JPH10206552A - コントラストを向上させた像検出器 - Google Patents
コントラストを向上させた像検出器Info
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- JPH10206552A JPH10206552A JP36661197A JP36661197A JPH10206552A JP H10206552 A JPH10206552 A JP H10206552A JP 36661197 A JP36661197 A JP 36661197A JP 36661197 A JP36661197 A JP 36661197A JP H10206552 A JPH10206552 A JP H10206552A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラストを向上させた像検出器を提供す
る。 【解決手段】 感光性ドットのアレイおよび追加光源を
有する種類の像検出器を開示する。開示の装置は、放射
線像を検出する用途に特別な利点を有する。この像検出
器は、支持体の対向する表面上に配置された感光性マト
リクスおよび追加光源を有する。マトリクスは、一部が
マトリクスによって検出されない入射放射として知られ
る放射で露光される。検出器はさらに、検出されなかっ
た入射放射の部分よりも追加光源によって生成された追
加放射の透過を促進する手段を有する。この種類の配置
は、像のコントラストを低い空間周波数で特に向上させ
る。
る。 【解決手段】 感光性ドットのアレイおよび追加光源を
有する種類の像検出器を開示する。開示の装置は、放射
線像を検出する用途に特別な利点を有する。この像検出
器は、支持体の対向する表面上に配置された感光性マト
リクスおよび追加光源を有する。マトリクスは、一部が
マトリクスによって検出されない入射放射として知られ
る放射で露光される。検出器はさらに、検出されなかっ
た入射放射の部分よりも追加光源によって生成された追
加放射の透過を促進する手段を有する。この種類の配置
は、像のコントラストを低い空間周波数で特に向上させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性部品のマト
リクスが追加光源と連携するタイプの像検出器に関す
る。本発明は、放射線像の検出に特に有望に適用するこ
とができる。
リクスが追加光源と連携するタイプの像検出器に関す
る。本発明は、放射線像の検出に特に有望に適用するこ
とができる。
【０００２】
【従来の技術】現在、特に薄膜付着技術で半導体材料か
ら製造した感光性ドットのマトリクスを使用した大型の
像検出パネルは普通に見られる。アモルファス・シリコ
ンからなる感光性ドットが最も一般的である。各感光性
ドットは、感光性部品（例えばフォトダイオード）、お
よびこれと連携した、トランジスタまたはいわゆるスイ
ッチング・ダイオードによって構成されたスイッチ部品
を含む。
ら製造した感光性ドットのマトリクスを使用した大型の
像検出パネルは普通に見られる。アモルファス・シリコ
ンからなる感光性ドットが最も一般的である。各感光性
ドットは、感光性部品（例えばフォトダイオード）、お
よびこれと連携した、トランジスタまたはいわゆるスイ
ッチング・ダイオードによって構成されたスイッチ部品
を含む。
【０００３】感光性ドットは、行と列のアレイを形成す
る。各スイッチ部品を行単位で活性化することにより、
測定光信号、すなわち検出すべき像に対応した信号でフ
ォトダイオードを露光する際に対応するフォトダイオー
ドで生じた電荷を列に伝送することができる。次いで、
外部のマルチプレクサ回路を使用して、異なる感光性ド
ットの電荷を読み出す。
る。各スイッチ部品を行単位で活性化することにより、
測定光信号、すなわち検出すべき像に対応した信号でフ
ォトダイオードを露光する際に対応するフォトダイオー
ドで生じた電荷を列に伝送することができる。次いで、
外部のマルチプレクサ回路を使用して、異なる感光性ド
ットの電荷を読み出す。
【０００４】上に述べた種類の感光性マトリクス、およ
びその動作モード、製造方法がフランス特許出願第８
６．１４．０５８号（公告第２．６０５．１６６号）に
特に記載されている。
びその動作モード、製造方法がフランス特許出願第８
６．１４．０５８号（公告第２．６０５．１６６号）に
特に記載されている。
【０００５】放射線像を検出するためには、フォトダイ
オードが感知可能な可視光または近可視光にＸ線を変換
するシンチレータを、感光性マトリクスとそのＸ線の間
に挿入するだけでよい。この目的のために、タリウムを
ドープしたヨウ化セシウムなどの放射線で発光する物質
の層で感光性部品のマトリクスをおおうことが従来から
実施されている。
オードが感知可能な可視光または近可視光にＸ線を変換
するシンチレータを、感光性マトリクスとそのＸ線の間
に挿入するだけでよい。この目的のために、タリウムを
ドープしたヨウ化セシウムなどの放射線で発光する物質
の層で感光性部品のマトリクスをおおうことが従来から
実施されている。
【０００６】感光性マトリクスの動作を制御する方法に
は各種ある。これらの方法は、目指す具体的な目標、す
なわち全般的なマトリクスの編成および感光性ドットの
構成に依存する。
は各種ある。これらの方法は、目指す具体的な目標、す
なわち全般的なマトリクスの編成および感光性ドットの
構成に依存する。
【０００７】これらの制御方法の中に、追加光源で感光
性ドットを追加照明するものがある。この追加光源は、
検出すべき像に対応する測定光信号とは無関係な追加光
ビーム（以下追加放射と呼ぶ）を生じる。この事例はか
なり多く、特に、スイッチング・ダイオードに直列に接
続されたフォトダイオードによって各感光性ドットが構
成されるものが多い。事実この場合、感光性ドットを追
加放射で露光するのは、各感光性ドットのフォトダイオ
ードとスイッチング・ダイオードの接続点の電圧値に作
用する比較的簡単な手段である。
性ドットを追加照明するものがある。この追加光源は、
検出すべき像に対応する測定光信号とは無関係な追加光
ビーム（以下追加放射と呼ぶ）を生じる。この事例はか
なり多く、特に、スイッチング・ダイオードに直列に接
続されたフォトダイオードによって各感光性ドットが構
成されるものが多い。事実この場合、感光性ドットを追
加放射で露光するのは、各感光性ドットのフォトダイオ
ードとスイッチング・ダイオードの接続点の電圧値に作
用する比較的簡単な手段である。
【０００８】この追加放射での感光性ドットの露光によ
って、いわゆる光学的リセット動作または光学的レベル
・リセット動作と呼ばれる動作を実施することができ
る。これは一般に、この方法の有効測定信号露光段の前
段で実施される。この種の光学的リセット動作は、前記
特許出願第８６．１４．０５８号に説明されている。
って、いわゆる光学的リセット動作または光学的レベル
・リセット動作と呼ばれる動作を実施することができ
る。これは一般に、この方法の有効測定信号露光段の前
段で実施される。この種の光学的リセット動作は、前記
特許出願第８６．１４．０５８号に説明されている。
【０００９】各感光性ドット中にいわゆる励振電荷を生
み出すために感光性マトリクスの追加照明を実施する他
の動作法が知られている。この種の動作法は、第２．６
３６．８００号として公告されたフランス特許出願第８
８．１２１２６号に説明されている。この動作では、計
測光信号によって生じた「信号」電荷にこの励振電荷を
加えて、値の低い信号の「信号」電荷の伝送効率を向上
させる。
み出すために感光性マトリクスの追加照明を実施する他
の動作法が知られている。この種の動作法は、第２．６
３６．８００号として公告されたフランス特許出願第８
８．１２１２６号に説明されている。この動作では、計
測光信号によって生じた「信号」電荷にこの励振電荷を
加えて、値の低い信号の「信号」電荷の伝送効率を向上
させる。
【００１０】感光性マトリクスを追加放射で露光する理
由の如何に関わらず、追加放射を発生させる追加光源は
一般に、感光性マトリクスの支持体の背面、すなわち支
持体のマトリクスが形成される面とは反対の面に配置さ
れる。この種の配置は、通常ガラス製である支持体が透
明であることにより可能となる。支持体の透明度が高い
ほど、追加放射の放射の程度も高くなり、したがって追
加放射源の大きさおよびコストを低く抑えることができ
るため、支持体の透明度は非常に重要である。
由の如何に関わらず、追加放射を発生させる追加光源は
一般に、感光性マトリクスの支持体の背面、すなわち支
持体のマトリクスが形成される面とは反対の面に配置さ
れる。この種の配置は、通常ガラス製である支持体が透
明であることにより可能となる。支持体の透明度が高い
ほど、追加放射の放射の程度も高くなり、したがって追
加放射源の大きさおよびコストを低く抑えることができ
るため、支持体の透明度は非常に重要である。
【００１１】しかし、追加照明に有用な支持体の透明度
が大きな欠点となることもある。この欠点を、図１に参
照して詳細に説明する。
が大きな欠点となることもある。この欠点を、図１に参
照して詳細に説明する。
【００１２】図１は、上に定義した種類の標準的な像検
出パネル１の構造の（例えば感光性ドットの行と平行に
とった）断面図である。この像検出器は、スイッチング
・ダイオードＤｃおよびこれと連携したフォトダイオー
ドＤｐからそれぞれ形成された感光性ドットｐ１、ｐ
２、ｐ３のマトリクス２を有する。感光性マトリクス２
は、例えばガラス製の透明支持体すなわち基板４の第１
の表面３の上に作られる。像検出器１はさらに、感光性
マトリクス２の反対側の支持体４の第２の表面、すなわ
ち背面７に配置された追加光源６を有する。追加光源６
は、（例えば、図示しない発光ダイオードを使用して）
例えば光学的リセット動作を得るように設計された前述
の追加放射を構成する放射を生み出す。
出パネル１の構造の（例えば感光性ドットの行と平行に
とった）断面図である。この像検出器は、スイッチング
・ダイオードＤｃおよびこれと連携したフォトダイオー
ドＤｐからそれぞれ形成された感光性ドットｐ１、ｐ
２、ｐ３のマトリクス２を有する。感光性マトリクス２
は、例えばガラス製の透明支持体すなわち基板４の第１
の表面３の上に作られる。像検出器１はさらに、感光性
マトリクス２の反対側の支持体４の第２の表面、すなわ
ち背面７に配置された追加光源６を有する。追加光源６
は、（例えば、図示しない発光ダイオードを使用して）
例えば光学的リセット動作を得るように設計された前述
の追加放射を構成する放射を生み出す。
【００１３】感光性マトリクス２は、光線Ｒｉで示され
たいわゆる入射放射によって照明される。この放射が、
測定光信号である。一般には、検出すべき入射光が、感
光性ドットｐ１、ｐ２、ｐ３によって完全に吸収される
わけではない。実際、入射放射Ｒｉの一部がわずかなが
ら、これらの感光性ドットの活性物質（フォトダイオー
ドＤｐのアモルファス・シリコン）に吸収されずにこれ
を通過する。他の一部は、フォトダイオードの間を、接
続（図示せず）の間の自由空間を通って検出パネル１を
通過する。
たいわゆる入射放射によって照明される。この放射が、
測定光信号である。一般には、検出すべき入射光が、感
光性ドットｐ１、ｐ２、ｐ３によって完全に吸収される
わけではない。実際、入射放射Ｒｉの一部がわずかなが
ら、これらの感光性ドットの活性物質（フォトダイオー
ドＤｐのアモルファス・シリコン）に吸収されずにこれ
を通過する。他の一部は、フォトダイオードの間を、接
続（図示せず）の間の自由空間を通って検出パネル１を
通過する。
【００１４】ガラス基板４を通過した後、図１の経路Ｔ
ｒ１、Ｔｒ２、．．．、Ｔｒｎで示すように、吸収され
ず、したがって検出されなかった入射光の部分は、制御
できないほどに反射すなわち散乱する。この光の部分は
寄生光となる。この寄生光は、その近くを通過した、ま
たはその中を通過したドットとは違う感光性ドット、よ
り具体的にはそれから遠く離れたドットによって最終的
に検出される可能性がある。この図では、追加光源６は
基板４に取り付けられている。しかし、追加光源６と基
板４を自由空間で隔てた実施形態を考えることもでき
る。この空間の厚さは、１ミリメートル以上にすること
ができ、１センチメートル以上とすることもできる。こ
の空間は、基板とともに基板−空気ジオプタを形成す
る。光は、この空間を伝搬することができる。
ｒ１、Ｔｒ２、．．．、Ｔｒｎで示すように、吸収され
ず、したがって検出されなかった入射光の部分は、制御
できないほどに反射すなわち散乱する。この光の部分は
寄生光となる。この寄生光は、その近くを通過した、ま
たはその中を通過したドットとは違う感光性ドット、よ
り具体的にはそれから遠く離れたドットによって最終的
に検出される可能性がある。この図では、追加光源６は
基板４に取り付けられている。しかし、追加光源６と基
板４を自由空間で隔てた実施形態を考えることもでき
る。この空間の厚さは、１ミリメートル以上にすること
ができ、１センチメートル以上とすることもできる。こ
の空間は、基板とともに基板−空気ジオプタを形成す
る。光は、この空間を伝搬することができる。
【００１５】全体的な結果は、低い空間周波数で特に顕
著なコントラストの低下である。
著なコントラストの低下である。
【００１６】イメージ増強管分野で使用される技術から
発想される、この寄生光のレベルを低減することを目的
とする１つの解決策は、透過率Ｔを有する透明度の低い
支持体の使用から成る。この場合、検出されなかった光
が感光性ドットに捕捉されるためにはこの光は支持体を
２度通過しなければならず、したがってこの光はＴ2倍
に減衰される。よってこの寄生光は無視できる。この方
法の欠点は、特に追加放射がその機能を果たすために
は、追加放射が１／Ｔ倍強力でなければならないという
ことである。
発想される、この寄生光のレベルを低減することを目的
とする１つの解決策は、透過率Ｔを有する透明度の低い
支持体の使用から成る。この場合、検出されなかった光
が感光性ドットに捕捉されるためにはこの光は支持体を
２度通過しなければならず、したがってこの光はＴ2倍
に減衰される。よってこの寄生光は無視できる。この方
法の欠点は、特に追加放射がその機能を果たすために
は、追加放射が１／Ｔ倍強力でなければならないという
ことである。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、追加
放射の放射パワーを変更しなければならないような方法
によらずに、前述のコントラストの低下を抑えることに
ある。
放射の放射パワーを変更しなければならないような方法
によらずに、前述のコントラストの低下を抑えることに
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明に基づいて、感光
性ドットのマトリクスと、感光性マトリクスが作られる
支持体と、追加光源として知られる追加放射を生じる光
源と、追加光源と感光性マトリクスの間の追加放射の透
過を、検出されなかった入射放射の部分よりも促進する
手段とを有し、追加光源が、支持体の、感光性マトリク
スを有する面と反対側の面に対応する側面に配置され、
感光性マトリクスが入射放射として知られる放射で露光
され、入射放射の一部が感光性マトリクスによって検出
されない像検出器を提案する。
性ドットのマトリクスと、感光性マトリクスが作られる
支持体と、追加光源として知られる追加放射を生じる光
源と、追加光源と感光性マトリクスの間の追加放射の透
過を、検出されなかった入射放射の部分よりも促進する
手段とを有し、追加光源が、支持体の、感光性マトリク
スを有する面と反対側の面に対応する側面に配置され、
感光性マトリクスが入射放射として知られる放射で露光
され、入射放射の一部が感光性マトリクスによって検出
されない像検出器を提案する。
【００１９】添付図面に参照し、非限定的な方法でなさ
れたこれらの実施形態の以下の説明から、本発明はより
明白に理解され、その他の利点も明らかになるであろ
う。
れたこれらの実施形態の以下の説明から、本発明はより
明白に理解され、その他の利点も明らかになるであろ
う。
【００２０】
【発明の実施の形態】図２に、本発明に基づいた像検出
器１０の構造を図１の検出器と同様の断面で示す。検出
器１０は、図１に示したマトリクス２と同じ型の感光性
ドットｐ１、ｐ２、ｐ３のマトリクス２０を有する。図
１の場合と同様、マトリクス２０は支持体４０の表面３
の上に作られる。検出器１０は、その背面７に対応する
側に追加光源６を有する。この追加光源は例えば図１と
同じ型のものでよい。追加光源６から基板４０を自由空
間で分離することもできる。光学的リセット動作を実施
するため追加光源６は追加放射Ｒｄ（図２には図示せ
ず）を生成するように設計される。
器１０の構造を図１の検出器と同様の断面で示す。検出
器１０は、図１に示したマトリクス２と同じ型の感光性
ドットｐ１、ｐ２、ｐ３のマトリクス２０を有する。図
１の場合と同様、マトリクス２０は支持体４０の表面３
の上に作られる。検出器１０は、その背面７に対応する
側に追加光源６を有する。この追加光源は例えば図１と
同じ型のものでよい。追加光源６から基板４０を自由空
間で分離することもできる。光学的リセット動作を実施
するため追加光源６は追加放射Ｒｄ（図２には図示せ
ず）を生成するように設計される。
【００２１】図示の例では、検出器１０は、放射線像の
検出用に設計されているため、図１の検出器１に比べる
と検出器１０は、マトリクス２０、したがって感光性ド
ットｐ１、ｐ２、ｐ３をおおう層５から構成されたシン
チレータをさらに有する。シンチレータ５は、例中の一
次放射Ｒｐ、すなわちＸ線放射を受け取り、これを、フ
ォトダイオードＤｐが感知可能な波長帯に対応し、感光
性マトリクス２０を照明する入射放射Ｒｉに変換する。
検出用に設計されているため、図１の検出器１に比べる
と検出器１０は、マトリクス２０、したがって感光性ド
ットｐ１、ｐ２、ｐ３をおおう層５から構成されたシン
チレータをさらに有する。シンチレータ５は、例中の一
次放射Ｒｐ、すなわちＸ線放射を受け取り、これを、フ
ォトダイオードＤｐが感知可能な波長帯に対応し、感光
性マトリクス２０を照明する入射放射Ｒｉに変換する。
【００２２】本発明の一特徴に従うと、シンチレータ５
の放射線発光物質および／または追加光源６は、シンチ
レータ５による入射放射Ｒｉの放射と、追加光源６によ
る追加放射Ｒｄの放射が異なる波長で実施され、より具
体的にはこれらが異なる波長帯に対応するように選択さ
れる。
の放射線発光物質および／または追加光源６は、シンチ
レータ５による入射放射Ｒｉの放射と、追加光源６によ
る追加放射Ｒｄの放射が異なる波長で実施され、より具
体的にはこれらが異なる波長帯に対応するように選択さ
れる。
【００２３】本発明の他の特徴に基づくと、この波長帯
の違いが、波長選択性部品と結合され、感光性マトリク
ス２０によって検出されなかった入射光Ｒｉの部分（図
２には図示せず）の透過よりも追加放射Ｒｄの透過を促
進させる。
の違いが、波長選択性部品と結合され、感光性マトリク
ス２０によって検出されなかった入射光Ｒｉの部分（図
２には図示せず）の透過よりも追加放射Ｒｄの透過を促
進させる。
【００２４】よって、本発明のこの第１の方式では例え
ば、第１に、タリウムをドープしたヨウ化セシウムで作
られたシンチレータ５で、Ｘ線放射すなわち一次放射Ｒ
ｐが、５５０ナノメートルを中心波長とする主に緑色領
域の可視光に変換され、第２に、光学的リセットが、赤
色光で有利に実施でき、したがって追加放射Ｒｄの中心
波長が約６５０ナノメートルとされる。実際、アモルフ
ァス・シリコンは、これらの波長を感知可能で、より透
明であり、その厚さ全体にわたって効率的なリセット動
作を可能にする。さらに、効率的で低コストの赤色発光
ダイオードが存在する。
ば、第１に、タリウムをドープしたヨウ化セシウムで作
られたシンチレータ５で、Ｘ線放射すなわち一次放射Ｒ
ｐが、５５０ナノメートルを中心波長とする主に緑色領
域の可視光に変換され、第２に、光学的リセットが、赤
色光で有利に実施でき、したがって追加放射Ｒｄの中心
波長が約６５０ナノメートルとされる。実際、アモルフ
ァス・シリコンは、これらの波長を感知可能で、より透
明であり、その厚さ全体にわたって効率的なリセット動
作を可能にする。さらに、効率的で低コストの赤色発光
ダイオードが存在する。
【００２５】波長選択性透過部品に関しては様々な方法
で構成することができる。以下にそのいくつかを説明す
る。
で構成することができる。以下にそのいくつかを説明す
る。
【００２６】支持体４０自体によって波長選択性透過部
品を構成することができる。実際、例えば支持体４０の
構成ガラスを赤く着色するだけで、支持体４０を、例え
ば緑色スペクトル領域で吸収性、赤色領域で高透過性と
することができる。この場合、入射放射Ｒｉの検出され
なかった部分は支持体４０によって吸収され、したがっ
て他の感光性ドットに到達することがない。
品を構成することができる。実際、例えば支持体４０の
構成ガラスを赤く着色するだけで、支持体４０を、例え
ば緑色スペクトル領域で吸収性、赤色領域で高透過性と
することができる。この場合、入射放射Ｒｉの検出され
なかった部分は支持体４０によって吸収され、したがっ
て他の感光性ドットに到達することがない。
【００２７】支持体４０を、追加放射の中心波長に実質
的に合致させて着色すれば、異なる波長を有する入射放
射Ｒｉおよび追加放射Ｒｄに対してこの種の結果が同様
に得られることに留意されたい。例えば、中心波長約６
５０ｎｍの入射放射Ｒｉ（第１の例とは異なる）および
中心波長５５０ｎｍの追加放射Ｒｄに対しては、媒質４
０を緑に着色しなければならない。
的に合致させて着色すれば、異なる波長を有する入射放
射Ｒｉおよび追加放射Ｒｄに対してこの種の結果が同様
に得られることに留意されたい。例えば、中心波長約６
５０ｎｍの入射放射Ｒｉ（第１の例とは異なる）および
中心波長５５０ｎｍの追加放射Ｒｄに対しては、媒質４
０を緑に着色しなければならない。
【００２８】他の実施形態では、波長選択性透過部品
が、例えば複数誘電体(multidielectric) 型の二色性(d
ichroic)層８によって構成され、第１に、追加放射Ｒｄ
に対応する波長を透過させ、第２に、入射放射Ｒｉの検
出されなかった部分を反射する。これは、前述の第１の
例の場合で言うと、二色性層８が６５０ｎｍで透過性、
５５０ｎｍで反射性であることを意味する。二色性層８
は、マトリクス２０と支持体４０の間に配置され、マト
リクス２０より先に付着される。
が、例えば複数誘電体(multidielectric) 型の二色性(d
ichroic)層８によって構成され、第１に、追加放射Ｒｄ
に対応する波長を透過させ、第２に、入射放射Ｒｉの検
出されなかった部分を反射する。これは、前述の第１の
例の場合で言うと、二色性層８が６５０ｎｍで透過性、
５５０ｎｍで反射性であることを意味する。二色性層８
は、マトリクス２０と支持体４０の間に配置され、マト
リクス２０より先に付着される。
【００２９】上に示した方法は、製造段階ではむしろ高
価かもしれないが、フォトダイオードＤｐの検出効率を
向上させる利点を有することに留意されたい。
価かもしれないが、フォトダイオードＤｐの検出効率を
向上させる利点を有することに留意されたい。
【００３０】工業規模の応用に有利な最後の実施形態で
は、波長選択性透過部品は、支持体４０と追加光源６の
間に配置された着色された層９である。
は、波長選択性透過部品は、支持体４０と追加光源６の
間に配置された着色された層９である。
【００３１】着色層９は、入射放射Ｒｉの検出されなか
った部分を（支持体４０を通過した後）吸収し、追加光
源６によって生み出された追加放射Ｒｄを透過させる機
能を有する。この目的のため、前記第１の例の場合で
は、着色層９は、約５５０ｎｍで吸収性で、約６５０ｎ
ｍ（赤に着色）で透過性である。
った部分を（支持体４０を通過した後）吸収し、追加光
源６によって生み出された追加放射Ｒｄを透過させる機
能を有する。この目的のため、前記第１の例の場合で
は、着色層９は、約５５０ｎｍで吸収性で、約６５０ｎ
ｍ（赤に着色）で透過性である。
【００３２】着色層９の材料は、屈折率が、支持体４０
の屈折率にできるだけ近いものでなければならない。こ
の目的のために、この層９を例えば、支持体４０の背面
７上に接着またはラミネートしたうわぐすり、あるいは
ポリマー・シートとすることができる。層９を、着色ガ
ラスの板で構成してもよい。接着剤も、例えばガラス製
で、屈折率が、支持体４０の屈折率に近いか、または、
支持体４０の示す屈折率と着色層を形成する材料の示す
屈折率の間の値のものを選択しなければならない。
の屈折率にできるだけ近いものでなければならない。こ
の目的のために、この層９を例えば、支持体４０の背面
７上に接着またはラミネートしたうわぐすり、あるいは
ポリマー・シートとすることができる。層９を、着色ガ
ラスの板で構成してもよい。接着剤も、例えばガラス製
で、屈折率が、支持体４０の屈折率に近いか、または、
支持体４０の示す屈折率と着色層を形成する材料の示す
屈折率の間の値のものを選択しなければならない。
【００３３】屈折率を突き合わせるのは、着色層９と支
持体４０の間の界面９−４０に形成されるジオプタ上で
の反射を回避するためである。しかし、この突き合わせ
は絶対的なものではない。屈折率が０．１違っても（例
えば１．４と１．５）、垂直入射の場合、反射係数は
０．００１にしかならない。
持体４０の間の界面９−４０に形成されるジオプタ上で
の反射を回避するためである。しかし、この突き合わせ
は絶対的なものではない。屈折率が０．１違っても（例
えば１．４と１．５）、垂直入射の場合、反射係数は
０．００１にしかならない。
【００３４】着色層９を使用する本発明の実施形態は、
特に熱的、化学的な腐食処理が必要な検出パネル１０の
製造を妨げることがなく、工業規模の製造に有益であ
る。これは比較的安価であり、大量生産に非常に有効で
ある。
特に熱的、化学的な腐食処理が必要な検出パネル１０の
製造を妨げることがなく、工業規模の製造に有益であ
る。これは比較的安価であり、大量生産に非常に有効で
ある。
【００３５】当然のことながら、波長選択性透過部品の
異なる実施形態４０、８、９を同時に用いることもでき
る。この選択性透過部品４０、８、９は実際、波長選択
性のフィルタであると言え、第１に、３ケース全てにつ
いて、減衰をできる限り小さくして追加放射Ｒｄを透過
させなければならず、第２に、入射放射を反射させる透
過部品８（二色性層）の方式を除いて入射放射Ｒｉを最
大限吸収しなければならない。したがって、この３つの
波長選択性透過部品間には相反性がない。
異なる実施形態４０、８、９を同時に用いることもでき
る。この選択性透過部品４０、８、９は実際、波長選択
性のフィルタであると言え、第１に、３ケース全てにつ
いて、減衰をできる限り小さくして追加放射Ｒｄを透過
させなければならず、第２に、入射放射を反射させる透
過部品８（二色性層）の方式を除いて入射放射Ｒｉを最
大限吸収しなければならない。したがって、この３つの
波長選択性透過部品間には相反性がない。
【００３６】前記の説明は、入射放射Ｒｉと追加放射Ｒ
ｄの波長が異なり、これらが相互に比較的離れた波長帯
に含まれる場合に関する。
ｄの波長が異なり、これらが相互に比較的離れた波長帯
に含まれる場合に関する。
【００３７】しかし、本発明を別の構成に応用すること
ができる。入射放射Ｒｉの波長帯と追加放射Ｒｄの波長
帯の中心波長が同じ場合であっても、追加放射の波長帯
が入射放射Ｒｉの波長帯よりも狭ければ、本発明を有利
に適用することができる。
ができる。入射放射Ｒｉの波長帯と追加放射Ｒｄの波長
帯の中心波長が同じ場合であっても、追加放射の波長帯
が入射放射Ｒｉの波長帯よりも狭ければ、本発明を有利
に適用することができる。
【００３８】このような場合、波長選択性透過部品４
０、８、９を透過することのできる入射放射Ｒｉの部分
は、検出されなかった入射放射Ｒｉの部分のわずかな部
分を構成するにすぎない。この場合、追加光源６を、非
常に狭い波長帯の追加放射Ｒｄを生み出すことのできる
それ自体が標準的な部品を含む種類とすることができる
ので、このわずかの部分はさらに小さくなる。したがっ
て、それ自体が非常に狭い波長帯の透過を促進する波長
選択性透過部品を使用することができる。例えば二色性
層８の型の選択性透過部品を使用して、この透過を特に
狭い波長帯に制限することが可能である。
０、８、９を透過することのできる入射放射Ｒｉの部分
は、検出されなかった入射放射Ｒｉの部分のわずかな部
分を構成するにすぎない。この場合、追加光源６を、非
常に狭い波長帯の追加放射Ｒｄを生み出すことのできる
それ自体が標準的な部品を含む種類とすることができる
ので、このわずかの部分はさらに小さくなる。したがっ
て、それ自体が非常に狭い波長帯の透過を促進する波長
選択性透過部品を使用することができる。例えば二色性
層８の型の選択性透過部品を使用して、この透過を特に
狭い波長帯に制限することが可能である。
【００３９】図２に示す非限定的な例では、像検出器１
０は、感光性マトリクス２０の感度に合わせた入射放射
Ｒｉを形成する光放射に一次放射Ｒｐを変換することが
できるシンチレータ５を有する（前に指摘したように一
次放射ＲｐはＸ線放射である）。第１に、シンチレータ
５は、別の種類（ヨウ化セシウム、酸化ガドリニウムな
ど）でもよいこと、第２に、一次放射Ｒｐも、例えばガ
ンマ放射、中性子放射などの別の種類でもよいことに留
意されたい。
０は、感光性マトリクス２０の感度に合わせた入射放射
Ｒｉを形成する光放射に一次放射Ｒｐを変換することが
できるシンチレータ５を有する（前に指摘したように一
次放射ＲｐはＸ線放射である）。第１に、シンチレータ
５は、別の種類（ヨウ化セシウム、酸化ガドリニウムな
ど）でもよいこと、第２に、一次放射Ｒｐも、例えばガ
ンマ放射、中性子放射などの別の種類でもよいことに留
意されたい。
【００４０】さらに、一次放射が、マトリクス２０が感
知可能な波長帯の波長を有するものであってもよいこと
にも留意されたい。この場合、一次放射が直接に入射放
射Ｒｉを構成し、シンチレータ５は必要なくなる。
知可能な波長帯の波長を有するものであってもよいこと
にも留意されたい。この場合、一次放射が直接に入射放
射Ｒｉを構成し、シンチレータ５は必要なくなる。
【００４１】本発明は、一次放射が直接に入射放射Ｒｉ
を形成するとき、すなわち、シンチレータ５がない場合
にも有利に適用することができる。このような場合に、
感光性マトリクス２０が照明される入射放射Ｒｉ、Ｒｐ
が可視光に対応する波長帯で生じるとすると、光学的リ
セット動作に使用する追加放射Ｒｄを可視光帯に含まれ
る波長によって構成することができるが、この可視光帯
よりはるかに狭い波長帯で構成する。これらの条件の下
で、波長選択性透過部品４０、８、９は、その機能に基
づいて、追加放射Ｒｄ、および（感光性マトリクス２０
によって）検出されなかった入射放射Ｒｉの部分のわず
かな部分に対応する光を透過させる。選択性部品４０、
８、９の透過帯は狭く、入射放射Ｒｉの波長帯は広いの
で、この部分はさらに小さくなる。
を形成するとき、すなわち、シンチレータ５がない場合
にも有利に適用することができる。このような場合に、
感光性マトリクス２０が照明される入射放射Ｒｉ、Ｒｐ
が可視光に対応する波長帯で生じるとすると、光学的リ
セット動作に使用する追加放射Ｒｄを可視光帯に含まれ
る波長によって構成することができるが、この可視光帯
よりはるかに狭い波長帯で構成する。これらの条件の下
で、波長選択性透過部品４０、８、９は、その機能に基
づいて、追加放射Ｒｄ、および（感光性マトリクス２０
によって）検出されなかった入射放射Ｒｉの部分のわず
かな部分に対応する光を透過させる。選択性部品４０、
８、９の透過帯は狭く、入射放射Ｒｉの波長帯は広いの
で、この部分はさらに小さくなる。
【００４２】当然のことながら、一次放射Ｒｐが直接に
入射放射Ｒｉを構成するこの構成では、追加放射Ｒｄの
波長が入射放射Ｒｉの波長と一致しないか、または少し
しか一致しない場合に、本発明を、シンチレータを使用
する方式と同様に有利に適用することができる。例え
ば、追加放射Ｒｄの波長帯を、半導体材料、例えばアモ
ルファス・シリコンでできた感光性ドットｐ１、ｐ２、
ｐ３が感知可能な近赤外線領域に置くことができる。ま
た、追加放射Ｒｄの波長帯を、このスペクトルの反対側
の端、すなわち紫外線領域中に置くこともできることに
留意されたい。
入射放射Ｒｉを構成するこの構成では、追加放射Ｒｄの
波長が入射放射Ｒｉの波長と一致しないか、または少し
しか一致しない場合に、本発明を、シンチレータを使用
する方式と同様に有利に適用することができる。例え
ば、追加放射Ｒｄの波長帯を、半導体材料、例えばアモ
ルファス・シリコンでできた感光性ドットｐ１、ｐ２、
ｐ３が感知可能な近赤外線領域に置くことができる。ま
た、追加放射Ｒｄの波長帯を、このスペクトルの反対側
の端、すなわち紫外線領域中に置くこともできることに
留意されたい。
【図１】標準的な像検出器の構造を示す図である。
【図２】本発明に基づいた像検出器の構造を示す図であ
る。
る。
１ 従来技術の像検出パネル ２ 感光性マトリクス ３ 支持体の表面 ４ 支持体 ５ シンチレータ ６ 追加光源 ７ 支持体の背面 ８ 波長選択性透過部品（二色性層） ９ 波長選択性透過部品（着色層） １０ 本発明の像検出器 ２０ 感光性マトリクス ４０ 波長選択性透過部品（支持体） Ｄｃ スイッチング・ダイオード Ｄｐ フォトダイオード ｐ１ 感光性ドット ｐ２ 感光性ドット ｐ３ 感光性ドット Ｒｄ 追加放射 Ｒｉ 入射放射 Ｒｐ 一次放射 Ｔｒｎ 検出されなかった入射放射
Claims (19)
- 【請求項１】 入射放射として知られる放射で露光され
る感光性ドットのマトリクスと、感光性マトリクスが作
られる支持体と、追加光源として知られる追加放射を生
じる光源と、追加光源と感光性マトリクスの間の追加放
射の透過を、検出されなかった入射放射の部分よりも促
進する手段とを有し、追加光源が、支持体の、感光性マ
トリクスを有する面と反対側の面に対応する側面に配置
され、感光性マトリクスが、一部が感光性マトリクスに
よって検出されない入射放射で露光されることを特徴と
する像検出器。 - 【請求項２】 入射放射と追加放射が異なる波長帯に対
応することを特徴とする、請求項１に記載の像検出器。 - 【請求項３】 入射放射および追加放射が、第１および
第２の波長帯でそれぞれ放射され、前記２つの波長帯の
中心波長が異なることを特徴とする、請求項１に記載の
像検出器。 - 【請求項４】 入射放射および追加放射が、第１および
第２の波長帯でそれぞれ放射され、前記第１の波長帯の
中心波長が、前記第２の波長帯に含まれることを特徴と
する、請求項１に記載の像検出器。 - 【請求項５】 追加放射が、入射放射の波長帯より狭い
波長帯で放射されることを特徴とする、請求項１に記載
の像検出器。 - 【請求項６】 追加放射の透過を促進する少なくとも１
つの波長選択性透過部品を含むことを特徴とする、請求
項１に記載の像検出器。 - 【請求項７】 波長選択性透過部品が、支持体の着色に
よって構成されることを特徴とする、請求項６に記載の
像検出器。 - 【請求項８】 支持体の着色が、追加放射の中心波長に
実質的に合致することを特徴とする、請求項７に記載の
像検出器。 - 【請求項９】 波長選択性透過部品が、追加放射に対応
する波長に対して透過性で、少なくとも入射放射に対応
する波長に対して反射性の二色性（dichroic）層によっ
て構成されることを特徴とする、請求項６に記載の像検
出器。 - 【請求項１０】 二色性層が複数誘電体(multidielectr
ic) 型の層であることを特徴とする、請求項９に記載の
像検出器。 - 【請求項１１】 波長選択性透過部品が、感光性マトリ
クスと支持体の間に配置されることを特徴とする、請求
項６に記載の像検出器。 - 【請求項１２】 波長選択性透過部品が、支持体と追加
光源の間に配置された着色層によって構成され、前記着
色層の着色が、追加放射の中心波長に実質的に合致して
いることを特徴とする、請求項６に記載の像検出器。 - 【請求項１３】 着色層が、うわぐすりによって構成さ
れることを特徴とする、請求項１２に記載の像検出器。 - 【請求項１４】 着色層が、ポリマー・シートによって
構成されることを特徴とする、請求項１２に記載の像検
出器。 - 【請求項１５】 着色層が、ガラス板によって構成され
ることを特徴とする、請求項１２に記載の像検出器。 - 【請求項１６】 放射線用途の目的で、Ｘ線放射（また
は、ガンマ放射、中性子放射、またはその他の放射）
を、入射放射として知られる感光性ドットが感知可能な
波長帯の放射に変換するシンチレータを含むことを特徴
とする、請求項１に記載の像検出器。 - 【請求項１７】 シンチレータが、タリウムをドープし
たヨウ化セシウムであり、追加放射が、中心波長が実質
的に６５０ナノメートルである波長帯で生じることを特
徴とする、請求項１６に記載の像検出器。 - 【請求項１８】 感光性ドットが半導体材料から作られ
ることを特徴とする、請求項１に記載の像検出器。 - 【請求項１９】 半導体材料がアモルファス・シリコン
であることを特徴とする、請求項１８に記載の像検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9616110A FR2758039B1 (fr) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Detecteur d'image a contraste ameliore |
| FR9616110 | 1996-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206552A true JPH10206552A (ja) | 1998-08-07 |
| JP4433503B2 JP4433503B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=9499217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36661197A Expired - Lifetime JP4433503B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-12-26 | コントラストを向上させた像検出器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5973327A (ja) |
| EP (1) | EP0851503B1 (ja) |
| JP (1) | JP4433503B2 (ja) |
| DE (1) | DE69730402T2 (ja) |
| FR (1) | FR2758039B1 (ja) |
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| JP2000077640A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-03-14 | Canon Inc | 画像読み取り装置および放射線撮像装置 |
| JP2007163216A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Canon Inc | 放射線検出装置および放射線撮像システム |
| JP2007163283A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システム |
| JP2007163282A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システム |
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| JP2008309517A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Canon Inc | 放射線検出装置および放射線撮像システム |
| JP2012229940A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Fujifilm Corp | 放射線撮影装置、放射線撮影システム及び放射線撮影方法 |
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|---|---|---|---|---|
| FR2763700B1 (fr) | 1997-05-23 | 1999-07-30 | Thomson Tubes Electroniques | Dispositif de mesure d'exposition d'un detecteur d'image a l'etat solide soumis a un rayonnement ionisant et detecteur d'image equipe d'un tel dispositif de mesure |
| FR2772161B1 (fr) | 1997-12-09 | 2000-02-25 | Trixell Sas | Procede de correction du niveau de bruit d'un detecteur d'image numerisee |
| FR2782388B1 (fr) | 1998-08-11 | 2000-11-03 | Trixell Sas | Detecteur de rayonnement a l'etat solide a duree de vie accrue |
| FR2796239B1 (fr) * | 1999-07-06 | 2001-10-05 | Trixell Sas | Procede de commande d'un dispositif photosensible apte a produire des images de bonne qualite |
| FR2802698B1 (fr) | 1999-12-17 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Circuit de lecture de charges protege contre des surcharges provenant de charges de polarite non desiree |
| FR2803081B1 (fr) * | 1999-12-28 | 2002-12-06 | Trixell Sas | Procede de compensation en temperature d'un detecteur d'image |
| FR2803082B1 (fr) * | 1999-12-28 | 2002-03-22 | Trixell Sas | Procede de compensation en temperature de la sensibilite d'un detecteur d'image |
| DE10034575A1 (de) * | 2000-07-14 | 2002-01-24 | Philips Corp Intellectual Pty | Röntgendetektor mit verbesserter Lichtausbeute |
| FR2817106B1 (fr) * | 2000-11-17 | 2003-03-07 | Trixell Sas | Dispositif photosensible et procede de commande du dispositif photosensible |
| FR2839812B1 (fr) * | 2002-05-17 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Procede de fabrication collective de composants de filtrage optique et plaquette de composants |
| FR2840414B1 (fr) * | 2002-06-04 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Composant de filtrage optique |
| FR2842915B1 (fr) | 2002-07-26 | 2004-10-08 | Atmel Grenoble Sa | Procede et dispositif de positionnement d'un composant optique entre deux fibres optiques |
| US7569832B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-08-04 | Carestream Health, Inc. | Dual-screen digital radiographic imaging detector array |
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|---|---|---|---|---|
| FR2557728B1 (fr) * | 1984-01-03 | 1986-10-17 | Thomson Csf | Procede de compensation en temperature d'un detecteur photoconducteur |
| US4724323A (en) * | 1984-10-04 | 1988-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image line sensor unit, photosensors for use in the sensor unit and method of making the photosensors |
| FR2581251B1 (fr) * | 1985-04-30 | 1987-09-11 | Thomson Csf | Dispositif d'aboutement optique de detecteurs photosensibles |
| FR2631132B1 (fr) * | 1988-05-03 | 1991-09-20 | Thomson Csf | Detecteur d'images radiologiques |
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| US5036203A (en) * | 1989-12-20 | 1991-07-30 | Grumman Aerospace Corporation | Superimposed detector arrays having optical filters |
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-
1996
- 1996-12-27 FR FR9616110A patent/FR2758039B1/fr not_active Expired - Fee Related
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1997
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- 1997-12-23 EP EP97403141A patent/EP0851503B1/fr not_active Expired - Lifetime
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