JP2001052605A - 高精細シャドウマスク及びその製造方法 - Google Patents
高精細シャドウマスク及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高精細シャドウマスクの開口部（貫通孔）４の
透過率のばらつきの少ない高精細シャドウマスクを提供
すること。その製造方法を提供すること。 【解決手段】金属基板の片面に大孔２を化学エッチング
により形成し、他面に小孔３を電解エッチングにより形
成し、貫通孔４を設けたこと。金属基板の片面に大孔を
化学エッチングにより形成し、次に他面に小孔を電解エ
ッチングにより形成し、貫通孔を設けること。
透過率のばらつきの少ない高精細シャドウマスクを提供
すること。その製造方法を提供すること。 【解決手段】金属基板の片面に大孔２を化学エッチング
により形成し、他面に小孔３を電解エッチングにより形
成し、貫通孔４を設けたこと。金属基板の片面に大孔を
化学エッチングにより形成し、次に他面に小孔を電解エ
ッチングにより形成し、貫通孔を設けること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ、コンピュ
ーターなどのディスプレーのブラウン管中に用いられる
シャドウマスクに関するものであり、特に、高精細シャ
ドウマスク、及びその製造方法に関するものである。
ーターなどのディスプレーのブラウン管中に用いられる
シャドウマスクに関するものであり、特に、高精細シャ
ドウマスク、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、シャドウマスクの高精細化、大画
面化が進み、金属基材の薄型化も進んでいる。高精細化
が進むにつれて、シャドウマスクの開口部（貫通孔）を
通過する電子線を十分に確保するのが難しい状況にあ
る。
面化が進み、金属基材の薄型化も進んでいる。高精細化
が進むにつれて、シャドウマスクの開口部（貫通孔）を
通過する電子線を十分に確保するのが難しい状況にあ
る。
【０００３】シャドウマスクは、その貫通孔の表裏寸法
の異なる複雑な断面形状から、製造方法としてはフォト
リソグラフィー法による化学エッチングが多く用いられ
ている。この製造方法は、フォトリソグラフィー法によ
り金属基板の表裏に所定の寸法を有する大孔及び小孔の
レジストパターンを形成した後、その両面から化学エッ
チングによりレジストパターンの金属露出部に貫通孔を
形成し、その後レジストパターンを剥離工程にて除去し
て製造するものである。
の異なる複雑な断面形状から、製造方法としてはフォト
リソグラフィー法による化学エッチングが多く用いられ
ている。この製造方法は、フォトリソグラフィー法によ
り金属基板の表裏に所定の寸法を有する大孔及び小孔の
レジストパターンを形成した後、その両面から化学エッ
チングによりレジストパターンの金属露出部に貫通孔を
形成し、その後レジストパターンを剥離工程にて除去し
て製造するものである。
【０００４】この製造方法においては、例えば、第一の
化学エッチングにより基板両面の所定箇所を所定量だけ
エッチングした後、その片面に保護層を形成し、次に、
第二の化学エッチングを大孔側より行うことにより、第
一の化学エッチングで形成された部分の形状及び寸法が
保護層により確保された状態で貫通孔の形成が可能とな
るので、高精細なシャドウマスク製造が可能となる。
化学エッチングにより基板両面の所定箇所を所定量だけ
エッチングした後、その片面に保護層を形成し、次に、
第二の化学エッチングを大孔側より行うことにより、第
一の化学エッチングで形成された部分の形状及び寸法が
保護層により確保された状態で貫通孔の形成が可能とな
るので、高精細なシャドウマスク製造が可能となる。
【０００５】しかし、この化学エッチングは等方性の強
い加工方法であり、所定の開口寸法を得るためには貫通
孔横方向への余分な加工（サイドエッチ）が発生し、ま
た、貫通孔の断面形状は貫通部にテーパを生じる“ひょ
うたん型" となる。このテーパ部は寸法的に安定しない
ため、製造されたシャドウマスクの透過率にばらつきを
生じる原因となり、特に、高精細シャドウマスクでは問
題となっている。
い加工方法であり、所定の開口寸法を得るためには貫通
孔横方向への余分な加工（サイドエッチ）が発生し、ま
た、貫通孔の断面形状は貫通部にテーパを生じる“ひょ
うたん型" となる。このテーパ部は寸法的に安定しない
ため、製造されたシャドウマスクの透過率にばらつきを
生じる原因となり、特に、高精細シャドウマスクでは問
題となっている。
【０００６】図２は、このような化学エッチングにより
製造されたシャドウマスクの一例の部分断面図である。
図２に示すように、このような従来の化学エッチングに
よるシャドウマスク（２０）の断面は、金属基板（２
１）の片面に大孔（２２）が形成され、他面に小孔（２
３）が形成され、開口部（貫通孔）（２４）が設けられ
ている。大孔（２２）には、テーパ部（２５）があり、
また、小孔（２３）にもテーパ部（２６）がある。そし
て、開口部（貫通孔）のエッジ（２７）の寸法は不安定
なため開口部（貫通孔）（２４）の開口寸法は不安定な
ものである。
製造されたシャドウマスクの一例の部分断面図である。
図２に示すように、このような従来の化学エッチングに
よるシャドウマスク（２０）の断面は、金属基板（２
１）の片面に大孔（２２）が形成され、他面に小孔（２
３）が形成され、開口部（貫通孔）（２４）が設けられ
ている。大孔（２２）には、テーパ部（２５）があり、
また、小孔（２３）にもテーパ部（２６）がある。そし
て、開口部（貫通孔）のエッジ（２７）の寸法は不安定
なため開口部（貫通孔）（２４）の開口寸法は不安定な
ものである。
【０００７】また、高精細シャドウマスクの製造時に不
可欠となる上記保護層は、十分なエッチング耐性を必要
とするため、レジストパターンに比べ剥離性に劣る場合
が多く、剥離工程で残留したり、或いは残留した保護層
の除去のため剥離条件を強力にすると製品の変形を生じ
たり、特に、すだれ形状（アパーチャグリル）の際や、
金属材料が薄板の際に大きな問題となっている。
可欠となる上記保護層は、十分なエッチング耐性を必要
とするため、レジストパターンに比べ剥離性に劣る場合
が多く、剥離工程で残留したり、或いは残留した保護層
の除去のため剥離条件を強力にすると製品の変形を生じ
たり、特に、すだれ形状（アパーチャグリル）の際や、
金属材料が薄板の際に大きな問題となっている。
【０００８】化学エッチング以外の加工法としては、比
較的サイドエッチの少ない電解エッチングが挙げられる
が、通常、加工される金属材料への通電が必要となり、
量産時に用いられるコイル状の金属材料の加工への適用
は困難なものである。
較的サイドエッチの少ない電解エッチングが挙げられる
が、通常、加工される金属材料への通電が必要となり、
量産時に用いられるコイル状の金属材料の加工への適用
は困難なものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、製造された高
精細シャドウマスクにおいて、開口部（貫通孔）の開口
寸法が安定した、すなわち、開口部（貫通孔）の透過率
のばらつきの少ない高精細シャドウマスクを提供するこ
とを課題とするものである。また、高精細シャドウマス
クの製造において、サイドエッチを発生させず、レジス
トを残留させず、また、金属材料への通電を必要としな
い高精細シャドウマスクの製造方法を提供することを課
題とするものである。
点を解決するためになされたものであり、製造された高
精細シャドウマスクにおいて、開口部（貫通孔）の開口
寸法が安定した、すなわち、開口部（貫通孔）の透過率
のばらつきの少ない高精細シャドウマスクを提供するこ
とを課題とするものである。また、高精細シャドウマス
クの製造において、サイドエッチを発生させず、レジス
トを残留させず、また、金属材料への通電を必要としな
い高精細シャドウマスクの製造方法を提供することを課
題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属基板の片
面に大孔を化学エッチングにより形成し、次に他面に小
孔を電解エッチングにより形成して貫通孔を設けたこと
を特徴とする高精細シャドウマスクである。
面に大孔を化学エッチングにより形成し、次に他面に小
孔を電解エッチングにより形成して貫通孔を設けたこと
を特徴とする高精細シャドウマスクである。
【００１１】また、本発明は、高精細シャドウマスクの
製造において、金属基板の片面に大孔を化学エッチング
により形成し、次に他面に小孔を電解エッチングにより
形成して貫通孔を設けることを特徴とする高精細シャド
ウマスクの製造方法である。
製造において、金属基板の片面に大孔を化学エッチング
により形成し、次に他面に小孔を電解エッチングにより
形成して貫通孔を設けることを特徴とする高精細シャド
ウマスクの製造方法である。
【００１２】また、本発明は、上記発明による高精細シ
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電解液が硝酸ナトリウム水溶液であることを特徴とす
る高精細シャドウマスクの製造方法である。
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電解液が硝酸ナトリウム水溶液であることを特徴とす
る高精細シャドウマスクの製造方法である。
【００１３】また、本発明は、上記発明による高精細シ
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電解液中の金属基板の小孔側に陰極、大孔側に陽極を
設けて電解エッチングすることを特徴とする高精細シャ
ドウマスクの製造方法である。
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電解液中の金属基板の小孔側に陰極、大孔側に陽極を
設けて電解エッチングすることを特徴とする高精細シャ
ドウマスクの製造方法である。
【００１４】また、本発明は、上記発明による高精細シ
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電極の材料が電解液中で溶解しない材料であることを
特徴とする高精細シャドウマスクの製造方法である。
ャドウマスクの製造方法において、前記電解エッチング
の電極の材料が電解液中で溶解しない材料であることを
特徴とする高精細シャドウマスクの製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１は、本発明による高精細シャドウマスクの
一実施例の部分断面図である。図１に示すように、高精
細シャドウマスク（１０）の断面は、金属基板（１１）
の片面に大孔（１２）が形成され、他面に小孔（１３）
が形成され、開口部（貫通孔）（１４）が設けられてい
る。大孔（１２）には、テーパ部（１５）があるが、小
孔（１３）には、テーパ部がなく、小孔は金属基板（１
１）の面に直角の状態（１６）である。そして、開口部
（貫通孔）のエッジ（１７）の寸法は安定なため開口部
（貫通孔）（１４）の開口寸法は安定したものとなって
いる。
明する。図１は、本発明による高精細シャドウマスクの
一実施例の部分断面図である。図１に示すように、高精
細シャドウマスク（１０）の断面は、金属基板（１１）
の片面に大孔（１２）が形成され、他面に小孔（１３）
が形成され、開口部（貫通孔）（１４）が設けられてい
る。大孔（１２）には、テーパ部（１５）があるが、小
孔（１３）には、テーパ部がなく、小孔は金属基板（１
１）の面に直角の状態（１６）である。そして、開口部
（貫通孔）のエッジ（１７）の寸法は安定なため開口部
（貫通孔）（１４）の開口寸法は安定したものとなって
いる。
【００１６】図３（ａ）、（ｂ）は、本発明による高精
細シャドウマスクの製造方法における電解エッチングを
説明する模式図である。図３（ａ）、（ｂ）は、電解エ
ッチングされる金属基板（１）、陰極（３０）、陽極
（４０）が電解液中に浸漬された状態の位置関係を示し
ている。図３（ａ）は、電解エッチングされる前の状態
であり、また、図３（ｂ）は、電解エッチングされた後
の状態である。
細シャドウマスクの製造方法における電解エッチングを
説明する模式図である。図３（ａ）、（ｂ）は、電解エ
ッチングされる金属基板（１）、陰極（３０）、陽極
（４０）が電解液中に浸漬された状態の位置関係を示し
ている。図３（ａ）は、電解エッチングされる前の状態
であり、また、図３（ｂ）は、電解エッチングされた後
の状態である。
【００１７】図３（ａ）において、電解エッチングされ
る金属基板（１）は、金属基板（１）の片面には大孔用
レジストパターン（５０）、他面には小孔用レジストパ
ターン（６０）が形成されており、金属基板（１）の片
面には大孔（２）が化学エッチングによって形成された
ものである。尚、この大孔側にはサイドエッチが発生し
ている。図３（ａ）に示すように、小孔用レジストパタ
ーン（６０）が形成された金属基板（１）の小孔側を陰
極（３０）に対向させ、また、大孔側を陽極（４０）に
対向させている。
る金属基板（１）は、金属基板（１）の片面には大孔用
レジストパターン（５０）、他面には小孔用レジストパ
ターン（６０）が形成されており、金属基板（１）の片
面には大孔（２）が化学エッチングによって形成された
ものである。尚、この大孔側にはサイドエッチが発生し
ている。図３（ａ）に示すように、小孔用レジストパタ
ーン（６０）が形成された金属基板（１）の小孔側を陰
極（３０）に対向させ、また、大孔側を陽極（４０）に
対向させている。
【００１８】このような配置にて電解エッチングを行う
ことにより、図３（ｂ）に示すような小孔（３）が形成
され、開口部（貫通孔）（４）が設けられる。この小孔
側にはサイドエッチが発生せず、テーパ部がなく、小孔
は金属基板（１）の面に直角の状態（６）である。そし
て、開口部（貫通孔）のエッジ（７）の寸法は安定なた
め開口部（貫通孔）（４）の開口寸法は安定したものと
なる。
ことにより、図３（ｂ）に示すような小孔（３）が形成
され、開口部（貫通孔）（４）が設けられる。この小孔
側にはサイドエッチが発生せず、テーパ部がなく、小孔
は金属基板（１）の面に直角の状態（６）である。そし
て、開口部（貫通孔）のエッジ（７）の寸法は安定なた
め開口部（貫通孔）（４）の開口寸法は安定したものと
なる。
【００１９】このような電気化学反応により金属基板を
溶解・除去する電解エッチングでは、その電流密度分布
により金属溶解量が決定するものであり、特に、貫通孔
の形成開始の直後にその部分に電流密度が集中する性質
を有するため、化学エッチングにおけるような等方性に
よる貫通孔の横方向への余分な加工（サイドエッチ）が
発生せず、貫通部にはテーパのない形状、すなわち、金
属基板の面に直角な貫通孔となる異方性の加工が可能と
なる。
溶解・除去する電解エッチングでは、その電流密度分布
により金属溶解量が決定するものであり、特に、貫通孔
の形成開始の直後にその部分に電流密度が集中する性質
を有するため、化学エッチングにおけるような等方性に
よる貫通孔の横方向への余分な加工（サイドエッチ）が
発生せず、貫通部にはテーパのない形状、すなわち、金
属基板の面に直角な貫通孔となる異方性の加工が可能と
なる。
【００２０】また、電解液として、硝酸ナトリウムを用
いる電解エッチングにおいては、エッチング面に不導体
被膜を生じながらエッチングが進行する性質があり、特
に２００μｍ以上のレジスト開口幅の広い部分では不導
体被膜形成によるエッチング抑制効果が大きくエッチン
グが進行しにくいものである。
いる電解エッチングにおいては、エッチング面に不導体
被膜を生じながらエッチングが進行する性質があり、特
に２００μｍ以上のレジスト開口幅の広い部分では不導
体被膜形成によるエッチング抑制効果が大きくエッチン
グが進行しにくいものである。
【００２１】更に、金属基板自体に通電をせず、別な陰
極及び陽極を用い、両極間に金属基板を置き加工する方
法では、陰極に面した加工面が優先的溶解するため、小
孔側を陰極側に向けれて電解エッチングすることによ
り、大孔への保護層の形成なしに小孔側のみ加工するこ
とが可能である。このため、保護層の剥離工程で残留が
生じたり、保護層の完全除去のため剥離条件を強力にす
ることによる製品の変形が生じることがないものとな
る。
極及び陽極を用い、両極間に金属基板を置き加工する方
法では、陰極に面した加工面が優先的溶解するため、小
孔側を陰極側に向けれて電解エッチングすることによ
り、大孔への保護層の形成なしに小孔側のみ加工するこ
とが可能である。このため、保護層の剥離工程で残留が
生じたり、保護層の完全除去のため剥離条件を強力にす
ることによる製品の変形が生じることがないものとな
る。
【００２２】このように、第一の化学エッチングにより
金属基板（１）の片面に大孔（２）を形成し、第二のエ
ッチングとして電解エッチングにより金属基板（１）の
片面に小孔（３）を形成し、開口部（貫通孔）（４）を
設けることにより、小孔側にはサイドエッチが発生せ
ず、テーパ部がなく、小孔は金属基板（１）の面に直角
の状態（６）で、開口部（貫通孔）（４）の開口寸法が
安定した高精細シャドウマスクの製造が可能となる。
金属基板（１）の片面に大孔（２）を形成し、第二のエ
ッチングとして電解エッチングにより金属基板（１）の
片面に小孔（３）を形成し、開口部（貫通孔）（４）を
設けることにより、小孔側にはサイドエッチが発生せ
ず、テーパ部がなく、小孔は金属基板（１）の面に直角
の状態（６）で、開口部（貫通孔）（４）の開口寸法が
安定した高精細シャドウマスクの製造が可能となる。
【００２３】本発明における高精細シャドウマスクの製
造方法によれば、例えば、小孔の開口部（貫通孔）径１
００μｍ、大孔の開口径２５０μｍ程度の高精細シャド
ウマスクの製造が可能である。また、本発明における高
精細シャドウマスクの製造方法では、保護層の形成を行
わないため、工程の簡素化が可能であり、保護層剥離時
に生じる不良の発生がないため、収率を向上する事が出
来る。
造方法によれば、例えば、小孔の開口部（貫通孔）径１
００μｍ、大孔の開口径２５０μｍ程度の高精細シャド
ウマスクの製造が可能である。また、本発明における高
精細シャドウマスクの製造方法では、保護層の形成を行
わないため、工程の簡素化が可能であり、保護層剥離時
に生じる不良の発生がないため、収率を向上する事が出
来る。
【００２４】図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明による高精
細シャドウマスクの製造方法の一実施例の工程を断面で
示す説明図である。具体的には、フォトレジストとして
水溶性レジスト（Ｒ１７：富士薬品工業（株）製）を用
い、水溶性レジストを、板厚１３０μｍの鉄合金基板
（ＹＥＴ３６：日立金属（株）製）上に、ディップコー
ティングにより塗布し、６０℃・３０分の乾燥を行い、
基板（１）両面上にフォトレジスト層（７０）を形成し
た。（図４（ａ））
細シャドウマスクの製造方法の一実施例の工程を断面で
示す説明図である。具体的には、フォトレジストとして
水溶性レジスト（Ｒ１７：富士薬品工業（株）製）を用
い、水溶性レジストを、板厚１３０μｍの鉄合金基板
（ＹＥＴ３６：日立金属（株）製）上に、ディップコー
ティングにより塗布し、６０℃・３０分の乾燥を行い、
基板（１）両面上にフォトレジスト層（７０）を形成し
た。（図４（ａ））
【００２５】次に、水溶性レジストを用いて形成した基
板のフォトレジスト層に、パターンを描いたネガ型のフ
ォトマスクを通して、３ｋＷの超高圧水銀灯で、積算光
量で１５００ｍＪ／ｃｍ2 だけ露光した。フォトマスク
上の描画パターンとしては、円形状を有し、円の直径が
小孔用８０μｍ、大孔用１２０μｍであるものを用い
た。
板のフォトレジスト層に、パターンを描いたネガ型のフ
ォトマスクを通して、３ｋＷの超高圧水銀灯で、積算光
量で１５００ｍＪ／ｃｍ2 だけ露光した。フォトマスク
上の描画パターンとしては、円形状を有し、円の直径が
小孔用８０μｍ、大孔用１２０μｍであるものを用い
た。
【００２６】露光後、一般の上水を現像液として９０秒
間スプレー噴霧し、フォトレジスト層の未露光部分を除
去（現像）し、小孔側フォトレジストパターン（６
０）、大孔側フォトレジストパターン（５０）を形成し
た。（図４（ｂ））
間スプレー噴霧し、フォトレジスト層の未露光部分を除
去（現像）し、小孔側フォトレジストパターン（６
０）、大孔側フォトレジストパターン（５０）を形成し
た。（図４（ｂ））
【００２７】次に、上記基板の金属露出部の大孔側のみ
を、比重１．５０、温度７０℃の塩化第二鉄溶液をエッ
チング液として、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2 で６分間噴
霧する化学エッチングにより大孔（２）を形成した。
（図４（ｃ））
を、比重１．５０、温度７０℃の塩化第二鉄溶液をエッ
チング液として、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2 で６分間噴
霧する化学エッチングにより大孔（２）を形成した。
（図４（ｃ））
【００２８】次に、陰極及び陽極に白金を用い、電極間
距離を４ｃｍとし、その中間に小孔側が陰極と対向する
ように上記基板を配し、電解エッチングをおこなった。
電解液には１０重量％硝酸ナトリウム水溶液を用い、電
流密度を１０Ａ／ｃｍ 2 とした。（図４（ｄ））
距離を４ｃｍとし、その中間に小孔側が陰極と対向する
ように上記基板を配し、電解エッチングをおこなった。
電解液には１０重量％硝酸ナトリウム水溶液を用い、電
流密度を１０Ａ／ｃｍ 2 とした。（図４（ｄ））
【００２９】電解エッチング後の基板を８０℃のアルカ
リ剥離液中に３分間浸漬し、フォトレジストパターンの
除去を行い、小孔の開口部（貫通孔）径１００μｍ、大
孔の開口径２５０μｍの高精細シャドウマスクを得た。
（図４（ｅ））得られた高精細シャドウマスクは、小孔
は金属基板の面に直角な状態で、開口部（貫通孔）の開
口寸法は安定したものであった。
リ剥離液中に３分間浸漬し、フォトレジストパターンの
除去を行い、小孔の開口部（貫通孔）径１００μｍ、大
孔の開口径２５０μｍの高精細シャドウマスクを得た。
（図４（ｅ））得られた高精細シャドウマスクは、小孔
は金属基板の面に直角な状態で、開口部（貫通孔）の開
口寸法は安定したものであった。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、金属基板の片面に大孔を化学
エッチングにより形成し、次に他面に小孔を電解エッチ
ングにより形成して貫通孔を設けたので、開口部（貫通
孔）の透過率のばらつきの少ない高精細シャドウマスク
となる。
エッチングにより形成し、次に他面に小孔を電解エッチ
ングにより形成して貫通孔を設けたので、開口部（貫通
孔）の透過率のばらつきの少ない高精細シャドウマスク
となる。
【００３１】また、本発明は、高精細シャドウマスクの
製造に際し、金属基板の片面に大孔を化学エッチングに
より形成し、次に他面に小孔を電解エッチングにより形
成して貫通孔を設けるので、サイドエッチを発生させ
ず、レジストを残留させず、また、金属材料への通電を
必要としない高精細シャドウマスクの製造方法となる。
製造に際し、金属基板の片面に大孔を化学エッチングに
より形成し、次に他面に小孔を電解エッチングにより形
成して貫通孔を設けるので、サイドエッチを発生させ
ず、レジストを残留させず、また、金属材料への通電を
必要としない高精細シャドウマスクの製造方法となる。
【図１】本発明による高精細シャドウマスクの一実施例
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図２】化学エッチングにより製造されたシャドウマス
クの一例の部分断面図である。
クの一例の部分断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明による高精細シャド
ウマスクの製造方法における電解エッチングを説明する
模式図である。
ウマスクの製造方法における電解エッチングを説明する
模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明による高精細シャド
ウマスクの製造方法の一実施例の工程を断面で示す説明
図である。
ウマスクの製造方法の一実施例の工程を断面で示す説明
図である。
１、１１、２１・・・・金属基板 ２、１２、２２・・・・大孔 ３、１３、２３・・・・小孔 ４、１４、２４・・・・開口部（貫通孔） ６、１６・・・・直角の状態 ７、１７、２７・・・・開口部（貫通孔）のエッジ １０・・・・高精細シャドウマスク １５、１６、２５、２６・・・・テーパ部 ３０・・・・陰極 ４０・・・・陽極 ２０・・・・従来のシャドウマスク ５０・・・・大孔側フォトレジストパターン ６０・・・・小孔側フォトレジストパターン ７０・・・・フォトレジスト層
Claims (5)
- 【請求項１】金属基板の片面に大孔を化学エッチングに
より形成し、次に他面に小孔を電解エッチングにより形
成して貫通孔を設けたことを特徴とする高精細シャドウ
マスク。 - 【請求項２】高精細シャドウマスクの製造において、金
属基板の片面に大孔を化学エッチングにより形成し、次
に他面に小孔を電解エッチングにより形成して貫通孔を
設けることを特徴とする高精細シャドウマスクの製造方
法。 - 【請求項３】前記電解エッチングにおいて、電解液が硝
酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする請求項２記
載の高精細シャドウマスクの製造方法。 - 【請求項４】前記電解エッチングにおいて、電解液中の
金属基板の小孔側に陰極、大孔側に陽極を設けて電解エ
ッチングすることを特徴とする請求項２、又は請求項３
記載の高精細シャドウマスクの製造方法。 - 【請求項５】前記電解エッチングにおいて、電極の材料
が電解液中で溶解しない材料であることを特徴とする請
求項２、請求項３、又は請求項４記載の高精細シャドウ
マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220997A JP2001052605A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220997A JP2001052605A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052605A true JP2001052605A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16759859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11220997A Pending JP2001052605A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | 高精細シャドウマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001052605A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008159922A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
| CN110453221A (zh) * | 2018-05-08 | 2019-11-15 | 住友重机械工业株式会社 | 板处理装置及板处理方法 |
| KR102075064B1 (ko) * | 2018-11-13 | 2020-02-07 | (주)애니캐스팅 | 돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법 |
| CN116511842A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-08-01 | 寰采星科技(宁波)有限公司 | 一种精密金属掩模板的制作方法及精密金属掩模板 |
-
1999
- 1999-08-04 JP JP11220997A patent/JP2001052605A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008159922A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
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| CN116511842A (zh) * | 2023-04-27 | 2023-08-01 | 寰采星科技(宁波)有限公司 | 一种精密金属掩模板的制作方法及精密金属掩模板 |
| CN116511842B (zh) * | 2023-04-27 | 2023-10-03 | 寰采星科技(宁波)有限公司 | 一种精密金属掩模板的制作方法及精密金属掩模板 |
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