JPH10209135A - 積層有機膜の選択的食刻方法 - Google Patents
積層有機膜の選択的食刻方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の積層有機膜の選択的食刻方法に
おいて、有機反射防止層を用いて露光を施したウェーハ
などの基底層を食刻する前に、感光膜が腐食及び食刻さ
れる程度を最少化しながら前記有機反射防止層を除去す
る。 【解決手段】 基底層２１上に有機反射防止層（Organi
c Anti-reflection Layer）からなる第１有機膜２３を
形成し、該第１有機膜２３上に感光膜からなる第２有機
膜２５を形成し、該第２有機膜２５をパターニングし、
前記構造物全体をヘリウムプラズマのような硬化材を用
いて硬化させ、前記露出された第１有機膜２３及び基底
層２１を食刻し、前記パターニングされた第２有機膜２
５と第１有機膜２３とを除去する。これにより、有機反
射防止層を用いて露光を施したウェーハなどの基底層２
１を食刻する前に、感光膜が腐食及び食刻される程度を
最少化しながら前記有機反射防止層を除去できる。
おいて、有機反射防止層を用いて露光を施したウェーハ
などの基底層を食刻する前に、感光膜が腐食及び食刻さ
れる程度を最少化しながら前記有機反射防止層を除去す
る。 【解決手段】 基底層２１上に有機反射防止層（Organi
c Anti-reflection Layer）からなる第１有機膜２３を
形成し、該第１有機膜２３上に感光膜からなる第２有機
膜２５を形成し、該第２有機膜２５をパターニングし、
前記構造物全体をヘリウムプラズマのような硬化材を用
いて硬化させ、前記露出された第１有機膜２３及び基底
層２１を食刻し、前記パターニングされた第２有機膜２
５と第１有機膜２３とを除去する。これにより、有機反
射防止層を用いて露光を施したウェーハなどの基底層２
１を食刻する前に、感光膜が腐食及び食刻される程度を
最少化しながら前記有機反射防止層を除去できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子製造時
の積層有機膜の食刻方法に係るもので、詳しくは、有機
反射防止層（Organic Anti-reflection Layer）を用い
て露光を施したウェーハなどの基底層を食刻する前に、
感光膜が腐食及び食刻される程度を最少化しながら前記
有機反射防止層を除去することができる半導体素子の積
層有機膜の選択的食刻方法に関するものである。
の積層有機膜の食刻方法に係るもので、詳しくは、有機
反射防止層（Organic Anti-reflection Layer）を用い
て露光を施したウェーハなどの基底層を食刻する前に、
感光膜が腐食及び食刻される程度を最少化しながら前記
有機反射防止層を除去することができる半導体素子の積
層有機膜の選択的食刻方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体素子を製造するため、露光
を施したウェーハなどの基底層に食刻を施すとき、遠紫
外線用感光膜を用いて光の焦点深さ及び解像度を向上さ
せるため、反射防止用のボトム有機層（Bottom Organic
Layer）を大いに利用している。この反射防止用のボト
ム有機層のことを有機反射防止層といっている。
を施したウェーハなどの基底層に食刻を施すとき、遠紫
外線用感光膜を用いて光の焦点深さ及び解像度を向上さ
せるため、反射防止用のボトム有機層（Bottom Organic
Layer）を大いに利用している。この反射防止用のボト
ム有機層のことを有機反射防止層といっている。
【０００３】通常、この有機反射防止層は、製造会社の
仕様及び用いられる感光膜の種類によりその組成が異な
るが、大概は炭素が主成分である芳香基を包含している
ため、該有機反射防止層の食刻特性は、感光膜と非常に
類似している。特に、常温の酸素ガスプラズマ内では、
炭酸ガスを包含した感光膜及びプラズマの化学的食刻特
性により、添加ガスの無い場合は有機反射防止層の等方
性食刻プロファイルが形成され、臨界値バイアスが大き
くなってしまう。従って、酸素ガスプラズマにＮ2，Ａ
r，ＳＯ2等を添加し、又は、フッ素を包含する化合物ガ
スのＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6等を添加して有機反射防止
層を食刻し、その後、残留された有機反射防止層の側壁
にＣＮx，ＣＳx，ＣＦx，ＣＨＦx等の共重合体を形成し
て、前記有機反射防止層の非等方性食刻形態を維持し、
残留有機反射防止層及び感光膜の臨界値バイアスを最少
化させている。
仕様及び用いられる感光膜の種類によりその組成が異な
るが、大概は炭素が主成分である芳香基を包含している
ため、該有機反射防止層の食刻特性は、感光膜と非常に
類似している。特に、常温の酸素ガスプラズマ内では、
炭酸ガスを包含した感光膜及びプラズマの化学的食刻特
性により、添加ガスの無い場合は有機反射防止層の等方
性食刻プロファイルが形成され、臨界値バイアスが大き
くなってしまう。従って、酸素ガスプラズマにＮ2，Ａ
r，ＳＯ2等を添加し、又は、フッ素を包含する化合物ガ
スのＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6等を添加して有機反射防止
層を食刻し、その後、残留された有機反射防止層の側壁
にＣＮx，ＣＳx，ＣＦx，ＣＨＦx等の共重合体を形成し
て、前記有機反射防止層の非等方性食刻形態を維持し、
残留有機反射防止層及び感光膜の臨界値バイアスを最少
化させている。
【０００４】このような従来の積層有機膜の選択的食刻
方法においては、図２（Ａ）に示したように、食刻対象
層としての基底層１１上に例えば有機反射防止層からな
る第１有機膜１３がコーティングされ、該第１有機膜１
３の上面に前記基底層１１を食刻するためパターニング
された例えば感光膜からなる第２有機膜１５が形成さ
れ、該第２有機膜１５は、基底層１１を食刻するときに
マスクとして用いられる。
方法においては、図２（Ａ）に示したように、食刻対象
層としての基底層１１上に例えば有機反射防止層からな
る第１有機膜１３がコーティングされ、該第１有機膜１
３の上面に前記基底層１１を食刻するためパターニング
された例えば感光膜からなる第２有機膜１５が形成さ
れ、該第２有機膜１５は、基底層１１を食刻するときに
マスクとして用いられる。
【０００５】次いで、図２（Ｂ）に示したように、前記
基底層１１の食刻前に酸素ガスプラズマにＣＦ4，ＣＨ
Ｆ3，Ｎ2等の不活性ガスを添加して、基底層１１上に露
出された前記第１有機膜１３を食刻すると、前記第２有
機膜１５も一緒に食刻及び腐食されてほぼ断面三角形状
の第２有機膜１５a に変形され、該変形された第２有機
膜１５a の下面部に残っている第１有機膜１３a の周側
部には、前記ＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｎ2等の添加ガスにより
側壁不活性膜１７が形成されている。次いで、図２
（Ｃ）に示したように、前記変形された第２有機膜１５
a をマスクとして基底層１１を食刻した後、前記第２有
機膜１５a 及び側壁不活性膜１７を包含した第１有機膜
１３a を除去して、前記基底層１１の食刻工程を終了し
ていた。
基底層１１の食刻前に酸素ガスプラズマにＣＦ4，ＣＨ
Ｆ3，Ｎ2等の不活性ガスを添加して、基底層１１上に露
出された前記第１有機膜１３を食刻すると、前記第２有
機膜１５も一緒に食刻及び腐食されてほぼ断面三角形状
の第２有機膜１５a に変形され、該変形された第２有機
膜１５a の下面部に残っている第１有機膜１３a の周側
部には、前記ＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｎ2等の添加ガスにより
側壁不活性膜１７が形成されている。次いで、図２
（Ｃ）に示したように、前記変形された第２有機膜１５
a をマスクとして基底層１１を食刻した後、前記第２有
機膜１５a 及び側壁不活性膜１７を包含した第１有機膜
１３a を除去して、前記基底層１１の食刻工程を終了し
ていた。
【０００６】しかし、この場合、前記側壁不活性膜１７
により第１有機膜１３a の非等方性食刻プロファイルを
維持し、第１有機膜１３a 及び第２有機膜１５a の臨界
値バイアスを最少化していたが、前記第２有機膜１５対
第１有機膜１３の食刻速度比は約１：0.84であってほぼ
同等であるため、前記第１有機膜１３の食刻時に前記第
２有機膜１５も一緒に腐食されながら頂部の角部から食
刻されて、ほぼ断面三角形状に甚だしく変形した第２有
機膜１５a の形態になる。従って、このように変形され
た第２有機膜１５a をマスクとして前記基底層１１を食
刻すると、図２（Ｃ）に示したように、その上部の幅は
狭く、下部の幅がやや広くなり、側面部が傾斜されたパ
ターンの基底層１１a が形成される。
により第１有機膜１３a の非等方性食刻プロファイルを
維持し、第１有機膜１３a 及び第２有機膜１５a の臨界
値バイアスを最少化していたが、前記第２有機膜１５対
第１有機膜１３の食刻速度比は約１：0.84であってほぼ
同等であるため、前記第１有機膜１３の食刻時に前記第
２有機膜１５も一緒に腐食されながら頂部の角部から食
刻されて、ほぼ断面三角形状に甚だしく変形した第２有
機膜１５a の形態になる。従って、このように変形され
た第２有機膜１５a をマスクとして前記基底層１１を食
刻すると、図２（Ｃ）に示したように、その上部の幅は
狭く、下部の幅がやや広くなり、側面部が傾斜されたパ
ターンの基底層１１a が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の半導体素子の積層有機膜の選択的食刻方法において
は、次のような問題点があった。 （１）有機反射防止層からなる第１有機膜１３を食刻す
るとき、ＳＯ2，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6のような高分子量を有
した重いガスが添加されるため、感光膜の第２有機膜１
５も一緒に腐食されながら頂部の角部から食刻されて、
甚だしく変形される。従って、このように変形された第
２有機膜１５a をマスクとして食刻対象層の基底層１１
を食刻すると、該食刻後の基底層１１a の正常なプロフ
ァイルを維持することが困難である。 （２）第２有機膜１５対第１有機膜１３の食刻速度の比
がほぼ同等であるため、第１有機膜１３を食刻すると
き、第２有機膜１５の損失が甚だしくなる。従って、基
底層１１を食刻するとき、第２有機膜１５はマスクとし
ての役割を十分に行うことができず、食刻すべきでない
部位の基底層１１をも食刻してしまう現象が発生され
る。 （３）ＣＦx，ＣＨＦx等の不活性ガスの添加により有機
共重合体（側壁不活性膜）が基底層１１上に形成される
ため、該基底層１１の食刻時に前記側壁不活性膜１７が
障害として作用する。
来の半導体素子の積層有機膜の選択的食刻方法において
は、次のような問題点があった。 （１）有機反射防止層からなる第１有機膜１３を食刻す
るとき、ＳＯ2，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6のような高分子量を有
した重いガスが添加されるため、感光膜の第２有機膜１
５も一緒に腐食されながら頂部の角部から食刻されて、
甚だしく変形される。従って、このように変形された第
２有機膜１５a をマスクとして食刻対象層の基底層１１
を食刻すると、該食刻後の基底層１１a の正常なプロフ
ァイルを維持することが困難である。 （２）第２有機膜１５対第１有機膜１３の食刻速度の比
がほぼ同等であるため、第１有機膜１３を食刻すると
き、第２有機膜１５の損失が甚だしくなる。従って、基
底層１１を食刻するとき、第２有機膜１５はマスクとし
ての役割を十分に行うことができず、食刻すべきでない
部位の基底層１１をも食刻してしまう現象が発生され
る。 （３）ＣＦx，ＣＨＦx等の不活性ガスの添加により有機
共重合体（側壁不活性膜）が基底層１１上に形成される
ため、該基底層１１の食刻時に前記側壁不活性膜１７が
障害として作用する。
【０００８】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、感光膜（第２有機膜）に対する有機反射防止層
（第１有機膜）の食刻速度比を大きくさせ、有機反射防
止層の食刻時に前記感光膜が腐食及び食刻される程度を
最少化しながら、前記有機反射防止層を除去し得るよう
に改善した積層有機膜の選択的食刻方法を提供すること
を目的とする。
処し、感光膜（第２有機膜）に対する有機反射防止層
（第１有機膜）の食刻速度比を大きくさせ、有機反射防
止層の食刻時に前記感光膜が腐食及び食刻される程度を
最少化しながら、前記有機反射防止層を除去し得るよう
に改善した積層有機膜の選択的食刻方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係る積層有機膜の選択的食刻方法は、
食刻対象の基底層の上面に第１有機膜を形成する工程
と、該第１有機膜の上面に第２有機膜を形成した後、該
第２有機膜をパターニングして前記第１有機膜の所定部
位を露出させる工程と、前記第１有機膜及びパターニン
グされた第２有機膜を硬化させる工程と、前記露出され
た第１有機膜を食刻して前記基底層を露出させる工程
と、を順次行うものである。
るため、本発明に係る積層有機膜の選択的食刻方法は、
食刻対象の基底層の上面に第１有機膜を形成する工程
と、該第１有機膜の上面に第２有機膜を形成した後、該
第２有機膜をパターニングして前記第１有機膜の所定部
位を露出させる工程と、前記第１有機膜及びパターニン
グされた第２有機膜を硬化させる工程と、前記露出され
た第１有機膜を食刻して前記基底層を露出させる工程
と、を順次行うものである。
【００１０】また、前記第１有機膜及び第２有機膜を硬
化させる工程は、ヘリウムプラズマを用いて施すもので
ある。
化させる工程は、ヘリウムプラズマを用いて施すもので
ある。
【００１１】さらに、前記第１有機膜及び第２有機膜を
硬化させる工程時には、第２有機膜を第１有機膜の硬化
よりも固く硬化させるものである。
硬化させる工程時には、第２有機膜を第１有機膜の硬化
よりも固く硬化させるものである。
【００１２】さらにまた、前記第１有機膜及び第２有機
膜を硬化させる工程を施すときは、露出された第１有機
膜の食刻速度が第２有機膜の食刻速度よりも早くなるよ
うに硬化を施すものである。
膜を硬化させる工程を施すときは、露出された第１有機
膜の食刻速度が第２有機膜の食刻速度よりも早くなるよ
うに硬化を施すものである。
【００１３】また、前記第１有機膜及び第２有機膜を硬
化させる工程は、ＲＩＥ型又はＩＣＰ型の乾式食刻装置
を用いて施すようにしてもよい。
化させる工程は、ＲＩＥ型又はＩＣＰ型の乾式食刻装置
を用いて施すようにしてもよい。
【００１４】さらに、前記ＩＣＰ型乾式食刻装置を用い
て硬化工程を施す場合、バイアスパワーを100Ｗ以下に
調節し、約３分の間へリウムプラズマ処理を施すように
してもよい。
て硬化工程を施す場合、バイアスパワーを100Ｗ以下に
調節し、約３分の間へリウムプラズマ処理を施すように
してもよい。
【００１５】さらにまた、前記第１有機膜の食刻は、第
１有機膜及び第２有機膜を硬化させる工程を施した後、
インシツー（In-situ）を施して行うようにしてもよ
い。
１有機膜及び第２有機膜を硬化させる工程を施した後、
インシツー（In-situ）を施して行うようにしてもよ
い。
【００１６】また、前記第１有機膜の食刻は、酸素ガス
を包含したガス混合物プラズマを用いて施すようにして
もよい。
を包含したガス混合物プラズマを用いて施すようにして
もよい。
【００１７】さらに、前記第１有機膜の食刻は、前記第
２有機膜に対する第１有機膜の食刻速度が約２倍になる
ように酸素ガスを包含したガス混合物プラズマを用いて
施すようにしてもよい。
２有機膜に対する第１有機膜の食刻速度が約２倍になる
ように酸素ガスを包含したガス混合物プラズマを用いて
施すようにしてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。本発明に係る半導体素子の製
造のための積層有機膜の選択的食刻方法は、図１（Ａ）
に示したように、食刻対象層としての基底層２１の上面
に例えば有機反射防止層からなる第１有機膜２３がコー
ティングされ、該第１有機膜２３の上面にパターニング
された第２有機膜２５が形成される。前記第１有機膜２
３の所定部位を露出させるようにパターニングされた第
２有機膜２５は、例えば感光膜として形成され、前記基
底層２１を食刻するときにマスクとして用いられる。
図面に基づいて説明する。本発明に係る半導体素子の製
造のための積層有機膜の選択的食刻方法は、図１（Ａ）
に示したように、食刻対象層としての基底層２１の上面
に例えば有機反射防止層からなる第１有機膜２３がコー
ティングされ、該第１有機膜２３の上面にパターニング
された第２有機膜２５が形成される。前記第１有機膜２
３の所定部位を露出させるようにパターニングされた第
２有機膜２５は、例えば感光膜として形成され、前記基
底層２１を食刻するときにマスクとして用いられる。
【００１９】次いで、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etc
h）型、ＭＥＲＩＥ（MagneticallyEnhanced Reactive I
on Etch）型、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）
型のような乾式食刻装置（図示省略）を用いてヘリウム
プラズマを生成し、図１（Ａ）に示す構造物全体を該プ
ラズマ内で硬化させ、インシツー（In−situ）を施して
酸素ガスを包含したガス混合物プラズマを生成し、該ガ
ス混合物プラズマを用いて前記第１有機膜２３を食刻す
ると、図１（Ｂ）に示したように、第２有機膜２５a の
下面部の第１有機膜２３a のみを残し、その他の第１有
機膜２３は、除去される。このとき、前記硬化された第
２有機膜２５は、その上面部のみがやや食刻された第２
有機膜２５a のプロファイルを維持する。前記ＩＣＰ型
乾式食刻装置を用いてヘリウムプラズマ処理を行う場合
は、バイアスパワーを約100Ｗ以下に調節し、約３分の
間ヘリウムプラズマ処理を行うことが望ましい。
h）型、ＭＥＲＩＥ（MagneticallyEnhanced Reactive I
on Etch）型、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）
型のような乾式食刻装置（図示省略）を用いてヘリウム
プラズマを生成し、図１（Ａ）に示す構造物全体を該プ
ラズマ内で硬化させ、インシツー（In−situ）を施して
酸素ガスを包含したガス混合物プラズマを生成し、該ガ
ス混合物プラズマを用いて前記第１有機膜２３を食刻す
ると、図１（Ｂ）に示したように、第２有機膜２５a の
下面部の第１有機膜２３a のみを残し、その他の第１有
機膜２３は、除去される。このとき、前記硬化された第
２有機膜２５は、その上面部のみがやや食刻された第２
有機膜２５a のプロファイルを維持する。前記ＩＣＰ型
乾式食刻装置を用いてヘリウムプラズマ処理を行う場合
は、バイアスパワーを約100Ｗ以下に調節し、約３分の
間ヘリウムプラズマ処理を行うことが望ましい。
【００２０】次いで、図１（Ｃ）に示しように、図１
（Ｂ）に示す第２有機膜２５a をマスクとして前記基底
層２１を食刻した後、前記第２有機膜２５a 及び下面部
の第１有機膜２３a を除去して本発明の食刻工程を終了
する。このとき、前記食刻後の基底層２１a は、側面部
が傾斜されていない正常のプロファイルを有するように
なる。
（Ｂ）に示す第２有機膜２５a をマスクとして前記基底
層２１を食刻した後、前記第２有機膜２５a 及び下面部
の第１有機膜２３a を除去して本発明の食刻工程を終了
する。このとき、前記食刻後の基底層２１a は、側面部
が傾斜されていない正常のプロファイルを有するように
なる。
【００２１】この場合、前記ヘリウムプラズマ処理を約
３分の間行うと、感光膜からなる第２有機膜２５は、約
267Å程度の厚さの変化を起こし、有機反射防止層から
なる第１有機膜２３は、約125Å程度の厚さの変化を起
こす。且つ、ヘリウムプラズマ処理を施した後、第１有
機膜２３の食刻を施す場合、該第１有機膜２３の食刻速
度は約2184Å/minで、第１有機膜２３：第２有機膜２５
の食刻速度比は、1.7：１であって、第２有機膜２５
（感光膜）に対する第１有機膜２３（有機反射防止層）
の食刻速度比は約２倍になる。
３分の間行うと、感光膜からなる第２有機膜２５は、約
267Å程度の厚さの変化を起こし、有機反射防止層から
なる第１有機膜２３は、約125Å程度の厚さの変化を起
こす。且つ、ヘリウムプラズマ処理を施した後、第１有
機膜２３の食刻を施す場合、該第１有機膜２３の食刻速
度は約2184Å/minで、第１有機膜２３：第２有機膜２５
の食刻速度比は、1.7：１であって、第２有機膜２５
（感光膜）に対する第１有機膜２３（有機反射防止層）
の食刻速度比は約２倍になる。
【００２２】また、アルゴンプラズマ処理を約３分の間
行うと、第２有機膜２５は、約1295Å程度の厚さの変化
を起こし、第１有機膜２３は、約75Å程度の厚さの変化
を起こす。更に、このアルゴンプラズマ処理を施した
後、第１有機膜２３の食刻を施す場合、該第１有機膜２
３の食刻速度は約2751Å/minで、第１有機膜２３：第２
有機膜２５の食刻速度比は0.87：１であって、ほぼ同等
となる。
行うと、第２有機膜２５は、約1295Å程度の厚さの変化
を起こし、第１有機膜２３は、約75Å程度の厚さの変化
を起こす。更に、このアルゴンプラズマ処理を施した
後、第１有機膜２３の食刻を施す場合、該第１有機膜２
３の食刻速度は約2751Å/minで、第１有機膜２３：第２
有機膜２５の食刻速度比は0.87：１であって、ほぼ同等
となる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る積層
有機膜の選択的食刻方法によれば、第２有機膜（感光
膜）の硬化のために別途の食刻装置を必要とせず、通常
の食刻装置を用いてインシツー（In−situ）を施せばよ
いため、極めて経済的であるという効果がある。且つ、
酸素ガスプラズマを用いて第１有機膜（有機反射防止
層）を食刻するとき、第２有機膜（感光膜）に対する第
１有機膜（有機反射防止層）の食刻速度比が約２倍に向
上して第２有機膜（感光膜）を効果的に硬化させ、第１
有機膜（有機反射防止層）の食刻時に第２有機膜（感光
膜）が腐食及び食刻される程度を最小化しながら、前記
第１有機膜（有機反射防止層）を除去することができ
る。したがって、基底層の食刻において、食刻後の基底
層の側面部が傾斜するのを防止して、正常なプロファイ
ルに維持することができるという効果がある。
有機膜の選択的食刻方法によれば、第２有機膜（感光
膜）の硬化のために別途の食刻装置を必要とせず、通常
の食刻装置を用いてインシツー（In−situ）を施せばよ
いため、極めて経済的であるという効果がある。且つ、
酸素ガスプラズマを用いて第１有機膜（有機反射防止
層）を食刻するとき、第２有機膜（感光膜）に対する第
１有機膜（有機反射防止層）の食刻速度比が約２倍に向
上して第２有機膜（感光膜）を効果的に硬化させ、第１
有機膜（有機反射防止層）の食刻時に第２有機膜（感光
膜）が腐食及び食刻される程度を最小化しながら、前記
第１有機膜（有機反射防止層）を除去することができ
る。したがって、基底層の食刻において、食刻後の基底
層の側面部が傾斜するのを防止して、正常なプロファイ
ルに維持することができるという効果がある。
【図１】本発明に係る積層有機膜の選択的食刻方法の手
順を示した縦断面工程図である。
順を示した縦断面工程図である。
【図２】従来の積層有機膜の選択的食刻方法の手順を示
した縦断面工程図である。
した縦断面工程図である。
２１…基底層（食刻対象層） ２３…第１有機膜（有機反射防止層） ２５…第２有機膜（感光膜）
Claims (9)
- 【請求項１】 食刻対象の基底層の上面に第１有機膜を
形成する工程と、 該第１有機膜の上面に第２有機膜を形成した後、該第２
有機膜をパターニングして前記第１有機膜の所定部位を
露出させる工程と、 前記第１有機膜及びパターニングされた第２有機膜を硬
化させる工程と、 前記露出された第１有機膜を食刻して前記基底層を露出
させる工程と、を順次行うことを特徴とする積層有機膜
の選択的食刻方法。 - 【請求項２】 前記第１有機膜及び第２有機膜を硬化さ
せる工程は、ヘリウムプラズマを用いて施すことを特徴
とする請求項１記載の積層有機膜の選択的食刻方法。 - 【請求項３】 前記第１有機膜及び第２有機膜を硬化さ
せる工程時には、第２有機膜を第１有機膜の硬化よりも
固く硬化させることを特徴とする請求項１記載の積層有
機膜の選択的食刻方法。 - 【請求項４】 前記第１有機膜及び第２有機膜を硬化さ
せる工程を施すときは、露出された第１有機膜の食刻速
度が第２有機膜の食刻速度よりも早くなるように硬化を
施すことを特徴とする請求項１記載の積層有機膜の選択
的食刻方法。 - 【請求項５】 前記第１有機膜及び第２有機膜を硬化さ
せる工程は、ＲＩＥ型又はＩＣＰ型の乾式食刻装置を用
いて施すことを特徴とする請求項１記載の積層有機膜の
選択的食刻方法。 - 【請求項６】 前記ＩＣＰ型乾式食刻装置を用いて硬化
工程を施す場合、バイアスパワーを100Ｗ以下に調節
し、約３分の間へリウムプラズマ処理を施すことを特徴
とする請求項５記載の積層有機膜の選択的食刻方法。 - 【請求項７】 前記第１有機膜の食刻は、第１有機膜及
び第２有機膜を硬化させる工程を施した後、インシツー
（In-situ ）を施して行うことを特徴とする請求項１記
載の積層有機膜の選択的食刻方法。 - 【請求項８】 前記第１有機膜の食刻は、酸素ガスを包
含したガス混合物プラズマを用いて施すことを特徴とす
る請求項１記載の積層有機膜の選択的食刻方法。 - 【請求項９】 前記第１有機膜の食刻は、前記第２有機
膜に対する第１有機膜の食刻速度が約２倍になるように
酸素ガスを包含したガス混合物プラズマを用いて施すこ
とを特徴とする請求項８記載の積層有機膜の選択的食刻
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970000163A KR100239719B1 (ko) | 1997-01-07 | 1997-01-07 | 반도체 소자의 제조를 위한 유기막의 식각 방법 |
| KR163/1997 | 1997-01-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209135A true JPH10209135A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=19494175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9349594A Pending JPH10209135A (ja) | 1997-01-07 | 1997-12-18 | 積層有機膜の選択的食刻方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5976395A (ja) |
| JP (1) | JPH10209135A (ja) |
| KR (1) | KR100239719B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228279B1 (en) * | 1998-09-17 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | High-density plasma, organic anti-reflective coating etch system compatible with sensitive photoresist materials |
| JP2001228632A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置 |
| US7022611B1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-04-04 | Lam Research Corporation | Plasma in-situ treatment of chemically amplified resist |
| US20060248185A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Morris Robert P | System and method for utilizing a presence service to advertise activity availability |
| US7567553B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-07-28 | Swift Creek Systems, Llc | Method, system, and data structure for providing a general request/response messaging protocol using a presence protocol |
| US7512880B2 (en) | 2005-12-23 | 2009-03-31 | Swift Creek Systems, Llc | Method and system for presenting published information in a browser |
| US7587450B2 (en) | 2006-02-01 | 2009-09-08 | Swift Creek Systems, Llc | HTTP publish/subscribe communication protocol |
| US9330190B2 (en) | 2006-12-11 | 2016-05-03 | Swift Creek Systems, Llc | Method and system for providing data handling information for use by a publish/subscribe client |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302240A (en) * | 1991-01-22 | 1994-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR960000375B1 (ko) * | 1991-01-22 | 1996-01-05 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 |
| US5271800A (en) * | 1991-07-12 | 1993-12-21 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | Method for anisotropic etching in the manufacture of semiconductor devices |
| JPH07183194A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
| JP2639372B2 (ja) * | 1995-02-21 | 1997-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5807790A (en) * | 1996-05-07 | 1998-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective i-line BARL etch process |
-
1997
- 1997-01-07 KR KR1019970000163A patent/KR100239719B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-15 US US08/929,425 patent/US5976395A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-18 JP JP9349594A patent/JPH10209135A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980065274A (ko) | 1998-10-15 |
| KR100239719B1 (ko) | 2000-01-15 |
| US5976395A (en) | 1999-11-02 |
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