, but this angle may be appropriately changed. However, in order to minimize detection errors when the substrate 10 is vertically displaced due to warpage or undulation of the roller 42, one of the pair of light emitting and receiving devices 112 is 5 to 5 mm above the transport surface. It is preferable to set the angle range of about 1 to 6 °, which is located about 100 (mm) above and about 5 to 100 (mm) below the transport surface.

【0063】また、実施例においては、投光器112a
の光軸が基板10の搬送面に垂直な平面内に位置するよ
うに光電スイッチ112が配置されていたが、光軸の方
向はローラ42と干渉しない範囲で適宜変更してもよ
い。すなわち、例えば、図9においてローラ42の軸心
方向と光軸とが適当な角度を成すように設けられてもよ
い。
In the embodiment, the light projector 112a
Although the photoelectric switch 112 is arranged so that the optical axis of the optical switch is located in a plane perpendicular to the transfer surface of the substrate 10, the direction of the optical axis may be appropriately changed as long as it does not interfere with the roller 42. That is, for example, in FIG. 9, the axis direction of the roller 42 and the optical axis may be provided so as to form an appropriate angle.

【0064】また、実施例においては、基板10によっ
て受光が妨げられることによりその基板10が検出され
るように構成されていたが、例えば、一対の投光器11
2aおよび受光器112bを何れもローラ42の上側或
いは下側に配置し、基板10によって反射された光を受
光するようにしてもよい。この場合には、基板10が上
下に変位すると反射光の光軸が平行に変位することとな
るが、一般に光電スイッチ112等は、このように光軸
が平行に変位した場合にも一定範囲内であれば検出可能
であるため、上記のようにしても差し支えないのであ
る。
Further, in the embodiment, the substrate 10 is configured to be detected by preventing the light from being received by the substrate 10.
Both 2a and the light receiver 112b may be arranged above or below the roller 42 to receive the light reflected by the substrate 10. In this case, when the substrate 10 is displaced up and down, the optical axis of the reflected light is displaced in parallel, but in general, the photoelectric switch 112 and the like are in a certain range even when the optical axis is displaced in parallel in this way. In this case, the detection can be performed, so that the above-mentioned operation can be performed.

【0065】また、基板10を往復移動させる加熱室R
内においては、搬送方向後方側の停止位置すなわち基板
検出位置SC にも基板位置検出装置110を設けること
により、確実に設定された往復移動範囲で基板10が往
復移動させられるように構成されていたが、この基板検
出位置SC を設定することに代えて後方側への移動を時
間で管理するようにしてもよい。往復移動範囲の搬送方
向前方側端である基板検出位置SB からの移動開始時間
を基準として時間で管理すれば、後方への送り過ぎは生
じ得ないため、このようにしても特に問題は生じないの
である。なお、加熱室R内での均熱処理中に基板10が
搬送方向に往復移動させない場合には、上記の基板検出
位置SC の設定は当然不要である。
The heating chamber R for reciprocating the substrate 10
In the configuration, the substrate position detecting device 110 is also provided at the stop position on the rear side in the transport direction, that is, the substrate detection position S C , so that the substrate 10 can be reciprocated in a reciprocating range that is set assuredly. However, instead of setting the substrate detection position S C , the rearward movement may be managed by time. Be managed in time relative to the movement start time from the substrate detection position S B is conveyed forward end of the reciprocating range, since the overfeeding backward not occur, particular problems even in this manner resulting There is no. In the case where the substrate 10 during the soaking in the heating chamber R is not moved back and forth in the conveying direction, the setting of the above-mentioned substrate detection position S C is of course not necessary.

【0066】また、実施例においては、複数の加熱室R
が相互に回動シャッタ84を備えたシャッタ装置Sによ
って遮蔽されるように構成されていたが、各加熱室Rに
おける均熱範囲が基板10の大きさに対して十分に大き
く設定できる場合には、シャッタ装置Sは必ずしも備え
られなくともよい。この場合には、基板位置を検出しな
くともシャッタ装置Sと基板10との干渉は生じない
が、可及的に均熱性の高い範囲に基板10を送り込むた
めには基板位置を検出することが望まれるため、実施例
と同様に基板位置検出装置110を設ける効果は十分に
得られる。
In the embodiment, a plurality of heating chambers R
Are configured to be shielded from each other by a shutter device S provided with a rotary shutter 84. However, when the soaking range in each heating chamber R can be set sufficiently large with respect to the size of the substrate 10, The shutter device S may not be necessarily provided. In this case, the interference between the shutter device S and the substrate 10 does not occur even if the substrate position is not detected, but it is necessary to detect the substrate position in order to send the substrate 10 to a range with as high a temperature uniformity as possible. Since it is desired, the effect of providing the substrate position detecting device 110 as in the embodiment can be sufficiently obtained.

【0067】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実
施することができる。
Although not specifically exemplified, the present invention can be implemented in various modified and improved modes based on the knowledge of those skilled in the art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の連続型焼成装置の全体構成
を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a continuous firing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例の炉体の長手方向に沿った断面を
一部省略して示す図である。
FIG. 2 is a view in which a cross section along a longitudinal direction of the furnace body of the embodiment of FIG. 1 is partially omitted.

【図3】(a) 〜(e) は、図2におけるa−a乃至e−e
視断面にそれぞれ相当する図である。
FIGS. 3A to 3E are aa to ee in FIG.
It is a figure each corresponding to a viewing cross section.

【図4】図1の実施例の複数のヒータ配置を説明する図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a plurality of heater arrangements in the embodiment of FIG.

【図5】(a) 、(b) は図1の実施例の給気管および排気
管をそれぞれ示す図である。
FIGS. 5 (a) and 5 (b) are diagrams showing an air supply pipe and an exhaust pipe of the embodiment of FIG. 1, respectively.

【図6】図1の焼成装置において基板位置検出装置の配
置位置を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an arrangement position of a substrate position detection device in the baking device of FIG.

【図7】図6におけるVII −VII 視断面図を示す図であ
る。
7 is a view showing a sectional view taken along line VII-VII in FIG. 6;

【図8】基板位置検出装置に備えられているサイトホー
ルの構成を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a sight hole provided in the substrate position detecting device.

【図9】図7におけるIX−IX視断面図を示す図である。FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 7;

【図10】図1の実施例の制御回路を説明するブロック
線図である。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a control circuit according to the embodiment of FIG. 1;

【図11】図1の実施例の基板の搬送位置を示すタイム
チャートである。
FIG. 11 is a time chart showing a substrate transfer position of the embodiment of FIG. 1;

【図12】図1の実施例の各ゾーンの設定温度すなわち
基板の焼成温度曲線を示す図である。
FIG. 12 is a view showing a set temperature of each zone, that is, a firing temperature curve of a substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図13】従来の焼成装置における基板の局所的な寸法
変形を説明する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating local dimensional deformation of a substrate in a conventional firing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:基板 12:連続型焼成装置 16:第2搬送装置(搬送装置) R1 、R2 、〜R6 :複数の加熱室(加熱区分) S:シャッタ装置 P:基板検出点 SA 、SB 、SC :基板検出位置(停止位置) 42:ローラ 62:制御装置(温度制御装置) 110:基板位置検出装置10: Substrate 12: Continuous firing device 16: Second transport device (transport device) R1, R2, to R6: Multiple heating chambers (heating sections) S: Shutter device P: Substrate detection points S A , S B , S C : substrate detection position (stop position) 42: roller 62: control device (temperature control device) 110: substrate position detection device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 淳 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地九州ノリタケ株式会社内 (72)発明者 稲葉 善幸 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地九州ノリタケ株式会社内 (72)発明者 佐藤 羊治 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Jun Ito 2160, Yatsumachi, Yasu-cho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture 2160 Yatsunami, Kyushu Noritake Co., Ltd. No. 2160, Yatsunami, Kyushu Noritake Co., Ltd. (72) Inventor Yuji Sato 3-36, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi Noritake Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに平行に配置されてそれぞれ軸心回
りに回転駆動される複数本のローラによって複数の基板
を支持して一方向に順次搬送する過程で該複数の基板に
熱処理を施す形式のトンネル状の焼成装置であって、 前記基板の搬送方向の一部において該基板の位置を検出
するために設けられ、前記ローラ相互の間の位置に設定
された所定の基板検出点を、該基板の上面に対して所定
角度傾斜する方向から非接触で検出するように位置させ
られた基板位置検出装置を、含むことを特徴とする基板
の焼成装置。
1. A method of performing heat treatment on a plurality of substrates in a process of supporting a plurality of substrates by a plurality of rollers which are arranged in parallel with each other and each of which is driven to rotate around an axis and sequentially transports the substrates in one direction. A tunnel-shaped baking apparatus, which is provided to detect a position of the substrate in a part of a direction of conveyance of the substrate, and detects a predetermined substrate detection point set at a position between the rollers. A substrate position detecting device positioned so as to detect in a non-contact manner from a direction inclined at a predetermined angle with respect to an upper surface of the substrate.
【請求項2】 前記複数の基板の各々に順次均熱処理を
施すために前記一方向に並んで熱的に分割して設けられ
てそれぞれ均熱制御される複数の加熱区分と、前記基板
を該加熱区分毎に設けられた複数の停止位置に順次搬送
する搬送装置とを更に含み、前記基板検出点は、該複数
の停止位置の各々に設けられたものである請求項1の基
板の焼成装置。
2. A plurality of heating sections, each of which is provided in a row in the one direction and is thermally divided so as to perform a soaking process sequentially on each of the plurality of substrates, and wherein the plurality of heating sections are soaked and controlled. 2. The apparatus for firing a substrate according to claim 1, further comprising: a transport device for sequentially transporting to a plurality of stop positions provided for each heating section, wherein said substrate detection point is provided at each of said plurality of stop positions. .
【請求項3】 前記基板位置検出装置は、前記基板検出
点を含み且つ前記基板の搬送方向に垂直な面内に設けら
れているものである請求項1の基板の焼成装置。
3. The substrate baking apparatus according to claim 1, wherein the substrate position detection device is provided in a plane including the substrate detection point and perpendicular to a direction in which the substrate is transported.
【請求項4】 前記所定角度は、1 乃至6 度である請求
項1の基板の焼成装置。
4. The apparatus according to claim 1, wherein the predetermined angle is 1 to 6 degrees.
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