JPH10261755A - リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10261755A JPH10261755A JP9066760A JP6676097A JPH10261755A JP H10261755 A JPH10261755 A JP H10261755A JP 9066760 A JP9066760 A JP 9066760A JP 6676097 A JP6676097 A JP 6676097A JP H10261755 A JPH10261755 A JP H10261755A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子を固着するための広い有効利用面積
の主面を確保できる複数の支持板を樹脂封止型半導体装
置に設ける。 【解決手段】 間隙（９）を形成する複数の支持板
（２、３）の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に、支持板
（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とな
る突起（１１、１２）を樹脂封止型半導体装置に形成す
る。また、支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３
ｂ）と突起（１１、１２）により段差（３０）を形成
し、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）の延
長上の突起（１１、１２）に半導体素子（４、５）の少
なくとも１つを固着する。支持板（２、３）の一方の主
面（２ａ、３ａ）と同一平面となる突起（１１、１２）
を形成するので、支持板（２、３）の間で確実に電気的
に絶縁できると共に、半導体素子（４、５）を固着する
一方の主面（２ａ、３ａ）の有効利用面積を増大するこ
とができる。
の主面を確保できる複数の支持板を樹脂封止型半導体装
置に設ける。 【解決手段】 間隙（９）を形成する複数の支持板
（２、３）の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に、支持板
（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とな
る突起（１１、１２）を樹脂封止型半導体装置に形成す
る。また、支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３
ｂ）と突起（１１、１２）により段差（３０）を形成
し、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）の延
長上の突起（１１、１２）に半導体素子（４、５）の少
なくとも１つを固着する。支持板（２、３）の一方の主
面（２ａ、３ａ）と同一平面となる突起（１１、１２）
を形成するので、支持板（２、３）の間で確実に電気的
に絶縁できると共に、半導体素子（４、５）を固着する
一方の主面（２ａ、３ａ）の有効利用面積を増大するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、詳細
には半導体素子を固着するための広い面積の主面を確保
できる複数の支持板を有する半導体装置に関する。
には半導体素子を固着するための広い面積の主面を確保
できる複数の支持板を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】互いに電気的に分離された複数の半導体
素子を有する従来の電力型半導体装置では、比較的肉厚
かつ大面積の支持板上にセラミック基板等を配置し、一
方の電力用半導体素子をこのセラミック基板に固着する
と共に、他方の電力用半導体素子を支持板上に固着する
か又は電気的に分離した状態でセラミック基板に固着す
ることにより、一方と他方の電力用半導体素子を電気的
に絶縁していた。しかしながら、この構造は、比較的大
面積のセラミック基板等を必要とするため、半導体装置
のコストアップとなる欠点があった。
素子を有する従来の電力型半導体装置では、比較的肉厚
かつ大面積の支持板上にセラミック基板等を配置し、一
方の電力用半導体素子をこのセラミック基板に固着する
と共に、他方の電力用半導体素子を支持板上に固着する
か又は電気的に分離した状態でセラミック基板に固着す
ることにより、一方と他方の電力用半導体素子を電気的
に絶縁していた。しかしながら、この構造は、比較的大
面積のセラミック基板等を必要とするため、半導体装置
のコストアップとなる欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】他面、互いに分離した
支持板上に電力用半導体素子を固着する構造も提案され
たが、プレス型を使用したプレス成形により比較的厚い
支持板を打ち抜き加工すると、切断部の面積ロスが大き
く支持板の有効利用面積が減少する欠点があった。そこ
で、本発明は、半導体素子を固着するための広い有効利
用面積の主面を確保できる複数の支持板を有するリード
フレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
支持板上に電力用半導体素子を固着する構造も提案され
たが、プレス型を使用したプレス成形により比較的厚い
支持板を打ち抜き加工すると、切断部の面積ロスが大き
く支持板の有効利用面積が減少する欠点があった。そこ
で、本発明は、半導体素子を固着するための広い有効利
用面積の主面を確保できる複数の支持板を有するリード
フレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
用リードフレームは、間隙（９）を介して配置された複
数の支持板（２、３）と、複数の支持板（２、３）に隣
接して配置された複数の外部リード（７）と、複数の外
部リード（７）に対し直角に配置され且つ外部リード
（７）を連結する連結条（１７、１８）とを備えてい
る。この半導体装置用リードフレームでは、間隙（９）
を形成する複数の支持板（２、３）の対向する内側面
（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成した突起（１１、
１２）の主面（１１ａ、１２ａ）を、互いに同一平面に
ある複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３
ａ）と同一平面とする。また、支持板（２、３）の他方
の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持
板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の
主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部
（１３）を間隙（９）に形成する。
用リードフレームは、間隙（９）を介して配置された複
数の支持板（２、３）と、複数の支持板（２、３）に隣
接して配置された複数の外部リード（７）と、複数の外
部リード（７）に対し直角に配置され且つ外部リード
（７）を連結する連結条（１７、１８）とを備えてい
る。この半導体装置用リードフレームでは、間隙（９）
を形成する複数の支持板（２、３）の対向する内側面
（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成した突起（１１、
１２）の主面（１１ａ、１２ａ）を、互いに同一平面に
ある複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３
ａ）と同一平面とする。また、支持板（２、３）の他方
の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持
板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の
主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部
（１３）を間隙（９）に形成する。
【０００５】外部リード（７）及び連結条（１７、１
８）で互いに連結された複数の厚い予備支持板（２０）
をプレス型で打ち抜いて厚い複数の支持板（２、３）に
形成するとき、厚い予備支持板（２０）に対応して機械
的強度の大きい幅の広いプレス型を使用しなければなら
ない。幅の広いプレス型を使用すると、間隙（９）の幅
が大きくなり、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、
３ａ）上に半導体素子（４、５）又は回路基板（６）を
固着するための有効面積が減少する。本発明では、互い
に対向して形成した突起（１１、１２）の主面（１１
ａ、１２ａ）を、互いに同一平面にある複数の支持板
（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とす
るため、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
上に半導体素子（４、５）又は回路基板（６）を固着す
るための広い有効面積を確保することができる。また、
支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他
方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙
部（１３）を間隙（９）に形成するため、樹脂封止体
（８）を支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）
側にも形成するときに、支持板（２、３）の他方の主面
（２ｂ、３ｂ）側から間隙（９）内に樹脂が流れ易いた
め、未充填部の発生を防止して樹脂封止体（８）を形成
することができる。更に、複数の支持板（２、３）が分
割されているため、支持板（２、３）と樹脂封止体
（８）との熱膨張量差を減少して特性劣化を防止するこ
とができる。更に、厚い支持板（２、３）を熱容量の大
きい放熱板として使用できる。
８）で互いに連結された複数の厚い予備支持板（２０）
をプレス型で打ち抜いて厚い複数の支持板（２、３）に
形成するとき、厚い予備支持板（２０）に対応して機械
的強度の大きい幅の広いプレス型を使用しなければなら
ない。幅の広いプレス型を使用すると、間隙（９）の幅
が大きくなり、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、
３ａ）上に半導体素子（４、５）又は回路基板（６）を
固着するための有効面積が減少する。本発明では、互い
に対向して形成した突起（１１、１２）の主面（１１
ａ、１２ａ）を、互いに同一平面にある複数の支持板
（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とす
るため、支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
上に半導体素子（４、５）又は回路基板（６）を固着す
るための広い有効面積を確保することができる。また、
支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他
方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙
部（１３）を間隙（９）に形成するため、樹脂封止体
（８）を支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）
側にも形成するときに、支持板（２、３）の他方の主面
（２ｂ、３ｂ）側から間隙（９）内に樹脂が流れ易いた
め、未充填部の発生を防止して樹脂封止体（８）を形成
することができる。更に、複数の支持板（２、３）が分
割されているため、支持板（２、３）と樹脂封止体
（８）との熱膨張量差を減少して特性劣化を防止するこ
とができる。更に、厚い支持板（２、３）を熱容量の大
きい放熱板として使用できる。
【０００６】本発明による半導体装置用リードフレーム
の実施の形態では、間隙（９）は、外部リード（７）に
対し並行に形成された第１の間隙部（９ａ）と、第１の
間隙部（９ａ）に接続して第１の間隙部（９ａ）に対し
直角に且つ複数の外部リード（７）が整列する方向と並
行に形成された第２の間隙部（９ｂ）と、第２の間隙部
（９ｂ）に接続して第２の間隙部（９ｂ）に対して直角
で且つ第１の間隙部（９ａ）に対して並行に形成された
第３の間隙部（９ｃ）とを備えている。第１の間隙部
（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間隙部（９
ｃ）はそれぞれフレア間隙部（１３）を有する。このた
め、樹脂封止体（８）を支持板（２、３）の他方の主面
（２ｂ、３ｂ）側にも形成する場合、ゲートからキャビ
ティ内に圧入される溶融樹脂は第１の間隙部（９ａ）、
第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間隙部（９ｃ）並びに
各フレア間隙部（１３）を通り、キャビティ内での溶融
樹脂の円滑な流れを確保することができる。溶融樹脂の
流れを円滑にするフレア間隙部（１３）は段差（３０）
又はテーパ（３１）により形成される。複数の外部リー
ド（７）の少なくとも１つの外部リード（７ｇ）は支持
板（２、３）の一方に直接接続され、複数の外部リード
（７）の少なくとも１つの外部リード（７ｉ）は支持板
（２、３）の他方に直接接続され、第３の間隙部（９
ｃ）は支持板（２、３）に直接接続された外部リード
（７ｇ、７ｉ）の間に接続される。
の実施の形態では、間隙（９）は、外部リード（７）に
対し並行に形成された第１の間隙部（９ａ）と、第１の
間隙部（９ａ）に接続して第１の間隙部（９ａ）に対し
直角に且つ複数の外部リード（７）が整列する方向と並
行に形成された第２の間隙部（９ｂ）と、第２の間隙部
（９ｂ）に接続して第２の間隙部（９ｂ）に対して直角
で且つ第１の間隙部（９ａ）に対して並行に形成された
第３の間隙部（９ｃ）とを備えている。第１の間隙部
（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間隙部（９
ｃ）はそれぞれフレア間隙部（１３）を有する。このた
め、樹脂封止体（８）を支持板（２、３）の他方の主面
（２ｂ、３ｂ）側にも形成する場合、ゲートからキャビ
ティ内に圧入される溶融樹脂は第１の間隙部（９ａ）、
第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間隙部（９ｃ）並びに
各フレア間隙部（１３）を通り、キャビティ内での溶融
樹脂の円滑な流れを確保することができる。溶融樹脂の
流れを円滑にするフレア間隙部（１３）は段差（３０）
又はテーパ（３１）により形成される。複数の外部リー
ド（７）の少なくとも１つの外部リード（７ｇ）は支持
板（２、３）の一方に直接接続され、複数の外部リード
（７）の少なくとも１つの外部リード（７ｉ）は支持板
（２、３）の他方に直接接続され、第３の間隙部（９
ｃ）は支持板（２、３）に直接接続された外部リード
（７ｇ、７ｉ）の間に接続される。
【０００７】本発明による半導体装置用リードフレーム
の製造方法は、金属板を所定の形状にプレス成形して、
所定の間隔で配置された複数の予備支持板（２０）と、
予備支持板（２０）の各々の一方の側縁に隣接して並置
された複数の外部リード（７）と、予備支持板（２０）
の側縁に並行に配置され且つ複数の外部リード（７）を
連結する連結条（１７、１８）とを有する予備成形体
（１６）を準備する工程と、第１のプレス型（２１）に
より予備成形体（１６）の予備支持板（２０）の一部を
打ち抜いて予備支持板（２０）を複数の分割予備支持板
（２０ａ、２０ｂ）に分割するギャップ（２４）を形成
する工程と、第１のプレス型（２１）の幅より広い幅を
有する第２のプレス型（２２）により複数の分割予備支
持板（２０ａ、２０ｂ）のギャップ（２４）側を押圧
し、ギャップ（２４）を形成する複数の分割予備支持板
（２０ａ、２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、２５
ｂ）に突起（２８、２９）を形成することにより、支持
板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１
１、１２）により支持板（２、３）の一方の主面（２
ａ、３ａ）側より他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡
大されるフレア間隙部（１３）をギャップ（２４）に形
成する工程とを含む。更に複数の分割予備支持板（２０
ａ、２０ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）の対向する突
起（２８、２９）の先端部を第１のプレス型（２１）の
幅より狭い幅を有する第３のプレス型（２３）により同
時に切断する工程又はフレア間隙部（１３）を段差（３
０）又はテーパ（３１）に形成する工程を含んでもよ
い。
の製造方法は、金属板を所定の形状にプレス成形して、
所定の間隔で配置された複数の予備支持板（２０）と、
予備支持板（２０）の各々の一方の側縁に隣接して並置
された複数の外部リード（７）と、予備支持板（２０）
の側縁に並行に配置され且つ複数の外部リード（７）を
連結する連結条（１７、１８）とを有する予備成形体
（１６）を準備する工程と、第１のプレス型（２１）に
より予備成形体（１６）の予備支持板（２０）の一部を
打ち抜いて予備支持板（２０）を複数の分割予備支持板
（２０ａ、２０ｂ）に分割するギャップ（２４）を形成
する工程と、第１のプレス型（２１）の幅より広い幅を
有する第２のプレス型（２２）により複数の分割予備支
持板（２０ａ、２０ｂ）のギャップ（２４）側を押圧
し、ギャップ（２４）を形成する複数の分割予備支持板
（２０ａ、２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、２５
ｂ）に突起（２８、２９）を形成することにより、支持
板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１
１、１２）により支持板（２、３）の一方の主面（２
ａ、３ａ）側より他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡
大されるフレア間隙部（１３）をギャップ（２４）に形
成する工程とを含む。更に複数の分割予備支持板（２０
ａ、２０ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）の対向する突
起（２８、２９）の先端部を第１のプレス型（２１）の
幅より狭い幅を有する第３のプレス型（２３）により同
時に切断する工程又はフレア間隙部（１３）を段差（３
０）又はテーパ（３１）に形成する工程を含んでもよ
い。
【０００８】本発明による樹脂封止型半導体装置は、間
隙（９）を介して配置された複数の支持板（２、３）
と、複数の支持板（２、３）の少なくとも一方の主面
（２ａ、３ａ）に固着された複数の半導体素子（４、
５）と、半導体素子（４、５）の電極に接続されたリー
ド細線（１０ａ〜１０ｊ）と、支持板（２、３）に隣接
して配置された複数の外部リード（７）と、支持板
（２、３）、半導体素子（４、５）、リード細線（１０
ａ〜１０ｊ）及び外部リード（７）の一部を封止する樹
脂封止体（８）とを備えている。外部リード（７）の端
部は樹脂封止体（８）から導出される。間隙（９）を形
成する複数の支持板（２、３）の対向する内側面（２
ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成した突起（１１、１
２）の主面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面にあ
る複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
と同一平面となる。支持板（２、３）の他方の主面（２
ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２
ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部（１３）を
間隙（９）に形成する。支持板（２、３）の一方の主面
（２ａ、３ａ）の延長上の突起（１１、１２）に複数の
半導体素子（４、５）の少なくとも１つを固着する。支
持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面
となる突起（１１、１２）を形成するので、支持板
（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると共に、半導
体素子（４、５）を固着する一方の主面（２ａ、３ａ）
の有効利用面積を増大することができる。本発明の実施
の形態では、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）の少なくと
も一部は、間隙（９）を横断して一方の半導体素子
（４）の電極と他方の半導体素子（５）の電極との間を
電気的に接続する。複数の支持板（２、３）の少なくと
も一方に回路基板（６）を固着し、複数のリード細線
（１０ａ〜１０ｊ）の少なくとも一部は半導体素子
（４、５）の電極と回路基板（６）の電極とを接続す
る。
隙（９）を介して配置された複数の支持板（２、３）
と、複数の支持板（２、３）の少なくとも一方の主面
（２ａ、３ａ）に固着された複数の半導体素子（４、
５）と、半導体素子（４、５）の電極に接続されたリー
ド細線（１０ａ〜１０ｊ）と、支持板（２、３）に隣接
して配置された複数の外部リード（７）と、支持板
（２、３）、半導体素子（４、５）、リード細線（１０
ａ〜１０ｊ）及び外部リード（７）の一部を封止する樹
脂封止体（８）とを備えている。外部リード（７）の端
部は樹脂封止体（８）から導出される。間隙（９）を形
成する複数の支持板（２、３）の対向する内側面（２
ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成した突起（１１、１
２）の主面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面にあ
る複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
と同一平面となる。支持板（２、３）の他方の主面（２
ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２
ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部（１３）を
間隙（９）に形成する。支持板（２、３）の一方の主面
（２ａ、３ａ）の延長上の突起（１１、１２）に複数の
半導体素子（４、５）の少なくとも１つを固着する。支
持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面
となる突起（１１、１２）を形成するので、支持板
（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると共に、半導
体素子（４、５）を固着する一方の主面（２ａ、３ａ）
の有効利用面積を増大することができる。本発明の実施
の形態では、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）の少なくと
も一部は、間隙（９）を横断して一方の半導体素子
（４）の電極と他方の半導体素子（５）の電極との間を
電気的に接続する。複数の支持板（２、３）の少なくと
も一方に回路基板（６）を固着し、複数のリード細線
（１０ａ〜１０ｊ）の少なくとも一部は半導体素子
（４、５）の電極と回路基板（６）の電極とを接続す
る。
【０００９】本発明による樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、本発明の製造方法により製造した半導体装置用
リードフレームの支持板（２、３）の一方の主面（２
ａ、３ａ）の延長上の突起（１１、１２）に複数の半導
体素子（４、５）の少なくとも１つを固着する工程と、
半導体素子（４、５）の電極にリード細線（１０ａ〜１
０ｊ）を接続する工程と、支持板（２、３）、半導体素
子（４、５）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部
リード（７）の一部を封止する樹脂封止体（８）を形成
する工程と、連結条（１７、１８）を切断して除去し、
複数の樹脂封止型半導体装置（１）得る工程とを含む。
複数の支持板（２、３）の少なくとも一方に回路基板
（６）を固着する工程と、複数のリード細線（１０ａ〜
１０ｊ）の少なくとも一部によって半導体素子（４、
５）の電極と回路基板（６）の電極とを接続する工程と
を含んでもよい。
方法は、本発明の製造方法により製造した半導体装置用
リードフレームの支持板（２、３）の一方の主面（２
ａ、３ａ）の延長上の突起（１１、１２）に複数の半導
体素子（４、５）の少なくとも１つを固着する工程と、
半導体素子（４、５）の電極にリード細線（１０ａ〜１
０ｊ）を接続する工程と、支持板（２、３）、半導体素
子（４、５）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部
リード（７）の一部を封止する樹脂封止体（８）を形成
する工程と、連結条（１７、１８）を切断して除去し、
複数の樹脂封止型半導体装置（１）得る工程とを含む。
複数の支持板（２、３）の少なくとも一方に回路基板
（６）を固着する工程と、複数のリード細線（１０ａ〜
１０ｊ）の少なくとも一部によって半導体素子（４、
５）の電極と回路基板（６）の電極とを接続する工程と
を含んでもよい。
【００１０】第１、第２及び第３のプレス型（２１〜２
３）を使用して、一対の分割予備支持板（２０ａ、２０
ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）を同時にプレス加工で
きるので、効率的に製造することができる。
３）を使用して、一対の分割予備支持板（２０ａ、２０
ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）を同時にプレス加工で
きるので、効率的に製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるリードフレー
ム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法の実施の形態を図１〜図５について説明す
る。図１及び図２に示す本発明による樹脂封止型半導体
装置（１）は、間隙（９）を介して配置された複数の支
持板（２、３）と、支持板（２）の一方の主面（２ａ）
に固着された半導体素子（４）と、支持板（３）の一方
の主面（３ａ）に固着された半導体素子（５）及び回路
基板（６）と、半導体素子（４）及び半導体素子（５）
の電極等に接続されたリード細線（１０ａ〜１０ｊ）
と、支持板（２、３）に隣接して配置された複数の外部
リード（７）と、支持板（２、３）、半導体素子（４、
５）、回路基板（６）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）
及び外部リード（７）の一部を封止する樹脂封止体
（８）とを備えている。外部リード（７）の端部は樹脂
封止体（８）から導出される。また、樹脂封止体（８）
は支持板（２、３）の両主面を被覆する。
ム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法の実施の形態を図１〜図５について説明す
る。図１及び図２に示す本発明による樹脂封止型半導体
装置（１）は、間隙（９）を介して配置された複数の支
持板（２、３）と、支持板（２）の一方の主面（２ａ）
に固着された半導体素子（４）と、支持板（３）の一方
の主面（３ａ）に固着された半導体素子（５）及び回路
基板（６）と、半導体素子（４）及び半導体素子（５）
の電極等に接続されたリード細線（１０ａ〜１０ｊ）
と、支持板（２、３）に隣接して配置された複数の外部
リード（７）と、支持板（２、３）、半導体素子（４、
５）、回路基板（６）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）
及び外部リード（７）の一部を封止する樹脂封止体
（８）とを備えている。外部リード（７）の端部は樹脂
封止体（８）から導出される。また、樹脂封止体（８）
は支持板（２、３）の両主面を被覆する。
【００１２】図２に示すように、樹脂封止型半導体装置
（１）では、間隙（９）を形成する複数の支持板（２、
３）の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して
肉薄の突起（１１、１２）が形成される。突起（１１、
１２）の主面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面に
ある複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３
ａ）と同一平面に形成される。支持板（２、３）の他方
の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持
板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の
主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部
（１３）が段差（３０）によって間隙（９）に形成され
る。支持板（２）の一方の主面（２ａ）の延長上の突起
（１１）に第１の半導体素子（４）が固着される。ま
た、支持板（３）の一方の主面（３ａ）の延長上の突起
（１２）に第２の半導体素子（５）を固着する。間隙
（９）を横断して一方の半導体素子（４）の電極と回路
基板（６）の電極とをリード細線（１０ａ及び１０ｂ）
により接続し、他方の半導体素子（５）の電極と回路基
板（６）の電極とをリード細線（１０ｃ及び１０ｄ）に
より電気的に接続する。間隙（９）は、外部リード
（７）に対し並行に形成された第１の間隙部（９ａ）
と、第１の間隙部（９ａ）に接続して第１の間隙部（９
ａ）に対し直角に且つ複数の外部リード（７）が整列す
る方向と並行に形成された第２の間隙部（９ｂ）と、第
２の間隙部（９ｂ）に接続して第２の間隙部（９ｂ）に
対して直角で且つ第１の間隙部（９ａ）に対して並行に
形成された第３の間隙部（９ｃ）とを備えている。第１
の間隙部（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間
隙部（９ｃ）はそれぞれ段差（３０）によるフレア間隙
部（１３）を有する。このため、樹脂封止体（８）を形
成する際に、ゲートからキャビティ内に圧入される溶融
樹脂は第１の間隙部（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及
び第３の間隙部（９ｃ）並びに各フレア間隙部（１３）
を通り、キャビティ内での円滑な溶融樹脂の流れを確保
することができる。第３の間隙部（９ｃ）の延長部は外
部リード（７ｈ）と（７ｉ）との間に延びる。本実施の
形態では、整列する外部リード（７）とは反対側の支持
板（２、３）の外側面（２ｄ、３ｄ）にも段差（３０）
が形成される。
（１）では、間隙（９）を形成する複数の支持板（２、
３）の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して
肉薄の突起（１１、１２）が形成される。突起（１１、
１２）の主面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面に
ある複数の支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３
ａ）と同一平面に形成される。支持板（２、３）の他方
の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持
板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の
主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部
（１３）が段差（３０）によって間隙（９）に形成され
る。支持板（２）の一方の主面（２ａ）の延長上の突起
（１１）に第１の半導体素子（４）が固着される。ま
た、支持板（３）の一方の主面（３ａ）の延長上の突起
（１２）に第２の半導体素子（５）を固着する。間隙
（９）を横断して一方の半導体素子（４）の電極と回路
基板（６）の電極とをリード細線（１０ａ及び１０ｂ）
により接続し、他方の半導体素子（５）の電極と回路基
板（６）の電極とをリード細線（１０ｃ及び１０ｄ）に
より電気的に接続する。間隙（９）は、外部リード
（７）に対し並行に形成された第１の間隙部（９ａ）
と、第１の間隙部（９ａ）に接続して第１の間隙部（９
ａ）に対し直角に且つ複数の外部リード（７）が整列す
る方向と並行に形成された第２の間隙部（９ｂ）と、第
２の間隙部（９ｂ）に接続して第２の間隙部（９ｂ）に
対して直角で且つ第１の間隙部（９ａ）に対して並行に
形成された第３の間隙部（９ｃ）とを備えている。第１
の間隙部（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及び第３の間
隙部（９ｃ）はそれぞれ段差（３０）によるフレア間隙
部（１３）を有する。このため、樹脂封止体（８）を形
成する際に、ゲートからキャビティ内に圧入される溶融
樹脂は第１の間隙部（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）及
び第３の間隙部（９ｃ）並びに各フレア間隙部（１３）
を通り、キャビティ内での円滑な溶融樹脂の流れを確保
することができる。第３の間隙部（９ｃ）の延長部は外
部リード（７ｈ）と（７ｉ）との間に延びる。本実施の
形態では、整列する外部リード（７）とは反対側の支持
板（２、３）の外側面（２ｄ、３ｄ）にも段差（３０）
が形成される。
【００１３】複数の外部リード（７）のうち外部リード
（７ｇ）は支持板（２、３）の一方に直接接続され、外
部リード（７ｉ）は支持板（２、３）の他方に直接接続
され、第３の間隙部（９ｃ）は支持板（２、３）に直接
接続された外部リード（７ｇ、７ｉ）の間に接続され
る。リード細線（１０ｅ〜１０ｊ）は回路基板（６）の
電極と外部リード（７ａ〜７ｆ）とを電気的に接続す
る。
（７ｇ）は支持板（２、３）の一方に直接接続され、外
部リード（７ｉ）は支持板（２、３）の他方に直接接続
され、第３の間隙部（９ｃ）は支持板（２、３）に直接
接続された外部リード（７ｇ、７ｉ）の間に接続され
る。リード細線（１０ｅ〜１０ｊ）は回路基板（６）の
電極と外部リード（７ａ〜７ｆ）とを電気的に接続す
る。
【００１４】支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３
ａ）と同一平面となる突起（１１、１２）を形成するの
で、支持板（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると
共に、半導体素子（４、５）を固着する一方の主面（２
ａ、３ａ）の有効利用面積を増大することができる。
ａ）と同一平面となる突起（１１、１２）を形成するの
で、支持板（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると
共に、半導体素子（４、５）を固着する一方の主面（２
ａ、３ａ）の有効利用面積を増大することができる。
【００１５】樹脂封止型半導体装置（１）の製造に使用
する半導体装置用リードフレームは、間隙（９）を介し
て配置された複数の支持板（２、３）と、複数の支持板
（２、３）に隣接して配置された複数の外部リード
（７）と、複数の外部リード（７）に対し直角に配置さ
れ且つ外部リード（７）を連結する連結条（１７、１
８）とを備えている。この半導体装置用リードフレーム
では、間隙（９）を形成する複数の支持板（２、３）の
対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して突起
（１１、１２）が形成される。突起（１１、１２）の主
面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面にある複数の
支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平
面となる。また、支持板（２、３）の他方の主面（２
ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２
ｂ、３ｂ）側に幅が拡大される段差（３０）によるフレ
ア間隙部（１３）が間隙（９）に形成される。
する半導体装置用リードフレームは、間隙（９）を介し
て配置された複数の支持板（２、３）と、複数の支持板
（２、３）に隣接して配置された複数の外部リード
（７）と、複数の外部リード（７）に対し直角に配置さ
れ且つ外部リード（７）を連結する連結条（１７、１
８）とを備えている。この半導体装置用リードフレーム
では、間隙（９）を形成する複数の支持板（２、３）の
対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して突起
（１１、１２）が形成される。突起（１１、１２）の主
面（１１ａ、１２ａ）は、互いに同一平面にある複数の
支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）と同一平
面となる。また、支持板（２、３）の他方の主面（２
ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）により支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２
ｂ、３ｂ）側に幅が拡大される段差（３０）によるフレ
ア間隙部（１３）が間隙（９）に形成される。
【００１６】この半導体装置用リードフレームの製造の
際に、図３ａ及び図４に示す予備成形体（１６）を準備
する。予備成形体（１６）は、金属板を所定の形状にプ
レス成形して、所定の間隔で配置された複数の予備支持
板（２０）と、予備支持板（２０）の各々の一方の側縁
に隣接して並置された複数の外部リード（７）と、予備
支持板（２０）の側縁に並行に配置され且つ複数の外部
リード（７）を連結する連結条（１７、１８）とを有す
る。図４には単一の予備支持板（２０）を示すが、実際
のリードフレームでは、外部リード（７）及び連結条
（１７、１８）によって一列に配置された複数の予備支
持板（２０）が互いに接続されている。
際に、図３ａ及び図４に示す予備成形体（１６）を準備
する。予備成形体（１６）は、金属板を所定の形状にプ
レス成形して、所定の間隔で配置された複数の予備支持
板（２０）と、予備支持板（２０）の各々の一方の側縁
に隣接して並置された複数の外部リード（７）と、予備
支持板（２０）の側縁に並行に配置され且つ複数の外部
リード（７）を連結する連結条（１７、１８）とを有す
る。図４には単一の予備支持板（２０）を示すが、実際
のリードフレームでは、外部リード（７）及び連結条
（１７、１８）によって一列に配置された複数の予備支
持板（２０）が互いに接続されている。
【００１７】次に、図３に示すように、第１のプレス型
（２１）により予備成形体（１６）の予備支持板（２
０）の一部を打ち抜いて、図３（ｂ）に示すように、予
備支持板（２０）を複数の分割予備支持板（２０ａ、２
０ｂ）に分割するギャップ（２４）を形成する。
（２１）により予備成形体（１６）の予備支持板（２
０）の一部を打ち抜いて、図３（ｂ）に示すように、予
備支持板（２０）を複数の分割予備支持板（２０ａ、２
０ｂ）に分割するギャップ（２４）を形成する。
【００１８】その後、第１のプレス型（２１）の幅より
広い幅を有する第２のプレス型（２２）により複数の分
割予備支持板（２０ａ、２０ｂ）のギャップ（２４）側
を押圧し、ギャップ（２４）を形成する複数の分割予備
支持板（２０ａ、２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、
２５ｂ）に突起（２８、２９）及び段差（２６、２７）
を同時に形成する。続いて、図３（ｃ）に示すように、
複数の分割予備支持板（２０ａ、２０ｂ）の内側面（２
５ａ、２５ｂ）の対向する突起（２８、２９）の丸い先
端部を第１のプレス型（２１）の幅より狭い幅を有する
第３のプレス型（２３）により同時に切断して除去し、
図３（ｄ）に示す突起（１１、１２）を有する支持板
（２、３）を作成する。これにより、支持板（２、３）
の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）によ
り支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より
他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大される段差（３
０）のフレア間隙部（１３）が間隙（９）に形成され
る。突起（２８、２９）の間に形成される間隙（９）の
幅は約０.５ｍｍである。
広い幅を有する第２のプレス型（２２）により複数の分
割予備支持板（２０ａ、２０ｂ）のギャップ（２４）側
を押圧し、ギャップ（２４）を形成する複数の分割予備
支持板（２０ａ、２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、
２５ｂ）に突起（２８、２９）及び段差（２６、２７）
を同時に形成する。続いて、図３（ｃ）に示すように、
複数の分割予備支持板（２０ａ、２０ｂ）の内側面（２
５ａ、２５ｂ）の対向する突起（２８、２９）の丸い先
端部を第１のプレス型（２１）の幅より狭い幅を有する
第３のプレス型（２３）により同時に切断して除去し、
図３（ｄ）に示す突起（１１、１２）を有する支持板
（２、３）を作成する。これにより、支持板（２、３）
の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と突起（１１、１２）によ
り支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）側より
他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大される段差（３
０）のフレア間隙部（１３）が間隙（９）に形成され
る。突起（２８、２９）の間に形成される間隙（９）の
幅は約０.５ｍｍである。
【００１９】この半導体装置用リードフレームから本発
明による樹脂封止型半導体装置を製造するときは、上記
のように、得られた半導体装置用リードフレームの支持
板（２）の一方の主面（２ａ）の延長上の突起（１１）
に半導体素子（４）をろう材（半田）（１４）等により
固着すると共に、回路基板（１６）を支持板（２）の一
方の主面（２ａ）にろう材により固着する。また、他方
の支持板（３）の一方の主面（３ａ）の延長上の突起
（１２）に半導体素子（５）をろう材（半田）（１５）
等により固着する。次に、半導体素子（４、５）の電
極、回路基板（６）の電極及び外部リード（７）との間
にリード細線（１０ａ〜１０ｊ）を接続する。その後、
支持板（２、３）、半導体素子（４、５）、回路基板
（６）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部リード
（７）の一部を封止する樹脂封止体（８）を形成する。
最後に、連結条（１７、１８）を切断して除去し、複数
の樹脂封止型半導体装置を完成する。
明による樹脂封止型半導体装置を製造するときは、上記
のように、得られた半導体装置用リードフレームの支持
板（２）の一方の主面（２ａ）の延長上の突起（１１）
に半導体素子（４）をろう材（半田）（１４）等により
固着すると共に、回路基板（１６）を支持板（２）の一
方の主面（２ａ）にろう材により固着する。また、他方
の支持板（３）の一方の主面（３ａ）の延長上の突起
（１２）に半導体素子（５）をろう材（半田）（１５）
等により固着する。次に、半導体素子（４、５）の電
極、回路基板（６）の電極及び外部リード（７）との間
にリード細線（１０ａ〜１０ｊ）を接続する。その後、
支持板（２、３）、半導体素子（４、５）、回路基板
（６）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部リード
（７）の一部を封止する樹脂封止体（８）を形成する。
最後に、連結条（１７、１８）を切断して除去し、複数
の樹脂封止型半導体装置を完成する。
【００２０】第１、第２及び第３のプレス型（２１〜２
３）を使用して、一対の分割予備支持板（２０ａ、２０
ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）を同時にプレス加工で
きるので、効率的に製造することができる。
３）を使用して、一対の分割予備支持板（２０ａ、２０
ｂ）の内側面（２５ａ、２５ｂ）を同時にプレス加工で
きるので、効率的に製造することができる。
【００２１】本発明の実施の形態での作用効果を列挙す
れば次の通りである。 ［１］ 支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
と同一平面となる突起（１１、１２）を形成するので、
支持板（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると共
に、半導体素子（４、５）を固着する一方の主面（２
ａ、３ａ）の有効利用面積を増大することができる。 ［２］ 支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
側より他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフ
レア間隙部（１３）を間隙（９）に形成するため、支持
板（２、３）の両主面（２ａ、３ａ）（２ｂ、３ｂ）を
被覆する樹脂封止体（８）を形成するときに、支持板
（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）側から間隙
（９）内に樹脂が流れ易いため、未充填部の発生を防止
して樹脂封止体（８）を形成することができる。 ［３］ 複数の支持板（２、３）が分割されているた
め、支持板（２、３）と樹脂封止体（８）との熱膨張量
差を減少して特性劣化を防止することができる。更に、
厚さ大きい支持板（２、３）を熱容量の大きい放熱板と
して使用できる。 ［４］ 比較的厚い支持板（２、３）でも所望形状及び
幅の間隙（９）を容易に形成することができる。 ［５］ 間隙（９）の第１の間隙部（９ａ）〜第３の間
隙部（９ｃ）に沿って溶融樹脂が円滑に流れる。 ［６］ 突起（１１、１２）による段差（３０）を形成
するため、支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３
ｂ）から一方の主面（２ａ、３ａ）に至る沿面距離が増
加するため、他方の主面（２ｂ、３ｂ）からの異物侵入
の防止が図られる。 ［７］ 支持板（２、３）の間に形成された間隙（９）
に封止用樹脂が充填されるため、樹脂封止体（８）が支
持板（２、３）の主面（２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ）から
剥離せずに強固に密着する。 ［８］ 一方の主面（２ａ、３ａ）の有効利用面積を増
大しても、コストアップを抑制することができる。
れば次の通りである。 ［１］ 支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
と同一平面となる突起（１１、１２）を形成するので、
支持板（２、３）の間で確実に電気的に絶縁すると共
に、半導体素子（４、５）を固着する一方の主面（２
ａ、３ａ）の有効利用面積を増大することができる。 ［２］ 支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）
側より他方の主面（２ｂ、３ｂ）側に幅が拡大されるフ
レア間隙部（１３）を間隙（９）に形成するため、支持
板（２、３）の両主面（２ａ、３ａ）（２ｂ、３ｂ）を
被覆する樹脂封止体（８）を形成するときに、支持板
（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）側から間隙
（９）内に樹脂が流れ易いため、未充填部の発生を防止
して樹脂封止体（８）を形成することができる。 ［３］ 複数の支持板（２、３）が分割されているた
め、支持板（２、３）と樹脂封止体（８）との熱膨張量
差を減少して特性劣化を防止することができる。更に、
厚さ大きい支持板（２、３）を熱容量の大きい放熱板と
して使用できる。 ［４］ 比較的厚い支持板（２、３）でも所望形状及び
幅の間隙（９）を容易に形成することができる。 ［５］ 間隙（９）の第１の間隙部（９ａ）〜第３の間
隙部（９ｃ）に沿って溶融樹脂が円滑に流れる。 ［６］ 突起（１１、１２）による段差（３０）を形成
するため、支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３
ｂ）から一方の主面（２ａ、３ａ）に至る沿面距離が増
加するため、他方の主面（２ｂ、３ｂ）からの異物侵入
の防止が図られる。 ［７］ 支持板（２、３）の間に形成された間隙（９）
に封止用樹脂が充填されるため、樹脂封止体（８）が支
持板（２、３）の主面（２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ）から
剥離せずに強固に密着する。 ［８］ 一方の主面（２ａ、３ａ）の有効利用面積を増
大しても、コストアップを抑制することができる。
【００２２】本発明の前記実施の形態は種々の変更が可
能である。例えば、第１の半導体素子（４）の上面電極
と第２の半導体素子（５）の上面電極との間にリード細
線を接続してもよい。この場合、第１の半導体素子
（４）と第２の半導体素子（５）とを接近して配置でき
るため、短いリード細線で上面電極を接続することがで
きる。また、例えば、フレア間隙部（１３）は１段でな
く複数の段を形成してもよい。また、図５に示すよう
に、テーパ部（２２ａ）を形成した第２のプレス型（２
２）を使用することによって分割予備支持板（２０ａ、
２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、２５ｂ）に形成し
たテーパ（３１）によりフレア間隙部（１３）を形成し
てもよい。
能である。例えば、第１の半導体素子（４）の上面電極
と第２の半導体素子（５）の上面電極との間にリード細
線を接続してもよい。この場合、第１の半導体素子
（４）と第２の半導体素子（５）とを接近して配置でき
るため、短いリード細線で上面電極を接続することがで
きる。また、例えば、フレア間隙部（１３）は１段でな
く複数の段を形成してもよい。また、図５に示すよう
に、テーパ部（２２ａ）を形成した第２のプレス型（２
２）を使用することによって分割予備支持板（２０ａ、
２０ｂ）の対向する内側面（２５ａ、２５ｂ）に形成し
たテーパ（３１）によりフレア間隙部（１３）を形成し
てもよい。
【００２３】
【発明の作用効果】前記のように、本発明では、支持板
の一方の主面と同一平面となる突起を形成するので、支
持板の間で確実に電気的に絶縁すると共に、半導体素子
を固着する一方の主面の有効利用面積を増大することが
できるので、信頼性が高くかつ低コストの樹脂封止型半
導体装置が得られる。
の一方の主面と同一平面となる突起を形成するので、支
持板の間で確実に電気的に絶縁すると共に、半導体素子
を固着する一方の主面の有効利用面積を増大することが
できるので、信頼性が高くかつ低コストの樹脂封止型半
導体装置が得られる。
【図１】 本発明によるリードフレーム及び樹脂封止型
半導体装置の平面図
半導体装置の平面図
【図２】 図１のII−II線に沿う断面図
【図３】 本発明による樹脂封止型半導体装置の製造工
程を示すブロック図
程を示すブロック図
【図４】 リードフレームを製造する予備成形体の平面
図
図
【図５】 本発明による樹脂封止型半導体装置の製造工
程の他の実施の形態を示すブロック図
程の他の実施の形態を示すブロック図
（２、３）・・支持板、 （２ａ、３ａ）・・一方の主
面、 （２ｂ、３ｂ）・・他方の主面、 （２ｃ、３
ｃ）・・内側面、 （２ｄ、３ｄ）・・外側面、（４、
５、６）・・半導体素子、 （７）・・外部リード、
（８）・・樹脂封止体、 （９）・・間隙、 （９ａ）
・・第１の間隙部、 （９ｂ）・・第２の間隙部、
（９ｃ）・・第３の間隙部、 （１０ａ〜１０ｊ）・・
リード細線、 （１１、１２）・・突起、 １３・・フ
レア間隙、 （１５）・・ろう材、（２０）・・予備支
持板、 （２０ａ、２０ｂ）・・分割予備支持板、
（２１）・・第１のプレス型、 （２２）・・第２のプ
レス型、 （２３）・・第３のプレス型、 （２４）・
・ギャップ、 （２５ａ、２５ｂ）・・内側面、 （２
６、２７）・・段差、 （２８、２９）・・突起、
（３０）・・段差、 （３１）・・テーパ、
面、 （２ｂ、３ｂ）・・他方の主面、 （２ｃ、３
ｃ）・・内側面、 （２ｄ、３ｄ）・・外側面、（４、
５、６）・・半導体素子、 （７）・・外部リード、
（８）・・樹脂封止体、 （９）・・間隙、 （９ａ）
・・第１の間隙部、 （９ｂ）・・第２の間隙部、
（９ｃ）・・第３の間隙部、 （１０ａ〜１０ｊ）・・
リード細線、 （１１、１２）・・突起、 １３・・フ
レア間隙、 （１５）・・ろう材、（２０）・・予備支
持板、 （２０ａ、２０ｂ）・・分割予備支持板、
（２１）・・第１のプレス型、 （２２）・・第２のプ
レス型、 （２３）・・第３のプレス型、 （２４）・
・ギャップ、 （２５ａ、２５ｂ）・・内側面、 （２
６、２７）・・段差、 （２８、２９）・・突起、
（３０）・・段差、 （３１）・・テーパ、
Claims (13)
- 【請求項１】 間隙（９）を介して配置された複数の支
持板（２、３）と、複数の該支持板（２、３）に隣接し
て配置された複数の外部リード（７）と、複数の該外部
リード（７）に対し直角に配置され且つ該外部リード
（７）を連結する連結条（１７、１８）とを備えた半導
体装置用リードフレームにおいて、 前記間隙（９）を形成する複数の前記支持板（２、３）
の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成
した突起（１１、１２）の主面（１１ａ、１２ａ）を、
互いに同一平面にある複数の前記支持板（２、３）の一
方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とし、 前記支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と前
記突起（１１、１２）により前記支持板（２、３）の一
方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２ｂ、３
ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部（１３）を前記間
隙（９）に形成したことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム。 - 【請求項２】 前記間隙（９）は、前記外部リード
（７）に対し並行に形成された第１の間隙部（９ａ）
と、該第１の間隙部（９ａ）に接続して該第１の間隙部
（９ａ）に対し直角に且つ複数の前記外部リード（７）
が整列する方向と並行に形成された第２の間隙部（９
ｂ）と、該第２の間隙部（９ｂ）に接続して該第２の間
隙部（９ｂ）に対して直角で且つ第１の間隙部（９ａ）
に対して並行に形成された第３の間隙部（９ｃ）とを備
え、前記第１の間隙部（９ａ）、第２の間隙部（９ｂ）
及び第３の間隙部（９ｃ）はそれぞれフレア間隙部（１
３）を有する請求項１に記載の半導体装置用リードフレ
ーム。 - 【請求項３】 前記フレア間隙部（１３）は段差（３
０）又はテーパ（３１）により形成される請求項１に記
載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項４】 複数の前記外部リード（７）の少なくと
も１つの外部リード（７ｇ）は前記支持板（２、３）の
一方に直接接続され、複数の前記外部リード（７）の少
なくとも１つの外部リード（７ｉ）は前記支持板（２、
３）の他方に直接接続され、前記第３の間隙部（９ｃ）
は前記支持板（２、３）に直接接続された外部リード
（７ｇ、７ｉ）の間に接続される請求項２に記載の半導
体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 金属板を所定の形状にプレス成形して、
所定の間隔で配置された複数の予備支持板（２０）と、
該予備支持板（２０）の各々の一方の側縁に隣接して並
置された複数の外部リード（７）と、前記予備支持板
（２０）の前記側縁に並行に配置され且つ複数の該外部
リード（７）を連結する連結条（１７、１８）とを有す
る予備成形体（１６）を準備する工程と、 第１のプレス型（２１）により前記予備成形体（１６）
の前記予備支持板（２０）の一部を打ち抜いて前記予備
支持板（２０）を複数の分割予備支持板（２０ａ、２０
ｂ）に分割するギャップ（２４）を形成する工程と、 前記第１のプレス型（２１）の幅より広い幅を有する第
２のプレス型（２２）により前記複数の分割予備支持板
（２０ａ、２０ｂ）の前記ギャップ（２４）側を押圧
し、前記ギャップ（２４）を形成する前記複数の分割予
備支持板（２０ａ、２０ｂ）の対向する内側面（２５
ａ、２５ｂ）に突起（２８、２９）を形成することによ
り、前記支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）
と前記突起（１１、１２）により前記支持板（２、３）
の一方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２ｂ、
３ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部（１３）を前記
ギャップ（２４）に形成する工程とを含むことを特徴と
する半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 更に複数の前記分割予備支持板（２０
ａ、２０ｂ）の前記内側面（２５ａ、２５ｂ）の対向す
る突起（２８、２９）の先端部を前記第１のプレス型
（２１）の幅より狭い幅を有する第３のプレス型（２
３）により同時に切断する工程を含む請求項５に記載の
半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項７】 前記フレア間隙部（１３）を段差（３
０）又はテーパ（３１）に形成する工程を含む請求項５
に記載の半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項８】 間隙（９）を介して配置された複数の支
持板（２、３）と、複数の該支持板（２、３）の少なく
とも一方の主面（２ａ、３ａ）に固着された複数の半導
体素子（４、５）と、前記半導体素子（４、５）の電極
に接続されたリード細線（１０ａ〜１０ｊ）と、前記支
持板（２、３）に隣接して配置された複数の外部リード
（７）と、前記支持板（２、３）、半導体素子（４、
５）、リード細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部リード
（７）の一部を封止する樹脂封止体（８）とを備え、前
記外部リード（７）の端部を前記樹脂封止体（８）から
導出させた樹脂封止型半導体装置において、 前記間隙（９）を形成する複数の前記支持板（２、３）
の対向する内側面（２ｃ、３ｃ）に互いに対向して形成
した突起（１１、１２）の主面（１１ａ、１２ａ）を、
互いに同一平面にある複数の前記支持板（２、３）の一
方の主面（２ａ、３ａ）と同一平面とし、 前記支持板（２、３）の他方の主面（２ｂ、３ｂ）と前
記突起（１１、１２）により前記支持板（２、３）の一
方の主面（２ａ、３ａ）側より他方の主面（２ｂ、３
ｂ）側に幅が拡大されるフレア間隙部（１３）を前記間
隙（９）に形成し、 前記支持板（２、３）の一方の主面（２ａ、３ａ）の延
長上の前記突起（１１、１２）に複数の前記半導体素子
（４、５）の少なくとも１つを固着したことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項９】 前記リード細線（１０ａ〜１０ｊ）の少
なくとも一部は、前記間隙（９）を横断して一方の前記
半導体素子（４）の電極と他方の前記半導体素子（５）
の電極との間を電気的に接続する請求項８に記載の樹脂
封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 複数の前記支持板（２、３）の少なく
とも一方に回路基板（６）を固着し、複数の前記リード
細線（１０ａ〜１０ｊ）の少なくとも一部は前記半導体
素子（４、５）の電極と前記回路基板（６）の電極とを
接続する請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項５に記載の製造方法により製造
した半導体装置用リードフレームの前記支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）の延長上の前記突起
（１１、１２）に複数の前記半導体素子（４、５）の少
なくとも１つを固着する工程と、 前記半導体素子（４、５）の電極にリード細線（１０ａ
〜１０ｊ）を接続する工程と、 前記支持板（２、３）、半導体素子（４、５）、リード
細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部リード（７）の一部を
封止する樹脂封止体（８）を形成する工程と、 前記連結条（１７、１８）を切断して除去し、複数の前
記樹脂封止型半導体装置（１）得る工程とを含むことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項６に記載の製造方法により製造
した半導体装置用リードフレームの前記支持板（２、
３）の一方の主面（２ａ、３ａ）の延長上の前記突起
（１１、１２）に複数の前記半導体素子（４、５）の少
なくとも１つを固着する工程と、 前記半導体素子（４、５）の電極にリード細線（１０ａ
〜１０ｊ）を接続する工程と、 前記支持板（２、３）、半導体素子（４、５）、リード
細線（１０ａ〜１０ｊ）及び外部リード（７）の一部を
封止する樹脂封止体（８）を形成する工程と、 前記連結条（１７、１８）を切断して除去し、複数の樹
脂封止型半導体装置（１）を得る工程とを含むことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 複数の前記支持板（２、３）の少なく
とも一方に回路基板（６）を固着する工程と、複数の前
記リード細線（１０ａ〜１０ｊ）の少なくとも一部によ
って前記半導体素子（４、５）の電極と前記回路基板
（６）の電極とを接続する工程とを含む請求項１１又は
請求項１２のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06676097A JP3250213B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06676097A JP3250213B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261755A true JPH10261755A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3250213B2 JP3250213B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=13325171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06676097A Expired - Fee Related JP3250213B2 (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250213B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8304902B2 (en) | 2010-03-23 | 2012-11-06 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014027045A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP06676097A patent/JP3250213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8304902B2 (en) | 2010-03-23 | 2012-11-06 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014027045A (ja) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Denso Corp | 半導体装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3250213B2 (ja) | 2002-01-28 |
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