KR20240058977A - 필터 장치 - Google Patents

필터 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20240058977A
KR20240058977A KR1020247013456A KR20247013456A KR20240058977A KR 20240058977 A KR20240058977 A KR 20240058977A KR 1020247013456 A KR1020247013456 A KR 1020247013456A KR 20247013456 A KR20247013456 A KR 20247013456A KR 20240058977 A KR20240058977 A KR 20240058977A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
fabry
mirror
perot interference
interference filter
Prior art date
Application number
KR1020247013456A
Other languages
English (en)
Inventor
다카시 가사하라
가츠미 시바야마
마사키 히로세
도시미츠 가와이
히로키 오야마
유미 구라모토
Original Assignee
하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 filed Critical 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20240058977A publication Critical patent/KR20240058977A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/26Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02Details
    • G01J1/04Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0202Mechanical elements; Supports for optical elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0205Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • G01J3/0208Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using focussing or collimating elements, e.g. lenses or mirrors; performing aberration correction
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0205Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • G01J3/0237Adjustable, e.g. focussing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0076Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a detector
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4233Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive element [DOE] contributing to a non-imaging application
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

필터 장치는, 광을 입사시키는 창부가 마련된 패키지와, 패키지 내면에 배치되고, 창부로부터 입사한 광을 투과시키는 밴드 패스 필터와, 패키지 내에 배치되고, 밴드 패스 필터를 투과한 광을 투과시키는 패브리 페로 간섭 필터를 구비하고, 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 밴드 패스 필터의 외부 가장자리는, 패브리 페로 간섭 필터의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다. 패브리 페로 간섭 필터는, 창부측의 제1 표면 및 창부와는 반대측의 제2 표면을 가지는 기판과, 제1 표면에 배치되고, 공극을 사이에 두고 서로 대향하고 또한 서로의 거리가 가변으로 된 제1 미러부 및 제2 미러부가 마련된 제1 층구조체와, 제2 표면측에 일체적으로 마련되고, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광을 집광하는 렌즈부를 가진다. 제1 층구조체는, 제1 표면에 배치되고, 제1 미러부를 포함하는 제1 적층체와, 제1 적층체 상에 배치되고, 공극을 형성하는 중간층과, 중간층 상에 배치되고, 제2 미러부를 포함하는 제2 적층체를 가지고, 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부는 공극의 내측에 위치하고 있다.

Description

필터 장치{FILTER DEVICE}
본 개시는, 패브리 페로(Fabry Perot) 간섭 필터를 구비하는 필터 장치 및 광 검출 장치에 관한 것이다.
창부(窓部)가 마련된 패키지와, 패키지 내에서, 창부로부터 입사한 광을 투과시키는 패브리 페로 간섭 필터와, 패키지 내에서, 패브리 페로 간섭 필터를 투과한 광을 검출하는 광 검출기를 구비하는 광 검출 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1 : 일본특허공개 제2016-211860호 공보
상술한 바와 같은 광 검출 장치에서는, 패브리 페로 간섭 필터를 투과한 광이 광 검출기에 의해서 효율 좋게 검출되는 것이 바람직하다. 특히, 범용적인 광원을 이용하여, 피측정물로부터의 반사광을 분석하는 경우에는, 반사광의 광량이 작게 되기 쉽기 때문에, 광을 효율 좋게 검출하는 것이 중요해진다.
광을 효율 좋게 검출하기 위해서, 수광 영역이 큰 포토 다이오드 등의 광 검출기를 이용하는 것이 고려되어진다. 그러나, 수광 영역이 큰 광 검출기를 이용하면, 광 검출기로부터 출력되는 신호에서 노이즈 성분이 커질 우려가 있다.
본 개시는, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능한 광 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면의 광 검출 장치는, 광을 입사시키는 창부(窓部)가 마련된 패키지와, 패키지 내에 배치되고, 창부로부터 입사한 광을 투과시키는 패브리 페로(Fabry Perot) 간섭 필터와, 패브리 페로 간섭 필터로부터 떨어진 상태에서 패키지 내에 배치되고, 패브리 페로 간섭 필터를 투과한 광을 검출하는 광 검출기를 구비하며, 패브리 페로 간섭 필터는, 창부측의 제1 표면 및 광 검출기측의 제2 표면을 가지는 기판과, 제1 표면에 배치되고, 공극을 사이에 두고 서로 대향하고 또한 서로의 거리가 가변으로 된 제1 미러부 및 제2 미러부가 마련된 제1 층구조체와, 제2 표면측에 일체적으로 마련되고, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광을 광 검출기에 집광하는 렌즈부를 가진다.
상술한 광 검출 장치에서는, 패브리 페로 간섭 필터가, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광을 광 검출기에 집광하는 렌즈부를 가지고 있다. 이것에 의해, 수광 영역이 작은 광 검출기를 이용했다고 해도, 당해 수광 영역에, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광을 효율 좋게 입사시킬 수 있다. 즉, 수광 영역이 작은 광 검출기를 이용하여, 광 검출기로부터 출력되는 신호에서 노이즈 성분을 작게 하면서, 패브리 페로 간섭 필터를 투과한 광을 효율 좋게 검출할 수 있다. 여기서, 광 검출기의 수광 영역이 작게 되면, 광 검출기에 대한 렌즈부의 위치(특히, 광축에 수직인 방향에서의 위치)에 높은 정밀도가 요구된다. 상술한 광 검출 장치에서는, 제1 미러부 및 제2 미러부의 후단에 렌즈부가 위치하고 있기 때문에, 제1 미러부 및 제2 미러부의 전단에 렌즈부가 위치하고 있는 경우에 비해, 렌즈부와 광 검출기와의 거리가 작게 되고, 광 검출기에 대한 렌즈부의 위치에 요구되는 정밀도가 완화된다. 또, 렌즈부가, 패브리 페로 간섭 필터를 구성하는 기판의 제2 표면측에 일체적으로 마련되어 있기 때문에, 렌즈부가 패브리 페로 간섭 필터와는 별체로 지지 부재(예를 들면, 패키지 내에서, 패브리 페로 간섭 필터가 광 검출기로부터 떨어진 상태에서 패브리 페로 간섭 필터를 지지하는 지지 부재)에 장착되어 있는 경우에 비해, 광 검출기에 대한 렌즈부의 위치에 어긋남이 생기기 어렵다. 이상에 의해, 상술한 광 검출 장치에 의하면, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능하게 된다.
일 측면의 광 검출 장치에서는, 렌즈부는, 기판 중 제2 표면측의 부분에 형성되어 있어도 괜찮다. 이 구성에서는, 기판과 렌즈부와의 사이에 계면(界面)이 존재하지 않기 때문에, 광학적인 로스(loss)를 억제할 수 있음과 아울러, 렌즈부의 벗겨짐 등을 방지할 수 있다. 또, 반도체 제조 프로세스에서, 렌즈부를 높은 위치 정밀도로 용이하게 형성할 수 있다.
일 측면의 광 검출 장치에서는, 렌즈부는, 제2 표면에 직접적 또는 간접적으로 마련되어 있어도 괜찮다. 이 구성에 의하면, 렌즈부가 기판의 일부분에 형성되어 있는 경우에 비해, 패브리 페로 간섭 필터의 응력 밸런스를 향상시킬 수 있다. 또, 렌즈부가 취할 수 있는 형상(렌즈면의 곡률 등)의 자유도를 크게 할 수 있다.
일 측면의 광 검출 장치에서는, 패브리 페로 간섭 필터는, 제2 표면에 배치되고, 제1 층구조체에 대응하도록 구성된 제2 층구조체를 더 가지며, 제2 층구조체에는, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광이 통과하는 개구가 형성되어 있고, 렌즈부는, 개구 내에 배치되어 있어도 괜찮다. 이 구성에 의하면, 렌즈부가 기판과는 별체이었다고 해도, 렌즈부의 위치에 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또, 패브리 페로 간섭 필터의 두께가 커지는 것을 억제하면서, 예를 들면, 렌즈부가 개구 내에 배치되어 있는 부분만큼 렌즈부의 두께를 크게 함으로써, 렌즈부의 집광 기능을 향상시킬 수 있다. 게다가, 렌즈부의 전체를 개구 내에 배치함으로써, 렌즈부의 파손 및 오염을 방지할 수 있다.
일 측면의 광 검출 장치에서는, 패브리 페로 간섭 필터는, 제2 표면에 배치되고, 제1 층구조체에 대응하도록 구성된 제2 층구조체를 더 가지며, 제2 층구조체에는, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광이 통과하는 개구가 형성되어 있고, 렌즈부는, 개구를 막도록 제2 층구조체에 장착되어 있어도 괜찮다. 이 구성에 의하면, 패브리 페로 간섭 필터에서, 기판의 제1 표면측과 제2 표면측과의 사이의 응력 밸런스를 향상시킬 수 있다. 또, 렌즈부(50)가 채용할 수 있는 형상(렌즈면의 곡률 등)의 자유도를 크게 할 수 있다.
일 측면의 광 검출 장치에서는, 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부의 외부 가장자리는, 창부의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 광 검출기의 수광 영역의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있어도 괜찮다. 이 구성에 의하면, 제1 미러부 및 제2 미러부를 투과한 광을 광 검출기의 수광 영역에 효율 좋게 입사시킬 수 있다.
본 개시에 의하면, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능한 광 검출 장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 제1 실시 형태의 광 검출 장치의 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타내어지는 광 검출 장치의 평면도이다.
도 3은, 도 1에 나타내어지는 광 검출 장치의 패브리 페로 간섭 필터의 평면도이다.
도 4는, 도 3에 나타내어지는 IV-IV선을 따른 패브리 페로 간섭 필터의 단면도이다.
도 5는, 도 4에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 6은, 제2 실시 형태의 광 검출 장치의 단면도이다.
도 7은, 도 6에 나타내어지는 광 검출 장치의 패브리 페로 간섭 필터의 단면도이다.
도 8은, 도 7에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 9는, 제3 실시 형태의 광 검출 장치의 단면도이다.
도 10은, 도 9에 나타내어지는 광 검출 장치의 패브리 페로 간섭 필터의 단면도이다.
도 11은, 도 10에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 12는, 도 10에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 13은, 도 10에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 14는, 도 10에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 15는, 도 10에 나타내어지는 패브리 페로 간섭 필터의 변형예의 단면도이다.
도 16은, 패브리 페로 간섭 필터의 참고예의 단면도이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또, 각 도면에서 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 부분을 생략한다.
[제1 실시 형태]
[광 검출 장치의 구성]
도 1에 나타내어지는 바와 같이, 광 검출 장치(1A)는, 패키지(2)를 구비하고 있다. 패키지(2)는, 스템(stem)(3)과, 캡(4)을 가지는 CAN 패키지이다. 캡(4)은, 측벽(側壁)(5) 및 천벽(天壁)(6)에 의해서 일체적으로 구성되어 있다. 천벽(6)은, 라인(L)에 평행한 방향에서 스템(3)과 대향하고 있다. 스템(3) 및 캡(4)은, 예를 들면 금속으로 이루어지며, 서로 기밀하게 접합되어 있다.
스템(3)의 내면(3a)에는, 배선 기판(7)이 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있다. 배선 기판(7)의 기판 재료로서는, 예를 들면, 실리콘, 세라믹, 석영, 유리, 플라스틱 등을 이용할 수 있다. 배선 기판(7)에는, 광 검출기(8), 및 서미스트등의 온도 보상용 소자(도시 생략)가 실장되어 있다. 광 검출기(8)는, 패키지(2) 내에서 라인(L) 상에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 광 검출기(8)는, 그 수광 영역의 중심선이 라인(L)에 일치하도록 패키지(2) 내에 배치되어 있다. 광 검출기(8)는, 예를 들면, InGaAs 등이 이용된 양자형(量子型) 센서, 서모파일(thermopile) 또는 보로미터(bolometer) 등이 이용된 열형 센서 등의 적외선 검출기이다. 자외, 가시, 근적외의 각 파장역의 광을 검출하는 경우에는, 광 검출기(8)로서, 예를 들면, 실리콘 포토 다이오드 등을 이용할 수 있다. 또, 광 검출기(8)의 수광 영역은, 1개의 수광부에 의해서 구성되어 있어도 괜찮고, 혹은, 복수의 수광부에 의해서 구성되어 있어도 괜찮다. 복수의 수광부에 의해서 구성된 수광 영역을 가지는 광 검출기(8)는, 예를 들면, 포토 다이오드 어레이, CCD 이미지 센서, CMOS 이미지 센서 등이다. 또, 복수의 광 검출기(8)가 배선 기판(7)에 실장되어 있어도 괜찮다. 그 경우, 복수의 광 검출기(8)의 수광부의 집합을 수광 영역이라고 파악할 수 있다.
배선 기판(7) 상에는, 복수의 스페이서(지지부)(9)가 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있다. 복수의 스페이서(9)는, 광 검출기(8) 및 온도 보상용 소자를 사이에 두도록 혹은 둘러싸도록, 패키지(2) 내에 배치되어 있다. 각 스페이서(9)의 재료로서는, 예를 들면, 실리콘, 세라믹, 석영, 유리, 플라스틱 등을 이용할 수 있다. 복수의 스페이서(9) 상에는, 패브리 페로 간섭 필터(10A)가 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있다. 패브리 페로 간섭 필터(10A)는, 패키지(2) 내에서 라인(L) 상에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 패브리 페로 간섭 필터(10A)는, 그 광 투과 영역(10a)의 중심선이 라인(L)에 일치하도록 패키지(2) 내에 배치되어 있다. 스페이서(9)는, 패브리 페로 간섭 필터(10A)가 광 검출기(8)로부터 떨어진 상태에서(즉, 패브리 페로 간섭 필터(10A)와 광 검출기(8)와의 사이에 공간이 형성된 상태에서) 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 지지하고 있다. 즉, 패브리 페로 간섭 필터(10A)와 광 검출기(8)는, 서로 떨어진 상태에서 패키지(2) 내에 배치되어 있다. 또, 스페이서(9)는, 배선 기판(7)과 일체적으로 구성되어 있어도 괜찮다. 또, 패브리 페로 간섭 필터(10A)는, 복수의 스페이서(9)에 의해서가 아니라, 1개의 스페이서(9)에 의해서 지지되어 있어도 괜찮다. 또, 스페이서(9)는, 패브리 페로 간섭 필터(10A)와 일체적으로 구성되어 있어도 괜찮다.
스템(3)에는, 복수의 리드 핀(11)이 고정되어 있다. 보다 구체적으로는, 각 리드 핀(11)은, 스템(3)과의 사이의 전기적인 절연성 및 기밀성이 유지된 상태에서, 스템(3)을 관통하고 있다. 각 리드 핀(11)에는, 배선 기판(7)에 마련된 전극 패드, 광 검출기(8)의 단자, 온도 보상용 소자의 단자, 및 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 단자의 각각이, 와이어(12)에 의해서 전기적으로 접속되어 있다. 이것에 의해, 광 검출기(8), 온도 보상용 소자, 및 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 각각에 대한 전기신호의 입출력 등이 가능하다. 또, 리드 핀(11)과, 광 검출기(8)와 전기적으로 접속된 배선 기판(7) 상의 전극 패드가, 와이어(12)에 의해서 전기적으로 접속된 구성으로 해도 좋다.
패키지(2)에는, 개구(2a)가 형성되어 있다. 보다 구체적으로는, 개구(2a)는, 그 중심선이 라인(L)에 일치하도록 캡(4)의 천벽(6)에 형성되어 있다. 천벽(6)의 내면(6a)에는, 개구(2a)를 막도록 광 투과 부재(13)가 배치되어 있다. 광 투과 부재(13)는, 개구(2a) 내 및 측벽(5)의 내면(5a)에 이르고 있고, 개구(2a)를 기밀하게 씰링하고 있다. 광 투과 부재(13)는, 적어도 광 검출 장치(1A)의 측정 파장 범위의 광을 투과시킨다. 광 투과 부재(13)의 광 입사면(13a)은, 개구(2a)에서 천벽(6)의 외면과 대략 면일(面一)로 되어 있다. 이러한 광 투과 부재(13)는, 개구(2a)를 하측으로 한 상태에서 캡(4)의 내측에 유리 펠렛(pellet)을 배치하고, 그 유리 펠렛을 용융시킴으로써, 형성된다. 즉, 광 투과 부재(13)는, 융착 유리로 이루어진다. 패키지(2)에서는, 광 투과 부재(13) 중 개구(2a) 내에 위치하는 부분이, 외부로부터 패키지(2) 내에 광을 입사시키는 창부(窓部)(15)로서 기능한다. 또, 예를 들면, 유리, 석영, 실리콘, 게르마늄, 플라스틱 등으로 이루어지는 판 모양의 광 투과 부재(13)가, 개구(2a)를 막도록 천벽(6)의 내면(6a)에 기밀하게 고정되어 있어도 괜찮다. 그 경우, 개구(2a) 내의 영역이 창부(15)로서 기능한다. 즉, 광 투과 부재(13)의 유무에 관계없이, 개구(2a) 내의 영역이 창부(15)로서 기능한다. 이들 광 투과 부재(13)는, 수지 등으로 이루어지는 접착제에 의해서, 천벽(6)의 내면(6a)에 기밀하게 접착되어 있어도 괜찮다.
광 투과 부재(13)의 광 출사면(13b)(라인(L)에 평행한 방향에서 광 입사면(13a)과 대향하는 면)에는, 판 모양의 밴드 패스 필터(band pass filter)(14)가 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있다. 밴드 패스 필터(14)는, 광 검출 장치(1A)의 측정 파장 범위의 광을 선택적으로 투과시킨다. 밴드 패스 필터(14)는, 예를 들면, TiO2, Ta2O5 등의 고굴절 재료와, SiO2, MgF2 등의 저굴절 재료와의 조합으로 이루어지는 유전체 다층막을 가진다. 또, 밴드 패스 필터(14)는, 예를 들면 증착 등에 의해서 광 투과 부재(13)의 광 출사면(13b)에 형성되어 있어도 괜찮다. 또, 광 투과 부재(13) 자체가 밴드 패스 필터의 기능을 가지고 있어도 괜찮다.
라인(L)에 평행한 방향(창부(15)에 대한 광의 입사 방향)으로부터 본 경우에서의 각 부의 위치 관계 및 대소 관계는, 다음과 같다. 도 2에 나타내어지는 바와 같이, 창부(15)의 중심선(즉, 개구(2a)의 중심선), 광 투과 부재(13)의 중심선, 밴드 패스 필터(14)의 중심선, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)의 중심선, 및 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 중심선은, 라인(L)에 일치하고 있다. 창부(15)의 외부 가장자리, 광 투과 부재(13)의 외부 가장자리, 광 투과 영역(10a)의 외부 가장자리, 및 수광 영역(8a)의 외부 가장자리는, 예를 들면 원형 모양이다. 밴드 패스 필터(14)의 외부 가장자리, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 외부 가장자리, 및 광 검출기(8)의 외부 가장자리는, 예를 들면 직사각형 모양이다.
창부(15)의 외부 가장자리(즉, 개구(2a)의 내부 가장자리)는, 광 투과 부재(13)의 외부 가장자리, 밴드 패스 필터(14)의 외부 가장자리, 및 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 광 투과 영역(10a)의 외부 가장자리, 및 수광 영역(8a)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다. 수광 영역(8a)의 외부 가장자리는, 광 투과 영역(10a)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있다. 밴드 패스 필터(14)의 외부 가장자리는, 광 투과 부재(13)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다. 또, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 하나의 외부 가장자리가 다른 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있다」라는 것은, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 다른 외부 가장자리가 하나의 외부 가장자리를 둘러싸고 있다」, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 다른 외부 가장자리가 하나의 외부 가장자리를 포함하고 있다」라는 것의 의미이다. 또, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 하나의 외부 가장자리가 다른 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다」라는 것은, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 하나의 외부 가장자리가 다른 외부 가장자리를 둘러싸고 있다」, 「소정의 방향으로부터 본 경우에 하나의 외부 가장자리가 다른 외부 가장자리를 포함하고 있다」라는 것의 의미이다.
이상과 같이 구성된 광 검출 장치(1A)에서는, 외부로부터, 창부(15), 광 투과 부재(13) 및 밴드 패스 필터(14)를 매개로 하여, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)에 광이 입사하면, 소정의 파장을 가지는 광이 선택적으로 투과시켜진다. 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광은, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 입사하여, 광 검출기(8)에 의해서 검출된다.
[패브리 페로 간섭 필터의 구성]
도 3 및 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 제1 미러부와 제2 미러부와의 거리에 따른 광을 투과시키는 광 투과 영역(10a)이 라인(L) 상에 마련되어 있다. 광 투과 영역(10a)은, 예를 들면 원기둥 모양의 영역이다. 광 투과 영역(10a)에서는, 제1 미러부와 제2 미러부와의 거리가 매우 정밀도 좋게 제어된다. 즉, 광 투과 영역(10a)은, 패브리 페로 간섭 필터(10A) 중, 소정의 파장을 가지는 광을 선택적으로 투과시키기 위해서 제1 미러부와 제2 미러부와의 거리를 소정의 거리에 제어하는 것이 가능한 영역으로서, 제1 미러부와 제2 미러부와의 거리에 따른 소정의 파장을 가지는 광이 투과 가능한 영역이다.
패브리 페로 간섭 필터(10A)는, 직사각형 판 모양의 기판(21)을 구비하고 있다. 기판(21)은, 라인(L)에 평행한 방향에서 서로 대향하는 제1 표면(21a) 및 제2 표면(21b)을 가지고 있다. 제1 표면(21a)은, 창부(15)측(즉, 광 입사측)의 표면이다. 제2 표면(21b)은, 광 검출기(8)측(즉, 광 출사측)의 표면이다. 제1 표면(21a)에는, 제1 층구조체(30)가 배치되어 있다. 제2 표면(21b)에는, 제2 층구조체(40)가 배치되어 있다.
제1 층구조체(30)는, 제1 반사 방지층(31), 제1 적층체(32), 제1 중간층(33) 및 제2 적층체(34)가 이 순서로 제1 표면(21a)에 적층됨으로써, 구성되어 있다. 제1 적층체(32)와 제2 적층체(34)와의 사이에는, 틀 모양의 제1 중간층(33)에 의해서 공극(에어 갭)(S)이 형성되어 있다. 기판(21)은, 예를 들면, 실리콘, 석영, 유리 등으로 이루어진다. 기판(21)이 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 제1 반사 방지층(31) 및 제1 중간층(33)은, 예를 들면, 산화 실리콘으로 이루어진다. 제1 중간층(33)의 두께는, 예를 들면, 수십 nm ~ 수십 μm이다.
제1 적층체(32) 중 광 투과 영역(10a)에 대응하는 부분은, 제1 미러부(35)로서 기능한다. 제1 적층체(32)는, 복수의 폴리 실리콘층과 복수의 질화 실리콘층이 한층씩 교호로 적층됨으로써, 구성되어 있다. 제1 미러부(35)를 구성하는 폴리 실리콘층 및 질화 실리콘층의 각각의 광학 두께는, 중심 투과 파장의 1/4의 정수배인 것이 바람직하다. 또, 제1 미러부(35)는, 제1 반사 방지층(31)을 매개로 하지 않고, 제1 표면(21a)에 직접적으로 배치되어 있어도 괜찮다.
제2 적층체(34) 중 광 투과 영역(10a)에 대응하는 부분은, 제2 미러부(36)로서 기능한다. 제2 미러부(36)는, 라인(L)에 평행한 방향에서, 공극(S)을 매개로 하여 제1 미러부(35)와 대향하고 있다. 제2 적층체(34)는, 복수의 폴리 실리콘층과 복수의 질화 실리콘층이 한층씩 교호로 적층됨으로써, 구성되어 있다. 제2 미러부(36)를 구성하는 폴리 실리콘층 및 질화 실리콘층의 각각의 광학 두께는, 중심 투과 파장의 1/4의 정수배인 것이 바람직하다.
제1 적층체(32) 및 제2 적층체(34)에서는, 질화 실리콘층 대신에 산화 실리콘층이 배치되어 있어도 괜찮다. 또, 제1 적층체(32) 및 제2 적층체(34)를 구성하는 각 층의 재료로서는, 상술한 재료 외에, 산화 티탄, 산화 탄탈, 산화 지르코늄, 플루오르화 마그네슘, 산화 알류미늄, 플루오르화 칼슘, 실리콘, 게르마늄, 황화 아연 등을 이용할 수 있다.
제2 적층체(34)에서 공극(S)에 대응하는 부분에는, 제2 적층체(34)에서의 제1 중간층(33)과는 반대측의 표면(34a)으로부터 공극(S)에 이르는 복수의 관통공(34b)이 형성되어 있다. 복수의 관통공(34b)은, 제2 미러부(36)의 기능에 실질적으로 영향을 주지 않을 정도로 형성되어 있다. 복수의 관통공(34b)은, 에칭에 의해서 제1 중간층(33)의 일부를 제거하여 공극(S)을 형성하기 위해서 이용된 것이다.
제1 미러부(35)에는, 광 투과 영역(10a)을 둘러싸도록 제1 전극(22)이 형성되어 있다. 제1 미러부(35)에는, 광 투과 영역(10a)을 포함하도록 제2 전극(23)이 형성되어 있다. 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)은, 제1 적층체(32) 중 공극(S)에 가장 가까운 폴리 실리콘층에 불순물을 도핑하여 저저항화함으로써, 형성되어 있다. 제2 미러부(36)에는, 제3 전극(24)이 형성되어 있다. 제3 전극(24)은, 라인(L)에 평행한 방향에서, 공극(S)을 매개로 하여 제1 전극(22) 및 제2 전극(23)과 대향하고 있다. 제3 전극(24)은, 제2 적층체(34) 중 공극(S)에 가장 가까운 폴리 실리콘층에 불순물을 도핑하여 저저항화함으로써, 형성되어 있다. 또, 제2 전극(23)의 크기는, 광 투과 영역(10a)의 전체를 포함하는 크기인 것이 바람직하지만, 광 투과 영역(10a)의 크기와 대략 동일해도 좋다.
제1 층구조체(30)에는, 한 쌍의 제1 단자(25) 및 한 쌍의 제2 단자(26)가 마련되어 있다. 한 쌍의 제1 단자(25)는, 광 투과 영역(10a)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다. 각 제1 단자(25)는, 제2 적층체(34)의 표면(34a)으로부터 제1 적층체(32)에 이르는 관통공 내에 배치되어 있다. 각 제1 단자(25)는, 배선(22a)을 매개로 하여 제1 전극(22)과 전기적으로 접속되어 있다. 한 쌍의 제2 단자(26)는, 한 쌍의 제1 단자(25)가 서로 대향하는 방향으로 수직인 방향에서, 광 투과 영역(10a)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다. 각 제2 단자(26)는, 제2 적층체(34)의 표면(34a)으로부터 제1 중간층(33)의 내부에 이르는 관통공 내에 배치되어 있다. 각 제2 단자(26)는, 배선(23a)을 매개로 하여 제2 전극(23)과 전기적으로 접속되어 있음과 아울러, 배선(24a)을 매개로 하여 제3 전극(24)과 전기적으로 접속되어 있다.
제1 적층체(32)에서의 제1 중간층(33)측의 표면(32a)에는, 트렌치(trench)(27, 28)가 마련되어 있다. 트렌치(27)는, 배선(23a)에서의 제2 단자(26)와의 접속 부분을 둘러싸도록 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(27)는, 제1 전극(22)과 배선(23a)을 전기적으로 절연하고 있다. 트렌치(28)는, 제1 전극(22)의 내부 가장자리를 따라서 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(28)는, 제1 전극(22)과 제1 전극(22)의 내측의 영역(즉, 제2 전극(23)이 존재하는 영역)을 전기적으로 절연하고 있다. 제2 적층체(34)의 표면(34a)에는, 트렌치(29)가 마련되어 있다. 트렌치(29)는, 제1 단자(25)를 둘러싸도록 고리 모양으로 연장되어 있다. 트렌치(29)는, 제1 단자(25)와 제3 전극(24)을 전기적으로 절연하고 있다. 각 트렌치(27, 28, 29) 내의 영역은, 절연 재료라도, 공극이라도 좋다.
제2 층구조체(40)는, 제2 반사 방지층(41), 제3 적층체(42), 제2 중간층(43) 및 제4 적층체(44)가 이 순서로 제2 표면(21b)에 적층됨으로써, 구성되어 있다. 제2 반사 방지층(41), 제3 적층체(42), 제2 중간층(43) 및 제4 적층체(44)는, 각각, 제1 반사 방지층(31), 제1 적층체(32), 제1 중간층(33) 및 제2 적층체(34)와 마찬가지의 구성을 가지고 있다. 이와 같이, 제2 층구조체(40)는, 기판(21)을 기준으로 하여 제1 층구조체(30)와 대칭인 적층 구조를 가지고 있다. 즉, 제2 층구조체(40)는, 제1 층구조체(30)와 대응하도록 구성되어 있다. 제2 층구조체(40)는, 기판(21)의 휨 등을 억제하는 기능을 가지고 있다.
제3 적층체(42), 제2 중간층(43) 및 제4 적층체(44)에는, 광 투과 영역(10a)을 포함하도록 개구(40a)가 형성되어 있다. 개구(40a)의 중심선은, 라인(L)에 일치하고 있다. 개구(40a)는, 예를 들면 원기둥 모양의 영역이며, 광 투과 영역(10a)과 대략 동일한 지름을 가지고 있다. 개구(40a)는, 광 출사측으로 개구되어 있고, 개구(40a)의 저면은, 제2 반사 방지층(41)에 이르고 있다. 개구(40a)는, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광을 통과시킨다. 제3 적층체(42)는, 제2 반사 방지층(41)을 매개로 하지 않고, 제2 표면(21b)에 직접적으로 배치되어 있어도 괜찮다.
제4 적층체(44)의 광 출사측의 표면에는, 차광층(45)이 형성되어 있다. 차광층(45)은, 예를 들면 알루미늄 등으로 이루어진다. 차광층(45)의 표면 및 개구(40a)의 내면에는, 보호층(46)이 형성되어 있다. 보호층(46)은, 예를 들면 산화 알류미늄으로 이루어진다. 또, 보호층(46)의 두께를 1~100nm(바람직하게는, 30nm 정도)로 함으로써, 보호층(46)에 의한 광학적인 영향을 무시할 수 있다. 또, 보호층(46)은, 생략할 수도 있다.
기판(21)의 제2 표면(21b)측에는, 렌즈부(50)가 일체적으로 마련되어 있다. 렌즈부(50)는, 기판(21) 중 제2 표면(21b)측의 부분에 형성되어 있다. 렌즈부(50)의 광 출사면(50a)은, 제2 표면(21b)의 일부에 의해서 구성되어 있다. 렌즈부(50)의 중심선(즉, 광 출사면(50a)의 중심선)은, 라인(L)에 일치하고 있다. 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부(50)의 외부 가장자리는, 패키지(2)의 창부(15)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다(도 2 참조). 여기에서는, 렌즈부(50)는, 광 투과 영역(10a)과 대략 동일한 지름을 가지고 있다. 광 출사면(50a)은, 개구(40a)의 저면에서 제2 반사 방지층(41) 및 보호층(46)에 의해 덮여져 있다. 렌즈부(50)는, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광을 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 집광한다.
렌즈부(50)는, 프레넬 렌즈로서 구성되어 있다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이며, 기판(21)이 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 프레넬 렌즈의 원의 갯수는 3~60개이며, 요철의 높이는 1~25μm이며, 원과 원과의 간격은 5~150μm이다. 이러한 렌즈부(50)는, 3D 마스크 등을 이용하여 기판(21)의 제2 표면(21b)에 레지스트를 패터닝하고, 에치 백(etch back)함으로써, 형성된다.
또, 도 5에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)는, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)을 가지는 볼록 렌즈로서 구성되어 있어도 괜찮다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이며, 기판(21)이 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)의 높이는 60~80μm이다. 이러한 렌즈부(50)는, 3D 마스크 등을 이용하여 기판(21)의 제2 표면(21b)에 레지스트를 패터닝하고, 에치 백함으로써, 형성된다.
이상과 같이 구성된 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 한 쌍의 제1 단자(25) 및 한 쌍의 제2 단자(26)를 매개로 하여 제1 전극(22)과 제3 전극(24)과의 사이에 전압이 인가되면, 당해 전압에 따른 정전기력이 제1 전극(22)과 제3 전극(24)과의 사이에 발생한다. 당해 정전기력에 의해서, 제2 미러부(36)가, 기판(21)에 고정된 제1 미러부(35)측으로 끌어당겨져, 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리가 조정된다. 이와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리가 가변으로 되어 있다.
패브리 페로 간섭 필터(10A)를 투과하는 광의 파장은, 광 투과 영역(10a)에서의 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리에 의존한다. 따라서, 제1 전극(22)과 제3 전극(24)과의 사이에 인가하는 전압을 조정함으로써, 투과하는 광의 파장을 적절히 선택할 수 있다. 이 때, 제2 전극(23)은, 제3 전극(24)과 동전위(同電位)이다. 따라서, 제2 전극(23)은, 광 투과 영역(10a)에서 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 평탄하게 유지하기 위한 보상 전극으로서 기능한다.
광 검출 장치(1A)에서는, 예를 들면, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에 인가하는 전압을 변화시키면서(즉, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리를 변화시키면서), 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광을 광 검출기(8)에서 검출함으로써, 분광 스펙트럼을 얻을 수 있다. 이 때, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광이, 렌즈부(50)에 의해서 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 집광된다.
또, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 광 투과 영역(10a)(상술한 바와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10A) 중, 소정의 파장을 가지는 광을 선택적으로 투과시키기 위해서 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리를 소정의 거리로 제어하는 것이 가능한 영역으로서, 제1 미러부(35)와 제2 미러부(36)와의 거리에 따른 소정의 파장을 가지는 광이 투과 가능한 영역)을, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제1 전극(22)의 내측의 영역(즉, 보상 전극으로서 기능하는 제2 전극(23)이 존재하는 영역)에 대응하는 영역으로 파악하는 것도 가능하고, 혹은, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 개구(40a)에 대응하는 영역으로 파악하는 것도 가능하다.
[작용 및 효과]
광 검출 장치(1A)에서는, 패브리 페로 간섭 필터(10A)가, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광을 광 검출기(8)에 집광하는 렌즈부(50)를 가지고 있다. 이것에 의해, 수광 영역(8a)이 작은 광 검출기(8)를 이용했다고 해도, 당해 수광 영역(8a)에, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광을 효율 좋게 입사시킬 수 있다. 즉, 수광 영역(8a)이 작은 광 검출기(8)를 이용하여, 광 검출기(8)로부터 출력되는 신호에서 노이즈 성분을 작게 하면서, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 투과한 광을 효율 좋게 검출할 수 있다. 여기서, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)이 작게 되면, 광 검출기(8)에 대한 렌즈부(50)의 위치(특히, 광축에 수직인 방향에서의 위치)에 높은 정밀도가 요구된다. 광 검출 장치(1A)에서는, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)의 후단에 렌즈부(50)가 위치하고 있기 때문에, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)의 전단에 렌즈부(50)가 위치하고 있는 경우에 비해, 렌즈부(50)와 광 검출기(8)와의 거리가 작게 되고, 광 검출기(8)에 대한 렌즈부(50)의 위치에 요구되는 정밀도가 완화된다. 또, 렌즈부(50)가, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 구성하는 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 일체적으로 마련되어 있기 때문에, 렌즈부(50)가 패브리 페로 간섭 필터(10A)와는 별체로 스페이서(9)에 장착되어 있는 경우에 비해, 광 검출기(8)에 대한 렌즈부(50)의 위치에 어긋남이 생기기 어렵다. 이상에 의해, 광 검출 장치(1A)에 의하면, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능하게 된다.
일 예로서, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)의 지름이 750μm이며, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 지름이 100μm인 경우에 대해서, 설명한다. 이 경우, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에 렌즈부(50)가 마련되어 있지 않으면, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광 중, 100μm의 지름의 범위밖에, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 입사하지 않는다. 즉, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광의 일부밖에 이용할 수 없다.
이것에 대해, 패브리 페로 간섭 필터(10A)에 렌즈부(50)가 마련되어 있으면, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광의 대략 전부가 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 입사한다. 즉, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)을 투과한 광의 대략 전부를 이용할 수 있다. 특히, 범용적인 광원을 이용하여, 피측정물로부터의 반사광을 분석하는 경우에는, 반사광의 광량이 작게 되기 쉽기 때문에, 이와 같이 광을 효율 좋게 검출하는 것은 매우 중요하다.
다만, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 지름이 100μm이면, 렌즈부(50)에 의해서 집광되는 광의 집광 위치에 ±50μm 이하의 정밀도가 필요하게 되고, 즉, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 대한 렌즈부(50)의 위치에도 마찬가지의 정밀도가 필요하게 된다. 패브리 페로 간섭 필터(10A)에서는, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 렌즈부(50)가 일체적으로 마련됨으로써, 그러한 정밀도의 실현이 가능하게 되어 있다.
또, 패키지(2)의 창부(15)에 렌즈 기능을 갖게 함으로써, 광 검출 장치(1A)에서 고감도인 검출을 실현하는 것도 가능하다. 그러나, 창부(15)의 지름은, 스템(3)에 대한 캡(4)의 실장 정밀도를 고려하면, 예를 들면 1500μm와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)의 지름보다도 충분히 클 필요가 있다. 또, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 대한 창부(15)의 위치에 ±50μm 정도의 정밀도가 필요하게 된다. 그 때문에, 스템(3)에 대한 캡(4)의 실장에서 액티브 얼라이먼트를 실시하지 않으면, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 광이 입사하지 않을 우려가 있다. 이와 같이, 렌즈부가 대형화하고, 액티브 얼라이먼트가 필요하게 되기 때문에, 창부(15)가 렌즈 기능을 가지는 구성은, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 렌즈부(50)가 일체적으로 마련된 구성에 비해, 코스트적인 메리트가 작다.
또, 광 검출 장치(1A)에서는, 렌즈부(50)가, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 구성하는 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 일체적으로 마련되어 있기 때문에, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 실장할 때에 광 검출기(8)에 대한 얼라이먼트만을 고려하면 된다. 따라서, 렌즈부(50)를 패브리 페로 간섭 필터(10A)와는 별체로 스페이서(9)에 장착하는 경우에 비해, 어셈블리를 현저하게 용이하게 할 수 있다. 또, 반도체 제조 프로세스에서, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 웨이퍼 레벨로 제조하는 경우에는, 렌즈부(50)도 웨이퍼 레벨로 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 일체적으로 마련하는 것이 가능하게 되기 때문에, 소형이고 또한 위치 정밀도가 높은 렌즈부(50)를 가지는 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 용이하게 제조할 수 있다.
또, 광 검출 장치(1A)에서는, 렌즈부(50)가, 기판(21) 중 제2 표면(21b)측의 부분에 형성되어 있다. 이 구성에서는, 기판(21)과 렌즈부(50)와의 사이에 계면이 존재하지 않기 때문에, 광학적인 로스를 억제할 수 있음과 아울러, 렌즈부(50)의 벗겨짐 등을 방지할 수 있다. 또, 반도체 제조 프로세스에서, 렌즈부(50)를 높은 위치 정밀도로 용이하게 형성할 수 있다. 또, 기판(21)이 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률이 3.5가 된다. 이와 같이, 렌즈부(50)를 고굴절률 재료에 의해서 형성할 수 있기 때문에, 광 검출기(8)와 패브리 페로 간섭 필터(10A)와의 거리를 짧게 하여, 광 검출 장치(1A)의 소형화를 도모하는 것이 가능하게 된다. 게다가, 렌즈부(50)의 광 출사면(50a)가 개구(40a)의 저면에 위치하고 있기 때문에, 광 출사면(50a)의 파손 및 오염을 방지할 수 있다.
또, 광 검출 장치(1A)에서는, 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부(50)의 외부 가장자리가, 창부(15)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다. 이 구성에 의해, 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)를 투과한 광을 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)에 효율 좋게 입사시킬 수 있다. 예를 들면, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a) 상에 렌즈가 일체적으로 마련된 구성에서는, 이러한 효과를 얻는 것은 곤란하다. 패브리 페로 간섭 필터(10A)의 광 투과 영역(10a)과 동일하거나 혹은 그 이상의 크기를 가지는 렌즈부(50)를 패브리 페로 간섭 필터(10A)측에 일체적으로 마련함으로써, 패브리 페로 간섭 필터(10A)를 투과한 광의 검출 효율을 최대화할 수 있다.
[제2 실시 형태]
도 6에 나타내어지는 바와 같이, 광 검출 장치(1B)는, 패브리 페로 간섭 필터(10B)의 구성에서, 상술한 광 검출 장치(1A)와 주로 상위(相違)하다. 도 7에 나타내어지는 바와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10B)에서는, 렌즈부(50)가 기판(21)과는 별체로 구성되어 있다. 렌즈부(50)는, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a), 및 평탄한 광 입사면(50b)을 가지고 있다. 렌즈부(50)의 광 입사면(50b)은, 개구(40a)를 막은 상태에서, 보호층(46)에서의 광 검출기(8)측의 표면에 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있다. 즉, 렌즈부(50)는, 개구(40a)를 막도록 제2 층구조체(40)에 장착되어 있다. 또, 렌즈부(50)를 제2 층구조체(40)에 장착하기 위한 접착제에 광학 수지를 이용하여, 당해 광학 수지를 개구(40a) 내에 채워도 괜찮다.
렌즈부(50)의 중심선은, 라인(L)에 일치하고 있다. 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부(50)의 외부 가장자리는, 패키지(2)의 창부(15)의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있고, 광 검출기(8)의 수광 영역(8a)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있다. 여기에서는, 렌즈부(50)는, 광 투과 영역(10a) 보다도 큰 지름을 가지고 있다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 1000μm 정도이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)의 높이는 50~400μm이다.
또, 도 8에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)는, 프레넬 렌즈로서 구성되어 있어도 괜찮다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 1000μm 정도이며, 렌즈부(50)의 기판의 두께는 200μm이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 프레넬 렌즈의 원의 갯수는 10개 이상이며, 요철의 높이는 40μm 이하이며, 원과 원과의 간격은 50μm 이하이다. 또, 도 7 및 도 8에 나타내어지는 구성에서, 렌즈부(50)는, 보호층(46)을 매개로 하지 않고, 제2 층구조체(40)에 장착되어 있어도 괜찮다.
이상과 같이 구성된 광 검출 장치(1B)에서도, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 렌즈부(50)가 일체적으로 마련되어 있으므로, 상술한 광 검출 장치(1A)와 마찬가지로, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능하게 된다.
또, 광 검출 장치(1B)에서는, 렌즈부(50)가, 개구(40a)를 막도록 제2 층구조체(40)에 장착되어 있다. 이 구성에 의해, 패브리 페로 간섭 필터(10B)에서, 기판(21)의 제1 표면(21a)측과 제2 표면(21b)측과의 사이의 응력 밸런스를 향상시킬 수 있다. 또, 렌즈부(50)를 채용할 수 있는 형상(광 출사면(50a) 등의 렌즈면의 곡률 등)의 자유도를 크게 할 수 있다. 또, 렌즈부(50)에 의해서 개구(40a)가 완전히 막히지 않고, 개구(40a)의 내부와 외부가 연통하도록 구성되어 있어도 괜찮다. 그 경우, 개구(40a) 내의 공기의 팽창 및 수축에 의한 응력의 발생을 억제할 수 있다.
또, 광 검출 장치(1B)에서는, 렌즈부(50)가 복수의 스페이서(9)의 사이에 위치하고(도 6 참조), 패브리 페로 간섭 필터(10B)의 중심(重心)이 낮게 되기 때문에, 패브리 페로 간섭 필터(10B)의 안정성을 향상시킬 수 있다.
또, 렌즈부(50)를 제2 층구조체(40)에 장착할 때에, 개구(40a)를 얼라이먼트의 기준으로 하는 것이 가능하므로, 렌즈부(50)를 정밀도 좋게 또한 용이하게 실장할 수 있다.
또, 반도체 제조 프로세스에서, 패브리 페로 간섭 필터(10B)를 웨이퍼 레벨로 제조하는 경우에는, 렌즈부(50)도 웨이퍼 레벨로 실장함으로써, 소형이고 또한 위치 정밀도가 높은 렌즈부(50)를 가지는 패브리 페로 간섭 필터(10B)를 용이하게 제조할 수 있다.
[제3 실시 형태]
도 9에 나타내어지는 바와 같이, 광 검출 장치(1C)는, 패브리 페로 간섭 필터(10C)의 구성에서, 상술한 광 검출 장치(1A)와 주로 상위하다. 도 10에 나타내어지는 바와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(10C)에서는, 렌즈부(50)가 기판(21)과는 별체로 구성되어 있다. 렌즈부(50)는, 개구(40a) 내에 배치되어 있고, 보호층(46) 상에 마련되어 있다. 즉, 렌즈부(50)는, 제2 반사 방지층(41) 및 보호층(46)을 매개로 하여 기판(21)의 제2 표면(21b)에 간접적으로 마련되어 있다. 또, 렌즈부(50)는, 제2 반사 방지층(41) 및 보호층(46)을 매개로 하지 않고 기판(21)의 제2 표면(21b)에 직접적으로 마련되어 있어도 괜찮다.
렌즈부(50)는, 프레넬 렌즈로서 구성되어 있다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이다. 또, 프레넬 렌즈의 원의 갯수는 10~50개이며, 요철의 높이는 5~40μm이며, 원과 원과의 간격은 5~50μm이다. 이러한 렌즈부(50)는, 3D 마스크를 이용하여 레지스트(수지)를 패터닝하는 방법, 형(型)을 이용한 방법 등에 의해서, 형성된다.
또, 도 11에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)는, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)을 가지는 볼록 렌즈로서 구성되어 있어도 괜찮다. 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이다. 또, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)의 높이는 100~400μm이다. 이러한 렌즈부(50)는, 3D 마스크를 이용하여 레지스트(수지)를 패터닝하는 방법, 통상의 마스크를 이용하여 레지스트(수지)를 패터닝하고, 큐어(cure)하는 방법, 형을 이용한 방법 등에 의해서, 형성된다.
또, 도 12 및 도 13에 나타내어지는 바와 같이, 기판(21)과는 별체로 구성된 렌즈부(50)가, 개구(40a) 내에 예를 들면 접착제에 의해서 고정되어 있어도 괜찮다. 이 경우에도, 렌즈부(50)는, 제2 반사 방지층(41) 및 보호층(46)을 매개로 하여 기판(21)의 제2 표면(21b)에 간접적으로 마련되어 있어도 괜찮고, 혹은, 제2 반사 방지층(41) 및 보호층(46)을 매개로 하지 않고 기판(21)의 제2 표면(21b)에 직접적으로 마련되어 있어도 괜찮다.
도 12에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)가 프레넬 렌즈로서 구성되어 있는 경우, 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이며, 렌즈부(50)의 기판의 두께는 200μm이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 프레넬 렌즈의 원의 갯수는 5개 이상이며, 요철의 높이는 30μm 이하이며, 원과 원과의 간격은 80μm 이하이다.
도 13에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)가 볼록 렌즈로서 구성되어 있는 경우, 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 750μm 정도이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)의 높이는 50~400μm이다.
이상과 같이 구성된 광 검출 장치(1C)에서도, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 렌즈부(50)가 일체적으로 마련되어 있으므로, 상술한 광 검출 장치(1A)와 마찬가지로, 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능하게 된다.
또, 광 검출 장치(1C)에서는, 렌즈부(50)가, 기판(21)의 제2 표면(21b)에 직접적 또는 간접적으로 마련되어 있다. 이 구성에 의해, 렌즈부(50)가 기판(21)의 일부분에 형성되어 있는 경우에 비해, 패브리 페로 간섭 필터(10C)의 응력 밸런스를 향상시킬 수 있다. 또, 렌즈부(50)를 채용할 수 있는 형상(광 출사면(50a) 등의 렌즈면의 곡률 등)의 자유도를 크게 할 수 있다.
또, 광 검출 장치(1C)에서는, 렌즈부(50)가, 개구(40a) 내에 배치되어 있다. 이 구성에 의해, 렌즈부(50)가 기판(21)과는 별체이었다고 해도, 렌즈부(50)의 위치에 어긋남이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또, 패브리 페로 간섭 필터(10C)의 두께가 커지는 것을 억제하면서, 예를 들면, 렌즈부(50)가 개구(40a) 내에 배치되어 있는 부분만큼 렌즈부(50)의 두께를 크게 함으로써, 렌즈부(50)의 집광 기능을 향상시킬 수 있다. 게다가, 렌즈부(50)의 전체를 개구(40a) 내에 배치함으로써, 렌즈부(50)의 파손 및 오염을 방지할 수 있다.
또, 렌즈부(50)를 기판(21)의 제2 표면(21b)에 장착하는 경우에는, 개구(40a)에 넣도록 개구(40a)를 얼라이먼트의 기준으로 할 수 있으므로, 렌즈부(50)를 정밀도 좋게 또한 용이하게 실장할 수 있다.
또, 반도체 제조 프로세스에서, 패브리 페로 간섭 필터(10C)를 웨이퍼 레벨로 제조하는 경우에는, 렌즈부(50)도 웨이퍼 레벨로 실장함으로써, 소형이고 또한 위치 정밀도가 높은 렌즈부(50)를 가지는 패브리 페로 간섭 필터(10C)를 용이하게 제조할 수 있다.
또, 도 14 및 도 15에 나타내어지는 바와 같이, 기판(21)의 제2 표면(21b)에 제2 층구조체(40)가 구성되어 있지 않아도 괜찮다. 이 경우에도, 렌즈부(50)가 기판(21)의 일부분에 형성되어 있는 경우에 비해, 패브리 페로 간섭 필터(10C)의 응력 밸런스를 향상시킬 수 있다. 또, 렌즈부(50)를 채용할 수 있는 형상(광 출사면(50a) 등의 렌즈면의 곡률 등)의 자유도를 크게 할 수 있다.
도 14에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)가 볼록 렌즈로서 구성되어 있는 경우, 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 1000μm 정도이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 광 출사측으로 볼록한 광 출사면(50a)의 높이는 50~400μm이다. 또, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에, 렌즈부(50)를 둘러싸도록 차광층(45)이 형성되어 있어도 괜찮다.
도 15에 나타내어지는 바와 같이, 렌즈부(50)가 프레넬 렌즈로서 구성되어 있는 경우, 일 예로서, 렌즈부(50)의 직경은 1000μm 정도이고, 렌즈부(50)의 기판의 두께는 200μm이며, 렌즈부(50)가 실리콘으로 이루어지는 경우에는, 렌즈부(50)의 굴절률은 3.5이다. 또, 프레넬 렌즈의 원의 갯수는 10개 이상이고, 요철의 높이는 40μm 이하이며, 원과 원과의 간격은 50μm 이하이다. 또, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에, 렌즈부(50)를 둘러싸도록 차광층(45)이 형성되어 있어도 괜찮다.
[변형예]
이상, 본 명시된 제1 실시 형태, 제2 실시 형태 및 제3 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 개시는, 상술한 각 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 각 구성의 재료 및 형상으로는, 상술한 재료 및 형상에 한정하지 않고, 여러가지 재료 및 형상을 채용할 수 있다.
또, 렌즈부(50)는, 기판(21)의 제2 표면(21b)측에 일체적으로 마련되어 있으면 좋다. 즉, 렌즈부(50)는, 각 패브리 페로 간섭 필터(10A, 10B, 10C)의 제조의 시점에서, 각 패브리 페로 간섭 필터(10A, 10B, 10C)의 일부로서 제1 미러부(35) 및 제2 미러부(36)의 후단에 마련되어 있으면 좋다.
제2 층구조체(40)는, 제1 층구조체(30)와 대응하도록 구성되어 있으면, 기판(21)을 기준으로 하여 제1 층구조체(30)와 대칭인 적층 구조를 가지지 않아도 좋다. 제2 층구조체(40)가 마련되어 있지 않은 경우에 비해, 기판(21)의 휨 상태 등을 억제할 수 있는 층 구조를 제2 층구조체(40)가 가지고 있으면, 당해 제2 층구조체(40)는, 제1 층구조체(30)와 대응하도록 구성되어 있다고 말할 수 있다.
또, 밴드 패스 필터(14)는, 광 투과 부재(13)의 광 입사면(13a)에 마련되어 있어도 괜찮고, 광 투과 부재(13)의 광 입사면(13a) 및 광 출사면(13b) 양쪽 모두에 마련되어 있어도 괜찮다.
또, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에, 각 패브리 페로 간섭 필터(10A, 10B, 10C)의 광 투과 영역(10a)의 외부 가장자리가 창부(15)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있어도 괜찮다. 이 경우, 창부(15)로부터 입사한 광 중 광 투과 영역(10a)으로 들어가는 광의 비율이 증가하고, 창부(15)로부터 입사한 광의 이용 효율이 높아진다. 또, 광 투과 영역(10a)에 대한 창부(15)의 위치가 다소 어긋났다고 해도, 창부(15)로부터 입사한 광이 광 투과 영역(10a)으로 들어가기 때문에, 광 검출 장치(1A, 1B, 1C)의 조립시에서의 위치 정밀도의 요구가 완화된다. 또, 창부(15)의 외부 가장자리가 광 투과 영역(10a)의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있어도 되며, 그 경우에는, 창부(15)로부터 넣을 수 있는 광량을 많게 할 수 있고, 창부(15)에 대한 광 검출기(8)의 위치 정밀도의 요구를 완화하는 것이 가능하게 된다.
[참고예]
도 16에 나타내어지는 바와 같이, 패브리 페로 간섭 필터(100)는, 제1 기판(101)과, 제2 기판(102)과, 제1 미러부(103)와, 제2 미러부(104)와, 제1 전극(105)과, 제2 전극(106)과, 렌즈부(107)를 구비하고 있다. 패브리 페로 간섭 필터(100)에는, 예를 들면, 라인(L)을 중심선으로 하여 광 투과 영역(110a)이 설정되어 있다.
제1 기판(101)과 제2 기판(102)은, 라인(L)에 평행한 방향에서, 서로 겹쳐져 있다. 제1 기판(101)의 표면(101a)은, 제2 기판(102)의 표면(102a)에 접합되어 있다. 제1 미러부(103)는, 제1 기판(101) 중 광 투과 영역(110a)에 대응하는 부분에 마련되어 있다. 제2 미러부(104)는, 제2 기판(102) 중 광 투과 영역(110a)에 대응하는 부분에 마련되어 있다. 제1 미러부(103)와 제2 미러부(104)는, 라인(L)에 평행한 방향에서, 공극(S)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다. 제1 전극(105)은, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제1 미러부(103)를 둘러싸도록 제1 기판(101)에 마련되어 있다. 제2 전극(106)은, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제2 미러부(104)를 둘러싸도록 제2 기판(102)에 마련되어 있다. 제1 전극(105)과 제2 전극(106)은, 라인(L)에 평행한 방향에서, 공극(S)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다.
제2 기판(102)에서의 제1 기판(101)과는 반대측의 표면(102b)에는, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제2 미러부(104) 및 제2 전극(106)을 둘러싸도록 홈(102c)이 형성되어 있다. 제2 기판(102) 중 홈(102c)에 둘러싸여진 부분은, 홈(102c)이 형성된 부분을 다이어프램 모양의 유지부(102d)로 하여, 라인(L)에 평행한 방향으로 변위할 수 있다. 또, 제2 기판(102)의 표면(102a)에, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제2 미러부(104) 및 제2 전극(106)을 둘러싸도록 홈이 형성됨으로써, 다이어프램 모양의 유지부(102d)가 구성되어 있어도 괜찮다. 또, 제1 기판(101)에서의 제2 기판(102)과는 반대측의 표면(101b), 또는 제1 기판(101)의 표면(101a)에, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 제1 미러부(103) 및 제1 전극(105)를 둘러싸도록 홈이 형성됨으로써, 다이어프램 모양의 유지부가 구성되어 있어도 괜찮다. 그 경우, 제1 기판(101) 중 당해 홈에 의해 둘러싸여진 부분이, 당해 홈이 형성된 부분을 다이어프램 모양의 유지부로 하여, 라인(L)에 평행한 방향으로 변위할 수 있다. 또, 다이어프램 모양의 유지부를 대신하여, 라인(L)을 중심으로 하여 방사상으로 배치된 복수의 빔(beam)에 의해서 유지부가 구성되어 있어도 괜찮다.
패브리 페로 간섭 필터(100)에서는, 제1 전극(105)과 제2 전극(106)과의 사이에 전압이 인가되면, 당해 전압에 따른 정전기력이 제1 전극(105)과 제2 전극(106)과의 사이에 발생한다. 당해 정전기력에 의해서, 제2 기판(102) 중 홈(102c)에 의해 둘러싸여진 부분이 제1 기판(101)측으로 끌어당겨지고, 제1 미러부(103)와 제2 미러부(104)와의 거리가 조정된다. 그리고, 제1 미러부(103)와 제2 미러부(104)와의 거리에 따른 파장을 가지는 광이, 제1 기판(101)측으로부터 제2 기판(102)측으로 제1 미러부(103) 및 제2 미러부(104)를 투과한다.
렌즈부(107)는, 제2 기판(102)의 표면(102b)측에 일체적으로 마련되어 있다. 렌즈부(107)는, 제1 미러부(103) 및 제2 미러부(104)를 투과한 광을 집광한다. 렌즈부(107)는, 프레넬 렌즈로서 표면(102b)에 직접적 또는 간접적으로 마련되어 있다. 또, 렌즈부(107)는, 볼록 렌즈로서, 표면(102b)에 직접적 또는 간접적으로 마련되어 있어도 괜찮다. 또, 렌즈부(107)는, 프레넬 렌즈 또는 볼록 렌즈로서, 제2 기판(102) 중 표면(102b)측의 부분에 형성되어 있어도 괜찮다.
일 예로서, 제1 미러부(103) 및 제2 미러부(104)를 투과한 광은, 패브리 페로 간섭 필터(100)을 수용하는 패키지 내, 또는 당해 패키지 밖에 배치된 광 검출기(패브리 페로 간섭 필터(100)로부터 떨어진 상태에서 배치된 광 검출기)에, 렌즈부(107)에 의해서 집광된다. 이상과 같이 구성된 패브리 페로 간섭 필터(100)에 의하면, 제2 기판(102)의 표면(102b)측에 렌즈부(107)이 일체적으로 마련되어 있으므로, 후단의 광 검출기에서 고감도 또한 고정밀의 검출이 가능하게 된다.
이하, 패브리 페로 간섭 필터(100)의 구체적 구성에 대해 설명한다. 제1 기판(101) 및 제2 기판(102)은, 예를 들면, 소다 유리, 결정성 유리, 석영 유리, 납유리, 칼륨 유리, 붕규산염 유리, 혹은 무알칼리 유리 등의 각종 유리, 또는 수정등에 의해서, 각각, 직사각형 판 모양으로 형성되어 있다. 제1 기판(101)의 두께는, 예를 들면 500μm 정도이다. 제2 기판(102)의 두께는, 예를 들면 200μm 정도이다. 제1 기판(101)의 표면(101a)과 제2 기판(102)의 표면(102a)은, 예를 들면 플라즈마 중합막 등에 의해서 서로 접합되어 있다.
제1 기판(101)에는, 라인(L)에 평행한 방향에서, 공극(S)을 사이에 두고 제2 기판(102)의 표면(102a)과 대향하는 표면(101c) 및 표면(101d)이 형성되어 있다. 표면(101c)은, 라인(L)을 중심선으로 하여 원형 모양으로 형성되어 있다. 표면(101d)은, 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에 표면(101c)을 둘러싸도록, 라인(L)을 중심선으로 하여 링 모양으로 형성되어 있다. 제1 기판(101)의 표면(101c)과 제2 기판(102)의 표면(102a)과의 거리는, 제1 기판(101)의 표면(101d)과 제2 기판(102)의 표면(102a)과의 거리보다도 작다. 제2 기판(102)에서 다이어프램을 구성하기 위한 홈(102c)은, 라인(L)을 중심선으로 하여 링 모양으로 형성되어 있다. 제1 기판(101)의 표면(101c) 및 표면(101d)은, 표면(101a)측으로부터 제1 기판(101)에 에칭을 실시함으로써 형성된다. 제2 기판(102)의 홈(102c)은, 표면(102b)측으로부터 제2 기판(102)에 에칭을 실시함으로써 형성된다.
제1 미러부(103)는, 제1 기판(101)의 표면(101c)에 형성되어 있다. 제2 미러부(104)는, 제2 기판(102)의 표면(102a)에 형성되어 있다. 제1 미러부(103) 및 제2 미러부(104)는, 예를 들면, 금속막, 유전체 다층막, 또는 그들의 복합막이며, 각각, 라인(L)을 중심선으로 하여 원형막 모양으로 형성되어 있다.
제1 전극(105)은, 제1 기판(101)의 표면(101d)에 형성되어 있다. 제2 전극(106)은, 제2 기판(102)의 표면(102a)에 형성되어 있다. 제1 전극(105) 및 제2 전극(106)은, 예를 들면 금속 재료에 의해서 형성되어 있고, 각각, 라인(L)을 중심선으로 하여 링 모양으로 연장되어 있다. 제1 전극(105)은, 예를 들면, 제1 기판(101) 중 외부로부터 액세스할 수 있는 영역에 마련된 전극 패드(도시 생략)에 배선(도시 생략)을 매개로 하여 전기적으로 접속되어 있다. 당해 배선은, 예를 들면, 제1 기판(101)의 표면(101a)에 형성된 홈 내에 마련되어 있다. 제2 전극(106)은, 예를 들면, 제2 기판(102) 중 외부로부터 액세스할 수 있는 영역에 마련된 전극 패드(도시 생략)에 배선(도시 생략)을 매개로 하여 전기적으로 접속되어 있다. 당해 배선은, 예를 들면, 제2 기판(102)의 표면(102a)에 형성된 홈 내에 마련되어 있다.
렌즈부(107)는, 예를 들면, 실리콘, 수지, 유리 등에 의해서 형성되어 있다. 렌즈부(107)는, 제2 기판(102)의 표면(102a) 중 홈(102c)의 내측의 영역에, 예를 들면 광학 수지에 의해서 접합되어 있다. 라인(L)에 평행한 방향으로부터 본 경우에, 렌즈부(107)의 외부 가장자리는, 제1 미러부(103)의 외부 가장자리 및 제2 미러부(104)의 외부 가장자리를 포함하고 있다.
제1 기판(101)의 표면(101b)에는, 개구(108a)를 가지는 차광층(108)이 형성되어 있다. 차광층(108)은, 예를 들면 금속 재료에 의해서 형성되어 있다. 개구(108a)는, 라인(L)을 중심선으로 하여 원형 모양으로 형성되어 있고, 광 투과 영역(110a)에 입사하는 광을 좁히는 애퍼처(aperture)로서 기능한다. 제1 기판(101)의 표면(101b) 중 적어도 제1 미러부(103)와 대향하는 영역(즉, 적어도 개구(108a)의 내측의 영역), 및 제2 기판(102)의 표면(102b) 중 적어도 제2 미러부(104)와 대향하는 영역(즉, 적어도 렌즈부(107)와 대향하는 영역)에, 각각, 반사 방지층이 형성되어 있어도 괜찮다.
1A, 1B, 1C - 광 검출 장치 2 - 패키지
8 - 광 검출기 8a - 수광 영역
9 - 스페이서(지지부)
10A, 10B, 10C - 패브리 페로 간섭 필터
15 - 창부 21 - 기판
21a - 제1 표면 21b - 제2 표면
30 - 제1 층구조체 35 - 제1 미러부
36 - 제2 미러부 40 - 제2 층구조체
40a - 개구 50 - 렌즈부
S - 공극

Claims (10)

  1. 광을 입사시키는 창부(窓部)가 마련된 패키지와,
    상기 패키지 내면에 배치되고, 상기 창부로부터 입사한 상기 광을 투과시키는 밴드 패스 필터와,
    상기 패키지 내에 배치되고, 상기 밴드 패스 필터를 투과한 상기 광을 투과시키는 패브리 페로 간섭 필터를 구비하고,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 밴드 패스 필터의 외부 가장자리는, 상기 패브리 페로 간섭 필터의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있고,
    상기 패브리 페로 간섭 필터는,
    상기 창부측의 제1 표면 및 상기 창부와는 반대측의 제2 표면을 가지는 기판과,
    상기 제1 표면에 배치되고, 공극을 사이에 두고 서로 대향하고 또한 서로의 거리가 가변으로 된 제1 미러부 및 제2 미러부가 마련된 제1 층구조체와,
    상기 제2 표면측에 일체적으로 마련되고, 상기 제1 미러부 및 상기 제2 미러부를 투과한 상기 광을 집광하는 렌즈부를 가지고,
    상기 제1 층구조체는,
    상기 제1 표면에 배치되고, 상기 제1 미러부를 포함하는 제1 적층체와,
    상기 제1 적층체 상에 배치되고, 상기 공극을 형성하는 중간층과,
    상기 중간층 상에 배치되고, 상기 제2 미러부를 포함하는 제2 적층체를 가지고,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 렌즈부는 상기 공극의 내측에 위치하고 있는 필터 장치.
  2. 광을 입사시키는 창부(窓部)가 마련된 패키지와,
    상기 패키지 내면에 배치되고, 상기 창부로부터 입사한 상기 광을 투과시키는 밴드 패스 필터와,
    상기 패키지 내에 배치되고, 상기 밴드 패스 필터를 투과한 상기 광을 투과시키는 패브리 페로 간섭 필터를 구비하고,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 밴드 패스 필터의 외부 가장자리는, 상기 패브리 페로 간섭 필터의 외부 가장자리보다도 외측에 위치하고 있고,
    상기 패브리 페로 간섭 필터는,
    상기 창부측의 제1 표면 및 상기 창부와는 반대측의 제2 표면을 가지는 기판과,
    상기 제1 표면에 배치되고, 공극을 사이에 두고 서로 대향하고 또한 서로의 거리가 가변으로 된 제1 미러부 및 제2 미러부가 마련된 제1 층구조체와,
    상기 제2 표면측에 일체적으로 마련되고, 상기 제1 미러부 및 상기 제2 미러부를 투과한 상기 광을 집광하는 렌즈부와,
    상기 제1 층구조체에 마련된 제1 단자 및 제2 단자를 가지고,
    상기 제1 층구조체는,
    상기 제1 표면에 배치되고, 상기 제1 미러부를 포함하는 제1 적층체와,
    상기 제1 적층체 상에 배치되고, 상기 공극을 형성하는 중간층과,
    상기 중간층 상에 배치되고, 상기 제2 미러부를 포함하는 제2 적층체를 가지고,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자는 상기 렌즈부의 외측에 위치하고 있는 필터 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 렌즈부는, 상기 기판 중 상기 제2 표면측의 부분에 형성되어 있는 필터 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 렌즈부는, 상기 제2 표면에 직접적 또는 간접적으로 마련되어 있는 필터 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 패브리 페로 간섭 필터는,
    상기 제2 표면에 배치되고, 상기 제1 층구조체에 대응하도록 구성된 제2 층구조체를 더 가지며,
    상기 제2 층구조체에는, 상기 제1 미러부 및 상기 제2 미러부를 투과한 상기 광이 통과하는 개구가 형성되어 있고,
    상기 렌즈부는, 상기 개구 내에 배치되어 있는 필터 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 패브리 페로 간섭 필터는,
    상기 제2 표면에 배치되고, 상기 제1 층구조체에 대응하도록 구성된 제2 층구조체를 더 가지며,
    상기 제2 층구조체에는, 상기 제1 미러부 및 상기 제2 미러부를 투과한 상기 광이 통과하는 개구가 형성되어 있고,
    상기 렌즈부는, 상기 개구를 막도록 상기 제2 층구조체에 장착되어 있는 필터 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 렌즈부의 외부 가장자리는, 상기 창부의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있는 필터 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 패키지의 상기 내면과 상기 밴드 패스 필터와의 사이에 배치된 광 투과 부재를 더 구비하고,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 밴드 패스 필터의 외부 가장자리는, 상기 광 투과 부재의 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있는 필터 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 광의 입사 방향으로부터 본 경우에, 상기 창부의 외부 가장자리는, 상기 광 투과 부재의 상기 외부 가장자리, 상기 밴드 패스 필터의 상기 외부 가장자리, 및 상기 패브리 페로 간섭 필터의 상기 외부 가장자리보다도 내측에 위치하고 있는 필터 장치.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 패키지는 측벽 및 천벽을 포함하고,
    상기 천벽에는 상기 창부로서 기능하는 개구가 형성되어 있고,
    상기 광 투과 부재는 상기 천벽의 상기 개구 내 및 상기 측벽의 내면에 이르고 있고,
    상기 광 투과 부재의 광 입사면은 상기 천벽의 상기 개구에서 상기 천벽의 외면과 대략 면일로 되어 있는 필터 장치.
KR1020247013456A 2017-02-28 2018-02-26 필터 장치 KR20240058977A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-036449 2017-02-28
JP2017036449A JP6862216B2 (ja) 2017-02-28 2017-02-28 光検出装置
PCT/JP2018/006969 WO2018159533A1 (ja) 2017-02-28 2018-02-26 光検出装置
KR1020197027724A KR102661190B1 (ko) 2017-02-28 2018-02-26 광 검출 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197027724A Division KR102661190B1 (ko) 2017-02-28 2018-02-26 광 검출 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240058977A true KR20240058977A (ko) 2024-05-07

Family

ID=63370006

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197027724A KR102661190B1 (ko) 2017-02-28 2018-02-26 광 검출 장치
KR1020247013456A KR20240058977A (ko) 2017-02-28 2018-02-26 필터 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197027724A KR102661190B1 (ko) 2017-02-28 2018-02-26 광 검출 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11035726B2 (ko)
EP (2) EP3591358B1 (ko)
JP (1) JP6862216B2 (ko)
KR (2) KR102661190B1 (ko)
CN (2) CN110366673A (ko)
FI (1) FI3591358T3 (ko)
TW (1) TW201837439A (ko)
WO (1) WO2018159533A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7039160B2 (ja) * 2016-03-09 2022-03-22 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP7351610B2 (ja) * 2018-10-30 2023-09-27 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
DE102018221522A1 (de) * 2018-12-12 2020-06-18 Robert Bosch Gmbh Spektrometervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Spektrometervorrichtung
JP7181784B2 (ja) * 2018-12-18 2022-12-01 浜松ホトニクス株式会社 モニタ装置、光学フィルタシステム、モニタ方法、電流発生装置
DE102019213284A1 (de) * 2019-09-03 2021-03-04 Robert Bosch Gmbh Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016211860A (ja) 2015-04-28 2016-12-15 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI91564C (fi) * 1991-10-31 1994-07-11 Valtion Teknillinen Anturi
FI125817B (fi) * 2009-01-27 2016-02-29 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Parannettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri, välituote, elektrodijärjestely ja menetelmä sähköisesti säädettävän Fabry-Perot-interferometrin tuottamiseksi
US9357956B2 (en) * 2010-03-05 2016-06-07 Seiko Epson Corporation Spectroscopic sensor and electronic apparatus
JP2013024745A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Panasonic Corp 赤外線センサ
JP6211833B2 (ja) * 2013-07-02 2017-10-11 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタ
JP2015031649A (ja) * 2013-08-06 2015-02-16 セイコーエプソン株式会社 測色装置
JP2016031295A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 セイコーエプソン株式会社 光学モジュール、測定装置、及び電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016211860A (ja) 2015-04-28 2016-12-15 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115524006A (zh) 2022-12-27
CN110366673A (zh) 2019-10-22
FI3591358T3 (fi) 2023-11-01
KR102661190B1 (ko) 2024-04-26
EP4254040A3 (en) 2023-12-27
US20210116297A1 (en) 2021-04-22
WO2018159533A1 (ja) 2018-09-07
US11035726B2 (en) 2021-06-15
EP3591358B1 (en) 2023-08-23
KR20190123751A (ko) 2019-11-01
JP2018141713A (ja) 2018-09-13
EP3591358A1 (en) 2020-01-08
TW201837439A (zh) 2018-10-16
EP3591358A4 (en) 2020-12-23
JP6862216B2 (ja) 2021-04-21
EP4254040A2 (en) 2023-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102661190B1 (ko) 광 검출 장치
US20240019304A1 (en) Light detection device
JP7047161B2 (ja) 光検出装置
CN112955721A (zh) 分光单元及分光模块
KR20210082476A (ko) 광 검출 장치
JP7476133B2 (ja) 光検出装置
JP7114766B2 (ja) 光検出装置
JP2024025075A (ja) 光検出装置及びアパーチャ部

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent