JPH10214580A - 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
電界放射型ディスプレイ及びその製造方法Info
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- JPH10214580A JPH10214580A JP1638097A JP1638097A JPH10214580A JP H10214580 A JPH10214580 A JP H10214580A JP 1638097 A JP1638097 A JP 1638097A JP 1638097 A JP1638097 A JP 1638097A JP H10214580 A JPH10214580 A JP H10214580A
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- glass
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高温焼成中でも、アレイ基板と蛍光体付対向基
板の貼り合わせの位置ずれが小さく、歩留まり良く電界
放射型ディスプレイを作製できる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子の張り合わせにお
いて、位置決めを行い、仮止めを低融点ガラスのドット
パターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で形成し、さらに仮
止め層の構成はＵＶ硬化樹脂と低融点ガラスフリットの
２層とし、低融点ガラスフリットは、予め焼成硬化させ
たもので、高さはギャップより５〜３０％程度低く形成
し、ＵＶ硬化樹脂をその上にギャップより５〜３０％程
度高く形成し、仮止め用低融点ガラスフリットは、封着
ガラス融点より高い材料の低融点ガラスとする。
板の貼り合わせの位置ずれが小さく、歩留まり良く電界
放射型ディスプレイを作製できる。 【解決手段】電界放射型電子放出素子の張り合わせにお
いて、位置決めを行い、仮止めを低融点ガラスのドット
パターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で形成し、さらに仮
止め層の構成はＵＶ硬化樹脂と低融点ガラスフリットの
２層とし、低融点ガラスフリットは、予め焼成硬化させ
たもので、高さはギャップより５〜３０％程度低く形成
し、ＵＶ硬化樹脂をその上にギャップより５〜３０％程
度高く形成し、仮止め用低融点ガラスフリットは、封着
ガラス融点より高い材料の低融点ガラスとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば平板型画像
表示装置に用いられる電界放射型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）およびその製造方法に関するものである。
表示装置に用いられる電界放射型ディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報化社会の進展によりテレビや
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質や性能に対する要求は、よ
り厳しくなってきている。
コンピュータ等に用いられるディスプレイ装置は、マン
・マシン・インターフェースとして今や不可欠のものと
なっている。そして、このディスプレイ装置の様々な用
途への拡大と共に、表示品質や性能に対する要求は、よ
り厳しくなってきている。
【０００３】現状の開発動向は、特に大型化と高精細化
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
と平面化であり、平面ディスプレイとして液晶ディスプ
レイが伸びてきており、その理由としては、従来のＣＲ
Ｔ表示に比べて小型で、重量が軽く、薄型であること、
そのため航空機、鉄道、車等の狭い空間でのディスプレ
イ装置として新たに用途が拡大した。
【０００４】この液晶ディスプレイの欠点は視野角が狭
いこと、バックライトの消費電力が大きいこと等であ
る。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプレイ装置の
開発が望まれている。その薄型の自発光型ディスプレイ
装置に用いられる電子放出源として、熱電子よりも低消
費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわれている。
特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強電界（１０
7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰極の先端の
曲率半径がサブミクロン以下になるように加工されてい
る。このような電界放出型の電子放出素子は、以下の特
徴を持っている。（１）電流密度が高い。（２）電力消
費が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技術である微細
加工技術が利用できる。
いこと、バックライトの消費電力が大きいこと等であ
る。そこで、新しい薄型の自発光型ディスプレイ装置の
開発が望まれている。その薄型の自発光型ディスプレイ
装置に用いられる電子放出源として、熱電子よりも低消
費電力が可能な冷陰極の開発が活発に行なわれている。
特に電界放出型電子放出（放射）素子は、強電界（１０
7 Ｖ／ｃｍ）が冷陰極に集中するように、陰極の先端の
曲率半径がサブミクロン以下になるように加工されてい
る。このような電界放出型の電子放出素子は、以下の特
徴を持っている。（１）電流密度が高い。（２）電力消
費が少ない。（３）近年のＬＳＩの製造技術である微細
加工技術が利用できる。
【０００５】従来、この電界放射型の電子放出（放射）
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
素子および製造方法として、幾つか提案がなされてい
る。すなわち、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（１９６８年，第３９巻７号，ｐ．３５０４〜３
５０５）や、特開昭６１ー２２１７８３号公報等に記載
されている。
【０００６】この開発中の電界放射型ディスプレイの代
表的構造例を、図８の断面図に示す。図中２１はガラス
基板等の絶縁性基板であり、この基板２１上に蛍光体２
２と透明電極２３が形成されている。また、図中３１も
ガラス基板等の絶縁性基板であり、電界放射型素子アレ
イ３２が形成されている。上記、２枚の絶縁性基板は、
ギャップを一定に保つスペーサー３３を挟んで、低融点
ガラス３４で封着密封されており、２枚の絶縁性基板で
挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8Ｔｏｒｒ台
の高真空に保たれている。
表的構造例を、図８の断面図に示す。図中２１はガラス
基板等の絶縁性基板であり、この基板２１上に蛍光体２
２と透明電極２３が形成されている。また、図中３１も
ガラス基板等の絶縁性基板であり、電界放射型素子アレ
イ３２が形成されている。上記、２枚の絶縁性基板は、
ギャップを一定に保つスペーサー３３を挟んで、低融点
ガラス３４で封着密封されており、２枚の絶縁性基板で
挟まれた空間３５は、例えば１０-6〜１０-8Ｔｏｒｒ台
の高真空に保たれている。
【０００７】上記従来の電界放射型ディスプレイの製造
方法は、図９〜図１４に示すように、まず、図９に示す
様にガラス基板上２１に透明電極２３が形成され、その
上に、蛍光体２２と、必要ならばブラックマトリクスと
スペーサ３３が形成された対向基板２１を作製する。
方法は、図９〜図１４に示すように、まず、図９に示す
様にガラス基板上２１に透明電極２３が形成され、その
上に、蛍光体２２と、必要ならばブラックマトリクスと
スペーサ３３が形成された対向基板２１を作製する。
【０００８】続いて、図１０に示すように低融点ガラス
フリットで排気管３６を固定し、続いて、図１１に示す
ように、低融点ガラスフリットで封着用シール形状３４
に塗布し、乾燥させ、さらに３００℃〜４００℃で仮焼
成を行い低融点ガラスの脱バイを行う。
フリットで排気管３６を固定し、続いて、図１１に示す
ように、低融点ガラスフリットで封着用シール形状３４
に塗布し、乾燥させ、さらに３００℃〜４００℃で仮焼
成を行い低融点ガラスの脱バイを行う。
【０００９】続いて、図１２に示すように、ＵＶ硬化樹
脂３７を所定の位置に所定のギャップの高さより高く形
成し、乾燥させる。
脂３７を所定の位置に所定のギャップの高さより高く形
成し、乾燥させる。
【００１０】一方、図１３に示すように、電界放射型素
子アレイ基板３１と対向基板２１を位置決めし貼り合わ
せ、固定のため２枚の上記基板を所定のギャップ厚でＵ
Ｖ硬化樹脂３７に紫外線を適量照射し、樹脂を硬化させ
仮止めを行う。続いて、４００〜５００℃のＡｒガス等
の不活性ガス中で焼成する。
子アレイ基板３１と対向基板２１を位置決めし貼り合わ
せ、固定のため２枚の上記基板を所定のギャップ厚でＵ
Ｖ硬化樹脂３７に紫外線を適量照射し、樹脂を硬化させ
仮止めを行う。続いて、４００〜５００℃のＡｒガス等
の不活性ガス中で焼成する。
【００１１】すると、２００〜３００℃程度でＵＶ硬化
樹脂が溶け、２枚の基板の位置関係は自由になる。さら
に４００〜５００℃で低融点ガラスが溶け、さらに４０
０℃以下まで下がり、低融点ガラスが固まるまで、２枚
のガラス基板の位置関係は、比較的自由になる。そこで
予め冶具を用いて２枚のガラスの位置関係がずれないよ
うに固定しながら焼成を行い、図１４に示すように電界
放射型ディスプレイパネルが完成する。
樹脂が溶け、２枚の基板の位置関係は自由になる。さら
に４００〜５００℃で低融点ガラスが溶け、さらに４０
０℃以下まで下がり、低融点ガラスが固まるまで、２枚
のガラス基板の位置関係は、比較的自由になる。そこで
予め冶具を用いて２枚のガラスの位置関係がずれないよ
うに固定しながら焼成を行い、図１４に示すように電界
放射型ディスプレイパネルが完成する。
【００１２】上記従来の電界放射型ディスプレイの構造
及び製造方法においては、高温下で冶具で２枚のガラス
を固定するが、冶具と基板の熱膨張率の差等から高精度
の貼り合わせが難しく、位置ずれが発生し、歩留まりが
悪かった。すなわち、低融点ガラスの厚みは、２００μ
ｍ程度であり、一方、具体的に要求される位置精度は、
５μｍ以下である。２００μｍ厚の低融点ガラスが４０
０〜５００℃で溶けた時に上下のガラス基板は、自由に
滑り動けるため、５μｍの位置精度で押さえ込むことが
難しい。２００℃程度なら、治具で押さえ込むことが可
能であるが、４００〜５００℃と高温であるため、熱膨
張率等を合わせる必要があるため難しい。
及び製造方法においては、高温下で冶具で２枚のガラス
を固定するが、冶具と基板の熱膨張率の差等から高精度
の貼り合わせが難しく、位置ずれが発生し、歩留まりが
悪かった。すなわち、低融点ガラスの厚みは、２００μ
ｍ程度であり、一方、具体的に要求される位置精度は、
５μｍ以下である。２００μｍ厚の低融点ガラスが４０
０〜５００℃で溶けた時に上下のガラス基板は、自由に
滑り動けるため、５μｍの位置精度で押さえ込むことが
難しい。２００℃程度なら、治具で押さえ込むことが可
能であるが、４００〜５００℃と高温であるため、熱膨
張率等を合わせる必要があるため難しい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
電界放射型ディスプレイの製造方法においては、焼成中
に、電子放出素子基板と蛍光体と透明電極の形成された
対向基板の位置ずれを抑えることが難しいと言う問題が
あった。
電界放射型ディスプレイの製造方法においては、焼成中
に、電子放出素子基板と蛍光体と透明電極の形成された
対向基板の位置ずれを抑えることが難しいと言う問題が
あった。
【００１４】本発明は前記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、位置ずれの少ない歩
留まりの良い張り合わせの行えるパネル構造と製造方法
を提供することにある。
であり、その目的とするところは、位置ずれの少ない歩
留まりの良い張り合わせの行えるパネル構造と製造方法
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、電子放出素子アレイ基板
と蛍光体と電極が形成された対向基板の貼り合わせにお
いて、まず、請求項１及び６に対する発明では、貼り合
わせの位置決めを行い、仮止めを低融点ガラスのドット
パターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で行う構造を有して
いる。
に本発明が提供する手段とは、電子放出素子アレイ基板
と蛍光体と電極が形成された対向基板の貼り合わせにお
いて、まず、請求項１及び６に対する発明では、貼り合
わせの位置決めを行い、仮止めを低融点ガラスのドット
パターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で行う構造を有して
いる。
【００１６】また、請求項２及び７に対する発明では、
ドット状のパターンを他の構造部材の障害にならない場
所、形状に形成する。仮止めであるから、本来はどのよ
うな形状でも良いが、この場合に最も形成し易い形状と
して、ドット形状を例示したものである。
ドット状のパターンを他の構造部材の障害にならない場
所、形状に形成する。仮止めであるから、本来はどのよ
うな形状でも良いが、この場合に最も形成し易い形状と
して、ドット形状を例示したものである。
【００１７】また、請求項３及び８に対する発明では、
基板上に１〜４ｍｍ2 の面積のドット状のパターンを４
ヶ所程度形成する構造を有している。なお、３ヶ所以上
とは、一般には以下の本実施例に示してある様に、４箇
所が代表的であるが、それに限らず疑似的に位置と基板
間隔が安定する様な６箇所、もしくは４隅で実質的に仮
止めしており、その仮止めどうしが連結している形状等
を含む。
基板上に１〜４ｍｍ2 の面積のドット状のパターンを４
ヶ所程度形成する構造を有している。なお、３ヶ所以上
とは、一般には以下の本実施例に示してある様に、４箇
所が代表的であるが、それに限らず疑似的に位置と基板
間隔が安定する様な６箇所、もしくは４隅で実質的に仮
止めしており、その仮止めどうしが連結している形状等
を含む。
【００１８】また、請求項４及び９に対する発明では、
前記仮止め層の構成は、上層をＵＶ硬化樹脂、下層を低
融点ガラスフリットの２層とし、低融点ガラスフリット
は、予め焼成し硬化させたもので、高さは、２枚のガラ
スの貼り合わせギャップより５〜３０％程度低く形成
し、ＵＶ硬化樹脂をその上にガラスの貼り合わせギャッ
プより５〜３０％程度高く形成した構造を有している。
前記仮止め層の構成は、上層をＵＶ硬化樹脂、下層を低
融点ガラスフリットの２層とし、低融点ガラスフリット
は、予め焼成し硬化させたもので、高さは、２枚のガラ
スの貼り合わせギャップより５〜３０％程度低く形成
し、ＵＶ硬化樹脂をその上にガラスの貼り合わせギャッ
プより５〜３０％程度高く形成した構造を有している。
【００１９】また、請求項５及び請求項１０に対する発
明では、前記仮止め用低融点ガラスフリットは、２枚の
貼り合わせ封着ガラス融点（４００℃〜５００℃）より
高い（５００〜６００℃）材料の低融点ガラスであるこ
とを特徴とする構造を有している。
明では、前記仮止め用低融点ガラスフリットは、２枚の
貼り合わせ封着ガラス融点（４００℃〜５００℃）より
高い（５００〜６００℃）材料の低融点ガラスであるこ
とを特徴とする構造を有している。
【００２０】すなわち、室温で位置決めを行い貼り合わ
せ、仮止め用低膨張ガラス上ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行
う。その後、焼成炉に入れ加熱する。まずＵＶ硬化樹脂
が溶けるがＵＶ硬化樹脂の厚みを２００μｍより十分薄
く（５〜３０μｍ）してあるため、そのずれ量は、小さ
い。また、ＵＶ硬化樹脂層の下層は、封着ガラス（低融
点ガラスフリット）の温度では、溶けないため形状が崩
れない。そのため、位置ずれの発生を最小限に押さえる
構造を与え、歩留まりの高い電界放射型ディスプレイの
を提供することにある。
せ、仮止め用低膨張ガラス上ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行
う。その後、焼成炉に入れ加熱する。まずＵＶ硬化樹脂
が溶けるがＵＶ硬化樹脂の厚みを２００μｍより十分薄
く（５〜３０μｍ）してあるため、そのずれ量は、小さ
い。また、ＵＶ硬化樹脂層の下層は、封着ガラス（低融
点ガラスフリット）の温度では、溶けないため形状が崩
れない。そのため、位置ずれの発生を最小限に押さえる
構造を与え、歩留まりの高い電界放射型ディスプレイの
を提供することにある。
【００２１】本発明によれば、電子放出素子基板と蛍光
体と透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ位置決
めを行った後、ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行うが、ＵＶ硬
化層が従来（２００μｍ）に比較し薄い（５〜３０μ
ｍ）ため、ＵＶ硬化樹脂が溶けても位置ずれが少ないこ
とから、歩留まりの良い貼り合わせを行うことができ
た。
体と透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ位置決
めを行った後、ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行うが、ＵＶ硬
化層が従来（２００μｍ）に比較し薄い（５〜３０μ
ｍ）ため、ＵＶ硬化樹脂が溶けても位置ずれが少ないこ
とから、歩留まりの良い貼り合わせを行うことができ
た。
【００２２】また、ＵＶ硬化層の下層も、前記封着ガラ
ス層と同様な低融点ガラスであるが、その融点は、封着
ガラスより高いため、封着時に形状が崩れることもな
く、位置ずれを起こしにくい構造となっている。
ス層と同様な低融点ガラスであるが、その融点は、封着
ガラスより高いため、封着時に形状が崩れることもな
く、位置ずれを起こしにくい構造となっている。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明における電界放射型ディス
プレイパネルの構造は、図１の断面図に示すように、電
子放出素子基板と蛍光体と透明電極が形成された対向基
板の貼り合わせにおいて、貼り合わせの位置決めを行
い、仮止めを低融点ガラスフリットパターン上に形成し
たＵＶ硬化樹脂で行うことを特徴とする電界放射型ディ
スプレイパネルである。また、図２に概要平面図を示
す。
プレイパネルの構造は、図１の断面図に示すように、電
子放出素子基板と蛍光体と透明電極が形成された対向基
板の貼り合わせにおいて、貼り合わせの位置決めを行
い、仮止めを低融点ガラスフリットパターン上に形成し
たＵＶ硬化樹脂で行うことを特徴とする電界放射型ディ
スプレイパネルである。また、図２に概要平面図を示
す。
【００２４】本発明の電界放射型ディスプレイパネルの
製造方法を、図３〜図７に示す実施例の製造工程に従っ
て以下に順に説明する。
製造方法を、図３〜図７に示す実施例の製造工程に従っ
て以下に順に説明する。
【００２５】本発明における電界放射型ディスプレイパ
ネルの製造方法は、図３の工程に示すように、例えば、
蛍光体３と透明電極２が形成された対向基板１上の仮止
めの位置に低融点ガラス４を２枚のガラス基板の貼り合
わせギャップより低い所定の高さで形成し、高温（５５
０℃）で焼成する。
ネルの製造方法は、図３の工程に示すように、例えば、
蛍光体３と透明電極２が形成された対向基板１上の仮止
めの位置に低融点ガラス４を２枚のガラス基板の貼り合
わせギャップより低い所定の高さで形成し、高温（５５
０℃）で焼成する。
【００２６】続いて図４に示すように、低融点ガラス６
を貼り合わせギャップより高い所定の高さで形成し、さ
らに貼り合わせギャップを決めるスペーサ５を固定し、
１時間仮焼成する。
を貼り合わせギャップより高い所定の高さで形成し、さ
らに貼り合わせギャップを決めるスペーサ５を固定し、
１時間仮焼成する。
【００２７】次に基板冷却し、続いて図５に示すよう
に、仮止め用ＵＶ硬化材７をドット状の低融点ガラス４
上に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置にセットする。
に、仮止め用ＵＶ硬化材７をドット状の低融点ガラス４
上に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置にセットする。
【００２８】続いて図６に示すように、電子放出素子基
板１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし加圧
してＵＶ光を照射し硬化させ、２枚の基板を固定した。
板１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし加圧
してＵＶ光を照射し硬化させ、２枚の基板を固定した。
【００２９】その後、加圧固定冶具と共に焼成した。さ
らに、排気管１２を通して、真空引きし、先端のゲッタ
ーを活性化し、真空引きを行い排気管をチップオフし、
図７に示すように、電界放射型ディスプレイパネルを作
製した。
らに、排気管１２を通して、真空引きし、先端のゲッタ
ーを活性化し、真空引きを行い排気管をチップオフし、
図７に示すように、電界放射型ディスプレイパネルを作
製した。
【００３０】
【実施例】本発明における電界放射型ディスプレイパネ
ルの構造は、図１の断面図に示すように、電子放出基板
と蛍光体と透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ
において、貼り合わせの位置決めを行い、仮止めを低融
点ガラスフリットパターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で
行うことを特徴とする電界放射型ディスプレイパネルで
ある。また、図２に概要平面図を示す。
ルの構造は、図１の断面図に示すように、電子放出基板
と蛍光体と透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ
において、貼り合わせの位置決めを行い、仮止めを低融
点ガラスフリットパターン上に形成したＵＶ硬化樹脂で
行うことを特徴とする電界放射型ディスプレイパネルで
ある。また、図２に概要平面図を示す。
【００３１】本発明の電界放射型ディスプレイパネルの
製造方法を、図３〜図７に示す実施例の製造工程に従っ
て以下に順に説明する。
製造方法を、図３〜図７に示す実施例の製造工程に従っ
て以下に順に説明する。
【００３２】本発明における電界放射型ディスプレイパ
ネルの製造方法は、図３の工程に示すように、例えば、
蛍光体３と透明電極２が形成された対向基板１上の仮止
めの位置にドット状に高温（５５０℃）タイプの低融点
ガラス４を２枚のガラス基板の貼り合わせギャップより
低い所定の高さで形成し、高温（５５０℃）で焼成す
る。
ネルの製造方法は、図３の工程に示すように、例えば、
蛍光体３と透明電極２が形成された対向基板１上の仮止
めの位置にドット状に高温（５５０℃）タイプの低融点
ガラス４を２枚のガラス基板の貼り合わせギャップより
低い所定の高さで形成し、高温（５５０℃）で焼成す
る。
【００３３】続いて図４に示すように、封着用の低温
（４３０℃）タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャ
ップより高い所定の高さで形成し、さらに貼り合わせギ
ャップを決める薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ５を
固定し、３１０〜４００℃の温度、空気中で１時間仮焼
成する。
（４３０℃）タイプの低融点ガラス６を貼り合わせギャ
ップより高い所定の高さで形成し、さらに貼り合わせギ
ャップを決める薄ガラスの２００μｍ厚のスペーサ５を
固定し、３１０〜４００℃の温度、空気中で１時間仮焼
成する。
【００３４】まず基板冷却し、続いて図５に示すよう
に、仮止め用ＵＶ硬化材７をドット状の低融点ガラス４
上に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置にセットする。
に、仮止め用ＵＶ硬化材７をドット状の低融点ガラス４
上に形成し、ガラス基板貼り合わせ装置にセットする。
【００３５】続いて図６に示すように、電子放出素子基
板１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし、加
圧して、ＵＶ硬化接着材７に３５０ｎｍ付近のＵＶ光を
照射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。
板１０と蛍光体３の形成された基板を位置合わせし、加
圧して、ＵＶ硬化接着材７に３５０ｎｍ付近のＵＶ光を
照射し、硬化させ、２枚の基板を固定した。
【００３６】その後、加圧固定冶具と共に、Ａｒ置換炉
で４３０℃、１時間焼成した。さらに、排気管１２を通
して、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、真空引
きを行い排気管をチップオフし、図７に示すように、電
界放射型ディスプレイパネルを作製した。
で４３０℃、１時間焼成した。さらに、排気管１２を通
して、真空引きし、先端のゲッターを活性化し、真空引
きを行い排気管をチップオフし、図７に示すように、電
界放射型ディスプレイパネルを作製した。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、電子放出素子基板と蛍光体と
透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ位置決めを
行った後ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行うが、ＵＶ硬化層が
従来（２００μｍ）に比較し薄い（５〜３０μｍ）た
め、ＵＶ硬化樹脂が溶けても位置ずれが少ないことか
ら、歩留まりの良い貼り合わせを行うことが期待でき
る。
透明電極が形成された対向基板の貼り合わせ位置決めを
行った後ＵＶ硬化樹脂で仮止めを行うが、ＵＶ硬化層が
従来（２００μｍ）に比較し薄い（５〜３０μｍ）た
め、ＵＶ硬化樹脂が溶けても位置ずれが少ないことか
ら、歩留まりの良い貼り合わせを行うことが期待でき
る。
【００３８】また、ＵＶ硬化層の下層も、前記封着ガラ
ス層と同様な低融点ガラスであるが、その融点は、封着
ガラスより高いため、封着時に形状が崩れることもな
く、位置ずれを起こしにくい構造となっている。歩留ま
りの良い貼り合わせを行うことができた。
ス層と同様な低融点ガラスであるが、その融点は、封着
ガラスより高いため、封着時に形状が崩れることもな
く、位置ずれを起こしにくい構造となっている。歩留ま
りの良い貼り合わせを行うことができた。
【００３９】
【図１】本発明の電界放射型ディスプレイの完成断面図
である。
である。
【図２】本発明の電界放射型ディスプレイの完成概要平
面図である。
面図である。
【図３】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図４】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図５】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図６】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図７】図１の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図８】従来の電界放射型ディスプレイの構造の完成断
面図である。
面図である。
【図９】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の断
面図である。
面図である。
【図１０】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１１】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１２】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１３】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
【図１４】図８の電界放射型ディスプレイの製造工程の
断面図である。
断面図である。
１…対向基板 ２…透明電極 ３…蛍光体 ４・・・ 仮止め用低融点ガラス（仮止め層下層） ５・・・ スペーサ ６・・・ 封着用低融点ガラス １０・・・ 電子放出素子基板 １１・・・ 電子放出素子アレイ １２・・・ 排気管 ２１・・・ 絶縁性基板 ２２… 蛍光体 ２３… 透明電極 ３１… 絶縁性基板 ３２… 電子放出素子アレイ ３３… スペーサ ３４… 封着用低融点ガラス ３５… ２枚の絶縁性基板で挟まれた空間（真空）
Claims (10)
- 【請求項１】電子放出素子基板と蛍光体と透明電極が形
成された対向基板の貼り合わせにおいて貼り合わせの位
置決めを行い、仮止めを低融点ガラスのパターン状に形
成したＵＶ硬化樹脂で行うことを特徴とする電界放射型
ディスプレイの製造方法。 - 【請求項２】前記仮止めは、ドットパターン状に形成し
たＵＶ硬化樹脂で行うことを特徴とする請求項１記載の
電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３】前記仮止めは、基板上に１〜４ｍｍ2 の面
積のドット状のパターンを３ヶ所以上形成することを特
徴とする請求項１記載の電界放射型ディスプレイの製造
方法。 - 【請求項４】前記仮止め層の構成は、上層をＵＶ硬化樹
脂、下層を低融点ガラスフリットの２層とし、低融点ガ
ラスフリットは、予め焼成し硬化させたもので、高さは
電子放出素子基板と対向基板の貼り合わせギャップより
５〜３０％程度低く形成し、ＵＶ硬化樹脂をその上に２
枚の基板の貼り合わせギャップより５〜３０％程度高く
形成したことを特徴とする請求項１記載の電界放射型デ
ィスプレイの製造方法。 - 【請求項５】前記仮止め用低融点ガラスフリットは、２
枚の基板の貼り合わせ封着ガラス融点（４００℃〜５０
０℃）より高い（５００〜６００℃）材料の低融点ガラ
スであることを特徴とする請求項３記載の電界放射型デ
ィスプレイの製造方法。 - 【請求項６】電子放出素子基板と蛍光体と透明電極が形
成された対向基板の貼り合わされた電界放射型ディスプ
レイにおいて、仮止め用低融点ガラスのドットパターン
が設けられていることを特徴とする電界放射型ディスプ
レイ。 - 【請求項７】前記仮止めは、ドット状のパターンである
ことを特徴とする請求項６記載の電界放射型ディスプレ
イ。 - 【請求項８】前記仮止めは、基板上に１〜４ｍｍ2 の面
積のドット状のパターンを３ヶ所以上形成することを特
徴とする請求項６記載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項９】前記仮止め層の構成は、上層をＵＶ硬化樹
脂、下層を低融点ガラスフリットの２層とし、低融点ガ
ラスフリットは、予め焼成し硬化させたもので、高さは
電子放出素子基板と対向基板の貼り合わせギャップより
５〜３０％程度低く形成され、ＵＶ硬化４１をその上に
２枚の基板の貼り合わせギャップより５〜３０％程度高
く形成しされたことを特徴とする請求項６記載の電界放
射型ディスプレイ。 - 【請求項１０】前記仮止め用低融点ガラスフリットは、
２枚の基板の張り合わせ封着ガラス融点（４００℃〜５
００℃）より高い（５００〜６００℃）材料の低融点ガ
ラスであることを特徴とする請求項９記載の電界放射型
ディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638097A JPH10214580A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1638097A JPH10214580A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214580A true JPH10214580A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11914685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1638097A Pending JPH10214580A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 電界放射型ディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214580A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004021387A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 平面型表示装置 |
| KR100527081B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 패널의 제조 방법 |
| US7800303B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-09-21 | Corning Incorporated | Seal for light emitting display device, method, and apparatus |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1638097A patent/JPH10214580A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100527081B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2005-11-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 패널의 제조 방법 |
| WO2004021387A1 (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 平面型表示装置 |
| US7800303B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-09-21 | Corning Incorporated | Seal for light emitting display device, method, and apparatus |
| US8134293B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-03-13 | Corning Incorporated | Seal for light emitting display device, method, and apparatus |
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