JPH10209066A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10209066A JPH10209066A JP1794297A JP1794297A JPH10209066A JP H10209066 A JPH10209066 A JP H10209066A JP 1794297 A JP1794297 A JP 1794297A JP 1794297 A JP1794297 A JP 1794297A JP H10209066 A JPH10209066 A JP H10209066A
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- JP
- Japan
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- boat
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- casing
- reaction tube
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Abstract
(57)【要約】
【課題】設置場所に制約を受けない半導体製造装置を提
供する。 【解決手段】縦型炉を有する半導体製造装置に於いて、
該半導体製造装置の筐体２１底面２２の、反応管２５、
ボート２７設置部分を陥没させ、収納凹部２３を形成
し、陥没させた部分のみを装置設置場所の床面より掘下
げた位置に設ける為、装置全体の高さを高くする必要が
なく装置設置場所の制約を受けない。
供する。 【解決手段】縦型炉を有する半導体製造装置に於いて、
該半導体製造装置の筐体２１底面２２の、反応管２５、
ボート２７設置部分を陥没させ、収納凹部２３を形成
し、陥没させた部分のみを装置設置場所の床面より掘下
げた位置に設ける為、装置全体の高さを高くする必要が
なく装置設置場所の制約を受けない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に縦型炉を有する半導体製造装置に関するものであ
る。
特に縦型炉を有する半導体製造装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は通常、レイズドフロア
（２重床構造）のクリーンルームに設置され、特に縦型
炉を有する半導体製造装置に於いては多数の被処理基板
を一度に処理している。
（２重床構造）のクリーンルームに設置され、特に縦型
炉を有する半導体製造装置に於いては多数の被処理基板
を一度に処理している。
【０００３】図２に於いて従来の半導体製造装置につい
て説明する。
て説明する。
【０００４】図２中１は半導体製造装置の筐体を示し、
該筐体１内の後方上部（図中右上）には中空のヒータ２
が立設され、該ヒータ２内には反応管３が前記ヒータ２
と同心に設けられ、該反応管３の下端には炉口蓋４が設
けられている。
該筐体１内の後方上部（図中右上）には中空のヒータ２
が立設され、該ヒータ２内には反応管３が前記ヒータ２
と同心に設けられ、該反応管３の下端には炉口蓋４が設
けられている。
【０００５】前記反応管３の下方にはボート５が設けら
れ、該ボート５には多数のウェーハ６が水平姿勢で装填
される様になっており、前記ボート５は前記炉口蓋４を
介してボートエレベータ７により前記反応管３内へ装入
抜脱される様になっている。
れ、該ボート５には多数のウェーハ６が水平姿勢で装填
される様になっており、前記ボート５は前記炉口蓋４を
介してボートエレベータ７により前記反応管３内へ装入
抜脱される様になっている。
【０００６】前記ボート５及び前記ボートエレベータ７
の前方にはウェーハ移載機８が設けられ、該ウェーハ移
載機８の前方にはカセットストッカ９が設けられ、該カ
セットストッカ９内には所定数のウェーハが装填された
ウェーハカセット１０が収納される様になっている。
の前方にはウェーハ移載機８が設けられ、該ウェーハ移
載機８の前方にはカセットストッカ９が設けられ、該カ
セットストッカ９内には所定数のウェーハが装填された
ウェーハカセット１０が収納される様になっている。
【０００７】前記半導体製造装置はレイズドフロア（２
重床構造）のクリーンルームに設置され、前記半導体製
造装置に於いてウェーハ等被処理基板への処理を行う場
合には外部搬送装置（図示せず）により、ウェーハが装
填されたウェーハカセット１０が搬入され、前記カセッ
トストッカ９に収納される。次に前記ウェーハ移載機８
により前記ウェーハカセット１０からウェーハ６を払出
し、該ウェーハ６をボート５に移載する。
重床構造）のクリーンルームに設置され、前記半導体製
造装置に於いてウェーハ等被処理基板への処理を行う場
合には外部搬送装置（図示せず）により、ウェーハが装
填されたウェーハカセット１０が搬入され、前記カセッ
トストッカ９に収納される。次に前記ウェーハ移載機８
により前記ウェーハカセット１０からウェーハ６を払出
し、該ウェーハ６をボート５に移載する。
【０００８】上述した作動を繰返して前記ボート５に所
定数のウェーハ６が装填される。前記ボートエレベータ
７により前記ボート５が前記反応管３内に装入され、該
反応管３内が前記ヒータ２により加熱され、図示しない
真空源により真空引きされ、所要の反応ガスが導入され
て前記ウェーハ６の処理が行われる。
定数のウェーハ６が装填される。前記ボートエレベータ
７により前記ボート５が前記反応管３内に装入され、該
反応管３内が前記ヒータ２により加熱され、図示しない
真空源により真空引きされ、所要の反応ガスが導入され
て前記ウェーハ６の処理が行われる。
【０００９】処理完了後、前記ボート５が前記反応管３
より抜脱され、前述した作動と逆の手順により処理の完
了したウェーハが前記ウェーハカセットへ移載され、該
ウェーハカセットが前記半導体製造装置内より搬出され
る。
より抜脱され、前述した作動と逆の手順により処理の完
了したウェーハが前記ウェーハカセットへ移載され、該
ウェーハカセットが前記半導体製造装置内より搬出され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
製造装置は一度に処理する被処理基板の数を増大させる
為にはボートの全長を長くしなければならず、ボートの
全長を長くすることにより反応管も長くする必要があっ
た。ボート、反応管は半導体製造装置の筐体内に立設さ
れており、ボートが反応管から抜脱された状態では、ボ
ートの長くなった分及び反応管の長くなった分の高さが
必要となる。従って、筐体１の高さが大幅に増すことと
なり筐体１の高さが増すと装置の設置場所の高さに限り
がある為、半導体製造装置を設置するのに制約を受ける
等の不具合があった。
製造装置は一度に処理する被処理基板の数を増大させる
為にはボートの全長を長くしなければならず、ボートの
全長を長くすることにより反応管も長くする必要があっ
た。ボート、反応管は半導体製造装置の筐体内に立設さ
れており、ボートが反応管から抜脱された状態では、ボ
ートの長くなった分及び反応管の長くなった分の高さが
必要となる。従って、筐体１の高さが大幅に増すことと
なり筐体１の高さが増すと装置の設置場所の高さに限り
がある為、半導体製造装置を設置するのに制約を受ける
等の不具合があった。
【００１１】本発明は上記実情に鑑みなしたものであ
り、設置場所に制約を受けない半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
り、設置場所に制約を受けない半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型炉を有す
る半導体製造装置に於いて、該半導体製造装置の筐体底
面の、反応管、ボート設置部分を陥没させ、収納凹部を
形成した半導体製造装置に係るものであり、該収納凹部
を装置設置場所の床面より掘下げた位置に設ける為、装
置全体の高さを高くする必要がなく装置設置場所の制約
を受けない。
る半導体製造装置に於いて、該半導体製造装置の筐体底
面の、反応管、ボート設置部分を陥没させ、収納凹部を
形成した半導体製造装置に係るものであり、該収納凹部
を装置設置場所の床面より掘下げた位置に設ける為、装
置全体の高さを高くする必要がなく装置設置場所の制約
を受けない。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】図１で示す半導体製造装置は通常、図示し
ないクリーンルームに設置され、該クリーンルームは床
面よりやや上方に取外し可能なグレーティングパネルが
設けられ、該グレーティングパネルと床面とのレイズド
フロア（２重床構造）となっている。
ないクリーンルームに設置され、該クリーンルームは床
面よりやや上方に取外し可能なグレーティングパネルが
設けられ、該グレーティングパネルと床面とのレイズド
フロア（２重床構造）となっている。
【００１５】前記半導体製造装置の筐体２１底面２２の
後方には該底面２２に対して陥没した収納凹部２３が形
成され、該収納凹部２３の底面から前記底面２２迄の距
離は前記クリーンルームの床面からグレーティングパネ
ル迄の距離と略同じ距離となっている。
後方には該底面２２に対して陥没した収納凹部２３が形
成され、該収納凹部２３の底面から前記底面２２迄の距
離は前記クリーンルームの床面からグレーティングパネ
ル迄の距離と略同じ距離となっている。
【００１６】前記筐体２１内には前述した従来の半導体
製造装置と同様に後方上部に中空のヒータ２４が設けら
れ、該ヒータ２４内に該ヒータ２４と同心に反応管２５
が設けられ、該反応管２５の下端には炉口蓋２６が設け
られている。前記反応管２５の下方にはボート２７及び
ボートエレベータ２８が設けられ、該ボートエレベータ
は前記筐体２１底面２２を陥没させた前記収納凹部２３
に設けられており、前記ボート２７は前記ボートエレベ
ータ２８により前記反応管２５内へ装入抜脱可能となっ
ている。
製造装置と同様に後方上部に中空のヒータ２４が設けら
れ、該ヒータ２４内に該ヒータ２４と同心に反応管２５
が設けられ、該反応管２５の下端には炉口蓋２６が設け
られている。前記反応管２５の下方にはボート２７及び
ボートエレベータ２８が設けられ、該ボートエレベータ
は前記筐体２１底面２２を陥没させた前記収納凹部２３
に設けられており、前記ボート２７は前記ボートエレベ
ータ２８により前記反応管２５内へ装入抜脱可能となっ
ている。
【００１７】前記ボートエレベータ２８の前方にはウェ
ーハ移載機２９が設けられ、該ウェーハ移載機２９の前
方にはウェーハカセット３０を収納するカセットストッ
カ３１が設けられている。
ーハ移載機２９が設けられ、該ウェーハ移載機２９の前
方にはウェーハカセット３０を収納するカセットストッ
カ３１が設けられている。
【００１８】前記半導体製造装置に於ける被処理基板へ
の処理は前述した従来の半導体製造装置と同様に行われ
る。
の処理は前述した従来の半導体製造装置と同様に行われ
る。
【００１９】前記半導体製造装置は前記クリーンルーム
に設置される。前記クリーンルームのグレーティングパ
ネルの一部を取外して床面を開放し、該取外し部分に前
記収納凹部２３を嵌めつつ前記半導体製造装置を前記グ
レーティングパネル上に設置する。
に設置される。前記クリーンルームのグレーティングパ
ネルの一部を取外して床面を開放し、該取外し部分に前
記収納凹部２３を嵌めつつ前記半導体製造装置を前記グ
レーティングパネル上に設置する。
【００２０】前記半導体製造装置は筐体の必要な部分の
みを陥没させることで他の部分の高さを高くする必要が
なく、クリーンルームの床下面を有効に利用でき、装置
設置場所の制約を受けない。
みを陥没させることで他の部分の高さを高くする必要が
なく、クリーンルームの床下面を有効に利用でき、装置
設置場所の制約を受けない。
【００２１】尚、上記したクリーンルームは床面を２重
構造とし、床面の一部を開放することにより前記収納凹
部２３を嵌込んでいたが、１重の床面の一部を掘下げて
前記収納凹部２３を嵌込むこともできる。
構造とし、床面の一部を開放することにより前記収納凹
部２３を嵌込んでいたが、１重の床面の一部を掘下げて
前記収納凹部２３を嵌込むこともできる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば反応管、
ボートの長さを長くした場合に必要な部分、即ち筐体底
面の反応管、ボート等設置部分のみを陥没させることで
装置全体の高さを高くする必要がなく、陥没させた部分
のみを装置設置場所の床面より掘下げた位置に設ける
為、装置設置場所の制約を受けない等の優れた効果を発
揮する。
ボートの長さを長くした場合に必要な部分、即ち筐体底
面の反応管、ボート等設置部分のみを陥没させることで
装置全体の高さを高くする必要がなく、陥没させた部分
のみを装置設置場所の床面より掘下げた位置に設ける
為、装置設置場所の制約を受けない等の優れた効果を発
揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す概略説明図である。
【図２】従来例を示す概略説明図である。
２１ 筐体 ２２ 底面 ２３ 収納凹部 ２４ ヒータ ２５ 反応管 ２６ 炉口蓋 ２７ ボート ２８ ボートエレベータ ２９ ウェーハ移載機 ３０ ウェーハカセット ３１ カセットストッカ
Claims (1)
- 【請求項１】 縦型炉を有する半導体製造装置に於い
て、該半導体製造装置の筐体底面の、反応管、ボート設
置部分を陥没させ、収納凹部を形成したことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1794297A JPH10209066A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1794297A JPH10209066A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209066A true JPH10209066A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11957843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1794297A Pending JPH10209066A (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100905013B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2009-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 기판 처리장치 |
| JP2013038128A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP1794297A patent/JPH10209066A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100905013B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2009-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 기판 처리장치 |
| JP2013038128A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| US9105672B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-08-11 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
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