JPH10209247A - Chucking device of semiconductor wafer - Google Patents

Chucking device of semiconductor wafer

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JPH10209247A
JPH10209247A JP1104597A JP1104597A JPH10209247A JP H10209247 A JPH10209247 A JP H10209247A JP 1104597 A JP1104597 A JP 1104597A JP 1104597 A JP1104597 A JP 1104597A JP H10209247 A JPH10209247 A JP H10209247A
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suction
wafer
semiconductor wafer
region
suction region
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Hiroshi Shinoyama
洋 篠山
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely adsorb a thin wafer and hold it so that it may be not cracked even when it is chucked by the sucking action at the time of transfer and the wafer may be quickly and surely separated when the sucking action is released in a chucking device which chucks and transfers the semiconductor wafer. SOLUTION: This is a chucking device to be used at the time of transferring a semiconductor wafer and the semiconductor wafer has a flat chucking face sucking and holding the semiconductor wafer and suction region 28 is formed on the suction region 28 and a non-suction region 29 is formed on its outer periphery and a plurality of unevenness are formed on the suction face. Even in the case of a substrate of a chucking type on the whole surface of the wafer, no influence of surface tension such as cutting water is excerted due to a plurality of formed unevenness, thus allowing sure separation of the wafer when the sucking action is cancelled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばIC等の回
路が表面側に複数形成されている半導体ウェーハのよう
な材料を研磨装置に供給し、半導体ウェーハの裏面を研
削砥石等で研磨する際に、その供給に従事する搬送手段
に取り付けて使用される半導体ウェーハの吸着装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for supplying a material such as a semiconductor wafer having a plurality of circuits, such as ICs, formed on a front surface thereof to a polishing apparatus and polishing the back surface of the semiconductor wafer with a grinding wheel or the like. Further, the present invention relates to a semiconductor wafer suction device which is used by being attached to a transport means engaged in the supply.

【0002】[0002]

【従来の技術】昨今、IC等の回路が表面側に複数形成
されている半導体ウェーハは、8インチ及び12インチ
と大口径化の傾向にあると共に、放熱性の向上、移動通
信及び携帯用パソコン等の機器の軽量化並びに小型化等
のために、より薄く(200μm前後)形成されること
が要望されており、半導体ウェーハをチップ状に分割す
る前にその裏面を、例えば図10に示したような、一例
の研磨装置1等により研磨される。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor wafers having a plurality of circuits, such as ICs, formed on the front surface thereof have tended to have a large diameter of 8 inches and 12 inches, improved heat dissipation, mobile communication and portable personal computers. In order to reduce the weight and size of such devices, it is desired that the devices be formed thinner (around 200 μm). Before the semiconductor wafer is divided into chips, the back surface is shown in FIG. The polishing is performed by such an example of the polishing apparatus 1.

【0003】この一例の研磨装置1は、作業台2上に回
転自在に配設されたターンテーブル3と、該ターンテー
ブル3上に2以上配設され半導体ウェーハ4を保持する
チャックテーブル5と、該チャックテーブル5と対峙し
て半導体ウェーハ4を研磨する研磨砥石6を備えた複数
の研磨手段7とから概ね構成されている。
The polishing apparatus 1 of this example includes a turntable 3 rotatably disposed on a work table 2, a chuck table 5 disposed on the turntable 3 to hold two or more semiconductor wafers 4, and A plurality of polishing means 7 provided with a polishing grindstone 6 for polishing the semiconductor wafer 4 in opposition to the chuck table 5.

【0004】前記ターンテーブル3は、適宜の制御手段
により回転駆動されて、前記チャックテーブル5をウェ
ーハ搬出入領域Aに位置付けすると共に、ウェーハ4を
研磨する研磨領域Bに位置付けするように構成されてい
る。そして、ターンテーブル3の回転により、チャック
テーブル5がウェーハ搬出入領域Aに位置付けされたと
きに、搬送手段8によってウェーハ4の供給と搬出とが
行われ、研磨領域Bに位置付けされたときに、チャック
テーブル5に保持されたウェーハ4の裏面が研磨砥石6
によって所要厚さまで研磨される。
The turntable 3 is rotatably driven by an appropriate control means to position the chuck table 5 in the wafer loading / unloading area A and to position the chuck table 5 in the polishing area B for polishing the wafer 4. I have. Then, when the chuck table 5 is positioned in the wafer loading / unloading area A by the rotation of the turntable 3, the supply and unloading of the wafers 4 are performed by the transfer means 8, and when the chuck table 5 is positioned in the polishing area B, The back surface of the wafer 4 held on the chuck table 5 is
To a required thickness.

【0005】搬送手段8が配設されている近傍には、洗
浄機能を備えた仮受け台9と、位置合せテーブル10と
が配設されており、この位置合せテーブル10に対して
ウェーハ4をカセット11から取り出して載置したり、
または位置合せテーブル10からウェーハ4をピックア
ップしてカセット11に仕舞ったりするロボットアーム
12が配設されている。
In the vicinity where the transfer means 8 is provided, a temporary receiving table 9 having a cleaning function and an alignment table 10 are provided, and the wafer 4 is placed on the alignment table 10. Take out from cassette 11 and place,
Alternatively, a robot arm 12 that picks up the wafer 4 from the alignment table 10 and places it on the cassette 11 is provided.

【0006】そして、搬送手段8の先端には、ウェーハ
4を吸着してピックアップするための吸着手段13が取
り付けられている。一般的な従来の吸着手段は、当該業
界において広く知られている、所謂吸着盤形式のベルヌ
イチャックであったり、或いはゴムパットチャックであ
る。
[0006] At the front end of the transfer means 8, a suction means 13 for sucking and picking up the wafer 4 is attached. A typical conventional suction means is a so-called suction disk type Bernoulli chuck or a rubber pad chuck widely known in the art.

【0007】このような吸着盤形式の吸着手段による
と、吸引力がウェーハの中央部に集中するので、ウェー
ハのサイズが大きくなり且つ薄く研磨されると、搬送途
中で割れ易くなるという問題点を有する。
According to the suction means of the suction disk type, the suction force is concentrated on the central portion of the wafer. Therefore, if the size of the wafer is increased and the wafer is polished thinly, the wafer tends to be broken during transportation. Have.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】この問題点を解決した
のが、同一出願人に係る特開平8-55896号公報に
開示された発明、即ち吸着手段の全面で吸着するタイプ
の搬送手段である。しかしながら、全面で吸着するタイ
プの吸着手段は、吸引作用が生じない外周の平坦な面に
おいて新たな問題が生ずるようになった。即ち、外周の
平坦な面と吸着したウェーハとの間に切削水等が一面に
存在し、その切削水の表面張力によって、吸引作用とは
別の密着又は吸着作用が生じ、吸着手段の吸引作用が開
放された後においても、しばしば吸着手段からウェーハ
が離れないという現象が生じ、搬送の作業性に支障を来
たすと共に、これを無理に引き離そうとすると薄いウェ
ーハは割れ易いという問題点が生ずる。
What solved this problem is the invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-55896 filed by the same applicant, that is, a conveying means of the type in which the entire surface of the adsorption means is adsorbed. . However, the suction means of the type that performs suction on the entire surface has a new problem on the flat outer peripheral surface where the suction action does not occur. That is, cutting water or the like exists on one surface between the flat surface of the outer circumference and the sucked wafer, and the surface tension of the cutting water causes a close contact or suction action different from the suction action, thereby causing the suction action of the suction means. Even after the wafer is opened, a phenomenon that the wafer does not separate from the suction means often occurs, which hinders the workability of the transfer, and causes a problem that a thin wafer is easily broken when trying to forcibly separate it.

【0009】従って、従来技術の吸着手段または吸着装
置においては、吸引作用によってウェーハを割らないよ
うに確実に吸着し、且つ吸引作用が解除された時に、ウ
ェーハを確実に離すようにすることに解決しなければな
らない課題を有している。
Therefore, the suction means or the suction apparatus of the prior art can reliably suck the wafer so as not to be broken by the suction action, and can surely release the wafer when the suction action is released. Have challenges to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的な手段として、本発明は、半導体ウェーハを
搬送する際に使用する吸着装置であって、半導体ウェー
ハを吸引保持する平坦な吸着面を有し、該吸着面には、
吸引領域とその外周に非吸引領域とが形成されており、
該非吸引領域には複数の凹凸が形成されていることを特
徴とする半導体ウェーハの吸着装置を提供するものであ
る。
As a specific means for solving the problems of the prior art, the present invention relates to a suction device used for transporting a semiconductor wafer, wherein the suction device has a flat surface for holding the semiconductor wafer by suction. It has an adsorption surface, and the adsorption surface has
A suction region and a non-suction region are formed around the suction region,
An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer suction device, wherein a plurality of irregularities are formed in the non-suction region.

【0011】更に、前記吸引領域は、ポーラス部材で形
成されており、非吸引領域は、セラミックスで形成され
ていること;吸引領域には、複数の凹凸部が形成され、
その一部の凹部に吸引孔形成されていること;及びIC
等の回路が表面に複数形成された半導体ウェーハの裏面
を研磨する研磨装置に配設されることを付加的要件とし
て含むものである。
[0011] Further, the suction area is formed of a porous member, and the non-suction area is formed of ceramics;
A suction hole is formed in a part of the recess;
And the like are provided as an additional requirement that the circuit is disposed in a polishing apparatus for polishing a back surface of a semiconductor wafer formed on a plurality of surfaces.

【0012】本発明の吸着装置においては、ウェーハを
全面で吸着するタイプの構成であっても、外周の非吸引
領域に複数の凹凸が形成されていることにより、切削水
等の表面張力の影響を受けず、吸引作用が解除されたと
きに確実に且つ速やかにウェーハを離すことができるの
である。
In the suction device of the present invention, even if the suction device is of a type in which the wafer is suctioned over the entire surface, the influence of the surface tension of cutting water or the like is formed by forming a plurality of irregularities in the non-suction region on the outer periphery. Therefore, the wafer can be reliably and promptly released when the suction action is released.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明を図示の実施例によ
り更に詳しく説明する。まず、図1〜5に示した第1実
施例において、吸着装置20は前記従来例の搬送手段8
の先端に取り付けられるものであって、例えばセラミッ
クス等で形成された円盤状の基台21の上面側には、そ
の中心部に吸引手段を兼ねた搬送手段8への取付部22
が形成され、更にその取付部の周辺には複数の取付部2
3、24、25が適宜に形成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in more detail with reference to the illustrated embodiments. First, in the first embodiment shown in FIGS.
Is attached to the top of a disk-shaped base 21 made of, for example, ceramics.
Are formed, and a plurality of mounting portions 2 are provided around the mounting portion.
3, 24 and 25 are appropriately formed.

【0014】これら取付部22〜25は、搬送手段のア
ームに取り付けられる関係上、所定の強度を付与するた
めに、例えば金属製のブッシュによって形成されてお
り、各ブッシュの中心部にはネジ孔22a〜25aが形
成されている。そして、各取付部、即ちブッシュ22〜
25は基台21に設けられた所要の孔に対して例えば接
着手段等により強固に取り付けられるものである。尚、
基台21が金属製の場合には、ブッシュ等を必要としな
いで、基台21の所定位置に各取付部22〜25を適宜
形成することができる。
Each of the mounting portions 22 to 25 is formed of, for example, a metal bush in order to provide a predetermined strength because it is mounted on the arm of the transporting means. 22a to 25a are formed. And each mounting part, ie, bush 22 ~
Reference numeral 25 is a member which is firmly attached to a required hole provided in the base 21 by, for example, an adhesive means. still,
When the base 21 is made of metal, the mounting portions 22 to 25 can be appropriately formed at predetermined positions of the base 21 without the need for a bush or the like.

【0015】基台21の下面(裏面)側には、略同形状
(円盤状)の吸着面構成部材26が一体的に取り付けら
れる。この吸着面構成部材26は、例えばセラミックス
で形成することができ、接着手段等により基台21に対
して一体に取り付けられる。そして、基台21と吸着面
構成部材26との間に複数条の浅い溝状空隙部27が周
方向に沿って形成されており、これら溝状空隙部27
は、中心部の取付部22に形成されたネジ孔22aと連
通した状態になっている。
On the lower surface (back surface) side of the base 21, a suction surface constituting member 26 of substantially the same shape (disk shape) is integrally attached. The suction surface constituting member 26 can be formed of, for example, ceramics, and is integrally attached to the base 21 by an adhesive means or the like. A plurality of shallow groove-shaped gaps 27 are formed between the base 21 and the suction surface constituting member 26 along the circumferential direction.
Is in communication with a screw hole 22a formed in the mounting portion 22 at the center.

【0016】吸着面構成部材26は、その下面が平坦な
吸着面に形成され、その吸着面は吸引領域28と非吸引
領域29とに分けて形成されている。この場合に、吸引
領域28は、中心部から所定の広さをもった円形状の領
域であり、非吸引領域29はその外周に位置する狭いリ
ング状の領域である。そして、前記溝状空隙部27は吸
引領域28に対応した位置に形成されている。
The lower surface of the suction surface constituting member 26 is formed as a flat suction surface, and the suction surface is divided into a suction area 28 and a non-suction area 29. In this case, the suction region 28 is a circular region having a predetermined width from the center, and the non-suction region 29 is a narrow ring-shaped region located on the outer periphery. The groove-shaped gap 27 is formed at a position corresponding to the suction area 28.

【0017】吸引領域28は、図4及び図5に示したよ
うに、吸着面に複数の点状凸部30が所定間隔をもって
整列して形成され、これら点状凸部30の間が実質的に
凹部31となるものである。従って、吸引領域28の吸
着面には複数の凹凸部が形成されることになる。
As shown in FIGS. 4 and 5, the suction area 28 has a plurality of dot-shaped protrusions 30 formed on the suction surface at predetermined intervals, and the space between the dot-shaped protrusions 30 is substantially formed. The recess 31 is formed. Therefore, a plurality of uneven portions are formed on the suction surface of the suction region 28.

【0018】そして、吸着面の凹部31には前記溝状空
隙部27と連通する吸引孔32が複数個形成されてお
り、該吸引孔32を介し吸着面における凹部31が減圧
状態に維持され、それによって半導体ウェーハ4を吸着
保持するものである。
A plurality of suction holes 32 are formed in the concave portion 31 of the suction surface and communicate with the groove-shaped void portion 27. The concave portion 31 on the suction surface is maintained in a reduced pressure state through the suction hole 32. This holds the semiconductor wafer 4 by suction.

【0019】非吸引領域29には、全面的に格子状の溝
部33を形成し、該溝部33の形成によって凸部34が
区画され、これら溝部33と凸部34とによって実質的
に複数の凹凸部が非吸引領域29に形成されることにな
る。
In the non-suction region 29, a lattice-shaped groove 33 is formed on the entire surface, and the formation of the groove 33 defines a convex portion 34. The groove 33 and the convex portion 34 substantially form a plurality of irregularities. The portion will be formed in the non-suction region 29.

【0020】このように形成された非吸引領域29にお
いては、凹凸部の存在によって、切削水等の表面張力を
破壊するので、仮に吸着する半導体ウェーハ4の表面に
切削水等が存在していても、その表面張力の影響を遮断
できるのである。
In the non-suction region 29 formed as described above, the presence of the concave and convex portions destroys the surface tension of the cutting water or the like, so that the cutting water or the like temporarily exists on the surface of the semiconductor wafer 4 to be adsorbed. Can also block the effect of surface tension.

【0021】図6〜9に第2実施例の吸着装置20を示
してある。この第2実施例において前記第1実施例と同
一部分には同一符号を付して説明する。この吸着装置2
0も前記従来例の搬送手段8の先端に取り付けられるも
のであって、例えばセラミックス等で所定の厚さに形成
された円盤状の基台21の上面側には、その中心部に吸
引手段を兼ねた搬送手段8への取付部22が形成され、
更にその取付部の周辺には複数の取付部23、24、2
5が適宜に形成されている。
FIGS. 6 to 9 show a suction apparatus 20 according to a second embodiment. In the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and described. This adsorption device 2
Reference numeral 0 is also attached to the tip of the conveying means 8 of the conventional example, and a suction means is provided at the center on the upper surface side of a disk-shaped base 21 formed of, for example, ceramics to a predetermined thickness. An attachment portion 22 for the transporting means 8 also serving as the attachment portion is formed.
Further, a plurality of mounting portions 23, 24, 2
5 is appropriately formed.

【0022】これら取付部22〜25は、搬送手段のア
ームに取り付けられる関係上、所定の強度を付与するた
めに、例えば金属製のブッシュによって形成されてお
り、各ブッシュの中心部にはネジ孔22a〜25aが形
成されている。そして、各取付部、即ちブッシュ22〜
25は基台21に設けられた所要の孔に対して例えば接
着手段等により強固に取り付けられるものである。これ
らの構成は、前記第1実施例と略同一である。
The mounting portions 22 to 25 are formed by, for example, metal bushes in order to provide a predetermined strength because they are mounted on the arms of the transporting means. 22a to 25a are formed. And each mounting part, ie, bush 22 ~
Reference numeral 25 is a member which is firmly attached to a required hole provided in the base 21 by, for example, an adhesive means. These components are substantially the same as those of the first embodiment.

【0023】基台21の下面(裏面)側は、図7の一部
切欠図から明らかなように、中央部に所定大きさの円形
状の凹陥部35を抉り取った状態で形成し、該凹陥部3
5内に通気性を有する材料、例えばポーラス部材36を
嵌着させて取り付け、該ポーラス部材36が取り付けら
れた領域が所謂吸引領域28となるのである。従って、
円形状の凹陥部35の外周に残されたリング状の部分が
非吸引領域29となるのであり、この非吸引領域29は
基台21の一部で構成されることになる。
The lower surface (back surface) side of the base 21 is formed in a state where a circular concave portion 35 having a predetermined size is cut off at the center, as is clear from the partially cutaway view of FIG. Recess 3
A material having air permeability, for example, a porous member 36 is fitted and attached in 5, and a region where the porous member 36 is attached is a so-called suction region 28. Therefore,
The ring-shaped portion left on the outer periphery of the circular concave portion 35 becomes the non-suction region 29, and the non-suction region 29 is constituted by a part of the base 21.

【0024】取り付けられるポーラス部材36は、予め
凹陥部35の形状、大きさ及び深さに対応して形成して
おき、ポーラス部材36を凹陥部35に嵌め込んで、例
えば適宜の接着手段により一体的に取り付ける。そし
て、吸着面を構成する吸引領域28と非吸引領域29と
が実質的に面一になるように加工する。
The porous member 36 to be attached is formed in advance in accordance with the shape, size and depth of the concave portion 35, and the porous member 36 is fitted into the concave portion 35, and is integrally formed by, for example, an appropriate bonding means. Attach it. Then, processing is performed so that the suction area 28 and the non-suction area 29 constituting the suction surface are substantially flush.

【0025】取り付けられたポーラス部材36と凹陥部
35との間に、複数条の浅い溝状空隙部27が周方向に
沿って形成されており、これら溝状空隙部27は、中心
部の取付部22に形成されたネジ孔22aと連通した状
態になっている。この構成は前記第1実施例と同一であ
る。
A plurality of shallow groove-shaped gaps 27 are formed along the circumferential direction between the attached porous member 36 and the recess 35, and these groove-shaped gaps 27 are attached at the center. It is in a state of communicating with a screw hole 22 a formed in the part 22. This configuration is the same as in the first embodiment.

【0026】この第2実施例においても、非吸引領域2
9には、前記凹陥部35の円弧の接線方向に沿うように
直線状の溝群37を方角を変えて複数条形成し、該溝群
37の形成によって、その溝群がない部分とにより実質
的に複数の凹凸部が非吸引領域29に形成されることに
なる。
Also in the second embodiment, the non-suction region 2
9, a plurality of linear groove groups 37 are formed in different directions along the tangential direction of the arc of the concave portion 35, and by forming the groove group 37, a portion without the groove group is substantially formed. Therefore, a plurality of uneven portions are formed in the non-suction region 29.

【0027】このように形成された非吸引領域29にお
いては、前記第1実施例と同様に、凹凸部の存在によっ
て、切削水等の表面張力を破壊するので、仮に吸着する
半導体ウェーハ4の表面に切削水等が存在していても、
その表面張力の影響を遮断できるのである。
In the non-suction region 29 formed in this manner, as in the first embodiment, the surface tension of cutting water or the like is destroyed by the presence of the uneven portions, so that the surface of the semiconductor wafer 4 temporarily adsorbed is formed. Even if cutting water is present in the
The effect of the surface tension can be cut off.

【0028】前記いずれの実施例における吸着装置20
も、図10に示した研磨装置1における搬送手段8の吸
着手段13として使用することができるものであり、特
に、研磨液または研削水を供給しながら研磨手段7によ
って半導体ウェーハ4が研磨された後に、ウェーハ搬出
入領域Aにおいて、搬送手段8によってチャックテーブ
ル5からウェーハ4をピックアップする際に、該チャッ
クテーブル5上に吸着装置20を近接させて位置させ、
適宜の吸引手段により吸引孔22aを介して吸引する
と、吸引領域28によってウェーハ4は吸着され、吸着
装置20の吸着面全面に当接した状態でピックアップさ
れる。
The suction device 20 in any of the above embodiments
Can also be used as the suction means 13 of the transport means 8 in the polishing apparatus 1 shown in FIG. 10, and in particular, the semiconductor wafer 4 is polished by the polishing means 7 while supplying a polishing liquid or grinding water. Later, in the wafer loading / unloading area A, when picking up the wafer 4 from the chuck table 5 by the transfer means 8, the suction device 20 is positioned close to the chuck table 5;
When the wafer 4 is sucked through the suction hole 22 a by an appropriate suction means, the wafer 4 is sucked by the suction area 28 and is picked up while being in contact with the entire suction surface of the suction device 20.

【0029】一般に研磨後のウェーハ4はウェーハ搬出
入領域Aに来る前に、エアースプレー等により、水分お
よび汚れ等は払拭されるが、仮にウェーハ4の表面に水
滴等が残っていた場合でも、搬送作業は行われるのであ
るから、吸着装置20によって吸着したときに、特に、
非吸着領域29においては、凹凸が形成されていること
により、水滴の拡がりを防止すると共に水の表面張力を
破壊し、表面張力の影響を全く受けない状態になる。
In general, before the polished wafer 4 arrives at the wafer carry-in / out area A, moisture and dirt are wiped off by air spray or the like, but even if water droplets or the like remain on the surface of the wafer 4, Since the transfer operation is performed, particularly when suction is performed by the suction device 20,
In the non-sucking area 29, the unevenness prevents the spread of water droplets and destroys the surface tension of water, so that the non-adsorption area 29 is not affected by surface tension.

【0030】従って、吸着装置20によりウェーハ4を
吸着した後に、所定の位置に搬送して吸引領域28にお
ける吸引力を解除すれば、ウェーハ4は直ちに離脱して
所定の位置に載置される。また、吸着領域28に水滴が
あった場合には、吸引力により吸引除去されるので、水
滴等による表面張力の影響を受けることは全くない。な
お、前記実施例において、研磨装置1の搬送手段8に取
り付けて使用する例について説明したが、これに限定さ
れることなく、他の装置の搬送手段にも適用できること
は言うまでもない。
Therefore, after the wafer 4 is suctioned by the suction device 20, if the wafer 4 is conveyed to a predetermined position and the suction force in the suction area 28 is released, the wafer 4 is immediately separated and placed at the predetermined position. Further, if a water droplet is present in the adsorption area 28, it is removed by suction with a suction force, so that there is no influence of the surface tension due to the water droplet or the like. In the above-described embodiment, an example in which the polishing apparatus 1 is used by being attached to the transporting means 8 of the polishing apparatus 1 has been described.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの吸着装置は、半導体ウェーハを搬送する際
に使用する吸着装置であって、半導体ウェーハを吸引保
持する平坦な吸着面を有し、該吸着面には、吸引領域と
その外周に非吸引領域とが形成されており、該非吸引領
域には複数の凹凸が形成されている構成としたことによ
り、特に、前記複数の凹凸の形成によって、水滴の表面
張力を破壊してその影響を遮断できるので、従来半導体
ウェーハの搬送工程において、非吸引領域において生じ
ていた水滴による表面張力での密着性で、吸着支持した
半導体ウェーハが吸引力を解除しても離脱しないという
不都合を解消できるという優れた効果を奏する。
As described above, the semiconductor wafer suction device according to the present invention is a suction device used for transporting a semiconductor wafer, and has a flat suction surface for sucking and holding the semiconductor wafer. The suction surface has a suction area and a non-suction area formed on the outer periphery of the suction area, and the non-suction area has a plurality of irregularities. In this way, the surface tension of the water droplet can be destroyed and its influence can be cut off. And an excellent effect that the inconvenience of not being detached even after canceling can be solved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る吸着装置の平面図で
ある。
FIG. 1 is a plan view of a suction device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施例の吸着装置の一部を切り欠いて示した
下面図である。
FIG. 2 is a bottom view in which a part of the suction device of the embodiment is cut away.

【図3】図2のC−C線に沿う略示的断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view taken along line CC of FIG. 2;

【図4】図3のDで示した部分の拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged sectional view of a portion indicated by D in FIG. 3;

【図5】図4で示した拡大部分の下面図である。FIG. 5 is a bottom view of the enlarged portion shown in FIG. 4;

【図6】本発明の第2実施例に係る吸着装置の平面図で
ある。
FIG. 6 is a plan view of a suction device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】同実施例の吸着装置の一部を切り欠いて示した
下面図である。
FIG. 7 is a bottom view in which a part of the suction device of the embodiment is cut away.

【図8】図6のE−E線に沿う略示的断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view taken along line EE of FIG. 6;

【図9】図8のFで示した部分の拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged sectional view of a portion indicated by F in FIG. 8;

【図10】一般的に使用されている一例の研磨装置の略
示的斜視図である。
FIG. 10 is a schematic perspective view of an example of a generally used polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……研磨装置、 2……作業台、 3……ターンテー
ブル、4……半導体ウェーハ、 5……チャックテーブ
ル、 6……研磨砥石、7……研磨手段、 8……搬送
手段、 9……仮受け台、10……位置合せテーブル、
11……カセット、 12……ロボットアーム、13
……吸着手段、 A……ウェーハ搬出入領域、 B……
研磨領域、20……吸着装置、 21……基台、 22
〜25……取付部、22a……吸引孔を兼ねたネジ孔、
23a〜25a……ネジ孔、26……吸着面構成部
材、 27……溝状空隙部、 28……吸引領域、29
……非吸引領域、 30……点状凸部、 31、34…
…凹部、32……吸引孔、 33……溝部、 35……
凹陥部、36……ポーラス部材、 37……溝群。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Polishing apparatus, 2 ... Work table, 3 ... Turntable, 4 ... Semiconductor wafer, 5 ... Chuck table, 6 ... Polishing whetstone, 7 ... Polishing means, 8 ... Transport means, 9 ... ... Temporary support, 10 ... Positioning table,
11: cassette, 12: robot arm, 13
... Suction means, A ... Wafer loading / unloading area, B ...
Polishing area, 20: suction device, 21: base, 22
-25: mounting portion, 22a: screw hole also serving as suction hole,
23a to 25a: screw holes, 26: suction surface constituent members, 27: groove-shaped voids, 28: suction areas, 29
... non-suction area, 30 ... point-like convex part, 31, 34 ...
... recess, 32 ... suction hole, 33 ... groove, 35 ...
Recessed portion, 36: porous member, 37: groove group.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェーハを搬送する際に使用する
吸着装置であって、 半導体ウェーハを吸引保持する平坦な吸着面を有し、 該吸着面には、吸引領域とその外周に非吸引領域とが形
成されており、 該非吸引領域には複数の凹凸が形成されていることを特
徴とする半導体ウェーハの吸着装置。
1. A suction device used for transporting a semiconductor wafer, comprising a flat suction surface for sucking and holding the semiconductor wafer, wherein the suction surface has a suction region and a non-suction region on the outer periphery thereof. Wherein a plurality of irregularities are formed in the non-suction region.
【請求項2】 吸引領域は、ポーラス部材で形成されて
おり、 非吸引領域は、セラミックスで形成されていることを特
徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの吸着装置。
2. The semiconductor wafer suction device according to claim 1, wherein the suction region is formed of a porous member, and the non-suction region is formed of ceramics.
【請求項3】 吸引領域には、複数の凹凸部が形成さ
れ、 その一部の凹部に吸引孔形成されていることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体ウェーハの吸着装置。
3. The semiconductor wafer suction apparatus according to claim 1, wherein a plurality of concave and convex portions are formed in the suction region, and suction holes are formed in some of the concave portions.
【請求項4】 IC等の回路が表面に複数形成された半
導体ウェーハの裏面を研磨する研磨装置に配設される請
求項1、2又は3のいずれかの吸着装置。
4. The suction apparatus according to claim 1, wherein a circuit such as an IC is provided in a polishing apparatus for polishing a back surface of a semiconductor wafer having a plurality of circuits formed on the front surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000340636A (en) * 1999-05-31 2000-12-08 Okamoto Machine Tool Works Ltd Transfer method for device wafer
JP2001347432A (en) * 2000-06-07 2001-12-18 Shinsei Jitsugyo Kk Vacuum-sucking device and work automatic attachable device
KR102320338B1 (en) * 2021-04-16 2021-11-02 (주)네온테크 Vacuum pad capable of easily desticking electronic chips, vacuum chuck table and picker having the same and pick-up method of electronic chips by the same

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