JPH10199409A - シャドウマスクの製造方法 - Google Patents
シャドウマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH10199409A JPH10199409A JP663297A JP663297A JPH10199409A JP H10199409 A JPH10199409 A JP H10199409A JP 663297 A JP663297 A JP 663297A JP 663297 A JP663297 A JP 663297A JP H10199409 A JPH10199409 A JP H10199409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shadow mask
- resist
- solution
- kmno
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メッキ法で高密度・高精細ディスプレー用シ
ャドウマスクを得るに際し、導体基板よりレジストを十
分除去するための方法を提供する。 【解決手段】 導体基板上にレジスト層を形成し、パタ
ーニングした後、露出した導体基板表面に電気メッキ
し、レジストを除去し、メッキ層と導体基板とを分離し
てシャドウマスクを得る、あるいはメッキ層と導体基板
とを分離した後レジスト層を除去することによりシャド
ウマスクを得る方法において、レジスト層をｐＨ１０以
上のＫＭｎＯ4 溶液を用いて除去するように構成されて
いる。
ャドウマスクを得るに際し、導体基板よりレジストを十
分除去するための方法を提供する。 【解決手段】 導体基板上にレジスト層を形成し、パタ
ーニングした後、露出した導体基板表面に電気メッキ
し、レジストを除去し、メッキ層と導体基板とを分離し
てシャドウマスクを得る、あるいはメッキ層と導体基板
とを分離した後レジスト層を除去することによりシャド
ウマスクを得る方法において、レジスト層をｐＨ１０以
上のＫＭｎＯ4 溶液を用いて除去するように構成されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高精細ブラウン管
用シャドウマスクの製造方法に関する。
用シャドウマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシャドウマスクは、鋼板にレジス
トを塗布し、所望のマスクを用いて、パターニングし、
塩化第二鉄溶液で露出している鉄部をエッチングして除
去し、次いでレジストを除去して形成されている。しか
し、高精密・高精細ディスプレー用のカラー受像管内に
装着されるシャドウマスクでは、電子ビーム通過部の孔
径やスリット幅は極めて微細になってきている。加え
て、加工精度も極めて高いものが要求されるに到ってい
る。従来のエッチング法でこのような高精度・高精細デ
ィスプレー用シャドウマスクを作成しようとすると、寸
法精度不良による製品歩留りが極めて低くなる。加え
て、エッチング廃液の処理に手間がかかる等の欠点があ
る。
トを塗布し、所望のマスクを用いて、パターニングし、
塩化第二鉄溶液で露出している鉄部をエッチングして除
去し、次いでレジストを除去して形成されている。しか
し、高精密・高精細ディスプレー用のカラー受像管内に
装着されるシャドウマスクでは、電子ビーム通過部の孔
径やスリット幅は極めて微細になってきている。加え
て、加工精度も極めて高いものが要求されるに到ってい
る。従来のエッチング法でこのような高精度・高精細デ
ィスプレー用シャドウマスクを作成しようとすると、寸
法精度不良による製品歩留りが極めて低くなる。加え
て、エッチング廃液の処理に手間がかかる等の欠点があ
る。
【０００３】このため、最近ではメッキ法によるシャド
ウマスクの作成が試みられている。この方法は、ステン
レス、チタンなどの導体基板にレジスト層を設け、パタ
ーニングした後、露出した導体基板部上に電気的メッキ
を施し、シャドウマスクを形成し、残存するレジスト層
を除去し、次いでシャドウマスクと導体基板とを分離す
るものである。
ウマスクの作成が試みられている。この方法は、ステン
レス、チタンなどの導体基板にレジスト層を設け、パタ
ーニングした後、露出した導体基板部上に電気的メッキ
を施し、シャドウマスクを形成し、残存するレジスト層
を除去し、次いでシャドウマスクと導体基板とを分離す
るものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ハイビジョ
ンや産業用ディスプレーに用いられるシャドウマスクは
スリット幅が極めて狭く、十数ミクロンのレジストパタ
ーンが要求されるため、上記メッキ法による製造方法が
検討されている。
ンや産業用ディスプレーに用いられるシャドウマスクは
スリット幅が極めて狭く、十数ミクロンのレジストパタ
ーンが要求されるため、上記メッキ法による製造方法が
検討されている。
【０００５】通常、レジストとしてはアルカリ膨潤タイ
プのものが使用される。このタイプのものは、アルカリ
処理により膨潤し、その力により基板より簡単、かつ確
実に剥離するからである。しかし、本発明にかかる高密
度・高精細ディスプレー用シャドウマスクでは膨潤によ
る力が不十分となり、十分に除去できなくなるという問
題があった。本発明は、メッキ法で高密度・高精細ディ
スプレー用シャドウマスクを得るに際し、導体基板より
レジストを十分除去するための方法を提供することを目
的としている。
プのものが使用される。このタイプのものは、アルカリ
処理により膨潤し、その力により基板より簡単、かつ確
実に剥離するからである。しかし、本発明にかかる高密
度・高精細ディスプレー用シャドウマスクでは膨潤によ
る力が不十分となり、十分に除去できなくなるという問
題があった。本発明は、メッキ法で高密度・高精細ディ
スプレー用シャドウマスクを得るに際し、導体基板より
レジストを十分除去するための方法を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るシャドウマスクの製造方法は、請求項
１に記載の発明によれば、導体基板上にレジスト層を形
成し、パターニングした後、露出した導体基板表面に電
気メッキし、レジストを除去し、メッキ層と導体基板と
を分離してシャドウマスクを得る、あるいはメッキ層と
導体基板とを分離した後レジスト層を除去することによ
りシャドウマスクを得る方法において、レジスト層をｐ
Ｈ１０以上のＫＭｎＯ4 溶液を用いて除去することを特
徴としている。また、請求項２に記載の発明によれば、
ＫＭｎＯ4 溶液の温度を５５°Ｃ以上とすることを特徴
としている。また、請求項３に記載の発明によれば、Ｋ
ＭｎＯ4 溶液の濃度が、２０〜１００ｇ／リットルであ
ることを特徴としている。なお、本発明の方法を実施す
るに際して、ＫＭｎＯ4 溶液に導体基板ごと、或いは分
離したシャドウマスクを浸漬しても良く、ＫＭｎＯ4 溶
液を吹きつけてもよい。
に、本発明に係るシャドウマスクの製造方法は、請求項
１に記載の発明によれば、導体基板上にレジスト層を形
成し、パターニングした後、露出した導体基板表面に電
気メッキし、レジストを除去し、メッキ層と導体基板と
を分離してシャドウマスクを得る、あるいはメッキ層と
導体基板とを分離した後レジスト層を除去することによ
りシャドウマスクを得る方法において、レジスト層をｐ
Ｈ１０以上のＫＭｎＯ4 溶液を用いて除去することを特
徴としている。また、請求項２に記載の発明によれば、
ＫＭｎＯ4 溶液の温度を５５°Ｃ以上とすることを特徴
としている。また、請求項３に記載の発明によれば、Ｋ
ＭｎＯ4 溶液の濃度が、２０〜１００ｇ／リットルであ
ることを特徴としている。なお、本発明の方法を実施す
るに際して、ＫＭｎＯ4 溶液に導体基板ごと、或いは分
離したシャドウマスクを浸漬しても良く、ＫＭｎＯ4 溶
液を吹きつけてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明する
に先立ち、本発明に係るシャドウマスクの製造方法にお
ける作用について説明する。メッキ法で得られた高密度
・高精細ディスプレー用のシャドウマスクは、例えば、
トリニトロン方式では、スリット形成部分の金属部の幅
が１０００ミクロン以下、スリット部の幅が２５ミクロ
ン以下となるため、微細形状のレジスト層が金属部に相
対的に強固に挟まれることになる。このため、通常の膨
潤力による応力では導体基板表面より剥離しない。
に先立ち、本発明に係るシャドウマスクの製造方法にお
ける作用について説明する。メッキ法で得られた高密度
・高精細ディスプレー用のシャドウマスクは、例えば、
トリニトロン方式では、スリット形成部分の金属部の幅
が１０００ミクロン以下、スリット部の幅が２５ミクロ
ン以下となるため、微細形状のレジスト層が金属部に相
対的に強固に挟まれることになる。このため、通常の膨
潤力による応力では導体基板表面より剥離しない。
【０００８】そこで、視点を変えて、レジスト層を分解
させることで本課題を解決できるのではないかと考え、
種々検討し本発明に到った。本発明においては、レジス
ト層を分解するためにＫＭｎＯ4 溶液を用いることによ
って、ＫＭｎＯ4 によりレジスト成分の酸化反応が進行
してレジスト層が破壊される。破壊されたレジスト層は
部分的に溶解し、部分的に微細な断片に分割される。Ｋ
ＭｎＯ4 溶液の温度は反応速度に影響し、十分な反応速
度を得るためには５５°Ｃ以上、好ましくは６５°Ｃ以
上とすることが好ましい。レジストを剥離するためのＫ
ＭｎＯ4 溶液の濃度は２０〜１００ｇ／リットルが好ま
しく、あまり薄ければレジストは残存し、高すぎればシ
ャドウマスクを傷めることになる。ＫＭｎＯ4 溶液の酸
化力を確保するためには溶液のｐＨは１０以上とするこ
とが好ましい。なお、本発明の方法においてＫＭｎＯ4
溶液によるレジスト除去の可否は主としてＫＭｎＯ4 溶
液の濃度と処理温度とに依存し、時間への依存度は小さ
い。
させることで本課題を解決できるのではないかと考え、
種々検討し本発明に到った。本発明においては、レジス
ト層を分解するためにＫＭｎＯ4 溶液を用いることによ
って、ＫＭｎＯ4 によりレジスト成分の酸化反応が進行
してレジスト層が破壊される。破壊されたレジスト層は
部分的に溶解し、部分的に微細な断片に分割される。Ｋ
ＭｎＯ4 溶液の温度は反応速度に影響し、十分な反応速
度を得るためには５５°Ｃ以上、好ましくは６５°Ｃ以
上とすることが好ましい。レジストを剥離するためのＫ
ＭｎＯ4 溶液の濃度は２０〜１００ｇ／リットルが好ま
しく、あまり薄ければレジストは残存し、高すぎればシ
ャドウマスクを傷めることになる。ＫＭｎＯ4 溶液の酸
化力を確保するためには溶液のｐＨは１０以上とするこ
とが好ましい。なお、本発明の方法においてＫＭｎＯ4
溶液によるレジスト除去の可否は主としてＫＭｎＯ4 溶
液の濃度と処理温度とに依存し、時間への依存度は小さ
い。
【０００９】次に実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。第１実施例 導体基板として縦２００ｍｍ、横１５０ｍｍ、厚さ０．
３ｍｍのステンレス鋼板を用い、この鋼板の表面に感光
性レジストを塗布し、幅５０ミクロン、間隔１５ミクロ
ンのスリットを持つ写真製板用マスクを乗せて感光し、
現像してパターンを形成した。その後、表１に示す組成
のメッキ液を用い、表２の条件で露出した導体表面に電
気鉄メッキを行った。その後、温度６５°Ｃ，ｐＨ１
１，及び濃度２０ｇ／リットルのＫＭｎＯ4 溶液に１０
分間浸漬し、レジストの除去を行った。その後、電着物
を導体基板より剥離し、シャドウマスクを得た。得られ
たシャドウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査
した結果、スリット部にレジストの残留は認められなか
った。
に説明する。第１実施例 導体基板として縦２００ｍｍ、横１５０ｍｍ、厚さ０．
３ｍｍのステンレス鋼板を用い、この鋼板の表面に感光
性レジストを塗布し、幅５０ミクロン、間隔１５ミクロ
ンのスリットを持つ写真製板用マスクを乗せて感光し、
現像してパターンを形成した。その後、表１に示す組成
のメッキ液を用い、表２の条件で露出した導体表面に電
気鉄メッキを行った。その後、温度６５°Ｃ，ｐＨ１
１，及び濃度２０ｇ／リットルのＫＭｎＯ4 溶液に１０
分間浸漬し、レジストの除去を行った。その後、電着物
を導体基板より剥離し、シャドウマスクを得た。得られ
たシャドウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査
した結果、スリット部にレジストの残留は認められなか
った。
【００１０】第２〜５実施例 ＫＭｎＯ4 溶液の濃度をそれぞれ４０，６０，８０，及
び１００ｇ／リットルとした以外は第１実施例と同様に
してシャドウマスクを得た。得られたシャドウマスクを
透過光に透かしてスリット部を検査した結果、スリット
部にレジストの残留は認められなかった。
び１００ｇ／リットルとした以外は第１実施例と同様に
してシャドウマスクを得た。得られたシャドウマスクを
透過光に透かしてスリット部を検査した結果、スリット
部にレジストの残留は認められなかった。
【００１１】第６実施例 ＫＭｎＯ4 溶液のｐＨを１０以上とした以外は第１実施
例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られたシャド
ウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査した結
果、スリット部にレジストの残留は認められなかった。
例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られたシャド
ウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査した結
果、スリット部にレジストの残留は認められなかった。
【００１２】比較例１ ＫＭｎＯ4 溶液の濃度を１０ｇ／リットルとした以外は
第１実施例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られ
たシャドウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査
した結果、スリット部の各所にレジストの残留が認めら
れた。
第１実施例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られ
たシャドウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査
した結果、スリット部の各所にレジストの残留が認めら
れた。
【００１３】比較例２ ＫＭｎＯ4 溶液のｐＨを９．５とした以外は、第１実施
例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られたシャド
ウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査した結
果、スリット部の各所にレジストの残留が認められた。
例と同様にしてシャドウマスクを得た。得られたシャド
ウマスクを透過光に透かしてスリット部を検査した結
果、スリット部の各所にレジストの残留が認められた。
【００１４】比較例３ ＫＭｎＯ4 溶液の濃度を１１０ｇ／リットルとした以外
は第１実施例と同様にしてシャドウマスクを得た。得ら
れたシャドウマスクは強い酸化力で痛んでいたため、本
条件は採用できないことが分かった。
は第１実施例と同様にしてシャドウマスクを得た。得ら
れたシャドウマスクは強い酸化力で痛んでいたため、本
条件は採用できないことが分かった。
【００１５】従来例 ＫＭｎＯ4 溶液の代わりに４％ＮａＯＨ溶液を用いて、
レジスト除去を行った以外は第１実施例と同様にしてシ
ャドウマスクを得た。得られたシャドウマスクを透過光
に透かしてスリット部を検査した結果、スリット部の各
所にレジストの残留が認められた。
レジスト除去を行った以外は第１実施例と同様にしてシ
ャドウマスクを得た。得られたシャドウマスクを透過光
に透かしてスリット部を検査した結果、スリット部の各
所にレジストの残留が認められた。
【００１６】
【発明の効果】本発明の方法によれば、極めて狭いスリ
ット内のレジスト層を確実に除去できるため、高密度・
高精細のシャドウマスクを簡便、かつ容易に製造するこ
とができる。
ット内のレジスト層を確実に除去できるため、高密度・
高精細のシャドウマスクを簡便、かつ容易に製造するこ
とができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 導体基板上にレジスト層を形成し、パタ
ーニングした後、露出した導体基板表面に電気メッキ
し、レジストを除去し、メッキ層と導体基板とを分離し
てシャドウマスクを得る、あるいはメッキ層と導体基板
とを分離した後レジスト層を除去することによりシャド
ウマスクを得る方法において、 レジスト層をｐＨ１０以上のＫＭｎＯ4 溶液を用いて除
去することを特徴とするシャドウマスクの製造方法。 - 【請求項２】上記ＫＭｎＯ4 溶液の温度が、５５度以上
であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】上記ＫＭｎＯ4 溶液の濃度が、２０〜１０
０ｇ／リットルであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP663297A JPH10199409A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | シャドウマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP663297A JPH10199409A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | シャドウマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199409A true JPH10199409A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11643748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP663297A Pending JPH10199409A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | シャドウマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199409A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010053822A (ko) * | 1999-12-01 | 2001-07-02 | 김정식 | 다각형 마스타섀도마스크 및 이를 만드는 가공 방법과다각형 마스타섀도마스크를 이용한 전주가공에 의한섀도마스크 제조방법 |
| JP2009533706A (ja) * | 2006-04-13 | 2009-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | 金属電極の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP663297A patent/JPH10199409A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010053822A (ko) * | 1999-12-01 | 2001-07-02 | 김정식 | 다각형 마스타섀도마스크 및 이를 만드는 가공 방법과다각형 마스타섀도마스크를 이용한 전주가공에 의한섀도마스크 제조방법 |
| JP2009533706A (ja) * | 2006-04-13 | 2009-09-17 | コーロン インダストリーズ インク | 金属電極の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5335893B2 (ja) | ガス電子増倍管の製造方法 | |
| DE69111890T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtleiterplatte. | |
| EP0668712B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Strukturierungen | |
| US5298117A (en) | Etching of copper-containing devices | |
| JPH10199409A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| US5578341A (en) | Method of manufacturing printed circuit board by a build-up technique | |
| US5620558A (en) | Etching of copper-containing devices | |
| JP2017123387A (ja) | 配線基板の製造方法、配線基板 | |
| JPH08186373A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| EP3853883B1 (de) | Verfahren zum strukturieren eines substrats | |
| JPH05283486A (ja) | ポリイミドフィルムのエッチング方法 | |
| KR20050028377A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 금속 버스 전극 제조방법 | |
| JPH0629647A (ja) | フォトレジストの剥離方法 | |
| JP2001052605A (ja) | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 | |
| JP3187630B2 (ja) | 電鋳法 | |
| JPH08199389A (ja) | 電解メッキ方法および微細パターン作製方法 | |
| JPH10223136A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JP3099992B2 (ja) | 導体基板からのシャドウマスクの剥離方法 | |
| JPH05129490A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3191686B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPH11111168A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JP2000243310A (ja) | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 | |
| JPS61127874A (ja) | 微細金形状形成方法 | |
| JPS6372889A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH06192880A (ja) | シャドウマスクの製造方法 |