JPH0792337A - ポリマコア光導波路およびその製造方法 - Google Patents
ポリマコア光導波路およびその製造方法Info
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- JPH0792337A JPH0792337A JP5239747A JP23974793A JPH0792337A JP H0792337 A JPH0792337 A JP H0792337A JP 5239747 A JP5239747 A JP 5239747A JP 23974793 A JP23974793 A JP 23974793A JP H0792337 A JPH0792337 A JP H0792337A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
- G02B1/045—Light guides
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
Abstract
(57)【要約】
【目的】光の伝搬部分であるコア用ポリマ中にクラック
のない均一なポリマからなるポリマコア光導波路の提
供。 【構成】基板と、該基板の表面に形成された屈折率がｎ
b で所望厚さのＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より成るバッファ層
と、該バッファ層の上に形成された屈折率がｎw（ｎw
＞ｎb ）の略矩形状のポリマ材料より成るコアと、該コ
ア表面を覆うように設けられた屈折率がｎc （ｎc ＜ｎ
w ）のクラッド層から構成されていることを特徴とする
ポリマコア光導波路。
のない均一なポリマからなるポリマコア光導波路の提
供。 【構成】基板と、該基板の表面に形成された屈折率がｎ
b で所望厚さのＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より成るバッファ層
と、該バッファ層の上に形成された屈折率がｎw（ｎw
＞ｎb ）の略矩形状のポリマ材料より成るコアと、該コ
ア表面を覆うように設けられた屈折率がｎc （ｎc ＜ｎ
w ）のクラッド層から構成されていることを特徴とする
ポリマコア光導波路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路のコアにポリ
マ材料を用いた低損失で安定な光導波路構造とその製造
方法に関するものである。
マ材料を用いた低損失で安定な光導波路構造とその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光デバイスの高性能化、高集積化、低コ
スト化をねらいとして、光導波路構造の光デバイスの研
究開発が活発に進められている。
スト化をねらいとして、光導波路構造の光デバイスの研
究開発が活発に進められている。
【０００３】光導波路の材料としては、半導体（Ｓｉ、
ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）、誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、Ｌｉ
ＴａＯ3 などの強誘電体、ＳｉＯ2 系、多成分系などの
ガラス、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、ポリイミドなどのポリマ）、などを用い
たものが検討されている。
ＧａＡｓ、ＩｎＰなど）、誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、Ｌｉ
ＴａＯ3 などの強誘電体、ＳｉＯ2 系、多成分系などの
ガラス、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、ポリイミドなどのポリマ）、などを用い
たものが検討されている。
【０００４】近年上記光導波路の中で、ポリマを用いた
光導波路は簡易なプロセスで低コストに作れる可能性が
あることから、注目されている。そのため、本発明者は
ポリマ光導波路の製造方法を開発するために図７に示す
方法について検討した。
光導波路は簡易なプロセスで低コストに作れる可能性が
あることから、注目されている。そのため、本発明者は
ポリマ光導波路の製造方法を開発するために図７に示す
方法について検討した。
【０００５】これは、まず図７（ａ）に示すように、Ｓ
ｉ基板１上に低屈折率（ｎb ）のポリマ材料からなるバ
ッファ層２が形成される。
ｉ基板１上に低屈折率（ｎb ）のポリマ材料からなるバ
ッファ層２が形成される。
【０００６】次に、図７（ｂ）のように、ポリマバッフ
ァ層２の上にポリマ材料のコア層（屈折率ｎw 、ｎw ＞
ｎb ）３が形成される。
ァ層２の上にポリマ材料のコア層（屈折率ｎw 、ｎw ＞
ｎb ）３が形成される。
【０００７】上記バッファ層およびコア層は溶剤に溶け
たポリマ液をスピンコーティング法により塗布すること
により形成される。
たポリマ液をスピンコーティング法により塗布すること
により形成される。
【０００８】その後、図７（ｃ）に示すように、上記ポ
リマコア層３上にフォトレジスト膜を塗布し、加熱した
後、マスクを介して紫外線を照射し、マスクパターンを
フォトレジスト上に露光する。
リマコア層３上にフォトレジスト膜を塗布し、加熱した
後、マスクを介して紫外線を照射し、マスクパターンを
フォトレジスト上に露光する。
【０００９】次に現像、洗浄、乾燥してポリマコア層３
上にフォトレジストパターン４を形成する。
上にフォトレジストパターン４を形成する。
【００１０】次に、ドライエッチングプロセスで図７
（ｄ）に示すように、ポリマコア層３を略矩形状に加工
する。
（ｄ）に示すように、ポリマコア層３を略矩形状に加工
する。
【００１１】このドライエッチングプロセスはエッチン
グガスとしてＯ2 、あるいはＯ2 にＣＦ4 を若干混合し
たガスで行なう。
グガスとしてＯ2 、あるいはＯ2 にＣＦ4 を若干混合し
たガスで行なう。
【００１２】その後、図７（ｅ）に示すように、上記ポ
リマコア層３の全表面に屈折率がｎ c （ｎc ＝ｎb ）の
ポリマクラッド層５を形成することにより、光導波路が
作られる。
リマコア層３の全表面に屈折率がｎ c （ｎc ＝ｎb ）の
ポリマクラッド層５を形成することにより、光導波路が
作られる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７の方法で
ポリマ光導波路を製造しようとすると、次のような問題
点があることがわかった。すなわち、 (1) 図７（ｅ）の光導波路を実現するためには、ポリマ
バッファ層２の厚さは８μm 以上が必要であり、その上
のポリマコア層３の厚みもシングルモード用の場合には
数μm 〜１０数μm 、マルチモード用の場合には１０μ
m 〜数１０μmが必要である。ところが図７（ｂ）の工
程において、厚さ８μm 以上のポリイミドのポリマバッ
ファ層２を形成した後に、厚さが４μm 以上のポリイミ
ドのポリマコア層３用のポリマ溶液（溶媒に溶融したポ
リマ液）を塗布し、９０℃で３０分間加熱し、残留溶媒
の除去を行なった。次いで２００℃で３０分加熱したと
ころ、ポリマコア層３にクラックが入ってきた。加熱時
間、温度を種々変えて見たが、クラックの発生量の違い
はあるが、いずれの場合もクラックが入った。この原因
をよく検討した結果、ポリマバッファ層２とポリマコ
ア層３とが同じ材料であることから、密着性が非常に良
く、加熱によるポリマコア層３の径方向の収縮の強さが
厚さ方向の収縮を上まわり、クラックが発生すること、
ポリマ層が厚すぎるために、残留応力が強くなり、ク
ラックが発生すること、などが原因となっていることが
わかった。
ポリマ光導波路を製造しようとすると、次のような問題
点があることがわかった。すなわち、 (1) 図７（ｅ）の光導波路を実現するためには、ポリマ
バッファ層２の厚さは８μm 以上が必要であり、その上
のポリマコア層３の厚みもシングルモード用の場合には
数μm 〜１０数μm 、マルチモード用の場合には１０μ
m 〜数１０μmが必要である。ところが図７（ｂ）の工
程において、厚さ８μm 以上のポリイミドのポリマバッ
ファ層２を形成した後に、厚さが４μm 以上のポリイミ
ドのポリマコア層３用のポリマ溶液（溶媒に溶融したポ
リマ液）を塗布し、９０℃で３０分間加熱し、残留溶媒
の除去を行なった。次いで２００℃で３０分加熱したと
ころ、ポリマコア層３にクラックが入ってきた。加熱時
間、温度を種々変えて見たが、クラックの発生量の違い
はあるが、いずれの場合もクラックが入った。この原因
をよく検討した結果、ポリマバッファ層２とポリマコ
ア層３とが同じ材料であることから、密着性が非常に良
く、加熱によるポリマコア層３の径方向の収縮の強さが
厚さ方向の収縮を上まわり、クラックが発生すること、
ポリマ層が厚すぎるために、残留応力が強くなり、ク
ラックが発生すること、などが原因となっていることが
わかった。
【００１４】(2) 上記クラックが入った状態で、図７
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の工程を行なって光導波路を試
作したが、損失が極めて大きかった。
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の工程を行なって光導波路を試
作したが、損失が極めて大きかった。
【００１５】本発明の目的は、光の伝搬部分であるコア
用ポリマ中にクラックのない均一なポリマからなるポリ
マコア光導波路を提供することにある。その結果、低損
失、低偏波特性をもった光導波路を得ることができる。
また本発明の他の目的は、高寸法精度のポリマコア光導
波路を製造する方法も提供することにある。
用ポリマ中にクラックのない均一なポリマからなるポリ
マコア光導波路を提供することにある。その結果、低損
失、低偏波特性をもった光導波路を得ることができる。
また本発明の他の目的は、高寸法精度のポリマコア光導
波路を製造する方法も提供することにある。
【００１６】
(1) 基板と、該基板の表面に形成された屈折率がｎb で
所望厚さのＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より成るバッファ層と、
該バッファ層の上に形成された屈折率がｎw （ｎw ＞ｎ
b ）の略矩形状のポリマ材料より成るコアと、該コア表
面を覆うように設けられた屈折率がｎc （ｎc ＜ｎw ）
のクラッド層から構成されていることを特徴とするポリ
マコア光導波路。
所望厚さのＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より成るバッファ層と、
該バッファ層の上に形成された屈折率がｎw （ｎw ＞ｎ
b ）の略矩形状のポリマ材料より成るコアと、該コア表
面を覆うように設けられた屈折率がｎc （ｎc ＜ｎw ）
のクラッド層から構成されていることを特徴とするポリ
マコア光導波路。
【００１７】(2) クラッド層がＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より
構成されたことを特徴とする前記(1) 項記載のポリマコ
ア光導波路。
構成されたことを特徴とする前記(1) 項記載のポリマコ
ア光導波路。
【００１８】(3) クラッド層がポリマ材料より構成され
たことを特徴とする前記(1) 記載のポリマコア光導波
路。
たことを特徴とする前記(1) 記載のポリマコア光導波
路。
【００１９】(4) 基板表面が略凹状に加工されており、
該基板表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層が形成さ
れ、該バッファ層の凹部内にポリマ材料のコアが埋め込
まれており、該バッファ層およびコア表面がクラッド層
で覆われて構成されていることを特徴とする前記(1) 〜
(3) 項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導波路。
該基板表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層が形成さ
れ、該バッファ層の凹部内にポリマ材料のコアが埋め込
まれており、該バッファ層およびコア表面がクラッド層
で覆われて構成されていることを特徴とする前記(1) 〜
(3) 項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導波路。
【００２０】(5) コアのポリマ材料として、ポリイミ
ド、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリ
スチレンのいずれかを用いて構成されたことを特徴とす
る前記(1) 〜(4) 項のうちいずれか１項記載のポリマコ
ア光導波路。
ド、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリ
スチレンのいずれかを用いて構成されたことを特徴とす
る前記(1) 〜(4) 項のうちいずれか１項記載のポリマコ
ア光導波路。
【００２１】(6) 略矩形状のコアは、直線、曲線、Ｓ字
曲線、リング、平行線などのパターンを少なくとも１つ
有して構成されていることを特徴とする前記(1) 〜(5)
項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導波路。
曲線、リング、平行線などのパターンを少なくとも１つ
有して構成されていることを特徴とする前記(1) 〜(5)
項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導波路。
【００２２】(7) 基板が半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐなど）、誘電体（ガラス、強誘電体、ポリマなど）、
磁性体のいずれかから構成されることを特徴とする前記
(1)〜(6) 項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導
波路。
Ｐなど）、誘電体（ガラス、強誘電体、ポリマなど）、
磁性体のいずれかから構成されることを特徴とする前記
(1)〜(6) 項のうちいずれか１項記載のポリマコア光導
波路。
【００２３】(8) クラッド層の上にＳｉＯ2 、あるいは
ＳｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率制御用添加物を含ん
だ第２クラッド層が形成されて構成されていることを特
徴とする前記(1) 〜(7) 項のうちいずれか１項記載のポ
リマコア光導波路。
ＳｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率制御用添加物を含ん
だ第２クラッド層が形成されて構成されていることを特
徴とする前記(1) 〜(7) 項のうちいずれか１項記載のポ
リマコア光導波路。
【００２４】(9) 基板表面に順次にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜
のバッファ層、ポリマ材料のコア層、ＳｉＯｘＮｙＨｚ
膜のマスク層を形成する工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマス
ク層の上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジス
トパターンを形成する工程、該フォトレジストパターン
をマスクにして該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層をドライエ
ッチング工程によりパターニングする工程、該ＳｉＯｘ
ＮｙＨｚマスクパターンをマスクにしてドライエッチン
グ工程によりポリマコア層をドライエッチングする工
程、該ドライエッチングしたポリマコア表面をＳｉＯｘ
ＮｙＨｚ膜のクラッド層で覆う工程からなることを特徴
とするポリマコア光導波路の製造方法。
のバッファ層、ポリマ材料のコア層、ＳｉＯｘＮｙＨｚ
膜のマスク層を形成する工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマス
ク層の上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジス
トパターンを形成する工程、該フォトレジストパターン
をマスクにして該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層をドライエ
ッチング工程によりパターニングする工程、該ＳｉＯｘ
ＮｙＨｚマスクパターンをマスクにしてドライエッチン
グ工程によりポリマコア層をドライエッチングする工
程、該ドライエッチングしたポリマコア表面をＳｉＯｘ
ＮｙＨｚ膜のクラッド層で覆う工程からなることを特徴
とするポリマコア光導波路の製造方法。
【００２５】
【作用】前記(1) 項および(2) 項の発明によれば、ポリ
マのコアはＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層とクラッド
層の間にはさまれている。したがって、従来のようにポ
リマ層が多層状に厚く形成されていないので、ポリマの
コア中にクラックが発生することがない。しかも、本発
明の構成のように、例えば基板としてＳｉを用い、その
上にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層を数μm から１０
数μm の厚さに形成してもＳｉ基板の応力は極めて少な
い。このようなバッファ層の上にポリマのコア層を形成
してもクラックは入らない。なぜならば、ポリマ層同志
の積層の場合には接着性が極めて良く、加熱時に溶媒の
蒸発による径方向の収縮性が大きいためにクラックが入
った。これに対しては、ＳｉＯｘＮｙＨｚ層とポリマ層
との接着性は上記値ほど良くないことと、ＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚ層およびＳｉ基板に応力がほとんど残留していない
ので、クラックは入らない。またＳｉＯｘＮｙＨｚ膜は
図２に示すように、Ｎの含有量によって屈折率を１．４
６から１．７０近い値にまで容易に変えられる。なお、
この図２は本発明者が実験的に求めた結果である。そし
てポリマ（例えばポリイミド）の屈折率は１．４８〜
１．６２の範囲に入るものがほとんどであるので、コア
とクラッド（バッファ）との比屈折率差を０．数％から
数％に設定する場合に上記ＳｉＯｘＮｙＨｚの屈折率は
非常に適した範囲にある。すなわち、コアにポリマを用
いた場合のクラッド（バッファ）層として、ＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜は極めて好適な材料である。さらに、コアにポ
リマを用いた場合にはコアはやわらかく、コア端面を切
断、研磨することが大変にむずかしいが、ポリマコアを
硬い材質のＳｉＯｘＮｙＨｚ層ではさむことにより、上
記切断、研磨がやりやすくなり、高い寸法精度に加工す
ることができる。なお、上記ＳｉＯｘＮｙＨｚ層は低温
（３００℃以下）のプラズマＣＶＤ法によって容易に成
膜することができる。また(4) 項の発明のように、例え
ば、Ｓｉ基板上に凹状の溝を形成し、その凹状の溝表面
にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層をプラズマＣＶＤ法
で成膜する。その後、上記凹状溝内にポリマ溶液を流し
込んで凹状の溝内を埋め込み、次いで加熱することによ
り硬化させることによってポリマコア層３を形成するの
で、側面荒れの極めて少ないポリマコア層３を実現する
ことができる。これは光導波路の低損失化に有効であ
る。また、ポリマコア層がＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層
６の全表面に覆われることがないので、応力の少ない状
態で光導波路を作成することができる。
マのコアはＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層とクラッド
層の間にはさまれている。したがって、従来のようにポ
リマ層が多層状に厚く形成されていないので、ポリマの
コア中にクラックが発生することがない。しかも、本発
明の構成のように、例えば基板としてＳｉを用い、その
上にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層を数μm から１０
数μm の厚さに形成してもＳｉ基板の応力は極めて少な
い。このようなバッファ層の上にポリマのコア層を形成
してもクラックは入らない。なぜならば、ポリマ層同志
の積層の場合には接着性が極めて良く、加熱時に溶媒の
蒸発による径方向の収縮性が大きいためにクラックが入
った。これに対しては、ＳｉＯｘＮｙＨｚ層とポリマ層
との接着性は上記値ほど良くないことと、ＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚ層およびＳｉ基板に応力がほとんど残留していない
ので、クラックは入らない。またＳｉＯｘＮｙＨｚ膜は
図２に示すように、Ｎの含有量によって屈折率を１．４
６から１．７０近い値にまで容易に変えられる。なお、
この図２は本発明者が実験的に求めた結果である。そし
てポリマ（例えばポリイミド）の屈折率は１．４８〜
１．６２の範囲に入るものがほとんどであるので、コア
とクラッド（バッファ）との比屈折率差を０．数％から
数％に設定する場合に上記ＳｉＯｘＮｙＨｚの屈折率は
非常に適した範囲にある。すなわち、コアにポリマを用
いた場合のクラッド（バッファ）層として、ＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜は極めて好適な材料である。さらに、コアにポ
リマを用いた場合にはコアはやわらかく、コア端面を切
断、研磨することが大変にむずかしいが、ポリマコアを
硬い材質のＳｉＯｘＮｙＨｚ層ではさむことにより、上
記切断、研磨がやりやすくなり、高い寸法精度に加工す
ることができる。なお、上記ＳｉＯｘＮｙＨｚ層は低温
（３００℃以下）のプラズマＣＶＤ法によって容易に成
膜することができる。また(4) 項の発明のように、例え
ば、Ｓｉ基板上に凹状の溝を形成し、その凹状の溝表面
にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層をプラズマＣＶＤ法
で成膜する。その後、上記凹状溝内にポリマ溶液を流し
込んで凹状の溝内を埋め込み、次いで加熱することによ
り硬化させることによってポリマコア層３を形成するの
で、側面荒れの極めて少ないポリマコア層３を実現する
ことができる。これは光導波路の低損失化に有効であ
る。また、ポリマコア層がＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層
６の全表面に覆われることがないので、応力の少ない状
態で光導波路を作成することができる。
【００２６】(3) 項の発明によれば、ポリマコア層３と
ポリマクラッド層５との接触面はポリマコア層３の上面
のみであるので、応力の界在によるクラックの発生はほ
とんどない。また、ポリマクラッド層はほとんど大部分
がＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層と接しているので、応力
によるクラックの発生は生じない。
ポリマクラッド層５との接触面はポリマコア層３の上面
のみであるので、応力の界在によるクラックの発生はほ
とんどない。また、ポリマクラッド層はほとんど大部分
がＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層と接しているので、応力
によるクラックの発生は生じない。
【００２７】(5) 項の発明によれば、バッファ層および
クラッド層にポリマの屈折率範囲を十分にカバーするこ
とができるＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を用いているので、種々
のポリマ材料（ポリイミド、ポリカーボネート、ポリメ
タクリル酸メチル、ポリスチレンなど）を用いることが
できる。
クラッド層にポリマの屈折率範囲を十分にカバーするこ
とができるＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を用いているので、種々
のポリマ材料（ポリイミド、ポリカーボネート、ポリメ
タクリル酸メチル、ポリスチレンなど）を用いることが
できる。
【００２８】(6) 項の発明によれば、コアパターンとし
て、直線、平行線、曲線、Ｓ字曲線、リングなどを用い
ることにより、光分岐・結合回路、光スターカプラ、光
合分波回路、光フィルタ、光タップなどの光回路を実現
することができる。
て、直線、平行線、曲線、Ｓ字曲線、リングなどを用い
ることにより、光分岐・結合回路、光スターカプラ、光
合分波回路、光フィルタ、光タップなどの光回路を実現
することができる。
【００２９】(7) 項の発明によれば、バッファ層および
クラッド層にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を用いているので、種
々の基板（半導体、誘電体、磁性体など）を使用するこ
とができる。これにより、前記光受動回路のみならず、
半導体レーザ、受光素子、光増幅器、光変調器、光スイ
ッチなどの光能動回路も一体化された光導波回路を実現
することが可能となる。
クラッド層にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を用いているので、種
々の基板（半導体、誘電体、磁性体など）を使用するこ
とができる。これにより、前記光受動回路のみならず、
半導体レーザ、受光素子、光増幅器、光変調器、光スイ
ッチなどの光能動回路も一体化された光導波回路を実現
することが可能となる。
【００３０】(8) 項の発明によれば、クラッド層の上に
ＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率
制御用添加物を含んだ第２クラッド層を形成しておくこ
とにより、これが光導波路の損失増大を抑制する保護層
として作用する他に、光導波路端面を切断して端面研磨
する際のポリマコア端面のやわらかさによる変形を保護
する役目をする。すなわち、下部側の基板および第２ク
ラッド層の硬い材質でポリマコアを保護する役目をする
ので、切断、研磨が容易となり、光導波路端面の垂直性
を再現性良く実現することができる。
ＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率
制御用添加物を含んだ第２クラッド層を形成しておくこ
とにより、これが光導波路の損失増大を抑制する保護層
として作用する他に、光導波路端面を切断して端面研磨
する際のポリマコア端面のやわらかさによる変形を保護
する役目をする。すなわち、下部側の基板および第２ク
ラッド層の硬い材質でポリマコアを保護する役目をする
ので、切断、研磨が容易となり、光導波路端面の垂直性
を再現性良く実現することができる。
【００３１】(9) 項の発明によれば、ポリマコア層の上
面に設けたＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層がポリマコア層を
略矩形状にドライエッチングするときのマスクとして作
用することの他に、ポリマコア層の汚染による損失増大
を抑制する保護層としても作用する。また、ポリマコア
層を大きな選択比（ポリマコア層のエッチングレートと
ＳｉＯｘＮｙＨｚマスクのエッチングレートの比）でエ
ッチングすることができるので、ポリマコアを垂直性良
く、かつ高寸法精度で加工することができる。
面に設けたＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層がポリマコア層を
略矩形状にドライエッチングするときのマスクとして作
用することの他に、ポリマコア層の汚染による損失増大
を抑制する保護層としても作用する。また、ポリマコア
層を大きな選択比（ポリマコア層のエッチングレートと
ＳｉＯｘＮｙＨｚマスクのエッチングレートの比）でエ
ッチングすることができるので、ポリマコアを垂直性良
く、かつ高寸法精度で加工することができる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００３３】図１に、本発明のポリマコア光導波路の第
１の実施例を示す。これは光導波路の断面図を示したも
のである。基板１には、半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐなど）、誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 などの
強誘電体、ＳｉＯ2 系、多成分系などのガラス、エポキ
シ、ポリカーボネート、テフロンなどのポリマなど）、
磁性体などを用いることができるが、この実施例ではＳ
ｉ基板を用いた。このＳｉ基板１の表面上にＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜のバッファ層６が形成されている。このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚバッファ層６はプラズマＣＶＤ法によって形
成した。すなわち、真空に排気された反応室内に上部電
極と下部電極を配置させ、その下部電極上に上記Ｓｉ基
板１を置いて約２７０℃に加熱し、両電極間に高周波電
力を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ雰囲気
中にＳｉＨ4 とＮ2 ＯとＮ2 の混合ガスを流すことによ
り、ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を成膜した。このＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚ膜は約８μm の厚さに成膜し、Ｎ含有量を１８アト
ミック％に調節することにより、屈折率（波長０．６３
μm での値）が１．５４１５となるようにした。このＳ
ｉＯｘＮｙＨｚ膜を成膜したＳｉ基板の反り量は直径３
インチの基板に対して７μm 以下であった。この反り量
は極めて小さい値である。次に上記バッファ層上のポリ
マコア層３として、ポリイミド（日立化成製の製品Ｎ
Ｏ．ＰＩＱ−Ｗ１００とＰＩＱ−Ｗ２００の混合した
膜）を用いた。このポリマコア層３の屈折率と幅および
厚みとして、この実施例では波長０．８３μm でシング
ルモード用となるように設定し、屈折率１．５５６０
（波長０．６３μm ）、コア幅５μm、コア厚み３μm
とした。上記ポリイミドはＰＩＱ−Ｗ１００とＰＩＱ−
Ｗ２００をジメチルアセドアミド溶媒に溶かされたもの
をバッファ層上にスピンナ法により塗布後、９０℃で３
０分、２００℃で３０分、３５０℃で１時間加熱するこ
とによって作成した。その後、フォトリソグラフィ工程
によりフォトレジストパターンを上記ポリイミドコア層
上に形成する。次いでドライエッチング工程により、Ｏ
2 ガスをエッチングガスとしてプラズマ中でドライエッ
チング（反応性イオンエッチング）して略矩形状のポリ
マコア層３を得た。次に上記表面上に、前述したプラズ
マＣＶＤ法によりＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層７を形成
して光導波路を得た。上記ＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層
７の厚さは８μm とし、屈折率はバッファ層と同じ値に
した。
１の実施例を示す。これは光導波路の断面図を示したも
のである。基板１には、半導体（Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ｐなど）、誘電体（ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 などの
強誘電体、ＳｉＯ2 系、多成分系などのガラス、エポキ
シ、ポリカーボネート、テフロンなどのポリマなど）、
磁性体などを用いることができるが、この実施例ではＳ
ｉ基板を用いた。このＳｉ基板１の表面上にＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜のバッファ層６が形成されている。このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚバッファ層６はプラズマＣＶＤ法によって形
成した。すなわち、真空に排気された反応室内に上部電
極と下部電極を配置させ、その下部電極上に上記Ｓｉ基
板１を置いて約２７０℃に加熱し、両電極間に高周波電
力を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ雰囲気
中にＳｉＨ4 とＮ2 ＯとＮ2 の混合ガスを流すことによ
り、ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜を成膜した。このＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚ膜は約８μm の厚さに成膜し、Ｎ含有量を１８アト
ミック％に調節することにより、屈折率（波長０．６３
μm での値）が１．５４１５となるようにした。このＳ
ｉＯｘＮｙＨｚ膜を成膜したＳｉ基板の反り量は直径３
インチの基板に対して７μm 以下であった。この反り量
は極めて小さい値である。次に上記バッファ層上のポリ
マコア層３として、ポリイミド（日立化成製の製品Ｎ
Ｏ．ＰＩＱ−Ｗ１００とＰＩＱ−Ｗ２００の混合した
膜）を用いた。このポリマコア層３の屈折率と幅および
厚みとして、この実施例では波長０．８３μm でシング
ルモード用となるように設定し、屈折率１．５５６０
（波長０．６３μm ）、コア幅５μm、コア厚み３μm
とした。上記ポリイミドはＰＩＱ−Ｗ１００とＰＩＱ−
Ｗ２００をジメチルアセドアミド溶媒に溶かされたもの
をバッファ層上にスピンナ法により塗布後、９０℃で３
０分、２００℃で３０分、３５０℃で１時間加熱するこ
とによって作成した。その後、フォトリソグラフィ工程
によりフォトレジストパターンを上記ポリイミドコア層
上に形成する。次いでドライエッチング工程により、Ｏ
2 ガスをエッチングガスとしてプラズマ中でドライエッ
チング（反応性イオンエッチング）して略矩形状のポリ
マコア層３を得た。次に上記表面上に、前述したプラズ
マＣＶＤ法によりＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層７を形成
して光導波路を得た。上記ＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層
７の厚さは８μm とし、屈折率はバッファ層と同じ値に
した。
【００３４】以上のような工程によりポリマコア光導波
路を作製したが、クラックはまったく発生しなかった。
すなわち、ポリイミドコア層を形成した段階、ＳｉＯｘ
ＮｙＨｚクラッド層７を形成した段階でのＳｉ基板１の
反り量はほとんど増えなかった。
路を作製したが、クラックはまったく発生しなかった。
すなわち、ポリイミドコア層を形成した段階、ＳｉＯｘ
ＮｙＨｚクラッド層７を形成した段階でのＳｉ基板１の
反り量はほとんど増えなかった。
【００３５】図３は本発明のポリマコア光導波路の第２
の実施例を示したものである。これはＳｉ基板１の表面
にコアパターンを埋め込むための凹部８を予め設けてお
いたものである。そしてこの凹部８を有するＳｉ基板表
面上にＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６を形成した後、凹
部８にポリイミド溶液を流し込み、加熱により凹部８の
溝内にポリイミドを埋め込む。最後にＳｉＯｘＮｙＨｚ
クラッド層７で被覆した構造である。この光導波路の特
徴は、図１のように、ポリイミドコア層をドライエッチ
ングにより略矩形状に加工する必要がないので、コア側
面の荒れを非常に小さく抑えることができる。これは光
導波路の散乱損失を小さくする。また矩形状のポリマコ
ア層３を得るために、ＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６の
全表面にポリイミドコア層を被覆しなくてよい。したが
って、応力の発生を抑えることができる。
の実施例を示したものである。これはＳｉ基板１の表面
にコアパターンを埋め込むための凹部８を予め設けてお
いたものである。そしてこの凹部８を有するＳｉ基板表
面上にＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６を形成した後、凹
部８にポリイミド溶液を流し込み、加熱により凹部８の
溝内にポリイミドを埋め込む。最後にＳｉＯｘＮｙＨｚ
クラッド層７で被覆した構造である。この光導波路の特
徴は、図１のように、ポリイミドコア層をドライエッチ
ングにより略矩形状に加工する必要がないので、コア側
面の荒れを非常に小さく抑えることができる。これは光
導波路の散乱損失を小さくする。また矩形状のポリマコ
ア層３を得るために、ＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６の
全表面にポリイミドコア層を被覆しなくてよい。したが
って、応力の発生を抑えることができる。
【００３６】図４も本発明のポリマコア光導波路の第３
の実施例を示したものである。これは図３のＳｉＯｘＮ
ｙＨｚクラッド層の代わりに、ポリマクラッド層５を用
いたものである。この構造も製造過程でポリマコア層３
とポリマクラッド層５とが広い面積で接することがない
ので、応力の発生によるクラックはほとんど生じない。
の実施例を示したものである。これは図３のＳｉＯｘＮ
ｙＨｚクラッド層の代わりに、ポリマクラッド層５を用
いたものである。この構造も製造過程でポリマコア層３
とポリマクラッド層５とが広い面積で接することがない
ので、応力の発生によるクラックはほとんど生じない。
【００３７】図５も本発明のポリマコア光導波路の第４
の実施例を示したものである。これは前述したように、
クラッド層の上にＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 に少なく
とも１種の屈折率制御用添加物を含んだ第２クラッド層
を形成しておくことにより、これが光導波路の損失増加
を抑制する保護層としてと作用する他に、光導波路端面
を切断して端面研磨する際のポリマコア端面のやわらか
さによる変形を保護する役目をする。すなわち、硬い材
質からなる基板および第２クラッド層がポリマコアを保
護する役目をするので、切断、研磨が容易となり、光導
波路端面の垂直性を再現性良く実現することができる。
この第２クラッド層９の屈折率はポリマクラッド層５の
屈折率と等しいかそれよりも低い値のほうが好ましい。
また、この第２クラッド層９はガラス板でもよい。その
場合にはポリマクラッド層５と上記ガラス板を接着剤で
固定してもよい。
の実施例を示したものである。これは前述したように、
クラッド層の上にＳｉＯ2 、あるいはＳｉＯ2 に少なく
とも１種の屈折率制御用添加物を含んだ第２クラッド層
を形成しておくことにより、これが光導波路の損失増加
を抑制する保護層としてと作用する他に、光導波路端面
を切断して端面研磨する際のポリマコア端面のやわらか
さによる変形を保護する役目をする。すなわち、硬い材
質からなる基板および第２クラッド層がポリマコアを保
護する役目をするので、切断、研磨が容易となり、光導
波路端面の垂直性を再現性良く実現することができる。
この第２クラッド層９の屈折率はポリマクラッド層５の
屈折率と等しいかそれよりも低い値のほうが好ましい。
また、この第２クラッド層９はガラス板でもよい。その
場合にはポリマクラッド層５と上記ガラス板を接着剤で
固定してもよい。
【００３８】図６は本発明のポリマコア光導波路の製造
方法の実施例を示したものである。この製造方法の特徴
は、ポリマコア層の上面に設けたＳｉＯｘＮｙＨｚマス
ク層１０がポリマコア層３を略矩形状にドライエッチン
グするときのマスクとして作用することの他に、ポリマ
コア層３の汚染による損失増大を抑制する保護層として
も作用する。また、ポリマコア層を大きな選択比でエッ
チングすることができるので、ポリマコア層を垂直性良
く、かつ高寸法精度で加工することができる。この製造
方法を図を用いて説明する。まず図６（ａ）に示すよう
に、基板１表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層６を
形成する。このＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６は、前述
したように、ＳｉＨ4 とＮ2 ＯとＮ2 ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法の他に、金属アルコシド液（例えば、Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）とＮ2 ＯとＮ2 を用いたプラズマＣ
ＶＤ法、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の混合タブレットを用い
た電子ビーム蒸着法などを用いて形成することができ
る。次に図６（ｂ）に示すように、そのＳｉＯｘＮｙＨ
ｚバッファ層６の上にポリマコア層３を形成する。その
後、図６（ｃ）に示すように上記ポリマコア層３の上に
ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０を形成する。このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚマスク層１０の屈折率は後で形成するＳｉＯ
ｘＮｙＨｚクラッド層７の屈折率と等しいかそれよりも
低い値に設定する。このＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０
も低温（３００℃以下）の前記プラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。次に図６（ｄ）に示すように、このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚマスク層１０の上にフォトリソグラフィ工程
を用いてフォトレジストパターン４を形成する。次いで
図６（ｅ）に示すように、フォトレジストパターン４を
用いて、ドライエッチングプロセスによりＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚマスク層１０をマスクパターン加工する。この場
合、エッチングガスにはＣＨＦ3 ガスを用い、ガス圧が
０．０５〜０．０１Torrの低ガス圧でエッチングを行な
う。その後、図６（ｆ）に示すように上記ＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚマスク層１０を用いてポリマコア層３を略矩形状に
ドライエッチング加工する。この場合のエッチングガス
には、Ｏ2 あるいはＯ2 にＣＦ4 を添加したガスを用い
て行なう。最後に、図６（ｇ）に示すように、図６
（ｆ）でドライエッチング加工した表面全体をＳｉＯｘ
ＮｙＨｚクラッド層７で被覆することにより、ポリマコ
ア光導波路を作ることができる。
方法の実施例を示したものである。この製造方法の特徴
は、ポリマコア層の上面に設けたＳｉＯｘＮｙＨｚマス
ク層１０がポリマコア層３を略矩形状にドライエッチン
グするときのマスクとして作用することの他に、ポリマ
コア層３の汚染による損失増大を抑制する保護層として
も作用する。また、ポリマコア層を大きな選択比でエッ
チングすることができるので、ポリマコア層を垂直性良
く、かつ高寸法精度で加工することができる。この製造
方法を図を用いて説明する。まず図６（ａ）に示すよう
に、基板１表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層６を
形成する。このＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層６は、前述
したように、ＳｉＨ4 とＮ2 ＯとＮ2 ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法の他に、金属アルコシド液（例えば、Ｓｉ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）とＮ2 ＯとＮ2 を用いたプラズマＣ
ＶＤ法、ＳｉＯ2 とＳｉ3 Ｎ4 の混合タブレットを用い
た電子ビーム蒸着法などを用いて形成することができ
る。次に図６（ｂ）に示すように、そのＳｉＯｘＮｙＨ
ｚバッファ層６の上にポリマコア層３を形成する。その
後、図６（ｃ）に示すように上記ポリマコア層３の上に
ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０を形成する。このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚマスク層１０の屈折率は後で形成するＳｉＯ
ｘＮｙＨｚクラッド層７の屈折率と等しいかそれよりも
低い値に設定する。このＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層１０
も低温（３００℃以下）の前記プラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。次に図６（ｄ）に示すように、このＳｉＯ
ｘＮｙＨｚマスク層１０の上にフォトリソグラフィ工程
を用いてフォトレジストパターン４を形成する。次いで
図６（ｅ）に示すように、フォトレジストパターン４を
用いて、ドライエッチングプロセスによりＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚマスク層１０をマスクパターン加工する。この場
合、エッチングガスにはＣＨＦ3 ガスを用い、ガス圧が
０．０５〜０．０１Torrの低ガス圧でエッチングを行な
う。その後、図６（ｆ）に示すように上記ＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚマスク層１０を用いてポリマコア層３を略矩形状に
ドライエッチング加工する。この場合のエッチングガス
には、Ｏ2 あるいはＯ2 にＣＦ4 を添加したガスを用い
て行なう。最後に、図６（ｇ）に示すように、図６
（ｆ）でドライエッチング加工した表面全体をＳｉＯｘ
ＮｙＨｚクラッド層７で被覆することにより、ポリマコ
ア光導波路を作ることができる。
【００３９】上記実施例では、基板にはＳｉを用いた
が、これに限定されず、前述したように種々の材質を用
いることができる。また、ポリマコア層３の材質もポリ
イミド以外の種々のポリマ材を用いることができる。
が、これに限定されず、前述したように種々の材質を用
いることができる。また、ポリマコア層３の材質もポリ
イミド以外の種々のポリマ材を用いることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明のポリマコ
ア光導波路およびその製造方法は次のような効果を有す
る。
ア光導波路およびその製造方法は次のような効果を有す
る。
【００４１】(1) 光の伝搬する部分であるコア用ポリマ
中にクラックのない均一なポリマからなるポリマコア光
導波路を得ることができる。
中にクラックのない均一なポリマからなるポリマコア光
導波路を得ることができる。
【００４２】(2) 光導波路中への応力の残留が極めて少
ないので、低損失、低偏波特性を実現できる。
ないので、低損失、低偏波特性を実現できる。
【００４３】(3) クラッド層（バッファ層）にポリマの
屈折率範囲を十分にカバーすることができるＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜を用いているので、コアに種々のポリマ材料を
使うことができる。また、上記ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜はポ
リマ材料に比して硬い材質であり、この材質でポリマコ
アがはさまれているので、光導波路の切断、およびその
切断面の研磨が極めてやりやすく、高い寸法精度で加工
することができる。
屈折率範囲を十分にカバーすることができるＳｉＯｘＮ
ｙＨｚ膜を用いているので、コアに種々のポリマ材料を
使うことができる。また、上記ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜はポ
リマ材料に比して硬い材質であり、この材質でポリマコ
アがはさまれているので、光導波路の切断、およびその
切断面の研磨が極めてやりやすく、高い寸法精度で加工
することができる。
【００４４】(4) 基板に凹溝を形成し、その上にＳｉＯ
ｘＮｙＨｚ膜を形成した後、上記凹溝中にポリマ溶液を
流し込んで、略矩形状のポリマコアを形成するので、側
面の荒れの少ないコアを作れ、散乱損失の低い光導波路
を実現することができる。
ｘＮｙＨｚ膜を形成した後、上記凹溝中にポリマ溶液を
流し込んで、略矩形状のポリマコアを形成するので、側
面の荒れの少ないコアを作れ、散乱損失の低い光導波路
を実現することができる。
【００４５】(5) クラッド層の上にＳｉＯ2 あるいはＳ
ｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率制御用添加物を含んだ
第２クラッド層を形成しておくことにより、これが光導
波路の損失増大を抑制する保護層として作用する他に、
光導波路端面を切断して端面研磨する際のポリマコア端
面のやわらかさによる変形を保護する役目をする。これ
により、切断、研磨が容易となり、光導波路端面の垂直
性を再現性良く実現することができる。
ｉＯ2 に少なくとも１種の屈折率制御用添加物を含んだ
第２クラッド層を形成しておくことにより、これが光導
波路の損失増大を抑制する保護層として作用する他に、
光導波路端面を切断して端面研磨する際のポリマコア端
面のやわらかさによる変形を保護する役目をする。これ
により、切断、研磨が容易となり、光導波路端面の垂直
性を再現性良く実現することができる。
【００４６】(6) ポリマコア層の上面に設けたＳｉＯｘ
ＮｙＨｚマスク層をポリマコア層を略矩形状にドライエ
ッチングするときのマスクとして作用することの他に、
ポリマコア層の汚染による損失増加を抑制する保護層と
しても作用する。また、このＳｉＯｘＮｙＨｚ膜はポリ
マコアに対してエッチング選択比が大きいので、ポリマ
コアを垂直性良く、かつ高寸法精度で加工することがで
きる。
ＮｙＨｚマスク層をポリマコア層を略矩形状にドライエ
ッチングするときのマスクとして作用することの他に、
ポリマコア層の汚染による損失増加を抑制する保護層と
しても作用する。また、このＳｉＯｘＮｙＨｚ膜はポリ
マコアに対してエッチング選択比が大きいので、ポリマ
コアを垂直性良く、かつ高寸法精度で加工することがで
きる。
【図１】本発明のポリマコア光導波路の実施例を示す説
明図。
明図。
【図２】本発明に用いるＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のＮ含有量
と屈折率との関係を示した特性図（本発明者が実験的に
求めた結果）。
と屈折率との関係を示した特性図（本発明者が実験的に
求めた結果）。
【図３】本発明のポリマコア光導波路の実施例を示す説
明図。
明図。
【図４】本発明のポリマコア光導波路の実施例を示す説
明図。
明図。
【図５】本発明のポリマコア光導波路の実施例を示す説
明図。
明図。
【図６】本発明のポリマコア光導波路の製造方法を示す
説明図。
説明図。
【図７】本発明者が検討したポリマ光導波路の製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
１ 基板 ３ ポリマコア層 ５ ポリマクラッド層 ６ ＳｉＯｘＮｙＨｚバッファ層 ７ ＳｉＯｘＮｙＨｚクラッド層
Claims (9)
- 【請求項１】基板と、該基板の表面に形成された屈折率
がｎb で所望厚さのＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より成るバッフ
ァ層と、該バッファ層の上に形成された屈折率がｎ
w （ｎw＞ｎb ）の略矩形状のポリマ材料より成るコア
と、該コア表面を覆うように設けられた屈折率がｎ
c （ｎc ＜ｎw ）のクラッド層から構成されていること
を特徴とするポリマコア光導波路。 - 【請求項２】クラッド層がＳｉＯｘＮｙＨｚ膜より構成
されたことを特徴とする請求項１記載のポリマコア光導
波路。 - 【請求項３】クラッド層がポリマ材料より構成されたこ
とを特徴とする請求項１記載のポリマコア光導波路。 - 【請求項４】基板表面が略凹状に加工されており、該基
板表面にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバッファ層が形成され、
該バッファ層の凹部内にポリマ材料のコアが埋め込まれ
ており、該バッファ層およびコア表面がクラッド層で覆
われて構成されていることを特徴とする請求項１乃至３
のうちいずれかに記載のポリマコア光導波路。 - 【請求項５】コアのポリマ材料として、ポリイミド、ポ
リカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、ポリスチレ
ンのいずれかを用いて構成されたことを特徴とする請求
項１乃至４のうちいずれかに記載のポリマコア光導波
路。 - 【請求項６】略矩形状のコアは、直線、曲線、Ｓ字曲
線、リング、平行線などのパターンを少なくとも１つ有
して構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の
うちいずれかに記載のポリマコア光導波路。 - 【請求項７】基板が半導体、誘電体、磁性体のいずれか
から構成されていることを特徴とする請求項１乃至６の
うちいずれかに記載のポリマコア光導波路。 - 【請求項８】クラッド層の上にＳｉＯ2 、あるいはＳｉ
Ｏ2 に少なくとも１種の屈折率制御用添加物を含んだ第
２クラッド層が形成されて構成されていることを特徴と
する請求項１乃至７のうちいずれかに記載のポリマコア
光導波路。 - 【請求項９】基板表面に順次にＳｉＯｘＮｙＨｚ膜のバ
ッファ層、ポリマ材料のコア層、ＳｉＯｘＮｙＨｚ膜の
マスク層を形成する工程、該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層
の上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストパ
ターンを形成する工程、該フォトレジストパターンをマ
スクにして該ＳｉＯｘＮｙＨｚマスク層をドライエッチ
ング工程によりパターニングする工程、該ＳｉＯｘＮｙ
Ｈｚマスクパターンをマスクにしてドライエッチング工
程によりポリマコア層をドライエッチングする工程、該
ドライエッチングしたポリマコア表面をクラッド層で覆
う工程からなることを特徴とするポリマコア光導波路の
製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239747A JPH0792337A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | ポリマコア光導波路およびその製造方法 |
| GB9419094A GB2282237B (en) | 1993-09-27 | 1994-09-22 | Polymer core optional wave-guide and fabrication method thereof |
| DE4434321A DE4434321C2 (de) | 1993-09-27 | 1994-09-26 | Optischer Wellenleiter mit einem Polymerkern und dessen Herstellungsverfahren |
| US08/313,984 US5497445A (en) | 1993-09-27 | 1994-09-27 | Polymer core optical wave-guide and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239747A JPH0792337A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | ポリマコア光導波路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792337A true JPH0792337A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17049333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5239747A Pending JPH0792337A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | ポリマコア光導波路およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5497445A (ja) |
| JP (1) | JPH0792337A (ja) |
| DE (1) | DE4434321C2 (ja) |
| GB (1) | GB2282237B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731856B1 (en) | 1998-11-27 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic waveguide and manufacturing method thereof and optical part using the same |
| US6956980B2 (en) | 2000-09-18 | 2005-10-18 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide type optical modulator and production method therefor |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2312524A (en) * | 1996-04-24 | 1997-10-29 | Northern Telecom Ltd | Planar optical waveguide cladding by PECVD method |
| US6229949B1 (en) * | 1997-02-19 | 2001-05-08 | Hitachi, Ltd. | Polymer optical waveguide, optical integrated circuit, optical module and optical communication apparatus |
| CA2283075A1 (en) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Akzo Nobel Nv | Polymeric optical waveguide doped with a lanthanide-sensitizer complex |
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