JP4213379B2 - 紫外線バンドパスフィルタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、紫外域に含まれる波長の光を選択的に透過する紫外線バンドパスフィルタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、紫外域の光に対して透過特性を有する光学フィルタとしては、例えば、図14に示されたような透過特性を有するSCHOTT社製の光学フィルタ(カタログ番号:3555eIX/84)が知られていた。なお、図14には4種類の光学フィルタの透過特性が示されているが、いずれも紫外域と赤外域の両方に透過ピークが現れる傾向がある。
【0003】
一方、銀膜は紫外域を除く光に対して優れた分光反射特性を有することが知られている。このような銀膜を利用した光学フィルタとしては、例えば、特開昭60−252303号公報に銀膜を反射鏡に利用した光学フィルタが知られている。この光学フィルタは、銀膜を紫外域の光を吸収させる一方、他の波長帯域の光を反射させ、さらにこの反射光からプリズムを利用して赤外域の光を遮断することにより可視光を検出するための構造を備えている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
発明者らは、従来の光学フィルタを検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、図14に示されたような透過特性を有する光学フィルタは、確かに紫外域の光に対して優れた透過特性を有するが、波長700nm近傍の赤外域の光に対しても透過特性を有する。このような透過特性を有する光学フィルタを、1000nm付近まで受光感度を有する、例えばシリコンを主材料とする安価な受光デバイスに利用し、紫外域に含まれる光を検出する紫外線検出装置に適用する場合、赤外域の光の透過によって紫外線検出が困難になるという課題があった。
【0005】
また、特開昭60−252303号公報に記載された光学フィルタは、反射鏡に銀膜を利用しているが、これは吸収により紫外域の光を除去しているにすぎず、紫外域の光を検出する紫外線検出装置への適用は困難である。
【0006】
この発明は、膜厚を制御することにより銀薄膜の透過特性を適切に制御することにより、少なくとも200nm〜3000nmの広い波長帯域において紫外域に含まれる特定波長領域の光に対してのみ優れた透過特性を有する銀単層が得られることを、発明者らが発見したことに起因してなされたものであり、単純な構成で優れた波長選択性を有するとともに、広範な応用を可能にする構造を備えた紫外線バンドパスフィルタを提供することを目的としている。
【0007】
この発明に係る紫外線バンドパスフィルタは、波長200nm〜400nm、好ましくは波長250nm〜400nm、さらに好ましくは波長300nm〜360nmの特定紫外域に含まれる波長の光が選択的に透過する一方、該特定紫外域を除く波長の光を吸収あるいは反射する光学フィルタであって、入射面と、該入射面に対向し該入射面に到達した光のうち、特定紫外域に含まれる波長の光が出射される出射面とを備えた銀薄膜を含むとともに、該出射面から出射された透過光に占める紫外域を除く光の割合を10%以下に低減する。
【0008】
特に、上記銀薄膜は、特定紫外域を除く波長の光に対する透過率が10%以下、好ましくは5%以下となる膜厚を有する。すなわち、発明者らは、紫外線検出を可能にするには、波長400nm以上の光に対する透過率を10%以下、好ましくは5%以下に抑える必要があり、このため、70nm以上、好ましくは80nm以上の膜厚が必要であることを発見した。一方、発明者らは、紫外線検出器の受光感度を考慮すれば、上記特定紫外域の光に対しては少なくとも5%以上の透過率の確保が要求されるため、250nm以下の膜厚が必要であることを発見した。
【0009】
なお、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタは、補強部材として用意される、少なくとも紫外線に対して透明な部材(紫外線透過部材)と、該紫外線透過部材の表面に形成された銀薄膜により構成されてもよい。また、当該紫外線バンドパスフィルタと受光デバイスを組み合わせることにより、紫外線検出装置が得られる。この場合、銀薄膜は該受光デバイスの光入射面に直接あるいは間接に形成される。例えば、受光デバイスが入射面板を有する場合には該入射面板上に銀薄膜を形成してもよい(入射面板が銀薄膜の補強部材として機能する)。さらに、当該紫外線バンドパスフィルタと発光デバイスを組み合わせれば、紫外線源が得られる。この場合、銀薄膜は該紫外線源の光出射面に直接あるいは間接に銀薄膜が形成される。例えば、発光デバイスが光を透過させる容器を備えていれば、該容器表面に銀薄膜を形成してもよい(この容器自体が銀薄膜の補強部材として機能する)。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの実施形態及び応用例を図1〜図12を用いて詳細に説明する。なお、図の説明において、同一部材、部位には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【0011】
図1は、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第1〜第3実施形態の各構造を示す図である。図1(a)に示された第1実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ1は、アクリル樹脂や石英ガラスのような紫外線に対して透明な紫外線透過部材20と、該紫外線透過部材20の表面に形成された膜厚Tの銀薄膜10(例えば蒸着により形成可能)を備える。銀薄膜10は、入射面10aと、該入射面10aに到達した光のうち、波長200nm〜400nm、好ましくは波長250nm〜400nm、より好ましくは波長300nm〜360nmの特定紫外域の光が出射される出射面10bを備える。この第1実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ1において、銀薄膜10は該特定紫外域を除く波長の光に対する透過率を10%以下、好ましくは5%以下に抑えるべく、70nm以上、好ましくは80nm以上の膜厚Tを有する。なお、銀薄膜10の膜厚Tは、該特定紫外域に含まれる波長の光に対し少なくとも5%以上の透過率を確保すべく、250nm以下に設定される必要がある
【0012】
また、図1(b)に示された第2実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ2は、膜厚Tの銀薄膜11を備えるとともに、該銀薄膜11の入射面11aに紫外線透過部材21a、該銀薄膜11の出射面11bに紫外線透過部材21bがそれぞれ当接された積層構造を有する。なお、この第2実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ2は、紫外線透過部材21a、21bのいずれか一方の表面に銀薄膜11を形成した後、該一方とともに形成された銀薄膜11を挟むように他方を該銀薄膜11に接着することにより得られる。
【0013】
この第2実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ2においても、銀薄膜10は該特定紫外域を除く波長の光に対する透過率を10%以下、好ましくは5%以下に抑えるべく、70nm以上、好ましくは80nm以上の膜厚Tを有する。また、銀薄膜10の膜厚Tは、該特定紫外域に含まれる波長の光に対し少なくとも5%以上の透過率を確保すべく、250nm以下に設定される必要がある。
【0014】
図1(c)に示された第3実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ3は、紫外線透過部材22と、該紫外線透過部材22の互いに対向する主面上に形成された、それぞれ膜厚T/2を有する銀薄膜12、13を備える。銀薄膜12は、入射面12aと、該入射面12aに到達した光のうち紫外域の光が出射される出射面12bを備える。一方、銀薄膜13は、入射面13aと、該入射面13aに到達した光のうち紫外域の光が出射される出射面13bを備える。なお、銀薄膜12、13の各膜厚は、合計Tであればよく、必ずしも同じ膜厚である必要はない。また、銀薄膜の数も2つに限定されるものではない(膜厚合計がTとなる2以上の銀薄膜を有する積層構造)。
【0015】
これら銀薄膜12、13の膜厚合計(T)は、特定紫外域を除く波長の光に対する透過率を10%以下、好ましくは5%以下に抑えるべく、70nm以上、好ましくは80nm以上になるよう設計される。また、膜厚合計(T)は、該特定紫外域に含まれる波長の光に対し少なくとも5%以上の透過率を確保すべく、250nm以下に設定される必要がある。
【0016】
発明者らは、異なる膜厚(12.8nm〜400.0nm)の11種類のサンプルを用意し、これらサンプルの透過特性について測定した。なお、用意されたサンプルは、図1(a)に示された第1実施形態に係る紫外線バンドパスフィルタ1と同様の構造を備えており、それぞれ、石英ガラス表面に所定膜厚の銀薄膜が形成されることにより得られた。また、図2は、膜厚12.8nm、28.8nm、46.4nm、59.2nm及び78.4nmを有する5種類の銀薄膜について、それらの透過率の波長依存性を示すグラフであり、図4は、膜厚80.4nm、106.4nm、135.2nm、160.8nm、241.2nm及び400.0nmを有する6種類の銀薄膜について、それらの透過率の波長依存性を示すグラフである。
【0017】
図2において、グラフG210は膜厚12.8nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG220は膜厚28.8nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG230は膜厚46.4nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG240は膜厚59.2nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、そして、グラフG250は膜厚78.4nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性をそれぞれ示す。なお、図3は、図2に示された5種類の銀薄膜それぞれの最大透過率を100%としたときの相対透過率の波長依存性を示すグラフであり、グラフG310、G320、G330、G340及びG350は、それぞれ図2中のグラフG210、G220、G230、G240及びG250に対応している。
【0018】
また、図4において、グラフG410は膜厚80.4nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG420は膜厚106.4nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG430は膜厚135.2nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG440は膜厚160.8nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、グラフG450は膜厚241.2nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性、そして、グラフG460は膜厚400.0nmの銀薄膜についての透過率の波長依存性をそれぞれ示す。なお、図5は、図4に示された6種類の銀薄膜それぞれの最大透過率を100%としたときの相対透過率の波長依存性を示すグラフであり、グラフG510、G520、G530、G540、G550及びG560は、それぞれ図4中のグラフG410、G420、G430、G440、G450及びG460に対応している。
【0019】
これら図2〜図5に示されたグラフから分かるように、200nm〜1000nmの波長帯域において、用意された11種類のサンプルは、波長322nmに透過ピークが1つだけ存在する透過特性を有する。なお、発明者らの測定によれば、200nm〜3000nmの波長帯域においても透過ピークは1つのみ存在する。銀薄膜が紫外線バンドパスフィルタに適用される場合、該銀薄膜は、紫外域に含まれる波長の光(紫外線)に対しては十分な透過特性を有する一方、該紫外域を除く波長の光に対しては十分な遮断特性を有する必要がある。
【0020】
そこで、発明者らは、銀薄膜の透過ピーク波長である波長322nmの光について、膜厚(Ag膜厚)と透過率との関係を検討した。図6において、グラフG610は、波長322nm(透過ピーク波長)の光に対する銀薄膜の膜厚と透過率との関係を示す。このグラフG610から分かるように、銀薄膜の最大透過量は膜厚が大きくなるにしたがって減少するが、該銀薄膜を透過した光(紫外線)が光検出器で受光可能にするためには、少なくとも5%以上の透過率が確保される必要がある。このことから、紫外線バンドパスフィルタに適する銀薄膜の最大膜厚は250nm以下が好ましいのが分かる。
【0021】
一方、図7は、複数波長(400nm、500nm、600nm)それぞれの光に対する銀薄膜の膜厚と相対透過率との関係を示すグラフである。なお、図7において、相対透過率は、透過ピーク波長322nmにおける最大透過率を基準(100%)とした透過率である。また、この図7において、グラフG710は波長400nmの光に対する膜厚と相対透過率の関係、グラフG720は波長500nmの光に対する膜厚と相対透過率の関係、そして、グラフG730は波長600nmの光に対する膜厚と相対透過率との関係をそれぞれ示す。銀薄膜を紫外線バンドパスフィルタとして機能させるためには、少なくとも波長400nm以上の光に対する透過率が10%以下、好ましくは5%以下に抑えられる必要がある。このことから、紫外線バンドパスフィルタに適する銀薄膜の最小膜厚は70nm以上、好ましくは80nm以上必要であることが分かる。
【0022】
なお、図8は、膜厚(Ag膜厚)の異なる複数サンプルについて、全透過率(200nm〜1000nmの波長範囲で測定)に占める紫外域(200nm以上400nm以下)の透過率と紫外域を除く波長(400nmよりも長く1000nm以下)の透過率の割合を示すグラフである。この図8に示されたグラフにおいて、領域P1は紫外域の透過率の割合を示し、領域P2は紫外域を除く波長の透過率の割合を示す。このグラフから分かるように、膜厚が70nm以上、好ましくは80nm以上であれば、全透過率に占める紫外域を除く波長の透過率の割合は10%以下に低減させることができる(膜厚が240nm付近になれば全透過率に占める紫外域を除く波長の透過率の割合は1/10000以下にまで低減する)。
【0023】
以上のように、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタは、所定の膜厚に制御された銀単層により構成されるため、受光デバイスや発光デバイスなど種々の光学デバイスと組み合わせることが容易であり、以下の説明では、主に、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタが適用される紫外線検出装置について説明する。図9は、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第1及び第2応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線検出装置の外観及び断面構成を示す図である。
【0024】
第1応用例に係る紫外線検出装置300は、図9(a)に示されたように、最も単純な構造を備え、図1(a)に示されたような紫外線バンドパスフィルタ1と、市販のホトダイオード30(canタイプ)により構成される。なお、この第1応用例に係る紫外線検出装置300では、補強板として紫外線透過部材20表面に銀薄膜10が形成された紫外線バンドパスフィルタ1が適用されているが、銀薄膜10は、ホトダイオード30と対向する面30a上に形成されてもよい。
【0025】
図9(b)は、第2応用例に係る紫外線検出装置40の断面構造を示す図であり、入射面板として、図1(a)に示された紫外線バンドパスフィルタ1が適用されている。この第2応用例に係る紫外線検出装置40は、セラミックのケース41と、該ケース41の底部を貫通したリードピン42と、該ケース41の底部にダイボンド材44を介して接着されたホトダイオード43と、シリコーン樹脂の接着剤45により、ケース41の開口部分に固定された入射面板(紫外線バンドパスフィルタ1に相当)を備える。なお、この第2実施形態に係る紫外線検出装置40において、ケース41の材質はセラミックであるが、樹脂や金属であってもよい。また、ケース41内に設置されるホトダイオード43は、ホトトランジスタやアバランシェホトダイオード等の半導体デバイスであっても、さらに回路を伴う受光ICやCCDであってもよい。ケース41と紫外線バンドパスフィルタである入射面板とを接着する接着剤45は、シリコーン樹脂に限定されるものではなく、紫外線の透過に影響を与えない接着剤であれば特に制限されず、例えば無機はんだ材やガラス材料であってもよい。また、入射面板の一部を構成する銀薄膜は、ケース41内のホトダイオード43と対向する面に形成されてもよい。
【0026】
図10は、図9(b)に示された構造を有する紫外線検出装置40と、従来の光検出器(紫外線バンドパスフィルタとしての銀薄膜を含まない)それぞれの、受光感度の波長依存性を示すグラフである。なお、紫外線検出装置として用意されたサンプルにおいて、石英ガラス20表面に形成された銀薄膜の膜厚は、それぞれ46.4nm、78.4nm、106.4nmである。また、比較例として用意された光検出器はシリコン・ホトダイオードである。
【0027】
図10において、グラフG810はシリコン・ホトダイオードにおける受光感度の波長依存性、グラフG820は膜厚46.4nmの銀薄膜が形成されたサンプルにおける受光感度の波長依存性、グラフG830は膜厚78.4nmの銀薄膜が形成されたサンプルにおける受光感度の波長依存性、そして、グラフG840は膜厚106.4nmの銀薄膜が形成されたサンプルにおける受光感度の波長依存性をそれぞれ示す。
【0028】
図10のグラフから分かるように、比較例である光検出器(シリコン・ホトダイオード)は、1000nm付近において高い受光特性を有するが(グラフG810参照)、入射面板上に銀薄膜が形成されたサンプルは、いずれも波長322nmに1つだけ透過ピークを有し、波長1000nm近傍の光を効果的に遮断できる(グラフG820、G830、G840参照)。特に、銀薄膜が形成されたサンプルのうちでも、膜厚78.4nmの銀薄膜及び膜厚106.4nmの銀薄膜がそれぞれ形成されたサンプルでは、紫外域を除いた波長の光に対して十分な遮断特性を有する(グラフG830、G840参照)。
【0029】
なお、上述の第2応用例に係る紫外線検出装置40は、入射面板に石英ガラス20表面に銀薄膜が形成された紫外線バンドパスフィルタ1(図1(a)参照)が適用されているが、銀薄膜はホトダイオードの受光面に直接形成されてもよい。図11は、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第3応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線検出装置の断面構造を示す図である。
【0030】
この第3応用例に係る紫外線検出装置50(ホトダイオード)は、単結晶N型シリコン基板51を備える。この基板51にはボロンなどの不純物が注入されたP+領域と、リンなどの不純物が注入されたN+領域が形成されており、該基板51表面には、該基板51表面を保護する絶縁膜(SiO2やSi3N4)52とAl電極53が形成されている。この発明に係る紫外線バンドパスフィルタとして銀薄膜100は、以上のような構成を備えたホトダイオードの受光領域上に直接形成されている。このように、安価なシリコン材料の受光デバイスに当該紫外線バンドパスフィルタが適用されることにより、より低コストの紫外線検出装置が得られる。
【0031】
なお、受光領域上の絶縁膜52は、紫外線に対して低反射率になるよう膜厚が制御されており、受光感度の向上が図られている。また、基板51のN+領域からの信号取り出し電極に変え、基板51の裏面にN+層、Au層を順次形成し、このAu層を信号取り出し電極としてもよい。基板51はN型であるがP型であってもよい。さらに、基板材料はシリコンに限定されるものではなく、例えば、GaAsP等の化合物半導体であってもよい。この第3応用例は、紫外線バンドパスフィルタとして銀薄膜が形成されたホトダイオードであるが、処理回路を伴う受光ICやCCD、ホトトランジスタやアバランシェホトダイオードなどの半導体デバイスの受光領域に直接銀薄膜が形成された構成であってもよい。
【0032】
次に、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタが適用される紫外線源について説明する。図12は、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第4応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線源の外観を示す図である。
【0033】
この第4応用例に係る紫外線源60は、例えば、内部で放電発光させるキセノンランプのガラス容器600表面に、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタである銀薄膜610が直接形成された構造を備える。なお、発光源としては、この第4応用例のようなキセノンランプに制限されるものではなく、例えば、水銀キセノン、ハロゲン、メタルハライド等のランプであっても紫外線源が得られる。
【0034】
また、図13は、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第5及び第6応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線源の概略構造を示す図である。
【0035】
第5応用例に係る紫外線源70は、図13(a)に示されたように、キセノン、水銀キセノン、ハロゲン、メタルハライド等のランプ光源72と、該ランプ光源72を収納する容器71と、該容器71に先端部分が固定された光ファイバ等のライトガイド73を備えるとともに、該ライトガイド73の光入射端とランプ光源72との間に紫外線バンドパスフィルタ74が設けられている。なお、この第5応用例では、図1(a)に示された紫外線バンドパスフィルタ1と同様の構造を備えた紫外線バンドパスフィルタ74が示されているが、図1(b)や図1(c)に示されたような構造を紫外線バンドパスフィルタであってもよい。また、ライトガイド73の光入射端に直接銀薄膜が形成された構造であってもよい。
【0036】
さらに、第6応用例に係る紫外線源80は、図13(b)に示されたように、キセノン、水銀キセノン、ハロゲン、メタルハライド等のランプ光源82と、該ランプ光源82を収納する容器81と、該容器81に先端部分が固定された光ファイバ等のライトガイド83を備えるが、この第6応用例では、紫外線バンドパスフィルタ84がライトガイド83の光出射端に設けられたことを特徴としている。なお、この第6応用例においても、図1(a)に示された紫外線バンドパスフィルタ1と同様の構造を備えた紫外線バンドパスフィルタ84が示されているが、図1(b)や図1(c)に示されたような構造を紫外線バンドパスフィルタであってもよい。また、ライトガイド83の光出射端に直接銀薄膜が形成された構造であってもよい。
【0037】
なお、この発明に係る紫外線バンドパスフィルタに係る、上述の実施形態及び応用例では、紫外線バンドパスフィルタである銀薄膜10として銀単膜が適用されているが、この銀薄膜10は透過光の波長以下の隙間を有するようなアイランド状に形成された膜も含む。
【0038】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、所定の膜厚に制御された銀薄膜により紫外域を除く波長の光に対して十分な遮断効果を有するバンドパスフィルタが構成されるので、従来の光学デバイスと組み合わされることにより、より広範な技術に適用可能になるととともに、銀薄膜の膜厚が70nm以上、好ましくは80nm以上かつ250nm以下に制御されることにより、より広範な波長帯域において紫外線バンドパスフィルタとして機能し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第1〜第3実施形態の各構造を示す図である。
【図2】異なる膜厚(12.8nm〜78.4nm)を有する5種類の銀薄膜について、それらの透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図3】図2に示された5種類の銀薄膜それぞれの最大透過率を100%としたときの相対透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図4】異なる膜厚(80.4nm〜400.0nm)を有する6種類の銀薄膜について、それらの透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図5】図4に示された6種類の銀薄膜それぞれの最大透過率を100%としたときの相対透過率の波長依存性を示すグラフである。
【図6】波長322nm(透過ピーク波長)の光に対する銀薄膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図7】透過ピーク波長322nmにおける最大透過率を基準とした、複数波長(400nm、500nm、600nmm)それぞれの光に対する銀薄膜の膜厚と相対透過率との関係を示すグラフである。
【図8】膜厚の異なる複数サンプルについて、全透過率に占める紫外域(200nm以上400nm以下)の透過率と紫外域を除く波長(400nmよりも長く1000nm以下)の透過率の割合を示すグラフである。
【図9】この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第1及び第2応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線検出装置の外観及び断面構造を示す図である。
【図10】図9(b)に示された第2応用例に係る紫外線検出装置と比較例である従来の光検出器の受光感度の波長依存性を示すグラフである。
【図11】この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第3応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された紫外線検出装置の断面構造を示す図である。
【図12】この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第4応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された発光装置の外観を示す図である。
【図13】この発明に係る紫外線バンドパスフィルタの第5及び第6応用例として、当該紫外線バンドパスフィルタが適用された発光装置の概略構成を示す図である。
【図14】一般的な紫外線バンドパスフィルタの透過特性を示す図である。
【符号の説明】
10、11、12、13、100、610…銀薄膜、1、2、3、74、84…紫外線バンドパスフィルタ、300、40、50…紫外線検出装置、60、70、80…紫外線源。
Claims (4)
- 入射面と、該入射面に対向する面であって該入射面に到達した光のうち波長200nm〜400nmの特定紫外域に含まれる波長の光が選択的に出射される出射面とを備えた銀薄膜を含み、該銀薄膜は、前記特定紫外域を除く波長の光に対する透過率が10%以下となる膜厚を有することを特徴とする紫外線バンドパスフィルタ。
- 前記銀薄膜は、70nm以上かつ250nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項1記載の紫外線バンドパスフィルタ。
- 前記銀薄膜は、80nm以上かつ250nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項2記載の紫外線バンドパスフィルタ。
- 前記銀薄膜の出射面から出射された透過光に占める前記特定紫外域を除く光の割合は、10%以下である請求項1〜3のいずれか一項記載の紫外線バンドパスフィルタ。
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