JP2001228632A - レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置 - Google Patents
レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストパターンの寸法精度を上げるように
改良された、レジストパターンの形成方法を提供するこ
とを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体基板５０１の上に、有機系反射防
止膜５０３を形成する。有機系反射防止膜５０３を介在
させて、半導体基板５０１の上にレジスト５０４を形成
する。レジスト５０４をパターニングし、開口部を有す
るレジストパターン５０８を形成する。レジストパター
ン５０８の開口部の底部に露出した、有機系反射防止膜
５０３の一部を、原子状酸素を用いて除去する。
改良された、レジストパターンの形成方法を提供するこ
とを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体基板５０１の上に、有機系反射防
止膜５０３を形成する。有機系反射防止膜５０３を介在
させて、半導体基板５０１の上にレジスト５０４を形成
する。レジスト５０４をパターニングし、開口部を有す
るレジストパターン５０８を形成する。レジストパター
ン５０８の開口部の底部に露出した、有機系反射防止膜
５０３の一部を、原子状酸素を用いて除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、レジス
トパターンの形成方法に関するものであり、より特定的
には、イオン注入のために使用するレジストパターンの
形成方法に関する。この発明は、また、そのようなレジ
ストパターンの形成方法を含む、半導体装置の製造方法
に関する。この発明は、さらに、有機系反射防止膜の除
去装置に関する。
トパターンの形成方法に関するものであり、より特定的
には、イオン注入のために使用するレジストパターンの
形成方法に関する。この発明は、また、そのようなレジ
ストパターンの形成方法を含む、半導体装置の製造方法
に関する。この発明は、さらに、有機系反射防止膜の除
去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２〜図１６は、従来の半導体集積回
路の製造方法の工程の一部であり、イオン注入のために
使用するレジストパターンの形成方法を示す、半導体装
置の断面図である。
路の製造方法の工程の一部であり、イオン注入のために
使用するレジストパターンの形成方法を示す、半導体装
置の断面図である。
【０００３】図１２を参照して、分離酸化膜１０１が形
成されたシリコン基板１０２を準備する。
成されたシリコン基板１０２を準備する。
【０００４】図１３を参照して、シリコン基板１０２の
上に、感光性レジスト１０３を形成する。
上に、感光性レジスト１０３を形成する。
【０００５】図１４を参照して、まずマスクパターン１
０４を用いて、Ｘ線や紫外線などの露光光１０５で感光
性レジスト１０３を露光する。
０４を用いて、Ｘ線や紫外線などの露光光１０５で感光
性レジスト１０３を露光する。
【０００６】次に、図１５を参照して、露光部のレジス
トを除去するために、露光された感光性レジスト１０３
を、トリメチルアンモニウムハイドライド水溶液（ＴＭ
ＡＨ）を主成分とする現像液１０６に接触させ、レジス
トパターン１０７を得る。
トを除去するために、露光された感光性レジスト１０３
を、トリメチルアンモニウムハイドライド水溶液（ＴＭ
ＡＨ）を主成分とする現像液１０６に接触させ、レジス
トパターン１０７を得る。
【０００７】図１６を参照して、レジストパターン１０
７をマスクに用いて、シリコン基板１０２中に、イオン
注入を行なう。
７をマスクに用いて、シリコン基板１０２中に、イオン
注入を行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入は、
上述のようにして行なわれていた。しかし、下地形状や
下地とマスクの相対的位置関係によって、形成されるレ
ジストパターン１０７の形状や寸法が、異常になるとい
う問題点があった。
上述のようにして行なわれていた。しかし、下地形状や
下地とマスクの相対的位置関係によって、形成されるレ
ジストパターン１０７の形状や寸法が、異常になるとい
う問題点があった。
【０００９】たとえば、図１７を参照して、マスク２０
１を通過した露光光２０２の一部は、分離酸化膜２０３
の上端のテーパ部分に当たり、反射光２０５が発生す
る。反射光２０５は、本来、未露光部分になる領域にあ
る感光性レジスト２０６を露光させてしまう。そのた
め、所望の形状と異なる形状のレジストパターン２０７
が、図のようにでき上がる。つまり、分離酸化膜２０３
の形状によって、レジストパターン２０７の寸法が変化
するという問題点があった。
１を通過した露光光２０２の一部は、分離酸化膜２０３
の上端のテーパ部分に当たり、反射光２０５が発生す
る。反射光２０５は、本来、未露光部分になる領域にあ
る感光性レジスト２０６を露光させてしまう。そのた
め、所望の形状と異なる形状のレジストパターン２０７
が、図のようにでき上がる。つまり、分離酸化膜２０３
の形状によって、レジストパターン２０７の寸法が変化
するという問題点があった。
【００１０】また、図１８を参照して、分離酸化膜２０
３は、露光光２０２に対して透過性が高い。一方、シリ
コン基板２０４は、透過性がほとんどなく、高反射率を
有している。よって、マスク２０１を通過した露光光２
０２は、分離酸化膜２０３の最上面と底面において反射
し、反射光２１１および反射光２１２を発生させる。反
射光２１１と反射光２１２の２つの光の合成されたもの
が、感光性レジスト２０６を感光させる。反射光２１１
と反射光２１２を合成した光の強度は、これら２つの光
の位相差に大きく依存している。よって、分離酸化膜２
０３の膜厚が変動すると、反射光２１１の光路長が変化
し、２つの光の位相差も変化する。そのため、実効的
に、感光性レジスト２０６を感光する光の強度が変化す
る。このため、形成されるレジストパターン２０７の寸
法が変化する。つまり、分離酸化膜２０３の厚さによっ
て、レジスト寸法が変化するという問題が生じていた。
３は、露光光２０２に対して透過性が高い。一方、シリ
コン基板２０４は、透過性がほとんどなく、高反射率を
有している。よって、マスク２０１を通過した露光光２
０２は、分離酸化膜２０３の最上面と底面において反射
し、反射光２１１および反射光２１２を発生させる。反
射光２１１と反射光２１２の２つの光の合成されたもの
が、感光性レジスト２０６を感光させる。反射光２１１
と反射光２１２を合成した光の強度は、これら２つの光
の位相差に大きく依存している。よって、分離酸化膜２
０３の膜厚が変動すると、反射光２１１の光路長が変化
し、２つの光の位相差も変化する。そのため、実効的
に、感光性レジスト２０６を感光する光の強度が変化す
る。このため、形成されるレジストパターン２０７の寸
法が変化する。つまり、分離酸化膜２０３の厚さによっ
て、レジスト寸法が変化するという問題が生じていた。
【００１１】また、図１９を参照して、分離酸化膜２０
３の底部の端部のテーパ形状が異なると、分離酸化膜２
０３内での多重反射により、反射光２２１が発生する。
反射光２２１は、本来、未露光部領域にある感光性レジ
スト２０６を感光させてしまう。そのため、所望の形状
と異なる形状のレジストパターン２０７ができ上がる。
すなわち、分離酸化膜２０３の形状によって、レジスト
パターン２０７が変化するという問題点があった。
３の底部の端部のテーパ形状が異なると、分離酸化膜２
０３内での多重反射により、反射光２２１が発生する。
反射光２２１は、本来、未露光部領域にある感光性レジ
スト２０６を感光させてしまう。そのため、所望の形状
と異なる形状のレジストパターン２０７ができ上がる。
すなわち、分離酸化膜２０３の形状によって、レジスト
パターン２０７が変化するという問題点があった。
【００１２】このように、下地の影響を受けやすいレジ
ストパターンの形成工程では、一般的に、色素入りの感
光性レジストや、有機系反射防止膜が用いられる。
ストパターンの形成工程では、一般的に、色素入りの感
光性レジストや、有機系反射防止膜が用いられる。
【００１３】本発明が解決しようする対象は、イオン注
入工程におけるレジストパターンの形成方法である。本
発明に係るレジストパターンは、一般的に、注入種に対
するマスクになっているため、感光性レジストの膜厚
は、２〜６μｍであり、この膜厚は、通常の半導体集積
回路の形成工程で用いる、レジストの中で、最も厚いも
のである。
入工程におけるレジストパターンの形成方法である。本
発明に係るレジストパターンは、一般的に、注入種に対
するマスクになっているため、感光性レジストの膜厚
は、２〜６μｍであり、この膜厚は、通常の半導体集積
回路の形成工程で用いる、レジストの中で、最も厚いも
のである。
【００１４】図２０に、色素入り感光性レジストを用い
た場合の、レジストパターンの断面形状を示す。
た場合の、レジストパターンの断面形状を示す。
【００１５】感光性レジストが、露光光から受ける光の
エネルギー量は、レジストの最上層から最下層にいくに
つれて小さくなるため、レジストパターン３０３の端部
は、図のように裾引き形状になりやすく、寸法精度が低
下するという問題点があった。
エネルギー量は、レジストの最上層から最下層にいくに
つれて小さくなるため、レジストパターン３０３の端部
は、図のように裾引き形状になりやすく、寸法精度が低
下するという問題点があった。
【００１６】図２１は、有機系反射防止膜を用いた場合
のレジストパターンの断面形状である。有機系反射防止
膜を用いた場合、下地の影響を抑えることをできるた
め、形成されるレジストパターン４０４の形状は安定す
る。しかし、レジストパターン４０４の形成後に、本来
イオン注入されるべき開口部４０５の底部に有機系反射
防止膜４０３が残っている。開口部４０５の底部に残っ
た有機系反射防止膜４０３は、イオン注入に対してマス
クとなり、問題となっていた。
のレジストパターンの断面形状である。有機系反射防止
膜を用いた場合、下地の影響を抑えることをできるた
め、形成されるレジストパターン４０４の形状は安定す
る。しかし、レジストパターン４０４の形成後に、本来
イオン注入されるべき開口部４０５の底部に有機系反射
防止膜４０３が残っている。開口部４０５の底部に残っ
た有機系反射防止膜４０３は、イオン注入に対してマス
クとなり、問題となっていた。
【００１７】また、有機系反射防止膜４０３越しにイオ
ン注入した場合、有機系反射防止膜４０３中に含まれる
物質が、シリコン基板４０１中に、二次的に注入され、
シリコン基板４０１の汚染を引き起こすという問題点が
あった。
ン注入した場合、有機系反射防止膜４０３中に含まれる
物質が、シリコン基板４０１中に、二次的に注入され、
シリコン基板４０１の汚染を引き起こすという問題点が
あった。
【００１８】以上のように、半導体集積回路の製造にお
けるイオン注入工程は、図１２〜図２１に示すように、
レジストパターンを形成する下地の膜質が、光学的に一
様でない場合が多い。特に、素子分離工程では、反射率
の高いシリコン基板と、透明で、かつ膜厚による光の干
渉を引き起こしやすい分離酸化膜とが交互に並び、さら
に、レジストパターンは、シリコン基板と分離酸化膜の
界面の上に形成される。したがって、上述した問題点
が、非常に発生しやすい。このような状況下では、下地
の影響を抑えるための反射防止膜は必須であり、その場
合、イオン注入時に、シリコン基板へ悪影響を及ぼさな
い技術が必要となっている。
けるイオン注入工程は、図１２〜図２１に示すように、
レジストパターンを形成する下地の膜質が、光学的に一
様でない場合が多い。特に、素子分離工程では、反射率
の高いシリコン基板と、透明で、かつ膜厚による光の干
渉を引き起こしやすい分離酸化膜とが交互に並び、さら
に、レジストパターンは、シリコン基板と分離酸化膜の
界面の上に形成される。したがって、上述した問題点
が、非常に発生しやすい。このような状況下では、下地
の影響を抑えるための反射防止膜は必須であり、その場
合、イオン注入時に、シリコン基板へ悪影響を及ぼさな
い技術が必要となっている。
【００１９】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、イオン注入時に、シリコン基
板へ悪影響を及ぼさないように改良された、レジストパ
ターンの形成方法を提供することを目的とする。
るためになされたもので、イオン注入時に、シリコン基
板へ悪影響を及ぼさないように改良された、レジストパ
ターンの形成方法を提供することを目的とする。
【００２０】この発明は、さらに、そのようなレジスト
パターンの形成方法を含む、半導体装置の製造方法を提
供することにある。
パターンの形成方法を含む、半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【００２１】この発明の、さらに他の目的は、イオン注
入時にシリコン基板へ悪影響を及ぼす有機系反射防止膜
の除去装置を提供することを目的とする。
入時にシリコン基板へ悪影響を及ぼす有機系反射防止膜
の除去装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
イオン注入のために使用するレジストパターンの形成方
法に係る。まず、半導体基板の上に有機反射防止膜を形
成する。上記有機反射防止膜を介在させて、上記半導体
基板の上にレジストを形成する。上記レジストをパター
ニングし、開口部を有するレジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンの開口部の底部に露出した、
上記有機系反射防止膜の一部を除去する。
イオン注入のために使用するレジストパターンの形成方
法に係る。まず、半導体基板の上に有機反射防止膜を形
成する。上記有機反射防止膜を介在させて、上記半導体
基板の上にレジストを形成する。上記レジストをパター
ニングし、開口部を有するレジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンの開口部の底部に露出した、
上記有機系反射防止膜の一部を除去する。
【００２３】請求項２に係るレジストパターンの形成方
法においては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、
オゾンを用いて行なわれる。
法においては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、
オゾンを用いて行なわれる。
【００２４】請求項３に係るレジストパターンの形成方
法においては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、
原子状酸素を用いて行なわれる。
法においては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、
原子状酸素を用いて行なわれる。
【００２５】請求項４に係るレジストパターンの形成方
法においては、上記原子状酸素は、空気より形成され
る。
法においては、上記原子状酸素は、空気より形成され
る。
【００２６】請求項５に係るレジストパターンの形成方
法においては、上記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより形
成される。
法においては、上記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより形
成される。
【００２７】請求項６に係るレジストパターンの形成方
法において、上記オゾンより上記原子状酸素を形成する
工程は、上記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、
上記半導体基板を加熱し、それによって上記オゾンを熱
分解させる工程と、を含む。
法において、上記オゾンより上記原子状酸素を形成する
工程は、上記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、
上記半導体基板を加熱し、それによって上記オゾンを熱
分解させる工程と、を含む。
【００２８】請求項７に係るレジストパターンの形成方
法において、上記空気より上記原子状酸素を形成する工
程は、上記半導体基板を空気に接触させる工程と、上記
半導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含む。
法において、上記空気より上記原子状酸素を形成する工
程は、上記半導体基板を空気に接触させる工程と、上記
半導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含む。
【００２９】請求項８に係るレジストパターンの形成方
法において、上記Ｏ2プラズマより上記原子状酸素を形
成する工程は、上記Ｏ2プラズマより、正電荷を持った
荷電粒子と負電荷を持った荷電粒子を除去する工程を含
む。
法において、上記Ｏ2プラズマより上記原子状酸素を形
成する工程は、上記Ｏ2プラズマより、正電荷を持った
荷電粒子と負電荷を持った荷電粒子を除去する工程を含
む。
【００３０】請求項９に係る半導体装置の製造方法にお
いては、まず、半導体基板の上に有機系反射防止膜を形
成する。上記有機系反射防止膜を介在させて、上記半導
体基板の上にレジストを形成する。上記レジストをパタ
ーニングし、開口部を有するレジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンの開口部の底部に露出した、
上記有機系反射防止膜の一部を除去する。上記レジスト
パターンを用いて、上記半導体基板の表面にイオン注入
する。
いては、まず、半導体基板の上に有機系反射防止膜を形
成する。上記有機系反射防止膜を介在させて、上記半導
体基板の上にレジストを形成する。上記レジストをパタ
ーニングし、開口部を有するレジストパターンを形成す
る。上記レジストパターンの開口部の底部に露出した、
上記有機系反射防止膜の一部を除去する。上記レジスト
パターンを用いて、上記半導体基板の表面にイオン注入
する。
【００３１】請求項１０に係る半導体装置の製造方法に
おいては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、オゾ
ンを用いて行なわれる。
おいては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、オゾ
ンを用いて行なわれる。
【００３２】請求項１１に係る半導体装置の製造方法に
おいては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、原子
状酸素を用いて行なわれる。
おいては、上記有機系反射防止膜の一部の除去は、原子
状酸素を用いて行なわれる。
【００３３】請求項１２に係る半導体装置の製造方法に
おいては、上記原子状酸素は、空気より形成される。
おいては、上記原子状酸素は、空気より形成される。
【００３４】請求項１３に係る半導体装置の製造方法に
おいては、上記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより形成さ
れる。
おいては、上記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより形成さ
れる。
【００３５】請求項１４に係る半導体装置の製造方法に
おいて、上記オゾンより上記原子状酸素を形成する工程
は、上記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、上記
半導体基板を加熱し、それによって、上記オゾンを熱分
解させる工程と、を含む。
おいて、上記オゾンより上記原子状酸素を形成する工程
は、上記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、上記
半導体基板を加熱し、それによって、上記オゾンを熱分
解させる工程と、を含む。
【００３６】請求項１５に係る半導体装置の製造方法に
おいて、上記空気より上記原子状酸素を形成する工程
は、上記半導体基板を空気に接触させる工程と、上記半
導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含む。
おいて、上記空気より上記原子状酸素を形成する工程
は、上記半導体基板を空気に接触させる工程と、上記半
導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含む。
【００３７】請求項１６に係る半導体装置の製造方法に
おいて、上記Ｏ2プラズマより上記原子状酸素を形成す
る工程は、上記Ｏ2プラズマ中より、正電荷を持った荷
電粒子と負電荷を持った荷電粒子を除去する工程と、を
備える。
おいて、上記Ｏ2プラズマより上記原子状酸素を形成す
る工程は、上記Ｏ2プラズマ中より、正電荷を持った荷
電粒子と負電荷を持った荷電粒子を除去する工程と、を
備える。
【００３８】請求項１７に係る発明は、半導体基板の上
に形成された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該
装置は、有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収
容する反応容器を備える。上記反応容器内に、上記半導
体基板を加熱する加熱手段が設けられている。当該除去
装置は、上記反応室内にオゾンを供給するオゾン供給手
段をさらに備える。
に形成された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該
装置は、有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収
容する反応容器を備える。上記反応容器内に、上記半導
体基板を加熱する加熱手段が設けられている。当該除去
装置は、上記反応室内にオゾンを供給するオゾン供給手
段をさらに備える。
【００３９】請求項１８に係る有機系反射防止膜の除去
装置においては、上記反応室内に設けられ、上記オゾン
供給手段から送られてくるオゾンを上記半導体基板に向
けて均一に噴射する、多数のガス噴出し口を有するガス
シャワーヘッドをさらに備える。
装置においては、上記反応室内に設けられ、上記オゾン
供給手段から送られてくるオゾンを上記半導体基板に向
けて均一に噴射する、多数のガス噴出し口を有するガス
シャワーヘッドをさらに備える。
【００４０】請求項１９に係る発明は、基板の上に形成
された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該除去装
置は、有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収容
する反応容器と、上記反応容器内に空気を供給する空気
供給手段と、上記半導体基板に向けてエキシマ光を照射
するエキシマ光照射手段と、を備える。
された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該除去装
置は、有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収容
する反応容器と、上記反応容器内に空気を供給する空気
供給手段と、上記半導体基板に向けてエキシマ光を照射
するエキシマ光照射手段と、を備える。
【００４１】請求項２０に係る発明は、半導体基板の上
に形成された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該
除去装置は、Ｏ2プラズマを形成するＯ2プラズマ形成手
段と、上記Ｏ2プラズマ中の、正電荷を持った荷電粒子
をトラップする正電荷粒子トラップ手段と、上記Ｏ2プ
ラズマ中の、負電荷を持った荷電粒子をトラップする負
電荷粒子トラップ手段と、上記半導体基板を収容する反
応室と、を備える。上記反応室内には、上記Ｏ2プラズ
マ形成手段、上記正電荷粒子トラップ手段および上記負
電荷粒子トラップ手段によって処理されて生成した、電
気的に中性で、励起状態にある原子状酸素が導入され
る。
に形成された有機系反射防止膜の除去装置に係る。当該
除去装置は、Ｏ2プラズマを形成するＯ2プラズマ形成手
段と、上記Ｏ2プラズマ中の、正電荷を持った荷電粒子
をトラップする正電荷粒子トラップ手段と、上記Ｏ2プ
ラズマ中の、負電荷を持った荷電粒子をトラップする負
電荷粒子トラップ手段と、上記半導体基板を収容する反
応室と、を備える。上記反応室内には、上記Ｏ2プラズ
マ形成手段、上記正電荷粒子トラップ手段および上記負
電荷粒子トラップ手段によって処理されて生成した、電
気的に中性で、励起状態にある原子状酸素が導入され
る。
【００４２】この発明の好ましい実施形態によれば、上
記正電荷粒子トラップ手段は、負電位を印加された導電
体性減圧器を含み、上記負電荷粒子トラップ手段は、正
電位を印加された導電体製減圧器を含む。
記正電荷粒子トラップ手段は、負電位を印加された導電
体性減圧器を含み、上記負電荷粒子トラップ手段は、正
電位を印加された導電体製減圧器を含む。
【００４３】この発明のさらに好ましい実施形態によれ
ば、上記Ｏ2プラズマ形成手段と上記正電荷粒子トラッ
プ手段との間に、これらを電気的に分離しながら、かつ
これらを接続する第１の絶縁体製配管が設けられてい
る。上記正電荷粒子トラップ手段と上記負電荷粒子トラ
ップ手段の間に、これらを電気的に分離しながら、かつ
これらを接続する第２の絶縁体製配管が設けられてい
る。
ば、上記Ｏ2プラズマ形成手段と上記正電荷粒子トラッ
プ手段との間に、これらを電気的に分離しながら、かつ
これらを接続する第１の絶縁体製配管が設けられてい
る。上記正電荷粒子トラップ手段と上記負電荷粒子トラ
ップ手段の間に、これらを電気的に分離しながら、かつ
これらを接続する第２の絶縁体製配管が設けられてい
る。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。
について説明する。
【００４５】図１を参照して、分離酸化膜５０２が形成
されたシリコン基板５０１を準備する。
されたシリコン基板５０１を準備する。
【００４６】図２を参照して、シリコン基板５０１の上
に有機系反射防止膜５０３を形成する。
に有機系反射防止膜５０３を形成する。
【００４７】図３を参照して、有機系反射防止膜５０３
を介在させて、シリコン基板５０１の上に感光性レジス
ト５０４を形成する。
を介在させて、シリコン基板５０１の上に感光性レジス
ト５０４を形成する。
【００４８】図４を参照して、マスクパターン５０５を
用いて、感光性レジスト５０４を、露光光５０６で露光
する。
用いて、感光性レジスト５０４を、露光光５０６で露光
する。
【００４９】図５と図６を参照して、レジスト５０４を
現像液５０７で現像し、レジストパターン５０８を形成
する。このとき、レジストパターン５０８には、開口部
５０９が形成される。
現像液５０７で現像し、レジストパターン５０８を形成
する。このとき、レジストパターン５０８には、開口部
５０９が形成される。
【００５０】図７を参照して、シリコン基板５０１を加
熱し、オゾンもしくはＯラジカル雰囲気５１０に、シリ
コン基板５０１を晒す。オゾンは、加熱されたシリコン
基板５０１上で熱分解し、Ｏラジカルつまり原子状酸素
を発生させる。
熱し、オゾンもしくはＯラジカル雰囲気５１０に、シリ
コン基板５０１を晒す。オゾンは、加熱されたシリコン
基板５０１上で熱分解し、Ｏラジカルつまり原子状酸素
を発生させる。
【００５１】図７と図８を参照して、この原子状酸素
は、有機物に対しての反応性が高く、有機系反射防止膜
５０３を構成する物質は、ＣＯX、ＮＯX、ＳＯXおよび
Ｈ2Ｏへと分解され、気化するため、開口部５０９の底
部の有機系反射防止膜５０３は除去される。
は、有機物に対しての反応性が高く、有機系反射防止膜
５０３を構成する物質は、ＣＯX、ＮＯX、ＳＯXおよび
Ｈ2Ｏへと分解され、気化するため、開口部５０９の底
部の有機系反射防止膜５０３は除去される。
【００５２】開口部５０９の底部の有機系反射防止膜５
０３を除去するために、Ｏ2プラズマを用いることも考
えられる。しかし、プラズマを用いると、荷電粒子によ
りシリコン基板５０１が衝撃を受け、有機系反射防止膜
５０３中の物質が、シリコン基板５０１中に二次的に注
入され、シリコン基板５０１が汚染される。したがっ
て、有機系反射防止膜５０３をプラズマに直接に晒さな
いことが必要とされる。具体的な汚染による問題点とし
ては、レジスト中にごく微量に含まれるＮａ原子が、シ
リコン基板表面近傍に、二次注入され、後工程で基板を
酸化する場合に、注入されたＮａ原子が作用して、酸化
速度が高まり、酸化層が異常な形状に形成されることが
挙げられる。
０３を除去するために、Ｏ2プラズマを用いることも考
えられる。しかし、プラズマを用いると、荷電粒子によ
りシリコン基板５０１が衝撃を受け、有機系反射防止膜
５０３中の物質が、シリコン基板５０１中に二次的に注
入され、シリコン基板５０１が汚染される。したがっ
て、有機系反射防止膜５０３をプラズマに直接に晒さな
いことが必要とされる。具体的な汚染による問題点とし
ては、レジスト中にごく微量に含まれるＮａ原子が、シ
リコン基板表面近傍に、二次注入され、後工程で基板を
酸化する場合に、注入されたＮａ原子が作用して、酸化
速度が高まり、酸化層が異常な形状に形成されることが
挙げられる。
【００５３】本発明において、オゾンを用いる場合に
は、適度にシリコン基板５０１を加熱することが必要で
ある。上述のとおり、オゾンを熱分解し、原子状酸素を
発生させるためである。また、原子状酸素が直接含まれ
ている雰囲気を用いる場合にも、シリコン基板５０１を
加熱することで、有機物の分解速度を制御性よく高める
ことができる。ただし、温度を上げ過ぎると、レジスト
パターンがそのガラス転移温度を超えてしまうため、形
状が劣化する。したがって、注意が必要である。
は、適度にシリコン基板５０１を加熱することが必要で
ある。上述のとおり、オゾンを熱分解し、原子状酸素を
発生させるためである。また、原子状酸素が直接含まれ
ている雰囲気を用いる場合にも、シリコン基板５０１を
加熱することで、有機物の分解速度を制御性よく高める
ことができる。ただし、温度を上げ過ぎると、レジスト
パターンがそのガラス転移温度を超えてしまうため、形
状が劣化する。したがって、注意が必要である。
【００５４】本発明においては、図７を参照して、開口
部５０９の底部の有機系反射防止膜５０３を除去する際
に、同じ有機系材料であるレジストパターン５０８もエ
ッチングされる。しかし、一般に、有機系反射防止膜５
０３の厚さは、レジストパターン５０４の高さ（厚さ）
やパターン寸法に比べて、１０分の１以下程度であるた
め、大きな影響はない。予め、マスクパターン５０５の
寸法に、有機系反射防止膜の除去時の、レジストパター
ンの後退分を加えるとともに、厚さ方向に関しても、膜
減り量を加味しておくことで、この問題は解決できる。
部５０９の底部の有機系反射防止膜５０３を除去する際
に、同じ有機系材料であるレジストパターン５０８もエ
ッチングされる。しかし、一般に、有機系反射防止膜５
０３の厚さは、レジストパターン５０４の高さ（厚さ）
やパターン寸法に比べて、１０分の１以下程度であるた
め、大きな影響はない。予め、マスクパターン５０５の
寸法に、有機系反射防止膜の除去時の、レジストパター
ンの後退分を加えるとともに、厚さ方向に関しても、膜
減り量を加味しておくことで、この問題は解決できる。
【００５５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。
る。
【００５６】実施例１ 本実施例は、ＣＭＯＳ型集積回路の製造工程中の、素子
分離に使用するウェル形成において用いられる、イオン
注入用のレジストパターンの形成プロセスに適用した例
である。
分離に使用するウェル形成において用いられる、イオン
注入用のレジストパターンの形成プロセスに適用した例
である。
【００５７】図１を、再び参照して、Ｐ型シリコン基板
５０１の上に、常法により、シャロートレンチ型分離構
造を形成する。シャロートレンチ型分離構造は、Ｓｉ3
Ｎ4をマスクとして、シリコン基板５０１にシャロート
レンチをドライエッチング法で形成した後に、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）法で分離酸化膜５０２
をトレンチ内に埋込み、次にＣＭＰ（chemical mechani
cal polish）法により、分離酸化膜５０２をＳｉ3Ｎ4膜
が露出するまで研磨し、Ｓｉ3Ｎ4を除去することによっ
て形成される。図１は、Ｓｉ3Ｎ4膜を除去した直後の、
半導体装置の断面図である。
５０１の上に、常法により、シャロートレンチ型分離構
造を形成する。シャロートレンチ型分離構造は、Ｓｉ3
Ｎ4をマスクとして、シリコン基板５０１にシャロート
レンチをドライエッチング法で形成した後に、ＣＶＤ
（chemical vapor deposition）法で分離酸化膜５０２
をトレンチ内に埋込み、次にＣＭＰ（chemical mechani
cal polish）法により、分離酸化膜５０２をＳｉ3Ｎ4膜
が露出するまで研磨し、Ｓｉ3Ｎ4を除去することによっ
て形成される。図１は、Ｓｉ3Ｎ4膜を除去した直後の、
半導体装置の断面図である。
【００５８】一般的に、ドライエッチング法とＣＭＰ法
の性質上、分離酸化膜のパターン配置およびプロセスの
経時変化によって、分離酸化膜５０２の形状も変化す
る。このため、シリコン基板１上に、直接、感光性レジ
ストを塗布して、レジストパターンの形成を行なうと、
図１２〜図２０に示す従来技術で述べた問題点が発生す
る。
の性質上、分離酸化膜のパターン配置およびプロセスの
経時変化によって、分離酸化膜５０２の形状も変化す
る。このため、シリコン基板１上に、直接、感光性レジ
ストを塗布して、レジストパターンの形成を行なうと、
図１２〜図２０に示す従来技術で述べた問題点が発生す
る。
【００５９】本実施例では、上述したように、図１の工
程を経た後、図２〜図８の工程を経て、レジストパター
ン５０８を形成する。次に、レジストパターン５０８を
マスクにして、ＰウェルおよびＮウェルを形成するため
のイオン注入を行なう。
程を経た後、図２〜図８の工程を経て、レジストパター
ン５０８を形成する。次に、レジストパターン５０８を
マスクにして、ＰウェルおよびＮウェルを形成するため
のイオン注入を行なう。
【００６０】さらに詳しく説明すると、図２を参照し
て、有機系反射防止膜５０３として、ＳＷＫＴ５（東京
応化工業株式会社製、商品名）を回転塗布法によって、
１２０ｎｍの膜厚に形成する。
て、有機系反射防止膜５０３として、ＳＷＫＴ５（東京
応化工業株式会社製、商品名）を回転塗布法によって、
１２０ｎｍの膜厚に形成する。
【００６１】図３を参照して、感光性レジスト５０４と
して、ｉ線ポジ型レジストであるＩＸ３０５（日本合成
ゴム株式会社製、商品名）を回転塗布法により、２９２
０ｎｍの膜厚に形成する。イオン注入に対して必要なレ
ジスト膜厚は、回転塗布直後で、２７００ｎｍである
が、後で有機系反射防止膜５０３を除去する際に、レジ
ストパターン５０８も２２０ｎｍ程度膜減りするため、
予め余分に塗布しておく。
して、ｉ線ポジ型レジストであるＩＸ３０５（日本合成
ゴム株式会社製、商品名）を回転塗布法により、２９２
０ｎｍの膜厚に形成する。イオン注入に対して必要なレ
ジスト膜厚は、回転塗布直後で、２７００ｎｍである
が、後で有機系反射防止膜５０３を除去する際に、レジ
ストパターン５０８も２２０ｎｍ程度膜減りするため、
予め余分に塗布しておく。
【００６２】図４を参照して、ｉ線ステッパおよびポジ
型マスク５０５を用いて感光性レジスト５０４を露光す
る。このとき、レジストパターンの開口部５０９の有機
系反射防止膜の除去時に、レジストパターン５０８も水
平方向に２２０ｎｍ後退するため、有機系マスクパター
ン５０５に後退分のオフセット量を与えておくのが好ま
しい。
型マスク５０５を用いて感光性レジスト５０４を露光す
る。このとき、レジストパターンの開口部５０９の有機
系反射防止膜の除去時に、レジストパターン５０８も水
平方向に２２０ｎｍ後退するため、有機系マスクパター
ン５０５に後退分のオフセット量を与えておくのが好ま
しい。
【００６３】図５と図６を参照して、露光後に現像処理
を行ないレジストパターン５０８を得る。
を行ないレジストパターン５０８を得る。
【００６４】本実施例によれば、有機系反射防止膜５０
３を用いているため、下地の影響をほぼ抑えた状態で、
露光できる。その結果、得られたパターンは断面形状に
おいて、矩型性が高く、寸法安定性が高い。１．５μｍ
の抜きパターン（パターンの開口部のパターン）を測定
した場合の、（最大寸法−最小寸法）は、有機系反射防
止膜５０３がない場合には、０．１μｍであったのに対
して、有機系反射防止膜５０３を使用した場合には、
０．０４μｍであった。その結果、ウェルの寸法の制御
性が向上し、従来に比べ、素子間を、約０．０６μｍ、
縮小することができた。
３を用いているため、下地の影響をほぼ抑えた状態で、
露光できる。その結果、得られたパターンは断面形状に
おいて、矩型性が高く、寸法安定性が高い。１．５μｍ
の抜きパターン（パターンの開口部のパターン）を測定
した場合の、（最大寸法−最小寸法）は、有機系反射防
止膜５０３がない場合には、０．１μｍであったのに対
して、有機系反射防止膜５０３を使用した場合には、
０．０４μｍであった。その結果、ウェルの寸法の制御
性が向上し、従来に比べ、素子間を、約０．０６μｍ、
縮小することができた。
【００６５】図７を参照して、レジストパターンの開口
部５０９の底部にある有機系反射防止膜５０３を、オゾ
ン５１０を用いて除去した。
部５０９の底部にある有機系反射防止膜５０３を、オゾ
ン５１０を用いて除去した。
【００６６】図９は、使用する装置の概念図である。図
９を参照して、プロセスガスとしてのオゾン、Ｎ2、Ｏ2
がそれぞれ、オゾン発生器６０１、Ｎ2ボンベ６０２、
Ｏ2ボンベ６０３から、カットバルブ６０４、マスフロ
ーコントローラ６０５を通って、反応容器６０６内のガ
スシャワーヘッド６０７に導入される。ガスシャワーヘ
ッドには、多数のガス噴出口があいており、プロセスガ
スは、ウェハ６０８に対して、均一に供給される。ウェ
ハ６０８は、反応容器６０６内にある、温度調節された
ウェハ支持台６０９の上に載って処理される。反応容器
６０６内は、圧力制御バルブ６１０およびポンプ６１１
によって、適切な圧力状態に保たれている。本実施例で
は、以下のウェハ処理条件を用いた。
９を参照して、プロセスガスとしてのオゾン、Ｎ2、Ｏ2
がそれぞれ、オゾン発生器６０１、Ｎ2ボンベ６０２、
Ｏ2ボンベ６０３から、カットバルブ６０４、マスフロ
ーコントローラ６０５を通って、反応容器６０６内のガ
スシャワーヘッド６０７に導入される。ガスシャワーヘ
ッドには、多数のガス噴出口があいており、プロセスガ
スは、ウェハ６０８に対して、均一に供給される。ウェ
ハ６０８は、反応容器６０６内にある、温度調節された
ウェハ支持台６０９の上に載って処理される。反応容器
６０６内は、圧力制御バルブ６１０およびポンプ６１１
によって、適切な圧力状態に保たれている。本実施例で
は、以下のウェハ処理条件を用いた。
【００６７】 オゾン流量：４０ＳＬＭ、ウェハ支持台温度：１１０℃ Ｏ2流量：２０ＳＬＭ、反応室圧力：１１０ＫＰａ Ｎ2流量：２０ＳＬＭ 上記条件での、有機物除去速度は次のとおりであった。
【００６８】有機系反射防止膜：７０ｎｍ／ｍｉｎ レジスト：１１０ｎｍ／ｍｉｎ 有機系反射防止膜１２０ｎｍを完全に除去するために、
ウェハ処理時間を、２ｍｉｎとした。結果として、レジ
ストパターンの開口部の底にある有機系反射防止膜は完
全に除去され、レジストパターンも所定の寸法および膜
厚のものを得た。また、本処理を行なうことによる不具
合は、一切見られなかった。
ウェハ処理時間を、２ｍｉｎとした。結果として、レジ
ストパターンの開口部の底にある有機系反射防止膜は完
全に除去され、レジストパターンも所定の寸法および膜
厚のものを得た。また、本処理を行なうことによる不具
合は、一切見られなかった。
【００６９】実施例２ 半導体集積回路の製造工程において、本実施例２を用い
る点は、実施例１と同じである。本実施例では、図１０
に示す装置を用いた。
る点は、実施例１と同じである。本実施例では、図１０
に示す装置を用いた。
【００７０】乾燥空気源７０１から出た空気（Ｎ2：７
９％、Ｏ2：２１％）は、カットバルブ７０２を通っ
て、反応室７０３内に導入される。反応室７０３上部に
は、１７２ｎｍのエキシマ光を発生するエキシマ光ラン
プ７０５が設けられている。反応室７０３とエキシマ光
ランプ７０５は、石英窓７０４で仕切られている。エキ
シマ光ランプ７０５から発生する１７２ｎｍのエキシマ
光が、石英窓７０４を通って、ウェハ７０６に照射され
る。ウェハ７０６は、ウェハ支持台７０７に載ってい
る。ウェハ支持台７０７は、プロセス安定性を得るため
に温度制御されている。反応室７０３は、圧力制御バル
ブ７０８とポンプ７０９によって、一定の圧力に保たれ
る。１７２ｎｍのエキシマ光は、以下の反応を、空気中
で発生させ、結果として、有機物に対して反応性の高い
原子状酸素を発生させる。
９％、Ｏ2：２１％）は、カットバルブ７０２を通っ
て、反応室７０３内に導入される。反応室７０３上部に
は、１７２ｎｍのエキシマ光を発生するエキシマ光ラン
プ７０５が設けられている。反応室７０３とエキシマ光
ランプ７０５は、石英窓７０４で仕切られている。エキ
シマ光ランプ７０５から発生する１７２ｎｍのエキシマ
光が、石英窓７０４を通って、ウェハ７０６に照射され
る。ウェハ７０６は、ウェハ支持台７０７に載ってい
る。ウェハ支持台７０７は、プロセス安定性を得るため
に温度制御されている。反応室７０３は、圧力制御バル
ブ７０８とポンプ７０９によって、一定の圧力に保たれ
る。１７２ｎｍのエキシマ光は、以下の反応を、空気中
で発生させ、結果として、有機物に対して反応性の高い
原子状酸素を発生させる。
【００７１】本実施例の特徴としては、オゾンの熱分解
過程がないため、低温でプロセスを行なうことができる
ことが挙げられる。
過程がないため、低温でプロセスを行なうことができる
ことが挙げられる。
【００７２】Ｏ2＋１７２ｎｍ→Ｏ3 Ｏ3＋１７２ｎｍ→Ｏ＋Ｏ2 原子状酸素による効果は、実施例１と同じであった。
【００７３】本実施例では、以下の条件によって、ウェ
ハの処理を行なった。 乾燥空気流量：３０ＳＬＭ、反応室圧力：９０ｋＰａ ウェハ支持台温度：５０℃、ランプ照度：１０ｍＷ／ｃ
ｍ2 石英窓−ウェハ間距離１ｍｍ この条件下での、有機物の除去速度は以下のとおりであ
った。
ハの処理を行なった。 乾燥空気流量：３０ＳＬＭ、反応室圧力：９０ｋＰａ ウェハ支持台温度：５０℃、ランプ照度：１０ｍＷ／ｃ
ｍ2 石英窓−ウェハ間距離１ｍｍ この条件下での、有機物の除去速度は以下のとおりであ
った。
【００７４】有機系反射防止膜：１０ｎｍ／ｍｉｎ レジスト：１１ｎｍ／ｍｉｎ実施例３ 本実施例は、半導体集積回路の製造工程において適用さ
れる点は、実施例１と同じである。本実施例では、図１
１に示す装置が用いられる。
れる点は、実施例１と同じである。本実施例では、図１
１に示す装置が用いられる。
【００７５】図９装置と図１１装置が異なる点は、オゾ
ン発生器の代わりに、原子状酸素を供給する装置を用い
る点である。
ン発生器の代わりに、原子状酸素を供給する装置を用い
る点である。
【００７６】原理は、Ｏ2プラズマを発生させ、これか
ら荷電粒子を除去するものである。Ｏ2ボンベ８０１か
ら、マスフローコントローラ８０２、カットバルブ８０
３を通って、Ｏ2が反応室８０４に導入される。反応室
８０４は、圧力制御バルブ８０５とポンプ８０６によっ
て、一定の圧力に保たれている。反応室８０４内には、
ＲＦ電源８０９につながっている電極８０７と、対向す
る接地電極８０８が存在し、ＲＦ電力を供給すること
で、電極８０７と電極８０８の間にＯ2プラズマが発生
する。Ｏ2プラズマは、絶縁体製配管８１０を通って、
負電位を印加された導電体製減圧器８１１に導入され
る。ここで、Ｏ2プラズマ中の正電荷を持った荷電粒子
はトラップされ、導電体製減圧器８１１の後流には、負
電荷を持った荷電粒子および中性の粒子のみが、導電体
製減圧器８１２へと流れていく。導電体製減圧器８１２
には正電位が印加されており、通過するガス中の負電荷
を持った荷電粒子をトラップする。結果として、電気的
に中性で、励起状態にある原子状酸素を含むＯ2ガス
が、カットバルブ８１３を通って、反応室７０３に供給
される。原子状酸素はＯX（Ｘ＝１〜３）ラジカルとい
い換えることができる。なお、反応室７０３は、図９中
の反応容器６０６に相当するものである。
ら荷電粒子を除去するものである。Ｏ2ボンベ８０１か
ら、マスフローコントローラ８０２、カットバルブ８０
３を通って、Ｏ2が反応室８０４に導入される。反応室
８０４は、圧力制御バルブ８０５とポンプ８０６によっ
て、一定の圧力に保たれている。反応室８０４内には、
ＲＦ電源８０９につながっている電極８０７と、対向す
る接地電極８０８が存在し、ＲＦ電力を供給すること
で、電極８０７と電極８０８の間にＯ2プラズマが発生
する。Ｏ2プラズマは、絶縁体製配管８１０を通って、
負電位を印加された導電体製減圧器８１１に導入され
る。ここで、Ｏ2プラズマ中の正電荷を持った荷電粒子
はトラップされ、導電体製減圧器８１１の後流には、負
電荷を持った荷電粒子および中性の粒子のみが、導電体
製減圧器８１２へと流れていく。導電体製減圧器８１２
には正電位が印加されており、通過するガス中の負電荷
を持った荷電粒子をトラップする。結果として、電気的
に中性で、励起状態にある原子状酸素を含むＯ2ガス
が、カットバルブ８１３を通って、反応室７０３に供給
される。原子状酸素はＯX（Ｘ＝１〜３）ラジカルとい
い換えることができる。なお、反応室７０３は、図９中
の反応容器６０６に相当するものである。
【００７７】ここで注意すべきこととして、反応室８０
４から後流は、プラズマを生成するため、減圧下にある
点である。導電体製減圧器８１１および８１２におい
て、電位差を与え過ぎると、直流フロー放電が発生する
ため、注意が必要である。また、絶縁体製配管８１０，
８１０を用いている理由は、反応室８０４と導電体製減
圧器８１１とを電気的に分離し、導電体製減圧器８１１
と導電体製減圧器８１２を電気的に分離するためであ
る。
４から後流は、プラズマを生成するため、減圧下にある
点である。導電体製減圧器８１１および８１２におい
て、電位差を与え過ぎると、直流フロー放電が発生する
ため、注意が必要である。また、絶縁体製配管８１０，
８１０を用いている理由は、反応室８０４と導電体製減
圧器８１１とを電気的に分離し、導電体製減圧器８１１
と導電体製減圧器８１２を電気的に分離するためであ
る。
【００７８】なお、本実施例では、Ｏ2プラズマを発生
させるために、ＲＦおよび平行平板型電極を用いたが、
この発明はこれに限られるものでなく、マイクロ波励起
法や、ＥＣＲ法、マグネトロン法を用いてもよい。
させるために、ＲＦおよび平行平板型電極を用いたが、
この発明はこれに限られるものでなく、マイクロ波励起
法や、ＥＣＲ法、マグネトロン法を用いてもよい。
【００７９】本実施例では、以下の条件で、図１１に示
す装置を動作させた。 Ｏ2流量：０．５ＳＬＭ、導電体製減圧器８１１の印加
電圧：−１．０Ｖ ＲＦ電力：５００Ｗ、導電体製減圧器８１２の印加電
圧：＋１．０Ｖ 反応室圧力：５０Ｐａ 本実施例を用いた有機物の除去速度は、以下のとおりで
あった。
す装置を動作させた。 Ｏ2流量：０．５ＳＬＭ、導電体製減圧器８１１の印加
電圧：−１．０Ｖ ＲＦ電力：５００Ｗ、導電体製減圧器８１２の印加電
圧：＋１．０Ｖ 反応室圧力：５０Ｐａ 本実施例を用いた有機物の除去速度は、以下のとおりで
あった。
【００８０】有機系反射防止膜：２０ｎｍ／ｍｉｎ レジスト：２５ｎｍ／ｍｉｎ 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって
制限的なものではないと考えられるべきである。本発明
の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によっ
て示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で
のすべての変更が含まれることが意図される。
制限的なものではないと考えられるべきである。本発明
の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によっ
て示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で
のすべての変更が含まれることが意図される。
【００８１】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、オゾン、原子状酸素を用いているので、ウェハに対
するプラズマの直接の曝露がないため、汚染がないとい
う効果を奏する。また、オゾン、原子状酸素を用いてい
るので、処理時間を短縮でき、レジストパターンへのダ
メージを回避でき、低温で処理でき、実用的であるとい
う効果を奏する。
ば、オゾン、原子状酸素を用いているので、ウェハに対
するプラズマの直接の曝露がないため、汚染がないとい
う効果を奏する。また、オゾン、原子状酸素を用いてい
るので、処理時間を短縮でき、レジストパターンへのダ
メージを回避でき、低温で処理でき、実用的であるとい
う効果を奏する。
【図１】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第１の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第１の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図２】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第２の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第２の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図３】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第３の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第３の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図４】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第４の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第４の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図５】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第５の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第５の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図６】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第６の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第６の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図７】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第７の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第７の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図８】 実施の形態に係るレジストパターンの形成方
法の順序の第８の工程における半導体装置の断面図であ
る。
法の順序の第８の工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図９】 実施例１に係る、有機系反射防止膜の除去装
置の概念図である。
置の概念図である。
【図１０】 実施例２に係る、有機系反射防止膜の除去
装置の概念図である。
装置の概念図である。
【図１１】 実施例３に係る、有機系反射防止膜の除去
装置の概念図である。
装置の概念図である。
【図１２】 従来のレジストパターンの形成方法の順序
の第１の工程における半導体装置の断面図である。
の第１の工程における半導体装置の断面図である。
【図１３】 従来のレジストパターンの形成方法の順序
の第２の工程における半導体装置の断面図である。
の第２の工程における半導体装置の断面図である。
【図１４】 従来のレジストパターンの形成方法の順序
の第３の工程における半導体装置の断面図である。
の第３の工程における半導体装置の断面図である。
【図１５】 従来のレジストパターンの形成方法の順序
の第４の工程における半導体装置の断面図である。
の第４の工程における半導体装置の断面図である。
【図１６】 従来のレジストパターンの形成方法の順序
の第５の工程における半導体装置の断面図である。
の第５の工程における半導体装置の断面図である。
【図１７】 従来のレジストパターンの形成方法の問題
点を示す図である。
点を示す図である。
【図１８】 従来のレジストパターンの形成方法の他の
問題点を示す図である。
問題点を示す図である。
【図１９】 従来のレジストパターンの形成方法の、さ
らに他の問題点を示す図である。
らに他の問題点を示す図である。
【図２０】 従来の、色素含有感光レジストを用いた場
合に形成されるレジストパターンの断面図である。
合に形成されるレジストパターンの断面図である。
【図２１】 従来の有機系反射防止膜を用いた場合に形
成されるレジストパターンの断面図である。
成されるレジストパターンの断面図である。
５０１ シリコン基板、５０２ 分離酸化膜、５０３
有機系反射防止膜、５０８ レジストパターン、５１０
オゾンまたはＯ2ラジカル雰囲気。
有機系反射防止膜、５０８ レジストパターン、５１０
オゾンまたはＯ2ラジカル雰囲気。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AB16 DA34 FA30 FA41 2H096 AA25 CA05 HA24 HA25 JA04 KA30 5F004 AA09 BA04 BB05 BC03 BC07 BD01 DA21 DA25 DA26 DA27 DB26 5F046 PA07 PA19
Claims (20)
- 【請求項１】 イオン注入のために使用するレジストパ
ターンの形成方法であって、 半導体基板の上に有機反射防止膜を形成する工程と、 前記有機反射防止膜を介在させて前記半導体基板の上に
レジストを形成する工程と、 前記レジストをパターニングし、開口部を有するレジス
トパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンの開口部の底部に露出した、前記
有機系反射防止膜の一部を除去する工程と、を備えたレ
ジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記有機系反射防止膜の一部の除去は、
オゾンを用いて行なわれる、請求項１に記載のレジスト
パターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記有機系反射防止膜の一部の除去は、
原子状酸素を用いて行なわれる、請求項１に記載のレジ
ストパターンの形成方法。 - 【請求項４】 前記原子状酸素は、空気より形成され
る、請求項３に記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項５】 前記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより形
成される、請求項３に記載のレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項６】 前記オゾンを用いて有機系反射防止膜を
除去する工程は、 前記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、 前記半導体基板を加熱し、それによって前記オゾンを熱
分解させる工程と、を含む、請求項２に記載のレジスト
パターンの形成方法。 - 【請求項７】 前記空気より前記原子状酸素を形成する
工程は、 前記半導体基板を空気に接触させる工程と、 前記半導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含
む、請求項４に記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項８】 前記Ｏ2プラズマより前記原子状酸素を
形成する工程は、 前記Ｏ2プラズマより、正電荷を持った荷電粒子と負電
荷を持った荷電粒子を除去する工程を含む、請求項５に
記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項９】 半導体基板の上に有機系反射防止膜を形
成する工程と、 前記有機系反射防止膜を介在させて前記半導体基板の上
にレジストを形成する工程と、 前記レジストをパターニングし、開口部を有するレジス
トパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンの開口部の底部に露出した、前記
有機系反射防止膜の一部を除去する工程と、 前記レジストパターンを用いて、前記半導体基板の表面
にイオン注入する工程と、を備えた半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記有機系反射防止膜の一部の除去
は、オゾンを用いて行なわれる、請求項９に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記有機系反射防止膜の一部の除去
は、原子状酸素を用いて行なわれる、請求項９に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記原子状酸素は、空気より形成され
る、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記原子状酸素は、Ｏ2プラズマより
形成される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記オゾンを用いて、有機系反射防止
膜を除去する工程は、 前記半導体基板をオゾンに接触させる工程と、 前記半導体基板を加熱し、それによって、前記オゾンを
熱分解させる工程と、を含む、請求項１０に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記空気より前記原子状酸素を形成す
る工程は、 前記半導体基板を空気に接触させる工程と、 前記半導体基板にエキシマ光を照射する工程と、を含
む、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記Ｏ2プラズマより前記原子状酸素
を形成する工程は、 前記Ｏ2プラズマ中より、正電荷を持った荷電粒子と負
電荷を持った荷電粒子を除去する工程と、を備える、請
求項１３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 半導体基板の上に形成された有機系反
射防止膜の除去装置であって、 有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収容する反
応容器と、 前記反応容器内に設けられ、前記半導体基板を加熱する
加熱手段と、 前記反応室内にオゾンを供給するオゾン供給手段と、を
備えた、有機系反射防止膜の除去装置。 - 【請求項１８】 前記反応室内に設けられ、前記オゾン
供給手段から送られてくるオゾンを前記半導体基板に向
けて均一に噴射する、多数のガス噴出し口を有するガス
シャワーヘッドをさらに備える、請求項１７に記載の有
機系反射防止膜の除去装置。 - 【請求項１９】 基板の上に形成された有機系反射防止
膜の除去装置であって、 有機系反射防止膜が形成された半導体基板を収容する反
応容器と、 前記反応容器内に空気を供給する空気供給手段と、 前記半導体基板に向けてエキシマ光を照射するエキシマ
光照射手段と、を備えた有機系反射防止膜の除去装置。 - 【請求項２０】 半導体基板の上に形成された有機系反
射防止膜の除去装置であって、 Ｏ2プラズマを形成するＯ2プラズマ形成手段と、 前記Ｏ2プラズマ中の、正電荷を持った荷電粒子をトラ
ップする正電荷粒子トラップ手段と、 前記Ｏ2プラズマ中の、負電荷を持った荷電粒子をトラ
ップする負電荷粒子トラップ手段と、 前記Ｏ2プラズマ形成手段、前記正電荷粒子トラップ手
段および前記負電荷粒子トラップ手段によって処理され
て生成した、電気的に中性で、励起状態にある原子状酸
素が導入される、前記半導体基板を収容する反応室と、
を備えた、有機系反射防止膜の除去装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2000036408A JP2001228632A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置 |
| US09/631,624 US6481119B1 (en) | 2000-02-15 | 2000-08-04 | Apparatus for removing organic antireflection coating |
| DE10046023A DE10046023A1 (de) | 2000-02-15 | 2000-09-18 | Verfahren zum Bilden eines Resistmusters, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Vorrichtung zum Entfernen einer organischen Antireflexionsbedeckung |
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| KR10-2000-0063491A KR100374958B1 (ko) | 2000-02-15 | 2000-10-27 | 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및유기계 반사 방지막의 제거 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036408A JP2001228632A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001228632A true JP2001228632A (ja) | 2001-08-24 |
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|---|---|---|---|
| JP2000036408A Withdrawn JP2001228632A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法および有機系反射防止膜の除去装置 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| KR200453467Y1 (ko) * | 2009-01-14 | 2011-05-06 | 서관오 | 레벨미터가 구비된 헤드셋 및 레벨미터가 구비된 헤드셋에 연결되는 레벨미터 악세서리 |
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- 2000-10-27 KR KR10-2000-0063491A patent/KR100374958B1/ko not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070501 |