JPH0448784A - 受光素子パッケージ - Google Patents
受光素子パッケージInfo
- Publication number
- JPH0448784A JPH0448784A JP2156899A JP15689990A JPH0448784A JP H0448784 A JPH0448784 A JP H0448784A JP 2156899 A JP2156899 A JP 2156899A JP 15689990 A JP15689990 A JP 15689990A JP H0448784 A JPH0448784 A JP H0448784A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- receiving element
- photodetector
- coating
- Prior art date
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- Pending
Links
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、受光素子パッケージに関する。より詳細には
、光通信用等に用いられる受光素子パッケージの構造に
関する。
、光通信用等に用いられる受光素子パッケージの構造に
関する。
従来の技術
フォトダイオードに代表される受光素子は、通常、光が
入射する窓を具備する気密なパッケージ内に搭載されて
使用される。一般にこのパッケージの窓は、ガラスで構
成され、使用される波長の光の透過量が最大となるよう
に無反射コーティングされている。
入射する窓を具備する気密なパッケージ内に搭載されて
使用される。一般にこのパッケージの窓は、ガラスで構
成され、使用される波長の光の透過量が最大となるよう
に無反射コーティングされている。
一方、フォトダイオードは、その構造上入射光の波長に
より感度が異なり、長波長（λ＝１．３μｍ）で１．Ｏ
Ａ／Ｗ、短波長（λ＝０．８５μｒｎ）で０．６Ａ／Ｗ
となる。従って、従来は、各使用波長に合わせた無反射
コーティングをパッケージのガラス窓に施してあった。
より感度が異なり、長波長（λ＝１．３μｍ）で１．Ｏ
Ａ／Ｗ、短波長（λ＝０．８５μｒｎ）で０．６Ａ／Ｗ
となる。従って、従来は、各使用波長に合わせた無反射
コーティングをパッケージのガラス窓に施してあった。
発明が解決しようとする課題
上記のように、従来は受光素子パッケージの入射窓が使
用する波長の光に合わせたコーティングを施されていた
。従って、使用波長が異なる場合には、受光素子自体は
同一のものであっても、受光素子パッケージは共用する
ことができなかった。
用する波長の光に合わせたコーティングを施されていた
。従って、使用波長が異なる場合には、受光素子自体は
同一のものであっても、受光素子パッケージは共用する
ことができなかった。
また、使用する光の波長により、感度、即ちフォトダイ
オードの電流出力が異なることから、駆動回路も波長に
合わせた特性のものにする必要があった。
オードの電流出力が異なることから、駆動回路も波長に
合わせた特性のものにする必要があった。
そこで、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
し、どの波長の光に対しても出力電流が等しくなる受光
素子パッケージを提供することにある。
し、どの波長の光に対しても出力電流が等しくなる受光
素子パッケージを提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明に従うと、気密に封止された内部に受光素子を搭
載し、前記受光素子に光が入射する窓を具備する受光素
子パッケージにおいて、前記窓が前記受光素子の受光感
度が高い波長の光を減光することを特徴とする受光素子
パッケージが提供される。
載し、前記受光素子に光が入射する窓を具備する受光素
子パッケージにおいて、前記窓が前記受光素子の受光感
度が高い波長の光を減光することを特徴とする受光素子
パッケージが提供される。
作用
本発明の受光素子パッケージは、光が入射する窓が、受
光素子の感度が高い波長の光を減光するところにその主
要な特徴がある。即ち、フォトダイオードに代表される
受光素子は、一般に受光感度に波長依存性がある。本発
明の受光素子パッケージでは、実質的に受光感度が波長
に関わらず一定となる。従って、全ての波長の光に対し
て使用可能であり、駆動回路も共通化できる。
光素子の感度が高い波長の光を減光するところにその主
要な特徴がある。即ち、フォトダイオードに代表される
受光素子は、一般に受光感度に波長依存性がある。本発
明の受光素子パッケージでは、実質的に受光感度が波長
に関わらず一定となる。従って、全ての波長の光に対し
て使用可能であり、駆動回路も共通化できる。
本発明の受光素子パッケージでは、窓がコーティングを
施したガラスを具備することが好ましい。
施したガラスを具備することが好ましい。
コーティングとしては、Ｃｒ薄膜や誘電体の単層膜また
は多層膜が好ましい。このコーティングは、ガラスの両
面に形成することもできる。両面にコーティングを形成
する場合は、表面および裏面に等しいコーティングを形
成してもよい。また、片面は受光素子の感度が高い波長
の光を減光するコーティングを形成し、他面には、受光
素子の感度が低い波長の光が無反射となるコーティング
を形成することもできる。
は多層膜が好ましい。このコーティングは、ガラスの両
面に形成することもできる。両面にコーティングを形成
する場合は、表面および裏面に等しいコーティングを形
成してもよい。また、片面は受光素子の感度が高い波長
の光を減光するコーティングを形成し、他面には、受光
素子の感度が低い波長の光が無反射となるコーティング
を形成することもできる。
以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をなんら制限するものではない。
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をなんら制限するものではない。
実施例
第１図に本発明の受光素子パッケージの断面概略図を示
す。第１図の受光素子パッケージは、受光素子６を搭載
したアノード７および受光素子６とワイヤ１１で接続さ
れたカソード８を備えるヘッダ９と、ヘッダ９に気密に
固定されたキャップ３とを具備する。キャブ１３０頭頂
部には、入射窓４が気密に設けられており、入射窓４の
下側には、表面にコーティング２が施されたガラス１が
樹脂５により固定されている。ヘッダ９の下面には、ア
ノード７およびカソード８と気密を保って接続されたア
ノードピン７１およびカソードピン８１とケースピンｌ
Ｏとが設けられている。ガラス１に施されたコーティン
グにより、波長１．３〜１．６μｍの光は減光される。
す。第１図の受光素子パッケージは、受光素子６を搭載
したアノード７および受光素子６とワイヤ１１で接続さ
れたカソード８を備えるヘッダ９と、ヘッダ９に気密に
固定されたキャップ３とを具備する。キャブ１３０頭頂
部には、入射窓４が気密に設けられており、入射窓４の
下側には、表面にコーティング２が施されたガラス１が
樹脂５により固定されている。ヘッダ９の下面には、ア
ノード７およびカソード８と気密を保って接続されたア
ノードピン７１およびカソードピン８１とケースピンｌ
Ｏとが設けられている。ガラス１に施されたコーティン
グにより、波長１．３〜１．６μｍの光は減光される。
従って、上記本発明の受光素子パッケージは、約０．５
〜１．７μｍの波長の光に対してほぼ等しい感度を有す
る。
〜１．７μｍの波長の光に対してほぼ等しい感度を有す
る。
第２図（ａ）および（社）に本発明の受光素子パッケー
ジに使用されるコーティングを施したガラスの断面図を
示す。第２図（ａ）のガラスは、ガラス１０表面のみに
コーティング２が施されている。コーティング２は、Ｃ
ｒ薄膜、誘電体の単層膜または多層膜である。このコー
ティング２により、波長１．３〜１．６μｍの光が減光
される。
ジに使用されるコーティングを施したガラスの断面図を
示す。第２図（ａ）のガラスは、ガラス１０表面のみに
コーティング２が施されている。コーティング２は、Ｃ
ｒ薄膜、誘電体の単層膜または多層膜である。このコー
ティング２により、波長１．３〜１．６μｍの光が減光
される。
第２図（社）のガラスは、ガラスｌの表面に波長０．８
５μｍの光の無反射（ＡＲ＞コーティング２１が施され
、裏面に上記のコーティング２が施されている。
５μｍの光の無反射（ＡＲ＞コーティング２１が施され
、裏面に上記のコーティング２が施されている。
無反射コーティング２１には、ｍｇＦ’、 （フッ化
マグネシウム）を用いている。
マグネシウム）を用いている。
第３図に本発明の受光素子パッケージに使用されるコー
ティングガラスの透過率曲線を示す。本発明の受光素子
パッケージの窓は、光通信に用いられる波長１．３〜１
．６μｍの範囲で透過率が６０％、波長０．８５μｍで
は透過率９８％になるように構成されている。波長１．
３〜１．６μｍの時の感度も０．６Ａ／Ｗと、波長０．
８５μｍの時と同一の値となっている。
ティングガラスの透過率曲線を示す。本発明の受光素子
パッケージの窓は、光通信に用いられる波長１．３〜１
．６μｍの範囲で透過率が６０％、波長０．８５μｍで
は透過率９８％になるように構成されている。波長１．
３〜１．６μｍの時の感度も０．６Ａ／Ｗと、波長０．
８５μｍの時と同一の値となっている。
発明の効果
以上詳述のように、本発明の受光素子パッケージでは、
出力電流が波長に関わらず、はぼ一定となる。従って、
どの波長に対しても同じものが使用でき、駆動ＩＣ等の
周辺回路も使用波長に関係なく共通化できる。
出力電流が波長に関わらず、はぼ一定となる。従って、
どの波長に対しても同じものが使用でき、駆動ＩＣ等の
周辺回路も使用波長に関係なく共通化できる。
第１図は、本発明の受光素子パッケージの断面概略図で
あり、 第２図は、本発明の受光素子パッケージに用いるガラス
の断面図であり、 第３図は、本発明の受光素子パッケージの入射窓の透過
率曲線を示すグラフである。 〔主な参照番号〕 １・・・ガラス、 ２．２１・・・コーテイング膜、 ３・・・キャップ、 ４・・・入射窓、 ５・・・樹脂、 ６・・・受光素子、 ７・・ ・アノード、 ８・・・カソード、 ９・・・ヘッダ、 １１・・・ワイヤ ７１・・・アノードピン、 ８１・・・カソードピン、 １０・・・ケースピン、
あり、 第２図は、本発明の受光素子パッケージに用いるガラス
の断面図であり、 第３図は、本発明の受光素子パッケージの入射窓の透過
率曲線を示すグラフである。 〔主な参照番号〕 １・・・ガラス、 ２．２１・・・コーテイング膜、 ３・・・キャップ、 ４・・・入射窓、 ５・・・樹脂、 ６・・・受光素子、 ７・・ ・アノード、 ８・・・カソード、 ９・・・ヘッダ、 １１・・・ワイヤ ７１・・・アノードピン、 ８１・・・カソードピン、 １０・・・ケースピン、
Claims (4)
- （１）気密に封止された内部に受光素子を搭載し、前記
受光素子に光が入射する窓を具備する受光素子パッケー
ジにおいて、前記窓が前記受光素子の受光感度が高い波
長の光を減光することを特徴とする受光素子パッケージ
。 - （２）前記窓が、コーティングされたガラスを具備する
ことを特徴とする請求項（１）に記載の受光素子パッケ
ージ。 - （３）前記コーティングが、クロム膜であることを特徴
とする請求項（２）に記載の受光素子パッケージ。 - （４）前記コーティングが、誘電体膜であることを特徴
とする請求項（２）に記載の受光素子パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156899A JPH0448784A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 受光素子パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156899A JPH0448784A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 受光素子パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448784A true JPH0448784A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15637831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156899A Pending JPH0448784A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 受光素子パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448784A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825653A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Optoelectronic device package |
| KR101486206B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2015-01-27 | (재)한국나노기술원 | 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2156899A patent/JPH0448784A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825653A2 (en) * | 1996-07-31 | 1998-02-25 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Optoelectronic device package |
| EP0825653A3 (de) * | 1996-07-31 | 1998-04-08 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Verpackung eines optoelektronischen Bauelements |
| KR100265456B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2000-10-02 | 오카야마 노리오 | 광반도체소자 |
| KR101486206B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2015-01-27 | (재)한국나노기술원 | 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지 |
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