KR900005916B1 - 적외선 검출기 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

적외선 검출기
제1도는 종래의 적외선 검출기의 개략 단면도.
제2도는 제1도의 부분확대 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 실시예의 개략 단면도.
제4도는 제3도의 저온차폐의 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 검출기 배열에 제공된 저온차폐의 평면도.
제6도는 제5도의 선 A-A'에 따라 취해진 단면도.
본 발명은 적외선 검출기에 관한 것이며, 더욱 상세히는 적외선 검출기 배열의 저온차폐 구조에 관한 것이다.
적외 상(image)을 영상계의 적외선 검출기로 검출한다. 적외선 검출기는 적외선 검출기 배열 및 적외선 차폐장치로 구성되어 있으며, 이는 적외선을 흡수하여 충분히 냉각되어 차폐장치는 적외선 방출원이 되지 않는다. 적외선 차폐장치는 냉각되기 때문에, 저온차폐라고 한다.
저온차폐는 불필요하고 바람직하지 못한 적외선을 추방하고, 검출될 필수 및 바람직한 적외선은 저온차폐를 통과하여 검출될 적외상은 정확히 검출기 배열에 의해 검출된다. 그러나, 종래에는 배열되어 있는 검출기 요소위에 전극에 의해 반사된 적외선은 광학부에 의해 반사되고 그후 때로는 검출부에 충돌한다.
따라서 적외선에 대한 검출 정확성은 낮아진다. 이와 같은 현상을 광학적 혼신(混信,crosstalk) 이라고 한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 적외상을 정확히 검출할 수 있는 영상계 적외선 검출기를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 저온차폐에서 흡수된 적외선은 그로부터 방출되지 않는 저온차폐를 갖고 있는 적외선 검출기를 제공하는 것이다. 더욱이, 본 발명의 목적은 저온차폐중의 개구를 갖고 있는 적외선 검출기를 제공하는 것이며, 이 개구를 통해서 필수 및 바람직한 적외선을 통과한다.
본 발명에 따라 적외선 투과물질로 되어 있는 기판, 기판의 한쪽 표면위에 형성되는 적외선 흡수층, 적외선 흡수층위에 형성되는 유전층(誘電層) 및 유전층위에 형성되는 적외선 반사층으로 구성되는 광차폐부와, 적외선 투과물질로 구성된 기판 및 적외선 흡수층을 형성하는 같은 쪽 표면위에 형성된 상기 유전층으로 구성되는 상기 저온차폐의 개구부로 구성되는 저온차폐; 상기 저온차폐의 개구부 바로 아래 배열된 검출부를 갖고 있는 적외선 검출기 요소로 구성되는 적외선 검출기를 제공하고 있다.
바람직한 구체예를 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 설명하기 전에 관련기술을 상세하게 설명하겠다. 제1도는 종래의 적외선 검출기의 개략 단면도이며, 제1도에 나타난 바와 같이 적외상을 검출하는 적외선 검출기 배열(2)은 예를 들면 액체질소에 의해 냉각되는 저온단계(1)에 제공된다.
더욱이, 저온차폐(3)도 불필요하고 바람직하지 못한 적외선을 차폐하도록 저온단계(1)에 제공되며, 필수 및 바람직한 적외선을 통과시켜 적외선을 검출기 배열(2)에 이르게 한다.
저온차폐(3)는 예를 들면 흑색표면을 갖고 있는 알루미늄으로 이루어져 있다. 저온차폐(3)는 적외선을 흡수하고 적외선 방출원이 되지 않도록 저온단계(1)에서 냉각장치(나타나지 않음)에 의해 충분히 냉각된다.
따라서, 저온차폐(3)는 불필요하고 바람직하지 못한 적외선을 추방한다. 다른 한편으로, 저온차폐의 개구를 통과한 적외선만을 검출기 배열에 이르게 하여 적외선의 검출을 정확하게 얻는다.
제2도에 나타난 바와 같이, 적외선(8)은 직접 검출부(4)에 충돌하며, 간섭판(7)을 통해 검출기 배열(2)에 충돌하게 한 적외선은 검출부(4)에 의해 검출된다. 그러나, 전극(6)에 충돌하는 적외선(9)의 전극(6)에 의해 반사되어 반사된 간섭판(7)등으로 반사하며, 예를 들면 검출부(5)에 충돌하므로써 적외선 검출에 대한 정확성은 낮아진다.
제3도는 본 발명에 따른 실시예의 개략 단면도를 나타내고 있다.
제3도에 나타난 바와 같이 저온차폐(20)와 적외선 검출기 배열(21)로 구성되는 적외선 검출기를 저온단계(1)에 제공되고, 스페이서(25)는 저온차폐와 적외선 검출기 배열(21)사이에 배열된다.
적외선을 적외선 검출기에 충돌시키도록 통과시킨 간섭판(7)은 드와트(dewar)(26)에 고정되어 적외선 검출기를 향하고 있다.
제3도에 나타난 저온차폐부를 제4도를 참조하여 설명하겠다.
저온차폐의 광차폐부(16)는 5개의 층으로 구성되어 있다; 즉, 유전층(14), 기판(10), 기판(10)의 한쪽표면에 형성된 적외선 흡수층(11), 적외선 흡수층(11)위에 형성된 유전층(12) 및 유전층(12)위에 형성된 적외선 방사층(13).
기판(10)은 예를 들면 ZnS, ZnSe 및 Ge등과 같은 적외선 투과물질로 되어 있으며, 적외선 흡수층(11)은 예를 들면 CR 또는 Ni등과 같은 물질로 되어 있다.
유전층은 예를 들어 CeF3또는 PbF2등과 같은 물질로 되어 있다. 적외선 방사층(13)은 Al 또는 Au등과 같은 금속으로 되어 있다.
저온차폐의 광차폐부(16)는 그들이 광차폐부(16)에 충돌하면 그들을 흡수 및 방해하므로써 적외선을 효율적으로 제거한다.
본 발명은 유전층(14)이 없어도 효과적이다. 저온차폐의 개구부(15)는 3개의 층, 즉 유전층(14), 기판(10), 및 유전층(12)으로 구성되어 있다. 위로부터 그 위에 충돌하는 적외선은 저온차폐의 개구부(15)를 효율적으로 통과하여 적외선은 검출부(나타나지 않음)에 이르게 된다.
본 발명의 실시예의 효과를 설명하겠다.
양호한 광학적 투과성을 얻기 위해 알맞은 굴절율을 갖는 저온차폐의 개구부(15)는 적외선 투과물질 및 유전층(12)으로 구성된 기판(10)으로 형성되기 때문에, 개구부(15)에 충돌하는 적외선을 효율적으로 검출부에 이르게 할 수 있다.
개구부에서 충돌하는 적외선의 파장을 λ라고 가정하고 기판(10) 및 유전층(12)과 (14)의 굴절율을 각각 n1 및 n3이라고 가정한다.
더욱이, 유전층의 두께를 d1이라고 가정한다. 공지된 바와 같이, 식 n3=n1 및 n3×d1=λ/4을 만족하면, 최적 투과율을 실현한다. 그러므로, 개구부에 충돌하는 대부분의 적외선은 그와 같은 조건을 갖고 있는 구조의 개구부를 통과하여 검출부에 도달한다.
그후, 광차폐부(16)에 충돌하는 적외선(17)의 일부는 그의 굴절율 n1 및 n2간의 차이로 인해 기판(10)과 적외선 흡수층(11)의 계면에서 반사된다. 계면에서 반사된 적외선의 일부를 참조번호(18)로 나타내고 있다.
계면에서 반사되지 않은 잔여 적외선 일부는 적외선 흡수층(11)에서 흡수되며 나머지는 유전층(12)을 통과하여 적외선 반사층(13)에 도달한다.
적외선 반사층(13)의 표면에서 반사된 이와 같은 적외선은 유전층(12) 및 적외선 흡수층(11)에 의해 흡수된 적외선의 일부를 통과하고 나머지 적외선은 적외선 흡수층(11)으로부터 방출된다.
방출된 적외선을 참조번호(19)로 나타내고 있다.
적외선(18) 및 (19)의 강도를 같게 하고 동시에 그들간의 상을 바꾸어 놓으므로써, 적외선(18) 및 (19)을 상호 상쇄시켜서 광차폐부(16)로부터 적외선의 방출을 방지한다.
적외선(18) 및 (19)의 강도조절은 적외선 흡수층(11)의 물질 및 두께를 선택하여 이루어질 수 있다. 더욱이, 적외선(18)과 (19)간에 상 차이의 조절은 유전층(12)의 두께를 조절하여 이루어질 수 있다.
특히, 기판(10), 흡수층(11), 유전층(12), 및 반사층(13)의 굴절률 n1,n2,n3 및 n4사이에 n1<n2, n3<n4 또는 n1>n2, N3>n4의 관계를 만족한다며, 적외선 흡수층(11)에 충돌하는 적외선의 반상(反相)과 적외선 반사층(13)에 충돌하는 적외선의 반상은 진자의 조건에서 발생하고 그들은 후자의 조건에서는 발생하지 않는다. 따라서, 적외선(18) 및 (19)간에 반상을 일으키는 유전층(12)의 두께는 상기 저온차폐의 개구부(15)에서 결정된 최적 투과율을 갖는 층두께 d1(n3×d1=λ/4)와 일치한다.
개구부 및 광흡수부(16)의 유전층의 두께가 같은 두께로 이루어질 수 있기 때문에, 저온차폐를 유리하게 제조할 수 있다.
파장이 10㎛인 적외선을 검출하면, 식 n3×d1=λ/4로부터 계산된 약 1.7㎛의 유전층은 최적 적외선 상쇄 조건으로서 사용된다.
이 경우에, 예를 들면 두께가 200내지 500㎛인 ZnS기판(10), 두께 0.05㎛인 Cr 흡수층, 및 두께가 약 1㎛인 Al 흡수층(13)을 사용한다.
제5도는 본 발명에 따라 검출기 배열에 제공된 저온차폐의 평면도를 나타내고, 제6도는 제5도의 선 A-A'에 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
제5도에서 나타난 바와 같이 저온차폐(20)의 광차폐부(16)는 검출부(22)를 제외한 모든 부를 차폐한다. 저온차폐(20)의 개구부(15)를 바로 위에 제공한다. 따라서, 개구부(15)에 충돌하는 적외선은 개구부(15)의 바로 아래에 있는 검출부(22)에만 이르게 된다.
다른 한편으로, 광차폐부(16)에 충돌하는 적외선이 광차폐부(16)의 흡수효과 및 간섭작용으로 제거되기 때문에, 종래의 기술에서 설명한 바와 같이 바람직하지 못한 적외선이 전극(23)등에서의 반사 때문에 다른 검출부에 도달하므로써 불리한 점은 발생하지 않는다.

Claims (8)

  1. 적외선 투과물질로 되어 있는 기판, 기판의 한쪽 표면위에 형성되는 적외선 흡수층, 적외선 흡수층위에 구성되는 유전층 및 유전층위에 형성되는 적외선 반사층으로 구성되는 광차폐부와, 적외선 투과물질로 되어 있는 상기 기판 및 적외선 흡수층과 같은 쪽의 표면위에 형성된 상기 유전층으로 구성되는 개구부로 구성되는 저온차폐; 및 상기 저온차폐의 개구부 바로 아래 배열된 검출부를 갖고 있는 적외선 검출기 배열로 구성되는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  2. 제1항에 있어서, 적외선 흡수층, 유전층 및 적외선 반사층이 형성된 것에 유전층이 상기 기판의 반대쪽 표면위에 다시 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  3. 제1항에 있어서, 다음의 식 n3=
    Figure kpo00001
    및 n3×d1=λ/4, 식중 λ는 상기 개구부(b)에 충돌하는 바람직한 적외선의 파장, n1은 상기 기판의 굴절율, n3는 상기 유전층의 굴절율 및 d1은 상기 유전층의 두께를 만족하는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  4. 제1항에 있어서, 적외선의 유전층 굴절율이 기판의 굴절율보다 작고, 동시에 1보다 큰 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  5. 제1항에 있어서, 적외선 흡수층이 Cr 또는 Ni로 되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  6. 제1항에 있어서, 유전층이 CeF3또는 PbF2로 되어 있는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  7. 제1항에 있어서, 적외선 흡수층 표면에서 반사된 적외선 및 적외선 반사층에서 반사된 적외선은 상호 광학적 간섭효과로 인해 제거되는 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 광차폐부의 유전층이 상기 개구부의 유전층과 같은 것을 특징으로 하는 적외선 검출기.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01164073A (ja) * 1987-09-11 1989-06-28 Canon Inc 光電変換装置
US4814620A (en) * 1987-12-01 1989-03-21 Honeywell Inc. Tilted array with parallel cold shield
US4812653A (en) * 1987-12-01 1989-03-14 Honeywell Inc. Sharp edge for thick coatings
US4812655A (en) * 1987-12-09 1989-03-14 Honeywell Inc. Prism cold shield
FR2651315B1 (fr) * 1989-08-22 1991-11-15 Detecteurs Infra Rouges Ste Fs Dispositif de detection infra-rouge.
US5089705A (en) * 1990-02-16 1992-02-18 Fujitsu Limited Infrared detector having dewar with film coatings to suppress reflections
US5277782A (en) * 1991-12-13 1994-01-11 Optical Radiation Corporation Baffled cold shields for infrared detector
JP2783238B2 (ja) * 1996-02-09 1998-08-06 日本電気株式会社 Ｉｒ信号通信装置
US6374255B1 (en) * 1996-05-21 2002-04-16 Immersion Corporation Haptic authoring
US6256011B1 (en) * 1997-12-03 2001-07-03 Immersion Corporation Multi-function control device with force feedback
DE19842403B4 (de) * 1998-09-16 2004-05-06 Braun Gmbh Strahlungssensor mit mehreren Sensorelementen
US6693626B1 (en) * 1999-12-07 2004-02-17 Immersion Corporation Haptic feedback using a keyboard device
US6904823B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Immersion Corporation Haptic shifting devices
GB2410995B (en) 2002-10-15 2007-05-09 Immersion Corp Products and processes for providing force sensations in a user interface
GB2418475B (en) * 2003-06-09 2007-10-24 Immersion Corp Interactive gaming systems with haptic feedback
JP5368847B2 (ja) * 2009-03-26 2013-12-18 パナソニック株式会社 赤外線放射素子
US8692172B2 (en) * 2009-04-21 2014-04-08 Raytheon Company Cold shield apparatus and methods
US9104791B2 (en) * 2009-05-28 2015-08-11 Immersion Corporation Systems and methods for editing a model of a physical system for a simulation
US9466335B2 (en) 2011-04-28 2016-10-11 Entrotech, Inc. Hermetic hard disk drives comprising integrally molded filters and related methods
US9190115B2 (en) * 2011-04-28 2015-11-17 Entrotech, Inc. Method of assembling a disk drive
JP6003605B2 (ja) * 2012-12-12 2016-10-05 Tdk株式会社 赤外線検知装置
US9866924B2 (en) 2013-03-14 2018-01-09 Immersion Corporation Systems and methods for enhanced television interaction
US10079043B2 (en) 2014-04-22 2018-09-18 Entrotech, Inc. Method of sealing a re-workable hard disk drive
US10002645B2 (en) 2014-06-09 2018-06-19 Entrotech, Inc. Laminate-wrapped hard disk drives and related methods
US9601161B2 (en) 2015-04-15 2017-03-21 entroteech, inc. Metallically sealed, wrapped hard disk drives and related methods
MX2023000855A (es) * 2020-07-29 2023-04-04 Dow Global Technologies Llc Antraquinona soluble en hidrocarburos aromáticos.

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963926A (en) * 1975-01-09 1976-06-15 Texas Instruments Incorporated Detector cold shield
US4179181A (en) * 1978-04-03 1979-12-18 American Optical Corporation Infrared reflecting articles
FR2487512A1 (fr) * 1980-07-22 1982-01-29 Thomson Csf Dispositif detecteur de rayonnement infrarouge
US4431918A (en) * 1981-03-27 1984-02-14 Honeywell Inc. Etchable glass cold shield for background limited detectors
US4446372A (en) * 1981-07-01 1984-05-01 Honeywell Inc. Detector cold shield
JPS60195502A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Canon Inc 金属回転多面鏡
JPS60198774A (ja) * 1984-03-22 1985-10-08 Fujitsu Ltd 赤外線検知素子
FR2577073B1 (fr) * 1985-02-06 1987-09-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif matriciel de detection d'un rayonnement lumineux a ecrans froids individuels integres dans un substrat et son procede de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0453369B2 (ko) 1992-08-26
US4795907A (en) 1989-01-03
JPS62201325A (ja) 1987-09-05
EP0232184A3 (en) 1989-06-07
DE3783144T2 (de) 1993-04-22
KR870008175A (ko) 1987-09-24
DE3783144D1 (de) 1993-02-04
EP0232184B1 (en) 1992-12-23
EP0232184A2 (en) 1987-08-12

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