JPH10199707A - チップ型サーミスタの製造方法 - Google Patents
チップ型サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH10199707A JPH10199707A JP3545697A JP3545697A JPH10199707A JP H10199707 A JPH10199707 A JP H10199707A JP 3545697 A JP3545697 A JP 3545697A JP 3545697 A JP3545697 A JP 3545697A JP H10199707 A JPH10199707 A JP H10199707A
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- Japan
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- thermistor
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- prism
- prismatic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程が簡略で、さらには、サーミスタの
小型化に対応できるチップ型サーミスタの製造方法を提
供する。 【解決手段】 上下面に銀電極が焼き付けられたサーミ
スタ焼結体からなる素板を角柱状素体に切断し、これに
樹脂レジスト層を形成後、電気メッキによりニッケルメ
ッキ層および半田メッキ層を形成させる。得られた角柱
状サーミスタ素体を所望のチップ型に切断してチップ型
サーミスタを製造する。
小型化に対応できるチップ型サーミスタの製造方法を提
供する。 【解決手段】 上下面に銀電極が焼き付けられたサーミ
スタ焼結体からなる素板を角柱状素体に切断し、これに
樹脂レジスト層を形成後、電気メッキによりニッケルメ
ッキ層および半田メッキ層を形成させる。得られた角柱
状サーミスタ素体を所望のチップ型に切断してチップ型
サーミスタを製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型サーミス
タの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、サ
ーミスタ焼結体に銀電極、ニッケルメッキ層および半田
メッキ層を形成させたチップ型サーミスタの製造方法に
関するものである。
タの製造方法に関するものである。さらに詳しくは、サ
ーミスタ焼結体に銀電極、ニッケルメッキ層および半田
メッキ層を形成させたチップ型サーミスタの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップ型サーミスタの製造方法と
しては、例えば、特開平５−１７５０１７号公報に開示
されているように、サーミスタ素体の表面全体にガラス
コーティングを施した後、電極形成部のガラス層を除去
し、露出したサーミスタ素体に物理的気相成長法により
電極を形成する製造方法が提案されている。
しては、例えば、特開平５−１７５０１７号公報に開示
されているように、サーミスタ素体の表面全体にガラス
コーティングを施した後、電極形成部のガラス層を除去
し、露出したサーミスタ素体に物理的気相成長法により
電極を形成する製造方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法では、工程が複雑であるため大量生産には不向きであ
り、さらには、回り込みの電極部分の厚みとガラス層の
厚みが一定でなく段差があるため、集積回路にチップ型
サーミスタを設置するときに正確な位置決めがでず、チ
ップ型サーミスタの小型化に対応できないという問題点
があった。
法では、工程が複雑であるため大量生産には不向きであ
り、さらには、回り込みの電極部分の厚みとガラス層の
厚みが一定でなく段差があるため、集積回路にチップ型
サーミスタを設置するときに正確な位置決めがでず、チ
ップ型サーミスタの小型化に対応できないという問題点
があった。
【０００４】したがって、本発明の目的は、製造工程が
簡略で、さらには、サーミスタの小型化に対応できるチ
ップ型サーミスタの製造方法を提供することにある。
簡略で、さらには、サーミスタの小型化に対応できるチ
ップ型サーミスタの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した本発明の目的
は、上下面に銀電極が焼き付けられたサーミスタ焼結体
からなる素板を角柱状素体に切断する工程と、前記角柱
状サーミスタ素体の銀電極が形成されていない両面に樹
脂レジスト層を形成する工程と、前記樹脂レジスト層を
形成した角柱状サーミスタ素体に電気メッキによりニッ
ケルメッキ層および半田メッキ層を形成させる工程と、
前記ニッケルメッキ層および半田メッキ層を形成させた
角柱状サーミスタ素体を所望のチップ型サーミスタが得
られるように切断する工程とを具備することを特徴とす
るチップ型サーミスタの製造方法によって達成される。
は、上下面に銀電極が焼き付けられたサーミスタ焼結体
からなる素板を角柱状素体に切断する工程と、前記角柱
状サーミスタ素体の銀電極が形成されていない両面に樹
脂レジスト層を形成する工程と、前記樹脂レジスト層を
形成した角柱状サーミスタ素体に電気メッキによりニッ
ケルメッキ層および半田メッキ層を形成させる工程と、
前記ニッケルメッキ層および半田メッキ層を形成させた
角柱状サーミスタ素体を所望のチップ型サーミスタが得
られるように切断する工程とを具備することを特徴とす
るチップ型サーミスタの製造方法によって達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明では、銀電極をサーミスタ
素体の両端面にのみ焼き付けた。その理由は、銀電極を
回り込み電極とすると、回り込みの部分が厚くなり、回
り込み電極と樹脂レジスト層との境目に段差を生じ、寸
法と外観不良の原因となるからである。
素体の両端面にのみ焼き付けた。その理由は、銀電極を
回り込み電極とすると、回り込みの部分が厚くなり、回
り込み電極と樹脂レジスト層との境目に段差を生じ、寸
法と外観不良の原因となるからである。
【０００７】また、本発明では、製造の最終工程で回り
込み電極を形成させた角柱状サーミスタ素体を所望のチ
ップ型サーミスタが得られるように切断した。その理由
は、初期にチップ型に切断するよりも工程が短縮され大
量生産に適するからである。
込み電極を形成させた角柱状サーミスタ素体を所望のチ
ップ型サーミスタが得られるように切断した。その理由
は、初期にチップ型に切断するよりも工程が短縮され大
量生産に適するからである。
【０００８】以下、具体的な実施例により、さらに詳し
く本発明を説明する。
く本発明を説明する。
【０００９】
【実施例】図１〜図４は、本発明に係るチップ型サーミ
スタの製造方法を説明するために示した模式図である。
図１は、上下面に銀電極１が焼き付けられたチタン酸バ
リウム系サーミスタ焼結体２からなる素板を角柱状に切
断することによって得られる角柱状サーミスタ素体の斜
視図である。
スタの製造方法を説明するために示した模式図である。
図１は、上下面に銀電極１が焼き付けられたチタン酸バ
リウム系サーミスタ焼結体２からなる素板を角柱状に切
断することによって得られる角柱状サーミスタ素体の斜
視図である。
【００１０】次に、図２は、前記角柱状サーミスタ素体
の銀電極１が形成されていない両面に樹脂レジスト層３
を形成した角柱状サーミスタ素体の斜視図である。
の銀電極１が形成されていない両面に樹脂レジスト層３
を形成した角柱状サーミスタ素体の斜視図である。
【００１１】図３は、図２の樹脂レジスト層３を形成し
た角柱状サーミスタ素体に電気メッキによりニッケルメ
ッキ層４（図示せず）を形成した上から半田メッキ層５
を形成させた角柱状サーミスタ素体の斜視図である。
た角柱状サーミスタ素体に電気メッキによりニッケルメ
ッキ層４（図示せず）を形成した上から半田メッキ層５
を形成させた角柱状サーミスタ素体の斜視図である。
【００１２】図４は、図３のニッケルメッキ層４および
半田メッキ層５を形成させた角柱状サーミスタ素体から
所望のチップ型サーミスタが得られるように図１のチタ
ン酸バリウム系サーミスタ素板を角柱状に切断した方向
とは直角の方向に切断して得られるチップ型サーミスタ
の斜視図（ａ）とチップ型サーミスタの断面を示した断
面図の拡大図（ｂ）である。
半田メッキ層５を形成させた角柱状サーミスタ素体から
所望のチップ型サーミスタが得られるように図１のチタ
ン酸バリウム系サーミスタ素板を角柱状に切断した方向
とは直角の方向に切断して得られるチップ型サーミスタ
の斜視図（ａ）とチップ型サーミスタの断面を示した断
面図の拡大図（ｂ）である。
【００１３】以上のようにして得られたチップ型サーミ
スタは、製造工程が複雑でなく、さらに樹脂レジスト層
と電極およびメッキ層との境目に段差がなくなり、寸法
および外観不良となるものはなかった。したがって、サ
ーミスタの小型化に対応できるチップ型サーミスタが簡
略に得られた。
スタは、製造工程が複雑でなく、さらに樹脂レジスト層
と電極およびメッキ層との境目に段差がなくなり、寸法
および外観不良となるものはなかった。したがって、サ
ーミスタの小型化に対応できるチップ型サーミスタが簡
略に得られた。
【００１４】
【発明の効果】製造工程が簡略で、さらには、サーミス
タの小型化に対応できるチップ型サーミスタの製造方法
が提供できる。
タの小型化に対応できるチップ型サーミスタの製造方法
が提供できる。
【図１】角柱状サーミスタ素体の斜視図である。
【図２】樹脂レジスト層を形成した角柱状サーミスタ素
体の斜視図である。
体の斜視図である。
【図３】メッキ層を形成させた角柱状サーミスタ素体の
斜視図である。
斜視図である。
【図４】チップ型サーミスタの斜視図と断面図である。
【符号の説明】 １ 銀電極 ２ チタン酸バリウム系サーミスタ焼結体 ３ 樹脂レジスト層 ４ ニッケルメッキ層 ５ 半田メッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】 上下面に銀電極が焼き付けられたサーミ
スタ焼結体からなる素板を角柱状素体に切断する工程
と、前記角柱状サーミスタ素体の銀電極が形成されてい
ない両面に樹脂レジスト層を形成する工程と、前記樹脂
レジスト層を形成した角柱状サーミスタ素体に電気メッ
キによりニッケルメッキ層および半田メッキ層を形成さ
せる工程と、前記ニッケルメッキ層および半田メッキ層
を形成させた角柱状サーミスタ素体を所望のチップ型サ
ーミスタが得られるように切断する工程とを具備するこ
とを特徴とするチップ型サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3545697A JPH10199707A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3545697A JPH10199707A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199707A true JPH10199707A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=12442305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3545697A Pending JPH10199707A (ja) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | チップ型サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199707A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7887713B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-02-15 | Epcos Ag | Method for producing an electronic component |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP3545697A patent/JPH10199707A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7887713B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-02-15 | Epcos Ag | Method for producing an electronic component |
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