JP4589201B2 - Substrate cutting equipment - Google Patents
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Description
本発明は、表面に金属や樹脂といった材料からなる付加部が形成された半導体ウエーハ等の基板の付加部を切削する装置に係り、特に、切削屑の処理技術の改良に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for cutting an additional portion of a substrate such as a semiconductor wafer in which an additional portion made of a material such as metal or resin is formed on the surface, and particularly relates to an improvement in cutting scrap processing technology .
ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれるカットラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割して個片化(ダイシング)するといったプロセスを経て製造される。 A semiconductor chip having an electronic circuit such as an IC or LSI formed on its surface has a rectangular rectangular area defined by a cut line called street on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer, and the electronic circuit is formed in these rectangular areas. Thereafter, the semiconductor wafer is manufactured through a process of dividing the semiconductor wafer along the street and dicing it.
半導体ウエーハの中には、表面に複数の突起状の金属が形成されたり樹脂膜が絶縁手段として形成されたりしたものがあり、これら金属および樹脂膜の両方を表面に備える半導体ウエーハもある。例えば、半導体ウェーハのデバイス形成面の電極端子に、実装基板に形成された電極に直接接合するバンプと呼ばれる突起状電極が形成されたものがある。このバンプはメッキなどの方法によってデバイスの表面に形成されるため、メッキによる成長速度のばらつきがそのままバンプ高さのばらつきとなる。バンプ高さにばらつきがあると、実装基板にバンプ面を押圧して実装する際に、部分的な電極端子の接合不良が発生し、半導体チップの製品歩留まりを低下させる。したがって、そのような事態を回避するために、例えば特許文献1および2に開示されているように、ダイシング前にバンプの上端部を切削して高さを揃える技術が提案されている。
Some semiconductor wafers have a plurality of metal protrusions formed on the surface or a resin film formed as an insulating means, and some semiconductor wafers have both the metal and the resin film on the surface. For example, there is one in which protruding electrodes called bumps are formed on electrode terminals on a device forming surface of a semiconductor wafer, which are directly bonded to electrodes formed on a mounting substrate. Since this bump is formed on the surface of the device by a method such as plating, the variation in the growth rate due to the plating becomes the variation in the bump height as it is. If the bump height varies, when the bump surface is pressed against the mounting substrate for mounting, partial electrode terminal bonding failure occurs, reducing the product yield of the semiconductor chip. Therefore, in order to avoid such a situation, as disclosed in
そのようなバンプを有する半導体チップを製造する場合には、まず、上記のようにバンプの高さを揃えてから、半導体ウエーハの裏面側(バンプが無い側)を研削して所定厚さにした後、ストリートに沿って切断して個々のデバイスを得るといった方法が採られていた。最初にバンプの高さを揃える理由は、バンプ側の面をチャックテーブル等の加工基準面に合わせて半導体ウエーハを保持し、露出する裏面を研削して所定厚さに加工するため、バンプの高さが不均一のままだと、半導体ウエーハを均一厚さに研削することができず、また、その研削時に、半導体ウエーハの一部に応力が集中して破損するおそれがあるからである。 When manufacturing a semiconductor chip having such a bump, first, the height of the bump is aligned as described above, and then the back side (the side without the bump) of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness. Later, it was cut along the street to get individual devices. The reason for aligning the bump height first is to hold the semiconductor wafer with the bump side surface aligned with the processing reference surface such as a chuck table, and to grind the exposed back surface to a predetermined thickness. If the thickness is not uniform, the semiconductor wafer cannot be ground to a uniform thickness, and stress may be concentrated on a part of the semiconductor wafer during the grinding.
ところで、半導体ウエーハの裏面を吸着テーブルの吸着面に吸着した状態でバンプの上端部を切削加工する場合、切削加工によって生じる切削屑が吸着テーブルの周囲に飛散、付着する。また、半導体ウエーハが吸着テーブルより小さい場合には、吸着テーブルの露出した面に切削屑が付着することは避けられない。特に、吸着テーブルには、真空吸引するための吸引口や半導体ウエーハを支持する剣山状のピンチャックが設けられているため、真空吸引によって切削屑が吸引口に吸い込まれたりピンチャックの先端周辺に付着したりし易い。さらに、半導体ウエーハの表面を樹脂で被覆した後に、バンプの高さを揃える切削加工を行うことによって、樹脂でバンプにて接続された実装基板と半導体チップとの間の隙間を埋めることが行われている。そのような樹脂の切削屑がピンチャック等に付着すると、洗浄してもなかなか除去することができず、その状態で次の半導体ウェーハを吸着すると切削屑の厚さが加工誤差となり、加工精度に重大な影響を及ぼす。 By the way, when the upper end portion of the bump is cut with the back surface of the semiconductor wafer being sucked by the suction surface of the suction table, the cutting waste generated by the cutting is scattered and attached around the suction table. In addition, when the semiconductor wafer is smaller than the suction table, it is inevitable that cutting chips adhere to the exposed surface of the suction table. In particular, the suction table is equipped with a suction port for vacuum suction and a sword-shaped pin chuck that supports the semiconductor wafer, so that cutting waste is sucked into the suction port by vacuum suction or around the tip of the pin chuck. It is easy to adhere. Furthermore, after the surface of the semiconductor wafer is coated with a resin, the gap between the mounting substrate and the semiconductor chip connected by the bump is filled with the resin by performing a cutting process to align the bump height. ing. If such resin cutting debris adheres to the pin chuck, etc., it cannot be easily removed by washing, and if the next semiconductor wafer is adsorbed in that state, the thickness of the cutting debris becomes a processing error, which increases processing accuracy. Serious effect.
よって、本発明は、バンプ等の付加部を切削加工した際の切削屑による弊害を解消することができ、本来の切削加工精度を維持することができる基板の切削装置を提供することを目的としている。 Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate cutting apparatus that can eliminate the harmful effects caused by cutting scraps when cutting additional portions such as bumps and maintain the original cutting accuracy. Yes.
本発明は、表面に、該表面から突出して形成された金属や樹脂からなる付加部を備えた基板を、吸着テーブルの吸着面に、該基板の裏面側を合わせて吸着および保持して付加部を切削する基板の切削装置であって、吸着面にはピンチャックが配置されているとともに、該吸着面の周囲は、外周側へ向けて下り勾配となるテーパ面であり、基板の裏面に、柔軟性を有する材料で構成され該基板の全周から半径方向外方に突出するとともに吸着テーブルの吸着面の全周から半径方向外方に突出する大きさの保持部材を粘着させ、該保持部材の表面の外周部に、剛性材からなるフレームを粘着させた状態で、該保持部材を吸着面に吸着および保持させ、該保持部材をその柔軟性とフレームの重量によりテーパ面に沿って配置し、基板の搬送は、吸着手段によってフレームを吸着することにより行うことを特徴としている。 The present invention adsorbs and holds a substrate provided with an additional portion made of a metal or resin formed on the surface so as to protrude from the surface, with the suction surface of the suction table aligned with the back surface side of the substrate. A pin cutting device is disposed on the suction surface, and the periphery of the suction surface is a tapered surface that slopes downward toward the outer peripheral side, and on the back surface of the substrate, A holding member that is made of a material having flexibility and protrudes radially outward from the entire circumference of the substrate and protrudes radially outward from the entire circumference of the suction surface of the suction table is adhered to the holding member. the outer peripheral portion of the surface of, in a state of being the adhesive a frame made of rigid material, the retaining member is adsorbed and held on the attracting surface, the retaining member along the tapered surface disposed by weight of the flexibility and the frame , Substrate transport, adsorption It is characterized in that performed by adsorbing the frame by stage.
本発明によれば、基板の全周から保持部材が半径方向外方に突出しているから、飛散した付加部の切削屑は保持部材の突出した部分によって受け止められる。したがって、切削加工後に基板は保持部材とともに吸着テーブルから移送されるので、切削屑は吸着テーブル上に残置されることがない。したがって、バンプ等の付加部を切削加工した際の切削屑による弊害を解消することができ、本来の切削加工精度を維持することができる。また、基板をそれよりも大きな保持部材に粘着させるから、小さなものや異形状の基板であっても保持部材を介してカセットへの収容および搬送を行うことができ、また他の加工ステージに吸着および保持して加工することができ、それら一連の工程を円滑に行うことができる。 According to the present invention, since the holding member protrudes radially outward from the entire circumference of the substrate, the scattered cutting waste of the additional portion is received by the protruding portion of the holding member. Therefore, since the substrate is transferred from the suction table together with the holding member after the cutting process, the cutting waste is not left on the suction table. Therefore, it is possible to eliminate the adverse effects caused by the cutting waste when the additional portion such as the bump is cut, and to maintain the original cutting accuracy. In addition, since the substrate is adhered to a larger holding member, even a small or irregularly shaped substrate can be accommodated and transported to the cassette via the holding member, and adsorbed to another processing stage. And can be held and processed, and the series of steps can be performed smoothly.
ところで、半導体ウエーハ等の基板は、半導体チップの小型化への要望から年々薄くなる傾向にあり、そのため、バンプの切削加工の後に基板の裏面を研削加工して厚さを減少させていた。このような加工の順番を採用することにより、バンプの切削加工の際の基板のハンドリングに起因する割れや破損などを防止することができる。 By the way, substrates such as semiconductor wafers tend to become thinner year by year due to demands for miniaturization of semiconductor chips. For this reason, after the bumps are cut, the back surface of the substrate is ground to reduce the thickness. By adopting such a processing order, it is possible to prevent cracks and breakage due to handling of the substrate during the cutting of the bumps.
しかしながら、バンプの切削加工後に基板の裏面の研削加工を行う場合、既に切削加工したバンプの端面を吸着テーブルに固着して加工するため、端面に傷や汚れなどが生じ易い。そのような不都合を防止するために、バンプ側の表面に保護テープなどを貼って裏面研削を行うことが考えられる。しかしながら、そのような場合には、裏面研削後に保護テープを剥離すると、保護テープの粘着剤が切削済みのバンプ先端やその周辺を覆う樹脂部に付着し、実装時の信頼性を低下させる懸念がある。これらの問題を解決するために、半導体ウエーハの裏面研削を行った後に、薄化された基板をハンドリングしてバンプの切削加工を行う必要性が生じてきた。このため、ハンドリング時の基板の破損が懸念される。 However, when the back surface of the substrate is ground after the bumps are cut, the end surfaces of the already cut bumps are fixed to the suction table and processed, so that the end surfaces are likely to be scratched or soiled. In order to prevent such inconvenience, it is conceivable to perform back surface grinding by attaching a protective tape or the like to the bump side surface. However, in such a case, if the protective tape is peeled after the backside grinding, the adhesive of the protective tape may adhere to the resin part covering the tip of the bumps that has been cut and the periphery thereof, and there is a concern that reliability during mounting may be reduced. is there. In order to solve these problems, it has become necessary to handle the thinned substrate and perform bump cutting after grinding the back surface of the semiconductor wafer. For this reason, there is a concern about breakage of the substrate during handling.
この点、本発明では、保持部材を介して基板をハンドリングすることができるから、薄化された基板であっても破損させることなくハンドリングすることができる。さらに、本発明では、切削加工したバンプの端面を接触式の搬送パッド等でハンドリングする必要がないため、バンプの端面を汚したり傷つけたりすることなく搬送しカセットに収納することができるという利点もある。なお、本発明の基板は、半導体ウエーハに限定されるものではなく、例えばセラミックス製の基材の表面に、配線、電子部品、半導体チップを設けた電子基板も含まれる。 In this respect, in the present invention, since the substrate can be handled via the holding member, even a thinned substrate can be handled without being damaged. Furthermore, in the present invention, since it is not necessary to handle the end face of the cut bump with a contact-type transport pad or the like, there is an advantage that the end face of the bump can be transported and stored in the cassette without being stained or damaged. is there. In addition, the board | substrate of this invention is not limited to a semiconductor wafer, For example, the electronic substrate which provided the wiring, the electronic component, and the semiconductor chip on the surface of the base material made from ceramics is also contained.
また、本発明では、保持部材が吸着テーブルの吸着面の全周から半径方向外方に突出しているため、吸着テーブルの真空吸引によって切削屑が吸引口に吸い込まれたりピンチャック等に付着したりするのを確実に防止することができる。 In the present invention, since the holding member protrudes radially outwardly from the entire circumference of the suction surface of the suction table, or attached to the pin chuck or the like or cutting debris is sucked into the suction port by the vacuum suction of the suction table Can be surely prevented.
上記保持部材としては、基材の表面に粘着剤層を有するダイシングテープを用いることができる。ダイシングテープは、例えば厚さが70〜200μmの塩化ビニールやポリオレフィンからなる基材の表面に粘着剤層を形成したものが知られている。また、上記剛性材としてはステンレス鋼板などの金属板が好適である。本発明では、吸着テーブルの吸着面の周囲は、外周側へ向けて下り勾配となるテーパ面であり、保持部材は、その柔軟性とフレームの重量によりテーパ面に沿って配置されるため、上記フレームの厚さが基板の裏面からバンプの上端面までの高さ(切削加工後)よりも厚い場合であっても、切削工具の刃がフレームと干渉することを防ぐことができる。 As the holding member, a dicing tape having an adhesive layer on the surface of the substrate can be used. Dicing tapes are known in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on the surface of a base material made of, for example, vinyl chloride or polyolefin having a thickness of 70 to 200 μm. Moreover, a metal plate such as a stainless steel plate is suitable as the rigid material. In the present invention , the periphery of the suction surface of the suction table is a tapered surface that is inclined downward toward the outer peripheral side , and the holding member is disposed along the tapered surface due to its flexibility and the weight of the frame. the thickness of the frame is the height from the rear surface of the substrate to the upper end surface of the bump even when thicker than (after cutting), it is possible to edge of the cutting tool to prevent the interference with the frame.
本発明によれば、飛散した付加部の切削屑は保持部材の突出した部分によって受け止められ、切削加工後に保持部材とともに吸着テーブルから移送されるので、バンプ等の付加部を切削加工した際の切削屑による弊害を解消することができ、本来の切削加工精度を維持することができる。また、基板をそれよりも大きな保持部材に粘着させるから、小さなものや異形状の基板であっても保持部材を介してカセットへの収容および搬送を行うことができ、また他の加工ステージに吸着および保持して加工することができ、それら一連の工程を円滑に行うことができる。さらには、薄化した基板のハンドリング時の破壊を防止することができる等の効果が得られる。 According to the present invention, the scattered cutting waste of the additional portion is received by the protruding portion of the holding member, and is transferred from the suction table together with the holding member after cutting, so that the cutting when the additional portion such as a bump is cut The harmful effects caused by scraps can be eliminated, and the original cutting accuracy can be maintained. In addition, since the substrate is adhered to a larger holding member, even a small or irregularly shaped substrate can be accommodated and transported to the cassette via the holding member, and adsorbed to another processing stage. And can be held and processed, and the series of steps can be performed smoothly. Furthermore, the effect that the destruction at the time of handling of the thinned substrate can be prevented is obtained.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]半導体ウエーハ
図1の符号1は、一実施形態で切削加工を施す円盤状の半導体ウエーハ(基板、以下、ウエーハと略称する)を示している。同図に示すように、このウエーハ1の表面には、複数の半導体チップ2が格子状に形成されている。各半導体チップ2の表面には、図1の拡大部分および図2に示すように、細かなピン状を呈する複数のバンプ3が突出形成されている。これらバンプ3は、半導体チップ2に形成された電子回路の電極に接合されており、金、ニッケル、銅、ハンダなどの導電性の優れた金属で構成されている。また、ウエーハ1の表面には、図2に示すように、バンプ3を覆う樹脂膜4が形成されている。この樹脂膜4は、ウエーハ1の表面の僅かな外周部分を残して形成されている。なお、樹脂膜は、ポリイミド、アクリル、エポキシ等の樹脂からなる。以下の説明では、バンプ3および樹脂膜4双方を一括して付加部5と称する場合がある。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Semiconductor
上記のようなウエーハ1は、ダイシングテープ(保持部材)6の表面中央に貼着され、ダイシングテープ6とともに収容や搬送ならびに加工中の吸着、保持がなされるようになっている。ダイシングテープ6は、円板状の樹脂フィルムの表面に粘着剤層を設けたものである。ダイシングテープ6の表面外周には、リング状をなす金属製のフレーム7が貼着されている。なお、図中符号7aはオリエンテーションノッチである。
The
[2]切削装置の構成
上記ウエーハ1の表面に形成されたバンプ3は樹脂膜4ごと先端が削り取られて高さが均一にされ、樹脂膜4もそれに伴って平坦に加工される。図3は、その加工に好適な本発明の一実施形態に係る切削装置10を示している。図3中符号11は、水平な上面を備えた直方体状の部分を主体とする基台である。この基台11は、長手方向一端部に、上面に対して垂直に立つ壁部12を有している。図3では、基台11の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれ矢印Y,X,Zで示している。
[2] Configuration of Cutting Device The
基台11の上面は、長手方向のほぼ中央部から壁部12側が加工エリア11Aとされ、この反対側が、加工エリア11Aに加工前のウエーハ1を供給し、かつ、加工後のウエーハ1を回収する供給・回収エリア11Bとされている。
以下、切削装置10が備える各種機構を、主に図3を参照して、加工エリア11Aに設けられるものと供給・回収エリア11Bに設けられるものとに分けて説明する。
The upper surface of the
Hereinafter, the various mechanisms provided in the cutting
(a)加工エリアの機構
加工エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13内には、移動台14を介して、円盤状のチャックテーブル(吸着テーブル)15がY方向に移動自在に設けられている。また、チャックテーブル15には、移動台14は、基台11内に配されたY方向に延びるガイドレールに摺動自在に取り付けられ、適宜な駆動機構(いずれも図示略)によって同方向を往復動させられる。
(A) Mechanism of processing area A
移動台14の移動方向両端部には、蛇腹状のカバー16,17の一端が、それぞれ取り付けられており、これらカバー16,17の他端は、壁部12の内面と、壁部12に対向する凹所13の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、カバー16,17は、移動台14の移動路を覆い、その移動路に切削屑等が落下することを防ぐもので、移動台14の移動に伴って伸縮する。
One end of bellows-like
チャックテーブル15は、移動台14上に、ウエーハ1(ダイシングテープ6)の吸着面である上面が水平な状態に固定されている。ウエーハ1は、付加部5が形成された表面を上に向けて、このチャックテーブル15上に真空チャック方式で吸着、保持される。チャックテーブル15には、図4に示すように複数のピンチャック15aが配置され、ピンチャック15aの尖った先端でダイシングテープ6を支持するようになっている。また、チャックテーブル15の周囲は、外周側へ向けて下り勾配となるテーパ面とされ、ダイシングテープ6は、その柔軟性とフレーム7の重量によりテーパ面に沿って配置される。
The chuck table 15 is fixed on the moving table 14 so that the upper surface, which is the suction surface of the wafer 1 (dicing tape 6), is horizontal. The
チャックテーブル15は、壁部12側に移動して所定の加工位置に位置付けられる。その加工位置の上方には、切削ユニット(切削手段)20が配されている。この切削ユニット20は、壁部12に、移動板32およびガイドレール31を介して昇降自在に取り付けられ、送り機構30によって昇降させられる。
The chuck table 15 moves to the
切削ユニット20は、軸方向がZ方向に延びる円筒状のハウジング22と、このハウジング22に同軸的、かつ回転自在に支持された回転軸23と、この回転軸23を回転駆動するサーボモータ24と、回転軸23の下端に同軸的に固定された円盤状のホイールマウント25とを備え、上記移動板32に、ブロック34を介してハウジング22が固定されている。ホイールマウント25は、サーボモータ24によって図3の矢印(ホイールマウント25の上面に記載)方向に回転させられる。図4に示すように、ホイールマウント25の下面には、ダイヤモンド等からなる刃部を有するバイト26が着脱可能に取り付けられており、このバイト26で被加工物が切削される。バイトは、ダイヤモンド、超硬合金、CBN等の硬質材料のものが使用される。
The cutting
上記チャックテーブル15は、切削ユニット20の直下の加工位置から、壁部12とは反対側に所定距離離れたウエーハ着脱位置の間を往復させられる。ウエーハ着脱位置において、切削加工を施すウエーハ1がチャックテーブル15に載せられ、また、切削加工後のウエーハ1がチャックテーブル15から取り去られる。
The chuck table 15 is reciprocated between a processing position immediately below the cutting
(b)供給・回収エリアの機構
図3に示すように、供給・回収エリア11Bには矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18の底部には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク(吸着手段)60bが装着された移送機構60が設置されている。
(B) Mechanism of Supply / Recovery Area As shown in FIG. 3, a
そして、凹所18の周囲には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット61、位置合わせ台62、1節の水平旋回アーム63aの先端に吸着板63bが取り付けられた供給アーム63、供給アーム63と同じ構造で、水平旋回アーム64aおよび吸着板64bを有する回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、カセット66が、それぞれ配置されている。
A
カセット61、位置合わせ台62および供給アーム63は、ウエーハ1をチャックテーブル15に供給する手段であり、回収アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、加工後のウエーハ1をチャックテーブル15から回収する手段である。2つのカセット61,66は同一の構造であるが、ここでは用途別に、供給カセット61、回収カセット66と称する。これらカセット61,66は、複数のウエーハ1を収容して持ち運びするためのもので、基台11の所定位置にセットされる。
The
供給カセット61には、加工前の複数のウエーハ1が、積層された状態で収容される。移送機構60は、アーム60aの昇降・旋回と、フォーク60bの把持動作によって、供給カセット61内から1枚のウエーハ1を取り出し、さらにそのウエーハ1を、付加部5が形成されている表面を上に向けた状態で、位置合わせ台62上に載置する機能を有する。
A plurality of
位置合わせ台62上には、一定の位置に決められた状態でウエーハ1が載置される。供給アーム63は、位置合わせ台62上のウエーハ1を吸着板(吸着手段)63bに吸着し、アーム63aを旋回させて、チャックテーブル15上にウエーハ1を配し、水平旋回アーム63aを下降させた後、吸着動作を停止することにより、チャックテーブル15上にウエーハ1を載置する機能を有する。
On the alignment table 62, the
回収アーム64は、加工後のウエーハ1を、チャックテーブル15上から吸着板(吸着手段)64bに吸着し、アーム64aを旋回させて、ウエーハ1を洗浄装置65内に移送する機能を有する。洗浄装置65は、ウエーハ1を水洗した後、ウエーハ1を回転させて水分を振り飛ばし除去する機能を有する。そして、洗浄装置65によって洗浄されたウエーハ1は、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。
The
供給アーム63および回収アーム64により、チャックテーブル15に対してウエーハ1を着脱させる際には、移動台14をウエーハ着脱位置で停止させる。また、供給アーム63と回収アーム64の間には、チャックテーブル15に高圧エアーを噴射してチャックテーブル15を洗浄するノズル67が配されている。ノズル67によるチャックテーブル15の洗浄は、ウエーハ着脱位置にあるチャックテーブル15に対して行われる。
When the
[3]切削装置によるウエーハの切削
続いて、以上の構成からなる切削装置10の使用方法ならびに動作を以下に説明する。
まず、ウエーハ1は、その裏面が研削加工されて200μm程度の厚さに薄化され、そして、ダイシングテープ6に貼着されて図1に示す形態とされる。図1に示したウエーハ1付きダイシングテープ6(以下、「ウエーハ1」と総称することもある)が複数枚収容された供給カセット61内から、移送機構60によって1枚のウエーハ1が取り出され、そのウエーハ1が、移送機構60によって表面を上に向けた状態で位置合わせ台62に移され、位置決めされる。
[3] Cutting of wafer by cutting device Next, a method of using the
First, the back surface of the
次に、ウエーハ1は、供給アーム63によって位置合わせ台62から、予め着脱位置で停止していたチャックテーブル15の上面に、表面を上に向けた状態に移される。そして、チャックテーブル15の空気吸引の運転が開始されて、ウエーハ1はチャックテーブル15に吸着、保持される。この状態では、ダイシングテープ6がチャックテーブル15よりも大径であるため、図5に示すように、チャックテーブル15の外周部はダイシングテープ6に覆われて隠蔽されている。
Next, the
次に、チャックテーブル15を加工位置に移動させ、ホイールマウント25が回転する切削ユニット20を降下させながら、バイト26によってウエーハ1の表面、すなわち付加部5を構成するバンプ3および樹脂膜4の表面を切削する。すると、バンプ3および樹脂膜4の切削屑8がウエーハ1の外側へ飛散するが、飛散した切削屑8は、ダイシングテープ6の上に落下する。また、ダイシングテープ6の表面には粘着剤層が存在するので、落下した切削屑はダイシングテープ6に粘着する。
Next, while moving the chuck table 15 to the processing position and lowering the cutting
切削加工が終了したら、チャックテーブル15の吸引運転を停止させてチャックテーブル15でのウエーハ1の保持状態を解除する。チャックテーブル15での保持が解除されたウエーハ1は、着脱位置から回収アーム64によって洗浄装置65に移される。その際、切削屑8もダイシングテープ6に付着したまま搬送されるから、チャックテーブル15には切削屑8は残らない。ウエーハ1は、洗浄装置65で水洗されることにより、その表面に付着している切削屑8が除去され、その後水分が除去され、次いで、移送機構60によって回収カセット66内に移され、収容される。
なお、ウエーハ1は、その後切断装置に搬送され、ダイシングテープ6に貼着された状態で個片化(ダイシング)され、次いで、ボンディング等の半導体チップ製造の一連の処理を受ける。
When the cutting process is completed, the suction operation of the chuck table 15 is stopped, and the holding state of the
The
[4]効果
本実施形態によれば、飛散した付加部5の切削屑8はダイシングテープ6によって受け止められ、切削加工後にダイシングテープ6とともにチャックテーブル15から移送されるので、切削屑8による弊害を解消することができ、本来の切削加工精度を維持することができる。特に、上記実施形態では、ダイシングテープ6の表面に粘着剤層を設けているので、落下した切削屑8を粘着させることができ、切削屑8が跳ね返って飛び出たり、搬送時に落下したりするのを防止することができる。
[4] Effect According to the present embodiment, the
[5]変形例
上記実施形態では、切削加工後のウエーハ1を回収アーム64の吸着板64aに吸着させて洗浄装置65へ搬送しているが、図7に示すように、ダイシングテープ6のフレーム7を吸着するように回収アーム64を構成すると好適である。図7に示す例では、アーム64aの先端部に例えば平面視で十字状をなすパイプ64cが接続され、パイプ64cの端部下面に吸着パッド64dが取り付けられている。このような構成では、4個の吸着パッド64dによってフレーム4を吸着して搬送するので、バンプ3の汚染や傷付きを防止することができる。
[5] Modified Example In the above embodiment, the
本発明では上記実施形態に対して以下のような変更が可能である。
裏面に接着フィルム(DAF:ダイアタッチフィルム)を接着した半導体ウエーハにも適用可能である。この場合には、接着フィルムがダイシングテープに粘着される。
In the present invention, the following modifications can be made to the above embodiment.
The present invention can also be applied to a semiconductor wafer in which an adhesive film (DAF: die attach film) is bonded to the back surface. In this case, the adhesive film is adhered to the dicing tape.
1…半導体ウエーハ(基板)
5…付加部
6…ダイシングテープ(保持部材)
7…フレーム
8…切削屑
15…チャックテーブル(吸着テーブル)
64d…吸着パッド(吸着手段)
1 ... Semiconductor wafer (substrate)
5 ...
7 ...
64d ... Adsorption pad (adsorption means)
Claims (2)
前記吸着面にはピンチャックが配置されているとともに、該吸着面の周囲は、外周側へ向けて下り勾配となるテーパ面であり、
前記基板の裏面に、柔軟性を有する材料で構成され該基板の全周から半径方向外方に突出するとともに前記吸着テーブルの前記吸着面の全周から半径方向外方に突出する大きさの保持部材を粘着させ、該保持部材の表面の外周部に、剛性材からなるフレームを粘着させた状態で、該保持部材を前記吸着面に吸着および保持させ、該保持部材をその柔軟性と前記フレームの重量により前記テーパ面に沿って配置し、
前記基板の搬送は、吸着手段によって前記フレームを吸着することにより行う
ことを特徴とする基板の切削装置。 A substrate having an additional portion made of a metal or resin formed on the surface so as to protrude from the surface is sucked and held with the suction surface of the suction table aligned with the back surface of the substrate, and the additional portion is cut. A substrate cutting device,
A pin chuck is disposed on the suction surface, and the periphery of the suction surface is a tapered surface that has a downward slope toward the outer peripheral side,
The back surface of the substrate is made of a flexible material and protrudes radially outward from the entire circumference of the substrate and has a size that protrudes radially outward from the entire periphery of the suction surface of the suction table. The member is adhered, and the holding member is adsorbed and held on the adsorption surface in a state in which a frame made of a rigid material is adhered to the outer peripheral portion of the surface of the holding member, and the holding member is attached to the flexibility and the frame. weight by disposed along said tapered surface of,
The substrate cutting apparatus , wherein the substrate is conveyed by adsorbing the frame by an adsorption unit.
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