JP3407347B2 - フラットディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
フラットディスプレイ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3407347B2 JP3407347B2 JP21423093A JP21423093A JP3407347B2 JP 3407347 B2 JP3407347 B2 JP 3407347B2 JP 21423093 A JP21423093 A JP 21423093A JP 21423093 A JP21423093 A JP 21423093A JP 3407347 B2 JP3407347 B2 JP 3407347B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frit
- panel
- flat display
- seal
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラットディスプレ
イ、特に例えば電界放出型カソード等の電子放出源を有
する電極構体に対向して蛍光面を設けて成るフラットデ
ィスプレイ及びその製造方法に係わる。
イ、特に例えば電界放出型カソード等の電子放出源を有
する電極構体に対向して蛍光面を設けて成るフラットデ
ィスプレイ及びその製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】低電圧励起で比較的解像度が高いフラッ
トディスプレイとして、電界放出型マイクロカソードを
用いたいわゆるＦＥＤ（フィールドエミッションディス
プレイ）の研究開発が進められている。
トディスプレイとして、電界放出型マイクロカソードを
用いたいわゆるＦＥＤ（フィールドエミッションディス
プレイ）の研究開発が進められている。
【０００３】このようなＦＥＤ型のディスプレイは、微
細加工によって作製した微小な円錐状のカソード、いわ
ゆる電界放出型カソードから電子をとりだし、対向する
蛍光体を励起することによって信号の表示を行う超薄型
のディスプレイである。その一例の略線的拡大斜視図を
図７に示す。
細加工によって作製した微小な円錐状のカソード、いわ
ゆる電界放出型カソードから電子をとりだし、対向する
蛍光体を励起することによって信号の表示を行う超薄型
のディスプレイである。その一例の略線的拡大斜視図を
図７に示す。
【０００４】図７において１はガラス等より成る第１の
パネルで、これの上に例えばストライプ状にＣｒ等より
成るカソード電極２がパターニング形成され、ＳｉＯ2
等より成る絶縁層３を介して、Ｗ等より成るゲート電極
４が例えばカソード電極２と直交するストライプ状にパ
ターニング形成される。そして、各カソード電極２及び
ゲート電極４の交叉部に単数又は図示の例では複数の微
細な孔部５が設けられて、各孔部５の内部にカソードが
形成されて電極構体１０が構成される。
パネルで、これの上に例えばストライプ状にＣｒ等より
成るカソード電極２がパターニング形成され、ＳｉＯ2
等より成る絶縁層３を介して、Ｗ等より成るゲート電極
４が例えばカソード電極２と直交するストライプ状にパ
ターニング形成される。そして、各カソード電極２及び
ゲート電極４の交叉部に単数又は図示の例では複数の微
細な孔部５が設けられて、各孔部５の内部にカソードが
形成されて電極構体１０が構成される。
【０００５】また、ガラス等より成る第２のパネル１１
の内側には、例えばカラー表示を行う場合は、ＩＴＯ
（Ｉｎ、Ｓｎの混合酸化物）等より成る透明電極１２を
介して各色即ちＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の蛍光
体１３が例えばストライプ状に形成されて蛍光面２０が
構成される。
の内側には、例えばカラー表示を行う場合は、ＩＴＯ
（Ｉｎ、Ｓｎの混合酸化物）等より成る透明電極１２を
介して各色即ちＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の蛍光
体１３が例えばストライプ状に形成されて蛍光面２０が
構成される。
【０００６】そして、図示しないが各パネルを例えば数
１００μｍ程度のスペーサを介して重ね合わせてフリッ
トシールし、例えば第１のパネル側に接合されるガラス
等より成る排気管から排気を行いながらこれを封止し
て、パネル内が所定の真空度に保持されたフラットディ
スプレイが構成される。
１００μｍ程度のスペーサを介して重ね合わせてフリッ
トシールし、例えば第１のパネル側に接合されるガラス
等より成る排気管から排気を行いながらこれを封止し
て、パネル内が所定の真空度に保持されたフラットディ
スプレイが構成される。
【０００７】上述のカソード部の一例の略線的拡大斜視
図を図８に示す。図８において、図７に対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。各電極２、４
及び絶縁層３がそれぞれスパッタリング、真空蒸着等に
より順次積層形成された後、例えばウェットエッチング
を施して孔部５が設けられる。更にこの上に蒸着、スパ
ッタリング等により孔部５内にほぼ円錐状のＷ，Ｍｏ等
より成る電界放出型カソード６を形成することができ
る。
図を図８に示す。図８において、図７に対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。各電極２、４
及び絶縁層３がそれぞれスパッタリング、真空蒸着等に
より順次積層形成された後、例えばウェットエッチング
を施して孔部５が設けられる。更にこの上に蒸着、スパ
ッタリング等により孔部５内にほぼ円錐状のＷ，Ｍｏ等
より成る電界放出型カソード６を形成することができ
る。
【０００８】この場合、上述したようにパネル内部が所
定の真空度即ち１０-6〜１０-8Ｐａ程度の超高真空に保
たれた状態で、電界放出型カソード６とゲート電極４と
の間に電界強度で１０6 〜１０8 Ｖ／ｃｍ程度、電圧で
数１０〜１００Ｖ程度の電界を印加すると、カソード６
の先端部から電子が電界放出効果によって飛び出して、
対向する蛍光面側の透明電極１２を所定の例えば３００
Ｖ程度の電位とすることによって蛍光体１３に電子が照
射され、発光表示が行われる。
定の真空度即ち１０-6〜１０-8Ｐａ程度の超高真空に保
たれた状態で、電界放出型カソード６とゲート電極４と
の間に電界強度で１０6 〜１０8 Ｖ／ｃｍ程度、電圧で
数１０〜１００Ｖ程度の電界を印加すると、カソード６
の先端部から電子が電界放出効果によって飛び出して、
対向する蛍光面側の透明電極１２を所定の例えば３００
Ｖ程度の電位とすることによって蛍光体１３に電子が照
射され、発光表示が行われる。
【０００９】このように電界放出型カソード６を電子放
出源として利用する場合、数億個程度の微小なサイズに
カソード６を形成して、例えば１０μｍピッチ程度で配
置することにより、低電圧従って低消費電力の薄型フラ
ットディスプレイを得ることができる。
出源として利用する場合、数億個程度の微小なサイズに
カソード６を形成して、例えば１０μｍピッチ程度で配
置することにより、低電圧従って低消費電力の薄型フラ
ットディスプレイを得ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな超高真空を保持するためには、パネル間の気密性に
留意する必要があり、現状ではフリットシールにより各
パネルが接着されている。一方ＦＥＤのパネルとしては
耐熱性があり、低膨張及び低ガス放出のガラス等が用い
られるが、このパネル材料をシールするフリットは最適
の材料が見つかっていない。
うな超高真空を保持するためには、パネル間の気密性に
留意する必要があり、現状ではフリットシールにより各
パネルが接着されている。一方ＦＥＤのパネルとしては
耐熱性があり、低膨張及び低ガス放出のガラス等が用い
られるが、このパネル材料をシールするフリットは最適
の材料が見つかっていない。
【００１１】例えばＰｂＯ等のガラス粉体にバインダー
が混合された材料が用いられるが、低膨張フリット単体
では、どうしてもシール温度が６００〜７００℃程度と
比較的高温になってしまい、上述の電極とシール材との
反応を招来して不導体化を招く等問題が多い。
が混合された材料が用いられるが、低膨張フリット単体
では、どうしてもシール温度が６００〜７００℃程度と
比較的高温になってしまい、上述の電極とシール材との
反応を招来して不導体化を招く等問題が多い。
【００１２】従って、低温シールが可能な高膨張フリッ
トに、セラミックス等の低膨張フィラーの粉体を混合し
て膨張係数を調整した材料が検討されている。
トに、セラミックス等の低膨張フィラーの粉体を混合し
て膨張係数を調整した材料が検討されている。
【００１３】一方フリットシール時には、空気中で加熱
すると電界放出型カソードが酸化してしまうこと、また
上述したように粉体を固めたものを真空中で加熱すると
気泡が生じてしまうことから、不活性ガスを導入しなが
らシール加熱が行われる。
すると電界放出型カソードが酸化してしまうこと、また
上述したように粉体を固めたものを真空中で加熱すると
気泡が生じてしまうことから、不活性ガスを導入しなが
らシール加熱が行われる。
【００１４】またこのように不活性ガス中での加熱を行
うと、有機物を含有するフリット材が炭化してしまうこ
とから、この炭化を避けるために予めバインダーを飛ば
すいわゆる仮焼を行う必要がある。
うと、有機物を含有するフリット材が炭化してしまうこ
とから、この炭化を避けるために予めバインダーを飛ば
すいわゆる仮焼を行う必要がある。
【００１５】しかしながらこのような仮焼を行うと、上
述したようにフリットに含まれるフィラーが表面部に多
く存在してフリットシール時の接着性が劣化する恐れが
ある。
述したようにフリットに含まれるフィラーが表面部に多
く存在してフリットシール時の接着性が劣化する恐れが
ある。
【００１６】特に上述したように、パネル材及び電極部
への影響を考慮してシール温度の低温化をはかろうとす
る場合、更にフリット材の活性が悪くなり、接着性の劣
化を招く恐れがあり、いわゆるスローリークが問題とな
る。
への影響を考慮してシール温度の低温化をはかろうとす
る場合、更にフリット材の活性が悪くなり、接着性の劣
化を招く恐れがあり、いわゆるスローリークが問題とな
る。
【００１７】本発明は、このような問題に鑑みてフリッ
ト部の活性化をはかってパネル間のシールをより完全に
行い、特に上述したような電界放出型カソードを用いた
フラットディスプレイの製造にあたって所望の超高真空
度を保持できるようにして、その歩留りの向上をはか
る。
ト部の活性化をはかってパネル間のシールをより完全に
行い、特に上述したような電界放出型カソードを用いた
フラットディスプレイの製造にあたって所望の超高真空
度を保持できるようにして、その歩留りの向上をはか
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１のその一
例の分解斜視図を示すように、電極構体１０が設けられ
た第１のパネル１と、第２のパネル１１とを気密にフリ
ットシールして成り、フリットシールに低温シールが可
能な高膨張フリットに低膨張フィラーの粉体を混合した
材料を用い、第１のパネル１のフリットシール部に活性
絶縁層１７を被着して構成する。また、電極構造体１０
が電子放出源を有し、第２のパネル１１に蛍光面２０が
設けられた構成（例えばＦＥＤ型のフラットディスプレ
イ）とするを可とする。
例の分解斜視図を示すように、電極構体１０が設けられ
た第１のパネル１と、第２のパネル１１とを気密にフリ
ットシールして成り、フリットシールに低温シールが可
能な高膨張フリットに低膨張フィラーの粉体を混合した
材料を用い、第１のパネル１のフリットシール部に活性
絶縁層１７を被着して構成する。また、電極構造体１０
が電子放出源を有し、第２のパネル１１に蛍光面２０が
設けられた構成（例えばＦＥＤ型のフラットディスプレ
イ）とするを可とする。
【００１９】また本発明は、上述の構成によるフラット
ディスプレイの製造方法において、第１のパネル１のフ
リットシール部に活性絶縁層１７を被着し、第２のパネ
ル１１のフリットシール部に低温シールが可能な高膨張
フリットに低膨張フィラーの粉体を混合したフリット材
１６を塗布し、このフリット材１６の仮焼を行い、その
後これら両パネル１及び１１を対向させ、不活性ガス雰
囲気中で加熱を行ってフリットシールする。
ディスプレイの製造方法において、第１のパネル１のフ
リットシール部に活性絶縁層１７を被着し、第２のパネ
ル１１のフリットシール部に低温シールが可能な高膨張
フリットに低膨張フィラーの粉体を混合したフリット材
１６を塗布し、このフリット材１６の仮焼を行い、その
後これら両パネル１及び１１を対向させ、不活性ガス雰
囲気中で加熱を行ってフリットシールする。
【００２０】
【作用】上述したように本発明においては、フリットシ
ールを行う場合にフリット材料を被着する側とは反対側
のパネル上のフリットシール部に活性絶縁層を設けるこ
とによって、フリット材の活性化を促進し、即ちフリッ
ト材をより被接着部になじませることができることか
ら、パネル間のシールをより強固に行うことができる。
ールを行う場合にフリット材料を被着する側とは反対側
のパネル上のフリットシール部に活性絶縁層を設けるこ
とによって、フリット材の活性化を促進し、即ちフリッ
ト材をより被接着部になじませることができることか
ら、パネル間のシールをより強固に行うことができる。
【００２１】これにより例えばＦＥＤではスローリーク
の発生を防ぎ、所望の真空度を保持してエミッション特
性を確保し、信頼性の向上を図ることができる。
の発生を防ぎ、所望の真空度を保持してエミッション特
性を確保し、信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】更にフリットシールに低温シールが可能な
高膨張フリットに低膨張フィラーの粉体を混合した材料
を用いて低温シールを可能にすると共に、活性絶縁層に
より実質的にフリットシール加熱時の温度を低減化する
ことができることから、高温シールを行う場合のダメー
ジを抑制し、電極構造部の歪み等の発生を回避すること
ができる。また、外部端子取り出し用の電極部のフリッ
ト材料に含まれるＰｂＯとの反応をも抑制し、この部分
の不導体化を回避することができる。
高膨張フリットに低膨張フィラーの粉体を混合した材料
を用いて低温シールを可能にすると共に、活性絶縁層に
より実質的にフリットシール加熱時の温度を低減化する
ことができることから、高温シールを行う場合のダメー
ジを抑制し、電極構造部の歪み等の発生を回避すること
ができる。また、外部端子取り出し用の電極部のフリッ
ト材料に含まれるＰｂＯとの反応をも抑制し、この部分
の不導体化を回避することができる。
【００２３】
【実施例】以下本発明実施例を図面を参照して詳細に説
明する。この例においては、前述の図７及び図８におい
て説明した電界放出型カソードを電子放出源とするいわ
ゆるＦＥＤ型のフラットディスプレイに適用した場合を
示す。
明する。この例においては、前述の図７及び図８におい
て説明した電界放出型カソードを電子放出源とするいわ
ゆるＦＥＤ型のフラットディスプレイに適用した場合を
示す。
【００２４】このディスプレイは、図１に示すように、
カソード電極２及びゲート電極４が格子状に交叉するよ
うに形成された第１のパネル１と、蛍光面２０が形成さ
れた第２のパネル１１を対向させ、図示しないが各パネ
ル１、１１の間に所定の大きさ、例えば数１００μｍ程
度のスペーサを介して矢印ａで示すように積層して両パ
ネルをフリットシールして構成する。このとき、各電極
２及び４の一端が外部との配線接続のため第２のパネル
１１の外側に突出するようになされている。
カソード電極２及びゲート電極４が格子状に交叉するよ
うに形成された第１のパネル１と、蛍光面２０が形成さ
れた第２のパネル１１を対向させ、図示しないが各パネ
ル１、１１の間に所定の大きさ、例えば数１００μｍ程
度のスペーサを介して矢印ａで示すように積層して両パ
ネルをフリットシールして構成する。このとき、各電極
２及び４の一端が外部との配線接続のため第２のパネル
１１の外側に突出するようになされている。
【００２５】この電極構体１０及び蛍光面２０は例えば
前述の図７及び図８において説明した例と同様に構成す
ることができる。即ちガラス等より成る第１のパネル１
上に例えばストライプ状にＣｒ等より成るカソード電極
２がパターニング形成され、ＳｉＯ2 等より成る絶縁層
３を介して、主としてＮｂより成るゲート電極４がカソ
ード電極２とほぼ直交するストライプ状にパターニング
形成される。そして、各カソード電極２及びゲート電極
４の交叉部に孔部５が設けられて、各孔部５の内部にカ
ソードが形成されて電極構体１０が構成される。
前述の図７及び図８において説明した例と同様に構成す
ることができる。即ちガラス等より成る第１のパネル１
上に例えばストライプ状にＣｒ等より成るカソード電極
２がパターニング形成され、ＳｉＯ2 等より成る絶縁層
３を介して、主としてＮｂより成るゲート電極４がカソ
ード電極２とほぼ直交するストライプ状にパターニング
形成される。そして、各カソード電極２及びゲート電極
４の交叉部に孔部５が設けられて、各孔部５の内部にカ
ソードが形成されて電極構体１０が構成される。
【００２６】また、ガラス等より成る第２のパネル１１
の内側には、ＩＴＯ等より成る透明電極１２が例えばス
トライプ状に設けられ、その上に例えばカラー表示を行
う場合はＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体１３が被着されて蛍光面２
０が構成される。
の内側には、ＩＴＯ等より成る透明電極１２が例えばス
トライプ状に設けられ、その上に例えばカラー表示を行
う場合はＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体１３が被着されて蛍光面２
０が構成される。
【００２７】電極構体１０は、前述の図８において説明
した例と同様に、各電極２、４及び絶縁層３がそれぞれ
スパッタリング、真空蒸着等により順次積層形成され
て、例えばウェットエッチングにより孔部５形成され、
更に蒸着、スパッタリング等により孔部５内にほぼ円錐
状のＷ，Ｍｏ等より成る電界放出型カソード６が形成さ
れる。
した例と同様に、各電極２、４及び絶縁層３がそれぞれ
スパッタリング、真空蒸着等により順次積層形成され
て、例えばウェットエッチングにより孔部５形成され、
更に蒸着、スパッタリング等により孔部５内にほぼ円錐
状のＷ，Ｍｏ等より成る電界放出型カソード６が形成さ
れる。
【００２８】このような構成において、電界放出型カソ
ード６とゲート電極４との間に電界強度で１０6 〜１０
8 Ｖ／ｃｍ程度、電圧で数１０〜１００Ｖ程度の電界を
印加するとカソード６の先端部から電子が電界放出効果
によって飛び出し、蛍光体１３に照射されて発光表示が
行われる。
ード６とゲート電極４との間に電界強度で１０6 〜１０
8 Ｖ／ｃｍ程度、電圧で数１０〜１００Ｖ程度の電界を
印加するとカソード６の先端部から電子が電界放出効果
によって飛び出し、蛍光体１３に照射されて発光表示が
行われる。
【００２９】そして本実施例においては、図１において
斜線を付して示すように、第１のパネル１側のフリット
シール部、即ち第２のパネル１１を矢印ａで示すように
第１のパネル１上に載置したときに、その内側周囲部に
塗布したフリット１６が被着される部分に、例えばその
内側のカソード構成部をマスクカバーで覆う等してＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の活性絶縁層１７を予めスパッタリ
ング、蒸着等により被着して、その後第２のパネル側に
塗布、仮焼されたフリット１６を重ね合わせて、図２に
その一例の要部の略線的拡大断面図を示すように、スペ
ーサ１８を介して所定の間隔をもって各パネル１及び１
１が気密にシールされてディスプレイが構成される。図
２において、図１に対応する部分には同一符号を付して
重複説明を省略する。
斜線を付して示すように、第１のパネル１側のフリット
シール部、即ち第２のパネル１１を矢印ａで示すように
第１のパネル１上に載置したときに、その内側周囲部に
塗布したフリット１６が被着される部分に、例えばその
内側のカソード構成部をマスクカバーで覆う等してＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等の活性絶縁層１７を予めスパッタリ
ング、蒸着等により被着して、その後第２のパネル側に
塗布、仮焼されたフリット１６を重ね合わせて、図２に
その一例の要部の略線的拡大断面図を示すように、スペ
ーサ１８を介して所定の間隔をもって各パネル１及び１
１が気密にシールされてディスプレイが構成される。図
２において、図１に対応する部分には同一符号を付して
重複説明を省略する。
【００３０】このように活性絶縁層１７を予めフリット
シール部に被着することによって、この上にフリット１
６を被着してシール加熱を行うときにフリット１６をよ
り活性化してシールを行うことができる。特に、この活
性絶縁層１７をスパッタリング等により被着する場合、
Ａｒ等の不活性分子でその表面が清浄化されることか
ら、よりそのシールを完全に行うことができることとな
る。
シール部に被着することによって、この上にフリット１
６を被着してシール加熱を行うときにフリット１６をよ
り活性化してシールを行うことができる。特に、この活
性絶縁層１７をスパッタリング等により被着する場合、
Ａｒ等の不活性分子でその表面が清浄化されることか
ら、よりそのシールを完全に行うことができることとな
る。
【００３１】この例においては、各パネル材料としてコ
ーニング社製ガラス＃７０５９を用い、フリット材料と
して日本電気硝子社製のＬＳ−１３０１を用いた。先
ず、このＬＳ−１３０１フリットを第２のパネル１１の
所定部分に図３Ａに示すようにノズル２３等を用いて矢
印ｐで示すように適度の圧力を加えて塗布する。１６ａ
は練りフリットを示す。そして図３Ｂにおいて矢印ｄで
示すようにノズル２３を移動させ、練りフリット１６ａ
をパネル１１の所定位置上に一様に塗布した後、例えば
３９０〜４００℃１０ｍｉｎで仮焼し、フリット中の有
機バインダーを燃焼させると同時に、第２のパネル１１
に焼き付ける。
ーニング社製ガラス＃７０５９を用い、フリット材料と
して日本電気硝子社製のＬＳ−１３０１を用いた。先
ず、このＬＳ−１３０１フリットを第２のパネル１１の
所定部分に図３Ａに示すようにノズル２３等を用いて矢
印ｐで示すように適度の圧力を加えて塗布する。１６ａ
は練りフリットを示す。そして図３Ｂにおいて矢印ｄで
示すようにノズル２３を移動させ、練りフリット１６ａ
をパネル１１の所定位置上に一様に塗布した後、例えば
３９０〜４００℃１０ｍｉｎで仮焼し、フリット中の有
機バインダーを燃焼させると同時に、第２のパネル１１
に焼き付ける。
【００３２】一方第１のパネル１上には、上述の電極構
体１０を構成した後、フリットシール部即ち第２のパネ
ル１１側に塗布したフリットを被着する位置に、活性絶
縁層１７をスパッタリング等により被着する。
体１０を構成した後、フリットシール部即ち第２のパネ
ル１１側に塗布したフリットを被着する位置に、活性絶
縁層１７をスパッタリング等により被着する。
【００３３】そして、例えば図４に概略構成を示す加熱
炉３１において、各パネル１及び１１を重ね合わせてフ
リットシール加熱を行う。
炉３１において、各パネル１及び１１を重ね合わせてフ
リットシール加熱を行う。
【００３４】この場合、先ず加熱炉３１を排気口３５か
らターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ等の排気手段３
８により１０-3〜１０-5Ｐａ程度に排気する。３６はバ
ルブを示す。そして内部の載置台４０の上に支持部４１
を介して第１のパネル１を上向きに載置し、フリットを
仮焼した第２のパネル１１を下向きにして重ね合わせ、
例えば所定の荷重４２を矢印ｗで示すように上側から与
えた状態で、加熱炉内壁に設けられた加熱手段３９によ
り所定温度まで加熱する。
らターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ等の排気手段３
８により１０-3〜１０-5Ｐａ程度に排気する。３６はバ
ルブを示す。そして内部の載置台４０の上に支持部４１
を介して第１のパネル１を上向きに載置し、フリットを
仮焼した第２のパネル１１を下向きにして重ね合わせ、
例えば所定の荷重４２を矢印ｗで示すように上側から与
えた状態で、加熱炉内壁に設けられた加熱手段３９によ
り所定温度まで加熱する。
【００３５】このときの加熱サイクルの一例を図５に示
す。本実施例においては、５〜１０℃／ｍｉｎ程度で昇
温した後、４２５℃程度で保持時間ｔを例えば５ｍｉｎ
として加熱した後、５〜１０℃／ｍｉｎ程度で降温して
フリットシールを行うことができる。またこのときフリ
ットシール温度において内圧が１ｋｇ／ｃｍ2 程度とな
るようにガス導入口３２から不活性ガスの例えばＮ2 ガ
スを矢印ｎで示すように加熱炉３１に導入する。３３は
バルブ、３４はフィルタを示す。
す。本実施例においては、５〜１０℃／ｍｉｎ程度で昇
温した後、４２５℃程度で保持時間ｔを例えば５ｍｉｎ
として加熱した後、５〜１０℃／ｍｉｎ程度で降温して
フリットシールを行うことができる。またこのときフリ
ットシール温度において内圧が１ｋｇ／ｃｍ2 程度とな
るようにガス導入口３２から不活性ガスの例えばＮ2 ガ
スを矢印ｎで示すように加熱炉３１に導入する。３３は
バルブ、３４はフィルタを示す。
【００３６】このようにして、各パネル間を気密に接着
することができる。そして更にこの後パネル内部の排気
を例えば加熱炉内にて加熱しながら例えば第１のパネル
１の一部に溶接したガラス排気管から排気を行い、パネ
ル内部を所定真空度まで排気して排気管の一部をチップ
オフして気密に封止して、ＦＥＤ型のフラットディスプ
レイを得ることができる。
することができる。そして更にこの後パネル内部の排気
を例えば加熱炉内にて加熱しながら例えば第１のパネル
１の一部に溶接したガラス排気管から排気を行い、パネ
ル内部を所定真空度まで排気して排気管の一部をチップ
オフして気密に封止して、ＦＥＤ型のフラットディスプ
レイを得ることができる。
【００３７】以上の製造工程を簡略化して図６のフロー
チャート図に示す。即ち、先ず第２のパネルの蛍光面を
作製した後、フリット塗布、フリット仮焼を行う。一方
カソードパネル側においては、電極構体作製後に、フリ
ットシール部にＳｉＯ2 等の活性絶縁層を被着する。そ
してこれら各パネルを重ね合わせてフリットシール加熱
を行い、更にその内部を所定真空度に排気して本発明に
よるフラットディスプレイを得ることができる。
チャート図に示す。即ち、先ず第２のパネルの蛍光面を
作製した後、フリット塗布、フリット仮焼を行う。一方
カソードパネル側においては、電極構体作製後に、フリ
ットシール部にＳｉＯ2 等の活性絶縁層を被着する。そ
してこれら各パネルを重ね合わせてフリットシール加熱
を行い、更にその内部を所定真空度に排気して本発明に
よるフラットディスプレイを得ることができる。
【００３８】上述したように、活性絶縁層を予めフリッ
トシール部に被着することによって、容易にフリット材
料をこの絶縁層になじませて接着することができる。こ
れにより、シール加熱時の高温保持温度及び保持時間を
従来は４５０℃１０ｍｉｎ程度としていものを、本発明
によれば４２５℃５ｍｉｎ程度と低温短時間化すること
ができる。
トシール部に被着することによって、容易にフリット材
料をこの絶縁層になじませて接着することができる。こ
れにより、シール加熱時の高温保持温度及び保持時間を
従来は４５０℃１０ｍｉｎ程度としていものを、本発明
によれば４２５℃５ｍｉｎ程度と低温短時間化すること
ができる。
【００３９】このようにフリットシール温度を低温化す
ることにより、電極構体の加熱による歪みの発生等の影
響を低減化することができ、またフリットに含まれるＰ
ｂＯとの反応を抑制して電極の不導体化等の不都合を回
避することができる。
ることにより、電極構体の加熱による歪みの発生等の影
響を低減化することができ、またフリットに含まれるＰ
ｂＯとの反応を抑制して電極の不導体化等の不都合を回
避することができる。
【００４０】更にまた活性絶縁層をスパッタリング等に
より被着する場合、その表面を洗浄する効果により、更
にシール効果を高めることができ、またフリットシール
時にフラットディスプレイ内部の汚染を抑制することが
でき、より完全なシールが可能となり、スローリークの
発生を防いで信頼性の向上をはかることができる。
より被着する場合、その表面を洗浄する効果により、更
にシール効果を高めることができ、またフリットシール
時にフラットディスプレイ内部の汚染を抑制することが
でき、より完全なシールが可能となり、スローリークの
発生を防いで信頼性の向上をはかることができる。
【００４１】以上本発明をＦＥＤ型のフラットディスプ
レイに適用した場合について説明したが、本発明はその
他各種のＮｂを主成分とする電極を有するフラットディ
スプレイに適用することができることはいうまでもな
い。また、ＦＥＤ型のフラットディスプレイの構成にお
いても、例えばその電子放出源としてＳｉ基板上にカソ
ードを形成する等、種々の変形変更が可能であることは
いうまでもない。
レイに適用した場合について説明したが、本発明はその
他各種のＮｂを主成分とする電極を有するフラットディ
スプレイに適用することができることはいうまでもな
い。また、ＦＥＤ型のフラットディスプレイの構成にお
いても、例えばその電子放出源としてＳｉ基板上にカソ
ードを形成する等、種々の変形変更が可能であることは
いうまでもない。
【００４２】
【発明の効果】上述したように本発明によればフリット
材の活性化を促進してパネル間のシールをより強固に行
うことができる。従って、実質的にフリットシール加熱
時の温度を低減化することができることから、シール時
のダメージを抑制し、電極構造部の歪み等の発生を回避
することができる。また、外部端子取り出し用の電極部
のフリット材料に含まれるＰｂＯとの反応をも抑制し、
この部分の不導体化を回避することができる。
材の活性化を促進してパネル間のシールをより強固に行
うことができる。従って、実質的にフリットシール加熱
時の温度を低減化することができることから、シール時
のダメージを抑制し、電極構造部の歪み等の発生を回避
することができる。また、外部端子取り出し用の電極部
のフリット材料に含まれるＰｂＯとの反応をも抑制し、
この部分の不導体化を回避することができる。
【００４３】また活性絶縁層をスパッタリング等により
被着する場合、その表面をクリーニングして更にシール
効果を高めることができ、またフリットシール時にフラ
ットディスプレイ内部の汚染を抑制することができ、よ
り完全なシールが可能となる。
被着する場合、その表面をクリーニングして更にシール
効果を高めることができ、またフリットシール時にフラ
ットディスプレイ内部の汚染を抑制することができ、よ
り完全なシールが可能となる。
【００４４】これにより、例えばＦＥＤ型のフラットデ
ィスプレイにおけるスローリークの発生を防ぎ、１０-6
〜１０-8Ｐａ程度の超高真空度をより長時間保持してエ
ミッション特性を確保し、信頼性の向上をはかることが
できる。
ィスプレイにおけるスローリークの発生を防ぎ、１０-6
〜１０-8Ｐａ程度の超高真空度をより長時間保持してエ
ミッション特性を確保し、信頼性の向上をはかることが
できる。
【図１】本発明実施例の分解斜視図である。
【図２】本発明実施例の要部の略線的拡大断面図であ
る。
る。
【図３】Ａはフリット塗布方法の一例の説明図である。
Ｂはフリット塗布方法の一例の説明図である。
Ｂはフリット塗布方法の一例の説明図である。
【図４】加熱炉の一例の説明図である。
【図５】フリットシール加熱サイクルの一例の説明図で
ある。
ある。
【図６】本発明実施例の製造工程を示すフローチャート
図である。
図である。
【図７】フラットディスプレイの一例の略線的拡大斜視
図である。
図である。
【図８】電界放出型カソードの一例の略線的拡大斜視図
である。
である。
１ 第１のパネル
２ カソード電極
３ 絶縁層
４ ゲート電極
５ 孔部
６ 電界放出型カソード
１０ 電極構体
１１ 第２のパネル
１２ 透明電極
１３ 蛍光体
２０ 蛍光面
Claims (4)
- 【請求項１】 電極構体が設けられた第１のパネルと、
第２のパネルとが気密にフリットシールされて成るフラ
ットディスプレイにおいて、上記フリットシールに、低温シールが可能な高膨張フリ
ットに低膨張フィラーの粉体を混合した材料が用いら
れ、 上記第１のパネルのフリットシール部に活性絶縁層が被
着されて成ることを特徴とするフラットディスプレイ。 - 【請求項２】 上記電極構体が電子放出源を有し、上記
第２のパネルに蛍光面が設けられたことを特徴とする請
求項１に記載のフラットディスプレイ。 - 【請求項３】 電極構体が設けられた第１のパネルと、
第２のパネルとが気密にフリットシールされて成るフラ
ットディスプレイの製造方法において、 上記第１のパネルのフリットシール部に活性絶縁層を被
着し、 上記第２のパネルのフリットシール部に低温シールが可
能な高膨張フリットに低膨張フィラーの粉体を混合した
フリット材を塗布し、 上記フリット材の仮焼を行い、 その後 上記両パネルを対向させ、不活性ガス雰囲気中で
加熱を行ってフリットシールすることを特徴とするフラ
ットディスプレイの製造方法。 - 【請求項４】 上記電極構体が電子放出源を有し、上記
第２のパネルに蛍光面が設けられたことを特徴とする請
求項３に記載のフラットディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21423093A JP3407347B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | フラットディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21423093A JP3407347B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | フラットディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765752A JPH0765752A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3407347B2 true JP3407347B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=16652348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21423093A Expired - Fee Related JP3407347B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | フラットディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3407347B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050077961A (ko) * | 2004-01-30 | 2005-08-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21423093A patent/JP3407347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0765752A (ja) | 1995-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100302972B1 (ko) | 스페이서및화상-형성장치및그제조방법 | |
| US6129603A (en) | Low temperature glass frit sealing for thin computer displays | |
| EP1258906A1 (en) | Image display device, method of manufacture thereof, and apparatus for charging sealing material | |
| JP4886184B2 (ja) | 画像表示装置 | |
| JP3407347B2 (ja) | フラットディスプレイ及びその製造方法 | |
| JP4139699B2 (ja) | 電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びそのキャップ製造方法 | |
| JP2002083536A (ja) | 電子源の製造装置 | |
| JP3750250B2 (ja) | 電界放射型ディスプレイ及びこの製造方法 | |
| JPH07282743A (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2006202553A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JP3121211B2 (ja) | 真空容器の封着方法および画像表示装置の製造方法 | |
| JPS63181248A (ja) | 電子管の製造法 | |
| JP3062983B2 (ja) | 画像形成装置の製造方法 | |
| JP2009206093A (ja) | 真空気密容器の製造方法 | |
| US6533632B1 (en) | Method of evacuating and sealing flat panel displays and flat panel displays using same | |
| JPH09245649A (ja) | 平板型表示パネルの製造方法、平板型表示パネル及び平板型画像形成装置 | |
| JPH07130304A (ja) | 平面型画像表示装置 | |
| JP2002100311A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
| JPH11213923A (ja) | 平面型表示装置およびその製造方法 | |
| JPH07122189A (ja) | 電界放出型フラットディスプレイ装置の製法 | |
| JP3320393B2 (ja) | 画像形成装置の製造方法 | |
| JP2001076648A (ja) | 画像表示器およびその製造方法 | |
| JPH05114373A (ja) | 蛍光表示装置およびその製造方法 | |
| JPH10302676A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH07181901A (ja) | 平面型画像形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080314 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090314 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100314 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100314 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |