JPH10208676A - 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
電界放射型ディスプレイ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10208676A JPH10208676A JP1276397A JP1276397A JPH10208676A JP H10208676 A JPH10208676 A JP H10208676A JP 1276397 A JP1276397 A JP 1276397A JP 1276397 A JP1276397 A JP 1276397A JP H10208676 A JPH10208676 A JP H10208676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass
- field emission
- emission display
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高温焼成中でも、アレイ基板と蛍光体付対向基
板の貼り合わせの位置ずれが小さく、歩留まり良く電界
放射型ディスプレイを作製できる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子の基板の貼り合わ
せにおいて、封着ガラス層を封着温度の異なる２層構造
とする。その製造方法は、１層目の封着ガラスにガラス
ペーストを用いて必要ギャップの９０〜９５％を形成
し、２層目を濡れたままで形成し位置決めして貼り合わ
せ、その後２層目の焼成を行う。
板の貼り合わせの位置ずれが小さく、歩留まり良く電界
放射型ディスプレイを作製できる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子の基板の貼り合わ
せにおいて、封着ガラス層を封着温度の異なる２層構造
とする。その製造方法は、１層目の封着ガラスにガラス
ペーストを用いて必要ギャップの９０〜９５％を形成
し、２層目を濡れたままで形成し位置決めして貼り合わ
せ、その後２層目の焼成を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば平板型画像
表示装置に用いられる電界放出型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）の製造方法に関するものである。
表示装置に用いられる電界放出型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報化社会の進展によりテレビや
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質や性能に対する要求は、よ
り厳しくなってきている。
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質や性能に対する要求は、よ
り厳しくなってきている。
【０００３】現状の開発動向は、特に大型化と高精細化
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
【０００４】この液晶ディスプレイの欠点は視野角が狭
いこと、バックライトの消費電力が大きいこと等であ
る。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプレイ装置の
開発が望まれている。その薄型の自発光型ディスプレイ
装置に用いられる電子放出源として、熱電子よりも低消
費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわれている。
特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強電界（１０
7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰極の先端の
曲率半径がサブミクロン以下になるように加工されてい
る。このような電界放出型電子放出素子は、以下の特徴
を持っている。（１）電流密度が高い。（２）電力消費
が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技術である微細加
工技術が利用できる。
いこと、バックライトの消費電力が大きいこと等であ
る。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプレイ装置の
開発が望まれている。その薄型の自発光型ディスプレイ
装置に用いられる電子放出源として、熱電子よりも低消
費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわれている。
特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強電界（１０
7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰極の先端の
曲率半径がサブミクロン以下になるように加工されてい
る。このような電界放出型電子放出素子は、以下の特徴
を持っている。（１）電流密度が高い。（２）電力消費
が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技術である微細加
工技術が利用できる。
【０００５】従来、この電界放出型の電子放出（放射）
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
【０００６】この開発中の電界放射型ディスプレイの代
表的構造例を図１５の断面図に示す。図中２１はガラス
基板等の絶縁性基板であり、この基板２１上に蛍光体２
２と透明電極２３が形成されている。また、図中３１も
ガラス基板等の絶縁性基板であり、電界放射型素子アレ
イ３２が形成されている。上記、２枚の絶縁性基板は、
ギャップを一定に保つスペーサー３３を挟んで、低融点
ガラス３４で封着密封されており、２枚の絶縁性基板で
挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8ｔｏｒｒ台
の高真空に保たれている。
表的構造例を図１５の断面図に示す。図中２１はガラス
基板等の絶縁性基板であり、この基板２１上に蛍光体２
２と透明電極２３が形成されている。また、図中３１も
ガラス基板等の絶縁性基板であり、電界放射型素子アレ
イ３２が形成されている。上記、２枚の絶縁性基板は、
ギャップを一定に保つスペーサー３３を挟んで、低融点
ガラス３４で封着密封されており、２枚の絶縁性基板で
挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8ｔｏｒｒ台
の高真空に保たれている。
【０００７】上記従来の電界放射型ディスプレイの製造
方法は、図１６〜図２１に示すように、まず、図１６に
示す様にガラス基板上２１に透明電極２３が形成され、
その上に、蛍光体２２と、必要ならばブラックマトリク
スとスペーサ３３が形成された対向基板２１を作製す
る。
方法は、図１６〜図２１に示すように、まず、図１６に
示す様にガラス基板上２１に透明電極２３が形成され、
その上に、蛍光体２２と、必要ならばブラックマトリク
スとスペーサ３３が形成された対向基板２１を作製す
る。
【０００８】続いて、図１７に示すように低融点ガラス
フリットで排気管３６を固定し、続いて、図１８に示す
ように、低融点ガラスフリットで封着用シール形状３４
に塗布し、乾燥させ、さらに３００℃〜４００℃で仮焼
成を行い低融点ガラスの脱バイを行う。
フリットで排気管３６を固定し、続いて、図１８に示す
ように、低融点ガラスフリットで封着用シール形状３４
に塗布し、乾燥させ、さらに３００℃〜４００℃で仮焼
成を行い低融点ガラスの脱バイを行う。
【０００９】続いて、図１９に示すように、ＵＶ硬化樹
脂３７を所定の位置に所定のギャップの高さより高く形
成し、乾燥させる。
脂３７を所定の位置に所定のギャップの高さより高く形
成し、乾燥させる。
【００１０】一方、図２０に示すように、電界放射型素
子アレイ基板３１と対向基板２１を位置決めし貼り合わ
せ、固定のため２枚の上記基板を所定のギャップ厚でＵ
Ｖ硬化樹脂３７に紫外線を適量照射し、樹脂を硬化させ
仮止めを行う。続いて、４００〜５００℃のＡｒガス等
の不活性ガス中で焼成する。
子アレイ基板３１と対向基板２１を位置決めし貼り合わ
せ、固定のため２枚の上記基板を所定のギャップ厚でＵ
Ｖ硬化樹脂３７に紫外線を適量照射し、樹脂を硬化させ
仮止めを行う。続いて、４００〜５００℃のＡｒガス等
の不活性ガス中で焼成する。
【００１１】続いて、排気焼成装置にパネルをセット
し、３００℃程度にベーキングしながらパネルの排気管
から真空排気する。その後冷却し、排気管内のゲッター
を所定の方法で加熱して活性化し、その後排気管を封じ
切る。このようにして、図１５に示すような電界放射型
ディスプレイが完成する。
し、３００℃程度にベーキングしながらパネルの排気管
から真空排気する。その後冷却し、排気管内のゲッター
を所定の方法で加熱して活性化し、その後排気管を封じ
切る。このようにして、図１５に示すような電界放射型
ディスプレイが完成する。
【００１２】上記従来の電界放射型ディスプレイの構造
及び製造方法においては、仮止めした後、焼成で仮止め
の樹脂が低融点ガラスが溶ける前に燃えてしまうため高
精度の貼り合わせが難しいく、位置ずれが発生して、歩
留まりが悪かった。具体的には、低融点ガラスの厚みが
２００μｍ程度であり、必要とする位置精度は、５μｍ
以下である。２００μｍ厚の低融点ガラスが４００〜５
００℃で溶けた時に上下のガラス基板は、自由に滑り動
けるため、５μｍの位置精度で押さえ込むことが難し
い。通常なら、治具で押さえ込むことが可能だが、４０
０〜５００℃と高温で、熱膨張率等を合わせる必要があ
るため、難しい。
及び製造方法においては、仮止めした後、焼成で仮止め
の樹脂が低融点ガラスが溶ける前に燃えてしまうため高
精度の貼り合わせが難しいく、位置ずれが発生して、歩
留まりが悪かった。具体的には、低融点ガラスの厚みが
２００μｍ程度であり、必要とする位置精度は、５μｍ
以下である。２００μｍ厚の低融点ガラスが４００〜５
００℃で溶けた時に上下のガラス基板は、自由に滑り動
けるため、５μｍの位置精度で押さえ込むことが難し
い。通常なら、治具で押さえ込むことが可能だが、４０
０〜５００℃と高温で、熱膨張率等を合わせる必要があ
るため、難しい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
すなわち、貼り合わせ精度の高い構造の封着用低融点ガ
ラスフリットを形成し、位置ずれの発生を最小限に押さ
える構造を与え、歩留まりの高い電界放射型ディスプレ
イのを提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
すなわち、貼り合わせ精度の高い構造の封着用低融点ガ
ラスフリットを形成し、位置ずれの発生を最小限に押さ
える構造を与え、歩留まりの高い電界放射型ディスプレ
イのを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、電子放出素子基板と蛍光
体と電極が形成された対向基板の貼り合わせの封着ガラ
ス層において、まず、請求項１に対する発明では、封着
ガラス層を封着温度の異なる２層構造を有している。
に本発明が提供する手段とは、電子放出素子基板と蛍光
体と電極が形成された対向基板の貼り合わせの封着ガラ
ス層において、まず、請求項１に対する発明では、封着
ガラス層を封着温度の異なる２層構造を有している。
【００１５】また、請求項２に対する発明では、封着ガ
ラス層の第１層目を必要なギャップの９０〜９５％の厚
みの構造を有している。
ラス層の第１層目を必要なギャップの９０〜９５％の厚
みの構造を有している。
【００１６】また、請求項３に対する発明では、前記封
着ガラス層の第１層目の封着温度が第２層目の封着温度
より高いこと有している。
着ガラス層の第１層目の封着温度が第２層目の封着温度
より高いこと有している。
【００１７】また、請求項４に対する発明では、前記封
着ガラスは、低融点（４００〜６００℃）ガラスで、低
膨張ガラス（熱膨張係数：４０〜５０Ｅ−７／℃）であ
ることを有している。
着ガラスは、低融点（４００〜６００℃）ガラスで、低
膨張ガラス（熱膨張係数：４０〜５０Ｅ−７／℃）であ
ることを有している。
【００１８】また、請求項５に対する発明では、前記封
着ガラスにスクリーン印刷に適したバインダーの入った
ガラスペーストを用いること有している。
着ガラスにスクリーン印刷に適したバインダーの入った
ガラスペーストを用いること有している。
【００１９】また、請求項６に対する発明では、前記第
１層目の封着ガラスにスクリーン印刷に適したバインダ
ーの入ったガラスペーストを用い第１層目の本焼成（５
００〜６００℃）後に必要なギャップ厚の９０〜９５％
を形成し、第２層目をスクリーン印刷で形成し、濡れた
ままで、素子基板と蛍光体付対向基板を位置決めし、貼
り合わせる工程と、その後、第２層目の乾燥、仮焼成、
本焼成を行う工程を含むことを有している。
１層目の封着ガラスにスクリーン印刷に適したバインダ
ーの入ったガラスペーストを用い第１層目の本焼成（５
００〜６００℃）後に必要なギャップ厚の９０〜９５％
を形成し、第２層目をスクリーン印刷で形成し、濡れた
ままで、素子基板と蛍光体付対向基板を位置決めし、貼
り合わせる工程と、その後、第２層目の乾燥、仮焼成、
本焼成を行う工程を含むことを有している。
【００２０】また、請求項７に対する発明では、前記第
２層目にアルミナ、マグネシア、ジルコニア等と無機バ
インダーからなる耐熱性セラミック接着剤を用いること
を有している。
２層目にアルミナ、マグネシア、ジルコニア等と無機バ
インダーからなる耐熱性セラミック接着剤を用いること
を有している。
【００２１】また、請求項８に対する発明では、前記第
２層目にセラミック接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍
光体付対向基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、そ
の後、２００℃程度の乾燥後、焼成を行う工程を有して
いる。
２層目にセラミック接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍
光体付対向基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、そ
の後、２００℃程度の乾燥後、焼成を行う工程を有して
いる。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明によれば、電界放射型電子
放出素子基板と蛍光体と電極が形成された対向基板の貼
り合わせの封着ガラス層において、封着ガラス層を封着
温度の異なる２層構造で、前記封着ガラス層の第１層目
を必要なギャップの９０〜９５％の厚みとすることを特
徴とし、前記封着ガラス層の第１層目の封着温度が第２
層目の封着温度より高く、前記封着ガラスに低融点（４
００〜６００℃）で、低膨張ガラス（熱膨張係数：４０
〜５０Ｅ−７／℃）であり、前記封着ガラスにスクリー
ン印刷に適したバインダーの入ったガラスペーストを用
いることと、前記第１層目の封着ガラスにスクリーン印
刷に適したバインダーの入ったガラスペーストを用い、
第１層目の本焼成（５００〜６００℃）後に必要なギャ
ップ厚の９０〜９５％を形成し、第２層目をスクリーン
印刷で形成し、濡れたままで、素子基板と蛍光体付対向
基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、その後、第２
層目の乾燥、仮焼成、本焼成を行う工程を含むことを特
徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法によって、
前記第２層目にアルミナ、マグネシア、ジルコニア等と
無機バインダーからなる耐熱性セラミック接着剤を用い
ること、また、前記第２層目にセラミック接着剤を塗布
形成し、素子基板と蛍光体付対向基板を位置決めし、貼
り合わせる工程と、その後、２００℃程度の乾燥後、焼
成を行う工程をことを特徴とする電界放射型ディスプレ
イの製造方法であれば、貼り合わせ精度の高い構造の低
融点ガラスフリットを形成し、位置ずれの発生を最小限
に押さえることができ、歩留まりの高い電界放射型ディ
スプレイを提供することができた。
放出素子基板と蛍光体と電極が形成された対向基板の貼
り合わせの封着ガラス層において、封着ガラス層を封着
温度の異なる２層構造で、前記封着ガラス層の第１層目
を必要なギャップの９０〜９５％の厚みとすることを特
徴とし、前記封着ガラス層の第１層目の封着温度が第２
層目の封着温度より高く、前記封着ガラスに低融点（４
００〜６００℃）で、低膨張ガラス（熱膨張係数：４０
〜５０Ｅ−７／℃）であり、前記封着ガラスにスクリー
ン印刷に適したバインダーの入ったガラスペーストを用
いることと、前記第１層目の封着ガラスにスクリーン印
刷に適したバインダーの入ったガラスペーストを用い、
第１層目の本焼成（５００〜６００℃）後に必要なギャ
ップ厚の９０〜９５％を形成し、第２層目をスクリーン
印刷で形成し、濡れたままで、素子基板と蛍光体付対向
基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、その後、第２
層目の乾燥、仮焼成、本焼成を行う工程を含むことを特
徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法によって、
前記第２層目にアルミナ、マグネシア、ジルコニア等と
無機バインダーからなる耐熱性セラミック接着剤を用い
ること、また、前記第２層目にセラミック接着剤を塗布
形成し、素子基板と蛍光体付対向基板を位置決めし、貼
り合わせる工程と、その後、２００℃程度の乾燥後、焼
成を行う工程をことを特徴とする電界放射型ディスプレ
イの製造方法であれば、貼り合わせ精度の高い構造の低
融点ガラスフリットを形成し、位置ずれの発生を最小限
に押さえることができ、歩留まりの高い電界放射型ディ
スプレイを提供することができた。
【００２３】
（実施例１）本実施例の電界放射型ディスプレイの構造
を図１の断面図に示す。また、本実施例の電界放射型デ
ィスプレイの製造方法を、図２〜図７に示す実施例の製
造工程に従って以下に順に説明する。
を図１の断面図に示す。また、本実施例の電界放射型デ
ィスプレイの製造方法を、図２〜図７に示す実施例の製
造工程に従って以下に順に説明する。
【００２４】本実施例の製造方法では、先ず図２の様に
対向基板１の上に順に透明電極２、蛍光体３を積層す
る。続いて図３に示す様に、封着用の高温（５５０℃）
タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャップの９０％
の高さ（１８０μｍ）で形成する。具体的には、スクリ
ーン印刷で３回重ね刷りした。さらに、貼り合わせギャ
ップを決定する薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ５を
固定し、３１０〜４００℃、空気中で１時間仮焼成し、
脱バイした。
対向基板１の上に順に透明電極２、蛍光体３を積層す
る。続いて図３に示す様に、封着用の高温（５５０℃）
タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャップの９０％
の高さ（１８０μｍ）で形成する。具体的には、スクリ
ーン印刷で３回重ね刷りした。さらに、貼り合わせギャ
ップを決定する薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ５を
固定し、３１０〜４００℃、空気中で１時間仮焼成し、
脱バイした。
【００２５】続いて図４に示した様に、封着用の低温
（４３０℃）タイプの低融点ガラス７を先程の高温（５
５０℃）タイプの低融点ガラス６上に重なる様にアライ
メントし、スクリーン印刷を行った。
（４３０℃）タイプの低融点ガラス７を先程の高温（５
５０℃）タイプの低融点ガラス６上に重なる様にアライ
メントし、スクリーン印刷を行った。
【００２６】続いて図５に示した様に、仮止め用ＵＶ硬
化材４をドット状に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置
にセットする。
化材４をドット状に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置
にセットする。
【００２７】続いて図６に示すように、電子放出素子ア
レイ１１及び排気管１２の形成された電子放出素子基板
１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし、加圧
して、ＵＶ硬化接着材４に３５０ｎｍ付近のＵＶ光を照
射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。
レイ１１及び排気管１２の形成された電子放出素子基板
１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし、加圧
して、ＵＶ硬化接着材４に３５０ｎｍ付近のＵＶ光を照
射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。
【００２８】その後、加圧固定冶具と共に、空気中で３
１０〜４００℃で３０分焼成し脱バイし、その後、Ａｒ
置換炉で４３０℃、１時間焼成した。さらに、排気管１
２を通して、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、
真空引きを行い排気管をチップオフし、図７に示すよう
に、電界放射型ディスプレイパネルを作製した。
１０〜４００℃で３０分焼成し脱バイし、その後、Ａｒ
置換炉で４３０℃、１時間焼成した。さらに、排気管１
２を通して、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、
真空引きを行い排気管をチップオフし、図７に示すよう
に、電界放射型ディスプレイパネルを作製した。
【００２９】（実施例２）本実施例の電界放射型ディス
プレイの構造を図８の断面図に示す。また、本実施例の
電界放射型ディスプレイの製造方法を、図９〜図１４に
示す実施例の製造工程に従って以下に順に説明する。
プレイの構造を図８の断面図に示す。また、本実施例の
電界放射型ディスプレイの製造方法を、図９〜図１４に
示す実施例の製造工程に従って以下に順に説明する。
【００３０】この実施例では、電界放射型素子基板と、
順に透明電極２、蛍光体３を積層された対向基板１の貼
り合わせにおいて、封着ガラス層を低融点ガラスを下層
（第１層）とし、上層（第２層）にアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐熱性セラ
ミツク接着剤を用いた電界放射型ディスプレイを説明す
る。
順に透明電極２、蛍光体３を積層された対向基板１の貼
り合わせにおいて、封着ガラス層を低融点ガラスを下層
（第１層）とし、上層（第２層）にアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐熱性セラ
ミツク接着剤を用いた電界放射型ディスプレイを説明す
る。
【００３１】その製造方法は、第２層としてセラミツク
接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍光体付対向基板を位
置決めして貼り合わせる工程と、その後２００℃程度で
乾燥後焼成を行う工程からなる。
接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍光体付対向基板を位
置決めして貼り合わせる工程と、その後２００℃程度で
乾燥後焼成を行う工程からなる。
【００３２】本実施例の電界放射型ディスプレイの製造
方法を、図９〜図１４に示す実施例の製造工程に従って
以下に順に説明する。
方法を、図９〜図１４に示す実施例の製造工程に従って
以下に順に説明する。
【００３３】本実施例の製造方法では、先ず図９の様に
対向基板１の上に順に透明電極２、蛍光体３を積層す
る。続いて図１０に示す様に、封着用の高温（５５０
℃）タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャップの９
０％の高さ（１８０μｍ）で形成する。具体的には、ス
クリーン印刷で３回重ね刷りした。さらに、貼り合わせ
ギャップを決定する薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ
５を固定し、３１０〜４００℃、空気中で１時間仮焼成
し、脱バイした。
対向基板１の上に順に透明電極２、蛍光体３を積層す
る。続いて図１０に示す様に、封着用の高温（５５０
℃）タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャップの９
０％の高さ（１８０μｍ）で形成する。具体的には、ス
クリーン印刷で３回重ね刷りした。さらに、貼り合わせ
ギャップを決定する薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ
５を固定し、３１０〜４００℃、空気中で１時間仮焼成
し、脱バイした。
【００３４】続いて図１１の様に、第２層にアルミナ、
マグネシア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐
熱性セラミツク接着剤８を、先程の高温タイプの低融点
ガラス６上に、それと重なる様に位置あわせし、スクリ
ーン印刷で塗布形成した。
マグネシア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐
熱性セラミツク接着剤８を、先程の高温タイプの低融点
ガラス６上に、それと重なる様に位置あわせし、スクリ
ーン印刷で塗布形成した。
【００３５】続いて図１２に示した様に、仮止め用ＵＶ
硬化材４をドット状に基板に４点形成し、ガラス基板貼
り合わせ装置にセットする。
硬化材４をドット状に基板に４点形成し、ガラス基板貼
り合わせ装置にセットする。
【００３６】続いて図１３に示すように、電子放出素子
アレイ１１及び排気管１２の形成された電子放出素子基
板１０と蛍光体３の形成された対向基板を位置合わせ
し、加圧して、ＵＶ硬化接着材４に３５０ｎｍ付近のＵ
Ｖ光を照射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。その
後２００℃程度の乾燥を行った後、焼成した。
アレイ１１及び排気管１２の形成された電子放出素子基
板１０と蛍光体３の形成された対向基板を位置合わせ
し、加圧して、ＵＶ硬化接着材４に３５０ｎｍ付近のＵ
Ｖ光を照射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。その
後２００℃程度の乾燥を行った後、焼成した。
【００３７】その後、加圧固定冶具と共に、Ａｒ置換炉
で４３０℃で１時間焼成した。さらに排気管１２を通し
て、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、真空引き
を行い排気管１２をチップオフし、図１４に示すよう
に、電界放射型ディスプレイを作製した。
で４３０℃で１時間焼成した。さらに排気管１２を通し
て、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、真空引き
を行い排気管１２をチップオフし、図１４に示すよう
に、電界放射型ディスプレイを作製した。
【００３８】
【発明の効果】本発明はによれば、電子放出素子基板
と、蛍光体と透明電極が形成された対向基板とを、貼り
合わせの封着ガラス層において、封着ガラス層を封着温
度の異なる２層構造で、前記封着ガラス層の第１層目を
必要なギャップの９０〜９５％の厚みとすることを特徴
とし、前記封着ガラス層の第１層目の封着温度が第２層
目の封着温度より高く、前記封着ガラスに低融点（４０
０〜６００℃）で低膨張なガラス（熱膨張係数：４０〜
５０Ｅ−７／℃）を用いることにより熱膨張による位置
ずれを低減した。
と、蛍光体と透明電極が形成された対向基板とを、貼り
合わせの封着ガラス層において、封着ガラス層を封着温
度の異なる２層構造で、前記封着ガラス層の第１層目を
必要なギャップの９０〜９５％の厚みとすることを特徴
とし、前記封着ガラス層の第１層目の封着温度が第２層
目の封着温度より高く、前記封着ガラスに低融点（４０
０〜６００℃）で低膨張なガラス（熱膨張係数：４０〜
５０Ｅ−７／℃）を用いることにより熱膨張による位置
ずれを低減した。
【００３９】また、前記封着ガラスにスクリーン印刷に
適したバインダーの入ったガラスペーストを用いること
と、前記第１層目の封着ガラスにスクリーン印刷に適し
たバインダーの入ったガラスペーストを用い第１層目の
本焼成（５００〜６００℃）後に必要なギャップ厚の９
０〜９５％を形成し、第２層目をスクリーン印刷で形成
し、濡れたままで、素子基板と蛍光体付対向基板を位置
決めするために、精度の良い位置合わせが出来るととも
に、封着時には、従来の２００μｍ全部が溶けるのでは
無く、２０〜３０μｍだけ溶けるため、位置ずれが起こ
り難い構造となっている為、従来に比べて位置ずれの少
ない電界放射型ディスプレイを提供することができた。
適したバインダーの入ったガラスペーストを用いること
と、前記第１層目の封着ガラスにスクリーン印刷に適し
たバインダーの入ったガラスペーストを用い第１層目の
本焼成（５００〜６００℃）後に必要なギャップ厚の９
０〜９５％を形成し、第２層目をスクリーン印刷で形成
し、濡れたままで、素子基板と蛍光体付対向基板を位置
決めするために、精度の良い位置合わせが出来るととも
に、封着時には、従来の２００μｍ全部が溶けるのでは
無く、２０〜３０μｍだけ溶けるため、位置ずれが起こ
り難い構造となっている為、従来に比べて位置ずれの少
ない電界放射型ディスプレイを提供することができた。
【００４０】また、前記第２層目にアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐熱性セラ
ミック接着剤を用いることと、また、前記第２層目にセ
ラミック接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍光体付対向
基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、その後、２０
０℃程度の乾燥後、焼成を行う工程をことを特徴とする
電界放射型ディスプレイの製造方法であり、貼り合わせ
精度の高い構造の低融点ガラスフリットを形成し、位置
ずれの発生を最小限に抑える事が出来、歩留りの高い電
界放射型ディスプレイを提供することができた。
ア、ジルコニア等と無機バインダーからなる耐熱性セラ
ミック接着剤を用いることと、また、前記第２層目にセ
ラミック接着剤を塗布形成し、素子基板と蛍光体付対向
基板を位置決めし、貼り合わせる工程と、その後、２０
０℃程度の乾燥後、焼成を行う工程をことを特徴とする
電界放射型ディスプレイの製造方法であり、貼り合わせ
精度の高い構造の低融点ガラスフリットを形成し、位置
ずれの発生を最小限に抑える事が出来、歩留りの高い電
界放射型ディスプレイを提供することができた。
【００４１】
【図１】本発明の電界放射型ディスプレイの完成断面図
である。
である。
【図２】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図３】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図４】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図５】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図６】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図７】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図８】図２から図８の製造方法と別な製造方法による
電界放射型ディスプレイ電子放出素子の製造方法による
完成断面図である。
電界放射型ディスプレイ電子放出素子の製造方法による
完成断面図である。
【図９】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図１０】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１１】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１２】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１３】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１４】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１５】従来の電界放射型ディスプレイの構造の完成
断面図である。
断面図である。
【図１６】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
【図１７】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
【図１８】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
【図１９】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
【図２０】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
【図２１】図１５の電界放射型ディスプレイの製造工程
の断面図である。
の断面図である。
１…対向基板 ２…透明電極 ３…蛍光体 ４…仮止め用ＵＶ硬化剤 ５…スペーサ ６…高温タイプの低融点ガラス ７…低温タイプの低融点ガラス ８…耐熱性セラミック接着剤 １０…電子放出素子基板 １１…電子放出素子アレイ １２…排気管 ２１…絶縁性基板 ２２…蛍光体 ２３…透明電極 ３１…絶縁性基板 ３２…電子放出素子アレイ ３３…スペーサ ３４…低融点ガラス ３５…真空 ３６…排気管 ３７…仮止め用ＵＶ硬化剤
Claims (8)
- 【請求項１】電子放出素子基板と蛍光体と電極が形成さ
れた対向基板の貼り合わせの封着ガラス層において、封
着ガラス層を封着温度の異なる２層構造とすることを特
徴とする電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項２】前記封着ガラス層の第１層目を必要なギャ
ップの９０〜９５％の厚みとすることを特徴とする電界
放射型ディスプレイ。 - 【請求項３】前記封着ガラス層の第１層目の封着温度が
第２層目の封着温度より高いことを特徴とする電界放射
型ディスプレイ。 - 【請求項４】前記封着ガラスは、低融点（４００〜６０
０℃）ガラスで、低膨張ガラス（熱膨張係数：４０〜５
０Ｅ−７／℃）であることを特徴とする電界放射型ディ
スプレイ。 - 【請求項５】前記封着ガラスにスクリーン印刷に適した
バインダーの入ったガラスペーストを用いることを特徴
とする電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項６】前記第１層目の封着ガラスにスクリーン印
刷に適したバインダーの入ったガラスペーストを用い第
１層目の本焼成（５００〜６００℃）後に必要なギャッ
プ厚の９０〜９５％を形成し、第２層目をスクリーン印
刷で形成し、濡れたままで、素子基板と蛍光体付対向基
板を位置決めし、貼り合わせる工程と、その後、第２層
目の乾燥、仮焼成、本焼成を行う工程を含むことを特徴
とする電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項７】前記第２層目にアルミナ、マグネシア、ジ
ルコニア等と無機バインダーからなる耐熱性セラミック
接着剤を用いることを特徴とする電界放射型ディスプレ
イ。 - 【請求項８】前記第２層目にセラミック接着剤を塗布形
成し、素子基板と蛍光体付対向基板を位置決めし、貼り
合わせる工程と、その後、２００℃程度の乾燥後、焼成
を行う工程をことを特徴とする電界放射型ディスプレイ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276397A JPH10208676A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276397A JPH10208676A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208676A true JPH10208676A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11814448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276397A Pending JPH10208676A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002140985A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルおよびその製造方法 |
| CN1328750C (zh) * | 2002-11-05 | 2007-07-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具密封装置之场发射显示器 |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP1276397A patent/JPH10208676A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002140985A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルおよびその製造方法 |
| CN1328750C (zh) * | 2002-11-05 | 2007-07-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具密封装置之场发射显示器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5667418A (en) | Method of fabricating flat panel device having internal support structure | |
| JPH10208676A (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 | |
| EP0042003B1 (en) | Method for forming a fusible spacer for plasma display panel | |
| US4428764A (en) | Method of making fusible spacer for display panel | |
| JP3750250B2 (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 | |
| JP4139699B2 (ja) | 電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びそのキャップ製造方法 | |
| JP2000260304A (ja) | フラットパネルディスプレイ | |
| JP2000057979A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JPH10214580A (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP3121211B2 (ja) | 真空容器の封着方法および画像表示装置の製造方法 | |
| JP2000021335A (ja) | パネル型真空気密容器 | |
| US6533632B1 (en) | Method of evacuating and sealing flat panel displays and flat panel displays using same | |
| JP3060652B2 (ja) | 蛍光表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07130304A (ja) | 平面型画像表示装置 | |
| JPH04264328A (ja) | ガス放電表示パネルの製造方法 | |
| JP2000090829A (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
| JP2002163977A (ja) | 平面型ディスプレイパネル用平面基板、これを用いた平面型ディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2007207436A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| JP2001351521A (ja) | 画像表示装置の製造方法および製造装置 | |
| JPH0436923A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JP3073488B2 (ja) | 画像形成装置とその製造方法 | |
| JP2871496B2 (ja) | 平面型蛍光ランプの製造方法 | |
| JP3407347B2 (ja) | フラットディスプレイ及びその製造方法 | |
| KR19980084877A (ko) | Fed의 진공패키징방법 | |
| JP2824247B2 (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20031215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050308 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |