JPH10206666A

JPH10206666A - 光導波路の製造方法

Info

Publication number: JPH10206666A
Application number: JP9010599A
Authority: JP
Inventors: Taiji Tsuruoka; 泰治鶴岡
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-01-23
Filing date: 1997-01-23
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】光導波路を構成するクラッド層等の酸化層
を、短時間で、高密度かつ高純度に形成する。【解決手段】Ｓｉウエハ２８の上面に下部クラッド層
を形成するに当たり、先ず、Ｓｉウエハ２８の上面部
を、陽極酸化法により、ポーラスＳｉ膜４８に変質させ
る。そして、このポーラスＳｉ膜４８の酸化および溶融
を行い、下部クラッド層としてのＳｉＯ₂ 膜５２に変質
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、石英を材料とし
た平面型光導波路の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】波長多重光伝送に用いられる平面型光導
波路素子の小型化および高性能化を図るには、レーザダ
イオード、フォトダイオード等の受発光素子を、光導波
路と同じ基板上に搭載した方が好ましい。これらの受発
光素子は、ヒートシンク基板としてのＳｉ（シリコン）
ウエハ上に搭載される。そして、予め、この基板上に
は、例えば下記に記載するようにして光導波路が形成さ
れる。

【０００３】先ず、上述のＳｉウエハ上に、膜厚２５μ
ｍ程度の超高純度石英（ＳｉＯ₂ ）層を、下部クラッド
層として形成する。次に、この下部クラッド層の上側
に、膜厚１０μｍ程度の石英層をコア層として形成し、
この上側に、膜厚１０μｍ程度の石英層を上部クラッド
層として形成する。

【０００４】従って、製造効率を上げるには、高純度お
よび高密度のＳｉＯ₂ 膜を、短時間でＳｉウエハ上に形
成する必要がある。特に、大きな厚さが要求される下部
クラッド層を高速で堆積させることができれば、製造効
率を大幅に向上させることができる。このようなＳｉＯ
₂ 膜の形成は、従来、真空装置を用いるＣＶＤ法または
電子ビーム蒸着法や、文献「特開昭６０−３９６０５」
に開示されている火炎加水分解反応を利用した堆積法
（以下、火炎堆積法と略称する。）により行われる。特
に、火炎堆積法によれば、高密度の石英膜を比較的短時
間で形成することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空装
置を用いる方法や火炎堆積法にあっては下記のような問
題がある。

【０００６】先ず、真空装置を用いる場合には、装置の
大きさに制限があるため、一度に処理できるウエハの枚
数を多くすることができない。一般的に、２０枚程度が
限度である。また、真空を引く時間に長時間を要し、基
板を加熱するのにも時間がかかる。そして、膜を堆積さ
せる時間自体が０．５μｍ／分程度と遅い。

【０００７】また、火炎堆積法の場合、基板の温度を７
００〜８００℃に上げて、基板ホルダを回転させながら
原料ガスを吹き付ける処理を行う。従って、温度の上げ
下げに多大の時間を要する。また、真空装置を用いる場
合と同様に、装置の大きさに制限があるため、一度に処
理できるウエハ枚数を多くすることができない（２０枚
以下）。このように、従来のいずれの方法でも、石英膜
を短時間で作成することができない。

【０００８】そして、火炎堆積法は、直径０．２μｍ程
度の石英微粒子を基板上に堆積させて、その後に、これ
ら微粒子を軟化させて膜にする方法である。高密度の石
英膜を形成するには、石英微粒子を、十分に動き回れる
位の温度にする必要がある。しかし、高温過ぎるとＳｉ
が溶けてしまうので上限（１４２０℃）がある。従っ
て、低い温度で軟化させることができればその方が好ま
しい。従って、できるだけ細かく径が小さい石英微粒子
をＳｉウエハ上に堆積させた方が良い。

【０００９】このように、従来の方法では、比較的細か
な微粒子状の層を短時間で形成することが困難であっ
た。従って、従来より、真空蒸着法や火炎堆積法に代わ
り、短時間で高純度かつ高密度の石英膜を形成すること
ができる製造方法の出現が望まれていた。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明の光導
波路の製造方法によれば、基板の上に下部クラッド層を
形成し、この下部クラッド層の上にコア層を形成し、こ
のコア層の上に上部クラッド層を形成する光導波路の製
造方法において、前記下部クラッド層の形成は、（ａ）
前記基板の上面部を陽極酸化法でポーラス膜に変質させ
る工程と、（ｂ）前記ポーラス膜を酸化膜に変質させて
前記下部クラッド層とする工程とを含むことを特徴とす
る。

【００１１】このように、先ず、陽極酸化法によりポー
ラス（多孔質）膜を形成する。陽極酸化法は、電解液中
に基板と対向電極とを入れ、これらの間に電流を流すこ
とにより、基板の表面層をポーラス膜に変質させる方法
である。この方法によれば大体６μｍ／分の速さでポー
ラス膜を形成することができる。この陽極酸化法の場合
には、電解液を入れた容器中に基板と対向電極とを密接
させて設置することができるので、例えば平面的にみて
１ｍ² 程度の面積があれば、７０枚程度のウエハを一度
に処理することができる。

【００１２】次に、形成したポーラス膜を酸化膜に変質
させる。例えば、ポーラス膜の酸化および溶融を行うこ
とにより酸化膜とする。ポーラス膜は、膜厚方向に多数
の孔が柱状に形成されている膜である。この陽極酸化法
により形成したポーラス膜の孔径はそれぞれ数ｎｍ程度
である。そして、このようなポーラス膜は、直径が数ｎ
ｍ程度の微粒子の集まりと同様の溶融特性を示すことが
知られている。従って、火炎堆積法により形成した石英
微粒子よりも遥かに細かい微粒子の集まりとみなせるの
で、比較的低い温度でも軟化しやすく、密度の高い酸化
膜を作成することができる。

【００１３】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、好ましくは、前記基板をＳｉウエハとし、前記酸
化膜をＳｉＯ₂ 膜とするのが良い。

【００１４】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、好ましくは、前記（ａ）工程は、前記基板の裏面
に電極膜を形成する工程と、前記基板の側面と前記電極
膜の表面とをレジスト膜で覆った構造体を形成する工程
と、前記電極膜と対向電極との間に電流源を接続して前
記構造体を前記対向電極と共に電解液に入れ、これらの
間に所要の時間だけ電流を流す工程と、前記レジスト膜
および前記電極膜を除去する工程とを含むのが良い。

【００１５】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、好ましくは、前記基板をＳｉウエハとし、前記対
向電極を白金とし、前記電解液をＨＦ水溶液（フッ酸系
水溶液）とするのが良い。

【００１６】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、好ましくは、前記（ｂ）工程は、前記ポーラス膜
を酸化して酸化ポーラス膜を形成する工程と、前記酸化
ポーラス膜を溶融して酸化膜とする工程とをもって行う
のが良い。

【００１７】また、この発明の光導波路の製造方法にお
いて、好ましくは、前記基板をＳｉウエハとし、前記酸
化膜をＳｉＯ₂ 膜とするのが良い。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明の工
程、構成および大きさが理解できる程度に大きさ、形状
および配置関係を概略的に示してあり、また、以下に記
載する数値条件等は単なる一例に過ぎず、従って、この
発明は、この実施の形態に何ら限定されることがない。

【００１９】この発明の光導波路の製造方法の一実施形
態の説明に先立ち、この発明の方法で作成される光導波
路の構造の一例につき簡単に説明する。

【００２０】図５（Ａ）は、平面型光導波路素子の構造
を示す平面図である。また、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）
のＪ−Ｊ線で切った断面の切り口を示している。図５に
示す光導波路素子は、主として、導波路領域１０および
受発光素子領域１２からなる。導波路領域１０の基板１
４上には、下部クラッド層１６が設けられている。この
下部クラッド層１６の上に、互いに平行に直線状に延在
する２条のコア層１８ａおよび１８ｂを具えている。そ
して、これらコア層１８ａおよび１８ｂの上側に、上部
クラッド層２０が積層している。また、受発光素子領域
１２の基板１４上には、レーザダイオード２２およびフ
ォトダイオード２４が、それぞれコア層１８ａおよび１
８ｂと光結合されるように、設けられている。また、受
発光素子領域１２の基板１４上には、電極パタン２６ａ
および２６ｂが形成されている。これら電極パタン２６
ａおよび２６ｂとレーザダイオード２２およびフォトダ
イオード２４との間は、それぞれワイヤ６０ａおよび６
０ｂで電気的に接続されている。

【００２１】以下、図１、図２および図３を参照して、
光導波路素子の製造方法につき説明する。図１、図２お
よび図３は、一例として、上述した平面型光導波路素子
の製造工程を示す図である。図１および図２は、主要工
程段階で得られる構造体の、図５（Ａ）のＩ−Ｉ線の位
置で切った断面に相当する断面での切り口を示したもの
である。また、図３は、図５（Ａ）のＪ−Ｊ線の位置で
切った断面に相当する断面での切り口を示したものであ
る。

【００２２】先ず、基板の上面に下部クラッド層を形成
する工程につき説明する。この実施の形態では、下部ク
ラッド層の形成を、下記の２工程（ａ）および（ｂ）に
従い行う。

【００２３】最初に、（ａ）基板の上面部を、陽極酸化
法により、ポーラス膜に変質させる工程につき説明す
る。

【００２４】先ず、基板の一方の側の面に電極膜を形成
する（図１の（Ａ））。この実施の形態では、鏡面研磨
を施し、ボロン（Ｂ）を密度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3となる
ようにドープしたＳｉウエハ２８を、基板として用いて
いる。そして、Ｓｉウエハ２８の一方の側の面に、膜厚
が１μｍ程度のＡｌ電極３０を真空蒸着で形成する。ま
た、Ａｌ電極３０を蒸着したＳｉウエハ２８に対して、
４５０℃の還元雰囲気において２０分間のアニールを行
い、ＳｉとＡｌとの間のオーミック性を確保する。

【００２５】続いて、Ｓｉウエハ２８の側面とＡｌ電極
３０の表面とをレジスト膜３６で覆った構造体３４を形
成する（図４参照）。図４は、陽極酸化時の配置関係を
示す図である。図４に断面で示すように、構造体３４
は、Ｓｉウエハ２８の側面とＡｌ電極３０の表面とをレ
ジスト膜３６で覆った構成である。レジスト膜３６は、
膜厚が５μｍの有機レジストである。そして、この構造
体３４に対して温度を１５０℃とした熱処理を１時間施
し、続いて、媒質が５％含有されたＨＦ水溶液中に構造
体３４を浸して表面の自然酸化層を除去しておく。

【００２６】このようにして作成した構造体３４を陽極
として陽極酸化を行う。陰極としては、対向電極すなわ
ち白金電極４０を用いる。図４には、テフロンビーカー
３２の容器内の電解液に、構造体３４および白金電極４
０を入れた様子を示している。構造体３４のＡｌ電極３
０と白金電極４０との間には、電流源４２が接続されて
いる。この接続状態のまま、構造体３４および白金電極
４０を電解液中に入れ、これらの間に所要の時間だけ電
流を流す。

【００２７】電解液としては、媒質が５０％のＨＦ水溶
液３８を用いている。尚、電解液を入れたテフロンビー
カー３２は、超音波発生機４４の水槽４６内に具えられ
ている。そして、陽極酸化時に、ＨＦ水溶液３８中に超
音波を伝播させる。これは、形成されるポーラス（多孔
質）膜の孔内に電解液を浸透させるためである。

【００２８】構造体３４と白金電極４０との間には、電
流密度が１００ｍＡ／ｃｍ² の電流を５分間流す。この
ようにして、電解液と触れるＳｉウエハ２８の部分を、
ポーラスＳｉ膜４８に変質させる。この工程の後にレジ
スト膜３６は除去しておく。この陽極酸化により、Ｓｉ
ウエハ２８の表面から約３０μｍの深さまでポーラスＳ
ｉ膜４８が形成される。このように、Ｓｉウエハ２８の
一部分がポーラスＳｉ膜４８となる。Ｓｉウエハ２８
は、残存するＳｉウエハ２８の部分すなわちＳｉ層２８
ａ（図５の基板１４に相当する。）とポーラスＳｉ膜４
８との２層構造となる（図１の（Ｂ））。

【００２９】次に、（ｂ）ポーラスＳｉ膜４８を酸化シ
リコン（ＳｉＯ₂ ）膜５２に変質させて下部クラッド層
とする工程につき説明する。

【００３０】ポーラスＳｉ膜４８が形成されたＳｉウエ
ハ２８は、純水で洗浄し、裏面のＡｌ電極３０を、硝
酸、酢酸および純水を３：１：５の割合で混合した溶液
でエッチング除去する。そして、Ｓｉウエハ２８に対し
て、酸素雰囲気中で温度を９００℃とした熱処理を１時
間施す。ポーラスＳｉ膜４８は、数ｎｍ〜数１０ｎｍの
大きさの径の微細な孔を多数有したＳｉ層である。この
熱処理によって、ポーラスＳｉ膜４８の、膜厚が３０μ
ｍの深さまで完全に酸化させる。このポーラスＳｉ膜４
８を酸化させて得られた酸化ポーラスＳｉ膜５０を図１
の（Ｃ）に示す。

【００３１】更に、酸化ポーラスＳｉ膜５０を溶融して
Ｓｉ層２８ａの表面に一様なＳｉＯ₂ 膜５２を形成する
（図１の（Ｄ））。酸化ポーラスＳｉ膜５０を溶融する
ため、この膜５０に対して温度が１１５０℃の酸素雰囲
気で１時間の熱処理を施す。そして、膜厚が２５μｍの
ＳｉＯ₂ 膜５２を、Ｓｉ層２８ａの上に形成する。

【００３２】尚、上述したように、ポーラスＳｉ膜４８
を酸化させて酸化ポーラスＳｉ膜５０とし、続いて、こ
の膜を溶融することによりＳｉＯ₂ 膜５２を作成した
が、これら酸化および溶融は一度に行ってもよい。すな
わち、ポーラスＳｉ膜４８に対し、酸素雰囲気中で温度
が１１５０℃になるまで加熱をし、１時間の熱処理を施
すことにより酸化および溶融を一度に行わせて、ＳｉＯ
₂ 膜５２に変質させてもよい。

【００３３】このようにして形成したＳｉＯ₂ 膜５２
は、赤外線吸収による分析によるとＯＨ基の存在が認め
られない。また、この実施の形態で用いたＳｉウエハ２
８は、ウエハ中の不純物が導波路の特性に影響を与えな
い程度の量であるものを用いている。すなわち、Ｓｉイ
ンゴットの製造時において、重金属の濃度が１０¹⁰ｃｍ
^-3以下、炭素の濃度が検出限界の２．５×１０¹⁵ｃｍ^-3
以下および窒素の濃度が５×１０¹⁴ｃｍ^-3以下である。
従って、陽極酸化により作成したＳｉＯ₂ 膜５２は、光
導波路用として充分に機能する。また、作成したＳｉＯ
₂ 膜５２の屈折率は、波長が６３２ｎｍの光に対して
１．４５７４１である。

【００３４】このように、陽極酸化法により形成したＳ
ｉＯ₂ 層は、従来の火炎堆積法により形成したＳｉＯ₂
層に比べて、高密度である。これは、直径が０．２μｍ
程度の石英微粒子を軟化させることによりＳｉＯ₂ 層を
形成する火炎堆積法と比較し、陽極酸化により形成した
ポーラスＳｉ層が、直径が数ｎｍ程度の微粒子の集まり
とみなせるからである。このように、この実施の形態で
形成したポーラスＳｉ層は、より小さなサイズの石英微
粒子が堆積された層であると考えることができる。従っ
て、より低い温度で石英微粒子を移動させることができ
るので、従来に比べて軟化させやすい。よって、溶融さ
せる時間も短時間で済む。また、より多数の石英微粒子
を十分に溶融させてガラス化させることができるから、
従来に比べて高密度の層が形成される。

【００３５】また、従来用いられていた真空蒸着法や火
炎堆積法によれば、装置の大きさの制限により、一度に
処理可能なウエハの枚数がせいぜい２０枚程度と限られ
ていた。これに対して、この陽極酸化法にあっては、比
較的大きなビーカーを用意することができるし、また、
Ｓｉウエハおよび対向電極を互いに接近させてビーカー
の電解液中に入れることができるので、従来より多数の
ウエハを一度に処理することができる。例えば、上述し
た条件で、平面的に１ｍ² 程度のスペースが取れるビー
カーを電解液を入れる容器として用いれば、７０枚程度
のウエハを一度に処理することが可能である。

【００３６】そして、真空蒸着や火炎堆積法では、例え
ば真空を引く時間や基板を熱する時間等を要したが、こ
の陽極酸化法によれば、そのような時間が不要となる。
また、従来の方法では、膜自体を堆積させる時間が０．
５μｍ／分程度であったのが、陽極酸化法によると６μ
ｍ／分にすることができる。従って、上述した石英微粒
子の微細化の効果と共に、従来に比べて、処理時間を大
幅に短くする効果がある。

【００３７】以上説明したようにして、下部クラッド層
としてＳｉＯ₂ 膜５２が作成される。次に、作成した下
部クラッド層の上面にコア層を形成する工程につき説明
する。

【００３８】先ず、ＧｅをドープしたＳｉＯ₂ 膜５４
（以下、ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４と略称する。）を、
ＳｉＯ₂ 膜５２の上面に形成する（図２の（Ａ））。こ
の膜５４は、原料ガスとしてテトラエトキシシラン（Ｔ
ＥＯＳ）ガス、酸素ガスおよびテトラメチルゲルマン
（ＴＭＧ）ガスの混合ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法
により形成する。形成したＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４
は、膜厚が８μｍであり、屈折率が１．４６０３であ
る。

【００３９】次に、ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４のパタン
形成を行い、コア層を形成する。このパタン形成を行う
に当たり、先ず、ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４上にスパッ
タ法等によりα−Ｓｉ膜を積層する。そして、このα−
Ｓｉ膜を通常のフォトリソグラフィ技術を用いて導波路
形状に加工する。この加工は、ＨＢｒガスを用いたリア
クティブイオンエッチング法で行うのが好適である。続
いて、加工したα−Ｓｉ膜（α−Ｓｉ膜パタンと称す
る。）をマスクとして、ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４のエ
ッチングを行う。このエッチングは、Ｃ₂ Ｆ₆ ガスとＣ
₂ Ｈ₄ ガスとの混合ガスを用いたリアクティブイオンエ
ッチングにより行う。そして、エッチング後に、ＳＦ₆
ガスを用いてα−Ｓｉ膜パタンを選択的に除去する。こ
のようにして、ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５４を導波路形状
に加工し、コア層５４ａおよび５４ｂ（それぞれ図５の
コア層１８ａおよび１８ｂに相当する。）とする（図２
の（Ｂ））。

【００４０】そして、コア層５４ａおよび５４ｂの上面
に上部クラッド層を形成して、光導波路を完成させる。
上部クラッド層となるＳｉＯ₂ 膜５６は、コア層５４ａ
および５４ｂ上に形成される。ＳｉＯ₂ 膜５６は、原料
ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ガスおよ
び酸素ガスの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により
形成する（図２の（Ｃ））。このようにして、膜厚が１
０μｍのＳｉＯ₂ 膜５６を形成し、光導波路が完成す
る。

【００４１】以下、形成した平面型光導波路を加工して
受発光素子を搭載し、光導波路素子化する工程につき簡
単に説明する。

【００４２】先ず、不要なＳｉＯ₂ 層を除去して、受発
光素子搭載領域（図３のａ領域）を形成する（図３の
（Ａ））。そして、受発光素子搭載領域に、受発光素子
用の配線電極としてＣｒ／Ａｕ薄膜（Ｃｒ膜およびＡｕ
膜の積層膜）を真空蒸着で形成し、パタン形成を行っ
て、Ｃｒ／Ａｕ電極パタン５８とする（図３の
（Ｂ））。次に、発光素子としてのレーザダイオード２
２と、受光素子としてのフォトダイオード２４とを、受
発光素子搭載領域に設ける。そして、Ｃｒ／Ａｕ電極パ
タン５８との間のボンディングをワイヤ６０ａおよび６
０ｂで行い、電気的接続を取る（図３の（Ｃ））。

【００４３】このようにして光導波路素子を形成する。
尚、石英系光導波路を用いた素子は図５に示す構成のも
のに限られず、例えば、マッハツェンダ型フィルタ、Ｎ
×Ｎスターカプラ、加入者用光多重光回路ユニット素
子、アレイ導波路格子型合分波回路素子等に応用するこ
とができる。

【００４４】以上説明したように、陽極酸化により形成
されるポーラスＳｉ層を利用して、簡便に、超純粋な石
英層をＳｉウエハ上に形成することができる。よって、
工程時間の削減や量産性の向上を図ることが可能とな
る。しかも、装置が低コストであり、使用する薬品も安
価のため、経済的にも優れている。

【００４５】

【発明の効果】この発明の光導波路の製造方法によれ
ば、先ず、陽極酸化法によりポーラス膜を形成する。そ
して、この形成したポーラス膜を酸化膜に変質させる。
このような陽極酸化法を用いると、電解液を入れた容器
中に基板と対向電極とを密接させて設置することができ
るので、従来に比べて多くのウエハ枚数を一度に処理す
ることができる。従って、従来に比べて短時間で光導波
路を作成することができる。また、陽極酸化法により形
成したポーラス膜は、従来の方法で形成した層より直径
が小さな微粒子の集まりとみなせる。従って、比較的低
い温度でも軟化しやすく、密度の高い膜を作成すること
ができる。

【００４６】また、この発明の光導波路の製造方法の好
適例によれば、レジスト膜を利用することにより、所望
の領域だけをポーラス膜に変質させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の光導波路の製造工程を示す図であ
る。

【図２】図１に続く、実施の形態の光導波路の製造工程
を示す図である。

【図３】図２に続く、実施の形態の光導波路の製造工程
を示す図である。

【図４】陽極酸化時の配置を示す図である。

【図５】光導波路素子の構造を示す図である。

【符号の説明】

１０：導波路領域１２：受発光素子領域１４：基板１６：下部クラッド層１８ａ，１８ｂ，５４ａ，５４ｂ：コア層２０：上部クラッド層２２：レーザダイオード２４：フォトダイオード２６ａ，２６ｂ：電極パタン２８：Ｓｉウエハ２８ａ：Ｓｉ層３０：Ａｌ電極３２：テフロンビーカー３４：構造体３６：レジスト膜３８：ＨＦ水溶液４０：白金電極４２：電流源４４：超音波発生機４６：水槽４８：ポーラスＳｉ膜５０：酸化ポーラスＳｉ膜５２，５６：ＳｉＯ₂ 膜５４：ＧｅドープＳｉＯ₂ 膜５８：Ｃｒ／Ａｕ電極パタン６０ａ，６０ｂ：ワイヤ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の上に下部クラッド層を形成し、該
下部クラッド層の上にコア層を形成し、該コア層の上に
上部クラッド層を形成する光導波路の製造方法におい
て、前記下部クラッド層の形成は、（ａ）前記基板の上面部を陽極酸化法でポーラス膜に変
質させる工程と、（ｂ）前記ポーラス膜を酸化膜に変質させて前記下部ク
ラッド層とする工程とを含むことを特徴とする光導波路
の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の光導波路の製造方法に
おいて、前記基板をＳｉウエハとし、前記酸化膜をＳｉＯ₂ 膜と
することを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項３】請求項１に記載の光導波路の製造方法に
おいて、前記（ａ）工程は、前記基板の裏面に電極膜を形成する工程と、前記基板の側面と前記電極膜の表面とをレジスト膜で覆
った構造体を形成する工程と、前記電極膜と対向電極との間に電流源を接続して前記構
造体を前記対向電極と共に電解液に入れ、これらの間に
所要の時間だけ電流を流す工程と、前記レジスト膜および前記電極膜を除去する工程とを含
むことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項４】請求項３に記載の光導波路の製造方法に
おいて、前記基板をＳｉウエハとし、前記対向電極を白金とし、
前記電解液をＨＦ水溶液とすることを特徴とする光導波
路の製造方法。
【請求項５】請求項１に記載の光導波路の製造方法に
おいて、前記（ｂ）工程は、前記ポーラス膜を酸化して酸化ポーラス膜を形成する工
程と、前記酸化ポーラス膜を溶融して酸化膜とする工程とを含
むことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項６】請求項５に記載の光導波路の製造方法に
おいて、前記基板をＳｉウエハとし、前記酸化膜をＳｉＯ₂ 膜と
することを特徴とする光導波路の製造方法。