JP3157108B2 - Method and apparatus for firing a substrate containing a film forming material - Google Patents

Method and apparatus for firing a substrate containing a film forming material

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JP3157108B2 JP22369396A JP22369396A JP3157108B2 JP 3157108 B2 JP3157108 B2 JP 3157108B2 JP 22369396 A JP22369396 A JP 22369396A JP 22369396 A JP22369396 A JP 22369396A JP 3157108 B2 JP3157108 B2 JP 3157108B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成素材を含む
基板に熱処理を均一に施すための焼成方法および装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a baking method and apparatus for uniformly performing a heat treatment on a substrate including a film forming material.

【0002】[0002]

【従来の技術】ソーダライムガラスに代表されるガラス
製基板やアルミナに代表されるセラミックス基板の上
に、金属或いは無機材料をガラスボンド成分の溶融や、
材料自体の軟化、溶融、或いは焼結により、所定の機能
を生じる膜が固着されたりするような、膜形成素材を含
む基板が知られている。例えば、螢光表示管の陽極基
板、プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマアド
レス液晶表示装置のプラズマスイッチング基板、フィー
ルドエミッション表示装置用基板などの表示デバイス用
基板、厚膜配線基板、或いはサーマルプリンターヘッド
やイメージセンサ等の電子デバイス用基板がそれであ
る。このような電子デバイス用基板には、一般に、基板
自体のアニールのためやガラス素材を結合剤として応用
した機能材料の膜形成のために、500 乃至650(℃) 程度
の熱処理が施され、セラミック基板においてはガラス素
材を結合剤として応用した機能材料の膜形成、或いは金
属材料自体の界面の溶融を応用した機能材料の膜形成の
ために例えば500 乃至900(℃) 程度の熱処理が施され
る。
2. Description of the Related Art On a glass substrate represented by soda-lime glass or a ceramic substrate represented by alumina, a metal or inorganic material is melted by a glass bond component,
2. Description of the Related Art A substrate including a film forming material is known in which a film having a predetermined function is fixed by softening, melting, or sintering of the material itself. For example, an anode substrate of a fluorescent display tube, a substrate for a plasma display panel, a plasma switching substrate for a plasma addressed liquid crystal display, a substrate for a display device such as a substrate for a field emission display, a thick film wiring substrate, or a thermal printer head or image This is a substrate for an electronic device such as a sensor. Such a substrate for an electronic device is generally subjected to a heat treatment of about 500 to 650 (° C.) to anneal the substrate itself or to form a film of a functional material using a glass material as a binder. On the substrate, a heat treatment of, for example, about 500 to 900 (° C.) is performed to form a film of a functional material using a glass material as a binder or to form a film of a functional material using melting of an interface of the metal material itself. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
上記膜形成素材を含む基板は、その表面にパターニング
形成される導体、抵抗、誘電体などの多層化および細密
化が図られると共に、特に、上記表示デバイス用基板で
は表示面積の大型化に伴って比較的大きな寸法のものを
製造することが必要となっている。そのため、表示デバ
イス用では大きな寸法に亘って細密にパターン形成する
ことが要求されるとともに、上記電子デバイス用基板で
は、機能を発生させる膜に与えられるパターン空間が細
密化することによって品質の確保のために膜の均一性が
一層要求される。しかしながら、上記基板の焼成によっ
てもたらされる品質への影響は、上記のように大型とな
る程大きくなり、それらのばらつきが製品設計上の制約
となったり、製品の歩留まりを低下させる一因となって
いた。例えば、抵抗層においては抵抗値のばらつき、誘
電体層においては耐電圧のばらつきや残存率の不均一に
よる厚み寸法のばらつき、導体層においては導通抵抗お
よびワイヤボンディング性やスパッタリング性などのば
らつきが大きくなるのである。
However, in recent years,
The substrate including the film-forming material has a multi-layered and fine structure of conductors, resistors, dielectrics, and the like formed by patterning on the surface thereof. In particular, the display device substrate has a large display area. It is necessary to manufacture relatively large dimensions. Therefore, for a display device, it is required to form a fine pattern over a large dimension, and in the electronic device substrate, a pattern space given to a film for generating a function is made fine to secure quality. Therefore, uniformity of the film is further required. However, the influence on the quality brought by the firing of the substrate becomes larger as the size becomes larger as described above, and the variation thereof becomes a constraint on the product design or contributes to lowering the product yield. Was. For example, a resistance layer has a large variation in resistance value, a dielectric layer has a large variation in a thickness dimension due to a variation in a withstand voltage and a non-uniform residual ratio, and a conductive layer has a large variation in conduction resistance and wire bonding properties and sputtering properties. It becomes.

【0004】また、熱処理に伴って基板素材そのものの
膨張或いは収縮による寸法変動がある場合は、機能を有
する膜のパターニング後に行われる焼成毎のパターン間
の位置合わせが困難となる。これら層品質の均一性およ
びパターン間の位置合わせの一致性は、精細なパターン
となる程或いは基板が大型となる程困難となり、製品歩
留まりが加速度的に低下するという不都合があった。例
えば40インチ以上の大型表示装置としてのプラズマディ
スプレイ用基板を例にとると、次のような歩留まり低下
要因がある。例えば、多数のセルを形成する多層構造の
各層の寸法精度が確保できない、障壁の高さおよび幅の
寸法のばらつきが生じる、抵抗付セルにおいては抵抗値
のばらつきを生じる、誘電体層においては耐電圧にばら
つきを生じる、全体的な寸法ばらつきはフロント板とリ
ヤ板とを組み合わせて放電セルを形成するときにズレを
生じる、などである。
[0004] Further, when there is a dimensional change due to expansion or contraction of the substrate material itself due to the heat treatment, it becomes difficult to perform pattern alignment for each firing performed after patterning of a film having a function. The uniformity of the layer quality and the consistency of the alignment between the patterns become more difficult as the patterns become finer or as the substrate becomes larger, and there is a disadvantage that the product yield decreases at an accelerated rate. For example, in the case of a plasma display substrate as a large display device having a size of 40 inches or more, there are the following factors that lower the yield. For example, the dimensional accuracy of each layer of the multilayer structure forming a large number of cells cannot be secured, the height and width of the barrier vary, the resistance of the resistive cell varies, and the dielectric layer has resistance. Variations in voltage and overall dimensional variations include deviations when forming a discharge cell by combining a front plate and a rear plate.

【0005】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、基板内の均一な
加熱により膜形成素材を含む基板の歩留まりを高くでき
る膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate including a film forming material capable of increasing the yield of the substrate including the film forming material by uniform heating in the substrate. And a baking method and apparatus.

【0006】本発明者は上記の課題を達成するために種
々研究を重ねた結果、厚膜に含まれる金属、無機材料の
溶融或いは焼結状態、機能成分を固着させるために低下
されるガラスボンド成分、或いは誘電体にあってはガラ
ス成分そのものの軟化或いは溶融状態が基板内において
局部的に相違することを見出した。本発明は上記の知見
に基づいて為されたものである。
The present inventor has conducted various studies to achieve the above-mentioned object, and as a result, the metal or inorganic material contained in the thick film is melted or sintered, and the glass bond is lowered to fix the functional component. It has been found that the softening or melting state of the glass component itself in the component or dielectric material is locally different in the substrate. The present invention has been made based on the above findings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための第1の手段】上記の目的を達成
するための第1発明の要旨とするところは、膜形成素材
を含む基板に均一に熱処理を施すための焼成方法であっ
て、(a) 予め第1の設定温度に維持された第1の加熱室
内に前記基板を所定時間収容することにより上記の基板
をその第1の設定温度で均熱させる第1均熱工程と、
(b) 前記第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2の
設定温度に維持された第2の加熱室内へ前記第1の加熱
室内で熱処理された前記基板を搬送する搬送工程と、
(c) その基板をその第2の加熱室内に所定時間収容する
ことによりその基板をその第2の設定温度で均熱させる
第2均熱工程と、(d) 前記第1均熱工程中および前記第
2均熱工程中に実施され、前記第1の加熱室内および前
記第2の加熱室内で前記基板をその面方向に沿った方向
にそれぞれ往復移動させる往復移動工程と、を含むこと
にある。
A first aspect of the present invention for achieving the above object is a firing method for uniformly performing a heat treatment on a substrate including a film forming material, (a) a first heat equalizing step of holding the substrate in a first heating chamber maintained at a first set temperature in advance for a predetermined time to equalize the temperature of the substrate at the first set temperature;
(b) a transfer step of transferring the substrate that has been heat-treated in the first heating chamber to a second heating chamber maintained at a second set temperature different by a predetermined value from the first set temperature;
(c) accommodating the substrate in the second heating chamber for a predetermined time so as to equalize the substrate at the second set temperature; and (d) during the first heat equalizing step. A reciprocating step performed during the second soaking step and reciprocating the substrate in the first heating chamber and the second heating chamber in a direction along a surface direction thereof. .

【0008】[0008]

【第1発明の効果】このようにすれば、膜形成素材を含
む基板は、熱処理の過程において、第1均熱工程におい
て第1の設定温度で所定時間均熱された後、搬送工程に
おいてその第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2
の設定温度に維持された第2の加熱室へ搬送され、そし
て、第2均熱工程において第2の設定温度で所定時間均
熱されるが、第1および第2均熱工程において所定時間
均熱される際に、往復移動工程において基板がその面に
沿った方向に往復移動させられる。このように、所定値
だけ異なる設定温度に維持された加熱室内で均熱を繰り
返しながら熱処理が行われると共に、均熱中における往
復移動によって各加熱室に設けられたヒータと基板との
相対位置が変化させられることによって加熱効果が分散
させられることから、膜形成素材を含む基板内の温度の
ばらつきが可及的に小さくされる。そのため、基板がガ
ラス製である場合にあってその歪点以上の温度で熱処理
される場合は、基板内の寸法の局部的変化すなわち形成
パターンのゆがみが可及的に小さくされるので、次工程
以降のパターンとの位置ずれが防止されて、精細なパタ
ーンや大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高め
られる。また、上記のように膜形成素材を含む基板内の
温度のばらつきが可及的に小さくされることから、基板
の表面に厚膜誘電体層、隔壁状誘電体層、厚膜抵抗層、
電極層、無機着色顔料層が設けられる場合にあっては、
それら厚膜内のボンド成分として機能するガラスの溶
融、軟化の程度が一様となって、また金属−金属酸化物
系の溶融、焼結の程度が一様となって、それぞれ耐電圧
品質、隔壁の高さおよび幅寸法、抵抗値、放電品質、光
学的フィルター特性のばらつきなどが好適に小さくさ
れ、大型基板であっても製造歩留まりが飛躍的に高めら
れる。さらに、上記のように抵抗値のばらつきが小さく
される結果、工程の管理負荷や、トリミングなどの工程
が削減され或いは負荷が軽減される。
In this way, the substrate including the film-forming material is soaked at the first set temperature in the heat treatment process at the first set temperature for a predetermined time, and then is transferred in the transport process. A second value different from the first set temperature by a predetermined value;
Is transferred to the second heating chamber maintained at the set temperature, and is soaked at the second set temperature in the second soaking process for a predetermined time, but is soaked in the first and second soaking processes for a predetermined time. In this case, the substrate is reciprocated in a direction along the surface in the reciprocating step. As described above, the heat treatment is performed while repeating the soaking in the heating chamber maintained at the set temperature different by the predetermined value, and the relative position between the heater provided in each heating chamber and the substrate changes due to the reciprocating movement during the soaking. This disperses the heating effect, so that the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible. Therefore, when the substrate is made of glass and is heat-treated at a temperature equal to or higher than the strain point, local changes in dimensions within the substrate, that is, distortion of the formed pattern are reduced as much as possible. The misalignment with the subsequent pattern is prevented, and the production yield is drastically improved even for a fine pattern or a large substrate. In addition, since the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible, a thick dielectric layer, a partition dielectric layer, a thick resistive layer,
When an electrode layer and an inorganic coloring pigment layer are provided,
The degree of melting and softening of the glass functioning as a bond component in those thick films becomes uniform, and the degree of melting and sintering of the metal-metal oxide system becomes uniform, respectively. Variations in the height and width dimensions of the partition walls, resistance values, discharge quality, optical filter characteristics, and the like are suitably reduced, and the production yield is drastically increased even for large substrates. Further, as described above, as a result of reducing the variation in the resistance value, the management load of the process and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.

【0009】[0009]

【課題を解決するための第2の手段】上記発明方法を好
適に実施するための第2発明の要旨とするところは、膜
形成素材を含む基板に均一に熱処理を施すための焼成装
置であって、(a) トンネル状の加熱領域内の長手方向の
一部においてシャッタ装置により熱的に分割された状態
で設けられ、加熱ヒータにより相互に異なる温度に独立
に制御される少なくとも2つの第1の加熱室および第2
の加熱室と、(b) 前記第1の加熱室の加熱ヒータを制御
してその第1の加熱室内の温度を第1の設定温度で均一
に保持させ、前記第2の加熱室の加熱ヒータを制御して
その第2の加熱室内の温度を前記第1の設定温度よりも
所定値だけ異なる第2の設定温度で均一に保持させる温
度制御装置と、(c) 前記基板を前記トンネル状の加熱領
域内において一方向へ順次搬送する過程で、前記第1の
加熱室内に前記基板を送り込んでその第1の加熱室内で
所定時間の熱処理を施し、その第1の加熱室内の熱処理
を終えた基板をその第1の加熱室内から前記第2の加熱
室内へ搬送してその第2の加熱室内で所定時間の熱処理
を施し、その第2の加熱室内での熱処理を終えた基板を
その第2の加熱室から送り出す搬送装置と、(d) 前記第
1の加熱室内および第2の加熱室内における前記所定時
間の熱処理中において、前記基板をそれぞれ搬送方向に
沿った方向に往復移動させる往復移動装置とを、含むこ
とにある。
A second aspect of the present invention for suitably carrying out the method of the present invention is a baking apparatus for uniformly heat-treating a substrate containing a film forming material. And (a) at least two first heaters which are provided in a part of the tunnel-shaped heating region in the longitudinal direction and are thermally divided by a shutter device and which are independently controlled to different temperatures by a heater. Heating chamber and second
And (b) controlling the heater in the first heating chamber so as to maintain the temperature in the first heating chamber at a first set temperature uniformly, and heating the heater in the second heating chamber. A temperature control device for controlling the temperature of the second heating chamber to be uniformly maintained at a second set temperature different from the first set temperature by a predetermined value; and In the process of sequentially transporting the substrate in one direction in the heating area, the substrate was fed into the first heating chamber, heat-treated for a predetermined time in the first heating chamber, and the heat treatment in the first heating chamber was completed. The substrate is transferred from the first heating chamber to the second heating chamber, subjected to a heat treatment for a predetermined time in the second heating chamber, and the heat-treated substrate in the second heating chamber is removed from the second heating chamber. (D) the first heating chamber and During the predetermined time heat treatment in the heating chamber, and a reciprocating device for reciprocating the substrate in a direction along each conveying direction it is to contain.

【0010】[0010]

【第2発明の効果】このようにすれば、膜形成素材を含
む基板は、熱処理の過程において、第1の加熱室におい
て第1の設定温度で所定時間均熱された後、搬送装置に
よりその第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2の
設定温度に維持された第2の加熱室へ搬送され、そし
て、第2の加熱室において第2の設定温度で所定時間均
熱されるが、それぞれの均熱処理中においては往復移動
装置によりその搬送方向に往復移動させられる。このよ
うに、一方向に搬送される過程で相互に所定値だけ異な
る第1加熱室および第2加熱室内において順次均熱を繰
り返しながら熱処理が行われると共に、均熱中における
往復移動によって加熱ヒータと基板との相対位置が変化
させられることによって加熱効果が分散させられること
から、膜形成素材を含む基板内の温度のばらつきが可及
的に小さくされるので、基板がガラス製である場合にあ
ってその歪点以上の温度で熱処理される場合は、基板内
の寸法の局部的変化すなわち形成パターンのゆがみが可
及的に小さくされるので、次工程以降のパターンとの位
置ずれが防止されて、精細なパターンや大型基板であっ
ても製造歩留まりが飛躍的に高められる。また、上記の
ように膜形成素材を含む基板内の温度のばらつきが可及
的に小さくされることから、基板の表面に厚膜誘電体
層、隔壁状誘電体層、厚膜抵抗層、電極層、無機着色顔
料層が設けられる場合にあっては、それら厚膜内のボン
ド成分として機能するガラスの溶融、軟化の程度が一様
となって、また金属−金属酸化物系の溶融、焼結の程度
が一様となって、それぞれ耐電圧品質、隔壁の高さおよ
び幅寸法、抵抗値、放電品質、光学的フィルター特性の
ばらつきなどが好適に小さくされ、大型基板であっても
製造歩留まりが飛躍的に高められる。さらに、上記のよ
うに抵抗値のばらつきが小さくされる結果、工程の管理
負荷や、トリミングなどの工程が削減され或いは負荷が
軽減される。
In this manner, the substrate including the film forming material is uniformly heated at the first set temperature in the first heating chamber for a predetermined time in the course of the heat treatment, and then is transferred by the transfer device. It is transported to a second heating chamber maintained at a second set temperature different from the first set temperature by a predetermined value, and is soaked at a second set temperature in the second heating chamber for a predetermined time, During each soaking process, it is reciprocated in the transport direction by a reciprocating device. As described above, the heat treatment is performed while sequentially repeating the soaking in the first heating chamber and the second heating chamber, which are different from each other by a predetermined value in the process of being transported in one direction, and the heater and the substrate are reciprocated during the soaking. Since the heating effect is dispersed by changing the relative position of the substrate and the substrate, the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible. If the heat treatment is performed at a temperature higher than the strain point, local changes in dimensions within the substrate, that is, distortion of the formed pattern are reduced as much as possible. Even with a fine pattern or a large substrate, the production yield can be dramatically improved. In addition, since the temperature variation in the substrate including the film forming material is reduced as much as possible as described above, the thick film dielectric layer, the partition wall dielectric layer, the thick film resistance layer, the electrode In the case where a layer and an inorganic color pigment layer are provided, the degree of melting and softening of the glass functioning as a bond component in the thick film becomes uniform, and the melting and firing of a metal-metal oxide system is performed. The degree of sintering becomes uniform, and the withstand voltage quality, height and width dimensions of the partition walls, resistance value, discharge quality, variations in optical filter characteristics, etc. are suitably reduced. Is dramatically increased. Further, as described above, as a result of reducing the variation in the resistance value, the management load of the process and the process such as trimming are reduced or the load is reduced.

【0011】また、膜形成素材を含む基板が一方向に搬
送される過程で、第1の加熱室および第2の加熱室にお
いて熱処理が施されることから、膜形成素材を含む基板
が連続的に搬送されることにより連続的なヒートカーブ
が形成される従来の焼成装置によって膜形成素材を含む
基板内の温度差を極めて小さくしようとする場合に比較
して、全長が短縮されて装置が小型となる。
[0011] Further, in the process in which the substrate containing the film forming material is conveyed in one direction, heat treatment is performed in the first heating chamber and the second heating chamber. The overall length is shortened and the device is small compared to the case where the temperature difference in the substrate including the film forming material is extremely reduced by a conventional baking device in which a continuous heat curve is formed by being transported to the substrate. Becomes

【0012】[0012]

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記第2発明の
焼成装置において、前記搬送装置は、前記トンネル状の
加熱領域内において長手方向と軸心方向が垂直を成すよ
うに相互に平行に設けられて前記基板を支持し、その基
板を前記一方向へ搬送するためにその軸心回りにそれぞ
れ回転駆動される複数本のローラを、更に含むものであ
り、前記往復移動装置は、それら複数本のローラの回転
方向を同期的且つ周期的に反転させるものである。この
ようにすれば、膜形成素材を含む基板は、軸心回りに回
転駆動される複数本のローラによって支持され且つ前記
一方向へ搬送されるが、加熱室内での均熱中における基
板の往復移動によってそれら複数本のローラと基板との
相対位置が周期的に変化させられる。そのため、基板と
ローラとの位置関係が固定されている場合に比較して、
基板の特定位置にローラが定常的に存在することに起因
する熱的な不均衡性が緩和されて、基板内の温度のばら
つきを一層抑制できる。しかも、メッシュベルト等によ
って搬送する場合に比較して、塵埃の発生原因となるベ
ルトの摺動がないことから加熱領域内の清浄度が高めら
れて、基板を均一に熱処理する過程において形成される
膜の機能が発生した塵埃によって損なわれることが抑制
される。
In another preferred embodiment of the present invention, in the baking apparatus according to the second aspect of the present invention, the transfer devices are mutually connected such that a longitudinal direction and an axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped heating region. The reciprocating device further includes a plurality of rollers provided in parallel to support the substrate, and each of the rollers is driven to rotate around its axis to convey the substrate in the one direction. The rotation direction of the plurality of rollers is synchronously and periodically reversed. With this configuration, the substrate including the film-forming material is supported by the plurality of rollers that are driven to rotate around the axis and is transported in the one direction, but the substrate reciprocates during uniform heating in the heating chamber. Accordingly, the relative positions of the plurality of rollers and the substrate are periodically changed. Therefore, compared to the case where the positional relationship between the substrate and the roller is fixed,
Thermal imbalance caused by the stationary presence of the roller at a specific position on the substrate is alleviated, and the temperature variation in the substrate can be further suppressed. In addition, compared to the case where the belt is conveyed by a mesh belt or the like, there is no sliding of the belt, which causes generation of dust, so that the degree of cleanliness in the heating area is increased, and the substrate is formed in the process of uniformly heat-treating the substrate. The function of the film is prevented from being damaged by the generated dust.

【0013】因みに、複数本のローラを回転駆動するこ
とにより基板を搬送する搬送装置によれば、上述のよう
に焼成装置の清浄度が高められるが、その反面、基板の
一部がローラによって部分的に支持されることとなる。
そのため、加熱室内での均熱中において搬送装置を停止
させると、基板とローラとの間の熱伝導に起因する熱的
な不均衡が生じ得ると共に、そのローラの下側にヒータ
が備えられる場合には、基板裏面のうちローラの陰にな
る部分が定常的に加熱されないことに起因する熱的な不
均衡が生じ得る。そのため、メッシュベルト等で搬送す
る場合に比較して、均熱中における往復移動の必要性が
高まることとなるが、ローラで基板を搬送する場合に
は、加熱室毎にローラの駆動系統を分割して搬送装置を
分割することが容易であることから、所望の加熱室毎に
基板を往復移動させることにより熱的な不均衡性を緩和
できるのである。
According to the transfer apparatus for transferring a substrate by rotating a plurality of rollers, the cleanliness of the baking apparatus is improved as described above, but a part of the substrate is partially controlled by the rollers. Will be supported.
Therefore, when the transport device is stopped during the heat equalization in the heating chamber, a thermal imbalance due to heat conduction between the substrate and the roller may occur, and a heater may be provided below the roller. In this case, a thermal imbalance may occur due to the fact that a portion of the back surface of the substrate that is shaded by the roller is not constantly heated. Therefore, the necessity of reciprocal movement during soaking is increased as compared with the case where the substrate is transported by a mesh belt or the like.However, when the substrate is transported by a roller, the roller drive system is divided for each heating chamber. Therefore, the thermal imbalance can be reduced by reciprocating the substrate for each desired heating chamber.

【0014】また、前記第2発明の焼成装置の搬送装置
が基板を支持して搬送するための複数本のローラを含む
場合において、それら複数本のローラはセラミックスか
ら成るものである。このようにすれば、基板と接触させ
られるローラがセラミックスから構成されることから、
加熱領域内でローラが加熱されることによって変質させ
られ或いは錆びさせられて塵埃等を発生させることが抑
制されるため、加熱領域内の清浄度が一層高められる。
Further, in the case where the transfer device of the baking apparatus of the second invention includes a plurality of rollers for supporting and transferring the substrate, the plurality of rollers are made of ceramics. In this case, since the roller to be brought into contact with the substrate is made of ceramics,
Since the generation of dust and the like due to heating and heating of the roller in the heating region is suppressed, the cleanliness in the heating region is further enhanced.

【0015】また、好適には、前記搬送装置が複数本の
ローラを含む場合において、前記往復移動装置は、前記
基板の一方向の移動距離が前記トンネル状の加熱領域の
長手方向において前記複数本のローラの各々の直径より
も大きくなるようにその基板を往復移動させるものであ
る。このようにすれば、複数本のローラの真上に基板の
うちの特定部分が定常的に位置することが抑制されるた
め、熱的な不均衡性が一層緩和されて、基板内の温度の
ばらつきを一層抑制できる。
Preferably, in the case where the transporting device includes a plurality of rollers, the reciprocating device may be configured such that a moving distance of the substrate in one direction is a length of the plurality of rollers in a longitudinal direction of the tunnel-shaped heating region. The substrate is reciprocated so as to be larger than the diameter of each of the rollers. With this configuration, since a specific portion of the substrate is suppressed from being constantly located immediately above the plurality of rollers, thermal imbalance is further reduced, and the temperature in the substrate is reduced. Variation can be further suppressed.

【0016】また、好適には、前記基板がガラス素材を
含むものである場合には、そのガラス素材の転移点或い
は歪点を基板内が均一な温度状態を保ちつつ通過するよ
うに、また、基板に含まれる膜形成材料が金属或いは無
機材料の溶融、焼結により固着される場合には、その膜
形成材料の溶融点或いは焼結点を基板内が均一な温度状
態を保ちつつ通過するように、前記第1の設定温度およ
び第2の設定温度は、上記基板に含まれるガラス素材の
転移点或いは歪点の近傍の値に設定され、或いは上記基
板上の膜形成材料に含まれる金属或いは無機材料の溶融
点或いは焼結点の近傍の値に設定される。
Preferably, when the substrate contains a glass material, the transition point or strain point of the glass material is passed through the substrate while maintaining a uniform temperature state. When the contained film forming material is fixed by melting or sintering of a metal or inorganic material, the melting point or the sintering point of the film forming material is passed through the substrate while maintaining a uniform temperature state. The first set temperature and the second set temperature are set to values near a transition point or a strain point of a glass material included in the substrate, or a metal or inorganic material included in a film forming material on the substrate. Is set to a value in the vicinity of the melting point or sintering point.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】図1、図2、図3は、本発明の一実施例の
基板62を一方向へ順次搬送する過程で焼成を施す形式
の連続型焼成装置116の構成を示しており、図1は正
面図、図2は炉体の幅方向中央を通り長手方向に沿った
断面図、図3(a) 〜(e) はそれぞれ図2におけるa−a
乃至e−e視断面をそれぞれ示す図である。図におい
て、独立に駆動される第1搬送装置118、複数の第2
搬送装置120a、120b、〜120f(以下、特に
区別しないときは単に第2搬送装置120という)、第
3搬送装置122が直列に配置されており、基板62
は、それら第1搬送装置118、第2搬送装置120、
第3搬送装置122によって一方向に搬送されることに
より、トンネル状の炉体124a、124b(以下、特
に区別しないときは単に炉体124という)内を通過さ
せられるようになっている。
FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3 show the structure of a continuous baking apparatus 116 in which baking is performed in the process of sequentially transporting the substrate 62 in one direction according to one embodiment of the present invention. 2 is a front view, FIG. 2 is a cross-sectional view along the longitudinal direction passing through the center of the furnace body in the width direction, and FIGS. 3 (a) to 3 (e) are aa in FIG.
It is a figure which shows the cross section from ee to ee, respectively. In the figure, a first transport device 118 driven independently and a plurality of second
The transfer devices 120a, 120b, to 120f (hereinafter, simply referred to as a second transfer device 120 when not particularly distinguished) and a third transfer device 122 are arranged in series, and the substrate 62
Are the first transport device 118, the second transport device 120,
By being transported in one direction by the third transport device 122, it can be passed through tunnel-shaped furnace bodies 124 a, 124 b (hereinafter, simply referred to as the furnace body 124 unless otherwise distinguished).

【0019】上記トンネル状の炉体124は、例えば内
壁がβ−スポジュメン系結晶化ガラス等の耐熱ガラスか
ら構成されたものである。炉体124a内には、基板6
2を最高処理温度まで加熱すると共にその過程で基板6
2上に印刷形成された膜に含まれているバインダ(樹
脂)を燃焼除去するための予熱ゾーン(予熱部)126
と、基板62をその最高処理温度で所定時間保持するた
めの加熱ゾーン(加熱部)128と、基板62を徐々に
冷却するための徐冷ゾーン(徐冷部)130とが設けら
れており、炉体124b内には、基板62を常温付近ま
で冷却するための冷却ゾーン(冷却部)132が設けら
れている。
The tunnel-shaped furnace body 124 has an inner wall made of, for example, heat-resistant glass such as β-spodumene crystallized glass. The substrate 6 is placed in the furnace body 124a.
2 is heated to the maximum processing temperature, and in the process, the substrate 6 is heated.
Preheating zone (preheating unit) 126 for burning and removing the binder (resin) contained in the film printed and formed on 2
And a heating zone (heating unit) 128 for holding the substrate 62 at the highest processing temperature for a predetermined time, and a slow cooling zone (slow cooling unit) 130 for gradually cooling the substrate 62. A cooling zone (cooling section) 132 for cooling the substrate 62 to around room temperature is provided in the furnace body 124b.

【0020】前記第1搬送装置118は、上記予熱ゾー
ン126および加熱ゾーン128に対応する位置に設け
られている。この第1搬送装置118は、炉体124a
の下方に設けられて連続的に駆動される減速機付モータ
134の回転を、チェーン136、および一軸線上に設
けられた複数本のラインシャフト138a、138b、
〜138e(以下、特に区別しないときは単にラインシ
ャフト138という)を介して、炉体124aの長手方
向に沿って所定間隔をもって設けられたマイタギア14
0a、140b、〜140f(以下、特に区別しないと
きは単にマイタギア140という)に伝達し、そのマイ
タギア140によってそれぞれ分担される駆動区分12
7a、127b、127c、127d(以下、特に区別
しないときは単に駆動区分127という)、駆動区分1
29a、129b(以下、特に区別しないときは単に駆
動区分129という)毎に図2に示されるように炉体1
24a内に設けられているローラ166を回転させるこ
とにより、そのローラ166上に乗せられた基板62を
例えば300(mm/min) 程度の所定の第1の搬送速度で連続
的に搬送するものである。
The first transfer device 118 is provided at a position corresponding to the preheating zone 126 and the heating zone 128. The first transfer device 118 includes a furnace body 124a
The rotation of the motor 134 equipped with a speed reducer, which is provided below and continuously driven, is controlled by the chain 136 and a plurality of line shafts 138a, 138b provided on one axis.
Through 138e (hereinafter, simply referred to as a line shaft 138 unless otherwise specified) at predetermined intervals along the longitudinal direction of the furnace body 124a.
0a, 140b, to 140f (hereinafter simply referred to as a miter gear 140 unless otherwise specified), and the drive sections 12 respectively assigned by the miter gear 140
7a, 127b, 127c, 127d (hereinafter simply referred to as drive section 127 unless otherwise distinguished), drive section 1
29a and 129b (hereinafter simply referred to as a drive section 129 unless otherwise distinguished) as shown in FIG.
By rotating the roller 166 provided in the inside 24a, the substrate 62 placed on the roller 166 is continuously transported at a predetermined first transport speed of, for example, about 300 (mm / min). is there.

【0021】図4は、第1搬送装置118および第2搬
送装置120の要部を中間を省略した状態で上下に配し
て拡大して示す図であり、図1に示される駆動区分12
7a、129b、131bにそれぞれ対応する部分が上
段、中段、下段にそれぞれ示されている。駆動区分12
7aに対応する第1搬送装置118のマイタギア140
aには、軸心方向が炉体124の長手方向に沿って設け
られている原動軸142aと、軸心方向が炉体124の
長手方向に垂直(紙面に垂直)な従動軸144aとが備
えられている。モータ134の回転がチェーン136に
よってマイタギア140aに伝達されて原動軸142a
が矢印の方向に回転させられると、その原動軸142a
にカップリング146を介して接続されているラインシ
ャフト138aが原動軸142aと同方向に回転させら
れると共に、従動軸144aが例えば図の矢印の方向に
回転させられる。
FIG. 4 is an enlarged view of the essential parts of the first transporting device 118 and the second transporting device 120 arranged vertically, with the middle part omitted, and the driving section 12 shown in FIG.
Parts corresponding to 7a, 129b, and 131b are shown in the upper, middle, and lower rows, respectively. Drive section 12
Miter gear 140 of the first transporting device 118 corresponding to 7a
a includes a driving shaft 142a whose axial direction is provided along the longitudinal direction of the furnace body 124, and a driven shaft 144a whose axial direction is perpendicular to the longitudinal direction of the furnace body 124 (perpendicular to the paper). Have been. The rotation of the motor 134 is transmitted to the miter gear 140a by the chain 136, and the driving shaft 142a
Is rotated in the direction of the arrow, its driving shaft 142a
The line shaft 138a connected to the drive shaft 142 via the coupling 146 is rotated in the same direction as the driving shaft 142a, and the driven shaft 144a is rotated, for example, in the direction of the arrow in the drawing.

【0022】一方、図4に中段に示されている駆動区分
129bに対応するマイタギア140f、すなわち第1
搬送装置118の右端部に設けられているマイタギア1
40fは、原動軸142fの一端がワンウェイカップリ
ング148を介してラインシャフト138eに接続され
ている。また、その原動軸142fの他端部側には減速
機付モータ150が備えられており、その他端部にワン
ウェイカップリング152を介して接続されている。こ
れらのワンウェイカップリング148、152は、それ
ぞれラインシャフト138eおよびモータ150の図の
矢印方向の回転のみをマイタギア140fに伝達するも
のであり、モータ150は、後述の第2搬送装置120
に同期してラインシャフト138よりも速い回転速度で
間歇的に駆動される。そのため、モータ150の停止中
はラインシャフト138eの回転がワンウェイカップリ
ング148を介して原動軸142fに伝達され、ワンウ
ェイカップリング152は滑らされる一方、モータ15
0の駆動中はワンウェイカップリング152を介してそ
の回転が原動軸142fに伝達され、ワンウェイカップ
リング148が滑らされることとなる。したがって、モ
ータ150の駆動中は、駆動区分129b内のローラ1
66上の基板62が前記の第1の搬送速度(例えば300
[mm/min] 程度)よりも速い例えば5000(mm/min)程度の
第2の搬送速度で搬送される。なお、省略されている駆
動区分127b、127c、〜129aは、ラインシャ
フト138a、138b、〜138eがカップリング1
46と同様な図示しないカップリングを介してマイタギ
ア140b、140c、〜140eの原動軸142に接
続されており、その原動軸142の回転に伴ってそれぞ
れに備えられている従動軸144が回転させられる。
On the other hand, the miter gear 140f corresponding to the drive section 129b shown in the middle part of FIG.
Miter gear 1 provided at the right end of transport device 118
In 40f, one end of a driving shaft 142f is connected to a line shaft 138e via a one-way coupling 148. A motor 150 with a speed reducer is provided at the other end of the driving shaft 142f, and is connected to the other end via a one-way coupling 152. These one-way couplings 148 and 152 transmit only the rotation of the line shaft 138e and the motor 150 in the direction of the arrow in the drawing to the miter gear 140f, respectively.
, And is intermittently driven at a higher rotation speed than the line shaft 138. Therefore, while the motor 150 is stopped, the rotation of the line shaft 138e is transmitted to the driving shaft 142f via the one-way coupling 148, and the one-way coupling 152 is slid, while the motor 15
During the zero drive, the rotation is transmitted to the driving shaft 142f via the one-way coupling 152, and the one-way coupling 148 is slid. Therefore, while the motor 150 is being driven, the rollers 1 in the drive section 129b are not driven.
The substrate 62 on the substrate 66 is moved at the first transfer speed (for example, 300
For example, it is transported at a second transport speed of about 5000 (mm / min), which is faster than [mm / min]. In the drive sections 127b, 127c, to 129a, which are omitted, the line shafts 138a, 138b, to 138e have the coupling 1
The drive shafts 142 of the miter gears 140b, 140c, to 140e are connected to the drive shafts 142 through couplings (not shown) similar to the drive shafts 46, and the driven shafts 144 provided in the drive shafts 142 are rotated with the rotation of the drive shafts 142. .

【0023】また、複数のマイタギア140の下方に
は、軸心方向が炉体124の長手方向に垂直且つ水平方
向となるように互いに平行にその長手方向に沿って配列
された複数本の回転軸154がそれぞれ備えられてい
る。このため、第1搬送装置118には、その全長に亘
って、炉体124の長手方向に沿って多数の回転軸15
4が備えられている。この回転軸154は、従動軸14
4の回転を例えばチェーン(或いはタイミングベルト)
156によって伝達されることによって、それぞれ図に
矢印で示される方向に回転させられる。このため、モー
タ134が駆動させられると、炉体124の長手方向に
沿って配列された多数の第1搬送装置118の回転軸1
54が同様な回転速度、回転方向で同時に回転させられ
ることとなるが、モータ150が駆動させられると、マ
イタギア140fにはその回転が伝達されてワンウェイ
カップリング148によってラインシャフト138eの
接続が実質的に絶たれ、マイタギア140fの下方に備
えられている回転軸154、すなわち加熱ゾーン128
のうちの徐冷ゾーン130に隣接する駆動区分129b
に属する回転軸154が、第1搬送装置118内の他の
駆動区分127、129aに属する回転軸154よりも
速い徐冷ゾーン130と同様な速度で回転させられるこ
ととなる。したがって、本実施例においては、マイタギ
ア140fで駆動される駆動区分129bが基板62の
搬送速度を変化させられる隣接領域に相当し、モータ1
50、ワンウェイカップリング148、152によって
速度変更装置が構成されている。
Below the plurality of miter gears 140, a plurality of rotating shafts arranged along the longitudinal direction of the furnace body 124 in parallel with each other so that the axial direction is perpendicular and horizontal to the longitudinal direction of the furnace body 124. 154 are provided respectively. For this reason, the first transport device 118 has a large number of rotating shafts 15 along the longitudinal direction of the furnace body 124 over its entire length.
4 are provided. The rotating shaft 154 is
4 rotation, eg chain (or timing belt)
By being transmitted by 156, each is rotated in the direction indicated by the arrow in the figure. For this reason, when the motor 134 is driven, the rotating shafts 1 of a large number of the first transporting devices 118 arranged along the longitudinal direction of the furnace body 124
When the motor 150 is driven, the rotation is transmitted to the miter gear 140f, and the one-way coupling 148 substantially connects the line shaft 138e. The rotary shaft 154 provided below the miter gear 140f, that is, the heating zone 128
Drive section 129b adjacent to slow cooling zone 130
Is rotated at a speed similar to that of the slow cooling zone 130, which is faster than the rotation shafts 154 belonging to the other drive sections 127 and 129a in the first transport device 118. Therefore, in this embodiment, the drive section 129b driven by the miter gear 140f corresponds to an adjacent area where the transfer speed of the substrate 62 can be changed, and the motor 1
The speed changing device is constituted by 50 and the one-way couplings 148 and 152.

【0024】また、複数の第2搬送装置120は、図4
の下段に駆動区分131bについて示されるように、そ
れぞれ独立して間歇的に駆動される減速機付モータ15
8a、158b、〜158f(以下、特に区別しないと
きは単にモータ158という)を備えたものであり、そ
のモータ158の下方には第1搬送装置118と同様
に、炉体124の長手方向と垂直且つ水平方向に設けら
れた複数本の回転軸154が備えられている。この回転
軸154はモータ158の出力軸160の回転をチェー
ン156によって伝達されることにより同方向に回転さ
せられるものである。すなわち、複数の第2搬送装置1
20は、第1搬送装置118においてモータ134の回
転を伝達されるマイタギア140に代えて独立して駆動
されるモータ158をそれぞれ備えたものである。モー
タ158は、出力軸160が図に矢印で示される正転方
向に正転駆動されるだけではなく、交互に正転方向およ
び逆転方向に回転駆動する反転駆動可能とされている
が、正転駆動時には回転軸154に接続されたローラ1
66が前記の第2の搬送速度(例えば5000[mm/min]程
度)が得られるように回転させられる一方、反転駆動時
にはそれよりも遅い例えば1300(mm/min)程度の第3の搬
送速度で基板62が搬送方向およびその反対方向に往復
移動させられるようにローラ166が正転方向および逆
転方向に回転させられる。
Further, the plurality of second transfer devices 120 are provided in FIG.
As shown for the drive section 131b in the lower part, the motor 15 with the speed reducer
8a, 158b,... 158f (hereinafter, simply referred to as a motor 158 unless otherwise specified), and below the motor 158, as in the case of the first transfer device 118, perpendicular to the longitudinal direction of the furnace body 124. Further, a plurality of rotation shafts 154 provided in the horizontal direction are provided. The rotation shaft 154 is rotated in the same direction by transmitting the rotation of the output shaft 160 of the motor 158 by the chain 156. That is, the plurality of second transfer devices 1
Numeral 20 includes motors 158 that are independently driven in place of the miter gear 140 to which the rotation of the motor 134 is transmitted in the first transfer device 118. The motor 158 is not only driven forward in the forward direction indicated by the arrow in the drawing, but also reversely driven to rotate alternately in the forward and reverse directions. Roller 1 connected to rotating shaft 154 during driving
66 is rotated so as to obtain the above-described second transport speed (for example, about 5000 [mm / min]), while the third transport speed of about 1300 (mm / min), which is slower during reverse driving, for example. Then, the roller 166 is rotated in the normal rotation direction and the reverse rotation direction so that the substrate 62 is reciprocated in the transport direction and the opposite direction.

【0025】また、第3搬送装置122は、図1から明
らかなように、第1搬送装置118においてマイタギア
140の個数を減じ、炉体124の長手方向の前後が反
転された構成とされている。すなわち、駆動区分129
bと同様な構成の駆動区分133a、駆動区分127b
等と同様な構成の駆動区分133b、および駆動区分1
27aと同様な構成の駆動区分133cから構成されて
いる。そのため、炉体124bの下方に備えられた減速
機付モータ162の回転がチェーン163、ラインシャ
フト138g、および138fを介してマイタギア14
0i、140h、および140gに伝達され、それぞれ
の駆動区分133に備えられている回転軸154が回転
させられる。また、徐冷ゾーン130に隣接する駆動区
分133aでは、駆動区分129bと同様に、減速機付
モータ164の回転がワンウェイカップリングを介して
伝達されることにより、それに属する回転軸154が間
歇的に他の回転軸154よりも速い速度すなわち第2搬
送装置120に同期した速度で駆動される。したがっ
て、冷却ゾーン132のうち、マイタギア140gで駆
動される駆動区分133aも基板62の搬送速度を変化
させられる隣接領域に相当する。
Further, as apparent from FIG. 1, the third transfer device 122 has a configuration in which the number of miter gears 140 is reduced in the first transfer device 118 and the longitudinal direction of the furnace body 124 is reversed. . That is, the drive section 129
Drive section 133a, drive section 127b having the same configuration as that of section b.
Drive section 133b and drive section 1 having the same configuration as the above.
The driving section 133c has the same configuration as that of the driving section 133a. Therefore, the rotation of the motor with reduction gear 162 provided below the furnace body 124b is rotated by the miter gear 14 via the chain 163, the line shafts 138g, and 138f.
0i, 140h, and 140g, and the rotation shaft 154 provided in each drive section 133 is rotated. In the drive section 133a adjacent to the slow cooling zone 130, similarly to the drive section 129b, the rotation of the motor 164 with the speed reducer is transmitted via the one-way coupling, so that the rotation shaft 154 belonging thereto is intermittently driven. It is driven at a speed faster than the other rotation shafts 154, that is, at a speed synchronized with the second transport device 120. Therefore, in the cooling zone 132, the drive section 133a driven by the miter gear 140g also corresponds to an adjacent area where the transfer speed of the substrate 62 can be changed.

【0026】図2に戻って、炉体124内には、複数本
の例えばアルミナ製のローラ166が、図3(a) 〜(e)
に図2におけるa−a乃至e−e視断面を示すように、
両端部が炉体124側面から突き出すように設けられて
いる。炉体124の側部外側には一対の軸受け167、
167(図3(a) のみに図示)が設けられており、これ
に前記回転軸154がローラ166と同軸的にそれぞれ
支持されている。ローラ166は、それぞれこれら一対
の回転軸154に両側から挟まれた状態で設けられてお
り、前記モータ134の回転がチェーン154を介して
伝達されるその回転軸154の回転に伴って回転させら
れる。なお、図3(a) は、図2におけるa−a視断面に
対応する図であるが、a2 −a2 視断面も同様な断面形
状である。前記基板62は、炉体124内においてこの
ローラ166に支持されている。そのため、ローラ16
6が回転させられるとその回転に伴って一方向に搬送さ
れることとなる。このとき、第1搬送装置118および
第3搬送装置122が設けられている予熱ゾーン12
6、加熱ゾーン128、冷却ゾーン132においてはロ
ーラ166が連続的に回転させられて基板62が連続的
に搬送される一方、第2搬送装置120が設けられてい
る徐冷ゾーン130においてはローラ166が間歇的に
回転させられて基板62が間歇的に搬送されることとな
る。すなわち、本実施例においては、第1搬送装置11
8および第3搬送装置122が連続搬送装置に相当し、
第2搬送装置120が間歇搬送装置に相当する。
Returning to FIG. 2, a plurality of, for example, alumina rollers 166 are provided in the furnace body 124, as shown in FIGS.
As shown in aa to ee cross sections in FIG.
Both ends are provided so as to protrude from the side surface of the furnace body 124. A pair of bearings 167 are provided on the outer side of the furnace body 124,
167 (shown only in FIG. 3 (a)) is provided, and the rotating shaft 154 is supported coaxially with the roller 166. The rollers 166 are provided so as to be sandwiched between the pair of rotating shafts 154 from both sides. The rollers 166 are rotated with the rotation of the rotating shafts 154 transmitted through the chain 154. . Incidentally, FIG. 3 (a) is a view corresponding to a-a sectional view in FIG. 2, a 2 -a 2 sectional view is the same cross-sectional shape. The substrate 62 is supported by the rollers 166 in the furnace body 124. Therefore, the roller 16
When the roller 6 is rotated, it is conveyed in one direction with the rotation. At this time, the preheating zone 12 in which the first transfer device 118 and the third transfer device 122 are provided.
6. In the heating zone 128 and the cooling zone 132, the roller 166 is continuously rotated to continuously transport the substrate 62, while in the slow cooling zone 130 in which the second transporting device 120 is provided, the roller 166 is rotated. Are rotated intermittently, and the substrate 62 is intermittently transported. That is, in the present embodiment, the first transport device 11
8 and the third transfer device 122 correspond to a continuous transfer device,
The second transport device 120 corresponds to an intermittent transport device.

【0027】また、図1、図2、図3から明らかなよう
に、前記の予熱ゾーン126には、予熱ゾーン126内
の温度を検出するための複数の温度検出器TCが、前記
の駆動区分127毎に長手方向中央の幅方向の3位置に
おいて上下に設けられると共に、炉体124の上側およ
び下側に複数のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立
して制御されるヒータHが、それぞれの駆動区分127
毎に炉体124の長手方向および幅方向にそれぞれ4ゾ
ーンずつ設けられている。すなわち、図1乃至図3にお
いては一部が省略されているが、図5(a) に駆動区分1
27aについて模式的に示すように、各駆動区分127
毎に基板62の送り方向Aおよびそれに直交する図示し
ないローラ166の長手方向にそれぞれ4分割された合
計16組のヒータH1111、H1112、H1113、H1114、H
1121、H1122、H1123、H1124、H1131、H1132、H
1133、H1134、H1141、H1142、H1143、H1144(駆動
区分127b、127c、127dにはそれぞれH1211
〜H1244、H1311〜H1344、H1411〜H1444が備えられ
る)が炉体124の上下において各一対として配設さ
れ、ヒータH1121とH1131の間の位置、ヒータH1122
1123、H1132、およびH1133の間の位置、ヒータH
1124とH1134の間の位置にそれぞれ温度検出器T
111 、TC112 、TC113 (駆動区分127b、12
7c、127dにはそれぞれTC121 〜TC123 、TC
131 〜TC133 、TC141 〜TC143 )が配設されてい
る。図2に駆動区分127aの上側に一部について例示
するように、各々の温度検出器TCおよびヒータHは制
御装置168に接続されており、温度検出器TCで検出
された温度信号に従ってヒータHの出力が制御される。
As is clear from FIGS. 1, 2 and 3, FIG.
In addition, the preheating zone 126 includes
A plurality of temperature detectors TC for detecting the temperature of
At three positions in the width direction at the center in the longitudinal direction for each drive section 127
At the top and bottom of the furnace body 124 and
And multiple zones below and independently for each zone
The heaters H controlled in the respective driving sections 127
4 zones each in the longitudinal and width directions of the furnace body 124
Are provided. That is, FIGS.
Although a part is omitted in FIG. 5, the driving section 1 is shown in FIG.
27a, each drive section 127
The feed direction A of the substrate 62 and the diagram orthogonal thereto
The roller 166 is divided into four parts each in the longitudinal direction.
A total of 16 heaters H1111, H1112, H1113, H1114, H
1121, H1122, H1123, H1124, H1131, H1132, H
1133, H1134, H1141, H1142, H1143, H1144(Drive
H is assigned to each of the sections 127b, 127c, and 127d.1211
~ H1244, H1311~ H1344, H1411~ H1444Is provided
Are provided as a pair above and below the furnace body 124, respectively.
And heater H1121And H1131Between heaters, heater H1122,
H1123, H1132, And H1133Between heaters, heater H
1124And H1134Between the temperature detectors T
C 111, TC112, TC113(Drive section 127b, 12
TCs for 7c and 127d respectively121~ TCone two Three, TC
131~ TC133, TC141~ TC143) Is arranged
You. FIG. 2 shows an example of a part above the drive section 127a.
So that each temperature detector TC and heater H are controlled.
Connected to the control device 168 and detected by the temperature detector TC
The output of the heater H is controlled according to the temperature signal given.

【0028】また、予熱ゾーン126には、炉体124
の入口側の駆動区分127aの入口上部に給気管170
が設けられると共に、続く駆動区分127b、127
c、127dの基板62の搬送方向前方側に排気管17
2が設けられている。これら給気管170および排気管
172は、例えばローラ166と同様なアルミナセラミ
ックスから構成されて何れも炉体124の幅方向に貫通
するように設けられている。給気管170は、その両端
部において炉体124側面に備えられている給気用配管
174に接続されており、図示しない空気供給源から導
かれた空気を炉体124内に供給する。また、排気管1
72は、その両端部において炉体124側面に備えられ
ている排気用配管176に接続されており、炉体124
内に供給された空気はその内部を流れる過程で複数の排
気管172から吸い込まれ、排出口178から排出され
る。これら給気管170および排気管172は、それぞ
れ図6(a) 、(b) に示されるように丸穴状のノズル17
1或いは長穴状のノズル181を複数箇所に備えたもの
である。
The preheating zone 126 includes a furnace body 124.
At the upper part of the inlet of the drive section 127a on the inlet side of the
Are provided, and the following drive sections 127b, 127
c, 127d, the exhaust pipe 17
2 are provided. The air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172 are made of, for example, the same alumina ceramic as the roller 166 and are provided so as to penetrate in the width direction of the furnace body 124. The air supply pipe 170 is connected to an air supply pipe 174 provided on the side surface of the furnace body 124 at both ends thereof, and supplies air guided from an air supply source (not shown) into the furnace body 124. Also, exhaust pipe 1
Numerals 72 are connected to exhaust pipes 176 provided on the sides of the furnace body 124 at both ends thereof.
The air supplied to the inside is sucked in from the plurality of exhaust pipes 172 in the process of flowing through the inside, and is discharged from the outlet 178. As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172
One or a long hole-shaped nozzle 181 is provided at a plurality of locations.

【0029】また、前記加熱ゾーン128には、加熱ゾ
ーン128内の温度を検出するための複数の温度検出器
TCが、駆動区分129毎に炉体124の長手方向およ
び幅方向のそれぞれ3位置において上下に設けられると
共に、炉体124の上側、下側および両側面上部に複数
のゾーンを形成し且つそのゾーン毎に独立して制御され
るヒータHが、それぞれの駆動区分129毎に炉体12
4の長手方向に4ゾーン、幅方向に両側面上部の各1ゾ
ーンを含む6ゾーンずつ設けられている。すなわち、図
5(b) に示されるように、各駆動区分129毎に基板6
2の送り方向Aおよびそれに直交する図示しないローラ
166の長手方向にそれぞれ4分割された合計16組の
ヒータH2111、H2112、H2113、H2114、H2121、H
2122、H21 23、H2124、H2131、H2132、H2133、H
2134、H2141、H2142、H2143、H21 44が炉体124の
上下において各一対として配設されると共に、炉体12
4の幅方向両側の上部側面において送り方向Aにそれぞ
れ4分割された(4組の)ヒータH2115、H2125、H
2135、H2145、H2116、H2126、H2136、H2146(駆動
区分129bにはH2211〜H2246)が両側面で一対とし
て配設されている。また、ヒータH2111内、H2112とH
2113との間、H2114内、H2121とH2131との間、
2122、H2123、H2132、H2133の間、H2124とH2134
との間、H2141内、H2142とH2143との間、H2144内の
位置にそれぞれ9組の温度検出器TC2111、TC21 12
TC2113、TC2121、TC2122、TC2123、TC2131
TC2132、TC2133(駆動区分129bにはTC2211
TC2233)が上下に配設されている。
The heating zone 128 has a heating zone.
Temperature Detectors for Detecting Temperatures in the Temperature Range 128
The TC is applied to the longitudinal direction of the furnace body 124 for each drive section 129.
When it is provided up and down at each of three positions in the width direction
In both cases, a plurality of
And each zone is independently controlled.
Heaters H are provided in the furnace body 12 for each drive section 129.
4 zones in the longitudinal direction, 4 zones in the upper direction on both sides in the width direction
There are six zones each including a zone. That is, the figure
As shown in FIG. 5 (b), the substrate 6
2 feed direction A and rollers (not shown) orthogonal to the feed direction A
A total of 16 sets of 166 divided into four in the longitudinal direction
Heater H2111, H2112, H2113, H2114, H2121, H
2122, Htwenty one twenty three, H2124, H2131, H2132, H2133, H
2134, H2141, H2142, H2143, Htwenty one 44Of the furnace body 124
The furnace body 12 is provided as a pair at each of the upper and lower sides.
4 in the feed direction A on the upper side on both sides in the width direction.
And divided into four (four) heaters H2115, H2125, H
2135, H2145, H2116, H2126, H2136, H2146(Drive
H in section 129b2211~ H2246) Is a pair on both sides
It is arranged. Also, the heater H2111Of which, H2112And H
2113Between, H2114Of which, H2121And H2131Between
H 2122, H2123, H2132, H2133During, H2124And H2134
Between, H2141Of which, H2142And H2143Between, H2144Inside
Nine sets of temperature detectors TC at each position2111, TCtwenty one 12,
TC2113, TC2121, TC2122, TC2123, TC2131,
TC2132, TC2133(TC section 129b2211~
TC2233) Are arranged above and below.

【0030】また、前記の徐冷ゾーン130には、炉体
124の長手方向に沿って等間隔で複数のシャッタ装置
1 、S2 、〜S7 (以下、特に区別しないときは単に
シャッタ装置Sという)が設けられており、徐冷ゾーン
130が駆動区分131に対応する複数例えば6つの第
1加熱室R1 、第2加熱室R2 、〜第6加熱室R6 (以
下、特に区別しないときは単に加熱室Rという)に分割
されている。
The slow cooling zone 130 includes a plurality of shutter devices S 1 , S 2 ,..., S 7 at equal intervals along the longitudinal direction of the furnace body 124. S), and the slow cooling zone 130 has a plurality of, for example, six, first heating chambers R 1 , second heating chambers R 2 , to sixth heating chambers R 6 (hereinafter particularly distinguished) corresponding to the drive section 131. When not performed, it is simply divided into a heating chamber R).

【0031】上記のシャッタ装置Sは、図2に断面構造
を、図3(d) にシャッタ装置S2 を通る断面(図2にお
けるd−d視断面)をそれぞれ示すように、例えば炉体
124内壁と同様な材質の耐熱ガラス製板等から成る仕
切り板190、シャッタガイド192、192、および
ローラ166の間の位置で上下動させられる可動分割壁
に相当するシャッタ194と、炉体124の下方に位置
してそのシャッタ194を上下動させるための3つのス
モールジャッキ196、およびスモールジャッキ196
を駆動するモータ198a、198b、〜198gとを
備えたものである。上記の仕切り板190は、図2に示
されるように2枚の耐熱ガラス製板がシャッタ194の
厚さに相当する小さな間隔をもって炉体124の上部に
固定されている。また、シャッタガイド192は、炉体
124の側面側に仕切り板190の下方に続いて設けら
れており、図示はしないが仕切り板190と同様にシャ
ッタ194の厚さに相当する小さな間隔をもって配置さ
れた2枚の耐熱ガラス製板から構成されている。このた
め、仕切り板190とシャッタガイド192、192と
によって、炉体124の側面から上面に至るシャッタ1
94の厚さに相当するシャッタ案内溝が形成されてい
る。モータ198a、198b、〜198g(以下、特
に区別しないときは単にモータ198という)は制御装
置168によって相互に独立して駆動制御されるもので
ある。シャッタ194は、モータ198が駆動させられ
ることによりシャッタガイド192に形成された案内溝
内を案内されて上下させられ、その最上部位置におい
て、図2においてシャッタ装置S1について示されるよ
うに仕切り板190に形成される溝内に上端が嵌め込ま
れる。このため、各加熱室Rは、その前後に設けられて
いるシャッタ装置Sが閉じられている間は隣接する加熱
室Rと完全に分離させられる。炉体124内で基板62
を搬送するための複数のローラ166は相互の間に隙間
が設けられた状態で備えられていることから、その隙間
を通ってシャッタ194が上下させられることにより、
加熱室Rを完全に分離し得るのである。なお、上記のス
モールジャッキ196は、カップリングを介して駆動シ
ャフト200によって相互に連結されており、モータ1
98によって同期的に駆動される。
The shutter device S described above, the cross-sectional structure in FIG. 2, as shown respectively (d-d sectional view in FIG. 2) cross-section through a shutter system S 2 in FIG. 3 (d), for example, a furnace body 124 A shutter 194 corresponding to a movable dividing wall which can be moved up and down at a position between a partition plate 190 made of a heat-resistant glass plate or the like made of the same material as the inner wall, shutter guides 192, 192, and rollers 166, and a lower part of the furnace body 124 And three small jacks 196 for moving the shutter 194 up and down, and small jacks 196.
And 198 g to 198 g. As shown in FIG. 2, the partition plate 190 has two heat-resistant glass plates fixed to the upper portion of the furnace body 124 at a small interval corresponding to the thickness of the shutter 194. Further, the shutter guide 192 is provided below the partition plate 190 on the side surface of the furnace body 124 and is disposed at a small interval corresponding to the thickness of the shutter 194 similarly to the partition plate 190, though not shown. And two heat-resistant glass plates. For this reason, the shutter 1 extending from the side surface to the upper surface of the furnace body 124 by the partition plate 190 and the shutter guides 192, 192.
A shutter guide groove having a thickness of 94 is formed. The motors 198a, 198b, to 198g (hereinafter simply referred to as the motor 198 unless otherwise specified) are controlled independently by the control device 168. The shutter 194 is guided in the guide groove formed in the shutter guide 192 up and down by the motor 198 is driven, at its uppermost position, the partition plate as shown for the shutter apparatus S 1 in FIG. 2 The upper end is fitted into the groove formed in 190. For this reason, each heating chamber R is completely separated from the adjacent heating chamber R while the shutter devices S provided before and after the heating chamber R are closed. Substrate 62 in furnace body 124
Roller 166 is provided in a state in which a gap is provided between the rollers 166, so that the shutter 194 is moved up and down through the gap,
The heating chamber R can be completely separated. The small jack 196 is connected to each other by a drive shaft 200 via a coupling.
98 driven synchronously.

【0032】また、徐冷ゾーン130の各駆動区分13
1には、それぞれ制御装置168に制御されて各加熱室
Rの温度を検出するための複数の温度検出器TCおよび
各加熱室Rを加熱するための複数のヒータHが、前記図
5(b) に示される前記加熱ゾーン128と同様な配設パ
ターン(駆動区分131aにはTC3111〜TC3133およ
びH3111〜H3146、駆動区分131bにはTC3211〜T
3233およびH3211〜H3246、駆動区分131cにはT
3311〜TC3333およびH3311〜H3346、駆動区分13
1dにはTC3411〜TC3433およびH3411〜H3446、駆
動区分131eにはTC3511〜TC3533およびH3511
3546、駆動区分131fにはTC3611〜TC3633およ
びH3611〜H3646)で設けられている。また、各加熱室
R内には、基板62の搬送方向後方側に上部および下部
から冷却用空気を供給するための給気管180、180
が備えられると共に、その冷却用空気を搬送方向前方側
の上部から排出するための排気管182とが設けられて
いる。給気管180および排気管182は、炉体124
の外部に設けられた給気用配管184および排気用配管
186にそれぞれ接続されており、給気管180に図示
しない空気供給源から冷却用空気が導かれると共に、排
気管182から吸い込まれた各加熱室R内の空気が排出
口188から排出される。これら給気管180および排
気管182は、それぞれ予熱ゾーン126に設けられて
いる給気管170、排気管172と同様なものであり、
丸穴状のノズル171或いは長穴状のノズル181が設
けられたアルミナセラミックス製のチューブから構成さ
れている。
Each drive section 13 of the slow cooling zone 130
1 includes a plurality of temperature detectors TC for controlling the temperature of each heating chamber R controlled by the control device 168 and a plurality of heaters H for heating each heating chamber R, respectively, as shown in FIG. ) (TC 3111 to TC 3133 and H 3111 to H 3146 for the drive section 131a, and TC 3211 to T 311 for the drive section 131b).
C 3233 and H 3211 to H 3246 , T
C 3311 to TC 3333 and H 3311 to H 3346 , drive section 13
1d includes TC 3411 to TC 3433 and H 3411 to H 3446 , and drive section 131e includes TC 3511 to TC 3533 and H 3511 to H 3511 .
H 3546 and TC 3611 to TC 3633 and H 3611 to H 3646 are provided in the drive section 131f. Further, in each heating chamber R, air supply pipes 180, 180 for supplying cooling air from above and below the substrate 62 in the transport direction rear side.
And an exhaust pipe 182 for discharging the cooling air from the upper portion on the front side in the transport direction. The supply pipe 180 and the exhaust pipe 182 are connected to the furnace body 124.
Are connected to an air supply pipe 184 and an exhaust pipe 186 respectively provided outside the cooling apparatus, and cooling air is guided from an air supply source (not shown) to the air supply pipe 180, and the heating air sucked from the exhaust pipe 182. The air in the chamber R is discharged from the discharge port 188. The air supply pipe 180 and the exhaust pipe 182 are similar to the air supply pipe 170 and the exhaust pipe 172 provided in the preheating zone 126, respectively.
It is composed of an alumina ceramic tube provided with a round hole nozzle 171 or a long hole nozzle 181.

【0033】また、前記の冷却ゾーン132には、冷却
ゾーン132内の温度を検出するための温度検出器TC
41、TC42、T43が、駆動区分133毎に炉体124長
手方向中央の幅方向中央位置において上側に設けられる
と共に、炉体124の上側および下側にその幅寸法に略
等しい長さを有する複数の冷却ジャケットCが、それぞ
れの駆動区分133毎に炉体124の長手方向に3列ず
つ設けられている。冷却ジャケットCは、その内部に図
1に示される冷却水配管202から枝管204を介して
供給される冷却水が流通させられるものである。上下に
配されたそれぞれ3つの冷却ジャケットCは相互に連結
されており、それら3つの冷却ジャケットC内を順次流
通させられた冷却水は、図1に示される反対側の側面に
設けられた図示しない排水管から排出される。冷却ジャ
ケットCに供給される冷却水の流量は駆動区分133毎
に枝管204に設けられている電磁弁206a、206
b、206cによって調節される。この冷却ゾーン13
2に設けられている温度検出器TCおよび電磁弁206
も前記の制御装置168に接続されており、温度検出器
TCによって検出された温度信号に基づいて冷却ジャケ
ットCに流通される冷却水量が制御される。
The cooling zone 132 has a temperature detector TC for detecting the temperature in the cooling zone 132.
41 , TC 42 , and T 43 are provided on the upper side at the center position in the width direction of the longitudinal center of the furnace body 124 for each drive section 133, and the length substantially equal to the width dimension is provided on the upper and lower sides of the furnace body 124. A plurality of cooling jackets C are provided for each drive section 133 in three rows in the longitudinal direction of the furnace body 124. The cooling jacket C allows the cooling water supplied from the cooling water pipe 202 shown in FIG. 1 through the branch pipe 204 to flow therein. The upper and lower three cooling jackets C are connected to each other, and the cooling water sequentially circulated through the three cooling jackets C is provided on the opposite side surface shown in FIG. Not drained from drains. The flow rate of the cooling water supplied to the cooling jacket C is controlled by solenoid valves 206 a and 206 provided in the branch pipe 204 for each drive section 133.
b, 206c. This cooling zone 13
2 provided with a temperature detector TC and a solenoid valve 206
Is also connected to the control device 168, and controls the amount of cooling water flowing through the cooling jacket C based on the temperature signal detected by the temperature detector TC.

【0034】図7は前記制御装置168の構成を示す図
である。予熱ゾーン126、加熱ゾーン128、徐冷ゾ
ーン130、および冷却ゾーン132の駆動区分12
7、129、131、133(或いは加熱室R)毎に所
定数ずつ設けられた炉体124内の温度を検出するため
の温度検出器TC111 、TC112 、〜TC43により検出
された温度を示す各信号は、マルチプレクサ68によっ
て所定の周期で時分割され、且つA/D変換器70にお
いてデジタル信号に変換された後、演算制御回路72へ
入力される。この演算制御回路72は、例えばマイクロ
コンピュータにより構成されており、RAMの一時記憶
機能を利用しつつ予めROMに記憶されたプログラムに
従って入力信号を処理し、出力インターフェース74を
介して、モータ駆動回路MD1 へ第1搬送装置118を
連続駆動させるための信号を、モータ駆動回路MD2
第1搬送装置118の駆動区分127bを第2搬送装置
120の駆動速度に同期して駆動させるための信号をそ
れぞれ供給し、また、各ヒータ駆動回路D1111
1112、〜D3646へ、ヒータH1111、H1112、〜H3646
を駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回
路MD31、MD32、〜MD36へ第2搬送装置120a、
120b、〜120fを間歇駆動するための信号を供給
し、また、モータ駆動回路MDS1、MDS2、〜MDS7
シャッタ駆動モータ198a、198b、〜198gを
駆動させるための信号を供給し、また、モータ駆動回路
MD41へ第3搬送装置122を連続駆動させるための信
号を、モータ駆動回路MD42へ第3搬送装置122の駆
動区分133aを第2搬送装置120の駆動速度に同期
して駆動させるための信号をそれぞれ供給し、更に、電
磁弁駆動回路SD1 、SD2 、SD3 へ電磁弁206
a、206b、206cを駆動させるための信号を供給
する。
FIG. 7 is a diagram showing the structure of the control device 168. Drive section 12 of preheating zone 126, heating zone 128, slow cooling zone 130, and cooling zone 132
7, 129, 131, and 133 (or the heating chamber R), the temperature detected by the temperature detectors TC 111 , TC 112 , and TC 43 for detecting the temperature inside the furnace body 124 provided by a predetermined number. Each of the signals shown is time-divided at a predetermined cycle by the multiplexer 68, and is converted into a digital signal by the A / D converter 70, and then input to the arithmetic and control circuit 72. The arithmetic control circuit 72 is configured by, for example, a microcomputer, processes input signals in accordance with a program stored in advance in a ROM while utilizing a temporary storage function of a RAM, and outputs a motor drive circuit MD via an output interface 74. a signal for the first transfer device 118 continuously driven to 1, the signal for driving the driving segment 127b of the first transfer device 118 to the motor driving circuit MD 2 in synchronism with the driving speed of the second conveying unit 120 And each heater drive circuit D 1111 ,
D 1112, to to D 3646, a heater H 1111, H 1112, ~H 3646
Supplying a signal for driving the, also, the motor driving circuit MD 31, MD 32, the second transfer device 120a to to MD 36,
A signal for intermittently driving the motors 120b and 120f, and a signal for driving the shutter driving motors 198a, 198b and 198g to the motor driving circuits MD S1 , MD S2 and MD S7 , A signal for continuously driving the third transport device 122 to the motor drive circuit MD 41 and a drive section 133 a of the third transport device 122 to the motor drive circuit MD 42 in synchronization with the drive speed of the second transport device 120. To supply the signals to the solenoid valve drive circuits SD 1 , SD 2 , and SD 3 .
a, 206b, and 206c.

【0035】なお、上記の各ヒータH1111、H1112、〜
2246は、予熱ゾーン126および加熱ゾーン128内
で炉体124の温度が幅方向において均等且つ長手方向
(基板62の搬送方向)で所定の温度勾配が形成される
ように、また、ヒータH3111、H3112、〜H3646は、徐
冷ゾーン130の各加熱室R内の温度がそれぞれ予め設
定された温度で均等となるように、それぞれ予め設定さ
れた各部位の目標温度比或いは相互の出力比に従って制
御されるようになっている。例えば、炉体124の幅方
向中央に位置するヒータH1112、H1113、H1122、H
1123、〜H3642に比較して、幅方向端部に位置するヒー
タH1111、H1114、H1121、H1124、〜H 3644の出力が
高められる。また、炉体124の長手方向において低温
側(予熱ゾーン126および加熱ゾーン128の駆動区
分129aにおいては基板62の搬送方向後方側、加熱
ゾーン128の駆動区分129bおよび徐冷ゾーン13
0においては搬送方向前方側)に位置するヒータ
1111、H1112、H1113、H1114、H1211、H1212、H
1213、H1214、〜H2116、およびH2241、H2242、H
2243、H2244、H2245、H2246、H3141、H3142、H
3143、H3144、H3145、H3146、〜H3646は、各ゾーン
126、128、130の高温側(上記と反対側位置)
に位置するヒータH1141、H1142、H1143、H1144、H
1241、H1242、H1243、H 1244、〜H2146、およびH
2211、H2212、H2213、H2214、H2215、H2216、H
3111、H3112、H3113、H3114、H3115、H3116、〜H
3616に比較して出力が高められる。
The above heaters H1111, H1112, ~
H2246In the preheating zone 126 and the heating zone 128
The temperature of the furnace body 124 is uniform in the width direction and the longitudinal direction
A predetermined temperature gradient is formed in the (transfer direction of the substrate 62)
And the heater H3111, H3112, ~ H3646Is the Xu
The temperature in each heating chamber R of the cooling zone 130 is set in advance.
Each is set in advance to be equal at the specified temperature.
In accordance with the target temperature ratio of each part
Is being controlled. For example, the width of the furnace body 124
Heater H located at the center1112, H1113, H1122, H
1123, ~ H3642Compared to the heater located at the end in the width direction.
TA H1111, H1114, H1121, H1124, ~ H 3644Output
Enhanced. Further, the temperature is low in the longitudinal direction of the furnace body 124.
Side (the drive zone of the preheating zone 126 and the heating zone 128)
In the portion 129a, the rear side in the transport direction of the substrate 62 is heated.
Drive section 129b of zone 128 and slow cooling zone 13
0, the heater located on the front side in the transport direction)
H1111, H1112, H1113, H1114, H1211, H1212, H
1213, H1214, ~ H2116, And H2241, H2242, H
2243, H2244, H2245, H2246, H3141, H3142, H
3143, H3144, H3145, H3146, ~ H3646Is for each zone
High temperature side of 126, 128, 130 (opposite side above)
Heater H located at1141, H1142, H1143, H1144, H
1241, H1242, H1243, H 1244, ~ H2146, And H
2211, H2212, H2213, H2214, H2215, H2216, H
3111, H3112, H3113, H3114, H3115, H3116, ~ H
3616The output is increased as compared with.

【0036】図8および図9は、連続型焼成装置116
を用いて膜形成素材を含む基板62を焼成する場合にお
いて、各基板62毎の位置および図8において時刻t0
に搬入された基板62の昇降温カーブをそれぞれ示すタ
イミングチャートである。なお、図8において一点鎖線
は各駆動区分127等の境界を示し、図に示されるよう
に徐冷ゾーン130においては各加熱室Rの境界に等し
い。すなわち、縦軸は炉体124内の長手方向(基板6
2の搬送方向)の位置を示している。また、右上がりに
描かれた複数本の実曲線はそれぞれ各基板62の動きに
対応し、その傾きの大きさが搬送速度の速さを表す。以
下、これらのタイミングチャートを参照して基板62の
焼成方法を説明する。
FIGS. 8 and 9 show a continuous firing apparatus 116.
When the substrate 62 including the film forming material is baked using the method, the position of each substrate 62 and the time t 0 in FIG.
6 is a timing chart showing a temperature rise / fall curve of the substrate 62 carried into the storage device. In FIG. 8, the dashed line indicates the boundary of each drive section 127 and the like, and is equal to the boundary of each heating chamber R in the slow cooling zone 130 as shown in the figure. That is, the vertical axis indicates the longitudinal direction (the substrate 6) in the furnace body 124.
2 transport direction). A plurality of real curves drawn upward to the right each correspond to the movement of each substrate 62, and the magnitude of the inclination represents the speed of the transport speed. Hereinafter, a method of firing the substrate 62 will be described with reference to these timing charts.

【0037】まず、時刻t0 において、未焼成の基板6
2が図1に示される搬入方向に従って予熱ゾーン126
の駆動区分127側から搬入される。このとき、徐冷ゾ
ーン130に設けられたシャッタ装置Sは全て閉じられ
て、各加熱室Rが相互に分離されており、基板62が搬
送過程において図9に示される温度カーブで昇降温させ
られるように、炉体124の各ゾーン126、128、
130に設けられたヒータHがフィードバック制御で駆
動されて炉体124内が加熱されると共に、冷却ゾーン
132に設けられた電磁弁206が駆動されて冷却ジャ
ケットCに冷却水が流されることにより、それぞれのゾ
ーンの各部位が予め設定された目標温度に保持されてい
る。また、モータ134およびモータ162が駆動され
て第1搬送装置118および第3搬送装置122内のロ
ーラ166が図2における右回り方向に回転させられて
いる。このため、搬入された基板62は、所定の第1の
搬送速度で加熱ゾーン128に向かって搬送される。
First, at time t 0 , the unfired substrate 6
2 according to the loading direction shown in FIG.
Are carried in from the drive section 127 side. At this time, the shutter devices S provided in the slow cooling zone 130 are all closed, the respective heating chambers R are separated from each other, and the temperature of the substrate 62 is raised and lowered by the temperature curve shown in FIG. As such, each zone 126, 128 of the furnace body 124,
The heater H provided in 130 is driven by feedback control to heat the inside of the furnace body 124, and the electromagnetic valve 206 provided in the cooling zone 132 is driven to flow cooling water through the cooling jacket C. Each part of each zone is maintained at a preset target temperature. In addition, the motor 134 and the motor 162 are driven, and the rollers 166 in the first transport device 118 and the third transport device 122 are rotated clockwise in FIG. Thus, the loaded substrate 62 is transported toward the heating zone 128 at a predetermined first transport speed.

【0038】次いで、時刻t0 から例えば300 秒程度の
所定時間経過した時刻t1 においては、次の基板62が
予熱ゾーン126に搬入され、更に300 秒程度の所定時
間経過した時刻t2 においては、更に次の基板62が予
熱ゾーン126に搬入される。すなわち、予熱ゾーン1
26には、例えば300 秒程度の所定時間毎に基板62が
順次搬入される。このように順次搬入された基板62
は、回転駆動されているローラ166に支持された状態
で予熱ゾーン126をその終端まで搬送される過程で、
例えば1100秒程度の時間で例えば500(℃) 程度の所定の
最高焼成温度MTまで昇温させられる。図8、図9のt
3 時点はこの状態を示す。本実施例においては、この最
高焼成温度MTまで昇温させられる工程が昇温工程(或
いは予熱工程)に対応する。
[0038] Then, at time t 1 has elapsed from the time t 0, for example, 300 seconds to a predetermined time, the next substrate 62 is carried into the preheating zone 126, at time t 2 has elapsed further predetermined time of about 300 seconds Then, the next substrate 62 is carried into the preheating zone 126. That is, preheating zone 1
The substrates 62 are sequentially carried into the substrate 26 at predetermined intervals of, for example, about 300 seconds. The substrate 62 thus sequentially loaded
Is transported to the end of the preheating zone 126 while being supported by the roller 166 being driven in rotation,
For example, the temperature is raised to a predetermined maximum firing temperature MT of about 500 (° C.) in about 1100 seconds, for example. T in FIGS. 8 and 9
Time point 3 shows this state. In the present embodiment, the step of raising the temperature to the maximum firing temperature MT corresponds to a temperature raising step (or a preheating step).

【0039】続く加熱ゾーン128においては、基板6
2が最高焼成温度MTに保持された状態で第1搬送装置
118によって予熱ゾーン126から連続して搬送され
る。但し、加熱ゾーン128内での搬送速度は、当初は
予熱ゾーン126と同様に第1の搬送速度とされるが、
基板62が駆動区分129bに完全に入ると、モータ1
50が駆動されることによって第2の搬送速度に高めら
れる。このとき、加熱ゾーン128と徐冷ゾーン130
との間に設けられているシャッタ装置S1 が開けられる
と共に、加熱室R1 内のローラ166を駆動する第2搬
送装置120aが所定の第2の搬送速度(すなわち駆動
区分129bと同様な搬送速度)で駆動される。そのた
め、基板62は加熱ゾーン128から徐冷ゾーン130
の加熱室R1 すなわち第1の均熱温度KT1 に保持され
ている加熱室R1 内に速やかに搬送される。t4 時点は
この状態を示している。本実施例においては、最高焼成
温度MTに達してから加熱室R1 内に搬入されるまで、
すなわち加熱ゾーン128内を搬送されつつ加熱される
工程が加熱工程に対応し、その加熱時間(所謂キープ時
間)は例えば400 秒程度である。このようにして徐冷ゾ
ーン130に搬入された基板62は、各加熱室R内で予
め設定されている所定温度(すなわち第1乃至第6の均
熱温度)KT1 、KT2 、〜KT6 で所定時間保持され
て均熱され、続く加熱室Rに速やかに搬送される過程を
繰り返しつつ、図9に示される階段状の降温カーブに従
って徐冷される。なお、第1の均熱温度KT1 は最高焼
成温度MTよりも数 (℃) 乃至十数 (℃) 程度の所定値
ΔKTだけ低い温度であり、第2の均熱温度KT2 、第
3の均熱温度KT3 、〜第6の均熱温度KT6 は、それ
ぞれ更に所定値ΔKTずつ低くされた温度である。
In the subsequent heating zone 128, the substrate 6
2 is continuously conveyed from the preheating zone 126 by the first conveying device 118 while being kept at the maximum firing temperature MT. However, the transport speed in the heating zone 128 is initially the first transport speed as in the preheating zone 126,
When the board 62 completely enters the drive section 129b, the motor 1
By driving 50, the speed is increased to the second transport speed. At this time, the heating zone 128 and the slow cooling zone 130
To the shutter device S 1 is provided is opened, the second transfer device 120a a predetermined second transport speed to drive the roller 166 in the heating chamber R 1 (i.e. the same transport and driving segment 129b between the Speed). Therefore, the substrate 62 is moved from the heating zone 128 to the slow cooling zone 130.
It is conveyed rapidly to the heating chamber R 1 or heating chamber R 1 held first to soaking temperature KT 1. t 4 time shows this state. In the present embodiment, until it is carried into the heating chamber R 1 from reaching the maximum firing temperature MT,
That is, the step of heating while being conveyed in the heating zone 128 corresponds to the heating step, and the heating time (so-called keep time) is, for example, about 400 seconds. Substrate 62 which is carried into the annealing zone 130 in this way, a predetermined temperature (i.e. soaking temperature of the first to sixth) previously set in the heating chamber R KT 1, KT 2, ~KT 6 The temperature is maintained for a predetermined time, the temperature is uniformed, and the process of rapidly transporting the heat to the heating chamber R is repeated, while the temperature is gradually cooled according to a stepwise temperature-falling curve shown in FIG. The first soaking temperature KT 1 is a temperature lower than the highest firing temperature MT by a predetermined value ΔKT of several (° C.) to several tens (° C.), and the second soaking temperature KT 2 and the third The soaking temperature KT 3 to the sixth soaking temperature KT 6 are temperatures further lowered by a predetermined value ΔKT, respectively.

【0040】因に、図9に示される昇温カーブの例えば
500(℃) 程度以上の最高焼成温度MTに続く所定の冷却
期間における冷却条件は、膜形成素材を含む基板62の
熱処理の上で重要な要素である。たとえば、VFD(螢
光表示管)やPDP(プラズマディスプレーパネル)、
PALC(プラズマアドレスド液晶表示装置)、FED
(フィールドエミッションディスプレイ)に用いると
き、基板62がソーダライムガラスに代表される低歪点
のガラス製である場合には、基板62内の温度が不均一
となって各部の冷却速度が相互に相違することに起因し
てその寸法の局所的変化を発生させることから、多層厚
膜印刷の位置合わせを困難としたり、あるいはフロント
プレートとリヤプレートとの厚膜印刷面を組合わせるこ
とにより多数のセルを形成するPDPやFEDに用いる
ときに両者のずれによってセルを構成できない部分を生
じるので、たとえば40インチというような大型となるほ
ど製造歩留まりを加速度的に低下させる。図10は、搬
送方向前端側の冷却速度が搬送方向後端側の冷却速度よ
りも高い従来の焼成法における基板62の寸法(実線)
を焼成前の寸法(一点鎖線)に比較して示している。ま
た、基板62上に多数個の厚膜印刷抵抗体や厚膜ボンデ
ィングパッドなどが設けられる場合には、基板62内の
温度が不均一となって各部の冷却速度が相互に相違する
ことに起因して、機能を有する厚膜層に結合材として含
まれるガラス成分の溶融、軟化の程度によって、また、
厚膜に含まれる金属、無機材料粒子の溶融、焼結の程度
によって抵抗値やボンディング適性が左右されることか
ら、印刷抵抗体の抵抗値やボンディング適性のばらつき
によって基板62が大型となるほど製造歩留まりを加速
度的に低下させる。さらに、厚膜印刷による誘電体層の
積層によって基板62に所定高さのリブ壁を形成する場
合でも、基板62内の温度が不均一となって各部の冷却
速度が相互に相違することに起因して厚膜に含まれるガ
ラス成分の溶融、軟化の程度によって焼成収縮率すなわ
ち厚膜の膜厚や幅寸法が左右されることから、基板62
が大型となるほど製造歩留まりを加速度的に低下させ
る。
For example, the temperature rise curve shown in FIG.
The cooling condition in a predetermined cooling period following the maximum firing temperature MT of about 500 (° C.) or more is an important factor in heat treatment of the substrate 62 including the film forming material. For example, VFD (fluorescent display tube), PDP (plasma display panel),
PALC (Plasma Addressed Liquid Crystal Display), FED
When used for (field emission display), if the substrate 62 is made of glass having a low strain point represented by soda lime glass, the temperature in the substrate 62 becomes uneven and the cooling rates of the respective parts differ from each other. This causes local changes in the dimensions of the cell, making it difficult to align the multilayer thick-film printing, or combining a large number of cells by combining the thick-film printing surfaces of the front and rear plates. When used in a PDP or FED for forming a semiconductor device, a portion where a cell cannot be formed is generated due to a shift between the two. For example, as the size becomes larger, such as 40 inches, the manufacturing yield is reduced at an accelerated rate. FIG. 10 shows a dimension (solid line) of the substrate 62 in the conventional firing method in which the cooling rate at the front end side in the transport direction is higher than the cooling rate at the rear end side in the transport direction.
Is shown in comparison with the dimension before sintering (dashed line). Further, when a large number of thick-film printed resistors and thick-film bonding pads are provided on the substrate 62, the temperature inside the substrate 62 becomes non-uniform and the cooling rates of the respective parts are different from each other. Then, depending on the degree of melting and softening of the glass component contained as a binder in the thick film layer having a function,
Since the resistance and bonding suitability depend on the degree of melting and sintering of the metal and inorganic material particles contained in the thick film, the manufacturing yield increases as the size of the substrate 62 increases due to variations in the resistance and bonding suitability of the printed resistor. Is acceleratedly reduced. Furthermore, even when a rib wall having a predetermined height is formed on the substrate 62 by laminating the dielectric layers by the thick film printing, the temperature in the substrate 62 becomes uneven and the cooling rates of the respective parts are different from each other. The firing shrinkage, that is, the thickness and width of the thick film are affected by the degree of melting and softening of the glass component contained in the thick film.
As the size becomes larger, the manufacturing yield decreases at an accelerated rate.

【0041】図11は、前記演算制御回路72の作動の
要部であって、徐冷ゾーン130における基板62の搬
送制御等を説明するフローチャートである。徐冷ゾーン
130すなわち加熱室R内に搬入された基板62は、各
加熱室R毎にこのフローチャートに従って均熱処理され
つつ搬送される。先ず、ステップS1においては、後方
側駆動区分において基板62の搬出準備が完了したか否
かが判断される。なお、「後方側駆動区分」とは、各々
の加熱室Rに対して加熱ゾーン128側(上流側)に隣
接する駆動区分を意味し、例えば加熱室R1 に対応する
駆動区分131aに対しては加熱ゾーン128内の駆動
区分129bが、加熱室R2 に対応する駆動区分131
bに対しては駆動区分131aがそれに相当する。した
がって、上記の後方側駆動区分の搬出準備は、例えば、
加熱室R1 においては、前述のように駆動区分129b
内に基板62が完全に入ったことをもって完了し、加熱
室R2 においては、加熱室R1 内で所定時間の均熱処理
すなわち第1の均熱工程が終了したことをもって完了す
る。
FIG. 11 is a flow chart which is a main part of the operation of the arithmetic and control circuit 72 and explains the control of the transfer of the substrate 62 in the slow cooling zone 130 and the like. The substrate 62 carried into the slow cooling zone 130, that is, the heating chamber R, is transported while being soaked in accordance with this flowchart for each heating chamber R. First, in step S1, it is determined whether the preparation for carrying out the substrate 62 has been completed in the rear drive section. Here, the "rear-side driving classification", the drive segment 131a which means driving sections adjacent each heating zone 128 side with respect to the heating chamber R of (upstream), for example, corresponds to the heating chamber R 1 drive segment driving segment 129b in the heating zone 128 corresponds to the heating chamber R 2 131
The drive section 131a corresponds to b. Therefore, the preparation for carrying out the rear drive section is, for example,
In the heating chamber R 1, the drive partitioned as described above 129b
Completed with the substrate 62 has entered completely within, at the heating chamber R 2, completed with a possible soaking or first soaking step for a predetermined time in the heating chamber R 1 is completed.

【0042】上記ステップS1の判断が肯定されると、
ステップS2、S3では後方側シャッタ装置Sが開かれ
る。上記の「後方側」の定義から明らかなように、例え
ば、加熱室R1 においてはシャッタ装置S1 がこの後方
側シャッタ装置Sに相当し、加熱室R2 においてはシャ
ッタ装置S2 がこれに相当する。図8の要部を拡大した
図12に示されるようにt5 時点がこの状態を示してい
る。そして、後方側シャッタ装置Sが開かれると、ステ
ップS4において加熱室R内のモータ158が後方側駆
動区分と同期して搬送駆動されることにより、基板62
がその加熱室R内に搬入される。例えば加熱室R1 にお
いては、モータ150が駆動されることによって駆動区
分129bの搬送速度が第2の搬送速度に高められると
共に、その加熱室R1 に対応する第2搬送装置120a
の搬送速度が第2の搬送速度すなわち駆動区分129b
と同様な搬送速度となるようにモータ158aが正転駆
動される。また、加熱室R2 においては、第2搬送装置
120a、120bのモータ158a、158bが共に
第2の搬送速度が得られるように正転駆動される。これ
により、基板62が搬出および搬入される加熱室R等に
対応する2つの駆動区分が同様な搬送速度とされて、基
板62とローラ166とが何ら摺動させられることな
く、加熱室R内にその基板62が速やかに搬入される。
If the determination in step S1 is affirmative,
In steps S2 and S3, the rear shutter device S is opened. As is apparent from the definition of "rear side" of the above, for example, a shutter device S 1 is equivalent to the rear side shutter device S in the heating chamber R 1, the heating chamber R 2 in which the shutter unit S 2 Equivalent to. T 5 point shows this state as shown in FIG. 12 of an enlarged main portion of FIG. Then, when the rear shutter device S is opened, the motor 158 in the heating chamber R is transported and driven in synchronization with the rear drive section in step S4, so that the substrate 62
Is carried into the heating chamber R. For example, in the heating chamber R 1, together with the conveying speed of the drive segment 129b by the motor 150 is driven is increased to a second conveying speed, the second transfer device 120a corresponding to the heating chamber R 1
Is the second transfer speed, that is, the drive section 129b.
The motor 158a is driven to rotate forward so as to have the same transport speed as that described in (1). In the heating chamber R 2, second transfer device 120a, 120b of the motor 158a, 158b has a second conveying speed is driven forward so as to obtain both. As a result, the two driving sections corresponding to the heating chamber R into which the substrate 62 is carried out and carried in have the same transport speed, and the substrate 62 and the rollers 166 are not slid at all, so that the inside of the heating chamber R is not moved. The substrate 62 is promptly carried in.

【0043】上記のようにして基板62が加熱室R内に
搬入されると、ステップS5において基板搬入完了と判
断されて、ステップS6において上記2つの駆動区分の
モータが停止させられる。例えば加熱室R1 に基板62
が搬入された場合には、モータ158aが停止させられ
てその加熱室R1 内で基板62が停止させられる一方、
モータ150が停止させられることにより、加熱ゾーン
128の駆動区分129bの搬送速度が第1の搬送速度
に復帰させられる。そして、ステップS7、S8におい
て開かれていた後方側シャッタSが閉じられ、ステップ
S9において制御装置168内に備えられている図示し
ないタイマがリセットされ、作動させられる。図12の
6 時点はこの状態を示している。なお、後方側シャッ
タ装置Sが開けられてから閉じられるまでの時間、すな
わち基板62の搬送に必要な時間は、例えば30秒程度で
ある。これにより、加熱室Rが隣接する加熱室R等から
分離されて密閉空間とされる。そのため、隣接する加熱
室R等からの熱的な影響が遮断されて、加熱室R内に搬
入された基板62は、その加熱室Rに予め設定されてい
る所定の均熱温度KTn (n=1〜6)で均熱される。
When the substrate 62 is loaded into the heating chamber R as described above, it is determined in step S5 that the loading of the substrate is completed, and the motors of the two drive sections are stopped in step S6. Substrate 62 for example in the heating chamber R 1
While but when it is carried, the substrate 62 is stopped in its heating chamber R 1 by the motor 158a is stopped,
By stopping the motor 150, the transport speed of the drive section 129b of the heating zone 128 is returned to the first transport speed. Then, the opened rear shutter S is closed in steps S7 and S8, and a timer (not shown) provided in the control device 168 is reset and operated in step S9. T 6 time in FIG. 12 shows this state. The time from when the rear shutter device S is opened to when it is closed, that is, the time required for transporting the substrate 62 is, for example, about 30 seconds. As a result, the heating chamber R is separated from the adjacent heating chamber R and the like to form a closed space. Therefore, the thermal influence from the adjacent heating chamber R or the like is cut off, and the substrate 62 carried into the heating chamber R is heated to a predetermined soaking temperature KT n (n = 1 to 6).

【0044】この均熱処理の過程においては、ステップ
S10において、基板62が搬入された加熱室Rに対応
する駆動区分131の第2搬送装置120のモータ15
8が反転駆動される。これにより、加熱室R内のローラ
166が同期的且つ周期的に反転駆動されて、図13に
破線で移動ストロークが示されるように、基板62は加
熱室R内においてLで示される範囲を所定の第3の搬送
速度で面に沿った搬送方向前後に往復移動させられる。
したがって、本実施例においては、複数の第2搬送装置
120(往復移動装置)およびそれぞれに備えられてい
るモータ158を反転駆動する制御装置168(往復移
動制御装置)によって往復移動装置が構成されている。
この往復移動は、後のステップにおいて基板62の搬出
が開始されるまで継続される。すなわち、本実施例にお
いては、均熱工程の実施中の全期間に亘って往復移動工
程が実施される。そのため、各加熱室R内での均熱処理
工程中において、ヒータHと基板62との相対位置が変
化させられることによって加熱効果が分散させられ、或
いは、基板62の各部の温度が表面近傍の雰囲気を介し
た相互干渉によって一層均一化させられて、ヒータHか
ら与えられる熱量や各部位の熱容量の差異等に基づく温
度ばらつきが抑制される。しかも、上記の往復移動スト
ロークr(=2×r/2)は、ローラ166の直径dよ
りも大きくされている。そのため、基板62の特定部分
が定常的にローラ166上に位置させられないことか
ら、基板62とローラ166との間の熱伝導に起因する
熱的な不均衡や、基板62裏面のうちローラ166の陰
になる部分がそのローラ166の下側に備えられている
ヒータHによって加熱されないことに起因する熱的な不
均衡が生じることが抑制される。したがって、均熱処理
工程において基板62内の温度分布が一層均一になる。
In the soaking process, in step S10, the motor 15 of the second transfer device 120 in the drive section 131 corresponding to the heating chamber R into which the substrate 62 has been loaded.
8 is driven in reverse. As a result, the roller 166 in the heating chamber R is synchronously and periodically inverted and driven, and the substrate 62 is moved within the heating chamber R by a predetermined range as shown by a broken line in FIG. Is reciprocated back and forth in the transport direction along the surface at the third transport speed.
Therefore, in the present embodiment, the reciprocating device is constituted by the plurality of second transporting devices 120 (reciprocating device) and the control device 168 (reciprocating device) for reversing the motor 158 provided in each of the second conveying devices 120 (reciprocating device). I have.
This reciprocating movement is continued until the unloading of the substrate 62 is started in a later step. That is, in the present embodiment, the reciprocating movement process is performed over the entire period during the execution of the soaking process. Therefore, during the soaking process in each heating chamber R, the heating effect is dispersed by changing the relative position between the heater H and the substrate 62, or the temperature of each part of the substrate 62 is reduced to the atmosphere near the surface. Are further uniformized by the mutual interference through the heater H, and the temperature variation due to the amount of heat supplied from the heater H and the difference in the heat capacity of each part is suppressed. Moreover, the reciprocating stroke r (= 2 × r / 2) is set larger than the diameter d of the roller 166. For this reason, since a specific portion of the substrate 62 is not constantly positioned on the roller 166, a thermal imbalance due to heat conduction between the substrate 62 and the roller 166 and a roller 166 on the rear surface of the substrate 62. Is prevented from being heated by the heater H provided on the lower side of the roller 166, thereby suppressing the occurrence of thermal imbalance. Therefore, the temperature distribution in the substrate 62 becomes more uniform in the soaking process.

【0045】ステップS10に続くステップS11にお
いては、ステップS9でタイマが作動させられてから所
定時間が経過したか否かが判断される。この所定時間は
基板62の全面が加熱室R毎に設定された温度で確実に
均熱されるために必要な時間であって、例えば180 秒程
度の時間である。当初はステップS11の判断が否定さ
れるので、モータ158の反転駆動が継続されるが、そ
の判断が肯定されると、ステップS12、S13に進ん
で前方側シャッタ装置Sが開けられる。なお、前方側シ
ャッタ装置Sは、各加熱室Rにおいて冷却ゾーン132
側に位置するシャッタ装置Sである。図12のt7 時点
はこの状態を示している。
In step S11 following step S10, it is determined whether a predetermined time has elapsed since the timer was operated in step S9. The predetermined time is a time required for surely equalizing the temperature of the entire surface of the substrate 62 at the temperature set for each heating chamber R, and is, for example, about 180 seconds. Initially, the determination in step S11 is denied, so the reversal drive of the motor 158 is continued. However, if the determination is affirmed, the process proceeds to steps S12 and S13 to open the front shutter device S. The front-side shutter device S includes a cooling zone 132 in each heating chamber R.
This is the shutter device S located on the side. T 7 point of Figure 12 shows this state.

【0046】そして、ステップS13において前方側シ
ャッタ装置Sが開けられたと判断されると、ステップS
14に進んで前方側駆動区分と同期して第2搬送装置1
20のモータ158が搬送駆動される。この「前方側駆
動区分」は、前記の後方側駆動区分と反対に、各々の加
熱室Rに対して冷却ゾーン132側(下流側)に隣接す
る駆動区分を意味し、例えば加熱室R1 に対応する駆動
区分131aに対しては加熱室R2 に対応する駆動区分
131bが、駆動区分131bに対しては加熱室R3
対応する駆動区分131cが、更に、加熱室R6 に対応
する駆動区分131fに対しては冷却ゾーン132の駆
動区分133aがそれに相当する。これにより、基板6
2が第2の搬送速度で次の加熱室Rに搬送される。そし
て、基板62の搬出が完了するとステップS15の判断
が肯定されてステップS16に進んで、各加熱室Rに対
応する駆動区分131のモータ158が前方側駆動区分
のモータと共に停止させられ、更に、ステップS17、
18において前方側シャッタ装置Sが閉じられる。図1
2のt8 時点はこの状態を示している。なお、基板62
の搬出に要する時間すなわち前方側シャッタ装置Sが開
けられてから再び閉じられるまでの時間は、搬入時と同
様に例えば30秒程度である。
If it is determined in step S13 that the front shutter device S has been opened, the process proceeds to step S13.
14 and in synchronization with the front drive section, the second transport device 1
The 20 motors 158 are transported and driven. The "front-side driving segment", as opposed to the posterior side drive segment, each cooling zone 132 side with respect to the heating chamber R of means driving segment that is adjacent to (downstream side), for example in the heating chamber R 1 corresponding drive segment 131b corresponding to the heating chamber R 2 for driving segment 131a is driven classification 131c corresponding to the heating chamber R 3 for driving segment 131b is further corresponds to the heating chamber R 6 drive The driving section 133a of the cooling zone 132 corresponds to the section 131f. Thereby, the substrate 6
2 is transported to the next heating chamber R at the second transport speed. When the unloading of the substrate 62 is completed, the determination in step S15 is affirmed, and the process proceeds to step S16, where the motor 158 of the drive section 131 corresponding to each heating chamber R is stopped together with the motor of the front drive section, and Step S17,
At 18, the front shutter device S is closed. FIG.
2 t 8 times shows this state. The substrate 62
The time required for unloading, that is, the time from when the front shutter device S is opened to when it is closed again is, for example, about 30 seconds as in the case of loading.

【0047】ステップS18に続くステップS19にお
いては、制御装置168内に備えられている図示しない
タイマがリセットされ、作動させられる。そして、ステ
ップS20において、加熱室R内に基板62が存在しな
い状態で、その加熱室R内に後方側から冷却用空気が前
記給気管180によって供給され、前方側から排気管1
82によって排出される。この給排気は、例えば数秒乃
至十数秒程度の所定時間継続される。これにより、基板
62が搬出されて空になった加熱室R内の温度が一旦設
定温度よりも低くされる。そのため、ステップS21で
所定時間経過したことが判断されて、ステップS22で
給排気が停止させられた後は、一旦低くされた加熱室R
内の温度が、フィードバック制御により良好な均熱状態
を保ちつつ昇温させられて、再び所定の設定温度で制御
される。そして、ステップS1に戻って、そのフィード
バック制御が実施され或いは所定の設定温度に維持され
ている状態で、後方側駆動区分からの基板62の搬出準
備完了まで待機させられる。図12のt9 時点は、その
待機が終了すなわち一連のステップが一旦終了した後、
更にステップS1の判断が肯定された状態を示してい
る。すなわち、本実施例においては、加熱室Rからの基
板62の搬出とその加熱室Rへの基板62の搬入とが時
間差を設けて行われるため、加熱室Rは1枚の基板62
を熱処理する毎に空室状態にされることとなる。このた
め、基板62が搬出されてから時刻t9において後方側
シャッタ装置Sが開けられるまでの間、加熱室R内が空
室となった状態、すなわち、基板62が初めて搬入され
る前と同様な条件下で、ヒータHが所定の出力値に保た
れた温度制御状態が実現されることとなり、そのような
空室状態で温度制御が開始された一定の温度制御状態下
で次の基板62が加熱室R内に搬入される。したがっ
て、本実施例においては、前方側シャッタ装置Sが閉じ
られてから後方側シャッタ装置Sが開けられるまでの時
間(t8 〜t9 )が、加熱室R内の温度制御状態を安定
させる安定期間に対応し、その時間は例えば30秒程度で
ある。また、後方側シャッタ装置Sが開けられてから再
びその後方側シャッタ装置Sが開けられるまでの間が各
加熱室Rの1サイクルであり、この時間は予熱ゾーン1
26への基板62の搬入間隔(t0 〜t1 、t1
2 )に等しい長さ、すなわち300 秒程度である。
In step S19 following step S18, a timer (not shown) provided in control device 168 is reset and operated. In step S20, in a state where the substrate 62 does not exist in the heating chamber R, cooling air is supplied from the rear side into the heating chamber R by the air supply pipe 180, and the exhaust pipe 1 is supplied from the front side.
82. This air supply and exhaust is continued for a predetermined time, for example, about several seconds to about ten and several seconds. As a result, the temperature in the heating chamber R in which the substrate 62 has been carried out and emptied is temporarily lowered to the set temperature. For this reason, it is determined in step S21 that the predetermined time has elapsed, and after the supply and exhaust are stopped in step S22, the heating chamber R once lowered.
The internal temperature is raised by a feedback control while maintaining a good soaking state, and is again controlled at a predetermined set temperature. Then, the process returns to step S1, and in a state where the feedback control is performed or the temperature is maintained at the predetermined set temperature, the process waits until the preparation for carrying out the substrate 62 from the rear drive section is completed. T 9 point in FIG. 12, after the wait has ended ended i.e. series of steps once,
Further, a state in which the determination in step S1 is affirmed is shown. That is, in the present embodiment, the unloading of the substrate 62 from the heating chamber R and the loading of the substrate 62 into the heating chamber R are performed with a time difference provided between them.
Is vacant each time the heat treatment is performed. Therefore, between the substrate 62 is transported to the rear side shutter device S is opened at time t 9, the state in which the heating chamber R becomes Check, i.e., as before the substrate 62 is first carried Under such conditions, a temperature control state in which the heater H is maintained at a predetermined output value is realized, and under the constant temperature control state in which the temperature control is started in such an empty state, the next substrate 62 Is carried into the heating chamber R. Accordingly, in this embodiment, the time from closed by the front end shutter device S to the rear-side shutter device S is opened (t 8 ~t 9) is to stabilize the temperature control state of the heating chamber R stable Corresponding to the period, the time is, for example, about 30 seconds. The period from when the rear shutter device S is opened to when the rear shutter device S is opened again is one cycle of each heating chamber R.
Carrying substrate spacing 62 to 26 (t 0 ~t 1, t 1 ~
The length is equal to t 2 ), that is, about 300 seconds.

【0048】因みに、加熱室R内で均熱処理された基板
62がその加熱室Rから搬出されると、シャッタ装置S
の開閉に伴って加熱室R内の温度分布が僅かに乱れるこ
とが予想される。このため、そのまま次の基板62を加
熱室R内に搬入すると、その温度分布が僅かに乱れた状
態で熱処理が開始されることとなるが、このような僅か
な温度分布の乱れをフィードバック制御によって除去す
ることは困難である。したがって、基板62は、加熱室
R内の温度分布が乱れた状態が維持されたまま熱処理さ
れて、基板62内に温度ばらつきが生じた状態で徐冷工
程が施されることとなり得る。また、加熱室Rは基板6
2の均熱処理中に所定の設定温度で室内が均熱されてい
ると共に、その加熱室R内に搬入される基板62は、そ
れまでその加熱室Rの設定温度よりも高温で保持されて
いることから、均熱処理した基板62を搬出した後、直
ちに次の基板62を搬入することを繰り返すと、基板6
2の持ち込む熱が蓄積されて、加熱室R内のヒータHの
出力が次第に低下することが予想される。そのため、加
熱室R内の温度制御が不安定となり、或いはヒータHが
全てオフとなって基板62が自然放冷される状態が長時
間に亘ることとなり得ることから、基板62内の部位毎
の熱放散し易さの相違に基づく温度ばらつきが生じ易く
なると共に、各加熱室R内での均熱処理時間を長時間必
要とすることとなる。したがって、これらの不都合を抑
制するため、上述のように基板62の搬出後に加熱室R
内に冷却用空気を供給してその温度を低下させることに
より、空室における温度制御状態で次の基板62を搬入
させるのである。これによって、順次搬送される複数の
基板62は、常に同一の温度制御状態が実現された加熱
室R内に搬入されることとなる。
Incidentally, when the substrate 62 that has been soaked in the heating chamber R is carried out of the heating chamber R, the shutter device S
It is expected that the temperature distribution in the heating chamber R will be slightly disturbed with the opening and closing of. For this reason, if the next substrate 62 is carried into the heating chamber R as it is, the heat treatment is started in a state in which the temperature distribution is slightly disturbed. It is difficult to remove. Therefore, the substrate 62 may be subjected to the heat treatment while maintaining the state where the temperature distribution in the heating chamber R is disturbed, and the slow cooling step may be performed in a state where the temperature variation occurs in the substrate 62. The heating chamber R is provided with the substrate 6
While the chamber is soaked at a predetermined set temperature during the soaking process 2, the substrate 62 carried into the heating chamber R is kept at a higher temperature than the set temperature of the heating chamber R until then. Therefore, after carrying out the soaked substrate 62 and immediately carrying in the next substrate 62, the substrate 6
It is expected that the heat brought in by the heater 2 will be accumulated and the output of the heater H in the heating chamber R will gradually decrease. For this reason, the temperature control in the heating chamber R becomes unstable, or the state in which the heaters H are all turned off and the substrate 62 is allowed to cool naturally can take a long time. Temperature variations based on the difference in ease of heat dissipation are likely to occur, and a long soaking time in each heating chamber R is required. Therefore, in order to suppress these inconveniences, as described above, after the substrate 62 is unloaded, the heating chamber R
By supplying cooling air into the chamber and lowering the temperature, the next substrate 62 is carried in with the temperature controlled in the empty room. Thus, the plurality of substrates 62 sequentially transported are always loaded into the heating chamber R in which the same temperature control state is realized.

【0049】このようにして各加熱室Rで相互に△KT
ずつ異なる第1均熱温度KT1 、第2均熱温度KT2
〜第6均熱温度KT6 で順次均熱処理されつつ搬送され
ることにより、基板62は、図9の徐冷工程に示される
温度カーブに従って段階的に降温させられる。したがっ
て、本実施例においては、各加熱室R内で順次均熱処理
する工程が第1の均熱工程、第2の均熱工程等に相当
し、基板62の歪に密接に関連する冷却工程の当初の所
定期間、すなわちその基板62に含まれるガラス素材の
歪或いは溶融状態を均一にするために大きく影響する所
定期間では、基板62が所定値△KTだけ順次低く設定
されている加熱室R1 、R2 、〜R6 に順に搬入されて
その中で均熱される。そして、加熱室R6 内での均熱処
理が終了すると、その加熱室R6 においてステップS1
2以下が実行されることにより、基板62が冷却ゾーン
132に搬出される。すなわち、ステップS12、S1
3において前方側シャッタ装置Sに相当するシャッタ装
置S7 が開けられると、ステップS14においてモータ
158fが正転駆動されると共にモータ164が駆動さ
れることにより、第2搬送装置120fすなわち駆動区
分131fと第3搬送装置122の駆動区分133aと
が同期して駆動され、基板62が加熱室R6 から搬出さ
れて冷却ゾーン132内に搬入されるのである。図8お
よび図9のt13時点はこの状態を示している。その後、
第3搬送装置122のモータ164が停止させられて基
板62が冷却ゾーン132内を第1の搬送速度で搬送さ
れてその右端部から搬出され、その過程で図9に示され
るように昇温速度と略同様な降温速度で急速に冷却され
る。図8のt14時点はこの状態を示している。この冷却
過程に要する時間は、例えば700 秒程度であり、基板6
2が予熱ゾーン126に搬入されてから冷却が終了する
までの時間(t0 〜t14)は、例えば3500秒程度(1時
間程度)である。なお、前述のように、基板62は例え
ば300 秒程度の所定の時間間隔で予熱ゾーン126に順
次搬入されていることから、図8から明らかなように、
搬入時と等しい300 秒程度の所定時間間隔で順次冷却ゾ
ーン132から搬出されていくこととなる。
In this way, each heating chamber R has a difference of △ KT
A first soaking temperature KT 1 , a second soaking temperature KT 2 ,
The substrate 62 is stepwise cooled according to the temperature curve shown in the slow cooling step of FIG. 9 by being transported while being sequentially soaked at the sixth to sixth soaking temperatures KT 6 . Therefore, in the present embodiment, the step of sequentially performing the soaking process in each heating chamber R corresponds to the first soaking process, the second soaking process, and the like, and the cooling process closely related to the distortion of the substrate 62. In the initial predetermined period, that is, in the predetermined period in which the distortion or the molten state of the glass material included in the substrate 62 is greatly affected to uniform, the heating chamber R 1 in which the substrate 62 is set to be lower by the predetermined value ΔKT sequentially , R 2 ,..., R 6, in that order, and is homogenized therein. When the soaking in the heating chamber R 6 is finished, the step S1 in the heating chamber R 6
By performing Step 2 and below, the substrate 62 is carried out to the cooling zone 132. That is, steps S12 and S1
When the shutter unit S 7 corresponding to the front side shutter device S is opened at 3, when the motor 164 with the motor 158f is rotated forward is driven in step S14, a second conveying device 120f or drive partition 131f third driving segment 133a of the conveying device 122 is driven in synchronization is the substrate 62 is carried into the heating chamber R 6 cooling zone 132 is carried out from. T 13 time points 8 and 9 shows this state. afterwards,
The motor 164 of the third transfer device 122 is stopped, and the substrate 62 is transferred in the cooling zone 132 at the first transfer speed and is unloaded from the right end thereof. In the process, as shown in FIG. It is rapidly cooled at a temperature falling rate substantially similar to that described above. T 14 the time of FIG. 8 shows this state. The time required for this cooling process is, for example, about 700 seconds.
The time (t 0 to t 14 ) from when the 2 is carried into the preheating zone 126 to when the cooling is completed is, for example, about 3500 seconds (about 1 hour). As described above, since the substrate 62 is sequentially loaded into the preheating zone 126 at a predetermined time interval of, for example, about 300 seconds, as shown in FIG.
It is sequentially carried out of the cooling zone 132 at a predetermined time interval of about 300 seconds which is the same as the time of carrying in.

【0050】上述のように、本実施例によれば、膜形成
素材を含む基板62は、熱処理の冷却過程において、第
1均熱工程において第1の設定温度KT1 に維持された
第1の加熱室R1 内で所定時間(t4 〜t5 )均熱され
た後、搬送工程においてその第1の設定温度KT1 より
も所定値△KTだけ低い第2の設定温度KT2 に維持さ
れた第2の加熱室R2 へ搬送され、そして、第2均熱工
程において第2の設定温度KT2 で所定時間(t5 〜t
7 )均熱されるが、第1および第2均熱工程において所
定時間均熱される際に、往復移動工程において基板62
がその面に沿った搬送方向に往復移動させられる。この
ように、所定値△KTだけ異なる設定温度に維持された
加熱室R内で均熱を繰り返しながら熱処理の冷却過程が
行われると共に、均熱中における往復移動によって各加
熱室Rに設けられたヒータHと基板62との相対位置が
変化させられることによって加熱効果が分散させられる
ことから、膜形成素材を含む基板62内の温度のばらつ
きが可及的に小さくされる。そのため、基板62がガラ
ス製である場合にあっては、基板62内の寸法の局部的
変化やそれに起因する厚膜印刷等の位置ずれが防止され
て製造歩留まりが飛躍的に高められる。特に、基板62
がソーダライムガラスである場合には、その歪点以上の
温度まで昇温させられることから、その効果が顕著とな
る。また、上記のように膜形成素材を含む基板62内の
温度のばらつきが可及的に小さくされることから、基板
62の表面に多数の厚膜抵抗体やリブ状壁が設けられる
場合にあっては、それら厚膜印刷層内で結合材として機
能するガラスの溶解の程度が一様となって、それら厚膜
抵抗体の抵抗値のばらつきやリブ状壁の高さのばらつき
が好適に小さくされる。
As described above, according to the present embodiment, the substrate 62 including the film forming material is kept at the first set temperature KT 1 in the cooling process of the heat treatment in the first soaking process. after being in the heating chamber R 1 heated predetermined time (t 4 ~t 5) equalizing, is maintained in the conveying process to a predetermined value △ KT only lower second set temperature KT 2 than the set temperature KT 1 its first conveyed second to the heating chamber R 2, and, second set temperature KT 2 at a predetermined time in a second soaking step (t 5 ~t
7 ) Although the heat is soaked, when the heat is soaked for a predetermined time in the first and second soaking steps, the substrate 62 is reciprocated in the reciprocating movement step.
Is reciprocated in the transport direction along the surface. As described above, the cooling process of the heat treatment is performed while repeating the soaking in the heating chamber R maintained at the set temperature different by the predetermined value ΔKT, and the heater provided in each heating chamber R by the reciprocating movement during the soaking. Since the heating effect is dispersed by changing the relative position between H and the substrate 62, the temperature variation in the substrate 62 including the film forming material is reduced as much as possible. For this reason, when the substrate 62 is made of glass, local changes in dimensions within the substrate 62 and displacement of thick film printing or the like due to the local change are prevented, and the production yield is drastically increased. In particular, the substrate 62
Is soda lime glass, the effect is remarkable because the temperature can be raised to a temperature higher than the strain point. Further, since the temperature variation in the substrate 62 including the film forming material is reduced as much as possible as described above, there are cases where a large number of thick film resistors and rib-like walls are provided on the surface of the substrate 62. In other words, the degree of melting of the glass functioning as a binder in the thick-film printing layer becomes uniform, and the variation in the resistance value of the thick-film resistor and the variation in the height of the rib-like wall are preferably small. Is done.

【0051】また、本実施例によれば、大型の電子デバ
イス用基板を製造するにあたり、基板62として安価な
ソーダライムガラスを用いることが可能となることか
ら、高歪点のガラス板を用いる場合に比較して、大幅に
安価となると同時に、硬度差による取扱時のガラスの欠
け、焼成時の厚膜層との熱膨張率差からくるガラスの割
れが発生し難い利点がある。
According to the present embodiment, when manufacturing a large-sized electronic device substrate, an inexpensive soda-lime glass can be used as the substrate 62. In comparison with the above, there is an advantage that the cost is significantly reduced, and at the same time, the glass is not easily broken due to a difference in hardness due to a difference in hardness, and the glass is hardly cracked due to a difference in thermal expansion coefficient from the thick film layer during firing.

【0052】また、本実施例によれば、膜形成素材を含
む基板62が第2搬送装置120によって間歇的に一方
向に搬送される過程で、第1の加熱室R1 および第2の
加熱室R2 等において熱処理が施されることから、膜形
成素材を含む基板62が連続的に搬送されることにより
連続的なヒートカーブが形成される従来の焼成装置によ
って膜形成素材を含む基板62内の温度差を極めて小さ
くしようとする場合に比較して、全長が短縮されて装置
が小型となる。
According to the present embodiment, the first heating chamber R 1 and the second heating chamber R 1 are intermittently transported in one direction by the second transporting device 120 by the second transporting device 120. since the heat treatment in the chamber R 2 or the like is performed, a substrate 62 including a film forming material by a conventional baking device a continuous heat curve is formed by the substrate 62 is continuously conveyed containing film forming material As compared with the case where the temperature difference in the inside is to be made extremely small, the overall length is shortened and the device becomes compact.

【0053】また、本実施例によれば、第1搬送装置1
18、第2搬送装置120、第3搬送装置122から構
成される搬送装置は、トンネル状の炉体124内におい
て長手方向と軸心方向が垂直を成すように相互に平行に
設けられて基板62を支持し、その基板62を一方向へ
搬送するためにその軸心回りにそれぞれ回転駆動される
複数本のローラ166を、更に含むものであり、第2搬
送装置120および制御装置168によって構成される
往復移動装置は、それら複数本のローラ166の回転方
向を同期的且つ周期的に反転させるものである。このよ
うにすれば、基板62は、軸心回りに回転駆動される複
数本のローラ166によって支持され且つ一方向へ搬送
されるが、加熱室R内での均熱中における基板62の往
復移動によってそれら複数本のローラ166と基板62
との相対位置が周期的に変化させられる。そのため、基
板62とローラ166との位置関係が固定されている場
合に比較して、基板62の特定位置にローラ166が定
常的に存在することに起因する熱的な不均衡性が緩和さ
れて、基板62内の温度のばらつきが一層抑制される。
しかも、メッシュベルト等によって搬送する場合に比較
して、塵埃の発生原因となるベルトの摺動がないことか
ら炉体124内の清浄度が高められて、基板62を均一
に熱処理する過程において形成される膜の機能が発生し
た塵埃によって損なわれることが抑制される。
According to the present embodiment, the first transport device 1
18, a transport device including the second transport device 120 and the third transport device 122 are provided in parallel with each other so that the longitudinal direction and the axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped furnace body 124, and the substrate 62 And a plurality of rollers 166 each of which is driven to rotate around its axis in order to transport the substrate 62 in one direction, and is constituted by the second transport device 120 and the control device 168. This reciprocating device synchronously and periodically reverses the rotation direction of the plurality of rollers 166. With this configuration, the substrate 62 is supported by the plurality of rollers 166 that are driven to rotate around the axis and is conveyed in one direction. However, the substrate 62 reciprocates during uniform heating in the heating chamber R. The plurality of rollers 166 and the substrate 62
Is periodically changed. Therefore, as compared with the case where the positional relationship between the substrate 62 and the roller 166 is fixed, the thermal imbalance caused by the roller 166 being constantly present at a specific position of the substrate 62 is reduced. In addition, the temperature variation in the substrate 62 is further suppressed.
In addition, compared to the case where the belt 62 is conveyed by a mesh belt or the like, there is no sliding of the belt, which causes generation of dust, so that the degree of cleanliness in the furnace body 124 is increased. The function of the formed film is prevented from being damaged by the generated dust.

【0054】また、本実施例においては、搬送装置に設
けられた複数本のローラ166はアルミナセラミックス
から成るものである。そのため、基板62と接触させら
れるローラ166がセラミックスから構成されることか
ら、炉体124内でローラ166が加熱されることによ
って変質させられ或いは錆びさせられて塵埃等を発生さ
せることが抑制されるため、炉体124内の清浄度が一
層高められる。
In this embodiment, the plurality of rollers 166 provided in the transfer device are made of alumina ceramics. For this reason, since the roller 166 that is brought into contact with the substrate 62 is made of ceramics, it is possible to suppress the generation of dust and the like due to the deterioration or rust caused by the heating of the roller 166 in the furnace body 124. Therefore, the cleanliness inside the furnace body 124 is further enhanced.

【0055】また、本実施例においては、往復移動のス
トロークrは、ローラ166の直径dよりも大きくされ
ている。そのため、複数本のローラ166の真上に基板
62のうちの特定部分が定常的に位置することが抑制さ
れるため、熱的な不均衡性が一層緩和されて、基板62
内の温度のばらつきを一層抑制できる。
In this embodiment, the stroke r of the reciprocating movement is larger than the diameter d of the roller 166. Therefore, since a specific portion of the substrate 62 is restrained from being constantly located right above the plurality of rollers 166, thermal imbalance is further reduced, and the substrate 62
The temperature variation in the inside can be further suppressed.

【0056】以上、本発明の一実施例を図面を参照して
詳細に説明したが、本発明は、更に別の態様でも実施さ
れる。
While the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the present invention can be embodied in still another embodiment.

【0057】例えば、前述の実施例においては、トンネ
ル状の炉体124を備えて基板62が一方向に搬送され
る過程で熱処理される連続型焼成装置116に本発明が
適用された場合について説明したが、例えば、シャッタ
装置S等によって分割された2つの加熱室を備えて、そ
れら2つの加熱室の間で往復移動させる焼成装置にも本
発明は同様に適用される。
For example, in the above-described embodiment, a case in which the present invention is applied to a continuous firing apparatus 116 having a tunnel-shaped furnace body 124 and performing heat treatment in a process in which the substrate 62 is transported in one direction will be described. However, for example, the present invention is similarly applied to a baking apparatus that includes two heating chambers divided by a shutter device S or the like and reciprocates between the two heating chambers.

【0058】また、実施例においては、各加熱室R毎に
設けられた第2搬送装置120のモータ158が反転駆
動可能とされることにより、その第2搬送装置120に
よって基板62が搬送方向に往復移動させられていた
が、例えば、基板62を搬送方向或いはそれと交わる方
向に往復移動させるための往復移動機構を各加熱室R
毎、或いは徐冷ゾーン130全体に亘って共通に設けて
もよい。その場合には、第2搬送装置120のモータ1
58は反転駆動可能とされる必要はない。
Further, in the embodiment, the motor 158 of the second transfer device 120 provided for each heating chamber R can be driven in reverse so that the substrate 62 is moved by the second transfer device 120 in the transfer direction. For example, each heating chamber R is provided with a reciprocating mechanism for reciprocating the substrate 62 in a transport direction or a direction intersecting the transport direction.
It may be provided in common every time or over the entire slow cooling zone 130. In that case, the motor 1 of the second transfer device 120
58 need not be enabled for inversion driving.

【0059】また、実施例においては、加熱室Rからの
基板62の搬出および搬入が時間差を設けて行われるこ
とにより、1枚の基板62を均熱処理する毎に加熱室R
が一旦空室状態にされていたが、温度制御上の問題等が
生じない場合には、安定期間を設けず、搬出および搬入
を同時に実施しても良い。このようにすれば、予熱ゾー
ン126への基板62の搬入間隔を短くできて、処理効
率が一層高められる。なお、そのようにする場合には、
第2搬送装置120は、第1搬送装置118や第3搬送
装置122と同様にラインシャフト138およびマイタ
ギア140で連結して1つのモータで駆動するようにし
ても差し支えない。
In the embodiment, the carry-out and carry-in of the substrate 62 from the heating chamber R are performed with a time lag, so that each time one substrate 62 is soaked, the heating chamber R
Was once vacant, but when there is no problem in temperature control or the like, unloading and loading may be performed simultaneously without providing a stable period. In this way, the interval between loading of the substrate 62 into the preheating zone 126 can be shortened, and the processing efficiency is further improved. If you do so,
The second transporting device 120 may be connected by a line shaft 138 and a miter gear 140 and driven by one motor similarly to the first transporting device 118 and the third transporting device 122.

【0060】また、実施例においては、第1搬送装置1
18および第3搬送装置122は、モータ134或いは
162の回転をラインシャフト138およびマイタギア
140で伝達すると共に、搬送速度を第2搬送装置12
0に一致させることが望まれる駆動区分129bおよび
133aにモータ150或いは164およびワンウェイ
カップリング148等を備えて、それら駆動区分129
bおよび133aの搬送速度が変化させられるように構
成されていたが、例えば、それら駆動区分129bおよ
び133aを第2搬送装置120と同様にそれぞれ回転
速度可変のモータを備えて独立に駆動してもよい。ま
た、第1搬送装置118および第3搬送装置122の各
駆動区分も全て独立に駆動するようにしても差し支えな
い。
In the embodiment, the first transfer device 1
18 and the third transfer device 122 transmit the rotation of the motor 134 or 162 by the line shaft 138 and the miter gear 140 and also set the transfer speed to the second transfer device 12.
The drive sections 129b and 133a, which are desired to be equal to 0, are provided with a motor 150 or 164 and a one-way coupling 148, etc.
Although the transport speeds of b and 133a are configured to be changed, for example, the drive sections 129b and 133a may be independently driven with variable rotation speed motors similarly to the second transport device 120. Good. In addition, all driving sections of the first transport device 118 and the third transport device 122 may be independently driven.

【0061】また、実施例において開閉作動させられて
いたシャッタ装置Sは、ローラ166の上面から基板6
2の厚みより僅かに大きい距離だけ隔てた位置固定の部
材であってもよい。要するに、各加熱室間が独立して温
度制御を行うことを可能とするものであればよい。
Further, the shutter device S which has been opened and closed in the embodiment is provided with the substrate 6 from the upper surface of the roller 166.
A member whose position is fixed at a distance slightly larger than the thickness of the second member may be used. In short, what is necessary is just to enable temperature control between the heating chambers independently.

【0062】また、前述の実施例では、基板62を構成
するガラス或いはその上に印刷された厚膜に含まれるガ
ラスの転移点或いは歪点を基板62内が均一な温度状態
を保ちつつ通過するように、また、基板62に含まれる
膜形成材料が金属或いは無機材料の溶融、焼結により固
着される場合には、その膜形成材料の溶融点或いは焼結
点を基板62内が均一な温度状態を保ちつつ通過するよ
うに、前記第1の設定温度KT1 或いは第2の設定温度
KT2 は、上記基板62に含まれるガラス素材の転移点
或いは歪点の近傍の値に設定され、或いは上記基板62
上の膜形成材料に含まれる金属或いは無機材料の溶融点
或いは焼結点の近傍の値に設定される。
In the above-described embodiment, the transition point or strain point of the glass constituting the substrate 62 or the glass contained in the thick film printed thereon passes through the substrate 62 while maintaining a uniform temperature state. As described above, when the film forming material contained in the substrate 62 is fixed by melting or sintering a metal or inorganic material, the melting point or sintering point of the film forming material is set to a uniform temperature in the substrate 62. to pass while keeping the state, the first set temperature KT 1 or second set temperature KT 2 is set to a value near the transition point or a strain point of the glass material contained in the substrate 62, or The substrate 62
It is set to a value near the melting point or sintering point of the metal or inorganic material contained in the above film forming material.

【0063】また、実施例では、基板62の冷却工程に
おいて均熱工程が設けられるとともに、第2の目標温度
KT2 が第1の目標温度KT1 よりも所定値ΔKTだけ
低い値に設定されていたが、たとえば昇温過程が重要と
なる場合などでは、基板62の加熱温度上昇工程におい
て均熱工程が設けられてもよい。このような場合には、
第2の目標温度KT2 は第1の目標温度KT1 よりも所
定値ΔKTだけ高い値に設定される。
In the embodiment, a heat equalizing step is provided in the step of cooling the substrate 62, and the second target temperature KT 2 is set to a value lower than the first target temperature KT 1 by a predetermined value ΔKT. However, for example, in a case where the temperature raising process is important, a soaking process may be provided in the heating temperature raising process of the substrate 62. In such a case,
The second target temperature KT 2 is set to a value higher by a predetermined value ΔKT than the first target temperature KT 1.

【0064】また、実施例において、炉体124、シャ
ッタ装置Sがβ−スポジュメン系結晶化ガラスから構成
され、ローラ166はアルミナセラミックスから構成さ
れていたがこれらは他のセラミックスから構成されても
よい。例えば、炉体124等はアルミナセラミックスや
ムライト等から構成されてもよく、ローラ166はムラ
イトやスポジュメン等から構成されてもよい。また、実
施例の連続型焼成装置116のように、ローラ166を
用いたローラハースキルンにおいては、摺動部分を炉体
124内に設ける必要がないことから、各部の素材を耐
熱性の高い例えばSUS310等の金属から構成しても
よい。
In the embodiment, the furnace body 124 and the shutter device S are made of β-spodumene crystallized glass, and the roller 166 is made of alumina ceramics. However, these may be made of other ceramics. . For example, the furnace body 124 and the like may be made of alumina ceramics or mullite, and the roller 166 may be made of mullite or spodumene. Further, in the roller hearth kiln using the rollers 166 as in the continuous firing apparatus 116 of the embodiment, since the sliding portion does not need to be provided in the furnace body 124, the material of each part is made of, for example, a material having high heat resistance. It may be made of a metal such as SUS310.

【0065】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実
施することができる。
Although not specifically exemplified, the present invention can be embodied with various modifications and improvements based on the knowledge of those skilled in the art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例の連続型焼成装置の全体構成
を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a continuous firing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例の炉体の長手方向に沿った断面を
一部省略して示す図である。
FIG. 2 is a view in which a cross section along a longitudinal direction of the furnace body of the embodiment of FIG. 1 is partially omitted.

【図3】(a) 〜(e) は、図2におけるa−a乃至e−e
視断面にそれぞれ相当する図である。
FIGS. 3A to 3E are aa to ee in FIG.
It is a figure each corresponding to a viewing cross section.

【図4】図1の実施例の搬送装置を説明する図である。FIG. 4 is a view for explaining the transfer device of the embodiment of FIG. 1;

【図5】図1の実施例の複数のヒータ配置を説明する図
である。
FIG. 5 is a view for explaining a plurality of heater arrangements in the embodiment of FIG. 1;

【図6】(a) 、(b) は図1の実施例の給気管および排気
管をそれぞれ示す図である。
FIGS. 6 (a) and (b) are diagrams showing an air supply pipe and an exhaust pipe of the embodiment of FIG. 1, respectively.

【図7】図1の実施例の制御回路を説明するブロック線
図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a control circuit according to the embodiment of FIG. 1;

【図8】図1の実施例の基板の搬送位置を示すタイムチ
ャートである。
FIG. 8 is a time chart showing a substrate transfer position in the embodiment of FIG. 1;

【図9】図1の実施例の各ゾーンの設定温度すなわち基
板の焼成温度曲線を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a set temperature of each zone, that is, a firing temperature curve of a substrate in the embodiment of FIG. 1;

【図10】従来の焼成装置における基板の局所的な寸法
変形を説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating local dimensional deformation of a substrate in a conventional baking apparatus.

【図11】図1の実施例の演算制御回路の作動を説明す
るフローチャートである。
FIG. 11 is a flowchart illustrating the operation of the arithmetic and control circuit of the embodiment of FIG. 1;

【図12】図8のタイムチャートの要部を詳しく説明す
る図である。
FIG. 12 is a diagram describing in detail a main part of the time chart of FIG. 8;

【図13】図1の実施例において加熱室内での均熱処理
中の基板の往復移動を説明する図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a reciprocating movement of the substrate during the soaking process in the heating chamber in the embodiment of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

116:連続型焼成装置 {118:第1搬送装置、120:第2搬送装置(往復
移動装置)、122:第3搬送装置}(搬送装置) R1 :第1加熱室 R2 :第2加熱室 166:ローラ 168:制御装置(温度制御装置、往復移動制御装置)
116: continuous calciner {118: first conveying device, 120: second transfer device (reciprocating device), 122: third transfer device} (conveying device) R 1: a first heating chamber R 2: the second heating Chamber 166: Roller 168: Control device (temperature control device, reciprocation control device)

フロントページの続き (72)発明者 森 洋行 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 市原 広信 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 佐藤 羊治 愛知県名古屋市西区則武新町三丁目1番 36号 株式会社ノリタケカンパニーリミ テド内 (72)発明者 阪本 進 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並 2160番地九州ノリタケ株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−67539(JP,A) 特開 平1−252886(JP,A) 特開 平9−175871(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03C 17/00 - 17/44 F27B 9/00 - 9/64 C04B 35/64 Continued on the front page (72) Inventor Hiroyuki Mori 3-36 Noritake Shinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Inside Noritake Company Limited (72) Inventor Hironobu Ichihara 3-1-1 Noritake Shinmachi, Nishi-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture Noritake Company Limited Limited (72) Inventor Yoji Sato 3-36 Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture No. 36 Noritake Company Limited Limited (72) Inventor Susumu Sakamoto Yasucho, Asakura-gun, Fukuoka Prefecture (3) References JP-A-10-67539 (JP, A) JP-A-1-252886 (JP, A) JP-A-9-175871 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C03C 17/00-17/44 F27B 9/00-9/64 C04B 35/64

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 膜形成素材を含む基板に均一に熱処理を
施すための焼成方法であって、 予め第1の設定温度に維持された第1の加熱室内に前記
基板を所定時間収容することにより該基板を該第1の設
定温度で均熱させる第1均熱工程と、 前記第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2の設定
温度に維持された第2の加熱室内へ前記第1の加熱室内
で熱処理された前記基板を搬送する搬送工程と、 該基板を該第2の加熱室内に所定時間収容することによ
り該基板を該第2の設定温度で均熱させる第2均熱工程
と、 前記第1均熱工程中および前記第2均熱工程中に実施さ
れ、前記第1の加熱室内および前記第2の加熱室内で前
記基板をその面方向に沿った方向にそれぞれ往復移動さ
せる往復移動工程とを、含むことを特徴とする膜形成素
材を含む基板の焼成方法。
1. A baking method for uniformly performing a heat treatment on a substrate containing a film forming material, wherein the substrate is housed in a first heating chamber maintained at a first set temperature in advance for a predetermined time. A first soaking step for soaking the substrate at the first set temperature; and a first soaking step into a second heating chamber maintained at a second set temperature different from the first set temperature by a predetermined value. A transporting step of transporting the substrate that has been heat-treated in the heating chamber, and a second soaking step of holding the substrate in the second heating chamber for a predetermined time so as to equalize the substrate at the second set temperature. And during the first soaking step and the second soaking step, and reciprocally move the substrate in the first heating chamber and the second heating chamber in a direction along a surface direction thereof. And a reciprocating movement process. A firing method of non-board.
【請求項2】 膜形成素材を含む基板に均一に熱処理を
施すための焼成装置であって、 トンネル状の加熱領域内の長手方向の一部においてシャ
ッタ装置により熱的に分割された状態で設けられ、加熱
ヒータにより相互に異なる温度に独立に制御される少な
くとも2つの第1の加熱室および第2の加熱室と、 前記第1の加熱室の加熱ヒータを制御して該第1の加熱
室内の温度を第1の設定温度で均一に保持させ、前記第
2の加熱室の加熱ヒータを制御して該第2の加熱室内の
温度を前記第1の設定温度よりも所定値だけ異なる第2
の設定温度で均一に保持させる温度制御装置と、 前記基板を前記トンネル状の加熱領域内において一方向
へ順次搬送する過程で、前記第1の加熱室内に前記基板
を送り込んで該第1の加熱室内で所定時間の熱処理を施
し、該第1の加熱室内の熱処理を終えた基板を該第1の
加熱室内から前記第2の加熱室内へ搬送して該第2の加
熱室内で所定時間の熱処理を施し、該第2の加熱室内で
の熱処理を終えた基板を該第2の加熱室から送り出す搬
送装置と、 前記第1の加熱室内および第2の加熱室内における前記
所定時間の熱処理中において、前記基板をそれぞれ搬送
方向に沿った方向に往復移動させる往復移動装置とを、
含むことを特徴とする膜形成素材を含む基板の焼成装
置。
2. A baking apparatus for uniformly performing a heat treatment on a substrate including a film forming material, wherein the baking apparatus is provided in a state in which the substrate is thermally divided by a shutter device at a part in a longitudinal direction in a tunnel-shaped heating region. And at least two first and second heating chambers independently controlled at different temperatures by a heater, and controlling the heater of the first heating chamber to form the first heating chamber. Is uniformly maintained at the first set temperature, and the heater in the second heating chamber is controlled to change the temperature in the second heating chamber by a predetermined value from the first set temperature.
A temperature control device for uniformly holding the substrate at a set temperature, and a step of sequentially transporting the substrate in one direction in the tunnel-shaped heating region, sending the substrate into the first heating chamber and performing the first heating. A heat treatment is performed in the chamber for a predetermined time, and the substrate that has been subjected to the heat treatment in the first heating chamber is transferred from the first heating chamber to the second heating chamber, and is heat-treated in the second heating chamber for a predetermined time. Performing a heat treatment in the second heating chamber, and a transfer device for sending out the substrate from the second heating chamber, and during the heat treatment for the predetermined time in the first heating chamber and the second heating chamber, A reciprocating device for reciprocating the substrate in a direction along the transport direction,
An apparatus for baking a substrate containing a film forming material.
【請求項3】 前記搬送装置は、前記トンネル状の加熱
領域内において長手方向と軸心方向が垂直を成すように
相互に平行に設けられて前記基板を支持し、該基板を前
記一方向へ搬送するために該軸心回りにそれぞれ回転駆
動される複数本のローラを、更に含むものである請求項
2の膜形成素材を含む基板の焼成装置。
3. The transfer device is provided in parallel with each other so that a longitudinal direction and an axial direction are perpendicular to each other in the tunnel-shaped heating area, supports the substrate, and moves the substrate in the one direction. 3. The apparatus for firing a substrate including a film-forming material according to claim 2, further comprising a plurality of rollers that are respectively driven to rotate around the axis for transport.
【請求項4】 前記往復移動装置は、前記基板の一方向
の移動距離が前記トンネル状の加熱領域の長手方向にお
いて前記複数本のローラの各々の直径よりも大きくなる
ように該基板を往復移動させるものである請求項3の膜
形成素材を含む基板の焼成装置。
4. The reciprocating device reciprocates the substrate such that a moving distance in one direction of the substrate is larger than a diameter of each of the plurality of rollers in a longitudinal direction of the tunnel-shaped heating region. An apparatus for sintering a substrate including the film-forming material according to claim 3.
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