JPH10214767A - 基板熱処理装置 - Google Patents
基板熱処理装置Info
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- JPH10214767A JPH10214767A JP1542997A JP1542997A JPH10214767A JP H10214767 A JPH10214767 A JP H10214767A JP 1542997 A JP1542997 A JP 1542997A JP 1542997 A JP1542997 A JP 1542997A JP H10214767 A JPH10214767 A JP H10214767A
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- shutter
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部雰囲気の温度均一性の高い基板熱処理装
置を提供する。 【解決手段】 第１待機工程および第２待機工程ではカ
バーが開状態であるがシャッターが閉じられており、さ
らに排気も停止しているので外気が筐体内に流入して基
板位置に外気が至ることがなく、また、基板受け渡し工
程においてはカバーが開状態でシャッターも開状態であ
るが、排気を停止しているので基板を受け取った際にも
外気が流入して基板位置に至ることが少ない。これによ
り内部雰囲気の温度均一性を高くすることができる。
置を提供する。 【解決手段】 第１待機工程および第２待機工程ではカ
バーが開状態であるがシャッターが閉じられており、さ
らに排気も停止しているので外気が筐体内に流入して基
板位置に外気が至ることがなく、また、基板受け渡し工
程においてはカバーが開状態でシャッターも開状態であ
るが、排気を停止しているので基板を受け取った際にも
外気が流入して基板位置に至ることが少ない。これによ
り内部雰囲気の温度均一性を高くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、筐体内部に設け
られた熱処理プレート上において、半導体ウエハ、フォ
トマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板等の基板
（以下「基板」という。）を熱処理する基板熱処理装置
に関する。
られた熱処理プレート上において、半導体ウエハ、フォ
トマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板等の基板
（以下「基板」という。）を熱処理する基板熱処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造におけるフォトリソグラフィ
ー工程においては、従来から、図４に示す断面図のよう
な基板熱処理装置が用いられている。この装置は、筐体
９１０、基板搬出入シャッター９２０、カバー９３０、
ホットプレート９４０を備えている。そして、図４
（ａ）のようにカバー９３０が下降してホットプレート
９４０との間に閉空間を形成した状態（以下「閉状態」
という。）で、かつ基板搬出入シャッター９２０が閉じ
た状態と、図４（ｂ）のようにカバー９３０が上昇した
状態（以下「開状態」という。）で、かつ基板搬出入シ
ャッター９２０が開いた状態をとり得る。
ー工程においては、従来から、図４に示す断面図のよう
な基板熱処理装置が用いられている。この装置は、筐体
９１０、基板搬出入シャッター９２０、カバー９３０、
ホットプレート９４０を備えている。そして、図４
（ａ）のようにカバー９３０が下降してホットプレート
９４０との間に閉空間を形成した状態（以下「閉状態」
という。）で、かつ基板搬出入シャッター９２０が閉じ
た状態と、図４（ｂ）のようにカバー９３０が上昇した
状態（以下「開状態」という。）で、かつ基板搬出入シ
ャッター９２０が開いた状態をとり得る。
【０００３】このような装置において、図４（ｂ）の状
態で筐体９１０の基板搬出入口９１０ａを通じて基板Ｗ
の搬出入が行われるとともに次の処理までの待機が行わ
れ、また、図４（ａ）の状態で基板Ｗの加熱処理が行わ
れる。
態で筐体９１０の基板搬出入口９１０ａを通じて基板Ｗ
の搬出入が行われるとともに次の処理までの待機が行わ
れ、また、図４（ａ）の状態で基板Ｗの加熱処理が行わ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型
レジストを使用するプロセスにおいては、露光後の基板
に対して行われる加熱処理（以下、「ＰＥＢ（Post Exp
osure Bake）処理」という）では非常に高精度の温度均
一性が要求される。
レジストを使用するプロセスにおいては、露光後の基板
に対して行われる加熱処理（以下、「ＰＥＢ（Post Exp
osure Bake）処理」という）では非常に高精度の温度均
一性が要求される。
【０００５】ところが、基板受け渡し時および待機時に
は図４（ｂ）に示すように、カバー９３０が開状態であ
るためカバー９３０上方の高温の雰囲気が基板搬出入口
を通じて外部に流出するとともに、冷たい外気がホット
プレート上に載置された基板Ｗ上方に流れ込む。そのた
め、基板搬出入口側の雰囲気の温度がその反対の装置奥
側の雰囲気の温度に比べて低くなって、内部雰囲気に温
度勾配が発生し、よって基板温度も同様の温度勾配をも
つため現像線幅分布にバラツキが生じるといった問題が
発生していた。
は図４（ｂ）に示すように、カバー９３０が開状態であ
るためカバー９３０上方の高温の雰囲気が基板搬出入口
を通じて外部に流出するとともに、冷たい外気がホット
プレート上に載置された基板Ｗ上方に流れ込む。そのた
め、基板搬出入口側の雰囲気の温度がその反対の装置奥
側の雰囲気の温度に比べて低くなって、内部雰囲気に温
度勾配が発生し、よって基板温度も同様の温度勾配をも
つため現像線幅分布にバラツキが生じるといった問題が
発生していた。
【０００６】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、内部雰囲気の温度均一性の高い
基板熱処理装置を提供することを目的とする。
の克服を意図しており、内部雰囲気の温度均一性の高い
基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１の装置は、筐体内部に設けられ
た熱処理プレート上において基板を熱処理する基板熱処
理装置において、熱処理プレート上の基板を覆うカバー
と、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、筐体の基板搬出入口
を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉駆動するシャッ
ター駆動手段と、カバーを閉状態とする前にシャッター
を閉じるようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手
段を制御する駆動制御手段と、を備える。
め、この発明の請求項１の装置は、筐体内部に設けられ
た熱処理プレート上において基板を熱処理する基板熱処
理装置において、熱処理プレート上の基板を覆うカバー
と、基板を覆った閉状態と解放した開状態との間でカバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、筐体の基板搬出入口
を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉駆動するシャッ
ター駆動手段と、カバーを閉状態とする前にシャッター
を閉じるようにカバー駆動手段およびシャッター駆動手
段を制御する駆動制御手段と、を備える。
【０００８】また、この発明の請求項２の装置は、筐体
内部に設けられた熱処理プレート上において基板を熱処
理する基板熱処理装置において、熱処理プレート上の基
板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状
態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、筐体
の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉
駆動するシャッター駆動手段と、カバーを開状態とした
後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャ
ッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、を備える。
内部に設けられた熱処理プレート上において基板を熱処
理する基板熱処理装置において、熱処理プレート上の基
板を覆うカバーと、基板を覆った閉状態と解放した開状
態との間でカバーを移動させるカバー駆動手段と、筐体
の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、シャッターを開閉
駆動するシャッター駆動手段と、カバーを開状態とした
後にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャ
ッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、を備える。
【０００９】また、この発明の請求項３の装置は、熱処
理プレート上において基板を熱処理する基板熱処理装置
において、熱処理プレートを内部に有する筐体と、筐体
内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、熱処
理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状
態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー
駆動手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介
した排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態に
ある時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御
手段と、を備える。
理プレート上において基板を熱処理する基板熱処理装置
において、熱処理プレートを内部に有する筐体と、筐体
内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口と、熱処
理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状
態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー
駆動手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介
した排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態に
ある時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御
手段と、を備える。
【００１０】また、この発明の請求項４の装置は、熱処
理プレート上において露光後の基板を熱処理する露光後
加熱処理に利用される基板熱処理装置において、熱処理
プレートを内部に有する筐体と、筐体内の雰囲気を排気
する排気経路へ通じる排気口と、筐体内部において熱処
理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状
態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー
駆動手段と、筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、
シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、カバ
ーを閉状態とする前にシャッターを閉じるとともに、カ
バーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー
駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する駆動制御
手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介した
排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態にある
時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段
と、を備える。
理プレート上において露光後の基板を熱処理する露光後
加熱処理に利用される基板熱処理装置において、熱処理
プレートを内部に有する筐体と、筐体内の雰囲気を排気
する排気経路へ通じる排気口と、筐体内部において熱処
理プレート上の基板を覆うカバーと、基板を覆った閉状
態と解放した開状態との間でカバーを移動させるカバー
駆動手段と、筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、
シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、カバ
ーを閉状態とする前にシャッターを閉じるとともに、カ
バーを開状態とした後にシャッターを開くようにカバー
駆動手段およびシャッター駆動手段を制御する駆動制御
手段と、カバーが開状態にある時には排気経路を介した
排気動作をオフにするとともに、カバーが閉状態にある
時には排気動作をオンにするよう制御する排気制御手段
と、を備える。
【００１１】
【００１２】
【１．実施の形態における機構的構成】図１は実施の形
態の基板熱処理装置１の断面図である。以下、図１を用
いてこの装置の機構的構成について説明していく。
態の基板熱処理装置１の断面図である。以下、図１を用
いてこの装置の機構的構成について説明していく。
【００１３】基板熱処理装置１は筐体１０、搬出入口開
閉部２０、カバー３０、ホットプレート４０、リフトピ
ン５０、排気部６０、昇降用エアシリンダー７０、制御
部８０から成っている。
閉部２０、カバー３０、ホットプレート４０、リフトピ
ン５０、排気部６０、昇降用エアシリンダー７０、制御
部８０から成っている。
【００１４】筐体１０は側面に基板搬出入口１０ａ、排
気口１０ｂを備えており、内部に設けられた後述するホ
ットプレート４０により基板ＷのＰＥＢ処理を行うため
の処理室として機能する。
気口１０ｂを備えており、内部に設けられた後述するホ
ットプレート４０により基板ＷのＰＥＢ処理を行うため
の処理室として機能する。
【００１５】搬出入口開閉部２０は基板搬出入シャッタ
ー２１０および搬出入用エアシリンダー２２０から成
り、筐体１０の基板搬出入口１０ａに設けられた基板搬
出入シャッター２１０が搬出入用エアシリンダー２２０
の駆動で昇降することにより後述する所定のタイミング
で開閉し、それが開いている間に基板Ｗが搬出入され
る。
ー２１０および搬出入用エアシリンダー２２０から成
り、筐体１０の基板搬出入口１０ａに設けられた基板搬
出入シャッター２１０が搬出入用エアシリンダー２２０
の駆動で昇降することにより後述する所定のタイミング
で開閉し、それが開いている間に基板Ｗが搬出入され
る。
【００１６】カバー３０は後述するホットプレート４０
上方において昇降可能に設けられており、ＰＥＢ処理中
は下降して、ホットプレート４０上に閉空間を形成す
る。
上方において昇降可能に設けられており、ＰＥＢ処理中
は下降して、ホットプレート４０上に閉空間を形成す
る。
【００１７】ホットプレート４０は筐体１０の内部中央
に設けられ、内部の発熱機構によりその上面に支持した
基板Ｗを加熱する。
に設けられ、内部の発熱機構によりその上面に支持した
基板Ｗを加熱する。
【００１８】リフトピン５０は３本に分かれており（図
中には２本のみ表示）ホットプレート４０内の貫通口を
通じて昇降可能に構成されており、上昇時にその先端で
基板搬出入口から搬入された基板Ｗを受取り、下降して
ホットプレート４０上に基板Ｗを載置する。
中には２本のみ表示）ホットプレート４０内の貫通口を
通じて昇降可能に構成されており、上昇時にその先端で
基板搬出入口から搬入された基板Ｗを受取り、下降して
ホットプレート４０上に基板Ｗを載置する。
【００１９】排気部６０は排気口シャッター６１０およ
び排気用エアシリンダー６２０から成り、排気口１０ｂ
を開閉可能である。この排気口１０ｂは筐体１０の外部
において工場排気ラインに連結されており、それを介し
て筐体１０内の雰囲気の排気を行ったり停止したりす
る。
び排気用エアシリンダー６２０から成り、排気口１０ｂ
を開閉可能である。この排気口１０ｂは筐体１０の外部
において工場排気ラインに連結されており、それを介し
て筐体１０内の雰囲気の排気を行ったり停止したりす
る。
【００２０】昇降用エアシリンダー７０はカバー駆動手
段に相当し、カバー３０およびリフトピン５０に連結さ
れており、その駆動によりカバー３０およびリフトピン
５０を昇降させる。
段に相当し、カバー３０およびリフトピン５０に連結さ
れており、その駆動によりカバー３０およびリフトピン
５０を昇降させる。
【００２１】制御部８０は駆動制御手段および排気制御
手段を兼ねたものに相当し、ホットプレート４０、昇降
用エアシリンダー７０、搬出入用エアシリンダー２２０
および排気用エアシリンダー６２０に接続されており、
図示しない温度センサの信号によりホットプレート４０
の温度を制御するとともに、昇降用エアシリンダー７
０、搬出入用エアシリンダー２２０および排気用エアシ
リンダー６２０の駆動を制御する。
手段を兼ねたものに相当し、ホットプレート４０、昇降
用エアシリンダー７０、搬出入用エアシリンダー２２０
および排気用エアシリンダー６２０に接続されており、
図示しない温度センサの信号によりホットプレート４０
の温度を制御するとともに、昇降用エアシリンダー７
０、搬出入用エアシリンダー２２０および排気用エアシ
リンダー６２０の駆動を制御する。
【００２２】つぎに、要部についてさらに詳細に説明し
ていく。
ていく。
【００２３】前述のようにカバー３０とリフトピン５０
はいずれも、昇降用エアシリンダー７０に連結されてい
るため、必然的に両者の動作は同期するものとなるた
め、リフトピン５０が下がった状態では常にカバー３０
は閉じており、逆に、リフトピン５０が上がった状態で
はカバー３０も開いた状態となる。
はいずれも、昇降用エアシリンダー７０に連結されてい
るため、必然的に両者の動作は同期するものとなるた
め、リフトピン５０が下がった状態では常にカバー３０
は閉じており、逆に、リフトピン５０が上がった状態で
はカバー３０も開いた状態となる。
【００２４】これに対し、基板搬出入シャッター２１０
は昇降用エアシリンダー７０ではなく、搬出入用エアシ
リンダー２２０（シャッター駆動手段に相当する。）に
連結され、それにより駆動されるため、カバー３０およ
びリフトピン５０とは独立して開閉できるものとなって
いる。
は昇降用エアシリンダー７０ではなく、搬出入用エアシ
リンダー２２０（シャッター駆動手段に相当する。）に
連結され、それにより駆動されるため、カバー３０およ
びリフトピン５０とは独立して開閉できるものとなって
いる。
【００２５】また、排気部６０は筐体１０の排気口１０
ｂに設けられた排気口シャッター６１０が排気用エアシ
リンダー６２０の駆動で昇降することにより開閉する。
そして、排気口１０ｂの外部は図示しない吸引機構によ
り負圧とされており、排気口シャッター６１０が開いた
状態（「排気動作がオン」の状態に相当する。）で内部
雰囲気が外部に排出され、逆に排気口シャッター６１０
が閉じた状態（「排気動作がオフ」の状態に相当す
る。）では内部雰囲気は外部に排出されない構造となっ
ている。そして、それにより筐体１０内の排気を後述す
る所定のタイミングで行ったり停止したりする。
ｂに設けられた排気口シャッター６１０が排気用エアシ
リンダー６２０の駆動で昇降することにより開閉する。
そして、排気口１０ｂの外部は図示しない吸引機構によ
り負圧とされており、排気口シャッター６１０が開いた
状態（「排気動作がオン」の状態に相当する。）で内部
雰囲気が外部に排出され、逆に排気口シャッター６１０
が閉じた状態（「排気動作がオフ」の状態に相当す
る。）では内部雰囲気は外部に排出されない構造となっ
ている。そして、それにより筐体１０内の排気を後述す
る所定のタイミングで行ったり停止したりする。
【００２６】
【２．実施の形態における処理手順】図２はこの実施の
形態の基板熱処理装置１の動作を説明するための図であ
る。また、図３は実施の形態の基板熱処理装置１および
従来装置の動作タイミングを比較する図であり、図３
（ａ）はこの実施の形態の装置のタイミングチャート、
図３（ｂ）は従来装置のタイミングチャートである。
形態の基板熱処理装置１の動作を説明するための図であ
る。また、図３は実施の形態の基板熱処理装置１および
従来装置の動作タイミングを比較する図であり、図３
（ａ）はこの実施の形態の装置のタイミングチャート、
図３（ｂ）は従来装置のタイミングチャートである。
【００２７】以下、図２および図３（ａ）を用いてこの
装置の処理手順を説明していく。
装置の処理手順を説明していく。
【００２８】＜基板受け渡し工程＞この工程では基板熱
処理装置１は図２（ａ）に示す状態にあり、図示しない
外部の搬送ユニットにより処理済みの基板Ｗが基板熱処
理装置１外に搬出された後、基板Ｗが基板熱処理装置１
内に搬入される工程である。この工程において、各部は
以下の状態になっている。
処理装置１は図２（ａ）に示す状態にあり、図示しない
外部の搬送ユニットにより処理済みの基板Ｗが基板熱処
理装置１外に搬出された後、基板Ｗが基板熱処理装置１
内に搬入される工程である。この工程において、各部は
以下の状態になっている。
【００２９】すなわち、カバー３０および基板搬出入シ
ャッター２１０は開いており、搬送ユニットは搬入動作
を行い、排気シャッター６１０は閉じた状態にあって排
気を行っていない。なお、カバー３０が開状態であるの
で図２（ａ）のようにリフトピン５０は上がった状態に
あり、基板Ｗはそのリフトピン５０に支持されるように
搬入される。
ャッター２１０は開いており、搬送ユニットは搬入動作
を行い、排気シャッター６１０は閉じた状態にあって排
気を行っていない。なお、カバー３０が開状態であるの
で図２（ａ）のようにリフトピン５０は上がった状態に
あり、基板Ｗはそのリフトピン５０に支持されるように
搬入される。
【００３０】＜第１待機工程＞この工程では基板熱処理
装置１は図２（ｂ）に示す状態にあり、次の工程でのＰ
ＥＢ処理工程の開始まで、基板熱処理装置１内の上がっ
た状態のリフトピン５０上に基板Ｗが支持されたまま待
機している工程で、この工程が始まるとともに基板搬出
入シャッター２１０は閉じられる。この工程において、
各部は以下の状態になっている。
装置１は図２（ｂ）に示す状態にあり、次の工程でのＰ
ＥＢ処理工程の開始まで、基板熱処理装置１内の上がっ
た状態のリフトピン５０上に基板Ｗが支持されたまま待
機している工程で、この工程が始まるとともに基板搬出
入シャッター２１０は閉じられる。この工程において、
各部は以下の状態になっている。
【００３１】すなわち、カバー３０は開状態であるが基
板搬出入シャッター２１０は閉じており、搬送ユニット
は停止し、さらに、排気シャッター６１０が閉じた状態
にあって排気を行っていない。
板搬出入シャッター２１０は閉じており、搬送ユニット
は停止し、さらに、排気シャッター６１０が閉じた状態
にあって排気を行っていない。
【００３２】＜ＰＥＢ処理工程＞この工程では基板熱処
理装置１は図２（ｃ）に示す状態にあり、ＰＥＢ処理を
行う工程である。この工程において、各部は以下の状態
になっている。
理装置１は図２（ｃ）に示す状態にあり、ＰＥＢ処理を
行う工程である。この工程において、各部は以下の状態
になっている。
【００３３】すなわち、カバー３０および基板搬出入シ
ャッター２１０は閉じており、搬送ユニットは停止して
いるが、排気シャッター６１０が開いた状態にあって排
気を行っている。
ャッター２１０は閉じており、搬送ユニットは停止して
いるが、排気シャッター６１０が開いた状態にあって排
気を行っている。
【００３４】＜第２待機工程＞この工程では基板熱処理
装置１は図２（ｄ）に示す状態にあり、ＰＥＢ処理後の
基板Ｗが搬送ユニットによる搬出のタイミングを待機し
ている工程である。この工程において、各部は第１待機
工程と同様の状態になっており、カバー３０は開いてい
るが基板搬出入シャッター２１０は閉じており、搬送ユ
ニットは停止し、さらに、排気シャッター６１０は閉じ
た状態にあって排気を行なっていない。
装置１は図２（ｄ）に示す状態にあり、ＰＥＢ処理後の
基板Ｗが搬送ユニットによる搬出のタイミングを待機し
ている工程である。この工程において、各部は第１待機
工程と同様の状態になっており、カバー３０は開いてい
るが基板搬出入シャッター２１０は閉じており、搬送ユ
ニットは停止し、さらに、排気シャッター６１０は閉じ
た状態にあって排気を行なっていない。
【００３５】そして、第２待機工程の終了時に基板搬出
入シャッター２１０が開かれ、基板受け渡し工程に戻
る。そして、以上の４つの工程が繰返され、順次、各基
板ＷのＰＥＢ処理が行われていく。
入シャッター２１０が開かれ、基板受け渡し工程に戻
る。そして、以上の４つの工程が繰返され、順次、各基
板ＷのＰＥＢ処理が行われていく。
【００３６】ところで、従来装置では図３（ｂ）に示す
ように、第１待機工程および第２待機工程の際にカバー
と基板搬出入シャッターが同時に開いており、さらに排
気も行われているため待機中に外気が基板位置にまで達
し、その際、基板搬出入口からの外気の流入のため前述
のように内部雰囲気の温度が不均一となる。
ように、第１待機工程および第２待機工程の際にカバー
と基板搬出入シャッターが同時に開いており、さらに排
気も行われているため待機中に外気が基板位置にまで達
し、その際、基板搬出入口からの外気の流入のため前述
のように内部雰囲気の温度が不均一となる。
【００３７】また、基板受け渡し工程においても排気し
ているため同様の理由で内部雰囲気の温度が不均一にな
ってしまい、その後、基板Ｗが搬入された段階で既に雰
囲気の温度分布が不均一な状態になってしまっていた。
ているため同様の理由で内部雰囲気の温度が不均一にな
ってしまい、その後、基板Ｗが搬入された段階で既に雰
囲気の温度分布が不均一な状態になってしまっていた。
【００３８】これに対し、この実施の形態の装置では第
１待機工程および第２待機工程ではカバー３０が開状態
であるが基板搬出入シャッター２１０が閉じられてお
り、さらに排気も停止しているのでので外気が筐体１０
内に流入することはなく、したがって装置の内部雰囲気
の温度不均一も生じない。
１待機工程および第２待機工程ではカバー３０が開状態
であるが基板搬出入シャッター２１０が閉じられてお
り、さらに排気も停止しているのでので外気が筐体１０
内に流入することはなく、したがって装置の内部雰囲気
の温度不均一も生じない。
【００３９】また、基板受け渡し工程において排気を停
止しているので基板Ｗの受け渡しの際にも外気の流入が
少なく、したがって、待機中も内部雰囲気の温度均一性
が高い状態に維持されている。そのため、その後の工程
においても内部雰囲気の温度均一性が高くなり、全工程
に渡り内部雰囲気の温度均一性が高く維持できる。
止しているので基板Ｗの受け渡しの際にも外気の流入が
少なく、したがって、待機中も内部雰囲気の温度均一性
が高い状態に維持されている。そのため、その後の工程
においても内部雰囲気の温度均一性が高くなり、全工程
に渡り内部雰囲気の温度均一性が高く維持できる。
【００４０】このように、この実施の形態の基板熱処理
装置１では第１待機工程から第２待機工程にかけて基板
搬出入シャッター２１０が閉じるとともに、ＰＥＢ処理
工程以外は排気を停止する構成としているので、両者の
相乗効果により一層、内部雰囲気の温度均一性が高くな
り、基板の温度均一性が高くなるという効果を有してい
る。
装置１では第１待機工程から第２待機工程にかけて基板
搬出入シャッター２１０が閉じるとともに、ＰＥＢ処理
工程以外は排気を停止する構成としているので、両者の
相乗効果により一層、内部雰囲気の温度均一性が高くな
り、基板の温度均一性が高くなるという効果を有してい
る。
【００４１】
【３．変形例】この実施の形態の基板熱処理装置１では
カバー３０が開状態の間は排気を行わない構成とした
が、この発明はこれに限られず、排気口およびその開閉
用のシャッターを設けないで常に排気を行わない構成と
してもよい。これは、ＰＥＢ処理工程では溶剤が蒸発す
ることが少ないので排気を行わないことによる弊害が少
ないことを利用したものであり、そのため排気を行わな
いことにより一層内部雰囲気の温度均一性を向上させる
ことができる。
カバー３０が開状態の間は排気を行わない構成とした
が、この発明はこれに限られず、排気口およびその開閉
用のシャッターを設けないで常に排気を行わない構成と
してもよい。これは、ＰＥＢ処理工程では溶剤が蒸発す
ることが少ないので排気を行わないことによる弊害が少
ないことを利用したものであり、そのため排気を行わな
いことにより一層内部雰囲気の温度均一性を向上させる
ことができる。
【００４２】また、この実施の形態の基板熱処理装置１
ではＰＥＢ処理工程においてカバー３０が開状態の間は
排気を行わない構成としたが、プリベーク等のＰＥＢ処
理以外の熱処理を行う場合には溶剤の蒸気が多く発生す
るため常時排気を行う構成とした方がよい。
ではＰＥＢ処理工程においてカバー３０が開状態の間は
排気を行わない構成としたが、プリベーク等のＰＥＢ処
理以外の熱処理を行う場合には溶剤の蒸気が多く発生す
るため常時排気を行う構成とした方がよい。
【００４３】また、この実施の形態の基板熱処理装置１
では、排気の制御を排気口シャッター６１０の開閉によ
り行うこととしたが、この発明はこれに限られるもので
はなく、排気のためのエアポンプをオン／オフすること
によって制御する構成としてもよい。
では、排気の制御を排気口シャッター６１０の開閉によ
り行うこととしたが、この発明はこれに限られるもので
はなく、排気のためのエアポンプをオン／オフすること
によって制御する構成としてもよい。
【００４４】さらに、この実施の形態の基板熱処理装置
では昇降用エアシリンダー７０、搬出入用エアシリンダ
ー２２０、排気用エアシリンダー６２０によってそれぞ
れカバー３０およびリフトピン５０、基板搬出入シャッ
ター２１０、ならびに排気口シャッター６１０を駆動す
る構成としたが、この発明はこれに限られず各駆動機構
をボールネジ等を用いたものとする構成としてもよい。
では昇降用エアシリンダー７０、搬出入用エアシリンダ
ー２２０、排気用エアシリンダー６２０によってそれぞ
れカバー３０およびリフトピン５０、基板搬出入シャッ
ター２１０、ならびに排気口シャッター６１０を駆動す
る構成としたが、この発明はこれに限られず各駆動機構
をボールネジ等を用いたものとする構成としてもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明で
はカバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるよう
に、また、請求項２の発明ではカバーを開状態とした後
にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッ
ター駆動手段を制御する構成としたのでカバーとシャッ
ターを同時に開閉する場合と比べて基板搬出入口を通じ
て流入する外気が基板位置に至る量が少ないため内部雰
囲気の温度均一性が高くなる。
はカバーを閉状態とする前にシャッターを閉じるよう
に、また、請求項２の発明ではカバーを開状態とした後
にシャッターを開くようにカバー駆動手段およびシャッ
ター駆動手段を制御する構成としたのでカバーとシャッ
ターを同時に開閉する場合と比べて基板搬出入口を通じ
て流入する外気が基板位置に至る量が少ないため内部雰
囲気の温度均一性が高くなる。
【００４６】また、請求項３の発明ではカバーが開状態
にある時には排気手段をオフにするとともに、カバーが
閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御する
構成としたのでカバーが開状態の時に排気が行われない
ので外気の流入が少なくなり、外気の基板位置に至る量
が少ないため内部雰囲気の温度均一性が高くなる。
にある時には排気手段をオフにするとともに、カバーが
閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御する
構成としたのでカバーが開状態の時に排気が行われない
ので外気の流入が少なくなり、外気の基板位置に至る量
が少ないため内部雰囲気の温度均一性が高くなる。
【００４７】さらに、請求項４の発明では、カバーを閉
状態とする前にシャッターを閉じるとともにカバーを開
状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段
およびシャッター駆動手段を制御しさらに、カバーが開
状態にある時には排気手段をオフにするとともに、カバ
ーが閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御
する構成としたので、請求項１、請求項２および請求項
３の発明の効果が相乗的に得られるため、より内部雰囲
気の温度均一性が高くなり、よって一連の熱処理を通じ
ての基板の温度均一性が高くなる。
状態とする前にシャッターを閉じるとともにカバーを開
状態とした後にシャッターを開くようにカバー駆動手段
およびシャッター駆動手段を制御しさらに、カバーが開
状態にある時には排気手段をオフにするとともに、カバ
ーが閉状態にある時には排気手段をオンにするよう制御
する構成としたので、請求項１、請求項２および請求項
３の発明の効果が相乗的に得られるため、より内部雰囲
気の温度均一性が高くなり、よって一連の熱処理を通じ
ての基板の温度均一性が高くなる。
【図１】本発明の実施の形態の基板熱処理装置の断面図
である。
である。
【図２】実施の形態の基板熱処理装置の動作を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】実施の形態の基板熱処理装置および従来装置の
動作タイミングを比較する図である。
動作タイミングを比較する図である。
【図４】従来装置の断面図である。
１ 基板熱処理装置 １０ 筐体 １０ａ 基板搬出入口 １０ｂ 排気口 ２０ 搬出入口開閉部 ３０ カバー ４０ ホットプレート ６０ 排気部 ７０ 昇降用エアシリンダー ８０ 制御部 ２１０ 基板搬出入シャッター ２２０ 搬出入用エアシリンダー ６１０ 排気口シャッター ６２０ 排気用エアシリンダー Ｗ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 筐体内部に設けられた熱処理プレート上
において基板を熱処理する基板熱処理装置において、 前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、 基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、 前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、 前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、 前記カバーを前記閉状態とする前に前記シャッターを閉
じるように前記カバー駆動手段および前記シャッター駆
動手段を制御する駆動制御手段と、を備えることを特徴
とする基板熱処理装置。 - 【請求項２】 筐体内部に設けられた熱処理プレート上
において基板を熱処理する基板熱処理装置において、 前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、 基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、 前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、 前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、 前記カバーを前記開状態とした後に前記シャッターを開
くように前記カバー駆動手段および前記シャッター駆動
手段を制御する駆動制御手段と、を備えることを特徴と
する基板熱処理装置。 - 【請求項３】 熱処理プレート上において基板を熱処理
する基板熱処理装置において、 前記熱処理プレートを内部に有する筐体と、 前記筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口
と、 前記熱処理プレート上の基板を覆うカバーと、 基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、 前記カバーが前記開状態にある時には前記排気経路を介
した排気動作をオフにするとともに、前記カバーが前記
閉状態にある時には前記排気動作をオンにするよう制御
する排気制御手段と、を備えることを特徴とする基板熱
処理装置。 - 【請求項４】 熱処理プレート上において露光後の基板
を熱処理する露光後加熱処理に利用される基板熱処理装
置において、 前記熱処理プレートを内部に有する筐体と、 前記筐体内の雰囲気を排気する排気経路へ通じる排気口
と、 前記筐体内部において前記熱処理プレート上の基板を覆
うカバーと、 基板を覆った閉状態と解放した開状態との間で前記カバ
ーを移動させるカバー駆動手段と、 前記筐体の基板搬出入口を塞ぐシャッターと、 前記シャッターを開閉駆動するシャッター駆動手段と、 前記カバーを前記閉状態とする前に前記シャッターを閉
じるとともに、前記カバーを前記開状態とした後に前記
シャッターを開くように前記カバー駆動手段および前記
シャッター駆動手段を制御する駆動制御手段と、 前記カバーが前記開状態にある時には前記排気経路を介
した排気動作をオフにするとともに、前記カバーが前記
閉状態にある時には前記排気動作をオンにするよう制御
する排気制御手段と、を備えることを特徴とする基板熱
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1542997A JP3540111B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 基板熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1542997A JP3540111B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 基板熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214767A true JPH10214767A (ja) | 1998-08-11 |
| JP3540111B2 JP3540111B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=11888548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1542997A Expired - Lifetime JP3540111B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 基板熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3540111B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168022A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
| JP2007235094A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 減圧乾燥処理装置 |
| JP2020064939A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP1542997A patent/JP3540111B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168022A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
| JP2007235094A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-09-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 減圧乾燥処理装置 |
| JP2020064939A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
| CN111063623A (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3540111B2 (ja) | 2004-07-07 |
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